DE102011006517A1 - Druckfest gekapselter Differenzdrucksensor - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 mulit Chemical compound 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
- G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Ein Differenzdruckmessaufnehmer 1 umfasst eine Kapsel 2 mit einem keramischen Kapselkörper 20, und einer Wandleraufnahme im Inneren, in welcher ein Halbleiterdruckmesswandler 3 angeordnet ist, welcher einen Messmembrankörper 33 und mindestens einen Trägerkörper 31, 32 aufweist, wobei der Messmembrankörper 33 druckdicht mit dem mindestens einen Trägerkörper 31, 32 verbunden ist, der eine Druckeinlassöffnung 37, 38 aufweist, wobei sich Kanäle 27, 28 jeweils von einer äußeren Oberfläche der Kapsel 2 in die Wandleraufnahme erstrecken; wobei die Druckeinlassöffnung mit dem ersten Kanal kommuniziert, wobei eine Seite der Messmembran 33 durch die Druckeinlassöffnung 38 mit einem Druck beaufschlagbar ist, wobei der Trägerkörper 32 mit einer Fügestelle 42, welche die erste Druckeinlassöffnung und die Mündung des ersten Kanals 28 in die Wandleraufnahme umgibt, mit einer Wand der Wandleraufnahme druckdicht verbunden ist, und wobei eine zweite Seitsch isoliert ist und mit dem zweiten Kanal 37 kommuniziert.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Differenzdrucksensor, insbesondere einen Differenzdrucksensor mit einem Wandlerkern, welcher ein Halbleitermaterial oder ein keramisches Material aufweist. Derartige Differenzdrucksensoren sind bekannt, wobei die Wandlerkerne insbesondere piezoresistive oder kapazitive Wandler umfassen, um eine differenzdruckabhängige Auslenkung einer Messmembran des Wandlerkerns in ein elektrisches Signal zu wandeln. Derartige Wandlerkerne werden gewöhnlich in ein Messwerk eingebaut, welches einen metallischen Werkstoff, insbesondere Stahl umfasst. Damit sind für die Aufbau- und Verbindungstechnik erhebliche Probleme vorgegeben, denn der Wärmeausdehnungskoeffizient von Silizium, einem gängigen Material für Halbleiterdruckmesswandler, beträgt ca. 3 × 10–6/K, während der Wärmeausdehnungskoeffizient für die hier relevanten VA-Stähle zwischen 10 und 16 × 10–6/K liegt. Um dem Rechnung zu tragen, wird der Wandlerkern häufig zunächst auf einem Entkopplungskörper montiert, welcher dann auf einer Oberfläche, die Stahl aufweist, beispielsweise durch Kleben oder Löten befestigt wird. Eine entsprechende Konstruktion mit einem Halbleitersockel ist beispielsweise in der
deutschen Offenlegungsschrift 10 2007 053 859 A1 offenbart. Die OffenlegungsschriftDE 10 2006 057 828 A1 offenbart einen Differenzdruckmessaufnehmer, bei dem ein Wandlerkern, welcher ein piezoresistiver Siliziumchip auf einen sogenannten Messmembranträger umfasst, wobei der Messmembranträger auf der Oberfläche eines Glaskörpers befestigt ist. Die unmittelbare Befestigung eines Siliziumchips auf einem Glasträger erweist sich für Relativdrucksensoren als geeignet, ist aber für Differenzdrucksensoren insofern problematisch, als Gläser in der Regel ein geringes Kompressionsmodul als Silizium aufweisen. Dies führt zu Querempfindlichkeiten gegenüber dem statischen Druck, wie in der OffenlegungsschriftDE 10 2006 062 222 A1 beschrieben ist. Die VeröffentlichungDE 11 2004 000 818 T5 offenbart schließlich eine Drucksensorenkapsel, bei welcher ein Halbleiterabsolutdrucksensor isostatisch von einer Übertragungsflüssigkeit in einem Metallgehäuse umgeben ist, wobei der Halbleiterkörper des Drucksensors über ein sogenanntes Beanspruchungs-Isolationselement, welches einen keramischen Werkstoff aufweist, und welches im Verhältnis des Halbleiterdrucksensors eine kleine Querschnittsfläche aufweist, druckdicht an eine Durchführung in der metallischen Wand der Drucksensorenkapsel befestigt ist. Wenngleich dieser Lösungsansatz für einen Absolutdrucksensor funktionieren mag, ist er jedoch für einen Differenzdrucksensor gänzlich ungeeignet, weil ein Differenzdrucksensor grundsätzlich zwei Druckzuleitungen zu einem Wandlerkern erfordert, welche gegeneinander abgedichtet sind. - Die noch unveröffentlichte
deutsche Patentanmeldung Nr. 10 2010 043043 offenbart einen Differenzmessaufnehmer, bei welchem ein Halbleiterwandlerkern in einem Gehäuse zwischen elastischen Abstützungen welch gelagert ist. Dieser Ansatz ist sicher sehr interessant, weist aber Grenzen hinsichtlich der Belastbarkeit mit statischen Drücken bzw. Differenzen zwischen statischen Drücken aus. Zudem erfordert die weiche Lagerung des Siliziumchips ein Mindestvolumen, damit sich die entkoppelnde Wirkung der elastischen Dichtungen bzw. Lager zwischen dem Siliziumchip und dem metallischen Gehäuse entfalten kann. - Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Differenzdruckmessaufnehmer bereitzustellen, welcher die Nachteile des Stands der Technik überwindet.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch den Differenzdruckmesser gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1.
- Der erfindungsgemäße Differenzdruckmessaufnehmer, umfasst eine Kapsel, welche einen keramischen Kapselkörper aufweist, wobei die Kapsel in ihrem Inneren eine Wandleraufnahme aufweist, wobei in der Wandleraufnahme ein Halbleiterdruckmesswandler angeordnet ist, welcher einen Messmembrankörper und mindestens einen Trägerkörper aufweist, wobei der Messmembrankörper entlang eines umlaufenden Randes druckdicht mit dem mindestens einen Trägerkörper verbunden ist, wobei der Trägerkörper mindestens eine Druckeinlassöffnung aufweist, wobei sich ein erster Kanal und ein zweiter Kanal jeweils von einer äußeren Oberfläche der Kapsel in die Wandleraufnahme erstrecken; wobei die Druckeinlassöffnung mit dem ersten Kanal kommuniziert, wobei eine erste Seite der Messmembran, welche dem mindestens einen Trägerkörper zugewandt ist, durch die mindestens eine Druckeinlassöffnung mit einem durch den ersten Kanal eingeleiteten Druck beaufschlagbar ist, wobei der mindestens eine Trägerkörper mit einer drucktragenden Fügestelle, welche die erste Druckeinlassöffnung druckdicht umgibt, und welche die Mündung des ersten Kanals in die Wandleraufnahme umgibt, mit einer Wand der Wandleraufnahme druckdicht verbunden ist, und wobei eine zweite Seite der Messmembran, welche der ersten Seite der Messmembran abgewandt ist, von der ersten Seite der Messmembran hydraulisch isoliert ist und mit dem zweiten Kanal kommuniziert.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist der Trägerkörper des Halbleiterdruckmesswandlers einen ersten effektiven Wärmeausdehnungskoeffizienten α1 auf, wobei der keramische Werkstoff des Kapselkörpers einen zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten α2 aufweist, wobei gilt... |(α1 – α2)/(α1 + α2)| < 0,25 insbesondere < 0,2, vorzugsweise < 0,15.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist die mindestens eine erste Fügestelle zwischen dem Wandlerkern und einer Wand der Wandleraufnahme Glas auf.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist die Fügestelle eine Stärke von nicht mehr als 100 μm, insbesondere nicht mehr als 75 μm und bevorzugt nicht mehr als 50 μm auf.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist der Kapselkörper einen ersten Teilkörper und einen zweiten Teilkörper auf, wobei der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper miteinander entlang einer zweiten Fügestelle druckdicht gefügt sind.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist die zweite Fügestelle ein Glas auf.
- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper im Wesentlichen zueinander symmetrisch.
- In einer Weiterbildung der Erfindung weist der Wandlerkern einen zweiten Trägerkörper auf, wobei der Messmembrankörper zwischen dem ersten und dem zweiten Trägerkörper angeordnet und mit beiden Trägerkörpern druckdicht verbunden ist.
- In einer Ausgestaltung dieser Weiterbildung der Erfindung ist der zweite Trägerkörper mit einer dritten Fügestelle mit einer Wand der Wandleraufnahme druckdicht verbunden.
- In einer Weiterbildung der Erfindung ist der Wandlerkern im Wesentlichen symmetrisch aufgebaut und symmetrisch in der Wandlerkammer angeordnet.
- In einer Weiterbildung der Erfindung weist die dritte Fügestelle eine Öffnung auf, welche mit dem zweiten Kanal fluchtet, wobei der zweite Trägerkörper eine Druckeinlassöffnung aufweist, welche mit einer zweiten Seite der Messmembran kommuniziert, wobei die Druckeinlassöffnung mit dem zweiten Kanal fluchtend angeordnet ist, um die zweite Seite der Messmembran mit einem durch den zweiten Kanal eingeleiteten Druck zu beaufschlagen.
- In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Wandleraufnahme elektrische Kontaktpunkte auf, über welche der Wandlerkern in der Flip-Chip-Technologie kontaktiert ist, wobei die Kontaktpunkte über elektrische Durchführungen zu elektrischen Anschlüssen an einer äußeren Oberfläche der Druckkapsel geführt sind.
- In einer Weiterbildung der Erfindung weisen der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper im Bereich der ersten bzw. dritten Fügestelle einen ersten keramischen Werkstoff, auf dessen Wärmeausdehnungskoeffizient dem effektiven Wärmeausdehnungskoeffizienten des Wandlerkerns angepasst ist, und wobei der erste und der zweite Teilkörper in einem von der ersten bzw. dritten Fügestelle abgewandten Bereich jeweils einen zweiten keramischen Werkstoff aufweisen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient dem Wärmeausdehnungskoeffizienten eines metallischen Werkstoffs angepasst sind, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal jeweils in einem Bereich einer äußeren Oberfläche des ersten bzw. zweiten Teilkörpers münden, welcher den zweiten keramischen Werkstoff aufweist, wobei der erste und der zweite Kanal jeweils mit einer ersten bzw. zweiten Kapillarleitung kommunizieren, welche den metallischen Werkstoff aufweisen, und welche druckdicht mit der Kapsel verbunden sind, um einen ersten bzw. zweiten Druck in die Wandleraufnahme einzuleiten.
- In einer Weiterbildung der Erfindung bildet die Wandleraufnahme eine druckdichte Wandlerkammer, in welcher der Wandler angeordnet ist.
- In einer Weiterbildung der Erfindung kommuniziert der zweite Kanal mit dem Volumen in der Wandlerkammer außerhalb des Wandlers, um den Wandler auf seinen äußeren Oberflächen mit dem über den zweiten Kanal eingeleiteten Druck isostatisch zu beaufschlagen.
- Die Erfindung wird nun anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigt:
-
1 : einen Längsschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Differenzdruckmessaufnehmers; und -
2 : einen Längsschnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Differenzdruckmessaufnehmers. - Der in
1 dargestellte Differenzdruckmessaufnehmer1 umfasst eine Kapsel2 , in welcher ein Halbleiterdruckmesswandler3 angeordnet ist. Die Kapsel2 umfasst einen keramischen Kapselkörper20 , welcher aus zwei keramischen Teilkörpern21 ,22 gebildet ist, die entlang einer Fügestelle23 , welche insbesondere ein Glaslot aufweist, miteinander verbunden sind. Der Halbleiterdruckmesswandler3 umfasst einen ersten Trägerkörper31 , einen zweiten Trägerkörper32 und einen Messmembrankörper33 , welcher an beiden Trägerkörpern druckdicht befestigt ist. Die Trägerkörper31 ,32 weisen jeweils in ihrer der Messmembran zugewandten Stirnfläche eine Aussparung35 ,36 auf, wobei die Oberflächen der Trägerkörper31 und32 , welche die Aussparungen35 und36 begrenzen, insbesondere als Membranbett dienen können, an welchem sich die Messmembran33 im Falle einer Überlast anlegen kann. Der erste und zweite Trägerkörper31 ,32 weisen jeweils eine Bohrung37 ,38 auf, durch welche die Messmembran33 jeweils mit einem Druck p1, p2 beaufschlagbar ist, wobei die Messmembran33 eine Auslenkung erfährt, die von der Druckdifferenz p1–p2 abhängt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterdruckmesswandler ein kapazitiver Druckmesswandler, wobei der erste Trägerkörper und der zweite Trägerkörper jeweils mindestens eine Gegenelektrode aufweisen, und wobei jeweils die Kapazität zwischen der Gegenelektrode und der Messmembran in die Bestimmung der Druckdifferenz p1–p2 eingeht. - Die Trägerkörper
31 ,32 und die Messmembran33 weisen insbesondere Silizium auf, wobei die Messmembran vorzugsweise hoch dotiertes Silizium aufweist, und wobei die Gegenelektroden ebenfalls durch Dotieren oder über metallische Beschichtungen präpariert sind. Zum Ableiten der elektrischen Signale des Halbleiterdruckmesswandlers3 sind elektrische Durchführungen39 durch den Kapselkörper2 vorgesehen, wobei die elektrischen Durchführungen39 den Halbleiterdruckmesswandler an Grundflächen der Trägerkörper31 ,32 , insbesondere mittels der Flip-Chip-Technologie, kontaktieren. Der Halbleiterdruckmesswandler3 ist in der durch die Aussparungen25 ,26 gebildeten