DE102014222606A1 - Sensor device and corresponding manufacturing method - Google Patents

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Christoph von Jutrzenka Trzebiatowski
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Abstract

Die vorliegende Erfindung offenbart eine Sensoreinrichtung zur Erfassung von Druck, mit einer unter Druck verformbaren Membran und mit mindestens vier Messwiderständen, welche jeweils zwei Widerstandselemente aufweisen, wobei die zwei Widerstandselemente jeweils elektrisch in Serie an unterschiedlichen Orten an und/oder auf der Membran angeordnet sind. Ferner offenbart die vorliegende Erfindung ein Herstellungsverfahren für eine erfindungsgemäße Sensoreinrichtung.The present invention discloses a sensor device for detecting pressure, with a deformable under pressure membrane and at least four measuring resistors, each having two resistive elements, wherein the two resistive elements are each arranged electrically in series at different locations on and / or on the membrane. Furthermore, the present invention discloses a manufacturing method for a sensor device according to the invention.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Sensoreinrichtung zur Erfassung von Druck und ein Herstellungsverfahren für eine Sensoreinrichtung.The present invention relates to a sensor device for detecting pressure and a manufacturing method for a sensor device.

Stand der TechnikState of the art

Drucksensoren werden heute in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt. Beispielsweise können Drucksensoren in Consumergeräten, wie z.B. Handys, Haushaltsgeräten, Gaswarnern oder dergleichen eingesetzt werden.Pressure sensors are used today in a variety of applications. For example, pressure sensors in consumer devices, such as Cell phones, household appliances, gas monitors or the like can be used.

Zur Druckmessung werden dabei häufig MEMS-basierte (Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme) Sensoren eingesetzt. Dabei wird üblicherweise eine Messbrücke auf einer unter Druck elastisch verformbaren Membran aufgebracht.For pressure measurement, MEMS-based (microelectromechanical systems) sensors are frequently used. In this case, usually a measuring bridge is applied to a pressure-elastically deformable membrane.

Die DE 102 31 727 A1 zeigt beispielhaft einen solchen Drucksensor.The DE 102 31 727 A1 shows an example of such a pressure sensor.

Die Widerstandsmessbrücke besteht üblicherweise aus vier abwechselnd reihum angeordneten lateral und longitudinal druckempfindlichen piezoresistiven Elementen. Ein Verbiegen der Membran führt zu einer gegenläufigen Widerstandsänderung benachbarter Widerstande und damit zu einer veränderten Brückenspannung.The resistance measuring bridge usually consists of four alternately arranged in succession laterally and longitudinally pressure-sensitive piezoresistive elements. A bending of the membrane leads to an opposite change in resistance of adjacent resistors and thus to an altered bridge voltage.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die vorliegende Erfindung offenbart eine Sensoreinrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und ein Herstellungsverfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 9.The present invention discloses a sensor device having the features of patent claim 1 and a manufacturing method having the features of patent claim 9.

Demgemäß ist vorgesehen:
Eine Sensoreinrichtung zur Erfassung von Druck, mit einer unter Druck verformbaren Membran und mit mindestens vier Messwiderständen, welche jeweils zwei Widerstandselemente aufweisen, wobei die zwei Widerstandselemente jeweils elektrisch in Serie an unterschiedlichen Orten an und/oder auf der Membran angeordnet sind.Accordingly, it is provided:
A sensor device for detecting pressure, with a deformable under pressure membrane and having at least four measuring resistors, each having two resistive elements, wherein the two resistive elements are each arranged electrically in series at different locations on and / or on the membrane.

Ferner ist vorgesehen:
Ein Herstellungsverfahren für eine erfindungsgemäße Sensoreinrichtung, aufweisend Bereitstellen einer unter Druck verformbaren Membran, und Anordnen von mindestens vier Messwiderständen an und/oder auf der Membran, wobei jeder der mindestens vier Messwiderstände jeweils in Form von zwei Widerstandselementen, welche jeweils elektrisch in Serie an unterschiedlichen Orten an und/oder auf der Membran angeordnet werden, auf der Membran angeordnet wird.It is also provided:
A manufacturing method for a sensor device according to the invention, comprising providing a pressure-deformable membrane, and arranging at least four measuring resistors on and / or on the membrane, each of the at least four measuring resistors each in the form of two resistive elements, each electrically in series at different locations be arranged on and / or on the membrane, is arranged on the membrane.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Die der vorliegenden Erfindung zu Grunde liegende Erkenntnis besteht darin, dass piezoresistive Widerstände sehr temperaturempfindlich sind. Besonders kritisch ist ein Temperaturgradient auf der Membran, da hier nicht mehr zwischen temperaturinduzierter und druckinduzierter Widerstandsänderung unterschieden werden kann.The finding underlying the present invention is that piezoresistive resistors are very temperature sensitive. Particularly critical is a temperature gradient on the membrane, since no distinction can be made here between temperature-induced and pressure-induced change in resistance.

Ein Gradient wird z.B. durch den Betrieb benachbarter leistungsintensiver Bauelemente hervorgerufen. Um einen Temperaturgradienten zu ermitteln, sind bisher mindestens 2 unterschiedliche temperaturempfindliche Elemente, i.d.R. Dioden oder Widerstände, nötig. Neben dem erhöhten Platzbedarf bestehen auch extreme Anforderungen an die Messgenauigkeit, da bereits Gradienten im Millikelvin-Bereich die Druckerfassung merklich beeinflussen.A gradient is e.g. caused by the operation of adjacent power-intensive components. In order to determine a temperature gradient, at least 2 different temperature-sensitive elements, i.d.R. Diodes or resistors, necessary. In addition to the increased space requirement, there are also extreme demands on the measuring accuracy, since even gradients in the millikelvin range noticeably influence the pressure detection.

Die der vorliegenden Erfindung zu Grunde liegende Idee besteht nun darin, dieser Erkenntnis Rechnung zu tragen und eine Möglichkeit vorzusehen, die Temperaturabhängigkeit der Messwiderstände der Sensoreinrichtung zu verringern.The idea on which the present invention is based now consists in taking this knowledge into account and providing a possibility for reducing the temperature dependence of the measuring resistances of the sensor device.

Dazu sieht die vorliegende Erfindung vor, dass jeder der vier Messwiderstände aus zwei Widerstandselementen aufgebaut wird, welche elektrisch in Serie aber an unterschiedlichen Orten auf oder an der Membran der Sensoreinrichtung angeordnet werden.For this purpose, the present invention provides that each of the four measuring resistors is constructed from two resistance elements which are arranged electrically in series but at different locations on or on the membrane of the sensor device.

Dies ermöglicht die Anordnung der einzelnen Widerstandselemente der Sensoreinrichtung in einer Art und Weise, die die Einflüsse der Temperatur auf einen Messwiderstand in dem jeweils benachbarten Messwiderstand repliziert und dadurch die Sensoreinrichtung unempfindlicher gegenüber Temperaturunterschieden macht.This enables the arrangement of the individual resistance elements of the sensor device in a manner which replicates the influences of the temperature on a measuring resistor in the respectively adjacent measuring resistor and thereby makes the sensor device more insensitive to temperature differences.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie aus der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Figuren.Advantageous embodiments and further developments emerge from the dependent claims and from the description with reference to the figures.

In einer Ausführungsform sind die zwei Widerstandselemente jedes der mindestens vier Messwiderstände derart angeordnet und/oder ausgebildet, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran in einer gemeinsamen vorgegebenen Richtung das gleiche Vorzeichen aufweisen. Dies ermöglicht die Anordnung der jeweils zwei Widerstandselemente an unterschiedlichen Orten, ohne die Funktion des jeweiligen Messwiderstands zu verändern.In one embodiment, the two resistance elements of each of the at least four measuring resistors are arranged and / or formed such that their resistance changes have the same sign when the membrane is deformed in a common predetermined direction. This allows the arrangement of each two resistive elements at different locations, without changing the function of the respective measuring resistor.

In einer Ausführungsform sind die vier Messwiderstände in Form einer Messbrücke angeordnet. Ferner weist die Messbrücke einen positiven Versorgungsanschluss und einen negativen Versorgungsanschluss und einen positiven Messanschluss und einen negativen Messanschluss auf. Dies ermöglicht eine einfache Auswertung der Verformung der Membran.In one embodiment, the four measuring resistors are arranged in the form of a measuring bridge. Furthermore, the measuring bridge has a positive Supply connection and a negative supply connection and a positive measuring connection and a negative measuring connection. This allows a simple evaluation of the deformation of the membrane.

In einer Ausführungsform ist der erster der Messwiderstände mit dem positiven Versorgungsanschluss und dem positiven Messanschluss gekoppelt.In an embodiment, the first of the sensing resistors is coupled to the positive supply terminal and the positive sensing terminal.

In einer Ausführungsform ist der zweite der Messwiderstände mit dem positiven Versorgungsanschluss und dem negativen Messanschluss gekoppelt.In one embodiment, the second of the sensing resistors is coupled to the positive supply terminal and the negative sensing terminal.

In einer Ausführungsform ist der dritte der Messwiderstände mit dem negativen Versorgungsanschluss und dem positiven Messanschluss gekoppelt.In one embodiment, the third of the sense resistors is coupled to the negative supply terminal and the positive sense terminal.

In einer Ausführungsform ist der vierte der Messwiderstände mit dem negativen Versorgungsanschluss und dem negativen Messanschluss gekoppelt.In an embodiment, the fourth of the sensing resistors is coupled to the negative supply terminal and the negative sensing terminal.

In einer Ausführungsform ist das erste Widerstandselement des ersten Widerstands gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement des zweiten Widerstands an einem Ort der Membran angeordnet. In einer Ausführungsform ist das zweite Widerstandselement des ersten Widerstands gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement des zweiten Widerstands an einem Ort der Membran angeordnet.In one embodiment, the first resistance element of the first resistor is arranged together with the first resistance element of the second resistance at a location of the membrane. In one embodiment, the second resistance element of the first resistor is arranged together with the second resistance element of the second resistance at a location of the membrane.

In einer Ausführungsform ist das erste Widerstandselement des dritten Widerstands gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement des vierten Widerstands an einem Ort der Membran angeordnet. In einer Ausführungsform ist das zweite Widerstandselement des dritten Widerstands gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement des vierten Widerstands an einem Ort der Membran angeordnet.In one embodiment, the first resistance element of the third resistor is arranged together with the first resistance element of the fourth resistance at a location of the membrane. In one embodiment, the second resistance element of the third resistor is arranged together with the second resistance element of the fourth resistance at a location of the membrane.

In einer Ausführungsform sind anstelle des ersten Messwiderstands und des zweiten Messwiderstands bzw. des dritten Messwiderstands und des vierten Messwiderstands z.B. der erste Messwiderstand mit dem vierten Messwiderstand und der zweite Messwiderstand mit dem dritten Messwiderstand ineinander verschachtelt. Dabei sind die einzelnen Widerstandselemente analog zu dem oben beschriebenen angeordnet.In one embodiment, instead of the first measuring resistor and the second measuring resistor or the third measuring resistor and the fourth measuring resistor, e.g. the first measuring resistor with the fourth measuring resistor and the second measuring resistor with the third measuring resistor interleaved. The individual resistance elements are arranged analogously to that described above.

Kritisch für die Druckmessung ist nur der Temperaturgradient jeweils zweier benachbarter Messwiderstände, also des ersten und zweiten Messwiderstands und des dritten und vierten Messwiderstands oder des zweiten und dritten Messwiderstandes und des vierten und ersten Messwiderstandes. Es müssen also jeweils zwei sich gegenüber liegende Pärchen von Messwiderständen temperaturkonstant gehalten werden.Critical to the pressure measurement is only the temperature gradient of two adjacent measuring resistors, ie the first and second measuring resistor and the third and fourth measuring resistor or the second and third measuring resistor and the fourth and first measuring resistor. In other words, two pairs of opposite measuring resistors must be kept constant in temperature.

Ist die Temperatur des ersten und des zweiten Messwiderstands gleich und die Temperatur des dritten und vierten Messwiderstands gleich, so verschieben sich die Potentiale an dem positiven und dem negativen Messanschluss gleichermaßen. Der Arbeitspunkt der Ausleseschaltung ändert sich, das differentielle Signal der Messbrücke bleibt aber konstant. Der Gesamtwiderstand ergibt sich nun aus dem Mittelwert zweier an den jeweiligen Orten herrschenden Temperaturen. Einen Einfluss auf die Messung hat daher nur noch der Temperaturgradient zwischen den jeweils an einem Ort angebrachten Widerstandselementen. Dieser liegt jedoch um Größenordnungen unterhalb des Gesamttemperaturgradienten. Folglich kann die Messung des Drucks gegenüber äußeren Temperatureinflüssen unabhängiger gestaltet werden. Sind z.B. die Temperaturen des zweiten Messwiderstands und des dritten Messwiderstands sowie des vierten Messwiderstands und des ersten Messwiderstands gleich, fließen verschiedene Ströme in den parallelen Zweigen, das Potential am Messanschluss verschiebt sich aber nicht.If the temperature of the first and the second measuring resistor is the same and the temperature of the third and fourth measuring resistor is the same, then the potentials at the positive and the negative measuring terminals likewise shift. The operating point of the readout circuit changes, but the differential signal of the measuring bridge remains constant. The total resistance now results from the average value of two temperatures prevailing at the respective locations. An influence on the measurement therefore only has the temperature gradient between each of the resistor elements attached to a location. However, this is orders of magnitude below the total temperature gradient. Consequently, the measurement of the pressure can be made more independent of external temperature influences. Are e.g. the temperatures of the second measuring resistor and the third measuring resistor and the fourth measuring resistor and the first measuring resistor equal, different currents flow in the parallel branches, but the potential at the measuring connection does not shift.

In einer Ausführungsform sind die jeweils gemeinsam an einem Ort angeordneten Widerstandselemente derart angeordnet und/oder ausgebildet, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran unterschiedliche Vorzeichen aufweisen. Dies ermöglicht es, die Funktion der Messbrücke aufrechtzuerhalten, auch, wenn die einzelnen Messwiderstände aus jeweils zwei Widerstandselementen bestehen.In one embodiment, the resistance elements arranged in each case jointly at one location are arranged and / or formed such that their resistance changes have different signs when the membrane is deformed. This makes it possible to maintain the function of the measuring bridge, even if the individual measuring resistors each consist of two resistance elements.

In einer Ausführungsform sind die mindestens vier Messwiderstände als piezoresistive Widerstände ausgebildet. Dies ermöglicht eine einfache Herstellung der Messwiderstände gemeinsam mit den weiteren Strukturen der Sensoreinrichtung z.B. in einem MEMS-Herstellungsprozess.In one embodiment, the at least four measuring resistors are designed as piezoresistive resistors. This allows a simple production of the measuring resistors together with the further structures of the sensor device, e.g. in a MEMS manufacturing process.

In einer Ausführungsform sind die Widerstandselemente als meanderförmige Strukturen mit mindestens einer Schlaufe ausgebildet. Dies ermöglicht eine einfache Festlegung des Vorzeichens der Widerstandsänderung des jeweiligen Widerstandselements..In one embodiment, the resistance elements are formed as meander-shaped structures with at least one loop. This allows a simple determination of the sign of the change in resistance of the respective resistor element.

Die obigen Ausgestaltungen und Weiterbildungen lassen sich, sofern sinnvoll, beliebig miteinander kombinieren. Weitere mögliche Ausgestaltungen, Weiterbildungen und Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen der Erfindung. Insbesondere wird dabei der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der vorliegenden Erfindung hinzufügen.The above embodiments and developments can, if appropriate, combine with each other as desired. Further possible refinements, developments and implementations of the invention also include combinations of features of the invention which have not been explicitly mentioned above or described below with regard to the exemplary embodiments. In particular, while the The skilled person will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the present invention.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren der Zeichnungen angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen dabei:The present invention will be explained in more detail with reference to the exemplary embodiments indicated in the schematic figures of the drawings. It shows:

1 ein Blockschaltbild einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung; 1 a block diagram of an embodiment of a sensor device according to the invention;

2 ein Ablaufdiagramm einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens; 2 a flowchart of an embodiment of a method according to the invention;

3 ein Blockschaltbild einer weiteren Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung; und 3 a block diagram of another embodiment of a sensor device according to the invention; and

4 ein Blockschaltbild einer herkömmlichen Messbrücke. 4 a block diagram of a conventional measuring bridge.

In allen Figuren sind gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente und Vorrichtungen – sofern nichts Anderes angegeben ist – mit denselben Bezugszeichen versehen worden.In all figures, the same or functionally identical elements and devices - unless otherwise stated - have been given the same reference numerals.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

1 zeigt ein Blockschaltbild einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung 1. 1 shows a block diagram of an embodiment of a sensor device according to the invention 1 ,

Die Sensoreinrichtung 1 der 1 weist eine Membran 2 auf, die unter Druck 10 verformbar ist. In 1 ist ein Vektor des Drucks 10 beispielhaft als in die Zeichenebene hineinzeigend dargestellt. In weiteren Ausführungsformen kann der Druck aus anderen Richtungen auf die Membran 2 einwirken.The sensor device 1 of the 1 has a membrane 2 on that under pressure 10 is deformable. In 1 is a vector of stress 10 exemplified as pointing into the drawing plane. In other embodiments, the pressure may be applied to the membrane from other directions 2 act.

Die Sensoreinrichtung 1 weist ferner vier Messwiderstände 3-1–3-4 auf, die in einer Art Ring oder Viereck miteinander verschaltet sind. Dabei können z.B. an den Ecken des Vierecks jeweils Versorgungs- oder Messanschlüsse angeordnet sein.The sensor device 1 also has four measuring resistors 3-1 - 3-4 on, which are interconnected in a kind of ring or quadrilateral. In this case, for example, supply or measuring connections can be arranged at the corners of the quadrangle.

In 1 ist zu erkennen, dass jeder der vier Messwiderstände 3-1–3-4 in zwei Widerstandselemente 4-1–4-8 geteilt ist. Dabei ist das erste Widerstandselement 4-1 des ersten Messwiderstands 3-1 gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement 4-3 des zweiten Messwiderstands 3-2 an einem Ort 15 der Membran 2 angeordnet. Ferner ist das zweite Widerstandselement 4-2 des ersten Messwiderstands 3-1 gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement 4-4 des zweiten Messwiderstands 3-2 an einem Ort 16 der Membran 2 angeordnet. Das erste Widerstandselement 4-5 des dritten Messwiderstands 3-3 ist gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement 4-7 des vierten Messwiderstands 3-4 an einem Ort 17 der Membran 2 angeordnet. Schließlich ist das zweite Widerstandselement 4-6 des dritten Messwiderstands 3-3 gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement 4-8 des vierten Messwiderstands 3-4 an einem Ort 18 der Membran 2 angeordnet.In 1 it can be seen that each of the four measuring resistors 3-1 - 3-4 in two resistance elements 4-1 - 4-8 shared. Here is the first resistance element 4-1 of the first measuring resistor 3-1 together with the first resistance element 4-3 of the second measuring resistor 3-2 in one place 15 the membrane 2 arranged. Furthermore, the second resistance element 4-2 of the first measuring resistor 3-1 together with the second resistance element 4-4 of the second measuring resistor 3-2 in one place 16 the membrane 2 arranged. The first resistance element 4-5 of the third measuring resistor 3-3 is in common with the first resistance element 4-7 of the fourth measuring resistor 3-4 in one place 17 the membrane 2 arranged. Finally, the second resistance element 4-6 of the third measuring resistor 3-3 together with the second resistance element 4-8 of the fourth measuring resistor 3-4 in one place 18 the membrane 2 arranged.

In einer Ausführungsform stellen die Widerstandselemente 4-1–4-8 jeweils die Hälfte des jeweiligen Messwiderstands 3-1–3-4 dar. Dadurch, dass die Widerstandselemente 4-1–4-8 jeweils in Paaren miteinander verschachtelt auf oder an der Membran 2 angeordnet werden, haben die Paare von Widerstandselementen 4-1–4-8 eine gute thermische Kopplung.In one embodiment, the resistor elements 4-1 - 4-8 in each case half of the respective measuring resistor 3-1 - 3-4 Because of the resistance elements 4-1 - 4-8 each nested in pairs on or on the membrane 2 are arranged, have the pairs of resistor elements 4-1 - 4-8 a good thermal coupling.

Der Gesamtwiderstand eines der Messwiderstände 3-1–3-4 ergibt sich nun aus dem Mittelwert zweier benachbarter Temperaturen. Einen Einfluss auf die Differenz des elektrischen Widerstands zweier ineinander verschachtelter Messwiderstände 3-1–3-4 hat nun nur noch der Temperaturgradient an dem jeweiligen Ort, an welchem die Paare von Widerstandselementen 4-1–4-8, angeordnet sind. Da die Paare von Widerstandselementen 4-1–4-8 jeweils sehr nah beieinander angeordnet werden können, ist der relevante Temperaturgradient vernachlässigbar klein.The total resistance of one of the measuring resistors 3-1 - 3-4 now results from the mean of two adjacent temperatures. An influence on the difference of the electrical resistance of two nested measuring resistors 3-1 - 3-4 now has only the temperature gradient at the respective location at which the pairs of resistive elements 4-1 - 4-8 , are arranged. Because the pairs of resistor elements 4-1 - 4-8 can be arranged very close to each other, the relevant temperature gradient is negligible.

Wie 1 zu entnehmen ist, kann eine erfindungsgemäßen Anordnung der Messwiderstände 3-1–3-4 ohne sich kreuzende Leiterbahnen aufgebaut werden, was die Herstellung der Sensoreinrichtung 1 vereinfacht.As 1 can be seen, an inventive arrangement of the measuring resistors 3-1 - 3-4 are built without intersecting tracks, which is the production of the sensor device 1 simplified.

In einer Ausführungsform sind anstelle des ersten Messwiderstands 3-1 und des zweiten Messwiderstands 3-2 bzw. des dritten Messwiderstands 3-3 und des vierten Messwiderstands 3-4 z.B. der erste Messwiderstand 3-1 mit dem vierten Messwiderstand 3-4 und der zweite Messwiderstand 3-2 mit dem dritten Messwiderstand 3-3 ineinander verschachtelt. Dabei sind die einzelnen Widerstandselemente 4-1–4-8 analog zu dem oben beschriebenen angeordnet.In one embodiment, instead of the first sense resistor 3-1 and the second measuring resistor 3-2 or the third measuring resistor 3-3 and the fourth measuring resistor 3-4 eg the first measuring resistor 3-1 with the fourth measuring resistor 3-4 and the second measuring resistor 3-2 with the third measuring resistor 3-3 nested inside each other. The individual resistance elements are 4-1 - 4-8 arranged analogously to the one described above.

2 zeigt ein Ablaufdiagramm einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens für eine erfindungsgemäße Sensoreinrichtung 1. 2 shows a flowchart of an embodiment of a manufacturing method according to the invention for a sensor device according to the invention 1 ,

Das Verfahren sieht das Bereitstellen, S1, einer unter Druck 10 verformbaren Membran 2 vor. Ferner werden mindestens vier Messwiderstände 3-1–3-4 an und/oder auf der Membran 2 anzuordnen, S2.The method provides for providing S1, one under pressure 10 deformable membrane 2 in front. Furthermore, at least four measuring resistors 3-1 - 3-4 on and / or on the membrane 2 to arrange, S2.

Beim Anordnen, S2, wird jeder der mindestens vier Messwiderstände 3-1–3-4 jeweils in Form von zwei Widerstandselementen 4-1–4-8, welche jeweils elektrisch in Serie an unterschiedlichen Orten an und/oder auf der Membran 2 angeordnet werden, auf der Membran 2 angeordnet.When arranging, S2, each of the at least four measuring resistors 3-1 - 3-4 each in shape of two resistor elements 4-1 - 4-8 , which in each case electrically in series at different locations on and / or on the membrane 2 be arranged on the membrane 2 arranged.

Insbesondere können jeweils die zwei Widerstandselemente 4-1–4-8 jedes der mindestens vier Messwiderstände 3-1–3-4 derart angeordnet und/oder ausgebildet werden, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran 2 das gleiche Vorzeichen aufweisen. Dabei können die Widerstandselemente 4-1–4-8 unterschiedlicher Messwiderstände 3-1–3-4 auch unterschiedliche Vorzeichen aufweisen.In particular, each of the two resistive elements 4-1 - 4-8 each of the at least four measuring resistors 3-1 - 3-4 be arranged and / or formed such that their resistance changes in a deformation of the membrane 2 have the same sign. In this case, the resistance elements 4-1 - 4-8 different measuring resistances 3-1 - 3-4 also have different signs.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden die vier Messwiderstände 3-1–3-4 in Form einer Messbrücke 5 angeordnet werden. Die Messbrücke 5 weist dabei einen positiven Versorgungsanschluss 6 und ein negativen Versorgungsanschluss 7, sowie einen positiven Messanschluss 8 und einen negativen Messanschluss 9 auf.In one embodiment of the method, the four measuring resistors 3-1 - 3-4 in the form of a measuring bridge 5 to be ordered. The measuring bridge 5 indicates a positive supply connection 6 and a negative supply connection 7 , as well as a positive measuring connection 8th and a negative measuring connection 9 on.

Bei Anordnung der Messwiderstände 3-1–3-4 in Form eine Messbrücke 5 kann der erster der Messwiderstände 3-1–3-4 mit dem positiven Versorgungsanschluss 6 und dem positiven Messanschluss 8 gekoppelt werden. When arranging the measuring resistors 3-1 - 3-4 in the form of a measuring bridge 5 can be the first of the measuring resistors 3-1 - 3-4 with the positive supply connection 6 and the positive measuring connection 8th be coupled.

Der zweite der Messwiderstände 3-1–3-4 kann mit dem positiven Versorgungsanschluss 6 und dem negativen Messanschluss 9 gekoppelt werden. Ferner kann der dritte der Messwiderstände 3-1–3-4 mit dem negativen Versorgungsanschluss 7 und dem positiven Messanschluss 8 gekoppelt werden und der vierte der Messwiderstände 3-1–3-4 kann mit dem negativen Versorgungsanschluss 7 und dem negativen Messanschluss 9 gekoppelt werden.The second of the measuring resistors 3-1 - 3-4 can with the positive supply connection 6 and the negative measuring connection 9 be coupled. Furthermore, the third of the measuring resistors 3-1 - 3-4 with the negative supply connection 7 and the positive measuring connection 8th be coupled and the fourth of the measuring resistors 3-1 - 3-4 can with the negative supply connection 7 and the negative measuring connection 9 be coupled.

Die Anordnung der Widerstandselemente 4-1–4-8 erfolgt in einer Ausführungsform jeweils paarweise an einem Ort auf oder an der Membran 2. Dabei sind die Widerstandselemente 4-1–4-8 paarweise jeweils so nahe beieinander angeordnet, dass nur ein vernachlässigbarer Temperaturgradient zwischen den jeweils als Paar angeordneten Widerstandselementen 4-1–4-8 auftreten kann. Insbesondere kann das erste Widerstandselement 4-1 des ersten Messwiderstands 3-1 gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement 4-3 des zweiten Messwiderstands 3-2 an einem Ort 15 der Membran 2 angeordnet werden. Ferner kann das zweite Widerstandselement 4-2 des ersten Messwiderstands 3-1 gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement 4-4 des zweiten Messwiderstands 3-2 an einem Ort 16 der Membran 2 angeordnet werden. Das erste Widerstandselement 4-5 des dritten Messwiderstands 3-3 kann gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement 4-7 des vierten Messwiderstands 3-4 an einem Ort 17 der Membran 2 angeordnet werden und das das zweite Widerstandselement 4-6 des dritten Messwiderstands 3-3 gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement 4-8 des vierten Messwiderstands 3-4 an einem Ort 18 der Membran 2 angeordnet werden.The arrangement of the resistance elements 4-1 - 4-8 takes place in one embodiment in pairs at a location on or on the membrane 2 , Here are the resistance elements 4-1 - 4-8 arranged in pairs so close to each other that only a negligible temperature gradient between each arranged as a pair of resistive elements 4-1 - 4-8 can occur. In particular, the first resistance element 4-1 of the first measuring resistor 3-1 together with the first resistance element 4-3 of the second measuring resistor 3-2 in one place 15 the membrane 2 to be ordered. Furthermore, the second resistance element 4-2 of the first measuring resistor 3-1 together with the second resistance element 4-4 of the second measuring resistor 3-2 in one place 16 the membrane 2 to be ordered. The first resistance element 4-5 of the third measuring resistor 3-3 can work together with the first resistance element 4-7 of the fourth measuring resistor 3-4 in one place 17 the membrane 2 be arranged and that the second resistance element 4-6 of the third measuring resistor 3-3 together with the second resistance element 4-8 of the fourth measuring resistor 3-4 in one place 18 the membrane 2 to be ordered.

Die jeweils gemeinsam an einem Ort angeordneten Widerstandselemente 4-1–4-8 können in einer Ausführungsform derart angeordnet und/oder ausgebildet werden, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran 2 unterschiedliche Vorzeichen aufweisen.Each arranged in a place resistance elements 4-1 - 4-8 can be arranged and / or formed in one embodiment such that their resistance changes in a deformation of the membrane 2 have different signs.

In einer Ausführungsform werden die vier Messwiderstände 3-1–3-4 als piezoresistive Widerstände ausgebildet, die insbesondere als meanderförmige Strukturen mit mindestens einer Schlaufe ausgebildet sind. Dies wird in Zusammenhang mit 3 näher erläutert.In one embodiment, the four sense resistors 3-1 - 3-4 designed as piezoresistive resistors, which are designed in particular as meander-shaped structures with at least one loop. This is related to 3 explained in more detail.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren kann z.B. zur Herstellung eines mikroelektromechanischen oder MEMS-basierten Sensors eingesetzt werden. Dabei können z.B. Halbleiterherstellungsprozesse angewendet werden.The production method according to the invention can e.g. be used for the production of a microelectromechanical or MEMS-based sensor. Thereby, e.g. Semiconductor manufacturing processes are applied.

3 zeigt ein Blockschaltbild einer weiteren Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung 1. 3 shows a block diagram of another embodiment of a sensor device according to the invention 1 ,

Die Sensoreinrichtung 1 der 3 basiert auf der Sensoreinrichtung 1 der 1 und unterscheidet sich von dieser dadurch, dass die Messwiderstände 3-1–3-4 (nicht separat bezeichnet) in Form einer Messbrücke 5 mit einem positiven Versorgungsanschluss 6, einem negativen Versorgungsanschluss 7, sowie einem positiven Messanschluss 8 und einem negativen Messanschluss 9 angeordnet sind.The sensor device 1 of the 3 based on the sensor device 1 of the 1 and differs from this in that the measuring resistors 3-1 - 3-4 (not separately indicated) in the form of a measuring bridge 5 with a positive supply connection 6 , a negative supply connection 7 , as well as a positive measuring connection 8th and a negative measuring connection 9 are arranged.

Ferner zeigen die einzelnen Widerstandselemente 4-1–4-8 der 3 jeweils eine meanderförmige Struktur. Jedes der Widerstandselemente 4-1–4-8 weist dabei mindestens eine Schlaufe auf.Furthermore, the individual resistance elements 4-1 - 4-8 of the 3 each a meandering structure. Each of the resistor elements 4-1 - 4-8 has at least one loop.

Durch die Anordnung der Schlaufe kann jeweils das Vorzeichen der Widerstandsänderung festgelegt werden, welche das jeweilige Widerstandselement 4-1–4-8 bei einer Dehnung oder Streckung, welche z.B. durch einen Druck auf die Membran 2 aufweist.By the arrangement of the loop in each case the sign of the resistance change can be determined, which the respective resistance element 4-1 - 4-8 at an elongation or extension, which for example by a pressure on the membrane 2 having.

Wird die Schlaufe der meanderförmigen Struktur eines Widerstandselements 4-1–4-8 z.B. in einem 90° Winkel versetzt zu der Schlaufe der meanderförmigen Struktur eines anderen Widerstandselements 4-1–4-8 angeordnet, so weisen die Ausgangssignale der zwei Widerstandselemente 4-1–4-8 umgekehrte Vorzeichen auf. Wird eine solche Schlaufe der meanderförmigen Struktur in der Breite gedehnt, sinkt der elektrische Widerstand. Bei einer Dehnung in der Länge dagegen steigt der elektrische Widerstand der meanderförmigen Struktur.Will the loop of the meandering structure of a resistive element 4-1 - 4-8 for example, offset at a 90 ° angle to the loop of the meandering structure of another resistance element 4-1 - 4-8 arranged, so have the output signals of the two resistive elements 4-1 - 4-8 reverse sign. If such a loop of the meandering structure is stretched in width, the electrical resistance decreases. At a stretch in length, however, the electrical resistance of the meandering structure increases.

Die Anordnung der meanderförmigen Struktur in 3 ist dabei lediglich beispielhaft und kann in weiteren Ausführungsformen von den hier gezeigten Formen abweichen.The arrangement of the meandering structure in 3 is merely exemplary and may differ in other embodiments of the forms shown here.

4 zeigt ein Blockschaltbild einer herkömmlichen Messbrücke mit einem positiven und einem negativen Versorgungsanschluss U+, U– und einem positiven und einem negativen Messanschluss M+, M–. 4 shows a block diagram of a conventional measuring bridge with a positive and a negative supply terminal U +, U- and a positive and a negative measuring terminal M +, M-.

In 4 ist zu erkennen, dass jeweils einer der Brückenwiderstände R1–R4 auf einem Zweig der Messbrücke angeordnet ist. Dadurch bedingt sind die Brückenwiderstände R1–R4 räumlich voneinander getrennt angeordnet. Werden als Brückenwiderstände R1–R4 temperaturempfindliche Brückenwiderstände R1–R4 eingesetzt, was bei MEMS-Elementen üblicherweise der Fall ist, kann ein Temperaturgradient auf der Membran dazu führen, das jeder der Brückenwiderstände R1–R4 einen andere Temperatur aufweist.In 4 It can be seen that in each case one of the bridge resistors R1-R4 is arranged on a branch of the measuring bridge. As a result, the bridge resistors R1-R4 are spatially separated from each other. If temperature-sensitive bridge resistors R1-R4 are used as bridge resistors R1-R4, which is usually the case with MEMS elements, a temperature gradient on the membrane may cause each of the bridge resistors R1-R4 to have a different temperature.

Bei dieser herkömmlichen Anordnung der Brückenwiderstände R1–R4 können unterschiedliche Temperaturen der Brückenwiderstände R1–R4 nur durch eine aufwändige Messung der jeweiligen Temperatur kompensiert werden.In this conventional arrangement of the bridge resistors R1-R4 different temperatures of the bridge resistors R1-R4 can be compensated only by a complex measurement of the respective temperature.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele vorstehend beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar. Insbesondere lässt sich die Erfindung in mannigfaltiger Weise verändern oder modifizieren, ohne vom Kern der Erfindung abzuweichen.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, it is not limited thereto, but modifiable in a variety of ways. In particular, the invention can be varied or modified in many ways without deviating from the gist of the invention.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

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Claims (15)

Sensoreinrichtung (1) zur Erfassung von Druck (10), mit einer unter Druck (10) verformbaren Membran (2); und mit mindestens vier Messwiderständen (3-1–3-4), welche jeweils zwei Widerstandselemente (4-1–4-8) aufweisen, wobei die zwei Widerstandselemente (4-1–4-8) jeweils elektrisch in Serie an unterschiedlichen Orten an und/oder auf der Membran (2) angeordnet sind.Sensor device ( 1 ) for detecting pressure ( 10 ), with one under pressure ( 10 ) deformable membrane ( 2 ); and with at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ), each of which has two resistance elements ( 4-1 - 4-8 ), wherein the two resistance elements ( 4-1 - 4-8 ) each electrically in series at different locations on and / or on the membrane ( 2 ) are arranged. Sensoreinrichtung nach Anspruch 1, wobei die zwei Widerstandselemente (4-1–4-8) jedes der mindestens vier Messwiderstände (3-1–3-4) derart angeordnet und/oder ausgebildet sind, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran (2) das gleiche Vorzeichen aufweisen.Sensor device according to claim 1, wherein the two resistance elements ( 4-1 - 4-8 ) each of the at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) are arranged and / or formed such that their resistance changes in a deformation of the membrane ( 2 ) have the same sign. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei die vier Messwiderstände (3-1–3-4) in Form einer Messbrücke (5) angeordnet sind; wobei die Messbrücke (5) einen positiven Versorgungsanschluss (6) und einen negativen Versorgungsanschluss (7) und einen positiven Messanschluss (8) und einen negativen Messanschluss (9) aufweist.Sensor device according to one of claims 1 and 2, wherein the four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) in the form of a measuring bridge ( 5 ) are arranged; the measuring bridge ( 5 ) a positive supply connection ( 6 ) and a negative supply connection ( 7 ) and a positive measuring connection ( 8th ) and a negative measuring connection ( 9 ) having. Sensoreinrichtung nach Anspruch 3, wobei der erster der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem positiven Versorgungsanschluss (6) und dem positiven Messanschluss (8) gekoppelt ist; und/oder wobei der zweite der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem positiven Versorgungsanschluss (6) und dem negativen Messanschluss (9) gekoppelt ist; und/oder wobei der dritte der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem negativen Versorgungsanschluss (7) und dem positiven Messanschluss (8) gekoppelt ist; und/oder wobei der vierte der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem negativen Versorgungsanschluss (7) und dem negativen Messanschluss (9) gekoppelt ist.Sensor device according to claim 3, wherein the first of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the positive supply connection ( 6 ) and the positive measuring connection ( 8th ) is coupled; and / or wherein the second of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the positive supply connection ( 6 ) and the negative measuring connection ( 9 ) is coupled; and / or wherein the third of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the negative supply connection ( 7 ) and the positive measuring connection ( 8th ) is coupled; and / or wherein the fourth of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the negative supply connection ( 7 ) and the negative measuring connection ( 9 ) is coupled. Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das erste Widerstandselement (4-1) des ersten Messwiderstands (3-1) gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement (4-3) des zweiten Messwiderstands (3-2) an einem Ort (15) der Membran (2) angeordnet ist; und/oder wobei das zweite Widerstandselement (4-2) des ersten Messwiderstands (3-1) gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement (4-4) des zweiten Messwiderstands (3-2) an einem Ort (16) der Membran (2) angeordnet ist; und/oder wobei das erste Widerstandselement (4-5) des dritten Messwiderstands (3-3) gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement (4-7) des vierten Messwiderstands (3-4) an einem Ort (17) der Membran (2) angeordnet ist; und/oder wobei das zweite Widerstandselement (4-6) des dritten Messwiderstands (3-3) gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement (4-8) des vierten Messwiderstands (3-4) an einem Ort (18) der Membran (2) angeordnet ist.Sensor device according to one of claims 1 to 4, wherein the first resistive element ( 4-1 ) of the first measuring resistor ( 3-1 ) together with the first resistance element ( 4-3 ) of the second measuring resistor ( 3-2 ) in one place ( 15 ) of the membrane ( 2 ) is arranged; and / or wherein the second resistance element ( 4-2 ) of the first measuring resistor ( 3-1 ) together with the second resistance element ( 4-4 ) of the second measuring resistor ( 3-2 ) in one place ( 16 ) of the membrane ( 2 ) is arranged; and / or wherein the first resistance element ( 4-5 ) of the third measuring resistor ( 3-3 ) together with the first resistance element ( 4-7 ) of the fourth measuring resistor ( 3-4 ) in one place ( 17 ) of the membrane ( 2 ) is arranged; and / or wherein the second resistance element ( 4-6 ) of the third measuring resistor ( 3-3 ) together with the second resistance element ( 4-8 ) of the fourth measuring resistor ( 3-4 ) in one place ( 18 ) of the membrane ( 2 ) is arranged. Sensoreinrichtung nach Anspruch 5, wobei die jeweils gemeinsam an einem Ort angeordneten Widerstandselemente (4-1–4-8) derart angeordnet und/oder ausgebildet sind, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran (2) unterschiedliche Vorzeichen aufweisen.Sensor device according to claim 5, wherein the respective resistance elements arranged together in one place ( 4-1 - 4-8 ) are arranged and / or formed such that their resistance changes in a deformation of the membrane ( 2 ) have different signs. Sensoreinrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 6, wobei die mindestens vier Messwiderstände (3-1–3-4) als piezoresistive Widerstände ausgebildet sind.Sensor device according to one of the preceding claims 1 to 6, wherein the at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) are formed as piezoresistive resistors. Sensoreinrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche 1 bis 7, wobei die Widerstandselemente (4-1–4-8) als meanderförmige Strukturen mit mindestens einer Schlaufe ausgebildet sind.Sensor device according to one of the preceding claims 1 to 7, wherein the resistance elements ( 4-1 - 4-8 ) are formed as meandering structures with at least one loop. Herstellungsverfahren für eine Sensoreinrichtung (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, aufweisend: Bereitstellen (S1) einer unter Druck (10) verformbaren Membran (2); und Anordnen (S2) von mindestens vier Messwiderständen (3-1–3-4) an und/oder auf der Membran (2); wobei jeder der mindestens vier Messwiderstände (3-1–3-4) jeweils in Form von zwei Widerstandselementen (4-1–4-8), welche jeweils elektrisch in Serie an unterschiedlichen Orten an und/oder auf der Membran (2) angeordnet werden, auf der Membran (2) angeordnet wird.Manufacturing method for a sensor device ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising: providing (S1) a pressurized ( 10 ) deformable membrane ( 2 ); and arranging (S2) at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) on and / or on the membrane ( 2 ); wherein each of the at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) each in the form of two resistance elements ( 4-1 - 4-8 ), which in each case electrically in series at different locations on and / or on the membrane ( 2 ), on the membrane ( 2 ) is arranged. Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, wobei die zwei Widerstandselemente (4-1–4-8) jedes der mindestens vier Messwiderstände (3-1–3-4) derart angeordnet und/oder ausgebildet werden, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran (2) das gleiche Vorzeichen aufweisen.A manufacturing method according to claim 9, wherein said two resistive elements ( 4-1 - 4-8 ) each of the at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) are arranged and / or formed such that their resistance changes in a deformation of the membrane ( 2 ) have the same sign. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 9 und 10, wobei die vier Messwiderstände (3-1–3-4) in Form einer Messbrücke (5) angeordnet werden; wobei für die Messbrücke (5) ein positiver Versorgungsanschluss (6) und ein negativer Versorgungsanschluss (7) und ein positiver Messanschluss (8) und ein negativer Messanschluss (9) bereitgestellt werden. Manufacturing method according to one of claims 9 and 10, wherein the four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) in the form of a measuring bridge ( 5 ) to be ordered; where for the measuring bridge ( 5 ) a positive supply connection ( 6 ) and a negative supply connection ( 7 ) and a positive measuring connection ( 8th ) and a negative measuring connection ( 9 ) to be provided. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei der erster der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem positiven Versorgungsanschluss (6) und dem positiven Messanschluss (8) gekoppelt wird; und/oder wobei der zweite der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem positiven Versorgungsanschluss (6) und dem negativen Messanschluss (9) gekoppelt wird; und/oder wobei der dritte der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem negativen Versorgungsanschluss (7) und dem positiven Messanschluss (8) gekoppelt wird; und/oder wobei der vierte der Messwiderstände (3-1–3-4) mit dem negativen Versorgungsanschluss (7) und dem negativen Messanschluss (9) gekoppelt wird.The manufacturing method according to claim 11, wherein the first one of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the positive supply connection ( 6 ) and the positive measuring connection ( 8th ) is coupled; and / or wherein the second of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the positive supply connection ( 6 ) and the negative measuring connection ( 9 ) is coupled; and / or wherein the third of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the negative supply connection ( 7 ) and the positive measuring connection ( 8th ) is coupled; and / or wherein the fourth of the measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) with the negative supply connection ( 7 ) and the negative measuring connection ( 9 ) is coupled. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das erste Widerstandselement (4-1) des ersten Messwiderstands (3-1) gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement (4-3) des zweiten Messwiderstands (3-2) an einem Ort (15) der Membran (2) angeordnet wird; und/oder wobei das zweite Widerstandselement (4-2) des ersten Messwiderstands (3-1) gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement (4-4) des zweiten Messwiderstands (3-2) an einem Ort (16) der Membran (2) angeordnet wird; und/oder wobei das erste Widerstandselement (4-5) des dritten Messwiderstands (3-3) gemeinsam mit dem ersten Widerstandselement (4-7) des vierten Messwiderstands (3-4) an einem Ort (17) der Membran (2) angeordnet wird; und/oder wobei das zweite Widerstandselement (4-6) des dritten Messwiderstands (3-3) gemeinsam mit dem zweiten Widerstandselement (4-8) des vierten Messwiderstands (3-4) an einem Ort (18) der Membran (2) angeordnet wird. A manufacturing method according to any one of claims 9 to 12, wherein the first resistive element ( 4-1 ) of the first measuring resistor ( 3-1 ) together with the first resistance element ( 4-3 ) of the second measuring resistor ( 3-2 ) in one place ( 15 ) of the membrane ( 2 ) is arranged; and / or wherein the second resistance element ( 4-2 ) of the first measuring resistor ( 3-1 ) together with the second resistance element ( 4-4 ) of the second measuring resistor ( 3-2 ) in one place ( 16 ) of the membrane ( 2 ) is arranged; and / or wherein the first resistance element ( 4-5 ) of the third measuring resistor ( 3-3 ) together with the first resistance element ( 4-7 ) of the fourth measuring resistor ( 3-4 ) in one place ( 17 ) of the membrane ( 2 ) is arranged; and / or wherein the second resistance element ( 4-6 ) of the third measuring resistor ( 3-3 ) together with the second resistance element ( 4-8 ) of the fourth measuring resistor ( 3-4 ) in one place ( 18 ) of the membrane ( 2 ) is arranged. Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei die jeweils gemeinsam an einem Ort angeordneten Widerstandselemente (4-1–4-8) derart angeordnet und/oder ausgebildet werden, dass deren Widerstandsänderungen bei einer Verformung der Membran (2) unterschiedliche Vorzeichen aufweisen.A manufacturing method according to claim 13, wherein the resistive elements respectively arranged together in one place ( 4-1 - 4-8 ) are arranged and / or formed such that their resistance changes in a deformation of the membrane ( 2 ) have different signs. Herstellungsverfahren nach einem der vorherigen Ansprüche 9 bis 14, wobei die mindestens vier Messwiderstände (3-1–3-4) als piezoresistive Widerstände ausgebildet werden; und/oder wobei die Widerstandselemente (4-1–4-8) als meanderförmige Strukturen mit mindestens einer Schlaufe ausgebildet werden.Manufacturing method according to one of the preceding claims 9 to 14, wherein the at least four measuring resistors ( 3-1 - 3-4 ) are formed as piezoresistive resistors; and / or wherein the resistance elements ( 4-1 - 4-8 ) are formed as meandering structures with at least one loop.
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