DE102014102281A1 - Method for producing an organic optoelectronic component and organic optoelectronic component - Google Patents
Method for producing an organic optoelectronic component and organic optoelectronic component Download PDFInfo
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Abstract
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements (10) bereitgestellt. Dabei wird eine erste Elektrode (20) ausgebildet. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) wird über der ersten Elektrode (20) ausgebildet. Eine zweite Elektrode (23) wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet. Eine Pulverschichtstruktur (40), die mindestens ein Pulver aufweist, wird lateral neben und/oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet. Zumindest ein Teilbereich (54) der Pulverschichtstruktur (40) wird mittels elektromagnetischer Strahlung geschmolzen, so dass die Pulverschichtstruktur (40) zumindest in dem Teilbereich (54) zu einer festen geschlossenen Kapselstruktur (46) verschmilzt.In various exemplary embodiments, a method for producing an organic optoelectronic component (10) is provided. In this case, a first electrode (20) is formed. An organic functional layer structure (22) is formed over the first electrode (20). A second electrode (23) is formed over the organic functional layer structure (22). A powder layer structure (40) comprising at least one powder is formed laterally adjacent to and / or over the organic functional layer structure (22). At least a partial region (54) of the powder layer structure (40) is melted by means of electromagnetic radiation, so that the powder layer structure (40) melts into a solid closed capsule structure (46) at least in the partial region (54).
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements und ein organisches optoelektronisches Bauelement.The invention relates to a method for producing an organic optoelectronic component and an organic optoelectronic component.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light emitting diode – OLED) oder organische Solarzellen, finden zunehmend verbreitete Anwendung, beispielsweise die OLEDs in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle.Organic-based optoelectronic components, for example organic light-emitting diodes (OLEDs) or organic solar cells, are finding more and more widespread application, for example the OLEDs in general lighting, for example as surface light source.
Ein organisches optoelektronisches Bauelement kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer” – HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschichten („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten.An organic optoelectronic device may include an anode and a cathode having an organic functional layer system therebetween. The organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layers each of two or more charge generating layers (CGL) for charge carrier pair generation, and one or multiple electron block layers, also referred to as hole transport layers (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layers (ETLs), to direct current flow.
Organische optoelektronische Bauelemente sind grundsätzlich empfindlich gegenüber Luft aufgrund des Sauerstoff- und Wassergehaltes der Luft. Gleichzeitig sind flächige organische optoelektronische Bauelemente auch empfindlich gegenüber Partikeln, die insbesondere bei dünnfilmverkapselten organischen optoelektronischen Bauelementen zu Ausfällen beim Anordnen eines Abdeckkörpers und/oder einer Laminierschicht führen können.Organic optoelectronic components are fundamentally sensitive to air due to the oxygen and water content of the air. At the same time, planar organic optoelectronic components are also sensitive to particles which, especially in the case of thin-film-encapsulated organic optoelectronic components, can lead to failures when arranging a covering body and / or a laminating layer.
Bekannte organische optoelektronische Bauelemente weisen daher beispielsweise Cavity-Verkapselungen mit Gettermaterialien, die in der Regel relativ teuer und schwer automatisierbar sind, oder Glaslotverkapselungen, bei denen hohe Verspannungen auftreten können und die relativ teuer sind, auf.Known organic optoelectronic components therefore have, for example, cavity encapsulations with getter materials, which as a rule are relatively expensive and difficult to automate, or glass solder encapsulations in which high strains can occur and which are relatively expensive.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt, das einfach und/oder kostengünstig durchführbar ist und/oder das dazu beiträgt, dass das organische optoelektronische Bauelement robust gegenüber Partikeln im Bereich der empfindlichen Schichten, beispielsweise der organischen funktionellen Schichten, ist und/oder dass das organische optoelektronische Bauelement die notwendige Dichtigkeit gegenüber Wasser und/oder Sauerstoff, beispielsweise von kleiner 10–6 g/cm2/d, besitzt.In various embodiments, a method for producing an optoelectronic component is provided, which is simple and / or inexpensive to carry out and / or which contributes to the fact that the organic optoelectronic component is robust against particles in the region of the sensitive layers, for example the organic functional layers, and / or that the organic optoelectronic component has the necessary impermeability to water and / or oxygen, for example of less than 10 -6 g / cm 2 / d.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das einfach und/oder kostengünstig herstellbar ist und/oder das robust gegenüber Partikeln im Bereich der empfindlichen Schichten, beispielsweise der organischen funktionellen Schichten, ist und/oder das die notwendige Dichtigkeit gegenüber Wasser und/oder Sauerstoff, beispielsweise von kleiner 10–6 g/cm2/d, besitzt.In various embodiments, an optoelectronic component is provided which can be produced simply and / or inexpensively and / or which is robust to particles in the region of the sensitive layers, for example the organic functional layers, and / or which has the necessary impermeability to water and / or oxygen , for example, less than 10 -6 g / cm 2 / d, has.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. Dabei wird eine erste Elektrode ausgebildet. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur wird über der ersten Elektrode ausgebildet. Eine zweite Elektrode wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Eine Pulverschichtstruktur, die mindestens ein Pulver aufweist, wird lateral neben und/oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Zumindest ein Teilbereich der Pulverschichtstruktur wird mittels elektromagnetischer Strahlung geschmolzen, so dass die Pulverschichtstruktur zumindest in dem Teilbereich zu einer festen geschlossenen Kapselstruktur verschmilzt.In various embodiments, a method for producing an optoelectronic component is provided. In this case, a first electrode is formed. An organic functional layer structure is formed over the first electrode. A second electrode is formed over the organic functional layer structure. A powder layer structure comprising at least one powder is formed laterally adjacent and / or above the organic functional layer structure. At least a partial area of the powder layer structure is melted by means of electromagnetic radiation, so that the powder layer structure merges, at least in the partial area, into a solid closed capsule structure.
In anderen Worten wird eine Verkapselungsschicht, beispielsweise aus Glas und/oder Metall, in Pulverform aufgebracht und diese Verkapselungsschicht wird zumindest teilweise geschmolzen. Die Energie zum Schmelzen der Pulverschichtstruktur kann mittels der elektromagnetischen Strahlung zeitlich stark begrenzt in die Pulverschichtstruktur eingebracht werden, beispielsweise mittels Blitz-Erhitzung (Flash-Erhitzung) und/oder mittels Laserstrahlung, beispielsweise mittels gepulster Laserstrahlung. Dadurch kann die Pulverschichtstruktur beispielsweise auf den Teilbereich lokal begrenzt erhitzt und geschmolzen werden.In other words, an encapsulation layer, for example of glass and / or metal, is applied in powder form and this encapsulation layer is at least partially melted. The energy for melting the powder layer structure can be introduced into the powder layer structure to a limited extent by means of the electromagnetic radiation, for example by flash heating (flash heating) and / or by means of laser radiation, for example by means of pulsed laser radiation. As a result, the powder layer structure can be locally heated and melted, for example, to the partial area.
Das Ausbilden der Pulverschichtstruktur und das zumindest teilweise Schmelzen der Pulverschichtstruktur zu der Kapselstruktur ermöglichen insbesondere, auf ein Zusammenpressen von Substrat- und Laminierglas und/oder auf den Laminierprozess an sich verzichten zu können. Falls beim Ausbilden der Pulverschichtstruktur unerwünschte Partikel unter, in und/oder über die Pulverschichtstruktur geraten, so werden diese nicht in einen aktiven Bereich des organischen optoelektronischen Bauelements gedrückt, wie etwa bei dem Laminierprozess, sondern werden von der Pulverschichtstruktur und/oder von der Kapselstruktur umschlossen. Dies führt zu einer hohen Robustheit des organischen optoelektronischen Bauelements gegenüber unerwünschten Partikeln. Falls die Partikel von der Kapselstruktur umschlossen werden, so können diese Partikel von der Kapselstruktur festgelegt werden. Aufgrund dieser hohen Partikeltoleranz können Partikel in relativ hohem Maße toleriert werden, wodurch geringere Anforderungen an die Reinräume zum Herstellen der organischen optoelektronischen Bauelemente gestellt werden können, wodurch Reinraumkosten gespart werden können. Dies kann dazu beitragen, dass das organische optoelektronische Bauelement einfach und/oder kostengünstig herstellbar ist.In particular, the formation of the powder layer structure and the at least partial melting of the powder layer structure relative to the capsule structure make it possible to dispense with compressing substrate and laminating glass and / or the lamination process per se. If unwanted particles fall under, into and / or over the powder layer structure during the formation of the powder layer structure, they are not pressed into an active region of the organic optoelectronic component, as in the lamination process, but are enclosed by the powder layer structure and / or by the capsule structure , This leads to a high degree of robustness of the organic optoelectronic component with respect to undesired particles. If the particles are enclosed by the capsule structure, then these particles are defined by the capsule structure. Due to this high particle tolerance particles can be tolerated to a relatively high degree, whereby lower demands on the clean rooms for producing the organic optoelectronic devices can be made, which clean room costs can be saved. This can contribute to the fact that the organic optoelectronic component can be produced simply and / or inexpensively.
