DE102011075232A1 - Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Silizium-haltigen Schichten - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von n-dotierten Silizium-haltigen Schichten, entsprechend hergestellte Schichten und deren Verwendung.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von n-dotierten Silizium-haltigen Schichten, entsprechend hergestellte Schichten und deren Verwendung.
  • Eine Dotierung oder das Dotieren bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die dabei eingebrachte Menge ist dabei sehr klein im Vergleich zum Trägermaterial. Soll die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern geändert werden, dann wird zwischen p- und n-Dotierung unterschieden. Bei der p-Dotierung werden Fremdatome implantiert, die als Elektronen-Akzeptoren dienen. Bei der n-Dotierung werden hingegen Elektronen-Donatoren implantiert. Im Falle von Silizium-Schichten werden häufig Phosphorverbindungen bei der n-Dotierung eingesetzt.
  • So beschreibt US 5,866,471 den Einsatz von Hydridosilanen, die thermisch in Anwesenheit eines Dotierstoffes in einen Halbleiterfilm des n-Typs zersetzt werden können. n-Typ Dotierstoffe können z. B. PPh3, P(tBu)3, P(SiMe3)3 sein. Die genannten Verbindungen werden zwischen 200 und 700 °C thermisch zersetzt, wobei die Härtungszeiten zwischen 10 Minuten und 10 Stunden liegen.
  • EP 1 085 579 A1 beschreibt Verfahren zur Herstellung von Solarzellen, bei denen flüssige Zusammensetzungen, die Silane enthalten, eingesetzt werden und mit Wärme, Licht und/oder Laserbehandlung konvertiert werden. Die flüssigen Beschichtungszusammensetzungen können ein Lösemittel und eine cyclische Siliciumverbindung der Formel SinXm (X = H, Hal, n ≥ 5, m = n, 2n – n, 2n) und/oder eine modifizierte Silanverbindung der Formel SiaXbYc (X = H, Hal, Y = B, P, a ≥ 3, c = 1 bis a und b = a bis 2a + c + 2) enthalten. Die Umwandlung der Beschichtungszusammensetzungen in eine n-dotierte amorphe Schicht wird zwischen 300 °C und 550 °C durchgeführt.
  • EP 1 357 154 A1 beschreibt Zusammensetzungen „höherer Silane“, die ein Polysilan enthalten, das durch Bestrahlen eines photopolymerisierbaren Silans mit UV-Strahlung herstellbar ist. Bei dem photopolymerisierbaren Silan kann es sich um ein Silan der generellen Formel SinXm (mit n ≥ 3, m ≥ 4, X = H, Hal) handeln, Dabei werden Elementverbindungen III bzw. V Hauptgruppe vor oder nach der Polymerisation eingesetzt. Dazu wird der feuchte Film durch Wärme (typischerweise 100–200 °C) getrocknet und dann durch Wärme und/oder Licht konvertiert. Amorphe Filme lassen sich durch thermische Behandlung bei Temperaturen von kleiner als 550 ° erzeugen, bei höheren Temperaturen resultieren polykristalline Filme. In der Regel werden Konvertierungszeiten von 10 Minuten (350 °C, 400 °C, 500 °) eingesetzt und als Dotiersubstanzen PH3 bzw. P4. Nachteilig ist hier der Einsatz sehr giftiger und stabiler Substanzen.
  • EP 1640342 A1 beschreibt Zusammensetzungen „höherer Silane“, die ein Polysilan enthalten, das laut GPC zwischen 800–5000 g/mol mittleres Molekulargewicht hat. Diese Zusammensetzung kann auch ein Elementverbindungen III bzw. V Hauptgruppe enthalten. Im Beispiel wird Cyclopentasilan mit gelbem Phosphor bestrahlt. Der Film wird bei 400 °C für 30 min. und anschließend bei 800 °C 5 min. ausgehärtet Nachteilig ist auch hier der Einsatz sehr giftiger und stabiler Substanzen.
  • US 2005/0008880 beschreibt die Herstellung von n-dotierten Schichten durch Drucken einer cyclischen H-Silan-Verbindung (SiHx)n mit n = 3–8 und/oder einer cyclischen Gruppe-IV-Verbindung der Form (AHx)m(AHyRz-y)p(ZR`)q in ein Muster auf einem Substrat und Härtung des Films. Es werden Härtezeiten im Bereich von 10 sec bis 60 min angegeben, bevorzugt 30 sec bis 30 min. Es werden allerdings stets Nanopartikel als weitere Komponente eingesetzt, die die Zusammensetzung komplexer und schwieriger handhabbar machen.
  • US 2008022897 A1 beschreibt die Herstellung dotierter Halbleiterschichten, wobei als Dotierstoffe Phosphorhydrogensilane eingesetzt werden. Die genannten Dotierstoffe zeichnen sich durch eine geringe Stabilität aus und lassen sich dementsprechend schlecht handhaben.
  • Die im Stand der Technik genannten Verfahren sind hinsichtlich der Durchführung bzw. bezüglich der Handhabung der einzelnen Komponenten aufwendig. Demgemäß besteht ein Bedarf an verbesserten Verfahren zur Herstellung n-dotierter Schichten.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist somit ein verbessertes Verfahren zur Herstellung n-dotierter Silizium-haltiger Schichten.
  • Dabei kann unter einer Silizium-haltigen Schicht sowohl eine im Wesentlichen reine Siliziumschicht als auch eine Schicht verstanden werden, die neben Silizium weitere Halbleitermetalle enthält, beispielsweise eine auf Silizium und Germanium basierende Schicht. Insbesondere kann durch das erfindungsgemäße Verfahren eine n-dotierte Siliziumschicht hergestellt werden.
  • Im Rahmen der vorliegenden Erfindung erfolgt die Herstellung der n-dotierten Silizium-haltigen Schichten, durch Aufbringen eines aus mindestens einem Hydridosilan der generischen Formel SiaH2a+2 (mit a = 3–10) herstellbaren höheren Silans zusammen mit cyclischen Verbindungen der Formel (I) [(RR`Si)n(R``Si)m(PH)xPy] (I) mit (n > 0, x + y > 0) R = -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl; R` = H, -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl; R`` = H, -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl auf ein Substrat und anschließendes Konvertieren in eine n-dotierte Silizium-haltige Schicht. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung erfolgt die Aufbringung der Verbindungen insbesondere durch Flüssigphasen-Verfahren. Unter einem Flüssigphasen-Verfahren ist vorliegend ein Verfahren zu verstehen, bei dem flüssige Edukte (ggf. fungierend als Lösemittel für weitere Additive bzw. die Dotierstoffe) oder flüssige Lösungen enthaltend die (selbst flüssigen oder festen) Edukte (und ggf. weitere Additive bzw. die Dotierstoffe) auf das zu beschichtende Substrat aufgebracht und nachfolgend energetisch, beispielsweise thermisch oder mittels Plasmakonvertierung (ggf. unterstützt durch elektromagnetische Strahlung), in eine n-dotierte Silizium-haltige Schicht konvertiert werden.
  • Bei dem vorliegend eingesetzten Edukt handelt es sich um ein aus mindestens einem Hydridosilan der generischen Formel SiaH2a+2 (mit a = 3–10) herstellbares höheres Silan. Hydridosilane der generischen Formel SiaH2a+2 (mit a = 3–10) sind nichtzyklische, d.h. lineare oder verzweigte Hydridosilane. Entsprechende Verfahren zur Herstellung höherer Silane sind dem Fachmann bekannt. Beispielhaft zu nennen sind photochemische, anionische, kationische oder katalytische Polymerisationsprozesse. Von diesen lässt sich bevorzugt der radikalische Polymerisationsprozess durch Bestrahlung mit UV-Strahlung einleiten und durchführen, wobei die Bestrahlungsdauer mit dem entstehenden mittleren Molekulargewicht korreliert. Allen genannten Polymerisationsprozessen ist gemein, dass sie anders als die für cyclische Silane beschriebene ringöffnende Polymerisation dissoziativ verlaufen, d.h. sie führen aufgrund des dissoziativen Reaktionsverlaufs und der zwischenzeitlich entstehenden dissoziierten Zwischenprodukte oder -zustände im Mittel zu höheren Silanen mit einem höheren Verzweigungs- bzw. Quervernetzungsanteil. Erfahrungsgemäß weist ein aus mindestens einem Hydridosilan der generischen Formel SiaH2a+2 (mit a = 3–10) über einen Polymerisationsprozeß herstellbares höheres Silan kein einheitliches Molekulargewicht auf. Unter „einem“ höheren Silan im Sinne der vorliegenden Erfindung ist somit ein aus mindestens einem definierten Silan der generischen Formel SiaH2a+2 (mit a = 3–10) über einen dissoziativen Polymerisationsprozess herstellbares Silan zu verstehen, das ein auf dem gewählten Polymerisationsprozess zurückzuführendes im Vergleich zu den eingesetzten Edukten erhöhtes mittleres Molekulargewicht aufweist.
  • Bevorzugt wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ein höheres Silan eingesetzt, das ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 400–10000 g/mol gemessen über GPC aufweist. Weiter bevorzugt beträgt das gewichtsmittlere Molekulargewicht des höheren Silans 400–5000 g/mol, noch weiter bevorzugt 600–4000 g/mol gemessen über GPC.
  • Anders als im Stand der Technik werden im Rahmen der vorliegenden Erfindung nichtzyklische, d.h. lineare oder verzweigte Hydridosilane, eingesetzt. Dies ist vorteilhaft, da bei der im Stand der Technik beschriebenen ringöffnenden Polymerisation der dort eingesetzten cyclischen Verbindungen im Wesentlichen lineare Oligomere entstehen. Diese im Wesentlichen linearen Oligomere sind jedoch nachteilig für die Siliziumschichtherstellung, da sie nur in einem sehr engen Molmassenbereich eingesetzt werden können: Ein zu kleines Molekulargewicht führt zu schlechter bzw. keiner Benetzung. Ein zu großes Molekulargewicht führt zu nicht stabilen Zusammensetzungen, aus denen zu große Oligomere ausfallen und mit denen keine gute Benetzung bzw. homogene Schichten erhalten werden können. Diese Nachteile werden durch Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung überwunden.
  • Das mindestens eine höhere Silan kann, wenn es selbst flüssig ist, ohne weitere Lösung in einem Lösemittel auf das Substrat aufgebracht werden. Bevorzugt wird es jedoch gelöst in einem Lösemittel auf das Substrat aufgebracht.
  • Bevorzugt einsetzbar sind Lösemittel aus der Gruppe bestehend aus linearen, verzweigten oder cyclischen gesättigten, ungesättigten oder aromatischen Kohlenwasserstoffen mit einem bis 12 Kohlenstoffatomen (ggf. partiell oder vollständig halogeniert), Alkoholen, Ethern, Carbonsäuren, Estern, Nitrilen, Aminen, Amiden, Sulfoxiden und Wasser. Besonders bevorzugt sind n-Pentan, n-Hexan, n-Heptan, n-Oktan, n-Dekan, Dodekan, Cyclohexan, Cyclooctan, Cyclodekan, Dicyclopentan, Benzol, Toluol, m-Xylol, p-Xylol, Mesitylen, Indan, Inden, Tetrahydronaphtalin, Decahydronaphtalin, Diethylether, Dipropylether, Ethylenglycoldimethylether, Ethylenglycoldiethylether, Ethylenglycolmethylethylether, Diethylenglycoldimethylether, Diethylenglycoldiethylether, Diethylenglycolmethylethylether, Tetrahydrofuran, p-Dioxan, Acetonitril, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Dichlormethan und Chloroform. Besonders gut einsetzbare Lösemittel sind die Kohlenwasserstoffe n-Pentan, n-Hexan, n-Hexan, n-Oktan, n-Dekan, Dodekan, Cyclohexan, Cyclooctan, Cyclodekan, Benzol, Toluol, m-Xylol, p-Xylol, Mesitylen, Indan und Inden.
  • Wird das mindestens eine höhere Silan in einem Lösemittel eingesetzt, beträgt sein Gewichtsprozentanteil daran bevorzugt mindestens 1 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse dieser Zusammensetzung. Wird das mindestens eine höhere Silan ohne weitere Lösung in einem Lösemittel auf das Substrat gebracht, beträgt sein Gewichtsprozentanteil, je nachdem, ob es selbst als Lösemittel für weitere Additive und/oder Dotierstoffe dient, bevorzugt zwischen 70 und 100 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung. Bevorzugt wird somit das mindestens eine höhere Silan in einem Anteil von 1–100 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der es enthaltenden Zusammensetzung eingesetzt.
  • Als Dotierstoffe für die n-Dotierung werden im Rahmen der vorliegenden Erfindung cyclische Verbindungen der Formel I [(RR`Si)n(R``Si)m(PH)xPy] (I) mit (n > 0, x + y > 0) R = -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl; R` = H, -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl; R`` = H, -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl eingesetzt. Wesentlich bei den genannten Verbindungen ist die Anwesenheit mindestens eines Silizium-gebundenen -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkylrestes. Bei den genannten Verbindungen der Formel (I) handelt es sich um bei Raumtemperatur stabile Verbindungen. Dadurch sind eine höhere Stabilität der Verbindung und eine bessere Handhabung gewährleistet. Die Reste stellen dabei gute Abgangsgruppen dar, die bei Aushärtung des Films nicht in der Si-Schicht zurückbleiben. Dies ist überraschend, da vielfach bei Einsatz von Kohlenstoffhaltigen Systemen ein Einbau von Kohlenstoff in entsprechende Schichten beobachtet werden kann.
  • Unter -C2-C10-Alkyl werden lineare, cyclische oder verzweigte Alkylreste mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen verstanden. Die Alkylreste können gesättigt oder ungesättigt sein, vorzugsweise sind sie gesättigt. Beispiele geeigneter -C2-C10-Alkylreste sind Ethyl-, n-Propyl-, Isopropyl-, n-Butyl-, Isobutyl-, tert-Butyl-, Cyclohexyl- und Cyclooctyl-Reste. Insbesondere werden Isopropyl- und tert.-Butyl-Reste eingesetzt. Unter -C6-C10-Aryl werden insbesondere Phenyl-, Cyclodecapentaen- und Naphtalin-Reste verstanden. Insbesondere werden Phenyl-Reste eingesetzt. Unter -C7-C14-Aralkyl werden insbesondere -C6H4CH3 (Tolyl-), Benzyl-, Xylol- und Mesityl-Reste verstanden. Insbesondere werden -C6H4CH3 und Mesityl-Reste eingesetzt.
  • Bevorzugt einzusetzende Verbindungen der Formel (I) sind cyclische Verbindungen der Form (SiQQ`)nPH (n = 3–6; Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl), der Form (SiQQ`)2(PH)2 (Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl), der Form (SiQ``)x(PH)n(SiQQ`)nP2-x (x = 1,0; n = 3–6; Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q`` = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl) und der Form (SiQ``)x(SiQQ`)3P2-x (x = 0,1; Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl, Q`` = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl).
  • Ganz besonders bevorzugt einzusetzende Verbindungen der Formel (I) sind
  • Figure 00070001
  • Die vorab genannten höheren Silane werden zusammen mit cyclischen Verbindungen der vorab genannten Formel I auf ein Substrat aufgebracht und erfindungsgemäß in eine n-dotierte Silizium-haltige Schicht konvertiert.
  • Für das erfindungsgemäße Verfahren können eine Vielzahl von Substraten eingesetzt werden. Bevorzugt sind Substrate bestehend aus Glas, Quarzglas, Graphit, Metall, Silizium oder bestehend aus einer auf einem hitzeverträglichen Träger befindlichen Silizium-, Indiumzinnoxid-, ZnO:F-, ZnO:Al- oder SnO2:F-Schicht. Bevorzugte Metalle sind Aluminium, Edelstahl, Cr-Stahl, Titan, Chrom bzw. Molybdän. Ferner können Kunststofffolien z. B. aus PEN, PET oder Polyimiden eingesetzt werden.
  • Das Aufbringen des höheren Silans erfolgt bevorzugt über ein Verfahren ausgewählt aus Druck- bzw. Beschichtungsverfahren (insbesondere Flexo/Gravur-Druck, Inkjet-Druck, Offset-Druck, digitalem Offset-Druck und Siebdruck), Sprühverfahren, Rotationsbeschichtungsverfahren („Spin-coating“), Tauchverfahren („Dip-coating“) und Verfahren ausgewählt aus Meniscus Coating, Slit Coating, Slot-Die Coating, und Curtain Coating.
  • Nach der Aufbringung der genannten Verbindungen bzw. des höheren Silans und vor der Konvertierung kann das beschichtete Substrat weiterhin getrocknet werden, um ggf. anwesendes Lösemittel zu entfernen. Entsprechende Maßnahmen und Bedingungen hierfür sind dem Fachmann bekannt. Um ausschließlich Lösemittel zu entfernen, sollte im Falle einer thermischen Trocknung die Heiztemperatur nicht mehr als 250°C betragen.
  • Die Konvertierung des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt bei Temperaturen von 200–1000 °C, vorzugsweise 250 bis 750 °C, insbesondere bevorzugt 300 bis 650 °C, wobei Konvertierungszeiten von ≤ 5 Minuten bevorzugt sind. Diese verhältnismäßig schnelle energetische Prozessführung kann zum Beispiel durch den Einsatz einer IR-Lampe, einer Heizplatte, einem Ofen, einer Blitzlampe, einem Plasma mit unterschiedlicher Gaszusammensetzung, einer RTP-Anlage oder einer Mikrowellenanlage (wenn erforderlich, im jeweils vorgeheizten bzw. warmgelaufenen Zustand) erfolgen.
  • Die Konvertierungszeit beträgt bevorzugt 0,1 ms bis 120 s. Zur Erzielung besonders guter optischer und elektrischer Schichteigenschaften sollte eine Konvertierungszeit von 0,1–60 s gewählt werden.
  • Die Güte der resultierenden Schicht wird weiter positiv beeinflusst, wenn die energetisch induzierte Konvertierung innerhalb eines einzigen Prozessschrittes erfolgt, d.h. das Substrat wird vorzugsweise nach einer anfänglichen Konvertierung nicht von der Energiequelle entfernt und anschließend wieder erhitzt.
  • Die Güte der resultierenden Schicht kann weiterhin positiv beeinflusst werden, wenn vor, während oder nach der thermischen Behandlung UV-Strahlung eingestrahlt wird. Dabei sind die positiven Auswirkungen am größten, wenn nach dem Aufbringen des höheren Silans und der cyclischen Verbindung der Formel (I) auf das Substrat und vor deren Konvertierung in eine n-dotierte Siliciumschicht UV-Strahlung eingestrahlt wird. Typische Bestrahlungszeiten für diese Ausführungsform liegen dabei zwischen 1 Sekunde und 20 Minuten.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann vor der Aufbringung des höheren Silans und der cyclischen Verbindungen der Formel (I) auf ein Substrat eine Co-Oligomerisierung des höheren Silans bei Anwesenheit der cyclischen Verbindungen der Formel (I) erfolgen. Die Co-Oligomerisierung kann thermisch und/oder mittels Bestrahlung mit Licht, insbesondere UV-Licht erfolgen. Bei thermischer Co-Oligomerisierung erfolgt dies bei Temperaturen von 50–300 °C, vorzugsweise 100 bis 200 °C. Die Behandlungsdauer für die vorgelagerte Co-Oligomerisieriung beträgt, sowohl bei der thermischen Behandlung als auch bei der Bestrahlung, in der Regel 1 Sekunde bis 300 Minuten, insbesondere 10 min bis 180 min.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine n-dotierte Silizium-haltige Schicht, welche durch ein erfindungsgemäßes Verfahren hergestellt ist.
  • Hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile der erfindungsgemäßen n-dotierten Silizium-haltigen Schicht wird hiermit explizit auf die Erläuterungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren verwiesen.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein elektronisches oder optoelektronisches Erzeugnis, beispielsweise Photovoltaikvorrichtung, Transistor, Flüssigkristallanzeige, insbesondere Solarzelle, welches eine erfindungsgemäße n-dotierte Silizium-haltige Schicht umfasst.
  • Hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile des erfindungsgemäßen Erzeugnisses wird hiermit explizit auf die Erläuterungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren verwiesen.
  • Auch ohne weitere Ausführungen wird davon ausgegangen, dass ein Fachmann die obige Beschreibung im weitesten Umfang nutzen kann. Die bevorzugten Ausführungsformen sind deswegen lediglich als beschreibende, keinesfalls als in irgendeiner Weise limitierende Offenbarung aufzufassen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 5866471 [0003]
    • EP 1085579 A1 [0004]
    • EP 1357154 A1 [0005]
    • EP 1640342 A1 [0006]
    • US 2005/0008880 [0007]
    • US 2008022897 A1 [0008]

Claims (11)

  1. Verfahren zur Herstellung n-dotierter Silizium-haltiger Schichten, durch Aufbringen eines aus mindestens einem Hydridosilan der generischen Formel SiaH2a+2 (mit a = 3–10) herstellbaren höheren Silans zusammen mit cyclischen Verbindungen der Formel I [(RR`Si)n(R``Si)m(PH)xPy] (I) mit (n > 0, x + y > 0) R = -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl; R` = H, -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl; R`` = H, -C2-C10-Alkyl, -C6-C10-Aryl, -C7-C14-Aralkyl auf ein Substrat und anschließendes Konvertieren in eine n-dotierte Silizium-haltige Schicht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine höhere Silan ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 400–10.000 g/mol aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine höhere Silan gelöst in einem Lösemittel auf das Substrat aufgebracht wird.
  4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die cyclischen Verbindungen der Formel I ausgewählt sind aus (SiQQ`)nPH (n = 3–6; Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl), der Form (SiQQ`)2(PH)2 (Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl), der Form (SiQ``)x(PH)n(SiQQ`)nP2-x (x = 1,0; n = 3–6; Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q`` = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl) und der Form (SiQ``)x(SiQQ`)3P2-x (x = 0,1; Q = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl; Q` = H, i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl, Q`` = i-Propyl, t-Butyl, Phenyl, -C6H4CH3, Mesityl).
  5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungen der Formel (I) ausgewählt sind aus
    Figure 00120001
  6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus Glas, Quarzglas, Graphit, Metall, Silizium oder bestehend aus einer auf einem hitzeverträglichen Träger befindlichen Silizium-, Indiumzinnoxid-, ZnO:F-, ZnO:Al- oder SnO2:F-Schicht besteht.
  7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das das Aufbringen des mindestens einen höheren Silans über ein Verfahren ausgewählt aus Druckverfahren, Sprühverfahren, Rotationsbeschichtungsverfahren, Tauchverfahren, Meniscus Coating, Slit Coating, Slot-Die Coating, und Curtain Coating erfolgt.
  8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das vor der Aufbringung des höheren Silans und der cyclischen Verbindungen der Formel (I) auf ein Substrat eine Co-Oligomerisierung des höheren Silans bei Anwesenheit der cyclischen Verbindungen der Formel (I) erfolgt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Co-Oligomerisierung thermisch und/oder mittels Bestrahlung mit Licht erfolgt.
  10. n-Dotierte Silizium-haltige Schichten, hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9.
  11. Elektronisches oder optoelektronisches Erzeugnis, insbesondere Solarzelle, umfassend eine n-dotierte Silizium-haltige Schicht gemäß Anspruch 10.
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