DE102011051226A1

DE102011051226A1 - Plasma-unterstütztes Abscheideverfahren und Vorrichtung zu dessen Durchführung

Info

Publication number: DE102011051226A1
Application number: DE201110051226
Authority: DE
Inventors: Axel Schwabedissen; Andreas Eifler; Jürgen Schilbach
Original assignee: Q Cells SE
Current assignee: Hanwha Q Cells GmbH
Priority date: 2011-06-21
Filing date: 2011-06-21
Publication date: 2012-12-27
Also published as: CN102864438A

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein plasma-unterstütztes Abscheideverfahren zur Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf einem Siliziumhaltigen Substrat (3) mit den Schritten
– Zuführen von mindestens einem zur Erzeugung einer Dielektrikumschicht geeigneten Gas in eine Abscheidevorrichtung (1);
– Überwachen einer in der Abscheidevorrichtung (1) erzeugten Emissionsintensität des Gases bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande;
– Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande;
– Übergabe des Signals an mindestens eine Steuereinrichtung (4, 10);
– Steuern von mindestens einem die Abscheidung beeinflussenden Prozessparameter und/oder der Zufuhr des Substrates (3) in die Abscheidevorrichtung (1) mittels der Steuereinrichtung (4, 10) abhängig von dem Signal, sowie eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein plasma-unterstütztes Abscheideverfahren sowie eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung, wobei das plasma-unterstützte Abscheideverfahren die Überwachung des Abscheidevorgangs von Dielektrikumschichten umfasst. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein plasma-unterstütztes Abscheideverfahren mit einer in-situ Prozesskontrolle zur Abscheidung von Dielektrikumschichten zur Herstellung von Solarzellen.
Bei der Abscheidung von Dielektrikumschichten als Antireflektions- und Passivierungsschichten auf Solarwafern wie beispielsweise Aluminiumoxid- oder Siliziumnitrid mittels PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) oder PVD(Physical Vapor Deposition)-Verfahren wie Magnetron Sputtern kann es zu Prozessinstabilitäten kommen, die zu einer unzufrieden-stellenden Abscheidung führen. Ursache können Schwankungen des Massenflusses eines Gases wie beispielsweise Silan oder Ammoniak im Falle einer Siliziumnitridschicht oder Trimethylaluminium oder Lachgas im Falle einer Aluminiumoxidschicht, des Prozessdrucks und/oder der Plasmaleistung sein. Folge der Prozessinstabilitäten sind Schwankungen der Schichtdicke entlang des Substratcarriers, welche sich negativ auf den Wirkungsgrad und die optische Erscheinung (Farbeindruck) der Solarzelle auswirken können. Da die Messung des Wirkungsgrads erst an einem Zelltester erfolgt, kann die Prozessschwankung des PECVD- oder PVD-Prozesses unter Umständen erst mit erheblicher Zeitverzögerung nach dem Auftreten detektiert werden, was zu Produktverlusten führen kann.
Bisher wurden Prozessschwankungen an PECVD-Anlagen durch Überwachung wichtiger Prozessparameter wie beispielsweise der Massenflüsse der Prozessgase, des Drucks, der Plasmaleistung sowie der Temperatur detektiert. Üblicherweise werden bei Überschreiten von Regelgrenzen Warnungen bzw. Alarme ausgegeben, die bei Verletzung des Regelbereichs über einen bestimmten Zeitraum zu einem Prozessabbruch führen. Trotz dieser Überwachung der Prozessparameter kann es zu Abweichungen im Prozess kommen, falls z. B. Austrittsbohrungen in der Gasverteilung des schichtbildenden Prozessgases wie beispielsweise die vorstehend erwähnten Gase Silan oder Trimethylaluminium zwischen den Wartungszyklen der Anlage (mehrere Tage bis Wochen) unbemerkt verstopfen. Bei der Abscheidung von Aluminiumoxidschichten kann es zu Schwankungen im Trimethylaluminium-Fluss durch Gaseinschlüsse kommen, die vom Massenfluss-Kontroller zunächst unbemerkt bleiben. Die Siliziumnitrid-Antireflexions- und Passivierungsschichten (typische Schichtdicke 80 nm) auf Wafern werden unmittelbar nach dem PECVD-Prozess mittels Farbkameras charakterisiert, so dass eine Drift der Schichtdicke (bzw. indirekt auch des Brechungsindex) relativ zeitnah entdeckt wird (Statistik über einige hundert bis tausend Zellen) und gegebenenfalls eine Anpassung des PECVD-Prozessrezepts vorgenommen werden kann. Die Genauigkeit dieser Farbmessung ist allerdings begrenzt, kleine Brechungsindexschwankungen (delta n = 0,05–0,1) werden beispielsweise nicht erkannt. Bei den Aluminiumoxidschichten ist aufgrund der geringen Schichtdicke (ca. 10–30 nm) eine Überwachung per Kamera schwierig. Wenn zudem auf eine Aluminiumoxidschicht eine Siliziumnitrid-Deckschicht aufgebracht wird, wobei beide Abscheidungen in demselben PECVD-Tool geschehen sollen, ist die Kamera nicht in der Lage zu unterscheiden, ob sich unter der Siliziumnitrid-Deckschicht eine Aluminiumoxidschicht befindet oder nicht. Eine verbesserte Überwachung der Abscheidung von Dielektrikumschichten durch plasma-unterstützte Verfahren ist daher wünschenswert.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein plasma-unterstütztes Abscheideverfahren, das eine effektive Überwachung der Abscheidung von Dielektrikumschichten ermöglicht, sowie eine Vorrichtung zu dessen Durchführung bereit zu stellen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und eine Vorrichtung gemäß Anspruch 15 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die vorliegende Erfindung stellt ein plasma-unterstütztes Abscheideverfahren zur Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf einem Siliziumhaltigen Substrat bereit mit den Schritten

– Zuführen von mindestens einem zur Erzeugung einer Dielektrikumschicht geeigneten Gas in eine Abscheidevorrichtung;
– Überwachen einer in der Abscheidevorrichtung erzeugten Emissionsintensität des Gases bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande;
– Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande;
– Übergabe des Signals an mindestens eine Steuereinrichtung; und
– Steuern von mindestens einem die Abscheidung beeinflussenden

Prozessparameter und/oder der Zufuhr des Substrates in die Abscheidevorrichtung mittels der Steuereinrichtung abhängig von dem Signal.
Das Verfahren umfasst insbesondere die Überwachung der Abscheidung der Dielektrikumschicht auf dem Substrat. Der Abscheidevorgang der Dielektrikumschicht auf dem Substrat wird abhängig von dem Signal in-situ gesteuert. Insbesondere wird der Prozessparameter während des Abscheideverfahrens auf einen vorbestimmten Wert einreguliert. Dadurch können der bzw. die Prozessparameter konstant gehalten werden. Die Abscheidung erfolgt unter konstanten Bedingungen und führt zu einer gleichmäßigen Dielektrikumschicht auf dem Substratcarrier. Alternativ oder zusätzlich wird die Zufuhr des Substrats in die Abscheidevorrichtung gesteuert. Beispielsweise wird die Beladung der Abscheidevorrichtung mit einem neuen Substrat unterbunden, wenn ein Prozessparameter nicht einem vorbestimmten Prozessparameter entspricht, bzw. solange zurückgehalten, bis der Prozessparameter auf den vorbestimmten Wert einreguliert ist. Das erfindungsgemäße Verfahren bietet eine von den bisherigen Prozessüberwachungen unabhängige und/oder zusätzliche Kontrollmöglichkeit zu anderen Überwachungsarten wie beispielsweise per Kamera. Der Nutzen des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt in einer besseren Überwachung der Produktion, d. h. unerwünschte Schwankungen des Prozesses können frühzeitig detektiert werden und entsprechende Maßnahmen wie beispielsweise ein Prozesstopp oder eine Einregulierung von Prozessparametern ergriffen werden. Dies sollte in einem höheren Wirkungsgrad und besseren elektrischen und optischen Yield resultieren. Weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sind, dass es sehr schnell ist, da eine Prozessüberwachung im Sekundenbereich möglich ist, und dass es nicht invasiv ist, da das Plasma im Vergleich zu Sondenmethoden nicht gestört wird und das Überwachungssystem relativ kostengünstig ist.
Die in dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendete Abscheidevorrichtung ist eine Prozesskammer wie beispielsweise eine Vakuumkammer. Die Prozesskammer ist ausgelegt, um ein plasmaunterstütztes Verfahren wie PECVD auszuführen und weist ein Fenster auf, durch das eine Überwachung des Abscheideprozesses möglich ist.
Unter einer Dielektrikumschicht ist im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere eine Passivierungs- oder Antireflexionsschicht wie beispielsweise eine Aluminiumoxidschicht oder eine Siliziumnitridschicht zu verstehen.
Das dem erfindungsgemäßen Verfahren unterzogene Silizium-haltige Substrat kann als solches verwendet werden. D. h., die Dielektrikumschicht wird in diesem Fall direkt auf dem Substrat abgeschieden. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat mit einer oder mehreren Schichten beschichtet sein, sodass die Dielektrikumschicht nicht direkt auf dem Substrat abgeschieden wird, sondern auf einer auf dem Substrat oder dem beschichteten Substrat angeordneten Schicht. Beispielsweise kann auf einem Substrat zuerst eine Aluminiumoxidschicht und anschließend eine Siliziumnitridschicht abgeschieden werden.
Vorzugsweise ist das zur Erzeugung einer Dielektrikumschicht geeignete Gas ein Gas, das durch Reaktion mit einem weiteren Gas die Dielektrikumschicht während des Abscheideverfahrens bildet. Beispielsweise wird die Dielektrikumschicht durch Reaktion zweier Gase wie beispielsweise einem Präkursor und einem Prozessgas gebildet.
Der Ausdruck „Präkursor” bezeichnet ein Gas, das einen Vorläufer für die auszubildende Schicht darstellt und durch Reaktion mit mindestens einem weiteren Gas die Schicht ausbildet.
Der Ausdruck „Prozessgas” bezeichnet ein Gas, das entweder zu anderen in dem Abscheideverfahren eingesetzten Gasen inert ist und als Trägergas wirkt oder das mit dem Präkursor reagiert.
Ist die Dielektrikumschicht beispielsweise eine Aluminiumoxidschicht, können zur Abscheidung Trimethylaluminium und Sauerstoff oder ein sauerstoffhaltiges molekulares Gas wie Lachgas oder Kohlendioxid eingesetzt werden. Desweiteren kann während des Abscheideverfahrens ein inertes Gas verwendet werden, welches als Trägergas dient. Beispielsweise dient Argon als Trägergas für Trimethylaluminium. Zur Abscheidung einer Siliziumnitridschicht können als Gase Silan und Ammoniak oder Stickstoff und Wasserstoff verwendet werden.
Im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet der Ausdruck „Wellenlänge” eine Linie im optischen Emissionsspektrum, während der Ausdruck „Bande” eine Ansammlung benachbarter Linien bezeichnet. Vorzugsweise weist die überwachte erste Wellenlänge oder Bande eine erhöhte Emissionsintensität im Vergleich zu anderen Wellenlängen bzw. Banden auf. Zum einen lässt sich eine Abweichung bei einer Wellenlänge oder Bande mit erhöhter Emissionsintensität leichter detektieren und zum anderen weist jedes Gas erhöhte Emissionsintensitäten bei bestimmten Wellenlängen bzw. Banden auf.
Beispielsweise weist die mindestens eine erste Wellenlänge oder Bande eine Emissionsintensität von mindestens 2000 a. u. (atomare Einheiten), bevorzugt mindestens 4000 a. u., bevorzugter mindestens 6000 a. u., noch bevorzugter mindestens 8000 a. u., auf. Eine Wellenlänge oder Bande mit erhöhter Emissionsintensität wird nachfolgend als charakteristisch bezeichnet.
Der Massenfluss eines Gases kann die Emissionsintensität charakteristischer Wellenlängen oder Banden beeinflussen. Anhand dieser Wellenlängen oder Banden kann leicht eine Änderung des Massenflusses des Gases detektiert werden. Beispielsweise wird der Massenfluss des Gases geringer oder inhomogener, wenn Zuführöffnungen verstopfen. Durch die Überwachung einer vom Massenfluss abhängenden Emissionsintensität kann ein derartiges Problem leicht erkannt werden. Daher wird die erste Wellenlänge oder Bande derart ausgewählt, dass ihre Emissionsintensität von dem Massenfluss eines bei zur Abscheidung verwendeten Gases abhängig ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der mindestens eine Prozessparameter und/oder die Zufuhr des Substrats in die Abscheidevorrichtung gesteuert, wenn das Signal einen vorbestimmten Schwellenwert unter- oder überschreitet. D. h., Prozessparameterabweichungen bis zur Unter- oder Überschreitung des Schwellenwerts werden toleriert, ohne dass eine Regulierung des mindestens einen Prozessparameters und/oder die Zufuhr des Substrats in die Abscheidevorrichtung ausgeführt werden. In diesem tolerierbaren Bereich genügt die erzeugte Schicht den gestellten Anforderungen.
Vorzugweise stellt der vorbestimmte Schwellenwert eine Abweichung von einer vorbestimmten Emissionsintensität um mindestens 10% dar. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die vorbestimmte Emissionsintensität die theoretische Emissionsintensität. Die Emissionsintensität kann vom Massenfluss des Gases abhängig sein. In diesem Fall ist die theoretische Emissionsintensität anhand des während des Verfahrens eingestellten Massenflusses des Gases leicht ermittelbar bzw. bekannt. Alternativ ist die vorbestimmte Emissionsintensität die zu Beginn des Abscheidevorgangs gemessene Emissionsintensität. Eine Abweichung von 10% von dem vorbestimmten Schwellenwert ist meist tolerabel, weil der Abscheidevorgang in diesem Bereich in der Regel zu einer akzeptablen Schicht führt. Eine geringfügige Änderung der während der Erzeugung der Passivierungs- und/oder Antireflexionsschicht überwachten Emissionsintensität in Relation zu der vor der Erzeugung der Passivierungs- und/oder Antireflexionsschicht überwachten und/oder theoretisch ermittelten Emissionsintensität ist daher tolerierbar.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfasst ein Überwachen der in der Abscheidevorrichtung erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer zweiten Wellenlänge oder Bande, und ein Erzeugen des Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensitäten bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande und der mindestens einen zweiten Wellenlänge oder Bande. Ein Vorteil der Überwachung einer Emissionsintensität bei einer zweiten Wellenlänge oder Bande ist, dass die Emissionsintensität der ersten Wellenlänge oder Bande mit jener der zweiten Wellenlänge oder Bande verglichen werden kann, d. h. die Emissionsintensität der zweiten Wellenlänge oder Bande kann als Referenz verwendet werden. Beispielsweise kann ein Quotient der Emissionsintensitäten der beiden Wellenlängen oder Banden ermittelt werden, und der Quotient als Maß für den vorbestimmten Schwellenwert genommen werden.
Es ist auch möglich, Emissionsintensitäten bei jeweils einer charakteristischen Wellenlänge oder Bande für zwei verwendete Gase zu überwachen. D. h., wenn die erste Wellenlänge oder Bande eine erhöhte Emissionsintensität für ein erstes verwendetes Gas aufweist und die zweite Wellenlänge oder Bande eine erhöhte Emissionsintensität für ein zweites verwendetes Gas aufweist, dann kann bestimmt werden, bei welchem der beiden Gase eine Änderung des Massenflusses aufgetreten ist und das jeweilige Gas neu eingestellt werden. Dies hat beispielsweise den Nutzen, dass Prozessparameter zweier Prozessgase untereinander in Bezug genommen werden und so nicht nur Prozessparameter eines Gases beurteilt werden können, sondern das Verhältnis zweier Gase zueinander ermittelbar ist und somit auch detektiert werden kann, ob zwei zur Reaktion zu bringende Gase in einem optimalen Verhältnis zugeführt werden.
Beispielsweise kann bei der Abscheidung einer Aluminiumoxidschicht unter Verwendung von Trimethylaluminium und Lachgas für die erste Wellenlänge oder Bande beispielsweise die H-α-Linie bei 656 nm ausgewählt werden, die für Trimethylaluminium charakteristisch ist, und für die zweite Wellenlänge oder Bande die Lachgas-Bande bei 658 nm oder die Sauerstoff-Linie bei 777 nm ausgewählt werden, welche für Lachgas charakteristisch sind. Die vorstehenden Wellenlängen und die vorstehende Bande weisen jeweils Emissionsintensitäten auf, die im Vergleich zu anderen Wellenlängen oder Banden erhöht sind.
Vorzugsweise weist die mindestens eine zweite Wellenlänge oder Bande einen Abstand von maximal 200 nm zu der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande auf. Je benachbarter die erste Wellenlänge oder Bande und die zweite Wellenlänge oder Bande sind, desto besser sind die Wellenlängen oder Banden vergleichbar. Die Wahrscheinlichkeit, dass störende Signale die Emissionsintensitäten verfälschen wie beispielsweise wellenlängenabhängige Absorptionen durch Ablagerungen auf dem Beobachtungsfenster zur Prozesskammer, ist kleiner.
Vorzugsweise wird beim Erzeugen des Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensitäten ein Quotient aus den überwachten Emissionsintensitäten gebildet. Bevorzugt sind die überwachten Emissionsintensitäten so gewählt, dass sich zwischen dem Quotienten und dem Massenfluss eines schichtbildenden Gases ein linearer Zusammenhang ergibt.
Dies ist beispielsweise der Fall, wenn die erste überwachte Emissionsintensität von dem Massenfluss des Präkursors abhängig ist, von dem Massenfluss des Prozessgases optional abhängig ist und die zweite überwachte Emissionsintensität von den Massenflüssen des Präkursors und des Prozessgases relativ unabhängig ist. Bei einem linearen Zusammenhang lässt sich eine Abweichung von dem vorbestimmten Schwellenwert leicht feststellen.
Beispielsweise wird bei der Abscheidung einer Aluminiumoxidschicht unter Verwendung von Trimethylaluminium und Lachgas der Quotient aus der Emissionsintensität der Sauerstoff-Linie bei 777 nm und der Lachgas-Bande bei 658 nm gebildet. Die Emissionsintensität der Sauerstoff-Linie variiert signifikant in Abhängigkeit der Trimethylaluminium- und Lachgas-Massenflüsse, während die Emissionsintensität der Lachgas-Bande von dem Trimethylaluminium-Massenfluss deutlich geringer abhängig ist. Die Bezugnahme auf eine unabhängige, d. h. konstante, Emissionsintensität dient als Referenz für die abhängige, variable Emissionsintensität.
Alternativ oder zusätzlich kann bei der Abscheidung einer Aluminiumoxidschicht unter Verwendung von Trimethylaluminium und Lachgas der Quotient aus der Emissionsintensität der H-α-Linie bei 656 nm und der Lachgas-Bande bei 658 nm gebildet werden. Die Emissionsintensität der H-α-Linie ist von dem Trimethylaluminium-Massenfluss abhängig, aber vom Lachgas-Massenfluss unabhängig. Die Lachgas-Bande ist vom Trimethylaluminium-Massenfluss nur gering abhängig. Die konstante Emissionsintensität bei der Lachgas-Bande dient als interne Referenz, um eine mögliche Änderung der Emissionsintensität der H-α-Linie und somit des Trimethylaluminium-Massenflusses aufzuzeigen. Gleichzeitig dient die interne Referenz dazu, mögliche Störungen bei der Messung der Emissionsintensitäten auszuschließen. Bei einer Störung der Messung des optischen Emissionsspektrums würde sich auch die Emissionsintensität der Lachgas-Bande ändern.
Während des Abscheideverfahrens können Emissionsintensitäten bei mehr als zwei Wellenlängen überwacht werden. Wenn beispielsweise zwei Gase zur Abscheidung der Dielektrikumschicht zur Reaktion gebracht werden, können Emissionsintensitäten bei einer ersten Wellenlänge oder Bande und einer zweiten Wellenlänge oder Bande jeweils für das erste und zweite Gas, d. h. in diesem Fall Emissionsintensitäten bei vier Wellenlängen oder Banden, überwacht werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das erfindungsgemäße Verfahren ein Stoppen der Abscheidung der Dielektrikumschicht auf dem Substrat und/oder der Zufuhr des Substrats in die Abscheidevorrichtung mittels der Steuereinrichtung, wenn das Signal den vorbestimmten Schwellenwert unter- oder überschreitet. Das Stoppen des Abscheidevorgangs ermöglicht das Feststellen der Ursache einer möglichen Fehlfunktion, wie beispielsweise eine verstopfte Gaszufuhrleitung, das Beheben der Ursache sowie eine Kontrolle des Anlagenstatus durch einen Operator. Zudem verhindert das Stoppen des Abscheidevorgangs, dass eine nicht den Anforderungen genügende Schicht auf dem Substrat gebildet wird. Der Abscheidevorgang wird gestoppt, wenn ein vorbestimmter Schwellenwert unter- oder überschritten wird.
Bevorzugt umfasst das erfindungsgemäße Verfahren ein Einstellen des mindestens einen Prozessparameters im Anschluss an den Stopp mittels der Steuereinrichtung; ein Fortführen der Abscheidung der Dielektrikumschicht auf dem Substrat und/oder der Zufuhr des Substrats in die Abscheidevorrichtung; ein Überwachen der in der Abscheidevorrichtung erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande; ein Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität; eine Übergabe des Signals an die Steuereinrichtung; und ein Steuern des mindestens einen Prozessparameters und/oder der Zufuhr des Substrats in die Abscheidevorrichtung mittels der Steuereinrichtung abhängig von dem Signal. Im Anschluss an den Stopp des Abscheidevorgangs werden nach Einstellung mindestens eines Prozessparameters auf den gewünschten vorbestimmten Parameter der Abscheidevorgang und dessen Überwachung fortgesetzt.
Vorzugsweise umfasst das Verfahren weiterhin ein Ausgeben eines Warnsignals bei einem Stopp mittels der Steuereinrichtung. Das Warnsignal dient beispielsweise dazu, einem Operator mitzuteilen, dass ein Problem bei dem Abscheidevorgang aufgetreten ist, dass eine Kontrolle der Anlage notwendig ist und/oder das Substrat fehlerhaft beschichtet sein und Ausschuss erzeugt werden kann.
In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf dem Substrat das Abscheiden mehrerer Schichten. Die mindestens eine erste Wellenlänge oder Bande, der optionale vorbestimmte Schwellenwert und die optionale, mindestens eine zweite Wellenlänge oder Bande werden in Abhängigkeit der jeweils abzuscheidenden Schicht ausgewählt. Beispielsweise werden auf dem Substrat zuerst eine Aluminiumoxidschicht und anschließend eine Siliziumnitridschicht aufgebracht. Zur Bildung der Aluminiumoxidschicht wird beispielsweise Trimethylaluminium als schichtbildender Präkursor und Lachgas als Prozessgas eingesetzt, während zur Bildung der Siliziumnitridschicht Silan als schichtbildender Präkursor und Ammoniak als Prozessgas eingesetzt wird. Jedes Gas weist ein optisches Emissionsspektrum mit charakteristischen Wellenlängen oder Banden auf. Die erste und optional zweite Wellenlänge oder Bande und der optionale Schwellenwert werden bei dem Abscheidevorgang der Aluminiumoxidschicht entsprechend den als erhöht eingestuften Emissionsintensitäten der eingesetzten Gase ausgewählt, während die erste und optional zweite Wellenlänge oder Bande und der optionale Schwellenwert bei dem Abscheidevorgang der Siliziumnitridschicht ebenfalls entsprechend den als erhöht eingestuften Emissionsintensitäten der eingesetzten Gase ausgewählt werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Schritt Steuern mindestens eines Prozessparameters das Steuern der Zufuhr eines schichtbildenden Präkursors in die Abscheidevorrichtung. Der Präkursor ist maßgeblich für die Ausbildung einer gleichmäßigen Schicht und Schichtdicke.
In einer bevorzugten Ausführungsform sind der Präkursor Trimethylaluminium und Prozessgase Sauerstoff oder ein sauerstoffhaltiges molekulares Gas wie beispielsweise Lachgas oder Kohlendioxid. Als Trägergas kann Argon eingesetzt werden. Unter Verwendung dieser Gase in dem Verfahren wird eine Aluminiumoxidschicht auf dem Substrat gebildet. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform sind der Präkursor Silan und Prozessgas Ammoniak oder ein Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff. Diese Verfahrensführung führt zu der Bildung einer Siliziumnitridschicht auf dem Substrat. Bevorzugt wird in dem Abscheideverfahren zuerst eine Aluminiumoxidschicht auf einem Substrat und anschließend eine Siliziumnitridschicht abgeschieden.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die mindestens eine erste Wellenlänge die Wasserstoff-Spektrallinie H-α der Balmer Serie (656.3 nm) oder die Wasserstoff-Spektrallinie H-β der Balmer Serie (486.1 nm) oder die Sauerstoff-Spektrallinie bei 777 nm (2s²2p³(⁴S⁰)3s → 2s²2p³(⁴S⁰)3p). Die Wahl der Wasserstoff-Spektrallinie H-α der Balmer Serie (656.3 nm) ist insbesondere von Vorteil, wenn Trimethylaluminium als schichtbildender Präkursor verwendet wird. Die Auswahl der Wasserstoff-Spektrallinie H-β der Balmer Serie (486.1 nm) als erste Wellenlänge ist bevorzugt, wenn als schichtbildender Präkursor Silan eingesetzt wird. Die Sauerstoff-Spektrallinie bei 777 nm wird als erste Wellenlänge bevorzugt ausgewählt, wenn Lachgas als Prozessgas eingesetzt wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich insbesondere als Solarzellen-Herstellungsverfahren mit einem plasma-unterstützten Abscheideverfahren. Es eignet sich auch zur Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen. Bevorzugt wird das erfindungsgemäße Verfahren bei der Herstellung von Silizium-Wafer-Solarzellen eingesetzt. Vorzugsweise werden mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens auf dem Silizium-Wafer eine Aluminiumoxid- und eine oder mehrere Siliziumnitridschichten abgeschieden.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung, die zur Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf einem Silizium-haltigen Substrat geeignet ist, umfasst: eine Abscheidevorrichtung zum Abscheiden mindestens einer Schicht, mindestens eine Zufuhreinrichtung zum Zuführen mindestens eines zur Erzeugung der Dielektrikumschicht geeigneten Gases, eine Bewegungseinrichtung zum Zuführen des Substrates, eine Überwachungsvorrichtung zum Überwachen einer in der Abscheidevorrichtung erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande, Mittel zum Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande, und mindestens eine Steuereinrichtung zur Steuerung von mindestens einem die Abscheidung beeinflussenden Prozessparameters und/oder der Beladung der Abscheidevorrichtung mit dem Substrat.
Die Abscheidevorrichtung ist vorzugsweise eine Prozesskammer wie eine Vakuumkammer. Die Prozesskammer ist zur Durchführung eines plasma-unterstützten Abscheidevorgangs ausgerüstet und weist ein Fenster zur Ermöglichung der Überwachung des Abscheidevorgangs auf.
Die mindestens eine Zufuhreinrichtung zum Zuführen mindestens eines zur Erzeugung der Dielektrikumschicht geeigneten Gases umfasst vorzugsweise mindestens eine zur Zufuhr eines Gases geeignete Rohrleitung, die mittels eines Ventils und eines Massenflussreglers regulierbar ist.
Die Bewegungseinrichtung zum Zuführen des Substrates umfasst eine Zuführeinrichtung wie beispielsweise einen Greifarm, der das Substrat in passende Ausschnitte auf einen Substrat-Trägerahmen (engl. Carrier) anordnen kann. Der Substrat-Trägerrahmen wird dann über eine Vakuumschleusenkammer oder direkt in die Prozesskammer transportiert, z. B. mittels eines oder mehrerer Laufbänder. Der Zugang zur Vakkuumschleusenkammer bzw. die Bewegung der Laufbänder kann durch ein externes Signal gesteuert werden.
Die Überwachungsvorrichtung zum Überwachen einer in der Abscheidevorrichtung erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande umfasst vorzugsweise ein Plasma-Beobachtungsfenster an der Wand der Prozesskammer, eine Kollimatorlinse bzw. ein Faser-Optik-System zur Einkopplung der Lichtemission des Plasmas in den Lichtwellenleiter, einen Lichtwellenleiter und ein optisches (UV-VIS-NIR) Spektrometer.
Die Mittel zum Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande umfassen vorzugsweise einen elektronischen Regler.
Die mindestens eine Steuereinrichtung zur Steuerung von mindestens einem die Abscheidung beeinflussenden Prozessparameters und/oder der Beladung der Abscheidevorrichtung umfasst vorzugsweise mindestens eine Steuereinrichtung für die Gaszufuhr zur Prozesskammer und die Beladung des Substrates in die Abscheidevorrichtung. Die Gaszufuhr zur Prozesskammer und die Beladung des Substrates in die Abscheidevorrichtung können unabhängig voneinander gesteuert werden.
Die vorliegende Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf Zeichnungen detaillierter erläutert, ohne die Erfindung darauf einzuschränken.
Die Figuren zeigen:
1 eine schematische Darstellung des Prinzips eines erfindungsgemäßen Regelkreises;
2 ein Diagramm, das ein Emissionsspektrum (Wellenlänge vs.
Intensität) eines Lachgas-Argon-Trimethylaluminium-Plasmas im Vergleich zu einem Emissionsspektrum eines Lachgas-Plasmas zeigt;
3 ein Diagramm, das ein Emissionsspektrum (Wellenlänge vs.
Intensität) eines Lachgas-Argon-Trimethylaluminium-Plasmas mit unterschiedlichen Massenflüssen des Lachgases zeigt;
4 ein Diagramm, das die Abhängigkeit des Verhältnisses einer Spektrallinie des atomaren Sauerstoffs (777 nm) zu einer N₂O-Bande (658 nm) vom Massenfluss des Lachgas-Gases zeigt;
5 ein Diagramm, das Emissionsspektren (Wellenlänge vs. Intensität) bei unterschiedlichen Massenflüssen des Trimethylaluminium zeigt;
6 ein Diagramm, das die Abhängigkeit des Verhältnisses der H-α-Linie des atomaren Wasserstoffs (656 nm) zu einer benachbarten N₂O-Bande (658 nm) vom Massenfluss des Trimethylaluminium zeigt;
7 ein Diagramm, das Emissionsspektren (Wellenlänge vs. Intensität) bei unterschiedlichen Massenflüssen des Trimethylaluminium zeigt; und
8 ein Diagramm, das die Abhängigkeit des Verhältnisses der Sauerstoff-Linie (777 nm) zur Lachgas-Bande (658 nm) bei variierendem Massenfluss des Trimethylaluminium zeigt.
1 zeigt eine schematische Darstellung des Prinzips eines erfindungsgemäßen Regelkreises, umfassend eine Vakuumkammer 1 (Prozesskammer) als Abscheidevorrichtung, ein Plasma 2, ein zu beschichtendes Substrat 3 wie beispielsweise ein Wafer aus kristallinem Silizium (c-Si-Wafer), eine Steuereinrichtung 4 für die Beladung der Vakuumkammer mit dem Substrat 3, die nachfolgend als Belade-Steuereinrichtung 4 bezeichnet wird, ein Plasma-Beobachtungsfenster 5 an der Wand der Vakuumkammer 1, eine Kollimatorlinse 6 bzw. Faser-Optik-System zur Einkopplung der Lichtemission des Plasmas in einen Lichtwellenleiter 7, den Lichtwellenleiter 7, ein optisches (UV-VIS-NIR) Spektrometer 8, einen elektronischen Regler 9, eine Steuereinrichtung 10 für die Gaszufuhr zur Vakuumkammer (zur Steuerung der jeweiligen Massenflüsse), die nachfolgend als Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 bezeichnet wird, eine Zufuhr 11 für Prozessgase, die nachfolgend als Prozessgas-Zufuhr 11 bezeichnet wird, und eine Zufuhr 12 für ein Präkursor, die nachfolgend als Präkursor-Zufuhr 12 bezeichnet wird.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden Prozessgase und der Präkursor in die Vakuumkammer 1 zugeführt. Das Plasma 2 wird erzeugt.
Mittels des Plasma-Beobachtungsfensters 5, der Kollimatorlinse 6, des Lichtwellenleiters 7 und des optischen Spektrometers 8 werden die Emissionsintensitäten der zugeführten Gase überwacht. Der elektronische Regler 9 generiert ein Signal, das von der Intensität einer charakteristischen Wellenlänge oder Bande bzw. des Verhältnisses zweier charakteristischer Wellenlängen oder Banden abhängt. Das Signal wird an die Belade-Steuereinrichtung 4 und an die Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 übergeben.
Wenn das Signal der Belade-Steuereinrichtung 4 und/oder Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 anzeigt, dass Prozessparameter außerhalb der Spezifikation liegen, versucht die Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 die Prozessparameter derart einzuregeln, dass sie im Rahmen der Spezifikation liegen. Sollte dies der Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 nicht möglich sein, stoppt die Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 die Gaszufuhr und gibt ein Warnsignal aus. Die Belade-Steuereinrichtung 4 stoppt ggf. die Zufuhr des Substrats 3 in die Vakuumkammer 1. In diesem Fall wird der Anlagenstatus durch den Operator kontrolliert und ein angepasstes Anlagenrezept gestartet.
Wenn das Signal der Belade-Steuereinrichtung 4 und/oder der Gaszufuhr-Steuereinrichtung 10 anzeigt, dass Prozessparameter im Rahmen der Spezifikation liegen, steuert die Belade-Steuereinrichtung 4 die Beladung des Substrats in die Abscheidevorrichtung 1. Während der Beschichtung des Substrats wird der Abscheidevorgang weiterhin wie vorstehend beschrieben überwacht.
2 zeigt ein Diagramm, das ein Emissionsspektrum (Wellenlänge vs. Intensität) eines Lachgas-Argon-Trimethylaluminium-Plasmas im Vergleich zu einem Emissionsspektrum eines Lachgas-Plasmas. Die Massenflüsse des Lachgas-Argon-Trimethylaluminium-Plasmas sind wie folgt: N₂O:Ar:Trimethylaluminium = 900:450:100 sccm (Standardkubikzentimeter). Der Massenfluss des Lachgas-Plasmas beträgt 900 sccm. Wie ersichtlich, lassen sich bestimmte Wellenlängen oder Banden mit erhöhter Emissionsintensität den Gasen zuordnen. Wellenlängen mit sehr hoher Emissionsintensität sind die H-α-Linie bei 656,3 nm (Trimethylaluminium), die Sauerstoff-Spektrallinie O bei 777 nm (Lachgas) und die Ar-Linie bei 750 nm (Argon). Scharfe Peaks sind atomare Linien, d. h. sie kennzeichnen einen atomaren Übergang, während Banden molekulare Übergänge darstellen.
3 zeigt ein Diagramm, das ein Emissionsspektrum (Wellenlänge vs. Intensität) eines Lachgas-Argon-Trimethylaluminium-Plasmas mit unterschiedlichen Massenflüssen des Lachgases zeigt. Der Massenfluss des Argons beträgt 450 sccm. Der Massenfluss des Trimethylaluminium beträgt 100 sccm. Massenflüsse des Lachgases betragen 500 sccm, 700 sccm, 900 sccm, 1100 sscm, 1300 sccm bzw. 1500 sccm. Wie 3 zeigt, beeinflusst eine Variation des Massenflusses von Lachgas bei konstant gehaltenen Massenflüssen von Argon und Trimethylaluminium atomare Linien wie die Sauerstoff-Linie, während das Molekülspektrum nur unwesentlich beeinflusst wird.
4 zeigt ein Diagramm, das die Abhängigkeit des Verhältnisses einer Spektrallinie des atomaren Sauerstoffs (777 nm) zu einer benachbarten N₂O-Bande (658 nm) vom Massenfluss des Lachgas-Gases. Wie aus 4 ersichtlich, ist die Abhängigkeit linear. Die Dichte des atomaren Sauerstoffs skaliert mit dem Lachgas-Massenfluss. Während wie aus 3 ersichtlich ist, die Emissionsintensität der Lachgas-Bande von dem Massenfluss des Lachgases relativ unabhängig ist, steigt die Emissionsintensität der Sauerstoff-Linie in Abhängigkeit des steigenden Lachgas-Massenflusses.
5 zeigt ein Diagramm, das Emissionsspektren (Wellenlänge vs. Intensität) bei unterschiedlichen Massenflüssen des Trimethylaluminium zeigt. Die Emissionsintensität variiert bei verschiedenen Massenflüssen des Trimethylaluminium. Die Intensität der Lachgas-Banden ist umgekehrt proportional zu dem Trimethylaluminium-Massenfluss. Die Intensität der H-α Linie bei 656 nm steigt mit zunehmendem Trimethylaluminium-Massenfluss.
6 zeigt ein Diagramm, das die Abhängigkeit des Verhältnisses der H-α-Linie des atomaren Wasserstoffs (656 nm) zu einer benachbarten N₂O-Bande (658 nm) vom Massenfluss des Trimethylaluminium (TMA) zeigt. Das Verhältnis der H-α-Linie des atomaren Wasserstoffs zu der benachbarten Lachgas-Bande ist von dem Massenfluss des Trimethylaluminium linear abhängig. Je größer der Massenfluss des Trimethylaluminium, desto größer wird das Verhältnis der H-α-Linie des atomaren Wasserstoffs zu der benachbarten Lachgas-Bande. Während die Emissionsintensität der Lachgas-Bande bei verschiedenen Trimethylaluminium-Massenflüssen konstant ist, steigt mit steigendem Massenfluss des Trimethylaluminium die Intensität der H-α-Linie des atomaren Wasserstoffs, wie aus 5 ersichtlich ist.
7 zeigt ein Diagramm, das Emissionsspektren (Wellenlänge vs. Intensität) von Argon und Lachgas bei unterschiedlichen Massenflüssen des Trimethylaluminium zeigt. Wie ersichtlich, sinkt die Emissionsintensität der Sauerstoff-Linie mit steigendem Trimethylaluminium-Massenfluss. Dies lässt darauf schließen, dass Sauerstoff bei der Reaktion mit Trimethylaluminium zur Bildung der Aluminiumoxidschicht verbraucht wird.
8 zeigt ein Diagramm, das die Abhängigkeit des Verhältnisses der Sauerstoff-Linie (777 nm) zur Lachgas-Bande (657.9 nm) bei variierendem Massenfluss des Trimethylaluminium zeigt. Die Intensität der starken Sauerstoff-Linie sinkt mit steigendem Trimethylaluminium-Massenfluss (exponentieller Abfall relativ zur Intensität der Lachgas-Bande). Beispielsweise kann bei der Erzeugung einer Aluminiumoxidschicht, bei der Trimethylaluminium und Lachgas zum Einsatz kommen, als erste Wellenlänge die Sauerstoff-Spektrallinie bei 777 nm und als zweite Wellenlänge die Lachgas-Bande bei 657.9 nm ausgewählt werden. Zur Steuerung des Abscheideverfahrens wird der Quotient I₇₇₇/I_657.9 gebildet. Die theoretischen bzw. vorbestimmten Quotienten bei den verschiedenen Trimethylaluminium Massenflüssen können aus dem Diagramm abgelesen werden. Anhand des Diagramms kann der vorbestimmte Schwellenwert ermittelt werden.
Bezugszeichenliste

1: Vakuumkammer (Prozesskammer)
2: Plasma
3: zu beschichtendes Substrat (c-Si Wafer)
4: Steuereinrichtung für die Beladung der Vakuumkammer mit Substraten/Wafern
5: Plasma-Beobachtungsfenster an der Wand der Vakuumkammer
6: Kollimatorlinse bzw. Faser-Optik-System zur Einkopplung der Lichtemission des Plasmas in den Lichtwellenleiter 7
7: Lichtwellenleiter
8: optisches (UV-VIS-NIR) Spektrometer
9: elektronischer Regler
10: Steuereinrichtung für die Gaszufuhr zur Vakuumkammer
11: Zufuhr Prozessgase
12: Zufuhr (schichtbildender) Präkursor

Claims

Plasma-unterstütztes Abscheideverfahren zur Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf einem Silizium-haltigen Substrat (3) mit den Schritten – Zuführen von mindestens einem zur Erzeugung einer Dielektrikumschicht geeigneten Gas in eine Abscheidevorrichtung (1); – Überwachen einer in der Abscheidevorrichtung (1) erzeugten Emissionsintensität des Gases bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande; – Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande; – Übergabe des Signals an mindestens eine Steuereinrichtung (4, 10); – Steuern von mindestens einem die Abscheidung beeinflussenden Prozessparameter und/oder der Zufuhr des Substrates (3) in die Abscheidevorrichtung (1) mittels der Steuereinrichtung (4, 10) abhängig von dem Signal.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Prozessparameter und/oder die Zufuhr des Substrats (3) in die Abscheidevorrichtung (1) gesteuert wird, wenn das Signal einen vorbestimmten Schwellenwert unter- oder überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der vorbestimmte Schwellenwert eine Abweichung von einer vorbestimmten Emissionsintensität um mindestens 10% darstellt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch – Überwachen der in der Abscheidevorrichtung (1) erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer zweiten Wellenlänge oder Bande; und – Erzeugen des Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensitäten bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande und der mindestens einen zweiten Wellenlänge oder Bande.
Verfahren nach Anspruch 4 wobei die mindestens eine zweite Wellenlänge oder Bande einen Abstand von maximal 200 nm zu der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande aufweist.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass beim Erzeugen des Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensitäten ein Quotient aus den überwachten Emissionsintensitäten gebildet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch – Stoppen der Abscheidung der Dielektrikumschicht auf dem Substrat (3) und/oder der Zufuhr des Substrats (3) in die Abscheidevorrichtung (1) mittels der Steuereinrichtung (4, 10), wenn das Signal den vorbestimmten Schwellenwert unter- oder überschreitet.
Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch – Einstellen des mindestens einen Prozessparameters im Anschluss an den Stopp mittels der Steuereinrichtung (4, 10); – Fortführen der Abscheidung der Dielektrikumschicht auf dem Substrat (3) und/oder der Zufuhr des Substrats (3) in die Abscheidevorrichtung (1); und – Überwachen der in der Abscheidevorrichtung (1) erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande; – Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität; – Übergabe des Signals an die Steuereinrichtung (4, 10); – Steuern des mindestens einen Prozessparameters und/oder der Zufuhr des Substrats (3) in die Abscheidevorrichtung (1) mittels der Steuereinrichtung (4, 10) abhängig von dem Signal.
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnet durch – Ausgeben eines Warnsignals bei einem Stopp mittels der Steuereinrichtung (4, 10).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf dem Substrat (3) das Abscheiden mehrerer Schichten umfasst und die mindestens eine erste Wellenlänge oder Bande, der optionale vorbestimmte Schwellenwert und die optionale, mindestens eine zweite Wellenlänge oder Bande in Abhängigkeit der jeweils abzuscheidenden Schicht ausgewählt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt Steuern mindestens eines Prozessparameters das Steuern der Zufuhr eines schichtbildenden Präkursors in die Abscheidevorrichtung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Präkursor Trimethylaluminium ist und Prozessgase Sauerstoff oder ein sauerstoffhaltiges molekulares Gas ist und/oder der Präkursor Silan ist und Prozessgas Ammoniak oder ein Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine erste Wellenlänge die Wasserstoff-Spektrallinie H-α der Balmer Serie (656.3 nm) oder die Wasserstoff-Spektrallinie H-β der Balmer Serie (486.1 nm) oder die Sauerstoff-Spektrallinie O bei 777 nm (2s²2p³(⁴S⁰)3s → 2s²2p³(⁴S⁰)3p) darstellt.
Solarzellen-Herstellungsverfahren mit einem plasma-unterstützten Abscheideverfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
Vorrichtung, geeignet zur Abscheidung mindestens einer Dielektrikumschicht auf einem Silizium-haltigen Substrat (3) umfassend: – eine Abscheidevorrichtung (1) zum Abscheiden mindestens einer Schicht; – mindestens eine Zufuhreinrichtung (11, 12) zum Zuführen mindestens eines zur Erzeugung der Dielektrikumschicht geeigneten Gases; – eine Bewegungseinrichtung zum Zuführen des Substrates (3); – eine Überwachungsvorrichtung zum Überwachen einer in der Abscheidevorrichtung (1) erzeugten Emissionsintensität bei mindestens einer ersten Wellenlänge oder Bande; – Mittel (9) zum Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit der überwachten Emissionsintensität bei der mindestens einen ersten Wellenlänge oder Bande; und – mindestens eine Steuereinrichtung (4, 10) zur Steuerung von mindestens einem die Abscheidung beeinflussenden Prozessparameters und/oder der Beladung der Abscheidevorrichtung (1) mit dem Substrat (3).