DE102014117423A1 - Light emitting remote phosphor device - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung mit einem LED-Dice, welche(r) in einem definierten Abstand zu einer Leuchtstoffmatrix angeordnet ist.The present invention relates to a light-emitting remote phosphor device with an LED dice, which (r) is arranged at a defined distance from a phosphor matrix.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der lichtemittierenden Vorrichtungen, genauer lichtemittierende Vorrichtungen, die auf dem sog. „Remote-Phosphor”-System beruhen.The present invention relates to the field of light-emitting devices, more specifically light-emitting devices based on the so-called "remote phosphor" system.

Unter „Remote-Phosphor”-Systemen werden dabei insbesondere Vorrichtungen verstanden, bei der ein Leuchtstoff (Luminophor, Engl.: Phosphor) von einer in einem schmalen Wellenlängenbereich licht emittierenden Lichtquelle entfernt angeordnet ist, üblicherweise gebunden in oder verbunden mit einer Polymer-, Glas- oder Keramik-matrix. Hiermit unterscheidet sich ein Remotephosphor-System grundlegend von einem System, bei dem der Leuchtstoff direkt auf oder an der Lichtquelle angebracht ist, wie beispielsweise bei LED-Lichtquellen bei denen der Leuchtstoff direkt auf dem Licht emittierenden Dice aufgebracht ist. Üblicherweise unterscheidet man dabei zwei grundsätzliche Aufbauten, von denen viele Varianten abgeleitet werden können:

  • a) „Remotephosphor in Transmissionsanwendung”: Die Leuchtstoffmatrix wird auf eine Reflexionskammer aufgesetzt, in der sich die LED befindet. Das Licht kann nur durch die Leuchtstoffmatrix hindurch entweichen (Transmission).
  • b) ”Remotephosphor in Remissionsanwendung”: Die Leuchtstoffmatrix wird auf einen reflektierenden Träger aufgebracht oder wird rückseitig mit reflektierendem Material beschichtet, die LED-Lichtquelle befindet sich in oder leicht seitlich der Abstrahlrichtung und strahlt auf die Leuchtstoffmatrix. Das konvertierte Licht wird re-emittiert in Richtung der Lichtquelle bzw. in Abstrahlrichtung, das durch die Leuchtstoffmatrix gelangte Licht wird durch die rückseitige Reflexionsschicht auch wieder durch die Leuchtstsoffmatrix hindurch in Abstrahlrichtung gelenkt. Das Licht kann also nur in die Remissions-Richtung entweichen.
In this context, "remote phosphorus" systems are understood in particular to mean devices in which a luminophore (luminophore, Engl .: phosphor) is disposed away from a light source emitting light in a narrow wavelength range, usually bound in or connected to a polymer, glass - or ceramic matrix. Thus, a remote phosphor system is fundamentally different from a system in which the phosphor is mounted directly on or at the light source, such as in LED light sources where the phosphor is applied directly to the light emitting dice. Usually one differentiates thereby between two basic constructions, from which many variants can be derived:
  • a) "Remote phosphor in transmission application": The phosphor matrix is placed on a reflection chamber in which the LED is located. The light can only escape through the phosphor matrix (transmission).
  • b) "Remote phosphor in remission application": The phosphor matrix is applied to a reflective support or is coated on the back with reflective material, the LED light source is located in or slightly to the side of the emission direction and radiates onto the phosphor matrix. The converted light is re-emitted in the direction of the light source or in the emission direction, the light which has passed through the phosphor matrix is also directed through the back-reflection layer through the phosphor matrix in the emission direction. So the light can only escape in the remission direction.

Wie es generell bei LED-Lichtquellen der Fall ist, besteht für „Remote-Phosphor”-Systeme der ständige Bedarf weiterer Optimierung und Verbesserung. Es ist somit eine Aufgabe eine verbesserte lichtemittierende Vorrichtung bereitzustellen.As is generally the case with LED light sources, there is a constant need for further optimization and improvement for "remote phosphor" systems. It is thus an object to provide an improved light-emitting device.

Diese Aufgabe wird durch eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst. Demgemäß wird eine lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung vorgeschlagen, umfassend eine konvertierende plattenförmige oder folienartige Leuchtstoffmatrix, wobei die plattenförmige oder folienartige Leuchtstoffmatrix beabstandet von mindestens einem LED-Dice angeordnet ist, und wobei der Abstand von LED Dice und Leuchtstoffmatrix h im Verhältnis zur Kantenlänge des LED Dice d (h:d) von ≥ 0.2:1 bis ≤ 5:1 beträgt.This object is achieved by a light-emitting device according to claim 1. Accordingly, there is proposed a remote light-emitting phosphor device comprising a converting plate-like or sheet-like phosphor matrix, the plate-shaped or sheet-like phosphor matrix being spaced from at least one LED dice, and the distance of LED Dice and phosphor matrix h relative to the edge length of the LED LED dice d (h: d) is from ≥ 0.2: 1 to ≤ 5: 1.

Überraschenderweise hat sich so herausgestellt, dass die Eigenschaften der lichtemittierenden Vorrichtung bei vielen Anwendungen stark verbessert werden können. Insbesondere hat sich überraschenderweise herausgestellt, dass die Höhe h (auch als „Streudistanz”, scattering distance) im Verhältnis zum LED Dice einen Bereich besitzt, in der die Effizienz optimal ist. Dies steht insofern zum Widerspruch zu den meisten konventionellen Anwendungen. bei der eine möglichst große Streudistanz angestrebt wird.Surprisingly, it has been found that the properties of the light-emitting device can be greatly improved in many applications. In particular, it has surprisingly been found that the height h (also called "scattering distance") has an area in relation to the LED dice in which the efficiency is optimal. This is in contradiction to most conventional applications. in which the greatest possible scattering distance is sought.

Insbesondere bietet die erfindungsgemäße Vorrichtung bei den meisten Ausführungsformen und konkreten Ausgestaltungen einen oder mehrere der folgenden Vorteile:

  • – Die Effizienz des Systems wird erhöht
  • – Der Reflexionsgrad der Reflexionskammer eines Remotephosphorsystemen wird erhöht
  • – Ein besonders flaches System kann gebildet werden
  • – Die Lebensdauer des Systems wird erhöht
In particular, in most embodiments and specific embodiments, the device according to the invention offers one or more of the following advantages:
  • - The efficiency of the system is increased
  • - The reflectance of the reflection chamber of a remote phosphor systems is increased
  • - A particularly flat system can be formed
  • - The life of the system is increased

Der Term „Reflexionsgrad” im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet oder umfasst insbesondere das Verhältnis der reflektierten zur einfallenden Lichtintensität.The term "reflectance" in the sense of the present invention denotes or in particular includes the ratio of the reflected to the incident light intensity.

Ein standardisierter Weg, um den Reflexionsgrad der reflektierenden Flächen einer Reflexionskammer einer Beleuchtungsvorrichtung im Sinne der vorliegenden Erfindung zu messen, wird beschrieben in der CIE 130-1998 (Practical Methods for the Measurement of Reflectance and Transmittance) der International Commission an Illumination.A standardized way to measure the reflectance of the reflective surfaces of a reflection chamber of a lighting device in accordance with the present invention is described in CIE 130-1998 (Practical Methods for the Measurement of Reflectance and Transmittance) of the International Commission on Illumination.

Der Term „konvertierender Leuchtstoff” im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet oder umfasst insbesondere ein Material, welches bei geeigneter Anregung, vorzugsweise im blauen, UV-A oder UV-B-Bereich (also insbesondere von 280–490 nm), Licht, insbesondere innerhalb eines Wellenlängenbereiches von 400–2500 nm (sichtbares + Inrarotspektrum), emittiert.The term "converting phosphor" in the context of the present invention denotes or comprises in particular a material which, with suitable excitation, preferably in the blue, UV-A or UV-B range (ie in particular of 280-490 nm), light, in particular within a wavelength range of 400-2500 nm (visible + Inrarotsspektrum), emitted.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht die Leuchtstoffmatrix aus einer Leuchtstoffkeramik.According to a preferred embodiment of the present invention, the phosphor matrix consists of a phosphor ceramic.

Der Ausdruck „Keramik” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere ein kompaktes kristallines oder polykristallines Material mit einer kontrollierten Menge an Poren oder porenfrei.For the purposes of the present invention, the term "ceramic" in the sense of the present invention means and / or comprises in particular a compact crystalline or polycrystalline material with a controlled amount of pores or without pores.

Der Ausdruck „polykristallines Material” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst dabei insbesondere ein Material mit einer Volumendichte von größer 90 Prozent der Hauptkomponente, bestehend zu mehr als 80 Prozent aus einzelnen Kristalldomänen, wobei jede Kristalldomäne einen Durchmesser von 0,1–10 μm und abweichende kristallographische Orientierung besitzt. Die einzelnen Kristalldomänen können über amorphes oder glasartiges Material oder über zusätzliche kristalline Phasen miteinander verbunden bzw. verdünnt sein.The term "polycrystalline material" within the meaning of the present invention means and / or in particular comprises a material with a volume density of greater than 90 percent of the Main component, consisting of more than 80 percent of individual crystal domains, each crystal domain has a diameter of 0.1-10 microns and different crystallographic orientation. The individual crystal domains can be connected or diluted with one another via amorphous or vitreous material or via additional crystalline phases.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt das kristalline Material eine Dichte von ≥ 90% bis ≤ 100% der theoretischen Dichte. Dies hat sich für viele Anwendungen der vorliegenden Erfindung als vorteilhaft herausgestellt.According to a preferred embodiment of the present invention, the crystalline material has a density of ≥ 90% to ≤ 100% of the theoretical density. This has proven advantageous for many applications of the present invention.

Der Ausdruck „LED Dice” im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet und/oder umfasst insbesondere ein licht emittierendes Halbleiterbauelement, welches das zentrale, Licht emittierende Subsystem einer jeden LED ist. Ein LED Dice besteht für gewöhnlich im Wesentlichen aus einer sogenannten Trägerschicht (z. B. Silizium, Silizium Carbid, Saphir oder Gallium-Nitrid) und aus per Gasphasenabscheidung aufgebrachten dünnen Halbleiterschichten (z. B. GaN, InGan) die die durch Elektrolumineszenz Licht emittierenden Schichten darstellen. Zwischen den Licht emittierenden Schichten und dem Trägermaterial sind für gewöhnlich noch Licht reflektierende Schichten eingebracht um die Effizienz der Dices bezüglich Lichtauskopplung noch zu erhöhen.The term "LED Dice" within the meaning of the present invention means and / or comprises in particular a light-emitting semiconductor component which is the central, light-emitting subsystem of each LED. An LED dice usually consists essentially of a so-called carrier layer (eg silicon, silicon carbide, sapphire or gallium nitride) and of vapor-deposited thin semiconductor layers (eg GaN, InGan) which emit the light emitted by electroluminescence Layers represent. Between the light-emitting layers and the carrier material, light-reflecting layers are usually introduced in order to increase the efficiency of the dices with respect to light extraction.

Bei modernen LED-Dices wird vermehrt die Montageart des Dices auf der dem Lichtmodul internen Montagefläche umgekehrt, um eine bessere Wärmekopplung zwischen Licht emittierender Schicht und Montagefläche zu erhöhen, wobei dann von einer ”flip-chip” Systemarchitektur des Dices gesprochen wird.In modern LED dices, the mounting of the dice on the light module's internal mounting surface is increasingly being reversed in order to increase the better coupling between the light emitting layer and the mounting surface, which is referred to as a "flip-chip" system architecture of the dice.

Von diesen oben genannten Beispielen des Standes der Technik von LED-Dices sind im Sinne der Erfindung jedoch nicht ausgenommen die kommenden LED-Technologien wie beispielsweise der sogenannten Nano-LEDs, welche stark verkleinerte Mikrostrukturen aufweisen, und sich insbesondere durch ihre 3-dimensional ausgeformte, Licht emittierende Halbleiterschichten unterscheiden von den schichtartig aufgebauten Halbleiterschichten der heutzutage üblichen LED-Dice Systemarchitektur.Of these above-mentioned examples of the prior art of LED dices are for the purposes of the invention, however, not excluding the upcoming LED technologies such as the so-called nano-LEDs, which have greatly reduced microstructures, and in particular by their 3-dimensionally shaped, Light-emitting semiconductor layers differ from the layered semiconductor layers of today's customary LED-Dice system architecture.

Bei diesen zukünftigen 3-dimensionalen oder generell andersartig aufgebauten LED-Dice-Systemarchitekturen wie den Nano-LED artigen LEDs kann als Vergleich zur Kantenlänge der Dices (wie im folgenden in diesem Dokument erwähnt) auch ersatzweise der wesentliche kürzeste Durchmesser der Bodenfläche der zugrundeliegenden Licht emittierenden Halbleiterschicht als Mittel zum patentrelevanten Vergleich gewählt werde.In these future 3-dimensional or otherwise differently constructed LED dice system architectures such as the Nano-LED like LEDs, as a comparison to the edge length of the dices (as mentioned hereinafter), the essential shortest diameter of the bottom surface of the underlying light emitters may also be substituted Semiconductor layer is chosen as a means for patents relevant comparison.

Die für das Verständnis der Erfindung wichtigen Parameter h und d sollen im folgenden genauer erläutert werden:
h steht für den Abstand zwischen LED Dice und Leuchtstoffkeramik. Dabei ist, wenn die Vorrichtung über mehrere LED Dices verfügt, der jeweils durchschnittliche Abstand gemeint.
d steht für die Kantenlänge des LED Dice. Dabei ist folgendes gemeint:
Wenn der LED-Dice in Draufsicht quadratisch ist, steht d für die Kantenlänge des Quadrats.The parameters h and d, which are important for the understanding of the invention, will be explained in more detail below:
h stands for the distance between LED Dice and phosphor ceramics. In this case, if the device has a plurality of LED dices, the average distance is meant.
d stands for the edge length of the LED Dice. The following is meant:
If the LED dice is square in plan view, d represents the edge length of the square.

Bei einer rechteckigen Form des LED-Dice (in Draufsicht), steht d für den Durchschnitt der beiden Kantenlängen a und b, d. h. d = ½(a + b).For a rectangular shape of the LED dice (in plan view), d stands for the average of the two edge lengths a and b, d. H. d = ½ (a + b).

Bei einer dreieckigen Form des LED-Dice (in Draufsicht), steht d für den Durchschnitt der drei Kantenlängen des Dreiecks a, b und c, d. h. d = 1/3(a + b + c).For a triangular shape of the LED dice (in plan view), d stands for the average of the three edge lengths of the triangle a, b and c, d. H. d = 1/3 (a + b + c).

Analoges gilt für eine trapez- oder sonstwie eckige Form des LED Dice.The same applies to a trapezoidal or otherwise angular shape of the LED Dice.

Nur bei einem runden LED Dice soll d die Kantenlänge des Quadrats bezeichnen, welches den LED-Dice in Draufsicht gerade umfasst, d. h. d ist der Durchmesser des LED-Chips, bzw. der doppelte Radius, also d = 2 r.Only with a round LED dice should d denote the edge length of the square, which just covers the LED dice in plan view, d. H. d is the diameter of the LED chip, or twice the radius, ie d = 2 r.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt das Verhältnis von d zu h ≥ 0.25:1 bis ≤ 4:1. Dies hat sich in der Praxis bewährt. Ferner bevorzugt beträgt das Verhältnis von d zu h ≥ 0.3:1 bis ≤ 3:1, noch bevorzugt beträgt das Verhältnis von d zu h ≥ 0.4:1 bis ≤ 2,5:1 sowie am meisten bevorzugt beträgt das Verhältnis von d zu h ≥ 0.5:1 bis ≤ 2:1.According to a preferred embodiment of the invention, the ratio of d to h is ≥ 0.25: 1 to ≤ 4: 1. This has proven itself in practice. Further preferably, the ratio of d to h is ≥ 0.3: 1 to ≤ 3: 1, still preferably the ratio of d to h ≥ 0.4: 1 to ≤ 2.5: 1, and most preferably the ratio of d to h ≥ 0.5: 1 to ≤ 2: 1.

Der bzw. die LED-Dice(s) sind gemäß einer bevorzugten Ausführungsform in einer Reflexionskammer vorgesehen bzw. auf einer Bodenfläche dieser Reflexionskammer angebracht.The LED Dice (s) are provided according to a preferred embodiment in a reflection chamber or mounted on a bottom surface of this reflection chamber.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat dabei die Bodenfläche der Reflexionskammer, die die/den LED-Dice(s) umschließt einen höheren Reflexionsgrad als der/die LED-Dice(s).According to a preferred embodiment of the invention, the bottom surface of the reflection chamber enclosing the LED dice (s) has a higher reflectance than the LED dice (s).

Bevorzugt ist dabei der Reflexionsgrad der Bodenfläche ≥ 90%, bevorzugt ≥ 95%. Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der Reflexionsgrad der Seitenwände der Reflexionskammer ≥ 80%, bevorzugt ≥ 90%.In this case, the reflectance of the bottom surface is preferably ≥ 90%, preferably ≥ 95%. According to a further preferred embodiment, the reflectance of the side walls of the reflection chamber is ≥ 80%, preferably ≥ 90%.

Dies hat sich für viele Anwendungen innerhalb der vorliegenden Erfindung als vorteilhaft herausgestellt,.This has proven advantageous for many applications within the present invention.

Der Anteil der vom/von den LED-Dice(s) nicht bedeckten Bodenfläche der Reflexionskammer beträgt gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ≥ 80%, bevorzugt ≥ 90% der gesamten Bodenfläche der Reflexionskammer. The proportion of the bottom surface of the reflection chamber not covered by the LED dice (s) is, according to a further preferred embodiment of the invention, 80%, preferably ≥ 90% of the total bottom area of the reflection chamber.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst der LED-Dice Halbleiterschichten welche bei Anlegung von elektrischer Spannung dazu angeregt werden elektromagnetische Strahlung zu emittieren (Elektrolumineszenz). Diese Halbleiterschichten sind ausgewählt aus der Gruppe umfassend:

AlGaN
(Aluminium Gallium Nitride)
AlInGaP
(Aluminium Gallium Indium Phosphide)
GaAs
(Galliumarsenide)
GaAsP
(Gallium Arsenide Phosphide)
InGaN
(Indium Gallium Nitride)
GaN
(Gallium Nitride)

oder Mischungen daraus.According to a preferred embodiment of the invention, the LED dice comprises semiconductor layers which are excited when electrical voltage is applied to emit electromagnetic radiation (electroluminescence). These semiconductor layers are selected from the group comprising:
AlGaN
(Aluminum gallium nitrides)
AlInGaP
(Aluminum gallium indium phosphide)
GaAs
(Gallium arsenide)
GaAsP
(Gallium arsenide phosphides)
InGaN
(Indium gallium nitrides)
GaN
(Gallium nitrides)

or mixtures thereof.

Besonders bevorzugt sind hierbei Halbleiterschichten aus der Gruppe

InGaN
(Indium Gallium Nitride)
GaN
(Gallium Nitride)
In this case, semiconductor layers from the group are particularly preferred
InGaN
(Indium gallium nitrides)
GaN
(Gallium nitrides)

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist die Reflexionskammer mit einem transparentem Medium und/oder Material ausgefüllt, welches einen höheren optischen Brechungsindex als Luft aufweist. Dies hat sich für viele Anwendungen der vorliegenden Erfindung als zweckmäßig herausgestellt. Bevorzugte Materialien sind ausgewählt aus der Gruppe umfassend Silicone, Gläser und Mischungen daraus.According to a preferred embodiment, the reflection chamber is filled with a transparent medium and / or material which has a higher optical refractive index than air. This has proven to be useful for many applications of the present invention. Preferred materials are selected from the group comprising silicones, glasses and mixtures thereof.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst die konvertierende Leuchtstoffmatrix einen Leuchtstoff ausgewählt aus der Gruppe umfassend:

rot emittierende Leuchtstoffe:
(Sr1-xCax)S:Eu2+
(Sr1-x-yCaxBay)2Si5N8:Eu2+
(Sr1-x-yCaxBay)2Si5-zAlzN8-zOz:Eu2+
(Sr1-xCax)AlSiN3:Eu2+
SrLiAl3N4:Eu2+
(Sr1-x-ySrxCay)SiN2:Eu2+
ALn1-x-yEuxM2O8:RE
(Ln1-x-yEux)2MO6:RE2y
(Ln1-x-yEux)2M2O9:RE2y
(Ln1-x-yEux)2M3O12:RE2y
(Ln1-x-yEux)2M4O15:RE2y
(Ln1-x-yEux)6MO12:RE6y
(AE1-2x-yEuxAx+y)3MO6:RE3y
A3AE2(Ln1-x-y)3(MoO4)8:REy
mit M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs und AE = Ca, Sr, Ba
sowie 0 ≤ x, y ≤ 1.0,x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

blau emittierende Leuchtstoffe:
(Ba1-x-ySrxCay)2(Mg1-zZnz)Si2O7:Eu2+
(Ba1-xSrx)MgAl10O17:Eu2+
(Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Eu2+
(Ba1-xSrx)Al12O19:Eu2+
(Sr1-x-yCaxMgy)2Si2O6:Eu2+
CaAl2O4:Eu2+
(Ba1-xSrx)Al2Si2O8:Eu2+
(Ba1-xSrx)6BP5O20:Eu2+
(Ca1-x-ySrxBay)5(PO4)3(F1-zClz):Eu2+
(Y1-xGdx)(Nb1-zTaz)O4
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

gelb emittierende Leuchtstoffe:
Ba2Si5N8:Eu2+
La3Si6N11:Ce3+
(Ca1-xSrx)Si2N2O2:Eu2+
(Y1-xGdx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+
(Y1-xTbx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+
Ca(Y1-xLux)2Al4SiO12:Ce3+
SrLi2SiO4:Eu2+
(Ca1-xSrx)2SiO4:Eu2+
(Ca1-xSrx)3SiO5:Eu2+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0

grün emittierende Leuchtstoffe
Lu3(A1-xGax)5O12:Ce3+
(Lu1-xYx)3Sc2Al3O12:Ce3+
(Ba1-xSrx)2SiO4:Eu2+
SrAl2O4:Eu2+
Sr4Al14O25:Eu2+
BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+
BaMg3Al14O25:Eu2+, Mn2+
(Sr1-xSrx)Al12O19:Eu2+, Mn2+
Ba3Si6O12N2:Eu
α,β-SiAlONes:Eu
(Sr1-xBax)Si2N2O2:Eu2+
(Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+
(Sr1-xBax)3SiO5:Eu2+
(Sr1-x-yBaxCay)Ga2S4:Eu2+
(Lu1-xYx)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+
(Lu1-xYx)3(Al1-zScz)5O12:Ce3+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

NIR (680–900 nm) emittierende Leuchtstoffe:
(Al1-xGax)2O3:Cr3+
(Mg1-xZnx)Al2O4:Cr3+
MgO:Cr3+
(Sr1-x-yBaxCay)(Al1-zGaz)2O4:Cr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Cr3+
(Ba1-xSrx)MgAl10O17:Cr3+
(Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Cr3+
(La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)O3:Cr3+
SrAl4O7:Cr3+
SrAl12O19:Cr3+
Sr3Al2O6:Cr3+
Sr4Al14O25:Cr3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Cr3+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0

IR-A (900–2500 nm) emittierende Leuchtstoffe:
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Pr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Pr3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Pr3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Pr3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Pr3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Pr3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Pr3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Pr3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Pr3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Pr3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Pr3+
(La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Pr3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Nd3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Nd3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Nd3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Nd3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Nd3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Nd3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Nd3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Nd3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Nd3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Nd3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Nd3+
(La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Nd3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Sm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Sm3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Sm3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Sm3+
(La1-x-yYxGdyLuz)2O3:Sm3+
(La1-x-yYxGdyLuz)F3:Sm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Sm3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Sm3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Sm3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4Sm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Sm3+
(La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Sm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Dy3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Dy3+
(La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)O3:Dy3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Dy3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Dy3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Dy3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Dy3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Dy3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Dy3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Dy3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ho3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ho3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Ho3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Ho3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Ho3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Ho3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Ho3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Ho3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Ho3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Ho3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Ho3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Ho3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Er3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Er3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Er3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Er3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Er3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Er3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Er3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Er3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Er3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Er3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Er3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Er3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Tm3+
(Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Tm3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Tm3+
(La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Tm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Tm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Tm3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Tm3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Tm3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Tm3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Tm3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Tm3+
(La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Yb3+
(La1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Yb3+
(La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Yb3+
(La1-x-yYxGdyy)MgAl11O19:Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Yb3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Yb3+
K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Yb3+
Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Yb3+
(Ca1-x-ySrxBay)WO4:Yb3+
(Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Yb3+
(La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Yb3+
mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0

oder Mischungen dieser Stoffe.According to a preferred embodiment of the invention, the converting phosphor matrix comprises a phosphor selected from the group comprising:

red emitting phosphors:
(Sr 1-x Ca x ) S: Eu 2+
(Sr 1-xy Ca x Ba y ) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+
(Sr 1-xy Ca x Ba y ) 2 Si 5-z Al z N 8-z O z : Eu 2+
(Sr 1-x Ca x ) AlSiN 3 : Eu 2+
SrLiAl 3 N 4 : Eu 2+
(Sr 1-xy Sr x Ca y ) SiN 2 : Eu 2+
ALn 1-xy Eu x M 2 O 8 : RE
(Ln 1-xy Eu x ) 2 MO 6 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 M 2 O 9 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 M 3 O 12 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 2 M 4 O 15 : RE 2y
(Ln 1-xy Eu x ) 6 MO 12 : RE 6y
(AE 1-2x-y Eu x A x + y ) 3 MO 6 : RE 3y
A 3 AE 2 (Ln 1-xy ) 3 (MoO 4 ) 8 : RE y
where M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs and AE = Ca, Sr, Ba
and 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

blue emitting phosphors:
(Ba 1-xy Sr x Ca y ) 2 (Mg 1-z Zn z ) Si 2 O 7 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+
(Sr 1-xy Ca x Mg y ) 2 Si 2 O 6 : Eu 2+
CaAl 2 O 4 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) Al 2 Si 2 O 8 : Eu 2+
(Ba 1-x Sr x ) 6 BP 5 O 20 : Eu 2+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) 5 (PO 4 ) 3 (F 1 -z Cl z ): Eu 2+
(Y 1-x Gd x ) (Nb 1-z Ta z ) O 4
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

yellow emitting phosphors:
Ba 2 Si 5 N 8 : Eu 2+
La 3 Si 6 N 11 : Ce 3+
(Ca 1 -xSr x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+
(Y 1-x Gd x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+
(Y 1-x Tb x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+
Ca (Y 1-x Lu x ) 2 Al 4 SiO 12 : Ce 3+
SrLi 2 SiO 4 : Eu 2+
(Ca 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+
(Ca 1-x Sr x ) 3 SiO 5 : Eu 2+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0

green emitting phosphors
Lu 3 (A 1-x Ga x ) 5 O 12 : Ce 3+
(Lu 1-x Y x ) 3 Sc 2 Al 3 O 12 : Ce 3+
(Ba 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+
SrAl 2 O 4 : Eu 2+
Sr 4 Al 14 O 25 : Eu 2+
BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , Mn 2+
BaMg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+ , Mn 2+
(Sr 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+ , Mn 2+
Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu
α, β-SiAlONes: Eu
(Sr 1-x Ba x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+
(Sr 1-x Ba x ) 2 SiO 4 : Eu 2+
(Sr 1-x Ba x ) 3 SiO 5 : Eu 2+
(Sr 1-xy Ba x Ca y ) Ga 2 S 4 : Eu 2+
(Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ce 3+
(Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Ce 3+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

NIR (680-900 nm) emitting phosphors:
(Al 1-x Ga x ) 2 O 3 : Cr 3+
(Mg 1-x Zn x ) Al 2 O 4 : Cr 3+
MgO: Cr 3+
(Sr 1-xy Ba x Ca y ) (Al 1-z Ga z ) 2 O 4 : Cr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Cr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Cr 3+
(Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Cr 3+
(Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Cr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) O 3 : Cr 3+
SrAl 4 O 7 : Cr 3+
SrAl 12 O 19 : Cr 3+
Sr 3 Al 2 O 6 : Cr 3+
Sr 4 Al 14 O 25 : Cr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Cr 3+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0

IR-A (900-2500 nm) emitting phosphors:
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Pr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Pr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Pr 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Pr 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Pr 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Pr 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Pr 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Pr 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Pr 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Pr 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Pr 3+
(La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Pr 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Nd 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Nd 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Nd 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Nd 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Nd 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Nd 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Nd 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Nd 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Nd 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Nd 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Nd 3+
(La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Nd 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Sm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y Lu z ) F 3 : Sm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Sm 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Sm 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Sm 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 Sm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Sm 3+
(La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Sm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Dy 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Dy 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) O 3 : Dy 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Dy 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Dy 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Dy 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Dy 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Dy 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Dy 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Dy 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ho 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ho 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Ho 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Ho 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Ho 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Ho 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Ho 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Ho 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Ho 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Ho 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Ho 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Ho 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Er 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Er 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Er 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Er 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : He 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : He 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Er 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : He 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : He 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Er 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Er 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : He 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Tm 3+
(Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Tm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Tm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Tm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Tm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Tm 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Tm 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Tm 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Tm 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Tm 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Tm 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Yb 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Yb 3+
(La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Yb 3+
(La 1-xy Y x Gd y y) MgAl 11 O 19 : Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Yb 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Yb 3+
K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Yb 3+
Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Yb 3+
(Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Yb 3+
(Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Yb 3+
(La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Yb 3+
with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0

or mixtures of these substances.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst die Vorrichtung noch thermische Brücken. Dies hat sich insbesondere zur Wärmeabfuhr bewährt.According to a preferred embodiment of the invention, the device still comprises thermal bridges. This has proven especially for heat dissipation.

Der Term „thermische Brücken” umfasst und/oder bedeutet insbesondere eine thermische Verbindung von der zu kühlenden Systemkomponente (Leuchtstoffmatrix) mit einer zur Wärmeabfuhr geeigneten Systemkomponente, wobei diese thermische Verbindung realisiert wird durch ein besonders gut wärmeleitendes Material (Wärmeleitfähigkeit ≥ Wärmeleitfähigkeit der Leuchtstoffmatrix) wie beispielsweise Carbon Nano Tubes, Diamantpulver, SiC, Si3N4, MgO, AlN, AlON, Aluminium, Kupfer, Silber, Zinn, Zink oder Gold.The term "thermal bridges" includes and / or means in particular a thermal connection of the system component to be cooled (phosphor matrix) with a system component suitable for heat removal, wherein this thermal connection is realized by a particularly good heat-conducting material (thermal conductivity ≥ thermal conductivity of the phosphor matrix) such as carbon nanotubes, diamond powder, SiC, Si 3 N 4 , MgO, AlN, AlON, aluminum, copper, silver, tin, zinc or gold.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich außerdem auf ein System, umfassend eine oder mehrere lichtemittierende Vorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung. Diese sind bevorzugt benachbart zueinander in Raster- oder Gitterform angeordnet, so dass eine zugleich kompakte wie vergleichsweise große Gesamtarchitektur erreicht werden kann Die kompakte Systemarchitektur wird im weiteren dadurch begünstigt wenn die benachbarten Systeme an den zugewandten Seiten die gleichen thermischen Brücken teilen, was insofern eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.The present invention also relates to a system comprising one or more light-emitting devices according to the present invention. These are preferably arranged adjacent to each other in grid or lattice form, so that at the same time a compact and comparatively large overall architecture can be achieved. The compact system architecture is further favored if the adjacent systems share the same thermal bridges on the facing sides, which is a preferred Embodiment of the present invention.

Die vorgenannten sowie die beanspruchten und in den Ausführungsbeispielen beschriebenen erfindungsgemäß zu verwendenden Bauteile unterliegen in ihrer Größe, Formgestaltung, Materialauswahl und technischen Konzeption keinen besonderen Ausnahmebedingungen, so dass die in dem Anwendungsgebiet bekannten Auswahlkriterien uneingeschränkt Anwendung finden können.The above-mentioned and the claimed components to be used according to the invention described in the exemplary embodiments are not subject to special conditions of size, shape, material selection and technical design, so that the selection criteria known in the field of application can be used without restriction.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile des Gegenstandes der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung der zugehörigen Zeichnungen, in denen – beispielhaft – mehrere Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt sind. In den Zeichnungen zeigt:Further details, features and advantages of the subject matter of the invention will become apparent from the subclaims and from the following description of the accompanying drawings, in which - by way of example - several embodiments of the device according to the invention are shown. In the drawings shows:

1 eine sehr schematische Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; 1 a very schematic cross-sectional view of a light-emitting device according to a first embodiment of the invention;

2 eine ausschnittsweise Draufsicht auf die Vorrichtung aus 1 von schräg oben. 2 a partial plan view of the device 1 from diagonally above.

3 eine Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in ausschnittsweiser Draufsicht etwa von oben links enthaltend eine Mehrzahl von LED Dices 3 a device according to another embodiment of the invention in a sectional plan view approximately from the top left containing a plurality of LED dices

4 ein LED-Dice in Draufsicht von oben mit quadratischem Querschnitt, welches für die vorliegende Erfindung verwendet werden kann 4 an LED dice in plan view from above with square cross section, which can be used for the present invention

5 ein LED-Dice in Draufsicht von oben mit rechteckigem Querschnitt, welches für die vorliegende Erfindung verwendet werden kann 5 an LED dice in plan view from above with rectangular cross section, which can be used for the present invention

6 ein LED-Dice in Draufsicht von oben mit dreieckigem Querschnitt, welches für die vorliegende Erfindung verwendet werden kann; sowie 6 an LED dice in plan view from above with triangular cross section, which can be used for the present invention; such as

7 ein LED-Dice in Draufsicht von oben mit rundem Querschnitt, welches für die vorliegende Erfindung verwendet werden kann. 7 an LED dice in top view with a round cross section, which can be used for the present invention.

1 zeigt eine sehr schematische Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung 1 umfasst dabei eine konvertierende Leuchtstoffkeramik 10, die auf einer ringförmigen thermisch leitfähigen Schicht 25 aufgesetzt ist, welche wiederum auf einem Trägersubstrat 20 aufgebracht ist, so dass sich eine Reflexionskammer 40 bildet. Auf dem Trägersubstrat ist weiterhin ein LED Dice 30 aufgebracht, zusätzlich sind zwei Metallisierungsebenen 50 vorgesehen, über die die Vorrichtung mechanisch und thermisch verbunden werden kann. Das Trägersubstrat 20 befindet sich weiterhin auf einem Wärmeableiter 60. 1 shows a very schematic cross-sectional view of a light-emitting device 1 according to a first embodiment of the invention. The device 1 includes a converting phosphor ceramic 10 placed on an annular thermally conductive layer 25 is placed, which in turn on a carrier substrate 20 is applied, leaving a reflection chamber 40 forms. On the carrier substrate is still a LED Dice 30 applied, in addition, two metallization levels 50 provided, via which the device can be mechanically and thermally connected. The carrier substrate 20 is still on a heat sink 60 ,

In 1 sind die Kantenlänge des LED Dice 30 – als d bezeichnet – sowie der Abstand zwischen LED Dice und Leuchtstoffmatrix – als h bezeichnet – eingezeichnet.In 1 are the edge length of the LED Dice 30 - as d denotes - as well as the distance between LED Dice and phosphor matrix - designated as h - drawn.

2 zeigt die Vorrichtung aus 1 in ausschnittsweiser Draufsicht von schräg oben. Wie in 2 gut zusehen, ist die Leuchtstoffmatrix 10 etwa diskusförmig und liegt auf der ringförmigen thermisch leitfähigen Schicht 25 auf. Ebenso ist der LED Dice 30 diskusförmig, d. h. die Kantenlänge des LED-Dice ist in diesem Fall der Durchmesser d. 2 shows the device 1 in a fragmentary plan view obliquely from above. As in 2 Good to see is the phosphor matrix 10 about discus-shaped and lies on the annular thermally conductive layer 25 on. Likewise, the LED Dice 30 Discus, ie the edge length of the LED dice in this case, the diameter d.

Die den LED-Dice umschließende Bodenfläche der Reflexionskammer 40 hat einen höheren Reflexionsgrad als der LED-Dice 30. Der Reflexionsgrad der den LED-Dice umschließenden Bodenfläche beträgt hier bevorzugt, > 95%, Die inneren Seitenwände 45 der Reflexionskammer 40 haben aber bevorzugt einen hohen Reflexionsgrad von > 90%.The LED dice enclosing bottom surface of the reflection chamber 40 has a higher reflectance than the LED dice 30 , The reflectance of the LED dice enclosing bottom surface is here preferably,> 95%, the inner side walls 45 the reflection chamber 40 but preferably have a high reflectance of> 90%.

3 zeigt eine Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in ausschnittsweiser Draufsicht etwa von oben links enthaltend eine Mehrzahl von LED Dices 30. Diese bilden voneinander beabstandet ein Gitter. Der Abstand h zwischen LED Dice und Leuchtstoffmatrix ist ebenfalls eingezeichnet, beträgt aber hier den durchschnittlichen Abstand, für den Fall, dass die LED Dices nicht vollständig gleich hoch sind. Wie in 3 zu sehen, haben die LED Dices einen quadratischen Querschnitt, d. h. die Kantenlänge d ist die Seitenlänge eines LED-Dices 30. 3 shows a device according to another embodiment of the invention in a sectional plan view from about the top left containing a plurality of LED dices 30 , These form a grid spaced from each other. The distance h between LED Dice and phosphor matrix is also drawn, but here is the average distance, in case the LED Dices are not completely equal. As in 3 The LED dices have a square cross section, ie the edge length d is the side length of an LED dice 30 ,

Wie in 3 zusehen, beträgt die von den LED-Dices 30 nicht bedeckte Bodenfläche der Reflexionskammer 40 etwa > 90% der gesamten Bodenfläche der Reflexionskammer, dies ist eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, wie oben erwähnt. Ähnliches gilt für die Ausführungsform gemäß 1.As in 3 watch is that of the LED dices 30 uncovered bottom surface of the reflection chamber 40 about> 90% of the total bottom area of the reflection chamber, this is a preferred embodiment of the invention as mentioned above. The same applies to the embodiment according to 1 ,

Die 4 bis 7 zeigen verschiedene LED-Dices in Draufsicht von oben mit unterschiedlichen Querschnitten, welche für die vorliegende Erfindung verwendet werden können. Die Erfindung ist selbstverständlich nicht darauf beschränkt; die 4 bis 7 dienen dazu, die Berechnung der Kantenlänge d besser zu verstehen.The 4 to 7 show various LED dices in plan view from above with different cross sections, which can be used for the present invention. Of course, the invention is not limited thereto; the 4 to 7 serve to better understand the calculation of the edge length d.

Für den Fall, dass der Querschnitt quadratisch ist, wie in 4, ist die Kantenlänge d einfach eine Seitenlänge des Quadrats. Bei einer rechteckigen Form des LED-Dice, wie in 5 steht d für den Durchschnitt der beiden Kantenlängen a und b, d. h. d = ½(a + b).In the event that the cross section is square, as in 4 , the edge length d is simply a side of the square. For a rectangular shape of the LED Dice, as in 5 d stands for the average of the two edge lengths a and b, ie d = ½ (a + b).

Bei einer dreieckigen Form des LED-Dice, wie in 6 steht d für den Durchschnitt der drei Kantenlängen des Dreiecks a, b und c, d. h. d = 1/3(a + b + c). Analoges gilt für eine trapez- oder sonstwie eckige Form des LED Dice (in den Figuren nicht gezeigt).For a triangular shape of the LED Dice, as in 6 d stands for the average of the three edge lengths of the triangle a, b and c, ie d = 1/3 (a + b + c). The same applies to a trapezoidal or otherwise angular shape of the LED Dice (not shown in the figures).

Nur bei einem runden LED-Dice soll d die Kantenlänge des Quadrats bezeichnen, welches den LED-Dice in Draufsicht gerade umfasst, d. h. d ist der Durchmesser des LED-Chips, bzw. der doppelte Radius, also d = 2 r. Dies ist in 7 gut zu sehen.Only in the case of a round LED dice should d denote the edge length of the square, which directly encloses the LED dice in plan view, ie d is the diameter of the LED chip, or twice the radius, ie d = 2 r. This is in 7 good to see.

Die einzelnen Kombinationen der Bestandteile und der Merkmale von den bereits erwähnten Ausführungen sind exemplarisch; der Austausch und die Substitution dieser Lehren mit anderen Lehren, die in dieser Druckschrift enthalten sind mit den zitierten Druckschriften werden ebenfalls ausdrücklich erwogen. Der Fachmann erkennt, dass Variationen, Modifikationen und andere Ausführungen, die hier beschrieben werden, ebenfalls auftreten können ohne von dem Erfindungsgedanken und dem Umfang der Erfindung abzuweichen. Entsprechend ist die obengenannte Beschreibung beispielhaft und nicht als beschränkend anzusehen. Das in den Ansprüchen verwendete Wort „umfassen” schließt nicht andere Bestandteile oder Schritte aus. Der unbestimmte Artikel „ein” schließt nicht die Bedeutung eines Plurals aus. Die bloße Tatsache, dass bestimmte Maße in gegenseitig verschiedenen Ansprüchen rezitiert werden, verdeutlicht nicht, dass eine Kombination von diesen Maßen nicht zum Vorteil benutzt werde kann. Der Umfang der Erfindung ist in den folgenden Ansprüchen definiert und den dazugehörigen Äquivalenten.The individual combinations of the components and the features of the already mentioned embodiments are exemplary; the exchange and substitution of these teachings with other teachings contained in this document with the references cited are also expressly contemplated. Those skilled in the art will recognize that variations, modifications and other implementations described herein may also occur without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the above description is illustrative and not restrictive. The word "comprising" used in the claims does not exclude other ingredients or steps. The indefinite article "a" does not exclude the meaning of a plural. The mere fact that certain measures are recited in mutually different claims does not make it clear that a combination of these dimensions can not be used to advantage. The scope of the invention is defined in the following claims and the associated equivalents.

Claims (10)

Lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung (1), umfassend eine konvertierende plattenförmige Leuchtstoffmatrix, wobei die Leuchtstoffmatrix beabstandet von mindestens einem LED-Dice angeordnet ist, und wobei der Abstand von LED Dice und Leuchtstoffmatrix h im Verhältnis zur Kantenlänge des LED Dice d von h:d ≥ 0.2:1 bis ≤ 5:1 beträgt.Light Emitting Remote Phosphor Device ( 1 ), comprising a converting plate-shaped phosphor matrix, wherein the phosphor matrix is arranged at a distance from at least one LED dice, and wherein the distance of LED Dice and phosphor matrix h in relation to the edge length of the LED Dice d of h: d ≥ 0.2: 1 to ≤ 5 : 1 is. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Verhältnis von d zu h ≥ 0.25:1 bis ≤ 4:1 beträgt.The device of claim 1, wherein the ratio of d to h is ≥ 0.25: 1 to ≤ 4: 1. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der mindestens eine LED-Dice in einer Reflexionskammer vorgesehen ist.Apparatus according to claim 1 or 2, wherein the at least one LED dice is provided in a reflection chamber. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Bodenfläche der Reflexionskammer, die den mindestens einen LED-Dice umschließt einen höheren Reflexionsgrad als der mindestens eine LED-Dice.Device according to one of claims 1 to 3, wherein the bottom surface of the reflection chamber enclosing the at least one LED dice a higher reflectance than the at least one LED dice. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Anteil der von dem mindestens einem LED-Dice nicht bedeckte Bodenfläche der Reflexionskammer ≥ 80% beträgtDevice according to one of claims 1 to 4, wherein the proportion of not covered by the at least one LED dice bottom surface of the reflection chamber is ≥ 80% Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die konvertierende Leuchtstoffmatrix (10) einen Leuchtstoff umfasst, ausgewählt aus der Gruppe: rot emittierende Leuchtstoffe: (Sr1-xCax)S:Eu2+ (Sr1-x-yCaxBay)2Si5N8:Eu2+ (Sr1-x-yCaxBay)2Si5-zAlzN8-zOz:Eu2+ (Sr1-xCax)AlSiN3:Eu2+ SrLiAl3N4:Eu2+ (Sr1-x-ySrxCay)SiN2:Eu2+ ALn1-x-yEuxM2O8:RE (Ln1-x-yEux)2MO6:RE2y (Ln1-x-yEux)2M2O9:RE2y (Ln1-x-yEux)2M3O12:RE2y (Ln1-x-yEux)2M4O15:RE2y (Ln1-x-yEux)6MO12:RE6y (AE1-2x-yEuxAx+y)3MO6:RE3y A3AE2(Ln1-x-y)3(MoO4)8:REy mit M = Mo, W, A = Li, Na, K, Rb, Cs und AE = Ca, Sr, Ba sowie 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 blau emittierende Leuchtstoffe: (Ba1-x-ySrxCay)2(Mg1-zZnz)Si2O7:Eu2+ (Ba1-xSrx)MgAl10O17:Eu2+ (Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Eu2+ (Ba1-xSrx)Al12O19:Eu2+ (Sr1-x-yCaxMgy)2Si2O6:Eu2+ CaAl2O4:Eu2+ (Ba1-xSrx)Al2Si2O8:Eu2+ (Ba1-xSrx)6BP5O20:Eu2+ (Ca1-x-ySrxBay)5(PO4)3(F1-zClz):Eu2+ (Y1-xGdx)(Nb1-zTaz)O4 mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 gelb emittierende Leuchtstoffe: Ba2Si5N8:Eu2+ La3Si6N11:Ce3+ (Ca1-xSrx)Si2N2O2:Eu2+ (Y1-xGdx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+ (Y1-xTbx)3(Al1-yGay)5O12:Ce3+ Ca(Y1-xLux)2Al4SiO12:Ce3+ SrLi2SiO4:Eu2+ (Ca1-xSrx)2SiO4:Eu2+ (Ca1-xSrx)3SiO5:Eu2+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0 grün emittierende Leuchtstoffe Lu3(A1-xGax)5O12:Ce3+ (Lu1-xYx)3Sc2Al3O12:Ce3+ (Ba1-xSrx)2SiO4:Eu2+ SrAl2O4:Eu2+ Sr4Al14O25:Eu2+ BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+ BaMg3Al14O25:Eu2+, Mn2+ (Sr1-xSrx)Al12O19:Eu2+, Mn2+ Ba3Si6O12N2:Eu α,β-SiAlONes:Eu (Sr1-xBax)Si2N2O2:Eu2+ (Sr1-xBax)2SiO4:Eu2+ (Sr1-xBax)3SiO5:Eu2+ (Sr1-x-yBaxCay)Ga2S4:Eu2+ (Lu1-xYx)3(Al1-zGaz)5O12:Ce3+ (Lu1-xYx)3(Al1-zScz)5O12:Ce3+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 NIR (680– 00 nm) emittierende Leuchtstoffe: (Al1-xGax)2O3:Cr3+ (Mg1-xZnx)Al2O4:Cr3+ MgO:Cr3+ (Sr1-x-yBaxCay)(Al1-zGaz)2O4:Cr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Cr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Cr3+ (Ba1-xSrx)MgAl10O17:Cr3+ (Ba1-xSrx)Mg3Al14O25:Cr3+ (La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)O3:Cr3+ SrAl4O7:Cr3+ SrAl12O19:Cr3+ Sr3Al2O6:Cr3+ Sr4Al14O25:Cr3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Cr3+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 und 0 ≤ z ≤ 1.0 IR-A (900–2500 nm) emittierende Leuchtstoffe: (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Pr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Pr3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Pr3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Pr3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Pr3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Pr3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Pr3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Pr3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Pr3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Pr3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Pr3+ (La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Pr3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Nd3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Nd3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Nd3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Nd3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Nd3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Nd3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Nd3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Nd3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Nd3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Nd3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Nd3+ (La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Nd3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Sm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Sm3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Sm3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Sm3+ (La1-x-yYxGdyLuz)2O3:Sm3+ (La1-x-yYxGdyLuz)F3:Sm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Sm3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Sm3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Sm3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4Sm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Sm3+ (La1-x-yYxGdyLuz)VO4:Sm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Dy3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Dy3+ (La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)O3:Dy3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Dy3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Dy3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Dy3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Dy3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Dy3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Dy3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Dy3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ho3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Ho3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Ho3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Ho3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Ho3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Ho3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Ho3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Ho3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Ho3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Ho3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Ho3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Ho3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Er3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Er3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Er3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Er3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Er3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Er3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Er3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Er3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Er3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Er3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Er3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Er3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Tm3+ (Lu1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Tm3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Tm3+ (La1-x-yYxGdy)MgAl11O19:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Tm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Tm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Tm3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Tm3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Tm3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Tm3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Tm3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Tm3+ (La1-x-yYxGdy)3(Al1-zGaz)5O12:Yb3+ (La1-x-yYxGdy)3(Al1-zScz)5O12:Yb3+ (La1-x-yYxGdy)(Al1-zGaz)O3:Yb3+ (La1-x-yYxGdyy)MgAl11O19:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)2O3:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)F3:Yb3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)F4:Yb3+ K(Y1-x-yGdxLuy)3F10:Yb3+ Ba(La1-x-y-zYxGdyLuz)2F8:Yb3+ (Ca1-x-ySrxBay)WO4:Yb3+ (Li1-a-bNaaKb)(La1-x-y-zYxGdyLuz)W2O8:Yb3+ (La1-x-y-zYxGdyLuz)VO4:Yb3+ mit (wo andwendbar und unabhängig voneinander) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0 oder Mischungen dieser Stoffe.Device according to one of claims 1 to 5, wherein the converting phosphor matrix ( 10 ) comprises a phosphor selected from the group consisting of red emitting phosphors: (Sr 1-x Ca x ) S: Eu 2+ (Sr 1-xy Ca x Ba y ) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ (Sr 1) xy Ca x Ba y ) 2 Si 5-z Al z N 8-z O z : Eu 2+ (Sr 1-x Ca x ) AlSiN 3 : Eu 2+ SrLiAl 3 N 4 : Eu 2+ (Sr 1-xy Sr x Ca y ) SiN 2 : Eu 2+ ALn 1-xy Eu x M 2 O 8 : RE (Ln 1-xy Eu x ) 2 MO 6 : RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M 2 O 9 RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M 3 O 12 : RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 2 M 4 O 15 : RE 2y (Ln 1-xy Eu x ) 6 MO 12 : RE 6y ( AE 1-2x-y Eu x A x + y ) 3 MO 6 : RE 3y A 3 AE 2 (Ln 1-xy ) 3 (MoO 4 ) 8 : RE y where M = Mo, W, A = Li, Na , K, Rb, Cs and AE = Ca, Sr, Ba and 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 blue emitting phosphors: (Ba 1-xy Sr x Ca y ) 2 ( Mg 1-z Zn z ) Si 2 O 7 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+ ( Ba 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+ (Sr 1-xy Ca x Mg y ) 2 Si 2 O 6 : Eu 2+ CaAl 2 O 4 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) Al 2 Si 2 O 8 : Eu 2+ (Ba 1-x Sr x ) 6 BP 5 O 20 : Eu 2+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) 5 (PO 4 ) 3 (F 1 -z Cl z ): Eu 2+ (Y 1 -x Gd x ) (Nb 1-z Ta z ) O 4 with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 yellow-emitting phosphors: Ba 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ La 3 Si 6 N 11 : Ce 3+ (Ca 1-x Sr x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+ (Y 1-x Gd x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+ (Y 1-x Tb x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : Ce 3+ Ca (Y 1-x Lu x ) 2 Al 4 SiO 12 : Ce 3+ SrLi 2 SiO 4 : Eu 2+ (Ca 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+ (Ca 1-x Sr x ) 3 SiO 5 : Eu 2+ with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0 green emitting phosphors Lu 3 (A 1-x Ga x ) 5 O 12 : Ce 3+ (Lu 1-x Y x ) 3 Sc 2 Al 3 O 12 : Ce 3+ (Ba 1-x Sr x ) 2 SiO 4 : Eu 2+ SrAl 2 O 4 : Eu 2+ Sr 4 Al 14 O 25 : Eu 2+ BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , Mn 2+ BaMg 3 Al 14 O 25 : Eu 2+ , Mn 2+ (Sr 1-x Sr x ) Al 12 O 19 : Eu 2+ , Mn 2+ Ba 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu α, β-SiAlONes: Eu (Sr 1-x Ba x ) Si 2 N 2 O 2 : Eu 2+ (Sr 1-x Ba x ) 2 SiO 4 : Eu 2+ (Sr 1-x Ba x ) 3 SiO 5 : Eu 2+ (Sr 1-xy Ba x Ca y ) Ga 2 S 4 : Eu 2+ (Lu 1 x Y x ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ce 3+ (Lu 1-x Y x ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Ce 3+ with (where applicable and independent from each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≤ z ≤ 1.0 NIR (680-00 nm) emitting phosphors: (Al 1-x Ga x ) 2 O 3 : Cr 3+ (Mg 1+) x Zn x ) Al 2 O 4 : Cr 3+ MgO: Cr 3+ (Sr 1-xy Ba x Ca y ) (Al 1-z Ga z ) 2 O 4 : Cr 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Cr 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Cr 3+ (Ba 1-x Sr x ) MgAl 10 O 17 : Cr 3+ (Ba 1-x Sr x ) Mg 3 Al 14 O 25 : Cr 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) O 3 : Cr 3+ SrAl 4 O 7 : Cr 3+ SrAl 12 O 19 : Cr 3+ Sr 3 Al 2 O 6 : Cr 3 + Sr 4 Al 14 O 25 : Cr 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Cr 3+ with (where applicable and independent of each other) 0 ≤ x, y ≤ 1.0, x + y ≤ 1.0 and 0 ≦ z ≦ 1.0 IR-A (900-2500 nm) emitting phosphors: (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Pr 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Pr 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Pr 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Pr 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Pr 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Pr 3+ ( Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Pr 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Pr 3+ Ba (La 1 xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Pr 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Pr 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Pr 3+ (La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Pr 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Nd 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Nd 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Nd 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Nd 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Nd 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Nd 3+ (Li 1) ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Nd 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Nd 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Nd 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Nd 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Nd 3+ (La 1 -xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Nd 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Sm 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y Lu z ) F 3 : Sm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Sm 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Sm 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Sm 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 Sm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Sm 3+ (La 1-xy Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Sm 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1 -Z Ga z ) 5 O 12 : Dy 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Dy 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) 3 ( Al 1-z Ga z ) O 3 : Dy 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Dy 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Dy 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Dy 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Dy 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Dy 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Dy 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Dy 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ho 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Ho 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Ho 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Ho 3 + (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Ho 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Ho 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Ho 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Ho 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Ho 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Ho 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Ho 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Ho 3+ (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Er 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Er 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Er 3+ (La 1 -xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Er 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Er 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Er 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Er 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Er 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Er 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Er 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Er 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Er 3+ (Lu 1 -xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Ga z ) 5 O 12 : Tm 3 + (Lu 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Tm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1-z Ga z ) O 3 : Tm 3 + (La 1-xy Y x Gd y ) MgAl 11 O 19 : Yb 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Tm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Tm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Tm 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Tm 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Tm 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Tm 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Tm 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Tm 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1 -Z Ga z ) 5 O 12 : Yb 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) 3 (Al 1-z Sc z ) 5 O 12 : Yb 3+ (La 1-xy Y x Gd y ) (Al 1- z Ga z ) O 3 : Yb 3+ (La 1-xy Y x Gd y y) MgAl 11 O 19 : Yb 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 O 3 : Yb 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 3 : Yb 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) F 4 : Yb 3+ K (Y 1-xy Gd x Lu y ) 3 F 10 : Yb 3+ Ba (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) 2 F 8 : Yb 3+ (Ca 1-xy Sr x Ba y ) WO 4 : Yb 3+ (Li 1-ab Na a K b ) (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) W 2 O 8 : Yb 3+ (La 1-xyz Y x Gd y Lu z ) VO 4 : Yb 3+ with (where applicable and independently) 0 ≤ a, b, x, y, z ≤ 1.0, x + y + z ≤ 1.0, a + b ≤ 1.0 or mixtures of these substances. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der LED-Dice Halbleiterschichten umfasst, ausgewählt aus der Gruppe umfassend AlGaN (Aluminium Gallium Nitride) AlInGaP (Aluminium Gallium Indium Phosphide) GaAs (Galliumarsenide) GaAsP (Gallium Arsenide Phosphide) InGaN (Indium Gallium Nitride) GaN (Gallium Nitride) oder Mischungen daraus.The device of one of claims 1 to 6, wherein the LED dice comprises semiconductor layers selected from the group comprising AlGaN (Aluminum Gallium Nitride) AlInGaP (aluminum gallium indium phosphide) GaAs (gallium arsenides) GaAsP (gallium arsenide phosphides) InGaN (Indium Gallium Nitride) GaN (gallium nitrides) or mixtures thereof. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die lichtemittierende Leuchtstoffmatrix eine Leuchtstoffkeramik ist.A device according to any one of claims 1 to 7, wherein the light emitting phosphor matrix is a phosphor ceramic. Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Reflexionskammern mit einem transparentem Medium ausgefüllt sind welches einen höheren optischen Brechungsindex als Luft aufweist.Device according to one or more of claims 1 to 8, wherein the reflection chambers are filled with a transparent medium which has a higher optical refractive index than air. System, umfassend eine oder mehrere lichtemittierende Vorrichtungen gemäß den Ansprüchen 1 bis 9.A system comprising one or more light-emitting devices according to claims 1 to 9.
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