DE102010013520A1 - Process for double-sided polishing of a semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe, umfassend eine simultan beidseitige Politur einer in einer Aussparung einer Läuferscheibe befindlichen Halbleiterscheibe zwischen einem mit einem ersten Poliertuch belegten oberen Polierteller und einem mit einem zweiten Poliertuch belegten unteren Polierteller, wobei die in der Läuferscheibe befindliche Halbleiterscheibe während der Politur zeitweilig mit einem Teil ihrer Fläche aus dem von oberen und unteren Polierteller gebildeten Arbeitsspalt herausragt, wobei beide Poliertücher eine regelmäßige Anordnung von Kanälen einer Breite und einer Tiefe von 0,5 bis 2 mm aufweisen, so dass sich auf den Poliertüchern eine schachbrettartige Anordnung von quadratischen Segmenten bildet, wobei das erste, auf dem oberen Polierteller befindliche Poliertuch Segmente von größer als 20 mm × 20 mm und das zweite, auf dem unteren Polierteller befindliche Poliertuch Segmente von kleiner oder gleich 20 mm × 20 mm aufweist, wobei beide Poliertücher auf den Segmenten Abrasive von Oxiden eines Elements ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silicium, Aluminium und Cer, mit einer mittleren Größe von 0,1 bis 1,0 μm beinhalten und wobei während der Politur eine Poliermittellösung zugeführt wird, deren pH-Wert durch entsprechende Zufuhr einer alkalischen Komponente in einem Bereich von 11 bis 13,5 variiert werden kann, wobei in einem ersten Schritt eine Poliermittellösung mit einem pH vonoliermittellösung mit einem pH von größer oder gleich 13 zugeführt wird.Method for double-sided polishing of a semiconductor wafer, comprising a simultaneous two-sided polishing of a semiconductor wafer located in a recess of a rotor disk between a top polishing pad covered with a first polishing cloth and a bottom polishing pad covered with a second polishing cloth, wherein the wafer located in the rotor disk is temporarily during polishing protrudes with a part of its surface from the working gap formed by the upper and lower polishing plate, wherein both polishing cloths have a regular arrangement of channels of a width and a depth of 0.5 to 2 mm, so that on the polishing cloths a checkerboard-like arrangement of square segments forms, wherein the first, located on the upper polishing plate polishing cloth segments of greater than 20 mm × 20 mm and the second, located on the lower polishing plate polishing cloth segments of less than or equal to 20 mm × 20 mm, wherein be abrasive cloths on the segments Abrasive of oxides of an element selected from the group consisting of silicon, aluminum and cerium, with a mean size of 0.1 to 1.0 microns include and wherein during the polishing a polishing agent solution is supplied, their pH can be varied by appropriate supply of an alkaline component in a range of 11 to 13.5, wherein in a first step, a polisher solution is supplied with a pH ofoliermittellösung having a pH of greater than or equal to 13.
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe (Wafer).The invention relates to a method for double-sided polishing of a semiconductor wafer.
Nach Schleif-, Reinigungs- und Ätzschritten an einer von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe erfolgt gemäß dem Stand der Technik eine Glättung der Oberfläche der Halbleiterscheiben durch Politur.After grinding, cleaning and etching steps on a semiconductor wafer separated from a single crystal, a smoothing of the surface of the semiconductor wafers by polishing takes place according to the prior art.
Beim Einseitenpolieren („single-side polishing” oder kurz SSP) werden Halbleiterscheiben während der Bearbeitung rückseitig auf einer Trägerplatte mit Kitt, durch Vakuum oder mittels Adhäsion gehalten und auf der anderen Seite einer Politur unterzogen.In single-side polishing (SSP), semiconductor wafers are held back on a backing plate with cement, by vacuum or by adhesion during processing, and are polished on the other side.
Bei der Doppelseitenpolitur (DSP) werden Halbleiterscheiben lose in eine dünne Läuferscheibe eingelegt und vorder- und rückseitig simultan „frei schwimmend” zwischen einem oberen und einem unteren, jeweils mit Poliertuch belegten Polierteller poliert. Dieses Polierverfahren erfolgt unter Zufuhr einer Poliermittelsuspension, meist in der Regel auf Basis eines Kieselsols. Bei der DSP werden Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe simultan gleichzeitig poliert.In double side polishing (DSP), semiconductor wafers are loosely inserted into a thin carrier and are simultaneously polished "free-floating" between an upper and a lower polishing plate, each covered with a polishing cloth, on the front and back sides. This polishing process is carried out with the supply of a polishing agent suspension, usually usually based on a silica sol. In the DSP, the front and back sides of the semiconductor wafer are simultaneously polished simultaneously.
Eine geeignete Doppelseitenpoliermaschine ist offenbart in
Ebenfalls im Stand der Technik bekannt ist das sog. Polieren mit fest gebundenen Abrasiven („Fixed Abrasive Polishing”, FAP), bei dem die Halbleiterscheibe auf einem Poliertuch poliert wird, das im Gegensatz zu DSP- oder CMP-Poliertüchern einen im Poliertuch gebundenen Abrasivstoff enthält („Fixed Abrasive” oder FA-Tuch). Auf die Zugabe einer Poliermittelsuspension wie bei DSP kann bei FAP grundsätzlich verzichtet werden.Also known in the art is the so-called "Fixed Abrasive Polishing" (FAP) polishing in which the wafer is polished on a polishing cloth which, in contrast to DSP or CMP polishing cloths, has an abrasive bonded in the polishing cloth contains ("Fixed Abrasive" or FA cloth). The addition of a polishing agent suspension as with DSP can be dispensed with in principle FAP.
Die deutsche Patentanmeldung
Nach DSP oder FAP werden die Vorderseiten der Halbleiterscheiben in der Regel schleierfrei poliert. Dies erfolgt mit einem weicheren Poliertuch unter Zuhilfenahme eines alkalischen Poliersols. In der Literatur wird dieser Schritt oft als CMP-Politur bezeichnet. CMP-Verfahren sind beispielsweise offenbart in
Bei der DSP befinden sich die Halbleiterscheiben in Läuferscheiben, welche üblicherweise dünner als die Halbleiterscheiben sind.
Üblicherweise ist das auf dem unteren Polierteller befindliche Poliertuch mit der Vorderseite der zu polierenden Halbleiterscheibe in Kontakt, während die Rückseite der Halbleiterscheibe das auf dem oberen Polierteller befindliche Poliertuch berührt.Usually, the polishing cloth located on the lower polishing plate is in contact with the front surface of the semiconductor wafer to be polished, while the back surface of the semiconductor wafer contacts the polishing cloth located on the upper polishing plate.
In
Durch die Texturierung des oberen Poliertuchs wird eine verbesserte Verteilung des eingesetzten Poliermittels erreicht. Die Poliermittelzuführung erfolgt üblicherweise von oben nach unten. Das Poliermittel fließt also durch die Kanäle des oberen Poliertuchs und dann vom oberen Poliertuch durch Aussparungen bzw. Öffnungen der Läuferscheibe zum unteren Poliertuch bzw. zur Vorderseite der Halbleiterscheibe.By texturing the upper polishing cloth, an improved distribution of the polishing agent used is achieved. The polishing agent is usually supplied from top to bottom. The polishing agent thus flows through the channels of the upper polishing cloth and then from the upper polishing cloth through recesses or openings of the rotor disk to the lower polishing cloth or to the front side of the semiconductor wafer.
Außerdem wird durch die Kanäle des oberen Poliertuchs ein Anhaften der Rückseite der Halbleiterscheibe am oberen Poliertuch unterbunden. Das obere Poliertuch umfasst gemäß
Allerdings bildet sich durch ein Vorgehen gemäß
Es hat sich gezeigt, dass ein sog. Edge Roll-off (Randabfall bezüglich der Dicken) resultiert, der an der Vorderseite der Halbleiterscheibe stärker ausgeprägt ist als auf der Rückseite.It has been found that a so-called edge roll-off results (edge decrease in thickness), which is more pronounced at the front of the wafer than on the back.
Aufgabe der Erfindung war es, unsymmetrische Polierabträge im Randbereich der Halbleiterscheibe bei DSP zu vermeiden. The object of the invention was to avoid asymmetrical polishing abrasions in the edge region of the semiconductor wafer in DSP.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe, umfassend eine simultan beidseitige Politur einer in einer Aussparung einer Läuferscheibe befindlichen Halbleiterscheibe zwischen einem mit einem ersten Poliertuch belegten oberen Polierteller und einem mit einem zweiten Poliertuch belegten unteren Polierteller, wobei die in der Läuferscheibe befindliche Halbleiterscheibe während der Politur zeitweilig mit einem Teil ihrer Fläche aus dem von oberen und unteren Polierteller gebildeten Arbeitsspalt herausragt, wobei beide Poliertücher eine regelmäßige Anordnung von Kanälen einer Breite und einer Tiefe von 0,5 bis 2 mm aufweisen, so dass sich auf den Poliertüchern eine schachbrettartige Anordnung von quadratischen Segmenten bildet, wobei das erste, auf dem oberen Polierteller befindliche Poliertuch Segmente von größer als 20 mm × 20 mm und das zweite, auf dem unteren Polierteller befindliche Poliertuch Segmente von kleiner oder gleich 20 mm × 20 mm aufweist, wobei beide Poliertücher auf den Segmenten Abrasive von Oxiden eines Elements ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silicium, Aluminium und Cer, mit einer mittleren Größe von 0,1 bis 1,0 μm beinhalten und wobei während der Politur eine Poliermittellösung zugeführt wird, die frei von Feststoffen ist und deren pH-Wert durch entsprechende Zufuhr einer alkalischen Komponente in einem Bereich von 11 bis 13,5 variiert werden kann, wobei in einem ersten Schritt eine Poliermittellösung mit einem pH von 11–12,5 und in einem zweiten Schritt eine Poliermittellösung mit einem pH von größer oder gleich 13 zugeführt wird.The object of the invention is achieved by a method for double-sided polishing of a semiconductor wafer, comprising a simultaneous two-sided polishing of a semiconductor wafer located in a recess of a rotor disk between a top polishing pad covered with a first polishing cloth and a bottom polishing pad covered with a second polishing cloth, wherein the in the rotor disc located during the polishing temporarily with a portion of its surface protrudes from the upper and lower polishing plate formed working gap, both polishing cloths have a regular arrangement of channels of a width and a depth of 0.5 to 2 mm, so that on the polishing cloths forms a checkerboard-like arrangement of square segments, wherein the first, located on the upper polishing plate polishing cloth segments of greater than 20 mm × 20 mm and the second, located on the lower polishing plate polishing cloth segments of klei ner or equal to 20 mm × 20 mm, wherein both polishing cloths on the segments abrasives of oxides of an element selected from the group consisting of silicon, aluminum and cerium, with an average size of 0.1 to 1.0 microns and wherein during the polish is supplied to a polishing solution which is free of solids and whose pH can be varied by appropriate supply of an alkaline component in a range of 11 to 13.5, wherein in a first step, a polish solution having a pH of 11-12 , 5 and in a second step, a polish solution having a pH of greater than or equal to 13 is supplied.
Bevorzugte Ausführungen des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen beansprucht.Preferred embodiments of the method are claimed in the dependent claims.
Die Erfindung sieht vor eine Doppelseitenpolitur mittels speziell präparierter Poliertücher, die fest gebundene Abrasive von Oxiden eines Elements ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silicium, Aluminium und Cer, enthalten.The invention provides a double side polish by means of specially prepared polishing cloths containing firmly bonded abrasives of oxides of an element selected from the group consisting of silicon, aluminum and cerium.
Die Poliertücher sind so zugeschnitten, dass ein Waferüberlauf oben und unten realisiert werden kann. Waferüberlauf bedeutet, dass der Wafer während der Politur zeitweilig mit einem Teil seiner Fläche aus dem von oberen und unteren Polierteller gebildeten Arbeitsspalt herausragt.The polishing cloths are cut so that a wafer overflow can be realized at the top and bottom. Wafer overflow means that during polishing, the wafer temporarily protrudes with a portion of its surface from the working gap formed by the upper and lower polishing plates.
Das obere und das untere Poliertuch weisen unterscheidliche Texturierungen auf. Das auf dem oberen Polierteller befindliche Tuch weist Segmente von größer als 20 mm × 20 mm auf, während das auf dem unteren Polierteller befindliche Tuch Segmente von kleiner oder gleich 20 mm × 20 mm aufweist. Das untere Poliertuch weist kleinere Nutabstände auf. Der Abstand zweier Kanäle oder Nuten ist durch die Seitenlänge eines quadratischen Segments gegeben.The upper and lower polishing cloths have different texturing. The cloth located on the upper polishing plate has segments of greater than 20 mm × 20 mm, while the cloth located on the lower polishing plate has segments of less than or equal to 20 mm × 20 mm. The lower polishing cloth has smaller groove distances. The distance between two channels or grooves is given by the side length of a square segment.
Vorzugsweise sind die Nutkanten zur Tuchoberseite hin abgerundet, weisen also einen bestimmten Rundungsradius auf, um eine Abbildung der die Nuten definierenden „harten Kanten” auf die zu polierenden Seiten der Halbleiterscheibe, vor allem auf deren Vorderseite, zu unterbinden. Eine solche Aufprägung der Nutkanten auf die Halbleiteroberfläche könnte sich nanotopologiekritisch auswirken.Preferably, the groove edges are rounded towards the top of the cloth, so have a certain radius of curvature to prevent an image of the grooves defining "hard edges" on the sides of the semiconductor wafer to be polished, especially on the front side. Such imprinting of the groove edges on the semiconductor surface could have a nanotopological-critical effect.
Die Segmente sind durch eine regelmäßige Anordnung von Kanälen oder Nuten auf einer Oberfläche des Poliertuchs gegeben. Die Erzeugung der Kanäle erfolgt mittels geeigneter mechanische oder chemischer Verfahren wie z. B. Fräsen oder Ätzen.The segments are given by a regular array of channels or grooves on a surface of the polishing cloth. The generation of the channels by means of suitable mechanical or chemical methods such. As milling or etching.
Der pH-Wert der im ersten Teil der Politur zugeführten Poliermittellösung, die frei von Feststoffen ist, ist variabel, indem die Zugabe der alkalischen Komponente entsprechend gesteuert wird.The pH of the polishing agent solution supplied in the first part of the polish, which is free of solids, is variable by controlling the addition of the alkaline component accordingly.
Durch den variablen pH-Wert wird die Abtragsrate gesteuert.The variable pH value controls the removal rate.
Ziel ist es, eine möglichst ebene Halbleiterscheibe ohne Keiligkeitsunterschiede, ohne Unebenheiten im Randbereich (Edge Roll-off) zu erzeugen.The aim is to produce as flat as possible a wafer without differences in the wedges, without any unevenness in the edge area (edge roll-off).
Erfindungswesentlich ist es, den Polierprozess zu stoppen, indem der pH-Wert der alkalischen Poliermittellösung auf 13 und höher gesteigert wird.It is essential to the invention to stop the polishing process by increasing the pH of the alkaline polishing agent solution to 13 or higher.
In diesem Stoppschritt wird die Oberlächenrauhigkeit der Halbleiterscheibe reduziert. Dies betrifft insbeondere die langwellige Oberflächenrauhigkeit.In this stopping step, the surface roughness of the semiconductor wafer is reduced. This concerns in particular the long-wave surface roughness.
Bis auf die unterschiedliche Strukturierung weisen die beiden Poliertücher die gleichen materialspezifischen Eigenschaften auf.Except for the different structuring, the two polishing cloths have the same material-specific properties.
Vorzugsweise besteht das Poliertuch aus einem thermoplastischen oder hitzehärtbaren Polymer.Preferably, the polishing cloth is made of a thermoplastic or thermosetting polymer.
Als Material kommt eine Vielzahl an Werkstoffen in Betracht, z. B. Polyurethane, Polycarbonat, Polyamid, Polyacrylat, Polyester usw.As the material comes a variety of materials into consideration, for. As polyurethanes, polycarbonate, polyamide, polyacrylate, polyester, etc.
Vorzugsweise beinhaltet das Poliertuch festes, mikro-poröses Polyurethan.Preferably, the polishing cloth includes solid, microporous polyurethane.
Bevorzugt ist auch die Verwendung von Poliertüchern aus verschäumten Platten oder Filz- oder Fasersubstraten, die mit Polymeren imprägniert sind.Also preferred is the use of polishing sheets of foamed sheets or felt or fiber substrates impregnated with polymers.
Die in beiden Poliertüchern enthaltenen Abrasive befinden sich auf den Segmenten, also auf den Erhebungen zwischen den Nuten bzw. Kanälen. The abrasives contained in both polishing cloths are located on the segments, ie on the elevations between the grooves or channels.
Bei den Abrasiven handelt es sich vorzugsweise um Oxide von Silicium, insbesondere SiO2.The abrasives are preferably oxides of silicon, in particular SiO 2 .
Die Doppelseitenpolitur erfolgt mittels Planetenkinematik. Dies bedeutet, dass die Halbleiterscheibe frei beweglich in einer Aussparung einer mittels einer Abwälzvorrichtung in Rotation versetzten Läuferscheibe liegt und dadurch auf einer zykloidischen Bahnkurve bewegt wird, während die Halbleiterscheibe zwischen oberem und unterem Polierteller poliert wird.The double-side polishing is done by planetary kinematics. This means that the semiconductor wafer is freely movable in a recess of a rotor disk which is rotated by means of a rolling device and is thereby moved on a cycloidal trajectory, while the semiconductor wafer is polished between the upper and lower polishing plates.
Die Erfindung ermöglicht es, eine optimale Randgeometrie (Edge Roll-off) auf Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe zu erzielen. Es hat sich gezeigt, dass die im Stand der Technik beobachteten ungleichmäßigen Polierabträge im Randbereich der Halbleiterscheibe durch das erfindungsgemäße Verfahren gänzlich vermieden werden.The invention makes it possible to achieve an optimal edge geometry (edge roll-off) on the front and back of the semiconductor wafer. It has been found that the irregular polishing abrasions observed in the prior art in the edge region of the semiconductor wafer are completely avoided by the method according to the invention.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es möglich, im Stand der Technik der DSP verwendetes Kieselsol einzusparen.The process according to the invention makes it possible to save the silica sol used in the prior art by the DSP.
Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe werden simultan gleichzeitig poliert.The front and back sides of the semiconductor wafer are simultaneously polished simultaneously.
Dazu eigen sich herkömmliche DSP-Poliermaschinen, wobei die verwendeten Poliertücher Abrasive enthalten und oberes und unteres Poliertuch unterschiedlich strukturiert sind.Traditional DSP polishing machines are suitable for this, whereby the polishing cloths used contain abrasives and upper and lower polishing cloths are structured differently.
Während des Polierschrittes wird eine Poliermittellösung, die frei von Feststoffen ist, zwischen die zu polierenden Seiten der Halbleiterscheibe und die beiden Poliertücher gebracht.During the polishing step, a polishing agent solution that is free of solids is placed between the sides of the wafer to be polished and the two polishing cloths.
Die Poliermittellösung umfasst Wasser, vorzugsweise jedoch deionisiertes Wasser (DIW) mit der für die Verwendung in der Halbleiterindustrie üblichen Reinheit. Die Poliermittellösung enthält darüber hinaus vorzugsweise Verbindungen wie Natriumcarbonat (Na2CO3), Kaliumcarbonat (K2CO3), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH4OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) oder beliebige Mischungen davon.The polish solution comprises water, but preferably deionized water (DIW) of the purity customary for use in the semiconductor industry. The polish solution preferably further contains compounds such as sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), potassium carbonate (K 2 CO 3 ), sodium hydroxide (NaOH), potassium hydroxide (KOH), ammonium hydroxide (NH 4 OH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or any mixtures thereof.
Ganz besonders bevorzugt ist die Verwendung von Kaliumcarbonat.Very particularly preferred is the use of potassium carbonate.
Der pH-Wert der Poliermittellösung liegt in einem Bereich von 11 bis etwa 13,5 und wird durch entsprechende Zugabe der genannten Verbindungen in diesem pH-Wertbereich variiert.The pH of the polishing agent solution is in a range of 11 to about 13.5 and is varied by appropriate addition of said compounds in this pH range.
Der Anteil der genannten Verbindungen wie z. B. Kaliumcarbonat in der Poliermittellösung beträgt vorzugsweise 0,01 bis 10 Gew.-%.The proportion of said compounds such. B. potassium carbonate in the polishing agent solution is preferably 0.01 to 10 wt .-%.
In einem ersten Schritt wird eine Poliermittellösung mit einem pH von 11–12,5 zugeführt. In diesem Schritt erfolgt der Materialabtrag auf den beiden Seiten der Halbleiterscheibe.In a first step, a polishing agent solution having a pH of 11-12.5 is supplied. In this step, the material is removed on both sides of the semiconductor wafer.
In einem zweiten Schritt wird eine Poliermittellösung mit einem pH-Wert von größer oder gleich 13 zugeführt. Dadurch wird der Materialabtrag gestoppt.In a second step, a polish solution with a pH greater than or equal to 13 is supplied. This stops the material removal.
Vorzugsweise wird in einem dritten Schritt eine Poliermittellösung mit einem pH-Wert von kleiner oder gleich 11,5 zugeführt. Ein solcher Schritt dient der Vorbereitung der vorzugsweise daran anschließenden Politur unter Zufuhr einer Poliermittelsuspension.Preferably, in a third step, a polish solution having a pH of less than or equal to 11.5 is supplied. Such a step serves to prepare the preferably subsequent polish with the supply of a polishing agent suspension.
Vorzugsweise umfasst das Verfahren nämlich weiterhin eine simultan beidseitige Politur der Halbleiterscheibe auf den selben Poliertüchern, bei der statt der Poliermittellösung eine Poliermittelsuspension zugeführt wird, die Abrasive von Oxiden eines Elements ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silicium, Aluminium und Cer, umfasst, wobei in einem ersten Schritt eine Poliermittelsuspension mit einer mittleren Größe der Abrasive von 15–30 nm und in einem zweiten Schritt eine Poliermittelsuspension mit einer mittleren Größe der Abrasive, die größer ist als die mittlere Abrasivgröße der im ersten Schritt verwendeten Poliermittelsuspension, von vorzugsweise 35–70 nm verwendet wird.Namely, the method further preferably comprises a simultaneous double-sided polishing of the semiconductor wafer on the same polishing cloths, in which instead of the polishing agent solution, a polishing agent suspension, the abrasives of oxides of an element selected from the group consisting of silicon, aluminum and cerium comprises, wherein in one first step, a polishing agent suspension having a mean abrasive size of 15-30 nm and in a second step a polishing agent suspension having an average abrasive size greater than the average abrasive size of the polishing agent slurry used in the first step, preferably 35-70 nm becomes.
Diese zusätzliche Politur dient zum einen der Reduzierung des durch die FAP-Politur induzierten Mikrodamages und zum anderen der Defekt- und Kratzerminimierung und zur Reduzierung der kurzwelligen Oberflächenrauheiten.This additional polish serves on the one hand to reduce the microdamage induced by the FAP polishing and on the other hand to minimize defects and scratches and to reduce the short-wave surface roughness.
Bei dieser zusätzlichen simultanen Doppelseitenpolitur wird eine Poliermittelsuspension zugeführt, die Abrasive enthält.In this additional simultaneous double-side polishing, a polishing agent suspension containing abrasive is added.
Die Größenverteilung der Abrasivstoff-Teilchen ist vorzugsweise monomodal ausgeprägt.The size distribution of the abrasive particles is preferably monomodal.
Der Abrasivstoff besteht aus einem das Substratmaterial mechanisch abtragendem Material, vorzugsweise aus einem oder mehreren der Oxide der Elemente Aluminium, Cer oder Silicium.The abrasive material consists of a material mechanically removing the substrate material, preferably one or more of the oxides of the elements aluminum, cerium or silicon.
Der Anteil des Abrasivstoffes in der Poliermittelsuspension beträgt vorzugsweise 0,25 bis 20 Gew.-%, besonders bevorzugt 0,25 bis 1 Gew.-%.The proportion of the abrasive in the polishing agent suspension is preferably 0.25 to 20 wt .-%, particularly preferably 0.25 to 1 wt .-%.
Besonders bevorzugt ist die Verwendung von kolloid-disperser Kieselsäure als Poliermittelsuspension. Particularly preferred is the use of colloidally disperse silica as polishing agent suspension.
Zum Einsatz können beispielsweise die wässrigen Poliermittel Levasil® von der Fa. H. C. Starck sowie Glanzox 3900® von der Fa. Fujimi kommen. Levasil® ist eine eingetragene Marke der Bayer AG, Leverkusen, Lizenz H. C. Starck GmbH.Used, for example, the aqueous polishing agent Levasil® ® by the company. HC Starck and Glanzox 3900 ® can come from the company. Fujimi. Levasil ® is a registered trademark of Bayer AG, Leverkusen, licensed by HC Starck GmbH.
Die durchschnittliche Partikelgröße von Levasil® beträgt je nach Typ 5–75 nm. Die Verwendung von Levasil® ist also für beide Polierschritte geeignet, wobei im ersten Schritt Levasil® mit Teilchengrößen von 15–30 nm und im zweiten Schritt Levasil® mit Teilchengrößen von 35–70 nm verwendet wird.The average particle size of Levasil ® is 5-75 nm, depending on the type. The use of Levasil ® is thus suitable for both polishing steps, with Levasil ® having particle sizes of 15-30 nm in the first step and Levasil ® having particle sizes of 35 -70 nm is used.
Glanzox 3900® ist der Produktname für eine Poliermittelsuspension, die von Fujimi Incorporated, Japan, als Konzentrat angeboten wird. Die Basislösung dieses Konzentrats hat einen pH-Wert von 10,5 und enthält ca. 9 Gew.-% kolloidales SiO2.Glanzox 3900 ® is the product name for a polishing agent suspension which is offered by Fujimi Incorporated, Japan as a concentrate. The base solution of this concentrate has a pH of 10.5 and contains about 9 wt .-% colloidal SiO 2 .
Vorzugsweise enthält das Poliermittel Zusätze wie Natriumcarbonat (Na2CO3), Kaliumcarbonat (K2CO3), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH4OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH).Preferably, the polishing agent contains additives such as sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), potassium carbonate (K 2 CO 3 ), sodium hydroxide (NaOH), potassium hydroxide (KOH), ammonium hydroxide (NH 4 OH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
Die Poliermittelsuspension kann aber einen oder mehrere weitere Zusätze enthalten, beispielsweise oberflächenaktive Additive wie Netzmittel und Tenside, als Schutzkolloide wirkende Stabilisatoren, Konservierungsmittel, Biozide, Alkohole und Komplexbildner.However, the polishing agent suspension may contain one or more further additives, for example surface-active additives such as wetting agents and surfactants, stabilizers acting as protective colloids, preservatives, biocides, alcohols and complexing agents.
Vorzugsweise aber nicht notwendigerweise wird im erfindungsgemäßen Verfahren eine andere Art der Poliermittelzuführung bzw. -versorgung benutzt. Der untere Polierteller wird unabhängig vom oberen Polierteller mit frischem Poliermittel versorgt. Dazu sieht der untere Polierteller ebenfalls eine Poliermitteldurchführung sowie eine separate Poliermittelförderung vor.Preferably, but not necessarily, another type of polishing agent supply is used in the process of the present invention. The lower polishing plate is supplied with fresh polishing agent, regardless of the upper polishing plate. For this purpose, the lower polishing plate also provides a polishing medium feedthrough and a separate polishing agent delivery.
Besonders geeignet zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Poliermaschine AC2000 von Fa. Peter Wolters, Rendsburg (Deutschland).Particularly suitable for carrying out the method according to the invention is the polishing machine AC2000 from Fa. Peter Wolters, Rendsburg (Germany).
Diese Poliermaschine ist ausgestattet mit einer Stiftverzahnung des äußeren und inneren Kranzes zum Antrieb der Läuferscheiben. Die Anlage kann für eine oder mehrere Läuferscheiben ausgelegt sein. Wegen des höheren Durchsatzes ist eine Anlage für mehrere Läuferscheiben bevorzugt, wie sie beispielsweise in der
Eine typische Läuferscheibe umfasst Aussparungen zur Aufnahme von drei Halbleiterscheiben. Am Umfang der Aussparungen befinden sich Einlagen bzw. sogenannte Läuferscheibenausspritzungen, die die bruchempfindlichen Kanten der Halbleiterscheiben schützen sollen, insbesondere auch vor einer Freisetzung von Metallen vom Läuferscheibenkörper.A typical rotor disc includes recesses for receiving three semiconductor wafers. At the periphery of the recesses are deposits or so-called Läuferscheibenausspritzungen that are intended to protect the fracture-sensitive edges of the semiconductor wafers, especially before a release of metals from the carrier body.
Der Läuferscheibenkörper kann beispielsweise aus Metall, Keramik, Kunststoff, faserverstärktem Kunststoff oder aus Metall bestehen, das mit Kunststoff oder mit einer diamant-artigen Kohlenstoffschicht („diamond like carbon”, DLC-Schicht) beschichtet ist. Bevorzugt sind jedoch Stähle, besonders bevorzugt rostfreier Chromstahl.The carrier body may consist, for example, of metal, ceramic, plastic, fiber-reinforced plastic or of metal coated with plastic or with a diamond-like carbon layer (DLC layer). However, preference is given to steels, particularly preferably stainless chromium steel.
Die Aussparungen sind vorzugsweise für die Aufnahme einer ungeraden Anzahl von Halbleiterscheiben mit einem Durchmesser von mindestens 200 mm, vorzugsweise 300 mm, ganz besonders bevorzugt 450 mm und Dicken von 500 bis 1000 μm ausgelegt.The recesses are preferably designed to accommodate an odd number of semiconductor wafers having a diameter of at least 200 mm, preferably 300 mm, very particularly preferably 450 mm and thicknesses of 500 to 1000 μm.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Figuren erläutert.In the following the invention will be explained with reference to figures.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 1111
- Poliertuch auf unterem PoliertellerPolishing cloth on lower polishing plate
- 1212
- Poliertuch auf oberem PoliertellerPolishing cloth on upper polishing plate
- 2121
- unterer Poliertellerlower polishing plate
- 2222
- oberer Poliertellerupper polishing plate
- 3131
- innerer Zahnkranzinner sprocket
- 3232
- äußerer Zahnkranzouter sprocket
- 44
- Halbleiterscheibe(n)Semiconductor wafer (s)
- 55
- Überlaufoverflow
- 66
- Läuferscheibe(n)Rotor disc (s)
- 77
- Polier-/AnpressdruckPolishing / contact pressure
Im Folgenden wird dargstellt, wie sich das erfindungsgemäße Doppelseitenpolieren bevorzugt in eine Fertigungssequenz zur Herstellung von Halbleiterwafern integrieren lässt.In the following, it is illustrated how the double-side polishing according to the invention can preferably be integrated into a production sequence for the production of semiconductor wafers.
Zunächst wird eine Halbleiterscheibe von einem mittels CZ oder FZ gewachsenen Einkristall aus Halbleitermaterial abgetrennt. Das Abtrennen der Halbleiterscheibe erfolgt vorzugsweise mit einer Drahtsäge. Das Abtrennen der Halbleiterscheibe mittels Drahtsäge erfolgt wie z. B. aus
Bei dem gewachsenen Einkristall aus Halbleitermaterial handelt es sich vorzugsweise um einen Einkristall aus Silicium. Bei der Halbleiterscheibe handelt es sich vorzugsweise um eine monokristalline Siliciumscheibe.The grown single crystal of semiconductor material is preferably a single crystal of silicon. The semiconductor wafer is preferably a monocrystalline silicon wafer.
Vor Anwendung der erfindungsgemäßen Politur wird vorzugsweise wie folgt vorgegangen:
Zunächst wird eine Halbleiterscheibe von einem mittels CZ oder FZ gewachsenen Einkristall aus Halbleitermaterial abgetrennt. Das Abtrennen der Halbleiterscheibe erfolgt vorzugsweise mit einer Drahtsäge. Das Abtrennen der Halbleiterscheibe mittels Drahtsäge erfolgt wie z. B. aus
First, a semiconductor wafer is separated from a single crystal of semiconductor material grown by means of CZ or FZ. The separation of the semiconductor wafer is preferably carried out with a wire saw. The separation of the semiconductor wafer by means of wire saw is such. B. off
Bei dem gewachsenen Einkristall aus Halbleitermaterial handelt es sich vorzugsweise um einen Einkristall aus Silicium. Bei der Halbleiterscheibe handelt es sich vorzugsweise um eine monokristalline Siliciumscheibe.The grown single crystal of semiconductor material is preferably a single crystal of silicon. The semiconductor wafer is preferably a monocrystalline silicon wafer.
Anschließend erfolgen Bearbeitungen der Kante der Halbleiterscheibe sowie der beiden Oberflächen.Subsequently, processing of the edge of the semiconductor wafer and the two surfaces done.
Vorzugsweise wird die Kante der Halbleiterscheibe mit einem grobem Schleifmittel verrundet.Preferably, the edge of the semiconductor wafer is rounded with a coarse abrasive.
Dazu wird die Halbleiterscheibe auf einem sich drehenden Tisch fixiert und mit ihrer Kante gegen die sich ebenfalls drehende Arbeitsfläche eines Bearbeitungswerkzeugs zugestellt. Die dabei eingesetzten Bearbeitungswerkzeuge können als Scheiben ausgebildet sein, die an einer Spindel befestigt sind und Umfangsflächen aufweisen, die als Arbeitsflächen zur Bearbeitung der Kante der Halbleiterscheibe dienen.For this purpose, the semiconductor wafer is fixed on a rotating table and delivered with its edge against the also rotating working surface of a machining tool. The machining tools used in this case can be formed as disks, which are fastened to a spindle and have peripheral surfaces which serve as work surfaces for machining the edge of the semiconductor wafer.
Eine dafür geeignete Vorrichtung ist beispielsweise in
Vorzugsweise werden die Halbleiterscheiben mit einem zur Mittelebene der Scheibe symmetrischen Profil mit gleichartigen Facetten an der Scheibenvorderseite und der Scheibenrückseite oder aber mit einem asymmetrischen Kantenprofil mit unterschiedlichen Facettenweiten auf Vorder- und Rückseite versehen. Dabei erhält die Kante der Halbleiterscheibe ein Profil, das geometrisch ähnlich zu einem Zielprofil ist.Preferably, the semiconductor wafers are provided with a symmetrical to the median plane of the disc profile with similar facets on the disc front side and the disc rear side or with an asymmetric edge profile with different facet widths on front and back. In this case, the edge of the semiconductor wafer receives a profile which is geometrically similar to a target profile.
Vorzugsweise weist die verwendete Schleifscheibe ein Rillenprofil auf. Eine bevorzugte Schleifscheibe ist offenbart in
Die Arbeitsflächen können auch in Form eines Schleiftuchs oder als Schleifband ausgebildet sein. The work surfaces can also be designed in the form of a sanding cloth or abrasive belt.
Das Material abtragende Korn, vorzugsweise Diamant, kann fest in die Arbeitsflächen der Bearbeitungswerkzeuge verankert sein.The material-removing grain, preferably diamond, can be firmly anchored in the working surfaces of the processing tools.
Das verwendete Korn weist vorzugsweise eine grobe Körnung auf. Nach
Nach dem Kantenverrunden erfolgt vorzugsweise eine beidseitige Material abtragende Bearbeitung der von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe mit einem groben Schleifmittel.After edge rounding, a material removal on both sides of the semiconductor wafer cut off from a single crystal is preferably carried out using a coarse abrasive.
Dazu eignet sich beispielsweise PPG (Planetary Pad Grinding).For example, PPG (Planetary Pad Grinding) is suitable for this purpose.
Bei PPG handelt es sich um ein Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben, wobei jede Halbleiterscheibe frei beweglich in einer Aussparung einer von mehreren mittels einer Abwälzvorrichtung in Rotation versetzten Läuferscheiben liegt und dadurch auf einer zykloidischen Bahnkurve bewegt wird, wobei die Halbleiterscheiben zwischen zwei rotierenden Arbeitsscheiben Material abtragend bearbeitet werden, wobei jede Arbeitsscheibe eine Arbeitsschicht umfasst, die gebundenes Schleifmittel enthält. Es handelt sich um ein Verfahren mit Planetenkinematik wie DSP.PPG is a process for simultaneously grinding two or more semiconductor wafers simultaneously, each wafer being freely movable in a recess of one of a plurality of carriers rotated by a rolling device and thereby moved on a cycloidal trajectory, the wafers being sandwiched between two rotating working wheels Material machined, each work disc includes a working layer containing bonded abrasive. It is a method with planetary kinematics like DSP.
Als in den Arbeitsschichten gebundenes Schleifmittel ist ein Hartstoff mit einer Mohs-Härte ≥ 6 bevorzugt. Als Schleifstoffe kommen bevorzugt in Frage Diamant, Siliciumcarbid (SiC), Cerdioxid (CeO2), Korund (Aluminiumoxid, Al2O3), Zirkondioxid (ZrO2), Bornitrid (BN; kubisches Bornitrid, CBN), ferner Siliciumdioxid (SiO2), Borcarbid (B4C) bis hin zu wesentlich weicheren Stoffen wie Bariumcarbonat (BaCO3), Calciumcarbonat (CaCO3) oder Magnesiumcarbonat (MgCO3). Besonders bevorzugt sind jedoch Diamant, Siliciumcarbid (SiC) und Aluminiumoxid (Al2O3; Korund).As the abrasive bonded in the working layers, a hard material having a Mohs hardness ≥ 6 is preferable. Suitable abrasives are preferably diamond, silicon carbide (SiC), cerium dioxide (CeO 2 ), corundum (aluminum oxide, Al 2 O 3 ), zirconium dioxide (ZrO 2 ), boron nitride (BN; cubic boron nitride, CBN), furthermore silicon dioxide (SiO 2 ), Boron carbide (B 4 C) to much softer substances such as barium carbonate (BaCO 3 ), calcium carbonate (CaCO 3 ) or magnesium carbonate (MgCO 3 ). However, particularly preferred are diamond, silicon carbide (SiC) and alumina (Al 2 O 3 , corundum).
Die mittlere Korngröße des Schleifmittels liegt bei 5–20 μm, vorzugsweise 5–15 μm und ganz besonders bevorzugt bei 5–10 μm.The mean grain size of the abrasive is 5-20 microns, preferably 5-15 microns and most preferably 5-10 microns.
Die Schleifpartikel sind bevorzugt einzeln oder als Konglomerate („cluster”) in der Bindungsmatrix der Arbeitsschicht eingebunden. Im Fall einer Konglomeratbindung beziehen sich die als bevorzugt angegebenen Korndurchmesser auf die Primärteilchengröße der Cluster-Konstituenten.The abrasive particles are preferably incorporated individually or as conglomerates ("cluster") in the binding matrix of the working layer. In the case of a conglomerate bond, the preferred grain diameters are the primary particle size of the cluster constituents.
Vorzugsweise erfolgt anschließend ein zweites PPG-Schleifen der Halbleiterscheibe, wobei ein Schleiftuch mit feinerer Körnung als zuvor verwendet wird.Subsequently, a second PPG grinding of the semiconductor wafer is preferably carried out, wherein a grinding cloth with a finer grain size than before is used.
Die mittlere Korngröße des Schleifmittels liegt in diesem Fall bei 0,5–10 μm, vorzugsweise 0,5–7 μm, besonders bevorzugt 0,5–4 μm und ganz besonders bevorzugt 0,5–2 μm.The mean particle size of the abrasive in this case is 0.5-10 μm, preferably 0.5-7 μm, more preferably 0.5-4 μm and most preferably 0.5-2 μm.
Daran kann sich ein zweites Kantenverrunden mit einem feineren Schleifmittel anschließen.This can be followed by a second edge rounding with a finer abrasive.
Beim zweiten Kantenverrunden wird also ein Schleifwerkzeug mit feinerer Körnung verwendet.The second edge rounding therefore uses a grinding tool with finer grain size.
Dazu wird die Halbleiterscheibe wiederum auf einem sich drehenden Tisch fixiert und mit ihrer Kante gegen die sich ebenfalls drehende Arbeitsfläche eines Bearbeitungswerkzeugs zugestellt. Die dabei eingesetzten Bearbeitungswerkzeuge können als Scheiben ausgebildet sein, die an einer Spindel befestigt sind und Umfangsflächen aufweisen, die als Arbeitsflächen zur Bearbeitung der Kante der Halbleiterscheibe dienen.For this purpose, the semiconductor wafer is again fixed on a rotating table and delivered with its edge against the also rotating working surface of a machining tool. The machining tools used in this case can be formed as disks, which are fastened to a spindle and have peripheral surfaces which serve as work surfaces for machining the edge of the semiconductor wafer.
Die Arbeitsflächen können auch in Form eines Schleiftuchs oder als Schleifband ausgebildet sein.The work surfaces can also be designed in the form of a sanding cloth or abrasive belt.
Das Material abtragende Korn, vorzugsweise Diamant, kann fest in die Arbeitsflächen der Bearbeitungswerkzeuge verankert sein.The material-removing grain, preferably diamond, can be firmly anchored in the working surfaces of the processing tools.
Das verwendete Korn weist eine feine Körnung auf. Nach
In einem weiteren Schritt kann eine Behandlung beider Seiten der Halbleiterscheibe mit einem ätzenden Medium bei einem Materialabtrag von nicht mehr als 1 μm pro Seite der Halbleiterscheibe erfolgen.In a further step, a treatment of both sides of the semiconductor wafer with a corrosive medium at a material removal of not more than 1 micron per side of the semiconductor wafer can take place.
Der minimale Materialabtrag pro Seite der Halbleiterscheibe beträgt vorzugsweise 1 Monolage, d. h. etwa 0,1 nm.The minimum material removal per side of the semiconductor wafer is preferably 1 monolayer, ie. H. about 0.1 nm.
Vorzugsweise erfolgt eine nasschemische Behandlung der Halbleiterscheibe mit einem sauren Medium.Preferably, a wet-chemical treatment of the semiconductor wafer with an acidic medium.
Als saure Medien eignen sich wässrige Lösungen von Flusssäure, Salpetersäure oder Essigsäure.Suitable acidic media are aqueous solutions of hydrofluoric acid, nitric acid or acetic acid.
Die beschriebenen Reinigungs- und Ätzverfahren erfolgen vorzugsweise als Einzelscheibenbehandlung. The cleaning and etching processes described are preferably carried out as a single-wafer treatment.
Daraufhin erfolgt die Doppelseitenpolitur gemäß erfindungsgemäßen Verfahrens.Then the double-side polishing is carried out according to the method according to the invention.
Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe werden simultan gleichzeitig poliert.The front and back sides of the semiconductor wafer are simultaneously polished simultaneously.
Dazu eignen sich herkömmliche DSP-Poliermaschinen, wobei die verwendeten Poliertücher erfindungsgemäß ausgestaltet sind. Nach der erfindungsgemäßen Doppelseitenpolitur erfolgt vorzugsweise eine Politur der Kante der Halbleiterscheibe.For this purpose, conventional DSP polishing machines are suitable, wherein the polishing cloths used are designed according to the invention. After the double-side polishing according to the invention, the edge of the semiconductor wafer is preferably polished.
Dazu eignen sich handelsübliche Kantenpolierautomaten.Commercially available edge polishing machines are suitable for this purpose.
Aus
Die Halbleiterscheibe ist üblicherweise auf einem flachen Scheibenhalter, einem so genannten Chuck, fixiert. Die Kante der Halbleiterscheibe ragt über den Chuck hinaus, so dass sie für die Poliertrommel frei zugänglich ist. Eine um einen bestimmten Winkel gegen den Chuck geneigte, zentrisch rotierende und mit dem Poliertuch beaufschlagte Poliertrommel und der Chuck mit der Halbleiterscheibe werden einander zugestellt und mit einem bestimmten Anpressdruck unter kontinuierlicher Zuführung des Poliermittels aneinander gepresst.The semiconductor wafer is usually fixed on a flat disk holder, a so-called chuck. The edge of the semiconductor wafer protrudes beyond the chuck so that it is freely accessible to the polishing drum. A by a certain angle to the chuck inclined, centrically rotating and acted upon with the polishing cloth polishing drum and the chuck with the semiconductor wafer are delivered to each other and pressed together with a certain contact pressure with continuous feeding of the polishing agent.
Bei der Kantenpolitur wird der Chuck mit der darauf gehaltenen Halbleiterscheibe zentrisch rotiert.In edge polishing, the chuck is rotated centrally with the semiconductor wafer held thereon.
Vorzugsweise dauert eine Umdrehung des Chuck 20–300, besonders bevorzugt 50–150 s (Umlaufzeit).Preferably, one turn of the chuck takes 20-300, more preferably 50-150 seconds (orbital period).
Eine mit dem Poliertuch belegte Poliertrommel, die vorzugsweise mit einer Drehzahl von 300–1500 min–1, besonders bevorzugt 500–1000 min–1, zentrisch rotiert wird, und der Chuck werden einander zugestellt, wobei die Poliertrommel unter einem Anstellwinkel gegen die Halbleiterscheibe schräg angestellt und die Halbleiterscheibe so auf dem Chuck fixiert ist, dass sie leicht über diesen hinaus ragt und so für die Poliertrommel zugänglich ist.A polishing drum coated with the polishing cloth, which is preferably rotated centrally at a speed of 300-1500 min -1 , more preferably 500-1000 min -1 , and the chuck are delivered to each other, wherein the polishing drum obliquely at an angle of attack against the semiconductor wafer and the semiconductor wafer is fixed on the chuck so that it slightly protrudes beyond this and is thus accessible to the polishing drum.
Der Anstellwinkel beträgt vorzugsweise 30–50°.The angle of attack is preferably 30-50 °.
Halbleiterscheibe und Poliertrommel werden mit einem bestimmten Anpressdruck unter kontinuierlicher Zuführung eines Poliermittels, vorzugsweise mit einem Poliermittelfluss von 0,1–1 Liter/min, besonders bevorzugt 0,15–0,40 Liter/min, aneinander gepresst, wobei der Anpressdruck durch an Rollen befestigte Gewichte eingestellt werden kann und vorzugsweise 1–5 kg, besonders bevorzugt 2–4 kg, beträgt.Semiconductor disk and polishing drum are pressed together with a certain contact pressure with continuous supply of a polishing agent, preferably with a polishing agent flow of 0.1-1 liter / min, more preferably 0.15-0.40 liter / min, wherein the contact pressure by rolling fixed weights can be adjusted and preferably 1-5 kg, more preferably 2-4 kg.
Vorzugsweise werden nach 2–20, besonders bevorzugt nach 2–8 Umdrehungen der Halbleiterscheibe bzw. des die Halbleiterscheibe haltenden Chuck Poliertrommel und Halbleiterscheibe voneinander entfernt.Preferably after 2-20, particularly preferably after 2-8 revolutions of the semiconductor wafer or of the wafer holding the chuck polishing drum and semiconductor wafer are removed from each other.
Das bei der Kantenpolitur verwendete Poliertuch kann mit fest gebundenen Abrasiven (FAP-Poliertuch) beaufschlagt sein. In diesem Fall erfolgt die Politur unter kontinuierlicher Zuführung einer Poliermittellösung, die keine Feststoffe enthält.The polishing cloth used in the edge polish can be applied with firmly bonded abrasives (FAP polishing cloth). In this case, the polishing is carried out with continuous supply of a polishing agent solution containing no solids.
Der Abrasivstoff besteht aus einem das Substratmaterial mechanisch abtragendem Material, vorzugsweise aus einem oder mehreren der Oxide der Elemente Aluminium, Cer oder Silicium.The abrasive material consists of a material mechanically removing the substrate material, preferably one or more of the oxides of the elements aluminum, cerium or silicon.
Daneben kann sich auf dem gleichen FAP-Poliertuch ein kurzer Polierschritt mit sanft abtragendem Kieselsol (z. B. Glanzox) anschließen, um eine Reduzierung der Kantenrauheit und -defektraten zu realisieren.In addition, a short polishing step with gently removing silica sol (eg Glanzox) can be added to the same FAP polishing cloth to achieve a reduction in edge roughness and defect rates.
Abschließend erfolgt vorzugsweise eine chemisch-mechanische Politur (CMP) wenigstens der Vorderseite der Halbleiterscheibe.Finally, preferably a chemical mechanical polishing (CMP) takes place at least on the front side of the semiconductor wafer.
Vorzugsweise werden in diesem Schritt beide Seiten der Halbleiterscheibe mittels CMP poliert. Dazu eignet sich eine herkömmliche DSP-Poliermaschine, bei der allerdings statt der herkömmlichen DSP-Abtragspoliertücher weichere CMP-Poliertücher verwendet werden.Preferably, in this step, both sides of the semiconductor wafer are polished by means of CMP. For this purpose, a conventional DSP polishing machine, but instead of the conventional DSP Abtragops cloths softer CMP polishing cloths are used.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 10007390 A1 [0005, 0063] DE 10007390 A1 [0005, 0063]
- DE 102007035266 A1 [0007] DE 102007035266 A1 [0007]
- US 2002-0077039 [0008] US 2002-0077039 [0008]
- US 2008-0305722 [0008] US 2008-0305722 [0008]
- DE 19905737 A1 [0009] DE 19905737 A1 [0009]
- DE 10004578 C1 [0011, 0013, 0014] DE 10004578 C1 [0011, 0013, 0014]
- US 4655191 [0078, 0080] US 4655191 [0078, 0080]
- EP 522542 A1 [0078, 0080] EP 522542 A1 [0078, 0080]
- DE 3942671 A1 [0078, 0080] DE 3942671 A1 [0078, 0080]
- EP 433956 A1 [0078, 0080] EP 433956 A1 [0078, 0080]
- DE 19535616 A1 [0085] DE 19535616 A1 [0085]
- DE 102006048218 A1 [0087] DE 102006048218 A1 [0087]
- US 5989105 [0114] US 5989105 [0114]
Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature
- JIS R 6001:1998 [0090] JIS R 6001: 1998 [0090]
- JIS R 6001:1998 [0104] JIS R 6001: 1998 [0104]
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109176242A (en) * | 2018-09-07 | 2019-01-11 | 詹哲品 | A kind of engine piston ring processing and manufacturing mold |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010013519B4 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Method for polishing a semiconductor wafer |
| TWI460780B (en) * | 2011-11-16 | 2014-11-11 | Powertech Technology Inc | Grinding and dicing method of wafer and production line apparatus thereof |
| JP6120974B2 (en) * | 2012-09-28 | 2017-04-26 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | Modified micro grinding process |
| WO2014149755A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc. | Design of disk/pad clean with wafer and wafer edge/bevel clean module for chemical mechanical polishing |
| DE102013204839A1 (en) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Siltronic Ag | Method of polishing a wafer of semiconductor material |
| CN103624665B (en) * | 2013-11-26 | 2018-05-01 | 浙江汇锋塑胶科技有限公司 | A kind of polishing both surfaces method of sapphire touch panel |
| KR101572103B1 (en) * | 2014-09-11 | 2015-12-04 | 주식회사 엘지실트론 | An apparatus for polishing a wafer |
| JP6663442B2 (en) * | 2015-03-11 | 2020-03-11 | エンベー ベカルト ソシエテ アノニムＮＶ Ｂｅｋａｅｒｔ ＳＡ | Temporarily bonded wafer carrier |
| JP7159861B2 (en) * | 2018-12-27 | 2022-10-25 | 株式会社Sumco | Double-headed grinding method |
| JP2022033603A (en) * | 2020-08-17 | 2022-03-02 | キオクシア株式会社 | Polishing device and polishing method |
| CN113334172B (en) * | 2021-07-06 | 2022-02-22 | 无锡市苏良精密机械有限公司 | Numerical control double-sided grinding machine |
| CN114800222B (en) * | 2022-05-13 | 2023-09-26 | 中锗科技有限公司 | Double-sided polishing method for germanium wafer |
| CN115870875B (en) * | 2022-12-08 | 2024-04-12 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | Grinding disc and grinding equipment for grinding silicon wafers |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4655191A (en) | 1985-03-08 | 1987-04-07 | Motorola, Inc. | Wire saw machine |
| EP0433956A1 (en) | 1989-12-22 | 1991-06-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH | Wire saws for slicing shaped workpieces from rod or block and their use |
| EP0522542A1 (en) | 1991-07-12 | 1993-01-13 | Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien mbH | Method for producing continuous seamless wire belts |
| DE19535616A1 (en) | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Grinding device for wafer edge |
| DE19817087A1 (en) * | 1997-04-17 | 1998-11-05 | Merck Patent Gmbh | Production of buffer system, for polishing of silicon |
| US5989105A (en) | 1996-07-29 | 1999-11-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Method and apparatus for polishing chamfers of semiconductor wafers |
| DE19905737A1 (en) | 1999-02-11 | 2000-08-31 | Wacker Siltronic Halbleitermat | New double-sided polished semiconductor wafer has extremely low front face site front surface-referenced least squares ratio planarity values varying insignificantly between the wafer edge and central regions |
| DE10007390A1 (en) | 1999-03-13 | 2000-10-12 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Dual disc polishing apparatus for semiconductor wafer, has support base which is connected with drive shaft and support disc, so that inclination of upper and lower grinding discs are equal |