Wandlerkammer im Inneren des Kapselkörpers2 zu beiden Teilkörpern des Kapselkörpers hin mit einer drucktragenden Fügestelle41 ,42 abgestützt, wobei die Fügestelle insbesondere Glas aufweist. Durch den ersten und zweiten Teilkörper und durch die Fügestellen zwischen dem Halbleiterdruckmesswandler3 und den Teilkörpern21 ,22 erstreckt sich jeweils ein Kanal27 ,28 , welcher mit der jeweiligen Druckeinlassöffnung37 ,38 im Membranträgerkörper fluchtet, so dass der Halbleiterdruckmesswandler3 durch die Kanäle27 ,28 mit dem ersten und zweiten Druck beaufschlagbar ist, um deren Differenz zu bestimmen. Die Materialien der Teilkörper, der Fügestelle zwischen den Teilkörpern und der Fügestellen zwischen den Halbleitern und dem Halbleiterdruckmesswandler sowie die Starke der Fügestellen, und die Tiefe der Aussparungen25 ,26 in den Stirnflächen der Teilkörper21 ,22 sind solchermaßen auf die Abmessungen des Halbleiterdruckmesswandlers3 abgestimmt, dass mechanische Spannungen aufgrund von Temperaturschwankungen trotz der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der beteiligten Materialien nicht zu einer permanenten Schädigung des Halbleiterdruckmesswandlers oder zu einer Verfälschung des Messwerts führen. Als Material für den Kapselkörper sind insbesondere Cordierit, Mulit, Siliziumkarbid, Siliziumnitrid und Aluminiumnitrid geeignet. Für die Fügestellen kommt insbesondere ein Glaslot in Betracht. Die Aussparungen im Halbleiterdruckmesswandler35 ,36 können mit den üblichen Halbleiterprozessierungsverfahren, insbesondere anisotropen Ätzen, mit fotolithographischen Verfahren oder mittels Laserablation präpariert werden. Um den Halbleiterdruckmessaufnehmer1 mit dem ersten Druck p1 und dem zweiten Druck p2 zu beaufschlagen, können beispielsweise metallische Kapillarleitungen51 ,52 mittels einer Hartlotfügung53 ,54 an die Kanäle27 ,28 anschließend am Kapselkörper2 befestigt werden. - Der in
2 dargestellte Differenzdruckmessaufnehmer101 umfasst eine Kapsel102 , in welcher ein Halbleiterdruckmesswandler103 angeordnet ist. Die Kapsel102 umfasst einen keramischen Kapselkörper120 , welcher aus zwei keramischen Teilkörpern121 ,122 gebildet ist, die entlang einer Fügestelle123 , welche insbesondere ein Glaslot aufweist, miteinander druckdicht verbunden sind. - Der Halbleiterdruckmesswandler
103 ist in einer durch eine Aussparung126 in dem zweiten Teilkörper122 gebildeten Wandlerkammer im Inneren des Kapselkörpers120 angeordnet und an dem zweiten Teilkörper122 des Kapselkörpers mit einer drucktragenden Fügestelle142 befestigt, wobei die Fügestelle insbesondere ein Glaslot aufweist. Durch den ersten und zweiten Teilkörper121 ,122 erstreckt sich jeweils ein Kanal127 ,128 um die beiden Drücke, deren Differenz zu ermitteln ist, in die Wandlerkammer einzuleiten. Die Fügestelle142 zwischen dem Halbleiterdruckmesswandler103 und dem zweiten Teilkörper122 umschließt einen Durchgang zum Halbleiterdruckmesswandler, wobei der Durchgang mit dem Kanal128 durch den zweiten Teilkörper122 fluchtet. - Der Halbleiterdruckmesswandler
103 umfasst einen Trägerkörper132 und einen Messmembrankörper133 , welcher an dem Trägerkörper druckdicht befestigt ist, wobei die Fügestelle142 zwischen dem Halbleiterdruckmesswandler und dem zweiten Teilkörper122 , zwischen dem Trägerkörper132 und dem zweiten Teilkörper ausgebildet ist Der Trägerkörper132 weist optional in seiner der Messmembran zugewandten Stirnfläche eine Aussparung134 auf, welches zur Symmetrisierung der Volumina in der Kapsel auf beiden Seiten der Messmembran133 beiträgt. Der Trägerkörper132 weist eine Bohrung135 auf, durch welche die Messmembran133 mit einem Druck p2 beaufschlagbar ist. Die Bohrung135 fluchtet mit dem Durchgang durch die Fügestelle142 und mit dem Kanal128 durch den zweiten Teilkörper. - Auf ihrer dem Trägerkörper
132 abgewandten Außenseite ist die Messmembran133 mit einem Druck p1 beaufschlagbar, welcher durch den Kanal127 , der durch den ersten Teilkörper121 verläuft, in die Messzelle einleitbar ist, wobei dieser Druck p1 nicht nur auf die Außenseite der Messmembran133 , sondern auch auf die Außenflächen des Trägerkörpers132 außerhalb der Fügestelle142 wirkt, so dass der Halbleiterdruckmesswandler103 weitgehend isostatisch gelagert ist. Die mechanische Belastung des Halbleiterdruckmesswandlers ist dann, abgesehen von der Kompression der Werkstoffe aufgrund des statischen Drucks, gegeben durch die Differenz der beiden Drücke p1–p2. Sofern absehbar ist, welcher der betrachteten Drücke größer sein wird, ist es derzeit bevorzugt, wenn der größere Druck als p1 auf die Außenseite des Halbleiterdruckmesswandlers103 geleitet wird. - Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterdruckmesswandler
103 als piezoresistiver Druckmesswandler ausgestaltet, wobei die Messmembran133 eindotierte Messwiderstände insbesondere in Form einer Vollbrückenschaltung aufweist Sowohl die Messmembran133 als auch der Trägerkörper132 weisen in einer derzeit bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung Silizium auf. - Zum Ableiten der elektrischen Signale der Halbleiterdruckmesswandlers
103 sind elektrische Durchführungen139 durch den Kapselkörper102 vorgesehen, wobei die elektrischen Durchführungen139 den Halbleiterdruckmesswandler103 in dieser Ausgestaltung nicht direkt kontaktieren. Stattdessen führen Bond-Drähte137 von Kontaktflächen am Rand der Messmembran133 zu metallischen Leiterbahnen138 , die auf einer Stirnfläche des zweiten Teilkörpers122 präpariert sind. Diese Leiterbahnen werden von den elektrischen Durchführungen139 kontaktiert, die sich durch den ersten Teilkörper121 erstrecken. - Als Material für die Teilkörper
121 ,122 des Kapselkörpers102 sind insbesondere Cordierit, Mulit, Siliziumkarbid, Siliziumnitrid und Aluminiumnitrid geeignet. Für die Fügestellen kommt insbesondere ein Glaslot in Betracht. - Um den Halbleiterdruckmessaufnehmer
101 mit dem ersten Druck p1 und dem zweiten Druck p2 zu beaufschlagen, können beispielsweise metallische Kapillarleitungen151 ,152 mittels einer Hartlotfügung153 ,154 an die Kanäle127 ,128 anschließend am Kapselkörper102 befestigt werden. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
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- DE 102007053859 A1 [0001]
- DE 102006057828 A1 [0001]
- DE 102006062222 A1 [0001]
- DE 112004000818 T5 [0001]
- DE 102010043043 [0002]
Claims (15)
- Differenzdruckmessaufnehmer (
1 ), umfassend: eine Kapsel (2 ), welche einen keramischen Kapselkörper (20 ) aufweist, wobei die Kapsel (2 ) in ihrem Inneren eine Wandleraufnahme aufweist, wobei in der Wandleraufnahme ein Halbleiterdruckmesswandler (3 ) angeordnet ist, welcher einen Messmembrankörper (33 ) und mindestens einen Trägerkörper (31 ,32 ) aufweist, wobei der Messmembrankörper (33 ) entlang eines umlaufenden Randes druckdicht mit dem mindestens einen Trägerkörper (31 ,32 ) verbunden ist, wobei der Trägerkörper mindestens eine Druckeinlassöffnung (37 ,38 ) aufweist, wobei sich ein erster Kanal und ein zweiter Kanal (27 ,28 ) jeweils von einer äußeren Oberfläche der Kapsel (2 ) in die Wandleraufnahme erstrecken; wobei die Druckeinlassöffnung mit dem ersten Kanal kommuniziert, wobei eine erste Seite der Messmembran (33 ), welche dem mindestens einen Trägerkörper (32 ) zugewandt ist, durch die mindestens eine Druckeinlassöffnung (38 ) mit einem durch den ersten Kanal (28 ) eingeleiteten Druck beaufschlagbar ist, wobei der mindestens eine Trägerkörper (32 ) mit einer drucktragenden Fügestelle (42 ), welche die erste Druckeinlassöffnung druckdicht umgibt, und welche die Mündung des ersten Kanals (28 ) in die Wandleraufnahme umgibt, mit einer Wand der Wandleraufnahme druckdicht verbunden ist, und wobei eine zweite Seite der Messmembran, welche der ersten Seite der Messmembran abgewandt ist, von der ersten Seite der Messmembran hydraulisch isoliert ist und mit dem zweiten Kanal (37 ) kommuniziert. - Differenzdruckmesser nach Anspruch 1, wobei der Trägerkörper des Halbleiterdruckmesswandlers einen ersten effektiven Wärmeausdehnungskoeffizienten α1 aufweist, und wobei der keramische Werkstoff des Kapselkörpers einen zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten α2 aufweist, wobei gilt... |(α1 – α2)/(α1 + α2)| < 0,25 insbesondere < 0,2, vorzugsweise < 0,15.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine erste Fügestelle zwischen dem Wandlerkern und einer Wand der Wandleraufnahme Glas aufweist.
- Differenzdruckmesswandler nach Anspruch 3, wobei die Fügestelle eine Starke von nicht mehr als 100 μm, insbesondere nicht mehr als 75 μm und bevorzugt nicht mehr als 50 μm aufweist.
- Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kapselkörper einen ersten Teilkörper und einen zweiten Teilkörper aufweist, wobei der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper miteinander entlang einer zweiten Fügestelle druckdicht gefügt sind.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 5, wobei die zweite Fügestelle ein Glas umfasst.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 6, wobei der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper im Wesentlichen zueinander symmetrisch sind.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Wandlerkern einen zweiten Trägerkörper aufweist, wobei der Messmembrankörper zwischen dem ersten und dem zweiten Trägerkörper angeordnet und mit beiden Trägerkörpern druckdicht verbunden ist.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 8, wobei der zweite Trägerkörper mit einer dritten Fügestelle mit einer Wand der Wandleraufnahme druckdicht verbunden ist.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Wandlerkern im Wesentlichen symmetrisch aufgebaut und symmetrisch in der Wandlerkammer angeordnet ist.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 9, wobei die dritte Fügestelle eine Öffnung aufweist, welche mit dem zweiten Kanal fluchtet, wobei der zweite Trägerkörper eine Druckeinlassöffnung aufweist, welche mit einer zweiten Seite der Messmembran kommuniziert, wobei die Druckeinlassöffnung mit dem zweiten Kanal fluchtend angeordnet ist, um die zweite Seite der Messmembran mit einem durch den zweiten Kanal eingeleiteten Druck zu beaufschlagen.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wandleraufnahme elektrische Kontaktpunkte aufweist, über welche der Wandlerkern in der Flip-Chip-Technologie kontaktiert ist, wobei die Kontaktpunkte über elektrische Durchführungen zu elektrischen Anschlüssen an einer äußeren Oberfläche der Druckkapsel geführt sind.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 5 und nach Anspruch 11, wobei der erste Teilkörper und der zweite Teilkörper im Bereich der ersten bzw. dritten Fügestelle einen ersten keramischen Werkstoff aufweisen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient dem effektiven Wärmeausdehnungskoeffizienten des Wandlerkerns angepasst ist, und wobei der erste und der zweite Teilkörper in einem von der ersten bzw. dritten Fügestelle abgewandten Bereich jeweils einen zweiten keramischen Werkstoff aufweisen, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient dem Wärmeausdehnungskoeffizienten eines metallischen Werkstoffs angepasst sind, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal jeweils in einem Bereich einer äußeren Oberfläche des ersten bzw. zweiten Teilkörpers münden, welcher den zweiten keramischen Werkstoff aufweist, wobei der erste und der zweite Kanal jeweils mit einer ersten bzw. zweiten Kapillarleitung kommunizieren, welche den metallischen Werkstoff aufweisen, und welche druckdicht mit der Kapsel verbunden sind, um einen ersten bzw. zweiten Druck in die Wandleraufnahme einzuleiten.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wandleraufnahme eine druckdichte Wandlerkammer bildet, in welcher der Halbleiterdruckmesswandler angeordnet ist.
- Differenzdruckmessaufnehmer nach Anspruch 14, wobei der zweite Kanal mit dem Volumen in der Wandlerkammer außerhalb des Halbleiterdruckmesswandlers kommuniziert, um den Halbleiterdruckmesswandler auf seinen äußeren Oberflächen mit dem über den zweiten Kanal eingeleiteten Druck isostatisch zu beaufschlagen.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011006517A DE102011006517A1 (de) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Druckfest gekapselter Differenzdrucksensor |
CN201280015534.0A CN103477199B (zh) | 2011-03-31 | 2012-02-10 | 耐压封装的压差传感器 |
EP12704401.4A EP2691754B1 (de) | 2011-03-31 | 2012-02-10 | Druckfest gekapselter differenzdrucksensor |
PCT/EP2012/052313 WO2012130512A1 (de) | 2011-03-31 | 2012-02-10 | Druckfest gekapselter differenzdrucksensor |
US14/007,704 US9054222B2 (en) | 2011-03-31 | 2012-02-10 | Pressure resistently encapsulated, pressure difference sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011006517A DE102011006517A1 (de) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Druckfest gekapselter Differenzdrucksensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102011006517A1 true DE102011006517A1 (de) | 2012-10-04 |
Family
ID=45614833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102011006517A Withdrawn DE102011006517A1 (de) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Druckfest gekapselter Differenzdrucksensor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9054222B2 (de) |
EP (1) | EP2691754B1 (de) |
CN (1) | CN103477199B (de) |
DE (1) | DE102011006517A1 (de) |
WO (1) | WO2012130512A1 (de) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103852209A (zh) * | 2012-11-29 | 2014-06-11 | 阿自倍尔株式会社 | 差压传感器 |
DE102012113033A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Mechanische Stabilisierung und elektrische sowie hydraulische Adaptierung eines Silizium Chips durch Keramiken |
DE102013113171A1 (de) | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Piezoresistive Silizium-Differenzdruckmesszelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102014104506A1 (de) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensor |
CN106164638A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-11-23 | 阿自倍尔株式会社 | 压力传感器芯片 |
DE102016107236A1 (de) * | 2016-04-19 | 2017-10-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zum Fügen einer Differenzdruckmesszelle und Differenzdruckmesszelle |
DE102016109645A1 (de) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensorelement und kapazitiver Drucksensor |
US9863830B2 (en) | 2014-04-23 | 2018-01-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Pressure sensor having a ceramic platform |
EP3276319A1 (de) * | 2016-07-29 | 2018-01-31 | Endress + Hauser GmbH + Co. KG | Differenzdrucksensor |
DE102016120674A1 (de) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Turck Holding Gmbh | Druckmesszelle |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9423315B2 (en) * | 2013-10-15 | 2016-08-23 | Rosemount Aerospace Inc. | Duplex pressure transducers |
DE102013113594A1 (de) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdrucksensor |
JP6286278B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-02-28 | アズビル株式会社 | 差圧センサおよび差圧センサの製造方法 |
DE102014119407A1 (de) | 2014-12-22 | 2016-06-23 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdrucksensor und Differenzdruckmessaufnehmer mit einem solchen Differenzdrucksensor |
CN106946213B (zh) * | 2017-05-26 | 2019-04-23 | 芜湖恒铭电子科技有限公司 | 一种压力传感器及其制作方法 |
DE102018105867A1 (de) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Differenzdrucksensor zum Bestimmen einer Differenzdruckgröße |
IT201800020809A1 (it) * | 2018-12-21 | 2020-06-21 | Watts Ind Italia Srl | Manometro per la misura di una pressione differenziale tra due fluidi |
US11287349B2 (en) | 2019-05-31 | 2022-03-29 | Pti Technologies, Inc. | Burst-duct detection system |
CN111879447A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-11-03 | 武汉大学 | 一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器及其制备方法 |
US11879800B2 (en) | 2021-03-29 | 2024-01-23 | Rosemount Aerospace Inc. | MEMS strain gauge pressure sensor with mechanical symmetries |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4670733A (en) * | 1985-07-01 | 1987-06-02 | Bell Microsensors, Inc. | Differential pressure transducer |
US5134887A (en) * | 1989-09-22 | 1992-08-04 | Bell Robert L | Pressure sensors |
DE3751546T2 (de) * | 1986-06-30 | 1996-02-22 | Rosemount Inc | Differentielle Drucksensoren zur Druckerfassung und Herstellungsverfahren. |
DE69214940T2 (de) * | 1991-03-29 | 1997-05-28 | Rosemount Inc | Drucksensor mit träger mit hohem elastizitätsmodul |
DE112004000818T5 (de) | 2003-05-16 | 2006-03-23 | Rosemount Inc., Eden Prairie | Drucksensorenkapsel |
DE102006057828A1 (de) | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckmeßaufnehmer |
DE102006062222A1 (de) | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdrucksensor mit Kompensation des statischen Drucks |
DE102007053859A1 (de) | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druck-Messeinrichtung |
DE102007061184A1 (de) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckmesszelle |
DE102010043043A1 (de) | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druckmesswandler |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5831854B2 (ja) * | 1977-06-22 | 1983-07-08 | 富士電機株式会社 | 圧力測定装置および製造方法 |
JPS5831854A (ja) | 1981-08-20 | 1983-02-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 枚葉紙の矯正方法および装置 |
US5587601A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-24 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Support structure for a semiconductor pressure transducer |
DE10052053A1 (de) | 2000-10-19 | 2002-04-25 | Endress Hauser Gmbh Co | Druckmeßzelle |
US6581469B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-06-24 | Endress + Hauser Gmbh Co. | Differential pressure sensor and method of differential pressure measurement |
DE10130372B4 (de) * | 2001-06-23 | 2006-09-14 | Abb Patent Gmbh | Differenzdrucksensor |
US6807865B2 (en) | 2002-02-04 | 2004-10-26 | Dwyer Instruments, Inc. | Pressure sensor with a radially tensioned metal diaphragm |
US7075160B2 (en) * | 2003-06-04 | 2006-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures |
US7401522B2 (en) * | 2005-05-26 | 2008-07-22 | Rosemount Inc. | Pressure sensor using compressible sensor body |
CN101479586B (zh) | 2006-04-25 | 2012-06-20 | 罗斯蒙德公司 | 使用近最终形状的烧结陶瓷的压力传感器 |
ITMI20070099A1 (it) * | 2007-01-24 | 2008-07-25 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati |
DE102009001892A1 (de) | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensor |
-
2011
- 2011-03-31 DE DE102011006517A patent/DE102011006517A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-02-10 US US14/007,704 patent/US9054222B2/en active Active
- 2012-02-10 EP EP12704401.4A patent/EP2691754B1/de active Active
- 2012-02-10 CN CN201280015534.0A patent/CN103477199B/zh active Active
- 2012-02-10 WO PCT/EP2012/052313 patent/WO2012130512A1/de active Application Filing
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4670733A (en) * | 1985-07-01 | 1987-06-02 | Bell Microsensors, Inc. | Differential pressure transducer |
DE3751546T2 (de) * | 1986-06-30 | 1996-02-22 | Rosemount Inc | Differentielle Drucksensoren zur Druckerfassung und Herstellungsverfahren. |
US5134887A (en) * | 1989-09-22 | 1992-08-04 | Bell Robert L | Pressure sensors |
DE69214940T2 (de) * | 1991-03-29 | 1997-05-28 | Rosemount Inc | Drucksensor mit träger mit hohem elastizitätsmodul |
DE112004000818T5 (de) | 2003-05-16 | 2006-03-23 | Rosemount Inc., Eden Prairie | Drucksensorenkapsel |
DE102006057828A1 (de) | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckmeßaufnehmer |
DE102006062222A1 (de) | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdrucksensor mit Kompensation des statischen Drucks |
DE102007053859A1 (de) | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druck-Messeinrichtung |
DE102007061184A1 (de) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckmesszelle |
DE102010043043A1 (de) | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druckmesswandler |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103852209B (zh) * | 2012-11-29 | 2016-01-06 | 阿自倍尔株式会社 | 差压传感器 |
CN103852209A (zh) * | 2012-11-29 | 2014-06-11 | 阿自倍尔株式会社 | 差压传感器 |
US9689768B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-06-27 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Mechanical stabilizing and electrical as well as hydraulic adapting of a silicon chip by ceramics |
CN104870962A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-08-26 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 通过陶瓷对硅芯片进行机械稳定并且进行电以及液压适配 |
WO2014095416A2 (de) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Mechanische stabilisierung und elektrische sowie hydraulische adaptierung eines silizium chips durch keramiken |
DE102012113033A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Mechanische Stabilisierung und elektrische sowie hydraulische Adaptierung eines Silizium Chips durch Keramiken |
DE102013113171A1 (de) | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Piezoresistive Silizium-Differenzdruckmesszelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE102014104506A1 (de) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensor |
CN106164638A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-11-23 | 阿自倍尔株式会社 | 压力传感器芯片 |
CN106164638B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-03-22 | 阿自倍尔株式会社 | 压力传感器芯片 |
US9863830B2 (en) | 2014-04-23 | 2018-01-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Pressure sensor having a ceramic platform |
DE102016107236A1 (de) * | 2016-04-19 | 2017-10-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zum Fügen einer Differenzdruckmesszelle und Differenzdruckmesszelle |
DE102016109645A1 (de) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensorelement und kapazitiver Drucksensor |
EP3276319A1 (de) * | 2016-07-29 | 2018-01-31 | Endress + Hauser GmbH + Co. KG | Differenzdrucksensor |
US10458874B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-10-29 | Endress+Hauser Se+Co.Kg | Pressure difference sensor for providing a pressure measurement signal |
DE102016120674A1 (de) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Turck Holding Gmbh | Druckmesszelle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9054222B2 (en) | 2015-06-09 |
CN103477199A (zh) | 2013-12-25 |
US20140021563A1 (en) | 2014-01-23 |
WO2012130512A1 (de) | 2012-10-04 |
EP2691754B1 (de) | 2020-10-14 |
EP2691754A1 (de) | 2014-02-05 |
CN103477199B (zh) | 2015-07-29 |
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Legal Events
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |