DE102010032187A1 - Process for producing a solar cell and solar cell - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer aktiven, der Sonne zugewandten Vorderseite und einer Rückseite, die mindestens einen Rückseitenkontakt aufweist, umfassend das Aufbringen einer Rückseitenmetallisierung auf die der Sonne abgewandete Rückseite und das bereichsweise Aufbringen einer metallischen Schicht zur Ausbildung mindestens eines Rückseitenkontaktes. Ein derartiges Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, deren Effizienz verbessert und deren Herstellkosten aufgrund von Energie- und Materialeinsparungen reduziert sind, zeichnet sich dadurch aus, dass zunächst die Rückseitenmetallisierung auf die Rückseite der Solarzelle aufgebracht wird und anschließend die metallische Schicht zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes mit Hilfe eines Verfahrens zur Beschichtung einer Oberfläche unter Verwendung eines Strahls eines Niedertemperaturplasmas bereichsweise auf die Rückseitenmetallisierung aufgebracht wird. Außerdem betrifft die Erfindung eine Solarzelle, die durch das vorgenannte Verfahren herstellbar ist.The invention relates to a method for producing a solar cell having an active, front side facing the sun and a rear side having at least one rear side contact, comprising applying a back side metallization to the rear side facing away from the sun and partially applying a metallic layer to form at least one rear side contact , Such a method for producing a solar cell, whose efficiency is improved and whose manufacturing costs are reduced due to energy and material savings, is characterized in that first the back side metallization is applied to the back of the solar cell and then the metallic layer to form the back contact with help a method for coating a surface is applied in regions on the back side metallization using a jet of a low-temperature plasma. Moreover, the invention relates to a solar cell which can be produced by the aforementioned method.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer aktiven, der Sonne zugewandten Vorderseite und einer Rückseite, die mindestens einen Rückseitenkontakt aufweist, umfassend das Aufbringen einer Rückseitenmetallisierung auf die der Sonne abgewandete Rückseite und das bereichsweise Aufbringen einer metallischen Schicht zur Ausbildung mindestens eines Rückseitenkontaktes. Außerdem betrifft die Erfindung eine durch das Verfahren herstellbare Solarzelle.The invention relates to a method for producing a solar cell having an active front side facing the sun and a rear side having at least one rear side contact, comprising applying a back side metallization to the rear side facing away from the sun and partially applying a metallic layer to form at least one rear side contact , Moreover, the invention relates to a producible by the process solar cell.

Solarzellen wandeln Licht in elektrische Energie. Die Solarzelle bildende Halbleiter weisen Bereiche unterschiedlicher Polarität auf. Beispielsweise ist ein Emitterbereich mit einer ersten Polarität aus einem n-Typ-Halbleiter gebildet, wohingegen ein Basisbereich mit einer zweiten Polarität aus einem P-Typ-Halbleiter gebildet ist. Durch den an der Grenzfläche zwischen den Bereichen unterschiedlicher Polarität gebildeten pn-Übergang werden Ladungsträgerpaare, die bei der Absorption auftreffenden Lichts gebildet werden, getrennt. Um die derart getrennten Ladungsträger einem externen Stromkreis zuführen zu können, weist jede Solarzelle Kontakte auf. Abhängig von der Anordnung dieser Kontakte spricht man von Rückseitenkontakten und Vorderseitenkontakten. Um mehrere Solarzellen zu einem Solarmodul zu verschalten, werden die Solarzellen durch an den Kontakten angelötete Lötbänder elektrisch miteinander verbunden.Solar cells convert light into electrical energy. The solar cell-forming semiconductors have regions of different polarity. For example, an emitter region having a first polarity is formed of an n-type semiconductor, whereas a base region having a second polarity is formed of a p-type semiconductor. By the pn junction formed at the interface between the regions of different polarity, pairs of charge carriers formed upon absorption of incident light are separated. In order to be able to supply the charge carriers thus separated to an external circuit, each solar cell has contacts. Depending on the arrangement of these contacts one speaks of backside contacts and front side contacts. To interconnect several solar cells to a solar module, the solar cells are electrically connected by soldered to the contacts solder strips.

Die Solarzellen werden bisher wie folgt hergestellt:

  • – Auf der Rückseite der Solarzelle aus Silizium wird bereichsweise eine metallische Schicht in Form einer silberhaltigen Paste dort aufgebracht, wo die Rückseitenkontakte liegen sollen. Das Aufbringen erfolgt im Wege des Siebdrucks.
  • – Anschließend wird die metallische Schicht in einem Heißluftofen getrocknet.
  • – Sodann wird die Rückseitenmetallisierung in Form einer Aluminium-Paste auf die Rückseite der Solarzelle aufgebracht, wobei die Bereiche der Rückseitenkontakte ausgespart werden. Das Aufbringen der Rückseitenmetallisierung erfolgt ebenfalls im Wege des Siebdrucks.
  • – In einem Trocknungsprozess im Heißluftofen wird die aufgebrachte Aluminiumpaste zur Ausbildung der Rückseitenmetallisierung bei einer ersten Temperatur T1 getrocknet.
  • – Schließlich wird ein Firing-Prozess bei einer zweiten, gegenüber der ersten Temperatur T1 höheren Temperatur T2 von oberhalb 700 Grad Celsius durchgeführt. Die bei diesem Prozess eintretende Legierungsbildung zwischen dem Aluminium der Rückseitenmetallisierung und dem Silizium der Solarzelle führt zu einer für die Funktion der Solarzelle notwendigen Dotierung des Siliziums.
The solar cells are manufactured so far as follows:
  • - On the back of the solar cell made of silicon, a metallic layer in the form of a silver-containing paste is partially applied where the back side contacts should be. The application is carried out by screen printing.
  • - Then the metallic layer is dried in a hot air oven.
  • - Then, the back side metallization is applied in the form of an aluminum paste on the back of the solar cell, wherein the areas of the back side contacts are recessed. The application of the backside metallization also takes place by screen printing.
  • In a drying process in the hot air oven, the applied aluminum paste is dried at a first temperature T1 to form the backside metallization.
  • Finally, a firing process is carried out at a second temperature T2, which is higher than the first temperature T1, above 700 degrees Celsius. The alloy formation occurring in this process between the aluminum of the backside metallization and the silicon of the solar cell leads to a doping of the silicon necessary for the function of the solar cell.

Das bekannte Verfahren weist folgende Nachteile auf:

  • – Die schlechte elektrische Leitfähigkeit der Pasten muss durch eine Wärmebehandlung im Heißluftofen (thermisches Sintern) verbessert werden, womit ein hoher Energieaufwand verbunden ist.
  • – Da die silberhaltige Paste zur Ausbildung der Rückseitenkontakte unmittelbar auf der Rückseite der Solarzelle aufgebracht wird, findet in den Bereichen der Rückseitenkontakte keine Legierungsbildung zwischen der Rückseitenmetallisierung aus Aluminium und dem Silizium der Solarzelle statt, wodurch die Effizienz der Solarzelle in den Bereichen der Rückseitenkontakte deutlich gemindert ist.
  • – Die silberhaltige Paste zur Ausbildung der Rückseitenkontakte ist für die Volumenproduktion von Solarzellen außerordentlich kostspielig.
The known method has the following disadvantages:
  • - The poor electrical conductivity of pastes must be improved by a heat treatment in a hot air oven (thermal sintering), which is associated with a high energy consumption.
  • Since the silver-containing paste is applied directly to the rear side of the solar cell to form the rear side contacts, no alloy formation takes place between the rear side metallization of aluminum and the silicon of the solar cell in the areas of the rear side contacts, whereby the efficiency of the solar cell in the areas of the rear side contacts is significantly reduced is.
  • The silver-containing paste for forming the back contacts is extremely expensive for the volume production of solar cells.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle vorzuschlagen, deren Effizienz verbessert und deren Herstellkosten aufgrund von Energie- und Materialeinsparungen reduziert sind. Des Weiteren soll eine Solarzelle vorgeschlagen werden, die einen besseren Gesamtwirkungsgrad aufweist und preiswerter herstellbar ist.Based on this prior art, the invention is based on the object to propose a method for producing a solar cell, whose efficiency is improved and their manufacturing costs are reduced due to energy and material savings. Furthermore, a solar cell is to be proposed, which has a better overall efficiency and is cheaper to produce.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, dass zunächst die Rückseitenmetallisierung auf die Rückseite der Solarzelle aufgebracht wird und erst anschließend die metallische Schicht zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes mit Hilfe eines Verfahrens zur Beschichtung einer Oberfläche unter Verwendung eines Strahls eines Niedertemperaturplasmas bereichsweise auf die Rückseitenmetallisierung aufgebracht wird.This object is achieved in a method of the type mentioned above in that first the back side metallization is applied to the back of the solar cell and only then the metallic layer for forming the back contact using a method for coating a surface using a beam of a low-temperature plasma in some areas the backside metallization is applied.

Eine Solarzelle mit höherem Gesamtwirkungsgrad und geringeren Herstellkosten ergibt sich aus den Ansprüchen 11 und 12.A solar cell with higher overall efficiency and lower production costs results from the claims 11 and 12.

Die Effizienz der Solarzelle wird dadurch verbessert, dass zunächst die Rückseitenmetallisierung auf die Rückseite der Solarzelle aufgebracht wird. Erst anschließend wird die metallische Schicht zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes bereichsweise auf die Rückseitenmetallisierung aufgebracht. Die Legierungsbildung zwischen dem Material der Solarzelle, insbesondere dem Silizium, und der Rückseitenmetallisierung, insbesondere Aluminium, findet daher auf einer größeren Oberfläche als bei herkömmlichen Solarzellen statt. Hieraus resultiert eine Steigerung des Gesamtwirkungsgrades der Solarzelle gegenüber einer herkömmlich hergestellten Solarzelle um etwa 0,1 bis 0,3%.The efficiency of the solar cell is improved by first applying the backside metallization to the back of the solar cell. Only then is the metallic layer for forming the back contact partially applied to the back side metallization. The alloy formation between the material of the solar cell, in particular the silicon, and the backside metallization, in particular aluminum, therefore takes place on a larger surface than in conventional solar cells. This results in an increase of the overall efficiency of the solar cell over a conventionally produced solar cell by about 0.1 to 0.3%.

