DE102011100984B3 - Method for marking flawed semiconductor chips in semiconductor wafer utilized in light-optical microscope, involves pulling needle-shaped bracket from non liquid part of labeling agent such that virtual point comprises marking on chip - Google Patents

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Abstract

The method involves aligning a semiconductor chip in a semiconductor dressing afflicted with mistakes. A heated needle shaped bracket (5) is placed over a vessel (3), which is filled with a thermoplastic chemical substance using a marker. A micro manipulator is connected with a rotatable and adjustable holder. Filament current for the needle shaped bracket is switched on, and the heated needle-shaped bracket is pulled from a non liquid part of a labeling agent such that a virtually circular existing point comprises a marking on the semiconductor chip. An independent claim is also included for a marking apparatus for chips.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf die Markierung von mit Fehlern behafteten Halbleiterchips im Halbleiterscheibenverband nach elektrischen Messungen und/oder optischen Inspektionen.The invention relates to the marking of defective semiconductor chips in the semiconductor wafer assembly after electrical measurements and / or optical inspections.

Die Entwicklung auf dem Gebiet der Mikroelektronik ist gekennzeichnet durch immer größer werdende Durchmesser der Halbleiterscheiben (Wafer) und die Tendenz der Verkleinerung des Flächenbedarfs auf der Halbleiterscheibe bezogen auf eine bestimmte Schaltungseinheit. Das führt zu einer immer größer werdenden Anzahl von Plättchen (Chips) je Halbleiterscheibe. Dieser Verkleinerung wirkt die zunehmende Komplexität der integrierten Elemente (z. B. komplexere Schaltungen mit Sensoren, wie MEMS) entgegen. Mit der Komplexität der integrierten Schaltungen steigt andererseits die Art der möglichen Fehler und damit deren Umfang. Die Fehleranalyse gewinnt eine größere Bedeutung. Um die Art auftretender Fehler analysieren zu können, werden Chips, welche bei der Fertigungskontrolle elektrischer Daten oder auch bei optischen Inspektionen im Scheibenverband als fehlerhaft erkannt werden, kenntlich gemacht, im speziellen Fall markiert.The development in the field of microelectronics is characterized by ever-increasing diameters of the semiconductor wafers and the tendency of the reduction of the area requirement on the semiconductor wafer relative to a specific circuit unit. This leads to an ever-increasing number of platelets (chips) per semiconductor wafer. This reduction counteracts the increasing complexity of the integrated elements (eg, more complex circuits with sensors, such as MEMS). On the other hand, with the complexity of the integrated circuits, the nature of the possible errors and thus their size increases. The error analysis gains more importance. In order to be able to analyze the type of errors that occur, chips which are recognized as defective in the production control of electrical data or also in optical inspections in the disk assembly are marked, in particular marked.

Zur Wiedererkennung der als fehlerhaft erkannten Chips auf einer Halbleiterscheibe – z. B. Größenordnung Tausend zu kontrollierende Chips pro Scheibe – werden zunächst deren Lagekoordinaten bezogen auf die Halbleiterscheibe festgehalten. Nach diesen Koordinaten wird der fehlerhafte Chip unter dem Mikroskop geortet, und es erfolgt dessen Markierung mit einer relativ niedrigen Vergrößerung, gemessen an den Vergrößerungen der zur Analyse der Fehler eingesetzten Verfahren, wie z. B. der Elektronenmikroskopie.For recognizing recognized as defective chips on a semiconductor wafer -. B. order of thousands of chips to be controlled per disk - are first recorded their position coordinates relative to the semiconductor wafer. After these coordinates, the defective chip is located under the microscope, and it is marked with a relatively low magnification, measured on the magnifications of the methods used to analyze the error, such. As the electron microscopy.

Bei Untersuchungen an der Halbleiterscheibe sind bestimmte Fehlstellen auf Chips unter dem optischen Mikroskop erkennbar und können gut lokalisiert werden. Die Halbleiterscheiben sind in der Regel mit optisch transparenten Schichten versehen, wodurch es z. B. auch möglich ist, Kurzschlüsse in Schaltungen zwischen Leiterbahnen, z. B. der Metallisierungsebene 2 bei Vorhandensein von 3 Metallisierungsebenen zu erkennen, ohne eine weitere Untersuchung/Präparation vornehmen zu müssen. Zur Erkennung eines solchen Fehlers ist das Rasterelektonenmikroskop (REM) wenig oder nicht geeignet, da hierbei nur Oberflächenstrukturen abgebildet werden können. Oft liegen die Dinge aber komplizierter und dann muss dafür gesorgt werden, dass die defekten Stellen auf dem Chip unter Anwendung hochauflösender Verfahren, die mit Elektronen- oder Ionenstrahlen arbeiten, schnell und sicher gefunden oder wiedergefunden werden.In investigations on the semiconductor wafer certain defects on chips under the optical microscope can be seen and can be well located. The semiconductor wafers are usually provided with optically transparent layers, whereby it z. B. is also possible, short circuits in circuits between tracks, z. B. the metallization level 2 in the presence of 3 metallization levels to recognize without having to make a further investigation / preparation. To recognize such a defect, the scanning electron microscope (SEM) is of little or no use, since only surface structures can be imaged here. Often, however, things are more complicated and then it must be ensured that the defective areas on the chip are found and recovered quickly and safely using high-resolution methods that work with electron or ion beams.

An das Markierungsverfahren werden verschiedene Anforderungen gestellt:
Durch die Markierung darf keine zusätzliche Schädigung des Chip erfolgen, insbesondere darf die defekte Stelle nicht beschädigt oder überdeckt werden. Die defekte Stelle muss bei hoher Vergrößerung eindeutig und möglichst schnell zu finden sein. Eine leichte und sichere Handhabbarkeit unter dem Mikroskop muss gewährleistet sein.The marking procedure is subject to various requirements:
The marking must not cause any additional damage to the chip, in particular the damaged area may not be damaged or covered. The defect must be clearly and quickly as possible to find at high magnification. Easy and safe handling under the microscope must be ensured.

Es gibt eine ganze Reihe von Markierungsverfahren. Jedem davon heften aber bestimmte Nachteile an.There are quite a few marking methods. Each of them, however, attach certain disadvantages.

Aus der Druckschrift US 2004/0 005 181 A1 ist ein Apparat zum sog. Inken von fehlerhaften Halbleiterchips bekannt. Bestandteil der Vorrichtung ist ein in alle Richtungen beweglicher Tuschkopf, mit dem die defekten Chips der Halbleiterscheibe gestempelt werden.From the publication US 2004/0 005 181 A1 is an apparatus for so-called. Inken of defective semiconductor chips known. Part of the device is a movable in all directions print head, with which the defective chips of the semiconductor wafer are stamped.

Beim sogen. Inken wird nach der elektrischen Messung auf defekte Chips ein Tintenpunkt aufgetragen. Der Tintenpunkt sitzt immer an der gleichen Stelle, markiert also nur elektrischen Ausschuss und ist nicht auf die Lage des Fehlers bezogen, kann diesen auch direkt überdecken, so dass er nicht mehr untersucht werden kann. Die beim Inken verwendete Tusche trocknet erfahrungsgemäß sehr schnell ein, wodurch entweder ununterbrochen gearbeitet werden muss oder der Aufwand zur Regenerierung des Tintenflusses nach dem Eintrocknen vergleichsweise hoch ist.When so-called. Inken, an ink dot is applied to defective chips after the electrical measurement. The ink dot always sits in the same place, so marks only electrical waste and is not related to the location of the fault, this can also cover directly, so that it can no longer be examined. Experience has shown that the ink used in the inking process dries very quickly, as a result of which it is necessary either to work continuously or the outlay for the regeneration of the ink flow after drying to be relatively high.

Bei einer Markierung unter Verwendung eines Filzstiftes kann das Eintrocknen der Farbflüssigkeit weitestgehend vermieden werden, jedoch ist diese Verfahrensweise zu ungenau (Breitlaufen) und sie kann auch zur Zerstörung der sehr empfindlichen elektronischen Strukturen führen.When marking using a felt-tip pen, the drying of the dyeing liquid can be largely avoided, but this procedure is too inaccurate (widening) and it can also lead to the destruction of the very sensitive electronic structures.

Des Markieren mit dem Laser kann ortsgenau vorgenommen werden, jedoch können Bauteile, die sich unter der Ebene der Passivierungsschichten bzw. in tiefer liegenden Ebenen befinden, zerstört werden. Durch die Zerstörung, die der Laserstrahl hinterlässt, können die Bauelemente keiner Untersuchung mit weiteren Methoden unterzogen werden, da nicht garantiert werden kann, dass diese Zerstörung keinen Einfluss auf das Bauelement und dessen Funktion hatte. Diese Feststellungen treffen auch für eine Markierung mittels Anritzen der Oberfläche zu.Marking with the laser can be done in a location-specific manner, but components that are below the level of the passivation layers or in deeper levels can be destroyed. Due to the destruction left by the laser beam, the components can not be subjected to investigation with further methods, since it can not be guaranteed that this destruction had no influence on the component and its function. These findings also apply to marking by scoring the surface.

Aus der Druckschrift JP 04-007 194 A ist das Markieren von Plastikgehäusen mittels thermoplastischen Stoffen bekannt, indem der pulverförmige thermoplastische Stoff an die Markierungsstelle, eine mittels Laserstrahl erhitzte und schmelzende Rinne im Plastikgehäuse gebracht wird, dort schmilzt, die Rinne füllt und wieder erstarrt.From the publication JP 04-007 194 A is the marking of plastic housings by means of thermoplastics known by the powdered thermoplastic material is brought to the marking point, a laser-heated and melting channel in the plastic housing, there melts, fills the channel and solidifies again.

Diese Verfahrensweise ist für die Markierung von Defektstellen von Halbleiterchips ungeeignet. Das Verfahren ist zu ungenau, die Oberfläche von Chips zerstörend und die Halbleiterscheibenfläche verunreinigend. This procedure is unsuitable for marking defect spots of semiconductor chips. The process is too inaccurate, destroying the surface of chips and contaminating the wafer surface.

An aufzutragende Markierungsmittel ist eine ganze Reihe von Anforderungen zu stellen. Das Markierungsmittel muss gut haften, darf auf der Oberfläche nicht verlaufen, muss lichtoptisch und elektronenoptisch gut erkennbar sein und soll den Zustand des Chips bezüglich der vorhandenen elektrischen Funktion nicht beeinflussen.There are a number of requirements to be placed on the marking agents to be applied. The marking agent must adhere well, must not run on the surface, must be clearly visible in terms of light optics and electron optics and should not influence the state of the chip with regard to the existing electrical function.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Markierungsverfahren und eine Markierungsvorrichtung nach dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 4 so zugestalten, dass ein sicheres Wiederfinden von mit Defekten behafteten Stellen auf dem Chip, die unter dem Mikroskop markiert werden, bei Anwendung hochauflösender Untersuchungsverfahren ohne eine vorherige Beeinflussung der defekten Stellen und der Funktion der auf dem Chip integrierten Schaltung durch die Markierung gegeben ist, d. h. die negativen Begleitumstände der bekannten Markierungsverfahren weitestgehend vermieden werden und eine Zeiteinsparung gegeben ist.The invention has for its object, a marking method and a marking device according to the preamble of claims 1 and 4 in such a way that a safe recovery of defective sites on the chip, which are marked under the microscope, using high-resolution examination method without a previous Influencing the defective locations and the function of the on-chip integrated circuit is given by the mark, d. H. the negative concomitant circumstances of the known marking methods are largely avoided and a time saving is given.

Gelöst wird die Aufgabe mit den in den Ansprüchen 1 und 4 angegebenen Merkmalen.The problem is solved with the features specified in claims 1 and 4.

Die Gegenstände der Ansprüche 1 und 4 weisen die Vorteile auf, dass der Zustand eines auf dem Chip detektierten Defektes durch die Markierung nicht beeinflusst wird, dass die Markierung leicht und sicher handhabbar ist, die zu untersuchende defekte Stelle bei hoher Vergrößerung leicht und sicher wiederzufinden ist und Zeit beim Markieren eingespart wird.The objects of claims 1 and 4 have the advantages that the condition of a defect detected on the chip is not influenced by the marking, that the marking is easy and safe to handle, the defect to be examined at high magnification is easy and safe to find again and time is saved in marking.

Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels unter Zuhilfenahme der Zeichnung erläutert. Es zeigen in schematischer DarstellungThe invention will now be explained with reference to an embodiment with the aid of the drawing. It show in a schematic representation

1 eine Markierungsvorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, 1 a marking device for carrying out the method according to the invention,

2 den nadelartigen Träger des Markierungsmittels. 2 the needle-like carrier of the marking agent.

Die Markierungsvorrichtung gemäß 1 besteht aus einer Trägerplatte (1), auf der ein Probenhalter (2) befestigt ist. Die Halterung kann mechanisch oder z. B. auch durch Vakuumansaugung erfolgen. Ferner befindet sich auf der Trägerplatte ein Gefäß (3) für das thermoplastische Markierungsmittel und ein schwenkbarer Halter, der mit einem Mikromanipulator (4) verbunden ist, der eine Grob- und eine Feinbewegung ermöglicht und an dem ein elektrisch beheizbarer nadelförmiger Ausleger (5) befestigt ist, der an seiner Spitze (6) ringartig ausgeformt ist und der Übertragung des Markierungsmittels dient. Über die elektrischen Leitungen (7) wird Strom zum Aufheizen des nadelförmigen Auslegers (5) aus einem stromstabilen Netzteil (nicht gezeigt) der Heizstrecke zwischen den Klemmen (8) zugeführt.The marking device according to 1 consists of a carrier plate ( 1 ) on which a sample holder ( 2 ) is attached. The holder can mechanically or z. B. also be done by Vakuumansaugung. Furthermore, there is a vessel on the carrier plate ( 3 ) for the thermoplastic marking agent and a pivotable holder which is equipped with a micromanipulator ( 4 ), which allows a coarse and a fine movement and on which an electrically heatable needle-shaped cantilever ( 5 ), which is at its top ( 6 ) is formed ring-shaped and serves for the transmission of the marking agent. Over the electrical lines ( 7 ) is power to heat the needle-shaped cantilever ( 5 ) from a current-stable power supply (not shown) of the heating section between the terminals ( 8th ).

In der 2 ist der nadelförmige Ausleger (5) im Detail dargestellt.In the 2 is the needle-shaped cantilever ( 5 ) in detail.

Die Markierungsvorrichtung (1) befindet sich während des Markierungsvorgangs auf dem Objekttisch des Mikroskops (nicht dargestellt). Nachdem das defekte Chip (10) nach den vorgegebenen Lagekoordinaten in den Lichtstrahl gebracht wurde, erfolgt die Inspektion und die Einstellung der Optik auf die Defektstelle so, dass im Gesichtskreis noch ein Raum gegeben ist, in den die Spitze des nadelförmigen Auslegers (6) kontrolliert gebracht werden kann. Zunächt wird der nadelförmige Ausleger (5) so positioniert, dass die Spitze (6) über dem thermoplastischen Markierungsmittel steht. Danach wird der elektrische Strom eingeschaltet und der nadelförmige Ausleger (5) mittels Mikromanipulator abgesenkt, bis die Nadel in das Markierungsmittel eintaucht. Mit Hilfe des Mikromanipulators wird die Nadel aus dem Markierungsmittel gezogen/abgehoben, der Strom abgeschaltet und der nadelförmige Ausleger (5) zwischen das Objektiv des Mikroskops und die Probenoberfläche gebracht. Die Nadel wird nun mit Hilfe des Mikomanipulators an eine bestimmte Position in Bezug auf die Defektstelle gebracht, abgesenkt und der Strom wieder eingeschaltet. Der nadelförmige Ausleger (5) erhitzt sich, das Markierungsmittel wird wieder flüssig, benetzt so die kalte Probenoberfläche und verfestigt sich dort rasch, d. h. geht mit der Oberfläche eine feste Verbindung ein. Der erhitzte nadelförmige Ausleger (5) wird mittels des Mikromanipulators aus dem noch flüssigen Teil des Markierungsmittels gezogen und der Heizstrom abgeschaltet. Ein annähernd runder, eng begrenzter Fleck des Markierungsmittels bleibt in einer zum zu untersuchenden Defekt definierten Lage auf der Chipfläche zurück. Der Schmelzpunkt des Markierungsmittels sollte im Bereich um 70°C liegen. Als besonders geeignet hat sich das kommerzielle Mittel mit dem Namen CrystalbondTM bewährt.The marking device ( 1 ) is located during the marking process on the object table of the microscope (not shown). After the broken chip ( 10 ) was brought into the light beam after the predetermined position coordinates, the inspection and the adjustment of the optics on the defect location is such that in the face circle is still a space in which the tip of the needle-shaped cantilever ( 6 ) can be brought controlled. First, the needle-shaped cantilever ( 5 ) positioned so that the tip ( 6 ) over the thermoplastic marker. Thereafter, the electric power is turned on and the needle-shaped boom ( 5 ) is lowered by means of micromanipulator until the needle is immersed in the marking agent. With the help of the micromanipulator, the needle is pulled out of the marking means / lifted off the power and the needle-shaped arm ( 5 ) is placed between the lens of the microscope and the sample surface. The needle is now brought with the help of the micro-manipulator to a specific position with respect to the defect, lowered and turned on the power again. The needle-shaped cantilever ( 5 ) heats up, the marking agent becomes liquid again, so wets the cold sample surface and solidifies quickly there, ie enters into a solid connection with the surface. The heated needle-shaped cantilever ( 5 ) is pulled by means of the micromanipulator from the still liquid part of the marking agent and the heating current is turned off. An approximately round, narrow spot of the marking agent remains in a defined on the chip surface to be examined defect. The melting point of the marking agent should be in the range around 70 ° C. The commercial agent named Crystalbond ™ has proved to be particularly suitable.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Trägerplattesupport plate
22
Probenhaltersample holder
33
Gefäß mit thermoplastischem MarkierungsmittelContainer with thermoplastic marker
44
Halterung mit MikromanipulatorHolder with micromanipulator
55
nadelförmiger Ausleger, elektrisch aufheizbarNeedle-shaped arm, electrically heatable
66
ringförmige Spitze des nadelförmigen Auslegersannular tip of the needle-shaped cantilever
77
elektrische Leitungen für den Heizstromelectrical cables for the heating current
88th
elektrische Klemmstellen, zwischen denen die Strecke zum Aufheizen des nadelförmigen Auslegers liegtelectrical clamping points between which lies the path for heating the needle-shaped cantilever
99
Markierungsstellelabeling site
1010
Chipbegrenzungchip limit

Claims (8)

Verfahren zur Markierung von mit Fehlern behafteten Halbleiterchips im Halbleiterscheibenverband nach elektrischen Messungen und/oder optischen Inspektionen, bei denen die Koordinaten der fehlerbehafteten Halbleiterchips festgehalten werden zum Zweck einer Untersuchung der mit den Fehlern behafteten Stellen mittels Elektronen- und/oder Ionenstrahlen bei hoher Auflösung, wobei in folgenden Schritten vorgegangen wird: Unter einem Lichtmikroskop mit einem Objektiv wird einer der mit Fehlern behafteten Halbleiterchips im Halbleiterverband so ausgerichtet, dass die Stelle zur Markierung des Halbleiterchips an einer zur Lage des Fehlers definierten Stelle zu liegen kommt; ein beheizbarer nadelförmiger Ausleger wird über ein Gefäß gebracht, welches mit einem thermoplastischen, chemisch neutralen Stoff als Markierungsmittel gefüllt ist, wobei der nadelförmige Ausleger an seiner Nadelspitze eine ringförmige Ausbildung hat und mit einem Mikromanipolator in den Raum zwischen den zu markierenden Halbleiterchip und das Objektiv des Lichtmikroskops zu bewegen ist, wobei der Mikromanipulator mit einem drehbaren und grob verstellbaren Halter verbunden ist; ein Heizstrom für den nadelförmigen Ausleger wird eingeschaltet; der nadelförmige Ausleger wird mit der Spitze auf die Oberfläche des thermoplastischen Markierungsmittels aufgesetzt, so dass dieses aufschmilzt und die ringförmige Innenfläche des nadelförmigen Auslegers füllt; der nadelförmige Ausleger wird aus dem Markierungsmittel herausgezogen; der Heizstrom für den nadelförmigen Ausleger wird abgeschaltet; der nadelförmige Ausleger wird so über den zu markierenden Halbleiterchip gebracht, dass seine Spitze über der Markierungsstelle zu stehen kommt und seine Spitze sich auf die Markierungstelle abgesenkt; der Heizstrom für den nadelförmigen Ausleger wird eingeschaltet; der erhitzte nadelförmige Ausleger wird aus dem noch flüssigen Teil des Markierungsmittels gezogen, so dass ein nahezu kreisförmiger aus Markierungsmittel bestehender Punkt auf dem Halbleiterchip zurückbleibt.Method of marking defective semiconductor chips in the semiconductor wafer assembly after electrical measurements and / or optical inspections, in which the coordinates of the defective semiconductor chips are recorded for the purpose of investigating the faulty locations by means of electron and / or ion beams at high resolution the following steps are taken: Under a light microscope with a lens, one of the semiconductor chips with defects is aligned in the semiconductor compound in such a way that the point for marking the semiconductor chip comes to rest on a location defined for the position of the defect; a heatable needle-shaped cantilever is placed over a vessel which is filled with a thermoplastic, chemically neutral substance as a marking agent, wherein the needle-shaped cantilever has an annular formation at its needle tip and with a micromanipolator in the space between the semiconductor chip to be marked and the lens of To move light microscope, the micromanipulator is connected to a rotatable and coarse adjustable holder; a heating current for the needle-shaped cantilever is turned on; the needle-shaped cantilever is placed with the tip on the surface of the thermoplastic marker, so that it melts and fills the annular inner surface of the needle-shaped cantilever; the needle-shaped cantilever is pulled out of the marking means; the heating current for the needle-shaped cantilever is switched off; the needle-shaped cantilever is brought over the semiconductor chip to be marked so that its tip comes to stand above the marking point and its tip is lowered to the marking point; the heating current for the needle-shaped cantilever is turned on; the heated needle-shaped cantilever is pulled out of the still liquid part of the marking means, so that a nearly circular marking element is left on the semiconductor chip. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Markierungsmittel ein thermoplastischer Stoff ist, der chemisch mit Komponenten des Halbleiterchip nicht reagiert und dessen Schmelzpunkt bei ca. 70°C liegt.A method according to claim 1, characterized in that the marking agent is a thermoplastic material which does not react chemically with components of the semiconductor chip and whose melting point is about 70 ° C. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zu markierende Stelle als 1. Schritt eingestellt und programmiert wird und die weiteren Schritte automatisch gesteuert ablaufen.A method according to claim 1, characterized in that the point to be marked is set and programmed as the first step and the further steps are automatically controlled. Markierungsvorrichtung für Chips im Halbleiterscheibenverband, aufweisend ein optisches Mikroskop mit Objekttisch und Objektiv; eine Trägerplatte (1), auf der ein Probenhalter (2) mit einem Chipverband, ein Gefäß (3) für ein thermoplastisches Markierungsmittel und ein mit einer mechanischen Einheit für Grob- und Feinbewegungsmöglichkeiten in allen Richtungen verbundener Mikromanipulator (4) vorhanden sind; wobei der Mikromanipulator mit einem elektrisch beheizten nadelförmigen Ausleger (5) verbunden ist, der an seiner Spitze (6) zur Aufnahme des Markierungsmittels ringartig ausgeformt ist und über flexieble Stromleitungen (7) mit einem stromstabilen Netzteil verbunden ist; wobei die Markierungsvorrichtung so ausgeführt ist, dass der Teil der Trägerplatte mit dem gehalterten Chipverband und dem nadelförmigen Ausleger (5) zwischen Objekttisch und Objektiv des Mikoskops eingebracht werden kann.Marking device for chips in the wafer assembly, comprising an optical microscope with stage and lens; a carrier plate ( 1 ) on which a sample holder ( 2 ) with a chip dressing, a vessel ( 3 ) for a thermoplastic marking agent and a micromanipulator connected to a mechanical unit for coarse and fine movement possibilities in all directions ( 4 ) available; wherein the micromanipulator with an electrically heated needle-shaped cantilever ( 5 ), which is at its peak ( 6 ) is formed like a ring for receiving the marking agent and flexieble power lines ( 7 ) is connected to a power stable power supply; wherein the marking device is designed such that the part of the carrier plate with the retained chip formation and the needle-shaped cantilever ( 5 ) can be introduced between the object table and the lens of the microscope. Markierungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnnet, dass der nadelförmige Ausleger (5) aus einem elektrisch leitfähigem Material mit einem Innenwiderstand besteht.Marking device according to claim 4, characterized in that the needle-shaped cantilever ( 5 ) consists of an electrically conductive material with an internal resistance. Markierungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnnet, dass der Chipverband mittels Vakuumansaugung gehaltert wird.Marking device according to claim 4, characterized gekennzeichn that the chip dressing is held by vacuum suction. Markierungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnnet, dass die Heizung des nadelförmigen Auslegers (5) durch Stromfluss durch einen Abschnitt des Körpers des nadelförmigen Auslegers selbst erfolgtMarking device according to claim 4, characterized in that the heating of the needle-shaped cantilever ( 5 ) by current flow through a portion of the body of the needle-shaped cantilever itself Markierungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnnet, dass die Heizung des nadelförmigen Auslegers (5) mittels einer extra Heizvorrichtuing, die mit dem Ausleger (5) verbunden ist, erfolgt.Marking device according to claim 4, characterized in that the heating of the needle-shaped cantilever ( 5 ) by means of an extra Heizvorrichtuing with the boom ( 5 ) is connected.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047194A (en) * 1990-04-25 1992-01-10 Hitachi Ltd Marking of electronic part
US20040005181A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Inking apparatus with multi-positioning capability

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047194A (en) * 1990-04-25 1992-01-10 Hitachi Ltd Marking of electronic part
US20040005181A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Inking apparatus with multi-positioning capability

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110749795A (en) * 2019-11-11 2020-02-04 宁国赛宝核心基础零部件产业技术研究院有限公司 Capacitance detection device
CN110749795B (en) * 2019-11-11 2022-04-05 宁国赛宝核心基础零部件产业技术研究院有限公司 Capacitance detection device

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