DE102011082427A1 - Laser beam processing device comprises non-contact support means for supporting workpiece, laser beam application means, processing supply means for supplying workpiece relative to laser beam application means, and fragment tightening means - Google Patents

Laser beam processing device comprises non-contact support means for supporting workpiece, laser beam application means, processing supply means for supplying workpiece relative to laser beam application means, and fragment tightening means Download PDF

Info

Publication number
DE102011082427A1
DE102011082427A1 DE102011082427A DE102011082427A DE102011082427A1 DE 102011082427 A1 DE102011082427 A1 DE 102011082427A1 DE 102011082427 A DE102011082427 A DE 102011082427A DE 102011082427 A DE102011082427 A DE 102011082427A DE 102011082427 A1 DE102011082427 A1 DE 102011082427A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser beam
workpiece
functional layer
solar cell
cell substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102011082427A
Other languages
German (de)
Inventor
Ken Togashi
Yohei Yamawaki
Yuuki Yasuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102011082427A1 publication Critical patent/DE102011082427A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702Auxiliary equipment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/208Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

Laser beam processing device (100) comprises: a non-contact support means for supporting a workpiece (8) comprising a transparent substrate (81) and a functional layer arranged on it (82); a laser beam application means (5) for applying a laser beam on the workpiece; a processing supply means for supplying the workpiece relative to the laser beam application means; and a fragment tightening means for tightening fragments, which are generated, when the functional layer is heated by the laser beam applied on the workpiece through laser beam application means. Laser beam processing device (100) comprises: a non-contact support means for supporting a workpiece (8), which is out of contact, comprising a transparent substrate (81) and a functional layer arranged on it (82); a laser beam application means (5) for applying a laser beam on the workpiece supported by the non-contact support means, where the laser beam application means comprises a laser generator for emitting the laser beam and an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser generator through the transparent substrate on a boundary layer between the transparent substrate and the functional layer; a processing supply means for supplying the workpiece relative to the laser beam application means; a fragment tightening means for tightening fragments, which are generated when the functional layer is heated by the laser beam applied on the workpiece through laser beam application means, where the fragment tightening means is arranged in alignment with the objective lens closer to the functional layer than to the transparent substrate.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung, und insbesondere eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung zum Bearbeiten einer auf einem transparenten Substrat gewachsenen Funktionsschicht mit einem Laserstrahl.The present invention relates to a laser beam processing apparatus, and more particularly to a laser beam processing apparatus for processing a functional layer grown on a transparent substrate with a laser beam.

Stand der TechnikState of the art

Solarzellensubstrate haben zum Beispiel Funktionsschichten, die eine transparente Elektrodenschicht, eine Solarzellenschicht und eine Gegenelektrodenschicht aufweisen, die nacheinander auf einem transparenten Substrat, wie einem Glassubstrat, abgelagert sind. Gemäß einer Herstellungsbearbeitung für Solarzellensubstrate ist es notwendig, eine Vielzahl von Trennnuten (Bearbeitungslinien) in den Funktionsschichten zu Isolationszwecken auszubilden. Es ist ein Verfahren zum derart genauen Ausbilden von Bearbeitungslinien, dass sich benachbarte Bearbeitungslinien nicht kreuzen, in Bezug auf die Bearbeitung von Solarzellensubstraten bekannt (siehe zum Beispiel veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 2004-170455 ). Diese Herstellungsbearbeitung von Solarzellensubstraten verwendet eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung zum Entfernen von Funktionsschichten durch direktes Aufbringen eines Laserstahls auf die Funktionsschichten.Solar cell substrates, for example, have functional layers comprising a transparent electrode layer, a solar cell layer, and a counter electrode layer sequentially deposited on a transparent substrate such as a glass substrate. According to a manufacturing process for solar cell substrates, it is necessary to form a plurality of separation grooves (processing lines) in the functional layers for isolation purposes. There is known a method of forming processing lines so that adjacent processing lines do not intersect with respect to the processing of solar cell substrates (see, for example, Published Japanese Patent Application No. 2004-170455 ). This manufacturing processing of solar cell substrates uses a laser beam processing apparatus for removing functional layers by directly applying a laser beam to the functional layers.

Gegenstand der ErfindungSubject of the invention

Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung muss einen hochenergetischen Laserstrahl erzeugen, der direkt auf die Funktionsschichten aufgebracht wird, um all die Schichten von der Fläche der obersten Funktionsschicht in einer zu bearbeitenden Region hinunter auf die Grenzschicht zwischen der untersten Funktionsschicht und dem Glassubstrat zu verdampfen. Allerdings neigt der von der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung emittierte hochenergetische Laserstrahl dazu, das Glassubstrat zu beschädigen. Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung muss die Intensität des Laserstrahls fein einstellen und versagt beim effizienten Entfernen der Funktionsschichten in der zu bearbeitenden Region vom Glassubstrat.The laser beam processing apparatus must generate a high energy laser beam which is applied directly to the functional layers to evaporate all the layers down from the surface of the top functional layer in a region to be processed down to the interface between the bottom functional layer and the glass substrate. However, the high-energy laser beam emitted from the laser beam processing apparatus tends to damage the glass substrate. The laser beam processing apparatus must finely adjust the intensity of the laser beam and fail to efficiently remove the functional layers in the region to be processed from the glass substrate.

Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, die Funktionsschichten in einer zu bearbeitenden Region von einem transparenten Substrat effizient entfernen kann.It is an object of the present invention to provide a laser beam processing apparatus that can efficiently remove functional layers in a region to be processed from a transparent substrate.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung vorgesehen, die aufweist: ein Nicht-Kontakt-Stützmittel zum Stützen eines ein transparentes Substrat und eine hierauf angeordnete Funktionsschicht aufweisenden Werkstücks außer Kontakt hiermit, ein Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls auf das durch das Nicht-Kontakt-Stützmittel gestützte Werkstück, wobei das Laserstrahlaufbringmittel einen Lasergenerator zum Emittieren eines Laserstrahls und eine Objektivlinse zum Fokussieren des vom Lasergenerator durch das transparente Substrat auf eine Grenzschicht zwischen dem transparenten Substrat und der Funktionsschicht emittierter Laserstrahl aufweist, ein Bearbeitungszuführmittel zum Zuführen des Werkstücks relativ zum Laserstrahlaufbringmittel, und ein Bruchstückanziehmittel zum Anziehen von Bruchstücken, die erzeugt werden, wenn die Funktionsschicht durch den Laserstrahl erwärmt wird, der durch des Laserstrahlaufbringmittel auf das Werkstück aufgebracht wird, wobei das Bruchstückanziehmittel in Ausrichtung mit der Objektivlinse näher zur Funktionsschicht als zum transparenten Substrat angeordnet ist.According to one aspect of the present invention, there is provided a laser beam machining apparatus comprising: non-contact supporting means for supporting a workpiece having a transparent substrate and a functional layer disposed thereon out of contact therewith, laser beam applying means for applying a laser beam to the non-contact Support-supported workpiece, wherein the laser beam applying means comprises a laser generator for emitting a laser beam and an objective lens for focusing the laser beam emitted from the laser generator through the transparent substrate onto an interface between the transparent substrate and the functional layer, a machining feed means for feeding the workpiece relative to the laser beam applying means, and a fragment attracting means for attracting debris generated when the functional layer is heated by the laser beam irradiated by the laser beam is applied to the workpiece, wherein the fragment attracting means is arranged in alignment with the objective lens closer to the functional layer than to the transparent substrate.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung eine zu bearbeitende Region der Funktionsschicht effektiv vom transparenten Substrat entfernen.According to the present invention, the laser beam processing apparatus can effectively remove a region of the functional layer to be processed from the transparent substrate.

Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegender Erfindung und die Art der Realisierung dieser wird ersichtlicher, und die vorliegende Erfindung selbst ist am besten zu verstehen bei einer Durchsicht der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner of realizing the same will become more apparent, and the present invention will be best understood by reviewing the following description and appended claims with reference to the attached drawings, in which: show preferred embodiments of the invention.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 1 FIG. 15 is a perspective view of a laser beam processing apparatus according to a first embodiment of the present invention; FIG.

2 ist eine Teilquerschnittsansicht, die entlang der Linie II-II von 1 entnommen ist, 2 is a partial cross-sectional view taken along the line II-II of 1 taken from

3 ist eine Teildraufsicht, die die obere Fläche einer Befestigungsbasis der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung gemäss der ersten Ausführungsform zeigt, 3 FIG. 14 is a partial plan view showing the upper surface of a mounting base of the laser beam machining apparatus according to the first embodiment; FIG.

4A ist eine Teilquerschnitsansicht, die die Art zeigt, in der ein Solarzellensubstrat mit einem Laserstrahl von einem Glassubstrat hiervon zum Ausstrahlen beginnt, 4A Fig. 14 is a partial cross-sectional view showing the manner in which a solar cell substrate with a laser beam starts from a glass substrate thereof for radiating,

4B ist eine Teilquerschnittsansicht, die die Art zeigt, in der eine Funktionsschicht des Solarsubstrats in einer zu bearbeitenden Region entfernt wird, 4B FIG. 14 is a partial cross-sectional view showing the manner in which a functional layer of the solar substrate is removed in a region to be processed; FIG.

5 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung gemäß einer zweitem Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 5 FIG. 15 is a perspective view of a laser beam processing apparatus according to a second embodiment of the present invention; and FIG

6 ist eine Teilquerschnittsansicht, die entlang der Linie VI-VI von 5 entnommen ist. 6 is a partial cross-sectional view taken along the line VI-VI of 5 is taken.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten AusführungsformenDetailed Description of the Preferred Embodiments

Eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung gemäß den bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen nachfolgend beschrieben. Es ist anzumerken, dass die Zeichnungen derart schematisch sind, dass gezeigte Komponenten und Substrate Dicken und andere Dimensionen mit Verhältnissen haben, die sich von den tatsächlichen Dimensionsverhältnissen unterscheiden, und die gleichen Komponenten und Substrate verschiedene Dimensionsbeziehungen und Verhältnisse in unterschiedlichen Zeichnungen aufweisen.A laser beam processing apparatus according to the preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings are so schematic that shown components and substrates have thicknesses and other dimensions with ratios that differ from the actual dimensional ratios, and the same components and substrates have different dimensional relationships and ratios in different drawings.

Erste AusführungsformFirst embodiment

13 zeigen eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß der ersten Ausführungsform bearbeitet die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 ein Solarzellensubstrat 8 als ein Werkstück. Das Solarzellensubstrat 8 weist ist ein Glassubstrat 81 als ein transparentes Substrat und eine auf dem Glassubstrat 81 angeordnete Funktionsschicht 82 auf. Gemäß der ersten Ausführungsform entfernt die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 einen Abschnitt der Funktionsschicht 82 entlang einer zu bearbeitenden Linie am Solarzellensubstrat 8, um eine trennende Nut in der Funktionsschicht 82 auszubilden. Allerdings ist das durch die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 zu bearbeitende Werkstück nicht auf Solarzellensubstrate beschränkt. 1 - 3 show a laser beam processing device 100 according to a first embodiment of the present invention. According to the first embodiment, the laser beam processing apparatus processes 100 a solar cell substrate 8th as a workpiece. The solar cell substrate 8th is a glass substrate 81 as a transparent substrate and one on the glass substrate 81 arranged functional layer 82 on. According to the first embodiment, the laser beam processing apparatus removes 100 a section of the functional layer 82 along a line to be processed on the solar cell substrate 8th to a separating groove in the functional layer 82 train. However, that is through the laser beam processing device 100 workpiece to be machined is not limited to solar cell substrates.

Wie in 1 gezeigt, weist die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 allgemein eine Befestigungsbasis 1 in der Gestalt eines Box-ähnlichen Tisches, eine rechteckige Luftausstoßplatte, die auf der Befestigungsbasis 1 als ein Stützmittel zum Stützen des Solarsubstrats 8 mit ausgestoßener Luft außer Kontakt mit der Luftausstoßplatte 2 befestigt ist, einen Bruchstückanziehmittelbefestigungsrahmen 4, ein Laserstrahlaufbringmittelpaar 5, ein Bruchstückanziehmittelpaar 6, und ein Bearbeitungszuführmittelpaar 7 zum Zuführen des Solarzellensubstrats 8 in einer durch den Pfeil x indizierten Richtung, während das Solarzellensubstrat 8 über die Luftausstoßplatte mit der ausgestoßenen Luft schwimmt.As in 1 has the laser beam processing device 100 generally a mounting base 1 in the shape of a box-like table, a rectangular air ejection plate resting on the mounting base 1 as a support means for supporting the solar substrate 8th with ejected air out of contact with the air ejection plate 2 attached, a fragmentary attachment mounting frame 4 , a Laserstrahlaufbringmittelpaar 5 , a fractional sweetener pair 6 , and a machining feed pair 7 for feeding the solar cell substrate 8th in a direction indicated by the arrow x, while the solar cell substrate 8th Float over the air ejection plate with the ejected air.

Wie in 1 und 2 gezeigt, weist die Befestigungsbasis 1 eine Box in der Gestalt eines rechteckigen Parallelepipeds mit einer oberen Platte 1A auf. Die Befestigungsbasis 1 weist zwei Parallelführungsschienenpaare 11 auf, die entsprechend an den gegenüberliegenden Seiten einer oberen Fläche der unteren Platte 1A in der durch den Pfeil y indizierten Richtung angeordnet sind. Die Führungsschienen 11 erstrecken sich in der durch den Pfeil x indizierten Richtung. Eine Kugelgewindespindel 31, die sich in der durch den Pfeil x indizierten Richtung erstreckt, ist zwischen den Führungsschienen 11 jedes Paares angeordnet.As in 1 and 2 shown has the attachment base 1 a box in the shape of a rectangular parallelepiped with a top plate 1A on. The mounting base 1 has two parallel guide rail pairs 11 accordingly, on opposite sides of an upper surface of the lower plate 1A are arranged in the direction indicated by the arrow y direction. The guide rails 11 extend in the direction indicated by the arrow x direction. A ball screw spindle 31 which extends in the direction indicated by the arrow x is between the guide rails 11 each pair arranged.

Motoren 3 zum Drehen der entsprechenden Kugelgewindespindeln 31 um ihre eigenen Achsen sind an der unteren Platte 1A befestigt und haben ihre Ausgabewellen mit den entsprechenden Enden der Kugelgewindespindeln 31 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung verbunden. Die anderen Enden der Kugelgewindespindeln 31 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung sind drehbar durch die entsprechenden Drehlagerungen 32 gestützt. Die Drehlagerungen 32 stützen die Kugelgewindespindeln 31, um sie daran zu hindern, dass sie in der durch den Pfeil x indizierten Richtung ausgelenkt werden.Engines 3 for turning the corresponding ball screws 31 around their own axes are at the bottom plate 1A attached and have their output shafts with the corresponding ends of the ball screw spindles 31 connected in the direction indicated by the arrow x. The other ends of the ball screw spindles 31 in the direction indicated by the arrow x are rotatable by the corresponding pivot bearings 32 supported. The rotary bearings 32 support the ball screw spindles 31 to prevent them from being deflected in the direction indicated by the arrow x.

Wie in 2 gezeigt, ist ein beweglicher Block 72 derart über den Kugelgewindespindeln 31 mit einem Gewinde versehen, dass der bewegbare Block 72 entlang der Kugelgewindespindel 31 bewegbar ist, wenn sich die Kugelgewindespindel 31 um ihre eigene Achse dreht. Der bewegbare Block 72 ist über eine untere Fläche eines Stützarms 71 gleitbar entlang der Führungsschienen 11 fixiert. Wie in 1 gezeigt, gibt es eigentlich zwei Stützarme 71, welche die gegenüberliegenden Seiten des Solarzellensubstrats 8 in der durch den Pfeil y indizierten Richtung stützen, während das Solarzellensubstrat 8 über die Luftausstoßplatte 2 außer Kontakt hiermit schwimmt. Jeder der Stützarme 71 weist Vorder- und Rückstützfinger 73 an seinen gegenüberliegenden Enden in der durch den Pfeil x indizierten Richtung auf. Die Vorder- und Rückstützfinger 73 stehen nach innen in Richtung des Solarzellensubstrats 8 in der durch den Pfeil y indizierten Richtung hervor. Wie in 3 gezeigt, weist die untere Platte 1a der Befestigungsbasis 1 einen darin definierten Schlitz 1B auf, der sich im Wesentlichen über die gesamte Breite der unteren Platte 1A in der durch den Pfeil y indizierten Richtung erstreckt. Das Laserstrahlaufbringmittel 5, das jeweils eine Objektivlinse 51 aufweist, ist im Schlitz 1B angeordnet.As in 2 shown is a moving block 72 such over the ball screws 31 threaded, that the movable block 72 along the ball screw 31 is movable when the ball screw 31 turns around its own axis. The movable block 72 is over a lower surface of a support arm 71 slidable along the guide rails 11 fixed. As in 1 shown, there are actually two support arms 71 showing the opposite sides of the solar cell substrate 8th support in the direction indicated by the arrow y, while the solar cell substrate 8th over the air ejection plate 2 out of contact with this floats. Each of the support arms 71 has front and back support fingers 73 at its opposite ends in the direction indicated by the arrow x. The front and back support fingers 73 stand inward towards the solar cell substrate 8th in the direction indicated by the arrow y. As in 3 shown has the bottom plate 1a the mounting base 1 a slot defined therein 1B which extends essentially the entire width of the lower plate 1A extends in the direction indicated by the arrow y direction. The laser beam applying means 5 , each an objective lens 51 is in the slot 1B arranged.

Wie in 1 und 2 gezeigt, weist die Luftausstoßplatte 2, die an der unteren Platte 1A der Befestigungsbasis 1 angeordnet ist, eine Breite auf, die ungefähr die gleiche ist wie die Breite in der durch den Pfeil y indizierten Richtung des Solarzellenensubstrats 8, das durch die Luftausstoßplatte 2 außer Kontakt hiermit gestützt wird. Die Luftausstoßplatte 2 weist eine Länge in der durch den Pfeil x indizierten Richtung auf, die im Wesentlichen die doppelte Länge in der durch den Pfeil x indizierten Richtung des Solarzellensubstrats 8 ist. Wie in 1 und 3 gezeigt, weist die Luftausstoßplatte 2 einen Schlitz 22 auf, der mittig in der durch den Pfeil x indizierten Richtung definiert ist. Der Schlitz 22 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Breite der Luftausstoßplatte 2 in der durch den Pfeil y indizierten Richtung. Der Schlitz 22 überlagert im Wesentlichen den Schlitz 1B, der in der unteren Platte 1A der Befestigungsbasis 1 definiert ist. Das Laserstrahlaufbringmittel 5 ist in einem Raum angeordnet, der zusammen durch den in der unteren Platte 1A der Befestigungsbasis 1 definierten Schlitz 12 und den in der Luftausstoßplatte 2 definierten Schlitz 22 erzeugt wird.As in 1 and 2 shown, the air ejection plate 2 at the bottom plate 1A the mounting base 1 is arranged, a width which is approximately the same as the width in the direction indicated by the arrow y direction of the solar cell substrate 8th passing through the air ejection plate 2 out of contact with this is supported. The air ejection plate 2 has a length in the direction indicated by the arrow x Direction, which is substantially twice the length in the direction indicated by the arrow x direction of the solar cell substrate 8th is. As in 1 and 3 shown, the air ejection plate 2 a slot 22 which is defined centrally in the direction indicated by the arrow x. The slot 22 extends substantially over the entire width of the air ejection plate 2 in the direction indicated by the arrow y. The slot 22 essentially overlaps the slot 1B in the lower plate 1A the mounting base 1 is defined. The laser beam applying means 5 is arranged in a room, which together through the in the lower plate 1A the mounting base 1 defined slot 12 and in the air ejection plate 2 defined slot 22 is produced.

Wie in 1 und 2 gezeigt, hat die Luftausstoßplatte 2 einen hohlen Aufbau mit einer Anzahl von Luftausstoßausnehmungen 21, die in der unteren Platte 2A definiert sind und im Wesentlichen gleichförmig über die Luftausstoßplatte 2 verteilt sind. Der Innenraum der hohlen Luftausstoßplatte 2 wird mit Luft unter einem vorbestimmten Druck von einer Luftversorgungsvorrichtung (nicht gezeigt) zum Ausstoßen von Luft unter einem vorbestimmten Druck nach oben durch die Luftausstoßausnehmungen 21 versorgt.As in 1 and 2 shown has the air ejection plate 2 a hollow structure with a number of Luftausstoßausnehmungen 21 in the lower plate 2A are defined and substantially uniform across the air ejection plate 2 are distributed. The interior of the hollow air ejection plate 2 is pressurized with air at a predetermined pressure from an air supply device (not shown) for discharging air at a predetermined pressure through the Luftausstoßausnehmungen 21 provided.

Wie in 2 gezeigt, ist jedes der Laserstrahlaufbringmittel 5 derart positioniert, dass ein durch die Strichpunktlinien indizierter Laserstrahl, der hiervon emittiert wird, durch die Objektivlinse 51 auf die Schnittstelle zwischen dem Glassubstrat 81 und der Funktionsschicht 82 fokussiert wird, wenn das Solarzellensubstrat 8 durch die Luftausstoßplatte 2 außer Kontakt hiermit mit dem nach unten weisenden Glassubstrat 81 gestützt wird. Das Laserstrahlaufbringmittel 5 ist optisch durch eine optische Faser 52 mit einem Laseroszillator 53 verbunden.As in 2 is shown each of the laser beam applying means 5 positioned such that a laser beam indicated by the dashed-dotted lines emitted therefrom passes through the objective lens 51 on the interface between the glass substrate 81 and the functional layer 82 is focused when the solar cell substrate 8th through the air ejection plate 2 out of contact with the downwardly facing glass substrate 81 is supported. The laser beam applying means 5 is optically through an optical fiber 52 with a laser oscillator 53 connected.

Die Laserstrahlaufbringmittel 5 sind im Schlitzraum gleitbar, der zusammen durch die Schlitze 12, 22 entlang der durch den Pfeil y indizierten Richtung ausgebildet wird, und zwar durch einen Gleitantriebsmechanismus (nicht gezeigt). Das Laserstrahlaufbringmittel 5 kann alternativ durch entsprechende Gleitantriebsmechanismen (nicht gezeigt) betätigt werden, oder zusammen miteinander betätigt werden, während sie um einen gegebenen Abstand voneinander beabstandet sind.The laser beam application means 5 are slidable in the slot space, which together through the slots 12 . 22 is formed along the direction indicated by the arrow y by a sliding drive mechanism (not shown). The laser beam applying means 5 Alternatively, it may be actuated by corresponding sliding drive mechanisms (not shown), or operated together, while spaced from each other by a given distance.

Wie in 1 gezeigt, sind die Bruchstückanziehmittel 6 an einem Bruchstückanziehmittelbefestigungsrahmen 4 befestigt, der ein Stützpfostenpaar 41 aufweist, das vertikal an gegenüberliegenden Seitenflächen der Befestigungsbasis 1 seitlich des durch die untere Platte 1A der Befestigungsbasis 1 definierten Schlitz 1B angeordnet ist und einen ersten Balken 42 und einen zweiten Balken 43, die sich zwischen und verbunden mit oberen Abschnitten der Stützpfosten 41 erstrecken. Ein Gleitantriebsmechanismus (nicht gezeigt) zum Betätigen der Bruchstückanziehmittel 6 ist zwischen dem ersten Balken 42 und dem zweiten Balken 43 angeordnet.As in 1 Shown are the fractional sweeteners 6 at a fractional attachment mounting frame 4 attached, which is a support pole pair 41 vertically on opposite side surfaces of the attachment base 1 laterally through the lower plate 1A the mounting base 1 defined slot 1B is arranged and a first bar 42 and a second bar 43 extending between and connected to upper sections of the support posts 41 extend. A sliding drive mechanism (not shown) for actuating the fragment attracting means 6 is between the first bar 42 and the second bar 43 arranged.

Wie in 1 und 2 gezeigt, weist jedes der Bruchstückanziehmittel 6 eine Haube 61 auf, die zum Anziehen von Bruchstücken von ihrer unteren Öffnung nach unten offen ist, und eine Stützbasis 62, die in Fluidkommunikation mit einem oberen Ende der Haube 61 und integral mit der Haube 61 gehalten wird. Die Stützbasis 62 ist in der durch den Pfeil y indizierten Richtung und den Gleitantriebsmechanismus (nicht gezeigt) zum Betätigen der Bruchstückanziehmittel 6 gleitbar.As in 1 and 2 shows each of the fraction attraction means 6 a hood 61 which is open for attracting debris from its lower opening downward, and a support base 62 in fluid communication with a top of the hood 61 and integral with the hood 61 is held. The support base 62 is in the direction indicated by the arrow y and the sliding drive mechanism (not shown) for actuating the fragment attracting means 6 slidably.

Die Stützbasis 62 wird in Fluidkommunikation mit und verbunden zu einer Ansaugvorrichtung (nicht gezeigt) gehalten. Die Stützbasis 62 und die Ansaugvorrichtung können durch ein flexibles Rohr oder ähnliches miteinander verbunden sein. Der Gleitantriebsmechanismus (nicht gezeigt) zum Betätigen der Bruchstückanziehmittel 6 ist eingerichtet, dass er die Bruchstückanziehmittel 6 in Synchronisation mit der Gleitbewegung der Laserstrahlaufbringmittel 5 betätigt.The support base 62 is maintained in fluid communication with and connected to a suction device (not shown). The support base 62 and the suction device may be connected to each other by a flexible pipe or the like. The sliding drive mechanism (not shown) for actuating the fragment attracting means 6 is set up, that he is the fractional attraction 6 in synchronization with the sliding movement of the laser beam applying means 5 actuated.

Ein Betrieb der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform wird nachfolgend beschrieben. Als erstes wird ein Solarzellensubstrat 8 in die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 an einer Position nahe einem Ende der Luftausstoßplatte 2 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung beschickt. Der Innenraum der hohlen Luftausstoßpatte 2 wird unter einem vorbestimmten Druck mit einer Luft von der Luftversorgungsvorrichtung (nicht gezeigt) versorgt, und eine Luft wird unter einem vorbestimmten Druck nach oben durch die Luftausstoßlöcher 21 ausgestoßen. Dann, wie in 1 gezeigt, wird das Solarzellensubstrat 8 mit dem nach unten weisenden Glassubstrat 81 zwischen den Stützarmen 71 des Bearbeitungszuführmittels 7 angeordnet, die an den gegenüberliegenden Seiten der Befestigungsbasis 1 in der durch den Pfeil y indizierten Richtung angeordnet sind. Als ein Ergebnis schwimmt das Solarzellensubstrat 8 in einer bestimmten Höhe über der Luftausstoßplatte 2 unter dem Druck der ausgestoßenen Luft. Nachdem viele Luftausstoßausnehmungen 21 gleichmäßig über das Solarzellensubstrat 8 verteilt sind und die von den Luftausstoßausnehmungen 21 ausgestoßene Luft gleichmäßig auf das Solarzellensubstrat 8 aufgebracht wird, wird das Solarzellensubstrat 8 daran gehindert, dass es gebogen oder gekippt wird.An operation of the laser beam processing apparatus 100 according to the first embodiment will be described below. First, a solar cell substrate 8th in the laser beam processing apparatus 100 at a position near an end of the air ejection plate 2 fed in the direction indicated by the arrow x. The interior of the hollow air ejection plate 2 is supplied with air from the air supply device (not shown) at a predetermined pressure, and an air is pressurized upward at a predetermined pressure through the air discharge holes 21 pushed out. Then, as in 1 shown, becomes the solar cell substrate 8th with the glass substrate facing down 81 between the support arms 71 of the machining feed means 7 arranged on the opposite sides of the mounting base 1 are arranged in the direction indicated by the arrow y direction. As a result, the solar cell substrate floats 8th at a certain height above the air ejection plate 2 under the pressure of the expelled air. After many air ejection recesses 21 evenly over the solar cell substrate 8th are distributed and that of the Luftausstoßausnehmungen 21 ejected air evenly on the solar cell substrate 8th is applied, the solar cell substrate 8th prevented from being bent or tilted.

Zu dieser Zeit werden die Vorder- und Rückstützfinger 73 der Stützarme 71 gegen die entsprechenden Vorder- und Rückenden der durch den Pfeil x indizierten Richtung des Solarzellensubstrats 8 gehalten. Wenn die Motoren 3 angeschaltet werden, um die Stützarme 71 zusammen mit den bewegbaren Blöcken 72 zu bewegen, wird des Solarzellensubstrat 8 daran gehindert, dass es bezüglich den Stützarmen 71 wackelt. Das Solarzellensubstrat 8 kann von zwischen den Stützarmen 71 durch Zuführmittel, wie einem Roboter oder einem Förderer, platziert und entfernt werden.At this time, the front and back support fingers become 73 the support arms 71 against the corresponding front and back ends of the indicated by the arrow x direction of the solar cell substrate 8th held. If the engines 3 be turned on the support arms 71 along with the movable blocks 72 to move, becomes the solar cell substrate 8th prevented from relating to the support arms 71 wobbles. The solar cell substrate 8th can from between the support arms 71 be placed and removed by feeding means such as a robot or a conveyor.

Zum Bearbeiten einer zu bearbeitenden Region (zu bearbeitenden Linie) S (Bezug nehmend auf 4A) des Solarzellensubstrats 8 entlang der durch den Pfeil y indizierten Richtung führt des Bearbeitungszuführmittel eine Positionssteuerbearbeitung am Solarzellensubstrat 8 aus, um die zu bearbeitende Region S des Solarzellensubstrats 8 über dem Schlitz 22 der Luftausstoßplatte 2 zu positionieren. Dann werden die Laserstrahlaufbringmittel 5 und die Bruchstückanziehmittel 6 in Synchronisation miteinander in der durch den Pfeil y indizierten Richtung bewegt, während sie in Betrieb sind. Um eine weitere zu bearbeitende Region S des Solarzellensubstrats 8 zu bearbeiten, kann das Bearbeitungszuführmittel 7 das Solarzellensubstrat 8 steuern, um es zur anderen zu bearbeitenden Region S über dem Schlitz 22 zu positionieren.To edit a region to be edited (line to be processed) S (refer to FIG 4A ) of the solar cell substrate 8th along the direction indicated by the arrow y, the machining feed means performs position control processing on the solar cell substrate 8th out to the region S to be processed of the solar cell substrate 8th over the slot 22 the air ejection plate 2 to position. Then, the laser beam applying means become 5 and the fractional remedies 6 in synchronization with each other in the direction indicated by the arrow y while they are in operation. To another region to be processed S of the solar cell substrate 8th to edit, the machining feed means 7 the solar cell substrate 8th steer it to the other region S to be worked over the slot 22 to position.

Zum Bearbeiten einer zu bearbeitenden Region S des Solarzellensubstrats 8 entlang der durch den Pfeil x indizierten Richtung werden die Laserstrahlbearbeitungsmittel 5 und die Bruchstückanziehmittel 6 in eine mit der zu bearbeitenden Region S des Solarzellensubstrats 8 ausgerichteten Position entlang der durch den Pfeil x indizierten Richtung bewegt. Dann wird das Bearbeitungszuführmittel 7 mit einer vorgegebenen Geschwindigkeit in der durch den Pfeil x indizierten Richtung bewegt, wodurch die zu bearbeitende Region S des Solarzellensubstrats 8 entlang der durch den Pfeil x indizierten Richtung bearbeitet wird. Wenn das Solarzellensubstrat 8 so entlang der durch die Pfeile x, y indizierten Richtungen bearbeitet wurde, werden trennende Nuten in der Funktionsschicht 82 des Solarzellensubstrats 8 ausgebildet. Wenn die Bearbeitung des Solarzellensubstrats 8 durch die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 abgeschlossen ist, wird das Solarzellensubstrat 8 von der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß einer Reihenfolge entnommen, die umgekehrt zur Reihenfolge ist, durch die das Solarzellensubstrat 8 in die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 beschickt wurde. Das Solarzellensubstrat 8 kann in die oder von der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 am gleichen Ort oder an verschiedenen Orten beschickt oder entnommen werden.For processing a region S of the solar cell substrate to be processed 8th along the direction indicated by the arrow x become the laser beam processing means 5 and the fractional remedies 6 in one to be processed region S of the solar cell substrate 8th aligned position along the indicated by the arrow x direction moves. Then, the machining feed means becomes 7 is moved at a predetermined speed in the direction indicated by the arrow x, whereby the region S of the solar cell substrate to be processed 8th is processed along the indicated by the arrow x direction. When the solar cell substrate 8th has been processed along the directions indicated by the arrows x, y, separating grooves in the functional layer 82 of the solar cell substrate 8th educated. When the processing of the solar cell substrate 8th by the laser beam processing device 100 is completed, the solar cell substrate 8th from the laser beam processing apparatus 100 taken in an order reverse to the order through which the solar cell substrate 8th in the laser beam processing apparatus 100 was charged. The solar cell substrate 8th can be in or from the laser beam processing device 100 be loaded or removed at the same place or at different locations.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird, nachdem der durch die Strichpunktlinien indizierte Laserstrahl auf dem Solarzellensubstrat 8 durch das Glassubstrat 81 aufgebracht und an der Schnittstelle zwischen dem Glassubstrat 81 und der Funktionsschicht 82 fokussiert wurde, der Abschnitt der Funktionsschicht 82 in der zu bearbeitenden Region S, die mit dem Glassubstrat 81 in Kontakt gehalten wird, schnell ausgedehnt und verdampft, wodurch sofort ein Hochdruckhohlraum 82A ausgebildet wird, wie in 4A gezeigt. Die Funktionsschicht 82 des Solarzellensubstrats 8 weist eine Dicke von zum Beispiel 2 μm bis 3 μm auf.According to the present embodiment, after the laser beam indexed by the dotted lines on the solar cell substrate 8th through the glass substrate 81 applied and at the interface between the glass substrate 81 and the functional layer 82 focused, the section of the functional layer 82 in the region to be processed S, with the glass substrate 81 is kept in contact, expanded quickly and vaporized, creating a high-pressure cavity immediately 82A is trained as in 4A shown. The functional layer 82 of the solar cell substrate 8th has a thickness of, for example, 2 μm to 3 μm.

Selbst ohne die Notwendigkeit des Erwärmens der gesamten zu bearbeitenden Region S der Funktionsschicht 82 mit dem Laserstrahl wird der Hohlraum 82A bald aufgebrochen, wodurch Bruchstücke 82B nach oben geblasen werden, um eine trennende Nut in der Funktionsschicht 82 zu erzeugen. Zu dieser Zeit, sobald die Bruchstücke 82B durch die Bruchstückanziehmittel 6 angezogen werden, werden die Bruchstücke daran gehindert, dass sie verstreut werden, und demnach kann die Funktionsschicht 82 effizient in der zu bearbeitenden Region S bearbeitet werden. Gemäß der vorliegendem Ausführungsform kann, nachdem die gesamte zu bearbeitende Region S der Funktionsschicht 82 nicht mit dem Laserstrahl erwärmt werden muss, die Funktionsschicht 82 ohne Verbrauch von viel Energie bearbeitet werden. Nachdem die am Solarzellensubstrat 8 aufzubringende Wärmemenge relativ klein ist, wird das Glassubstrat 81 daran gehindert, dass es unnötig beschädigt wird. Insofern die Funktionsschicht 82 in der zu bearbeitenden Region S nicht in ihrer Gesamtheit verdampft werden muss, kann das Solarzellensubstrat 8 mit einer hohen Rate bearbeitet werden. Darüber hinaus kann die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 eine Laserstrahlquelle mit einem geringen Ausgabeniveau einsetzen.Even without the need to heat the entire region S of the functional layer to be processed 82 with the laser beam becomes the cavity 82A soon broken up, causing fragments 82B blown up to a separating groove in the functional layer 82 to create. At this time, as soon as the fragments 82B through the fractional sweeteners 6 are attracted to the fragments are prevented from being scattered, and therefore, the functional layer 82 be processed efficiently in the region S to be processed. According to the present embodiment, after the entire region S to be processed of the functional layer 82 does not need to be heated with the laser beam, the functional layer 82 be processed without consuming a lot of energy. After the solar cell substrate 8th amount of heat to be applied is relatively small, the glass substrate 81 prevented from being damaged unnecessarily. Insofar the functional layer 82 in the region to be processed S does not have to be evaporated in its entirety, the solar cell substrate 8th be processed at a high rate. In addition, the laser beam processing apparatus 100 use a laser beam source with a low output level.

Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform kann einen Abschnitt (zu bearbeitende Region S) der Funktionsschicht 82 des Solarzellensubstrats 8 effizient vom Glassubstrat 81 entfernen. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform können die Laserstrahlaufbringmittel 5 und die Bruchstückanziehmittel 6, die jeweils als ein Paar vorgesehen sind, jedes Solarzellensubstrat 8 mit einer hohen Rate bearbeiten. Darüber hinaus, nachdem das Solarzellensubstrat 8 durch die Luftausstoßplatte 2 außer Kontakt hiermit durch eine von den Luftausstoßausnehmungen 21 ausgestoßene Luft gestützt wird, die gleichmäßig in der Luftausstoßplatte 2 definiert sind, wird das Solarzellensubstrat 8 daran gehindert, dass es gebogen oder gekippt wird. Demnach kann der Laserstrahl genau auf dem Solarzellensubstrat 8 für eine Hochpräzisionsbearbeitung fokussiert werden.The laser beam processing device 100 According to the first embodiment, a portion (region S to be processed) of the functional layer 82 of the solar cell substrate 8th efficient from the glass substrate 81 remove. According to the present embodiment, the laser beam applying means 5 and the fractional remedies 6 each provided as a pair, each solar cell substrate 8th work at a high rate. In addition, after the solar cell substrate 8th through the air ejection plate 2 out of contact with this by one of the air ejection recesses 21 discharged air evenly in the air ejection plate 2 are defined, the solar cell substrate 8th prevented from being bent or tilted. Thus, the laser beam can be exactly on the solar cell substrate 8th be focused for a high precision machining.

Zweite AusführungsformSecond embodiment

5 und 6 zeigen eine Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A ist ähnlich zur Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100, außer dass sie eine rechtwinklige obere Luftausstoßplatte 9 oberhalb der Luftausstoßplatte 2 aufweist, wobei die obere Luftausstoßplatte 9 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung kürzer ist als die Luftausstoßplatte 2. Andere strukturelle Details der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A gemäß der zweiten Ausführungsform sind im Wesentlichen die gleichen wie diejenigen der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform, und sie sind durch identische Bezugszeichen gekennzeichnet und werden nachfolgend nicht im Detail beschrieben. 5 and 6 show a laser beam processing device 100A according to a second embodiment of the present invention. The Laser beam machining apparatus 100A is similar to the laser beam processing device 100 except that it has a rectangular top air exhaust plate 9 above the air ejection plate 2 having the upper air ejection plate 9 in the direction indicated by the arrow x is shorter than the air ejection plate 2 , Other structural details of the laser beam processing apparatus 100A According to the second embodiment, substantially the same as those of the laser beam processing apparatus 100 according to the first embodiment, and they are identified by identical reference numerals and will not be described in detail below.

Wie in 6 gezeigt, ist die obere Luftausstoßplatte 9 ähnlich zur Luftausstoßplatte 2, die hier darunter angeordnet ist, unterscheidet sich jedoch hiervon darin, dass sie eine Anzahl von Luftausstoßausnehmungen 91 aufweist, die in einer unteren Platte 9A hiervon definiert sind. Die obere Luftausstoßplatte 9, die kürzer ist als die Luftausstoßplatte 2 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung, weist ein mit dem entsprechenden Ende der Luftausstoßplatte 2 ausgerichtetes Ende auf. Wie in 5 gezeigt, wird ein Solarezellensubstrat 8 in die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A an einer Position nahe einem Ende der Luftausstoßplatte 2 beschickt, und zwar entfernt von den ausgerichteten Enden der Luftausstoßplatten 2, 9 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung. Das Solarzellensubstrat 8 wird in die und von der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A beschickt und entnommen, während das Bearbeitungszuführmittel 7 an einer solchen Position gelegen ist.As in 6 shown is the upper air ejection plate 9 similar to the air ejection plate 2 however, which differs therefrom differs in that it has a number of Luftausstoßausnehmungen 91 that is in a lower plate 9A are defined hereof. The upper air discharge plate 9 which is shorter than the air ejection plate 2 in the direction indicated by the arrow x, has one with the corresponding end of the air ejection plate 2 aligned end up. As in 5 shown becomes a solar cell substrate 8th in the laser beam processing apparatus 100A at a position near an end of the air ejection plate 2 charged, away from the aligned ends of the air ejection plates 2 . 9 in the direction indicated by the arrow x. The solar cell substrate 8th enters and from the laser beam processing apparatus 100A loaded and unloaded while the machining feed 7 located at such a position.

Wie in 6 gezeigt, wird die obere Luftausstoßplatte 9 an einem Rahmen der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A parallel zur Luftausstoßplatte 2 befestigt, und ist in einem vorgeschriebenen Abstand beabstandet, der groß genug ist, um das Solarzellensubstrat 8 darin einzuführen, und zwar von der Luftausstoßplatte 2. Wie in 5 gezeigt, weist die so positionierte obere Luftausstoßsplatte 9 einen darin definierten Schlitz 92 in Ausrichtung mit dem im Schlitz 92 der Luftausstoßplatte 2 angeordneten Laserstrahlaufbringmittel 5 auf. Der Schlitz 92 ist im Wesentlichen mittig in der oberen Luftausstoßplatte 9 in der durch den Pfeil x indizierten Richtung positioniert, d. h., die obere Luftausstoßplatte 9 wird durch den Schlitz 92 in rechtwinklige Abschnitte geteilt, die im Wesentlichen die gleiche Größe aufweisen. Die rechtwinkligen Abschnitte, die an beiden Seiten des Schlitzes 92 gelegen sind, weisen eine Größe auf, die in einer Draufsicht das Solarzellensubstrat 8 vollständig abdeckt. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird ein Bruchstückanziehmittelpaar 6A in den Schlitz 92 der oberen Luftausstoßplatte 9 eingeführt. Die Haube 61A, welche in den Schlitz 92 eindringt, hat einen relativ kleinen Durchmesser.As in 6 shown is the upper air ejection plate 9 on a frame of the laser beam processing apparatus 100A parallel to the air ejection plate 2 fixed, and is spaced at a prescribed distance which is large enough to the solar cell substrate 8th in it, from the air ejection plate 2 , As in 5 shown has the upper air ejection plate thus positioned 9 a slot defined therein 92 in alignment with the one in the slot 92 the air ejection plate 2 arranged Laserstrahlaufbringmittel 5 on. The slot 92 is essentially centered in the upper air ejection plate 9 positioned in the direction indicated by the arrow x, ie, the upper air discharge plate 9 gets through the slot 92 divided into rectangular sections that are substantially the same size. The rectangular sections, on both sides of the slot 92 are located, have a size that in a plan view of the solar cell substrate 8th completely covers. According to the present embodiment, a fragment attractant pair becomes 6A in the slot 92 the upper air discharge plate 9 introduced. The hood 61A which is in the slot 92 penetrates, has a relatively small diameter.

Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100A gemäß der zweiten Ausführungsform bietet die gleichen Vorteile wie diejenigen der Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Zusätzlich kann, selbst wenn das Solarzellensubstrat 8, das über die Luftausstoßplatte schwimmt, eine Verwerfung aufweist, kann die Verwerfung durch Luft korrigiert werden, die unter gleichförmigem Druck nach unten von den Luftausstoßausnehmungen 91 der oberen Luftausstoßplatte 9 ausgestoßen und auf dem Solarzellensubstrat 8 aufgebracht wird. Deshalb wird der durch die Strichpunktlinien indizierte Laserstrahl auf dem Solarzellensubstrat 8 durch das Glassubstrat 81 aufgebracht und an der Schnittstelle zwischen dem Glassubstrat 81 und der Funktionsschicht 82 fokussiert, wodurch die Funktionsschicht 82 genau bearbeitet wird.The laser beam processing device 100A according to the second embodiment offers the same advantages as those of the laser beam processing apparatus 100 according to the first embodiment. In addition, even if the solar cell substrate 8th , which floats over the air ejection plate, has a warp, the distortion can be corrected by air, which under uniform pressure down from the Luftausstoßausnehmungen 91 the upper air discharge plate 9 ejected and on the solar cell substrate 8th is applied. Therefore, the laser beam indexed by the dotted lines becomes on the solar cell substrate 8th through the glass substrate 81 applied and at the interface between the glass substrate 81 and the functional layer 82 focused, causing the functional layer 82 is processed exactly.

Modifikationenmodifications

Während die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zuvor beschrieben wurden, soll die vorliegende Offenbarung nicht auf die obige Beschreibung und die begleitenden Zeichnungen der bevorzugten Ausführungsformen beschränkt sein. Verschiedene Veränderungen und Modifikationen, die für die in der Technik Bewanderten ersichtlich sind, können basierend auf der obigen Offenbarung ausgeführt werden, ohne vom Bereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Zum Beispiel, während das Solarzellensubstrat 8 als ein zu bearbeitendes Werkstück in der ersten und zweiten Ausführungsform illustriert wurde, können verschiedene Werkstücke, welche ein transparentes Substrat und eine hierauf angeordnete Funktionsschicht aufweisen, wie ein organisches EL-Anzeigepaneel, ein anorganisches EL-Anzeigepaneel, ein Plasmaanzeigepaneel, ein Feldemissionsanzeigepaneel, usw. durch die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung bearbeitet werden.While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present disclosure should not be limited to the above description and the accompanying drawings of the preferred embodiments. Various changes and modifications that may become apparent to those skilled in the art can be made based on the above disclosure without departing from the scope of the present disclosure. For example, while the solar cell substrate 8th is illustrated as a workpiece to be machined in the first and second embodiments, various workpieces having a transparent substrate and a functional layer disposed thereon such as an organic EL display panel, an inorganic EL display panel, a plasma display panel, a field emission display panel, etc. be processed by the laser beam processing apparatus according to the present invention.

Während die Befestigungsbasis 1 in der Gestalt eines Boxähnlichen Tisches in der ersten und zweiten Ausführungsform eingesetzt wurde, können verschiedene Strukturen als eine solche Befestigungsbasis verwendet werden, insofern sie ein Haltestützmittel zum Stützen des Solarzellensubstrats 8 außer Kontakt hiermit halten können. Darüber hinaus, während die Luftausstoßplatte 2 verwendet wird, um Luft auf dem Solarzellensubstrat 8 in der ersten und zweiten Ausführungsform aufzubringen, können verschiedene Strukturen verwendet werden, um Luft auf dem Solarzellensubstrat 8 aufzubringen, solange sie Luft gleichförmig auf dem Solarzellensubstrat 8 aufbringen können.While the mounting base 1 In the form of a box-like table in the first and second embodiments, various structures may be used as such a mounting base, in that they include a holding support for supporting the solar cell substrate 8th can keep out of contact with this. In addition, while the air ejection plate 2 is used to air on the solar cell substrate 8th In the first and second embodiments, various structures may be used to apply air to the solar cell substrate 8th apply as long as they uniformly air on the solar cell substrate 8th can muster.

Während die optische Faser 52 verwendet wird, um den Laserstrahl der Objektivlinse 51 in der ersten und zweiten Ausführungsform zu übertragen, können stattdessen Spiegel verwendet werden, um den Laserstrahl zur Objektivlinse 51 zu übertragen. Während die Bruchstückanziehmittel 6 am Bruchstückanziehmittelbefestigungsrahmen 4 in der ersten und zweiten Ausführungsform befestigt sind, kann der Bruchstückanziehmittelbefestigungsrahmen 4 weggelassen werden und verschiedene andere Strukturen können verwendet werden, um die Bruchstückanziehmittel 6 in der durch den Pfeil y indizierten Richtung zu bewegen.While the optical fiber 52 used to measure the laser beam of the objective lens 51 in the first and second embodiments Instead, mirrors can be used to direct the laser beam to the objective lens 51 transferred to. While the fractional remedies 6 at the fractional center attachment frame 4 In the first and second embodiments, the fragmentary attachment fixing frame may be attached 4 can be omitted and various other structures can be used to remove the debris attractants 6 to move in the direction indicated by the arrow y.

In der ersten und zweiten Ausführungsform werden das Laserstrahlaufbringmittelpaar 5 und das Bruchstückanziehmittelpaar 6 eingesetzt. Allerdings können das Laserstrahlaufbringmittelpaar 5 und Bruchstückanziehmittel 6 eingesetzt werden, oder drei oder mehr Paare der Laserstrahlaufbringmittel 5 und der Bruchstückanziehmittel 6 können eingesetzt werden. Während die Laserstrahlaufbringmittel 5 unterhalb der Bruchstückanziehmittel 6 in der ersten und zweiten Ausführungsform angeordnet sind, können die Laserstrahlaufbringmittel 5 oberhalb der Bruchstückanziehmittel 6 angeordnet sein. Falls die Laserstrahlaufbringmittel 5 oberhalb der Bruchstückanziehmittel 6 angeordnet sind, dann kann das Solarzellensubstrat 8 derart orientiert sein, dass die Funktionsschicht 82 nach unten weist. In der ersten und zweiten Ausführungsform werden die Stützarme 71 der gegenüberliegenden Seiten des Solarzellensubstrats 8 mit den Vorder- und Rückstützfingern 73 gestützt. Allerdings können die Stützarme 71 mit den gegenüberliegenden Seiten des Solarzellensubstrats 8 mit Stiften gestützt werden.In the first and second embodiments, the laser beam applying means become pair 5 and the fractional attractant pair 6 used. However, the laser beam applicator pair may be 5 and fractional sweeteners 6 or three or more pairs of the laser beam applying means 5 and the fractional sweetener 6 can be used. While the Laserstrahlaufbringmittel 5 below the fractional accepts 6 are arranged in the first and second embodiments, the laser beam applying means 5 above the fractional attractants 6 be arranged. If the laser beam application means 5 above the fractional attractants 6 are arranged, then the solar cell substrate 8th be oriented such that the functional layer 82 pointing down. In the first and second embodiments, the support arms 71 the opposite sides of the solar cell substrate 8th with the front and back support fingers 73 supported. However, the support arms can 71 with the opposite sides of the solar cell substrate 8th be supported with pins.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der zuvor beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Bereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert, und alle Veränderungen und Modifikationen, die innerhalb die Äquivalenz des Bereichs der Ansprüche fallen, sind deshalb durch die vorliegende Erfindung zu umfassen.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiments described above. The scope of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications that fall within the equivalence of the scope of the claims are therefore to be embraced by the present invention.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • JP 2004-170455 [0002] JP 2004-170455 [0002]

Claims (3)

Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung (100, 100A), mit: einem Nicht-Kontakt-Stützmittel zum Stützen eines ein transparentes Substrat (81) und eine hierauf angeordnete Funktionsschicht (82) aufweisenden Werkstücks (8) außer Kontakt hiermit, einem Laserstrahlaufbringmittel (5) zum Aufbringen eines Laserstrahls auf dem durch das Nicht-Kontakt-Stützmittel gestützten Werkstücks (8), wobei das Laserstrahlaufbringmittel (5) einen Lasergenerator (53) zum Emittieren eines Laserstrahls und eine Objektivlinse (51) zum Fokussieren des vom Lasergenerator (53) emittierten Laserstrahls durch das transparente Substrat auf eine Grenzschicht zwischen dem transparenten Substrat und der Funktionsschicht aufweist, Bearbeitungszuführmittel (7) zum Zuführen des Werkstücks relativ zum Laserstrahlaufbringmittel (5), und Bruchstückanziehmittel (6, 6A) zum Anziehen von Bruchstücken, die erzeugt werden, wenn die Funktionsschicht durch den durch des Laserstrahlaufbringmittel auf dem Werkstück aufgebrachten Laserstrahl erwärmt wird, wobei das Bruchstückanziehmittel (6) in Ausrichtung mit der Objektivlinse (51) näher zur Funktionsschicht (82) als zum transparente Substrat angeordnet ist.Laser beam processing device ( 100 . 100A ) comprising: a non-contact support means for supporting a transparent substrate ( 81 ) and a functional layer arranged thereon ( 82 ) having workpiece ( 8th ) out of contact therewith, a laser beam applying means ( 5 ) for applying a laser beam on the workpiece (not supported by the non-contact support means) ( 8th ), wherein the laser beam application means ( 5 ) a laser generator ( 53 ) for emitting a laser beam and an objective lens ( 51 ) for focusing the laser generator ( 53 ) laser beam has through the transparent substrate on a boundary layer between the transparent substrate and the functional layer, Bearbeitungszuführmittel ( 7 ) for feeding the workpiece relative to the laser beam application means ( 5 ), and fractional attractants ( 6 . 6A ) for attracting debris produced when the functional layer is heated by the laser beam applied to the workpiece by the laser beam applying means, the debris attracting means ( 6 ) in alignment with the objective lens ( 51 ) closer to the functional layer ( 82 ) is arranged as the transparent substrate. Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung (100, 100A) gemäß Anspruch 1, bei der das Nicht-Kontakt-Stützmittel eine erste Luftausstoßplatte (2, 2A) aufweist, die eine Anzahl von Luftausstoßausnehmungen (21) zum Ausstoßen von Luft aufweist, um das Werkstück (8) zu stützen, wobei die erste Luftausstoßplatte (2) unterhalb des Werkstücks (8) angeordnet ist, des durch die von den Luftausstoßausnehmungen (21) ausgestoßene Luft gestützt wird.Laser beam processing device ( 100 . 100A ) according to claim 1, wherein the non-contact support means comprises a first air ejection plate ( 2 . 2A ) having a number of Luftausstoßausnehmungen ( 21 ) for expelling air to the workpiece ( 8th ), the first air ejection plate ( 2 ) below the workpiece ( 8th ) arranged by the of the Luftausstoßausnehmungen ( 21 ) discharged air is supported. Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung (100, 100A) gemäß Anspruch 2, bei der das Nicht-Kontakt-Stützmittel ferner eine zweite Luftausstoßplatte (9) aufweist, die eine Anzahl von Luftausstoßausnehmungen (91) zum Ausstoßen von Luft zum Werkstück (8) aufweist, wobei die zweite Luftausstoßplatte (9) oberhalb des Werkstücks (8) angeordnet ist.Laser beam processing device ( 100 . 100A ) according to claim 2, wherein the non-contact support means further comprises a second air ejection plate ( 9 ) having a number of Luftausstoßausnehmungen ( 91 ) for discharging air to the workpiece ( 8th ), wherein the second air ejection plate ( 9 ) above the workpiece ( 8th ) is arranged.
DE102011082427A 2010-09-13 2011-09-09 Laser beam processing device comprises non-contact support means for supporting workpiece, laser beam application means, processing supply means for supplying workpiece relative to laser beam application means, and fragment tightening means Pending DE102011082427A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010204952A JP2012055966A (en) 2010-09-13 2010-09-13 Laser beam machining device
JP2010-204952 2010-09-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102011082427A1 true DE102011082427A1 (en) 2012-03-15

Family

ID=45756269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011082427A Pending DE102011082427A1 (en) 2010-09-13 2011-09-09 Laser beam processing device comprises non-contact support means for supporting workpiece, laser beam application means, processing supply means for supplying workpiece relative to laser beam application means, and fragment tightening means

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2012055966A (en)
CN (1) CN102398113A (en)
DE (1) DE102011082427A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190088507A1 (en) * 2015-02-27 2019-03-21 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6778080B2 (en) * 2016-10-20 2020-10-28 株式会社日本製鋼所 Laser machining equipment and laser machining method
JP7402081B2 (en) * 2020-02-27 2023-12-20 本田技研工業株式会社 laser processing equipment
CN111408840B (en) * 2020-04-07 2021-10-19 哈尔滨工业大学(威海) Device for assisting underwater laser deposition or material increase through induction heating and use method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004170455A (en) 2002-11-15 2004-06-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Laser processing apparatus, laser processing system and solar cell

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53114347A (en) * 1977-12-07 1978-10-05 Toshiba Corp Working method for semiconductor device
JP4845280B2 (en) * 2001-03-21 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Laser annealing equipment
TWI226303B (en) * 2002-04-18 2005-01-11 Olympus Corp Substrate carrying device
BRPI0511797A (en) * 2004-06-03 2008-01-15 Oc Oerlikon Balzers Ag table for receiving a workpiece, as well as a process for processing a workpiece on such a table
JP4467632B2 (en) * 2008-03-24 2010-05-26 丸文株式会社 Beam processing apparatus, beam processing method, and beam processing substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004170455A (en) 2002-11-15 2004-06-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Laser processing apparatus, laser processing system and solar cell

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190088507A1 (en) * 2015-02-27 2019-03-21 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method
US10418262B2 (en) * 2015-02-27 2019-09-17 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method

Also Published As

Publication number Publication date
CN102398113A (en) 2012-04-04
JP2012055966A (en) 2012-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112004000768B4 (en) Method for separating a plate-like element
DE102014106472B4 (en) Method for radiation scratching a semiconductor substrate
EP3083127B1 (en) Machine for the separative machining of plate-shaped workpieces and the usage thereof
DE102016209554A1 (en) WAFER PRODUCTION PROCESS
EP1598121A2 (en) Laser-based stripping method
DE102017214738A1 (en) Method for producing a SiC wafer
DE602004012302T2 (en) LASER CUTTING UNIT WITH WORKPIECE SUPPORT WITH PARALLEL-STORED GRID ELEMENTS AND PART DISCHARGE UNIT WITH A PAIR OF EACH OTHER FORK ASSEMBLY
DE102011051198B4 (en) Method for producing a weight-optimized deflection mirror
EP2748656B1 (en) Continuous method for manufacturing light guide plates
DE102011082427A1 (en) Laser beam processing device comprises non-contact support means for supporting workpiece, laser beam application means, processing supply means for supplying workpiece relative to laser beam application means, and fragment tightening means
WO2010006589A2 (en) Laser scribing system for structuring substrates for thin-layer solar modules
DE102018217293B4 (en) laser processing device
EP0593894A1 (en) Tool for a punch press equipped with a laser welding apparatus
DE102012215909B4 (en) Tool for chemical-mechanical planarization with multiple spindles
DE102017208953A1 (en) LASER PROCESSING DEVICE AND WASHER MANUFACTURING METHOD
DE102014203525A1 (en) Apparatus and method for processing a workpiece
EP2886220A1 (en) Method for handling plate-shaped cut material on a cutting machine
DE102015201551A1 (en) Recognition device for detecting alignment of blanks of semifinished products
DE102016213802A1 (en) Disconnect with laser radiation
DE102008058310B3 (en) Device for edge delamination of coated substrates and separation into individual modules
DE102012201419B4 (en) Laser processing device
DE102017202426A1 (en) TLS method and TLS device
EP3443417B1 (en) Vorrichtung zur belichtung eines substrats
DE102020215968B3 (en) Device and method for automated laser cutting of workpiece parts from a flat workpiece
DE102005033979B4 (en) Assembly system and method for equipping substrates with electrical components

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication