DE102013203532A1 - Bauteilekühlung - Google Patents

Bauteilekühlung Download PDF

Info

Publication number
DE102013203532A1
DE102013203532A1 DE201310203532 DE102013203532A DE102013203532A1 DE 102013203532 A1 DE102013203532 A1 DE 102013203532A1 DE 201310203532 DE201310203532 DE 201310203532 DE 102013203532 A DE102013203532 A DE 102013203532A DE 102013203532 A1 DE102013203532 A1 DE 102013203532A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
component
base plate
chip
component cooling
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201310203532
Other languages
English (en)
Inventor
Pirmin Dorfstätter
Gereon Johannes Pusch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Magna Powertrain GmbH and Co KG
Original Assignee
Magna Powertrain GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Magna Powertrain GmbH and Co KG filed Critical Magna Powertrain GmbH and Co KG
Priority to DE201310203532 priority Critical patent/DE102013203532A1/de
Priority to PCT/EP2014/053823 priority patent/WO2014131829A1/de
Publication of DE102013203532A1 publication Critical patent/DE102013203532A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4846—Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Beschrieben wird eine Bauteilekühlung eines auf einer Grundplatte sitzenden elektrischen Bauteils, insbesondere eines Leistungsbauteiles in Form eines Chip (C), wobei das Bau-teil (C) über auf der der abgewandten Seite der Grundplatte (GP) verlaufende Leitungen (BD) elektrisch kontaktiert ist, wobei eine der elektrischen Leitungen (BD) mit einer Kühleinrichtung verbunden ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Bauteilekühlung der Art von Anspruch 1.
  • Elektronische Bauteile entwickeln während des Betriebs Wärme, die zur Erhaltung der Funktionssicherheit abgeführt werden muss. Im Bereich KFZ-Elektronik werden insbesondere IGBT-Module (insulated-gate bipolar transistor), MOSFETs für Schaltvorgänge benutzt. Durch die z.T. beträchtlichen Ströme entsteht Abwärme, die abgeleitet werden muss, um bauteilschädigende Erwärmungen zu verhindern. Üblich ist die Anordnung der Abwärme entwickelnden Bauteile in Kontakt mit Kühlkörpern.
  • Die DE 10 2004 018 469 B3 sieht eine Leistungshalbleiterschaltung mit einem flach Leistungsmodul vor. Das Leistungshalbleitermodul ist direkt auf einer Deckschiene einer stromführenden Verschienung angeordnet. Eine Kühleinrichtung ist in der Verschienung integriert. Die Kühleinrichtung verläuft zwischen Bauelement und den das Element tragenden Stromschienen.
  • Die DE 93 07 464 U1 beschreibt eine Vorrichtung zum Einspannen von scheibenförmigen Halbleiterbauelementen, die entlang einer Stromschiene angeordnet sind. In der Stromschiene sind Kühlkanäle angeordnet.
  • Aus der DE 43 38 277 A1 ist ein flüssigkeitsgekühltes Stromrichtermodul mit einem Leistungshalbleiter bekannt, bei welchem die Bauteile auf einem Isolierbaugruppenträger mit einer Strompfadverschienung angeordnet sind.
  • Bei der DE 10 2008 063 724 A1 und der DE 10 2008 061 489 A1 sind Sammelschienenanordnungen mit einer eingebauten Kühlung vorgesehen. Der Entwärmungsweg folgt über die die Bauteile tragende Grundplatte und die Verschienung.
  • Die Stromschiene der DE 197 15 178 A1 trägt zur Wärmeabgabe einen Kühlkörper.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, Bauteilekühlung in gegenüber den bekannten Lösungen verbesserter Ausführung vorzuschlagen.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale von Anspruch 1. Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
  • Die Erfindung sieht eine Bauteilekühlung eines auf einer Grundplatte sitzenden elektrischen Bauteils vor, wobei das Bauteil über auf der der abgewandten Seite der Grundplatte verlaufende Leitungen elektrisch kontaktiert ist, wobei eine der elektrischen Leitungen eine Kühleinrichtung aufweist bzw. mit einer solchen verbunden ist.
  • Bevorzugt erfolgt die Kühlung über eine Stromschiene, welche oberhalb der das Bauteil tragenden Anordnung sitzt und in ihrer Dimensionierung zur Ableitung eines vorgesehenen Wärmestromes ausgeführt ist. Die Bonddrähte des Chip sind zu einer, mehreren Stromschienen geführt. Die Kontakte der Bonddrähte zum Chip sind zwar kleinflächig, durch das gut wärmeleitende Material (Kupfer) erfolgt auf diesem Weg eine Entwärmung, das thermische Niveau des Chip wird spürbar gesenkt.
  • Eine weitere bevorzugte Ausführung der Erfindung sieht eine Ergänzung der Stromschienen mit Kühlkanälen vor. Diese Erweiterung erhöht den Bauraum der Stromschienen, jedoch kann so eine Kühlung, eine Entwärmung sehr nahe am Chip realisiert werden, wobei ein vorhandener Kühlkreislauf genutzt wird.
  • Bei üblicher Anordnung von elektronischen Leistungsbauelementen erfolgt die Entwärmung über eine Grundplatte, die das Bauelement trägt. Zusätzlich kann an der Rückseite der Grundplatte, auf der dem Bauteil abgewandten Seite ein Kühlkörper angeordnet sein.
  • Die Erfindung sieht eine zusätzliche Entwärmung, eine Wärmeabfuhr oberhalb der Grundplatte vor. Vorzugsweise werden die Bonddrähte des Chip genutzt, wozu diese in Wärmekontakt mit einer Stromschiene gebracht werden.
  • Des Weiteren wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand der Zeichnungen beschrieben.
  • 1 zeigt einen Chip C, der in gutem Wärmekontakt auf einer Grundplatte GP angeordnet ist. Der Chip C sitzt über eine DBC-Schicht (Directed Bonded Copper) sowie einer Lotschicht LS auf der Grundplatte GP. Diese Grundplatte GP weist an ihrer Rückseite – der dem Chip C abgewandten Seite – einen Kühlkörper KK auf. Der Kühlkörper KK ist über eine Wärmeleitpaste WLP in gutem thermischen Kontakt mit der Grundplatte GP über Schrauben verbunden. Dadurch erfolgt ein erster und auch wesentlicher Wärmetransport vom Chip C über dessen Rückseite und die Grundplatte GP in den Kühlkörper KK. Dieser Wärmetransport ist in 1 mit den nach unten in den Kühlkörper KK weisenden Pfeilen angedeutet.
  • Der Chip C ist über eine Anzahl Bonddrähte BD kontaktiert. Über in Form von Stromschienenkörpern SK gestalteter Anschlüsse A erfolgt die elektrische Verbindung zu mit dem Chip C zusammenwirkenden Komponenten. Die Anschlüsse A sind in der Dimensionierung für einen Wärmetransport ausgelegt, d.h. in Querschnitt und Material entsprechend gestaltet. Die Anschlüsse A sehen mit einer nicht dargestellten Temperatursenke in Verbindung, so dass die vom Chip C über dessen Bonddrähte abgegebene Wärme abgeführt wird. Dieser Wärmestrom ist durch die in der 1 wiedergegebenen und nach oben weisenden Pfeile angedeutet.
  • Die 2 und 3 zeigen den erfindungsgemäßen Stromschienenkörper SK in perspektivischer sowie in geschnittener Darstellung. Der Stromschienenkörper SK weist Kontakte auf, die der Verbindung mit dem Chip dienen. Über die Bonddrähte BD aber auch die über die DBC abgeleitete Wärme des Chip C nimmt der Stromkörper SK Wärme auf, welche durch in seinem Inneren verlaufende Kühlmittelkanäle weitergeleitet wird.
  • 3 zeigt einen Schnitt durch den Stromschienenkörper SK nach 2. Im Inneren weist der aus einem Kunststoff gefertigte Stromschienenkörper SK zwei Leiterbahnen LB1, LB2 auf, denen insgesamt drei Kühlmittelkanäle KK1, KK2, KK3 zugeordnet sind. Über diese Kühlmittelkanäle KK1, KK2, KK3 erfolgt der Wärmetransport der über die Bonddrähte BD sowie den Flächenkontakt des Stromschienenkörpers SK eingebrachten Wärmemenge.
  • Die von einem Kühlmittelfluid durchflossenen Kühlmittelkanäle KK1, KK2, KK3 stehen mit einem vorhandenen Kühlsystem der Elektronik in Kontakt und geben ihre im Bereich des Chip C aufgenommene Wärme an diese Wärmesenke ab.
  • Bezugszeichen
    • C
      Chip
      BD
      Bonddraht
      GP
      Grundplatte
      DBC
      Directed Bonded Copper
      LS
      Lotschicht
      KK
      Kühlkörper
      WLP
      Wärmeleitpaste
      A
      Anschluss
      SK
      Stromschienenkörper
      LB1, LB2
      Leiterbahn elektrisch
      KK1, KK2, KK3
      Kühlmittelkanal
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102004018469 B3 [0003]
    • DE 9307464 U1 [0004]
    • DE 4338277 A1 [0005]
    • DE 102008063724 A1 [0006]
    • DE 102008061489 A1 [0006]
    • DE 19715178 A1 [0007]

Claims (7)

  1. Bauteilekühlung eines auf einer Grundplatte sitzenden elektrischen Bauteils, insbesondere eines Leistungsbauteiles in Form eines Chip (C), wobei das Bauteil (C) über auf der der abgewandten Seite der Grundplatte (GP) verlaufende Leitungen (BD) elektrisch kontaktiert ist, und wobei eine der elektrischen Leitungen (BD) mit einer Kühleinrichtung verbunden ist.
  2. Bauteilekühlung nach Anspruch 1, die elektrische Leitung (BD) ist in einen Anschluss (A) geführt, der als Wärmeleiter ausgebildet ist.
  3. Bauteilekühlung nach Anspruch 1, der Anschluss (A) ist als einen Stromschienenkörper (SK) ausgebildet und weist einen von einem Kühlmittel durchströmten Kühlmittelkanal (KK1, KK2, KK3) auf.
  4. Bauteilekühlung nach Anspruch 3, der Stromschienenkörper (SK) weist eine Anzahl elektrischer Leiterbahnen (LB1, LB2) sowie eine Anzahl Kühlmittelkanäle (KK1, KK2, KK3) auf.
  5. Bauteilekühlung nach Anspruch 4, die elektrischen Leiterbahnen (LB1, LB2) sowie die Kühlmittelkanäle (KK1, KK2, KK3) sind paarweise abwechselnd angeordnet.
  6. Bauteilekühlung nach Anspruch 3, 4 oder 5, der Stromschienenkörper (SK) ist aus Kunststoff gefertigt.
  7. Bauteilekühlung nach Anspruch 3, 4, 5 oder 6, der Kühlmittelkanal (KK1, KK2, KK3) des Stromschienenkörpers (SK) steht mit einem Kühlungssystem der Elektronik in Verbindung.
DE201310203532 2013-03-01 2013-03-01 Bauteilekühlung Withdrawn DE102013203532A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310203532 DE102013203532A1 (de) 2013-03-01 2013-03-01 Bauteilekühlung
PCT/EP2014/053823 WO2014131829A1 (de) 2013-03-01 2014-02-27 Bauteilekühlung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310203532 DE102013203532A1 (de) 2013-03-01 2013-03-01 Bauteilekühlung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013203532A1 true DE102013203532A1 (de) 2014-09-04

Family

ID=50184924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201310203532 Withdrawn DE102013203532A1 (de) 2013-03-01 2013-03-01 Bauteilekühlung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102013203532A1 (de)
WO (1) WO2014131829A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016200724A1 (de) 2016-01-20 2017-07-20 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Kühlung mindestens einer Stromschiene und korrespondierende Leistungsschaltung

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE9307464U1 (de) 1993-05-17 1993-07-15 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
DE4338277A1 (de) 1993-07-17 1995-01-19 Abb Patent Gmbh Flüssigkeitsgekühltes Stromrichtermodul mit Beschaltungsbauelementen für abschaltbare Leistungshalbleiter
DE19715178A1 (de) 1997-04-11 1998-10-22 Loh Kg Rittal Werk Stromsammelschiene für ein Sammelschienensystem
JP2005123265A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーデバイス冷却装置及びモータ駆動用インバータユニット
DE102004018469B3 (de) 2004-04-16 2005-10-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung
JP2007215396A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Nissan Motor Co Ltd 半導体電力変換装置
DE102008063724A1 (de) 2007-12-19 2009-07-23 GM Global Technology Operations, Inc., Detroit Sammelschienenanordnung mit eingebauter Kühlung
DE102008061489A1 (de) 2008-12-10 2010-06-17 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichtermodul mit gekühlter Verschienung
DE102009005915A1 (de) * 2009-01-23 2010-08-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4044265B2 (ja) * 2000-05-16 2008-02-06 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JPWO2010147199A1 (ja) * 2009-06-19 2012-12-06 株式会社安川電機 配線基板および電力変換装置
JP2011115020A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Toyota Motor Corp パワーユニット
JP2011114307A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Toyota Motor Corp パワー半導体ユニット

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE9307464U1 (de) 1993-05-17 1993-07-15 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
DE4338277A1 (de) 1993-07-17 1995-01-19 Abb Patent Gmbh Flüssigkeitsgekühltes Stromrichtermodul mit Beschaltungsbauelementen für abschaltbare Leistungshalbleiter
DE19715178A1 (de) 1997-04-11 1998-10-22 Loh Kg Rittal Werk Stromsammelschiene für ein Sammelschienensystem
JP2005123265A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーデバイス冷却装置及びモータ駆動用インバータユニット
DE102004018469B3 (de) 2004-04-16 2005-10-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung
JP2007215396A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Nissan Motor Co Ltd 半導体電力変換装置
DE102008063724A1 (de) 2007-12-19 2009-07-23 GM Global Technology Operations, Inc., Detroit Sammelschienenanordnung mit eingebauter Kühlung
DE102008061489A1 (de) 2008-12-10 2010-06-17 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichtermodul mit gekühlter Verschienung
DE102009005915A1 (de) * 2009-01-23 2010-08-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016200724A1 (de) 2016-01-20 2017-07-20 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Kühlung mindestens einer Stromschiene und korrespondierende Leistungsschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014131829A1 (de) 2014-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011077543B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102008048005B3 (de) Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102006037118B3 (de) Halbleiterschaltmodul für Bordnetze mit mehreren Halbleiterchips, Verwendung eines solchen Halbleiterschaltmoduls und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102015110653A1 (de) Doppelseitiges Kühl-Chipgehäuse und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102012218868B3 (de) Leistungshalbleitermodul
EP3332420B1 (de) Bauteilmodul und leistungsmodul
DE112016001711T5 (de) Leistungselektronikmodul
DE112014002061T5 (de) Halbleitermodul
DE102007003875A1 (de) Stromrichter
EP2926372B1 (de) Verfahren zu herstellung einer halbleitervorrichtung
DE102015104996B4 (de) Halbleitervorrichtungen mit Steuer- und Lastleitungen von entgegengesetzter Richtung
DE102014118080A1 (de) Wärmespreizer, elektronisches Modul mit einem Wärmespreizer und Verfahren zur Herstellung davon
DE112012006842T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE112019003336T5 (de) Halbleitervorrichtung
WO2018055148A1 (de) Leistungsmodul
DE19845821A1 (de) Stromrichtereinheit in Modulbauweise, insbesondere für Schienenfahrzeuge
DE102014104497A1 (de) Halbleitergehäuse mit mehreren Ebenen
DE102005050534B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102018109996B4 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung
DE102014213545A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102012216148A1 (de) Schaltungsanordnung mit Schaltungsträgern
DE102014205958A1 (de) Halbleiterschaltelementanordnung und Steuergeräteinrichtung für ein Fahrzeug
DE102013203532A1 (de) Bauteilekühlung
DE102019218157A1 (de) Leistungsmodul mit gehäusten Leistungshalbleitern zur steuerbaren elektrischen Leistungsversorgung eines Verbrauchers sowie Verfahren zur Herstellung
DE202019106541U1 (de) Leistungsmodul mit gehäusten Leistungshalbleitern zur steuerbaren elektrischen Leistungsversorgung eines Verbrauchers

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MAGNA POWERTRAIN GMBH & CO KG, AT

Free format text: FORMER OWNER: MAGNA POWERTRAIN AG & CO. KG, LANNACH, AT

R082 Change of representative

Representative=s name: RAUSCH, GABRIELE, DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT., DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee