DE102010021171A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010021171A1 DE102010021171A1 DE102010021171A DE102010021171A DE102010021171A1 DE 102010021171 A1 DE102010021171 A1 DE 102010021171A1 DE 102010021171 A DE102010021171 A DE 102010021171A DE 102010021171 A DE102010021171 A DE 102010021171A DE 102010021171 A1 DE102010021171 A1 DE 102010021171A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electronic structure
- temperature
- electronic
- electrical
- determined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
- G05B23/02—Electric testing or monitoring
- G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
- G05B23/0259—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
- G05B23/0283—Predictive maintenance, e.g. involving the monitoring of a system and, based on the monitoring results, taking decisions on the maintenance schedule of the monitored system; Estimating remaining useful life [RUL]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
- G01R31/2836—Fault-finding or characterising
- G01R31/2849—Environmental or reliability testing, e.g. burn-in or validation tests
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Bei einem Leistungsbauelement, beispielsweise Umrichter, werden mithilfe einer Mess- und Auswerteplatine die elektrischen Kenngrößen sowie die Umgebungs- und Kühlwassertemperaturen erfasst. Über den Strom- und Spannungsverlauf wird die dissipierte Energie pro Zeiteinheit im Leistungsbauelement berechnet. Dies kann für jeden Chip einzeln geschehen. Ein Mikroprozessor berechnet daraus den transienten Temperaturverlauf in den Grenzschichten des Leistungsbauelements. Aus dem transienten Temperaturverlauf werden zu festgelegten Zeitpunkten die Häufigkeiten der vorkommenden Temperaturhübe nach dem Rainflow-Zählalgorithmus bestimmt. Abschließend wird die verbrauchte Lebensdauer anhand hinterlegter Lebensdauerkurven berechnet, beispielsweise online in einem Mikroprozessor. Der Lebensdauerstatus des Aufbaus aufgrund der Belastung im Betrieb wird beispielsweise über ein LCD angezeigt.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten, insbesondere Leistungshalbleitermoduln wie beispielsweise Umrichter.
- Elektrische Umrichter und deren Aufbauten sind im Betrieb hohen thermischen Belastungen ausgesetzt. Die Betriebsweise der Umrichter führt zu zeitlich veränderlichen Wärmeverlusten, die wiederum eine transiente Temperaturverteilung im gesamten Aufbau zur Folge haben. Durch diese Temperaturwechselbelastungen kommt es zu thermo-mechanischen Belastungen in der Schichtstruktur des Aufbaus, die letztendlich zu einer Schädigung einzelner Schichten, wie beispielsweise der Lotschichten führen können. Ein Fortschreiten der Schädigung verursacht letztendlich einen Ausfall des Umrichtermoduls. Ausfälle haben Ihren Ursprung dabei meist in der Ermüdung der Bondverbindungen oder der Chip- bzw. Systemlötung.
- Um eine Abschätzung für die Lebensdauer eines Moduls zu gewinnen, ist es bekannt, Umrichtermodule thermisch zu charakterisieren und in Lastwechseltests bei standardisierten Wechselbelastungen zu untersuchen. Damit werden pauschalierte Aussagen getroffen, für wie viele Lastwechselzyklen ein Modul bei konstanter Temperaturwechselbelastung zuverlässig funktionieren wird. Ein konkretes Modul wird dann entweder früher als erwartet ausfallen oder länger arbeiten.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten anzugeben, mit deren Hilfe eine genauere Ermittlung der Restlebensdauer möglich ist.
- Die Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Hinsichtlich des Verfahrens wird die Aufgabe durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 10 gelöst. Die abhängigen Ansprüche betreffen Ausgestaltungen der Erfindung.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Restlebensdauerermittlung eines elektronischen Aufbaus umfasst wenigstens eine Messeinrichtung zur Ermittlung einer Temperatur im Bereich des elektronischen Aufbaus während des Betriebs des elektronischen Aufbaus. Weiterhin ist eine Einrichtung zur Erfassung wenigstens einer elektrischen Größe des elektronischen Aufbaus während des Betriebs des elektronischen Aufbaus vorgesehen. Schließlich weist die Vorrichtung eine Recheneinrichtung auf, die ausgestaltet ist, aus der ermittelten Temperatur und der elektrischen Größe eine Restlebensdauer für den elektronischen Aufbau zu berechnen.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Restlebensdauerermittlung eines elektronischen Aufbaus wird während des Betriebs des elektronischen Aufbaus wenigstens eine Temperatur im Bereich des elektronischen Aufbaus ermittelt, wenigstens eine elektrische Größe des elektronischen Aufbaus erfasst und aus der ermittelten Temperatur und der elektrischen Größe eine Restlebensdauer für den elektronischen Aufbau berechnet.
- Bei dem elektronischen Aufbau kann es sich um ein leistungselektronisches Modul handeln, beispielsweise um einen Umrichter. Der elektronische Aufbau kann einen einzigen Chip aufweisen oder mehrere Chips.
- Als Restlebensdauer wird dabei ein Wert angesehen, der ein Maß für die voraussichtliche Restlaufzeit des elektronischen Aufbaus ist. Dieser Wert kann verschiedene Formen annehmen. Er kann beispielsweise in einer Anzahl verbleibender Temperaturwechsel bestehen. Er kann auch eine Zeit sein. Der Wert kann auch in der umgekehrten Angabe der verbrauchten Lebensdauer bestehen.
- Als Recheneinrichtung kann ein Mikroprozessor verwendet werden. Dieser kann insbesondere Teil des elektronischen Aufbaus sein. Alternativ kann auch ein Computer verwendet werden. Dieser kann auch ausgestaltet sein, die Berechnungen für eine Mehrzahl von elektronischen Aufbauten vorzunehmen.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung und Weiterbildung der Erfindung ist die Einrichtung zur Erfassung elektrischer Größen ausgestaltet, Strom und Spannung zu erfassen. Aus Spannung und Strom lässt sich die erzeugte Wärme berechnen. Dabei ist es für eine höhere Genauigkeit vorteilhaft wenn für jeden Chip des elektronischen Aufbaus separat Spannung und Strom erfasst werden.
- Es ist zweckmäßig, wenn die Messeinrichtung zur Ermittlung einer Temperatur ausgestaltet ist, die Temperatur an einer Mehrzahl von Messstellen zu ermitteln. Vorteilhaft ist es, wenn wenigstens eine der Messstellen so gelegt ist, dass die Temperatur eines Kühlmediums, beispielsweise einer Kühlflüssigkeit oder kühlender Luft erfasst wird. Weiterhin kann vorteilhaft wenigstens eine der Messstellen so gelegt sein, dass eine Umgebungstemperatur des elektronischen Aufbaus ermittelt wird.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung und Weiterbildung der Erfindung ist die Recheneinrichtung ausgestaltet, als Zwischenschritt aus der ermittelten Temperatur und der elektrischen Größe wenigstens einen Temperaturwert im elektronischen Aufbau zu berechnen. Zweckmäßig ist es, wenn eine Mehrzahl von Temperaturwerten an besonders kritischen Stellen berechnet wird. Solche kritischen Stellen sind beispielsweise die typischen Schwachstellen eines elektronischen Aufbaus, insbesondere Lotschichten und Drahtbondstellen.
- Die Ermittlung von Temperaturen, Erfassung elektrischer Größen und ggf. Berechnung von Temperaturen sowie die Berechnung der Restlebensdauer passiert dabei vorteilhaft während des Betriebs des elektronischen Aufbaus, also „on-line”. Dadurch kann von der pauschalen Lebensdauerangabe übergegangen werden zu der genaueren Angabe der Restlebensdauer, die das bisherige Betriebsleben des elektronischen Aufbaus berücksichtigt. Diese ist genauer als die pauschale Lebensdauerangabe. Die Ermittlung von Temperaturen, Erfassung elektrischer Größen und ggf. Berechnung von Temperaturen kann dabei kontinuierlich oder in festen, vorgebbaren Zeitabständen erfolgen. Eine jeweils zweckmäßige zeitliche Abfolge des Erfassens, Messens oder Berechnens kann dabei für jeden einzelnen Vorgang unabhängig von den anderen Vorgängen festgelegt werden. So können beispielsweise die schnell veränderlichen elektrischen Größen kontinuierlich erfasst werden, so schnell also die Vorrichtung mit den Werten umgehen kann, während die nicht so schnell veränderlichen Temperaturwerte lediglich im Abstand von beispielsweise 100 ms gemessen werden. Auch ist es möglich, die gemessenen oder erfassten Werte für eine gewisse Zeit zu mitteln.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung und Weiterbildung der Erfindung ist die Recheneinrichtung ausgestaltet, zu festlegbaren Zeitpunkten aus der ermittelten Temperatur und/oder dem Temperaturwert die Häufigkeiten von Temperaturwechseln zu bestimmen. Dabei kann insbesondere der bekannte Rainflow-Algorithmus verwendet werden. Unter Berücksichtigung der so ermittelten Häufigkeiten wird dann zweckmäßig die Restlebensdauer berechnet.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung und Weiterbildung der Erfindung wird eine Speichereinrichtung zur Aufnahme von Lebensdauerkurven verwendet. Die Lebensdauerkurven geben insbesondere einen Zusammenhang zwischen der Höhe von Temperaturwechseln und der erwarteten Menge von Temperaturwechseln bis zum Ausfall des elektronischen Aufbaus wieder. Vorteilhaft ist es, wenn die Lebensdauerkurven dazu verwendet werden, aus den ermittelten Häufigkeiten von Temperaturwechseln und deren jeweiliger Höhe den Verbrauch von Lebensdauer zu ermitteln.
- Der Status des elektronischen Aufbaus, der sich aus der ermittelten Restlebensdauer ergibt, lässt sich vorteilhaft mittels einer Anzeigeeinrichtung, insbesondere einer LCD-Anzeige, darstellen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die ermittelte Restlebensdauer oder analoge Werte zu einer zentralen Recheneinheit weiterzugeben, die beispielsweise eine Darstellung des Status für eine Mehrzahl von elektronischen Aufbauten vornimmt.
- Bevorzugte, jedoch keinesfalls einschränkende Ausführungsbeispiele für die Erfindung werden nunmehr anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert. Dabei sind die Merkmale schematisiert dargestellt. Es zeigen
-
1 einen Umrichteraufbau mit Messstellen und eine Auswerteeinheit -
2 eine Lebensdauerkurve mit der Anzahl an Temperaturwechseln bis zum Ausfall eines Elements über der Höhe des Temperaturwechsels. - Der elektronische Aufbau
10 gemäß der1 weist einen Chip12 mit einem Leistungsschalter, beispielsweise einem IGBT auf einem DCB-Substrat11 auf. Der Chip12 ist in diesem Beispiel mittels Bondrähten18 elektrisch mit weiteren Komponenten (nicht dargestellt) verbunden. In einem Kühlmittelkanal unterhalb des DCB11 sorgt eine Kühlflüssigkeit13 für die Abfuhr von Abwärme aus dem Chip12 . - Der elektronische Aufbau
10 ist mit einer Reihe von Messstellen14 ...17 versehen. An diesen Messstellen14 ...17 wird die Temperatur erfasst. Eine erste Messstelle14 befindet sich im Kühlmittelkanal in der Kühlflüssigkeit13 . Eine zweite Messstelle15 befindet sich auf dem Chip12 in der Nähe des Bonddrahts18 . Eine dritte Messstelle16 ist auf dem DCB-Substrat11 nahe dem Chip12 vorgesehen. Eine vierte Messstelle17 ist auf dem DCB-Substrat11 fern vom Chip12 angebracht. - Während des Betriebs des elektronischen Aufbaus
10 wird die Temperatur an den Messstellen14 ...17 kontinuierlich in kleinen Zeitabständen von einem Mikroprozessor (nicht dargestellt) erfasst. Weiterhin werden die elektrischen Größen ständig erfasst, d. h. die Spannung über den Chip12 und der vom Chip12 aufgenommene Strom. Aus den elektrischen Größen bestimmt der Mikroprozessor die Abwärme, die im Chip entsteht. - Über die Wärmezufuhr an den elektronischen Aufbau
10 , die sich aus den elektrischen Größen ergibt, und die Temperaturen an den Messstellen14 ...17 bestimmt der Mikroprozessor den zeitabhängigen Temperaturverlauf an kritischen Stellen im elektronischen Aufbau10 . Die kritischen Stellen sind beispielsweise die Lotschicht und die Bonddrahtstellen. - Um diese Berechnung vorzunehmen, ist es zweckmäßig, ein mathematisches Modell zu verwenden. Dieses mathematische Modell kann beispielsweise vorab ermittelt werden, sodass der Mikroprozessor nur noch vergleichsweise einfache analytische Berechnungen vornehmen muss, um aus den Eingangsgrößen die Ausgangsgrößen zu ermitteln. Die Ermittlung des Modells kann vorab beispielsweise über Finite-Elemente-Simulationen oder anderweitige Modellbildungen durchgeführt werden.
- Bei einem Betrieb beispielsweise eines Umrichters ergibt sich durch die Schaltvorgänge automatisch ein Betrieb mit wechselnden Temperaturen. Dabei ergeben sich an den kritischen Stellen, also beispielsweise Lotschichten, entsprechend ebenfalls wechselnde Temperaturen. Die Höhe der Temperaturänderungen hängt von den konkreten elektrischen Verhältnissen, der Umgebungstemperatur, dem Kühlmittelfluss und anderen Bedingungen ab. Sie wird durch die vom Mikroprozessor durchgeführte Berechnung abgeschätzt, wobei über die erfassten elektrischen Größen und Temperaturmessstellen
14 ...17 die tatsächlichen Bedingungen am elektronischen Aufbau10 einbezogen werden. Daher kann ein relativ genauer Wert für die tatsächlichen Temperaturänderungen an den kritischen Stellen gewonnen werden. - Dabei ist es möglich, dass beispielsweise ein Wert für eine Bondstelle eines Bonddrahtes gewonnen wird, während eine ganze Reihe von Werten für die Temperaturänderung über die Fläche einer Lötung ermittelt wird. Je größer die betrachtete Fläche und je größer ein zu erwartender Temperaturgradient über die Fläche, desto sinnvoller ist es, mehrere Temperaturen über die Fläche oder Länge zu berechnen und betrachten.
- Ein Zählverfahren wird angewendet, um die Zahl und Verteilung der Temperaturwechsel zu erfassen. Hier kommen bekannte Zählverfahren in Frage, beispielsweise der Rainflow-Algorithmus. Damit wird aus den errechneten Temperaturwerten an den kritischen Stellen eine Verteilung von Temperaturwechseln in Wertebereichen in Korrelation mit deren jeweiliger Anzahl ermittelt. Dies geschieht zweckmäßig für jede Stelle separat, für die ein Temperaturwert errechnet wird. Alternativ kann auch nur eine Wertetabelle für alle Stellen erstellt werden.
- Der Mikroprozessor berechnet anschließend aus den Ergebnissen des Zählverfahrens im Vergleich mit hinterlegten Lebensdauerkurven
20 eine verbrauchte Lebensdauer des elektronischen Aufbaus10 .2 zeigt eine solche Lebensdauerkurve20 . Die Lebensdauerkurve20 weist für verschiedene Höhen von Temperaturwechseln aus, nach wie vielen Temperaturwechseln mit einem Ausfall des elektronischen Aufbaus10 zu rechnen ist. Hierbei kann eine Lebensdauerkurve20 verwendet werden. Die Genauigkeit der Abschätzung der verbrauchten Lebensdauer kann erhöht werden, indem mehrere Lebensdauerkurven20 verwendet werden, wobei die Lebensdauerkurven20 an die jeweilige betrachtete kritische Stelle angepasst sind. So könnte beispielsweise eine Lebensdauerkurve20 für den oder die Bonddrähte und eine weitere Lebensdauerkurve20 für die betrachteten Stellen der Lotschicht verwendet werden. - Der Mikroprozessor und die sonstige nötige Elektronik, beispielsweise für die Temperaturmessung, sind in diesem Beispiel auf einer Mess- und Auswerteplatine integriert. Auch die elektrischen Größen werden hier erfasst. Die Berechnung ist daher in diesem Beispiel in die Applikation, also den elektronischen Aufbau
10 , integriert und läuft on-board über den Mikroprozessor mit. Der Lebensdauerstatus des elektronischen Aufbaus10 aufgrund der Belastung im Betrieb kann beispielsweise über ein LCD angezeigt werden. Die Anzeige des Status der Lebensdauer erfolgt dabei praktisch in Echtzeit. Lediglich ist eine gewisse Belastungshistorie nötig, um die verbleibende Lebensdauer ausrechnen zu können.
Claims (11)
- Vorrichtung zur Restlebensdauerermittlung eines elektronischen Aufbaus (
10 ) mit – wenigstens einer Messeinrichtung (14 ...17 ) zur Ermittlung einer Temperatur im Bereich des elektronischen Aufbaus (10 ) während des Betriebs des elektronischen Aufbaus (10 ), – einer Einrichtung zur Erfassung wenigstens einer elektrischen Größe des elektronischen Aufbaus (10 ) während des Betriebs des elektronischen Aufbaus (10 ), – einer Recheneinrichtung, die ausgestaltet ist, aus der ermittelten Temperatur und der elektrischen Größe eine Restlebensdauer für den elektronischen Aufbau (10 ) zu berechnen. - Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die Einrichtung zur Erfassung elektrischer Größen ausgestaltet ist, Strom und Spannung zu erfassen, insbesondere für jeden Chip (
12 ) des elektronischen Aufbaus (10 ). - Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Recheneinrichtung ausgestaltet ist, als Zwischenschritt aus der ermittelten Temperatur und/oder der elektrischen Größe wenigstens einen Temperaturwert im elektronischen Aufbau (
10 ) zu berechnen. - Vorrichtung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Recheneinrichtung ausgestaltet ist, zu festlegbaren Zeitpunkten aus der ermittelten Temperatur und/oder dem Temperaturwert die Häufigkeiten von Temperaturwechseln zu bestimmen, insbesondere nach dem Rainflow-Algorithmus, und aus den Häufigkeiten die Restlebensdauer zu berechnen.
- Vorrichtung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Speichereinrichtung zur Aufnahme von Lebensdauerkurven (
20 ), die insbesondere einen Zusammenhang zwischen der Höhe von Temperaturwechseln und der erwarteten Menge von Temperaturwechseln bis zum Ausfall des elektronischen Aufbaus (10 ) wiedergeben. - Vorrichtung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Anzeigeeinrichtung, insbesondere einer LCD-Anzeige zur Anzeige eines aus der ermittelten Restlebensdauer resultierenden Status.
- Verfahren zur Restlebensdauerermittlung eines elektronischen Aufbaus (
10 ), bei dem während des Betriebs des elektronischen Aufbaus (10 ) – wenigstens eine Temperatur im Bereich des elektronischen Aufbaus (10 ) ermittelt wird, – wenigstens eine elektrische Größe des elektronischen Aufbaus (10 ) erfasst wird, – aus der ermittelten Temperatur und der elektrischen Größe eine Restlebensdauer für den elektronischen Aufbau (10 ) berechnet wird. - Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem wenigstens eine Temperatur eines Kühlmediums (
13 ) des elektronischen Aufbaus (10 ) ermittelt wird. - Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, bei dem als elektrische Größen Spannung und Strom, insbesondere für jeden Chip (
12 ) im elektronischen Aufbau (10 ), ermittelt wird und aus dem Verlauf der elektrischen Größen die im elektronischen Aufbau (10 ), insbesondere in jedem Chip (12 ) des elektronischen Aufbaus (10 ), erzeugte Wärme berechnet wird. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem der Temperaturverlauf an kritischen Stellen des elektronischen Aufbaus (
10 ) berechnet wird, insbesondere an Grenzschichten, Lotschichten, und/oder Drahtbondstellen. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 10, bei dem anhand von Lebensdauerkurven (
20 ), die insbesondere einen Zusammenhang zwischen der Höhe von Temperaturwechseln und der erwarteten Menge von Temperaturwechseln bis zum Ausfall des elektronischen Aufbaus (10 ) wiedergeben, und ermittelten Häufigkeiten von Temperaturwechseln eine verbrauchte Lebensdauer berechnet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010021171A DE102010021171A1 (de) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010021171A DE102010021171A1 (de) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010021171A1 true DE102010021171A1 (de) | 2011-11-24 |
Family
ID=44900389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010021171A Withdrawn DE102010021171A1 (de) | 2010-05-21 | 2010-05-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102010021171A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011087764A1 (de) * | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Converteam Gmbh | Verfahren und System zum Ermitteln des Lebensdauerverbrauchs von mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement eines elektrischen Stromrichters |
DE102013221587A1 (de) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer voraussichtlichen Restlebensdauer eines Bauteils |
DE102014206621A1 (de) | 2014-04-07 | 2015-10-08 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Aufzeichnung von Temepraturzyklen eines Leistungshalbleiters |
US10481207B2 (en) | 2016-03-28 | 2019-11-19 | General Electric Company | Switching amplifier and method for estimating remaining lifetime of a switching amplifier |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69029530T2 (de) * | 1989-04-10 | 1997-08-07 | Hitachi Ltd | Verfahren zur Bestimmung der Lebensdauer einer Verbindung |
JP2001007770A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Nec Corp | 放送送信機の点検時期予測装置 |
WO2008113849A2 (de) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Baumüller Nürnberg GmbH | Temperaturüberwachung bei leistungsschaltern |
-
2010
- 2010-05-21 DE DE102010021171A patent/DE102010021171A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69029530T2 (de) * | 1989-04-10 | 1997-08-07 | Hitachi Ltd | Verfahren zur Bestimmung der Lebensdauer einer Verbindung |
JP2001007770A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Nec Corp | 放送送信機の点検時期予測装置 |
WO2008113849A2 (de) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Baumüller Nürnberg GmbH | Temperaturüberwachung bei leistungsschaltern |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 2001/007 770 A (in: Patent Abstracts of Japan) |
Patent Abstracts of Japan & JP 2001007770 A * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011087764A1 (de) * | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Converteam Gmbh | Verfahren und System zum Ermitteln des Lebensdauerverbrauchs von mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement eines elektrischen Stromrichters |
DE102013221587A1 (de) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer voraussichtlichen Restlebensdauer eines Bauteils |
DE102014206621A1 (de) | 2014-04-07 | 2015-10-08 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Aufzeichnung von Temepraturzyklen eines Leistungshalbleiters |
US10481207B2 (en) | 2016-03-28 | 2019-11-19 | General Electric Company | Switching amplifier and method for estimating remaining lifetime of a switching amplifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102013211038B3 (de) | Bereitstellen einer Information über einen Alterungszustand eines Halbleiterbauelements | |
EP3224631B1 (de) | Verfahren zur bestimmung einer alterung von leistungshalbleitermodulen sowie vorrichtung und schaltungsanordnung | |
DE102009049994B4 (de) | Kühlleistungs-Messverfahren für eine Wechselrichtervorrichtung | |
DE102010000875B4 (de) | Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter | |
DE102015225909A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion einer Alterung einer ein Halbleiterbauelement umfassenden leistungselektronischen Vorrichtung und leistungelektronisches System | |
DE102016206760A1 (de) | Diagnoseverfahren für ein Photovoltaikenergiesystem und eine Überwachungsvorrichtung | |
DE102010021171A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Restlebensdauerermittlung für elektronische Aufbauten | |
DE102012102788A1 (de) | SPERRSCHICHTTEMPERATURMESSUNG EINES LEISTUNGS-MOSFETs | |
DE112018003244T5 (de) | Leistungswandlungsvorrichtung, Steuersystem und Diagnoseverfahren für eine Leistungswandlungsvorrichtung | |
EP2565608B1 (de) | Halbleiterbauelement in Chipbauweise | |
DE102013219373A1 (de) | Verfahren zum Erfassen der Temperatur eines Bauteils, Schaltung mit Erfassung der Temperatur eines Bauteils und Vorrichtung | |
DE102013221587A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer voraussichtlichen Restlebensdauer eines Bauteils | |
DE10048704B4 (de) | Verfahren für eine Vorrichtung mit Leistungshalbleitern und Vorrichtung | |
EP3938794B1 (de) | Umrichter und verfahren zur bewertung der thermischen belastung eines umrichters | |
DE102009032063B4 (de) | Überwachung des effektiven Lebensalters von elektronischen Bauteilen oder Baugruppen | |
DE102013225810A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements | |
DE102020208167A1 (de) | Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit einer verbesserten Temperaturbestimmung der Leistungshalbleiter | |
DE102012008999B3 (de) | Verfahren zur Steuerung einer Leistungszufuhr und Vorrichtung | |
EP1577676A1 (de) | Verfahren und Schaltung zum Schutz von Prüfkontakten bei der Hochstrom-Messung von Halbleiter-Bauelementen | |
DE102009019774B4 (de) | Verfahren zur thermischen Überwachung von Ausfallprozessen | |
DE102019208079B4 (de) | Elektronische Vorrichtung | |
EP2701478A1 (de) | Baugruppe für ein modulares Automatisierungsgerät | |
KR100961170B1 (ko) | 전력소자 자동 진단 시스템 | |
DE102022204800B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung eines Alterungszustandes mindestens eines Leistungshalbleiterschalters | |
DE102021130006B3 (de) | Verfahren zum bestimmen eines einschaltwiderstands eines feldeffekt-transistors, modul zur stromerfassung mit einem feldeffekt-transistor und elektronische sicherung mit dem modul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01M0019000000 Ipc: G01M0099000000 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01M0019000000 Ipc: G01M0099000000 Effective date: 20111121 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20121201 |