DE102013220753A1 - Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Mawuli Ametowobla
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Solarzelle (1) mit einem Epitaxieschichtstapel, der eine auf einer Halbleiter-Basisschicht (3) aufgewachsene emitterdotierte erste Epitaxieschicht (11') und eine auf dieser angeordnete hoch basis-dotierte zweite Epitaxieschicht (13') aufweist, wobei die zweite Epitaxieschicht lokal in ausgewählten Laseraufschmelzbereichen (13a'; 13b') derart auf die erste Epitaxieschicht aufgeschmolzen ist, dass die Emitter-Dotierung der ersten Epitaxieschicht überkompensiert und die zweite Epitaxieschicht mit der Halbleiter-Basisschicht verbunden ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einem Epitaxieschichtstapel, der eine auf einer Halbleiter-Basisschicht aufgewachsene emitter-dotierte erste Epitaxieschicht und eine auf dieser angeordnete hoch basis-dotierte zweite Epitaxieschicht aufweist. Des Weiteren betrifft sie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Solarzelle.
  • Stand der Technik
  • Es ist bekannt, Silizium-Dünnschicht-Solarmodule auf Basis von kristallinem Silizium mittels eines bestimmten Prozessablaufes herzustellen, der als PorSi-Prozess bezeichnet wird und bei dem die Absorberschicht durch epitaktisches Wachstum von Silizium gebildet wird; vgl. R. Brendel, Volume 77, Issue 6, 2004, Pages 969–982, Solar Energy oder Petermann et al., Volume 20, Issue 1, 2012, Pages 1–5, Progress in Photovoltaics.
  • Eine spezielle Rückkontaktarchitektur erlaubt die Eliminierung von Abschattungsverlusten auf der Vorderseite und breite Metallfingerstrukturen zur verlustarmen Ableitung des Stroms auf der Rückseite. Für größtmögliche Stromsammlung ist dabei eine überwiegende Bedeckung der Rückseitenfläche mit Emitter vorteilhaft. Dies ist besonders wichtig für epitaktisch gewachsene Siliziumabsorber, da die Diffusionslänge im Bereich von wenigen 100 μm liegt.
  • Wegen des Risikos von Kurzschlüssen werden in herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von rückkontaktieren Solarzellen die Metallbahnen genau so angeordnet wie die dotierten Bereiche. Dies ist in 1 in einer Querschnittsdarstellung skizzenartig dargestellt. Hierin bezeichnet Ziffer 1 eine Rückkontakt-Solarzelle vom n-Typ, bei der die Metallisierung auf der vom Lichteinfall L im Gebrauchszustand abgewandten Oberfläche eines n–-Siliziumsubstrats 3 angebracht ist. Während auf der Solarzellen-Vorderseite unter einer Antireflex- und Passivierungsschicht 5 ein sog. FSF (Front Surface Field) 7 mit n+-Dotierung ausgebildet ist, gibt es unter einer rückseitigen Passivierungsschicht 9 nebeneinander angeordnet, p+-dotierte Emitter-Bereiche 11 und ein n+-dotiertes BSF (Back Surface Field) bzw. eine BSF-Schicht 13.
  • Der Emitter-Bereich 11 ist mit einer geometrisch zu seiner eigenen Erstreckung korrespondierenden ersten Metallisierungsschicht 15 in inselartigen Zugangsbereichen 15a kontaktiert, und auch dem BSF 13 ist eine zu dessen Erstreckung, korrespondierende (zweite) Metallisierungsschicht 17 zugeordnet, die in Zugangsbereichen 17a mit dem BSF physisch und elektrisch verbunden ist. Es ist zu erkennen, dass die zweite Metallisierungsschicht (Metallbahn) 17 schmaler als die erste Metallisierungsschicht 15 ist.