Des Weiteren wird aufgrund der geschmolzenen Glasoberfläche bzw. Metalloberfläche der Kapselstruktur und der dadurch gebildeten festen und geschlossenen Glas- bzw. Metallschicht eine sehr hohe Dichtigkeit gegenüber Luft und/oder Wasser erzielt. Ferner ist verglichen mit einer herkömmlichen Verkapselung mittels eines Cavityglases und/oder eines Laminierglases eine Dickenreduzierung des organischen optoelektronischen Bauelements möglich, beispielsweise ist ungefähr eine Halbierung der Gesamtdicke des organischen optoelektronischen Bauelements möglich. Insbesondere kann mittels der Pulverschichtstruktur eine Kapselstruktur erzeugt werden, die so dünn ist, dass sie für flexible organische optoelektronische Bauelemente, beispielsweise für flexible OLEDs, verwendet werden kann.Furthermore, due to the molten glass surface or metal surface of the capsule structure and the solid and closed glass or metal layer formed thereby, a very high impermeability to air and / or water is achieved. Further, as compared to a conventional encapsulation by means of a cavity glass and / or a laminating glass, a reduction in thickness of the organic optoelectronic component is possible, for example approximately halving the total thickness of the organic optoelectronic component is possible. In particular, by means of the powder layer structure a capsule structure can be produced that is so thin that it can be used for flexible organic optoelectronic components, for example for flexible OLEDs.
Ferner kann der Energieeintrag mittels der elektromagnetischen Strahlung derart erfolgen, dass die Wärmebelastung für die Organikmaterialien der organischen funktionellen Schichtenstruktur sehr gering oder sogar vernachlässigbar ist. Dies kann zu einer besonders langen Lebensdauer des organischen optoelektronischen Bauelements beitragen.Furthermore, the energy input by means of the electromagnetic radiation can take place such that the heat load for the organic materials of the organic functional layer structure is very low or even negligible. This can contribute to a particularly long life of the organic optoelectronic component.
Die Kosten für das Herstellungsverfahren und/oder das organische optoelektronische Bauelement können weiter gesenkt werden, da als Verkapselungsmaterial, insbesondere als Pulver der Pulverschichtstruktur, ein günstiges Material verwendet werden kann, verglichen mit den Materialien für bekannte Verkapselungsstrukturen. Des Weiteren kann das Herstellungsverfahren relativ einfach und kostengünstig gestaltet werden. Ferner können Laminierglas und/oder Klebstoff und die entsprechenden Kosten eingespart werden. Optional können jedoch auch ein Laminierglas und/oder ein Abdeckkörper auf oder über der Kapselstruktur angeordnet werden, beispielsweise mittels eines Haftmittels, beispielsweise eines Klebstoffes. Das Pulver kann beispielsweise einen Puder und/oder ein Granulat aufweisen.The costs for the production method and / or the organic optoelectronic component can be further reduced since a favorable material can be used as the encapsulation material, in particular as a powder of the powder layer structure, compared with the materials for known encapsulation structures. Furthermore, the manufacturing process can be made relatively simple and inexpensive. Furthermore, laminating glass and / or adhesive and the corresponding costs can be saved. Optionally, however, a laminating glass and / or a covering body can also be arranged on or above the capsule structure, for example by means of an adhesive, for example an adhesive. The powder may for example comprise a powder and / or granules.
Die Pulverschichtstruktur kann vollständig oder teilweise geschmolzen werden. Falls die Pulverschichtstruktur nur teilweise geschmolzen wird, so kann zumindest ein bezüglich des organischen optoelektronischen Bauelements außen liegender Teilbereich oder eine entsprechende Teilschicht geschmolzen werden, so dass die pulverförmig bleibenden innenliegenden Teilbereiche bzw. Teilschichten von dem geschmolzenen Teilbereich umschlossen und/oder verkapselt sind.The powder layer structure can be completely or partially melted. If the powder layer structure is only partially melted, then at least one partial region lying outside the organic optoelectronic component or a corresponding partial layer can be melted so that the powder-like internal partial regions or partial layers are enclosed and / or encapsulated by the melted partial region.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird eine erste Pulverschicht der Pulverschichtstruktur neben der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Die erste Pulverschicht wird mittels der elektromagnetischen Strahlung geschmolzen, so dass die erste Pulverschicht zu einer festen geschlossenen Randverkapselung der Kapselstruktur verschmilzt. Eine zweite Pulverschicht der Pulverschichtstruktur wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur und über der Randverkapselung ausgebildet. Die zweite Pulverschicht wird mittels der elektromagnetischen Strahlung zumindest teilweise geschmolzen, so dass die zweite Pulverschicht mit der Randverkapselung fest verbunden wird und dass zumindest eine von der organischen funktionellen Schichtenstruktur abgewandte Seite der zweiten Pulverschicht zu einer Deckverkapselung der Kapselstruktur verschmilzt. In anderen Worten kann die Kapselstruktur von beispielsweise zwei Kapselelementen gebildet sein, insbesondere der Randverkapselung und der Deckverkapselung. Die Randverkapselung dient zum verkapseln der organischen funktionellen Schichtenstruktur in lateraler Richtung und als Auflage für die Deckverkapselung. Die Randverkapselung und die Deckverkapselung bilden die feste geschlossene Kapselstruktur. Die erste Pulverschicht und die zweite Pulverschicht können das gleiche Material oder unterschiedliche Materialien aufweisen.In various embodiments, a first powder layer of the powder layer structure is formed adjacent to the organic functional layer structure. The first powder layer is melted by means of the electromagnetic radiation, so that the first powder layer melts into a solid, closed edge encapsulation of the capsule structure. A second powder layer of the powder layer structure is formed over the organic functional layer structure and over the edge encapsulation. The second powder layer is at least partially melted by means of the electromagnetic radiation, so that the second powder layer is firmly joined to the edge encapsulation and that at least one side of the second powder layer remote from the organic functional layer structure melts into a cover encapsulation of the encapsulation structure. In other words, the capsule structure may be formed by, for example, two capsule elements, in particular the edge encapsulation and the cover encapsulation. The edge encapsulation serves to encapsulate the organic functional layer structure in the lateral direction and as a support for the cover encapsulation. The edge encapsulation and the cover encapsulation form the solid closed capsule structure. The first powder layer and the second powder layer may comprise the same material or different materials.
Alternativ dazu können die erste und die zweite Pulverschicht zusammenhängend ausgebildet sein oder von dem gleichen Pulver gebildet sein und/oder gleichzeitig ausgebildet werden. Ferner können die Randverkapselung und die Deckverkapselung einstückig ausgebildet sein, von dem gleichen Material gebildet sein und/oder gleichzeitig ausgebildet werden.Alternatively, the first and second powder layers may be continuous or formed from the same powder and / or formed simultaneously. Furthermore, the edge encapsulation and the Deckverkapselung can be integrally formed, be formed from the same material and / or formed simultaneously.
Die Randverkapselung stellt eine lateral strukturierte Verkapselung dar. Zwischen der Randverkapselung und der organischen funktionellen Schichtenstruktur kann ein Rest der ersten Pulverschicht pulverförmig bleiben. Diese erste Pulverschicht dient dann als Pufferschicht zum Aufnehmen von Partikeln und/oder bei mechanischem Druck von außen. Aufgrund der lateralen Strukturierbarkeit kann die Kapselstruktur einfach auf verschiedene Designs und/oder Formen von organischen optoelektronischen Bauelementen angepasst werden. Beispielsweise kann die Kapselstruktur in Draufsicht einfach rundlich, beispielsweise kreisrund oder oval, oder polygon, beispielsweise drei-, vier-, fünf- oder sechseckig, ausgebildet sein, ohne dass dafür unterschiedliche Komponenten, beispielsweise verschieden geformte Abdeckkörper, nötig wären. Die Pulverschichtstruktur wird einfach in der erforderlichen Form aufgebracht und dann in dem Randbereich und/oder Deckbereich zu der geschlossenen Kapselstruktur verschmolzen.The edge encapsulation represents a laterally structured encapsulation. Between the edge encapsulation and the organic functional layer structure, a remainder of the first powder layer may remain powdery. This first powder layer then serves as a buffer layer for receiving particles and / or under external mechanical pressure. Due to the lateral structurability, the capsule structure can be easily adapted to different designs and / or shapes of organic optoelectronic components. For example, the capsule structure in plan view simply round, for example, circular or oval, or polygonal, for example, three, four, five or hexagonal, be formed without the need for different components, such as differently shaped cover body, would be necessary. The Powder layer structure is simply applied in the required shape and then fused in the edge area and / or deck area to the closed capsule structure.
Bei verschiedenen Ausführungsformen werden die Pulverschichtstruktur, die erste Pulverschicht und/oder die zweite Pulverschicht von jeweils einer, zwei oder mehr Teilschichten gebildet. Die Teilschichten können beispielsweise übereinander und/oder lateral nebeneinander ausgebildet werden.In various embodiments, the powder layer structure, the first powder layer and / or the second powder layer are each formed by one, two or more partial layers. The partial layers can be formed, for example, one above the other and / or laterally next to each other.
Bei verschiedenen Ausführungsformern werden die Teilschichten von Pulvern mit verschiedenen Materialien und/oder von Pulvern mit verschiedenen mittleren Korngrößen gebildet. Mittels der verschiedenen Materialien bzw. mittleren Korngrößen kann erreicht werden, dass die Teilschichten unterschiedliche Eigenschaften haben. Beispielsweise können die Teilschichten unterschiedliche Schmelzpunkte haben, so dass bei einer einzubringenden vorgegebenen Energie eine der Teilschichten schmilzt und eine andere nicht. Die nicht schmelzende Teilschicht kann dann beispielsweise als Stoppschicht für den Schmelzprozess dienen. Beispielsweise kann direkt auf der zweiten Elektrode eine Stoppschicht mit einem relativ hohen Schmelzpunkt ausgebildet werden und über der Stoppschicht kann eine Teilschicht mit relativ niedrigem Schmelzpunkt ausgebildet werden, die dann beispielsweise zu der Deckverkapselung verschmolzen wird während die Stoppschicht pulverförmig bleibt. Alternativ oder zusätzlich können die verschiedenen Teilschichten entsprechend verschiedene Wärmeleitkoeffizienten aufweisen, so dass beispielsweise eine der Teilschichten mit einem relativ hohen Wärmeleitkoeffizienten dazu verwendet wird, die bei dem Schmelzprozess entstehende Wärme schnell abzuführen, beispielsweise über die Luft oder das Substrat, und die Wärme dadurch von den empfindlichen Schichten, beispielsweise der organischen funktionellen Schichtenstruktur, fernzuhalten. Alternativ oder zusätzlich können die Materialien der Teilschichten so aufeinander abgestimmt werden, dass Verspannungen im organischen optoelektronischen Bauelement reduziert werden können. Beispielsweise kann das Material der Teilschichten an das Substratmaterial und/oder Trägermaterial des organischen optoelektronischen Bauelements angepasst werden, insbesondere diesem ähnlich ausgestaltet sein, um Verspannungen im organischen optoelektronischen Bauelement zu reduzieren und/oder zu verhindern.In various embodiments, the sub-layers of powders are formed with different materials and / or powders with different average grain sizes. By means of the different materials or average particle sizes it can be achieved that the partial layers have different properties. For example, the sub-layers may have different melting points, so that one of the sub-layers melts at a given predetermined energy to be introduced and another does not. The non-melting partial layer can then serve, for example, as a stop layer for the melting process. For example, a stop layer having a relatively high melting point can be formed directly on the second electrode, and a relatively low melting point sublayer can be formed over the stop layer, which is then fused to the top encapsulant, for example, while the stop layer remains powdery. Alternatively or additionally, the different partial layers may correspondingly have different heat conduction coefficients, so that, for example, one of the partial layers with a relatively high coefficient of thermal conduction is used to quickly dissipate the heat produced in the melting process, for example via the air or the substrate, and thereby heat from the sensitive layers, such as the organic functional layer structure, keep away. Alternatively or additionally, the materials of the partial layers can be matched to one another in such a way that stresses in the organic optoelectronic component can be reduced. For example, the material of the partial layers can be adapted to the substrate material and / or carrier material of the organic optoelectronic component, in particular configured to be similar in order to reduce and / or prevent stresses in the organic optoelectronic component.
Bei verschiedenen Ausführungsformen haben die Teilschichten verschiedene Funktionen und werden abhängig von den verschiedenen Funktionen von Pulvern mit verschiedenen Materialien und/oder von Pulvern mit verschiedenen mittleren Korngrößen gebildet. Beispielsweise kann eine der Teilschichten, wie im Vorhergehenden erläutert, als Stoppschicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann eine der Teilschichten als Streuschicht dienen. Beispielsweise können in die entsprechende Teilschicht Streupartikel eingebracht werden. Alternativ oder zusätzlich kann eine der Teilschichten als elektrisch leitende Schicht dienen. Beispielsweise kann das Pulver der elektrisch leitenden Teilschicht elektrisch leitend sein und/oder es können elektrisch leitende Strukturen, beispielsweise Partikel und/oder Nanostrukturen, in die elektrisch leitende Teilschicht eingebracht werden. Alternativ oder zusätzlich kann eine der Teilschichten als elektrisch isolierende Schicht dienen. Alternativ oder zusätzlich kann eine der Teilschichten als Konversionsschicht zum Konvertieren von Licht bezüglich seiner Wellenlänge dienen. Beispielsweise können Leuchtstoffpartikel in die entsprechende Teilschicht eingebracht werden. Alternativ oder zusätzlich kann eine der Teilschichten als Spiegelschicht dienen. Beispielsweise kann für die Spiegelschicht ein spiegelndes Pulver verwendet werden und/oder es können dem Pulver reflektierende Partikel hinzugefügt werden.In various embodiments, the sub-layers have different functions and are formed depending on the different functions of powders with different materials and / or powders with different average grain sizes. For example, one of the sub-layers, as explained above, serve as a stop layer. Alternatively or additionally, one of the partial layers can serve as a scattering layer. For example, scattering particles can be introduced into the corresponding sublayer. Alternatively or additionally, one of the partial layers can serve as an electrically conductive layer. For example, the powder of the electrically conductive sub-layer can be electrically conductive and / or electrically conductive structures, for example particles and / or nanostructures, can be introduced into the electrically conductive sub-layer. Alternatively or additionally, one of the partial layers can serve as an electrically insulating layer. Alternatively or additionally, one of the sub-layers may serve as a conversion layer for converting light with respect to its wavelength. For example, phosphor particles can be introduced into the corresponding partial layer. Alternatively or additionally, one of the partial layers can serve as a mirror layer. For example, a mirroring powder may be used for the mirror layer and / or particles reflecting the powder may be added.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weisen das Pulver bzw. die Pulver Streupartikel und/oder Nanostrukturen zum Erzielen mindestens eines vorgegebenen Effekts auf. Die Nanostrukturen können beispielsweise Nanodots, Nanoröhren und/oder Nanodrähte sein.In various embodiments, the powder or powders have scattering particles and / or nanostructures for achieving at least one predetermined effect. The nanostructures may, for example, be nanodots, nanotubes and / or nanowires.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weisen das Pulver bzw. die Pulver Glas, Metall und/oder Keramik auf.In various embodiments, the powder or powders comprise glass, metal and / or ceramic.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die Pulverschichtstruktur mittels Abscheidens oder mittels Sprühens des Pulvers ausgebildet oder in Form einer Pressplatte, die das Pulver aufweist, angeordnet. Die Pressplatte kann beispielsweise komprimiertes Pulver aufweisen.In various embodiments, the powder layer structure is formed by depositing or spraying the powder or in the form of a press plate having the powder. The press plate may, for example, comprise compressed powder.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein organisches optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Das organische optoelektronische Bauelement weist eine erste Elektrode auf. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur ist über der ersten Elektrode ausgebildet. Eine zweite Elektrode ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Eine Pulverschichtstruktur, die ein Pulver aufweist, ist neben und/oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Eine feste geschlossene Kapselstruktur ist neben und/oder über der Pulverschichtstruktur ausgebildet.In various embodiments, an organic optoelectronic device is provided. The organic optoelectronic component has a first electrode. An organic functional layer structure is formed over the first electrode. A second electrode is formed over the organic functional layer structure. A powder layer structure comprising a powder is formed adjacent to and / or over the organic functional layer structure. A solid closed capsule structure is formed adjacent and / or above the powder layer structure.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist die geschlossene Kapselstruktur von dem gleichen Material gebildet wie die Pulverschichtstruktur oder wie eine Teilschicht der Pulverschichtstruktur. Insbesondere ist die Kapselstruktur ein verschmolzener Teilbereich der Pulverschichtstruktur. Die Kapselstruktur kann auch ein anderes Material als die Pulverschichtstruktur aufweisen, beispielsweise wenn die Pulverschichtstruktur vor dem Schmelzprozess Teilschichten mit verschiedenen Materialen aufweist und die Kapselstruktur von einer der Teilschichten gebildet ist und der unverschmolzene Rest der Pulverschichtstruktur von einer anderen der Teilschichten gebildet ist.In various embodiments, the closed capsule structure is formed from the same material as the powder layer structure or as a sub-layer of the powder layer structure. In particular, the capsule structure is a fused portion of the powder layer structure. The capsule structure may also have a different material than the powder layer structure, for example if the powder layer structure before the melting process partial layers with different materials and the capsule structure is formed by one of the sub-layers and the unfused remainder of the powder layer structure is formed by another of the sub-layers.