DE102014119390A1 - Optoelectronic component and method for its production - Google Patents

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt und einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt, der zweite Leiterrahmenabschnitt und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Formkörper eingebettet. Die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.An optoelectronic component comprises a first leadframe section, a second leadframe section and an optoelectronic semiconductor chip. The first lead frame portion and the second lead frame portion each have an upper surface. The optoelectronic semiconductor chip is arranged on the upper side of the first leadframe section. The first lead frame section, the second lead frame section and the optoelectronic semiconductor chip are embedded together in a molded body. The tops of the lead frame sections are completely covered by the optoelectronic semiconductor chip and the molded body.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 14.The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 14.

Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, sind mit verschiedenen Gehäusevarianten aus dem Stand der Technik bekannt. Beispielsweise sind aus dem Stand der Technik Gehäuse bekannt, die einen in einen Formkörper eingebetteten Leiterrahmen aufweisen. Für verschiedene Anwendungsbereiche ist es wünschenswert, optoelektronische Bauelemente mit möglichst platzsparenden Gehäusen auszubilden.Optoelectronic components, for example light-emitting diode components, are known with different housing variants from the prior art. For example, known from the prior art housing having an embedded in a molding body lead frame. For various applications, it is desirable to form optoelectronic devices with space-saving as possible housings.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 14 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 1. A further object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 14. In the dependent claims various developments are given.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt und einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist auf der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt, der zweite Leiterrahmenabschnitt und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Formkörper eingebettet. Die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.An optoelectronic component comprises a first leadframe section, a second leadframe section and an optoelectronic semiconductor chip. The first lead frame portion and the second lead frame portion each have an upper surface. The optoelectronic semiconductor chip is arranged on the upper side of the first leadframe section. The first lead frame section, the second lead frame section and the optoelectronic semiconductor chip are embedded together in a molded body. The tops of the lead frame sections are completely covered by the optoelectronic semiconductor chip and the molded body.

Vorteilhafterweise kann dieses optoelektronische Bauelement sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen. Dabei ist das optoelektronische Bauelement durch die Einbettung der Leiterrahmenabschnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips in den gemeinsamen Formkörper vorteilhafterweise mechanisch sehr stabil.Advantageously, this optoelectronic component can have very compact external dimensions. In this case, the optoelectronic component is advantageously very mechanically stable due to the embedding of the leadframe sections and of the optoelectronic semiconductor chip in the common molded body.

Der optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise ein lichtemittierender Halbleiterchip oder ein lichtdetektierender Halbleiterchip sein. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. In diesem Fall kann sich das optoelektronische Bauelement beispielsweise zur Hinterleuchtung eines Flüssigkristallbildschirms eignen, beispielsweise eines Flüssigkristallbildschirms eines tragbaren elektronischen Geräts.The optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component can be, for example, a light-emitting semiconductor chip or a light-detecting semiconductor chip. In particular, the optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). In this case, the optoelectronic component may be suitable, for example, for backlighting a liquid crystal screen, for example a liquid crystal screen of a portable electronic device.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip an einer dem ersten Leiterrahmenabschnitt zugewandten Unterseite eine erste elektrische Kontaktfläche auf, die elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt verbunden ist. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine besonders einfache Ausführung des optoelektronischen Bauelements.In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip has a first electrical contact surface on an underside facing the first conductor frame section, which is electrically conductively connected to the first conductor frame section. Advantageously, this results in a particularly simple embodiment of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip auch auf der Oberseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip erstreckt sich in diesem Fall als Brücke zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch mit besonders kompakten Abmessungen ausgebildet sein.In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is also arranged on the upper side of the second conductor frame section. The optoelectronic semiconductor chip in this case extends as a bridge between the first leadframe section and the second leadframe section. Advantageously, the optoelectronic component can thereby be formed with particularly compact dimensions.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip an seiner Unterseite eine zweite elektrische Kontaktfläche auf, die elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden ist. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch eine besonders einfache elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips und dadurch ein besonders einfacher und kompakter Aufbau des optoelektronischen Bauelements.In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip has on its underside a second electrical contact surface, which is electrically conductively connected to the second conductor frame section. Advantageously, this results in a particularly simple electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip and thereby a particularly simple and compact construction of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip eine zweite elektrische Kontaktfläche auf, die mittels eines Bonddrahts elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden ist. Die zweite elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips kann in diesem Fall beispielsweise an einer von den Leiterrahmenabschnitten abgewandten Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein.In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip has a second electrical contact surface, which is connected in an electrically conductive manner to the second conductor frame section by means of a bonding wire. In this case, the second electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip may, for example, be arranged on an upper side of the optoelectronic semiconductor chip facing away from the conductor frame sections.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips zumindest teilweise nicht durch den Formkörper bedeckt. Die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips kann in diesem Fall eine Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips bilden, insbesondere beispielsweise eine Strahlungsemissionsfläche. Der optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements ist dadurch in der Lage, an seiner Oberseite Strahlung zu emittieren oder Strahlung zu detektieren. In one embodiment of the optoelectronic component, an upper side of the optoelectronic semiconductor chip is at least partially not covered by the molded body. In this case, the upper side of the optoelectronic semiconductor chip can form a radiation passage area of the optoelectronic semiconductor chip, in particular, for example, a radiation emission area. The optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component is thereby able to emit radiation on its upper side or to detect radiation.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ein wellenlängenkonvertierendes Element angeordnet. Das wellenlängenkonvertierende Element kann dazu ausgebildet sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.In one embodiment of the optoelectronic component, a wavelength-converting element is arranged on the upper side of the optoelectronic semiconductor chip. The wavelength-converting element may be designed to at least partially convert electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component into electromagnetic radiation of a different wavelength.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das wellenlängenkonvertierende Element in den Formkörper eingebettet. Vorteilhafterweise muss das optoelektronische Bauelement dadurch nicht mit einem weiteren externen wellenlängenkonvertierenden Element ausgestattet werden. Das in den Formkörper eingebettete wellenlängenkonvertierende Element kann außerdem eine Aussparung in dem Formkörper bilden, die als Reflektor zur Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierter elektromagnetischer Strahlung dient. Ferner kann das wellenlängenkonvertierende Element bei der Herstellung dieses optoelektronischen Bauelements als Abstandshalter dienen und einen Schutz eines mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbundenen Bonddrahts bewirken.In one embodiment of the optoelectronic component, the wavelength-converting element is embedded in the shaped body. Advantageously, the optoelectronic component therefore does not have to be equipped with a further external wavelength-converting element. The wavelength-converting element embedded in the shaped body can also form a recess in the shaped body, which serves as a reflector for bundling electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip. Furthermore, in the production of this optoelectronic component, the wavelength-converting element can serve as a spacer and cause protection of a bonding wire connected to the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements liegen den Oberseiten gegenüberliegende Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte an einer Unterseite des optoelektronischen Bauelements zumindest teilweise frei. Die an der Unterseite des optoelektronischen Bauelements freiliegenden Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte können dadurch Lötkontaktflächen des optoelektronischen Bauelements bilden und zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements dienen. Das optoelektronische Bauelement kann sich dadurch beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten).In one embodiment of the optoelectronic component, lower sides of the leadframe sections lying opposite the upper sides are at least partially exposed on a lower side of the optoelectronic component. The undersides of the leadframe sections which are exposed on the underside of the optoelectronic component can thereby form solder contact areas of the optoelectronic component and serve for electrical contacting of the optoelectronic component. The optoelectronic component can thereby be suitable, for example, as an SMT component for surface mounting, for example for surface mounting by reflow soldering.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Leiterrahmenabschnitt an seiner Unterseite eine erste Kontaktausnehmung auf. Dabei weist der zweite Leiterrahmenabschnitt an seiner Unterseite eine zweite Kontaktausnehmung auf. Die erste Kontaktausnehmung und die zweite Kontaktausnehmung grenzen beide an eine erste Kante der Unterseite des optoelektronischen Bauelements an. Die an die erste Kante der Unterseite des optoelektronischen Bauelements angrenzenden Kontaktausnehmungen der Leiterrahmenabschnitte dieses optoelektronischen Bauelements können Lötkontaktflächen des optoelektronischen Bauelements bilden. Dadurch eignet sich das optoelektronische Bauelement für eine Montage in einer Sidelooker-Anordnung, in der die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips senkrecht zur Montageebene orientiert ist, sodass von dem optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahltes Licht in zur Montageebene parallele Richtung abgestrahlt wird. Durch die Ausbildung der Lötkontaktflächen des optoelektronischen Bauelements als Kontaktausnehmungen können diese vorteilhafterweise gleichzeitig Lötkontrollstrukturen bilden, die eine visuelle Kontrolle einer korrekten Montage des optoelektronischen Bauelements ermöglichen. Dadurch, dass die Kontaktausnehmungen des optoelektronischen Bauelements an den Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte angeordnet sind, werden sich bei der Montage des optoelektronischen Bauelements ergebende Montagetoleranzen vorteilhafterweise reduziert.In one embodiment of the optoelectronic component, the first leadframe section has a first contact recess on its underside. In this case, the second lead frame section on its underside on a second contact recess. The first contact recess and the second contact recess both adjoin a first edge of the underside of the optoelectronic component. The contact recesses of the leadframe sections of this optoelectronic component which adjoin the first edge of the underside of the optoelectronic component can form solder contact areas of the optoelectronic component. As a result, the optoelectronic component is suitable for mounting in a sidelooker arrangement, in which the upper side of the optoelectronic semiconductor chip is oriented perpendicular to the mounting plane, so that light emitted by the optoelectronic semiconductor chip is emitted in a direction parallel to the mounting plane. Due to the design of the solder contact surfaces of the optoelectronic component as contact recesses, these can advantageously simultaneously form solder control structures which enable a visual control of a correct mounting of the optoelectronic component. Characterized in that the contact recesses of the optoelectronic component are arranged on the undersides of the lead frame sections, assembly tolerances resulting in the assembly of the optoelectronic component are advantageously reduced.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Leiterrahmenabschnitt an seiner Unterseite eine erste weitere Kontaktausnehmung auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt weist dabei an seiner Unterseite eine zweite weitere Kontaktausnehmung auf. Die erste weitere Kontaktausnehmung und die zweite weitere Kontaktausnehmung grenzen beide an eine zweite Kante der Unterseite des optoelektronischen Bauelements an. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine symmetrische Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements. Durch die symmetrische Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements wird es ermöglicht, das optoelektronische Bauelement in zwei unterschiedlichen Orientierungen anzuordnen. Dadurch ist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise besonders vielseitig verwendbar.In one embodiment of the optoelectronic component, the first leadframe section has on its underside a first further contact recess. The second leadframe section has a second further contact recess on its underside. The first further contact recess and the second further contact recess both adjoin a second edge of the underside of the optoelectronic component. Advantageously, this results in a symmetrical configuration of the optoelectronic component. The symmetrical design of the optoelectronic component makes it possible to arrange the optoelectronic component in two different orientations. As a result, the optoelectronic component advantageously can be used in a particularly versatile manner.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstrecken sich die Kontaktausnehmungen nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte. Vorteilhafterweise wird dadurch eine besonders einfache elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht.In one embodiment of the optoelectronic component, the contact recesses do not extend completely through the leadframe sections. Advantageously, this allows a particularly simple electrical contacting of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Unterseite des optoelektronischen Bauelements ein Schutzchip angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden. Der Schutzchip ist dadurch dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements elektrisch parallelgeschaltet. Der Schutzchip kann beispielsweise einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen dienen.In one embodiment of the optoelectronic component, a protective chip is arranged on the underside of the optoelectronic component and connected in an electrically conductive manner to the first conductor frame section and to the second conductor frame section. The protective chip is thereby electrically connected in parallel to the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component. The protective chip can serve, for example, to protect the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component from damage due to electrostatic discharges.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt, die jeweils eine Oberseite aufweisen, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt und zum Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts, des zweiten Leiterrahmenabschnitts und des optoelektronischen Halbleiterchips in einen gemeinsamen Formkörper. Dabei werden die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.A method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a leadframe with a first leadframe section and a second leadframe section, each having an upper side, for Arranging an optoelectronic semiconductor chip on the first leadframe section and for embedding the first leadframe section, the second leadframe section and the optoelectronic semiconductor chip in a common shaped body. In this case, the upper sides of the leadframe sections are completely covered by the optoelectronic semiconductor chip and the molded body.

Dieses Verfahren ermöglicht eine kostengünstige Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit sehr kompakten äußeren Abmessungen. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein lichtemittierender Halbleiterchip oder ein lichtdetektierender Halbleiterchip sein, insbesondere beispielsweise ein Leuchtdiodenchip. Das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement kann sich beispielsweise zur Verwendung zur Hinterleuchtung von Flüssigkristallbildschirmen in mobilen elektronischen Geräten eignen.This method enables a cost-effective production of an optoelectronic component with very compact external dimensions. The optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting semiconductor chip or a light-detecting semiconductor chip, in particular, for example, a light-emitting diode chip. For example, the optoelectronic device obtainable by the method may be suitable for use in backlighting liquid crystal displays in mobile electronic devices.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereitstellen des Leiterrahmens einen Schritt zum Ausbilden einer ersten Kontaktausnehmung an einer Unterseite des ersten Leiterrahmenabschnitts und einer zweiten Kontaktausnehmung an einer Unterseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts. Die Kontaktausnehmungen können beispielsweise mittels eines Ätzprozesses ausgebildet werden. Dadurch, dass die Kontaktausnehmungen bereits vor dem Einbetten des Leiterrahmens in den Formkörper angelegt werden, können die Kontaktausnehmungen vor dem Einbetten der Leiterrahmenabschnitte in den Formkörper noch mit einer Beschichtung versehen werden, die die Lötbarkeit der Kontaktausnehmungen verbessert. Dadurch eignen sich die Kontaktausnehmungen an den Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte des durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise zur Verwendung als Lötkontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements.In an embodiment of the method, the provision of the leadframe comprises a step of forming a first contact recess on a lower side of the first leadframe section and a second contact recess on a lower side of the second leadframe section. The contact recesses can be formed, for example, by means of an etching process. Characterized in that the contact recesses are applied before embedding the lead frame in the molding, the contact recesses can be provided before embedding the lead frame sections in the molding with a coating that improves the solderability of the contact recesses. As a result, the contact recesses on the undersides of the leadframe sections of the optoelectronic component obtainable by this method are advantageously suitable for use as solder contact surfaces for electrically contacting the optoelectronic component obtainable by the method.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Kontaktausnehmungen als Sacklöcher an den Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte angelegt. Vorteilhafterweise bieten die Kontaktausnehmungen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dadurch eine große durch Lötzinn benetzbare Fläche, wodurch eine zuverlässige elektrische Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements ermöglicht wird.In one embodiment of the method, the contact recesses are applied as blind holes on the undersides of the leadframe sections. Advantageously, the contact recesses in the optoelectronic component obtainable by the method thereby provide a large area wettable by solder, thereby enabling reliable electrical contacting of the optoelectronic component obtainable by the method.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereitstellen des Leiterrahmens einen Schritt zum Anordnen einer Beschichtung an einer Oberfläche des Leiterrahmens. Die Beschichtung kann beispielsweise dazu dienen, die Lötbarkeit der Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens zu verbessern, insbesondere die Benetzbarkeit von zur elektrischen Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements dienenden Abschnitten der Leiterrahmenabschnitte durch Lötzinn.In one embodiment of the method, providing the leadframe includes a step of placing a coating on a surface of the leadframe. The coating can serve, for example, to improve the solderability of the leadframe sections of the leadframe, in particular the wettability of soldered portions of sections of the leadframe sections serving for the electrical contacting of the optoelectronic component obtainable by the method.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Leiterrahmen mit einer Mehrzahl weiterer Leiterrahmenabschnitte bereitgestellt. Dabei werden alle Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens gemeinsam in den Formkörper eingebettet. Das Verfahren umfasst dabei einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Formkörpers und des Leiterrahmens, um das optoelektronische Bauelement zu vereinzeln. Das Verfahren ermöglicht dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Bearbeitungsschritten. Hierdurch sinken die Kosten zur Herstellung eines einzelnen optoelektronischen Bauelements und die zur Herstellung eines einzelnen optoelektronischen Bauelements erforderliche Zeit.In one embodiment of the method, the leadframe is provided with a plurality of further leadframe sections. In this case, all the leadframe sections of the leadframe are embedded together in the molded body. In this case, the method comprises a further step for dividing the shaped body and the leadframe in order to separate the optoelectronic component. The method thereby enables a parallel production of a plurality of optoelectronic components in common processing steps. This reduces the cost of manufacturing a single optoelectronic device and the time required to fabricate a single optoelectronic device.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Leiterrahmen entlang einer Trennebene zerteilt, die sich durch die erste Kontaktausnehmung und durch die zweite Kontaktausnehmung erstreckt. Vorteilhafterweise sind die Kontaktausnehmungen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dadurch zu Seitenflächen des optoelektronischen Bauelements hin geöffnet, was eine Montage des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements in einer Sidelooker-Anordnung ermöglicht.In one embodiment of the method, the leadframe is split along a parting plane that extends through the first contact recess and through the second contact recess. Advantageously, in the case of the optoelectronic component obtainable by the method, the contact recesses are thereby opened to side faces of the optoelectronic component, which makes possible a mounting of the optoelectronic component obtainable by the method in a sidelooker arrangement.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements wird der Formkörper mittels eines Formverfahrens ausgebildet. Beispielsweise kann der Formkörper durch Spritzpressen (Tranfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding) ausgebildet werden. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine einfache, kostengünstige und gut reproduzierbare Herstellung des Formkörpers.In one embodiment of the optoelectronic component, the shaped body is formed by means of a molding process. For example, the shaped body can be formed by transfer molding (transfer molding) or by injection molding (injection molding). Advantageously, the method thereby enables a simple, inexpensive and well reproducible production of the molding.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter DarstellungThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 eine perspektivische Ansicht von Oberseiten von Leiterrahmenabschnitten eines Leiterrahmens; 1 a perspective view of tops of lead frame portions of a lead frame;

2 eine perspektivische Ansicht von Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte; 2 a perspective view of lower sides of the lead frame sections;

3 eine geschnittene Seitenansicht der auf einer Trägerfolie angeordneten Leiterrahmenabschnitte; 3 a sectional side view of the arranged on a support film lead frame sections;

4 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte mit einem darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip; 4 a sectional side view of the lead frame sections with an optoelectronic semiconductor chip arranged thereon;

5 eine perspektivische Ansicht der Leiterrahmenabschnitte und des darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips; 5 a perspective view of the lead frame sections and the optoelectronic semiconductor chip arranged thereon;

6 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips nach ihrer Einbettung in einen Formkörper; 6 a sectional side view of the lead frame sections and the optoelectronic semiconductor chip after their embedding in a molding;

7 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Formkörper gebildeten ersten optoelektronischen Bauelements nach dem Ablösen der Trägerfolie; 7 a sectional side view of a formed from the shaped body first optoelectronic device after detachment of the carrier film;

8 eine perspektivische Ansicht des ersten optoelektronischen Bauelements; 8th a perspective view of the first optoelectronic device;

9 eine perspektivische Ansicht einer das erste optoelektronische Bauelement umfassenden Bauelementeanordnung; 9 a perspective view of a device assembly comprising the first optoelectronic component;

10 eine geschnittene Seitenansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements; 10 a sectional side view of a second optoelectronic device;

11 eine geschnittene Seitenansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements; 11 a sectional side view of a third optoelectronic device;

12 eine geschnittene Seitenansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements; 12 a sectional side view of a fourth optoelectronic device;

13 eine geschnittene Seitenansicht eines fünften optoelektronischen Bauelements; 13 a sectional side view of a fifth optoelectronic device;

14 eine geschnittene Seitenansicht von auf einer Trägerfolie angeordneten Leiterrahmenabschnitten eines weiteren Leiterrahmens; 14 a sectional side view of arranged on a support film lead frame portions of another lead frame;

15 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte mit einem darauf angeordneten weiteren optoelektronischen Halbleiterchip; 15 a sectional side view of the lead frame sections with a further optoelectronic semiconductor chip arranged thereon;

16 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips in einem nachfolgenden Bearbeitungsstand; 16 a sectional side view of the lead frame sections and the optoelectronic semiconductor chip in a subsequent processing state;

17 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips mit einem darauf angeordneten Deckelement; 17 a sectional side view of the lead frame sections and the optoelectronic semiconductor chip with a cover element arranged thereon;

18 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte, des optoelektronischen Halbleiterchips und des Deckelements nach deren Einbettung in einen Formkörper; 18 a sectional side view of the lead frame sections, the optoelectronic semiconductor chip and the cover element after their embedding in a molding;

19 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Formkörper gebildeten sechsten optoelektronischen Bauelements nach dem Ablösen der Trägerfolie; und 19 a sectional side view of a formed from the shaped body sixth optoelectronic device after detachment of the carrier film; and

20 eine geschnittene Seitenansicht eines siebten optoelektronischen Bauelements. 20 a sectional side view of a seventh optoelectronic device.

1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils eines Leiterrahmens 300. 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des Teils des Leiterrahmens 300 aus einer anderen Blickrichtung. Der Leiterrahmen 300 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. 1 shows a schematic perspective view of a part of a lead frame 300 , 2 shows a schematic perspective view of the part of the lead frame 300 from a different perspective. The ladder frame 300 can also be called a leadframe.

In 1 und 2 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 100 und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 300 dargestellt. Der Leiterrahmen 300 umfasst in der Regel in 1 und 2 nicht dargestellte, weitere Leiterrahmenabschnitte, die wie der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 ausgebildet sind. Je ein erster Leiterrahmenabschnitt 100 und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 300 bilden ein zusammengehöriges Paar. Alle Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens 300 sind materialeinheitlich einstückig zusammenhängend miteinander verbunden. Dabei sind die ein Paar bildenden ersten Leiterrahmenabschnitte 100 und zweiten Leiterrahmenabschnitte 200 allerdings jeweils nicht direkt miteinander verbunden, sondern lediglich über die benachbarten weiteren Leiterrahmenabschnitte. Auch das in 1 und 2 gezeigte Paar des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 ist nicht direkt miteinander verbunden.In 1 and 2 are a first ladder frame section 100 and a second lead frame section 200 of the ladder frame 300 shown. The ladder frame 300 usually includes in 1 and 2 not shown, further lead frame sections, as the first lead frame section 100 and the second lead frame section 200 are formed. Depending on a first ladder frame section 100 and a second lead frame section 200 of the ladder frame 300 form a related couple. All ladder frame sections of the ladder frame 300 are integrally connected in one piece with the same material. Here are the pair forming a first lead frame sections 100 and second lead frame sections 200 However, each not directly connected to each other, but only on the adjacent other lead frame sections. Also in 1 and 2 shown pair of the first lead frame section 100 and the second lead frame portion 200 is not directly connected.

Der Leiterrahmen 300 ist im Wesentlichen flach und eben ausgebildet und kann beispielsweise aus einem Blech hergestellt sein. In dem Leiterrahmen 300 angeordnete Durchbrüche, die beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens angelegt worden sein können, grenzen den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 voneinander ab. Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. In 1 sind die Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 sichtbar. 2 zeigt die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200. The ladder frame 300 is substantially flat and flat and can be made for example of a metal sheet. In the ladder frame 300 arranged breakthroughs, which may have been created for example by means of an etching process, bordering the first leadframe portion 100 and the second lead frame section 200 from each other. The first ladder frame section 100 has a top 101 and one of the top 101 opposite bottom 102 on. The second ladder frame section 200 has a top 201 and one of the top 201 opposite bottom 202 on. In 1 are the tops 101 . 201 the ladder frame sections 100 . 200 visible, noticeable. 2 shows the subpages 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 ,

Der Leiterrahmen 300 weist ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall. Beispielsweise kann der Leiterrahmen 300 Kupfer aufweisen. An Teilen oder der gesamten Oberfläche des Leiterrahmens 300, also beispielsweise an den Oberseiten 101, 201 und den Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200, wie auch in den Durchbrüchen des Leiterrahmens 300, kann eine Beschichtung 301 angeordnet sein, die beispielsweise eine Lötbarkeit und/oder eine optische Reflektivität des Leiterrahmens 300 verbessern kann. The ladder frame 300 has an electrically conductive material, preferably a metal. For example, the lead frame 300 Have copper. On parts or the entire surface of the lead frame 300 So, for example, on the tops 101 . 201 and the bottoms 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 , as well as in the openings of the lead frame 300 , can be a coating 301 be arranged, for example, a solderability and / or an optical reflectivity of the lead frame 300 can improve.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 des Leiterrahmens 300 weist an seiner Unterseite 102 eine erste Kontaktausnehmung 110 und eine erste weitere Kontaktausnehmung 120 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 weist an seiner Unterseite 202 eine zweite Kontaktausnehmung 210 und eine zweite weitere Kontaktausnehmung 220 auf. Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 sind jeweils in Randbereichen der Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 an den Grenzen zwischen den Leiterrahmenabschnitten 100, 200 und benachbarten weiteren Leiterrahmenabschnitten des Leiterrahmens 300 angeordnet. Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 können sich über die in 2 gezeigten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 hinaus zu den jeweils benachbarten Leiterrahmenabschnitten des Leiterrahmens 300 erstrecken.The first ladder frame section 100 of the ladder frame 300 points to its underside 102 a first contact recess 110 and a first further contact recess 120 on. The second ladder frame section 200 points to its underside 202 a second contact recess 210 and a second further contact recess 220 on. The contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 are each in marginal areas of the subpages 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 at the boundaries between the leadframe sections 100 . 200 and adjacent other lead frame portions of the lead frame 300 arranged. The contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 can talk about the in 2 shown leadframe sections 100 . 200 out to the respective adjacent lead frame portions of the lead frame 300 extend.

Die erste Kontaktausnehmung 110 und die erste weitere Kontaktausnehmung 120 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 sind an einander gegenüberliegenden Seiten des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet. Entsprechend sind die zweite Kontaktausnehmung 210 und die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 an einander gegenüberliegenden Seiten des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet. Dabei sind die erste Kontaktausnehmung 110 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und die zweite Kontaktausnehmung 210 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 in der einander gegenüberliegenden Anordnung des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 auf einer gemeinsamen ersten Seite angeordnet. Die erste weitere Kontaktausnehmung 120 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 des zweiten Leiterrahmenabschnitts sind auf einer gemeinsamen zweiten Seite angeordnet.The first contact recess 110 and the first further contact recess 120 of the first leadframe section 100 are on opposite sides of the first leadframe section 100 arranged. Accordingly, the second contact recess 210 and the second further contact recess 220 on opposite sides of the second lead frame portion 200 arranged. Here are the first contact recess 110 of the first leadframe section 100 and the second contact recess 210 the second lead frame section 200 in the opposite arrangement of the first lead frame portion 100 and the second lead frame portion 200 arranged on a common first page. The first further contact recess 120 of the first leadframe section 100 and the second further contact recess 220 of the second leadframe portion are arranged on a common second side.

Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 sind jeweils als sich nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 erstreckende Vertiefungen bzw. Sacklöcher an den Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 ausgebildet. Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 können beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens angelegt worden sein. Die sich über die Grenzen des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 bis zu benachbarten Leiterrahmenabschnitten erstreckenden Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 können beispielsweise jeweils etwa kreisförmige Querschnitte aufweisen. In diesem Fall können die an den Unterseiten 102, 202 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordneten Teile der Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 jeweils halbkreisförmige Querschnitte aufweisen.The contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 are each as not completely through the leadframe sections 100 . 200 extending depressions or blind holes on the undersides 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 educated. The contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 may have been applied, for example, by means of an etching process. Which extends beyond the boundaries of the first lead frame section 100 and the second lead frame portion 200 extending to adjacent lead frame sections contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 For example, each may have approximately circular cross sections. In this case, those at the bottoms 102 . 202 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 arranged parts of the contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 each having semicircular cross-sections.

Die Beschichtung 301 des Leiterrahmens 300 erstreckt sich bevorzugt auch auf die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220.The coating 301 of the ladder frame 300 preferably also extends to the contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 ,

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 300 sind in dem in 1 und 2 dargestellten Beispiel spiegelsymmetrisch zueinander ausgebildet. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Es ist möglich, den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 mit unterschiedlichen Geometrien und/oder mit unterschiedlichen Größen auszubilden.The first ladder frame section 100 and the second lead frame section 200 of the ladder frame 300 are in the in 1 and 2 example illustrated mirror-symmetrical to each other. However, this is not mandatory. It is possible to use the first ladder frame section 100 and the second lead frame section 200 form with different geometries and / or with different sizes.

3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 des Leiterrahmens 300 in einem der Darstellung der 1 und 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 3 shows a schematic sectional side view of the first lead frame section 100 and the second lead frame portion 200 of the ladder frame 300 in one of the presentation of the 1 and 2 temporally subsequent processing status.

Der Leiterrahmen 300 ist auf einer Trägerfolie 310 angeordnet worden. Dabei sind die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 der Trägerfolie 310 zugewandt. Die Trägerfolie 310 kann beispielsweise eine selbstklebende Folie sein, die an den Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 100 anhaftet.The ladder frame 300 is on a carrier foil 310 been arranged. Here are the subpages 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 the carrier film 310 facing. The carrier foil 310 For example, it can be a self-adhesive film on the undersides 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 100 adheres.

Anstelle der Trägerfolie 310 kann auch ein anderer Träger verwendet werden. Bevorzugt deckt dieser Träger alle erhabenen Abschnitte der Unterseiten 102, 202 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 in dichtender Weise ab. Der Träger kann hierzu beispielsweise mit einer weichen Oberfläche ausgebildet sein, was es ermöglicht, die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 leicht in den Träger einzudrücken.Instead of the carrier film 310 Another carrier can also be used. Preferably, this carrier covers all raised portions of the undersides 102 . 202 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 in a sealed way. For this purpose, the carrier may be formed, for example, with a soft surface, which allows the undersides 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 300 easy to push into the carrier.

4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der auf der Trägerfolie 310 angeordneten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 in einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung der auf der Trägerfolie 310 angeordneten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 in dem in 4 gezeigten Bearbeitungsstand. 4 shows a schematic sectional side view of the on the carrier film 310 arranged ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 300 in one of the presentation of the 3 temporally subsequent processing status. 5 shows a schematic perspective view of the on the carrier film 310 arranged ladder frame sections 100 . 200 in the 4 shown processing status.

Auf den von der Trägerfolie 310 abgewandten Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet worden. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist zur Emission oder zur Detektion elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise sichtbaren Lichts, ausgebildet. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip (LED-Chip), als Laserchip oder als Photodiodenchip ausgebildet sein. On the of the carrier film 310 facing away from the tops 101 . 201 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 is an optoelectronic semiconductor chip 400 been arranged. The optoelectronic semiconductor chip 400 is designed to emit or detect electromagnetic radiation, such as visible light. The optoelectronic semiconductor chip 400 For example, it can be designed as a light-emitting diode chip (LED chip), as a laser chip or as a photodiode chip.

Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine Oberseite 401 und eine der Oberseite 401 gegenüberliegende Unterseite 402 auf. Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 bildet eine Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400. Falls der optoelektronische Halbleiterchip 400 als lichtemittierender Halbleiterchip ausgebildet ist, so bildet die Oberseite 401 eine Strahlungsemissionsfläche, an der der optoelektronische Halbleiterchip 400 elektromagnetische Strahlung emittiert. Falls der optoelektronische Halbleiterchip 400 zur Detektion elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist, so kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 auf seine Oberseite 401 auftreffendes Licht detektieren.The optoelectronic semiconductor chip 400 has a top 401 and one of the top 401 opposite bottom 402 on. The top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 forms a radiation passage area of the optoelectronic semiconductor chip 400 , If the optoelectronic semiconductor chip 400 is formed as a light-emitting semiconductor chip, then forms the top 401 a radiation emission surface on which the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted electromagnetic radiation. If the optoelectronic semiconductor chip 400 is designed for detecting electromagnetic radiation, so the optoelectronic semiconductor chip 400 on his top 401 detect incident light.

Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist derart an den Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet, dass die Unterseite 402 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 den Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 zugewandt ist und mit den Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 in Kontakt steht. Dabei erstreckt sich der optoelektronische Halbleiterchip 400 brückenförmig von der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 zur Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200.The optoelectronic semiconductor chip 400 is so on the tops 101 . 201 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 arranged that the bottom 402 of the optoelectronic semiconductor chip 400 the tops 101 . 201 the ladder frame sections 100 . 200 is facing and with the tops 101 . 201 the ladder frame sections 100 . 200 in contact. In this case, the optoelectronic semiconductor chip extends 400 bridge-shaped from the top 101 of the first leadframe section 100 to the top 201 the second lead frame section 200 ,

Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist an seiner Unterseite 402 eine erste elektrische Kontaktfläche 410 und eine zweite elektrische Kontaktfläche 420 auf. Durch die Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips 400 an den Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 ist die erste elektrische Kontaktfläche 410 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und die zweite elektrische Kontaktfläche 420 elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 verbunden. Dies ermöglicht es, den optoelektronischen Halbleiterchip 400 über den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 mit elektrischer Spannung und elektrischem Strom zu beaufschlagen, um den optoelektronischen Halbleiterchip 400 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen, oder über den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 eine von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 erzeugte elektrische Spannung oder einen von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 erzeugten elektrischen Strom abzugreifen. Die elektrisch leitenden Verbindungen können beispielsweise über Lötverbindungen hergestellt sein, die auch zur mechanischen Befestigung des optoelektronischen Halbleiterchips 400 auf den Leiterrahmenabschnitten 100, 200 dienen.The optoelectronic semiconductor chip 400 points to its underside 402 a first electrical contact surface 410 and a second electrical contact surface 420 on. By the arrangement of the optoelectronic semiconductor chip 400 on the tops 101 . 201 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 is the first electrical contact surface 410 electrically conductive with the first lead frame section 100 and the second electrical contact surface 420 electrically conductive with the second lead frame section 200 connected. This makes it possible to use the optoelectronic semiconductor chip 400 over the first ladder frame section 100 and the second lead frame section 200 to apply electrical voltage and current to the optoelectronic semiconductor chip 400 to cause the emission of electromagnetic radiation, or over the first lead frame section 100 and the second lead frame section 200 one of the optoelectronic semiconductor chip 400 generated electrical voltage or one of the optoelectronic semiconductor chip 400 to generate electricity generated. The electrically conductive connections can be made, for example, via solder joints, which are also used for the mechanical fastening of the optoelectronic semiconductor chip 400 on the ladder frame sections 100 . 200 serve.

6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 und des optoelektronischen Halbleiterchips 400 in einem der Darstellung der 4 und 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 6 shows a schematic sectional side view of the leadframe sections 100 . 200 of the ladder frame 300 and the optoelectronic semiconductor chip 400 in one of the presentation of the 4 and 5 temporally subsequent processing status.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100, der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 sind gemeinsam in einen Formkörper 500 eingebettet worden. Der Formkörper 500, die in den Formkörper 500 eingebetteten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und der in den Formkörper 500 eingebettete optoelektronische Halbleiterchip 400 bilden gemeinsam einen Verbundkörper 600.The first ladder frame section 100 , the second ladder frame section 200 and the optoelectronic semiconductor chip 400 are together in a molding 500 been embedded. The molded body 500 that are in the molding 500 embedded lead frame sections 100 . 200 and in the molding 500 embedded optoelectronic semiconductor chip 400 together form a composite body 600 ,

Der Formkörper 500 weist ein elektrisch isolierendes Formmaterial auf, beispielsweise ein Silikon und/oder ein Epoxidharz. Der Formkörper 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) ausgebildet worden sein, beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding), insbesondere beispielsweise durch folienunterstütztes Spritzpressen (Film-assisted Transfer Molding). Dabei sind die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 bevorzugt bereits während der Ausbildung des Formkörpers 500 in den Formkörper 500 eingebettet worden, indem die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 mit dem Material des Formkörpers 500 umformt wurden.The molded body 500 has an electrically insulating molding material, for example a silicone and / or an epoxy resin. The molded body 500 For example, it may have been formed by a molding process (molding process), for example by transfer molding or by injection molding (injection molding), in particular, for example, by film-assisted transfer molding. Here are the lead frame sections 100 . 200 and the optoelectronic semiconductor chip 400 preferably already during the formation of the molding 500 in the moldings 500 have been embedded by the ladder frame sections 100 . 200 and the optoelectronic semiconductor chip 400 with the material of the molding 500 were transformed.

Der Formkörper 500 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unterseite 502 auf. Die Unterseite 502 des Formkörpers 500 ist an die Trägerfolie 310 angrenzend ausgebildet worden. Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist zumindest teilweise nicht durch das Material des Formkörpers 500 bedeckt worden und liegt an der Oberseite 501 des Formkörpers 500 zumindest teilweise frei. Bevorzugt schließt die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 etwa bündig mit der Oberseite 501 des Formkörpers 500 ab. Gemeinsam bilden die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und die Oberseite 501 des Formkörpers 500 eine Oberseite 601 des Verbundkörpers 600.The molded body 500 has a top 501 and one of the top 501 opposite bottom 502 on. The bottom 502 of the molding 500 is to the carrier film 310 formed adjacent. The top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 is at least partially not by the material of the molding 500 has been covered and lies at the top 501 of the molding 500 at least partially free. Preferably, the top closes 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 approximately flush with the top 501 of the molding 500 from. Together form the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and the top 501 of the molding 500 a top 601 of the composite body 600 ,

Die an die Trägerfolie 310 angrenzenden Unterseiten 102, 202 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 sind zumindest teilweise nicht durch das Material des Formkörpers 500 bedeckt und liegen somit zumindest teilweise an der Unterseite 502 des Formkörpers 500 frei. Bevorzugt schließen die Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100, die Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 und die Unterseite 502 des Formkörpers 500 im Wesentlichen bündig miteinander ab. Gemeinsam bilden die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und die Unterseite 502 des Formkörpers 500 eine Unterseite 602 des Verbundkörpers 600. The to the carrier film 310 adjacent bottoms 102 . 202 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 are at least partially not by the material of the molding 500 covered and thus are at least partially at the bottom 502 of the molding 500 free. Preferably close the bottom 102 of the first leadframe section 100 , the bottom 202 the second lead frame section 200 and the bottom 502 of the molding 500 essentially flush with each other. Together, the subpages form 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 and the bottom 502 of the molding 500 a bottom 602 of the composite body 600 ,

Die Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 des Leiterrahmens 300 sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 und den Formkörper 500 vollständig bedeckt. Dabei bedeckt der Formkörper 500 die nicht bereits durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 bedeckten Abschnitte der Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300.The tops 101 . 201 of the first leadframe section 100 and the second lead frame portion 200 of the ladder frame 300 are through the optoelectronic semiconductor chip 400 and the shaped body 500 completely covered. This covers the molding 500 not already through the optoelectronic semiconductor chip 400 covered sections of the tops 101 . 201 the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 300 ,

7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Verbundkörper 600 ist ein erstes optoelektronisches Bauelement 10 gebildet worden. 8 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10. 7 shows a schematic sectional side view of the composite body 600 in one of the presentation of the 6 temporally subsequent processing status. From the composite body 600 is a first optoelectronic device 10 been formed. 8th shows a schematic perspective view of the first optoelectronic component 10 ,

In einem der Darstellung der 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt ist die Trägerfolie 310 von der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 abgelöst worden. Das Ablösen der Trägerfolie 310 kann beispielsweise durch mechanisches Abziehen der Trägerfolie 310 erfolgt sein.In one of the presentation of the 6 temporally subsequent processing step is the carrier film 310 from the bottom 602 of the composite body 600 been replaced. The detachment of the carrier film 310 For example, by mechanical removal of the carrier film 310 be done.

Der in 1 und 2 dargestellte Leiterrahmen 300 kann, wie bereits ausgeführt, neben dem ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 weitere Leiterrahmenabschnitte umfassen, die wie der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 ausgebildet sind. In diesem Fall wird der Leiterrahmen 300 im in 3 gezeigten Bearbeitungsstand mit allen Leiterrahmenabschnitten auf der Trägerfolie 310 angeordnet. Dann wird auf jedem Paar eines ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 des Leiterrahmens 300 ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet, wie dies in 4 gezeigt ist. Alle Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 und alle optoelektronischen Halbleiterchips 400 werden gemeinsam in den Formkörper 500 eingebettet. Nach dem Entfernen der Trägerfolie 310 werden der Formkörper 500 und der in den Formkörper 500 eingebettete Leiterrahmen 300 zerteilt, um die auf diese Weise gebildeten mehreren ersten optoelektronischen Bauelemente 10 zu vereinzeln.The in 1 and 2 illustrated ladder frame 300 can, as already stated, next to the first lead frame section 100 and the second lead frame section 200 comprise further lead frame sections, which are like the first lead frame section 100 and the second lead frame section 200 are formed. In this case, the lead frame 300 in the 3 shown processing status with all leadframe sections on the carrier film 310 arranged. Then, on each pair of a first leadframe section 100 and a second leadframe section 200 of the ladder frame 300 an optoelectronic semiconductor chip 400 arranged like this in 4 is shown. All ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 300 and all optoelectronic semiconductor chips 400 become common in the molding 500 embedded. After removing the carrier film 310 become the shaped body 500 and in the molding 500 embedded lead frame 300 divided to the thus formed plurality of first optoelectronic devices 10 to separate.

Dabei werden der Formkörper 500 und der Leiterrahmen 300 so zerteilt, dass jedes durch das Zerteilen gebildete erste optoelektronische Bauelement 10 einen Abschnitt des Formkörpers 500 umfasst, in den ein erster Leiterrahmenabschnitt 100, ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 200 und ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 eingebettet sind. Das Zerteilen des Formkörpers 500 und des in den Formkörper 500 eingebetteten Leiterrahmens 300 kann beispielsweise durch Sägen erfolgen.In this case, the molded body 500 and the ladder frame 300 divided so that each formed by the dividing first optoelectronic device 10 a portion of the molding 500 includes, in the a first lead frame section 100 , a second leadframe section 200 and an optoelectronic semiconductor chip 400 are embedded. The cutting of the molding 500 and in the molding 500 embedded lead frame 300 can be done for example by sawing.

Das Zerteilen des Formkörpers 500 und des Leiterrahmens 300 erfolgt entlang von Trennebenen. Dabei wird jedes erste optoelektronische Bauelement 10 unter anderem an einer ersten Trennebene 610 und an einer zur ersten Trennebene 610 parallelen zweiten Trennebene 620 von den weiteren ersten optoelektronischen Bauelementen 10 getrennt. Die erste Trennebene 610 erstreckt sich durch die erste Kontaktausnehmung 110 an der Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und durch die zweite Kontaktausnehmung 210 an der Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200. Die zweite Trennebene 620 erstreckt sich durch die erste weitere Kontaktausnehmung 120 an der Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und durch die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 an der Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200. An der ersten Trennebene 610 wird eine erste Kante 611 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 gebildet. An der zweiten Trennebene 620 wird eine zweite Kante 621 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 gebildet. Die erste Kontaktausnehmung 110 und die zweite Kontaktausnehmung 210 grenzen beide an die erste Kante 611 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 an. Die erste weitere Kontaktausnehmung 120 und die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 grenzen beide an die zweite Kante 621 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 an.The cutting of the molding 500 and the ladder frame 300 takes place along dividing planes. In this case, each first optoelectronic component 10 inter alia at a first parting line 610 and at one to the first parting plane 610 parallel second parting plane 620 from the other first optoelectronic components 10 separated. The first parting plane 610 extends through the first contact recess 110 on the bottom 102 of the first leadframe section 100 and through the second contact recess 210 on the bottom 202 the second lead frame section 200 , The second parting plane 620 extends through the first further contact recess 120 on the bottom 102 of the first leadframe section 100 and through the second further contact recess 220 on the bottom 202 the second lead frame section 200 , At the first parting line 610 becomes a first edge 611 the bottom 602 of the composite body 600 of the first optoelectronic component 10 educated. At the second parting line 620 becomes a second edge 621 the bottom 602 of the composite body 600 of the first optoelectronic component 10 educated. The first contact recess 110 and the second contact recess 210 both border on the first edge 611 the bottom 602 of the composite body 600 at. The first further contact recess 120 and the second further contact recess 220 of the first optoelectronic component 10 both border on the second edge 621 the bottom 602 of the composite body 600 at.

Die Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 bildet eine Oberseite des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Die Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 bildet eine Unterseite des ersten optoelektronischen Bauelements 10.The top 601 of the composite body 600 forms an upper side of the first optoelectronic component 10 , The bottom 602 of the composite body 600 forms a bottom of the first optoelectronic device 10 ,

9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer Bauelementeanordnung 700. Die Bauelementeanordnung 700 umfasst einen Träger 730 und das erste optoelektronische Bauelement 10. 9 shows a schematic perspective view of a component arrangement 700 , The component arrangement 700 includes a carrier 730 and the first optoelectronic component 10 ,

Der Träger 730 kann beispielsweise als Leiterplatte oder als anderer Schaltungsträger ausgebildet sein. Der Träger weist an seiner Oberseite elektrische Kontaktflächen auf. The carrier 730 For example, it can be designed as a circuit board or as another circuit carrier. The carrier has on its upper side electrical contact surfaces.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist an der Oberseite des Trägers 730 angeordnet. Dabei ist eine an der ersten Trennebene 610 ausgebildete Seitenfläche des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt. Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist damit senkrecht zur Oberseite des Trägers 730 orientiert. Das erste optoelektronische Bauelement 10 befindet sich damit in einer Sidelooker-Anordnung. Falls der optoelektronische Halbleiterchip 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 ein lichtemittierender Halbleiterchip ist, so wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittiertes Licht in zur Oberseite des Trägers 730 parallele Richtung abgestrahlt.The first optoelectronic component 10 is at the top of the carrier 730 arranged. One is at the first parting plane 610 formed side surface of the first optoelectronic device 10 the top of the vehicle 730 facing. The top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 is thus perpendicular to the top of the carrier 730 oriented. The first optoelectronic component 10 is thus in a sidelooker arrangement. If the optoelectronic semiconductor chip 400 of the first optoelectronic component 10 is a light emitting semiconductor chip, so is of the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted light in to the top of the carrier 730 emitted parallel direction.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist über eine erste Lotverbindung 710 und eine zweite Lotverbindung 720 elektrisch mit den auf der Oberseite des Trägers 730 angeordneten Kontaktflächen verbunden. Die erste Lotverbindung 710 verbindet dabei eine elektrische Kontaktfläche des Trägers 730 mit der ersten Kontaktausnehmung 110 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Die zweite Lotverbindung 720 verbindet eine weitere elektrische Kontaktfläche des Trägers 730 elektrisch leitend mit der zweiten Kontaktausnehmung 210 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10.The first optoelectronic component 10 is about a first solder joint 710 and a second solder joint 720 electrically with the on top of the carrier 730 connected contact surfaces connected. The first solder joint 710 connects an electrical contact surface of the carrier 730 with the first contact recess 110 of the first leadframe section 100 of the first optoelectronic component 10 , The second solder connection 720 connects another electrical contact surface of the carrier 730 electrically conductive with the second contact recess 210 the second lead frame section 200 of the first optoelectronic component 10 ,

Durch die Ausbildung der ersten Kontaktausnehmung 110 und der zweiten Kontaktausnehmung 210 als sich nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 erstreckende Sacklöcher, die zur an der ersten Trennebene 610 gebildeten Seitenflanke des ersten optoelektronischen Bauelements 10 geöffnet sind, können die Kontaktausnehmungen 110, 210 während der Herstellung der Lotverbindungen 710, 720 eine selbstständige Ausrichtung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 relativ zu dem Träger 730 bewirken. Gleichzeitig können die erste Kontaktausnehmung 110 und die zweite Kontaktausnehmung 210 als Lötkontrollstrukturen dienen und eine optische Kontrolle der korrekten Ausbildung der ersten Lotverbindung 710 und der zweiten Lotverbindung 720 ermöglichen.By the formation of the first contact recess 110 and the second contact recess 210 than not completely through the leadframe sections 100 . 200 extending blind holes, which at the first parting plane 610 formed side edge of the first optoelectronic device 10 open, the contact recesses can 110 . 210 during the production of the solder joints 710 . 720 an independent alignment of the first optoelectronic component 10 relative to the carrier 730 cause. At the same time, the first contact recess 110 and the second contact recess 210 serve as solder control structures and an optical control of the correct formation of the first solder joint 710 and the second solder joint 720 enable.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann alternativ zu der in 9 gezeigten Anordnung, in der die an der ersten Trennebene 610 gebildete Seitenflanke des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt ist, auch so auf dem Träger 730 angeordnet werden, dass die an der zweiten Trennebene 620 gebildete Seitenflanke des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt ist. In diesem Fall können die erste weitere Kontaktausnehmung 120 und die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 zur elektrischen Kontaktierung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 dienen.The first optoelectronic component 10 may alternatively to the in 9 shown arrangement in which the at the first parting plane 610 formed side edge of the first optoelectronic component 10 the top of the vehicle 730 facing, even on the support 730 be arranged that at the second parting plane 620 formed side edge of the first optoelectronic component 10 the top of the vehicle 730 is facing. In this case, the first further contact recess 120 and the second further contact recess 220 of the first optoelectronic component 10 for electrical contacting of the first optoelectronic component 10 serve.

Außerdem ist es möglich, das erste optoelektronische Bauelement 10 derart auf dem Träger 730 anzuordnen, dass die Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt ist. In diesem Fall ist die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 parallel zur Oberseite des Trägers 730 orientiert, sodass sich das erste optoelektronische Bauelement 10 in einer Toplooker-Anordnung befindet. Falls es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 um einen lichtemittierenden Halbleiterchip handelt, so wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte elektromagnetische Strahlung in diesem Fall in zur Oberseite des Trägers 730 senkrechte Richtung abgestrahlt. In dieser Anordnung können die planen Abschnitte der Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und der Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 zur Herstellung der Lotverbindungen 710, 720 dienen.In addition, it is possible to use the first optoelectronic component 10 so on the carrier 730 arrange that bottom 602 of the composite body 600 of the first optoelectronic component 10 the top of the vehicle 730 is facing. In this case, the top is 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 parallel to the top of the carrier 730 oriented, so that the first optoelectronic component 10 in a toplooker arrangement. If it is the optoelectronic semiconductor chip 400 of the first optoelectronic component 10 is a light-emitting semiconductor chip, so is of the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted electromagnetic radiation in this case in to the top of the carrier 730 perpendicular direction radiated. In this arrangement, the planar sections of the bottom can 102 of the first leadframe section 100 and the bottom 202 the second lead frame section 200 for the preparation of the solder joints 710 . 720 serve.

10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf und kann mit dem anhand der 1 bis 9 erläuterten Verfahren hergestellt werden. Komponenten des zweiten optoelektronischen Bauelements 20, die beim ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 10 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 7. 10 shows a schematic sectional side view of a second optoelectronic device 20 , The second optoelectronic component 20 has great similarities with the first optoelectronic component 10 up and can with the help of the 1 to 9 explained methods are produced. Components of the second optoelectronic component 20 that in the first optoelectronic device 10 existing components are in 10 provided with the same reference numerals as in 7 ,

Das zweite optoelektronische Bauelement 20 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 durch ein auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 angeordnetes wellenlängenkonvertierendes Element 800. Das wellenlängenkonvertierende Element 800 erstreckt sich lediglich über einen Teil der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Dabei erstreckt sich das wellenlängenkonvertierende Element 800 über zumindest einen Teil der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400.The second optoelectronic component 20 differs from the first optoelectronic component 10 through one on top 601 of the composite body 600 arranged wavelength converting element 800 , The wavelength converting element 800 extends only over part of the top 601 of the composite body 600 , In this case, the wavelength-converting element extends 800 over at least part of the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 ,

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 ist dazu vorgesehen, zumindest einen Teil von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierter elektromagnetischer Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Beispielsweise kann das wellenlängenkonvertierende Element 800 ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem gelben oder orangen Spektralbereich zu konvertieren. Eine Mischung von unkonvertiertem und durch das wellenlängenkonvertierende Element 800 konvertiertem Licht kann einen weißen Farbeindruck aufweisen.The wavelength converting element 800 of the second optoelectronic component 20 is intended to at least a portion of the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted electromagnetic radiation in electromagnetic radiation of a different wavelength convert. For example, the wavelength-converting element 800 be configured to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral region into electromagnetic radiation having a wavelength from the yellow or orange spectral range. A mixture of unconverted and through the wavelength converting element 800 converted light can have a white color impression.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 kann als Plättchen ausgebildet und beispielsweise mittels eines Transferverfahrens auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 angeordnet worden sein. Das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Elements 800 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 kann vor oder nach einem Vereinzeln des Verbundkörpers 600 erfolgt sein.The wavelength converting element 800 can be formed as platelets and for example by means of a transfer process on the top 601 of the composite body 600 of the second optoelectronic component 20 have been arranged. Arranging the wavelength converting element 800 on the top 601 of the composite body 600 can be before or after a singulation of the composite 600 be done.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 kann aber auch durch ein Druck- oder Sprühverfahren unter Verwendung einer Maske auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 angeordnet worden sein. Auch in diesem Fall kann das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Elements 800 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 vor oder nach dem Vereinzeln des Verbundkörpers 600 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 erfolgt sein.The wavelength converting element 800 but can also by a printing or spraying process using a mask on the top 601 of the composite body 600 of the second optoelectronic component 20 have been arranged. Also in this case, arranging the wavelength converting element 800 on the top 601 of the composite body 600 before or after singulation of the composite body 600 of the second optoelectronic component 20 be done.

11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements 30. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 auf und kann ebenfalls mit dem anhand der 1 bis 9 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Komponenten des dritten optoelektronischen Bauelements 30, die beim zweiten optoelektronischen Bauelement 20 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 11 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 10. 11 shows a schematic sectional side view of a third optoelectronic device 30 , The third optoelectronic component 30 has great similarities with the first optoelectronic component 10 and with the second optoelectronic component 20 up and can also with the basis of the 1 to 9 be prepared described methods. Components of the third optoelectronic component 30 that at the second optoelectronic device 20 existing components are in 11 provided with the same reference numerals as in 10 ,

Das dritte optoelektronische Bauelement 30 unterscheidet sich von dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 dadurch, dass das wellenlängenkonvertierende Element 800 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 die gesamte Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 bedeckt. Das wellenlängenkonvertierende Element 800 erstreckt sich damit über die vollständige Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und über die vollständige Oberseite 501 des Formkörpers 500.The third optoelectronic component 30 differs from the second optoelectronic component 20 in that the wavelength converting element 800 of the third optoelectronic component 30 the entire top 601 of the composite body 600 of the third optoelectronic component 30 covered. The wavelength converting element 800 extends over the complete top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 and over the whole top 501 of the molding 500 ,

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 kann beispielsweise mittels eines Formprozesses (Moldprozesses) auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 angeordnet worden sein, insbesondere beispielsweise durch Formpressen (Compression Molding). Ebenfalls möglich ist beispielsweise, das wellenlängenkonvertierende Element 800 aufzusprühen oder in Form einer wellenlängenkonvertierenden Folie aufzukleben. Bevorzugt wird das wellenlängenkonvertierende Element 800 bereits vor dem Vereinzeln des Formkörpers 600 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 angeordnet.The wavelength converting element 800 of the third optoelectronic component 30 can, for example, by means of a molding process (molding process) on the top 601 of the composite body 600 have been arranged, in particular for example by compression molding (compression molding). Also possible, for example, the wavelength-converting element 800 aufzusprühen or stick in the form of a wavelength-converting film. The wavelength-converting element is preferred 800 even before the separation of the molding 600 of the third optoelectronic component 30 on the top 601 of the composite body 600 arranged.

12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements 40. Das vierte optoelektronische Bauelement 40 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf und kann durch das anhand der 1 bis 9 beschriebene Verfahren hergestellt werden. Komponenten des vierten optoelektronischen Bauelements 40, die beim ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 12 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 7. 12 shows a schematic sectional side view of a fourth optoelectronic device 40 , The fourth optoelectronic component 40 has great similarities with the first optoelectronic component 10 on and can by the basis of the 1 to 9 described method can be produced. Components of the fourth optoelectronic component 40 that in the first optoelectronic device 10 existing components are in 12 provided with the same reference numerals as in 7 ,

Das vierte optoelektronische Bauelement 40 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 durch ein an der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 angeordnetes optisches Element 810. Im in 12 dargestellten Beispiel erstreckt sich das optische Element 810 über die gesamte Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Es ist aber ebenfalls möglich, das optische Element 810 auf einen Teil der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 zu beschränken, beispielsweise auf die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400.The fourth optoelectronic component 40 differs from the first optoelectronic component 10 through one at the top 601 of the composite body 600 of the fourth optoelectronic component 40 arranged optical element 810 , Im in 12 illustrated example, the optical element extends 810 over the entire top 601 of the composite body 600 , But it is also possible, the optical element 810 on a part of the top 601 of the composite body 600 of the fourth optoelectronic component 40 to restrict, for example, on the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 ,

Das optische Element 810 bewirkt eine Strahlformung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 emittierter elektromagnetischer Strahlung oder eine Bündelung von auf das vierte optoelektronische Bauelement 40 treffender elektromagnetischer Strahlung auf die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400. Hierzu ist das optische Element 810 im in 12 gezeigten Beispiel als plankonvexe optische Linse ausgebildet. Es ist aber auch möglich, das optische Element 810 mit anderer Form auszubilden, insbesondere mit anderer Linsenform.The optical element 810 causes beam shaping by the optoelectronic semiconductor chip 400 of the fourth optoelectronic component 40 emitted electromagnetic radiation or a bundling of the fourth optoelectronic component 40 meeting electromagnetic radiation on top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 , This is the optical element 810 in the 12 shown example designed as a plano-convex optical lens. But it is also possible, the optical element 810 form with another shape, in particular with other lens shape.

Das optische Element 810 weist ein optisch transparentes Material auf, beispielsweise ein Silikon. Das optische Element 810 kann beispielsweise mittels eines Formverfahrens auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 angeordnet worden sein, insbesondere beispielsweise durch Formpressen. Das Anordnen des optischen Elements 810 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 kann vor oder nach dem Vereinzeln des Verbundkörpers 600 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 erfolgt sein.The optical element 810 has an optically transparent material, for example a silicone. The optical element 810 can, for example, by means of a molding process on the top 601 of the composite body 600 of the fourth optoelectronic component 40 have been arranged, in particular for example by compression molding. Arranging the optical element 810 on the top 601 of the composite body 600 can be before or after singulation of the composite 600 of the fourth optoelectronic component 40 be done.

13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines fünften optoelektronischen Bauelements 50. Das fünfte optoelektronische Bauelement 50 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10, dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 und dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 auf und kann mit dem anhand der 1 bis 9 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Auch in 13 sind für entsprechende Komponenten dieselben Bezugszeichen verwendet wie in den vorangegangenen Figuren. 13 shows a schematic sectional side view of a fifth optoelectronic device 50 , The fifth optoelectronic component 50 has great similarities with the first optoelectronic component 10 , the second optoelectronic component 20 and the fourth optoelectronic component 40 up and can with the help of the 1 to 9 be prepared described methods. Also in 13 are used for corresponding components, the same reference numerals as in the preceding figures.

Das fünfte optoelektronische Bauelement 50 weist sowohl ein wellenlängenkonvertierendes Element 800 als auch ein optisches Element 810 auf. Dabei ist das wellenlängenkonvertierende Element 800 unmittelbar auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 angeordnet und bedeckt einen zumindest einen Teil der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 umfassenden Teil der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Das optische Element 810 ist über dem wellenlängenkonvertierenden Element 800 angeordnet und erstreckt sich im dargestellten Beispiel auch über die nicht durch das wellenlängenkonvertierende Element 800 bedeckten Abschnitte der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des fünften optoelektronischen Bauelements 50.The fifth optoelectronic component 50 has both a wavelength converting element 800 as well as an optical element 810 on. Here is the wavelength converting element 800 immediately on top 601 of the composite body 600 of the fifth optoelectronic component 50 arranged and covers at least a part of the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 400 comprehensive part of the top 601 of the composite body 600 , The optical element 810 is above the wavelength converting element 800 arranged and extends in the example shown also on the not by the wavelength converting element 800 covered sections of the top 601 of the composite body 600 of the fifth optoelectronic component 50 ,

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 dient, wie das wellenlängenkonvertierende Element 800 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20, zur Wellenlängenkonvertierung zumindest eines Teils der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung. Das optische Element 810 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 dient, wie das optische Element 810 des vierten optoelektronischen Bauelements 40, der Strahlformung der konvertierten und unkonvertierten elektromagnetischen Strahlung.The wavelength converting element 800 of the fifth optoelectronic component 50 serves as the wavelength converting element 800 of the second optoelectronic component 20 for wavelength conversion of at least a portion of the through the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted electromagnetic radiation. The optical element 810 of the fifth optoelectronic component 50 serves as the optical element 810 of the fourth optoelectronic component 40 , the beam shaping of the converted and unconverted electromagnetic radiation.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 kann wie das wellenlängenkonvertierende Element 800 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 hergestellt worden sein. Das optische Element 810 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 kann, in einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt, wie das optische Element 810 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 hergestellt worden sein.The wavelength converting element 800 of the fifth optoelectronic component 50 can be like the wavelength converting element 800 of the second optoelectronic component 20 have been produced. The optical element 810 of the fifth optoelectronic component 50 can, in a subsequent processing step, as the optical element 810 of the fourth optoelectronic component 40 have been produced.

Anhand der 14 bis 19 wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements dargestellt, das große Übereinstimmungen mit dem anhand der 1 bis 9 beschriebenen Verfahren aufweist. Daher werden in 14 bis 19 dieselben Bezugszeichen verwendet wie in 1 bis 9. Die folgende Beschreibung beschränkt sich im Wesentlichen auf eine Erläuterung der Unterschiede zwischen den beiden Herstellungsverfahren.Based on 14 to 19 In the following, a method for producing an optoelectronic component is shown, which corresponds to large matches to that of FIG 1 to 9 has described method. Therefore, in 14 to 19 the same reference numerals as in 1 to 9 , The following description is essentially limited to an explanation of the differences between the two production methods.

14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines auf einer Trägerfolie 310 angeordneten Leiterrahmens 1300. Der Leiterrahmen 1300 ist wie der Leiterrahmen 300 ausgebildet und umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt 100, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 und eine Mehrzahl in 14 nicht gezeigter weiterer Leiterrahmenabschnitte, die wie der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 ausgebildet sind. 14 shows a schematic sectional side view of a carrier film 310 arranged ladder frame 1300 , The ladder frame 1300 is like the ladder frame 300 formed and includes a first lead frame section 100 , a second leadframe section 200 and a plurality in 14 not shown further leadframe sections, as the first leadframe section 100 and the second lead frame section 200 are formed.

Im Unterschied zu dem Leiterrahmen 300 sind der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300 nicht spiegelsymmetrisch zueinander ausgebildet. Stattdessen weist der erste Leiterrahmenabschnitt 100 des Leiterrahmens 1300 eine größere Fläche auf als der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300. Es ist allerdings möglich, auch den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300 spiegelsymmetrisch zueinander auszubilden.Unlike the ladder frame 300 are the first ladder frame section 100 and the second lead frame section 200 of the ladder frame 1300 not mirror-symmetrical to each other. Instead, the first lead frame section 100 of the ladder frame 1300 a larger area than the second lead frame portion 200 of the ladder frame 1300 , It is possible, however, also the first lead frame section 100 and the second lead frame section 200 of the ladder frame 1300 form mirror-symmetrical to each other.

Die übrige Gestaltung der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 entspricht der der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300. Insbesondere weisen die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 an ihren Unterseiten 102, 202 die als Sacklöcher ausgebildeten Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 auf.The remaining design of the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 1300 corresponds to the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 300 , In particular, the leadframe sections 100 . 200 of the ladder frame 1300 at their bottoms 102 . 202 formed as blind holes contact recesses 110 . 120 . 210 . 220 on.

15 zeigt die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 in einem der Darstellung der 14 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 15 shows the leadframe sections 100 . 200 of the ladder frame 1300 in one of the presentation of the 14 temporally subsequent processing status.

Auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 1400 angeordnet worden. Der optoelektronische Halbleiterchip 1400 ist vollständig auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet und erstreckt sich nicht brückenförmig bis zur Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200.On the top 101 of the first leadframe section 100 is an optoelectronic semiconductor chip 1400 been arranged. The optoelectronic semiconductor chip 1400 is completely on top 101 of the first leadframe section 100 arranged and does not extend bridge-shaped to the top 201 the second lead frame section 200 ,

Der optoelektronische Halbleiterchip 1400 kann ein lichtemittierender oder ein zur Detektion von Licht ausgebildeter optoelektronischer Halbleiterchip sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 1400 unterscheidet sich von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 dadurch, dass die zweite elektrische Kontaktfläche 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 an der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 angeordnet ist. Die an der Unterseite 402 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ausgebildete erste elektrische Kontaktfläche 410 ist, beispielsweise mittels einer Lotverbindung, elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 100 des Leiterrahmens 1300 verbunden.The optoelectronic semiconductor chip 1400 For example, a light-emitting or light-formed optoelectronic semiconductor chip may be used be. The optoelectronic semiconductor chip 1400 differs from the optoelectronic semiconductor chip 400 in that the second electrical contact surface 420 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 at the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 is arranged. The at the bottom 402 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 formed first electrical contact surface 410 is, for example by means of a solder joint, electrically conductive with the first lead frame section 100 of the ladder frame 1300 connected.

16 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 1300 und des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 in einem der Darstellung der 15 nachfolgenden Bearbeitungsstand. 16 shows a schematic sectional side view of the lead frame 1300 and the optoelectronic semiconductor chip 1400 in one of the presentation of the 15 subsequent processing status.

Die an der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ist mittels eines Bonddrahts 430 elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300 verbunden worden. Der Bonddraht 430 erstreckt sich von der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 zur Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200.The one on the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 arranged second electrical contact surface 420 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 is by means of a bonding wire 430 electrically conductive with the second lead frame section 200 of the ladder frame 1300 been connected. The bonding wire 430 extends from the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 to the top 201 the second lead frame section 200 ,

In einer weiteren Variante des beschriebenen Verfahrens zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente können beide elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein. In diesem Fall wird der optoelektronische Halbleiterchip wahlweise auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100, auf der Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 oder brückenförmig sowohl auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 als auch auf der Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet. Anschließend wird die erste elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips über einen ersten Bonddraht elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt und die zweite elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips über einen zweiten Bonddraht elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden. Die weitere Bearbeitung erfolgt wie bei dem anhand der 14 bis 19 beschriebenen Verfahren.In a further variant of the described method for producing optoelectronic components, both electrical contact surfaces of the optoelectronic semiconductor chip may be arranged on the upper side of the optoelectronic semiconductor chip. In this case, the optoelectronic semiconductor chip is optionally on the top side 101 of the first leadframe section 100 , on the top 201 the second lead frame section 200 or bridge-shaped both on the top 101 of the first leadframe section 100 as well as on the top 201 the second lead frame section 200 arranged. Subsequently, the first electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip via a first bonding wire is electrically conductively connected to the first lead frame portion and the second electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip via a second bonding wire electrically conductively connected to the second lead frame portion. The further processing takes place as in the case of the 14 to 19 described method.

17 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 1300 und des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 in einem der Darstellung der 16 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 17 shows a schematic sectional side view of the lead frame 1300 and the optoelectronic semiconductor chip 1400 in one of the presentation of the 16 temporally subsequent processing status.

Auf der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ist ein Deckelement 820 angeordnet worden. Das Deckelement 820 bedeckt einen Teil der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400. Der Teil der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400, an dem der Bonddraht 430 befestigt ist, ist von der Bedeckung durch das Deckelement 820 ausgespart. On the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 is a cover element 820 been arranged. The cover element 820 covers part of the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 , The part of the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 to which the bonding wire 430 is attached, is from the cover by the cover element 820 spared.

Das Deckelement 820 weist in eine zur Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 senkrechte Richtung eine Höhe auf, die so groß bemessen ist, dass das Deckelement 820 den Bonddraht 430 in zur Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 senkrechte Richtung überragt.The cover element 820 points in one to the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 vertical direction to a height that is dimensioned so large that the cover element 820 the bonding wire 430 in to the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 overhanging vertical direction.

Das Deckelement 820 kann beispielsweise als optisch transparentes Plättchen ausgebildet sein. Das Deckelement 820 kann beispielsweise ein Glas oder ein Silikon aufweisen. Das als transparentes Plättchen ausgebildete Deckelement 820 kann auf einer Seite, beispielsweise auf der der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 zugewandten Seite, eine Beschichtung aufweisen, die ein wellenlängenkonvertierendes Element 800 bildet und zur Konvertierung zumindest eines Teils der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge dient. Das Deckelement 820 kann auch vollständig als wellenlängenkonvertierendes Element ausgebildet sein.The cover element 820 may be formed, for example, as an optically transparent plate. The cover element 820 For example, it may have a glass or a silicone. The formed as a transparent plate cover element 820 can be on one side, for example on the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 facing side, have a coating comprising a wavelength-converting element 800 forms and for converting at least a portion of the through the optoelectronic semiconductor chip 400 emitted electromagnetic radiation is used in electromagnetic radiation of a different wavelength. The cover element 820 can also be completely formed as a wavelength-converting element.

18 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 1300, des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 und des Deckelements 820 in einem der Darstellung der 17 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 18 shows a schematic sectional side view of the lead frame 1300 , the optoelectronic semiconductor chip 1400 and the cover element 820 in one of the presentation of the 17 temporally subsequent processing status.

Der Leiterrahmen 1300, der optoelektronische Halbleiterchip 1400, das Deckelement 820 und der Bonddraht 430 sind in einen Formkörper 500 eingebettet worden. Gemeinsam bilden der Formkörper 500 und die in den Formkörper 500 eingebetteten Komponenten einen Verbundkörper 600.The ladder frame 1300 , the optoelectronic semiconductor chip 1400 , the cover element 820 and the bonding wire 430 are in a molding 500 been embedded. Together form the molding 500 and in the molding 500 embedded components a composite body 600 ,

Der Formkörper 500 ist mit dem anhand der 6 beschriebenen Verfahren ausgebildet worden und weist dasselbe Material auf wie der Formkörper 500 der 6. An der der Trägerfolie 310 zugewandten Unterseite 602 liegen die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 zumindest teilweise frei und bilden, zusammen mit der Unterseite 502 des Formkörpers 500 die Unterseite 602 des Verbundkörpers 600.The molded body 500 is with the basis of the 6 has been described and has the same material as the shaped body 500 of the 6 , At the carrier film 310 facing bottom 602 lie the bases 102 . 202 the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 1300 at least partially free and form, together with the bottom 502 of the molding 500 the bottom 602 of the composite body 600 ,

An der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 liegt eine Oberseite des Deckelements 820 zumindest teilweise frei und bildet, gemeinsam mit der Oberseite 501 des Formkörpers 500, die Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Bevorzugt schließen die Oberseite des Deckelements 820 und die Oberseite 501 des Formkörpers 500 im Wesentlichen bündig miteinander ab.At the top 601 of the composite body 600 lies an upper side of the cover element 820 at least partially free and forms, together with the top 501 of the molding 500 , the top 601 of the composite body 600 , Preferably close the top of the cover member 820 and the top 501 of the molding 500 essentially flush with each other.

Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ist hingegen durch das Deckelement 820 und den Formkörper 500 vollständig bedeckt. Der Formkörper 500 bedeckt alle Abschnitte der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400, die nicht bereits durch das Deckelement 820 bedeckt waren. Auch die Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip 1400 und durch den Formkörper 500 vollständig bedeckt. Dabei bedeckt der Formkörper 500 alle Abschnitte der Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300, die nicht bereits durch den optoelektronischen Halbleiterchip 1400 bedeckt waren.The top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 is, however, by the cover element 820 and the shaped body 500 completely covered. The molded body 500 covers all sections of the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 that is not already covered by the cover element 820 were covered. Also the tops 101 . 201 the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 1300 are through the optoelectronic semiconductor chip 1400 and through the molding 500 completely covered. This covers the molding 500 all sections of the tops 101 . 201 the ladder frame sections 100 . 200 of the ladder frame 1300 not already covered by the optoelectronic semiconductor chip 1400 were covered.

Das in den Formkörper 500 eingebettete Deckelement 820 weist Seitenflanken auf, die sich von der an der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 freiliegenden Oberseite des Deckelements 820 zu der der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 zugewandten Unterseite des Deckelements 820 erstrecken. Diese Seitenflanken sind durch das Material des Formkörpers 500 bedeckt. Die an die Seitenflanken des Deckelements 820 angrenzenden Oberflächen des Formkörpers 500 bilden einen Reflektor 510. Der Reflektor 510 kann von dem optoelektronischen Halbleiterchip 1400 emittiertes Licht reflektieren und dadurch eine Strahlbündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 1400 emittierter elektromagnetischer Strahlung bewirken.That in the molding 500 embedded cover element 820 has side flanks that are different from the one at the top 601 of the composite body 600 exposed top of the cover element 820 to the top 401 of the optoelectronic semiconductor chip 1400 facing bottom of the cover element 820 extend. These side edges are due to the material of the molding 500 covered. The to the side flanks of the cover element 820 adjacent surfaces of the molding 500 form a reflector 510 , The reflector 510 can from the optoelectronic semiconductor chip 1400 emitted light reflect and thereby beam focusing of the optoelectronic semiconductor chip 1400 cause emitted electromagnetic radiation.

19 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der 18 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 19 shows a schematic sectional side view of the composite body 600 in one of the presentation of the 18 temporally subsequent processing status.

Die Trägerfolie 310 ist von der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 abgelöst worden. Außerdem ist der Verbundkörper 600 zerteilt worden, um den den ersten Leiterrahmenabschnitt 100, den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 und den optoelektronischen Halbleiterchip 1400 enthaltenden Teil des Formkörpers 500 zu vereinzeln. Hierdurch ist ein sechstes optoelektronisches Bauelement 60 gebildet worden.The carrier foil 310 is from the bottom 602 of the composite body 600 been replaced. In addition, the composite body 600 been cut to the the first ladder frame section 100 , the second leadframe section 200 and the optoelectronic semiconductor chip 1400 containing part of the molding 500 to separate. This is a sixth optoelectronic device 60 been formed.

Wie das erste optoelektronische Bauelement 10 eignet sich auch das sechste optoelektronische Bauelement 60 für eine Montage in Sidelooker-Anordnung und in Toplooker-Anordnung. In Sidelooker-Anordnung ist eine Montage entweder unter Verwendung der ersten Kontaktausnehmung 110 und der zweiten Kontaktausnehmung 210 oder unter Verwendung der ersten weiteren Kontaktausnehmung 120 und der zweiten weiteren Kontaktausnehmung 220 möglich.Like the first optoelectronic component 10 The sixth optoelectronic component is also suitable 60 for mounting in sidelooker arrangement and toplooker arrangement. In sidelooker arrangement is a mounting either using the first contact recess 110 and the second contact recess 210 or using the first further contact recess 120 and the second further contact recess 220 possible.

20 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines siebten optoelektronischen Bauelements 70. Das siebte optoelektronische Bauelement 70 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Entsprechende Komponenten sind in 20 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 7. Das siebte optoelektronische Bauelement 70 kann mit dem anhand der 1 bis 9 erläuterten Verfahren hergestellt werden. 20 shows a schematic sectional side view of a seventh optoelectronic device 70 , The seventh optoelectronic component 70 has great similarities with the first optoelectronic component 10 on. Corresponding components are in 20 provided with the same reference numerals as in 7 , The seventh optoelectronic component 70 can with the basis of the 1 to 9 explained methods are produced.

Das siebte optoelektronische Bauelement 70 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 durch einen an der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 angeordneten Schutzchip 900. Der Schutzchip 900 kann beispielsweise als Schutzdiode ausgebildet sein und ist an der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 verbunden. Dadurch ist der Schutzchip 900 dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 elektrisch parallelgeschaltet oder antiparallel geschaltet. Der Schutzchip 900 kann einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 400 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen dienen.The seventh optoelectronic component 70 differs from the first optoelectronic component 10 through one at the bottom 602 of the composite body 600 of the seventh optoelectronic component 70 arranged protective chip 900 , The protection chip 900 may for example be designed as a protective diode and is at the bottom 602 of the composite body 600 electrically conductive with the first lead frame section 100 and with the second leadframe section 200 connected. This is the protection chip 900 the optoelectronic semiconductor chip 400 of the seventh optoelectronic component 70 electrically connected in parallel or antiparallel. The protection chip 900 can be a protection of the optoelectronic semiconductor chip 400 of the seventh optoelectronic component 70 to prevent damage due to electrostatic discharges.

Das Anordnen des Schutzchips 900 an der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 kann vor oder nach dem Zerteilen des Verbundkörpers 600 zum Vereinzeln des optoelektronischen Bauelements 70 erfolgt sein.Arranging the protection chip 900 on the bottom 602 of the composite body 600 of the seventh optoelectronic component 70 can be before or after splitting the composite body 600 for separating the optoelectronic component 70 be done.

Das siebte optoelektronische Bauelement 70 eignet sich für eine Montage in Sidelooker-Anordnung. Dabei kann das siebte optoelektronische Bauelement 70 unter Verwendung der ersten Kontaktausnehmung 110 und der zweiten Kontaktausnehmung 210 oder unter Verwendung der ersten weiteren Kontaktausnehmung 120 und der zweiten weiteren Kontaktausnehmung 220 montiert werden.The seventh optoelectronic component 70 is suitable for mounting in sidelooker arrangement. In this case, the seventh optoelectronic component 70 using the first contact recess 110 and the second contact recess 210 or using the first further contact recess 120 and the second further contact recess 220 to be assembled.

Der bei dem siebten optoelektronischen Bauelement 70 vorhandene Schutzchip 900 kann auch bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20, dem dritten optoelektronischen Bauelement 30, dem vierten optoelektronischen Bauelement 40, dem fünften optoelektronischen Bauelement 50 oder dem sechsten optoelektronischen Bauelement 60 vorgesehen werden.The in the seventh optoelectronic device 70 existing protective chip 900 can also in the second optoelectronic device 20 , the third optoelectronic component 30 , the fourth optoelectronic component 40 , the fifth optoelectronic component 50 or the sixth optoelectronic component 60 be provided.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
erstes optoelektronisches Bauelement first optoelectronic component
2020
zweites optoelektronisches Bauelement second optoelectronic component
3030
drittes optoelektronisches Bauelement third optoelectronic component
4040
viertes optoelektronisches Bauelement fourth optoelectronic component
5050
fünftes optoelektronisches Bauelement fifth optoelectronic component
6060
sechstes optoelektronisches Bauelement sixth optoelectronic component
7070
siebtes optoelektronisches Bauelement seventh optoelectronic component
100100
erster Leiterrahmenabschnitt first ladder frame section
101101
Oberseite  top
102102
Unterseite bottom
110110
erste Kontaktausnehmung  first contact recess
120120
erste weitere Kontaktausnehmung first further contact recess
200200
zweiter Leiterrahmenabschnitt second ladder frame section
201201
Oberseite  top
202202
Unterseite bottom
210210
zweite Kontaktausnehmung  second contact recess
220220
zweite weitere Kontaktausnehmung  second further contact recess
300300
Leiterrahmen leadframe
301301
Beschichtung coating
310310
Trägerfolie support film
400400
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
401401
Oberseite  top
402402
Unterseite bottom
410410
erste elektrische Kontaktfläche  first electrical contact surface
420420
zweite elektrische Kontaktfläche  second electrical contact surface
430430
Bonddraht bonding wire
500500
Formkörper  moldings
501501
Oberseite  top
502502
Unterseite bottom
510510
Reflektor reflector
600600
Verbundkörper composite body
601601
Oberseite  top
602602
Unterseite bottom
610610
erste Trennebene  first parting plane
611611
erste Kante  first edge
620620
zweite Trennebene  second parting plane
621621
zweite Kante second edge
700700
Bauelementeanordnung component arrangement
710710
erste Lotverbindung first solder joint
720720
zweite Lotverbindung second solder joint
730730
Träger carrier
800800
wellenlängenkonvertierendes Element  wavelength converting element
810810
optisches Element optical element
820820
Deckelement cover element
900900
Schutzchip  protection chip
13001300
Leiterrahmen leadframe
14001400
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip

Claims (20)

Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (100), einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) und einem optoelektronischen Halbleiterchip (400, 1400), wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (100) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (200) jeweils eine Oberseite (101, 201) aufweisen, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400, 1400) auf der Oberseite (101) des ersten Leiterrahmenabschnitts (100) angeordnet ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (100), der zweite Leiterrahmenabschnitt (200) und der optoelektronische Halbleiterchip (400, 1400) gemeinsam in einen Formkörper (500) eingebettet sind, wobei die Oberseiten (101, 201) der Leiterrahmenabschnitte (100, 200) durch den optoelektronischen Halbleiterchip (400, 1400) und den Formkörper (500) vollständig bedeckt sind.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) with a first lead frame section ( 100 ), a second leadframe section ( 200 ) and an optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ), wherein the first lead frame section ( 100 ) and the second lead frame section ( 200 ) each have a top side ( 101 . 201 ), wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) on the top ( 101 ) of the first lead frame section ( 100 ) is arranged, wherein the first lead frame section ( 100 ), the second leadframe section ( 200 ) and the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) together in a shaped body ( 500 ), the topsides ( 101 . 201 ) of the lead frame sections ( 100 . 200 ) through the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) and the shaped body ( 500 ) are completely covered. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) gemäß Anspruch 1, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400, 1400) an einer dem ersten Leiterrahmenabschnitt (100) zugewandten Unterseite (402) eine erste elektrische Kontaktfläche (410) aufweist, die elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt (100) verbunden ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) according to claim 1, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) on a first leadframe section ( 100 ) facing the underside ( 402 ) a first electrical contact surface ( 410 ) electrically conductively connected to the first lead frame portion ( 100 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 70) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) auch auf der Oberseite (201) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (200) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 70 ) according to one of the preceding claims, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 400 ) also on the top ( 201 ) of the second leadframe section ( 200 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 70) gemäß Ansprüchen 2 und 3, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (400) an seiner Unterseite (402) eine zweite elektrische Kontaktfläche (420) aufweist, die elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) verbunden ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 70 ) according to claims 2 and 3, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 400 ) on its underside ( 402 ) a second electrical contact surface ( 420 ) electrically conductively connected to the second leadframe section (FIG. 200 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement (60) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (1400) eine zweite elektrische Kontaktfläche (420) aufweist, die mittels eines Bonddrahts (430) elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) verbunden ist.Optoelectronic component ( 60 ) according to one of claims 1 to 3, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 1400 ) a second electrical contact surface ( 420 ), which by means of a bonding wire ( 430 ) electrically conductive with the second lead frame section ( 200 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Oberseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400, 1400) zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (500) bedeckt ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) according to one of the preceding claims, wherein an upper side ( 401 ) of the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) at least partially not by the shaped body ( 500 ) is covered. Optoelektronisches Bauelement (20, 30, 50, 60) gemäß Anspruch 6, wobei an der Oberseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400, 1400) ein wellenlängenkonvertierendes Element (800) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 20 . 30 . 50 . 60 ) according to claim 6, wherein at the top ( 401 ) of the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) a wavelength-converting element ( 800 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (60) gemäß Anspruch 7, wobei das wellenlängenkonvertierende Element (800) in den Formkörper (500) eingebettet ist.Optoelectronic component ( 60 ) according to claim 7, wherein the wavelength converting Element ( 800 ) in the shaped body ( 500 ) is embedded. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei den Oberseiten (101, 201) gegenüberliegende Unterseiten (102, 202) der Leiterrahmenabschnitte (100, 200) an einer Unterseite (602) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) zumindest teilweise freiliegen.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) according to any one of the preceding claims, wherein the topsides ( 101 . 201 ) opposite undersides ( 102 . 202 ) of the lead frame sections ( 100 . 200 ) on a lower side ( 602 ) of the optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) at least partially exposed. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) gemäß Anspruch 9, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (100) an seiner Unterseite (102) eine erste Kontaktausnehmung (110) aufweist und der zweite Leiterrahmenabschnitt (200) an seiner Unterseite (202) eine zweite Kontaktausnehmung (210) aufweist, wobei die erste Kontaktausnehmung (110) und die zweite Kontaktausnehmung (210) beide an eine erste Kante (611) der Unterseite (602) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) angrenzen.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) according to claim 9, wherein the first leadframe section ( 100 ) on its underside ( 102 ) a first contact recess ( 110 ) and the second lead frame section (FIG. 200 ) on its underside ( 202 ) a second contact recess ( 210 ), wherein the first contact recess ( 110 ) and the second contact recess ( 210 ) both at a first edge ( 611 ) of the underside ( 602 ) of the optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ). Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) gemäß Anspruch 10, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (100) an seiner Unterseite (102) eine erste weitere Kontaktausnehmung (120) aufweist und der zweite Leiterrahmenabschnitt (200) an seiner Unterseite (202) eine zweite weitere Kontaktausnehmung (220) aufweist, wobei die erste weitere Kontaktausnehmung (120) und die zweite weitere Kontaktausnehmung (220) beide an eine zweite Kante (621) der Unterseite (602) des optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) angrenzen.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) according to claim 10, wherein the first leadframe section ( 100 ) on its underside ( 102 ) a first further contact recess ( 120 ) and the second lead frame section (FIG. 200 ) on its underside ( 202 ) a second further contact recess ( 220 ), wherein the first further contact recess ( 120 ) and the second further contact recess ( 220 ) both at a second edge ( 621 ) of the underside ( 602 ) of the optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ). Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) gemäß einem der Ansprüche 10 und 11, wobei die Kontaktausnehmungen (110, 210, 120, 220) sich nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte (100, 200) erstrecken.Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) according to one of claims 10 and 11, wherein the contact recesses ( 110 . 210 . 120 . 220 ) does not completely pass through the leadframe sections ( 100 . 200 ). Optoelektronisches Bauelement (70) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an der Unterseite (602) des optoelektronischen Bauelements (70) ein Schutzchip (900) angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt (100) und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200) verbunden ist. Optoelectronic component ( 70 ) according to one of the preceding claims, wherein at the bottom ( 602 ) of the optoelectronic component ( 70 ) a protective chip ( 900 ) and electrically conductive with the first lead frame portion ( 100 ) and with the second lead frame section ( 200 ) connected is. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmens (300, 1300) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (100) und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (200), die jeweils eine Oberseite (101, 201) aufweisen; – Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (400, 1400) auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (100); – Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts (100), des zweiten Leiterrahmenabschnitts (200) und des optoelektronischen Halbleiterchips (400, 1400) in einen gemeinsamen Formkörper (500), wobei die Oberseiten (101, 201) der Leiterrahmenabschnitte (100, 200) durch den optoelektronischen Halbleiterchip (400, 1400) und den Formkörper (500) vollständig bedeckt werden.Method for producing an optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) comprising the following steps: - providing a leadframe ( 300 . 1300 ) with a first lead frame section ( 100 ) and a second leadframe section ( 200 ), each one top side ( 101 . 201 ) exhibit; Arranging an optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) on the first lead frame section ( 100 ); Embedding the first leadframe section ( 100 ), the second lead frame section ( 200 ) and the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) in a common shaped body ( 500 ), the topsides ( 101 . 201 ) of the lead frame sections ( 100 . 200 ) through the optoelectronic semiconductor chip ( 400 . 1400 ) and the shaped body ( 500 ) are completely covered. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das Bereitstellen des Leiterrahmens (300, 1300) den folgenden Schritt umfasst: – Ausbilden einer ersten Kontaktausnehmung (110) an einer Unterseite (102) des ersten Leiterrahmenabschnitts (100) und einer zweiten Kontaktausnehmung (210) an einer Unterseite (202) des zweiten Leiterrahmenabschnitts (200).The method of claim 14, wherein providing the leadframe ( 300 . 1300 ) comprises the following step: - forming a first contact recess ( 110 ) on a lower side ( 102 ) of the first lead frame section ( 100 ) and a second contact recess ( 210 ) on a lower side ( 202 ) of the second leadframe section ( 200 ). Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei die Kontaktausnehmungen (110, 210) als Sacklöcher an den Unterseiten (102, 202) der Leiterrahmenabschnitte (100, 200) angelegt werdenMethod according to claim 15, wherein the contact recesses ( 110 . 210 ) as blind holes on the undersides ( 102 . 202 ) of the lead frame sections ( 100 . 200 ) Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Bereitstellen des Leiterrahmens (300, 1300) den folgenden Schritt umfasst: – Anordnen einer Beschichtung (301) an einer Oberfläche des Leiterrahmens (300, 1300). The method of any one of claims 14 to 16, wherein providing the lead frame ( 300 . 1300 ) comprises the following step: arranging a coating ( 301 ) on a surface of the lead frame ( 300 . 1300 ). Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei der Leiterrahmen (300, 1300) mit einer Mehrzahl weiterer Leiterrahmenabschnitte (100, 200) bereitgestellt wird, wobei alle Leiterrahmenabschnitte (100, 200) des Leiterrahmens (300, 1300) gemeinsam in den Formkörper (500) eingebettet werden, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: – Zerteilen des Formkörpers (500) und des Leiterrahmens (300, 1300), um das optoelektronische Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) zu vereinzeln.Method according to one of claims 14 to 17, wherein the lead frame ( 300 . 1300 ) with a plurality of further leadframe sections ( 100 . 200 ), wherein all leadframe sections ( 100 . 200 ) of the lead frame ( 300 . 1300 ) together in the molding ( 500 ), the method comprising the following further step: - dividing the shaped body ( 500 ) and the ladder framework ( 300 . 1300 ) to the optoelectronic device ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 60 . 70 ) to separate. Verfahren gemäß Anspruch 18 und einem der Ansprüche 15 und 16, wobei der Leiterrahmen (300, 1300) entlang einer Trennebene (610) zerteilt wird, die sich durch die erste Kontaktausnehmung (110) und durch die zweite Kontaktausnehmung (210) erstreckt.A method according to claim 18 and any one of claims 15 and 16, wherein the lead frame ( 300 . 1300 ) along a parting plane ( 610 ), which extends through the first contact recess ( 110 ) and through the second contact recess ( 210 ). Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 19, wobei der Formkörper (500) mittels eines Formverfahrens ausgebildet wird.Method according to one of claims 14 to 19, wherein the shaped body ( 500 ) is formed by a molding process.
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