  • Um Kosten zu sparen, wird die Metallschicht typischerweise in einem einzelnen Herstellungsschritt für beide Kontakte gleich dick abgeschieden, so dass die Leiterbahn für den Basiskontakt ausschlaggebend für die Wahl der Schichtdicke ist und gleichzeitig die Metalldicke für die Emitterleiterbahn höher als nötig gewählt werden muss. Für eine einfache und metallsparende und damit kostengünstige Prozessführung ist es folglich vorteilhaft, die Anordnung der dotierten Bereiche und der Leiterbahnen unabhängig zu gestalten. Dafür finden sich in der Literatur zwei Ansätze: isolierende Dielektrika zwischen Metallisierung und Halbleitersubstrat und das sog. Buried-Emitter-Konzept; vgl. DE 10 2008 030 880 A1 .
  • 2 zeigt schematisch in einer an 1 angelehnten Querschnittsdarstellung den Schichtaufbau einer Rückkontakt-Solarzelle 1' auf Basis eines n–-Siliziumsubstrats 3. Unterschiede zum in 1 gezeigten und weiter oben erläuterten Aufbau bestehen im Wesentlichen darin, dass eine in der Substrat-Rückseite erzeugte Emitter-Schicht 11' und eine ebenfalls in der Rückseite gebildete BSF-Schicht 13' nicht beabstandet nebeneinander, sondern in Überlappung miteinander gebildet sind, wobei im Überlappungsbereich die BSF-Schicht 13' die Oberflächenschicht darstellt. Diese Anordnung ermöglicht es, die ersten und zweiten Metallisierungsschichten 15', 17' im Wesentlichen gleich zu dimensionieren.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Mit der vorliegenden Erfindung werden eine verbesserte Solarzelle des eingangs genannten Typs mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zu deren Herstellung gemäß Anspruch 7, 8 oder 9 bereitgestellt. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
  • Die Erfinder sind von den o. g. Konzepten ausgegangen und hatten dabei zunächst eine Auswahlentscheidung zu treffen: Isolierende Dielektrika auf großer Fläche stellen eine große technologische Herausforderung dar, weshalb sich die vorliegende Erfindung auf das zweite o. g. Konzept bezieht. Hierbei überlappen sich die emitter- und hoch basisdotierten (BSF-dotierten) Bereiche auf der Rückseite, wobei der BSF-dotierte Bereich an der Halbleiteroberfläche liegt. In diesem Zusammenhang ist sicherzustellen, dass die BSF-Schicht gleichwohl hinreichend Berührung mit der Halbleiter-Basisschicht bzw. dem Substrat hat, und es ist eine praxisgerechte Realisierungsmöglichkeit für die Gewährleistung dieser Basisschicht-Verbindung anzugeben.
  • Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung liegt demnach in der Herstellung einer Buried-Emitter-Architektur durch das lokale Aufschmelzen einer zusätzlich aufgebrachten hoch basisdotierten Schicht (BSF-Schicht) aus epitaktisch gewachsenem Silizium mit Hilfe eines geeigneten Lasers. Die hoch basisdotierte Schicht bedeckt insbesondere zunächst ganzflächig die Emitter-Schicht und enthält ausreichend Dotierstoff, um die Emitter-Dotierung überzukompensieren. Der Laserprozess schmilzt lokal die BSF-dotierte Schicht und die darunterliegende Emitter-Schicht auf, wobei der Emitter überkompensiert wird und ein Kontakt zwischen der BSF-dotierten Schicht an der Halbleiteroberfläche und der Basis entsteht.
  • Dies ermöglicht die unabhängige Gestaltung der dotierten Bereiche und der Metallbahnen ohne das Risiko von Kurzschlüssen. Blickt man sozusagen aus dem Waferinneren auf die Rückseite, so sind vorzugsweise nur punkt- bzw. inselförmige BSF-Bereiche zu erkennen. Die Minimierung der Flächenbedeckung mit BSF-Bereichen (aus dem Waferinneren gesehen) ist insbesondere für die mit Epitaxie erreichbaren Minoritätsladungsträger-Diffusionslängen in der Basis von ca. 100 μm vorteilhaft.
  • Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht demnach in der Bereitstellung eines einfachen und damit kostengünstigen Herstellungsverfahrens von Rückkontaktsolarzellen mit Buried-Emitter-Struktur aus epitaktisch gewachsenen Siliziumfolien (oder auch auf Wafer-Basis) mit aufgewachsener Epitaxieschichtfolge. Die bekannten Verfahren zur Herstellung von Buried-Emitterstrukturen weisen einen hohen Strukturierungsaufwand und mehrere Diffusionsschritte auf und sind damit weniger kosteneffizient.
  • In zweckmäßigen Ausführungen der Erfindung sind einerseits die Aufschmelzbereiche insel- oder streifenförmig ausgebildet. Andererseits sind vorzugsweise ausgewählte Abschnitte der Emitter-Schicht als Emitter-Zugangsbereiche zur elektrischen Kontaktierung der Emitter-Schicht frei von der Bedeckung mit der BSF-Schicht und elektrisch und physisch mit einem Emitter-Kontaktschichtabschnitt verbunden. Alternativ können aber auch größere Bereiche der Rückseitenoberfläche von einer BSF-Schicht frei und dort großflächige Emitter-Zugangsbereiche angeordnet sein.
  • Gemäß einem wesentlichen Verfahrensaspekt der Erfindung wird zur Erzeugung der Aufschmelzbereiche und optional von Ablationsbereichen ein Laserstrahl eingesetzt. Grundsätzlich ist auch der Einsatz anderer energiereicher Strahlung möglich. Im Hinblick auf die große Einsatzerfahrung mit koordinatengeführten Bearbeitungslasern in der Halbleiter- und speziell Solarzelltechnologie sind aber aus derzeitiger Sicht kommerziell verfügbare Materialbearbeitungs-Lasersysteme bevorzugt, speziell Festkörper-Lasersysteme mit einer Arbeitswellenlänge von 355, 532 oder 1054 nm, die mit μs bzw. ns-Pulsen arbeiten.
  • In einer Fortbildung des Erfindungsgedankens wird auf die Emitter-Schicht eine zwei oder mehr Teilschichten umfassende BSF-Schicht epitaktisch aufgebracht, deren Teilschichten unterschiedliche Dotierstoffkonzentrationen aufweisen, und mindestens die von der Emitter-Schicht am weitesten beabstandete Teilschicht, welche die höchste Dotierstoffkonzentration aufweist, wird nach der Erzeugung der Aufschmelzbereiche und der Überkompensation der Emitter-Dotierung z. B. nasschemisch wieder entfernt.
  • In einer anderen Ausgestaltung ist vorgesehen, dass nach bereichsweiser Aufbringung der BSF-Schicht auf die Emitter-Schicht oder nach vollflächiger Aufbringung der BSF-Schicht auf die Emitter-Schicht und anschließender teilweiser Entfernung der ersteren zur Schaffung eines Emitter-Zugangsbereiches eine dotierte Dielektrikums-Schicht vollflächig auf die entsprechende Substratoberfläche aufgebracht wird. Dann wird in dem mit der BSF-Schicht über der Emitter-Schicht bedeckten Bereich ein erster Laserablationsbereich, zugleich Laseraufschmelzbereich der Halbleiter-Basisschicht, ausgebildet. Schließlich wird in dem nicht mit der BSF-Schicht bedeckten Abschnitt der Emitter-Schicht die Dielektrikums-Schicht in zweiten Laserablationsbereichen lokal entfernt, um die Emitter-Zugangsbereiche zu schaffen. In einer Modifikation können anstelle der Laserablationsbereiche in einem vorgelagerten nasschemischen Schritt auch zunächst bis in die Halbleiter-Basisschicht reichende Ätzwannen erzeugt und nach Aufbringung der Dielektrikums-Schicht in einem separaten Schritt die Überkompensation der Emitter-Schicht bewirkt und die stoffschlüssige Verbindung zwischen BSF-Schicht und Halbleiter-Basisschicht in der Wandung der Wannen erzeugt werden.
  • Zeichnungen
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten, schematischen Zeichnungen näher erläutert. Darin zeigen:
  • 1 eine schematische Querschnittsdarstellung einer herkömmlichen Rückkontakt-Solarzelle,
  • 2 eine schematische Querschnittsdarstellung einer weiteren Rückkontakt-Solarzelle mit überlappenden Emitter- und BSF-Bereichen,
  • 3A bis 3C Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung einer ersten Ausführung und Herstellungs-Variante einer erfindungsgemäßen Rückkontakt-Solarzelle,
  • 4A bis 4F Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung einer zweiten Ausführung und Herstellungs-Variante einer erfindungsgemäßen Rückkontakt-Solarzelle,
  • 5A bis 5E Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung einer dritten Ausführung und Herstellungs-Variante einer erfindungsgemäßen Rückkontakt-Solarzelle und
  • 6A bis 6E Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung einer vierten Ausführung und Herstellungs-Variante einer erfindungsgemäßen Rückkontakt-Solarzelle.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Den im Folgenden vorgeschlagenen Herstellungsprozessen geht das epitaktische Aufwachsen einer basisdotierten Schicht mit einer Dotierstoffkonzentration N, z. B. im Bereich 1018/cm3 für die Vorderseitenpassivierung („Front Surface Field”) Aufwachsen einer weiteren basisdotierten Schicht (Halbleiter-Basisschicht, Absorberschicht) mit N im Bereich 1016/cm3 und Aufwachsen eines emitter-dotierten Bereichs (auch: einer ersten Epitaxieschicht) mit N im Bereich 1018/cm3 voraus.
  • In den 3A bis 6E ist, abweichend von 1 und 2, die Solarzellen-Vorderseite jeweils unten und die Solarzellen-Rückseite oben dargestellt. Die Bezeichnung der einzelnen Schichten orientiert sich an 1 und 2.
  • 3A bis 3C zeigen eine Prozessvariante A, bei der im Anschluss an die Ausbildung des FSF 7 und das Aufwachsen des Emitter-Bereichs 11' folgende Schritte ausgeführt werden:
    • – Aufwachsen einer einzelnen BSF-Schicht (Burying Layer; auch: zweiten Epitaxieschicht) 13' z. B. mit N im Bereich 5...9 1018/cm3,
    • – punktförmige Herstellung der Verbindung der BSF-Schicht 13' und Emitter-Schicht 11' in Aufschmelzbereichen 13a' mit dem Substrat 3 mittels laserinduziertem Aufschmelzen der BSF-Schicht 13' und Emitter-Schicht 11' mittels Laser La, dabei Überkompensation des Emitters und
    • – regionale nasschemische Entfernung der BSF-Schicht 13' in einem größeren Teilbereich der rückseitigen Substratoberfläche zur Schaffung des Zugangs zum Emitter.
  • 4A bis 4F zeigen eine Abwandlung des in 3A bis 3C schematisch dargestellten und vorstehend beschriebenen Verfahren, mit folgenden Schritten:
    • – Aufwachsen einer ersten Teilschicht 13A' (mit N im Bereich 1018/cm3 mit der Dicke 1 μm) und einer zweiten Teilschicht 13B' (mit 200 nm Dicke, z. B. mit N im Bereich 1020/cm3), als Teilschichten einer zweiten Epitaxieschicht bzw. BSF-Schicht
    • – punktförmige Herstellung der Verbindung der ersten und zweiten Basis-Teilschichten 13A', 13B' mit Halbleiter-Basisschicht 3 mittels Laser La, dabei Überkompensation des Emitters,
    • – ganzflächige Entfernung der zweiten Teilschicht 13B',
    • – lokale Entfernung der ersten Teilschicht 13A' zur Schaffung des Zugangs zum Emitter,
    • – Aufbringen und Strukturieren einer Passivierungsschicht 14' und
    • – Ausbildung einer ersten Metallisierungsschicht 15' mit Zugangsbereichen 15a zum Emitter und einer zweiten Metallisierungsschicht 17' mit Zugangsbereichen 17a' zum BSF.
  • Der wesentliche Unterschied der Verfahrensführung bei der Variante B besteht also in der Nutzung zweier unterschiedlich dotierter epitaktisch aufgewachsener BSF-Schichten zur Ausbildung der Kontaktbereiche mit der Substrat-Basis, die in einem Herstellungsschritt durch Erhöhung des Dotiergasflusses während der Epitaxie hergestellt werden können.
  • Die Verwendung einer Doppelschicht aus einem moderat dotierten Bereich und einem stark dotierten Bereich als Dotierstoffquelle ermöglicht eine dem jeweiligen Zweck lokal angepasste Dotierung:
    • – Die Aufschmelzbereiche sind lokal hochdotierte Bereiche (n++), auf denen im Folgeprozess ein rekombinationsarmer Metallkontakt zur Stromabführung mit geringen ohmschen Verlusten hergestellt werden kann.
    • – Die moderat dotierten Basis-/Buryinglayer-Bereiche sind gut mit den üblichen Dielektrika elektrisch passivierbar, da eine geringe Oberflächenkonzentration im Bereich 1018/cm3 vorliegt.
    • – Die freie Ladungsträgerrekombination ist gegenüber einem Bauteil mit ganzflächig hoher Dotierung deutlich reduziert.
  • 5A bis 5E zeigen, wiederum in schematischen Querschnittsdarstellungen in Anlehnung an die 1 bis 4D, eine weitere Verfahrensvariante C der Herstellung einer erfindungsgemäßen Rückkontakt-Solarzelle. Hierbei werden – nach den weiter oben erwähnten vorbereitenden Schritten – folgende Schritte ausgeführt:
    • – Aufwachsen einer dotierten BSF-Schicht 13' mit N im Bereich 1018/cm3,
    • – lokale Entfernung der BSF-Schicht 13' zur Schaffung eines großflächigen initialen Zugangs zum Emitter 11',
    • – Abscheidung eines passivierenden Dielektrikums 14 mit Dotierstoff der Basis,
    • – Laserprozess A mit Laserstrahlung La zur lokalen Ablation des Dielektrikums und Hochdotierung und Überkompensation des Emitters über dem BSF-Bereich, in einem Ablations- und Aufschmelzbereich 13b', und
    • – Laserprozess B mit Laserstrahlung La zur lokalen Ablation der Dielektrikums-Schicht 14 zur Schaffung von finalen Zugangsbereichen 11a' zum Emitter 11'.
  • Ein wesentlicher Unterschied zur Verfahrensführung gemäß den weiter oben beschriebenen Varianten A und B besteht bei der Variante C mithin in der Nutzung einer mit Basis-Dotierstoff dotierten Dielektrikums-Schicht (zusätzlich zu einer BSF-Schicht). Alternativ zu einer dotierten Dielektrikums-Schicht kann ein Schichtstapel aus einer Dotierstoff-Quelle und einer Passivierschicht mit hohem Siliziumgehalt benutzt werden, was es ermöglicht, die Vorteile der Flüssig-Diffusion zu nutzen.
  • Variante C ermöglicht des Weiteren eine selektive Dotierungsstruktur, wie Variante B. Darüber hinaus kann die Schicht gleichzeitig als Passivierungsschicht verwendet werden. Bei den Varianten A und B muss eine solche Passivierungsschicht im Folgeprozess zusätzlich aufgebracht werden.
  • 6A bis 6E zeigen als weitere Verfahrensvariante D eine Verfahrensführung, die sehr ähnlich zur Variante C ist und die folgenden Schritte umfasst:
    • – Aufwachsen einer dotierten BSF-Schicht 13' mit N im Bereich 1018/cm3,
    • – lokale Entfernung der BSF-Schicht 13' zur Schaffung eines großflächigen initialen Zugangs zum Emitter 11',
    • – lokale Entfernung der BSF-Schicht 13' und des Emitters 11' zur Schaffung eines wannenförmigen Zugangs 13b'' zur Basis (zum Substrat) 3 durch einen Ätzschritt,
    • – Deposition einer dotierten passivierenden Schicht 14',
    • – Laserdotieren der Wandung der Ätzwanne 13b'' mit Laserstrahlung La zur lokalen Hochdotierung der Basis 3 und Überkompensation der Randbereiche zum Emitter 11' und Schaffung der Verbindung zwischen BSF-Schicht 13' und Basis 3 unter gleichzeitiger Ablation der passivierenden Schicht, sowie
    • – lokale Öffnung der dotierten passivierenden Schicht 14' mittels Laserablation La zur Schaffung von Emitter-Zugangsbereichen 11a'.
  • Diese Verfahrensvariante unterscheidet sich von der Variante C also im Wesentlichen durch einen veränderten Ablauf bei der Erzeugung des kombinierten Ablations- und Aufschmelzbereichs 13b' als Zugangsbereich zur Basis unter gleichzeitiger Überkompensation der Emitter-Dotierung. Diese Variante ist vorteilhaft für den Fall, dass kein Laserprozess gefunden werden kann, der schädigungsarm die Verbindung von Burying Lager zur Basis herstellen kann. In diesem Fall muss nur ein hochdotierter Bereich erzeugt werden, und lediglich ein Kreisring des Emitters überkompensiert werden, was mit einem geringeren Energieeintrag bewerkstelligt werden kann.
  • Im Rahmen fachmännischen Handelns ergeben sich weitere Ausgestaltungen und Ausführungsformen des hier nur beispielhaft beschriebenen Verfahrens und der Vorrichtung.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102008030880 A1 [0006]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • R. Brendel, Volume 77, Issue 6, 2004, Pages 969–982, Solar Energy oder Petermann et al., Volume 20, Issue 1, 2012, Pages 1–5 [0002]

Claims (12)

  1. Solarzelle (1) mit einem Epitaxieschichtstapel, der eine auf einer Halbleiter-Basisschicht (3) aufgewachsene emitter-dotierte erste Epitaxieschicht (11') und eine auf dieser angeordnete hoch basisdotierte zweite Epitaxieschicht (13') aufweist, wobei die zweite Epitaxieschicht lokal in ausgewählten Laseraufschmelzbereichen (13a'; 13b') derart auf die erste Epitaxieschicht aufgeschmolzen ist, dass die Emitter-Dotierung der ersten Epitaxieschicht überkompensiert und die zweite Epitaxieschicht mit der Halbleiter-Basisschicht verbunden ist.
  2. Solarzelle nach Anspruch 1, wobei auch die Halbleiter-Basisschicht (3) als Epitaxieschicht ausgebildet ist.
  3. Solarzelle nach Anspruch 1, wobei die Halbleiter-Basisschicht (3) durch einen einkristallinen Halbleiterwafer gebildet ist.
  4. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Laseraufschmelzbereiche (13a'; 13b') streifenförmig ausgebildet sind.
  5. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, mit einer überdeckenden Dielektrikums-/Passivierungsschicht, wobei die zweite Epitaxieschicht elektrisch und physisch über Basis-Kontaktschichtabschnitte (17a') mit einer Basiskontaktschicht (17') verbunden ist und ausgewählte Abschnitte der ersten Epitaxieschicht (11') als Emitter-Zugangsbereiche (11a') zur elektrischen Kontaktierung der ersten Epitaxieschicht frei von der Bedeckung mit der zweiten Epitaxieschicht (13') und elektrisch und physisch über Emitter-Kontaktschichtabschnitte (15a') mit einer Emitter-Kontaktschicht (15') verbunden sind.
  6. Solarzelle nach Anspruch 5, mit einer lokal über der ersten und zweiten Epitaxieschicht (11'; 13') angeordneten dotierten Dielektrikums-Schicht (14') oder einem Schichtstapel aus einer Dotierstoff-Quellschicht und einer Passivierschicht.
  7. Solarzelle nach Anspruch 6, wobei die Laseraufschmelzbereiche (13b') in der Wandung von Ätzwannen (13b'') gebildet sind, in denen sowohl die Dielektrikums-Schicht oder der Schichtstapel aus einer Dotierstoff-Quellschicht und einer Passivierschicht als auch die erste und zweite Epitaxieschicht lokal entfernt sind, und wobei optional zusätzlich in der Dielektrikums-Schicht oder dem Schichtstapel aus einer Dotierstoff-Quellschicht und einer Passivierschicht inselartige oder streifenförmige Emitter-Zugangsbereiche (11a') lokal ausgespart sind.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei auf die erste Epitaxieschicht (11') eine zwei oder mehr Teilschichten (13A'; 13B') umfassende zweite Epitaxieschicht (13') aufgebracht wird, deren Teilschichten unterschiedliche Dotierstoffkonzentrationen aufweisen und wobei mindestens die von der ersten Epitaxieschicht am weitesten beabstandete Teilschicht, welche die höchste Dotierstoffkonzentration aufweist, nach der Erzeugung der Laseraufschmelzbereiche (13a') und der Überkompensation der Emitter-Dotierung wieder entfernt wird.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle nach Anspruch 6, wobei auf die erste Epitaxieschicht (11') eine zweite Epitaxieschicht (13') und auf jene vollflächig eine dotierte Dielektrikums-Schicht oder ein Schichtstapel aus einer Dotierstoff-Quellschicht und einer Passivierschicht (14') aufgebracht und dann in diese reichende Laserablationsbereiche (14a') mit Laseraufschmelzbereichen ausgebildet werden, wobei in den Laseraufschmelzbereichen die Emitter-Dotierung der ersten Epitaxieschicht überkompensiert und hierbei die zweite Epitaxieschicht mit der Halbleiter-Basisschicht (3) verbunden wird.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle nach Anspruch 7, wobei auf die erste Epitaxieschicht (11') eine zweite Epitaxieschicht (13') aufgebracht und dann bis in die Halbleiter-Basisschicht (3) reichende Ätzwannen (13b'') in der ersten und zweiten Epitaxieschicht gebildet, anschließend eine dotierte Dielektrikums-Schicht (14') oder ein Schichtstapel aus einer Dotierstoff-Quellschicht und einer Passivierschicht vollflächig auf die entsprechende Oberfläche aufgebracht und dann die Ätzwannen derart mit Laserstrahlung (La) bestrahlt werden, dass Laseraufschmelzbereiche (13b') ausgebildet werden, wobei in den Wandungen die Dotierung der ersten Epitaxieschicht überkompensiert und hierbei die zweite Epitaxieschicht mit der Halbleiter-Basisschicht (3) verbunden wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei nach dem Aufbringen der zweiten Epitaxieschicht (13') auf die erste Epitaxieschicht (11') und vor dem vollflächigen Aufbringen der dotierten Dielektrikums-Schicht (14') oder des Schichtstapels aus einer Dotierstoff-Quellschicht und einer Passivierschicht ein Abschnitt der zweiten Epitaxieschicht wieder entfernt wird, und schließlich in dem nicht mit der zweiten Epitaxieschicht bedeckten Abschnitt der ersten Epitaxieschicht die Dielektrikums-Schicht in Emitter-Zugangsbereichen (13a') lokal entfernt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei inselartige oder streifenförmige Emitter-Zugangsbereiche in der Dielektrikums-Schicht (14') durch Laserablation mittels Laserstrahlung (La) gebildet werden.
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