Die Verbesserung der Energieeffizienz bei der Herstellung der Solarzellen resultiert daraus, dass die Rückseitenkontakte erst nach dem Aufbringen der Rückseitenmetallisierung auf deren Oberfläche mit Hilfe eines Plasmastrahls abgeschieden werden. In Folge dessen ist kein zusätzlicher Trocknungsschritt zum Trocknen der Rückseitenkontakte vor dem Aufbringen der Rückseitenmetallisierung erforderlich. In dem herkömmlichen Prozess ist es indes erforderlich, die silberhaltige Paste zur Ausbildung der Rückseitenkontakte zunächst vollständig zu trocknen, bevor die Aluminiumpaste zur Ausbildung der Rückseitenkontakte aufgebracht und wiederum getrocknet werden muss. Erst anschließend kann der nach dem Aufbringen der Rückseitenmetallisierung notwendige Firing-Prozess zur Legierungsbildung und Dotierung durchgeführt werden.The improvement of the energy efficiency in the production of the solar cells results from the fact that the backside contacts are deposited after the application of the backside metallization on their surface by means of a plasma jet. As a result, no additional drying step is required to dry the backside contacts prior to applying the backside metallization. In the conventional process, however, it is necessary to first completely dry the silver-containing paste to form the backside contacts before the aluminum paste has to be applied to form the backside contacts and dried again. Only then can the firing process for alloy formation and doping, which is necessary after application of the backside metallization, be carried out.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist der sich an das Aufbringen der Rückseitenmetallisierung anschließende Firing-Prozess bereits abgeschlossen, wenn die Rückseitenkontakte abgeschieden werden. Da der Firing-Prozess mit Temperaturen oberhalb von 700 Grad Celsius zum Zeitpunkt des Aufbringens der metallischen Schichten zur Ausbildung der Rückseitenkontakte in dem erfindungsgemäßen Verfahren bereits abgeschlossen ist, können die Rückseitenkontakte aus preiswerteren, insbesondere einen tieferen Schmelzpunkt aufweisenden Metallen hergestellt werden, deren Einsatz sich beim Stand der Technik aufgrund des zwingend nachgeschalteten Firing-Prozesses verbietet. In Betracht kommt insbesondere eines der Metalle Zinn, Silber, Zink, Kupfer oder eine Mischung der vorgenannten Metalle.In the method according to the invention, the firing process subsequent to the application of the backside metallization is already completed when the backside contacts are deposited. Since the firing process with temperatures above 700 degrees Celsius at the time of applying the metallic layers to form the back contacts in the inventive process is already completed, the back contacts can be made of cheaper, in particular a lower melting point metals, whose use in the Prior art prohibits due to the mandatory downstream firing process. In particular, one of the metals tin, silver, zinc, copper or a mixture of the aforementioned metals is considered.

Das Beschichtungsverfahren unter Verwendung eines Strahls eines Niedertemperaturplasmas bewirkt eine gut leitfähige Anbindung des Rückseitenkontaktes an die Rückseitenmetallisierung. Die vorgenannten Beschichtungsmaterialien bauen eine gute Haftung zu der Rückseitenmetallisierung aus Aluminium auf und weisen eine gute Lötfähigkeit auf, um die Solarzellen mittels Lötbändern zu Modulen zu verschalten.The coating process using a jet of low temperature plasma causes a good conductive attachment of the backside contact to the backside metallization. The aforementioned coating materials build good adhesion to the backside metallization of aluminum and have a good soldering ability to interconnect the solar cells by means of soldering tapes to modules.

Um die Haftfestigkeit der Rückseitenkontakte zu verbessern, wird in einer Ausgestaltung der Erfindung die Rückseitenmetallisierung mit mindestens einer bis zur Rückseite der Solarzelle reichenden, kleinflächigen Öffnung aufgebracht, die dem Rückseitenkontakt zugeordnet ist. Alternativ kann die Rückseitenmetallisierung zunächst vollflächig auf die. Rückseite aufgebracht werden und anschließend wird die mindestens eine bis zur Rückseite der Solarzelle reichende kleinflächige Öffnung in die Rückseitenmetallisierung eingebracht. Die Querschnittsfläche der jedem Rückseitenkontakt zugeordneten Öffnung(en) sollte deutlich kleiner als die Fläche des Rückseitenkontaktes sein, wobei dessen Fläche die Querschnittsfläche sämtlicher ihm zugeordneten Öffnungen in der Rückseitenmetallisierung mindestens um den Faktor 2 übersteigt. In Folge dessen führen diese Öffnungen in der Rückseitenmetallisierung nur in geringem Maße zu einer verschlechterten Effizienz der Solarzelle in diesen Bereichen. Die Öffnungen verbessern jedoch die Haftung der Rückseitenkontakte an der Rückseite der Solarzelle, in dem sie eine mechanische Verankerung des Rückseitenkontaktes an der Rückseite der Solarzelle ermöglichen.In order to improve the adhesive strength of the backside contacts, in one embodiment of the invention, the backside metallization is applied with at least one, small-area opening extending to the back of the solar cell, which is associated with the rear-side contact. Alternatively, the Rückseitenmetallisierung first full area on the. Rear side are applied and then the at least one reaching to the back of the solar cell small-area opening is introduced into the back side metallization. The cross-sectional area of the aperture (s) associated with each backside contact should be significantly smaller than the area of the backside contact, the area of which exceeds at least a factor of 2 the cross-sectional area of all the apertures in the backside metallization associated therewith. As a result, these openings in the backside metallization will only slightly impair the efficiency of the solar cell in these areas. However, the apertures improve the adhesion of the back side contacts to the back side of the solar cell by allowing mechanical anchoring of the back side contact on the back side of the solar cell.

Eine weitere Verbesserung der Haftung an der Rückseitenmetallisierung aus Aluminium bei gleichzeitiger Verbesserung der Lötfähigkeit wird erreicht, wenn mehrere metallische Schichten zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes auf die Rückseitenmetallisierung aufgebracht werden.Further improvement in adhesion to the backside metallization of aluminum while improving solderability is achieved when multiple metallic layers are applied to the backside metallization to form the backside contact.

Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignen sich Niedertemperaturplasmen, deren Plasmastrahl in der Kernzone eine Gastemperatur von weniger als 900 Grad Celsius, insbesondere jedoch von weniger als 500 Grad Celsius aufweist. Bei dem verwendeten Niedertemperaturplasma handelt es sich um ein so genanntes Atmosphärendruckplasma, bei welchem der Druck ungefähr dem der umgebenden Atmosphäre entspricht. Der wesentliche Vorteil des Atmosphärendruckplasmas besteht darin, dass im Gegensatz zum Niederdruck- oder Hochdruckplasma kein Reaktor erforderlich ist, der für die Aufrechterhaltung eines zum Atmosphärendruck unterschiedlichen Druckniveaus sorgt. In Folge dessen lassen sich Verfahren mit Atmosphärendruckplasmen direkt in die Produktion zur Herstellung der Solarzelle integrieren. Kostenintensive Reaktoren zur Erzeugung eines Unterdrucks sind nicht erforderlich.Low-temperature plasmas whose plasma jet in the core zone has a gas temperature of less than 900 degrees Celsius, but in particular of less than 500 degrees Celsius, are suitable for carrying out the method according to the invention. The low temperature plasma used is a so-called atmospheric pressure plasma in which the pressure is approximately equal to that of the surrounding atmosphere. The essential advantage of the atmospheric pressure plasma is that, in contrast to the low-pressure or high-pressure plasma, no reactor is required which ensures the maintenance of a pressure level different from the atmospheric pressure. As a result, atmospheric pressure plasmas can be integrated directly into production to produce the solar cell. Costly reactors to generate a negative pressure are not required.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:The invention will be explained in more detail with reference to the figures. Show it:

1a) eine Vorderansicht einer herkömmlichen Solarzelle, 1a) a front view of a conventional solar cell,

1b) eine Ansicht der Rückseite der Solarzelle nach 1a), 1b) a view of the back of the solar cell behind 1a) .

1c) einen Schnitt durch die Solarzelle nach den 1a) und 1b), 1c) a section through the solar cell after the 1a) and 1b) .

2a) eine Ansicht der Rückseite einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten ersten Ausführungsform einer Solarzelle, 2a) a view of the back of a first embodiment of a solar cell produced by the method according to the invention,

2b) einen Schnitt durch die Solarzelle nach 2a), 2 B) a section through the solar cell after 2a) .

3a) eine Ansicht der Rückseite einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten zweiten Ausführungsform einer Solarzelle, 3a) a view of the back of a second embodiment of a solar cell produced by the method according to the invention,

3b), 3c) unterschiedliche Ausführungsformen von Öffnungen in der Rückseitenmetallisierung für eine Solarzelle nach 1a), 3b) . 3c) different embodiments of openings in the backside metallization for a solar cell after 1a) .

3d) einen Schnitt durch die Struktur nach 3b), 3d) a section through the structure after 3b) .

3e) einen Schnitt durch die Solarzelle nach 3a), 3e) a section through the solar cell after 3a) .

4 eine schematische Darstellung einer Anordnung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. 4 a schematic representation of an arrangement for carrying out the method according to the invention.

Die in 1 dargestellte Solarzelle (1) weist auf ihrer Rückseite (2) längliche Rückseitenkontakte (3) auf, die unmittelbar auf die Rückseite (2) der aus Silizium bestehenden Solarzelle (1) aufgebracht sind. Auf der aktiven, der Sonne zugewandten Vorderseite (4) befindet sich ein Vorderseitenkontakt (5). Um die Entfernung, die die Ladungsträger lateral in der Ebene der Solarzelle (1) zurücklegen müssen, um zu einem Kontakt (3, 5) zu gelangen, möglichst gering zu halten, gehen von den Kontakten mehrere Kontaktfinger (6) aus. Die Kontaktfinger (6) sind im wesentlichen über die gesamte Fläche der Solarzelle (1) gleichmäßig verteilt. In dem Ausführungsbeispiel sind die Kontakte (3, 5) als längliche, quer zu den Metallfingern (6) verlaufende Streifen ausgestaltet.In the 1 represented solar cell ( 1 ) has on its back ( 2 ) oblong backside contacts ( 3 ) directly on the back ( 2 ) of the silicon solar cell ( 1 ) are applied. On the active, sun-facing front ( 4 ) there is a front side contact ( 5 ). To determine the distance that the charge carriers laterally in the plane of the solar cell ( 1 ) in order to contact ( 3 . 5 ), to keep as small as possible, go from the contacts several contact fingers ( 6 ) out. The contact fingers ( 6 ) are substantially over the entire surface of the solar cell ( 1 ) equally distributed. In the exemplary embodiment, the contacts ( 3 . 5 ) as elongated, transverse to the metal fingers ( 6 ) running stripes designed.

