DE102015103805A1 - Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component - Google Patents

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component Download PDF

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein optoelektronisches Bauelement (1) und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (1) weist einen Träger (12), eine erste Elektrode (20) auf dem Träger (12), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22), und mindestens eine Planarisierungsschicht (2) auf, die auf dem Träger (12) angeordnet ist und mit dem Träger (12) in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der ersten Elektrode (20) angeordnet ist und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt ist. Die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel (122). Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner ist als ungefähr 50 nm.In various exemplary embodiments, an optoelectronic component (1) and a method for producing an optoelectronic component (1) are provided. The optoelectronic component (1) has a carrier (12), a first electrode (20) on the carrier (12), an organic functional layer structure (22) over the first electrode (20), a second electrode (23) on the organic functional layered structure (22), and at least one planarization layer (2) disposed on the support (12) and in physical contact with the support (12) and / or disposed on the first electrode (20) and with the first electrode (20) is in physical contact, and / or disposed on the second electrode (23) and is in physical contact with the second electrode (23). The at least one planarization layer (2) contains electrically conductive nanoparticles (122). An average roughness of a surface of the planarization layer (2), which is opposite to the surface of the planarization layer (2) which is in physical contact with the carrier (12) or the first electrode (20) or the second electrode (23), is smaller is about 50 nm.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optoelektronischen Bauelements. The invention relates to an optoelectronic component having an organic functional layer structure and to a method for producing such an optoelectronic component.

Optoelektronische Bauelemente, die Licht emittieren, können beispielsweise Leuchtdioden (LEDs) oder organische Leuchtdioden (OLEDs) sein. Eine OLED kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer“, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer“ – HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer“ – ETL), um den Stromfluss zu richten. Optoelectronic components that emit light can be, for example, light-emitting diodes (LEDs) or organic light-emitting diodes (OLEDs). An OLED may have an anode and a cathode with an organic functional layer system therebetween. The organic functional layer system may comprise one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, a charge carrier pair generation layer structure each consisting of two or more charge generating layers (CGL) for charge carrier pair generation, and one or more Electron block layers, also referred to as hole transport layer (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.

Einzelne Schichten des optoelektronischen Bauelements werden zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden. Hierbei ist es für ein defektfreies Abscheiden und Betreiben von insbesondere organischen Schichtenstrukturen notwendig, darunter liegende Schichtenoberflächen zu planarisieren beziehungsweise deren Rauheit zu verringern. Individual layers of the optoelectronic component are deposited on a growth substrate for producing the optoelectronic component. It is necessary for a defect-free deposition and operation of particular organic layer structures to planarize underlying layer surfaces or to reduce their roughness.

Herkömmlicherweise finden polymere Werkstoffe Verwendung, um raue Oberflächen zu planarisieren beziehungsweise die Oberflächenrauheit zu reduzieren. Derartige polymere Werkstoffe weisen jedoch meist eine kurze Lebensdauer auf. Zudem ist es herkömmlicherweise häufig notwendig, die Oberflächenrauheit mit kostenintensiven Verfahren zu reduzieren, beispielsweise durch Verwendung von teuer hergestelltem, sehr glatten Display-Glas oder teuer hergestellten Elektroden. Traditionally, polymeric materials have been used to planarize rough surfaces or reduce surface roughness. However, such polymeric materials usually have a short life. In addition, conventionally, it has often been necessary to reduce surface roughness with costly methods, for example, by using expensive, very smooth display glass or expensive manufactured electrodes.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das eine Planarisierung von Oberflächen einzelner Schichten auf kostengünstige und/oder einfache Weise ermöglicht, insbesondere ohne hierzu kostenintensive Verfahren zu benötigen, und/oder das mindestens eine Planarisierungsschicht zum Reduzieren einer Oberflächenrauigkeit aufweist, und/oder das sich durch eine hohe Lebensdauer einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements auszeichnet. The object of the invention is to specify an optoelectronic component which enables a planarization of surfaces of individual layers in a cost-effective and / or simple manner, in particular without requiring cost-intensive methods, and / or which has at least one planarization layer for reducing a surface roughness, and / or which is characterized by a long service life of individual layers of the optoelectronic component.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben, das durch eine kostengünstige und einfache Weise eine Planarisierungsschicht zum Reduzieren einer Oberflächenrauigkeit bereitstellt, und/oder das insbesondere die Lebensdauer einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements erhöht. A further object of the invention is to provide a method for producing an optoelectronic component, which provides a planarization layer for reducing surface roughness by a cost-effective and simple manner, and / or which, in particular, increases the lifetime of individual layers of the optoelectronic component.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement aufweisend einen Träger, eine erste Elektrode auf dem Träger, eine organische funktionelle Schichtenstruktur über der ersten Elektrode und eine zweite Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur, und mindestens eine Planarisierungsschicht, die auf dem Träger angeordnet ist und mit dem Träger in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf über der ersten Elektrode angeordnet ist und mit der ersten Elektrode in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der zweiten Elektrode angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode in körperlichem Kontakt ist, wobei die mindestens eine Planarisierungsschicht elektrisch leitfähige Nanopartikel enthält, und wobei eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit dem Träger beziehungsweise der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm. The object is achieved according to one aspect of the invention by an optoelectronic component comprising a carrier, a first electrode on the carrier, an organic functional layer structure over the first electrode and a second electrode on the organic functional layer structure, and at least one planarization layer, which is deposited on the carrier Carrier is arranged and is in physical contact with the carrier, and / or disposed on the first electrode and is in physical contact with the first electrode, and / or disposed on the second electrode and is in physical contact with the second electrode wherein the at least one planarization layer contains electrically conductive nanoparticles, and wherein an average roughness of a surface of the planarization layer, that of the surface of the planarization layer which is bonded to the carrier or the first electrode or the second electrode, respectively em is in contact, is less than about 50 nm.

Die mittlere Rauheit, dargestellt durch das Symbol Ra, gibt den mittleren Abstand eines Messpunktes – auf der Oberfläche – zur Mittellinie an. Die Mittellinie schneidet innerhalb der Bezugsstrecke das wirkliche Profil so, dass die Summe der Profilabweichungen (bezogen auf die Mittellinie) minimal wird. Die mittlere Rauheit Ra entspricht also dem arithmetischen Mittel der betragsmäßigen Abweichung von der Mittellinie. The average roughness, represented by the symbol Ra, indicates the average distance of a measuring point - on the surface - to the center line. The centerline intersects the true profile within the datum line so that the sum of the profile deviations (relative to the centerline) becomes minimal. The average roughness R a thus corresponds to the arithmetic mean of the deviation from the centerline.

In zwei Dimensionen berechnet sie sich aus:

Figure DE102015103805A1_0002
wobei der Mittelwert durch
Figure DE102015103805A1_0003
berechnet wird. In two dimensions, it is calculated as:
Figure DE102015103805A1_0002
where the mean by
Figure DE102015103805A1_0003
is calculated.

Etwas leichter vorstellbar ist die mittlere Rauheit (in einer Dimension) als die Höhe des Rechtecks, das die gleiche Länge wie die zu untersuchende Strecke und den gleichen Flächeninhalt wie jene Fläche zwischen Bezugshöhe und Profil hat. Somewhat easier to imagine is the average roughness (in one dimension) than the height of the rectangle, which has the same length as the track to be examined and the same area as the area between the reference altitude and the profile.

Das optoelektronische Bauelement enthält also eine integrierte Planarisierungsschicht, die insbesondere auf einer Schicht des optoelektronischen Bauelements mit einer hohen Oberflächenrauheit angeordnet ist. Die Planarisierungsschicht, insbesondere die Verwendung von elektrisch leitfähigen Nanopartikeln, ermöglicht eine Reduzierung der Rauheit der darunter liegenden Schichtenoberfläche. Durch die zusätzliche elektrische Leitfähigkeit, die die Nanopartikel aufweisen, ist es möglich, raue Elektroden oder raue elektrisch leitfähige Schichten des optoelektronischen Bauelements zu planarisieren. Mit der Planarisierungsschicht können also elektrisch leitfähige Schichten in dem optoelektronischen Bauelement Verwendung finden, welche ohne die Planarisierung aufgrund auftretender elektrischer Defekte gerade bei empfindlichen organischen optoelektronischen Bauelementen nicht verwendbar wären. Kostenintensive beziehungsweise teure Glättungsprozesse, insbesondere teuer hergestellte, sehr glatte Schichten wie beispielsweise sehr glattes Display-Glas, können so vermieden werden. Kostengünstigere Schichten, beispielsweise Substrate oder ITO-Schichten, welche eine hohe Oberflächenrauheit aufweisen, können bei dem optoelektronischen Bauelement Verwendung finden. Zudem ist durch die Verwendung von Nanopartikeln als Planarisierungsschicht eine lange Lebensdauer dieser Schicht zu erwarten. The optoelectronic component thus contains an integrated planarization layer, which is arranged in particular on a layer of the optoelectronic component with a high surface roughness. The planarization layer, in particular the use of electrically conductive nanoparticles, makes it possible to reduce the roughness of the underlying layer surface. Due to the additional electrical conductivity that the nanoparticles have, it is possible to planarize rough electrodes or rough electrically conductive layers of the optoelectronic component. Thus, with the planarization layer, it is possible to use electrically conductive layers in the optoelectronic component which would not be usable without the planarization due to occurring electrical defects, especially in the case of sensitive organic optoelectronic components. Costly or expensive smoothing processes, in particular costly produced, very smooth layers such as very smooth display glass, can be avoided. Less expensive layers, for example substrates or ITO layers, which have a high surface roughness, can be used in the optoelectronic component. In addition, the use of nanoparticles as a planarization layer is expected to ensure a long service life of this layer.

Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind dafür vorgesehen, die organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zu kontaktieren. Beispielsweise sind die erste Elektrode und die zweite Elektrode als ganzflächig ausgestaltete, elektrisch leitfähige Elektrodenschicht oder als Teil einer elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht ausgebildet. Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind dabei bevorzugt zur gemeinsamen elektrischen Kontaktierung der organisch funktionellen Schichtenstruktur vorgesehen. Alternativ kann die organische funktionelle Schichtenstruktur segmentiert ausgebildet sein, wobei jedem Schichtenstruktursegment eine separate elektrisch leitfähige erste und/oder zweite Elektrode zugeordnet ist. The first electrode and the second electrode are designed to electrically contact the organic functional layer structure. By way of example, the first electrode and the second electrode are formed as an electrically conductive electrode layer configured as a whole area or as part of an electrically conductive electrode layer. The first electrode and the second electrode are preferably provided for common electrical contacting of the organically functional layer structure. Alternatively, the organic functional layer structure may be segmented, wherein each layer structure segment is associated with a separate electrically conductive first and / or second electrode.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur ist dazu ausgebildet, elektrische Energie in Licht oder Licht in elektrische Energie umzuwandeln. Beispielsweise ist das optoelektronische Bauelement eine OLED und die organische funktionelle Schichtenstruktur ist ein optisch aktiver Bereich der OLED. The organic functional layer structure is designed to convert electrical energy into light or light into electrical energy. For example, the optoelectronic component is an OLED and the organic functional layer structure is an optically active region of the OLED.

Die Planarisierungsschicht ist insbesondere zum Ebnen mindestens einer Schicht des optoelektronischen Bauelements vorgesehen und weist demnach oberflächenrauheitsreduzierende Eigenschaften in Form von elektrisch leitfähigen Nanopartikeln auf. Hierbei ist die Planarisierungsschicht direkt auf der zu ebnenden Schicht angeordnet, insbesondere in direktem körperlichem Kontakt und unmittelbar an diese angrenzend ausgebildet. Die zu ebnende Schicht kann beispielsweise der Träger, die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode sein. Zum Ebnen der darunter liegenden Schicht ist die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit der zu ebnenden Schicht in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm. The planarization layer is provided in particular for flattening at least one layer of the optoelectronic component and accordingly has surface roughness-reducing properties in the form of electrically conductive nanoparticles. In this case, the planarization layer is arranged directly on the layer to be planarized, in particular in direct physical contact and directly adjacent thereto. The layer to be planarized may be, for example, the carrier, the first electrode and / or the second electrode. For planarizing the underlying layer, the average roughness of the surface of the planarization layer facing the surface of the planarization layer in physical contact with the layer to be planarized is less than about 50 nm.

In einer Ausgestaltung kann die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht kleiner sein als die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit dem Träger beziehungsweise mit der ersten Elektrode beziehungsweise mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht. Mit anderen Worten: Die Rauheit der darunterliegenden Schicht ist in dieser Ausgestaltung höher als die Rauheit der Oberfläche der Planarisierung In one embodiment, the average roughness of the surface of the planarization layer may be smaller than the average roughness of the surface of the planarization layer which is connected to the carrier or to the first electrode or to the second electrode (FIG. 23 ) is in physical contact. In other words, the roughness of the underlying layer in this embodiment is higher than the roughness of the surface of the planarization

Gemäß einer Weiterbildung ist die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht kleiner ist als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner ist als ungefähr 5 nm. Bevorzugt liegt die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm. According to a development, the average roughness of the surface of the planarization layer is less than approximately 20 nm, preferably less than approximately 5 nm. Preferably, the average roughness of the surface of the planarization layer is in a range from approximately 1 nm to approximately 50 nm.

Gemäß einer Weiterbildung enthält die Planarisierungsschicht zumindest ein anorganisches Material. Durch die Verwendung von einem anorganischen Material kann eine lange Lebensdauer der Planarisierungsschicht erzielt werden. According to a development, the planarization layer contains at least one inorganic material. By using an inorganic material, a long lifetime of the planarization layer can be achieved.

Gemäß einer Weiterbildung sind die elektrisch leitfähigen Nanopartikel Metalloxide. Beispielsweise enthalten die elektrisch leitfähigen Nanopartikel ITO (Indiumzinnoxid), Al:ZnO (Aluminium-Zinkoxid), FTO (Fluor-Zinnoxid) und/oder AZO (Azoverbindung). Durch die elektrischen Eigenschaften, die diese Nanopartikel aufweisen, können insbesondere elektrisch leitfähige Schichten des optoelektronischen Bauelements planarisiert werden, ohne merkliche Einbußen in der elektrischen Leitfähigkeit hinnehmen zu müssen. Günstig prozessierte, elektrisch leitfähige Schichten können so in dem optoelektronischen Bauelement Verwendung finden. According to a development, the electrically conductive nanoparticles are metal oxides. For example, the electrically conductive nanoparticles contain ITO (indium tin oxide), Al: ZnO (aluminum zinc oxide), FTO (fluorine tin oxide) and / or AZO (azo compound). Due to the electrical properties exhibited by these nanoparticles, in particular electrically conductive layers of the optoelectronic component can be planarized without having to accept significant losses in electrical conductivity. Favorably processed, electrically conductive layers can thus be used in the optoelectronic component.

Gemäß einer Weiterbildung weisen die elektrisch leitfähigen Nanopartikel einen mittleren Durchmesser in einem Bereich zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 5 nm und 50 nm, auf. Die Verwendung von Nanopartikel in der angegebenen Größe ermöglichen insbesondere eine Reduzierung der Oberflächenrauheit der unmittelbar darunter angeordneten Schicht. Eine Planarisierung beziehungsweise Ebnung der darunter liegenden Schicht kann so erzeugt werden. Auf kostenintensive Verfahrensprozesse zum Ebnen dieser darunter liegenden Schicht kann dabei verzichtet werden. Zudem können durch Nanopartikel in der angegebenen Größe eine hohe Packungsdichte und damit verbunden eine hohe Perkolation und elektrische Leitfähigkeit erzielt werden. According to a development, the electrically conductive nanoparticles have an average diameter in a range between 1 nm and 100 nm inclusive, in particular between 5 nm and 50 nm inclusive. The use of nanoparticles in the specified size in particular allows a reduction in the surface roughness of the layer arranged immediately below. A planarization or flattening of the underlying layer can thus be generated. Cost-intensive process processes for planarizing this underlying layer can be dispensed with. In addition, nanoparticles in the specified size can achieve a high packing density and, associated therewith, high percolation and electrical conductivity.

Gemäß einer Weiterbildung weisen die elektrisch leitfähigen Nanopartikel eine im Wesentlichen kugelförmige oder sphärische Form auf. According to a development, the electrically conductive nanoparticles have a substantially spherical or spherical shape.

Gemäß einer Weiterbildung bilden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel eine nanoporöse Schicht. Damit bilden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel eine leitfähige Matrix und müssen somit nicht in einer polymeren Matrix eingebettet sein. Gemäß einer Weiterbildung ist zumindest ein Oberflächenbereich des Trägers, der der Planarisierungsschicht zugewandt ist, elektrisch isolierend. In diesem Oberflächenbereich ist also keine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements vorgesehen. According to a development, the electrically conductive nanoparticles form a nanoporous layer. Thus, the electrically conductive nanoparticles form a conductive matrix and thus need not be embedded in a polymeric matrix. According to a development, at least one surface region of the carrier, which faces the planarization layer, is electrically insulating. In this surface area, therefore, no electrical contacting of the optoelectronic component is provided.

Gemäß einer Weiterbildung ist/sind die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode unsegmentiert, wobei sich die Planarisierungsschicht über die gesamte erste Elektrode und/oder die gesamte zweite Elektrode erstreckt. Eine ganzflächig ausgebildete erste und/oder zweite Elektrode findet demnach Anwendung. According to a development, the first electrode and / or the second electrode is / are not segmented, with the planarization layer extending over the entire first electrode and / or the entire second electrode. An entire surface trained first and / or second electrode is therefore applicable.

Gemäß einer Weiterbildung enthält die Planarisierungsschicht lichtstreuende Partikel, beispielsweise TiO2-Partikel (Titandioxid-Partikel). Die Planarisierungsschicht weist also neben den oberflächenrauheitsreduzierenden Eigenschaften und elektrischen Eigenschaften zudem lichtstreuende Eigenschaften auf. Die Planarisierungsschicht ermöglicht so zusätzlich eine Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements in einer gewünschten Weise. According to a development, the planarization layer contains light-scattering particles, for example TiO 2 particles (titanium dioxide particles). In addition to the surface roughness-reducing properties and electrical properties, the planarization layer also has light-scattering properties. The planarization layer thus additionally makes it possible to influence the emission characteristic of the optoelectronic component in a desired manner.

Die Aufgabe wird weiter gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelements. Bei dem Verfahren werden eine erste Elektrode auf einem Träger ausgebildet, eine organische funktionelle Schichtenstruktur über der ersten Elektrode ausgebildet, und eine zweite Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet, und mindestens eine Planarisierungsschicht ausgebildet, die auf dem Träger angeordnet wird und mit dem Träger in körperlichen Kontakt gebracht wird, und/oder auf der ersten Elektrode angeordnet wird und mit der ersten Elektrode in körperlichen Kontakt gebracht wird, und/oder auf der zweiten Elektrode angeordnet wird und mit der zweiten Elektrode in körperlichen Kontakt gebracht wird. Die mindestens eine Planarisierungsschicht enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel. Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit dem Träger beziehungsweise der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner ist als ungefähr 50 nm. The object is further achieved by a method for producing an optoelectronic component, for example the optoelectronic component explained above. In the method, a first electrode is formed on a carrier, an organic functional layer structure is formed over the first electrode, and a second electrode is formed on the organic functional layer structure, and at least one planarization layer formed on the carrier and connected to the carrier in FIG is brought into physical contact, and / or placed on the first electrode and is brought into physical contact with the first electrode, and / or disposed on the second electrode and is brought into physical contact with the second electrode. The at least one planarization layer contains electrically conductive nanoparticles. An average roughness of a surface of the planarization layer opposite to the surface of the planarization layer in physical contact with the support or the first electrode or the second electrode is less than approximately 50 nm.

Das Verfahren zeichnet sich insbesondere durch eine kostengünstige und einfache Weise zum Herstellen der Planarisierungsschicht zum Reduzieren einer Oberflächenrauheit aus, sowie durch seine reduzierte Gefahr eines Ausfalls der Planarisierungsschicht des optoelektronischen Bauelements, insbesondere basierend auf einer hohen Lebensdauer der Planarisierungsschicht. The method is characterized in particular by a cost-effective and simple way of producing the planarization layer for reducing a surface roughness, and by its reduced risk of failure of the planarization layer of the optoelectronic component, in particular based on a high lifetime of the planarization layer.

Alternative Ausführungen und/oder Vorteile betreffend die Planarisierungsschicht, die organische funktionelle Schichtenstruktur, das optoelektronische Bauelement und/oder jeweils Komponenten hiervon sind bereits in Zusammenhang mit dem jeweiligen Erzeugnis weiter oben in der Anmeldung ausgeführt und finden bei dem Herstellungsverfahren natürlich entsprechend Anwendung, ohne hier explizit nochmals aufgeführt zu sein. Alternative embodiments and / or advantages relating to the planarization layer, the organic functional layer structure, the optoelectronic device and / or in each case components thereof already stated in connection with the respective product above in the application and find in the manufacturing process, of course, according to application, without being explicitly listed again here.

Die Planarisierungsschicht wird insbesondere unmittelbar und direkt über der zu ebnenden beziehungsweise der zu planarisierenden Schicht aufgebracht, die beispielsweise der Träger oder eines der Elektroden sein kann. Alternativ können über mehrere dieser Schichten des optoelektronischen Bauelements je eine Planarisierungsschicht aufgebracht werden, im Falle, dass mehrere dieser Schichten eine zu reduzierende Oberflächenrauheit besitzen. The planarization layer is applied in particular directly and directly above the layer to be planarized or to be planarized, which may be, for example, the carrier or one of the electrodes. Alternatively, a planarization layer may be applied over a plurality of these layers of the optoelectronic component, in the event that several of these layers have a surface roughness to be reduced.

Gemäß einer Weiterbildung werden zum Aufbringen der Planarisierungsschicht die elektrisch leitfähigen Nanopartikel in ein Lösungsmittel eingebracht. Die elektrisch leitfähigen Nanopartikel werden also aus einer Lösung prozessiert. Das Lösungsmittel ist beispielsweise Isopropanol, Aceton oder 1-Methoxy-2-Propanol. Zum Aufbringen der Planarisierungsschicht kann eines der folgenden Verfahren beziehungsweise Lösungsprozess-Techniken Anwendung finden: ein Tintenstrahldruck-Verfahren, ein Offsetdruck-Verfahren, ein Flexodruck-Verfahren, ein Tiefdruck-Verfahren, ein Schlitzgieß-Verfahren, ein Siebdruck-Verfahren oder ein Rakel-Verfahren. Diese Verfahren sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. According to a development, the electrically conductive nanoparticles are introduced into a solvent for applying the planarization layer. The electrically conductive nanoparticles are thus processed from a solution. The solvent is, for example, isopropanol, acetone or 1-methoxy-2-propanol. For applying the planarization layer, one of the following methods or solution process techniques can be used: an inkjet printing method, an offset printing method, a flexographic printing method, a gravure printing method, a slot casting method, a screen printing method or a doctor blade method , These methods are known to the person skilled in the art and are therefore not explained in detail at this point.

Zur Messung der Oberflächenrauheit einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements kann ein Profilometer beziehungsweise das Tastschnittverfahren verwendet werden. Dieses Verfahren ist dem Fachmann bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Die Messung sollte dabei eine Auflösung von mindestens 10 Nanometer über eine Mindestdistanz von 20 µm aufweisen, um Rauheiten im vorliegenden Bereich, insbesondere kleiner 50 nm, bevorzugt kleiner 20 nm, signifikant messen zu können. To measure the surface roughness of individual layers of the optoelectronic component, a profilometer or the stylus method can be used. This process is known to the person skilled in the art and is therefore not explained in detail here. The measurement should have a resolution of at least 10 nanometers over a minimum distance of 20 μm, in order to be able to measure roughnesses in the present range, in particular less than 50 nm, preferably less than 20 nm, significantly.

Alternativ kann zur Messung der Oberflächenrauheit einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements ein AFM (Atomic Force Microscope) zur zwei-Dimensionalen Auswertung der Oberflächenrauheit Verwendung finden. Dabei sind die gleichen Anforderungen an die Auflösung (< 10nm) und Messlänge beziehungsweise in diesem Fall Messfläche (20µ 20µm) zu stellen. Eine Messung der Oberflächenrauheit mit einem AFM ist dem Fachmann ebenfalls bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht näher erörtert. Alternatively, an AFM (Atomic Force Microscope) for the two-dimensional evaluation of the surface roughness can be used to measure the surface roughness of individual layers of the optoelectronic component. The same requirements for the resolution (<10nm) and measuring length or in this case the measuring surface (20μ 20μm) must be met. A measurement of the surface roughness with an AFM is likewise known to the person skilled in the art and will therefore not be discussed further here.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigen Show it

1 eine seitliche Schnittdarstellung eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelements; 1 a side sectional view of a conventional optoelectronic device;

2A eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; 2A a side sectional view of a section of an embodiment of an optoelectronic device;

2B eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; 2 B a side sectional view of a section of an embodiment of an optoelectronic device;

2C eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; 2C a side sectional view of a section of an embodiment of an optoelectronic device;

3 eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements. 3 a side sectional view of an embodiment of an optoelectronic device.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The The following detailed description is therefore not to be considered in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine organische Solarzelle oder eine organische Photozelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organische elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting component or an electromagnetic radiation absorbing component. An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, an organic solar cell or an organic photocell. An electromagnetic radiation-emitting component may be formed in various embodiments as a organic electromagnetic radiation emitting diode (organic light emitting diode, OLED) or as a transistor emitting organic electromagnetic radiation. The radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light. The light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.

1 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1. Das optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12 auf. Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 12 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein. 1 shows a conventional optoelectronic device 1 , The optoelectronic component 1 has a carrier 12 on. The carrier 12 can be translucent or transparent. The carrier 12 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. The carrier 12 For example, plastic, metal, glass, quartz and / or a semiconductor material can have or be formed from it. Furthermore, the carrier can 12 comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The carrier 12 can be mechanically rigid or mechanically flexible.

Der Träger 12 ist herkömmlicherweise meist planarisiert oder kostenintensiv hergestellt, damit einzelne darauf aufgebrachte Schichten defektfrei betrieben werden können. Beispielsweise findet ein teuer hergestelltes, sehr glattes Display-Glas als Träger 12 Verwendung. The carrier 12 is conventionally usually planarized or cost-intensive, so that individual layers applied thereto can be operated defect-free. For example, finds an expensive manufactured, very smooth display glass as a carrier 12 Use.

Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Der Träger 12 mit der ersten Elektrodenschicht 14 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. On the carrier 12 an optoelectronic layer structure is formed. The optoelectronic layer structure has a first electrode layer 14 on that a first contact section 16 , a second contact section 18 and a first electrode 20 having. The carrier 12 with the first electrode layer 14 can also be referred to as a substrate. Between the carrier 12 and the first electrode layer 14 For example, a first barrier layer (not shown), for example a first barrier thin layer, may be formed.

Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. The first electrode 20 is from the first contact section 16 by means of an electrical insulation barrier 21 electrically isolated. The second contact section 18 is with the first electrode 20 the optoelectronic layer structure electrically coupled. The first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode. The first electrode 20 can be translucent or transparent. The first electrode 20 has an electrically conductive material, for example, metal and / or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers comprising metals or TCOs. The first electrode 20 For example, a layer stack may comprise a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. The first electrode 20 may alternatively or in addition to the materials mentioned include: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.

Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22, der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen. Above the first electrode 20 is an optically functional layer structure, for example an organic functional layer structure 22 , the optoelectronic layer structure formed. The organic functional layer structure 22 For example, it may have one, two or more sublayers. For example, the organic functional layer structure 22 a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves to transport the holes. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure 22 one, two or more functional layer structure units, each having said sub-layers and / or further intermediate layers.

Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist die zweite Elektrode 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Over the organic functional layer structure 22 is the second electrode 23 of the optoelectronic layer structure, which is electrically connected to the first contact section 16 is coupled. The second electrode 23 may according to one of the embodiments of the first electrode 20 be formed, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 may be the same or different. The first electrode 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure. The second electrode 23 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic layer structure.

Die erste und die zweite Elektrode 20, 23 sind meist teuer prozessiert, um eine geringe Oberflächenrauheit und dadurch bedingt ein defektfreies Abscheiden nachfolgender Schichten und ein defektfreies Betreiben des optoelektronischen Bauelements 1 zu ermöglichen. The first and second electrodes 20 . 23 are usually expensive processed to a low surface roughness and thus due to a defect-free deposition of subsequent layers and a defect-free operation of the optoelectronic device 1 to enable.

Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. The optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region. The active region is, for example, the region of the optoelectronic component in which electrical current flows for operation of the optoelectronic component and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed. On or above the active area, a getter structure (not shown) may be arranged. The getter layer can be translucent, transparent or opaque. The getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.

Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Above the second electrode 23 and partially over the first contact portion 16 and partially over the second contact portion 18 is an encapsulation layer 24 the optoelectronic layer structure is formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure. The encapsulation layer 24 may be formed as a second barrier layer, for example as a second barrier thin layer. The encapsulation layer 24 can also be referred to as thin-layer encapsulation. The encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer 24 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof , Optionally, the first barrier layer on the carrier 12 corresponding to a configuration of the encapsulation layer 24 be educated.

In der Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18. In the encapsulation layer 24 are above the first contact section 16 a first recess of the encapsulation layer 24 and over the second contact portion 18 a second recess of the encapsulation layer 24 educated. In the first recess of the encapsulation layer 24 is a first contact area 32 exposed and in the second recess of the encapsulation layer 24 is a second contact area 34 exposed. The first contact area 32 serves for electrically contacting the first contact section 16 and the second contact area 34 serves for electrically contacting the second contact section 18 ,

Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Klebeschicht 36 ausgebildet. Die Klebeschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Klebeschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Above the encapsulation layer 24 is an adhesive layer 36 educated. The adhesive layer 36 has, for example, an adhesive, for example an adhesive, for example a laminating adhesive, a lacquer and / or a resin. The adhesive layer 36 For example, it may comprise particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles.

Über der Klebeschicht 36 ist eine Abdeckung 38 ausgebildet. Die Klebeschicht 36 dient zum Befestigen der Abdeckung 38 an der Verkapselungsschicht 24. Die Abdeckung 38 weist beispielsweise Kunststoff und/oder Metall auf. Beispielsweise kann die Abdeckung 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Die Abdeckung 38 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann die Abdeckung 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas der Abdeckung 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht der Abdeckung 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen. Over the adhesive layer 36 is a cover 38 educated. The adhesive layer 36 used to attach the cover 38 at the encapsulation layer 24 , The cover 38 has, for example, plastic and / or metal. For example, the cover 38 may be formed essentially of glass and a thin metal layer, such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, on the glass body. The cover 38 serves to protect the conventional optoelectronic device 1 , for example, from mechanical forces from the outside. Furthermore, the cover 38 serve for distributing and / or dissipating heat, which in the conventional optoelectronic device 1 is produced. For example, the glass of the cover 38 as protection against external influences serve and the metal layer of the cover 38 can be used to distribute and / or dissipate during operation of the conventional optoelectronic device 1 serve arising heat.

2A zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Das optoelektronische Bauelement 1 weist auf dem Träger 12, der insbesondere als Glassubstrat ausgebildet ist, die ersten Elektrode auf, die insbesondere eine ITO-Schicht ist und als Anode dient (nicht dargestellt), die organische funktionelle Schichtenstruktur auf der ersten Elektrode (nicht dargestellt), die zweite Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur, die insbesondere eine Al-Schicht ist und als Kathode dient (nicht dargestellt), die Verkapselungsschicht, die insbesondere eine TFE-Schicht ist, auf der zweiten Elektrode (nicht dargestellt), die Klebeschicht auf der Verkapselungsschicht (nicht dargestellt), und die Abdeckung (nicht dargestellt). 2A shows a section of an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 1 shown optoelectronic component 1 can correspond. The optoelectronic component 1 points to the carrier 12 which is particularly formed as a glass substrate, the first electrode, which is in particular an ITO layer and serves as an anode (not shown), the organic functional layer structure on the first electrode (not shown), the second electrode on the organic functional layer structure , which is in particular an Al layer and serves as a cathode (not shown), the encapsulation layer, which is in particular a TFE layer, on the second electrode (not shown), the adhesive layer on the encapsulation layer (not shown), and the cover (not shown).

Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Emitterschicht, die Elektronentransportschicht und/oder die Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen. The organic functional layer structure may have one, two or more sublayers. By way of example, the organic functional layer structure may comprise the hole injection layer, the hole transport layer, the emitter layer, the electron transport layer and / or the electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves to transport the holes. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure may have one, two or more functional layer structure units which each have the sub-layers and / or further intermediate layers.

Die Verkapselungsschicht kann als Barriereschicht, beispielsweise als Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben oder Tetrafluorethylen (TFE). The encapsulation layer may be formed as a barrier layer, for example as a barrier thin layer. The encapsulation layer can also be referred to as thin-layer encapsulation. The encapsulation layer forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric agents, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer may comprise or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and Alloys thereof or tetrafluoroethylene (TFE).

Die Klebeschicht dient zum Befestigen der Abdeckung auf der Verkapselungsschicht. Die Abdeckung dient zum Schützen des optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann die Abdeckung zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Die Abdeckung kann insbesondere eine Metallschicht oder eine Metallfolie aufweisen oder sein, beispielsweise eine Aluminiumfolie. The adhesive layer serves to secure the cover to the encapsulation layer. The cover serves to protect the optoelectronic component 1 , for example, from mechanical forces from the outside. Further, the cover may serve for distributing and / or dissipating heat contained in the optoelectronic device 1 is produced. The cover may in particular comprise or be a metal layer or a metal foil, for example an aluminum foil.

Der Träger 12 dient als Trägerelement für die weiteren, darauf angeordneten Schichten. Hierbei weist der Träger 12 eine hohe Oberflächenrauheit auf, die für ein defektfreies Betreiben des optoelektronischen Bauelements 1 nachteilig sein kann. Daher ist auf einer Oberfläche 121 des Trägers 12, auf der die weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelements 1 aufgebracht sind, eine Planarisierungsschicht 2 aufgebracht. Diese steht mit dem Träger 12 in direktem körperlichen Kontakt. Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit dem Träger 12 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm. The carrier 12 serves as a carrier element for the further layers arranged thereon. In this case, the carrier 12 a high surface roughness, which for a defect-free operation of the optoelectronic device 1 can be disadvantageous. Therefore it is on a surface 121 of the carrier 12 on which the further layers of the optoelectronic component 1 are applied, a planarization layer 2 applied. This stands with the carrier 12 in direct physical contact. A mean roughness of a surface 1210 the planarization layer 2 that is the surface of the planarization layer 2 that with the carrier 12 is in physical contact, is less than about 50 nm, preferably less than about 20 nm, preferably less than about 5 nm. The average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 is more preferably in a range of about 1 nm to about 50 nm.

Die Planarisierungsschicht 2 enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel 122 und dient insbesondere dazu, die Oberflächenrauheit des Trägers 12 zu reduzieren. Die elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122 sind beispielsweise Metalloxide, insbesondere ITO-Partikel, ITO/AZO-Parikel, Al:ZnO-Partikel und/oder FTO-Partikel. Dabei weisen die elektrisch leitfähigen Nanopartikel einen mittlere Durchmesser in einem Bereich zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 5 nm und 50 nm, auf. Die elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122 weisen eine im Wesentlichen kugelförmige oder sphärische Form auf. The planarization layer 2 contains electrically conductive nanoparticles 122 and in particular serves to increase the surface roughness of the support 12 to reduce. The electrically conductive nanoparticles 122 are, for example, metal oxides, in particular ITO particles, ITO / AZO particles, Al: ZnO particles and / or FTO particles. In this case, the electrically conductive nanoparticles have an average diameter in a range between 1 nm and 100 nm inclusive, in particular between 5 nm and 50 nm inclusive. The electrically conductive nanoparticles 122 have a substantially spherical or spherical shape.

Die Planarisierungsschicht 2 enthält ein anorganisches Material, und insbesondere keine polymere Matrix. Insbesondere bilden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122 selbst eine Matrix aus. Dadurch kann eine hohe Lebensdauer der Planarisierungsschicht 2 bereitgestellt werden. Optional enthält die Planarisierungsschicht 2 lichtstreuende Partikel, beispielsweise TiO2-Partikel. Die Planarisierungsschicht 2 dient dabei also zusätzlich als elektrisch leitfähige Streuschicht für die von dem optoelektronischen Bauelement 1 emittierte Strahlung. The planarization layer 2 contains an inorganic material, and in particular no polymeric matrix. In particular, the electrically conductive nanoparticles form 122 even a matrix out. This can a long life of the planarization layer 2 to be provided. Optionally contains the planarization layer 2 light-scattering particles, for example TiO 2 particles. The planarization layer 2 Thus, it also serves as an electrically conductive litter layer for the of the optoelectronic component 1 emitted radiation.

Zum Aufbringen der Planarisierungsschicht 2 auf dem Träger 12, insbesondere der elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122, werden diese in Lösung prozessiert und liegen dann in einem entsprechenden Lösungsmittel vor. Das Lösungsmittel ist beispielsweise Isopropanol, Aceton oder 1-Methoxy-2-Propanol. Hierbei werden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel mittels eines Tintenstrahldruck-Verfahrens, eines Offsetdruck-Verfahrens, eines Flexodruck-Verfahrens, eines Tiefdruck-Verfahrens, eines Schlitzgieß-Verfahrens, eines Siebdruck-Verfahrens oder eines Rakel-Verfahrens auf dem Träger 12 aufgebracht. For applying the planarization layer 2 on the carrier 12 , in particular the electrically conductive nanoparticles 122 , These are processed in solution and are then present in a corresponding solvent. The solvent is, for example, isopropanol, acetone or 1-methoxy-2-propanol. Here, the electrically conductive nanoparticles by means of an ink-jet printing method, an offset printing method, a flexographic printing method, a gravure printing method, a slot-casting method, a screen printing method or a doctor blade method on the support 12 applied.

2B zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 beziehungsweise 2A gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Dabei ist auf einer Oberfläche 121a der ersten Elektrode 20, auf der die weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelements 1 aufgebracht sind, die Planarisierungsschicht 2 aufgebracht. Diese steht mit der ersten Elektrode 20 in direktem körperlichen Kontakt. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit der ersten Elektrode 20 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm. 2 B shows a section of an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 1 respectively 2A shown optoelectronic component 1 can correspond. It is on a surface 121 the first electrode 20 on which the further layers of the optoelectronic component 1 are applied, the planarization layer 2 applied. This stands with the first electrode 20 in direct physical contact. The average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 that is the surface of the planarization layer 2 that with the first electrode 20 is in physical contact, is less than about 50 nm, preferably less than about 20 nm, preferably less than about 5 nm. The average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 is more preferably in a range of about 1 nm to about 50 nm.

Die erste Elektrode 20 weist die Planarisierungsschicht 2 auf der Oberfläche zum Reduzieren der Oberflächenrauheit auf. Durch die elektrische Leitfähigkeit der Planarisierungsschicht 2, insbesondere der elektrisch leitfähigen Nanopartikel, wird dabei das elektrische Betreiben des optoelektronischen Bauelements nicht aufgrund von auftretenden elektrischen Defekten negativ beeinflusst. The first electrode 20 has the planarization layer 2 on the surface for reducing the surface roughness. Due to the electrical conductivity of the planarization layer 2 , In particular, the electrically conductive nanoparticles, while the electrical operation of the optoelectronic device is not adversely affected due to electrical defects occurring.

2C zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 beziehungsweise 2A beziehungsweise 2B gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Dabei ist auf einer Oberfläche 121b der zweiten Elektrode 23 die Planarisierungsschicht 2 aufgebracht. Diese steht mit der zweiten Elektrode 23 in direktem körperlichen Kontakt. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit der zweiten Elektrode 23 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm. 2C shows a section of an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 1 respectively 2A respectively 2 B shown optoelectronic component 1 can correspond. It is on a surface 121b the second electrode 23 the planarization layer 2 applied. This stands with the second electrode 23 in direct physical contact. The average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 that is the surface of the planarization layer 2 connected to the second electrode 23 is in physical contact, is less than about 50 nm, preferably less than about 20 nm, preferably less than about 5 nm. The average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 is more preferably in a range of about 1 nm to about 50 nm.

Die zweite Elektrode 23 weist die Planarisierungsschicht 2 auf der Oberfläche zum Reduzieren der Oberflächenrauheit auf. Durch die elektrische Leitfähigkeit der Planarisierungsschicht 2, insbesondere der elektrisch leitfähigen Nanopartikel, wird dabei das elektrische Betreiben des optoelektronischen Bauelements nicht aufgrund von auftretenden elektrischen Defekten negativ beeinflusst. The second electrode 23 has the planarization layer 2 on the surface for reducing the surface roughness. Due to the electrical conductivity of the planarization layer 2 , In particular, the electrically conductive nanoparticles, while the electrical operation of the optoelectronic device is not adversely affected due to electrical defects occurring.

3 zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 beziehungsweise 2B beziehungsweise 2C gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Die erste Elektrode 20 ist segmentiert ausgebildet und weist demnach eine Mehrzahl von Elektrodenelementen 21 auf. Die Planarisierungsschicht 2 erstreckt sich dabei in Zwischenräume zwischen die Elektrodensegmente 21 und verbindet benachbarte Elektrodenelemente 21 via den Zwischenraum elektrisch leitend miteinander. Zudem erstreckt sich die Planarisierungsschicht 2 gleichmäßig über die Zwischenräume und die Elektrodenelemente 21. Dabei weist die Planarisierungsschicht 2 die zuvor beschriebene Wirkung der Reduzierung der Oberflächenrauheit auf, die sich aufgrund der elektrisch leitfähigen Nanopartikel in der Planarisierungsschicht ergibt. Insbesondere ist die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit den Elektrodenelementen 21 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm. 3 shows a section of an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 1 respectively 2 B respectively 2C shown optoelectronic component 1 can correspond. The first electrode 20 is formed segmented and thus has a plurality of electrode elements 21 on. The planarization layer 2 extends in between spaces between the electrode segments 21 and connects adjacent electrode elements 21 via the gap electrically conductive with each other. In addition, the planarization layer extends 2 evenly across the gaps and the electrode elements 21 , In this case, the planarization layer 2 the above-described effect of reducing the surface roughness, which results from the electrically conductive nanoparticles in the planarization layer. In particular, the average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 that is the surface of the planarization layer 2 connected to the electrode elements 21 is in physical contact, less than about 50 nm, preferably less than about 20 nm, preferably less than about 5 nm. The average roughness of the surface 1210 the planarization layer 2 is more preferably in a range of about 1 nm to about 50 nm.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 1, insbesondere die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 segmentiert ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen 1 nebeneinander zu einer optoelektronischen Baugruppe angeordnet sein.The invention is not limited to the specified embodiments. For example, the optoelectronic component 1 , in particular the organic functional layer structure 22 be formed segmented. Alternatively or additionally, a plurality of optoelectronic components 1 be arranged side by side to form an optoelectronic assembly.

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement (1), aufweisend: einen Träger (12); und eine erste Elektrode (20) auf dem Träger (12); und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20); und eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22); und mindestens eine Planarisierungsschicht (2), die • auf dem Träger (12) angeordnet ist und mit dem Träger (12) in körperlichem Kontakt ist, und/oder, • auf der ersten Elektrode (20) angeordnet ist und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichem Kontakt ist, und/oder, • auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt ist; wobei die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) elektrisch leitfähige Nanopartikel (122) enthält, und wobei eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm. Optoelectronic component ( 1 ), comprising: a carrier ( 12 ); and a first electrode ( 20 ) on the support ( 12 ); and an organic functional layer structure ( 22 ) over the first electrode ( 20 ); and a second electrode ( 23 ) on the organic functional layer structure ( 22 ); and at least one planarization layer ( 2 ) on the support ( 12 ) and with the carrier ( 12 ) is in physical contact, and / or, on the first electrode ( 20 ) and with the first electrode ( 20 ) is in physical contact, and / or, on the second electrode ( 23 ) and with the second electrode ( 23 ) is in physical contact; wherein the at least one planarization layer ( 2 ) electrically conductive nanoparticles ( 122 ) and wherein an average roughness of a surface of the planarization layer ( 2 ), the surface of the planarization layer ( 2 ) with the carrier ( 12 ) or the first electrode ( 20 ) or the second electrode ( 23 ) is in physical contact, is less than about 50 nm. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 1, wobei die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2) kleiner ist als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner ist als ungefähr 5 nm. Optoelectronic component ( 1 ) according to claim 1, wherein the average roughness of the surface of the planarization layer ( 2 ) is less than about 20 nm, preferably less than about 5 nm. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2) kleiner ist als die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht.“Optoelectronic component ( 1 ) according to claim 1 or 2, wherein the average roughness of the surface of the planarization layer ( 2 ) is smaller than the average roughness of the surface of the planarization layer ( 2 ) with the carrier ( 12 ) or the first electrode ( 20 ) or the second electrode ( 23 ) is in physical contact. " Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2) in einem Bereich liegt von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm. Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the average roughness of the surface of the planarization layer ( 2 ) ranges from about 1 nm to about 50 nm. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Planarisierungsschicht (2) anorganisches Material enthält. Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the planarization layer ( 2 ) contains inorganic material. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) Metalloxide sind. Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein the electrically conductive nanoparticles ( 122 ) Metal oxides. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 6, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) ITO, Al:ZnO und/oder FTO enthalten. Optoelectronic component ( 1 ) according to claim 6, wherein the electrically conductive nanoparticles ( 122 ) ITO, Al: ZnO and / or FTO. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) einen mittleren Durchmesser in einem Bereich zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 5 nm und 50 nm, aufweisen. Optoelectronic component ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the electrically conductive nanoparticles ( 122 ) have a mean diameter in a range between 1 nm and 100 nm inclusive, in particular between 5 nm and 50 nm inclusive. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) eine im Wesentlichen kugelförmige oder sphärische Form aufweisen. Optoelectronic component ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the electrically conductive nanoparticles ( 122 ) have a substantially spherical or spherical shape. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Oberflächenbereich des Trägers (12), der der Planarisierungsschicht (2) zugewandt ist, elektrisch isolierend ist. Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein at least one surface area of the carrier ( 12 ), the planarization layer ( 2 ), is electrically insulating. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode (20) und/oder die zweite Elektrode (23) unsegmentiert sind/ist, und wobei sich die Planarisierungsschicht (2) über die gesamte erste Elektrode (20) und/oder die gesamte zweite Elektrode (23) erstreckt. Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the first electrode ( 20 ) and / or the second electrode ( 23 ) are unsegmented, and where the planarization layer ( 2 ) over the entire first electrode ( 20 ) and / or the entire second electrode ( 23 ). Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1), bei dem eine erste Elektrode (20) auf einem Träger (12) ausgebildet wird; und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20) ausgebildet wird; und eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird; und mindestens eine Planarisierungsschicht (2) ausgebildet wird, die • auf dem Träger (12) angeordnet und mit dem Träger (12) in körperlichen Kontakt gebracht wird, • auf der ersten Elektrode (20) angeordnet und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichen Kontakt gebracht wird, und/oder • auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichen Kontakt gebracht wird, wobei die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) elektrisch leitfähige Nanopartikel (122) enthält; und wobei eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm. Method for producing an optoelectronic component ( 1 ), in which a first electrode ( 20 ) on a support ( 12 ) is formed; and an organic functional layer structure ( 22 ) over the first electrode ( 20 ) is formed; and a second electrode ( 23 ) on the organic functional layer structure ( 22 ) is formed; and at least one planarization layer ( 2 ) formed on the support ( 12 ) and with the carrier ( 12 ) is brought into physical contact, On the first electrode ( 20 ) and with the first electrode ( 20 ) is brought into physical contact, and / or on the second electrode ( 23 ) and with the second electrode ( 23 ) is brought into physical contact, wherein the at least one planarization layer ( 2 ) electrically conductive nanoparticles ( 122 ) contains; and wherein an average roughness of a surface of the planarization layer ( 2 ), the surface of the planarization layer ( 2 ) with the carrier ( 12 ) or the first electrode ( 20 ) or the second electrode ( 23 ) is in physical contact, is less than about 50 nm. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei zum Aufbringen der elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) diese in ein Lösungsmittel eingebracht werden. A method according to claim 12, wherein for applying the electrically conductive nanoparticles ( 122 ) These are introduced into a solvent. Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Lösungsmittel Isopropanol, Ethanol, Aceton oder 1-Methoxy-2-Propanol ist.  A method according to claim 13, wherein the solvent is isopropanol, ethanol, acetone or 1-methoxy-2-propanol. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) mittels eines eines Tintenstrahldruck-Verfahrens, eines Offsetdruck-Verfahrens, eines Flexodruck-Verfahrens, eines Tiefdruck-Verfahrens, eines Schlitzgieß-Verfahrens, eines Siebdruck-Verfahrens oder eines Rakel-Verfahrens aufgebracht werden.The method of claim 13 or 14, wherein the electrically conductive nanoparticles ( 122 ) can be applied by means of an ink-jet printing method, an offset printing method, a flexographic printing method, a gravure printing method, a slot casting method, a screen printing method or a doctor blade method.
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