DE102011002884A1 - Force-and/or pressure-and/or temperature measuring electronic circuit for use in force-and/or pressure- and/or temperature sensors in brake device of motor car, has semi-bridge elements whose metallic resistors form potential divider - Google Patents

Force-and/or pressure-and/or temperature measuring electronic circuit for use in force-and/or pressure- and/or temperature sensors in brake device of motor car, has semi-bridge elements whose metallic resistors form potential divider Download PDF

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Abstract

The circuit has Wheatstone bridges (9, 10) arranged at distance and parallel to each other on a common pressure receiver (11). The Wheatstone bridges comprise power supply sources (1, 2) and/or power supply paths, and two set of semi-bridge elements (5-8) are connected to the Wheatstone bridges such that metallic resistors (12, 13, 16, 17) of one of sets of the semi-bridge elements (5, 7) and metallic resistors (14, 15, 18, 19) of the other set of the semi-bridge elements (6, 8) form a potential divider. The elements are processed as a carrier material on a semiconductor substrate. An independent claim is also included for a method for measuring force-and/or pressure-and/or temperature in a brake device.

Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung gemäß Oberbegriff von Anspruch 1, ein Verfahren gemäß Oberbegriff von Anspruch 15, einen Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatursensor gemäß Anspruch 17 und dessen Verwendung gemäß Anspruch 18.The invention relates to an electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit according to the preamble of claim 1, a method according to the preamble of claim 15, a force and / or pressure and / or temperature sensor according to claim 17 and its use according to claim 18th

Kraft-, Druck- und Temperatursensoren auf Basis einer Wheatstone'schen Bruckenschaltung sind im Stand der Technik bekannt und in der Praxis, unter anderem in Kraftfahrzeuganwendungen, weit verbreitet. So beschreibt die DE 10 2008 032 300 A1 beispielsweise eine Vorrichtung zur thermischen Massenstrommessung, um einer Brennkraftmaschine Luftmasse definierter Temperatur zuzuführen. Die offenbarte Vorrichtung verfügt dazu uber einen als Heizelement genutzten Widerstand, einen als Temperaturfuhler dienenden Widerstand sowie zwei Festwiderstände, die nach Art einer Wheatstone'schen Brücke geschaltet sind. Dabei ist die Brucke abgeglichen, solange der Luftmassenstrom durch das Heizelement auf einer Solltemperatur gehalten wird. Somit stellt die aufgebrachte Heizleistung am Heizelement ein Maß für den Luftmassenstrom dar.Force, pressure and temperature sensors based on a Wheatstone bridge circuit are known in the art and widely used in practice, inter alia in automotive applications. That's how it describes DE 10 2008 032 300 A1 For example, a device for measuring the thermal mass flow in order to supply air mass of defined temperature to an internal combustion engine. The disclosed device has for this purpose a resistor used as a heating element, a resistor serving as a temperature sensor, and two fixed resistors which are connected in the manner of a Wheatstone bridge. The bridge is adjusted as long as the air mass flow through the heating element is kept at a set temperature. Thus, the applied heating power at the heating element is a measure of the air mass flow.

Die DE 10 2004 005 184 A1 beschreibt eine Drucksensoranordnung für ein elektronisches Bremssystem, welche eine Wheatstone'sche Brückenschaltung umfasst. Die Widerstande der Wheatstone'schen Bruckenschaltung andern ihren Widerstandswert in Abhangigkeit des Drucks im Hauptbremszylinder und dienen daher als Drucksensoren. Durch die druckbedingte Veränderung der Ausgangsspannung der Wheatstone'schen Brucke kann eine Druckveränderung von einer Signalverarbeitungseinrichtung erkannt werden. Die vorgeschlagene Drucksensoranordnung ist in der Lage, Drucke bzw. den Drücken entsprechende Kräte in einem Druckbereich von etwa 1 bar bis zu etwa 220 bar zuverlässig zu messen.The DE 10 2004 005 184 A1 describes a pressure sensor arrangement for an electronic brake system comprising a Wheatstone bridge circuit. The resistances of the Wheatstone bridge circuit change their resistance value as a function of the pressure in the master cylinder and therefore serve as pressure sensors. Due to the pressure-related change in the output voltage of the Wheatstone bridge, a pressure change can be detected by a signal processing device. The proposed pressure sensor arrangement is able to reliably measure pressures or pressures corresponding to the pressures in a pressure range from about 1 bar to about 220 bar.

In der DE 103 08 798 A1 wird weiterhin eine Druckmessanordnung zur redundanten Verarbeitung von Drucksignalen in elektronischen Bremssystemen offenbart. Die verwendeten Drucksensoren bestehen aus vollstandigen Wheatstone'schen Brückenschaltungen oder auch aus Halbbrücken. Um den im Bremssystem vorherrschenden Druck moglichst genau und zuverlässig erfassen zu können, werden mehrere der Drucksensoren auf verschiedenen Stellen einer gemeinsamen Membran eingesetzt. Fehler in den Brückenschaltungen oder in den Zuleitungen der Bruckenschaltungen konnen durch eine zusatzliche Überwachungsschaltung erkannt werden. Des Weiteren wird mittels zeitlichem Multiplexen in den Signalkanälen zusatzlich zur Druckmessung auch eine Temperaturmessung uber die Bruckenschaltungen ermoglicht.In the DE 103 08 798 A1 Furthermore, a pressure measuring arrangement for the redundant processing of pressure signals in electronic brake systems is disclosed. The pressure sensors used consist of complete Wheatstone bridge circuits or half-bridges. In order to be able to detect the pressure prevailing in the brake system as accurately and reliably as possible, several of the pressure sensors are used at different locations on a common membrane. Errors in the bridge circuits or in the leads of the bridge circuits can be detected by an additional monitoring circuit. Furthermore, by means of temporal multiplexing in the signal channels, in addition to the pressure measurement, a temperature measurement via the bridge circuits is also made possible.

Ein wesentlicher Nachteil der aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen besteht unter anderem darin, dass bei redundanter Anordnung mindestens zweier Wheatstone'scher Brucken eine Unterbrechung einer elektrischen Verbindungsleitung an den Differenzspannungsabgriffen der Spannungsteiler, die die Brücken bilden, nicht ohne eine vergleichsweise komplexe Überwachungsschaltung erkannt werden kann. Dies verursacht einen vergleichsweise großen Aufwand und damit verbunden vergleichsweise hohe Kosten fur eine redundante Ausfuhrung. Da aber gerade in Kraftfahrzeuganwendungen besonders hohe Anforderungen an die Zuverlässigkeit einer technischen Komponente gestellt werden, ist eine redundante Ausfuhrung in der Regel unerlasslich. Hinzu kommt, dass insbesondere die zur elektrischen Kontaktierung genutzten Bondverbindungen zum Ablosen von den Bondkontaktflachen neigen und in diesem Zusammenhang somit eine häufige Fehlerursache darstellen.One major disadvantage of the devices known from the prior art is, inter alia, that if redundant arrangement of at least two Wheatstone bridges, an interruption of an electrical connection line to the differential voltage taps of the voltage dividers forming the bridges can not be detected without a comparatively complex monitoring circuit can. This causes a comparatively large outlay and associated comparatively high costs for a redundant execution. Since, however, particularly high demands are placed on the reliability of a technical component in motor vehicle applications, a redundant design is generally indispensable. In addition, in particular, the bonding connections used for making electrical contact tend to detach from the bonding pads and in this context thus represent a frequent cause of the fault.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine aus gewohnlichen Halbbrückenelementen oder auch aus einzelnen Widerstanden aufgebaute Wheatstone'sche Bruckenschaltung vorzuschlagen, welche auf einfache Weise sofort nahezu jeden beliebigen Verbindungsabriss einer elektrischen Verbindung durch eine charakteristische Verschiebung der ausgelesenen Differenzspannung erkennen lässt. Die Brückenschaltung soll außerdem auch bei mehrfach redundanter Ausführung im Wesentlichen nahezu jede Art von Verbindungsabriss uber das Ausgangssignal anzeigen, ohne dafur auf eine zusatzliche und vergleichsweise aufwändige Überwachungsschaltung angewiesen zu sein.The object of the present invention is therefore to propose a Wheatstone bridge circuit constructed from ordinary half-bridge elements or also from individual resistors, which makes it possible in a simple way to detect almost any desired connection break of an electrical connection by a characteristic shift of the read-out differential voltage. In addition, the bridge circuit is intended to display essentially virtually any type of disconnection via the output signal even in the case of multi-redundant design, without having to rely on an additional and comparatively expensive monitoring circuit.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß durch die elektronische Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung gemaß Anspruch 1, das Verfahren gemaß Anspruch 15, den Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatursensor gemäß Anspruch 17 und dessen Verwendung gemaß Anspruch 18 gelost.This object is achieved according to the invention by the electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit according to claim 1, the method according to claim 15, the force and / or pressure and / or temperature sensor according to claim 17 and its use according to claim 18 ,

Die erfindungsgemaße elektronische Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung umfasst mindestens zwei elektrisch miteinander verbundene Wheatstone'sche Brucken, wobei die Wheatstone'schen Brücken auf einem gemeinsamen Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer von einander beabstandet angeordnet sind und wobei jeweils eine Wheatstone'sche Brücke ein erstes und ein zweites Halbbruckenelement umfasst, welche jeweils wiederum zumindest einen ersten und einen zweiten elektrischen Widerstand umfassen. Die Widerstande weisen einen dehnungssensitiven und/oder temperatursensitiven Widerstandsgradienten auf. Die erfindungsgemaße elektronische Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung zeichnet sich dadurch aus, dass die Wheatstone'schen Brucken jeweils eine eigene Spannungsversorgungsquelle und/oder einen eigenen Spannungsversorgungspfad besitzen und/oder jeweils zwei Halbbruckenelemente derart zu einer Wheatstone'schen Brücke geschaltet sind, dass der erste Widerstand des ersten Halbbruckenelements mit dem zweiten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements und der zweite Widerstand des ersten Halbbruckenelements mit dem ersten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements jeweils einen Spannungsteiler bilden. Durch die Verwendung von dehnungssensitiven und/oder temperatursensitiven Widerstanden wird es auf einfache Weise ermoglicht, Krafte und/oder Drücke und Temperaturen elektrisch zu erfassen. Indem mindestens zwei Brücken auf dem Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer mit einem an die jeweilige Anforderung angepassten Abstand angeordnet sind, ergibt sich der weitere Vorteil, dass insbesondere bei entsprechend groß dimensionierten Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmern eine gleichmäßige Erfassung des Messwerts erfolgt, da die Messwerterfassung nicht auf einen einzelnen Teilbereich des Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmers beschränkt wird. Ein weiterer Vorteil ergibt sich aus der Verwendung einer eigenen Spannungsversorgungsquelle und/oder eines eigenen Spannungsversorgungspfads für jede der Wheatstone'schen Brucken. Somit wird es ermoglicht, eine redundante Strom- bzw. Temperaturmessung vorzunehmen. Zudem führt ein Abriss einer Bondverbindung zur Spannungsversorgung und/oder zur elektrischen Masse bei eingeschalteter Spannungsversorgung beider Brucken zu einer Verschiebung der Differenzspannung, welche dadurch außerhalb des Spannungsbereichs liegt, der durch eine Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatureinwirkung erreichbar ist. Werden die Halbbruckenelemente weiterhin derart zu einer Wheatstone'schen Brucke geschaltet, dass der erste Widerstand des ersten Halbbrückenelements mit dem zweiten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements und der zweite Widerstand des ersten Halbbrückenelements mit dem ersten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements jeweils einen Spannungsteiler bilden, so ergibt sich der zusatzliche Vorteil, dass ein Abriss einer Bondverbindung an einer derjenigen Bondstellen, welche die Differenzspannungssignale der die Spannungsteiler bildenden Halbbrückenelemente fur die Auswerteschaltung bereitstellen, erkannt werden kann, ohne dass eine getrennte Stromversorgung der Wheatstone'schen Brücken notwendig ist. In diesem Fall liegt die von einer Auswerteschaltung ausgelesene Differenzspannungs ebenfalls in einem Spannungsbereich, der außerhalb desjenigen Spannungsbereichs liegt, der durch eine Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatureinwirkung erreichbar ist. Durch den einfachen Aufbau der erfindungsgemaßen Schaltungsanordnung ist außerdem die Verwendung typischer, gattungsgemaßer Auswerte-ASICS möglich. Somit entsteht auch softwareseitig kein Zusatzaufwand.The inventive electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit comprises at least two electrically interconnected Wheatstone bridges, the Wheatstone bridges are arranged on a common force and / or pressure and / or temperature sensor spaced from each other and wherein in each case a Wheatstone bridge comprises a first and a second half-bridge element, which in turn each comprise at least a first and a second electrical resistance. The resistances have a strain-sensitive and / or temperature-sensitive resistance gradient on. The inventive electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit is characterized in that the Wheatstone bridges each have their own power source and / or own power supply path and / or two Halbbruckenelemente so connected to a Wheatstone bridge in that the first resistor of the first half-bridge element with the second resistor of the second half-bridge element and the second resistor of the first half-bridge element with the first resistor of the second half-bridge element each form a voltage divider. By using strain-sensitive and / or temperature-sensitive resistors, it is possible in a simple manner to detect forces and / or pressures and temperatures electrically. By at least two bridges on the force and / or pressure and / or temperature sensor are arranged with a matched to the respective requirement distance, there is the further advantage that, in particular with correspondingly large-sized force and / or pressure and / or Temperature sensors a uniform detection of the measured value takes place, since the measured value is not limited to a single portion of the force and / or pressure and / or temperature sensor. Another advantage results from the use of a separate power supply source and / or a separate power supply path for each of the Wheatstone bridges. This makes it possible to carry out a redundant current or temperature measurement. In addition, a demolition of a bond connection to the power supply and / or the electrical ground with the power supply of both bridges leads to a shift of the differential voltage, which thereby lies outside the voltage range, which can be achieved by a force and / or pressure and / or temperature. If the half-bridge elements continue to be connected in such a way to a Wheatstone bridge that the first resistor of the first half-bridge element with the second resistor of the second half-bridge element and the second resistor of the first half-bridge element with the first resistor of the second half-bridge element each form a voltage divider, this results in additional advantage that a demolition of a bond at one of those bonding points, which provide the differential voltage signals of the voltage divider forming half-bridge elements for the evaluation, can be detected without a separate power supply of the Wheatstone bridges is necessary. In this case, the differential voltage read out by an evaluation circuit is likewise in a voltage range which is outside that voltage range which can be achieved by a force and / or pressure and / or temperature influence. Due to the simple structure of the circuit arrangement according to the invention, the use of typical, generic evaluation ASICS is also possible. Thus, there is no additional effort on the software side.

Bevorzugt ist es vorgesehen, dass die Wheatstone'schen Brucken zueinander parallel geschaltet sind. Durch eine Parallelschaltung zweier oder mehrerer Brucken kann eine gemeinsame Differenzspannung an den die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelementen ausgelesen werden. Somit kann insbesondere bei einem groß dimensionierten Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer, der die Verwendung mehrerer Wheatstone'scher Brucken notwendig macht, ohne zusatzlichen Aufwand ein gemittelter Differenzspannungswert ausgelesen werden. Dieser gemittelte Differenzspannungswert entspricht der im Mittel auf den Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer einwirkenden Kraft bzw. dem im Mittel auf den Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer einwirkenden Druck bzw. der im Mittel auf den Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer einwirkenden Temperatur.It is preferably provided that the Wheatstone bridges are connected in parallel to each other. By a parallel connection of two or more bridges, a common differential voltage can be read out at the half-bridge elements forming the voltage dividers. Thus, in particular with a large-scale force and / or pressure and / or temperature sensor, which makes the use of multiple Wheatstone bridges necessary, an averaged difference voltage value can be read out without additional effort. This averaged differential voltage value corresponds to the force acting on the force and / or pressure and / or temperature transducer on average or the pressure acting on the force and / or pressure and / or temperature transducer on average, or the force on average - and / or pressure and / or temperature sensor acting temperature.

In einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform ist es vorgesehen, dass mindestens eine der Spannungsversorgungsquellen an- und abschaltbar ist und/oder mindestens einer der Spannungsversorgungspfade an- und abschaltbar ist. Mittels An- und Abschalten der Spannungsversorgungsquellen bzw. mittels An- und Abschalten der Spannungsversorgungspfade ergibt sich der Vorteil, dass die Unversehrtheit der Bondverbindungen an denjenigen Bondstellen uberpruft werden kann, die die Differenzspannungssignale der die Spannungsteiler bildenden Halbbrückenelemente fur die Auswerteschaltung bereitstellen. Bei Abriss einer dieser Bondverbindungen und bei nur einer eingeschalteten Spannungsversorgung bzw. nur einem eingeschalteten Spannungsversorgungspfad wird ein Differenzspannungssignal ausgegeben, welches außerhalb desjenigen Wertebereichs liegt, der durch Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatureinwirkung erreichbar ist.In a further preferred embodiment it is provided that at least one of the voltage supply sources can be switched on and off and / or at least one of the voltage supply paths can be switched on and off. By switching on and off the power supply sources or by switching on and off the power supply paths, there is the advantage that the integrity of the bonds can be checked at those bonding points that provide the differential voltage signals of the half-bridge elements forming the voltage divider for the evaluation circuit. In the case of demolition of one of these bond connections and with only one switched-on power supply or only one switched-on power supply path, a differential voltage signal is output, which is outside that range of values which can be achieved by force and / or pressure and / or temperature action.

Zweckmaßigerweise ist es vorgesehen, dass die ersten Widerstände einen positiven Widerstandsgradienten und die zweiten Widerstande einen negativen Widerstandsgradienten aufweisen, wobei ein positiver Widerstandsgradient eine Zunahme des elektrischen Widerstands mit steigender Kraft und/oder steigendem Druck und/oder steigender Temperatur verursacht und ein negativer Widerstandsgradient eine Abnahme des elektrischen Widerstands mit steigender Kraft und/oder steigendem Druck und/oder steigender Temperatur verursacht. Durch das gegensatzliche Verhalten der ersten und zweiten Widerstande kann eine größere Differenzspannung zwischen den die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelementen erzeugt werden. Somit werden auch geringe Krafte und/oder Drücke und/oder Temperaturen im Wesentlichen sicher erfassbar.It is expediently provided that the first resistors have a positive resistance gradient and the second resistors have a negative resistance gradient, wherein a positive resistance gradient causes an increase in electrical resistance with increasing force and / or pressure and / or temperature, and a negative resistance gradient causes a decrease of the electrical resistance caused by increasing force and / or pressure and / or rising temperature. Due to the opposite behavior of the first and second resistors, a larger differential voltage between the voltage dividers forming Half-bridge elements are generated. Thus, even low forces and / or pressures and / or temperatures are substantially reliably detected.

Außerdem ist es vorteilhaft, dass elektrische Verbindungen der Halbbrückenelemente untereinander sowie elektrische Verbindungen zu und von den Halbbruckenelementen mittels Bondverbindungen an Bondkontaktflachen hergestellt sind. Bondkontaktierungen ermöglichen eine einfache und effiziente elektrische Verbindung zwischen mikrostrukturierten Halbleiterbauelementen, wie den erfindungsgemäß verwendeten Halbbrückenelementen. Die Verwendung von Halbleiterbauelementen bietet wiederum den Vorteil, dass auf kosteneffiziente und hochpräzise gefertigte Halbbrückenelemente zuruckgegriffen werden kann.In addition, it is advantageous that electrical connections of the half-bridge elements to one another and electrical connections to and from the half-bridge elements are produced by means of bond connections to bonding contact surfaces. Bond contacts enable a simple and efficient electrical connection between microstructured semiconductor components, such as the half-bridge elements used according to the invention. The use of semiconductor devices in turn offers the advantage that it is possible to resort to cost-efficient and highly precisely manufactured half-bridge elements.

Weiterhin ist es vorteilhaft, dass die Halbbrückenelemente jeweils drei Bondkontaktflachen aufweisen. Somit steht eine erste Bondkontaktfläche zur elektrischen Anbindung an die Versorgungsspannung bereit und eine zweite Bondkontaktflache zur Anbindung an die elektrische Masse. Die dritte Bondkontaktflache, welche zudem den ersten und den zweiten Widerstand eines Spanungsteilers verbindet, stellt einen Spannungswert bereit, der gegen den Spannungswert an der dritten Bondkontaktfläche eines weiteren Spannungsteilers gemessen wird. Die Differenz der Spannungen an den dritten Bondkontaktflächen zweier zu einer Wheatstone'schen Brücke geschalteten Spannungsteiler stellt ein Spannungsdifferenzsignal dar, welches einer einwirkenden Kraft und/oder einem einwirkenden Druck und/oder einer einwirkende Temperatur entspricht.Furthermore, it is advantageous that the half-bridge elements each have three bond pads. Thus, a first bonding contact surface for electrical connection to the supply voltage is ready and a second bonding contact surface for connection to the electrical ground. The third bond pad, which also connects the first and the second resistor of a voltage divider, provides a voltage value which is measured against the voltage value at the third bond pad of a further voltage divider. The difference of the voltages at the third bonding pads of two voltage dividers connected to a Wheatstone bridge represents a voltage difference signal which corresponds to an acting force and / or an acting pressure and / or an acting temperature.

Außerdem ist es vorteilhaft, dass die ersten und die zweiten Widerstände der Halbbrückenelemente mit jeweils zwei Bondkontaktflächen elektrisch verbunden sind, wobei die ersten und die zweiten Widerstande der Halbbrückenelemente mit einer der jeweils zwei Bondkontaktflachen gemeinsam elektrisch verbunden sind. Die elektrische Anbindung beider Widerstände an eine gemeinsame Bondkontaktfläche ermoglicht die Nutzung des Halbbrückenelements als Spannungsteiler. Dies ist eine Voraussetzung fur die Schaltung zweier Halbbrückenelemente zu einer Wheatstone'schen Brucke.In addition, it is advantageous for the first and the second resistors of the half-bridge elements to be electrically connected to two bonding contact areas, wherein the first and the second resistances of the half-bridge elements are electrically connected to one of the two bonding contact areas. The electrical connection of both resistors to a common bonding pad allows the use of the half-bridge element as a voltage divider. This is a prerequisite for the connection of two half-bridge elements to a Wheatstone bridge.

Weiterhin ist es bevorzugt, dass die von den jeweils zwei Widerstanden zweier zu einer Wheatstone'schen Brucke geschalteten Halbbruckenelementen gemeinsam genutzten Bondkontaktflachen mit dem Spannungsversorgungspfad und der elektrischen Masse elektrisch verbunden sind und die zwei Halbbrucken derart zu einer Wheatstone'schen Brucke geschaltet sind, dass der erste Widerstand des ersten Halbbruckenelements mit dem zweiten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements und der zweite Widerstand des ersten Halbbruckenelements mit dem ersten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements jeweils einen Spannungsteiler bilden. Bei einem Abriss einer Bondverbindung zur Spannungsversorgung oder zur elektrischen Masse verschiebt die gemeinsam erfasste Differenzspannung in einen Spannungsbereich, welche größer ist als die Differenzspannung einer erfassbaren Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatureinwirkung. Somit kann ein Abreißen einer Bondverbindung zur Spannungsversorgung oder zur elektrischen Masse sicher erkannt werden.Furthermore, it is preferred that the bond pads shared by the respective two resistors of two half-bridge elements connected to a Wheatstone bridge are electrically connected to the voltage supply path and the electrical ground and the two half-bridges are connected to a Wheatstone bridge such that the first resistor of the first half-bridge element with the second resistor of the second half-bridge element and the second resistor of the first half-bridge element with the first resistor of the second half-bridge element each form a voltage divider. In a demolition of a bond connection to the power supply or the electrical ground shifts the jointly detected difference voltage in a voltage range which is greater than the differential voltage of a detectable force and / or pressure and / or temperature effect. Thus, a tearing off of a bond connection to the power supply or to the electrical ground can be reliably detected.

Weiterhin ist es bevorzugt, dass an den zwei nicht von den jeweils zwei Widerstanden zweier zu einer Wheatstone'schen Brücke geschalteten Halbbruckenelementen gemeinsam genutzten Bondkontaktflächen eine Differenzspannung der Spannungsteiler anliegt und die zwei Halbbruckenelemente derart zu einer Wheatstone'schen Brucke geschaltet sind, dass der erste Widerstand des ersten Halbbruckenelements mit dem zweiten Widerstand des zweiten Halbbruckenelements und der zweite Widerstand des ersten Halbbruckenelements mit dem ersten Widerstand des zweiten Halbbrückenelements jeweils einen Spannungsteiler bilden. Daraus ergibt sich der Vorteil, dass die Differenzspannungen der Spannungsteiler einer Wheatstone'schen Brücke von insgesamt vier Bondkontaktflachen erfasst werden. Bei Abreißen nur einer der vier Verbindungen erfasst die Auswerteschaltung eine charakteristische Differenzspannungsverschiebung, welche ebenfalls größer ist als die Differenzspannung einer erfassbaren Druck- und/oder Temperatureinwirkung. Da ein gleichzeitiges Abreißen von mehr als nur einer Bondverbindung in der Regel sehr unwahrscheinlich ist, können somit Fehler in der Wheatstone'schen Bruckenschaltung im Wesentlichen sicher erkannt werden.Furthermore, it is preferable for a differential voltage of the voltage dividers to be applied to the two bonding pads that are not shared by the two resistors of two half-bridge elements connected to a Wheatstone bridge and the two half-bridge elements are connected to form a Wheatstone bridge such that the first resistor each of the first half-bridge element with the second resistor of the second half-bridge element and the second resistor of the first half-bridge element with the first resistor of the second half-bridge element form a voltage divider. This results in the advantage that the differential voltages of the voltage divider of a Wheatstone bridge of a total of four bond pads are detected. When tearing off only one of the four compounds, the evaluation circuit detects a characteristic differential voltage shift, which is also greater than the differential voltage of a detectable pressure and / or temperature effect. As a simultaneous tearing of more than one bond is usually very unlikely, thus errors in the Wheatstone bridge circuit can be detected substantially safe.

Bevorzugt ist es vorgesehen, dass die zwei zu einer Wheatstone'schen Brücke geschalteten Halbbrückenelemente herstellungsseitig ein und der selben Produktionscharge entstammen. Daraus ergibt sich der Vorteil, dass die Halbbrückenelemente mit hoher Wahrscheinlichkeit im Wesentlichen nahezu identische Eigenschaften aufweisen. Da die Halbbrückenelemente Spannungsteiler bilden, aus deren Differenzspannung auf eine bestimmte Kraft bzw. einen bestimmten Druck bzw. eine bestimmte Temperatur geschlossen wird, ist es wichtig, dass sie ohne einwirkende Kraft bzw. ohne einwirkenden Druck bzw. bei Solltemperatur im Wesentlichen den gleichen elektrischen Widerstandswert aufweisen. Außerdem sind nahezu identische Widerstandsgradienten für die Zuordnung einer Kraft bzw. eines Drucks bzw. einer Temperatur zu einer erfassten Differenzspannung von Vorteil.It is preferably provided that the two half-bridge elements connected to a Wheatstone bridge originate on the production side and of the same production batch. This results in the advantage that the half-bridge elements with high probability have substantially almost identical properties. Since the half-bridge elements form voltage dividers, from whose differential voltage a certain force or a certain pressure or a certain temperature is concluded, it is important that they have no acting force or no acting pressure or at target temperature substantially the same electrical resistance value exhibit. In addition, almost identical resistance gradients are advantageous for the assignment of a force or a pressure or a temperature to a detected differential voltage.

Insbesondere ist es bevorzugt, dass die zwei zu einer Wheatstone'schen Brücke geschalteten Halbbrückenelemente herstellungsseitig aus benachbarten Stellen ein und des selben Wafers stammen. Dadurch ergibt sich der Vorteil, dass die beiden Halbbrückenelemente mit sehr hoher Wahrscheinlichkeit im Wesentlichen wollig identische Eigenschaften aufweisen.In particular, it is preferred that the two become a Wheatstone bridge switched half bridge elements manufacture side from adjacent locations and one of the same wafer come. This results in the advantage that the two half-bridge elements with very high probability essentially woolly identical properties.

Zweckmaßigerweise ist es vorgesehen, dass die Halbbruckenelemente auf ein Halbleitersubstrat als Tragermaterial prozessiert sind. Die Verwendung eines Halbleitersubstrats bietet dabei zunachst den Vorteil, dass ein im natürlichen Zustand nicht leitendes Material verwendet wird. Somit bietet das Halbleitermaterial eine wichtige Voraussetzung zum Aufbringen von stromfuhrenden Pfaden bei gleichzeitiger Vermeidung von Leckströmen. Ein weiterer Vorteil ergibt sich daraus, dass ein Halbleitermaterial durch entsprechend hohe Dotierkonzentrationen, z. B. mittels Eindiffundieren, an den vorgesehenen Stellen des Substrats in einen elektrischen Leiter mit im Wesentlichen genau definierten Eigenschaften umgewandelt werden kann.Expediently, it is provided that the half-bridge elements are processed on a semiconductor substrate as a carrier material. The use of a semiconductor substrate initially offers the advantage that a material which is non-conductive in the natural state is used. Thus, the semiconductor material provides an important prerequisite for applying current-carrying paths while avoiding leakage currents. Another advantage arises from the fact that a semiconductor material by correspondingly high doping concentrations, z. B. by diffusion, at the intended locations of the substrate in an electrical conductor with substantially well-defined properties can be converted.

In einer vorteilhaften Ausfuhrungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass die Widerstande der Halbbruckenelemente aus in das Halbleitersubstrat eindiffundiertem, metallischem Material bestehen. Die stromführenden Pfade auf dem Halbleitersubstrat können durch Eindiffundieren unterschiedlicher Konzentrationen ausgewahlter Metalle mit im Wesentlichen exakt festgelegten elektrischen Widerständen und im Wesentlichen exakt festgelegtem Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturverhalten auf das Halbleitersubstrat prozessiert werden. Somit konnen die Widerstandseigenschaften im Wesentlichen an die jeweiligen Erfordernisse angepasst werden.In an advantageous embodiment of the invention, it is provided that the resistances of the half-bridge elements consist of metallic material diffused into the semiconductor substrate. The current-carrying paths on the semiconductor substrate can be processed by diffusing different concentrations of selected metals with essentially exactly defined electrical resistances and substantially exactly defined force and / or pressure and / or temperature behavior onto the semiconductor substrate. Thus, the resistance properties can be substantially adapted to the respective requirements.

In einer weiteren bevorzugten Ausfuhrungsform ist es vorgesehen, dass eine Auswerteelektronik mit den die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelementen elektrisch verbunden ist. Die Spannungsteiler stellen eine Differenzspannung bereit, die einer jeweils einwirkenden Kraft bzw. einem jeweils einwirkenden Druck bzw. einer jeweils einwirkenden Temperatur entspricht. Die Auswerteelektronik errechnet die dem Differenzspannungssignal entsprechende Kraft bzw. den dem Differenzspannungssignal entsprechenden Druck bzw. die dem Differenzspannungssignal entsprechende Temperatur und gibt den errechneten Wert z. B. an ein Fahrzeugsteuergerat weiter. Die Auswerteelektronik kann aber auch in ein Fahrzeugsteuergerat integriert sein oder Teil eines Fahrzeugsteuergerats sein.In a further preferred embodiment, it is provided that an electronic evaluation unit is electrically connected to the half-bridge elements forming the voltage dividers. The voltage dividers provide a differential voltage which corresponds to a respectively acting force or a respective acting pressure or a respective acting temperature. The transmitter calculates the force corresponding to the differential voltage signal or the pressure corresponding to the differential voltage signal or the temperature corresponding to the differential voltage signal and outputs the calculated value z. B. to a vehicle control unit on. The transmitter may also be integrated into a vehicle control unit or be part of a vehicle control unit.

Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren, welches in einer elektronischen Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung durchgefuhrt wird, wobei die elektronische Kraft- und/oder Druck- und Temperaturmessschaltung mindestens zwei elektrisch miteinander verbundene Wheatstone'sche Brücken umfasst, wobei jeweils eine Wheatstone'sche Brücke ein erstes und ein zweites Halbbruckenelement umfasst, welche wiederum jeweils zumindest einen ersten und einen zweiten elektrischen Widerstand umfassen. Die Widerstande weisen dabei einen dehnungssensitiven und/oder temperatursensitiven Widerstandsgradienten auf. Eine an den die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelementen anliegende Differenzspannung wird von einer Auswerteelektronik erfasst und ausgewertet. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Auswerteelektronik ein Abreißen einer Bondverbindung von einer Bondkontaktflache an mindestens einer der mindestens zwei zueinander parallel geschalteten Wheatstone'schen Brücken an einer charakteristischen Verschiebung der an den Spannungsteilern bereit gestellten Differenzspannung erkennt. Da ein Abreißen einer Bondverbindung entweder über eine charakteristische Verschiebung der Differenzspannung, welche außerhalb eines im Normalbetrieb auftretenden Spannungsbereichs liegt, oder über das Fließen von Querströmen erkennbar ist, ergibt sich der Vorteil, dass keine gesonderte und aufwändige Uberwachungsschaltung notwendig ist, um das Abreißen einer Bondverbindung und die Art der abgerissenen Bondverbindung zu erkennen. Jede Art von Verbindungsfehler kann stattdessen uber die ohnehin vorhandene Auswerteelektronik erkannt werden.The invention also relates to a method which is carried out in an electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit, wherein the electronic force and / or pressure and temperature measuring circuit comprises at least two Wheatstone bridges electrically connected to one another, in each case a Wheatstone bridge comprises a first and a second half-bridge element, which in turn each comprise at least a first and a second electrical resistance. The resistances have a strain-sensitive and / or temperature-sensitive resistance gradient. A differential voltage applied to the half-bridge elements forming the voltage dividers is detected and evaluated by an evaluation electronics. The inventive method is characterized in that the transmitter recognizes a tearing of a bond from a bonding pad on at least one of the at least two Wheatstone bridges connected in parallel to a characteristic shift of the differential voltage provided at the voltage dividers. Since a tearing off of a bond connection can be recognized either via a characteristic shift of the differential voltage, which lies outside a voltage range occurring in normal operation, or via the flow of cross currents, there is the advantage that no separate and expensive monitoring circuit is necessary in order to break off a bond connection and to recognize the type of torn bond. Any kind of connection error can instead be detected via the evaluation electronics, which are present anyway.

Weiterhin ist es bevorzugt, dass an den Spannungsteilern der parallel zueinander geschalteten Wheatstone'schen Brucken von der Auswerteelektronik eine gemeinsame, gemittelte Differenzspannung erfasst wird. Indem die Differenzspannungen der parallel geschalteten Wheatstone'schen Brucken von der Auswerteelektronik gemeinsam erfasst und ausgelesen werden, wird ohne zusatzlichen Schaltungsaufwand ein Mittelwert der an den einzelnen Wheatstone'schen Brücken anliegenden Differenzspannungen erfasst. Insbesondere bei groß dimensionierten Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmern, auf welchen zwei oder mehr Wheatstone'schen Brücken angeordnet sind entfallt so vorteilhaft die Notwendigkeit, die einzelnen Differenzspannungswerte in einem zusatzlichen Verfahrensschritt zu mitteln.Furthermore, it is preferred that a common, averaged differential voltage is detected at the voltage dividers of the Wheatstone bridges connected in parallel to one another by the evaluation electronics. By the differential voltages of the parallel Wheatstone bridges are detected and read together by the transmitter, an average value of the voltage applied to the individual Wheatstone bridges differential voltages is detected without additional circuit complexity. Particularly in the case of large-dimensioned force and / or pressure and / or temperature sensors, on which two or more Wheatstone bridges are arranged, it is thus advantageously unnecessary to average the individual differential voltage values in an additional method step.

Die Erfindung betrifft weiterhin einen Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatursensor, in welchem die beschriebene Schaltung Anwendung findet.The invention further relates to a force and / or pressure and / or temperature sensor, in which the circuit described is applied.

Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung auch die Verwendung des Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatursensors in einer Bremsvorrichtung eines Kraftfahrzeugs.Moreover, the present invention also relates to the use of the force and / or pressure and / or temperature sensor in a braking device of a motor vehicle.

Weitere bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteranspruchen und der nachfolgenden Beschreibung von Ausfuhrungsbeispielen anhand von Figuren.Further preferred embodiments emerge from the subclaims and the following description of exemplary embodiments with reference to figures.

Es zeigenShow it

1 eine schematische Darstellung einer Schaltungsanordnung, in welcher vier Halbbruckenelemente zu zwei parallel geschalteten Wheatstone'schen Brucken geschaltet sind, 1 a schematic representation of a circuit arrangement in which four Halbbruckenelemente are connected to two parallel Wheatstone bridges,

2 ebenfalls eine schematische Darstellung von zwei parallel geschalteten Wheatstone'schen Brücken, wobei eine der beiden Wheatstone'schen Brücken einen schaltbaren Spannungsversorgungspfad besitzt und 2 likewise a schematic representation of two Wheatstone bridges connected in parallel, one of the two Wheatstone bridges having a switchable voltage supply path, and

3 eine schematische Darstellung der Schaltungsanordnung zweier Wheatstone'scher Brücken, bestehend aus vier Halbbruckenelementen, wobei die Spannungsteiler der Wheatstone'schen Brucken von jeweils zwei unterschiedlichen, halben Halbbrückenelementen gebildet werden. 3 a schematic representation of the circuit arrangement of two Wheatstone bridges, consisting of four Halbbruckenelementen, wherein the voltage divider of the Wheatstone bridges of two different, half-half-bridge elements are formed.

Die in 1 dargestellte Schaltungsanordnung umfasst Spannungsquelle 1, welche Wheatstone'sche Bruckenschaltung 9 versorgt, und Spannungsquelle 2, welche Wheatstone'sche Bruckenschaltung 10 versorgt. Spannungsversorgungen 1 und 2 sind schaltbar ausgefuhrt und Wheatstone'sche Brücken 9 und 10 sind parallel geschaltet. Wheatstone'sche Brucken 9 und 10 umfassen Halbbruckenelemente 5, 6, 7 und 8, welche wiederum Widerstande 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18 und 19 umfassen. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Halbbrückenelemente derart geschaltet, dass jedes Halbbruckenelement fur sich einen einer Wheatstone'sche Brucke zugehorigen Spannungsteiler bildet. Die Halbbruckenelemente verfügen außerdem über Bondkontaktflachen 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30 und 31, wobei jedes Halbbruckenelement jeweils drei Bondkontaktflächen umfasst. Bondkontaktflachen 20, 23, 26 und 29 sind mit Spannungsversorgungsquellen 1 und 2 elektrisch verbunden, wahrend Bondkontaktflächen 22, 25, 28 und 31 mit elektrischer Masse 34 elektrisch verbunden sind. An Bondkontaktflächen 21 und 24 sowie 27 und 30 wird jeweils die Differenzspannung der Spannungsteiler, welche paarweise jeweils eine Wheatstone'sche Brucke bilden, bereitgestellt. Da die an Bondkontaktflächen 21 und 27 anliegende Spannung an Kontakt 32 gemeinsam erfasst wird, wird somit ein aus beiden Spannungswerten gemittelter Spannungswert bereitgestellt. Ebenso wird die an Bondkontaktstellen 24 und 30 anliegende Spannung an Kontakt 33 gemeinsam erfasst, wodurch auch an Kontakt 33 ein Spannungsmittelwert der beiden Bondkontaktflachen anliegt. An Kontakten 32 und 33 anliegende Spannungen werden von der Auswerteelektronik (nicht dargestellt) ausgelessen. Die jeweils zwei Widerstände (12 und 13, 14 und 15, 16 und 17, 18 und 19) eines Halbbrückenelements sind derart ausgelegt, dass jeweils einer (12, 15, 16, 19) der jeweils zwei Widerstände seinen Widerstandswert mit zunehmendem Druck vergroßert, während der jeweils andere Widerstand (13, 14, 17, 18) einer Halbbrücke seinen Widerstandswert mit zunehmendem Druck bzw. zunehmender Kraft und dadurch verursachter Stauchung verringert. Da auf Druckaufnehmer 11 einwirkender Druck auch an Widerstande 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18 und 19 weitergegeben wird, kann durch das gegensätzliche Verhalten der Widerstände ein stärkeres Spannungsgefalle an Bondkontaktflachen 21 und 24 bzw. 27 und 30 erzeugt werden.In the 1 illustrated circuitry includes voltage source 1 , which Wheatstone bridge circuit 9 supplied, and voltage source 2 , which Wheatstone bridge circuit 10 provided. power Supplies 1 and 2 are switchable and Wheatstone bridges 9 and 10 are connected in parallel. Wheatstone Bridge 9 and 10 include half-bridge elements 5 . 6 . 7 and 8th , which in turn resist 12 . 13 . 14 . 15 . 16 . 17 . 18 and 19 include. In this embodiment, the half-bridge elements are connected in such a way that each half-bridge element forms for itself a voltage divider belonging to a Wheatstone bridge. The half-bridge elements also have bonding pads 20 . 21 . 22 . 23 . 24 . 25 . 26 . 27 . 28 . 29 . 30 and 31 wherein each half-bridge element comprises three bond pads each. Bond contact surfaces 20 . 23 . 26 and 29 are with power sources 1 and 2 electrically connected while bonding pads 22 . 25 . 28 and 31 with electrical ground 34 are electrically connected. At bonding pads 21 and 24 such as 27 and 30 In each case, the differential voltage of the voltage divider, which in pairs each form a Wheatstone bridge, provided. As the bond pads 21 and 27 applied voltage to contact 32 is jointly detected, thus a voltage value averaged from both voltage values is provided. Likewise, the bond pads 24 and 30 applied voltage to contact 33 collectively, which also leads to contact 33 a voltage average value of the two bonding contact surfaces is present. At contacts 32 and 33 applied voltages are read out by the transmitter (not shown). Each two resistors ( 12 and 13 . 14 and 15 . 16 and 17 . 18 and 19 ) of a half-bridge element are designed such that each one ( 12 . 15 . 16 . 19 ) of each two resistors increases its resistance value with increasing pressure, while the other resistor ( 13 . 14 . 17 . 18 ) of a half-bridge reduces its resistance value with increasing pressure or increasing force and thereby causing compression. Because on pressure transducer 11 acting pressure also on resistances 12 . 13 . 14 . 15 . 16 . 17 . 18 and 19 can be passed through the opposing behavior of the resistors a stronger tension on Bondkontaktflachen 21 and 24 respectively. 27 and 30 be generated.

Daher können auch geringe Drucke erkannt werden. Die gesamte Schaltung ist auf Druckaufnehmer 11 angeordnet.Therefore, even small prints can be detected. The entire circuit is on pressure transducer 11 arranged.

Kommt es in 1 einem Ausfuhrungsbeispiel gemäß zu einem Abriss (nicht dargestellt) der Bondverbindung an Bondkontaktflache 20, so entspricht die von der Auswerteelektronik ausgelesene Differenzspannung der Kontakte 32 und 33 einem Druck, der außerhalb des Messbereichs liegt, für den die Schaltungsanordnung ausgelegt ist. Die beispielsgemäße Auswerteschaltung erkennt daher anhand der Differenzspannung, dass es zu einem Verbindungsabriss einer Bondkontaktflache zur Versorgungsspannung oder einer Bondkontaktfläche zur elektrischen Masse gekommen sein muss. Da die Auswerteschaltung ohnehin die Differenzspannung von Kontakten 32 und 33 ausliest, ist keine Erweiterung der Auswerteschaltung notig, um den Verbindungsabriss zu erkennen.It comes in 1 an exemplary embodiment according to a demolition (not shown) of the bond connection to bonding contact surface 20 , so corresponds to the reading of the transmitter differential voltage of the contacts 32 and 33 a pressure which is outside the measuring range for which the circuit arrangement is designed. The exemplary evaluation circuit therefore recognizes on the basis of the differential voltage that it must have come to a connection tear of a bonding pad to the supply voltage or a bonding pad to the electrical ground. Since the evaluation circuit anyway the differential voltage of contacts 32 and 33 is read, no extension of the evaluation circuit is necessary to detect the disconnection.

In 2 ist eine beispielhafte Schaltungsanordnung dargestellt, bei welcher zwei Wheatstone'sche Brucken uber getrennte Spannungsversorgungspfade 3 und 4 mit einer gemeinsamen Spannungsversorgungsquelle 1 verbunden sind. Spannungsversorgungspfad 4 ist schaltbar ausgeführt, so dass Wheatstone'sche Brucke 10 stromlos geschaltet werden kann. Bei Abschalten einer Spannungsversorgung bzw. eines Spannungsversorgungspfads fließen Querstrome uber die Verbindungsdrahte derjenigen Bondstellen, die die Differenzspannungssignale der die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelemente für die Auswerteschaltung bereitstellen. In diesem Ausführungsbeispiel kommt es zu einem Abriss (nicht dargestellt) der Bondverbindung an Bondkontaktflache 27. Somit erhalt Kontakt 32 kein Spannungssignal mehr von Bondkontaktfläche 27 und stellt nicht länger den Mittelwert der an Bondkontaktflächen 21 und 27 anliegenden Spannungen bereit. Stattdessen liegt an Kontakt 32 dieselbe Spannung an wie an Bondkontaktflache 21. Da somit immer noch eine Differenzspannung, die einem messbaren Druck entspricht, an Kontakten 32 und 33 anliegt, erkennt die Auswerteelektronik den Verbindungsabriss nicht. Da in diesem Ausführungsbeispiel jedoch Spannungsversorgungspfad 4 schaltbar ist, kann durch Abschalten von Spannungsversorgungspfad 4 und uber das Sensieren der daraus resultierenden Querströme zwischen Bondverbindungskontakten 21 und 27 bzw. 24 und 30 auf die Unversehrtheit der elektrischen Verbindungen zwischen den Bondkontaktflachen 21, 27 und 24, 30 geschlossen werden. Fließt trotz nur einer eingeschalteten Spannungsversorgung kein Querstrom zwischen Bondverbindungskontakten 21 und 27 bzw. 24 und 30, so lasst sich daraus schließen, dass die elektrische Verbindung zwischen den zugehörigen Bondkontaktflächen unterbrochen ist. Gemäß diesem Ausfuhrungsbeispiel fließt bei abgeschaltetem Spannungsversorgungspfad 4 ein Querstrom von Bondkontaktflache 24 zu Bondkontaktflache 30. Da jedoch die Bondverbindung an Bondkontaktflache 27 unterbrochen ist, kann kein Querstrom von Bondkontaktflache 21 zu Bondkontaktflache 27 fließen. Mittels einer einfachen Strommessung kann somit ein Fehler der elektrischen Verbindung zwischen Bondkontaktflachen 21 und 27 erkannt werden. Daraus wiederum kann auf einen Fehler der elektrischen Verbindung einer der Bondkontaktflachen 21 oder 27 zu Kontakt 32 bzw. der Bondkontaktflachen untereinander geschlossen werden.In 2 an exemplary circuit arrangement is shown, in which two Wheatstone bridges via separate power supply paths 3 and 4 with a common power source 1 are connected. Power supply path 4 is switchable, so that Wheatstone's bridge 10 can be switched off. When a voltage supply or a voltage supply path is switched off, transverse currents flow via the connecting wires of those bonding points which provide the differential voltage signals of the half-bridge elements forming the voltage dividers for the evaluation circuit. In this embodiment, there is a tear (not shown) of the bond to bonding contact surface 27 , Thus, get in touch 32 no more voltage signal from bond pad 27 and no longer sets the average of bond pads 21 and 27 applied voltages ready. Instead, there is contact 32 the same voltage as on Bondkontaktflache 21 , So there is still a differential voltage that corresponds to a measurable pressure on contacts 32 and 33 is detected, recognizes the Transmitter does not break the connection. However, in this embodiment, power supply path 4 can be switched off by switching off power supply path 4 and sensing the resulting cross-currents between bond connection contacts 21 and 27 respectively. 24 and 30 on the integrity of the electrical connections between the bond pads 21 . 27 and 24 . 30 getting closed. In spite of only one switched-on power supply, no cross-flow flows between the bond connection contacts 21 and 27 respectively. 24 and 30 , it can be concluded that the electrical connection between the associated bonding pads is interrupted. According to this exemplary embodiment flows when switched off power supply path 4 a cross-flow of bonding contact area 24 to bond contact area 30 , However, because the bond connection to Bondkontaktflache 27 is interrupted, no cross-flow of bonding contact area 21 to bond contact area 27 flow. By means of a simple current measurement can thus be a fault of the electrical connection between Bondkontaktflachen 21 and 27 be recognized. In turn, this may indicate a fault in the electrical connection of one of the bonding pads 21 or 27 to contact 32 or the bonding pads are closed to each other.

3 zeigt schematisch eine weitere erfindungsgemaße Schaltungsanordnung. In dieser beispielhaften Ausfuhrungsform verfügen Wheatstone'sche Brücken 9 und 10 über eine gemeinsame Spannungsversorgungsquelle 1. Spannungsversorgungspfade 3 und 4 der Wheatstone'schen Brücken 9 und 10 sind in diesem Ausführungsbeispiel nicht schaltbar, wodurch eine einzelne Versorgung nur einer Wheatstone'schen Brücke nicht möglich ist. Entgegen den oben beschriebenen Ausfuhrungsbeispielen sind hier je zwei Halbbruckenelemente 5, 6 und 7, 8 derart zu einer Wheatstone'schen Brücke 9, 10 geschaltet, dass ein erster Widerstand 12, 16 eines ersten Halbbruckenelements 5, 7 mit einem zweiten Widerstand 14, 18 eines zweiten Halbbruckenelements 6, 8 und ein zweiter Widerstand 13, 17 eines ersten Halbbrückenelements 5, 7 mit einem ersten Widerstand 15, 19 eines zweiten Halbbrückenelements 6, 8 jeweils einen Spannungsteiler bilden. Spannungsversorgungspfad 3 ist elektrisch mit Bondkontaktflache 24 verbunden, wahrend Spannungsversorgungspfad 4 elektrisch mit Bondkontaktflache 30 verbunden ist. Elektrische Masse 34 ist über Bondkontaktflächen 21 und 27 kontaktiert. Uber Bondkontaktflächen 20, 23, 22, 25, 26, 29, 28 und 30 sind Wheatstone'sche Brucken 9 und 10 hinsichtlich ihres Differenzspannungssignals parallel geschaltet. Wheatstone'sche Brücken 9 und 10 verfugen damit uber jeweils vier Bondkontaktflächen 20, 23, 22, 25 und 26, 29, 28, 31 zur Bereitstellung des Differenzspannungssignals. Kontakt 32 ist mit Bondkontaktflächen 20, 23, 26 und 29 elektrisch verbunden. Somit liegt an Kontakt 32 der Spannungsmittelwert der an Bondkontaktflachen 20, 23 und 26, 29 anliegenden Spannungen an. Über die elektrische Verbindung von Kontakt 33 zu Bondkontaktflächen 22, 25 und 28, 31 liegt an Kontakt 33 der Spannungsmittelwert der an diesen Bondkontaktflächen anliegenden Spannungen an. Da die die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelemente 5, 6, 7 und 8 die von jedem Spannungsteiler bereitgestellte Spannung uber jeweils zwei Bondkontaktflachen an Kontakte 32 und 33 weiterfuhren, ist ein vollständiger Abriss der elektrischen Verbindung von einem der Spannungsteiler zu Kontakt 32 bzw. Kontakt 33 vergleichsweise unwahrscheinlich. Ein Abriss der Verbindung an einer einzelnen Bondkontaktfläche 20, 22, 23, 25, 26, 28, 29 oder 31 ist für die Auswerteelektronik hingegen an einer Spannungsverschiebung erkennbar, welche den Differenzspannungswert einer möglichen Druckeinwirkung ubersteigt. Somit ist es in diesem Ausfuhrungsbeispiel nicht notwendig, eine schaltbare Spannungsversorgung bzw. schaltbare Spannungsversorgungspfade bereitzustellen, um den Abriss einer einzelnen Bondverbindung an den die Differenzspannung bereitstellenden Bondkontaktflächen 20, 22, 23, 25, 26, 28, 29 und 31 der Spannungsteiler zu erkennen. Ebenso wird ein Abriss einer Verbindung zur Spannungsversorgung oder zur elektrischen Masse von der Auswerteelektronik uber eine Differenzspannung erkannt, welche großer als eine maximal mogliche Kraft- oder Druck- oder Temperatureinwirkung ist. Die in 3 beispielhaft beschriebene Schaltungsanordnung erlaubt somit das Erkennen von jeder Art von Verbindungsabriss mittels einer ohnehin vorhandenen Auswerteelektronik und gewohnlicher Auswerte-ASICS. Eine Schaltbarkeit der Spannungsquellen oder der Spannungsversorgungspfade ist ebenso wenig notwendig wie eine gesonderte Überwachungsschaltung. 3 schematically shows a further inventive circuit arrangement. In this exemplary embodiment have Wheatstone bridges 9 and 10 via a common power source 1 , Power supply paths 3 and 4 the Wheatstone bridges 9 and 10 are not switchable in this embodiment, whereby a single supply only a Wheatstone bridge is not possible. Contrary to the exemplary embodiments described above, there are two half-bridge elements each here 5 . 6 and 7 . 8th so to a Wheatstone bridge 9 . 10 switched that a first resistance 12 . 16 a first half-bridge element 5 . 7 with a second resistor 14 . 18 a second half-bridge element 6 . 8th and a second resistor 13 . 17 a first half-bridge element 5 . 7 with a first resistance 15 . 19 a second half-bridge element 6 . 8th each form a voltage divider. Power supply path 3 is electrically with bonding contact surface 24 connected while power supply path 4 electrically with bonding contact surface 30 connected is. Electrical mass 34 is via bond pads 21 and 27 contacted. Via bond pads 20 . 23 . 22 . 25 . 26 . 29 . 28 and 30 are Wheatstone's bridges 9 and 10 connected in parallel with respect to their differential voltage signal. Wheatstone bridges 9 and 10 thus have four bond pads each 20 . 23 . 22 . 25 and 26 . 29 . 28 . 31 for providing the differential voltage signal. Contact 32 is with bond pads 20 . 23 . 26 and 29 electrically connected. Thus lies in contact 32 the mean voltage of bonding contact surfaces 20 . 23 and 26 . 29 applied voltages. About the electrical connection of contact 33 to bond pads 22 . 25 and 28 . 31 is due to contact 33 the mean voltage of the voltage applied to these bond pads voltages. As the voltage divider forming half-bridge elements 5 . 6 . 7 and 8th the voltage provided by each voltage divider across each two bond pads on contacts 32 and 33 continue, is a complete demolition of the electrical connection of one of the voltage divider to contact 32 or contact 33 relatively unlikely. An outline of the connection on a single bond pad 20 . 22 . 23 . 25 . 26 . 28 . 29 or 31 On the other hand, the evaluation electronics can be recognized by a voltage shift which exceeds the differential voltage value of a possible pressure action. Thus, in this embodiment, it is not necessary to provide a switchable power supply or switchable power supply paths to break off a single bond at the bond pads providing the differential voltage 20 . 22 . 23 . 25 . 26 . 28 . 29 and 31 to recognize the voltage divider. Likewise, a demolition of a connection to the power supply or the electrical ground is detected by the transmitter via a differential voltage, which is greater than a maximum possible force or pressure or temperature effect. In the 3 Example described circuit arrangement thus allows the detection of any type of connection tear by means of an already existing evaluation and ordinary evaluation ASICS. Switchability of the voltage sources or the voltage supply paths is just as unnecessary as a separate monitoring circuit.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102008032300 A1 [0002] DE 102008032300 A1 [0002]
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Claims (18)

Elektronische Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung, umfassend mindestens zwei elektrisch miteinander verbundene Wheatstone'schen Brucken (9, 10), wobei die Wheatstone'schen Brucken auf einem gemeinsamen Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturaufnehmer (11) von einander beabstandet angeordnet sind, wobei jeweils eine Wheatstone'sche Brucke (9, 10) ein erstes (5, 7) und ein zweites (6, 8) Halbbruckenelement umfasst, welche jeweils zumindest einen ersten (12, 15, 16, 19) und einen zweiten (13, 14, 16, 18) elektrischen Widerstand umfassen, wobei die Widerstande einen dehnungssensitiven und/oder temperatursensitiven Widerstandsgradienten aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die Wheatstone'schen Brucken (9, 10) jeweils eine eigene Spannungsversorgungsquelle (1, 2) und/oder einen eigenen Spannungsversorgungspfad (3, 4) besitzen und/oder jeweils zwei Halbbrückenelemente (5, 6 und 7, 8) derart zu einer Wheatstone'schen Brücke (9, 10) geschaltet sind, dass der erste Widerstand (12, 16) des ersten Halbbruckenelements (5, 7) mit dem zweiten Widerstand (14, 18) des zweiten Halbbrückenelements (6, 8) und der zweite Widerstand (13, 17) des ersten Halbbrückenelements (5, 7) mit dem ersten Widerstand (15, 19) des zweiten Halbbrückenelements (6, 8) jeweils einen Spannungsteiler bilden.Electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit comprising at least two electrically connected Wheatstone bridges ( 9 . 10 ), wherein the Wheatstone bridges on a common force and / or pressure and / or temperature sensor ( 11 ) are spaced from each other, each with a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ) a first ( 5 . 7 ) and a second one ( 6 . 8th ) Comprises half-bridge elements which each have at least one first ( 12 . 15 . 16 . 19 ) and a second ( 13 . 14 . 16 . 18 ) comprise electrical resistance, wherein the resistances have a strain-sensitive and / or temperature-sensitive resistance gradient, characterized in that the Wheatstone bridges ( 9 . 10 ) each have their own power source ( 1 . 2 ) and / or a separate power supply path ( 3 . 4 ) and / or in each case two half-bridge elements ( 5 . 6 and 7 . 8th ) so to a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ), that the first resistor ( 12 . 16 ) of the first half-bridge element ( 5 . 7 ) with the second resistor ( 14 . 18 ) of the second half-bridge element ( 6 . 8th ) and the second resistor ( 13 . 17 ) of the first half-bridge element ( 5 . 7 ) with the first resistor ( 15 . 19 ) of the second half-bridge element ( 6 . 8th ) each form a voltage divider. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wheatstone'schen Brücken (9, 10) zueinander parallel geschaltet sind.Circuit according to Claim 1, characterized in that the Wheatstone bridges ( 9 . 10 ) are connected in parallel to each other. Schaltung nach mindestens einem der Anspruche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Spannungsversorgungsquellen (1, 2) an- und abschaltbar ist und/oder mindestens einer der Spannungsversorgungspfade (3, 4) an- und abschaltbar ist.Circuit according to at least one of claims 1 or 2, characterized in that at least one of the power supply sources ( 1 . 2 ) and / or at least one of the voltage supply paths ( 3 . 4 ) can be switched on and off. Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Widerstände (12, 15, 16, 19) einen positiven Widerstandsgradienten und die zweiten Widerstände (13, 14, 17, 18) einen negativen Widerstandsgradienten aufweisen, wobei ein positiver Widerstandsgradient eine Zunahme des elektrischen Widerstands mit steigender Kraft und/oder steigendem Druck und/oder steigender Temperatur verursacht und ein negativer Widerstandsgradient eine Abnahme des elektrischen Widerstands mit steigender Kraft und/oder steigendem Druck und/oder steigender Temperatur verursacht.Circuit according to at least one of Claims 1 to 3, characterized in that the first resistors ( 12 . 15 . 16 . 19 ) a positive resistance gradient and the second resistances ( 13 . 14 . 17 . 18 ) have a negative resistance gradient, where a positive resistance gradient causes an increase in electrical resistance with increasing force and / or pressure and / or temperature, and a negative resistance gradient causes a decrease in electrical resistance with increasing force and / or pressure and / or pressure Temperature causes. Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass elektrische Verbindungen der Halbbruckenelemente (5, 6, 7, 8) untereinander sowie elektrische Verbindungen zu und von den Halbbruckenelementen (5, 6, 7, 8) mittels Bondverbindungen an Bondkontaktflächen (20–31) hergestellt sind.Circuit according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that electrical connections of the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) and electrical connections to and from the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) by means of bonds to bond pads ( 20 - 31 ) are made. Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbbruckenelemente (5, 6, 7, 8) jeweils drei Bondkontaktflachen (20, 21, 22 und 23, 24, 25 und 26, 27, 28 und 29, 30, 31) aufweisen.Circuit according to at least one of Claims 1 to 5, characterized in that the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) each three bonding contact surfaces ( 20 . 21 . 22 and 23 . 24 . 25 and 26 . 27 . 28 and 29 . 30 . 31 ) exhibit. Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten (12, 15, 16, 19) und die zweiten (13, 14, 17, 18) Widerstände der Halbbrückenelemente (5, 6, 7, 8) mit jeweils zwei Bondkontaktflachen (20–31) elektrisch verbunden sind, wobei die ersten (12, 15, 16, 19) und die zweiten (13, 14, 17, 18) Widerstände der Halbbruckenelemente (5, 6, 7, 8) mit einer (21, 24, 27, 30) der jeweils zwei Bondkontaktflächen (20–31) gemeinsam elektrisch verbunden sind.Circuit according to at least one of Claims 1 to 6, characterized in that the first ( 12 . 15 . 16 . 19 ) and the second ( 13 . 14 . 17 . 18 ) Resistances of the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) each with two bonding pads ( 20 - 31 ) are electrically connected, the first ( 12 . 15 . 16 . 19 ) and the second ( 13 . 14 . 17 . 18 ) Resistances of the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) with a ( 21 . 24 . 27 . 30 ) of each two bond pads ( 20 - 31 ) are electrically connected together. Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die von den jeweils zwei Widerstanden (12, 13 und 14, 15 und 16, 17 und 18, 19) zweier zu einer Wheatstone'schen Brücke (9, 19) geschalteten Halbbrückenelementen (5, 6 und 7, 8) gemeinsam genutzten Bondkontaktflächen (21, 24, 27, 30) mit dem Spannungsversorgungspfad (3, 4) und der elektrischen Masse (34) elektrisch verbunden sind und die zwei Halbbrucken (5, 6 und 7, 8) derart zu einer Wheatstone'schen Brücke (9, 10) geschaltet sind, dass der erste Widerstand (12, 16) des ersten Halbbrückenelements (5, 7) mit dem zweiten Widerstand (14, 18) des zweiten Halbbrückenelements (6, 8) und der zweite Widerstand (13, 17) des ersten Halbbruckenelements (5, 7) mit dem ersten Widerstand (15, 19) des zweiten Halbbruckenelements (6, 8) jeweils einen Spannungsteiler bilden.Circuit according to at least one of Claims 1 to 7, characterized in that those of the two resistors ( 12 . 13 and 14 . 15 and 16 . 17 and 18 . 19 ) two to a Wheatstone bridge ( 9 . 19 ) connected half-bridge elements ( 5 . 6 and 7 . 8th ) shared bond pads ( 21 . 24 . 27 . 30 ) with the power supply path ( 3 . 4 ) and the electrical mass ( 34 ) are electrically connected and the two half bridges ( 5 . 6 and 7 . 8th ) so to a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ), that the first resistor ( 12 . 16 ) of the first half-bridge element ( 5 . 7 ) with the second resistor ( 14 . 18 ) of the second half-bridge element ( 6 . 8th ) and the second resistor ( 13 . 17 ) of the first half-bridge element ( 5 . 7 ) with the first resistor ( 15 . 19 ) of the second half-bridge element ( 6 . 8th ) each form a voltage divider. Schaltung nach mindestens einem der Anspruche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass an den zwei nicht von den jeweils zwei Widerständen zweier zu einer Wheatstone'schen Brucke geschalteten Halbbrückenelementen gemeinsam genutzten Bondkontaktflächen (20, 22, 23, 25, 26, 28, 29, 31) eine Differenzspannung (32, 33) der Spannungsteiler anliegt und die zwei Halbbrückenelemente (5, 6 und 7, 8) derart zu einer Wheatstone'schen Brücke (9, 10) geschaltet sind, dass der erste Widerstand (12, 16) des ersten Halbbrückenelements (5, 7) mit dem zweiten Widerstand (14, 18) des zweiten Halbbruckenelements (6, 8) und der zweite Widerstand (13, 17) des ersten Halbbrückenelements (5, 7) mit dem ersten Widerstand (15, 19) des zweiten Halbbrückenelements (6, 8) jeweils einen Spannungsteiler bilden.Circuit according to at least one of claims 1 to 8, characterized in that at the two non-each of the two resistors of two connected to a Wheatstone bridge half-bridge elements shared bond pads ( 20 . 22 . 23 . 25 . 26 . 28 . 29 . 31 ) a differential voltage ( 32 . 33 ) the voltage divider rests and the two half-bridge elements ( 5 . 6 and 7 . 8th ) so to a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ), that the first resistor ( 12 . 16 ) of the first half-bridge element ( 5 . 7 ) with the second resistor ( 14 . 18 ) of the second half-bridge element ( 6 . 8th ) and the second resistor ( 13 . 17 ) of the first half-bridge element ( 5 . 7 ) with the first resistor ( 15 . 19 ) of the second half-bridge element ( 6 . 8th ) each form a voltage divider. Schaltung nach mindestens einem der Anspruche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei zu einer Wheatstone'schen Brucke (9, 10) geschalteten Halbbruckenelemente (5, 6 und 7, 8) herstellungsseitig ein und der selben Produktionscharge entstammen.Circuit according to at least one of claims 1 to 9, characterized in that the two to a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ) switched half-bridge elements ( 5 . 6 and 7 . 8th ) originate from the production side and the same production batch. Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei zu einer Wheatstone'schen Brücke (9, 10) geschalteten Halbbrückenelemente (5, 6 und 7, 8) herstellungsseitig aus benachbarten Stellen ein und des selben Wafers stammen.Circuit according to claim 10, characterized in that the two are connected to a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ) connected half-bridge elements ( 5 . 6 and 7 . 8th ) originate from adjacent locations on one and the same wafer. Schaltung nach mindestens einem der Anspruche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbbrückenelemente (5, 6, 7, 8) auf ein Halbleitersubstrat als Trägermaterial prozessiert sind.Circuit according to at least one of claims 1 to 11, characterized in that the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) are processed on a semiconductor substrate as a carrier material. Schaltung nach mindestens einem der Anspruche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstande (12–19) der Halbbrückenelemente (5, 6, 7, 8) aus in das Halbleitersubstrat eindiffundiertem, metallischem Material bestehen.Circuit according to at least one of claims 1 to 12, characterized in that the resistances ( 12 - 19 ) of the half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) consist of diffused into the semiconductor substrate, metallic material. Schaltung nach mindestens einem der Anspruche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine Auswerteelektronik mit den die Spannungsteiler bildenden Halbbruckenelementen (5, 6, 7, 8) elektrisch verbunden ist.Circuit according to at least one of claims 1 to 13, characterized in that a transmitter with the voltage dividers forming half-bridge elements ( 5 . 6 . 7 . 8th ) is electrically connected. Verfahren, welches in einer elektronischen Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperaturmessschaltung durchgefuhrt wird, wobei die elektronische Kraft- und/oder Druck- und Temperaturmessschaltung mindestens zwei elektrisch miteinander verbundene Wheatstone'sche Brücken (9, 10) umfasst, wobei jeweils eine Wheatstone'sche Brucke (9, 10) ein erstes (5, 7) und ein zweites (6, 8) Halbbruckenelement umfasst, welche jeweils zumindest einen ersten (12, 15, 16, 19) und einen zweiten (13, 14, 17, 18) elektrischen Widerstand umfassen, wobei die Widerstande einen dehnungssensitiven und/oder temperatursensitiven Widerstandsgradienten aufweisen, wobei eine an den die Spannungsteiler bildenden Halbbrückenelementen anliegende Differenzspannung (32, 33) von einer Auswerteelektronik erfasst und ausgewertet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteelektronik ein Abreißen einer Bondverbindung von einer Bondkontaktflache (20–31) an mindestens einer der mindestens zwei zueinander parallel geschalteten Wheatstone'schen Brucken (9, 10) an einer charakteristischen Verschiebung der an den Spannungsteilern bereit gestellten Differenzspannung (32, 33) erkennt.Method which is carried out in an electronic force and / or pressure and / or temperature measuring circuit, wherein the electronic force and / or pressure and temperature measuring circuit at least two electrically interconnected Wheatstone bridges ( 9 . 10 ), wherein in each case a Wheatstone bridge ( 9 . 10 ) a first ( 5 . 7 ) and a second one ( 6 . 8th ) Comprises half-bridge elements which each have at least one first ( 12 . 15 . 16 . 19 ) and a second ( 13 . 14 . 17 . 18 ) electrical resistance, wherein the resistors have a strain-sensitive and / or temperature-sensitive resistance gradient, wherein a voltage applied to the voltage divider half-bridge elements applied differential voltage ( 32 . 33 ) is detected and evaluated by a transmitter, characterized in that the evaluation electronics tearing off a bond from a bonding contact surface ( 20 - 31 ) on at least one of the at least two Wheatstone bridges connected in parallel ( 9 . 10 ) on a characteristic displacement of the differential voltage provided at the voltage dividers ( 32 . 33 ) recognizes. Verfahren, nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass an den Spannungsteilern der parallel zueinander geschalteten Wheatstone'schen Brucken von der Auswerteelektronik eine gemeinsame, gemittelte Differenzspannung erfasst wird.Method according to claim 15, characterized in that a common, averaged differential voltage is detected at the voltage dividers of the Wheatstone bridges connected in parallel to one another by the evaluation electronics. Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatursensor, umfassend eine elektronische Schaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12.Force and / or pressure and / or temperature sensor, comprising an electronic circuit according to at least one of claims 1 to 12. Verwendung des Kraft- und/oder Druck- und/oder Temperatursensors nach Anspruch 17 in einer Bremsvorrichtung eines Kraftfahrzeugs.Use of the force and / or pressure and / or temperature sensor according to claim 17 in a braking device of a motor vehicle.
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