DE102015101676A1

DE102015101676A1 - Component and method for manufacturing a device

Info

Publication number: DE102015101676A1
Application number: DE102015101676.1A
Authority: DE
Inventors: Philipp Schwamb; Simon Schicktanz
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2015-02-05
Filing date: 2015-02-05
Publication date: 2016-08-11
Also published as: WO2016124640A1

Abstract

Es wird ein Bauelement angegeben, das ein Substrat, einen funktionellen Schichtenstapel, eine hermetisch dichte selbsttragende Barriereschicht und eine Verkapselungsschicht aufweist, wobei der funktionelle Schichtenstapel zwischen dem Substrat und der Barriereschicht angeordnet ist, die Barriereschicht in Draufsicht auf das Substrat den funktionellen Schichtenstapel bedeckt und seitlich des Schichtenstapels mit dem Substrat und/oder mit einer auf dem Substrat angeordneten Schicht eine Stufe bildet, und die Verkapselungsschicht die Stufe überdeckt, so dass der funktionelle Schichtenstapel seitlich durch die Barriereschicht und die Verkapselungsschicht hermetisch abgeschlossen ist. Des Weiten wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.The invention relates to a component which has a substrate, a functional layer stack, a hermetically sealed self-supporting barrier layer and an encapsulation layer, the functional layer stack being arranged between the substrate and the barrier layer, the barrier layer covering the functional layer stack in plan view of the substrate and laterally of the layer stack forms a step with the substrate and / or with a layer arranged on the substrate, and the encapsulation layer covers the step, so that the functional layer stack is hermetically sealed laterally by the barrier layer and the encapsulation layer. Of course, a method for producing such a device is given.

Description

Es werden ein Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.A component and a method for producing a component are specified.

Flächige organische Elektronikbauteile sind empfindlich gegen Umwelteinflüsse wie Sauerstoff und Feuchtigkeit sowie gegen äußere mechanische Einflüsse. Zur Verkapselung solcher Elektronikbauteile kann beispielsweise ein Deckel vollflächig aufgeklebt oder laminiert werden. Alternative Lösungen sind das Aufkleben von Deckeln mit Kavitäten am Rand oder das Befestigen von Deckeln mittels einer Glasfritte oder die Verwendung einer Dünnfilmverkapselung. Flat organic electronic components are sensitive to environmental influences such as oxygen and moisture as well as external mechanical influences. For encapsulation of such electronic components, for example, a lid can be glued or laminated over the entire surface. Alternative solutions include the attachment of lids with cavities on the edge or the attachment of lids by means of a glass frit or the use of a thin-film encapsulation.

Eine Aufgabe ist es, ein vereinfacht herzustellendes Bauelement mit einem hohen Hermetizitätsgrad anzugeben. Als eine weitere Aufgabe wird ein zuverlässiges und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.An object is to provide a simplified to manufacture device with a high degree of hermeticity. As another object, a reliable and inexpensive method of manufacturing a device is disclosed.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Bauelements weist dieses ein Substrat und einen auf dem Substrat angeordneten funktionellen Schichtenstapel auf. Der funktionelle Schichtenstapel enthält beispielsweise eine Mehrzahl von organischen Schichten. Der funktionelle Schichtenstapel kann eine organische aktive Schicht aufweisen, die im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung, beispielsweise UV-Strahlung, sichtbares Licht oder Infrarotstrahlung emittiert oder detektiert. Des Weiteren kann der funktionelle Schichtenstapel eine erste Ladungstransportschicht, etwa als eine Lochtransportschicht ausgeführte organische Schicht, und eine zweite Ladungstransportschicht, etwa als eine Elektronentransportschicht ausgebildete organische Schicht enthalten. Die aktive organische Schicht kann in vertikaler Richtung zwischen der ersten und der zweiten Ladungstransportschicht angeordnet sein. Zum Beispiel ist das Bauelement eine organische Leuchtdiode (OLED).In accordance with at least one embodiment of a component, the latter has a substrate and a functional layer stack arranged on the substrate. The functional layer stack contains, for example, a plurality of organic layers. The functional layer stack may comprise an organic active layer which emits or detects electromagnetic radiation, for example UV radiation, visible light or infrared radiation, during operation of the component. Furthermore, the functional layer stack may include a first charge transport layer, such as an organic layer configured as a hole transport layer, and a second charge transport layer, such as an organic layer formed as an electron transport layer. The active organic layer may be disposed in the vertical direction between the first and second charge transport layers. For example, the device is an organic light emitting diode (OLED).

Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der organischen aktiven Schicht gerichtet ist. Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere parallel zu der Haupterstreckungsebene der organischen aktiven Schicht verläuft.A vertical direction is understood to mean a direction that is directed in particular perpendicular to a main extension plane of the organic active layer. A lateral direction is understood as meaning a direction which runs in particular parallel to the main extension plane of the organic active layer.

Das Substrat ist vorzugsweise aus einem strahlungsdurchlässigen, weiter bevorzugt transparenten Material ausgebildet. Das Substrat kann dabei Glas enthalten oder aus Glas bestehen. Insbesondere ist das Substrat für die im Betrieb des Bauelements erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgebildet und kann dabei klarsichtig, transparent oder transluzent ausgebildet sein. Das Substrat weist eine dem Schichtenstapel abgewandte erste Hauptfläche auf, die beispielsweise als eine Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements dient. Des Weiteren weist das Substrat eine dem Schichtenstapel zugewandte zweite Hauptfläche auf.The substrate is preferably formed of a radiation-transmissive, more preferably transparent material. The substrate can contain glass or consist of glass. In particular, the substrate is designed to be permeable to the electromagnetic radiation generated during operation of the component and may be transparent, transparent or translucent. The substrate has a first main surface facing away from the layer stack, which serves, for example, as a radiation exit surface of the component. Furthermore, the substrate has a second main surface facing the layer stack.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Barriereschicht auf, wobei der funktionelle Schichtenstapel zwischen dem Substrat und der Barriereschicht angeordnet ist. Die Barriereschicht ist insbesondere selbsttragend ausgebildet. Mit anderen Worten ist die Barriereschicht derart ausgebildet, dass diese auch ohne mechanische Unterstützung weiterer Schichten hinsichtlich ihres Eigengewichts mechanisch stabil bleibt und nicht zerfällt. Insbesondere ist die Barriereschicht für Flüssigkeiten und Gase undurchlässig, etwa hermetisch dicht, ausgebildet.According to at least one embodiment of the component, the latter has a barrier layer, wherein the functional layer stack is arranged between the substrate and the barrier layer. The barrier layer is particularly self-supporting. In other words, the barrier layer is designed such that it remains mechanically stable without mechanical support of further layers in terms of their own weight and does not decay. In particular, the barrier layer for liquids and gases impermeable, such as hermetically sealed formed.

Die Barriereschicht kann dabei ein anorganisches Material, etwa ein Metall, Glas oder einen Kunststoff aufweisen. Die Barriereschicht kann vorgefertigt und auf den funktionellen Schichtenstapel aufgebracht sein. Beispielsweise ist die Barriereschicht in Form einer Folie, etwa als eine Metallfolie oder Glasfolie, ausgebildet. Unter einer Folie wird eine Schicht verstanden, die insbesondere allein aufgrund ihres Eigengewichts biegbar, jedoch selbsttragend und somit mechanisch stabil ausgebildet ist, wobei deren vertikale Dicke um ein Vielfaches, etwa um einen Faktor von mindestens zehn, mindestens zwanzig oder mindestens 50 kleiner als deren laterale Ausdehnung sein kann.The barrier layer may comprise an inorganic material, such as a metal, glass or a plastic. The barrier layer can be prefabricated and applied to the functional layer stack. For example, the barrier layer is in the form of a film, for example as a metal foil or glass foil. A film is understood to mean a layer which, in particular due to its own weight, is bendable but self-supporting and thus mechanically stable, its vertical thickness being many times, for example a factor of at least ten, at least twenty or at least 50 smaller than its lateral Expansion can be.

Zwischen dem funktionellen Schichtenstapel und der Barriereschicht kann eine Verbindungsschicht angeordnet sein, die die Barriereschicht beispielsweise an dem funktionellen Schichtenstapel befestigt. Die Verbindungsschicht kann eine Klebeschicht sein, die beispielsweise einen Klebstoff aufweist. Alternativ kann die Barriereschicht auf dem funktionellen Schichtenstapel etwa mittels eines Beschichtungsverfahrens ausgebildet sein. Hierbei kann auf die Verbindungsschicht verzichtet werden.Between the functional layer stack and the barrier layer, a connection layer can be arranged, which fixes the barrier layer, for example, to the functional layer stack. The bonding layer may be an adhesive layer comprising, for example, an adhesive. Alternatively, the barrier layer may be formed on the functional layer stack by means of a coating method, for example. In this case, the connection layer can be dispensed with.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements bedeckt die Barriereschicht in Draufsicht auf das Substrat den funktionellen Schichtenstapel lateral vollständig. Das heißt, der funktionelle Schichtenstapel ist entlang zumindest einer lateralen Richtung von der Barriereschicht vollständig bedeckt. Auch kann die Barriereschicht den funktionellen Schichtenstapel insgesamt vollständig bedecken.In accordance with at least one embodiment of the component, the barrier layer laterally completely covers the functional layer stack in plan view of the substrate. That is, the functional layer stack is completely covered along at least one lateral direction by the barrier layer. In addition, the barrier layer can completely cover the functional layer stack as a whole.

Die Barriereschicht bildet seitlich des Schichtenstapels insbesondere mit dem Substrat und/oder mit einer auf dem Substrat angeordneten Schicht eine Stufe. Das heißt, dass die Stufe insbesondere von der Barriereschicht und dem Substrat, oder von der Barriereschicht und der auf dem Substrat angeordneten Schicht, oder von der Barriereschicht und dem Substrat sowie der auf dem Substrat angeordneten Schicht gebildet werden kann.The barrier layer forms a step laterally of the layer stack, in particular with the substrate and / or with a layer arranged on the substrate. That is, the step in particular of the barrier layer and the substrate, or of the Barrier layer and the substrate disposed on the layer, or from the barrier layer and the substrate and the layer arranged on the substrate can be formed.

Unter einer Stufe wird eine geometrische Struktur verstanden, die eine erste, eine zweite und eine dritte Fläche aufweist, wobei die erste Fläche und die dritte Fläche vertikal beabstandet und insbesondere durch die zweite Fläche miteinander verbunden sind. Unter einer Stufe, die durch die Barriereschicht und das Substrat gebildet ist und/oder durch die Barriereschicht und eine auf dem Substrat angeordnete Schicht gebildet ist, wird insbesondere eine Stufe verstanden, bei der lediglich die erste Fläche und die zweite Fläche zumindest teilweise durch Oberflächen der Barriereschicht gebildet sind, wobei die dritte Fläche zumindest durch eine Oberfläche des Substrats oder zumindest durch eine Oberfläche der auf dem Substrat angeordneten Schicht gebildet ist. Die erste Fläche verläuft beispielsweise parallel oder im Wesentlichen parallel zu der ersten oder zweiten Hauptfläche des Substrats. Die zweite Fläche kann teilweise oder vollständig durch eine Oberfläche der Barriereschicht ausgebildet sein. Die Stufe kann um den Schichtenstapel rahmenartig ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Stufe den Schichtenstapel lateral umgeben und dabei einen geschlossenen oder offenen Rahmen bilden.By a step is meant a geometric structure having a first, a second and a third surface, wherein the first surface and the third surface are vertically spaced and, in particular, interconnected by the second surface. A step which is formed by the barrier layer and the substrate and / or is formed by the barrier layer and a layer arranged on the substrate is understood in particular to mean a step in which only the first surface and the second surface are at least partially penetrated by surfaces of the substrate Barrier layer are formed, wherein the third surface is formed at least by a surface of the substrate or at least by a surface of the layer arranged on the substrate. For example, the first surface is parallel or substantially parallel to the first or second major surface of the substrate. The second surface may be partially or completely formed by a surface of the barrier layer. The step may be formed like a frame around the stack of layers. In other words, the step can laterally surround the layer stack, forming a closed or open frame.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Verkapselungsschicht auf, die die Stufe überdeckt. Aufgrund der Überdeckung kann der funktionelle Schichtenstapel seitlich durch die Barriereschicht und die Verkapselungsschicht hermetisch abgeschlossen sein. Ist die Stufe von der Verkapselungsschicht überdeckt, bedeckt die Verkapselungsschicht die zweite Fläche der Stufe zumindest bereichsweise. Beispielsweise ist dabei eine von der Barriereschicht und dem Substrat und/oder von der Barriereschicht und einer auf dem Substrat angeordneten Schicht gebildete gemeinsame Verbindungslinie von der Verkapselungsschicht abgedeckt, vorzugsweise vollständig abgedeckt. Die Verkapselungsschicht kann ein Material wie Glas, Metall, Kunststoff oder Epoxid aufweisen. Seitlich hermetisch abgeschlossen bedeutet, dass ein Durchdringen von Flüssigkeiten oder Gasen aus einer lateralen Richtung in den funktionellen Schichtenstapel vollständig oder nahezu vollständig unterbunden ist.According to at least one embodiment of the component, this has an encapsulation layer which covers the step. Due to the overlap, the functional layer stack can be hermetically sealed laterally by the barrier layer and the encapsulation layer. If the step is covered by the encapsulation layer, the encapsulation layer at least partially covers the second surface of the step. By way of example, a common connecting line formed by the barrier layer and the substrate and / or by the barrier layer and a layer arranged on the substrate is covered by the encapsulation layer, preferably completely covered. The encapsulation layer may comprise a material such as glass, metal, plastic or epoxy. Laterally hermetically sealed means that penetration of liquids or gases from a lateral direction into the functional layer stack is completely or almost completely prevented.

In zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses ein Substrat, einen funktionellen Schichtenstapel, eine selbsttragende, insbesondere hermetisch dichte Barriereschicht und eine Verkapselungsschicht auf. Der funktionelle Schichtenstapel ist zwischen dem Substrat und der Barriereschicht angeordnet. Die Barriereschicht bedeckt in Draufsicht auf das Substrat den funktionellen Schichtenstapel. Seitlich des Schichtenstapels bildet die Barriereschicht mit dem Substrat und/oder mit einer auf dem Substrat angeordneten Schicht eine Stufe, wobei die Verkapselungsschicht die Stufe überdeckt, so dass der funktionelle Schichtenstapel seitlich durch die Barriereschicht und die Verkapselungsschicht hermetisch abgeschlossen ist.In at least one embodiment of the component, the latter has a substrate, a functional layer stack, a self-supporting, in particular hermetically sealed barrier layer and an encapsulation layer. The functional layer stack is arranged between the substrate and the barrier layer. The barrier layer covers the functional layer stack in plan view of the substrate. Laterally of the layer stack, the barrier layer forms a step with the substrate and / or with a layer arranged on the substrate, the encapsulation layer covering the step, so that the functional layer stack is hermetically sealed laterally by the barrier layer and the encapsulation layer.

Aufgrund der hermetisch dichten, selbsttragenden und somit mechanisch stabilen Barriereschicht ist der gegenüber Luftfeuchtigkeit und Schadgasen sowie gegenüber äußeren mechanischen Einwirkungen empfindliche funktionelle Schichtenstapel geschützt. Ein Unterkriechen der Barriereschicht durch Umwelteinflüsse insbesondere an Verbindungsstellen zwischen der Barriereschicht und dem Substrat beziehungsweise zwischen der Barriereschicht und einer auf dem Substrat angeordneten weiteren Schicht kann vollständig oder nahezu vollständig unterbunden werden, indem die Stufe und somit auch die Verbindungsstellen von der Verkapselungsschicht überdeckt sind. Durch eine dünne Ausführung der Barriereschicht kann eine wirtschaftliche Überdeckung der Stufe ohne großen Aufwand erzielt werden. Im Gegensatz zu einer herkömmlichen dichten Verbindungsstruktur zwischen dem Substrat und der Barriereschicht kann eine dichte Überdeckung der Stufe durch die Verkapselungsschicht vereinfacht und kostengünstig realisiert werden.Due to the hermetically sealed, self-supporting and thus mechanically stable barrier layer, the functional layer stack which is sensitive to atmospheric moisture and harmful gases as well as to external mechanical influences is protected. A creeping of the barrier layer due to environmental influences, in particular at connection points between the barrier layer and the substrate or between the barrier layer and a further layer arranged on the substrate, can be completely or almost completely prevented by the step and thus also the connection points being covered by the encapsulation layer. By a thin design of the barrier layer an economic coverage of the stage can be achieved easily. In contrast to a conventional dense connection structure between the substrate and the barrier layer, a dense covering of the step by the encapsulation layer can be simplified and implemented cost-effectively.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist die Barriereschicht aus einem Metall, etwa Aluminium, ausgebildet. Auch kann die Barriereschicht aus Glas oder einem Kunststoff ausgebildet sein. Insbesondere ist die Barriereschicht in Form einer Folie ausgebildet. Die Barriereschicht weist eine vertikale Dicke auf, die insbesondere zwischen einschließlich 10 µm und 1 mm, etwa zwischen einschließlich 10 µm und 200 µm, zwischen einschließlich 10 µm und 50 µm oder zwischen einschließlich 10 µm und 30 µm aufweist. Eine Dicke in dieser Größenordnung verleiht der Barriereschicht eine ausreichende mechanische Stabilität und zugleich einen ausreichenden Hermetizitätsgrad. Auch lässt sich eine durch die Barriereschicht dieser Größenordnung gebildete Stufe ohne großen Aufwand überdecken beziehungsweise überformen. Bei einer Überformung kann die Barriereschicht die Form der Stufe zumindest bereichsweise oder vollständig nachbilden. Zur Vereinfachung der Überdeckung beziehungsweise der Überformung kann die Verkapselungsschicht eine vertikale Dicke aufweisen, die sich höchstens um 50%, etwa höchstens um 30% oder höchstens um 20% von der vertikalen Dicke der Barriereschicht unterscheidet. Die Verkapselungsschicht kann dabei in Form einer vorgefertigten Folie ausgebildet sein.In accordance with at least one embodiment of the component, the barrier layer is formed from a metal, such as aluminum. Also, the barrier layer may be formed of glass or a plastic. In particular, the barrier layer is formed in the form of a film. The barrier layer has a vertical thickness, in particular between 10 .mu.m and 1 mm inclusive, approximately between 10 .mu.m and 200 .mu.m, between 10 .mu.m and 50 .mu.m, or between 10 .mu.m and 30 .mu.m, inclusive. A thickness of this order gives the barrier layer sufficient mechanical stability and at the same time a sufficient degree of hermeticity. A step formed by the barrier layer of this magnitude can also be masked or overmolded without much effort. In the case of overmoulding, the barrier layer can simulate the shape of the step at least partially or completely. For ease of overlap or overmolding, the encapsulant layer may have a vertical thickness that differs from the vertical thickness of the barrier layer by at most 50%, such as at most 30% or at most 20%. The encapsulation layer may be formed in the form of a prefabricated film.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Absorptionsschicht auf. Anteile von Flüssigkeiten oder Gasen, die möglicherweise durch die Verkapselungsschicht und/oder die Barriereschicht durchdringen, können von der Absorptionsschicht absorbiert und somit von dem funktionellen Schichtenstapel ferngehalten werden, wodurch die Lebensdauer des Bauelements weitererhöht wird. Außerdem kann die Absorptionsschicht gegenüber äußere mechanische Einflüsse als eine Dämpfungsschicht dienen. According to at least one embodiment of the component, this has a Absorption layer on. Portions of liquids or gases that may penetrate through the encapsulant layer and / or the barrier layer may be absorbed by the absorbent layer and thus kept away from the functional layer stack, thereby further increasing the life of the device. In addition, the absorption layer can serve as a cushioning layer against external mechanical influences.

Die Absorptionsschicht kann zwischen dem funktionellen Schichtenstapel und der Barriereschicht angeordnet sein. Auch kann die Absorptionsschicht ausschließlich seitlich des funktionellen Schichtenstapels oder zumindest bereichsweise seitlich des funktionellen Schichtenstapels. In vertikaler Richtung ist die Absorptionsschicht vorzugsweise zwischen der Barriereschicht und dem Substrat angeordnet sein. Zum Beispiel bildet ein seitlich des funktionellen Schichtenstapels angeordneter Teil der Absorptionsschicht oder die gesamte Absorptionsschicht einen Rahmen auf dem Substrat, der den funktionellen Schichtenstapel beispielsweise lateral umgibt. In lateraler Richtung ist der Rahmen insbesondere zwischen dem funktionellen Schichtenstapel und der Verkapselungsschicht angeordnet. Die in der vertikalen Richtung zwischen dem Schichtenstapel und der Verkapselungsschicht angeordnete Absorptionsschicht und die seitlich des Schichtenstapels angeordnete Absorptionsschicht können als zwei getrennte Schichten oder als eine zusammenhängende Schicht ausgebildet sein.The absorption layer may be disposed between the functional layer stack and the barrier layer. Also, the absorption layer can only laterally of the functional layer stack or at least partially laterally of the functional layer stack. In the vertical direction, the absorption layer is preferably arranged between the barrier layer and the substrate. For example, a part of the absorption layer or the entire absorption layer arranged laterally of the functional layer stack forms a frame on the substrate which laterally surrounds the functional layer stack, for example. In the lateral direction, the frame is arranged in particular between the functional layer stack and the encapsulation layer. The absorption layer arranged in the vertical direction between the layer stack and the encapsulation layer and the absorption layer arranged laterally of the layer stack may be formed as two separate layers or as one continuous layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine erste und eine zweite Elektrode auf. In vertikaler Richtung ist der funktionelle Schichtenstapel insbesondere zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet. Die erste Elektrode ist vorzugsweise strahlungsdurchlässig ausgebildet und zwischen dem funktionellen Schichtenstapel und dem Substrat angeordnet. Die erste Elektrode kann ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material aufweisen. Die zweite Elektrode ist vorzugsweise strahlungsreflektierend ausgebildet.According to at least one embodiment of the component, this has a first and a second electrode. In the vertical direction, the functional layer stack is arranged in particular between the first electrode and the second electrode. The first electrode is preferably designed to be transparent to radiation and arranged between the functional layer stack and the substrate. The first electrode may comprise a radiation-transmissive and electrically conductive material. The second electrode is preferably designed to be radiation-reflecting.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine erste Kontaktbahn und eine zweite Kontaktbahn auf, wobei die erste und zweite Kontaktbahn insbesondere seitlich des funktionellen Schichtenstapels auf dem Substrat angeordnet sind. Beispielsweise ist die erste Elektrode mit der ersten Kontaktbahn und die zweite Elektrode mit der zweiten Kontaktbahn elektrisch verbunden. Insbesondere über die Kontaktbahnen ist das Bauelement extern elektrisch kontaktierbar. Beispielsweise sind die Kontaktbahnen auf einer dem Schichtenstapel zugewandten Seite des Substrats elektrisch kontaktierbar. Insbesondere befinden sich die erste Kontaktbahn, die zweite Kontaktbahn und die erste Elektrode etwa auf einer gleichen vertikalen Höhe auf dem Substrat. Eine Isolierungsstruktur kann zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Kontaktbahn angeordnet sein, so dass die erste Elektrode und die zweite Kontaktbahn lateral beabstandet und voneinander elektrisch isoliert sind.In accordance with at least one embodiment of the component, the latter has a first contact track and a second contact track, wherein the first and second contact track are arranged on the substrate, in particular laterally of the functional layer stack. By way of example, the first electrode is electrically connected to the first contact track and the second electrode is electrically connected to the second contact track. In particular, via the contact tracks, the device is externally electrically contacted. For example, the contact tracks are electrically contactable on a side of the substrate facing the stack of layers. In particular, the first contact track, the second contact track and the first electrode are located approximately at the same vertical height on the substrate. An isolation structure may be disposed between the first electrode and the second contact track such that the first electrode and the second contact track are laterally spaced and electrically isolated from one another.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements, das ein Substrat, einen funktionellen Schichtenstapel, eine hermetisch dichte und selbsttragende Barriereschicht und eine Verkapselungsschicht aufweist, wird zunächst das Substrat bereitgestellt. Der funktionelle Schichtenstapel wird auf das Substrat aufgebracht. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird die Barriereschicht auf den funktionellen Schichtenstapel aufgebracht oder auf dem funktionellen Schichtenstapel ausgebildet, wobei die Barriereschicht in Draufsicht auf das Substrat den funktionellen Schichtenstapel bedeckt und seitlich des Schichtenstapels mit dem Substrat und/oder mit einer auf dem Substrat angeordneten Schicht eine Stufe bildet. Vorzugsweise wird die Barriereschicht in Form einer Folie ausgebildet. Die Stufe wird anschließend von der Verkapselungsschicht überdeckt, so dass der funktionelle Schichtenstapel seitlich durch die Barriereschicht und die Verkapselungsschicht hermetisch abgeschlossen ist.In at least one embodiment of a method for producing a component which has a substrate, a functional layer stack, a hermetically sealed and self-supporting barrier layer and an encapsulation layer, the substrate is first provided. The functional layer stack is applied to the substrate. In a subsequent method step, the barrier layer is applied to the functional layer stack or formed on the functional layer stack, the barrier layer covering the functional layer stack in plan view of the substrate and a step laterally of the layer stack with the substrate and / or with a layer disposed on the substrate forms. Preferably, the barrier layer is formed in the form of a film. The step is then covered by the encapsulation layer, so that the functional layer stack is hermetically sealed laterally by the barrier layer and the encapsulation layer.

Durch die Überdeckung werden mögliche undichte Verbindungsstellen zwischen der Barriereschicht und dem Substrat beziehungsweise zwischen der Barriereschicht und einer auf dem Substrat angeordneten Schicht abgedichtet, so dass ein Unterkriechen der Barriereschicht durch Umwelteinflüsse wie Feuchtigkeit oder Schadgase vollständig oder zumindest nahezu vollständig unterbunden wird. Die Überdeckung oder Überformung der Stufe stellt eine vereinfachte und zugleich eine effektive sowie kostengünstige Methode zur Erzielung einer hermetisch dichten Verkapselung des funktionellen Schichtenstapels dar.By covering possible leaky joints between the barrier layer and the substrate or between the barrier layer and a layer arranged on the substrate are sealed, so that undercreeping of the barrier layer by environmental influences such as moisture or noxious gases is completely or at least almost completely prevented. The overlapping or overmolding of the step provides a simplified and at the same time an effective and inexpensive method for achieving a hermetically sealed encapsulation of the functional layer stack.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Barriereschicht mittels einer Verbindungsschicht an dem funktionellen Schichtenstapel befestigt. Die Barriereschicht kann dabei als eine vorgefertigte Schicht insbesondere in Form einer Folie, etwa als eine Metallfolie oder Glasfolie, ausgebildet sein. Die Verbindungsschicht enthält insbesondere einen druckempfindlichen Haftklebstoff (Englisch: pressure sensitive adhesive). Alternativ kann die Barriereschicht beispielsweise mittels eines Beschichtungsverfahrens auf dem funktionellen Schichtenstapel ausgebildet sein. In solchen Fällen kann auf die Verbindungsschicht verzichtet werden.In accordance with at least one embodiment of the method, the barrier layer is fastened to the functional layer stack by means of a connection layer. The barrier layer may be formed as a prefabricated layer, in particular in the form of a foil, for example as a metal foil or glass foil. The bonding layer contains, in particular, a pressure-sensitive adhesive. Alternatively, the barrier layer may be formed on the functional layer stack, for example by means of a coating method. In such cases, the connection layer can be dispensed with.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Verkapselungsschicht flächig oder bereichsweise auf die Barriereschicht aufgebracht. Es ist auch möglich, dass die Verkapselungsschicht lediglich in unmittelbaren Regionen der Stufe auf die Barriereschicht aufgebracht oder auf der Barriereschicht ausgebildet wird, so dass in Draufsicht auf das Substrat die Barriereschicht von der Verkapselungsschicht lediglich bereichsweise bedeckt wird. Insbesondere wird dadurch die Verkapselungsschicht rahmenartig auf dem Substrat ausgebildet.In accordance with at least one embodiment of the method, the encapsulation layer is applied to the barrier layer over a surface or area applied. It is also possible for the encapsulation layer to be applied to the barrier layer only in immediate regions of the step or to be formed on the barrier layer, so that the barrier layer is only partially covered by the encapsulation layer in a plan view of the substrate. In particular, the encapsulation layer is thereby formed like a frame on the substrate.

Beispielsweise wird die Verkapselungsschicht mittels eines physikalischen Abscheideverfahrens aus der Dampfphase (Englisch: Physical Vapour Deposition), etwa plasmaunterstützt, auf der Barriereschicht ausgebildet. Die Verkapselungsschicht kann dabei ein anorganisches Material, zum Beispiel ein Metall, einen Kunststoff oder Glas aufweisen, oder aus anorganischen Materialien bestehen. Beispielsweise ist die Verkapselungsschicht aus Lithoglas ausgebildet. Enthält die Verkapselungsschicht ein Metall, etwa Kupfer oder Nickel, oder ein Metalloxid, kann die Verkapselungsschicht mittels eines galvanischen Abscheidungsverfahrens auf die Barriereschicht aufgebracht werden. Alternativ oder zusätzlich kann zur Überformung der Stufe die Verkapselungsschicht durch ein Lötverfahren, etwa ein flussmittelfreies und/oder bleifreies Lötverfahren, oder durch ein Ultraschalllötverfahren, etwa ein silberbasiertes Ultraschalllötverfahren, ausgebildet werden.For example, the encapsulation layer is formed on the barrier layer by means of a physical vapor deposition (English: Physical Vapor Deposition), such as plasma-assisted. The encapsulation layer can comprise an inorganic material, for example a metal, a plastic or glass, or consist of inorganic materials. For example, the encapsulation layer is formed from lithoglass. If the encapsulation layer contains a metal, such as copper or nickel, or a metal oxide, the encapsulation layer can be applied to the barrier layer by means of a galvanic deposition method. Alternatively or additionally, to overmold the step, the encapsulation layer may be formed by a soldering process, such as a fluxless and / or lead-free soldering process, or by an ultrasonic soldering process, such as a silver-based ultrasonic soldering process.

Das Verfahren ist für die Herstellung eines vorstehend beschriebenen Bauelements besonders geeignet. Die im Zusammenhang mit dem Bauelement beschriebenen Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.The method is particularly suitable for the production of a device as described above. The features described in connection with the component can therefore also be used for the method and vice versa.

Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Bauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 4B erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Further advantages, preferred embodiments and further developments of the component will become apparent from the following in connection with the 1A to 4B explained embodiments. Show it:

1A eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels für ein Bauelement, 1A a schematic representation of an embodiment of a component,

1B eine schematische Darstellung des in der 1A dargestellten Bauelements in Draufsicht, und 1B a schematic representation of the in the 1A represented component in plan view, and

2 bis 4B schematische Darstellungen weiterer Ausführungsbeispiele für ein Bauelement. 2 to 4B schematic representations of further embodiments of a component.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein. The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures are each schematic representations and therefore not necessarily to scale. Rather, comparatively small elements and in particular layer thicknesses may be exaggerated for clarity.

Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 10 ist in 1A schematisch dargestellt. Das Bauelement 10 weist ein Substrat 1, einen auf das Substrat 1 angeordneten organischen funktionellen Schichtenstapel 6 und eine Barriereschicht 8 auf. In vertikaler Richtung ist der funktionelle Schichtenstapel 6 zwischen dem Substrat 1 und der Barriereschicht 8 angeordnet.A first embodiment of a component 10 is in 1A shown schematically. The component 10 has a substrate 1 , one on the substrate 1 arranged organic functional layer stack 6 and a barrier layer 8th on. In the vertical direction is the functional layer stack 6 between the substrate 1 and the barrier layer 8th arranged.

Das Substrat 1 weist eine dem Schichtenstapel 6 abgewandte erste Hauptfläche 11, die zum Beispiel als eine Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements 10 dient, und eine dem Schichtenstapel 6 zugewandte zweite Hauptfläche 12 auf. Insbesondere begrenzen die erste Hauptfläche 11 und die zweite Hauptfläche 12 das Substrat 1 in vertikaler Richtung. Das Substrat 1 ist beispielsweise für eine im Betrieb des Bauelements 10 erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgebildet. Vorzugsweise enthält das Substrat Glas oder besteht aus Glas.The substrate 1 has a stack of layers 6 opposite first main surface 11 , for example, as a radiation exit surface of the device 10 serves, and one the layer stack 6 facing second major surface 12 on. In particular, limit the first major area 11 and the second major surface 12 the substrate 1 in the vertical direction. The substrate 1 is for example in the operation of the device 10 formed electromagnetic radiation permeable. Preferably, the substrate contains glass or consists of glass.

Der funktionelle Schichtenstapel 6 weist eine organische aktive Schicht 63 auf. Die aktive Schicht 63 emittiert im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Strahlung, beispielsweise im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich. Alternativ kann die aktive Schicht 63 so ausgebildet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung detektiert. Der Schichtenstapel 6 enthält außerdem eine erste Ladungstransportschicht 61 und eine zweite Ladungstransportschicht 62, wobei die organische aktive Schicht 63 zwischen der ersten Ladungstransportschicht 61 und der zweiten Ladungstransportschicht 62 angeordnet ist. Die erste und die zweite Ladungstransportschicht können jeweils ein organisches Material aufweisen oder aus diesem bestehen. Beispielsweise sind die erste und die zweite Ladungstransportschicht als eine Elektronentransportschicht beziehungsweise als eine Lochtransportschicht ausgebildet oder umgekehrt. Diese Ladungstransportschichten dienen der Injektion der Löcher und der Elektronen in die organische aktive Schicht 63.The functional layer stack 6 has an organic active layer 63 on. The active layer 63 emitted during operation of the device an electromagnetic radiation, for example in the ultraviolet, visible or infrared spectral range. Alternatively, the active layer 63 be designed so that it detects electromagnetic radiation. The layer stack 6 also contains a first charge transport layer 61 and a second charge transport layer 62 wherein the organic active layer 63 between the first charge transport layer 61 and the second charge transport layer 62 is arranged. The first and second charge transport layers may each comprise or consist of an organic material. For example, the first and the second charge transport layer are formed as an electron transport layer or as a hole transport layer or vice versa. These charge transport layers serve to inject the holes and the electrons into the organic active layer 63 ,

Das Bauelement 10 weist zur elektrischen Kontaktierung des Schichtenstapels 6 eine erste Elektrode 2 auf einer dem Substrat 1 zugewandten Seite des Schichtenstapels 6 und eine zweite Elektrode 3 auf einer dem Substrat 1 abgewandten Seite des Schichtenstapels 6 auf. Insbesondere grenzt die erste Elektrode 2 an die zweite Hauptfläche 12 des Substrats 1 an. Die erste Elektrode 2 ist insbesondere strahlungsdurchlässig ausgebildet und kann transparente leitende Materialien enthalten, die beispielsweise transparente leitfähige Oxide sind. Transparente leitfähige Oxide sind beispielsweise Metalloxide, etwa Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Die zweite Elektrode 3 ist beispielsweise strahlungsreflektierend ausgebildet. Zum Beispiel enthält die zweite Elektrode 3 ein Metall wie Aluminium, Rhodium, Palladium, Kupfer oder Silber.The component 10 points to the electrical contacting of the layer stack 6 a first electrode 2 on a the substrate 1 facing side of the layer stack 6 and a second electrode 3 on a the substrate 1 opposite side of the layer stack 6 on. In particular, the first electrode is adjacent 2 to the second main surface 12 of the substrate 1 at. The first electrode 2 is in particular made transparent to radiation and may contain transparent conductive materials which are, for example, transparent conductive oxides. Transparent conductive oxides are, for example, metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, Titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO). The second electrode 3 is formed, for example, radiation-reflecting. For example, the second electrode contains 3 a metal such as aluminum, rhodium, palladium, copper or silver.

Das Bauelement 10 enthält eine erste Kontaktbahn 20 und eine von der ersten Kontaktbahn 20 lateral beabstandete zweite Kontaktbahn 30. Die erste Kontaktbahn 20 steht insbesondere im direkten elektrischen Kontakt mit der ersten Elektrode 2. Die zweite Kontaktbahn 30 kann im direkten elektrischen Kontakt mit der zweiten Elektrode 3 stehen, wobei sich die zweite Elektrode 3 seitlich des Schichtenstapels 6 von einer dem Substrat 1 abgewandte Seite des Schichtenstapels 6 zu der zweiten Kontaktbahn 30 erstreckt. Die Kontaktbahnen 20 und 30 sind insbesondere direkt auf dem Substrat 1 angeordnet. Das heißt, die Kontaktbahnen 20 und 30 grenzen insbesondere an die zweite Hauptfläche 12 des Substrats an. Insbesondere sind die erste Kontaktbahn 20 und/oder die zweite Kontaktbahn 30 in Draufsicht frei von Überlappungen mit der organischen aktiven Schicht 63.The component 10 contains a first contact track 20 and one from the first contact track 20 laterally spaced second contact track 30 , The first contact track 20 is in particular in direct electrical contact with the first electrode 2 , The second contact track 30 can be in direct electrical contact with the second electrode 3 stand, with the second electrode 3 side of the layer stack 6 from one to the substrate 1 opposite side of the layer stack 6 to the second contact track 30 extends. The contact tracks 20 and 30 are especially directly on the substrate 1 arranged. That is, the contact tracks 20 and 30 border in particular to the second main area 12 of the substrate. In particular, the first contact track 20 and / or the second contact track 30 in plan view, free of overlaps with the organic active layer 63 ,

In der lateralen Richtung ist eine Isolierungsstruktur 4, die beispielsweise Polyimid enthält, zwischen der zweiten Kontaktbahn 30 und der zweiten Elektrode 2 angeordnet. Die zweite Elektrode 3 überdeckt die erste Isolierungsstruktur 4 zumindest bereichsweise. Die zweite Kontaktbahn 30 und die zweite Elektrode 3 können aus einem gleichen Material oder aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet sein. Die erste Kontaktbahn 20 und die zweite Kontaktbahn 30 können ein Metall etwa Chrom, Kupfer, Aluminium oder Legierungen davon enthalten.In the lateral direction is an insulation structure 4 containing polyimide, for example, between the second contact track 30 and the second electrode 2 arranged. The second electrode 3 covers the first insulation structure 4 at least in certain areas. The second contact track 30 and the second electrode 3 may be formed of a same material or of different materials. The first contact track 20 and the second contact track 30 For example, a metal may include chromium, copper, aluminum or alloys thereof.

Die erste Kontaktbahn 20, die Kontaktbahn 30 und die erste Elektrode 2 sind zum Beispiel auf einer gleichen vertikalen Höhe auf dem Substrat 1 angeordnet. Entlang einer lateralen Richtung kann sich die erste Kontaktbahn 20 über die gesamte laterale Breite der ersten Elektrode 2 erstrecken, wodurch Spannungsabfälle in der ersten Elektrode 2 entlang der lateralen Richtung weitgehend vermieden werden können, so dass eine besonders homogene Leuchtdichte des Bauelements erzielt ist. Über die erste Kontaktbahn 20 und die zweite Kontaktbahn 30 ist das Bauelement 10 oberflächenmontierbar ausgebildet. Das heißt, das Bauelement 10 kann rückseitig, nämlich von einer der ersten Hauptfläche 11 des Substrats 1 abgewandten Seite des Bauelements 10, über die erste Kontaktbahn 20 und die zweite Kontaktbahn 30 extern elektrisch kontaktierbar sein. Zum Beispiel kann das Bauelement 10 über die Kontaktbahnen mit einem Transistor elektrisch verbunden werden.The first contact track 20 , the contact track 30 and the first electrode 2 For example, they are at the same vertical height on the substrate 1 arranged. Along a lateral direction, the first contact track can 20 over the entire lateral width of the first electrode 2 extend, causing voltage drops in the first electrode 2 along the lateral direction can be largely avoided, so that a particularly homogeneous luminance of the device is achieved. About the first contact track 20 and the second contact track 30 is the component 10 designed surface mountable. That is, the device 10 can on the back, namely from one of the first main surface 11 of the substrate 1 remote side of the device 10 , over the first contact track 20 and the second contact track 30 be externally electrically contacted. For example, the device 10 be electrically connected via the contact tracks with a transistor.

In der 1A ist eine Barriereschicht 8 auf einer dem Substrat 1 abgewandten Seite des Schichtenstapels 6 angeordnet. Die Barriereschicht 8 kann als eine vorgefertigte Folie ausgebildet sein, die insbesondere mittels einer Verbindungsschicht 7 an dem Schichtenstapel 6 befestigt ist. Beispielsweise enthält die Verbindungsschicht 7 einen druckempfindlichen Klebstoff, wobei eine Haftfähigkeit der Verbindungsschicht druck- und/oder temperaturabhängig ist. Alternativ kann die Barriereschicht 8 auf dem Schichtenstapel 6 beispielsweise mittels eines Beschichtungsverfahrens ausgebildet sein. Die Barriereschicht 8 ist insbesondere eine Metallschicht, etwa eine Aluminiumschicht. Die Verbindungsschicht 7 ist dabei insbesondere elektrisch isolierend ausgebildet. Die Barriereschicht 8 kann auch elektrisch isolierend ausgebildet sein. Beispielsweise enthält die Barriereschicht 8 einen Kunststoff oder Glas. Vorzugsweise ist die Barriereschicht 8 hermetisch dicht ausgebildet. In the 1A is a barrier layer 8th on a the substrate 1 opposite side of the layer stack 6 arranged. The barrier layer 8th may be formed as a prefabricated film, in particular by means of a bonding layer 7 at the layer stack 6 is attached. For example, the connection layer contains 7 a pressure-sensitive adhesive, wherein an adhesion of the bonding layer is pressure and / or temperature dependent. Alternatively, the barrier layer 8th on the layer stack 6 be formed for example by means of a coating process. The barrier layer 8th is in particular a metal layer, such as an aluminum layer. The connection layer 7 is formed in particular electrically insulating. The barrier layer 8th can also be designed electrically insulating. For example, the barrier layer contains 8th a plastic or glass. Preferably, the barrier layer is 8th hermetically sealed.

Die Barriereschicht 8 ist insbesondere selbsttragend ausgebildet. Das heißt, die Barriereschicht 8 kann auch ohne mechanische Unterstützung weiterer Schichten als eine eigenständige Schicht, etwa in Form einer Folie, existieren. Beispielsweise weist die Barriereschicht 8 eine vertikale The barrier layer 8th is designed in particular self-supporting. That is, the barrier layer 8th can also exist without mechanical support of other layers as an independent layer, such as in the form of a film. For example, the barrier layer 8th a vertical one

Dicke D8 zwischen einschließlich 10 µm und 1 mm, etwa zwischen einschließlich 10 µm und 200 µm zum Beispiel zwischen einschließlich 10 µm und 50 µm oder zwischen einschließlich 10 µm und 30 µm auf. Die Barriereschicht 8 bedeckt in Draufsicht auf das Substrat 1 den Schichtenstapel 6 vorzugsweise vollständig, so dass der Schichtenstapel 6 zumindest in der vertikalen Richtung durch die Barriereschicht 8 hermetisch dicht abgeschlossen ist.Thickness D8 between 10 μm and 1 mm inclusive, approximately between 10 μm and 200 μm inclusive, for example between 10 μm and 50 μm inclusive, or between 10 μm and 30 μm inclusive. The barrier layer 8th covered in top view on the substrate 1 the layer stack 6 preferably completely, so that the layer stack 6 at least in the vertical direction through the barrier layer 8th hermetically sealed.

In der 1A bildet die Barriereschicht 8 in lateraler Richtung seitlich des Schichtenstapels 6 mit den auf dem Substrat angeordneten Kontaktbahnen 20 und 30 beziehungsweise zusammen mit der auf dem Substrat 1 angeordneten Verbindungsschicht 7 eine Stufe 80. An Bereichen der zweiten Hauptfläche des Substrats 1, die frei von den Kontaktbahnen 20 und 30 sind, kann die Barriereschicht 8 mit dem Substrat 1 die Stufe 80 bilden.In the 1A forms the barrier layer 8th in a lateral direction laterally of the layer stack 6 with the contact tracks arranged on the substrate 20 and 30 or together with the on the substrate 1 arranged connection layer 7 a step 80 , At areas of the second major surface of the substrate 1 that are free from the contact tracks 20 and 30 are, the barrier layer can 8th with the substrate 1 the stage 80 form.

Die Stufe 80 weist eine erste Fläche 81, eine zweite Fläche 82 und eine dritte Fläche 83 auf. Die erste Fläche 81 und die dritte Fläche 83 sind vertikal beabstandet und können jeweils zu der ersten Hauptfläche 11 des Substrats 1 parallel verlaufen. Die zweite Fläche 82 erstreckt sich in der vertikalen Richtung und verbindet dabei die erste Fläche 81 mit der dritten Fläche 83. Die zweite Fläche 82 verläuft in der vertikalen Richtung quer insbesondere senkrecht zu der ersten Fläche 81. Es ist auch möglich, dass die zweite Fläche 82 mit der ersten Fläche 81 oder mit der dritten Fläche 83 einen spitzen oder stumpfen Winkel bildet. Auch kann ein Übergang zwischen der zweiten Fläche 82 und der ersten Fläche 81 beziehungsweise der dritten Fläche 83 abgerundet sein. Bei einem abgerundeten Übergang wird die Überdeckung oder Überformung der Stufe 80 weiter vereinfacht.The stage 80 has a first surface 81 , a second area 82 and a third area 83 on. The first area 81 and the third area 83 are vertically spaced and may each be to the first major surface 11 of the substrate 1 run parallel. The second area 82 extends in the vertical direction, connecting the first surface 81 with the third surface 83 , The second area 82 extends in the vertical direction transversely, in particular perpendicular to the first surface 81 , It is also possible that the second area 82 with the first surface 81 or with the third surface 83 forms a sharp or obtuse angle. Also, a transition between the second surface 82 and the first surface 81 or the third surface 83 be rounded. At a Rounded transition becomes the overlap or overshoot of the step 80 further simplified.

In der 1A ist die erste Fläche 81 der Stufe 80 eine dem Substrat 1 abgewandte Teiloberfläche der Barriereschicht 8. Die dritte Fläche 83 ist eine dem Substrat 1 abgewandte Oberfläche einer auf dem Substrat 1 angeordneten Schicht, in diesem Fall die Oberfläche der ersten Kontaktbahn 20 beziehungsweise der zweiten Kontaktbahn 30. An Bereichen der zweiten Hauptfläche 12, die weder von der ersten Kontaktbahn 20 noch von der zweiten Kontaktbahn 30 bedeckt sind, kann die dritte Fläche 83 eine Oberfläche des Substrats 1, nämlich ein Teilbereich der zweiten Hauptfläche 12 sein. Die zweite Fläche 82 der Stufe 80 ist zumindest teilweise durch eine Oberfläche der Barriereschicht 8 gebildet. In der 1A ist die zweite Fläche 82 bereichsweise durch eine Oberfläche der Barriereschicht 8 und bereichsweise durch eine Oberfläche der Verbindungsschicht 7 gebildet. Es ist auch möglich, dass die zweite Fläche 82 ausschließlich durch eine Oberfläche der Barriereschicht 8 gebildet ist.In the 1A is the first area 81 the stage 80 one to the substrate 1 remote part surface of the barrier layer 8th , The third area 83 is a the substrate 1 opposite surface of a on the substrate 1 arranged layer, in this case the surface of the first contact track 20 or the second contact track 30 , At areas of the second main area 12 that neither from the first contact track 20 still from the second contact track 30 are covered, the third surface can be 83 a surface of the substrate 1 namely, a portion of the second major surface 12 be. The second area 82 the stage 80 is at least partially through a surface of the barrier layer 8th educated. In the 1A is the second area 82 partially through a surface of the barrier layer 8th and partially through a surface of the bonding layer 7 educated. It is also possible that the second area 82 exclusively through a surface of the barrier layer 8th is formed.

In 1A ist die Stufe 80 von einer Verkapselungsschicht 9 überdeckt. Die Stufe 80 ist überdeckt, wenn die zweite Fläche 82 und insbesondere auch die dritte Fläche 83 zumindest bereichsweise von einer Überdeckungsschicht, etwa von der Verkapselungsschicht 9 bedeckt ist. Insbesondere grenzt die Überdeckungsschicht an die Stufe 80 an und bildet die Form der Stufe 80 zumindest bereichsweise nach. Beispielsweise sind sowohl die erste, die zweite als auch die dritte Fläche der Stufe 80 von der Verkapselungsschicht 9 bedeckt, wobei die zweite Fläche 82 insbesondere vollständig bedeckt ist. Durch die Überdeckung sind Verbindungsstellen in unmittelbarer Umgebung einer gemeinsamen Verbindungslinie, die durch die Barriereschicht 8 und das Substrat 1 oder durch die Barriereschicht 8 und eine auf dem Substrat 1 angeordnete Schicht gebildet ist, von der Verkapselungsschicht 9 bedeckt, so dass ein Unterkriechen der Barriereschicht 8 durch Umwelteinflüsse wie Flüssigkeit oder Gase weitgehend oder vollständig unterbunden wird. Die Verbindungslinie kann dabei einen geschlossenen Rahmen um den Schichtenstapel 6 bilden. Aufgrund der Überdeckung der Stufe 80 durch die Verkapselungsschicht 9 kann der funktionelle Schichtenstapel 6 seitlich zuverlässig durch die Barriereschicht 8 und die Verkapselungsschicht 9 hermetisch dicht abgeschlossen werden.In 1A is the level 80 from an encapsulation layer 9 covered. The stage 80 is covered when the second surface 82 and especially the third area 83 at least in some areas of a cover layer, such as the encapsulation layer 9 is covered. In particular, the overlay layer adjoins the step 80 and forms the shape of the step 80 at least in some areas. For example, both the first, second and third surfaces of the stage 80 from the encapsulation layer 9 covered, the second area 82 is completely covered in particular. Due to the overlap, joints are in the immediate vicinity of a common connecting line, passing through the barrier layer 8th and the substrate 1 or through the barrier layer 8th and one on the substrate 1 arranged layer is formed from the encapsulation layer 9 covered, leaving a crawling under the barrier layer 8th is largely or completely prevented by environmental influences such as liquid or gas. The connection line can be a closed frame around the layer stack 6 form. Due to the overlap of the stage 80 through the encapsulation layer 9 can the functional layer stack 6 laterally reliable through the barrier layer 8th and the encapsulation layer 9 hermetically sealed.

Die Verkapselungsschicht 9 weist eine vertikale Dicke D9 auf, die sich beispielsweise höchstens um 50 %, etwa höchstens um 30 % oder höchstens um 20 % von der vertikalen Dicke D8 der Barriereschicht 8 unterscheidet. Die Dicken D8 und D9 der Barriereschicht 8 beziehungsweise der Verkapselungsschicht 9 sind somit vergleichsweise in einer gleichen Größenordnung, wodurch eine zuverlässige Überdeckung beziehungsweise Überformung vereinfacht erzielt werden kann. Insbesondere ist die Barriereschicht 8 eine Aluminiumschicht und die Verkapselungsschicht 9 eine Glasschicht.The encapsulation layer 9 has a vertical thickness D9, for example at most 50%, at most about 30% or at most 20% of the vertical thickness D8 of the barrier layer 8th different. The thicknesses D8 and D9 of the barrier layer 8th or the encapsulation layer 9 are thus comparatively in the same order of magnitude, whereby a reliable overlap or over-shaping can be achieved in a simplified manner. In particular, the barrier layer 8th an aluminum layer and the encapsulation layer 9 a glass layer.

Die Verkapselungsschicht 9 kann mittels eines physikalischen Abscheideverfahrens aus der Dampfphase, etwa mittels eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheidungsverfahrens, auf der Barriereschicht 8 ausgebildet sein. Auch kann die Verkapselungsschicht 9 mittels eines galvanischen Metallabscheidungsverfahrens auf die Barriereschicht 8 aufgebracht werden. Alternativ oder zusätzlich kann die Verkapselungsschicht 9 zur Überformung der Stufe durch ein Lötverfahren, insbesondere durch ein Ultraschalllötverfahren, auf die Barriereschicht 8 aufgebracht oder auf der Barriereschicht 8 ausgebildet werden. Letzteres kann realisiert werden, indem die Verkapselungsschicht 9 zunächst auf die Barriereschicht 8 aufgebracht und anschließend zur Überdeckung der Stufe 80 gelötet wird.The encapsulation layer 9 may be deposited on the barrier layer by a physical vapor deposition process, such as by a plasma assisted vapor deposition process 8th be educated. Also, the encapsulation layer 9 by means of a galvanic metal deposition process on the barrier layer 8th be applied. Alternatively or additionally, the encapsulation layer 9 for overmolding the step by a soldering process, in particular by a Ultraschalllötverfahren, on the barrier layer 8th applied or on the barrier layer 8th be formed. The latter can be realized by the encapsulation layer 9 first on the barrier layer 8th applied and then to cover the stage 80 is soldered.

In 1B ist ein Bauelement 10 in Draufsicht schematisch dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 1A beschriebenen Ausführungsbeispiel, wobei die gestrichelte Linie AA‘ in der 1B auf die in der 1A gekennzeichnete Schnittebene AA‘ hindeutet. In 1B is a component 10 shown schematically in plan view. This embodiment corresponds essentially to that in the 1A described embodiment, wherein the dashed line AA 'in the 1B on the in the 1A indicated sectional plane AA 'indicates.

In der 1B bedeckt die Verkapselungsschicht 9 den Schichtenstapel 6 sowie die Barriereschicht 8 in Draufsicht auf das Substrat 1 vollständig. Die Verkapselungsschicht 9 kann dabei selbst hermetisch dicht ausgebildet sein, wodurch der Schichtenstapel 6 in der vertikalen Richtung nicht nur von der Barriereschicht 8 sondern auch von der Verkapselungsschicht 9 hermetisch dicht abgeschlossen ist. Seitlich des Schichtenstapels 6 ragen die erste Kontaktbahn 20 und die zweite Kontaktbahn 30 über die Verkapselungsschicht 9 hinaus. Auf der zweiten Hauptfläche 12 des Substrats 1 sind die erste Kontaktbahn 20 und die zweite Kontaktbahn 30 frei zugänglich, so dass das Bauelement 10 über eine der ersten Hauptfläche 11 des Substrats 1 abgewandten Seite des Bauelements 10 rückseitig elektrisch kontaktierbar ist. Es ist auch möglich, dass auf die Verkapselungsschicht 9 eine zusätzliche Schutzschicht, etwa eine Kratzschutzschicht aufgebracht wird.In the 1B covers the encapsulation layer 9 the layer stack 6 as well as the barrier layer 8th in plan view of the substrate 1 Completely. The encapsulation layer 9 can be hermetically sealed itself, whereby the layer stack 6 in the vertical direction not only from the barrier layer 8th but also from the encapsulation layer 9 hermetically sealed. Side of the layer stack 6 protrude the first contact track 20 and the second contact track 30 over the encapsulation layer 9 out. On the second main surface 12 of the substrate 1 are the first contact track 20 and the second contact track 30 freely accessible, so that the device 10 over one of the first main areas 11 of the substrate 1 remote side of the device 10 electrically contactable on the back side. It is also possible that on the encapsulation layer 9 an additional protective layer, such as a scratch-resistant layer is applied.

2 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels für ein Bauelement. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem Ausführungsbeispiel in der 1A. Im Unterschied hierzu grenzt die Barriereschicht 8 an die erste Kontaktbahn 20 und an die zweite Kontaktbahn 30 an. Insbesondere ist die Barriereschicht 8 dabei elektrisch isolierend ausgebildet. Bereichsweise kann die Barriereschicht 8 an das Substrat 1 angrenzen. Die zweite Fläche 82 der Stufe 80 ist insbesondere ausschließlich durch eine vertikale Oberfläche der Barriereschicht 8 gebildet. Des Weiteren kann die Verkapselungsschicht 9 die Barriereschicht 8 lediglich an deren Randbereichen, in der 2 ausschließlich seitlich des Schichtenstapels 8, bedecken. Die Verkapselungsschicht 9 kann dabei einen geschlossenen oder gegebenenfalls zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses einen offenen Rahmen um den Schichtenstapel 6 bilden. In der 2 weist die Barriereschicht 8 Seitenflächen und eine dem Schichtenstapel 6 abgewandte obere Oberfläche auf, wobei die Seitenflächen bereichsweise von der Verkapselungsschicht 9 bedeckt sind und die obere Oberfläche der Barriereschicht 8 frei von der Verkapselungsschicht 9 ist. 2 shows a schematic representation of another embodiment of a device. This embodiment corresponds substantially to the embodiment in the 1A , In contrast, the barrier layer borders 8th to the first contact track 20 and to the second contact track 30 at. In particular, the barrier layer 8th thereby formed electrically insulating. In some areas, the barrier layer 8th to the substrate 1 adjoin. The second area 82 the stage 80 is in particular exclusively by a vertical surface of the barrier layer 8th educated. Furthermore, the encapsulation layer 9 the barrier layer 8th only at the edges, in the 2 exclusively on the side of the layer stack 8th , cover. The encapsulation layer 9 may be a closed or possibly to avoid an electrical short circuit an open frame around the layer stack 6 form. In the 2 indicates the barrier layer 8th Side surfaces and one of the layer stacks 6 remote from the upper surface, wherein the side surfaces partially from the encapsulation layer 9 are covered and the upper surface of the barrier layer 8th free from the encapsulation layer 9 is.

3 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels für ein Bauelement. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen den Ausführungsbeispielen in den 1A und 2. Im Unterschied hierzu ist die obere Oberfläche der Barriereschicht 8 bereichsweise von der Verkapselungsschicht 9 bedeckt. In 3 sind die Verkapselungsschicht 9 und der Schichtenstapel 6 in Draufsicht auf das Substrat 1 frei von Überlappungen. Es ist jedoch auch möglich, dass sie sich teilweise überlappen. 3 shows a schematic representation of another embodiment of a device. This embodiment corresponds substantially to the embodiments in the 1A and 2 , In contrast, the upper surface of the barrier layer 8th partially from the encapsulation layer 9 covered. In 3 are the encapsulation layer 9 and the layer stack 6 in plan view of the substrate 1 free of overlaps. However, it is also possible that they partially overlap.

Die Seitenflächen der Barriereschicht 8 sind von der Verkapselungsschicht 9 insbesondere vollständig bedeckt. Seitlich der Barriereschicht 8 erstreckt sich die Verkapselungsschicht 9 von der zweiten Fläche 82 der Stufe 80 in der lateralen Richtung über eine Strecke hinaus, die insbesondere breiter ist als die Dicke D9 der Verkapselungsschicht 9. In der 3 bilden die Kontaktbahnen 20 und 30 jeweils mit der zweiten Hauptfläche 12 des Substrats eine Stufe, wobei diese Stufen von der Verkapselungsschicht 9 teilweise überdeckt sind. Ein Unterkriechen der Barriereschicht 8, der Kontaktbahnen 20 und 30 sowie der Verkapselungsschicht 9 wird dadurch besonders zuverlässig unterbunden.The side surfaces of the barrier layer 8th are from the encapsulation layer 9 especially completely covered. Side of the barrier layer 8th the encapsulation layer extends 9 from the second surface 82 the stage 80 in the lateral direction beyond a distance that is in particular wider than the thickness D9 of the encapsulation layer 9 , In the 3 form the contact tracks 20 and 30 each with the second major surface 12 of the substrate, these steps from the encapsulation layer 9 partially covered. An undercrawl of the barrier layer 8th , the contact tracks 20 and 30 and the encapsulation layer 9 is thereby particularly reliably prevented.

In der 4A ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauelement schematisch dargestellt, das im Wesentlichen dem in der 1A dargestellten Ausführungsbeispiel entspricht. Im Unterschied hierzu ist eine Absorptionsschicht 5, die insbesondere Feuchtigkeit und Gase absorbiert, zwischen dem funktionellen Schichtenstapel 6 und der Barriereschicht 8 angeordnet. Die Absorptionsschicht 5 ist insbesondere als eine Flüssigkeit absorbierende Schicht, etwa als eine Wasserbinderschicht ausgebildet. In der 4A ist die Absorptionsschicht 5 in vertikaler Richtung zwischen der Verbindungsschicht 7 und der Barriereschicht 8 angeordnet.In the 4A is a further embodiment of a component shown schematically, which is essentially in the 1A illustrated embodiment corresponds. In contrast to this is an absorption layer 5 , which absorbs moisture and gases in particular, between the functional layer stack 6 and the barrier layer 8th arranged. The absorption layer 5 is particularly formed as a liquid absorbing layer, such as a water binder layer. In the 4A is the absorption layer 5 in the vertical direction between the connection layer 7 and the barrier layer 8th arranged.

4B zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels für ein Bauelement. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem Ausführungsbeispiel in der 4A. Im Unterschied hierzu ist die Absorptionsschicht 5 seitlich des funktionellen Schichtenstapels 6 und in vertikaler Richtung zwischen der Barriereschicht 8 und dem Substrat 1 angeordnet. Insbesondere bildet die Absorptionsschicht 5 einen offenen oder geschlossenen Rahmen, der den funktionellen Schichtenstapel 6 lateral umschließt. Die zweite Fläche 82 der Stufe 80 ist bereichsweise von einer Oberfläche der Absorptionsschicht 5 gebildet. Es ist auch möglich, dass Barriereschicht 8 mit der Absorptionsschicht 5 eine Stufe bildet oder die Absorptionsschicht 5 vertikal vollständig überdeckt, so dass die zweite Fläche 82 frei von einer Oberfläche der Absorptionsschicht 5 ist. 4B shows a schematic representation of another embodiment of a device. This embodiment corresponds substantially to the embodiment in the 4A , In contrast, the absorption layer is 5 side of the functional layer stack 6 and in the vertical direction between the barrier layer 8th and the substrate 1 arranged. In particular, the absorption layer forms 5 an open or closed frame representing the functional layer stack 6 encloses laterally. The second area 82 the stage 80 is partially of a surface of the absorption layer 5 educated. It is also possible that barrier layer 8th with the absorption layer 5 forming a step or the absorption layer 5 vertically completely covered, leaving the second surface 82 free from a surface of the absorption layer 5 is.

In lateraler Richtung ist die Absorptionsschicht 5 von der Verkapselungsschicht 9 umgeben. Die die Absorptionsschicht 5 ist somit in lateraler Richtung zwischen dem Schichtenstapel 6 und der Verkapselungsschicht 9 angeordnet. In der 4B ist die Absorptionsschicht 5 in Draufsicht auf das Substrat 1 frei von einer Überlappung mit dem Schichtenstapel 6. In der 4A bedeckt die Absorptionsschicht 5 in Draufsicht auf das Substrat 1 den Schichtenstapel 6 zumindest bereichsweise, insbesondere vollständig. Es ist auch möglich, dass die Absorptionsschicht 5 so ausgestaltet ist, dass diese einen Bereich aufweist, der wie in der 4A dargestellt den Schichtenstapel 6 bedeckt, und einen weiteren Bereich aufweist, der wie in der 4B dargestellt seitlich des Schichtenstapels 6 angeordnet ist.In the lateral direction is the absorption layer 5 from the encapsulation layer 9 surround. The absorption layer 5 is thus in the lateral direction between the layer stack 6 and the encapsulation layer 9 arranged. In the 4B is the absorption layer 5 in plan view of the substrate 1 free of an overlap with the layer stack 6 , In the 4A covers the absorption layer 5 in plan view of the substrate 1 the layer stack 6 at least in certain areas, in particular completely. It is also possible that the absorption layer 5 is designed such that it has an area which, as in the 4A show the layer stack 6 covered, and has another area, as in the 4B represented laterally of the layer stack 6 is arranged.

Eine dichte Überdeckung der Stufe stellt eine vereinfachte und effektive Methode zur hermetisch dichten Verkapselung des funktionellen Schichtenstapels dar, wodurch das Unterkriechen der Stufe durch Umwelteinflüsse unterbunden wird.A dense overlap of the step provides a simplified and effective method of hermetically sealing the functional layer stack, thereby preventing subcreeping of the step by environmental influences.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description of the invention based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which includes in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

Claims

Component ( 10 ) comprising a substrate ( 1 ), a functional organic layer stack ( 6 ), a hermetically sealed self-supporting barrier layer ( 8th ) and an encapsulation layer ( 9 ), wherein - the functional layer stack ( 6 ) between the substrate ( 1 ) and the barrier layer ( 8th ), - the barrier layer ( 8th ) in plan view of the substrate ( 1 ) the functional layer stack ( 6 ) and laterally of the layer stack ( 6 ) with the Substrate ( 1 ) and / or with one on the substrate ( 1 ) layer a step ( 80 ), and - the encapsulation layer ( 9 ) the stage ( 80 ) so that the functional layer stack ( 6 ) laterally through the barrier layer ( 8th ) and the encapsulation layer ( 9 ) is hermetically sealed.

Component according to the preceding claim, in which the barrier layer ( 8th ) is formed in the form of a film and has a vertical thickness (D8) of between 10 microns and 1 mm.

Component according to Claim 1, in which the barrier layer ( 8th ) is formed of glass or a metal and has a vertical thickness (D8) of between 10 μm and 200 μm inclusive.

Component according to one of the preceding claims, in which the barrier layer ( 8th ) has a vertical thickness (D8) of between 10 μm and 50 μm inclusive.

Component according to one of Claims 2 to 4, in which the encapsulation layer ( 9 ) has a vertical thickness (D9) which is at most 50% of the vertical thickness (D8) of the barrier layer ( 8th ) is different.

Component according to one of the preceding claims, in which an absorption layer ( 5 ), which absorbs gases or moisture, in the vertical direction between the functional layer stack ( 6 ) and the barrier layer ( 8th ) is arranged.

Component according to one of Claims 1 to 5, in which an absorption layer ( 5 ), which absorbs gases or moisture, at least in regions laterally of the functional layer stack ( 6 ) and in the lateral direction between the barrier layer ( 8th ) and the substrate ( 1 ) is arranged.

Component according to one of the preceding claims, in which between the functional layer stack ( 6 ) and the barrier layer ( 8th ) a connection layer ( 7 ) which attaches the barrier layer to the functional layer stack.

Component according to one of the preceding claims, in which the layer stack ( 6 ) in the vertical direction between a first radiation-transmissive electrode ( 2 ) and a second electrode ( 3 ), wherein - the first electrode ( 2 ) with a first contact track ( 20 ) and the second electrode ( 3 ) with a second contact track ( 30 ) is electrically connected, and - the first contact track ( 20 ) as well as the second contact track ( 30 ) each side of the layer stack ( 6 ), and - the component on a stack of layers ( 6 ) facing side of the substrate ( 1 ) is electrically contacted via the first and second contact track.

Component according to one of the preceding claims, in which the layer stack ( 6 ) an organic active layer ( 63 ), emitted or detected during operation of the device electromagnetic radiation.

Method for producing a component ( 10 ), which is a substrate ( 1 ), a functional layer stack ( 6 ), a barrier layer ( 8th ) and an encapsulation layer ( 9 ), comprising the following steps: a) providing the substrate ( 1 ); b) applying the functional layer stack ( 6 ) on the substrate ( 1 ), c) applying the barrier layer ( 8th ) on the functional layer stack ( 6 ), wherein the barrier layer ( 8th ) the functional layer stack ( 6 ) and laterally of the layer stack ( 6 ) with the substrate ( 1 ) and / or with one on the substrate ( 1 ) layer a step ( 80 ), and d) covering the stage ( 80 ) through the encapsulation layer ( 9 ), so that the functional layer stack ( 6 ) laterally through the barrier layer ( 8th ) and the encapsulation layer ( 9 ) is hermetically sealed.

Method according to the preceding claim, in which the barrier layer ( 8th ) by means of an adhesive layer having a bonding layer ( 7 ) on the functional layer stack ( 6 ) is attached.

Method according to one of Claims 11 to 12, in which the encapsulation layer ( 9 ) by means of a physical vapor deposition process on the barrier layer ( 8th ) is formed.

Method according to one of Claims 11 to 12, in which the encapsulation layer ( 9 ) is formed of a metal and by means of a galvanic deposition process on the barrier layer ( 8th ) is applied.

Method according to one of Claims 11 to 14, in which, to cover the stage ( 80 ) the encapsulation layer ( 9 ) is formed by a soldering method or by an ultrasonic soldering method.