DE102010021819B4 - Detektor-Modul und höchstauflösender Satellit - Google Patents
Detektor-Modul und höchstauflösender Satellit Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010021819B4 DE102010021819B4 DE102010021819.7A DE102010021819A DE102010021819B4 DE 102010021819 B4 DE102010021819 B4 DE 102010021819B4 DE 102010021819 A DE102010021819 A DE 102010021819A DE 102010021819 B4 DE102010021819 B4 DE 102010021819B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tdi
- detector module
- detector
- cmos chip
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000013144 data compression Methods 0.000 claims description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/711—Time delay and integration [TDI] registers; TDI shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Detektor-Modul (1), umfassend einen Multichip-Träger (4), wobei auf dem Multichip-Träger (4) mindestens ein TDI-CCD-Detektor (2) und mindestens ein CMOS-Chip (3) angeordnet sind, die miteinander elektrisch verbunden sind, wobei der CMOS-Chip (3) mindestens die digitale Ausgangselektronik für den TDI-CCD-Detektor (2) umfasst, wobei der Multichip-Träger (4) aus einer Aluminiumnitrid- und einer Aluminiumoxid-Keramik (5, 6) besteht, wobei der TDI-CCD-Detektor (2) auf der Aluminiumnitrid-Keramik (5) und der CMOS-Chip (3) auf der Aluminiumoxid-Keramik (6) angeordnet ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Detektor-Modul mit einem TDI-CCD-Detektor und CMOS-Clip sowie einem höchstauflösenden Satelliten mit einem solchen Detektor-Modul.
- Derzeit sind Detektoren und Sensoren bekannt, die mit Hilfe von Zeilen und/oder Matrizen aus dem Orbit die Erde abtasten. Mit Hilfe derartiger Detektoren und Sensoren ist man in der Lage, in verschiedenen spektralen oder panchromatischen Wellenlängen die Erde abzutasten. Diese Detektoren können sowohl in einem normalen Aufnahmemode als auch in einem TDI-Mode arbeiten. Bei einem TDI-Mode (Time Delay Integration) wird eine TDI-Stufen-Szene mehrfach entsprechend der Anzahl der Stufen aufgenommen, wobei die Ladungspakete der einzelnen Stufen synchron mit der Bewegung zur nächsten Zeile verschoben werden. Dabei gilt, dass bei gleich bleibend angenommener Geschwindigkeit des Satelliten die Zeilenrate erhöht werden muss, um die geometrische Auflösung zu erhöhen. Bei den bekannten TDI-CCD-Detektoren stößt eine Erhöhung der Zeilenrate an Grenzen, da die anfallenden Datenmengen nicht mehr schnell genug ausgelesen und verarbeitet werden können.
- Alternativ sind CMOS-Detektoren bekannt, die immer mehr die analogen CCD-Detektoren verdrängen. Insbesondere jedoch bei schnell fliegenden Satelliten sind CMOS-Detektoren den TDI-CCD-Detektoren unterlegen, da die Anzahl der Ausleseelektroniken begrenzt ist und der Ladungstransport diskontinuierlich durchgeführt wird. Bei derartigen Aufgabenstellungen, wo die MTF (Modulations-Transfer-Funktion) des optischen Gesamtsystems optimiert werden soll, muss daher weiter auf TDI-CCD-Sensoren mit kontinuierlichem Transport der Ladungsströme zurückgegriffen werden.
- Aus der
DE 10 2008 024 417 B3 ist ein TDI-Zeilendetektor bekannt, umfassend n TDI-Zeilen, wobei jede TDI-Zeile m Pixel aufweist, wobei mindestens einer äußeren Zeile eine Auslese-Registereinheit zugeordnet ist, wobei jedem Pixel der ersten und/oder n-ten Zeile ein eigenes Register zugeordnet ist, wobei die Maskierung eine Breite von einem Pixel oder einem ganzzahligen Vielfachen eines Pixels aufweist, wobei die Register der Pixel entsprechend der Breite der Maskierungen verbreitert sind. Hierdurch kann die Lastkapazität der Register entsprechend vergrößert werden. Andererseits kann die Auslesegeschwindigkeit der einzelnen Zeile reduziert werden. Dies wird allerdings durch einen Informationsverlust erkauft, der aber durch eine Detektoranordnung mit mindestens zwei solcher TDI-Zeilendetektoren kompensiert werden kann. Voraussetzung ist allerdings, dass das Satellitensystem in der Lageorientierung über alle in einem solchen Interlace-Prinzip arbeitenden Zeilen die „Line of Sight“-Anforderung von besser 1/3 Pixel halten muss. Dies kann derzeit für höchstauflösende Satelliten nicht gewährleistet werden. - Aus der
JP 2004 006 564 A - Aus Hamamatsu Photonics K.K.: „TDI Camera C100000-301, -401“, Japan 2008 - Firmenschrift, ist eine TDI-Kamera mit einem internen digitalen Signalprozessor bekannt, um Abschattungen in Echtzeit zu korrigieren.
- Aus der
US 2004 / 0 263 671 A1 - Aus der
US 2010 / 0 116 999 A1 - Der Erfindung liegt das technische Problem zugrunde, ein Detektor-Modul zu schaffen, das für höchstauflösende Satelliten geeignet ist, sowie einen höchstauflösenden Satelliten mit einem solchen Detektor-Modul zur Verfügung zu stellen.
- Die Lösung des technischen Problems ergibt sich aus den Gegenständen mit den Merkmalen der Ansprüche 1 und 9. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Hierzu umfasst das Detektor-Modul einen Multichip-Träger, wobei auf dem Multichip-Träger mindestens ein TDI-CCD-Detektor und mindestens ein CMOS-Chip angeordnet sind, die miteinander elektrisch verbunden sind, wobei der CMOS-Chip mindestens die digitale Ausgangselektronik für den TDI-CCD-Detektor umfasst. Hierdurch kann weiterhin auf die bekannten Vorteile der TDI-CCD-Detektoren zurückgegriffen werden, die in NMOS-Technologie hergestellt werden.
- Die digitale Ausgangselektronik mit den analogen Signalprozessen bzw. Analog-Digital-Wandlern sowie den Multiplexern ist in CMOS-Technologie realisiert, d.h. es kann auf die Technologie hochintegrierter schneller A/D-Wandler in CMOS zurückgegriffen werden, für die das Auslesen der Schieberegister des TDI-CCD-Detektors von der Taktfrequenz her kein Problem darstellt. Somit können ohne Weiteres Zeilenraten von 50 - 150 kHz mit 30.000 - 40.000 Pixeln realisiert werden, was einer Taktfrequenz von 60 GHz entspräche. Durch Aufteilung auf mehrere Schieberegister im TDI-CCD-Teil sowie mehrere A/D-Wandler im CMOS-Teil kann die nötige Taktfrequenz entsprechend reduziert werden.
- Dabei besteht der Multichip-Träger aus einer Aluminiumnitrid- und einer Aluminiumoxid-Keramik, wobei der TDI-CCD-Detektor auf der Aluminiumnitrid-Keramik und der CMOS-Chip auf der Aluminiumoxid-Keramik angeordnet ist. Dies bewirkt eine gute thermische Entkopplung des TDI-CCD-Teils vom CMOS-Teil, da Aluminiumnitrid eine ca. um den Faktor 10 höhere Wärmeleitfähigkeit besitzt als Aluminiumoxid. Daher wird Wärme vom Oxid aufgrund des CMOS-Teils weniger stark ins Nitrid gekoppelt. Andererseits weisen die beiden Keramiken einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium auf, sodass es zu keinen thermischen Spannungen kommt.
- In einer weiteren Ausführungsform sind der TDI-CCD-Detektor und der CMOS-Chip mittels Flip-Chip-Technik und/oder Bonddrähten verbunden, wobei vorzugsweise Bonddrähte wegen der geringeren Wärmekopplung über die Bonddrähte zur Anwendung kommen, was die thermische Entkopplung weiter unterstützt.
- In einer weiteren Ausführungsform sind auf dem Multichip-Träger weitere Standard-ICs angeordnet. Beispielsweise können die Leitungstreiber für den TDI-CCD-Detektor als separate Standard-ICs ausgebildet sein. Diese werden vorzugsweise auch auf dem Aluminiumoxid angeordnet.
- In einer weiteren Ausführungsform ist auf dem Multichip-Träger mindestens ein Kondensator zur Spannungsversorgung und/oder -stabilisierung angeordnet, insbesondere um die Stromspitzen der Leitungstreiber zu puffern.
- In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Detektor-Modul mindestens einen Massenspeicher, der in dem CMOS-Chip integriert ist oder als separater IC-Baustein auf dem Multichip-Träger angeordnet ist.
- In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Detektor-Modul mindestens eine Datenkomprimierungseinheit, die in den CMOS-Chip integriert ist oder als separater IC-Baustein auf dem Multichip-Träger angeordnet ist.
- In einer weiteren Ausführungsform ist im CMOS-Chip eine Zustandsmaschine für die Erzeugung der Steuersignale für den TDI-CCD-Detektor und/oder den CMOS-Chip integriert.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die Figuren zeigen:
-
1 eine schematische Anordnung eines Detektor-Moduls und -
2 eine schematische Darstellung des unbestückten Multichip-Trägers. - Das Detektor-Modul
1 umfasst einen in NMOS-Technik aufgebauten TDI-CCD-Detektor2 und einen CMOS-Chip3 , die auf einem gemeinsamen Multichip-Träger4 angeordnet sind. Der Multichip-Träger4 ist in2 schematisch dargestellt und umfasst eine Aluminiumnitrid-Keramik5 und eine Aluminiumoxid-Keramik6 . Die Aluminiumoxid-Keramik6 weist dabei eine Aussparung auf, in der die Aluminiumnitrid-Keramik5 angeordnet ist. Die beiden Keramiken5 ,6 sind beispielsweise verklebt und/oder verschraubt und/oder verlötet. Dabei ist der TDI-CCD-Detektor2 auf der Aluminiumnitrid-Keramik5 und der CMOS-Chip3 auf der Aluminiumoxid-Keramik6 aufgebracht. - Der TDI-CCD-Detektor
2 umfasst k-Zeilen mit jeweils n Pixeln, wobei k beispielsweise zwischen 100 - 1.000 und n beispielsweise zwischen 30.000 - 40.000 liegt. Am Ausgang der k-ten Zeile sind für die n-Pixel Register in Form von i Schieberegistern7 angeordnet, d.h. jeweils n/i Pixel der k-ten Zeile schreiben parallel ihre Daten in ein Schieberegister7 , das dann seriell über eine Auskoppeldiode8 mit Ausgangsverstärker ausgelesen werden kann. - Der CMOS-Chip
3 umfasst i A/D-Wandler 9, die elektrisch jeweils mit einer zugeordneten Auskoppeldiode8 mit Ausgangsverstärkern verbunden sind. Des Weiteren umfasst der CMOS-Chip3 einen oder mehrere Multiplexer10 , die Daten des TDI-CCD-Detektors2 in einen seriellen Datenstrom11 umwandeln. Dieser Datenstrom11 kann in einem nicht dargestellten Massenspeicher abgelegt oder direkt beispielsweise über eine nicht dargestellte Sendeeinrichtung übertragen werden. - Vorzugsweise umfasst der CMOS-Chip
3 weiter einen Zustandsautomaten, der die Steuersignale, insbesondere die Taktsignale für den TDI-CCD-Detektor2 und die Komponenten des CMOS-Chips3 , erzeugt. - Weiter sind der CMOS-Chip
3 und der TDI-CCD-Detektor2 über gemeinsame verteilte Masseverbindungen12 miteinander verbunden. - Auf dem Multichip-Träger
4 sind weiter Leitungstreiber13 für den TDI-CCD-Detektor2 angeordnet, die als separate Standard-ICs ausgebildet sind. Die Leitungstreiber13 sind dabei auch auf der Aluminiumoxid-Keramik6 angeordnet. Prinzipiell ist es auch möglich, die Leitungstreiber13 in den CMOS-Chip3 zu integrieren. Die Leitungstreiber13 sind einerseits mit dem TDI-CCD-Detektor2 verbunden, um die Zeilen zu treiben, und andererseits mit dem CMOS-Chip3 verbunden, von dem diese ihre Ansteuersignale erhalten. Vorzugsweise erfolgt auch eine Masseverbindung über den CMOS-Chip3 . - Weiter kann auf dem CMOS-Chip
3 eine Datenkomprimierungseinheit angeordnet sein, die den seriellen Datenstrom11 vor der Übertragung von der Sendeeinheit oder Abspeicherung im Massespeicher komprimiert. - Weiter sind vorzugsweise auch Kondensatoren zur Spannungsversorgung und/oder -unterstützung für den TDI-CCD-Detektor
2 , den CMOS-Chip3 und die Leitungstreiber13 auf dem Multichip-Träger4 angeordnet. - Mit Hilfe dieses Prinzips können Zeilen beliebiger Länge mit k TDI-Stufen angesteuert und ausgelesen werden. Diese hohe Integrationsdichte führt zu einer zusätzlichen Optimierung hinsichtlich der Verlustleistung.
Claims (9)
- Detektor-Modul (1), umfassend einen Multichip-Träger (4), wobei auf dem Multichip-Träger (4) mindestens ein TDI-CCD-Detektor (2) und mindestens ein CMOS-Chip (3) angeordnet sind, die miteinander elektrisch verbunden sind, wobei der CMOS-Chip (3) mindestens die digitale Ausgangselektronik für den TDI-CCD-Detektor (2) umfasst, wobei der Multichip-Träger (4) aus einer Aluminiumnitrid- und einer Aluminiumoxid-Keramik (5, 6) besteht, wobei der TDI-CCD-Detektor (2) auf der Aluminiumnitrid-Keramik (5) und der CMOS-Chip (3) auf der Aluminiumoxid-Keramik (6) angeordnet ist.
- Detektor-Modul nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der TDI-CCD-Detektor (2) und der CMOS-Chip (3) mittels Flip-Chip-Technik und/oder Bonddrähte miteinander verbunden sind. - Detektor-Modul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Multichip-Träger (4) weitere Standard-ICs angeordnet sind.
- Detektor-Modul nach
Anspruch 3 , dadurch gekennzeichnet, dass Leitungstreiber (13) für den TDI-CCD-Detektor (2) als separate Standard-ICs ausgebildet sind. - Detektor-Modul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Multichip-Träger (4) mindestens ein Kondensator zur Spannungsversorgung und/oder -stabilisierung angeordnet ist.
- Detektor-Modul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Detektor-Modul (1) mindestens einen Massenspeicher umfasst, der in den CMOS-Chip (3) integriert ist oder als separater IC-Baustein auf dem Multichip-Träger (4) angeordnet ist.
- Detektor-Modul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Detektor-Modul (1) mindestens eine Datenkomprimierungseinheit umfasst, die in den CMOS-Chip (3) integriert ist oder als separater IC-Baustein auf dem Multichip-Träger (4) angeordnet ist.
- Detektor-Modul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im CMOS-Chip (3) eine Zustandsmaschine für die Erzeugung der Steuersignale für den TDI-CCD-Detektor (2) und/oder den CMOS-Chip (3) integriert ist.
- Höchstauflösender Satellit mit einem Detektor-Modul (1) nach einem der
Ansprüche 1 bis8 .
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010021819.7A DE102010021819B4 (de) | 2010-05-28 | 2010-05-28 | Detektor-Modul und höchstauflösender Satellit |
US13/149,201 US8421133B2 (en) | 2010-05-28 | 2011-05-31 | Detector module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010021819.7A DE102010021819B4 (de) | 2010-05-28 | 2010-05-28 | Detektor-Modul und höchstauflösender Satellit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010021819A1 DE102010021819A1 (de) | 2011-12-01 |
DE102010021819B4 true DE102010021819B4 (de) | 2018-10-18 |
Family
ID=44924475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010021819.7A Active DE102010021819B4 (de) | 2010-05-28 | 2010-05-28 | Detektor-Modul und höchstauflösender Satellit |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8421133B2 (de) |
DE (1) | DE102010021819B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112212833A (zh) * | 2020-08-28 | 2021-01-12 | 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 | 机械拼接型tdi ccd推扫相机整体几何平差方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102595066B (zh) * | 2012-03-05 | 2013-07-24 | 天津大学 | 低功耗数字域累加cmos-tdi图像传感器 |
US9128064B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Super resolution inspection system |
CN109238304B (zh) * | 2018-08-29 | 2020-09-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 空间相机超高速变行频测试装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006564A (ja) | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 積層型半導体装置 |
US20040263671A1 (en) | 1996-05-17 | 2004-12-30 | Yuichi Takagi | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
DE102008024417B3 (de) | 2008-05-16 | 2009-08-27 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | TDI-Zeilendetektor und Detektoranordnung unter Verwendung von TDI-Zeilendetektoren |
US20100116999A1 (en) | 2004-03-26 | 2010-05-13 | Nova R&D, Inc. | High Resolution Imaging System |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7676022B2 (en) * | 2005-05-02 | 2010-03-09 | Oy Ajat Ltd. | Extra-oral digital panoramic dental x-ray imaging system |
-
2010
- 2010-05-28 DE DE102010021819.7A patent/DE102010021819B4/de active Active
-
2011
- 2011-05-31 US US13/149,201 patent/US8421133B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040263671A1 (en) | 1996-05-17 | 2004-12-30 | Yuichi Takagi | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
JP2004006564A (ja) | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 積層型半導体装置 |
US20100116999A1 (en) | 2004-03-26 | 2010-05-13 | Nova R&D, Inc. | High Resolution Imaging System |
DE102008024417B3 (de) | 2008-05-16 | 2009-08-27 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | TDI-Zeilendetektor und Detektoranordnung unter Verwendung von TDI-Zeilendetektoren |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.: "TDI Camera C10000-301,-401", Japan, 2008 - Firmenschrift * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112212833A (zh) * | 2020-08-28 | 2021-01-12 | 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 | 机械拼接型tdi ccd推扫相机整体几何平差方法 |
CN112212833B (zh) * | 2020-08-28 | 2021-07-09 | 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 | 机械拼接型tdi ccd推扫相机整体几何平差方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110291165A1 (en) | 2011-12-01 |
DE102010021819A1 (de) | 2011-12-01 |
US8421133B2 (en) | 2013-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010011582B4 (de) | Detektormodul für einen Strahlendetektor und Strahlendetektor | |
EP1850582B1 (de) | Bildgebungsvorrichtung, Strahlungsabbildungsvorrichtung und Strahlungsabbildungssystem | |
US20020050940A1 (en) | Signal transfer apparatus, and imaging apparatus and radiation image pick-up system using it | |
US8507870B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
DE102010021819B4 (de) | Detektor-Modul und höchstauflösender Satellit | |
JP4986771B2 (ja) | 撮像装置、その駆動方法及び放射線撮像システム | |
DE102017209407A1 (de) | Bildsensoren mit led flackermilderung und global-shutter-pixeln | |
DE69627487T2 (de) | Direktes digitales panorama-luftbildsystem und -verfahren | |
RU2325780C2 (ru) | Устройство и способ считывания изображения излучения и система считывания изображения излучения | |
DE69829828T2 (de) | Photoelektrische Umwandlungsanordnung | |
US20160134824A1 (en) | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method | |
US20170230598A1 (en) | Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
CN107888807B (zh) | 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备 | |
DE102015121971A1 (de) | Bildaufnahmevorrichtung und Ansteuerverfahren für Bildsensor | |
US10361244B2 (en) | Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
DE202010018564U1 (de) | Halbleitervorrichtung, Festkörper-Bildsensoren und Kamerasystem | |
EP1848198A2 (de) | Bildaufnahmevorrichtung und radiographisches Abbildungssystem | |
EP2988492B1 (de) | Bildaufnahmeelement, bildaufnahmevorrichtung und endoskopsystem | |
US11050961B2 (en) | High scanning frequency CMOS-TDI image sensor | |
EP3429191B1 (de) | Vorrichtung zur fotoelektrischen umwandlung | |
DE102018123875B4 (de) | Halbleitervorrichtung und -ausrüstung | |
DE202018005146U1 (de) | Verifizieren von Pixel-Steuersignalen in einem gestapelten Bildsensor | |
DE102017102833A1 (de) | Hochauflösendes Thermopile Infrarot Sensorarray | |
US20080204585A1 (en) | Image sensor with variable resolution and sensitivity | |
JP2015060909A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |