DE102013217260A1 - Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement - Google Patents

Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement Download PDF

Info

Publication number
DE102013217260A1
DE102013217260A1 DE102013217260.5A DE102013217260A DE102013217260A1 DE 102013217260 A1 DE102013217260 A1 DE 102013217260A1 DE 102013217260 A DE102013217260 A DE 102013217260A DE 102013217260 A1 DE102013217260 A1 DE 102013217260A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
measuring light
mirror
arrangement
illumination
facet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102013217260.5A
Other languages
German (de)
Inventor
Jan Horn
Markus Hauf
Stig Bieling
Gundula Weiss
András G. Major
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102013217260.5A priority Critical patent/DE102013217260A1/en
Publication of DE102013217260A1 publication Critical patent/DE102013217260A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Überwachungseinrichtung zur Bestimmung der Orientierung von kippbaren Spiegeln (9) in einer Spiegelanordnung mit mehreren um mindestens eine Achse verkippbaren Spiegeln, wobei mindestens eine Messlichtquelle (100) mit mindestens einer Messlichtoptik (101) und eine Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) für das Messlicht mit einer Detektionsebene vorgesehen sind, wobei die Messlichtquelle mit der Messlichtoptik zumindest jeweils Gruppen von Spiegeln, vorzugsweise jeden einzelnen Spiegel mit einer charakteristischen Beleuchtung ausleuchtet, wobei die charakteristische Beleuchtung jeder Gruppe oder jedes einzelnen Spiegel durch die zu überwachenden Spiegel in die Detektionsebene der Messlichterfassungseinrichtung abgebildet wird, und wobei die Messlichterfassungseinrichtung so hergerichtet ist, dass die Orientierung der kippbaren Spiegel anhand der Position der von jedem Spiegel reflektierten Intensität des Messlichts in der Detektionsebene ermittelt wird und in der Detektionsebene überlappende Intensitäten von mehreren Spiegeln anhand der charakterischen Beleuchtung separiert werden. Außerdem betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Facettenspiegelanordnung (7) aus einer Vielzahl von verkippbaren Spiegeln (9), welche in einer Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems angeordnet sind, und einer Messlichtanordnung, welche eine Messlichtquelle (100) aufweist, von der Messlicht unabhängig vom und quer zum Arbeitslicht des Beleuchtungssytems auf die Facettenspiegelanordnung in der Feld- oder Pupillenebene geleitet werden kann, wobei die Messlichtanordnung eine Messlichtoptik (101) zur Ausleuchtung der Facettenspiegelanordnung und eine Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) umfasst, wobei die Messlichtoptik (101) und die Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) so ausgebildet und angeordnet sind, dass die Messlichterfassungseinrichtung zumindest teilweise in einer Hilfspupillenebene der Messlichtanordnung angeordnet ist, so dass in der Messlichterfassungseinrichtung die durch die Facettenspiegelanordnung erzeugte Intensitätsverteilung feststellbar ist.The present invention relates to a monitoring device for determining the orientation of tiltable mirrors (9) in a mirror arrangement with several mirrors that can be tilted about at least one axis, with at least one measuring light source (100) with at least one measuring light optics (101) and a measuring light detection device (102, 103) are provided for the measuring light with a detection plane, the measuring light source with the measuring light optics illuminating at least groups of mirrors, preferably each individual mirror with a characteristic illumination, the characteristic illumination of each group or each individual mirror through the mirror to be monitored in the detection plane of the Measurement light detection device is imaged, and wherein the measurement light detection device is set up in such a way that the orientation of the tiltable mirror is determined on the basis of the position of the intensity of the measurement light reflected by each mirror in the detection plane and overlapping intensities of several mirrors are separated on the basis of the characteristic illumination in the detection plane. The invention also relates to an illumination system for a projection exposure system for microlithography with a facet mirror arrangement (7) comprising a plurality of tiltable mirrors (9) which are arranged in a field or pupil plane of the illumination system, and a measuring light arrangement which has a measuring light source (100) has, of which measuring light can be directed independently of and across the work light of the lighting system to the facet mirror arrangement in the field or pupil plane, the measuring light arrangement comprising measuring light optics (101) for illuminating the facet mirror arrangement and a measuring light detection device (102, 103), the Measurement light optics (101) and the measurement light detection device (102, 103) are designed and arranged such that the measurement light detection device is at least partially arranged in an auxiliary pupil plane of the measurement light arrangement, so that the measurement light detection device used by cette mirror arrangement generated intensity distribution can be determined.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Überwachungseinrichtung zur Bestimmung der Orientierung von kippbaren Spiegeln in einer Spiegelanordnung mit mehreren um mindestens eine Achse verkippbaren Spiegeln sowie ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Facettenspiegelanordnung aus einer Vielzahl von verkippbaren Spiegelfacetten, welche in einer Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems angeordnet sind, wobei das Beleuchtungssystem mit einem vorbestimmten Arbeitslicht betrieben wird und eine Messlichtanordnung vorgesehen ist, die eine Messlichtquelle umfasst, von der Messlicht unabhängig vom und quer zum Arbeitslicht des Beleuchtungssystems auf die Facettenspiegelanordnung in der Feld- oder Pupillenebene geleitet werden kann und wobei die Messlichtanordnung eine Messlichtoptik zur Ausleuchtung der Facettenspiegelanordnung und eine Messlichterfassungseinrichtung umfasst. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Bestimmung der Orientierung von kippbaren Spiegeln in einer Spiegelanordnung und zum Betrieb eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage, wie es oben beschrieben worden ist. The present invention relates to a monitoring device for determining the orientation of tiltable mirrors in a mirror arrangement having a plurality of mirrors tiltable by at least one axis and an illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus having a facet mirror arrangement of a multiplicity of tiltable mirror facets which are in a field or pupil plane the illumination system is arranged, wherein the illumination system is operated with a predetermined working light and a measuring light arrangement is provided which comprises a measuring light source, can be passed from the measuring light independently of and transverse to the working light of the illumination system on the facet mirror arrangement in the field or pupil plane and the measuring light arrangement comprises a measuring light optics for illuminating the facet mirror arrangement and a measuring light detecting device. Moreover, the present invention relates to a method for determining the orientation of tiltable mirrors in a mirror assembly and for operating an illumination system of a projection exposure apparatus as described above.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen dienen zur Herstellung von mikrostrukturierten Bauelementen mittels eines photolithographischen Verfahrens. Dabei wird eine strukturtragende Maske, das sogenannte Retikel, mit Hilfe einer Lichtquelleneinheit und einer Beleuchtungsoptik beleuchtet und mit Hilfe einer Projektionsoptik auf eine photosensitive Schicht abgebildet. Dabei stellt die Lichtquelleneinheit eine Strahlung zur Verfügung, die in die Beleuchtungsoptik geleitet wird. Die Beleuchtungsoptik dient dazu, am Ort der strukturtragenden Maske eine gleichmäßige Ausleuchtung mit einer vorbestimmten winkelabhängigen Intensitätsverteilung zur Verfügung zu stellen. Hierzu sind innerhalb der Beleuchtungsoptik verschiedene geeignete optische Elemente vorgesehen. Microlithography projection exposure equipment is used for the production of microstructured components by means of a photolithographic process. In this case, a structure-carrying mask, the so-called reticle, is illuminated with the aid of a light source unit and an illumination optical system and imaged onto a photosensitive layer with the aid of projection optics. In this case, the light source unit provides radiation which is conducted into the illumination optics. The illumination optics serve to provide a uniform illumination with a predetermined angle-dependent intensity distribution at the location of the structure-supporting mask. For this purpose, various suitable optical elements are provided within the illumination optics.

Die so ausgeleuchtete strukturtragende Maske wird mit Hilfe der Projektionsoptik auf eine photosensitive Schicht abgebildet. Dabei wird die minimale Strukturbreite, die mit Hilfe einer solchen Projektionsoptik abgebildet werden kann, unter anderem durch die Wellenlänge der verwendeten Strahlung bestimmt. Je kleiner die Wellenlänge der Strahlung ist, desto kleinere Strukturen können mit Hilfe der Projektionsoptik abgebildet werden. Aus diesem Grund ist es vorteilhaft Strahlung mit der Wellenlänge 5 nm bis 15 nm zu verwenden.The thus-exposed structure-bearing mask is imaged onto a photosensitive layer with the aid of the projection optics. In this case, the minimum structure width that can be imaged with the aid of such projection optics is determined inter alia by the wavelength of the radiation used. The smaller the wavelength of the radiation, the smaller the structures can be imaged using the projection optics. For this reason, it is advantageous to use radiation with the wavelength 5 nm to 15 nm.

Bei Beleuchtungssystemen, die in entsprechenden Projektionsbelichtungsanlagen beispielsweise im Wellenlängenbereich des extrem ultravioletten (EUV) Spektrums, also bei Wellenlängen im Bereich von 13 nm arbeiten, werden Facettenspiegelanordnungen in einer Feldebene eingesetzt, die aus einer Vielzahl von verkippbaren Spiegeln, den Feldfacettenspiegeln oder Spiegelfacetten, bestehen. Die Spiegelfacetten, die um mindestens eine Achse, meist aber um zwei quer zueinander angeordnete Achsen verkippbar sind, bestimmen die Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene, die wiederum optisch konjugiert zur Eintrittspupillenebene der Projektionsoptik ist, sodass die Intensitätsverteilung der Strahlung in der Pupillenebene des Beleuchtungssystems die winkelabhängige Intensitätsverteilung der Strahlung im Bereich des Objektfeldes bestimmt. In illumination systems that operate in corresponding projection exposure systems, for example in the wavelength range of the extreme ultraviolet (EUV) spectrum, ie at wavelengths in the range of 13 nm, facet mirror arrays are used in a field level consisting of a plurality of tiltable mirrors, the field facet mirrors or mirror facets. The mirror facets, which are tiltable about at least one axis, but usually about two axes arranged transversely to one another, determine the intensity distribution in a pupil plane, which in turn is optically conjugate to the entrance pupil plane of the projection optics, so that the intensity distribution of the radiation in the pupil plane of the illumination system determines the angle-dependent intensity distribution the radiation in the area of the object field determined.

Aus diesem Grund muss die Einstellung der Spiegelfacetten, also deren Orientierung bzw. Ausrichtung, exakt gewählt werden. Folglich ist es auch wichtig, dass die Einstellung bzw. Ausrichtung der Spiegel, also deren Verkippungswinkel um eine oder mehrere Drehachsen, genau bestimmt werden kann. Deshalb sind auch im Stand der Technik bereits Verfahren und Vorrichtungen zur Bestimmung der Kippwinkel von Spiegelanordnungen beschrieben. Beispiele hierfür sind in der DE 10 2009 009 372 A1 , WO 2010/094658 A1 , WO 2009/015845 A1 , US 2012/0293784A1 und WO 2008/095695 A2 gegeben. For this reason, the setting of the mirror facets, ie their orientation or orientation, must be selected exactly. Consequently, it is also important that the adjustment or alignment of the mirror, ie its tilt angle about one or more axes of rotation, can be determined exactly. Therefore, methods and devices for determining the tilt angles of mirror arrays are already described in the prior art. Examples are in the DE 10 2009 009 372 A1 . WO 2010/094658 A1 . WO 2009/015845 A1 . US 2012 / 0293784A1 and WO 2008/095695 A2 given.

Allerdings besteht trotz der vorgeschlagenen Lösungen weiterhin der Bedarf an einem verbesserten Messsystem, welches die Kippwinkel der kippbaren Spiegelfacetten schnell und hochpräzise erfassen kann, um in Regelkreisen zur Kippwinkelregelung der Feldfacetten verwendet zu werden. Darüber hinaus muss darauf geachtet werden, dass sich das entsprechende Messverfahren bzw. das korrespondierende Messsystem hinsichtlich der Vakuumtauglichkeit, der Materialverträglichkeit usw. in das Beleuchtungssystem integrieren lässt.However, despite the proposed solutions, there remains a need for an improved measuring system which can quickly and accurately detect the tilt angles of the tiltable mirror facets to be used in closed-loop control of the field facets. In addition, care must be taken that the corresponding measuring method or the corresponding measuring system can be integrated into the lighting system with regard to vacuum compatibility, material compatibility, etc.

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION

Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Überwachungseinrichtung zur Bestimmung der Kippwinkel von kippbaren Spiegeln und ein entsprechendes Verfahren hierzu bereitzustellen sowie insbesondere ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welches ein geeignetes Messsystem zur Bestimmung der Ausrichtung von verkippbaren Spiegelfacetten aufweist. Darüber hinaus soll ein entsprechendes Betriebsverfahren zum Betrieb eines derartigen Beleuchtungssystems angegeben werden. Die entsprechenden Vorrichtungen und Verfahren sollen eine hochpräzise und schnelle Messung der Ausrichtung von allgemein Spiegeln einer Spiegelanordnung und insbesondere von Spiegelfacetten eines Feldfacettenspiegels ermöglichen und einfach in das Beleuchtungssystem einer Projektionsbelichtungsanlage integrierbar sein. It is therefore an object of the present invention to provide a monitoring device for determining the tilt angle of tiltable mirrors and a corresponding method for this purpose, and in particular to provide a lighting system for a projection exposure apparatus for microlithography, in particular an EUV projection exposure apparatus, which provides a suitable Measuring system for determining the orientation of tiltable mirror facets has. In addition, a corresponding operating method for operating such a lighting system should be specified. The corresponding devices and methods are intended to enable a high-precision and rapid measurement of the orientation of generally mirrors of a mirror arrangement and in particular of mirror facets of a field facet mirror and can be easily integrated into the illumination system of a projection exposure apparatus.

TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION

Diese Aufgabe wird gelöst mit einer Überwachungseinrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1 und einem Beleuchtungssystem mit den Merkmalen des Anspruchs 9 sowie einem Verfahren zur Bestimmung von Kippwinkeln mit den Merkmalen des Anspruchs 14 und einem Verfahren zum Betrieb eines Beleuchtungssystems mit den Merkmalen des Anspruchs 15. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. This object is achieved with a monitoring device with the features of claim 1 and a lighting system with the features of claim 9 and a method for determining tilt angles with the features of claim 14 and a method for operating a lighting system with the features of claim 15. Advantageous Embodiments are the subject of the dependent claims.

Die Grundidee der vorliegenden Erfindung besteht nach einem ersten Aspekt der Erfindung darin, eine Überwachungseinrichtung zur Bestimmung der Orientierung von kippbaren Spiegeln in einer Spiegelanordnung mit mehreren um mindestens eine Achse verkippbaren Spiegeln vorzusehen, wobei die Überwachungseinrichtung eine Messlichtanordnung mit mindestens einer Messlichtquelle, mindestens einer Messlichtoptik und mindestens einer Messlichterfassungseinrichtung für das Messlicht aufweist. Die Messlichtquelle mit der Messlichtoptik erzeugt eine Beleuchtung der zu überwachenden Spiegel, sodass zumindest jeweils Gruppen von Spiegeln, vorzugsweise jeder einzelne Spiegel mit einer charakteristischen Beleuchtung beleuchtet wird. Dies bedeutet, dass für jede Gruppe oder jeden einzelnen Spiegel eine bestimmte, individuelle, von den anderen Spiegeln unterscheidbare Beleuchtung vorliegt, sodass durch die charakteristische Beleuchtung die Beleuchtung einer Gruppe von Spiegeln oder einem einzelnen Spiegel zugeordnet werden kann.According to a first aspect of the present invention, the basic idea of the present invention is to provide a monitoring device for determining the orientation of tiltable mirrors in a mirror arrangement having a plurality of mirrors tiltable by at least one axis, wherein the monitoring device has a measuring light arrangement with at least one measuring light source, at least one measuring light optics and has at least one measuring light detection device for the measuring light. The measuring light source with the measuring light optics generates illumination of the mirrors to be monitored, so that at least groups of mirrors, preferably each individual mirror, is illuminated with a characteristic illumination. This means that for each group or each mirror there is a certain, individual, distinguishable from the other mirrors illumination, so that the characteristic lighting the lighting can be assigned to a group of mirrors or a single mirror.

Die Messlichterfassungseinrichtung umfasst eine Detektionsebene, in welche das von den zu überwachenden Spiegeln reflektierte Messlicht abgebildet wird, sodass die Orientierung bzw. Ausrichtung der kippbaren Spiegel, d.h. die Kippwinkel um ein oder mehrere Achsen anhand der Position der reflektierten Lichtintensität eines Spiegel ermittelt werden kann. Um überlappende Messlichtintensitäten von mehreren Spiegeln in der Detektionsebene unterscheiden zu können, wird die charakteristische Beleuchtung eingesetzt, die eine Separierung der reflektierten Lichtintensität ermöglicht. Damit ist es möglich, ohne großen Aufwand für separate Erfassungsbereiche für jeden einzelnen Spiegel in der Messlichterfassungseinrichtung und ohne eine zeitlich aufwändige Ermittlung der Orientierung der einzelnen Spiegel nacheinander mit einer einzigen, zeitgleichen Erfassung der Lichtintensitäten in der Detektionsebene eine genaue Bestimmung der Orientierung mehrerer Spiegel vozunehmen. The measurement light detection device comprises a detection plane in which the measurement light reflected by the mirrors to be monitored is imaged so that the orientation or orientation of the tiltable mirrors, i. the tilt angle can be determined by one or more axes based on the position of the reflected light intensity of a mirror. In order to be able to distinguish overlapping measuring light intensities from a plurality of mirrors in the detection plane, the characteristic illumination is used, which enables a separation of the reflected light intensity. This makes it possible, without much effort for separate detection areas for each mirror in the measuring light detection device and without a time-consuming determination of the orientation of the individual mirror successively voucher with a single, simultaneous detection of the light intensities in the detection level an accurate determination of the orientation of multiple mirrors.

Die Messlichtquelle kann eine Punktlichtquelle sein, wobei eine entsprechende Messlichtoptik so ausgebildet sein kann, dass eine vollflächige Beleuchtung aller zu überwachender Spiegel erzielt wird. Da kippbare Spiegel in einem sogenannte Spiegel-Array oder Spiegel-Feld vorzugsweise in Reihen und Spalten angeordnet werden, kann eine individuelle, charakteristische Beleuchtung für jeden Spiegel bereitgestellt werden, wenn die Messlichtoptik entsprechend der reihen- und/oder spaltenweise Anordnung der zu überwachenden Spiegel auch die Beleuchtung entsprechend variiert.The measuring light source can be a point light source, wherein a corresponding measuring light optics can be designed so that a full-surface illumination of all mirrors to be monitored is achieved. Since tiltable mirrors in a so-called mirror array or mirror array are preferably arranged in rows and columns, an individual, characteristic illumination can be provided for each mirror if the measurement light optics also correspond to the row and / or column arrangement of the mirrors to be monitored the lighting varies accordingly.

Insbesondere kann in einem derartigen Fall eine Streifenbeleuchtung vorgesehen werden, bei welcher für jede Spalte und/oder Reihe von zu überwachenden Spiegeln die Anzahl der Lichtstreifen oder die Ortsfrequenz der Lichtstreifen über den Spalten und/oder Reihen unterschiedlich ist. In particular, in such a case, a strip lighting can be provided, in which for each column and / or row of mirrors to be monitored the number of light stripes or the spatial frequency of the light stripes over the columns and / or rows is different.

Die Messlichterfassungseinrichtung kann einen Schirm aufweisen, der in der Detektionsebene angeordnet ist und auf dem die erzeugte Intensitätsverteilung des Messlichts sichtbar gemacht werden kann, sodass sie beispielsweise durch eine Kamera aufgenommen werden kann. Mit einer Auswerteeinheit kann die ermittelte Intensitätsverteilung ausgewertet werden, wobei durch die Position der ermittelten Intensität auf dem Schirm in der Detektionsebene der oder die Kippwinkel, beispielsweise insbesondere die Kippwinkel um zwei senkrecht zueinander stehende Drehachsen ermittelbar sind, und wobei durch die charakteristische Beleuchtung, die sich in den erfassten Intensitäten widerspiegelt, eine eindeutige Zuordnung der erfassten Intensität zu einem bestimmten Spiegel möglich ist. The measuring light detection device may have a screen, which is arranged in the detection plane and on which the generated intensity distribution of the measuring light can be made visible, so that it can be recorded, for example, by a camera. The determined intensity distribution can be evaluated by means of an evaluation unit, whereby the tilt angle or angles, for example the tilt angles about two mutually perpendicular axes of rotation can be determined by the position of the determined intensity on the screen in the detection plane, and if by the characteristic illumination, the reflected in the detected intensities, a clear assignment of the detected intensity to a certain level is possible.

Insbesondere kann eine Überwachungseinrichtung, wie sie oben beschrieben worden ist, im Zusammenhang mit einer Facettenspiegelanordnung in einem Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage eingesetzt werden.In particular, a monitoring device as described above can be used in connection with a facet mirror arrangement in a lighting system for a projection exposure apparatus.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung, für den selbstständig und in Kombination mit anderen Aspekten der vorliegenden Erfindung Schutz begehrt wird, besteht darin, eine Messlichtanordnung vorzusehen, die zum Teil zumindest im Wesentlichen den Strahlengang des Arbeitslichts des Beleuchtungssystems der Projektionsbelichtungsanlage nachbildet, mit dem das Beleuchtungssystem betrieben wird. Hierbei wird das Messlicht der Messlichtanordnung unter einem anderen Einfallswinkel und/oder in einer anderen Einfallsebene auf die Facettenspiegelanordnung in der Feldebene des Beleuchtungssystems gerichtet, um eine gegenseitige Störung des Arbeitslichts und des Messlichts zu vermeiden und eine Anordnung der Komponenten der Messlichtanordnung zu ermöglichen, ohne die Funktionsweise des Beleuchtungssystem zu beeinträchtigen. Insbesondere kann das Messlicht quer zum Arbeitslicht auf die Facettenspiegelanordnung gerichtet werden, d.h. mit einem unterschiedlichen Einfallswinkel und/oder in einer unterschiedlichen Einfallsebene, die vom einfallenden und ausfallenden Strahl aufgespannt wird. Another aspect of the present invention, for which protection is sought independently and in combination with other aspects of the present invention, is to provide a measuring light arrangement which at least substantially replicates the optical path of the working light of the illumination system of the projection exposure apparatus with which the illumination system is operated. In this case, the measuring light of the measuring light arrangement is at a different angle of incidence and / or in another plane of incidence directed to the facet mirror assembly in the field plane of the illumination system in order to avoid interference of the working light and the measuring light and to allow an arrangement of the components of the measuring light arrangement, without affecting the operation of the lighting system. In particular, the measuring light can be directed transversely to the working light on the facet mirror arrangement, ie with a different angle of incidence and / or in a different plane of incidence, which is spanned by the incident and outgoing beam.

Neben Facettenspiegeln in einer Feldebene können auch weitere Anordnungen verkippbarer Spiegel in anderen Positionen einer Projektionsbelichtungsanlage mit dem System der vorliegenden Erfindung bezüglich ihrer Ausrichtung und Positionierung überwacht werden, wie z.B. Spiegelanordnungen in Pupillenebenen. In addition to facet mirrors in a field plane, other arrangements of tiltable mirrors in other positions of a projection exposure apparatus can also be monitored with respect to their orientation and positioning by the system of the present invention, e.g. Mirror arrangements in pupil planes.

Die Messlichtanordnung umfasst eine Messlichtquelle, die das Messlicht zur Verfügung stellt, sowie eine Messlichtoptik, die vergleichbar dem Strahlengang des Beleuchtungssystems eine Ausleuchtung der Feldfacettenspiegelanordnung ermöglicht. Im Bereich einer Pupillenebene der Messlichtanordnung, die als Hilfspupillenebene bezeichnet wird und vergleichbar zur Pupillenebene des Beleuchtungssystems ist, ist eine Detektionsebene einer Messlichterfassungseinrichtung angeordnet, um die Intenstitätsverteilung des Messlichts in der Hilfspupillenebene zu ermitteln. Aus der Intensitätsverteilung des Messlichts in der Hilfspupillenebene kann auf die Ausrichtung der Spiegelfacetten des Feldfacettenspiegels geschlossen werden.The measuring light arrangement comprises a measuring light source, which provides the measuring light, as well as a measuring light optics, which makes it possible to illuminate the field facet mirror arrangement in a manner comparable to the beam path of the illumination system. In the region of a pupil plane of the measuring light arrangement, which is called the auxiliary pupil plane and is comparable to the pupil plane of the illumination system, a detection plane of a measuring light detection device is arranged in order to determine the intensity distribution of the measuring light in the auxiliary pupil plane. The orientation of the mirror facets of the field facet mirror can be deduced from the intensity distribution of the measuring light in the auxiliary pupil plane.

Das Messlicht kann eine Wellenlänge aufweisen, die unterschiedlich zur Wellenlänge des Arbeitslichts des Beleuchtungssystems ist, und insbesondere eine Wellenlänge im sichtbaren Spektrum oder im Bereich des nahen Infrarot besitzt. The measuring light may have a wavelength that is different from the wavelength of the working light of the illumination system, and in particular has a wavelength in the visible spectrum or in the range of the near infrared.

Entsprechend kann die Messlichterfassungseinrichtung einen Schirm aufweisen, auf dem die Intensitätsverteilung des Messlichts sichtbar gemacht werden kann, so dass durch eine Kamera die Intensitätsverteilung in der Hilfspupillenebene erfasst werden kann. Der Schirm kann durch ein Metallgitter oder ein Metallgeflecht gebildet sein, wobei ein Metallgitter so fein ausgebildet sein kann, dass 5 bis 15 Metalldrähte pro mm angeordnet sind. Accordingly, the measuring light detection device can have a screen on which the intensity distribution of the measuring light can be made visible so that the intensity distribution in the auxiliary pupil plane can be detected by a camera. The screen may be formed by a metal mesh or a metal mesh, wherein a metal mesh may be formed so fine that 5 to 15 metal wires per mm are arranged.

Das Beleuchtungssystem bzw. die Messlichtanordnung können weiterhin eine Auswerteeinheit umfassen, mit der automatisiert aus der von der Messlichterfassungseinrichtung und insbesondere der Kamera ermittelten Intensitätsverteilung in der Hilfspupillenebene die Ausrichtung der Spiegelfacetten in der Facettenspiegelanordnung bestimmt werden kann. Eine derartige Auswerteeinheit kann beispielsweise durch eine programmtechnische eingerichtete Datenverarbeitungsanlage realisiert sein.The illumination system or the measurement light arrangement can furthermore comprise an evaluation unit with which the orientation of the mirror facets in the facet mirror arrangement can be automatically determined from the intensity distribution in the auxiliary pupil plane determined by the measurement light detection device and in particular the camera. Such an evaluation unit can be realized, for example, by a program-technically configured data processing system.

Die Messlichtquelle kann eine Punktlichtquelle sein und die Messlichtoptik kann geeignete Komponenten, die vergleichbar zum Strahlengang des Arbeitslichts des Beleuchtungssystems sind, umfassen. Insbesondere kann eine homogene Ausleuchtung der Facettenspiegelanordnung in der Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems ermöglicht werden. The measuring light source may be a point light source and the measuring light optics may include suitable components which are comparable to the beam path of the working light of the illumination system. In particular, a homogeneous illumination of the facet mirror arrangement in the field or pupil plane of the illumination system can be made possible.

Zusätzlich können in der Messlichtoptik eine oder mehrere geeignete Komponenten vorgesehen sein, um die Beleuchtung der Facettenspiegelanordnung entsprechend der Anordnung der einzelnen Spiegelfacetten zu variieren und eine charakteristische Beleuchtung zu schaffen, um so die Zuordnung der Intensitätsmaxima bzw. -muster in der Intensitätsverteilung der Hilfspupillenebene zu den einzelnen Spiegelfacetten zu erleichtern. Beispielsweise kann ein diffraktives optisches Element (DOE) vorgesehen sein, um eine sogenannte codierte Beleuchtung zu ermöglichen. Die codierte bzw. über die Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung variierende bzw. charakteristische Beleuchtung kann reihen-/und spaltenweise variierend oder codiert ausgebildet sein, sodass beispielsweise bei einer Anordnung der Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung in Reihen und Spalten die Beleuchtung entsprechend der Spalten und Reihen unterschiedlich ist. Beispielsweise kann für jede Spalte und/oder Reihe von Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung, wie bereits oben bei der Überwachungseinrichtung beschrieben, eine Streifenbeleuchtung vorgesehen sein, wobei für jede Reihe und/oder Spalte eine charakteristische Streifenbeleuchtung vorgesehen werden kann. In addition, one or more suitable components may be provided in the measuring light optics to vary the illumination of the facet mirror assembly according to the arrangement of the individual mirror facets and to provide characteristic illumination so as to associate the intensity maxima in the intensity distribution of the auxiliary pupil plane to facilitate individual mirror facets. For example, a diffractive optical element (DOE) may be provided to enable a so-called coded illumination. The coded illumination or characteristic illumination varying over the mirror facets of the facet mirror arrangement can be formed in rows or columns varying or coded, so that, for example, the arrangement of the mirror facets of the facet mirror arrangement in rows and columns differs the illumination according to the columns and rows. For example, for each column and / or row of mirror facets of the facet mirror arrangement, as already described above in the monitoring device, strip illumination can be provided, wherein a characteristic strip illumination can be provided for each row and / or column.

Die charakteristische Streifenbeleuchtung kann beispielsweise durch ein Streifenmuster, eine sogenannte Frequenzcodierung realisiert werden. So kann für jede Spalte eine unterschiedliche Anzahl von Streifen für die Streifenbeleuchtung vorgesehen sein, so dass die Abstände der Streifen zueinander bei gleicher Spaltenbreite unterschiedlich sind. Entsprechend kann man auch von einer unterschiedlichen Ortsfrequenz der Streifen für die einzelnen Spalten sprechen. Insbesondere kann die Streifenanzahl pro Spalte gleich einer Primzahl sein. Dadurch werden die Spiegelfacetten einer Spalte mit der entsprechenden Streifenbeleuchtung eindeutig den Intensitätsmaxima bzw. -mustern in der Hilfspupillenebene zuordenbar. The characteristic strip illumination can be realized for example by a fringe pattern, a so-called frequency coding. Thus, a different number of strips for the strip lighting can be provided for each column, so that the distances of the strips are different from each other with the same column width. Accordingly, one can also speak of a different spatial frequency of the stripes for the individual columns. In particular, the number of stripes per column may be equal to a prime number. As a result, the mirror facets of a column with the corresponding strip illumination can be clearly assigned to the intensity maxima or patterns in the auxiliary pupil plane.

Neben einer Streifenbeleuchtung bzw. -codierung kann auch eine zweidimensionale Codierung der Beleuchtung erfolgen, sodass für jeden Spiegel der Facettenspiegelanordnung eine charakteristische zweidimensionale Beleuchtungsform gegeben ist.In addition to stripe illumination or coding, a two-dimensional coding of the illumination can also be carried out, so that for each mirror of the facet mirror arrangement characteristic two-dimensional illumination form is given.

KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise inThe accompanying drawings show in a purely schematic manner in FIG

1 eine Darstellung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage; 1 a representation of an EUV projection exposure system;

2 eine Darstellung der Messlichtanordnung, wie sie mit einer Projektionsbelichtungsanlage verwendet werden kann, die in 1 dargestellt ist; 2 a representation of the measuring light arrangement, as it can be used with a projection exposure system, which in 1 is shown;

3 eine Darstellung einer Intensitätsverteilung in der Detektionsebene einer Messlichterfassungseinrichtung; 3 a representation of an intensity distribution in the detection plane of a measuring light detection device;

4 eine Darstellung einer ersten Beleuchtung einer Facettenspiegelanordnung, in welcher die Spiegelfacetten in Spalten angeordnet sind, wobei die Spiegelfacetten mehrere Spalten nebeneinander in Reihen gruppiert sind, wobei die Facettenspiegelanordnung in oder nahe einer Feld- oder Pupillenebene einer Projektionsbelichtungsanlage, wie sie beispielhaft in 1 dargestellt ist, angeordnet sein kann; 4 a representation of a first illumination of a facet mirror assembly in which the mirror facets are arranged in columns, wherein the mirror facets a plurality of columns are grouped side by side in rows, the facet mirror arrangement in or near a field or pupil plane of a projection exposure apparatus, as exemplified in 1 is shown, can be arranged;

5 eine Darstellung ähnlich der 4 einer zweiten, charakteristischen Beleuchtung in Form einer Streifenbeleuchtung; 5 a representation similar to the 4 a second, characteristic lighting in the form of a strip lighting;

6 eine Darstellung eines Ausschnitts einer Intensitätsverteilung in der Detektionsebene einer Messlichterfassungseinrichtung, wie sie in 2 dargestellt ist, unter Verwendung einer Beleuchtung, wie in 4 dargestellt; 6 a representation of a section of an intensity distribution in the detection plane of a measuring light detection device, as shown in 2 is shown using a lighting, as in 4 shown;

7 eine Darstellung der Intensitätsverteilung in einer Detektionsebene einer Messlichterfassungseinrichtung, wie sie in 2 dargestellt ist, unter Verwendung einer Beleuchtung, wie sie in 5 dargestellt ist; und in 7 a representation of the intensity distribution in a detection plane of a measuring light detection device, as shown in 2 is shown using a lighting, as in 5 is shown; and in

8 eine Darstellung einer dritten, charakteristischen Beleuchtung einer Facettenspiegelanordnung der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 mit Hilfe einer Messlichtanordnung, wie sie in 2 dargestellt ist. 8th a representation of a third, characteristic illumination of a facet mirror assembly of the projection exposure system 1 with the help of a measuring light arrangement, as in 2 is shown.

AUSFÜHRUNGSBEISPIELEEMBODIMENTS

Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Die Erfindung ist aber nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Further advantages, characteristics and features of the present invention will become apparent in the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings. The invention is not limited to these embodiments.

Die 1 zeigt eine Ausgestaltung einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage 1 mit einer Beleuchtungsoptik 3 und einer Projektionsoptik 5. Die Beleuchtungsoptik 3 umfasst dabei ein erstes optisches Element 7 in Ausgestaltung einer ersten Facettenspiegelanordnung mit einer Mehrzahl von ersten Spiegelfacetten 9 und ein zweites optisches Element 11 in Ausgestaltung einer zweiten Facettenspiegelanordnung mit einer Mehrzahl von zweiten Spiegelfacetten 13. Im Lichtweg nach dem zweiten optischen Element 11 sind ein erster Teleskopspiegel 15 und ein zweiter Teleskopspiegel 17 angeordnet, die beide unter senkrechtem Einfall bzw. unter einem Einfallswinkel von kleiner 45° betrieben werden, d.h. die Strahlung trifft unter einem Einfallswinkel zwischen 0° und 45° auf beide Spiegel. Unter dem Einfallswinkel wird dabei der Winkel zwischen einfallender Strahlung und der Normalen zur reflektiven optischen Fläche verstanden. Nachfolgend im Strahlengang ist ein Umlenkspiegel 19 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf das Objektfeld 21 in der Objektebene 23 lenkt. Der Umlenkspiegel 19 wird unter streifendem Einfall betrieben, d.h. die Strahlung trifft unter einem Einfallswinkel zwischen 45° und 90° auf den Spiegel. The 1 shows an embodiment of a projection exposure apparatus according to the invention 1 with a lighting look 3 and a projection optics 5 , The illumination optics 3 comprises a first optical element 7 in a refinement of a first facet mirror arrangement having a plurality of first mirror facets 9 and a second optical element 11 in an embodiment of a second facet mirror arrangement having a plurality of second mirror facets 13 , In the light path after the second optical element 11 are a first telescope mirror 15 and a second telescope mirror 17 arranged, both of which are operated under normal incidence or at an angle of incidence of less than 45 °, ie the radiation impinges at an angle of incidence between 0 ° and 45 ° on both mirrors. The angle of incidence is understood to mean the angle between incident radiation and the normal to the reflective optical surface. Following in the beam path is a deflection mirror 19 arranged, the radiation striking him on the object field 21 in the object plane 23 directs. The deflection mirror 19 is operated under grazing incidence, ie the radiation hits the mirror at an angle of incidence between 45 ° and 90 °.

Am Ort des Objektfeldes 21 ist eine reflektive, strukturtragende Maske angeordnet, die mit Hilfe der Projektionsoptik 5 in die Bildebene 25 abgebildet wird. Die Projektionsoptik 5 im dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst sechs Spiegel 27, 29, 31, 33, 35 und 37. Alle sechs Spiegel der Projektionsoptik 5 weisen jeweils eine reflektive, optische Fläche auf, die z.B. entlang einer um eine optische Achse 39 rotationssymmetrischen Fläche verläuft. At the place of the object field 21 is a reflective, pattern-bearing mask arranged using the projection optics 5 into the picture plane 25 is shown. The projection optics 5 In the illustrated embodiment includes six mirrors 27 . 29 . 31 . 33 . 35 and 37 , All six mirrors of the projection optics 5 each have a reflective, optical surface, for example, along one about an optical axis 39 rotationally symmetric surface extends.

Die Projektionsbelichtungsanlage nach 1 umfasst ferner eine Lichtquelleneinheit 43, die Strahlung auf das erste optische Element 7 lenkt. Die Lichtquelleneinheit 43 umfasst dabei z.B. ein Quellplasma 45 und einen Kollektorspiegel 47. Die Lichtquelleneinheit 43 kann in verschiedenen Ausführungsformen ausgebildet sein. Dargestellt ist eine Laserplasmaquelle (LPP Laser Pulsed Plasma). Bei diesem Quelltyp wird ein eng begrenztes Quellplasma 45 erzeugt, indem ein kleines Materialtröpfchen mit einem Tröpfchengenerator 49 hergestellt wird und an einen vorbestimmten Ort verbracht wird. Dort wird das Materialtröpfchen mit einem hochenergetischen Laser 51 bestrahlt, so dass das Material in einen Plasmazustand übergeht und Strahlung im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 15 nm emittiert. Der Laser 51 kann dabei so angeordnet sein, dass die Laserstrahlung durch eine Öffnung 53 in dem Kollektorspiegel fällt, bevor sie auf das Materialtröpfchen trifft. Als Laser 51 kommt z.B. ein Infrarotlaser mit der Wellenlänge 10 µm zum Einsatz. Alternativ kann die Lichtquelleneinheit 43 auch als eine Entladungsquelle ausgebildet sein, bei der das Quellplasma 45 mit Hilfe einer Entladung erzeugt wird. In beiden Fällen tritt neben der gewünschten Strahlung mit einer ersten Wellenlänge im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 15 nm, die vom Quellplasma emittiert wird, auch Strahlung mit einer zweiten, unerwünschten Wellenlänge auf. Hierbei handelt es sich z.B. um vom Quellplasma emittierte Strahlung außerhalb des gewünschten Wellenlängenbereiches von 5 nm bis 15 nm oder insbesondere bei der Verwendung einer Laserplasmaquelle um Laserstrahlung, die vom Quellplasma reflektiert wurde. Damit liegt die zweite Wellenlänge typischerweise im Infrarotbereich mit einer Wellenlänge von 0,78 µm bis 1000 µm, insbesondere im Bereich von 3 µm bis 50 µm. Beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage mit einer Laserplasmaquelle entspricht die zweite Wellenlänge insbesondere der Wellenlänge des zur Erzeugung des Quellplasmas 45 verwendeten Lasers 51. Beim Einsatz eines CO2 Lasers ist dies z.B. die Wellenlänge 10,6 µm. The projection exposure system according to 1 further comprises a light source unit 43 , the radiation on the first optical element 7 directs. The light source unit 43 includes eg a source plasma 45 and a collector mirror 47 , The light source unit 43 may be formed in various embodiments. Shown is a laser plasma source (LPP laser pulsed plasma). This source type becomes a narrow source plasma 45 generated by placing a small droplet of material with a droplet generator 49 is made and placed in a predetermined location. There, the material droplets with a high-energy laser 51 irradiated, so that the material passes into a plasma state and emits radiation in the wavelength range of 5 nm to 15 nm. The laser 51 can be arranged so that the laser radiation through an opening 53 in the collector mirror falls before it hits the droplets of material. As a laser 51 For example, an infrared laser with a wavelength of 10 μm is used. Alternatively, the light source unit 43 also be designed as a discharge source in which the source plasma 45 is generated by means of a discharge. In both cases occurs in addition to the desired radiation having a first wavelength in the wavelength range of 5 nm to 15 nm, which is emitted from the source plasma, and radiation having a second, undesirable wavelength. These are, for example, radiation emitted by the source plasma outside the desired wavelength range of 5 nm to 15 nm, or in particular when using a laser plasma source to laser radiation which has been reflected from the source plasma. Thus, the second wavelength is typically in the infrared range with a wavelength of 0.78 μm to 1000 μm, in particular in the range of 3 μm to 50 μm. During operation of the projection exposure apparatus with a laser plasma source, the second wavelength corresponds in particular to the wavelength of the source plasma 45 used laser 51 , When using a CO 2 laser, this is eg the wavelength 10.6 μm.

Die Strahlung mit der zweiten Wellenlänge kann nicht zur Abbildung der strukturtragenden Maske am Ort des Objektfeldes 21 verwendet werden, da die Wellenlänge zur Abbildung der Maskenstrukturen im Nanometer-Bereich zu groß ist. Die Strahlung mit der zweiten Wellenlänge führt daher insbesondere im Wellenlängenbereich von 100 nm bis 300 nm (DUV deep ultraviolet) zu einer unerwünschten Untergrundhelligkeit in der Bildebene 25. Weiterhin führt die Strahlung der zweiten Wellenlänge insbesondere im Infrarotbereich zu einer Erwärmung der optischen Elemente der Beleuchtungsoptik und der Projektionsoptik. Aus diesen beiden Gründen ist ein Filterelement 55 zur Unterdrückung von Strahlung mit der zweiten Wellenlänge vorgesehen. The radiation at the second wavelength can not be used to image the structure-bearing mask at the location of the object field 21 be used because the wavelength for imaging the mask structures in the nanometer range is too large. The radiation with the second wavelength therefore leads, in particular in the wavelength range from 100 nm to 300 nm (DUV deep ultraviolet), to an undesirable background brightness in the image plane 25 , Furthermore, the radiation of the second wavelength, in particular in the infrared range, leads to a heating of the optical elements of the illumination optics and of the projection optics. For these two reasons is a filter element 55 provided for suppression of radiation of the second wavelength.

Die nun spektral bereinigte Strahlung beleuchtet das erste reflektive optische Element 7. Der Kollektorspiegel 47 und die ersten Spiegelfacetten 9 haben eine derartige optische Wirkung, dass sich Bilder des Quellplasmas 45 an den Orten der zweiten Spiegelfacetten 13 des zweiten optischen Elements 11 ergeben. Hierzu werden einerseits die Brennweite des Kollektorspiegels 47 und der ersten Spiegelfacetten 9 entsprechend der räumlichen Abstände gewählt. Dies geschieht z.B. indem die reflektiven optischen Flächen der ersten Spiegelfacetten 9 mit geeigneten Krümmungen versehen werden. Andererseits weisen die ersten Spiegelfacetten 9 eine reflektive optische Fläche auf mit einem Normalenvektor, dessen Richtung die Orientierung der reflektiven optischen Fläche im Raum festlegt, wobei die Normalenvektoren der reflektiven Flächen der ersten Spiegelfacetten 9 derart orientiert sind, dass die von einer ersten Spiegelfacette 9 reflektierte Strahlung auf eine zugeordnete zweite reflektive Spiegelfacette 13 trifft. Die zweite Spiegelfacette 13 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 3 angeordnet, die mit Hilfe der Spiegel 15, 17 und 19 auf die Austrittspupillenebene abgebildet wird. Dabei entspricht vorzugsweise die Austrittspupillenebene der Beleuchtungsoptik 3 gerade der Eintrittspupillenebene der Projektionsoptik 5. Somit liegt das zweite optische Element 11 in einer Ebene, die optisch konjugiert zur Eintrittspupillenebene der Projektionsoptik 5 ist. Aus diesem Grund steht die Intensitätsverteilung der Strahlung auf dem zweiten optischen Element 11 in einem einfachen Zusammenhang zur winkelabhängigen Intensitätsverteilung der Strahlung im Bereich des Objektfeldes 21. Dabei ist die Eintrittspupillenebene der Projektionsoptik 5 definiert als die Ebene senkrecht zur optischen Achse 39, in der der Hauptstrahl 59 zum Mittelpunkt des Objektfeldes 21 die optische Achse 39 schneidet.The now spectrally corrected radiation illuminates the first reflective optical element 7 , The collector mirror 47 and the first mirror facets 9 have such an optical effect that images of the source plasma 45 in the places of the second mirror facets 13 of the second optical element 11 result. For this purpose, on the one hand, the focal length of the collector mirror 47 and the first mirror facets 9 chosen according to the spatial distances. This happens, for example, by the reflective optical surfaces of the first mirror facets 9 be provided with suitable curvatures. On the other hand, the first mirror facets 9 a reflective optical surface having a normal vector whose direction defines the orientation of the reflective optical surface in space, the normal vectors of the reflective surfaces of the first mirror facets 9 are oriented such that the of a first Spiegelfacette 9 reflected radiation on an associated second reflective mirror facet 13 meets. The second mirror facet 13 is in a pupil plane of the illumination optics 3 arranged with the help of the mirror 15 . 17 and 19 is mapped to the exit pupil plane. In this case, the exit pupil plane preferably corresponds to the illumination optics 3 just the entrance pupil plane of the projection optics 5 , Thus, the second optical element is located 11 in a plane that is optically conjugate to the entrance pupil plane of the projection optics 5 is. For this reason, the intensity distribution of the radiation is on the second optical element 11 in a simple relationship to the angle-dependent intensity distribution of the radiation in the area of the object field 21 , The entrance pupil plane is the projection optics 5 defined as the plane perpendicular to the optical axis 39 in which the main beam 59 to the center of the object field 21 the optical axis 39 cuts.

Die Aufgabe der zweiten Spiegelfacetten 13 und der nachfolgenden Optik, die die Spiegel 15, 17 und 19 umfasst, ist es, die ersten Spiegelfacette 9 überlagernd auf das Objektfeld 21 abzubilden. Dabei versteht man unter überlagernder Abbildung, dass Bilder der ersten reflektiven Spiegelfacette 9 in der Objektebene entstehen und dort zumindest teilweise überlappen. Hierzu weisen die zweiten reflektiven Spiegelfacette 13 eine reflektive optische Fläche mit einem Normalenvektor auf, dessen Richtung die Orientierung der reflektiven optischen Fläche im Raum festlegt. Für jedes zweite Spiegelfacette 13 ist die Richtung des Normalenvektors so gewählt, dass das ihm zugeordnete erste Spiegelfacette 9 auf das Objektfeld 21 in der Objektebene 23 abgebildet wird. Da die ersten Spiegelfacette 9 auf das Objektfeld 21 abgebildet werden, entspricht die Form des ausgeleuchteten Objektfeldes 21 der äußeren Form der ersten Spiegelfacette 9. Die äußere Form der ersten Spiegelfacette 9 wird daher üblicherweise derart bogenförmig gewählt, wie im Folgenden in den 4, 5 und 8 gezeigt ist, dass die langen Berandungslinien des ausgeleuchteten Objektfeldes 21 im Wesentlichen kreisbogenförmig um die optische Achse 39 der Projektionsoptik 5 verlaufen. Durch geeignetes Verkippen der ersten Spiegelfacetten 9 kann die spektral bereinigte Strahlung (die EUV-Strahlung) auf ausgewählte zweite Spiegelfacetten 13 gelenkt werden. Damit lassen sich mit der Beleuchtungsoptik 3 für die Beleuchtung des Objektfeldes 21 gezielt die Beleuchtungswinkel einstellen. Eine solche Einstellung wird auch Beleuchtungs-Setting genannt, wobei im Folgenden das das Objektfeld 21 ausleuchtende EUV-Licht auch als Arbeitslicht bezeichnet wird. The task of the second mirror facets 13 and the subsequent optics that the mirrors 15 . 17 and 19 it is, the first mirror facet 9 superimposed on the object field 21 map. In this case, superimposing imaging means that images of the first reflective mirror facet 9 arise in the object plane and overlap there at least partially. For this purpose, have the second reflective mirror facet 13 a reflective optical surface with a normal vector whose direction determines the orientation of the reflective optical surface in space. For every second mirror facet 13 the direction of the normal vector is chosen so that the first mirror facet assigned to it 9 on the object field 21 in the object plane 23 is shown. Because the first mirror facet 9 on the object field 21 be imaged corresponds to the shape of the illuminated object field 21 the outer shape of the first mirror facet 9 , The outer shape of the first mirror facet 9 is therefore usually selected as arcuate, as in the following in the 4 . 5 and 8th it is shown that the long boundary lines of the illuminated object field 21 substantially circular arc around the optical axis 39 the projection optics 5 run. By suitable tilting of the first mirror facets 9 The spectrally adjusted radiation (the EUV radiation) can be selected on selected second mirror facets 13 be steered. This can be done with the illumination optics 3 for the illumination of the object field 21 specifically set the lighting angle. Such an adjustment is also called illumination setting, in the following the object field 21 illuminating EUV light is also referred to as work light.

Die 2 zeigt in einer schematischen Anordnung eine Messlichtanordnung, wie sie zur Bestimmung von Kippwinkeln bzw. der Ausrichtung der Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 in der Projektionsbelichtungsanlage aus der 1 eingesetzt werden kann. The 2 shows a schematic arrangement of a measuring light arrangement, as for the determination of tilt angles and the orientation of the mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 in the projection exposure system from the 1 can be used.

Die Messlichtanordnung umfasst eine Punktlichtquelle 100 sowie eine Optik 101, mit der das Licht der Punktlichtquelle 100 die Facettenspiegelanordnung 7 ausleuchten kann, wobei die Anordnung im Wesentlichen so ausgestaltet ist, dass vergleichbare Beleuchtungsbedingungen einstellbar sind, wie für das Arbeitslicht der Projektionsbeleuchtungsanlage bzw. des Beleuchtungssystems 3, mit dem die Facettenspiegelanordnung 7 nur unter geometrisch veränderten Einfallsbedingungen beleuchtet wird. Beispielsweise kann die Einfallsebene des Messlichts azimutal gegenüber der Einfallsebene des Arbeitslichts verdreht sein, d.h. dass die Einfallsebene, die durch die Richtung des auf die Facettenspiegelanordnung einfallenden Lichtstrahlenbündels des Messlichts und der Richtung des an den Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung reflektierten Lichtstrahls des Messlichts aufgespannten Ebene definiert ist, gegenüber der entsprechenden Ebene des Arbeitslichts verdreht ist. Da die Facettenspiegelanordnung aus einer Vielzahl von unterschiedlich orientierten Spiegelfacetten aufgebaut ist, ergibt sich für jede Spiegelfacette eine entsprechende Einfallsebene, sodass die azimutale Verdrehung der Bestrahlung der Facettenspiegelanordnung durch das Messlicht auf die Gesamtheit der Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung bezogen wird. Dies bedeutet, dass die azimutale Verdrehung der Einfallsebene des Messlichts gegenüber der Einfallsebene des Arbeitslichts auf die Facettenspiegelanordnung auf eine mittlere Einfallsebene für alle Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung bezogen wird und/oder der maximalen bzw. minimalen Einfallsebene des jeweiligen Lichts. Neben einer azimutalen Verdrehung der Einfallsebene des Messlichts gegenüber der Einfallsebene des Arbeitslichts auf die Facettenspiegelanordnung zur Separierung von Messlicht und Arbeitslicht des Beleuchtungssystems ist auch eine Variation des Einfallswinkels des Messlichts auf die Facettenspiegelanordnung gegenüber dem Einfallswinkel des Arbeitslichts denkbar, wie dies beispielsweise in der WO 2008/095 695 A2 beschrieben ist. The measuring light arrangement comprises a point light source 100 as well as an appearance 101 , with which the light of the point light source 100 the facet mirror arrangement 7 can illuminate, the arrangement in the Essentially designed so that comparable lighting conditions are adjustable, as for the working light of the projection lighting system or the lighting system 3 with which the facet mirror arrangement 7 is illuminated only under geometrically altered conditions of incidence. For example, the plane of incidence of the measuring light can be azimuthally rotated with respect to the plane of incidence of the working light, ie the plane of incidence defined by the direction of the light beam of the measuring light incident on the facet mirror arrangement and the direction of the plane of the measuring light reflected by the facets of the facet mirror arrangement is defined is twisted relative to the corresponding level of work light. Since the facet mirror arrangement is constructed from a multiplicity of differently oriented mirror facets, a corresponding incidence plane results for each mirror facet, so that the azimuthal rotation of the irradiation of the facet mirror arrangement by the measurement light is related to the entirety of the mirror facets of the facet mirror arrangement. This means that the azimuthal rotation of the plane of incidence of the measurement light relative to the plane of incidence of the working light on the facet mirror arrangement is related to a mean incidence plane for all mirror facets of the facet mirror arrangement and / or the maximum or minimum incidence plane of the respective light. In addition to an azimuthal rotation of the plane of incidence of the measuring light with respect to the plane of incidence of the working light on the facet mirror arrangement for the separation of measuring light and working light of the illumination system, a variation of the angle of incidence of the measuring light on the facet mirror arrangement with respect to the angle of incidence of the working light is conceivable, as shown for example in US Pat WO 2008/095 695 A2 is described.

Wesentlich ist lediglich, dass Messlicht und Arbeitslicht getrennte Strahlengänge aufweisen, die sich gegenseitig nicht beeinträchtigen. So soll vorzugsweise Messlicht der Messlichtanordnung nicht im Objektfeld erscheinen und ferner soll vorzugsweise Arbeitslicht nicht mit Messlicht in einer für das Messlicht vorgesehenen Messlichterfassungseinrichtung überlagern. It is only essential that measuring light and working light have separate beam paths that do not interfere with each other. Thus, preferably, measuring light of the measuring light arrangement should not appear in the object field and, moreover, preferably should not superimpose working light with measuring light in a measuring light detecting device provided for the measuring light.

Die Punktlichtquelle 100 erzeugt ein Messlicht mit einer Wellenlänge, welches sich von der Wellenlänge des Arbeitslichts der Projektionsbelichtungsanlage unterscheidet. So wird beispielsweise bei der in 1 gezeigten Projektionsbelichtungsanlage Arbeitslicht im Wellenlängenspektrum der extrem ultravioletten elektromagnetischen Strahlung (EUV-Strahlung) verwendet, während das Licht des Messlichts im sichtbaren Wellenlängenbereich sein kann. The point light source 100 generates a measuring light with a wavelength which differs from the wavelength of the working light of the projection exposure apparatus. For example, in the case of 1 used in the wavelength spectrum of extreme ultraviolet electromagnetic radiation (EUV radiation), while the light of the measuring light can be in the visible wavelength range.

Nach dem Aufbereiten des von der Punktlichtquelle 100 ausgesendeten Lichts durch die Messlichtoptik 101 wird das Messlichtstrahlenbündel 104 von den Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 reflektiert und die reflektierten Lichtstrahlenbündel 105 beleuchten einen Schirm 102, der beispielsweise aus einem Drahtgitter oder Metallgeflecht gebildet sein kann, wobei beispielsweise das Gewebe eine Metalldrahtdichte von 10 Drähten pro Millimeter aufweisen kann. Da der Schirm 102 in einer Pupillenebene der Messlichtanordnung, der sogenannten Hilfspupillenebene, angeordnet ist, entsteht in der Hilfspupillenebene bei einer Beleuchtung der Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung eine durch die Spiegelfacetten der Facettenspiegelordnung erzeugte Intensitätsverteilung, die charakteristisch für die Ausrichtung, also die Verkippung der Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung 7 ist. Die Intensitätsverteilung in der Hilfspupillenebene ist durch den Schirm 102 darstellbar und über die Kamera 103 erfassbar. After processing of the point light source 100 emitted light through the measuring light optics 101 becomes the measuring light beam 104 from the mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 reflected and the reflected light beams 105 light a screen 102 , which may for example be formed of a wire mesh or metal mesh, for example, the fabric may have a metal wire density of 10 wires per millimeter. Because the umbrella 102 is arranged in a pupil plane of the measuring light arrangement, the so-called auxiliary pupil plane, arises in the auxiliary pupil plane at illumination of the mirror facets of the facet mirror arrangement generated by the mirror facets of Facettenspiegelordnung intensity distribution characteristic of the orientation, ie the tilt of the mirror facets of the facet mirror arrangement 7 is. The intensity distribution in the auxiliary pupil plane is through the screen 102 representable and via the camera 103 detectable.

Mittels einer nicht näher dargestellten Auswerteeinheit, die beispielsweise durch eine entsprechend programmtechnisch eingerichtete Datenverarbeitungsanlage verwirklicht sein kann, kann die durch die Kamera 103 erfasste Intensitätsverteilung in der Hilfspupillenebene ausgewertet werden, wobei durch die Position der durch die Spiegel der Facettenspiegelanordnung 7 erzeugten Intensitätsverteilung bzw. der Intensitätsmaxima in der Hilfspupillenebene bzw. auf dem Schirm 102 eine Bestimmung der Ausrichtung der Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 möglich ist. Durch die X- und Y-Position der Intensitätsmaxima in der Hilfspupillenebene, die auch als Spots bezeichnet werden, kann die Verkippung bzw. Orientierung der Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 um zwei unabhängige Drehachsen ermittelt werden.By means of an evaluation unit, not shown in detail, which can be realized for example by a corresponding programmatically set up data processing system that can by the camera 103 detected intensity distribution in the auxiliary pupil plane are evaluated, wherein by the position of the mirror through the facet mirror assembly 7 generated intensity distribution or the intensity maxima in the auxiliary pupil plane or on the screen 102 a determination of the orientation of the mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 is possible. By the X and Y position of the intensity maxima in the auxiliary pupil plane, which are also referred to as spots, the tilting or orientation of the mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 be determined by two independent axes of rotation.

Die 3 zeigt einen Ausschnitt einer Intensitätsverteilung auf dem Schirm 102, wie sie beispielsweise durch eine Facettenspiegelanordnung 7, wie sie in einer Draufsicht in 4 dargestellt ist und nachfolgend noch näher beschrieben wird, bei einer Bestrahlung mit Messlicht gemäß der Messlichtanordnung aus 2 erzeugt wird. Die 3 zeigt eine Vielzahl an kreisbogensegmentartigen Intensitätsmaxima, deren Form durch die Form der Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 bedingt ist. Die Positionen der kreisbogensegmentartigen Intensitätsmaxima auf dem Schirm 102, die in 3 dargestellt sind, entsprechen der Orientierung der Spiegelfacetten. Die Postion der Intensitätsmaxima in x-Richtung entspricht hierbei der Verkippung der jeweiligen Spiegelfacette um die x-Achse und die Position der Intensitätsmaxima in y-Richtung entspricht hierbei der Verkippung der jeweiligen Spiegelfacette um die y-Achse. Aufgrund der Verkippung der Spiegelfacetten 9 kann es zu einer Überlappung der durch die einzelnen Spiegelfacetten 9 hervorgerufenen Intensitätsmaxima kommen. Sofern bei einer Überlappung von Intensitätsmaxima keine Separierung der Intensitätsmaxima und Zuordnung der einzelnen Intensitätsmaxima zu einzelnen Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 mehr möglich ist, wäre auch keine eindeutige Bestimmung der Ausrichtung der Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung mehr möglich, da, wie oben beschrieben, die Position der Intensitätsmaxima in der Hilfspupillenebene auf dem Schitm 102 die Information über die Ausrichtung der Facettenspiegel enthält. Aus diesem Grund kann es vorteilhaft sein, die Beleuchtungsart zu modifizieren, um eine bessere Identifizierung bzw. Zuordnung der Intensitätsmaxima zu den einzelnen Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 zu ermöglichen.The 3 shows a section of an intensity distribution on the screen 102 as exemplified by a facet mirror arrangement 7 as seen in a top view 4 is shown and will be described in more detail below, in an irradiation with measuring light according to the measuring light arrangement 2 is produced. The 3 shows a variety of circular arc segment-like intensity maxima, their shape by the shape of the mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 is conditional. The positions of the arcuate-like intensity maxima on the screen 102 , in the 3 are shown, correspond to the orientation of the mirror facets. The position of the intensity maxima in the x direction corresponds to the tilting of the respective mirror facet about the x axis and the position of the intensity maxima in the y direction corresponds to the tilting of the respective mirror facet about the y axis. Due to the tilting of the mirror facets 9 There may be an overlap of the individual mirror facets 9 caused intensity maxima come. If there is an overlap of intensity maxima, no separation of the intensity maxima and assignment of the individual intensity maxima to individual mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 is more possible, would also be no clear determination of the orientation of the mirror facets 9 the facet mirror arrangement more possible, since, as described above, the position of the intensity maxima in the auxiliary pupil plane on the Schitm 102 contains information about the orientation of the facet mirrors. For this reason, it may be advantageous to modify the type of illumination to better identify or associate the intensity maxima with the individual mirror facets 9 the facet mirror arrangement 7 to enable.

Die 4 zeigt eine Draufsicht auf eine Facettenspiegelanordnung 7 mit einer Vielzahl an Spiegelfacetten 9, die in mehreren Spalten und Reihen in einer Ebene nebeneinander angeordnet sind. Bei der Darstellung der 4 sind die Spiegelfacetten 9 in senkrechten Spalten und horizontalen Reihen angeordnet. The 4 shows a plan view of a facet mirror assembly 7 with a variety of mirror facets 9 , which are arranged in several columns and rows in a plane next to each other. In the presentation of 4 are the mirror facets 9 arranged in vertical columns and horizontal rows.

In den 4 und 5 sind zwei Arten der Beleuchtung dargestellt, wie die Facettenspiegelanordnung 7 mit der Vielzahl an Spiegelfacetten 9 beleuchtet werden kann. In der 4 ist eine gleichmäßige Beleuchtung aller Spiegelfacetten 9 mit einem homogenen Beleuchtungsfeld 106 gezeigt, während in 5 eine Streifenbeleuchtung gezeigt ist. Bei der Streifenbeleuchtung werden die Spiegelfacetten 9 der Facettenspiegelanordnung 7 lediglich mit Beleuchtungsstreifen 110, die sich entlang von Spalten, in denen die Spiegelfacetten 9 angeordnet sind, erstrecken, sodass die Intensitätsverteilung in der Hilfspupillenebene statt der kreisbogenartigen Intensitätsmaxima eher punktförmige Intensitätsmaxima zeigt, die leichter separierbar sind und den einzelnen Spiegelfacetten 9 zugeordnet werden können. Dies ist in den 6 und 7 gezeigt, die wiederum ähnlich der 3 Intensitätsverteilungen auf dem Schirm 102 der Messlichtanordnung zeigen. Die 6 zeigt die Intensitätsverteilung auf dem Schirm 102 der Messlichterfassungseinrichtung bei einer Beleuchtung mit einem homogenen Beleuchtungsfeld 106 gemäß der Darstellung der 4, während die 7 die Intensitätsverteilung auf dem Schirm 102 bei einer Beleuchtung mit einer Streifenbeleuchtung 110 gemäß der Darstellung der 5 zeigt. Wie deutlich zu erkennen ist, ermöglicht die Streifenbeleuchtung die Separierung der reflektierten Intensitäten. In the 4 and 5 Two types of lighting are shown, such as the facet mirror arrangement 7 with the multitude of mirror facets 9 can be illuminated. In the 4 is a uniform illumination of all mirror facets 9 with a homogeneous illumination field 106 shown while in 5 a strip lighting is shown. In strip lighting, the mirror facets become 9 the facet mirror arrangement 7 only with lighting strips 110 extending along columns in which the mirror facets 9 are arranged, so that the intensity distribution in the auxiliary pupil plane rather than the circular arc-like intensity maxima shows rather punctiform intensity maxima, which are more easily separable and the individual mirror facets 9 can be assigned. This is in the 6 and 7 shown, in turn, similar to the 3 Intensity distributions on the screen 102 show the measuring light arrangement. The 6 shows the intensity distribution on the screen 102 the measuring light detecting device when illuminated with a homogeneous illumination field 106 according to the representation of 4 while the 7 the intensity distribution on the screen 102 in a lighting with a strip lighting 110 according to the representation of 5 shows. As can be clearly seen, the strip lighting allows the separation of the reflected intensities.

Um eine noch bessere Zuordnung der Intensitätsmaxima in der Hilfspupillenebene bzw. Detektionsebene zu den Spiegelfacetten zu ermöglichen, kann eine weitere Beleuchtungsart in Form einer Frequenzcodierung des Beleuchtungsmusters realisiert werden. Wie in der 8 dargestellt, kann beispielweise für jede Spalte 91 bis 95 von Spiegelfacetten 9 eine unterschiedliche Anzahl von Beleuchtungsstreifen 110 bzw. eine unterschiedliche Ortsfrequenz der Beleuchtungsstreifen für die Beleuchtung der Spiegelfacetten 9 in einer Spalte 91 bis 95 vorgesehen werden. So kann beispielsweise für die Spalte 91 eine Beleuchtung mit drei Beleuchtungsstreifen 110, für die Spalte 92 eine Beleuchtung mit fünf Beleuchtungsstreifen 110, für die Spalte 93 eine Beleuchtung mit sieben Beleuchtungsstreifen 110, für die Spalte 94 eine Beleuchtung mit elf Beleuchtungsstreifen 110 und für die Spalte 95 eine Beleuchtung mit dreizehn Beleuchtungsstreifen 110 vorgesehen werden. Mit dieser Maßnahme kann durch die Frequenzcodierung eine eindeutige Zuordnung von Intensitätsmaxima bzw. -mustern zu den einzelnen Spiegelfacetten sichergestellt werden. Dies gilt insbesondere, wenn für die Frequenzcodierung bzw. Beleuchtung mit unterschiedlichen Streifenmustern die Anzahl der Streifen pro Spalte zumindest teilweise durch Primzahlen gebildet wird oder die Ortsfrequenz der Beleuchtungsstreifen auf Primzahlen basieren. Beispielsweise kann das erste Streifenmuster bzw. die Grundfrequenz für die erste Spalte mit drei gewählt werden, während die weiteren dann mit den Primzahlen 5, 7, 9, 11 gewählt werden. In order to enable an even better assignment of the intensity maxima in the auxiliary pupil plane or detection plane to the mirror facets, another type of illumination can be realized in the form of a frequency coding of the illumination pattern. Like in the 8th can be shown, for example, for each column 91 to 95 of mirror facets 9 a different number of lighting strips 110 or a different spatial frequency of the illumination strips for the illumination of the mirror facets 9 in a column 91 to 95 be provided. For example, for the column 91 a lighting with three lighting strips 110 , for the column 92 a lighting with five lighting strips 110 , for the column 93 a lighting with seven lighting strips 110 , for the column 94 a lighting with eleven lighting strips 110 and for the column 95 a lighting with thirteen lighting strips 110 be provided. With this measure, an unambiguous assignment of intensity maxima or patterns to the individual mirror facets can be ensured by the frequency coding. This applies in particular if, for the frequency coding or illumination with different stripe patterns, the number of stripe per column is at least partially formed by primes or the spatial frequency of the illumination striations is based on primes. For example, the first stripe pattern or the fundamental frequency for the first column can be selected with three, while the others are then selected with the primes 5 . 7 . 9 . 11 to get voted.

Darüber hinaus wäre es möglich, die Beleuchtung nicht nur von Spalte zu Spalte zu variieren, sondern auch in Richtung der Zeilen, in denen die Spiegelfacetten 9 angeordnet sind. Insbesondere kann eine Beleuchtung mit einem zweidimensionalen Code vorgesehen werden. In addition, it would be possible to vary the lighting not only from column to column, but also in the direction of the rows in which the mirror facets 9 are arranged. In particular, a lighting with a two-dimensional code can be provided.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Änderungen oder Ergänzungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden. Although the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, it will be understood by those skilled in the art that the invention is not limited to these embodiments, but rather changes or additions are possible in that individual features omitted or other types of feature combinations realized become.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102009009372 A1 [0005] DE 102009009372 A1 [0005]
  • WO 2010/094658 A1 [0005] WO 2010/094658 A1 [0005]
  • WO 2009/015845 A1 [0005] WO 2009/015845 A1 [0005]
  • US 2012/0293784 A1 [0005] US 2012/0293784 A1 [0005]
  • WO 2008/095695 A2 [0005, 0042] WO 2008/095695 A2 [0005, 0042]

Claims (15)

Überwachungseinrichtung zur Bestimmung der Orientierung von kippbaren Spiegeln (9) in einer Spiegelanordnung mit mehreren um mindestens eine Achse verkippbaren Spiegeln, wobei mindestens eine Messlichtquelle (100) mit mindestens einer Messlichtoptik (101) und eine Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) für das Messlicht mit einer Detektionsebene vorgesehen sind, wobei die Messlichtquelle mit der Messlichtoptik zumindest jeweils Gruppen von Spiegeln, vorzugsweise jeden einzelnen Spiegel mit einer charakteristischen Beleuchtung ausleuchtet, wobei die charakteristische Beleuchtung jeder Gruppe oder jedes einzelnen Spiegels durch die zu überwachenden Spiegel in die Detektionsebene der Messlichterfassungseinrichtung abgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichterfassungseinrichtung so hergerichtet ist, dass die Orientierung der kippbaren Spiegel anhand der Position der von jedem Spiegel reflektierten Intensität des Messlichts in der Detektionsebene ermittelt wird und in der Detektionsebene überlappende Intensitäten von mehreren Spiegeln anhand der charakteristischen Beleuchtung separiert werden. Monitoring device for determining the orientation of tiltable mirrors ( 9 ) in a mirror arrangement with a plurality of mirrors tiltable about at least one axis, wherein at least one measuring light source ( 100 ) with at least one measuring light optics ( 101 ) and a measuring light detecting device ( 102 . 103 ) are provided for the measuring light with a detection plane, wherein the measuring light source with the measuring light optics illuminates at least groups of mirrors, preferably each individual mirror with a characteristic illumination, wherein the characteristic illumination of each group or each mirror through the mirror to be monitored in the detection plane the measuring light detecting device is imaged, characterized in that the orientation of the tiltable mirror is determined based on the position of the reflected light of each mirror of the measuring light in the detection plane and in the detection plane overlapping intensities of multiple mirrors based on the characteristic illumination be separated. Überwachungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtquelle (100) eine Punktlichtquelle ist. Monitoring device according to claim 1, characterized in that the measuring light source ( 100 ) is a point light source. Überwachungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtoptik (101) so ausgebildet ist, dass bei einer reihen- und/oder spaltenweisen Anordnung der zu überwachenden Spiegel die charakteristische Beleuchtung entsprechend der reihen- und/oder spaltenweisen Anordnung der Spiegel reihen- und/oder spaltenweise variiert. Monitoring device according to claim 1 or 2, characterized in that the measuring light optics ( 101 ) is formed so that in a row and / or column-wise arrangement of the mirror to be monitored varies the characteristic illumination according to the rows and / or column-wise arrangement of the mirror rows and / or columns. Überwachungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtoptik (101) so ausgebildet ist, dass bei einer reihen- und/oder spaltenweisen Anordnung der zu überwachenden Spiegel jede Spalte und/oder Reihe von Spiegeln mit einer Streifenbeleuchtung, insbesondere mit einer für jede Reihe und/oder Spalte charakteristischen Streifenbeleuchtung ausgeleuchtet wird. Monitoring device according to one of the preceding claims, characterized in that the measuring light optics ( 101 ) is formed so that in a row and / or column-wise arrangement of the mirror to be monitored each column and / or row of mirrors is illuminated with a strip lighting, in particular with a characteristic of each row and / or column strip lighting. Überwachungseinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtoptik (101) so ausgebildet ist, dass die charakteristische Streifenbeleuchtung durch ein Streifenmuster erzeugt wird, wobei vorzugsweise parallele Streifen mit unterschiedlicher Anzahl der Streifen pro Längeneinheit der charakteristischen Streifenbeleuchtung oder mit unterschiedlicher Ortsfrequenz vorliegen, und wobei vorzugsweise zumindest teilweise die Anzahl der Streifen pro Längeneinheit der charakteristischen Streifenbeleuchtung eine Primzahl ist oder die Ortsfrequenz der Streifen auf Primzahlen beruht. Monitoring device according to claim 4, characterized in that the measuring light optics ( 101 ) is formed such that the characteristic stripe illumination is generated by a stripe pattern, preferably parallel stripe having different number of strands per unit length of the characteristic stripe illumination or with different spatial frequency, and preferably at least partially the number of strands per unit length of the characteristic stripe illumination Prime number or the spatial frequency of the stripes is based on prime numbers. Überwachungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtoptik (101) ein diffraktives optisches Element umfasst. Monitoring device according to one of the preceding claims, characterized in that the measuring light optics ( 101 ) comprises a diffractive optical element. Überwachungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichterfassungseinrichtung einen Schirm (102) zur Darstellung der durch die zu überwachenden Spiegel in der Detektionsebene erzeugten Intensitätsverteilung, insbesondere einen Schirm aus einem Metallgitter oder Metallgeflecht, und eine Kamera (103) zur Aufnahme der auf dem Schirm erzeugten Intensitätsverteilung umfasst. Monitoring device according to one of the preceding claims, characterized in that the measuring light detection device comprises a screen ( 102 ) for displaying the intensity distribution generated by the mirrors to be monitored in the detection plane, in particular a screen made of a metal mesh or metal mesh, and a camera ( 103 ) for recording the intensity distribution generated on the screen. Überwachungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachungseinrichtung weiterhin eine Auswerteeinheit umfasst, mit der aus der von der Messlichterfassungseinrichtung ermittelten Intensitätsverteilung in der Detektionsebene der Messlichtanordnung die Ausrichtung der Spiegel der Facettenspiegelanordnung bestimmt wird. Monitoring device according to one of the preceding claims, characterized in that the monitoring device further comprises an evaluation unit with which the orientation of the mirrors of the facet mirror arrangement is determined from the intensity distribution determined by the measuring light detection device in the detection plane of the measuring light device. Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, welches mit einem vorbestimmten Arbeitslicht betrieben wird, um eine Maske zu beleuchten, mit – einer Facettenspiegelanordnung (7) aus einer Vielzahl von verkippbaren Spiegelfacetten (9), welche in einer Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems angeordnet sind, und – einer Überwachungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Bestimmung der Orientierung der Spiegelfacetten, bei der das Messlicht der Messlichtanordnung unabhängig vom und quer zum Arbeitslicht des Beleuchtungssystems auf die Facettenspiegelanordnung in der Feld- oder Pupillenebene geleitet werden kann, wobei die kippbaren Spiegel durch die Spiegelfacetten gebildet werden, oder – einer Messlichtanordnung, welche eine Messlichtquelle (100) aufweist, von der Messlicht unabhängig vom und quer zum Arbeitslicht des Beleuchtungssytems auf die Facettenspiegelanordnung in der Feld- oder Pupillenebene geleitet werden kann, wobei die Messlichtanordnung eine Messlichtoptik (101) zur Ausleuchtung der Facettenspiegelanordnung und eine Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtoptik (101) und die Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) so ausgebildet und angeordnet sind, dass eine Detektionsebene der Messlichterfassungseinrichtung in einer Hilfspupillenebene der Messlichtanordnung angeordnet ist, so dass in der Messlichterfassungseinrichtung die durch die Facettenspiegelanordnung erzeugte Intensitätsverteilung feststellbar ist. Illumination system for a microlithography projection exposure apparatus operated with a predetermined working light to illuminate a mask, comprising - a facet mirror assembly ( 7 ) of a plurality of tiltable mirror facets ( 9 ), which are arranged in a field or pupil plane of the illumination system, and - a monitoring device according to one of the preceding claims for determining the orientation of the mirror facets, wherein the measuring light of the measuring light arrangement independent of and transverse to the working light of the illumination system on the facet mirror arrangement in the field - or pupil plane can be passed, the tilting mirrors are formed by the mirror facets, or - a measuring light arrangement, which is a measuring light source ( 100 ), can be guided by the measuring light independent of and transverse to the working light of the Beleuchtungssytems on the facet mirror arrangement in the field or pupil plane, wherein the measuring light arrangement a Messlichtoptik ( 101 ) for illuminating the facet mirror arrangement and a measuring light detection device ( 102 . 103 ), characterized in that the measuring light optics ( 101 ) and the measuring light detection device ( 102 . 103 ) are formed and arranged such that a detection plane of the measurement light detection device is arranged in an auxiliary pupil plane of the measurement light arrangement, so that in the measurement light detection device that through the Facettenspiegelanordnung generated intensity distribution is detected. Beleuchtungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Messlicht elektromagnetische Strahlung ist, die sich in ihrem Wellenlängenbereich vom Arbeitslicht des Beleuchtungssystems unterscheidet. Lighting system according to claim 9, characterized in that the measuring light is electromagnetic radiation which differs in its wavelength range from the working light of the illumination system. Beleuchtungssystem nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtquelle (100), die Messlichtoptik (101) und ein Schirm (102) der Messlichterfassungseinrichtung so angeordnet sind, dass das Messlicht vergleichbar dem Arbeitslicht von der Messlichtquelle in die Hilfspupillenebene abgebildet wird. Illumination system according to claim 9 or 10, characterized in that the measuring light source ( 100 ), the measuring light optics ( 101 ) and a screen ( 102 ) of the measuring light detecting device are arranged so that the measuring light is mapped comparable to the working light of the measuring light source in the auxiliary pupil plane. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelfacetten (9) der Facettenspiegelanordnung (7) der Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems eine längliche bogensegmentartige Form aufweisen und in Spalten entlang einer Richtung quer zu ihrer Längserstreckung angeordnet sind, wobei die Messlichtquelle mit der Messlichtoptik jeweils Gruppen von Spiegelfacetten mit einer charakteristischen Beleuchtung ausleuchtet, wobei die charakteristische Beleuchtung jeder Gruppe von Spiegelfacetten durch die zu überwachenden Spiegelfacetten in die Detektionsebene der Messlichterfassungseinrichtung abgebildet wird, wobei eine Gruppe von Spiegelfacetten durch die Spiegelfacetten einer Spalte gebildet werden und wobei die charakteristiche Beleuchtung durch eine Streifenbeleuchtung gebildet wird, bei der die Streifen der Streifenbeleuchtung entlang den Spalten verlaufen. Illumination system according to one of Claims 9 to 11, characterized in that the mirror facets ( 9 ) of the facet mirror arrangement ( 7 ) of the field or pupil plane of the illumination system have an elongated arc segment-like shape and are arranged in columns along a direction transverse to their longitudinal extension, the measurement light source with the measurement light optics respectively illuminating groups of mirror facets with a characteristic illumination, the characteristic illumination of each group of mirror facets is imaged by the mirror facets to be monitored in the detection plane of the measuring light detecting device, wherein a group of mirror facets are formed by the mirror facets of a column and wherein the characteristic illumination is formed by a strip illumination in which the strips of the strip illumination run along the columns. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Messlichtoptik (101) so ausgebildet ist, dass die Facettenspiegelanordnung der Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems mit einem zwei-dimensional codierten Beleuchtungsmuster entsprechend der zwei-dimensionalen Anordnung der Spiegelfacetten der Facettenspiegelanordnung beleuchtet wird, so dass vorzugsweise jeder Spiegelfacette oder einer Gruppe von Spiegelfacetten eine charakteristische Beleuchtung zugeordnet ist. Illumination system according to one of Claims 9 to 11, characterized in that the measuring light optics ( 101 ) is configured such that the facet mirror arrangement of the field or pupil plane of the illumination system is illuminated with a two-dimensionally coded illumination pattern corresponding to the two-dimensional arrangement of the facet mirror arrangement's mirror facets, so that preferably each mirror facet or a group of mirror facets is associated with a characteristic illumination , Verfahren zur Bestimmung der Orientierung von kippbaren Spiegeln in einer Spiegelanordnung mit mehreren um mindestens eine Achse verkippbaren Spiegeln, insbesondere mit einer Überwachungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei mindestens eine Messlichtquelle mit mindestens einer Messlichtoptik und eine Erfassungseinrichtung für das Messlicht mit einer Detektionsebene bereit gestellt werden, wobei die Messlichtquelle mit der Messlichtoptik zumindest jeweils Gruppen von Spiegeln, vorzugsweise jeden einzelnen Spiegel mit einer charakteristischen Beleuchtung ausleuchtet, und wobei die charakteristische Beleuchtung jeder Gruppe oder jedes einzelnen Spiegel durch die zu überwachenden Spiegel in die Detektionsebene der Erfassungseinrichtung abgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Orientierung der kippbaren Spiegel anhand der Position der von jedem Spiegel reflektierten Intensität des Messlichts in der Detektionsebene ermittelt wird und in der Detektionsebene überlappende Intensitäten von mehreren Spiegeln anhand der charakterischen Beleuchtung separiert werden. Method for determining the orientation of tiltable mirrors in a mirror arrangement with a plurality of mirrors tiltable by at least one axis, in particular with a monitoring device according to one of claims 1 to 9, wherein at least one measuring light source with at least one measuring light optics and a detection device for the measuring light with a detection plane ready are provided, wherein the measuring light source illuminates the measurement light optics at least one respective groups of mirrors, preferably each mirror having a characteristic light, and wherein the characteristic illumination of each group or each mirror is imaged by the monitoring at the mirror in the detection plane of the detection device, characterized in that the orientation of the tiltable mirrors is determined on the basis of the position of the intensity of the measuring light reflected by each mirror in the detection plane and is superimposed in the detection plane ppende intensities of several mirrors are separated on the basis of the characteristic lighting. Verfahren zum Betrieb eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere für ein Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei das Beleuchtungssystem eine Facettenspiegelanordnung (7) aus einer Vielzahl von verkippbaren Spiegelfacetten (9), welche in einer Feld- oder Pupillenebene des Beleuchtungssystems angeordnet sind, und eine Messlichtanordnung umfasst, die eine Messlichtquelle (100) aufweist, von der Messlicht unabhängig vom und quer zum Arbeitslicht des Beleuchtungssytems auf die Facettenspiegelanordnung in der Feld- oder Pupillenebene geleitet werden kann, wobei die Messlichtanordnung eine Messlichtoptik (101) zur Ausleuchtung der Facettenspiegelanordnung und eine Messlichterfassungseinrichtung (102, 103) umfasst, und wobei die Messlichtoptik und die Messlichterfassungseinrichtung so ausgebildet und angeordnet sind, dass die Messlichterfassungseinrichtung zumindest teilweise in einer Hilfspupillenebene der Messlichtanordnung angeordnet ist, wobei Messlicht auf die Facettenspiegelanordung geleitet wird und die durch die Facettenspiegelanordnung erzeugte Intensitätsverteilung in der Hilfspupillenebene in der Messlichterfassungseinrichtung erfasst wird, und/oder dass die Messlichtquelle mit der Messlichtoptik zumindest jeweils Gruppen von Spiegelfacetten, vorzugsweise jede einzelne Spiegelfacette, mit einer charakteristischen Beleuchtung ausleuchtet, und wobei die charakteristische Beleuchtung jeder Gruppe oder jeder einzelnen Spiegelfacette durch die zu überwachenden Spiegelfacetten in eine Detektionsebene der Erfassungseinrichtung abgebildet wird, wobei die Orientierung der kippbaren Spiegelfacetten anhand der Position der von jeder Spiegelfacette reflektierten Intensität des Messlichts in der Detektionsebene ermittelt wird und in der Detektionsebene überlappende Intensitäten von mehreren Spiegelfacetten anhand der charakterischen Beleuchtung separiert werden.. Method for operating an illumination system of a microlithography projection exposure apparatus, in particular for a lighting system according to one of Claims 9 to 14, the illumination system comprising a facet mirror arrangement ( 7 ) of a plurality of tiltable mirror facets ( 9 ), which are arranged in a field or pupil plane of the illumination system, and a measuring light arrangement, which comprises a measuring light source ( 100 ), can be guided by the measuring light independent of and transverse to the working light of the Beleuchtungssytems on the facet mirror arrangement in the field or pupil plane, wherein the measuring light arrangement a Messlichtoptik ( 101 ) for illuminating the facet mirror arrangement and a measuring light detection device ( 102 . 103 ), and wherein the measurement light optics and the measurement light detection device are designed and arranged such that the measurement light detection device is arranged at least partially in an auxiliary pupil plane of the measurement light arrangement, wherein measurement light is directed to the facet mirror arrangement and detects the intensity distribution generated by the facet mirror arrangement in the auxiliary pupil plane in the measurement light detection device is, and / or that the measuring light source with the measuring light optics at least groups of mirror facets, preferably each individual mirror facet, illuminates with a characteristic illumination, and wherein the characteristic illumination of each group or each mirror facet imaged by the mirror facets to be monitored in a detection plane of the detection device with the orientation of the tiltable mirror facets being determined by the position of the intensity of the measurement reflected by each mirror facet is determined in the detection plane and in the detection plane overlapping intensities of several mirror facets are separated on the basis of the characteristic illumination.
DE102013217260.5A 2013-08-29 2013-08-29 Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement Withdrawn DE102013217260A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013217260.5A DE102013217260A1 (en) 2013-08-29 2013-08-29 Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013217260.5A DE102013217260A1 (en) 2013-08-29 2013-08-29 Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013217260A1 true DE102013217260A1 (en) 2014-09-25

Family

ID=51484759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013217260.5A Withdrawn DE102013217260A1 (en) 2013-08-29 2013-08-29 Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102013217260A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015215213A1 (en) * 2015-08-10 2016-07-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
CN113632010A (en) * 2019-03-26 2021-11-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Optical device and lithographic apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008095695A2 (en) 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2009015845A1 (en) 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102009009372A1 (en) 2009-02-18 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Monitoring of tiltable mirrors
WO2012076188A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv lithography system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008095695A2 (en) 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US20120293784A1 (en) 2007-02-06 2012-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2009015845A1 (en) 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102009009372A1 (en) 2009-02-18 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Monitoring of tiltable mirrors
WO2010094658A1 (en) 2009-02-18 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Monitoring of tiltable mirrors
WO2012076188A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv lithography system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015215213A1 (en) * 2015-08-10 2016-07-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
CN113632010A (en) * 2019-03-26 2021-11-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Optical device and lithographic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012010093A1 (en) facet mirror
DE102007005875A1 (en) Optical element's e.g. multi mirror array, surface changes determining device for use during production of finely structured semiconductor component, has measuring illumination device to illuminate optical element with measuring rays bundle
DE102021118327B4 (en) Measuring camera for the two-dimensional measurement of objects
DE102012208016A1 (en) Illumination lens for lighting system of scanner to manufacture e.g. memory chips, has optical component for guiding light to field, where lens is formed such that beam tufts are overlaid for coinciding edges of beam tufts in sections
DE102016212464A1 (en) Measuring device for determining a wavefront error
DE10014334A1 (en) Device and method for spatially resolved refractive power determination
DE102020210829A1 (en) Pupil facet mirror for an illumination optics of a projection exposure system
WO2024068293A1 (en) Euv reflectometer and measuring method
DE102013217260A1 (en) Measurement of the tilt angle of tiltable mirrors with a measuring light arrangement
DE102011076658A1 (en) Illumination lens for use in projection illumination system for extreme UV-projection lithography for manufacturing e.g. semiconductor chip, has first selection facet comprising larger surface than surfaces of second and third facets
DE102017200934A1 (en) Method for operating a manipulator of a projection exposure apparatus
DE102018218129B4 (en) Method for determining positions of a plurality of pixels to be incorporated into a substrate of a photolithographic mask
DE102018207384B4 (en) Method for measuring an illumination system of a microlithography projection exposure apparatus and projection exposure apparatus
DE102015214012A1 (en) Tilting mirror monitoring
DE102014207865A1 (en) Device for tilt monitoring of mirror of projection exposure system for microlithography, has tiltable element with dispersion element, which decomposes incident broadband monitoring light into spectral colors
DE102012210071A1 (en) Projection exposure apparatus and method for controlling a projection exposure apparatus
DE102013204015A1 (en) Spectral decomposition for Mikrospiegelkippwinkelbestimmung
DE102015112769A1 (en) Apparatus and method for optical sample examination
DE102012210073A1 (en) Illumination optics for projection exposure system for extreme UV projection lithography for manufacturing micro or nano-structured component, has partial optics designed such that light strikes on facet mirror with convergent optical path
EP2237079B1 (en) Device for homogenising coherent radiation
DE4322609B4 (en) Method and device for testing focusing optics
DE10307884A1 (en) Method for determining optimal grating parameters for the production of a diffraction grating for a VUV spectrometer
DE102021203961B3 (en) Pupil diaphragm for an illumination optics of a metrology system, illumination optics and metrology system
DE102010000550A1 (en) Method for focusing an object plane and optical arrangement
DE102013210699B4 (en) Method for determining the position of an aerial image

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G03F0007200000

Ipc: G01M0011000000

R230 Request for early publication
R120 Application withdrawn or ip right abandoned
R120 Application withdrawn or ip right abandoned

Effective date: 20141009