Die in 1 dargestellte Solarzelle (1) wird hergestellt, indem zunächst eine hoch silberhaltige Paste in Form der Rückseitenkontakte (3), linienförmig auf das Silizium der Solarzelle (1) im Siebdruckverfahren aufgedruckt wird. Anschließend erfolgt eine Trocknung in einem Heißluftofen. Sodann wird eine Rückseitenmetallisierung (7) durch Aufbringen einer Aluminiumpaste, mit Aussparungen im Bereich der Rückseitenkontakte (3) im Siebdruckverfahren aufgebracht. Die Aluminiumpaste wird ebenfalls getrocknet. Anschließend kommt es bei einem so genannten Firing-Prozess mit Temperaturen von oberhalb 700 Grad Celsius zu einer Legierungsbildung zwischen dem Aluminium der Aluminiumpaste und dem Silizium der Solarzelle (1), die zu einer erwünschten und für die Funktion der Solarzelle (1) notwendigen Dotierung des Siliziums führt.In the 1 represented solar cell ( 1 ) is prepared by first a high silver paste in the form of the backside contacts ( 3 ), linear on the silicon of the solar cell ( 1 ) is printed by screen printing. This is followed by drying in a hot air oven. Then a backside metallization ( 7 ) by applying an aluminum paste, with recesses in the area of the rear side contacts ( 3 ) applied by screen printing. The aluminum paste is also dried. Subsequently, in a so-called firing process with temperatures of more than 700 degrees Celsius, alloy formation occurs between the aluminum of the aluminum paste and the silicon of the solar cell ( 1 ), which lead to a desired and to the function of the solar cell ( 1 ) leads to necessary doping of the silicon.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren (vgl. 2) wird indes zunächst die Rückseitenmetallisierung (7) aus Aluminium vollflächig auf die Rückseite (2) des Siliziums der Solarzelle (1) aufgebracht. Nach dem Trocknen und dem Einlegieren des Aluminiums in das Silizium wird eine metallische Schicht (11) zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes (3) mit Hilfe eines nachfolgend anhand von 4 näher erläuterten Beschichtungsverfahrens bereichsweise auf die Rückseitenmetallisierung aufgebracht.In the method according to the invention (cf. 2 ), however, the backside metallization ( 7 ) made of aluminum over the entire surface on the back ( 2 ) of the silicon of the solar cell ( 1 ) applied. After drying and alloying of the aluminum in the silicon, a metallic layer ( 11 ) for the formation of the back contact ( 3 ) with the help of a following from 4 In some cases, the coating process explained in detail is applied to the backside metallization.

Die metallische Schicht (11) wird im dargestellten Ausführungsbeispiel streifenförmig auf der Rückseitenmetallisierung (7) abgeschieden.The metallic layer ( 11 ) is in the illustrated embodiment in strip form on the back side metallization ( 7 ) deposited.

Das in 3 dargestellte Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) unterscheidet sich insoweit, dass die Rückseitenmetallisierung (7) mit mindestens einer bis zur Rückseite (2) der Solarzelle (1) reichenden Öffnung (8, 9) aufgebracht wird. Das Aufbringen der Rückseitenmetallisierung mit der Öffnung (8) bzw. den Öffnungen (9) kann beispielsweise im Wege eines Siebdruckverfahrens erfolgen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Rückseitenmetallisierung (7) zunächst vollflächig auf die Rückseite (2) aufzubringen und anschließend die Öffnung(en) (8, 9) durch Abtragen der Rückseitenmetallisierung (7) einzubringen. Werden die Öffnungen (8, 9) erst nach dem Aufbringen der Rückseitenmetallisierung und Abschluss des Firing-Prozesses eingebracht, können Beeinträchtigungen der Effizienz der Solarzelle durch die Öffnungen vollständig ausgeschlossen werden.This in 3 illustrated method for producing a solar cell ( 1 ) differs in that the backside metallization ( 7 ) with at least one to the back ( 2 ) of the solar cell ( 1 ) reaching opening ( 8th . 9 ) is applied. The application of the backside metallization with the opening ( 8th ) or the openings ( 9 ) can be done for example by means of a screen printing process. Another possibility is to use the backside metallization ( 7 ) first on the entire surface on the back ( 2 ) and then the opening (s) ( 8th . 9 ) by removing the backside metallization ( 7 ). Are the openings ( 8th . 9 ) are introduced only after the application of the backside metallization and completion of the firing process, can be completely excluded from the adverse effects on the efficiency of the solar cell through the openings.

In dem in 3a), e) dargestellten Ausführungsbeispiel ist jedem Rückseitenkontakt (3) genau eine längliche Öffnung (8) zugeordnet, deren Querschnittsfläche deutlich kleiner als die Querschnittsfläche des Rückseitenkontaktes (3) (vgl. 3b), 3a)) ist.In the in 3a) , e) illustrated embodiment is each backside contact ( 3 ) exactly one elongated opening ( 8th ) whose cross-sectional area is significantly smaller than the cross-sectional area of the rear side contact ( 3 ) (see. 3b) . 3a) ).

3c) zeigt eine Ausführungsform, bei der jedem Rückseitenkontakt mehrere Öffnungen (9) in der Rückseitenmetallisierung (7) zugeordnet sind. Gegenüber der Fläche des Rückseitenkontaktes ist die Summer der Querschnittsflächen der Öffnungen (9) noch einmal kleiner, so dass die Effizienz der Solarzelle (1) durch die nicht mit einer Rückseitenmetallisierung (7) versehenen Bereiche unabhängig vom Zeitpunkt des Firing-Prozesses praktisch nicht beeinträchtigt wird. 3c) 1 shows an embodiment in which each rear-side contact has a plurality of openings (FIG. 9 ) in the backside metallization ( 7 ) assigned. Opposite the surface of the rear side contact is the buzzer of the cross-sectional areas of the openings ( 9 ) once again smaller, so that the efficiency of the solar cell ( 1 ) by not with a backside metallization ( 7 ) is virtually unaffected, regardless of the timing of the firing process.

Beim anschließenden Aufbringen der metallischen Schicht (11) zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes (3) wird Metall in den Öffnungen (8 bzw. 9) abgeschieden und der durch die Öffnungen (8, 9) bis zur Rückseite (2) reichende Durchbruch gefüllt. Hierdurch wird der Rückseitenkontakt (3) an der Rückseite (2) der Solarzelle (1) verankert. Diese Verankerung kann abhängig von der verwendeten Aluminiumpaste zur Herstellung der Rückseitenmetallisierung (7) erforderlich sein, um stabile Lötverbindungen an den Rückseitenkontakten (3) zu ermöglichen.In the subsequent application of the metallic layer ( 11 ) for the formation of the back contact ( 3 ) metal in the openings ( 8th respectively. 9 ) and through the openings ( 8th . 9 ) to the back ( 2 ) reaching breakthrough. This will cause the backside contact ( 3 ) on the back ( 2 ) of the solar cell ( 1 anchored). This anchorage may depend on the aluminum paste used to make the backside metallization ( 7 ) may be required to ensure stable solder joints on the backside contacts ( 3 ).

4 zeigt eine Vorrichtung zur Beschichtung der Rückseitenmetallisierung (7) der Solarzelle (1) unter Verwendung eines Strahls (10) eines Niedertemperaturplasmas, um die metallische Schicht (11) zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes (3) abzuscheiden. Die Vorrichtung umfasst einen Strahlgenerator (12) zur Erzeugung des gebündelten Strahls (10), der durch Entladung (13) unter Zufuhr eines Arbeitsgases (14) ausgebildet wird. Der Strahlgenerator (12) umfasst eine Stiftelektrode (15), die konzentrisch ein hohlzylindrischer, gegenüber der Stiftelektrode (15) isolierter, rohrförmiger Mantel (16) aus elektrisch leitfähigem Material umgibt. Der Mantel (16) weist an der unteren Stirnseite einen sich konisch zu einer Düsenöffnung (17) verjüngenden Bereich auf. An der gegenüberliegenden Stirnseite weist der hohlzylindrische Mantel (16) eine Zufuhr für das Arbeitsgas (14) auf, die mit einer nicht dargestellten Gasversorgung, insbesondere einer Druckluftversorgung verbunden ist. 4 shows a device for coating the backside metallization ( 7 ) of the solar cell ( 1 ) using a beam ( 10 ) of a low temperature plasma to the metallic layer ( 11 ) for the formation of the back contact ( 3 ). The device comprises a jet generator ( 12 ) for generating the collimated beam ( 10 ), which by discharging ( 13 ) while supplying a working gas ( 14 ) is formed. The beam generator ( 12 ) comprises a pin electrode ( 15 ) concentrically a hollow cylindrical, opposite the pin electrode ( 15 ) insulated, tubular jacket ( 16 ) of electrically conductive material surrounds. The coat ( 16 ) has at the lower end face a conical to a nozzle opening ( 17 ) rejuvenating area. At the opposite end face of the hollow cylindrical shell ( 16 ) a feed for the working gas ( 14 ), which is connected to a gas supply, not shown, in particular a compressed air supply.

Im Bereich der Düsenöffnung (17) befindet sich quer zur Ausbreitungsrichtung des Strahls (10) eine Einspeisung (18) für ein Pulver-/Gasgemisch (22). Das Pulver-/Gasgemisch (22) wird unter Zufuhr eines weiteren Fördergases (19) in einem Behälter (20) durch Verwirbelung erzeugt und von dort der Einspeisung (18) zugeführt. Bei dem Pulver handelt es sich um metallisches Pulver zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes (3). Das Pulver-/Gasgemisches (22) gelangt über die Einspeisung (18) in den Strahl (10) des Niedertemperaturplasmas, der unter atmosphärischen Bedingungen das metallische Pulver auf die Rückseitenmetallisierung aufbringt.In the area of the nozzle opening ( 17 ) is transverse to the propagation direction of the beam ( 10 ) an infeed ( 18 ) for a powder / gas mixture ( 22 ). The powder / gas mixture ( 22 ) is fed with supply of a further conveying gas ( 19 ) in a container ( 20 ) generated by turbulence and from there the feed ( 18 ). The powder is a metallic powder for forming the backside contact ( 3 ). The powder / gas mixture ( 22 ) passes through the feed ( 18 ) in the beam ( 10 ) of the low temperature plasma which, under atmospheric conditions, applies the metallic powder to the backside metallization.

Optimale Ergebnisse werden erzielt, wenn der Strahlgenerator (12) mit einer gepulsten Gleichspannungsquelle (23) mit einer Betriebsspannung zwischen 500 V bis 7 kV arbeitet. Die Pulsfrequenz liegt insbesondere zwischen 10 bis 100 kHz. Der Beschichtungsprozess wird vorzugsweise derart gesteuert, dass der Strahl (10) des Niedertemperaturplasmas in der Kernzone (21) eine Gastemperatur von weniger als 900 Grad Celsius, insbesondere jedoch von weniger als 500 Grad Celsius aufweist.Optimum results are achieved when the beam generator ( 12 ) with a pulsed DC voltage source ( 23 ) operates with an operating voltage between 500 V to 7 kV. The pulse frequency is in particular between 10 to 100 kHz. The coating process is preferably controlled so that the jet ( 10 ) of the low-temperature plasma in the core zone ( 21 ) has a gas temperature of less than 900 degrees Celsius, but in particular less than 500 degrees Celsius.

Der Abscheideprozess führt zu einer gut haftenden und elektrisch gut leitenden Verbindung, zwischen dem derart abgeschiedenen Rückseitenkontakt (3) und der Rückseitenmetallisierung (7). Bezugszeichenliste Nr. Bezeichnung 1 Solarzelle 2 Rückseite 3 Rückseitenkontakt 4 Vorderseite 5 Vorderseitenkontakt 6 Kontaktfinger 7 Rückseitenmetallisierung 8 Öffnung 9 Öffnungen 10 Strahl 11 metallische Schicht 12 Strahlgenerator 13 Entladung 14 Arbeitsgas 15 Stiftelektrode 16 Mantel 17 Düsenöffnung 18 Einspeisung 19 Fördergas 20 Behälter 21 Kernzone 22 Pulver-/Gasgemisch 23 Spannungsquelle The deposition process leads to a well-adhering and electrically good conductive connection, between the thus deposited back contact ( 3 ) and the backside metallization ( 7 ). LIST OF REFERENCE NUMBERS No. description 1 solar cell 2 back 3 Back contact 4 front 5 Front contact 6 contact fingers 7 backside metallization 8th opening 9 openings 10 beam 11 metallic layer 12 ray generator 13 discharge 14 working gas 15 pin electrode 16 coat 17 nozzle opening 18 feed 19 transport gas 20 container 21 core zone 22 Powder / gas mixture 23 voltage source

Claims (12)

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer aktiven, der Sonne zugewandten Vorderseite und einer Rückseite, die mindestens einen Rückseitenkontakt aufweist, umfassend – das Aufbringen einer Rückseitenmetallisierung auf die der Sonne abgewandete Rückseite und – das bereichsweise Aufbringen einer metallischen Schicht zur Ausbildung mindestens eines Rückseitenkontaktes, dadurch gekennzeichnet, dass – zunächst die Rückseitenmetallisierung (7) auf die Rückseite (2) der Solarzelle (1) aufgebracht wird und – anschließend die metallische Schicht (11) zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes (3) mit Hilfe eines Verfahrens zur Beschichtung einer Oberfläche unter Verwendung eines Strahls (10) eines Niedertemperaturplasmas bereichsweise auf die Rückseitenmetallisierung (7) aufgebracht wird.A method of making a solar cell having an active front facing the sun and a back having at least one backside contact comprising - applying a backside metallization to the backside facing away from the sun and - partially applying a metallic layer to form at least one backside contact, thereby characterized in that - first the backside metallization ( 7 ) on the back ( 2 ) of the solar cell ( 1 ) is applied and then the metallic layer ( 11 ) for the formation of the back contact ( 3 ) using a method for coating a surface using a jet ( 10 ) of a low-temperature plasma in regions on the backside metallization ( 7 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseitenmetallisierung (7) mit mindestens einer bis zur Rückseite der Solarzelle (1) reichenden Öffnung (8, 9) aufgebracht wird, die einem Rückseitenkontakt (3) zugeordnet ist.Method according to claim 1, characterized in that the backside metallisation ( 7 ) with at least one to the back of the solar cell ( 1 ) reaching opening ( 8th . 9 ), which is a back contact ( 3 ) assigned. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseitenmetallisierung (7) vollflächig auf die Rückseite (2) aufgebracht wird und vor dem Aufbringen der Schicht (11) zur Ausbildung des Rückseitenkontakts (3) mindestens eine bis zur Rückseite (2) der Solarzelle (1) reichende Öffnung (8, 9) in die Rückseitenmetallisierung (7) eingebracht wird, die einem Rückseitenkontakt (3) zugeordnet ist.Method according to claim 1, characterized in that the backside metallisation ( 7 ) all over the back ( 2 ) and before applying the layer ( 11 ) for the formation of the backside contact ( 3 ) at least one to the back ( 2 ) of the solar cell ( 1 ) reaching opening ( 8th . 9 ) in the backside metallization ( 7 ), which corresponds to a back contact ( 3 ) assigned. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (11) zur Ausbildung des zugeordneten Rückseitenkontaktes (3) jede Öffnung (8, 9) vollständig überdeckend aufgebracht wird.Method according to claim 2 or 3, characterized in that the metallic layer ( 11 ) for forming the associated back contact ( 3 ) every opening ( 8th . 9 ) is applied completely overlapping. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere metallische Schichten (11) übereinander zur Ausbildung des Rückseitenkontaktes (3) auf die Rückseitenmetallisierung (7) aufgebracht werden.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that a plurality of metallic layers ( 11 ) one above the other to form the back contact ( 3 ) on the backside metallization ( 7 ) are applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahl (10) des Niedertemperaturplasmas in der Kernzone (21) eine Gastemperatur von weniger als 900°C, insbesondere von weniger als 500°C aufweist.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that the beam ( 10 ) of the low-temperature plasma in the core zone ( 21 ) has a gas temperature of less than 900 ° C, in particular of less than 500 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Niedertemperaturplasma ein atmosphärisches Plasma ist.Method according to one of claims 1 to 6, characterized in that the low-temperature plasma is an atmospheric plasma. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Material zur Herstellung der Solarzelle (1) Silizium verwendet wird.Method according to one of claims 1 to 7, characterized in that as material for the production of the solar cell ( 1 ) Silicon is used. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass als Material zur Herstellung der Rückseitenmetallisierung (7) Aluminium aufgebracht wird. Method according to one of claims 1 to 8, characterized in that as material for the preparation of the backside metallization ( 7 ) Aluminum is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ausbildung jedes Rückseitenkontaktes (3) eines der Metalle Zinn, Silber, Zink, Kupfer oder Mischungen der vorgenannten Metalle aufgebracht werden.Method according to one of claims 1 to 9, characterized in that for the formation of each backside contact ( 3 ) of one of the metals tin, silver, zinc, copper or mixtures of the aforementioned metals are applied. Solarzelle mit einer aktiven, der Sonne zugewandten Vorderseite und einer Rückseite, die mindestens einen Rückseitenkontakt aufweist, dadurch gekennzeichnet dass der Rückseitenkontakt (3) vollständig auf der Rückseitenmetallisierung (7) aufliegt.Solar cell with an active, front facing the sun and a back, which has at least one rear side contact, characterized in that the rear side contact ( 3 ) completely on the backside metallization ( 7 ) rests. Solarzelle herstellbar durch ein Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10.Solar cell producible by a method according to one or more of claims 1 to 10.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320251A (en) * 1980-07-28 1982-03-16 Solamat Inc. Ohmic contacts for solar cells by arc plasma spraying
US4492812A (en) * 1981-07-08 1985-01-08 Solarex Corporation Electrical contacts for a solar cell
DE3337851A1 (en) * 1983-10-18 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Process for coating the surface of the semiconductor substrate of a solar cell
US5178685A (en) * 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
US20010035129A1 (en) * 2000-03-08 2001-11-01 Mohan Chandra Metal grid lines on solar cells using plasma spraying techniques
DE112006000773T5 (en) * 2005-03-29 2008-03-13 Kyocera Corp. Process for packaging solar battery elements and packaging for solar battery elements
EP2136407A2 (en) * 2008-06-09 2009-12-23 DelSolar Co., Ltd. Solar cell, solar module andsystem and fabrication method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5118362A (en) * 1990-09-24 1992-06-02 Mobil Solar Energy Corporation Electrical contacts and methods of manufacturing same
DE19807086A1 (en) * 1998-02-20 1999-08-26 Fraunhofer Ges Forschung Atmospheric pressure plasma deposition for adhesion promoting, corrosion protective, surface energy modification or mechanical, electrical or optical layers
CH696811A5 (en) * 2003-09-26 2007-12-14 Michael Dvorak Dr Ing Dipl Phy Process for coating a substrate surface using a plasma jet.
WO2009056235A2 (en) * 2007-11-02 2009-05-07 Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co. Kg Multilayer system comprising contact elements, and method for the production of a contact element for a multilayer system

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320251A (en) * 1980-07-28 1982-03-16 Solamat Inc. Ohmic contacts for solar cells by arc plasma spraying
US4492812A (en) * 1981-07-08 1985-01-08 Solarex Corporation Electrical contacts for a solar cell
DE3337851A1 (en) * 1983-10-18 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Process for coating the surface of the semiconductor substrate of a solar cell
US5178685A (en) * 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
US20010035129A1 (en) * 2000-03-08 2001-11-01 Mohan Chandra Metal grid lines on solar cells using plasma spraying techniques
DE112006000773T5 (en) * 2005-03-29 2008-03-13 Kyocera Corp. Process for packaging solar battery elements and packaging for solar battery elements
EP2136407A2 (en) * 2008-06-09 2009-12-23 DelSolar Co., Ltd. Solar cell, solar module andsystem and fabrication method thereof

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