DE102012203135B4 - Micromechanical sensor arrangement and a corresponding manufacturing process and use - Google Patents

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Abstract

Mikromechanische Sensoranordnung mit:einem Substrat (S; S1; S1') mit einer Vorderseite (V; V1; V1') und einer Rückseite (R; R1; R1');wobei auf der Vorderseite (V; V1; V1') eine erste mikromechanische Sensorvorrichtung (M1; M11; M11') und auf der Rückseite (R; R1; R1') eine zweite mikromechanische Sensorvorrichtung (M2; M12; M12') integriert ist,wobei die erste mikromechanische Sensorvorrichtung (M11) einen Inertialsensor und die zweite mikromechanische Sensorvorrichtung (M12) einen Drucksensorbereich oder einen Magnetfeldsensor umfasst.Micromechanical sensor arrangement with: a substrate (S; S1; S1 ') with a front side (V; V1; V1') and a rear side (R; R1; R1 '); with a first micromechanical sensor device (M1; M11; M11 ') and on the rear side (R; R1; R1') a second micromechanical sensor device (M2; M12; M12 ') is integrated, the first micromechanical sensor device (M11) an inertial sensor and the second micromechanical sensor device (M12) comprises a pressure sensor area or a magnetic field sensor.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine mikromechanische Sensoranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren sowie eine entsprechende Verwendung.The present invention relates to a micromechanical sensor arrangement and a corresponding manufacturing method and a corresponding use.

Stand der TechnikState of the art

Mikromechanische Sensoranordnungen werden heutzutage entweder als diskrete Sensoren auf eigenen Chips oder als integrierte Sensoren zusammen mit einer zugehörigen Auswerteschaltung hergestellt. Bei integrierten Sensoren gibt es entweder eine vertikale Integration, wobei der Sensor oberhalb der Auswerteschaltung angeordnet ist, oder eine laterale Integration, wobei der Sensor neben der Auswerteschaltung angeordnet ist.Micromechanical sensor arrangements are nowadays produced either as discrete sensors on their own chips or as integrated sensors together with an associated evaluation circuit. In the case of integrated sensors, there is either vertical integration, with the sensor being arranged above the evaluation circuit, or lateral integration, with the sensor being arranged next to the evaluation circuit.

Bei lateraler Integration erfordert die Montage von Sensorchip und ASIC-Auswerteschaltungschip nebeneinander erhöhten lateralen Platz, und es müssen kostenintensive elektrische Verbindungen zwischen den Chips geschaffen werden. Bei vertikaler Integration von Sensorchip und ASIC-Auswerteschaltungschip bzw. umgekehrt bestehen Einschränkungen in der Designfreiheit, und die Gesamthöhe des Aufbaus ist ebenfalls beträchtlich.In the case of lateral integration, the assembly of the sensor chip and the ASIC evaluation circuit chip next to one another requires increased lateral space, and cost-intensive electrical connections must be created between the chips. With vertical integration of the sensor chip and ASIC evaluation circuit chip, or vice versa, there are restrictions in the freedom of design and the overall height of the structure is also considerable.

Der für die Auswerteschaltung vorgesehene Flächenanteil des Chips muss einen komplexen und aus vielen Schritten bestehenden Halbleiterprozess und anschließend noch den Sensorprozess durchlaufen. Dies reduziert die Gesamtausbeute und führt in der Regel zu Mehrkosten dadurch, dass die Schaltungsfläche die Sensorprozessschritte und umgekehrt die Sensorfläche die Halbleiterprozessschritte durchlaufen muss.The area of the chip intended for the evaluation circuit must go through a complex semiconductor process consisting of many steps and then the sensor process. This reduces the overall yield and usually leads to additional costs because the circuit area has to go through the sensor process steps and, conversely, the sensor area has to go through the semiconductor process steps.

Kostengünstig wird dieser Ansatz nur, wenn z.B. hohe Prozesssynergien genutzt werden können und die jeweiligen Prozessausbeuten sehr hoch sind. Ein modularer Austausch des ASIC-Schaltungschips ist nicht ohne Weiteres möglich.This approach is only cost-effective if e.g. high process synergies can be used and the respective process yields are very high. A modular exchange of the ASIC circuit chip is not easily possible.

Aus der US 7 213 465 B2 ist die Integration eines Sensorelements auf der Rückseite eines ASIC-Schaltungschips bekannt.From the US 7 213 465 B2 the integration of a sensor element on the back of an ASIC circuit chip is known.

In JP H07-209327 A ist ein Beschleunigungssensor beschrieben, welcher ein Substrat umfasst, auf dessen Oberseite ein erster Sensorteil angeordnet ist, welcher eine Beschleunigung in x-Richtung misst, und auf dessen Unterseite ein zweiter Sensorteil angeordnet ist, welcher eine Beschleunigung in y-Richtung misst.In JP H07-209327 A an acceleration sensor is described which comprises a substrate on the upper side of which a first sensor part is arranged, which measures an acceleration in the x-direction, and on the lower side of which a second sensor part is arranged, which measures an acceleration in the y-direction.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die vorliegende Erfindung schafft eine mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Herstellungsverfahren nach Anspruch 5 sowie eine entsprechende Verwendung nach Anspruch 9.The present invention creates a micromechanical sensor arrangement according to claim 1 and a corresponding manufacturing method according to claim 5 and a corresponding use according to claim 9.

Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.Preferred further developments are the subject of the subclaims.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Die erfindungsgemäße mikromechanische Sensoranordnung und das entsprechende Herstellungsverfahren erlauben eine sehr kostengünstige Sensorfertigung und ermöglichen eine besonders platz- bzw. raumsparende, kleine Bauweise für Sensoren und/oder Aktoren. Gleichzeitig ermöglicht die Anordnung einen modularen Aufbau, der es erlaubt, einzelne Chips ohne große Entwicklungsaufwände durch andere zu ersetzen.The micromechanical sensor arrangement according to the invention and the corresponding production method allow very cost-effective sensor production and enable a particularly space-saving and space-saving, small design for sensors and / or actuators. At the same time, the arrangement enables a modular structure that allows individual chips to be replaced by others without great development effort.

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, auf einem einzigen Substrat mindestens zwei funktionale MEMS-Bereiche monolithisch zu integrieren, wobei die funktionalen MEMS-Bereiche auf gegenüberliegenden Oberflächen des Substrats integriert sind. In den funktionalen MEMS-Bereichen werden jeweils Sensoren und/oder Aktoren realisiert, die vorzugsweise auf verschiedene äußere voneinander unabhängige Stimuli empfindlich sind bzw. reagieren.The idea on which the present invention is based consists in monolithically integrating at least two functional MEMS areas on a single substrate, the functional MEMS areas being integrated on opposite surfaces of the substrate. In the functional MEMS areas, sensors and / or actuators are implemented, which are preferably sensitive or react to different external, independent stimuli.

Optional kann mindestens ein weiteres strukturiertes Substrat mit einem funktionalen MEMS-Bereich oder als Schutz auf wenigstens einer der beiden Oberflächen durch ein Bondverfahren mit dem Substrat verbunden sein.Optionally, at least one further structured substrate can be connected to the substrate with a functional MEMS area or as protection on at least one of the two surfaces by a bonding process.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind ein oder mehrere Inertialsensorbereiche und ein Magnetsensorbereich auf gegenüberliegenden Oberflächen desselben Substrats vorgesehen.In a preferred embodiment, one or more inertial sensor areas and a magnetic sensor area are provided on opposite surfaces of the same substrate.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind ein oder mehrere Inertialsensorbereiche und ein Drucksensorbereich auf gegenüberliegenden Oberflächen desselben Substrats vorgesehen.In a further preferred embodiment, one or more inertial sensor areas and a pressure sensor area are provided on opposite surfaces of the same substrate.

Optional können die beiden gegenüberliegenden Oberflächen des Substrats mittels einem oder mehrerer Durchkontakte miteinander verbunden werden.Optionally, the two opposite surfaces of the substrate can be connected to one another by means of one or more through contacts.

Eine besonders bevorzugte Verwendungsmöglichkeit der erfindungsgemäßen mikromechanischen Sensoranordnung besteht in der Verwendung zur Navigation in mobilen Endgeräten.A particularly preferred possible use of the micromechanical sensor arrangement according to the invention is to use it for navigation in mobile terminals.

Die Erfindung ermöglicht somit die Integration mehrerer MEMS-Funktionen auf einem Substrat verbunden mit einem kostengünstigen vertikalen Integrationsansatz, wobei die Siliziumfläche nur zwei weniger komplexe Sensorprozesse durchläuft. Ebenfalls vereinfacht ist die Aufbau- und Verbindungstechnik.The invention thus enables the integration of several MEMS functions on a substrate combined with a cost-effective vertical integration approach, the silicon area only going through two less complex sensor processes. The construction and connection technology is also simplified.

Prinzipiell lässt sich durch die monolithische Integration von verschiedenen MEMS-Funktionen auf einem Substrat eine erhöhte Paarungsdichte und damit kleinere Bauelemente realisieren. Bei der Integration von MEMS-Funktionen mit verschiedenen Wirkprinzipien und Funktionsschichten (magnetisch/kapazitiv) werden jedoch oft verschiedene Funktionsschichten benötigt. Werden diese verschiedenen MEMS-Funktionen nach dem Stand der Technik auf einer einzigen Oberfläche eines Substrats hergestellt, so ergeben sich in der Regel nur sehr geringe Prozesssynergien, und entstehen gleichzeitig geometrische Einschränkungen für das Design der MEMS-Funktionen. In vielen Fällen müssen Extramaßnahmen zur Vermeidung von unerwünschten Prozesswechselwirkungen, z.B. Aufbringung von temporären Schutzschichten, getroffen werden. Die Ausbeuten der MEMS-Prozesse für die verschiedenen MEMS-Funktionen werden miteinander multipliziert, was dazu führt, dass die Prozesskosten höher liegen als sie eigentlich sein sollten.In principle, through the monolithic integration of various MEMS functions on a substrate, an increased pairing density and thus smaller components can be achieved. When integrating MEMS functions with different operating principles and functional layers (magnetic / capacitive), however, different functional layers are often required. If these various MEMS functions are produced according to the state of the art on a single surface of a substrate, there are generally only very slight process synergies and, at the same time, geometric restrictions arise for the design of the MEMS functions. In many cases, extra measures must be taken to avoid undesirable process interactions, e.g. Application of temporary protective layers. The yields of the MEMS processes for the various MEMS functions are multiplied with one another, which means that the process costs are higher than they should actually be.

Die Erfindung ermöglicht die Integration von MEMS-Funktionen, insbesondere mit unterschiedlichen Wirkprinzipien und Funktionsschichten, auf verschiedenen Seiten eines Substrats, wodurch die geometrische Einschränkung im Design der MEMS-Funktionen praktisch vollständig entfällt. Können beide MEMS-Prozesse mit hoher Ausbeute gefahren werden, ergibt sich ein Kostenvorteil gegenüber diskreten, lateralen und vertikalen Integrationskonzepten.The invention enables the integration of MEMS functions, in particular with different operating principles and functional layers, on different sides of a substrate, whereby the geometric restriction in the design of the MEMS functions is practically completely eliminated. If both MEMS processes can be run with a high yield, there is a cost advantage compared to discrete, lateral and vertical integration concepts.

Werden die beiden gegenüberliegenden Oberflächen des Substrats mittels Durchkontakten miteinander verbunden, so müssen elektrische Verbindungen nur zu einer der Oberflächen geschaffen werden, um die Sensorsignale nach außen führen zu können. Der Verpackungsprozess wird dadurch günstiger. Die Prozessschritte zur Erzeugung der Durchkontakte finden für alle auf dem Substrat befindlichen Bauelemente simultan statt, und sie können daher - vor allem bei vielen Durchkontakten - in Summe günstiger sein als ein serieller Kontaktierungsprozessschritt beim Verpacken der elektrischen Verbindungen auf beiden Oberflächen schafft.If the two opposing surfaces of the substrate are connected to one another by means of through contacts, electrical connections only need to be created to one of the surfaces in order to be able to lead the sensor signals to the outside. This makes the packaging process cheaper. The process steps for producing the vias take place simultaneously for all components located on the substrate, and they can therefore - especially with many vias - overall be cheaper than a serial contacting process step creates when packaging the electrical connections on both surfaces.

FigurenlisteFigure list

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren der Zeichnungen angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:

  • 1 eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 5 einen Fließplan eines Herstellungsverfahrens für eine mikromechanische Sensoranordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
The present invention is explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments specified in the schematic figures of the drawings. Show it:
  • 1 a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a first embodiment of the present invention;
  • 2 a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a second embodiment of the present invention;
  • 3 a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a third embodiment of the present invention;
  • 4th a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a fourth embodiment of the present invention; and
  • 5 a flow chart of a production method for a micromechanical sensor arrangement according to a fifth embodiment of the present invention.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 1 shows a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a first specific embodiment of the present invention.

In 1 bezeichnet Bezugszeichen S ein Substrat, beispielsweise ein Siliziumsubstrat, welches eine Vorderseite V und eine Rückseite R aufweist. Ein erster funktionaler MEMS-Bereich M1 ist auf der Vorderseite V integriert, und ein zweiter funktionaler MEMS-Bereich M2 ist auf der Rückseite integriert. Unter einem funktionalen MEMS-Bereich soll verstanden werden, dass zumindest ein Sensor und/oder ein Aktor in diesem Bereich ausgebildet ist. K1 bezeichnet eine elektrische Kontaktfläche auf der Vorderseite V, und K2 bezeichnet eine elektrische Kontaktfläche auf der Rückseite R.In 1 denotes reference numerals S. a substrate, for example a silicon substrate, which has a front side V and a back R. having. A first functional MEMS area M1 is on the front V integrated, and a second functional MEMS area M2 is integrated on the back. A functional MEMS area should be understood to mean that at least one sensor and / or one actuator is formed in this area. K1 refers to an electrical contact surface on the front V , and K2 denotes an electrical contact surface on the back R. .

Durch eine derartige Anordnung von funktionalen MEMS-Bereichen M1, M2 auf gegenüberliegenden Seiten V, R des Substrats S lässt sich eine effektive Integration, geringe Bauhöhe und kostengünstige Prozessführung realisieren.Such an arrangement of functional MEMS areas M1 , M2 on opposite pages V , R. of the substrate S. effective integration, low overall height and inexpensive process management can be achieved.

2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 shows a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a second specific embodiment of the present invention.

Bei der zweiten Ausführungsform gemäß 2 ist die elektrische Kontaktierung im Vergleich zur ersten Ausführungsform gemäß 1 geändert.In the second embodiment according to 2 is the electrical contact compared to the first embodiment according to FIG 1 changed.

Insbesondere ist bei der zweiten Ausführungsform eine elektrische Kontaktfläche K1' auf der Vorderseite V vorgesehen, sowie ein von einer Isolationsschicht I umgebener elektrischer Durchkontakt D, beispielsweise aus Wolfram, im Substrat S vorgesehen, welcher von dem zweiten funktionalen MEMS-Bereich M2 zum ersten funktionalen MEMS-Bereich M1 verläuft.In particular, in the second embodiment there is an electrical contact surface K1 ' on the front side V provided, as well as one from an insulation layer I. surrounded electrical via D. , for example made of tungsten, in the substrate S. provided which of the second functional MEMS area M2 to the first functional MEMS area M1 runs.

Auf diese Art und Weise lässt sich erreichen, dass bei der Montage nur Anschlüsse bzw. Verdrahtungen auf der Vorderseite V vorgesehen werden müssen.In this way it can be achieved that during assembly only connections or wiring on the front V must be provided.

Selbstverständlich kann das Substrat S auch mehrere Durchkontakte D enthalten, welche entsprechend der Anschlüsse der funktionalen MEMS-Bereiche M1, M2 verbinden.Of course, the substrate S. also several vias D. which correspond to the connections of the functional MEMS areas M1 , M2 connect.

3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 shows a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a third specific embodiment of the present invention.

In 3 bezeichnet Bezugszeichen S1 ein erstes Substrat, welches auf seiner Vorderseite V1 einen ersten funktionalen MEMS-Bereich M11 und auf seiner Rückseite R1 einen zweiten funktionalen MEMS-Bereich M12 aufweist.In 3 denotes reference numerals S1 a first substrate which is on its front side V1 a first functional MEMS area M11 and on its back R1 a second functional MEMS area M12 having.

Der erste funktionale MEMS-Bereich M11 weist Opferschichten O1, O2 und funktionale Polysiliziumschichten F1, F2 auf, welche beispielsweise die dargestellte Kernstruktur aufweisen, wodurch sich Inertialsensoren realisieren lassen.The first functional MEMS area M11 has sacrificial layers O1 , O2 and functional polysilicon layers F1 , F2 which have the core structure shown, for example, whereby inertial sensors can be realized.

Der zweite funktionale MEMS-Bereich M12 weist einen Magnetschichtstapel, beispielsweise einen NiFe-Schichtstapel MS auf, sowie Leiterbahnen LB, welche durch ein Kontaktloch KL mit der Außenseite verbindbar sind.The second functional MEMS area M12 has a magnetic layer stack, for example a NiFe layer stack MS, and conductor tracks LB, which can be connected to the outside through a contact hole KL.

Eine derartige Anordnung lässt sich beispielsweise als Magnetsensor ausgestalten.Such an arrangement can be designed as a magnetic sensor, for example.

Verkappt ist das erste Substrat S1 über einen Bondrahmen BR mit einem zweiten Substrat S2, welches eine Vorderseite V2 und eine Rückseite R2 aufweist, wobei in der Rückseite R2 Kavitäten KA vorgesehen sind.The first substrate is blocked S1 via a bond frame BR with a second substrate S2 which is a front page V2 and a back R2 having, being in the back R2 Cavities KA are provided.

Eine derartige mikromechanische Sensoranordnung gemäß den Ausführungsformen lässt sich beispielsweise bei einem Bauelement für Navigation einsetzen.Such a micromechanical sensor arrangement according to the embodiments can be used, for example, in a component for navigation.

4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4th shows a schematic cross-sectional view of a micromechanical sensor arrangement according to a fourth specific embodiment of the present invention.

Bei der vierten Ausführungsform gemäß 4 trägt das erste Substrat das Bezugszeichen S1' und weist auf seiner Vorderseite V1' einen ersten funktionalen MEMS-Bereich M11' auf, welcher dem funktionalen MEMS-Bereich M11 der dritten Ausführungsform entspricht.In the fourth embodiment according to 4th the first substrate bears the reference number S1 ' and points on its front V1 ' a first functional MEMS area M11 ' on which the functional MEMS area M11 corresponds to the third embodiment.

Auf der Rückseite R1' des ersten Substrats S1' ist ein weiterer funktionaler MEMS-Bereich M12' vorgesehen, welcher beliebig ausgestaltet sein kann, beispielsweise in Form eines Piezo-Sensors.On the back side R1 ' of the first substrate S1 ' is another functional MEMS area M12 ' provided, which can be configured as desired, for example in the form of a piezo sensor.

Über einen Bondrahmen BR ist das erste Substrat S1' mit dem zweiten Substrat S2' verbunden, wobei bei dieser Ausführungsform ein weiterer funktionaler MEMS-Bereich M2' auf der Vorderseite V2' des zweiten Substrats S2' vorgesehen ist, wobei die Rückseite R2' des zweiten Substrats S2' wie bei der dritten Ausführungsform Kavitäten KA aufweist.Via a bond frame BR is the first substrate S1 ' with the second substrate S2 ' connected, in this embodiment a further functional MEMS area M2 ' on the front side V2 ' of the second substrate S2 ' is provided, with the back R2 ' of the second substrate S2 ' as in the third embodiment cavities KA having.

Der funktionale MEMS-Bereich M2' des zweiten Substrats S2' weist dieselbe Funktionalität wie der funktionale MEMS-Bereich M12 der dritten Ausführungsform auf, also die Funktionalität eines Magnetfeldsensors.The functional MEMS area M2 ' of the second substrate S2 ' has the same functionality as the functional MEMS area M12 the third embodiment, so the functionality of a magnetic field sensor.

Durch die Vorsehung von drei funktionalen MEMS-Bereichen M11', M12' und M2' in zwei Substraten, wobei ein Substrat zur Verkappung des anderen Substrats verwendet wird, lässt sich die Integrationsdichte weiter erhöhen.By providing three functional MEMS areas M11 ' , M12 ' and M2 ' in two substrates, one substrate being used to cap the other substrate, the integration density can be further increased.

5 zeigt einen Fließplan eines Herstellungsverfahrens für eine mikromechanische Sensoranordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 shows a flow chart of a production method for a micromechanical sensor arrangement according to a fifth specific embodiment of the present invention.

Wie in 5 dargestellt, beginnt das Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensoranordnung gemäß 1 mit Schritt SS1, in dem eine Prozessierung des ersten MEMS-Bereichs M1 gemäß 1 vorgenommen wird. Die Rückseite R des Substrats S befindet sich dabei auf einer Einspannanordnung oder ist passiviert.As in 5 shown, the manufacturing process for a micromechanical sensor arrangement begins according to 1 with step SS1 , in which a processing of the first MEMS area M1 according to 1 is made. The backside R. of the substrate S. is located on a clamping arrangement or is passivated.

Im zweiten Schritt SS2 erfolgt ein Umdrehen des Substrats S.At the second step SS2 the substrate is turned over S. .

Im dritten Schritt SS3 werden dann die Prozessschritte für den zweiten MEMS-Bereich M2 auf der Rückseite durchgeführt. Während dieser Zeit befindet sich die Vorderseite V entweder auf einem Substrat oder ist passiviert.In the third step SS3 then become the process steps for the second MEMS area M2 done on the back. During this time the front is located V either on a substrate or is passivated.

Im Anschluss daran ist die mikromechanische Sensoranordnung nach 1 fertiggestellt.Following this is the micromechanical sensor arrangement 1 completed.

Optionalerweise kann auch ein Schritt SS4 erfolgen, indem das Substrat S mit einem weiteren Substrat verbunden wird, beispielsweise wie bei der dritten Ausführungsform oder vierten Ausführungsform beschrieben.Optionally can also be a step SS4 done by the substrate S. is connected to a further substrate, for example as described in the third embodiment or fourth embodiment.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele vorstehend vollständig beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.Although the present invention has been fully described above on the basis of preferred exemplary embodiments, it is not restricted thereto, but rather can be modified in many different ways.

Claims (9)

Mikromechanische Sensoranordnung mit: einem Substrat (S; S1; S1') mit einer Vorderseite (V; V1; V1') und einer Rückseite (R; R1; R1'); wobei auf der Vorderseite (V; V1; V1') eine erste mikromechanische Sensorvorrichtung (M1; M11; M11') und auf der Rückseite (R; R1; R1') eine zweite mikromechanische Sensorvorrichtung (M2; M12; M12') integriert ist, wobei die erste mikromechanische Sensorvorrichtung (M11) einen Inertialsensor und die zweite mikromechanische Sensorvorrichtung (M12) einen Drucksensorbereich oder einen Magnetfeldsensor umfasst.Micromechanical sensor arrangement with: a substrate (S; S1; S1 ') having a front side (V; V1; V1') and a rear side (R; R1; R1 '); wherein a first micromechanical sensor device (M1; M11; M11 ') is integrated on the front side (V; V1; V1') and a second micromechanical sensor device (M2; M12; M12 ') is integrated on the rear side (R; R1; R1') , wherein the first micromechanical sensor device (M11) comprises an inertial sensor and the second micromechanical sensor device (M12) comprises a pressure sensor area or a magnetic field sensor. Mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 1, wobei mindestens ein Durchkontakt (D) von der ersten mikromechanischen Sensorvorrichtung (M1) durch das Substrat (S) zur zweiten mikromechanischen Sensorvorrichtung (M2) verläuft.Micromechanical sensor arrangement according to Claim 1 , wherein at least one via (D) runs from the first micromechanical sensor device (M1) through the substrate (S) to the second micromechanical sensor device (M2). Mikromechanische Sensoranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens ein weiteres Substrat (S2; S2') auf die Vorderseite (V; V1; V1') und/oder auf die Rückseite (R; R1; R1') gebondet ist.Micromechanical sensor arrangement according to one of the preceding claims, wherein at least one further substrate (S2; S2 ') is bonded to the front side (V; V1; V1') and / or to the rear side (R; R1; R1 '). Mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 3, wobei das weitere Substrat (S2; S2') ein Kappenwafer ist.Micromechanical sensor arrangement according to Claim 3 , wherein the further substrate (S2; S2 ') is a cap wafer. Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Sensoranordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 mit den Schritten: einem ersten Schritt (SS1), in dem auf der Vorderseite (V; V1; V1') eines Substrats (S; S1; S1') eine erste mikromechanische Sensorvorrichtung (M1; M11; M11') integriert wird; einem zweiten Schritt (SS2), in dem erfolgt ein Umdrehen des Substrats (S) erfolgt; und einem dritten Schritt (SS3), in dem auf der Rückseite (R; R1; R1') des Substrats (S; S1; S1') eine zweite mikromechanische Sensorvorrichtung (M2; M12; M12') integriert wird.Method for producing a micromechanical sensor arrangement according to one of the Claims 1 to 4th with the following steps: a first step (SS1) in which a first micromechanical sensor device (M1; M11; M11 ') is integrated on the front side (V; V1; V1') of a substrate (S; S1; S1 '); a second step (SS2), in which the substrate (S) is turned over; and a third step (SS3) in which a second micromechanical sensor device (M2; M12; M12 ') is integrated on the rear side (R; R1; R1') of the substrate (S; S1; S1 '). Verfahren nach Anspruch 5, wobei in einem vierten Schritt (SS4) mindestens ein weiteres Substrat (S2; S2') auf die Vorderseite (V; V1; V1') und/oder auf die Rückseite (R; R1; R1') gebondet wird.Procedure according to Claim 5 , wherein in a fourth step (SS4) at least one further substrate (S2; S2 ') is bonded to the front side (V; V1; V1') and / or to the rear side (R; R1; R1 '). Verfahren nach Anspruch 5, wobei während des ersten Schrittes (SS1) die Rückseite (R; R1; R1') passiviert ist.Procedure according to Claim 5 , the rear side (R; R1; R1 ') being passivated during the first step (SS1). Verfahren nach Anspruch 5, wobei während des dritten Schrittes (SS3) die Vorderseite (V; V1; V1') passiviert ist.Procedure according to Claim 5 , the front side (V; V1; V1 ') being passivated during the third step (SS3). Verwendung einer mikromechanischen Sensoranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 in einem Bauelement für Navigation.Use of a micromechanical sensor arrangement according to one of the Claims 1 to 4th in one component for navigation.
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