DE102014110971A1 - Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component - Google Patents

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component Download PDF

Info

Publication number
DE102014110971A1
DE102014110971A1 DE102014110971.6A DE102014110971A DE102014110971A1 DE 102014110971 A1 DE102014110971 A1 DE 102014110971A1 DE 102014110971 A DE102014110971 A DE 102014110971A DE 102014110971 A1 DE102014110971 A1 DE 102014110971A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
decoupling
coupling
stack
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102014110971.6A
Other languages
German (de)
Inventor
Johannes Rosenberger
Daniel Riedel
Nina Riegel
Silke Scharner
Arne Fleissner
Thomas Wehlus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pictiva Displays International Ltd
Original Assignee
Osram Oled GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled GmbH filed Critical Osram Oled GmbH
Priority to DE102014110971.6A priority Critical patent/DE102014110971A1/en
Priority to PCT/EP2015/067426 priority patent/WO2016016331A1/en
Publication of DE102014110971A1 publication Critical patent/DE102014110971A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das einen funktionellen Schichtenstapel (6) mit einer organischen aktiven Schicht (63) und eine mechanisch stabil ausgebildete Auskoppelschicht (1) aufweist, wobei die organische aktive Schicht (63) im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung emittiert, der funktionelle Schichtenstapel (6) auf der Auskoppelschicht (1) angeordnet ist, die Auskoppelschicht (1) innere Streuelemente (12) aufweist, und die Auskoppelschicht (1) einen Brechungsindex (n1) aufweist, der mindestens 80 % eines Brechungsindexes (n2) des Schichtenstapels (6) ist.
Des Weiten wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben, bei dem der funktionelle Schichtenstapel (6) auf ein Opfersubstrat (9) aufgebracht wird und das Opfersubstrat in einem nachfolgenden Verfahrensschritt von dem Schichtenstapel (6) entfernt wird.
The invention relates to an optoelectronic component which has a functional layer stack (6) with an organic active layer (63) and a mechanically stable coupling-out layer (1), wherein the organic active layer (63) emits electromagnetic radiation during operation of the device functional layer stack (6) is arranged on the decoupling layer (1), the decoupling layer (1) has inner scattering elements (12), and the decoupling layer (1) has a refractive index (n1) which is at least 80% of a refractive index (n2) of the layer stack (6).
The term broadly specifies a method for producing such a component, in which the functional layer stack (6) is applied to a sacrificial substrate (9) and the sacrificial substrate is removed from the layer stack (6) in a subsequent method step.

Figure DE102014110971A1_0001
Figure DE102014110971A1_0001

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. The present application relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component.

Eine organische lichtemittierende Diode (OLED) kann einen auf einem Glasträger angeordneten funktionellen Schichtenstapel aufweisen, wobei von dem Schichtenstapel emittiertes Licht durch den Glasträger hindurchtritt, bevor es aus der OLED ausgekoppelt wird. Auf den Glasträger können externe Streuschichten, insbesondere Mikrolinsen, zur Erhöhung des Strahlungsauskopplungsgrads aufgebracht werden. Die Prozessierung von OLEDs auf Glasträgern mit externen Streuschichten oder Mikrolinsen erweist sich jedoch als aufwändig. Außerdem verringern die Absorptionsverluste innerhalb der vergleichsweise dicken Glasträgern die Effizienz der organischen lichtemittierenden Dioden. An organic light-emitting diode (OLED) may comprise a functional layer stack arranged on a glass carrier, wherein light emitted by the layer stack passes through the glass carrier before it is decoupled from the OLED. External scattering layers, in particular microlenses, can be applied to the glass carrier to increase the degree of radiation extraction. The processing of OLEDs on glass slides with external scattering layers or microlenses, however, proves to be costly. In addition, the absorption losses within the relatively thick glass substrates reduce the efficiency of organic light emitting diodes.

Eine Aufgabe ist es, ein vereinfacht herzustellendes optoelektronisches Bauelement mit einem hohen Strahlungsauskopplungsgrad anzugeben. Als eine weitere Aufgabe wird ein zuverlässiges, vereinfachtes und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.One object is to specify a simpler-to-manufacture optoelectronic component with a high degree of radiation decoupling. As a further object, a reliable, simplified and cost-effective method for producing an optoelectronic component is specified.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Bauelements weist dieses einen funktionellen Schichtenstapel auf. Der funktionelle Schichtenstapel enthält insbesondere eine Mehrzahl von organischen Schichten. Der funktionelle Schichtenstapel weist zum Beispiel eine organische aktive Schicht auf, die im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung, beispielsweise UV-Strahlung, sichtbares Licht oder Infrarotstrahlung, emittiert. Außerdem weist der funktionelle Schichtenstapel beispielsweise eine als Lochtransportschicht ausgeführte organische Schicht und eine als Elektronentransportschicht ausgebildete organische Schicht auf. Insbesondere ist die aktive organische Schicht in vertikaler Richtung zwischen der Lochtransportschicht und der Elektronentransportschicht angeordnet. Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der organischen aktiven Schicht gerichtet ist. Insbesondere ist das Bauelement eine OLED.According to at least one embodiment of a component, this has a functional layer stack. The functional layer stack contains in particular a plurality of organic layers. The functional layer stack has, for example, an organic active layer which emits electromagnetic radiation, for example UV radiation, visible light or infrared radiation, during operation of the component. In addition, the functional layer stack has, for example, an organic layer embodied as a hole transport layer and an organic layer designed as an electron transport layer. In particular, the active organic layer is arranged in the vertical direction between the hole transport layer and the electron transport layer. A vertical direction is understood to mean a direction that is perpendicular to a main extension plane of the organic active layer. In particular, the device is an OLED.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine mechanisch stabile Auskoppelschicht auf. Der funktionelle Schichtenstapel ist auf der Auskoppelschicht angeordnet. Unter einer mechanisch stabilen Auskoppelschicht wird eine Schicht verstanden, die insbesondere freitragend ausgebildet ist. Das heißt, die mechanisch stabile Auskoppelschicht kann auf sich selbst stützen und ist gegenüber der Eigenschwerkraft stabil.According to at least one embodiment of the component, this has a mechanically stable coupling-out layer. The functional layer stack is arranged on the coupling-out layer. A mechanically stable decoupling layer is understood as meaning a layer which is designed to be cantilevered in particular. That is, the mechanically stable decoupling layer can support itself and is stable to the intrinsic gravity.

Beispielsweise ist die Auskoppelschicht durch geeignete Materialauswahl und entsprechende Dickengestaltung derart mechanisch stabil ausgebildet, dass die Auskoppelschicht zumindest den funktionellen Schichtenstapel tragen kann, ohne dabei aufgrund der Eigenschwerkraft mechanisch verformt zu werden. Des Weiteren kann die Auskoppelschicht als ein Trägerkörper des Bauelements ausgebildet sein. Letzteres bedeutet, dass die Auskoppelschicht insbesondere dem gesamten optoelektronischen Bauelement eine ausreichende mechanische Stabilität verleiht. By way of example, the decoupling layer is made mechanically stable by suitable choice of material and corresponding thickness configuration such that the decoupling layer can carry at least the functional layer stack without being mechanically deformed due to the intrinsic shear force. Furthermore, the coupling-out layer can be formed as a carrier body of the component. The latter means that the decoupling layer gives sufficient mechanical stability to the entire optoelectronic component in particular.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung des Bauelements weist die Auskoppelschicht auf einer dem Schichtenstapel abgewandten Seite eine Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements auf. Insbesondere ist die Auskoppelschicht für die im Betrieb des Bauelements erzeugte elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgebildet. Die Auskoppelschicht kann klarsichtig, transparent oder milchig trüb ausgebildet sein. In accordance with at least one embodiment of the component, the coupling-out layer has a radiation exit surface of the component on a side facing away from the layer stack. In particular, the coupling-out layer is permeable to the electromagnetic radiation generated during operation of the component. The decoupling layer can be transparent, transparent or milky cloudy.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung des Bauelements weist die Auskoppelschicht innere Streuelemente auf. Unter inneren Streuelementen der Auskoppelschicht werden insbesondere Streuzentren im Inneren der Auskoppelschicht verstanden. Beispielsweise sind die inneren Streuelemente von einem Material der Auskoppelschicht allseitig vollständig umgeben. Die im Betrieb des Bauelements von der organischen aktiven Schicht emittierte Strahlung wird an den Streuelementen der Auskoppelschicht gestreut, bevor es an der Strahlungsaustrittsfläche aus dem Bauelement ausgekoppelt wird, wodurch der Strahlungsauskopplungsgrad des Bauelements verbessert wird. In accordance with at least one embodiment of the component, the coupling-out layer has inner scattering elements. Internal scattering elements of the coupling-out layer are understood in particular to be scattering centers in the interior of the coupling-out layer. For example, the inner scattering elements are completely surrounded on all sides by a material of the coupling-out layer. The radiation emitted by the organic active layer during operation of the component is scattered at the scattering elements of the coupling-out layer, before it is coupled out of the component at the radiation exit surface, whereby the degree of radiation decoupling of the component is improved.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Auskoppelschicht einen Brechungsindex auf, der mindestens 80 % eines Brechungsindexes des Schichtenstapels ist. Unter einem Brechungsindex einer Schicht wird insbesondere der Brechungsindex des die Schicht bildenden Materials verstanden. Weist die Schicht beispielsweise mehrere Teilschichten und/oder mehrere Materialien auf, wird unter einem Brechungsindex der Schicht insbesondere der durchschnittliche Brechungsindex dieser Schicht verstanden. In accordance with at least one embodiment of the component, the coupling-out layer has a refractive index which is at least 80% of a refractive index of the layer stack. A refractive index of a layer is understood in particular to be the refractive index of the material forming the layer. If the layer has, for example, a plurality of partial layers and / or a plurality of materials, a refractive index of the layer is understood in particular to mean the average refractive index of this layer.

Der Brechungsindex wird dabei bei einer Strahlungswellenlänge bestimmt, die von der im Betrieb des Bauelements erzeugten elektromagnetischen Strahlung umfasst ist. Zum Beispiel werden die Brechungsindices bei einer Wellenlänge von 500 nm bestimmt. Insbesondere ist es möglich, dass die genannte Beziehung der Brechungsindices von Auskoppelschicht und Schichtenstapel für den gesamten Wellenlängenbereich der im Betrieb vom Bauelement erzeugten elektromagnetischen Strahlung erfüllt ist.The refractive index is determined at a radiation wavelength which is encompassed by the electromagnetic radiation generated during operation of the component. For example, the refractive indices are determined at a wavelength of 500 nm. In particular, it is possible that the said relationship of the refractive indices of the coupling-out layer and the layer stack is fulfilled for the entire wavelength range of the electromagnetic radiation generated by the component during operation.

Beträgt der Brechungsindex der Auskoppelschicht mindestens 80 % des Brechungsindexes des Schichtenstapels, können Strahlungsverluste aufgrund von Totalreflexionen beim Übergang der emittierten Strahlung von dem Schichtenstapel zur Auskoppelschicht weitgehend unterdrückt werden, sodass die Auskopplung der emittierten Strahlung aus dem Bauelement besonders effizient ausgestaltet ist. If the refractive index of the coupling-out layer is at least 80% of the refractive index of the layer stack, radiation losses due to total reflections in the transition of the emitted radiation from the layer stack to the coupling-out layer can be largely suppressed, so that the coupling-out of the emitted radiation from the component is made particularly efficient.

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses einen funktionellen Schichtenstapel mit einer organischen aktiven Schicht und eine mechanisch stabil ausgebildete Auskoppelschicht auf, wobei der funktionelle Schichtenstapel auf der Auskoppelschicht angeordnet ist. Die organische aktive Schicht emittiert im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung. Die Auskoppelschicht weist innere Streuelemente auf. Die Auskoppelschicht und der Schichtenstapel weisen jeweils einen Brechungsindex auf, wobei der Brechungsindex der Auskoppelschicht mindestens 80 % des Brechungsindexes des Schichtenstapels ist. In at least one embodiment of the optoelectronic component, the latter has a functional layer stack with an organic active layer and a mechanically stable coupling-out layer, wherein the functional layer stack is arranged on the coupling-out layer. The organic active layer emits electromagnetic radiation during operation of the device. The decoupling layer has internal scattering elements. The decoupling layer and the layer stack each have a refractive index, wherein the refractive index of the decoupling layer is at least 80% of the refractive index of the layer stack.

Materialbedingt weist der funktionelle Schichtenstapel oft einen hohen Brechungsindex auf, etwa um 1,7. Ist der Brechungsindex der Auskoppelschicht zumindest annähernd gleich oder höher als der Brechungsindex des Schichtenstapels, können Lichtverluste aufgrund von Totalreflexionen beim Strahlungsübergang von dem Schichtenstapel zur Auskoppelschicht stark reduziert werden. Die Effizienz der Strahlungsauskopplung kann durch Streuungseffekte an den inneren Streuelementen innerhalb der Auskoppelschicht zusätzlich erhöht werden. Des Weiteren können auf externe Streuschichten oder Mikrolinsen, die auf dem Trägerkörper beziehungsweise auf der Auskoppelschicht des Bauelements aufgebracht sind, verzichtet werden, wodurch die Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements insgesamt vereinfacht wird. Durch die Ausbildung der Streuelemente innerhalb der Auskoppelschicht kann ein vereinfachtes, kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements angewendet werden, bei dem die Auskoppelschicht auch im Fall als Trägerkörper des Bauelements besonders dünn ausgestaltet werden kann, wodurch Lichtverluste aufgrund von Absorption in der Auskoppelschicht beziehungsweise in dem Trägerkörper des Bauelements vermindert werden. Due to the material, the functional layer stack often has a high refractive index, for example around 1.7. If the refractive index of the coupling-out layer is at least approximately equal to or higher than the refractive index of the layer stack, light losses due to total reflections can be greatly reduced during the radiation transition from the layer stack to the coupling-out layer. The efficiency of the radiation decoupling can be additionally increased by scattering effects on the inner scattering elements within the decoupling layer. Furthermore, it is possible to dispense with external scattering layers or microlenses which are applied to the carrier body or to the coupling-out layer of the component, as a result of which the production of such an optoelectronic component is simplified as a whole. By forming the scattering elements within the coupling-out layer, a simplified, cost-effective method for producing such an optoelectronic component can be used, in which the coupling-out layer can be designed to be particularly thin even in the case of a carrier body of the component, whereby light losses due to absorption in the coupling-out layer or in be reduced to the carrier body of the device.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist der Brechungsindex der Auskoppelschicht mindestens 1,6, insbesondere mindestens 1,7 oder mindestens 2. Beispielsweise ist die Auskoppelschicht aus einem Material gebildet, das einen Brechungsindex insbesondere zwischen 1,6 und 4 beispielsweise zwischen 1,6 und 3 oder zwischen 2 und 3 aufweist. Beispielsweise weist die Auskoppelschicht im Vergleich zum Glas einen größeren Brechungsindex auf. According to at least one embodiment of the component, the refractive index of the coupling-out layer is at least 1.6, in particular at least 1.7 or at least 2. For example, the coupling-out layer is formed from a material having a refractive index in particular between 1.6 and 4, for example between 1.6 and 3 or between 2 and 3. For example, the coupling-out layer has a greater refractive index than the glass.

Insbesondere ist der Brechungsindex der Auskoppelschicht größer als der Brechungsindex des Schichtenstapels. In particular, the refractive index of the coupling-out layer is greater than the refractive index of the layer stack.

Gemäß zumindest einer Ausführungsvariante des Bauelements ist das Bauelement frei von einer Zwischenschicht, die in vertikaler Richtung zwischen dem Schichtenstapel und der Auskoppelschicht angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht einen Brechungsindex aufweist, der kleiner als der Brechungsindex des funktionellen Schichtenstapels, insbesondere kleiner als 80 % des Brechungsindexes des funktionellen Schichtenstapels ist. Eine derartige Ausgestaltung des Bauelements begünstigt einen verlustarmen Strahlungsübergang von dem funktionellen Schichtenstapel zur Auskoppelschicht. Alternativ kann das Bauelement eine zwischen dem Schichtenstapel und der Auskoppelschicht angeordnete Zwischenschicht aufweisen, wobei ein Brechungsindex der Zwischenschicht dem Brechungsindex des Schichtenstapels angepasst ist. Insbesondere unterscheidet sich der Brechungsindex der Zwischenschicht höchstens um 20 % %, beispielsweise höchstens um 10 %, etwa höchstens um 5 % vom dem Brechungsindex des Schichtenstapels. Zum Beispiel weist die Zwischenschicht ein Metalloxid oder mehrere Metalloxide auf, etwa Al2O3, ZrO2 oder TiO2. According to at least one embodiment variant of the component, the component is free of an intermediate layer which is arranged in the vertical direction between the layer stack and the coupling-out layer, wherein the intermediate layer has a refractive index which is smaller than the refractive index of the functional layer stack, in particular less than 80% of the refractive index of the functional layer stack. Such a configuration of the component favors a low-loss radiation transition from the functional layer stack to the coupling-out layer. Alternatively, the component may have an intermediate layer arranged between the layer stack and the coupling-out layer, wherein a refractive index of the intermediate layer is adapted to the refractive index of the layer stack. In particular, the refractive index of the intermediate layer differs at most by 20%%, for example at most by 10%, for example at most by 5% from the refractive index of the layer stack. For example, the intermediate layer comprises one or more metal oxides, such as Al 2 O 3, ZrO 2 or TiO 2.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist dieses auf einer dem Schichtenstapel abgewandten Seite der Auskoppelschicht frei von einer als ein Trägerkörper des Bauelements ausgebildeten Schicht. Insbesondere weist das Bauelement zwischen dem funktionellen Schichtenstapel und der Strahlungsaustrittsfläche lediglich eine als Trägerkörper des Bauelements ausgebildete Schicht auf, welche die Auskoppelschicht mit den inneren Streuelementen ist.According to at least one embodiment of the component, the latter is free on a side of the coupling-out layer facing away from the layer stack from a layer formed as a carrier body of the component. In particular, the component between the functional layer stack and the radiation exit surface only has a layer formed as a carrier body of the component, which is the decoupling layer with the inner scattering elements.

Insbesondere ist das Bauelement frei von eine Grenzschicht zwischen der Auskoppelschicht und einer Glasschicht.In particular, the device is free of a boundary layer between the coupling-out layer and a glass layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Auskoppelschicht eine vertikale Dicke auf, die zwischen einschließlich 10 µm und einschließlich 300 µm, insbesondere zwischen einschließlich 20 µm und einschließlich 200 µm, beispielsweise zwischen einschließlich 20 µm und einschließlich 100 µm, ist.In accordance with at least one embodiment of the component, the coupling-out layer has a vertical thickness which is between 10 μm and 300 μm inclusive, in particular between 20 μm and 200 μm inclusive, for example between 20 μm and 100 μm inclusive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist die Auskoppelschicht biegbar ausgebildet. Zum Beispiel weist die Auskoppelschicht ein flexibles, insbesondere ein elastisch nachgiebiges Material auf. Beispielsweise weist die Auskoppelschicht im Vergleich zum Glas einen geringeren Elastizitätsmodul auf. Zum Beispiel beträgt der Elastizitätsmodul der Auskoppelschicht bei Normbedingungen weniger als 70 kN/mm2, zum Beispiel weniger als 50 kN/mm2, insbesondere kleiner als 40 kN/mm2. Ein optoelektronisches Bauelement mit einer flexiblen Auskoppelschicht lässt sich besonders vereinfacht auf unebene beispielsweise krumme Oberfläche montiert werden. Insbesondere ist die Auskoppelschicht frei vom Glas oder frei von einem glashaltigen Material.In accordance with at least one embodiment of the component, the coupling-out layer is designed to be bendable. For example, the decoupling layer has a flexible, in particular an elastically yielding material. For example, the Decoupling layer compared to the glass on a lower modulus of elasticity. For example, the elastic modulus of the decoupling layer is at standard conditions, less than 70 kN / mm 2, for example less than 50 kN / mm 2, in particular less than 40 kN / mm 2. An optoelectronic component with a flexible coupling-out layer can be mounted particularly simplified on uneven, for example, curved surface. In particular, the coupling-out layer is free of the glass or free of a glass-containing material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements sind die inneren Streuelemente in einem hochbrechenden Material der Auskoppelschicht eingebettet. Unter einem hochbrechenden Material wird ein Material verstanden, das insbesondere einen Brechungsindex von mindestens 1,6, beispielweise 1,7 oder höher, etwa 2 oder höher aufweist. Die inneren Streuelemente sind insbesondere Streupartikel beispielsweise aus Titanoxid oder Siliziumoxid. In accordance with at least one embodiment of the component, the inner scattering elements are embedded in a high-index material of the coupling-out layer. A high-index material is understood as meaning a material which in particular has a refractive index of at least 1.6, for example 1.7 or higher, about 2 or higher. The inner scattering elements are in particular scattering particles, for example of titanium oxide or silicon oxide.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist ein Konversionsmaterial, insbesondere in Form von Leuchtstoffpartikeln, in dem hochbrechenden Material der Auskoppelschicht eingebettet. Das Konversionsmaterial absorbiert die von der aktiven Schicht erzeugte Strahlung mit einer ersten Wellenlänge und wandelt diese in eine Strahlung mit einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen zweiten Wellenlänge um. Insbesondere sind die erste und die zweite Wellenlänge jeweils eine Peak-Wellenlänge oder eine dominante Wellenlänge der entsprechenden Strahlung. Beispielsweise unterscheiden sich die Streuelemente von dem Konversionsmaterial beziehungsweise von den Leuchtstoffpartikeln dadurch, dass die Streuelemente optisch inaktiv sind. Das heißt, die Streuelemente absorbieren keine oder nur kaum Strahlung mit einer ersten Wellenlänge und wandeln diese nicht oder nur kaum in eine Strahlung mit einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen zweiten Wellenlänge um.In accordance with at least one embodiment of the component, a conversion material, in particular in the form of phosphor particles, is embedded in the high-index material of the coupling-out layer. The conversion material absorbs the radiation generated by the active layer at a first wavelength and converts it into radiation having a second wavelength different from the first wavelength. In particular, the first and second wavelengths are each a peak wavelength or a dominant wavelength of the corresponding radiation. For example, the scattering elements differ from the conversion material or from the phosphor particles in that the scattering elements are optically inactive. That is, the scattering elements absorb no or only little radiation with a first wavelength and do not convert them into radiation with a second wavelength different from the first wavelength.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist die Auskoppelschicht mehrschichtig ausgebildet. Insbesondere weist die mehrschichtige Auskoppelschicht eine Streuschicht mit den inneren Streuelementen auf. Des Weiteren kann die Auskoppelschicht eine Teilschicht aufweisen, die sich an die Streuschicht angrenzt, wobei die Teilschicht frei von den inneren Streuelementen ist. Insbesondere weist die Teilschicht eine größere Dicke auf als die Streuschicht auf. Die Streuschicht und die Teilschicht können ein gleiches hochbrechendes Material aufweisen. Es ist jedoch auch möglich, dass die Streuschicht und die Teilschicht verschiedene hochbrechende Materialien aufweisen. Die Auskoppelschicht kann auch eine Mehrzahl von Streuschichten und/oder Teilschichten aufweisen. In accordance with at least one embodiment of the component, the coupling-out layer is designed to be multi-layered. In particular, the multilayer coupling-out layer has a scattering layer with the inner scattering elements. Furthermore, the coupling-out layer may have a partial layer which adjoins the scattering layer, wherein the partial layer is free of the inner scattering elements. In particular, the sub-layer has a greater thickness than the scattering layer. The scattering layer and the sub-layer can have the same high-index material. However, it is also possible that the scattering layer and the partial layer have different high-index materials. The coupling-out layer can also have a plurality of scattering layers and / or partial layers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine zwischen der Auskoppelschicht und dem Schichtenstapel angeordnete Barriereschicht auf. Die Barriereschicht kann den funktionellen Schichtenstapel vor Umwelteinflüssen wie Luftfeuchtigkeit oder Schadgase schützen. Außerdem kann die Barriereschicht als eine Planarisierungsschicht für die darauf angeordneten Schichten dienen. Zwar kann die Barriereschicht abhängig von der Ausgestaltung der Auskoppelschicht optional sein, erhöht die Barriereschicht bei deren Anwesenheit den Schutz des Schichtenstapels und vereinfacht außerdem die Herstellung des auf die Barriereschicht aufzubringenden Schichtenstapels. In accordance with at least one embodiment of the component, the latter has a barrier layer arranged between the coupling-out layer and the layer stack. The barrier layer can protect the functional layer stack from environmental influences such as humidity or harmful gases. In addition, the barrier layer may serve as a planarization layer for the layers disposed thereon. Although the barrier layer may be optional, depending on the design of the coupling-out layer, the barrier layer increases the protection of the layer stack when present and also simplifies the production of the layer stack to be applied to the barrier layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Verkapselungsschicht auf. Insbesondere ist der funktionelle Schichtenstapel in Draufsicht auf die Auskoppelschicht von der Verkapselungsschicht vollständig bedeckt. Beispielsweise bedeckt die Verkapselungsschicht den Schichtenstapel in lateraler Richtung vollständig. According to at least one embodiment of the component, this has an encapsulation layer. In particular, the functional layer stack is completely covered by the encapsulation layer in a plan view of the coupling-out layer. For example, the encapsulation layer completely covers the layer stack in the lateral direction.

Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die im Rahmen der Herstellungstoleranz parallel zu der Haupterstreckungsebene der organischen aktiven Schicht gerichtet ist. Die vertikale Richtung und die laterale Richtung sind somit senkrecht zueinander. Unter einer Verkapselungsschicht wird insbesondere eine Schicht oder eine Mehrzahl von Schichten verstanden, die den Schichtenstapel des Bauelements zumindest teilweise oder vollständig verkapselt und diesen vor Umwelteinflüssen wie Luftfeuchtigkeit oder Schadgase schützt. Insbesondere ist die Verkapselungsschicht derart ausgebildet, dass keine oder kaum Luftfeuchtigkeit sowie keine oder kaum Stoffe in gasförmigem Zustand durch die Verkapselungsschicht hindurchtreten können. A lateral direction is understood to mean a direction that is parallel to the main extension plane of the organic active layer within the manufacturing tolerance. The vertical direction and the lateral direction are thus perpendicular to each other. An encapsulation layer is understood in particular to mean a layer or a plurality of layers which at least partially or completely encapsulates the layer stack of the component and protects it from environmental influences such as atmospheric moisture or noxious gases. In particular, the encapsulation layer is designed such that no or hardly any atmospheric moisture and no or hardly any substances in the gaseous state can pass through the encapsulation layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Schutzschicht auf. Die Verkapselungsschicht ist insbesondere zwischen dem Schichtenstapel und der Schutzschicht angeordnet. Die Verkapselungsschicht kann so von der Schutzschicht vor äußeren mechanischen Einwirkungen geschützt werden. Insbesondere ist der funktionelle Schichtenstapel bis auf Stellen für elektrische Anschlüsse von der Barriereschicht und der Verkapselungsschicht vollständig verkapselt. Die Schutzschicht kann flexibel, beispielsweise biegbar ausgebildet sein. Beispielsweise weist die Schutzschicht im Vergleich zum Glas einen geringeren Elastizitätsmodul auf. Zum Beispiel beträgt der Elastizitätsmodul der Schutzschicht bei Normbedingungen weniger als 70 kN/mm2, zum Beispiel weniger als 50 kN/mm2, insbesondere kleiner als 40 kN/mm2. Insbesondere ist die Schutzschicht eine Polymerschicht.According to at least one embodiment of the component, this has a protective layer. The encapsulation layer is arranged in particular between the layer stack and the protective layer. The encapsulation layer can thus be protected from external mechanical influences by the protective layer. In particular, the functional layer stack is completely encapsulated except for locations for electrical connections of the barrier layer and the encapsulation layer. The protective layer may be flexible, for example, bendable. For example, the protective layer has a lower modulus of elasticity than the glass. For example, the modulus of elasticity of the protective layer under standard conditions is less than 70 kN / mm 2 , for example less than 50 kN / mm 2 , especially less than 40 kN / mm 2 . In particular, the protective layer is a polymer layer.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, das eine Auskoppelschicht mit inneren Streuelementen und einen funktionellen Schichtenstapel mit einer organischen, im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung emittierenden Schicht aufweist, wird zunächst ein Opfersubstrat bereitgestellt. Die Auskoppelschicht wird auf das Opfersubstrat aufgebracht, wobei die Auskoppelschicht mechanisch stabil ausgebildet wird. Der funktionelle Schichtenstapel wird auf die Auskoppelschicht aufgebracht, wobei die Auskoppelschicht einen Brechungsindex aufweist, der mindestens 80 % eines Brechungsindexes des funktionellen Schichtenstapels ist. Nachfolgend wird das Opfersubstrat von dem Bauelement entfernt. In at least one embodiment of a method for producing an optoelectronic Component having a coupling-out layer with inner scattering elements and a functional layer stack with an organic, in the operation of the device electromagnetic radiation emitting layer, a sacrificial substrate is first provided. The decoupling layer is applied to the sacrificial substrate, wherein the decoupling layer is formed mechanically stable. The functional layer stack is applied to the coupling-out layer, wherein the coupling-out layer has a refractive index which is at least 80% of a refractive index of the functional layer stack. Subsequently, the sacrificial substrate is removed from the device.

Bei solch einem Verfahren dient das Opfersubstrat als ein Träger des gesamten elektromagnetischen Bauelements lediglich während dessen Herstellung. Da bei der Herstellung des Bauelements mechanische Belastungen hauptsächlich von dem Opfersubstrat getragen werden, kann die Auskoppelschicht besonders dünn ausgestaltet werden. Außerdem ist ein solches Verfahren besonders geeignet für die Herstellung eines flexiblen organischen Bauelements, bei dem insbesondere die Auskoppelschicht flexibel ausgebildet wird. Für das Opfersubstrat steht grundsätzlich eine große Auswahl von Materialien zur Verfügung, insbesondere auch Kunststoffe oder Metalle, die bei der Herstellung des Bauelements im Vergleich zum Glas ein geringeres Bruchrisiko aufweisen, wodurch das Yield-Risiko beispielsweise aufgrund von möglichen Glasbrüchen entfällt. Des Weiteren kann das Opfersubstrat wieder verwendet werden, wodurch die Herstellungskosten von solchen Bauelementen vermindert werden. In such a method, the sacrificial substrate serves as a carrier of the entire electromagnetic device only during its manufacture. Since mechanical stresses are mainly borne by the sacrificial substrate during the production of the component, the coupling-out layer can be made particularly thin. In addition, such a method is particularly suitable for the production of a flexible organic component, in which in particular the coupling-out layer is designed to be flexible. For the sacrificial substrate is basically a wide range of materials available, especially plastics or metals, which have a lower risk of breakage in the manufacture of the device compared to the glass, whereby the yield risk is omitted, for example due to possible glass breakage. Furthermore, the sacrificial substrate can be reused, thereby reducing the manufacturing cost of such devices.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Auskoppelschicht auf dem Opfersubstrat derart ausgebildet, dass deren Dicke zwischen einschließlich 10 µm und einschließlich 300 µm, insbesondere zwischen einschließlich 20 µm und einschließlich 200 µm, beispielsweise zwischen einschließlich 20 µm und einschließlich 100 µm ist. Ein durch ein solches Verfahren hergestelltes Bauelement weist im Vergleich zu herkömmlichen OLEDs eine geringere vertikale Höhe zwischen dem funktionellen Schichtenstapel und der Strahlungsaustrittsfläche auf, wodurch Absorptionsverluste vermindert werden und ein höherer Anteil der erzeugten Strahlung ausgekoppelt wird. Auch kann dadurch die Gesamtdicke des Bauelements verringert werden. Beispielsweise kann durch dieses Verfahren ein organisches optoelektronisches Bauelement mit einer Gesamtdicke zwischen einschließlich 40 µm und einschließlich 400 µm, zum Beispiel zwischen einschließlich 40 µm und einschließlich 200 µm hergestellt werden. According to at least one embodiment of the method, the coupling-out layer is formed on the sacrificial substrate such that its thickness is between 10 μm and 300 μm inclusive, in particular between 20 μm and 200 μm inclusive, for example between 20 μm and 100 μm inclusive. A device produced by such a method has a lower vertical height between the functional layer stack and the radiation exit surface compared to conventional OLEDs, whereby absorption losses are reduced and a higher proportion of the generated radiation is coupled out. Also, this can reduce the overall thickness of the device. For example, this method can produce an organic optoelectronic device having a total thickness of between 40 μm and 400 μm inclusive, for example between 40 μm and 200 μm inclusive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Auskoppelschicht mittels eines nasschemischen Verfahrens auf das Opfersubstrat aufgebracht. Beispielsweise wird die Auskoppelschicht als eine Multilagenbeschichtung ausgebildet. Die Auskoppelschicht kann dabei eine Mehrzahl von Schichten aufweisen, die schichtenweise auf das Opfersubstrat aufgebracht werden. Insbesondere weist die Mehrzahl der Schichten der Auskoppelschicht ein gleiches hochbrechendes Material auf.In accordance with at least one embodiment of the method, the decoupling layer is applied to the sacrificial substrate by means of a wet-chemical method. For example, the coupling-out layer is formed as a multilayer coating. The decoupling layer may have a plurality of layers which are applied in layers to the sacrificial substrate. In particular, the majority of the layers of the coupling-out layer have the same high-index material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Auskoppelschicht aus einem hochbrechenden Material ausgebildet. Die Streuelemente, insbesondere in Form von Streupartikeln, können in das hochbrechende Material vor dem Aufbringen auf das Opfersubstrat eingebettet werden. Es ist auch möglich, dass zur Ausbildung der Auskoppelschicht zunächst das hochbrechende Material auf das Opfersubstrat aufgebracht wird und die Streuelemente auf das hochbrechende Material aufgebracht, beispielsweise berieselt werden, bevor eine weitere Schicht aus dem hochbrechenden Material auf die Streuelemente aufgebracht wird. Eine zuletzt aufgebrachte Schicht der Auskoppelschicht kann als eine Planarisierungsschicht ausgebildet werden.In accordance with at least one embodiment of the method, the coupling-out layer is formed from a high-index material. The scattering elements, in particular in the form of scattering particles, can be embedded in the high-index material before being applied to the sacrificial substrate. It is also possible that, for the formation of the coupling-out layer, the high-indexing material is first applied to the sacrificial substrate and the scattering elements are applied to the high-index material, for example sprinkled, before a further layer of the high-indexing material is applied to the scattering elements. A last-applied layer of the coupling-out layer can be formed as a planarization layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden zur Ausbildung der Auskoppelschicht eine Streuschicht und zumindest eine Teilschicht aus einem hochbrechenden Material schichtenweise auf das Substrat aufgebracht. Die Streuschicht weist dabei eine Mehrzahl von Streuelementen, insbesondere Streupartikeln, auf. Insbesondere ist die Teilschicht frei von den Streuelementen. Die Teilschicht und die Streuschicht können so ausgebildet werden, dass die Teilschicht beispielsweise eine größere Dicke aufweist als die Streuschicht. In accordance with at least one embodiment of the method, a litter layer and at least one partial layer of a high-index material are applied in layers to the substrate in order to form the coupling-out layer. The scattering layer has a plurality of scattering elements, in particular scattering particles. In particular, the sub-layer is free of the scattering elements. The sub-layer and the scattering layer can be formed so that the sub-layer, for example, has a greater thickness than the scattering layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Opfersubstrat in Form einer Folie bereitgestellt. Beispielsweise weist das Opfersubstrat ein Metall etwa Aluminium oder einen Kunststoff etwa Polyethylenterephthalat (PET) auf. Die Auskoppelschicht wird insbesondere direkt auf das Opfersubstrat aufgebracht. Beispielsweise weist das Opfersubstrat im Vergleich zum Glas einen geringeren Elastizitätsmodul auf. Bei der Fertigstellung des Bauelements kann das Opfersubstrat von der Auskoppelschicht mittels eines mechanischen Verfahrens entfernt werden, beispielsweise von der Auskoppelschicht abgeschält oder abgezogen werden. In accordance with at least one embodiment of the method, the sacrificial substrate is provided in the form of a film. For example, the sacrificial substrate comprises a metal such as aluminum or a plastic such as polyethylene terephthalate (PET). The decoupling layer is applied in particular directly to the sacrificial substrate. For example, the sacrificial substrate has a lower modulus of elasticity than the glass. Upon completion of the device, the sacrificial substrate may be removed from the decoupling layer by a mechanical process, for example, peeled or peeled off the decoupling layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Aufbringen des funktionellen Schichtenstapels eine Opferschicht direkt auf das Opfersubstrat aufgebracht. Die Auskoppelschicht wird anschließend derart auf das Opfersubstrat aufgebracht, dass die Opferschicht zwischen der Auskoppelschicht und dem Opfersubstrat angeordnet ist.In accordance with at least one embodiment of the method, a sacrificial layer is applied directly to the sacrificial substrate before the functional layer stack is applied. The decoupling layer is then applied to the sacrificial substrate in such a way that the sacrificial layer is arranged between the decoupling layer and the sacrificial substrate.

Das Opfersubstrat kann dabei ein Metall, einen Kunststoff oder ein glashaltiges Material aufweisen. Insbesondere kann das Opfersubstrat ein Glaskörper sein. Beispielsweise ist die Opferschicht eine lösliche Lack- oder Polymerschicht. Insbesondere kann die Opferschicht temporäre Klebstoffe oder pyrolytische Lacke aufweisen. Das Entfernen des Opfersubstrats von dem Bauelement wird insbesondere durch die Entfernung der Opferschicht durchgeführt. The sacrificial substrate may comprise a metal, a plastic or a glass-containing material. In particular, the sacrificial substrate may be a glass body. For example, the sacrificial layer is a soluble lacquer or polymer layer. In particular, the sacrificial layer may have temporary adhesives or pyrolytic paints. The removal of the sacrificial substrate from the device is carried out in particular by the removal of the sacrificial layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Konversionsmaterial, insbesondere in Form von Leuchtstoffpartikeln, in die Auskoppelschicht eingeführt. Die Leuchtstoffpartikel können dabei analog zu den Streuelementen in die Auskoppelschicht eingeführt werden. In accordance with at least one embodiment of the method, a conversion material, in particular in the form of phosphor particles, is introduced into the coupling-out layer. The phosphor particles can be introduced into the coupling-out layer analogously to the scattering elements.

Das in der vorliegenden Anmeldung beschriebene Verfahren ist besonders geeignet für die Herstellung eines vorstehend beschriebenen Bauelements. In Zusammenhang mit dem Bauelement beschriebene Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt. The method described in the present application is particularly suitable for the production of a device described above. Features described in connection with the component can therefore also be used for the method and vice versa.

Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements sowie des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 3D erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Further advantages, preferred embodiments and developments of the optoelectronic component and of the method will become apparent from the following in connection with the 1 to 3D explained embodiments. Show it:

1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels für ein optoelektronisches Bauelement, 1 a schematic representation of an embodiment of an optoelectronic device,

2A ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement in schematischer Schnittansicht, 2A a further exemplary embodiment of an optoelectronic component in a schematic sectional view,

2B eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels für ein optoelektronisches Bauelement, und 2 B a schematic representation of another embodiment of an optoelectronic device, and

3A bis 3D schematische Schnittansichten verschiedener Verfahrensstadien eines Ausführungsbeispiels zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. 3A to 3D schematic sectional views of different process stages of an embodiment for producing an optoelectronic device.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein. The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures are each schematic representations and therefore not necessarily to scale. Rather, comparatively small elements and in particular layer thicknesses may be exaggerated for clarity.

Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement 10 ist in 1 schematisch dargestellt. A first exemplary embodiment of an optoelectronic component 10 is in 1 shown schematically.

Das optoelektronische Bauelement 10 weist eine Auskoppelschicht 1, einen auf der Auskoppelschicht 1 angeordneten funktionellen Schichtenstapel 6 und eine Verkapselungsschicht 71 auf. In vertikaler Richtung ist der Schichtenstapel 6 zwischen der Auskoppelschicht 1 und der Verkapselungsschicht 71 angeordnet. In lateraler Richtung ist der Schichtenstapel 6 zwischen einer ersten Isolierungsstruktur 4 und einer zweiten Isolierungsstruktur 5 beschränkt. In Draufsicht auf die Auskoppelschicht 1 überdeckt die Verkapselungsschicht 71 den Schichtenstapel 6, die erste Isolierungsstruktur 4 und die zweite Isolierungsstruktur 5 vollständig. The optoelectronic component 10 has a decoupling layer 1 , one on the decoupling layer 1 arranged functional layer stack 6 and an encapsulation layer 71 on. In the vertical direction is the layer stack 6 between the coupling-out layer 1 and the encapsulation layer 71 arranged. In the lateral direction is the layer stack 6 between a first isolation structure 4 and a second insulation structure 5 limited. In plan view of the decoupling layer 1 covers the encapsulation layer 71 the layer stack 6 , the first insulation structure 4 and the second isolation structure 5 Completely.

Der funktionelle Schichtenstapel 6 weist eine organische aktive Schicht 63 auf. Die aktive Schicht 63 emittiert im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Strahlung, beispielsweise im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich. Der Schichtenstapel 6 enthält außerdem eine erste Ladungstransportschicht 61 und eine zweite Ladungstransportschicht 62, wobei die organische aktive Schicht 63 zwischen der ersten Ladungstransportschicht 61 und der zweiten Ladungstransportschicht 62 angeordnet ist. Insbesondere weisen die erste und die zweite Ladungstransportschicht jeweils zumindest ein organisches Material auf. Beispielsweise sind die erste und die zweite Ladungstransportschicht als eine Elektronentransportschicht beziehungsweise als eine Lochtransportschicht ausgebildet oder umgekehrt. Diese Ladungstransportschichten dienen der Injektion der Löcher und der Elektronen in die organische aktive Schicht 63. Der Schichtenstapel 6 weist einen Brechungsindex n2 auf, der insbesondere größer als 1,6, etwa 1,7 oder höher, beispielsweise 2 oder höher sein kann. The functional layer stack 6 has an organic active layer 63 on. The active layer 63 emitted during operation of the device an electromagnetic radiation, for example in the ultraviolet, visible or infrared spectral range. The layer stack 6 also contains a first charge transport layer 61 and a second charge transport layer 62 wherein the organic active layer 63 between the first charge transport layer 61 and the second charge transport layer 62 is arranged. In particular, the first and the second charge transport layer each comprise at least one organic material. For example, the first and the second charge transport layer are formed as an electron transport layer or as a hole transport layer or vice versa. These charge transport layers serve to inject the holes and the electrons into the organic active layer 63 , The layer stack 6 has a refractive index n2, in particular greater than 1.6, about 1.7 or higher, for example 2 or higher.

Die Auskoppelschicht 1 ist strahlungsdurchlässig ausgebildet und weist auf einer dem Schichtenstapel 6 abgewandten Seite eine Strahlungsaustrittsfläche 11 des Bauelements 10 auf. Das heißt, die im Betrieb des Bauelements 10 erzeugte Strahlung verlässt das Bauelement insbesondere an der Strahlungsaustrittsfläche 11. Die Strahlungsaustrittsfläche 11 ist frei von einer Strukturierung oder einer Streuschicht. The decoupling layer 1 is radiation-permeable and has one on the stack of layers 6 side facing away from a radiation exit surface 11 of the component 10 on. That is, in the operation of the device 10 generated radiation leaves the device in particular at the radiation exit surface 11 , The radiation exit surface 11 is free from structuring or scattering.

Die Auskoppelschicht 1 weist innere Streuelemente 12 auf. Die Streuelemente 11 sind im Inneren der Auskoppelschicht 1. Insbesondere weist die Auskoppelschicht 1 ein hochbrechendes Material auf, in das die Streuelemente 12 eingebettet sind. Die Streuelemente 12 sind im Inneren der Auskoppelschicht 1 unregelmäßig verteilt. Es ist auch möglich, dass die Streuelemente 11 in der gesamten Auskoppelschicht 1 gleichmäßig verteilt sind. The decoupling layer 1 has internal scattering elements 12 on. The scattering elements 11 are inside the decoupling layer 1 , In particular, the decoupling layer 1 a high-refractive material, in which the scattering elements 12 are embedded. The scattering elements 12 are inside the decoupling layer 1 distributed irregularly. It is also possible that the scattering elements 11 throughout the decoupling layer 1 evenly distributed.

Die Auskoppelschicht weist einen Brechungsindex n1 auf, der insbesondere mindestens 80 % des Brechungsindexes n2 des Schichtenstapels 6 ist. Beispielsweise ist der Brechungsindex n1 der Auskoppelschicht mindestens 1,6. Beispielsweise weist die Auskoppelschicht im Vergleich zum Glas einen größeren Brechungsindex auf. Bevorzugt ist der Brechungsindex n1 der Auskoppelschicht 1 größer als der Brechungsindex n2 des Schichtenstapels 6. Die im Betrieb des Bauelements emittierte Strahlung aus der organischen aktiven Schicht 63 kann somit verlustarm in die Auskoppelschicht 1 eingekoppelt werden. Die in die Auskoppelschicht 1 eingekoppelte Strahlung wird an den Streuelementen 12 gestreut, bevor sie das Bauelement 10 an der Strahlungsaustrittsfläche 11 verlässt, wodurch die Auskoppeleffizienz des Bauelements 10 verbessert wird. The decoupling layer has a refractive index n1, which is in particular at least 80% of the refractive index n2 of the layer stack 6 is. For example, the refractive index n1 of the coupling-out layer is at least 1.6. For example, the coupling-out layer has a greater refractive index than the glass. The refractive index n1 of the coupling-out layer is preferred 1 greater than the refractive index n2 of the layer stack 6 , The radiation emitted during operation of the device from the organic active layer 63 can thus loss in the decoupling layer 1 be coupled. The in the decoupling layer 1 coupled radiation is at the scattering elements 12 scattered before the component 10 at the radiation exit surface 11 leaves, reducing the coupling efficiency of the device 10 is improved.

Die Auskoppelschicht 1 ist mechanisch stabil ausgebildet. Die Auskoppelschicht 1 ist insbesondere als ein Trägerkörper des Bauelements ausgebildet. Letzteres bedeutet, dass die Auskoppelschicht derart ausgebildet ist, dass das Bauelement aufgrund der Auskoppelschicht nicht durch seine Eigenschwerkraft verformt wird und mechanisch stabil ist. The decoupling layer 1 is mechanically stable. The decoupling layer 1 is formed in particular as a carrier body of the device. The latter means that the decoupling layer is formed such that the component is not deformed by its Eigenschwerkkraft due to the coupling-out and is mechanically stable.

Die Auskoppelschicht 1 weist eine vertikale Dicke D1 auf, die beispielsweise zwischen 10 µm und 300 µm ist, insbesondere zwischen 20 µm und 200 µm, etwa zwischen 20 µm und 100 µm. Das Bauelement 10 ist auf einer dem Schichtenstapel 6 abgewandten Seite der Auskoppelschicht 1 frei von einem weiteren Trägerkörper des Bauelements. Die Strahlungsaustrittsfläche 11 ist eine Oberfläche der Auskoppelschicht 1 und begrenzt das Bauelement 10 in vertikaler Richtung. Es ist jedoch auch denkbar, dass eine strahlungsdurchlässige Schutzschicht direkt auf der Strahlungsaustrittsfläche 11 angeordnet ist. The decoupling layer 1 has a vertical thickness D1, which is for example between 10 .mu.m and 300 .mu.m, in particular between 20 .mu.m and 200 .mu.m, for example between 20 .mu.m and 100 .mu.m. The component 10 is on one of the layer stacks 6 opposite side of the decoupling layer 1 free of a further carrier body of the device. The radiation exit surface 11 is a surface of the coupling-out layer 1 and limits the device 10 in the vertical direction. However, it is also conceivable that a radiation-permeable protective layer directly on the radiation exit surface 11 is arranged.

Das Bauelement 10 weist eine erste Elektrode 2 und eine zweite Elektrode 3 zur elektrischen Kontaktierung des funktionellen Schichtenstapels 6 auf. Der Schichtenstapel 6 ist in vertikaler Richtung zwischen der ersten Elektrode 2 und der zweiten Elektrode 3 angeordnet. Die erste Elektrode 2 ist strahlungsdurchlässig und zwischen der Auskoppelschicht 1 und dem Schichtenstapel 6 angeordnet. Beispielsweise weist die erste Elektrode 2 eine Transmission für die von der organischen aktiven Schicht 63 erzeugte Strahlung von mindestens 70 %, bevorzugt mindestens 80 %, besonders bevorzugt mindestens 90 %, auf. Die erste Elektrode kann transparente leitende Materialien enthalten, beispielsweise transparente leitfähige Oxide. Alternativ kann die erste Elektrode 2 eine transparente Schicht mit darauf angeordnete Leiterbahnen, etwa Silber-Nano-Leiterbahnen, aufweisen. Es ist auch denkbar, dass solche Leiterbahnen der ersten Elektrode 2 direkt auf der Auskoppelschicht 1 angeordnet sind, sodass die Leiterbahnen der ersten Elektrode 2 sowohl mit der Auskoppelschicht 1 als auch mit dem Schichtenstapel 6 in direktem physischen Kontakt sind. The component 10 has a first electrode 2 and a second electrode 3 for electrical contacting of the functional layer stack 6 on. The layer stack 6 is in the vertical direction between the first electrode 2 and the second electrode 3 arranged. The first electrode 2 is radiation-permeable and between the coupling-out layer 1 and the layer stack 6 arranged. For example, the first electrode 2 a transmission for that of the organic active layer 63 generated radiation of at least 70%, preferably at least 80%, particularly preferably at least 90%. The first electrode may include transparent conductive materials, for example, transparent conductive oxides. Alternatively, the first electrode 2 a transparent layer having disposed thereon traces, such as silver nano-printed conductors, have. It is also conceivable that such conductor tracks of the first electrode 2 directly on the decoupling layer 1 are arranged so that the conductor tracks of the first electrode 2 both with the coupling-out layer 1 as well as with the layer stack 6 are in direct physical contact.

Die zweite Elektrode 3 ist beispielsweise für die im Betrieb des Bauelements 10 emittierte Strahlung reflektierend ausgebildet. Beispielsweise reflektiert die zweite Elektrode 3 mindestens 70 %, bevorzugt mindestens 90 % der auf die zweite Elektrode 3 auftreffenden Strahlung in Richtung der Auskoppelschicht 1. The second electrode 3 is for example for the operation of the device 10 emitted radiation formed reflective. For example, the second electrode reflects 3 at least 70%, preferably at least 90% of the second electrode 3 incident radiation in the direction of the coupling-out layer 1 ,

Die erste Elektrode 2 weist eine erste Kontaktbahn 20 auf, die in der lateralen Richtung seitlich des Schichtenstapels 6 angeordnet ist. Die zweite Elektrode 3 weist eine zweite Kontaktbahn 30 auf, die ebenfalls seitlich des Schichtenstapels 6 angeordnet ist. Über die erste Kontaktbahn 20 und die zweite Kontaktbahn 30 kann das optoelektronische Bauelement 10 mit einer externen Stromquelle elektrisch kontaktiert werden. The first electrode 2 has a first contact path 20 which are in the lateral direction laterally of the layer stack 6 is arranged. The second electrode 3 has a second contact track 30 on, which also side of the layer stack 6 is arranged. About the first contact track 20 and the second contact track 30 can the optoelectronic device 10 be electrically contacted with an external power source.

In der 1 ist eine Barriereschicht 72 zwischen der Auskoppelschicht 1 und dem Schichtenstapel 6 angeordnet. Der Schichtenstapel 6 ist von der Verkapselungsschicht 71 und von der Barriereschicht 72 in allen Richtungen vollständig umgeben, insbesondere hermetisch abgeschlossen. Die Verkapselungsschicht 71 und die Barriereschicht 72 schützen den Schichtenstapel 6 somit vor äußeren Umwelteinflüssen. Es ist auch denkbar, dass der Schichtenstapel 6 bereits von der Verkapselungsschicht 71 und von der Auskoppelschicht 1 vor äußeren Umwelteinflüssen ausreichend geschützt ist und das Bauelement 10 frei von einer solchen Barriereschicht 72 ist. In the 1 is a barrier layer 72 between the coupling-out layer 1 and the layer stack 6 arranged. The layer stack 6 is from the encapsulation layer 71 and from the barrier layer 72 Completely surrounded in all directions, in particular hermetically sealed. The encapsulation layer 71 and the barrier layer 72 protect the layer stack 6 thus against external environmental influences. It is also conceivable that the layer stack 6 already from the encapsulation layer 71 and from the decoupling layer 1 is sufficiently protected from external environmental influences and the device 10 free from such a barrier layer 72 is.

Das Bauelement 10 weist außerdem eine Schutzschicht 70 auf. Die Schutzschicht 70 ist insbesondere als eine Kratzschutzschicht ausgebildet. In Draufsicht auf die Auskoppelschicht bedeckt die Schutzschicht 70 die Verkapselungsschicht 71 vollständig, sodass die vergleichsweise empfindliche Verkapselungsschicht 71 vor äußeren mechanischen Einwirkungen geschützt ist. Die Schutzschicht 70 kann als ein Trägerkörper des Bauelements 10 ausgebildet sein. In so einem Fall kann die Auskoppelschicht 1 besonders dünn ausgestaltet werden.The component 10 also has a protective coating 70 on. The protective layer 70 is especially designed as a scratch protection layer. In top view of the decoupling layer covers the protective layer 70 the encapsulation layer 71 completely, so that the comparatively sensitive encapsulation layer 71 is protected from external mechanical influences. The protective layer 70 can as a carrier body of the device 10 be educated. In such a case, the decoupling layer 1 be made very thin.

Beispielsweise ist die Schutzschicht 70 flexibel, insbesondere biegbar, ausgebildet. Zum Beispiel ist die Schutzschicht 70 eine Polymerschicht. Die Schutzschicht 70 weist eine vertikale Dicke D2 auf, die beispielsweise zwischen 20 µm und 200 µm, insbesondere zwischen 20 µm und 100 µm ist. Die Schutzschicht 70 begrenzt das Bauelement 10 in vertikaler Richtung. For example, the protective layer 70 flexible, in particular bendable, formed. For example, the protective layer 70 a polymer layer. The protective layer 70 has a vertical thickness D2, which is for example between 20 .mu.m and 200 .mu.m, in particular between 20 .mu.m and 100 .mu.m. The protective layer 70 limits the component 10 in the vertical direction.

Das Bauelement 10 weist eine vertikale Gesamtdicke D auf. Die Gesamtdicke D ist beispielsweise zwischen 40 µm und 400 µm. Insbesondere kann die Gesamtdicke D zwischen 40 µm und 300 µm, beispielsweise zwischen 40 µm und 200 µm sein. The component 10 has a vertical total thickness D. The total thickness D is, for example, between 40 μm and 400 μm. In particular, the total thickness D may be between 40 μm and 300 μm, for example between 40 μm and 200 μm.

2A zeigt eine schematische Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels für ein optoelektronisches Bauelement. 2A shows a schematic sectional view of an embodiment of an optoelectronic device.

Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement in 1. Im Unterschied hierzu weist die Auskoppelschicht 1 neben den Streuelementen 12 auch ein Konversionsmaterial 15 auf, das insbesondere in Form von Leuchtstoffpartikeln ist. Die Streuelemente 12 und das Konversionsmaterial 15 können in demselben hochbrechenden Material der Auskoppelschicht eingebettet sein. Aufgrund der Übersichtlichkeit wird im Unterschied zu 1 lediglich ein Teilbereich zwischen der ersten Isolierungsstruktur 4 und der zweiten Isolierungsstruktur 5 dargestellt. This embodiment essentially corresponds to the exemplary embodiment of an optoelectronic component in FIG 1 , In contrast, the decoupling layer has 1 next to the scattering elements 12 also a conversion material 15 on, which is in particular in the form of phosphor particles. The scattering elements 12 and the conversion material 15 may be embedded in the same high refractive index decoupling material. Due to the clarity is unlike 1 only a portion between the first insulation structure 4 and the second insulation structure 5 shown.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement 10 ist in 2B in Schnittansicht schematisch dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 2A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die Auskoppelschicht 1 eine Streuschicht 13 mit den inneren Streuelementen 12 auf. Des Weiteren weist die Auskoppelschicht 1 zwei Teilschichten 14 auf. Die Streuschicht 13 ist in vertikaler Richtung zwischen den Teilschichten 14 angeordnet. Zumindest eine der Teilschichten 14 weist eine vertikale Dicke auf, die größer als eine vertikale Dicke der Streuschicht 13 ist. Die Teilschichten 14 der Auskoppelschicht 1 sind frei von den inneren Streuelementen 12. Die Auskoppelschicht 1 kann ein Konversionsmaterial aufweisen. Insbesondere enthält eine zwischen dem Schichtenstapel 6 und der Streuschicht 13 angeordnete Teilschicht 14 das Konversionsmaterial, beispielsweise in Form von Leuchtstoffpartikeln.Another embodiment of an optoelectronic device 10 is in 2 B shown schematically in sectional view. This embodiment corresponds essentially to that in the 2A illustrated embodiment. In contrast, the decoupling layer has 1 a litter layer 13 with the inner scattering elements 12 on. Furthermore, the decoupling layer 1 two partial layers 14 on. The litter layer 13 is in the vertical direction between the sublayers 14 arranged. At least one of the partial layers 14 has a vertical thickness greater than a vertical thickness of the litter layer 13 is. The sublayers 14 the decoupling layer 1 are free from the internal scattering elements 12 , The decoupling layer 1 may have a conversion material. In particular, one contains between the layer stack 6 and the litter layer 13 arranged partial layer 14 the conversion material, for example in the form of phosphor particles.

Die Streuelemente 12 sind beispielsweise in einem hochbrechenden Material der Streuschicht 13 eingebettet. Insbesondere weisen die Streuschicht 13 und die Teilschichten 14 das gleiche hochbrechende Material auf. Insbesondere weist das hochbrechende Material einen Brechungsindex auf, der mindestens 1,6, insbesondere mindestens 1,7, etwa mindestens 2,0 ist. Genauso wie bei den Ausführungsbeispielen in den 1 und 2A kann die in der 2B beschriebene Auskoppelschicht 1 durchgängig in der gesamten vertikalen Höhe ein gleiches hochbrechendes Material aufweisen. Es ist auch denkbar, dass die Streuschicht 13 als eine vorgefertigte Streuschicht ausgebildet ist, die in dem hochbrechenden Material der Auskoppelschicht 1 eingebettet ist. The scattering elements 12 For example, in a high refractive index material, the litter layer 13 embedded. In particular, the litter layer 13 and the sublayers 14 the same high refractive index material. In particular, the high-index material has a refractive index which is at least 1.6, in particular at least 1.7, approximately at least 2.0. Just as in the embodiments in the 1 and 2A can the in the 2 B described decoupling layer 1 consistently throughout the vertical height have the same high refractive index material. It is also conceivable that the litter layer 13 is formed as a prefabricated litter layer in the high refractive index material of the Auskoppelschicht 1 is embedded.

In den 3A bis 3D sind verschiedene Verfahrensstadien eines Ausführungsbeispiels zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements schematisch dargestellt. In the 3A to 3D different process stages of an embodiment for the production of an optoelectronic component are shown schematically.

In 3A wird ein Opfersubstrat 9 bereitgestellt. Das Opfersubstrat 9 kann ein Glaskörper sein. Alternativ kann das Opfersubstrat 9 aus Materialien ausgebildet sein, die im Vergleich zum Glas einen geringeren Elastizitätsmodul und/oder ein geringeres Bruchrisiko aufweisen. Beispielsweise ist das Opfersubstrat 9 aus einem Kunststoff, etwa PET, oder aus einem Metall, etwa Aluminium, ausgebildet. In 3A becomes a victim substrate 9 provided. The sacrificial substrate 9 can be a vitreous. Alternatively, the sacrificial substrate 9 be formed of materials that have a lower modulus of elasticity and / or a lower risk of breakage compared to the glass. For example, the victim substrate 9 made of a plastic, such as PET, or of a metal, such as aluminum.

Auf das Opfersubstrat 9 wird eine Opferschicht 8 aufgebracht, beispielsweise mittels eines Beschichtungsverfahrens. Die Opferschicht 8 ist insbesondere eine lösliche Lackschicht oder eine lösliche Polymerschicht. Des Weiteren kann die Opferschicht temporäre Klebstoffe oder pyrolytische Lacke aufweisen. Insbesondere ist die Opferschicht durch Zuführung einer chemischen Lösung auflösbar. On the victim substrate 9 becomes a sacrificial layer 8th applied, for example by means of a coating process. The sacrificial layer 8th is in particular a soluble lacquer layer or a soluble polymer layer. Furthermore, the sacrificial layer may have temporary adhesives or pyrolytic paints. In particular, the sacrificial layer can be dissolved by supplying a chemical solution.

Eine Auskoppelschicht 1 mit inneren Streuelementen 12 wird auf das Opfersubstrat 9 aufgebracht. Die Opferschicht 8 ist zwischen der Auskoppelschicht 1 und dem Opfersubstrat 9 angeordnet. Beispielsweise wird die Auskoppelschicht mittels eines Beschichtungsverfahrens, etwa eines nasschemischen Verfahrens, auf das Opfersubstrat aufgebracht. Die Auskoppelschicht 1 wird derart ausgebildet, dass diese mechanisch stabil ist und insbesondere als ein Trägerkörper für einen darauf aufzubringenden funktionellen Schichtenstapel 6 oder für das herzustellende optoelektronische Bauelements 10 dienen kann. Insbesondere ist eine vertikale Dicke der Auskoppelschicht 1 zwischen 10 µm und 300 µm, beispielsweise zwischen 20 µm und 200 µm, etwa zwischen 20 µm und 100 µm. Die Auskoppelschicht 1 wird insbesondere aus einem hochbrechenden Material ausgebildet, das einen Brechungsindex aufweist, der mindestens 1,6 ist. Die inneren Streuelemente 12 werden dabei in das hochbrechende Material eingebettet. Die Streuelemente 12 und/oder das Konversionsmaterial 15 können gleichmäßig oder ungleichmäßig in einem Teil der Auskoppelschicht 1 oder in der gesamten Auskoppelschicht 1 verteilt sein. A decoupling layer 1 with internal scattering elements 12 is on the victim substrate 9 applied. The sacrificial layer 8th is between the decoupling layer 1 and the sacrificial substrate 9 arranged. By way of example, the coupling-out layer is applied to the sacrificial substrate by means of a coating method, for example a wet-chemical method. The decoupling layer 1 is formed such that it is mechanically stable and in particular as a carrier body for a functional layer stack to be applied thereto 6 or for the optoelectronic component to be produced 10 can serve. In particular, a vertical thickness of the coupling-out layer 1 between 10 .mu.m and 300 .mu.m, for example between 20 .mu.m and 200 .mu.m, for example between 20 .mu.m and 100 .mu.m. The decoupling layer 1 is formed in particular of a high refractive index material having a refractive index which is at least 1.6. The inner scattering elements 12 are embedded in the high-index material. The scattering elements 12 and / or the conversion material 15 may be uniform or uneven in a part of the decoupling layer 1 or in the entire decoupling layer 1 be distributed.

Zur Ausbildung der Auskoppelschicht 1 können zumindest eine Teilschicht 14 aus dem hochbrechenden Material und eine Streuschicht 13 schichtenweise auf das Opfersubstrat 9 aufgebracht werden. Die Streuschicht 13 enthält dabei die Streuelemente 12, wobei die zumindest eine Teilschicht 14 frei von den Streuelementen 12 sein kann. Beispielsweise werden die Streuelemente 12 insbesondere in Form von Streupartikeln auf die zumindest eine Teilschicht 14 aufgebracht. Anschließend kann eine weitere Teilschicht 14 aus dem hochbrechenden Material auf die zumindest eine Teilschicht 14 und die Streuelemente 12 aufgebracht werden. Eine dem Opfersubstrat 9 abgewandte Seite angeordnete Teilschicht 14 der Auskoppelschicht 1 kann dabei als eine Planarisierungsschicht ausgebildet werden.To form the decoupling layer 1 can at least a sub-layer 14 from the high refractive material and a litter layer 13 layer by layer on the victim substrate 9 be applied. The litter layer 13 contains the scattering elements 12 , wherein the at least one partial layer 14 free from the scattering elements 12 can be. For example, the scattering elements 12 in particular in the form of scattering particles on the at least one partial layer 14 applied. Subsequently, another sub-layer 14 from the high refractive index material to the at least one partial layer 14 and the scattering elements 12 be applied. A the sacrificial substrate 9 opposite side arranged partial layer 14 the decoupling layer 1 can be formed as a planarization layer.

Alternativ wird die Auskoppelschicht 1 mehrschichtig ausgebildet, wobei eine Streuschicht 13 mit den Streuelementen 12 zwischen zwei Teilschichten 14 der Auskoppelschicht 1 ausgebildet wird. Alternatively, the coupling-out layer 1 multi-layered, with a litter layer 13 with the scattering elements 12 between two partial layers 14 the decoupling layer 1 is trained.

Gemäß der 3B wird eine Barriereschicht 72 direkt auf die Auskoppelschicht 1 aufgebracht. Grundsätzlich kann die Ausbildung einer solchen Barriereschicht 72 jedoch optional sein. Nachfolgend werden eine erste Elektrode 2, ein funktioneller Schichtenstapel 6 mit einer ersten Ladungstransportschicht 61, einer organischen aktiven Schicht 63, und einer zweiten Ladungstransportschicht 62, sowie eine zweite Elektrode 3 und eine Verkapselungsschicht 71 nacheinander auf die Auskoppelschicht 1 aufgebracht, etwa mittels eines Beschichtungsverfahrens. Anschließend wird eine Schutzschicht 70 auf die Verkapselungsschicht 71 aufgebracht. According to the 3B becomes a barrier layer 72 directly on the decoupling layer 1 applied. Basically, the formation of such a barrier layer 72 however, be optional. Below is a first electrode 2 , a functional layer stack 6 with a first charge transport layer 61 , an organic active layer 63 , and a second charge transport layer 62 , as well as a second electrode 3 and an encapsulation layer 71 successively on the decoupling layer 1 applied, for example by means of a coating process. Subsequently, a protective layer 70 on the encapsulation layer 71 applied.

In der 3C wird das Opfersubstrat 9 von dem optoelektronischen Bauelement 10 abgelöst. Das Entfernen des Opfersubstrats 9 wird insbesondere an der Opferschicht 8 durchgeführt, wodurch das abgelöste Opfersubstrat 9 bei der Herstellung weiterer optoelektronischer Bauelemente wiederverwendet werden kann.In the 3C becomes the sacrificial substrate 9 from the optoelectronic component 10 replaced. The removal of the sacrificial substrate 9 especially at the sacrificial layer 8th performed, whereby the detached sacrificial substrate 9 can be reused in the manufacture of other optoelectronic devices.

Gemäß 3D wird das Opfersubstrat 9 von dem optoelektronischen Bauelement 10 entfernt. Das in der 3D beschriebene Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in den 3A bis 3C beschriebenen Ausführungsbeispiel des Verfahrens. Im Unterschied hierzu wird keine Opferschicht 8 bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements verwendet. Das Opfersubstrat 9 wird insbesondere in Form einer Folie bereitgestellt. Die Auskoppelschicht 1 wird direkt auf das Opfersubstrat 9 aufgebracht. Das in Form einer Folie ausgebildete Opfersubstrat 9 wird von der ausgehärteten Auskoppelschicht 1 beispielsweise mechanisch entfernt. Insbesondere kann das Opfersubstrat 9 von der Auskoppelschicht 1 abgezogen oder abgeschält werden. According to 3D becomes the sacrificial substrate 9 from the optoelectronic component 10 away. That in the 3D described embodiment corresponds essentially to that in the 3A to 3C described embodiment of the method. In contrast, this does not become a sacrificial layer 8th used in the manufacture of the optoelectronic device. The sacrificial substrate 9 is provided in particular in the form of a film. The decoupling layer 1 gets directly onto the victim's substrate 9 applied. The trained in the form of a film sacrificial substrate 9 is from the cured decoupling layer 1 for example mechanically removed. In particular, the sacrificial substrate 9 from the coupling-out layer 1 be peeled off or peeled off.

Mit der Verwendung eines Opfersubstrats kann somit ein hoch effizientes organisches Bauelement mit einer besonders dünnen, hochbrechenden und streuenden Auskoppelschicht vereinfacht und kostengünstig hergestellt werden. With the use of a sacrificial substrate, a highly efficient organic component with a particularly thin, high-refractive and scattering coupling-out layer can thus be simplified and produced at low cost.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description of the invention based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which includes in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement (10) aufweisend einen funktionellen Schichtenstapel (6) mit einer organischen aktiven Schicht (63) und eine mechanisch stabil ausgebildete Auskoppelschicht (1), wobei – die organische aktive Schicht (63) im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung emittiert, – der funktionelle Schichtenstapel (6) auf der Auskoppelschicht (1) angeordnet ist, – die Auskoppelschicht (1) innere Streuelemente (12) aufweist, und – die Auskoppelschicht (1) einen Brechungsindex (n1) aufweist, der mindestens 80 % eines Brechungsindexes (n2) des Schichtenstapels (6) ist.Optoelectronic component ( 10 ) comprising a functional layer stack ( 6 ) with an organic active layer ( 63 ) and a mechanically stable Auskoppelschicht ( 1 ), wherein - the organic active layer ( 63 ) emits electromagnetic radiation during operation of the component, - the functional layer stack ( 6 ) on the decoupling layer ( 1 ), - the decoupling layer ( 1 ) internal scattering elements ( 12 ), and - the decoupling layer ( 1 ) has a refractive index (n1) which is at least 80% of a refractive index (n2) of the layer stack ( 6 ). Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Brechungsindex (n1) der Auskoppelschicht (1) größer als der Brechungsindex (n2) des Schichtenstapels (6) ist, wobei der Brechungsindex (n1) der Auskoppelschicht (1) mindestens 1,6 ist.Component according to the preceding claim, in which the refractive index (n1) of the coupling-out layer ( 1 ) greater than the refractive index (n2) of the layer stack ( 6 ), wherein the refractive index (n1) of the decoupling layer ( 1 ) is at least 1.6. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Auskoppelschicht (1) eine Dicke (D1) zwischen einschließlich 20 µm und einschließlich 200 µm aufweist.Component according to one of the preceding claims, in which the decoupling layer ( 1 ) has a thickness (D1) of between 20 μm and 200 μm inclusive. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das auf einer dem Schichtenstapel (6) abgewandten Seite der Auskoppelschicht (1) frei von einem Trägerkörper des Bauelements ist.Component according to one of the preceding claims, which is mounted on a stack of layers ( 6 ) side facing away from the decoupling layer ( 1 ) is free from a carrier body of the device. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Auskoppelschicht (1) biegbar ausgebildet ist. Component according to one of the preceding claims, in which the decoupling layer ( 1 ) is formed bendable. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die inneren Streuelemente (12) in einem Material der Auskoppelschicht (1) eingebettet sind.Component according to one of the preceding claims, in which the inner scattering elements ( 12 ) in a material of the decoupling layer ( 1 ) are embedded. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Auskoppelschicht (1) mehrschichtig ausgebildet ist und eine Streuschicht (13) mit den inneren Streuelementen (12) aufweist.Component according to one of the preceding claims, in which the decoupling layer ( 1 ) is multi-layered and a litter layer ( 13 ) with the inner scattering elements ( 12 ) having. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Barriereschicht (72) zwischen der Auskoppelschicht (1) und dem Schichtenstapel (6) angeordnet ist.Component according to one of the preceding claims, in which a barrier layer ( 72 ) between the coupling-out layer ( 1 ) and the layer stack ( 6 ) is arranged. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das eine Schutzschicht (70) und eine zwischen dem Schichtenstapel (6) und der Schutzschicht (70) angeordnete Verkapselungsschicht (71) aufweist, wobei der Schichtenstapel (6) von der Verkapselungsschicht (71) vollständig bedeckt ist.Component according to one of the preceding claims, comprising a protective layer ( 70 ) and one between the layers ( 6 ) and the protective layer ( 70 ) encapsulation layer ( 71 ), wherein the layer stack ( 6 ) of the encapsulation layer ( 71 ) is completely covered. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (10), das eine Auskoppelschicht (1) mit inneren Streuelementen (12) und einen funktionellen Schichtenstapel (6) mit einer organischen, im Betrieb des Bauelements elektromagnetische Strahlung emittierenden Schicht (63) aufweist, mit folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Opfersubstrats (9); b) Aufbringen der Auskoppelschicht (1) auf das Opfersubstrat (9), wobei die Auskoppelschicht (1) mechanisch stabil ausgebildet wird; c) Aufbringen des funktionellen Schichtenstapels (6) auf die Auskoppelschicht (1), wobei die Auskoppelschicht (1) einen Brechungsindex (n1) aufweist, der mindestens 80 % eines Brechungsindexes (n2) des Schichtenstapels (6) ist; und d) Entfernen des Opfersubstrats (9) von dem Bauelement (10).Method for producing an optoelectronic component ( 10 ), the one Decoupling layer ( 1 ) with inner scattering elements ( 12 ) and a functional layer stack ( 6 ) with an organic, in the operation of the device electromagnetic radiation emitting layer ( 63 ), comprising the following steps: a) providing a sacrificial substrate ( 9 ); b) applying the coupling-out layer ( 1 ) on the victim substrate ( 9 ), wherein the coupling-out layer ( 1 ) is formed mechanically stable; c) applying the functional layer stack ( 6 ) on the decoupling layer ( 1 ), wherein the coupling-out layer ( 1 ) has a refractive index (n1) which is at least 80% of a refractive index (n2) of the layer stack ( 6 ); and d) removing the sacrificial substrate ( 9 ) of the device ( 10 ). Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Auskoppelschicht(1) mittels eines nasschemischen Verfahrens auf das Opfersubstrat (9) aufgebracht wird.Method according to the preceding claim, in which the decoupling layer ( 1 ) by means of a wet-chemical process on the sacrificial substrate ( 9 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 11, bei dem die Auskoppelschicht(1) aus einem Material mit einem Brechungsindex von mindestens 1,6 ausgebildet wird und Streuelemente (12) in das Material eingebettet werden.Method according to one of claims 10 to 11, wherein the coupling-out layer ( 1 ) is formed of a material having a refractive index of at least 1.6 and scattering elements ( 12 ) are embedded in the material. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem zur Ausbildung der Auskoppelschicht (1) zumindest eine Teilschicht (14) aus einem Material mit einem Brechungsindex von mindestens 1,6 und eine Streuschicht (13) schichtenweise auf das Opfersubstrat (9) aufgebracht werden, wobei die Streuschicht (13) die Streuelemente (12) aufweist und die zumindest eine Teilschicht (14) frei von den Streuelementen (12) ist. Method according to one of claims 10 to 12, wherein for the formation of the decoupling layer ( 1 ) at least one sub-layer ( 14 ) of a material having a refractive index of at least 1.6 and a litter layer ( 13 ) layer by layer on the sacrificial substrate ( 9 ), the litter layer ( 13 ) the scattering elements ( 12 ) and the at least one sub-layer ( 14 ) free of the scattering elements ( 12 ). Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem vor dem Aufbringen des funktionellen Schichtenstapels (6) eine Opferschicht (8) direkt auf das Opfersubstrat (9) aufgebracht wird.Method according to one of claims 10 to 13, wherein prior to the application of the functional layer stack ( 6 ) a sacrificial layer ( 8th ) directly on the sacrificial substrate ( 9 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem das Opfersubstrat (9) in Form einer Folie bereitgestellt wird und die Auskoppelschicht (1) direkt auf das Opfersubstrat (9) aufgebracht wird.Method according to one of Claims 10 to 13, in which the sacrificial substrate ( 9 ) is provided in the form of a film and the decoupling layer ( 1 ) directly on the sacrificial substrate ( 9 ) is applied.
DE102014110971.6A 2014-08-01 2014-08-01 Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component Ceased DE102014110971A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014110971.6A DE102014110971A1 (en) 2014-08-01 2014-08-01 Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
PCT/EP2015/067426 WO2016016331A1 (en) 2014-08-01 2015-07-29 Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014110971.6A DE102014110971A1 (en) 2014-08-01 2014-08-01 Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014110971A1 true DE102014110971A1 (en) 2016-02-04

Family

ID=53718026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014110971.6A Ceased DE102014110971A1 (en) 2014-08-01 2014-08-01 Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102014110971A1 (en)
WO (1) WO2016016331A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016219060A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Osram Oled Gmbh Optoelectronic device with reflection property
DE102017119499A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Osram Oled Gmbh OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013154133A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 シャープ株式会社 Light-scattering body, light-scattering body film, light-scattering body substrate, light-scattering body device, light-emitting device, display device, and illumination device
WO2014045574A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent element and light emitting device
WO2014048927A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Saint-Gobain Glass France Method of producing a transparent diffusive oled substrate and substrate obtained
EP2498316B1 (en) * 2011-03-10 2014-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a flexible display device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1638585A (en) * 2003-12-26 2005-07-13 日东电工株式会社 Electroluminescence device, planar light source and display using the same
WO2008139370A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for the manufacturing of an optoelectronic device
JP6268615B2 (en) * 2012-11-30 2018-01-31 エルジー・ケム・リミテッド Substrates for organic electronic devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2498316B1 (en) * 2011-03-10 2014-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a flexible display device
WO2013154133A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 シャープ株式会社 Light-scattering body, light-scattering body film, light-scattering body substrate, light-scattering body device, light-emitting device, display device, and illumination device
WO2014045574A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent element and light emitting device
WO2014048927A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Saint-Gobain Glass France Method of producing a transparent diffusive oled substrate and substrate obtained

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016219060A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Osram Oled Gmbh Optoelectronic device with reflection property
DE102017119499A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Osram Oled Gmbh OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016016331A1 (en) 2016-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012200084B4 (en) RADIATION-EMITTING ORGANIC COMPONENT
DE102016122901A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102011086168A1 (en) ORGANIC LIGHT EMITTING COMPONENT
WO2016180734A1 (en) Method for mirrorizing lateral surfaces of optical components for use in optoelectronic semiconductor bodies, and optoelectronic semiconductor body which can be mounted on surfaces
DE102012206955A1 (en) Method for producing a scattering layer for electromagnetic radiation and scattering layer for scattering electromagnetic radiation
DE102018118116A1 (en) A method of manufacturing an electrically conductive substrate, an electronic device, and a display device
DE102012221191A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102014110971A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102016108681A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
EP2936583B1 (en) Method for producing an organic light-emitting component
WO2021043901A1 (en) Optoelectronic component and method for manufacturing an optoelectronic component
DE102014218667B4 (en) Optoelectronic assembly and method of manufacturing an optoelectronic assembly
WO2016102584A1 (en) Optoelectronic assembly and method for producing an optoelectronic assembly
WO2016023903A1 (en) Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
EP3075017B1 (en) Electronic component
DE112015004174B4 (en) Organic component
WO2013075937A1 (en) Radiation-emitting organic component
DE102012202924B4 (en) Method for contacting an organic, optoelectronic component by means of ultrasound
DE102016122685A1 (en) Organic component and method for producing an organic component
WO2016156026A1 (en) Organic light-emitting diode and method for producing an organic light-emitting diode
WO2016037925A1 (en) Radiation-emitting device and method for producing same
DE102017106018A1 (en) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
DE102013105128A1 (en) Optoelectronic component
WO2015082687A1 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102017117282A1 (en) OPTOELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE SAME METHOD

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: PICTIVA DISPLAYS INTERNATIONAL LIMITED, IE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OLED GMBH, 93049 REGENSBURG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final