DE102014117440B3 - Light emitting remote phosphor device - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung mit einer Leuchtstoffkeramik, wobei die Leuchtstoffkeramik schichtförmig mit einem großen Durchmesser im Verhältnis zur Dicke ausgeführt ist.The present invention relates to a phosphor light emitting device having a phosphor ceramics, wherein the luminescent ceramics are formed in a lamina having a large diameter in proportion to the thickness.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der lichtemittierenden Vorrichtungen, genauer lichtemittierende Vorrichtungen, die auf dem sog. „Remote-Phosphor”-System beruhen.The present invention relates to the field of light-emitting devices, more specifically light-emitting devices based on the so-called "remote phosphor" system.

Unter „Remote-Phosphor”-Systemen werden dabei insbesondere Vorrichtungen verstanden, bei der ein Leuchtstoff (Luminophor, engl.: Phosphor) von einer in einem schmalen Wellenlängenbereich Licht emittierenden Lichtquelle entfernt angeordnet ist, üblicherweise gebunden in oder verbunden mit einer Polymer-, Glas- oder Keramik-matrix. Hiermit unterscheidet sich ein Remotephosphor-System grundlegend von einem System, bei dem der Leuchtstoff direkt auf oder an der Lichtquelle angebracht ist, wie beispielsweise bei LED-Lichtquellen bei denen der Leuchtstoff direkt auf dem Licht emittierenden Dice aufgebracht ist. Üblicherweise unterscheidet man dabei zwei grundsätzliche Aufbauten, von denen viele Varianten abgeleitet werden können:

  • a) „Remotephosphor in Transmissionsanwendung”: Die Leuchtstoffmatrix wird auf eine Reflexionskammer aufgesetzt, in der sich die LED befindet. Das Licht kann nur durch die Matrix hindurch entweichen (Transmission).
  • b) ”Remotephosphor in Remissionsanwendung”: Die Leuchtstoffmatrix wird auf einen reflektierenden Träger aufgebracht oder wird rückseitig mit reflektierendem Material beschichtet, die LED-Lichtquelle befindet sich in oder leicht seitlich der Abstrahlrichtung und strahlt auf die Leuchtstoffmatrix. Das konvertierte Licht wird re-emittiert in Richtung der Lichtquelle bzw. in Abstrahlrichtung. Das durch die Leuchtstoffmatrix gelangte Licht, wird durch die rückseitige Reflexionsschicht auch wieder durch die Leuchtstoffmatrix hindurch in Abstrahlrichtung gelenkt. Das Licht kann also nur in die Remissions-Richtung entweichen.
In this context, "remote phosphor" systems are understood in particular to mean devices in which a phosphor (luminophore) is disposed away from a light source emitting light in a narrow wavelength range, usually bound in or connected to a polymer, glass - or ceramic matrix. Thus, a remote phosphor system is fundamentally different from a system in which the phosphor is mounted directly on or at the light source, such as in LED light sources where the phosphor is applied directly to the light emitting dice. Usually one differentiates thereby between two basic constructions, from which many variants can be derived:
  • a) "Remote phosphor in transmission application": The phosphor matrix is placed on a reflection chamber in which the LED is located. The light can only escape through the matrix (transmission).
  • b) "Remote phosphor in remission application": The phosphor matrix is applied to a reflective support or is coated on the back with reflective material, the LED light source is located in or slightly to the side of the emission direction and radiates onto the phosphor matrix. The converted light is re-emitted in the direction of the light source or in the emission direction. The light that has passed through the phosphor matrix is also directed through the backlighting layer through the phosphor matrix in the emission direction. So the light can only escape in the remission direction.

Die DE 10 2006 054 330 A1 betrifft einen Leuchtstoffkörper, der auf natürlichen und/oder synthetischen, hoch stabilen, plättchenförmigen Substraten wie Glimmer (Aluminosilikat), Korund (Al2O3), Silica (SiO2), Glas, ZrO2 oder TiO2 sowie mindestens einem Leuchtstoff basiert, dessen Herstellung über strukturierte Folien sowie dessen Verwendung als LED-Konversionsleuchtstoff für weisse LEDs oder sogenannte Color-on-demand-Anwendungen.The DE 10 2006 054 330 A1 relates to a phosphor body which is based on natural and / or synthetic, highly stable, platelet-shaped substrates such as mica (aluminosilicate), corundum (Al 2 O 3), silica (SiO 2), glass, ZrO 2 or TiO 2 and at least one phosphor, its preparation via structured films and its use as an LED conversion phosphor for white LEDs or so-called color-on-demand applications.

Wie es generell bei LED-Lichtquellen der Fall ist, besteht für „Remote-Phosphor”-Systeme der ständige Bedarf weiterer Optimierung und Verbesserung. Es ist somit eine Aufgabe eine verbesserte lichtemittierende Vorrichtung bereitzustellen.As is generally the case with LED light sources, there is a constant need for further optimization and improvement for "remote phosphor" systems. It is thus an object to provide an improved light-emitting device.

Diese Aufgabe wird durch eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst. Demgemäß wird eine lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung vorgeschlagen, umfassend eine konvertierende Leuchtstoffkeramik (als Leuchtstoffmatrix), wobei die Leuchtstoffkeramik

  • – plattenförmig aufgebaut ist
  • – eine Dicke von ≥ 0,1 mm bis ≤ 2,0 mm besitzt
  • – ein Verhältnis von Durchmesser zu Dicke von > 5:1 besitzt
  • – sowie die Konzentration an emittierenden Metallionen in der Leuchtstoffkeramik von ≥ 0.01 mmol/cm3 bis 1.0 mmol/cm3 beträgt und
wobei die lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung bei einer aus der Vorrichtung abgestrahlten Strahlungsleistung von ≥ 10 W pro cm2 der nach außen gerichteten Flächen der Leuchtstoffkeramik betrieben wird.This object is achieved by a light-emitting device according to claim 1. Accordingly, a remote light-emitting phosphor device is proposed, comprising a converting phosphor ceramic (as a phosphor matrix), wherein the phosphor ceramics
  • - is constructed plate-shaped
  • - Has a thickness of ≥ 0.1 mm to ≤ 2.0 mm
  • - Has a diameter to thickness ratio of> 5: 1
  • - And the concentration of emitting metal ions in the phosphor ceramic of ≥ 0.01 mmol / cm 3 to 1.0 mmol / cm 3 , and
wherein the remote light-emitting phosphor device is operated at a radiated power radiated from the device of ≥ 10 W per cm 2 of the outward surfaces of the phosphor ceramics.

Überraschenderweise hat sich so herausgestellt, dass die Eigenschaften der lichtemittierenden Vorrichtung bei vielen Anwendungen stark verbessert werden können. Insbesondere bietet die erfindungsgemäße Vorrichtung bei den meisten Ausführungsformen und konkreten Ausgestaltungen einen oder mehrere der folgenden Vorteile:

  • – Die Maximaltemperatur der Leuchtstoffmatrix kann auf 200°C begrenzt werden
  • – Die Effizienz des Systems wird erhöht
  • – Hohe Temperaturunterschiede innerhalb der Leuchtstoffmatrix können vermieden werden
  • – Ein besonders flaches System kann gebildet werden
  • – Ein besonders energiedichtes System mit relativ zur Fläche hoher Strahlungsleistung kann gebildet werden
  • – Die Lebensdauer des Systems wird erhöht
  • – Die Farbstabilität des emittierten Lichtes entlang der Lebensdauer wird erhöht
  • – Ein System aus nichtorganischen Komponenten kann gebildet werden welches relativ unempfindlich ist gegen aggressive Substanzen wie Laugen oder Säuren
  • – Ein System aus nichtorganischen Komponenten kann gebildet werden, welches relativ unempfindlich ist gegen energiereiche Strahlung im UV- oder Blaulichtspektrum
  • – Eine Assemblierung der Komponenten mit wenigen Assemblierungsschritten wird ermöglicht
Surprisingly, it has been found that the properties of the light-emitting device can be greatly improved in many applications. In particular, in most embodiments and specific embodiments, the device according to the invention offers one or more of the following advantages:
  • - The maximum temperature of the phosphor matrix can be limited to 200 ° C
  • - The efficiency of the system is increased
  • - High temperature differences within the phosphor matrix can be avoided
  • - A particularly flat system can be formed
  • - A particularly energy-dense system with relative to the surface of high radiation power can be formed
  • - The life of the system is increased
  • - The color stability of the emitted light along the life is increased
  • - A system of non-organic components can be formed which is relatively insensitive to aggressive substances such as alkalis or acids
  • - A system of non-organic components can be formed, which is relatively insensitive to high-energy radiation in the UV or blue light spectrum
  • - An assembly of the components with a few assembly steps is possible

Der Term „konvertierender Leuchtstoff” im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet oder umfasst insbesondere ein Material, welches bei geeigneter Anregung, vorzugsweise im blauen, UV-A oder UV-B-Bereich (also insbesondere von 280–490 nm) Licht emittiert.The term "converting phosphor" in the context of the present invention designates or comprises in particular a material which emits light with suitable excitation, preferably in the blue, UV-A or UV-B range (ie in particular of 280-490 nm).

Der Ausdruck „Keramik” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere ein kompaktes kristallines oder polykristallines Material mit einer kontrollierten Menge an Poren oder porenfrei.The term "ceramic" in the sense of the present invention means and / or comprises in the sense of the present invention in particular a compact crystalline or polycrystalline material with a controlled amount of pores or non-porous.

Der Ausdruck „polykristallines Material” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst dabei insbesondere ein Material mit einer Volumendichte von größer 90 Prozent der Hauptkomponente, bestehend zu mehr als 80 Prozent aus einzelnen Kristalldomänen, wobei jede Kristalldomäne einen Durchmesser von 0,1–10 μm und abweichende kristallographische Orientierung besitzt. Die einzelnen Kristalldomänen können über amorphes oder glasartiges Material oder über zusätzliche kristalline Phasen miteinander verbunden bzw. verdünnt sein.The term "polycrystalline material" in the context of the present invention means and / or comprises in particular a material having a volume density of greater than 90 percent of the main component, consisting of more than 80 percent of individual crystal domains, each crystal domain having a diameter of 0.1 10 microns and deviating crystallographic orientation has. The individual crystal domains can be connected or diluted with one another via amorphous or vitreous material or via additional crystalline phases.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt das kristalline Material eine Dichte von > 90% bis < 100% der theoretischen Dichte. Dies hat sich für viele Anwendungen der vorliegenden Erfindung als vorteilhaft herausgestellt.According to a preferred embodiment of the present invention, the crystalline material has a density of> 90% to <100% of the theoretical density. This has proven advantageous for many applications of the present invention.

Der Ausdruck „LED Dice” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst insbesondere ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, welches das zentrale, Licht emittierende Subsystem einer jeden LED ist. Ein LED Dice besteht für gewöhnlich im Wesentlichen aus einer sogenannten Trägerschicht (z. B. Silizium, Silizium Carbid, Saphir oder Gallium-Nitrid) und aus per Gasphasenabscheidung aufgebrachten dünnen Halbleiterschichten (z. B. GaN, InGan) die die durch Elektrolumineszenz Licht emittierenden Schichten darstellen. Zwischen den Licht emittierenden Schichten und dem Trägermaterial sind für gewöhnlich noch Licht reflektierende Schichten eingebracht um die Effizienz der Dices bezüglich Lichtauskopplung noch zu erhöhen.The term "LED Dice" in the sense of the present invention means and / or in particular comprises a light-emitting semiconductor component which is the central, light-emitting subsystem of each LED. An LED dice usually consists essentially of a so-called carrier layer (eg silicon, silicon carbide, sapphire or gallium nitride) and of vapor-deposited thin semiconductor layers (eg GaN, InGan) which emit the light emitted by electroluminescence Layers represent. Between the light-emitting layers and the carrier material, light-reflecting layers are usually introduced in order to increase the efficiency of the dices with respect to light extraction.

Bei modernen LED-Dices wird vermehrt die Montageart des Dices auf der dem Lichtmodul internen Montagefläche umgekehrt, um eine bessere Wärmekopplung zwischen Licht emittierender Schicht und Montagefläche zu erhöhen, wobei dann von einer ”flip-chip” Systemarchitektur des Dices gesprochen wird.In modern LED dices, the mounting of the dice on the light module's internal mounting surface is increasingly being reversed in order to increase the better coupling between the light emitting layer and the mounting surface, which is referred to as a "flip-chip" system architecture of the dice.

Von diesen oben genannten Beispielen des Standes der Technik von LED Dices sind im Sinne der Erfindung jedoch die kommenden LED-Technologien nicht ausgenommen, wie beispielsweise der sogenannten Nano-LEDs, welche stark verkleinerte Mikrostrukturen aufweisen, und sich insbesondere durch ihre 3-dimensional ausgeformten, Licht emittierenden Halbleiterschichten unterscheiden von den schichtartig aufgebauten Halbleiterschichten der heutzutage üblichen LED-Dice Systemarchitektur.However, for the purposes of the invention, these above-mentioned examples of the state of the art of LED dices do not exclude the coming LED technologies, such as, for example, the so-called nano-LEDs, which have greatly reduced microstructures, and in particular their 3-dimensionally shaped, Light-emitting semiconductor layers differ from the layered semiconductor layers of today's customary LED-Dice system architecture.

Der Ausdruck „Dicke” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst insbesondere die durchschnittliche Dicke.The term "thickness" in the sense of the present invention means and / or in particular comprises the average thickness.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt die Dicke der Leuchtstoffkeramik von ≥ 0,3 mm bis ≤ 1 mm, noch bevorzugt ≥ 0,4 mm bis ≤ 0, 8 mm. Dies hat sich in der Praxis bewährt.According to a preferred embodiment of the invention, the thickness of the phosphor ceramic of ≥ 0.3 mm to ≤ 1 mm, more preferably ≥ 0.4 mm to ≤ 0, 8 mm. This has proven itself in practice.

Der Ausdruck „Durchmesser” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst insbesondere die minimale Ausdehnung, wenn die Leuchtstoffkeramik nicht kreisförmig ist sondern z. B. quadratisch oder rechteckig. An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass die Leuchtstoffkeramik sich über mehrere Vorrichtungen erstrecken kann, insbesondere, wenn die Vorrichtungen in ein System eingebettet ist, wie später erläutert. Der Ausdruck „Durchmesser” bezieht sich dann auf den jeweiligen Abschnitt der Leuchtstoffkeramik.The term "diameter" in the sense of the present invention means and / or in particular includes the minimum extent, if the phosphor ceramics is not circular but z. B. square or rectangular. It should be noted here that the phosphor ceramics may extend over several devices, especially when the devices are embedded in a system, as explained later. The term "diameter" then refers to the particular section of the phosphor ceramic.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt das Verhältnis von Durchmesser zu Dicke von ≥ 10:1, bevorzugt ≥ 15:1, ferner bevorzugt ≥ 20:1. Dies hat sich in der Praxis bewährt.According to a preferred embodiment of the invention, the ratio of diameter to thickness of ≥ 10: 1, preferably ≥ 15: 1, further preferably ≥ 20: 1. This has proven itself in practice.

Der Term „emittierende Metallionen” umfasst und/oder bedeutet im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere Metallionen, welche bei geeigneter Anregung, vorzugsweise im blauen, UV-A oder UV-B-Bereich, Licht emittieren. Insbesondere bevorzugt sind dabei seltene Erden, insbesondere Europium und/oder Cerionen.In the context of the present invention, the term "emitting metal ions" includes and / or means, in particular, metal ions which emit light with suitable excitation, preferably in the blue, UV-A or UV-B range. Particular preference is given to rare earths, in particular europium and / or cerium ions.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt die Konzentration an emittierenden Metallionen in der Leuchtstoffkeramik von > 0.1 mmol/cm3 bis < 0.5 mmol/cm3.According to a preferred embodiment of the invention, the concentration of emitting metal ions in the phosphor ceramics is from> 0.1 mmol / cm 3 to <0.5 mmol / cm 3 .

Der Term „Strahlungsleistung” im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet oder umfasst insbesondere die aus dem Lichtsystem in den gesamten Raum abgestrahlte Strahlungsleistung (W).The term "radiation power" in the sense of the present invention designates or comprises in particular the radiant power (W) radiated from the light system into the entire room.

Ein standardisierter Weg, um die Strahlungsleistung einer Beleuchtungsvorrichtung im Sinne der vorliegenden Erfindung zu messen, wird beschrieben in der CIE 127:2007 (Measurements of LEDs) der International Commission on Illumination. CIE 127:2007 (Measurements of LEDs) schlägt vor eine Ulbrichtkugel für die Messung zu verwenden, welche auf den Modus ”total flux mode” (gesamte Strahlungsleistung) eingestellt wird um die gesamte Strahlungsleistung (W) zu messen welche von der Beleuchtungsvorrichtung abgestrahlt wird. Um dies zu tun, wird ein Radiometer an die Ulbrichtkugel angeschlossen. Ein Radiometer ist ein Instrument um die Leistung einer Strahlenquelle (Φ) zu messen.A standardized way to measure the radiant power of a lighting device according to the present invention is described in the CIE 127: 2007 (Measurements of LEDs) of the International Commission on Illumination. CIE 127: 2007 (Measurements of LEDs) proposes to use an integrating sphere for the measurement, which is set to the "total flux mode" mode to measure the total radiant power (W) radiated by the illuminator. To do this, connect a radiometer to the integrating sphere. A radiometer is an instrument to measure the power of a radiation source (Φ).

Es gibt eine Vielzahl von Strahlungsdetektoren welche mit dem Radiometer verwendet werden können, je nach dem zu messenden Wellenlängenbereich. Ein Siliziumdetektor ermöglicht Messungen vom ultravioletten Bereich bis in den Nahinfrarotbereich (200 nm bis 1100 nm). Ein Germaniumdetektor ermöglicht Messungen über den Nahinfrarotbereich hinaus (800 nm bis 1800 nm). Andere Detektoren sind erhältlich für noch längere Wellenlängen, wie zum Beispiel InGaAs-Detektoren.There are a variety of radiation detectors that can be used with the radiometer, depending on the wavelength range to be measured. A silicon detector allows measurements from the ultraviolet range to the Near infrared range (200 nm to 1100 nm). A germanium detector allows measurements beyond the near-infrared range (800 nm to 1800 nm). Other detectors are available for even longer wavelengths, such as InGaAs detectors.

Industrielle Standardbeschichtungen können im Inneren der Ulbrichtkugel aufgebracht werden um die Strahlungsleistung der Beleuchtungsvorrichtung im Ultravioletten, Sichtbaren und Infraroten Lichtspektrum zu messen. Zum Beispiel kann eine Teflon (PTFE) Beschichtung aufgebracht werden, welche einen hohen Reflexionsgrad von bis zu 95% im Wellenlängenbereich 250 nm–2500 nm hat.Standard industrial coatings can be applied inside the integrating sphere to measure the radiance of the illuminator in the ultraviolet, visible and infrared light spectrum. For example, a Teflon (PTFE) coating can be applied, which has a high reflectance of up to 95% in the wavelength range 250 nm-2500 nm.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst die lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung eine Reflexionskammer und mindestens eine LED Dice, wobei die Höhe der Reflexionskammer minus die Höhe des LED-Dices > 3% bis < 50% des Durchmessers der Leuchtstoffkeramik beträgt. Dies hat sich als vorteilhaft herausgestellt, überraschenderweise ist schon bei einer Höhe von ≥ 3% bei den allermeisten Anwendungen der vorliegenden Erfindung eine deutliche Verminderung von Streuverlusten feststellbar.According to a preferred embodiment of the invention, the remote light-emitting phosphor device comprises a reflection chamber and at least one LED Dice, wherein the height of the reflection chamber minus the height of the LED dices is> 3% to <50% of the diameter of the phosphor ceramics. This has proven to be advantageous, surprisingly, even at a level of ≥ 3% in the vast majority of applications of the present invention, a significant reduction of scattering losses can be detected.

Bevorzugt beträgt die Höhe der Reflexionskammer ≥ 5% bis ≤ 20% des Durchmessers der Leuchtstoffkeramik, weiter bevorzugt ≥ 7% bis ≤ 11% des Durchmessers der Leuchtstoffkeramik.The height of the reflection chamber is preferably ≥ 5% to ≦ 20% of the diameter of the luminescent ceramic, more preferably ≥ 7% to ≦ 11% of the diameter of the luminescent ceramic.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst der LED-Dice Halbleiterschichten welche bei Anlegung von elektrischer Spannung dazu angeregt werden elektromagnetische Strahlung zu emittieren (Elektrolumineszenz). Diese Halbleiterschichten sind ausgewählt aus der Gruppe umfassend:
AlGaN (Aluminium Gallium Nitride)
AlInGaP (Aluminium Gallium Indium Phosphide)
GaAs (Galliumarsenide)
GaAsP (Gallium Arsenide Phosphide)
InGaN (Indium Gallium Nitride)
GaN (Gallium Nitride)According to a preferred embodiment of the invention, the LED dice comprises semiconductor layers which are excited when electrical voltage is applied to emit electromagnetic radiation (electroluminescence). These semiconductor layers are selected from the group comprising:
AlGaN (Aluminum Gallium Nitride)
AlInGaP (aluminum gallium indium phosphide)
GaAs (gallium arsenides)
GaAsP (gallium arsenide phosphides)
InGaN (Indium Gallium Nitride)
GaN (gallium nitrides)

Besonders bevorzugt sind hierbei Halbleiterschichten aus der Gruppe
InGaN (Indium Gallium Nitride)
GaN (Gallium Nitride)In this case, semiconductor layers from the group are particularly preferred
InGaN (Indium Gallium Nitride)
GaN (gallium nitrides)

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die Reflexionskammer mit einem transparentem Medium und/oder Material ausgefüllt, welches einen höheren optischen Brechungsindex als Luft aufweist. Dies hat sich für viele Anwendungen der vorliegenden Erfindung als zweckmäßig herausgestellt. Bevorzugte Materialien sind ausgewählt aus der Gruppe umfassend Silicone, Gläser und Mischungen daraus.According to a preferred embodiment, the reflection chamber is filled with a transparent medium and / or material which has a higher optical refractive index than air. This has proven to be useful for many applications of the present invention. Preferred materials are selected from the group comprising silicones, glasses and mixtures thereof.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst die konvertierende Leuchtstoffkeramik einen Leuchtstoff ausgewählt aus der Gruppe umfassend:
rot emittierende Leuchtstoffe:
(Sr1-xCax)S:Eu2+
(Sr1-x-yCaxBay)2Si5N8:Eu2+
(Sr1-x-yCaxBay)2Si5-zAlzN8-zOz:Eu2+
(Sr1-xCax)AlSiN3:Eu2+
SrLiAl3N4:Eu2+
(Ba1-x-ySrxCay)SiN2:Eu2+
ALn1-x-yEuxM2O8:REy
(Ln1-x-yEux)2MO6:RE2y
(Ln1-x-yEux)2M2O9:RE2y
(Ln1-x-yEux)2M3O12:RE2y
(Ln1-x-yEux)2M4O15:RE2y
(Ln1-x-yEux)6MO12:RE6y
(AE1-2x-yEuxAx+y)3MO6:RE3y
A3AE2(Ln1-x-yEux)3(MoO4)8:REy
mit M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs und AE = Ca, Sr, Ba
sowie 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

blau emittierende Leuchtstoffe:
(Ba1-x-ySrxCay)2(Mg1-zZnz)Si2O7:Eu2+
(Ba1-xSrx)MgAl10O17:Eu2+
(Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Eu2+
(Ba1-xSrx)Al12O19:Eu2+
(Sr1-x-yCaxMgy)2Si2O6:Eu2+
CaAl2O4:Eu2+
(Ba1-xSrx)Al2Si2O8:Eu2+
(Ba1-xSrx)6BP5O20:Eu2+
(Ca1-x-ySrxBay)5(PO4)3(F1-zClz):Eu2+
(Y1-xGdx)(Nb1-zTaz)O4
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

gelb emittierende Leuchtstoffe:
Ba2Si5N8:Eu2+
La3Si6N11:Ce3+
(Ca1-xSrx)Si2N2O2:Eu2+
(Y1-xGdx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+
(Y1-xTbx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+
Ca(Y1-xLux)2Al4SiO12:Ce3+
SrLi2SiO4:Eu2+
(Ca1-xSrx)2SiO4:Eu2+
(Ca1-xSrx)3SiO5:Eu2+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0

grün emittierende Leuchtstoffe
Lu3(Al1-xGax)5O12:Ce3+
(Lu1-xYx)3Sc2Al3O12:Ce3+
(Ba1-xSrx)2SiO4:Eu2+
SrAl2O4:Eu2+
Sr4Al14O25:Eu2+
BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+
BaMg3Al14O25:Eu2+,Mn2+
(Ba1-xSrx)Al12O19:Eu2+,Mn2+
Ba3Si6O12N2:Eu
α,β-SiAlONes:Eu
(Sr1-xBax)Si2N2O2:Eu2+
(Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+
(Sr1-xBax)3SiO5:Eu2+
(Sr1-x-yBaxCay)Ga2S4:Eu2+
(Lu1-xYx)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+
(Lu1-xYx)3(Al1-zScz)5O12:Ce3+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

NIR (680–900 nm) emittierende Leuchtstoffe:
(Al1-xGax)2O3:Cr3+
(Mg1-xZnx)Al2O4:Cr3+
MgO:Cr3+
(Sr1-x-yBaxCay)(Al1-zGaz)2O4:Cr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Cr3+ (Ba1-xSrx)MgAl10O17:Cr3+
(Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Cr3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Cr3+
SrAl4O7:Cr3+
SrAl12O19:Cr3+
Sr3Al2O6:Cr3+
Sr4Al14O25:Cr3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Cr3+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

IR-A (900–2500 nm) emittierende Leuchtstoffe:
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Pr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Pr3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Pr3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Pr3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Pr3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Pr3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Pr3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Pr3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Pr3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Pr3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Pr3+
(La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Pr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Nd3+
(Lu1-x-yYxGdy)(Al1-zScz)O3:Nd3+
(La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)O3:Nd3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Nd3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Nd3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Nd3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Nd3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Nd3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Nd3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Nd3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Nd3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Nd3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Sm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Sm3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Sm3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Sm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Sm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Sm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Sm3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Sm3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Sm3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Sm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Sm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Sm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Dy3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Dy3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Dy3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Dy3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Dy3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Dy3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Dy3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Dy3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Dy3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Dy3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Dy3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Dy3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ho3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Ho3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Ho3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Ho3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Ho3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Ho3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Ho3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Ho3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Ho3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Ho3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Ho3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Ho3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Er3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Er3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Er3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Er3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Er3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Er3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Er3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Er3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Er3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Er3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Er3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Er3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(A1-zGaz)5O12:Tm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Tm3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Tm3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Tm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Tm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Tm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Tm3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Tm3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Tm3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Tm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Tm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Tm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Yb3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(A1-zScz)5O12:Yb3+
(La1-x-yYxGdy)(A1-zGaz)O3:Yb3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz):Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Yb3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz):Yb3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Yb3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Yb3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Yb3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Yb3+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0
oder Mischungen dieser Stoffe.According to a preferred embodiment of the invention, the converting phosphor ceramics comprises a phosphor selected from the group comprising:
red emitting phosphors:
(Sr 1-x Ca x ) S: Eu 2+
(Sr 1-xy Ca x Ba y ) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+
(Sr 1-xy Ca x Ba y ) 2 Si 5-z Al z N 8-z O z : Eu 2+
(Sr 1-x Ca x ) AlSiN 3 : Eu 2+
SrLiAl 3 N 4 : Eu 2+
(Ba 1-xy Sr x Ca y ) SiN 2 : Eu 2+
ALn 1-xy Eu x M 2 O 8 : RE y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 MO 6 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 M 2 O 9 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 M 3 O 12 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 M 4 O 15 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 6 MO 12 : RE 6y
(AE 1-2x-y Eu x A x + y ) 3 MO 6 : RE 3y
A 3 AE 2 (Ln 1-xy Eu x ) 3 (MoO 4 ) 8 : RE y
where M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs and AE = Ca, Sr, Ba
and 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

blue emitting phosphors:
(Ba 1-xy Sr x Ca y ) 2 (Mg 1-z Zn z ) Si 2 O 7 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+
(Sr 1-xy Ca x Mg y ) 2 Si 2 O 6 : Eu 2+
CaAl 2 O 4 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) Al 2 Si 2 O 8 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) 6 BP 5 O 20 : Eu 2+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) 5 (PO 4 ) 3 (F 1 -z Cl z ): Eu 2+
(Y 1-x Gd x ) (Nb 1-z Ta z ) O 4
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

yellow emitting phosphors:
Ba 2 Si 5 N 8 : Eu 2+
La 3 Si 6 N 11 : Ce 3+
(Ca 1 -xSr x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+
(Y 1-x Gd x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+
(Y 1-x Tb x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+
Ca (Y 1-x Lu x ) 2 Al 4 SiO 12 : Ce 3+
SrLi 2 SiO 4 : Eu 2+
(Ca 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+
(Ca 1-x Sr x ) 3 SiO 5 : Eu 2+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0

green emitting phosphors
Lu 3 (Al 1-x Ga x ) 5 O 12 : Ce 3+
(Lu 1-x Y x ) 3 Sc 2 Al 3 O 12 : Ce 3+
(Ba 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+
SrAl 2 O 4 : Eu 2+
Sr 4 Al 14 O 25 : Eu 2+
BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , Mn 2+
BaMg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+ , Mn 2+
(Ba 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+ , Mn 2+
Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu
α, β-SiAlONes: Eu
(Sr 1-x Ba x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+
(Sr 1-x Ba x ) 2 SiO 4 : Eu 2+
(Sr 1-x Ba x ) 3 SiO 5 : Eu 2+
(Sr 1-xy Ba x Ca y ) Ga 2 S 4 : Eu 2+
(Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ce 3+
(Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Ce 3+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

NIR (680-900 nm) emitting phosphors:
(Al 1-x Ga x ) 2 O 3 : Cr 3+
(Mg 1-x Zn x ) Al 2 O 4 : Cr 3+
MgO: Cr 3+
(Sr 1-xy Ba x Ca y ) (Al 1-z Ga z ) 2 O 4 : Cr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Cr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Cr 3+ (Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Cr 3+
(Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Cr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Cr 3+
SrAl 4 O 7 : Cr 3+
SrAl 12 O 19 : Cr 3+
Sr 3 Al 2 O 6 : Cr 3+
Sr 4 Al 14 O 25 : Cr 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Cr 3+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

IR-A (900-2500 nm) emitting phosphors:
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Pr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Pr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Pr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Pr 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Pr 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Pr 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Pr 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Pr 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Pr 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Pr 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Pr 3+
(La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Pr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Nd 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Sc z ) O 3 : Nd 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) O 3 : Nd 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Nd 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Nd 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Nd 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Nd 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Nd 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Nd 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Nd 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Nd 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Nd 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Sm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Sm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Sm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Sm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Sm 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Sm 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Sm 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Sm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Sm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Sm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Dy 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Dy 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Dy 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Dy 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Dy 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Dy 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Dy 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Dy 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Dy 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Dy 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Dy 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Dy 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ho 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Ho 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Ho 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Ho 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Ho 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Ho 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Ho 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Ho 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Ho 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Ho 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Ho 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Ho 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Er 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Er 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Er 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Er 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : He 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : He 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Er 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : He 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : He 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Er 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Er 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : He 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (A 1 -z Ga z ) 5 O 12 : Tm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Tm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Tm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Tm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Tm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Tm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Tm 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Tm 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Tm 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Tm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Tm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Tm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Yb 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (A 1 -z Sc z ) 5 O 12 : Yb 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (A 1-z Ga z ) O 3 : Yb 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ): Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Yb 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ): Yb 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Yb 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Yb 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Yb 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Yb 3+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0
or mixtures of these substances.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst die Vorrichtung noch thermische Brücken. Dies hat sich insbesondere zur Wärmeabfuhr bewährt.According to a preferred embodiment of the invention, the device still comprises thermal bridges. This has proven especially for heat dissipation.

Der Term „thermische Brücken” umfasst und/oder bedeutet insbesondere eine thermische Verbindung von der zu kühlenden Systemkomponente (Leuchtstoffmatrix) mit einer zur Wärmeabfuhr geeigneten Systemkomponente, wobei diese thermische Verbindung realisiert wird durch ein besonders gut wärmeleitendes Material (Wärmeleitfähigkeit ≥ Wärmeleitfähigkeit der Leuchtstoffmatrix) wie beispielsweise Carbon Nano Tubes, Diamantpulver, SiC, Si3N4, MgO, AlN, AlON, Aluminium, Kupfer, Zinn, Zink, Silber oder Gold.The term "thermal bridges" includes and / or means in particular a thermal connection of the system component to be cooled (phosphor matrix) with a system component suitable for heat removal, wherein this thermal connection is realized by a particularly good heat conducting material (thermal conductivity ≥ thermal conductivity of the phosphor matrix) For example, carbon nanotubes, diamond powder, SiC, Si 3 N 4 , MgO, AlN, AlON, aluminum, copper, tin, zinc, silver or gold.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich außerdem auf ein System, umfassend eine oder mehrere lichtemittierende Vorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung. Diese sind bevorzugt benachbart zueinander in Raster- oder Gitterform angeordnet, so dass eine zugleich kompakte wie vergleichsweise große Gesamtarchitektur erreicht werden kann Die kompakte Systemarchitektur wird im Weiteren dadurch begünstigt wenn die benachbarten Systeme an den zugewandten Seiten die gleichen thermischen Brücken teilen, was insofern eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.The present invention also relates to a system comprising one or more light-emitting devices according to the present invention. These are preferably arranged adjacent to each other in grid or lattice form, so that both a compact and comparatively large overall architecture can be achieved. The compact system architecture is further facilitated if the adjacent systems share the same thermal bridges on the facing sides, which is a preferred Embodiment of the present invention.

Die vorgenannten sowie die beanspruchten und in den Ausführungsbeispielen beschriebenen erfindungsgemäß zu verwendenden Bauteile unterliegen in ihrer Größe, Formgestaltung, Materialauswahl und technischen Konzeption keinen besonderen Ausnahmebedingungen, so dass die in dem Anwendungsgebiet bekannten Auswahlkriterien uneingeschränkt Anwendung finden können.The above-mentioned and the claimed components to be used according to the invention described in the exemplary embodiments are not subject to special conditions of size, shape, material selection and technical design, so that the selection criteria known in the field of application can be used without restriction.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile des Gegenstandes der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung der zugehörigen Zeichnungen, in denen – beispielhaft – mehrere Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt sind. In den Zeichnungen zeigt:Further details, features and advantages of the subject matter of the invention will become apparent from the subclaims and from the following description of the accompanying drawings, in which - by way of example - several embodiments of the device according to the invention are shown. In the drawings shows:

1 eine sehr schematische Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; 1 a very schematic cross-sectional view of a light-emitting device according to a first embodiment of the invention;

2 eine ausschnittsweise Draufsicht auf die Vorrichtung aus 1 von schräg oben. 2 a partial plan view of the device 1 from diagonally above.

3 ein System aus mehreren erfindungsgemäßen Vorrichtungen gemäß einer alternativen Ausführungsform der Erfindung 3 a system of several devices according to an alternative embodiment of the invention

4 eine Explosionsansicht eines zweiten Systems umfassend mehrere erfindungsgemäßer Vorrichtungen gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung 4 an exploded view of a second system comprising a plurality of inventive devices according to another embodiment of the invention

5 eine sehr schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; 5 a very schematic view of another embodiment of the invention;

6 die Ansicht auf 5 in einer Schnittansicht schräg von oben; sowie 6 the view on 5 in a sectional view obliquely from above; such as

7 eine sehr schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. 7 a very schematic view of another embodiment of the invention.

1 zeigt eine sehr schematische Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung 1 umfasst dabei eine konvertierende Leuchtstoffkeramik 10, die auf einer ringförmigen thermisch leitfähigen Schicht 25 aufgesetzt ist, welche wiederum auf einem Trägersubstrat 20 aufgebracht ist, so dass sich eine Reflexionskammer 40 bildet. Auf dem Trägersubstrat ist weiterhin ein LED Dice 30 aufgebracht, zusätzlich sind zwei Metallisierungsebenen 50 vorgesehen, über die die Vorrichtung mechanisch und thermisch verbunden werden kann. Das Trägersubstrat 20 befindet sich weiterhin auf einem Wärmeableiter 60. 1 shows a very schematic cross-sectional view of a light-emitting device 1 according to a first embodiment of the invention. The device 1 includes a converting phosphor ceramic 10 placed on an annular thermally conductive layer 25 is placed, which in turn on a carrier substrate 20 is applied, leaving a reflection chamber 40 forms. On the carrier substrate is still a LED Dice 30 applied, in addition, two metallization levels 50 provided, via which the device can be mechanically and thermally connected. The carrier substrate 20 is still on a heat sink 60 ,

Wie in 1 zu sehen, ist die Leuchtstoffkeramik 10 plattenförmig aufgebaut, so dass der Durchmesser D der Leuchtstoffkeramik 10 im Verhältnis zur Dicke d deutlich größer ist als 5:1. Weiterhin ist die Höhe h der Reflexionskammer 40 angezeigt; die Verhältnisse in 1 sind sehr schematisch, bei den meisten Anwendungen beträgt die Höhe h der Reflexionskammer 3% oder mehr des Durchmessers D.As in 1 to see is the phosphor ceramic 10 built plate-shaped, so that the diameter D of the phosphor ceramic 10 in relation to the thickness d is significantly greater than 5: 1. Furthermore, the height h of the reflection chamber 40 displayed; the conditions in 1 are very schematic, in most applications the height h of the reflection chamber is 3% or more of the diameter D.

2 zeigt die Vorrichtung aus 1 in ausschnittsweiser Draufsicht von schräg oben. Wie in 2 gut zusehen, ist die Leuchtstoffkeramik 10 etwa diskusförmig und liegt auf der ringförmigen thermisch leitfähigen Schicht 25 auf. 2 shows the device 1 in a fragmentary plan view obliquely from above. As in 2 watching is the phosphor ceramic 10 about discus-shaped and lies on the annular thermally conductive layer 25 on.

3 zeigt ein System aus mehreren erfindungsgemäßen Vorrichtungen gemäß einer alternativen Ausführungsform der Erfindung. Wie in 3 gut zu sehen, bilden die – diesmal quadratisch ausgeformten – Leuchtstoffkeramiken 10 ein 3 × 3 Gatter. Weiterhin ist hier zu erkennen dass die thermisch leitfähige Schicht 25 in der hier dargestellten Ausführungsform formschlüssig seitlich an die Leuchtstoffkeramik 10 angebracht ist oder in diese übergeht, wobei hier die thermisch leitfähige Schicht 25 aus dem gleichen Material wie das der Leuchtstoffkeramik gefertigt werden kann. 3 shows a system of several devices according to the invention according to an alternative embodiment of the invention. As in 3 good to see form the - this time square shaped - phosphor ceramics 10 a 3x3 gate. Furthermore, it can be seen here that the thermally conductive layer 25 in the embodiment shown here form fit laterally to the phosphor ceramic 10 is attached or passes into this, Here, the thermally conductive layer 25 can be made of the same material as that of the phosphor ceramic.

Darüber hinaus ist in dieser Ausführungsform zu erkennen dass die thermisch leitfähige Schicht 25 formschlüssig angebracht ist oder übergeht in einen Bodenflansch 25b welcher beispielsweise über eine hier nicht dargestellte bodenseitige Metallisierungsebene thermisch und mechanisch mit einem hier nicht dargestellte Trägersubstrat oder dem Wärmeableiter 60 verbunden werden kann.In addition, it can be seen in this embodiment that the thermally conductive layer 25 is mounted form-fitting or passes into a bottom flange 25b which, for example, via a bottom-side metallization not shown here thermally and mechanically with a carrier substrate not shown here or the heat sink 60 can be connected.

4 zeigt eine Explosionsansicht eines zweiten, deutlich komplexeren Systems umfassend mehrere erfindungsgemäßer Vorrichtungen gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Gemäß 4 ist das System auf einem kupferhaltigen Wärmeableiter 60 schichtförmig aufgebaut. Zuerst ist eine erste Metallisierungsschicht 51 aufgebracht, anschließend eine elektrisch isolierende aber thermisch leitfähige Keramikschicht 80. Darauf ist eine reflektive sowie elektrisch leitfähige Metallisierungsschicht 52 vorgesehen, auf der wiederum ein Rahmen sowie Stege aus Kupfer angebracht sind, welche die thermisch sowie elektrisch leitfähigen Schichten 25A und die Thermovias 25B repräsentieren. Auf diesen ist wiederum eine reflektierende (Lack-)Schicht 70 aufgebracht. Im Zentrum des Systems befindet sich ein Gitter von LEDs 30 welche auf der von den Schichten 25A und 25B nicht bedeckten Metallisierungsschicht 52 aufgebracht sind. Schicht 25A und 25B können sowohl aus separaten oder auch zusammenhängenden Körpern bestehen, diese sind also beispielsweise formschlüssig aus einem Stück oder aus separaten Elementen gefertigt. 4 shows an exploded view of a second, much more complex system comprising a plurality of inventive devices according to another embodiment of the invention. According to 4 is the system on a copper-containing heat sink 60 layered. First is a first metallization layer 51 applied, then an electrically insulating but thermally conductive ceramic layer 80 , On top of that is a reflective and electrically conductive metallization layer 52 provided on which in turn a frame and webs of copper are attached, which are the thermally and electrically conductive layers 25A and the thermovias 25B represent. In turn, this is a reflective (paint) layer 70 applied. At the center of the system is a grid of LEDs 30 which on the of the layers 25A and 25B uncovered metallization layer 52 are applied. layer 25A and 25B can consist of both separate or contiguous bodies, so these are, for example, form-fitting one-piece or made of separate elements.

Abschließend ist eine weitere Metallisierungsschicht 53 auf den Thermovias (oder auch: Thermostegen) 25B aufgebracht sowie abschließend eine Leuchtstoffkeramik 10. Die Breite einer einzelnen Reflexionskammer ist dabei durch die Angabe des Durchmessers in 4 definiert, welcher sich von dem Abstand der Thermostege 25B ableitetFinally, another metallization layer 53 on the Thermovias (or also: Thermostegen) 25B applied and finally a phosphor ceramic 10 , The width of a single reflection chamber is indicated by the diameter in 4 defined, which differs from the distance of the thermostege 25B derives

5 zeigt eine sehr schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. In 5 ist gut zu sehen, dass ähnlich wie in der Ausführungsform 3 auch hier die Leuchtstoffkeramik 10 formschlüssig übergeht oder angebracht ist an die thermisch leitfähige Schicht 25, welche wiederum formschlüssig angebracht ist oder übergeht in einen Bodenflansch 25b welcher beispielsweise über eine hier nicht dargestellte bodenseitige Metallisierungsebene thermisch und mechanisch mit einem hier nicht dargestellte Trägersubstrat oder dem Wärmeableiter 60 verbunden werden kann. 5 shows a very schematic view of another embodiment of the invention. In 5 is good to see that similar to the embodiment 3 here too the phosphor ceramics 10 positively merges or is attached to the thermally conductive layer 25 , which in turn is mounted positively or passes into a bottom flange 25b which, for example, via a bottom-side metallization not shown here thermally and mechanically with a carrier substrate not shown here or the heat sink 60 can be connected.

Abweichend von 3 hat diese Ausführungsform jedoch einen separaten, im Inneren der Leuchtstoffkeramik 10 angebrachten Bodenflansch, der wiederum wie bereits oben beschrieben über die thermisch leitfähige Schicht mit der Leuchtstoffkeramik verbunden ist und bodenseitig an ein Trägersubstrat oder den Wärmeableiter 60 thermisch und/oder mechanisch verbunden werden kann, wobei Bodenflansch und thermisch leitfähige Schicht aus dem gleichen Material gefertigt werden können wie das der Leuchtstoffkeramik. Die für die Entwärmung der Leuchtstoffkeramik 10 wesentliche Breite der Leuchtstoffkeramik ist dabei durch die Angabe des Durchmessers in 5 definiert.Deviating from 3 However, this embodiment has a separate, inside the phosphor ceramic 10 attached bottom flange, which in turn, as already described above is connected via the thermally conductive layer with the phosphor ceramic and the bottom side to a carrier substrate or the heat sink 60 can be thermally and / or mechanically connected, wherein bottom flange and thermally conductive layer can be made of the same material as that of the phosphor ceramic. The for the cooling of the phosphor ceramics 10 Essential width of the phosphor ceramic is specified by the diameter in 5 Are defined.

6 zeigt die Ausführungsform aus 5 in einer Schnittansicht etwa schräg von oben. In dieser Ansicht ist die Größe der Leuchtstoffkeramik 10 besonders gut zu sehen. 6 shows the embodiment 5 in a sectional view approximately obliquely from above. In this view is the size of the phosphor ceramic 10 especially good to see.

7 zeigt eine sehr schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, bei der, anders als in 5 und 6, die thermischen Brücken 90 säulenförmig aufgebaut sind. Auch hier bedeckt die Leuchtstoffkeramik wie in 4 mehrere Reflexionskammern, wobei diese Reflexionskammern im Unterschied zu 4 nicht durch balkenförmige Thermostege abgegrenzt sind, sondern abstrakt gebildet werden durch die benachbarten freistehenden Thermovias 90. 7 shows a very schematic view of another embodiment of the invention, in which, unlike in 5 and 6 , the thermal bridges 90 are constructed columnar. Again, the phosphor ceramic covers as in 4 several reflection chambers, these reflection chambers in contrast to 4 are not delimited by bar-shaped Thermostege, but abstractly formed by the adjacent free-standing thermovias 90 ,

Die Größe einer einzelnen abstrakten Reflexionskammer ist dabei durch die Angabe des Durchmessers in 6 definiert welcher zum einen von dem Abstand der Kammerbildenden Thermovias 90 zueinander sowie durch den Abstand der Kammerbildenden Thermovias 90 und der nächstgelegenen inneren Wandung der thermisch leitfähigen Schicht 25 gebildet werden kann.The size of a single abstract reflection chamber is indicated by the diameter in 6 defines which of the distance of the chamber forming Thermovias 90 to each other and by the distance of the chamber forming thermovias 90 and the nearest inner wall of the thermally conductive layer 25 can be formed.

Die Abstände der Thermovias 90 sind in 6 bewusst teilweise unregelmäßig unter der Fläche der Leuchtstoffkeramik verteilt, da es sich in der Praxis gezeigt hat, dass die Abstände der Thermovias von Fall zu Fall verkleinert werden müssen, um die Verteilung dieser Thermovias 90 mit der Verteilung der LED Dices 30 abzugleichen, da die LED Dices beispielsweise elektronisch in zwei parallele Serienschaltung mit gleicher Anzahl von LED Dices verbunden werden müssen. D ist hier also als maximale Kammergröße zu verstehen, die den thermisch bedingten Lichtkonvertierungseffizienzabfall (engl.: thermal quenching) in der Phosphorplatte begrenzt, wobei einzelne Kammergrößen und damit die Abstände der Thermovias aus schaltungstechnisch bedingten Gründen auch reduziert werden können.The distances of the thermovias 90 are in 6 deliberately distributed partially irregularly under the surface of the phosphor ceramics, since it has been shown in practice that the distances of the thermovias must be reduced from case to case to the distribution of these Thermovias 90 with the distribution of LED dices 30 For example, since the LED dices must be electronically connected in two parallel series connection with the same number of LED dices. D is here to be understood as the maximum chamber size, which limits the thermally induced Lichtkonvertierungseffizienzabfall (English: thermal quenching) in the phosphor plate, whereby individual chamber sizes and thus the distances of the thermovias can be reduced due to circuitry reasons.

Die einzelnen Kombinationen der Bestandteile und der Merkmale von den bereits erwähnten Ausführungen sind exemplarisch. Der Umfang der Erfindung ist in den folgenden Ansprüchen definiert.The individual combinations of the constituents and the features of the already mentioned embodiments are exemplary. The scope of the invention is defined in the following claims.

Claims (9)

Lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung (1), umfassend eine konvertierende Leuchtstoffkeramik (10), wobei die Leuchtstoffkeramik – plattenförmig aufgebaut ist, – eine Dicke von ≥ 0,1 mm bis ≤ 2,0 mm besitzt – ein Verhältnis von Durchmesser zu Dicke von > 5:1 besitzt – sowie die Konzentration an emittierenden Metallionen in der Leuchtstoffkeramik (10) von ≥ 0.01 mmol/cm3 bis ≤ 1.0 mmol/cm3 beträgt wobei die lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung bei einer aus der Vorrichtung abgestrahlten Strahlungsleistung von ≥ 10 W pro cm2 der nach außen gerichteten Flächen der Leuchtstoffkeramik betrieben wirdLight Emitting Remote Phosphor Device ( 1 ) comprising a converting ceramics ( 10 ), wherein the phosphor ceramics - is plate-shaped, - has a thickness of ≥ 0.1 mm to ≤ 2.0 mm - has a diameter to thickness ratio of> 5: 1 - and the concentration of emitting metal ions in the phosphor ceramic ( 10 ) of ≥ 0.01 mmol / cm 3 to ≤ 1.0 mmol / cm 3 , wherein the light emitting remote phosphor device is operated at a radiated power radiated from the device of ≥ 10 W per cm 2 of the outward surfaces of the phosphor ceramics Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Dicke der Leuchtstoffkeramik (10) von ≥ 0,1 mm bis ≤ 0,8 mm beträgtApparatus according to claim 1, wherein the thickness of the phosphor ceramic ( 10 ) from ≥ 0.1 mm to ≤ 0.8 mm Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Verhältnis von Durchmesser zu Dicke ≥ 10:1 beträgt.Apparatus according to claim 1 or 2, wherein the ratio of diameter to thickness ≥ 10: 1. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung eine Reflexionskammer und mindestens einen LED Dice (30) beinhaltet, wobei die Höhe der Reflexionskammer minus die Höhe des LED-Dices (30) ≥ 3% bis ≤ 50% des Durchmessers der Leuchtstoffkeramik beträgt.Apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the remote light-emitting phosphor device comprises a reflection chamber and at least one LED dice ( 30 ), wherein the height of the reflection chamber minus the height of the LED dices ( 30 ) ≥ 3% to ≤ 50% of the diameter of the phosphor ceramic. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die konvertierende Leuchtstoffkeramik (10) einen Leuchtstoff umfasst, ausgewählt aus der Gruppe: rot emittierende Leuchtstoffe: (Sr1-x-Cax)S:Eu2+ (Sr1-x-yCaxBay)2Si5N8:Eu2+ (Sr1-x-yCaxBay)2Si5-zAlzN8-zOz:Eu2+ (Sr1-xCax)AlSiN3:Eu2+ SrLiAl3N4:Eu2+ (Ba1-x-ySrxCay)SiN2:Eu2+ ALn1-x-yEuxM2O8:REy (Ln1-x-yEux)2MO6:RE2y (Ln1-x-yEux)2M2O9:RE2y (Ln1-x-yEux)2M3O12:RE2y (Ln1-x-yEux)2M4O15:RE2y (Ln1-x-yEux)6MO12:RE6y (AE1-2x-yEuxAx+y)3MO6:RE3y A3AE2(Ln1-x-yEux)3(MoO4)8:REy mit M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs und AE = Ca, Sr, Ba sowie 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 blau emittierende Leuchtstoffe: (Ba1-x-ySrxCay)2(Mg1-zZnz)Si2O7:Eu2+ (Ba1-xSrx)MgAl10O17:Eu2+ (Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Eu2+ (Ba1-xSrx)Al12O19:Eu2+ (Sr1-x-yCaxMgy)2Si2O6:Eu2+ CaAl2O4:Eu2+ (Ba1-xSrx)Al2Si2O8:Eu2+ (Ba1-xSrx)6BP5O20:Eu2+ (Ca1-x-ySrxBay)5(PO4)3(F1-zClz):Eu2+ (Y1-xGdx)(Nb1-zTaz)O4 mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 gelb emittierende Leuchtstoffe: Ba2Si5N8:Eu2+ La3Si6N11:Ce3+ (Ca1-xSrx)Si2N2O2:Eu2+ (Y1-xGdx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+ (Y1-xTbx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+ Ca(Y1-xLux)2Al4SiO12:Ce3+ SrLi2SiO4:Eu2+ (Ca1-xSrx)2SiO4:Eu2+ (Ca1-xSrx)3SiO5:Eu2+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0 grün emittierende Leuchtstoffe Lu3(Al1-xGax)5O12:Ce3+ (Lu1-xYx)3Sc2Al3O12:Ce3+ (Ba1-xSrx)2SiO4:Eu2+ SrAl2O4:Eu2+ Sr4Al14O25:Eu2+ BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+ BaMg3Al14O25:Eu2+,Mn2+ (Ba1-xSrx)Al12O19:Eu2+,Mn2+ Ba3Si6O12N2:Eu α,β-SiAlONes:Eu (Sr1-xBax)Si2N2O2:Eu2+ (Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+ (Sr1-xBax)3SiO5:Eu2+ (Sr1-x-yBaxCay)Ga2S4:Eu2+ (Lu1-xYx)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+ (Lu1-xYx)3(Al1-zScz)5O12:Ce3+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 NIR (680–900 nm) emittierende Leuchtstoffe: (Al1-xGax)2O3:Cr3+ (Mg1-xZnx)Al2O4:Cr3+ MgO:Cr3+ (Sr1-x-yBaxCay)(Al1-zGaz)2O4:Cr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Cr3+ (Ba1-xSrx)MgAl10O17:Cr3+ (Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Cr3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Cr3+ SrAl4O7:Cr3+ SrAl12O19:Cr3+ Sr3Al2O6:Cr3+ Sr4Al14O25:Cr3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Cr3+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤_ 1.0 IR-A (900–2500 nm) emittierende Leuchtstoffe: (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Pr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Pr3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Pr3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Pr3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Pr3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Pr3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Pr3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Pr3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Pr3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Pr3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Pr3+ (La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Pr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Nd3+ (Lu1-x-yYxGdy)(Al1-zScz)O3:Nd3+ (La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Nd3+ (La1-x-yYxGdy)3MgAl11O19:Nd3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Nd3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Nd3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Nd3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Nd3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Nd3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Nd3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Nd3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Nd3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Sm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Sm3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Sm3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Sm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Sm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Sm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Sm3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Sm3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Sm3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Sm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Sm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Sm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Dy3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Dy3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Dy3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Dy3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Dy3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Dy3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Dy3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Dy3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Dy3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Dy3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Dy3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Dy3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Dy3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Ho3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Ho3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Ho3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Ho3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Ho3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Ho3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Ho3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Ho3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Ho3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Ho3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Ho3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Er3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Er3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Er3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Er3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Er3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Er3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Er3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Er3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Er3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Er3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Er3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Er3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(A1-zGaz)5O12:Tm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Tm3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Tm3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Tm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Tm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Tm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Tm3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Tm3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Tm3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Tm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Tm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Tm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Yb3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(A1-zScz)5O12:Yb3+ (La1-x-yYxGdy)(A1-zGaz)O3:Yb3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Yb3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Yb3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Yb3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Yb3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Yb3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Yb3+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0 oder Mischungen dieser Stoffe.Device according to one of claims 1 to 4, wherein the converting ceramics ( 10 ) comprises a phosphor selected from the group consisting of red emitting phosphors: (Sr 1-x -Ca x ) S: Eu 2+ (Sr 1-xy Ca x Ba y ) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ (Sr 1 -xy Ca x Ba y ) 2 Si 5-z Al z N 8-z O z : Eu 2+ (Sr 1-x Ca x ) AlSiN 3 : Eu 2+ SrLiAl 3 N 4 : Eu 2+ (Ba 1) xy Sr x Ca y ) SiN 2 : Eu 2+ ALn 1-xy Eu x M 2 O 8 : RE y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M O 6: RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M 2 O 9 : RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M 3 O 12 : RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M 4 O 15 : RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 6 MO 12 : RE 6y (AE 1-2x-y Eu x A x + y ) 3 MO 6 : RE 3y A 3 AE 2 (Ln 1-xy Eu x ) 3 (MoO 4 ) 8 : RE y with M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs and AE = Ca, Sr, Ba and 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 blue emitting phosphors: (Ba 1-xy Sr x Ca y ) 2 (Mg 1-z Zn z ) Si 2 O 7 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+ (Sr 1-xy Ca x Mg y ) 2 Si 2 O 6 : Eu 2+ CaAl 2 O 4 : Eu 2+ (Ba 1 -x Sr x ) Al 2 Si 2 O 8 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) 6 BP 5 O 20 : Eu 2+ (Ca 1-xy Sr x Y Ba) 5 (PO 4) 3 (F 1-z Cl z): Eu 2+ (Y 1-x Gd x) (Nb 1 - z Ta z) O 4 with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 yellow-emitting phosphors: Ba 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ La 3 Si 6 N 11 : Ce 3 + (Ca 1-x Sr x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+ (Y 1-x Gd x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+ (Y 1-x Tb x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+ Ca (Y 1-x Lu x ) 2 Al 4 SiO 12 : Ce 3+ SrLi 2 SiO 4 : Eu 2+ (Ca 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+ (Ca 1-x Sr x ) 3 SiO 5 : Eu 2+ with (where applicable and independent of one another) 0 ≤ x, y ≤ 1.0 green emitting phosphors Lu 3 (Al 1-x Ga x ) 5 O 12 : Ce 3+ (Lu 1-x Y x ) 3 Sc 2 Al 3 O 12 : Ce 3+ (Ba 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+ SrAl 2 O 4 : Eu 2+ Sr 4 Al 14 O 25 : Eu 2+ BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , Mn 2+ BaMg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+ , Mn 2+ (Ba 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+ , Mn 2+ Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu α, β-SiAlONes: Eu (Sr 1-x Ba x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+ (Sr 1-x Ba x ) 2 SiO 4 : Eu 2+ (Sr 1-x Ba x ) 3 SiO 5 : Eu 2+ (Sr 1-xy Ba x Ca y ) Ga 2 S 4 : Eu 2+ (Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ce 3+ (Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Ce 3+ with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 NIR (680-900 nm) emitting phosphors: (Al 1 -x Ga x ) 2 O 3 : Cr 3+ (Mg 1-x Zn x ) Al 2 O 4 : Cr 3+ MgO: Cr 3+ (Sr 1-xy Ba x Ca y ) (Al 1-z Ga z ) 2 O 4 : Cr 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Cr 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Cr 3+ (Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Cr 3+ (Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Cr 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Cr 3+ SrAl 4 O 7 : Cr 3+ SrAl 12 O 19 : Cr 3+ Sr 3 Al 2 O 6 : Cr 3+ Sr 4 Al 14 O 25 : Cr 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Cr 3+ with (where applicable and independent of one another) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 IR-A (900-2500 nm) emitting phosphors: (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Pr 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 ( Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Pr 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Pr 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Pr 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Pr 3+ (L a 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Pr 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Pr 3+ K (Y 1 xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Pr 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Pr 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Pr 3+ ( Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Pr 3+ (La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Pr 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Nd 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) (Al 1-z Sc z ) O 3 : Nd 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Nd 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) 3 MgAl 11 O 19 : Nd 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Nd 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Nd 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Nd 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Nd 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Nd 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Nd 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Nd 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Nd 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Sm 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1 z Sc z ) 5 O 12 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Sm 3+ ( La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Sm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Sm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1 xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Sm 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Sm 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Sm 3+ (Ca 1 -xy Sr x Ba y ) WO 4 : Sm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Sm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Sm 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Dy 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Dy 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Dy 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Dy 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Dy 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Dy 3+ (Li 1 -ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Dy 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Dy 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Dy 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Dy 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Dy 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Dy 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Dy 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Ho 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Ho 3+ (L a 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Ho 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Ho 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Ho 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Ho 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Ho 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Ho 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Ho 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1 xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Ho 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Ho 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Er 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Er 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1 z Ga z ) O 3 : Er 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Er 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Er 3+ (La 1 -xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Er 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Er 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Er 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Er 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Er 3+ (Li 1 -ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Er 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Er 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (A 1 -z Ga z ) 5 O 12 : Tm 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Tm 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Tm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Tm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Tm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Tm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Tm 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Tm 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Tm 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Tm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Tm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 Tm 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Yb 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (A 1 -z Sc z ) 5 O 12 : Yb 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (A 1-z Ga z ) O 3 : Yb 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Yb 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Yb 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Yb 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Yb 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Yb 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Yb 3 + (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Yb 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Yb 3+ (La 1 -xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Yb 3+ with (where applicable and independent of one another) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0 , x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0 or mixtures of these substances. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Vorrichtung noch thermische Brücken umfasstDevice according to one of claims 1 to 5, wherein the device still comprises thermal bridges System, umfassend eine oder mehrere lichtemittierende Vorrichtungen gemäß den Ansprüchen 1 bis 6A system comprising one or more light-emitting devices according to claims 1 to 6 System nach Anspruch 7, wobei die lichtemittierenden Vorrichtungen in Raster oder Gitterform benachbart angeordnet sind.The system of claim 7, wherein the light emitting devices are arranged adjacent in grid or lattice form. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Reflexionskammern mit einem transparenten Medium ausgefüllt sind welches einen höheren optischen Brechungsindex als Luft aufweist.Device according to one of claims 1 to 8, wherein the reflection chambers with a filled transparent medium which has a higher optical refractive index than air.
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