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist eine erste Pulverschicht der Pulverschichtstruktur lateral neben der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Lateral neben der ersten Pulverschicht ist eine feste geschlossene Randverkapselung der Kapselstruktur ausgebildet. Eine zweite Pulverschicht der Pulverschichtstruktur ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Über der zweiten Pulverschicht ist eine Deckverkapselung der Kapselstruktur ausgebildet. In anderen Worten wurde die ursprünglich ausschließlich Pulver aufweisende Pulverschichtstruktur nur teilweise geschmolzen, insbesondere im Randbereich und im Deckbereich, so dass nahe der organisch funktionellen Schichtstruktur die erste Pulverschicht und die zweite Pulverschicht pulverförmig bleiben und/oder von der Randverkapselung und/oder der Deckverkapselung umgeben und/oder umschlossen sind.In various embodiments, a first powder layer of the powder layer structure is formed laterally adjacent to the organic functional layer structure. Lateral next to the first powder layer, a solid closed edge encapsulation of the capsule structure is formed. A second powder layer of the powder layer structure is formed over the organic functional layer structure. Over the second powder layer, a cover encapsulation of the capsule structure is formed. In other words, the powder layer structure originally having only powder was only partially melted, especially in the edge region and the cover region, so that close to the organic functional layer structure, the first powder layer and the second powder layer remain powdery and / or surrounded by the edge encapsulation and / or the Deckverkapselung and / or are enclosed.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die Pulverschichtstruktur, die erste Pulverschicht, die zweite Pulverschicht, die Kapselstruktur, die Randverkapselung und/oder die Deckverkapselung von jeweils einer, zwei oder mehr Teilschichten gebildet. Die Randverkapselung und/oder die Deckverkapselung können beispielsweise dann von Teilschichten gebildet sein, wenn die Pulverschichtstruktur in dem Teilbereich, in dem sie geschmolzen wird, die Teilschichten aufweist und die Teilschichten geschmolzen werden.In various embodiments, the powder layer structure, the first powder layer, the second powder layer, the capsule structure, the edge encapsulation and / or the cover encapsulation are each formed by one, two or more partial layers. The edge encapsulation and / or the cover encapsulation may, for example, be formed by partial layers if the powder layer structure in the partial region in which it is melted has the partial layers and the partial layers are melted.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die Teilschichten von verschiedenen Materialien und/oder von Pulvern mit verschieden mittleren Korngrößen gebildet.In various embodiments, the sublayers are formed of different materials and / or powders having different average grain sizes.
Bei verschiedenen Ausführungsformen haben die Teilschichten verschiedene Funktionen. Beispielsweise dienen eine oder mehrere der Teilschichten als Streuschichten, als elektrisch leitende Schichten, als elektrisch isolierende Schichten, als Spiegelschichten und/oder als Konversionsschichten.In various embodiments, the sublayers have different functions. For example, one or more of the partial layers serve as scattering layers, as electrically conductive layers, as electrically insulating layers, as mirror layers and / or as conversion layers.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Pulver und/oder die Kapselstruktur Streupartikel, Nanopartikel, Leuchtstoffpartikel, reflektierende Partikel, elektrisch leitende Partikel, elektrisch isolierende Partikel und/oder Glas, Metall und/oder Keramik auf.In various embodiments, the powder and / or the capsule structure comprises scattering particles, nanoparticles, phosphor particles, reflective particles, electrically conductive particles, electrically insulating particles and / or glass, metal and / or ceramic.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeigen:Show it:
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. As used herein, the terms "connected,""connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
Ein organisches optoelektronisches Bauelement kann ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein organisches elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein organisches elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine organische Solarzelle sein. Ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann beispielsweise ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das organische Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von organischen Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.An organic optoelectronic device may be an organic electromagnetic radiation emitting device or an organic electromagnetic radiation absorbing device. An organic electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, an organic solar cell. An organic electromagnetic radiation emitting device may be, for example, an organic electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or be formed as a organic electromagnetic radiation emitting diode or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor. The radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light. In this context, the component emitting electromagnetic radiation can be designed, for example, as an organic light emitting diode (OLED) or as an organic light emitting transistor. The organic light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of organic light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.
Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht
Über der zweiten Elektrode
Über der Verkapselungsschicht
Der Staubpartikel
Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht
Über der zweiten Elektrode
Über und/oder lateral neben der Pulverschichtstruktur
Die Kapselstruktur
Die Kapselstruktur
Die Kapselstruktur
Ein erster Kontaktbereich
Über der Kapselstruktur
Das organische optoelektronische Bauelement
Der aktive Bereich ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des organischen optoelektronischen Bauelements
Die organische funktionelle Schichtenstruktur
Der Träger
Die erste Elektrode
Als Metall können beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien verwendet werden.As the metal, for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials can be used.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs.Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO2 or In2O3, ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 or In4Sn3O12 or mixtures of different transparent conductive oxides also belong to the group of TCOs.
Die erste Elektrode
Die erste Elektrode
Die erste Elektrode
Die organische funktionelle Schichtenstruktur
Die Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.The hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann die Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenylfluoren); Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; N,N' bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; 2,2',7,7'-tetra(N,N-ditolyl)amino-spiro-bifluoren; und N,N,N',N' tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.On or above the hole injection layer, the hole transport layer may be formed. The hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, N'-) Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenylfluorene); Spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (n, n-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro; N, N 'bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine; 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane; 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-ditolyl) amino-spiro-bifluorene; and N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann die eine oder mehrere Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern. Die Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nichtpolymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Die Emitterschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organmetallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z. B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4'-di-tert-buty-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4N-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating). Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid, oder einem Silikon.On or above the hole transport layer, the one or more emitter layers may be formed, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters. The emitter layer may comprise organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials. The emitter layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as metal complexes, For example, iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescing Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3x2 (PF6) (tris [4,4'-di-tert-butyl-2,2'-bipyridine] ruthenium (III) complex) and blue fluorescent DPAVBi (4,4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-ylolidyl-9-enyl-4N-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited, for example, by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating). The emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxy, or a silicone.
Die erste Emitterschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The first emitter layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.The emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials. Alternatively, the emitter layer may comprise a plurality of sub-layers which emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively or additionally, it may be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, resulting in a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression.
Auf oder über der Emitterschicht kann die Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(i-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadio-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.On or above the emitter layer, the electron transport layer may be formed, for example deposited. The electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET-18; 2,2 ', 2''- (1,3,5-Benzinetriyl) tris (i-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolines (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum; 6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadio-2-yl] -2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes; 2,7-bis -9,9-dimethylfluorene [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]; 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxides; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and Materials based on siloles with a silacyclopentadiene unit.
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The electron transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann die Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PC4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfuorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.On or above the electron transport layer, the electron injection layer may be formed. The electron injection layer may include or be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 CO 3, Cs 3 PC 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2 ', 2' '- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolines (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum; 6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes; 2,7-bis -9,9-dimethylfuorene [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]; 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxides; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and silanol-based materials containing a silacyclopentadiene moiety.
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.The electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.The organic functional layer structure unit may, for example, have a layer thickness of at most approximately 3 μm, for example a layer thickness of at most approximately 1 μm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
Das organische optoelektronische Bauelement
Die zweite Elektrode
Die Pulverschichtstruktur
Die Kapselstruktur
Die Kapselstruktur
Die Kapselstruktur
Der Staubpartikel
Optional kann eine Ein- oder Auskoppelschicht beispielsweise als externe Folie (nicht dargestellt) auf dem Träger
Gegebenenfalls kann die Haftmittelschicht
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Ox) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftmittelschicht
Die Haftmittelschicht
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff ein Laminations-Klebstoff sein.In various embodiments, the adhesive may be a lamination adhesive.
Die Haftmittelschicht
Gegebenenfalls kann der Abdeckkörper
In dem Schritt wird die Pulverschichtstruktur
Falls der Staubpartikel
Danach wird zumindest ein Teilbereich
Eine Einwirkdauer und/oder eine Intensität der elektromagnetischen Strahlung
In
Falls alternativ dazu die Randverkapselung
Die Teilschichten
Beispielsweise kann die dritte Teilschicht
Alternativ dazu können die Schmelzpunkte der Teilschichten
Alternativ oder zusätzlich können die Materialien und die Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung
Alternativ oder zusätzlich können die erste und/oder die zweite Teilschicht
Alternativ oder zusätzlich können eine oder mehrere der Teilschichten
Alternativ oder zusätzlich können eine oder mehrere der Teilschichten
Allgemein können beliebig viele Teilschichten
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die Kapselstruktur
Claims (15)
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