| DE10004578C1 (en) | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Production of a semiconductor wafer comprises polishing the edges of the wafer with a cloth with the continuous introduction of an alkaline polishing agent using polishing plates, wetting with a film and cleaning and drying |
| DE10018338C1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Process for the production of a semiconductor wafer |
| US20020077039A1 (en) | 2000-11-24 | 2002-06-20 | Wacker, Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag | Process for the surface polishing of silicon wafers |
| DE10122283A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-08-01 | Infineon Technologies Ag | Chemical-mechanical polishing (CMP) process for semiconductor wafer includes polishing under pressure with basic agent and post-polishing using basic solution to remove residues |
| US20030104698A1 (en) * | 2000-04-24 | 2003-06-05 | Toru Taniguchi | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| DE102006048218A1 (en) | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Siltronic Ag | Grinding wheel specification method for edge rounding of semiconductor wafer, involves specifying wheel by profile width and bar length of its rib profile, profile width-tolerance range, bar length tolerance range, and profile width index |
| US20080305722A1 (en) | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Siltronic Ag | Method for the single-sided polishing of bare semiconductor wafers |
| DE102007035266A1 (en) | 2007-07-27 | 2009-01-29 | Siltronic Ag | A method of polishing a substrate of semiconductor material |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0911112A (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-14 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Polishing of semiconductor wafer |
| US6299514B1 (en) | 1999-03-13 | 2001-10-09 | Peter Wolters Werkzeugmachinen Gmbh | Double-disk polishing machine, particularly for tooling semiconductor wafers |
| KR100669301B1 (en) * | 2002-06-03 | 2007-01-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Polishing Pad and Multi-Layer Polishing Pad |
| JP2004071833A (en) | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | Method for polishing both sides of semiconductor wafer |
| JP4061249B2 (en) | 2003-07-30 | 2008-03-12 | 京セラ株式会社 | Polishing equipment |
| JP2005305570A (en) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Nitta Haas Inc | Polishing pad |
| JP4614851B2 (en) | 2005-09-21 | 2011-01-19 | スピードファム株式会社 | Surface polishing equipment |
| JP4853042B2 (en) | 2006-02-17 | 2012-01-11 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Wafer and manufacturing method thereof |
| DE102006044367B4 (en) * | 2006-09-20 | 2011-07-14 | Siltronic AG, 81737 | A method of polishing a semiconductor wafer and a process-manufacturable polished semiconductor wafer |
| JP2009011112A (en) | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Rohm Co Ltd | Overcurrent protection circuit and electronic equipment using the same |
| JP5365522B2 (en) * | 2008-07-03 | 2013-12-11 | 旭硝子株式会社 | Glass substrate polishing method and manufacturing method |
| DE102010005904B4 (en) * | 2010-01-27 | 2012-11-22 | Siltronic Ag | Method for producing a semiconductor wafer |
| DE102010013519B4 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Method for polishing a semiconductor wafer |
-
2010
- 2010-03-31 DE DE102010013520A patent/DE102010013520B4/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-07 US US13/041,477 patent/US8721390B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-17 TW TW100109097A patent/TWI464796B/en not_active IP Right Cessation
- 2011-03-28 SG SG2011021839A patent/SG174718A1/en unknown
- 2011-03-28 JP JP2011069883A patent/JP5331844B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-29 CN CN201110084878.4A patent/CN102205520B/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-30 KR KR1020110028882A patent/KR101229707B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4655191A (en) | 1985-03-08 | 1987-04-07 | Motorola, Inc. | Wire saw machine |
| EP0433956A1 (en) | 1989-12-22 | 1991-06-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH | Wire saws for slicing shaped workpieces from rod or block and their use |
| DE3942671A1 (en) | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Wacker Chemitronic | WIRE SAW FOR SEPARATING DISKS FROM BAR OR BLOCK-SHAPED WORKPIECES AND THEIR USE |
| EP0522542A1 (en) | 1991-07-12 | 1993-01-13 | Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien mbH | Method for producing continuous seamless wire belts |
| DE19535616A1 (en) | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Grinding device for wafer edge |
| US5989105A (en) | 1996-07-29 | 1999-11-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Method and apparatus for polishing chamfers of semiconductor wafers |
| DE19817087A1 (en) * | 1997-04-17 | 1998-11-05 | Merck Patent Gmbh | Production of buffer system, for polishing of silicon |
| DE19905737A1 (en) | 1999-02-11 | 2000-08-31 | Wacker Siltronic Halbleitermat | New double-sided polished semiconductor wafer has extremely low front face site front surface-referenced least squares ratio planarity values varying insignificantly between the wafer edge and central regions |
| DE10007390A1 (en) | 1999-03-13 | 2000-10-12 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Dual disc polishing apparatus for semiconductor wafer, has support base which is connected with drive shaft and support disc, so that inclination of upper and lower grinding discs are equal |
| DE10004578C1 (en) | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Production of a semiconductor wafer comprises polishing the edges of the wafer with a cloth with the continuous introduction of an alkaline polishing agent using polishing plates, wetting with a film and cleaning and drying |
| DE10018338C1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Process for the production of a semiconductor wafer |
| US20030104698A1 (en) * | 2000-04-24 | 2003-06-05 | Toru Taniguchi | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| US20020077039A1 (en) | 2000-11-24 | 2002-06-20 | Wacker, Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag | Process for the surface polishing of silicon wafers |
| DE10122283A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-08-01 | Infineon Technologies Ag | Chemical-mechanical polishing (CMP) process for semiconductor wafer includes polishing under pressure with basic agent and post-polishing using basic solution to remove residues |
| DE102006048218A1 (en) | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Siltronic Ag | Grinding wheel specification method for edge rounding of semiconductor wafer, involves specifying wheel by profile width and bar length of its rib profile, profile width-tolerance range, bar length tolerance range, and profile width index |
| US20080305722A1 (en) | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Siltronic Ag | Method for the single-sided polishing of bare semiconductor wafers |
| DE102007035266A1 (en) | 2007-07-27 | 2009-01-29 | Siltronic Ag | A method of polishing a substrate of semiconductor material |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JIS R 6001:1998 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109176242A (en) * | 2018-09-07 | 2019-01-11 | 詹哲品 | A kind of engine piston ring processing and manufacturing mold |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011216887A (en) | 2011-10-27 |
| US8721390B2 (en) | 2014-05-13 |
| KR101229707B1 (en) | 2013-02-07 |
| TWI464796B (en) | 2014-12-11 |
| SG174718A1 (en) | 2011-10-28 |
| TW201140678A (en) | 2011-11-16 |
| DE102010013520B4 (en) | 2013-02-07 |
| JP5331844B2 (en) | 2013-10-30 |
| CN102205520A (en) | 2011-10-05 |
| CN102205520B (en) | 2014-02-05 |
| KR20110110019A (en) | 2011-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130508 |
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| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |