DE102010013115A1 - Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren - Google Patents

Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren Download PDF

Info

Publication number
DE102010013115A1
DE102010013115A1 DE201010013115 DE102010013115A DE102010013115A1 DE 102010013115 A1 DE102010013115 A1 DE 102010013115A1 DE 201010013115 DE201010013115 DE 201010013115 DE 102010013115 A DE102010013115 A DE 102010013115A DE 102010013115 A1 DE102010013115 A1 DE 102010013115A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
flat panel
ray detectors
film transistors
readout system
avoiding thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201010013115
Other languages
English (en)
Inventor
Anmelder Gleich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE201010013115 priority Critical patent/DE102010013115A1/de
Priority to PCT/EP2011/001543 priority patent/WO2011116989A2/en
Publication of DE102010013115A1 publication Critical patent/DE102010013115A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632Wafer-level processed structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14659Direct radiation imagers structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

System zum Auslesen von Bildinformation in einem Flachbildschirm-Röntgendetektor umfassend die Kompotoleitendem Material, b) ein Speicherkondensator pro Pixel, c) ein ladungsempfindlicher Verstärker pro Ausleseleitung, dadurch gekennzeichnet, dass das System keinen TFT-Transistor aufweist, wodurch das Rauschen vermindert wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft das technische Gebiet der Auslesesysteme für Röntgendetektoren.
  • Auslesesysteme für Röntgendetektoren, die TFT-Transistoren umfassen, sind im Stand der Technik bekannt.
  • Die objektive technische Aufgabe der Erfindung ist es, ein Auslesesystem für Röntgendetektor-Systeme zur Verfügung zu stellen, dass das Problem des Rauschens in Systemen des Standes der Technik vermeidet.
  • Die Erfindung löst diese Aufgabe durch Bereitstellen eines Auslesesystems für Flachbildschirm-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren.
  • Ein vorteilhafter technischer Effekt dieser Erfindung ist das Vermeiden von Rauschen im Vergleich zu Systemen, die TFT-Transistoren umfassen.
  • Ein Flachbildschirm besteht aus einer Schicht aus fotoleitendem Material (z. B. Selen). Die absorbierten Röntgenstrahlen erzeugen in dieser Schicht elektrische Ladungen. Die Ladungen werden auf einem Speicherkondensator pro Pixel, dem sogenannten Pixelkondensator, gesammelt. Das Auslesen der Bildinformationen erfolgt durch Übertragen dieser Ladungen von dem Speicherkondensator auf Lesezeilen.
  • Die Ladungen werden von den Lesezeilen mit Hilfe eines ladungsempfindlichen Verstärkers pro ausgelesene Zeile ausgelesen. Der Vorteil dieses Systems besteht darin, dass der TFT-Transistor somit hinfällig ist und entfernt wird. Der TFT ist die Hauptquelle für das Rauschen in dem gegenwärtigen Flachbildschirm-Auslesesystem.

Claims (1)

  1. System zum Auslesen von Bildinformation in einem Flachbildschirm-Röntgendetektor umfassend die Komponenten a) Flachbildschirm mit einer Schicht aus fotoleitendem Material, b) ein Speicherkondensator pro Pixel, c) ein ladungsempfindlicher Verstärker pro Ausleseleitung, dadurch gekennzeichnet, dass das System keinen TFT-Transistor aufweist, wodurch das Rauschen vermindert wird.
DE201010013115 2010-03-26 2010-03-26 Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren Withdrawn DE102010013115A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010013115 DE102010013115A1 (de) 2010-03-26 2010-03-26 Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren
PCT/EP2011/001543 WO2011116989A2 (en) 2010-03-26 2011-03-28 Radiation imaging detector with charge transfer readout

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010013115 DE102010013115A1 (de) 2010-03-26 2010-03-26 Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102010013115A1 true DE102010013115A1 (de) 2011-09-29

Family

ID=44486985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201010013115 Withdrawn DE102010013115A1 (de) 2010-03-26 2010-03-26 Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102010013115A1 (de)
WO (1) WO2011116989A2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017171414A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 Vieworks Co., Ltd. Radiation imaging detector with proportional charge gain during readout

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE77899T1 (de) * 1984-04-25 1992-07-15 Josef Kemmer Verarmtes halbleiterelement mit einem potential- minimum fuer majoritaetstraeger.
US5262649A (en) 1989-09-06 1993-11-16 The Regents Of The University Of Michigan Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation
DE4120443B4 (de) * 1991-05-07 2007-03-22 Kemmer, Josef, Dr. Halbleiterdetektor
US5319206A (en) 1992-12-16 1994-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device
CA2193649C (en) * 1994-07-27 2003-01-21 Zhong Shou Huang Radiation imaging panel
US6046454A (en) * 1995-10-13 2000-04-04 Digirad Corporation Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection
US6034373A (en) * 1997-12-11 2000-03-07 Imrad Imaging Systems Ltd. Semiconductor radiation detector with reduced surface effects
EP0936660A1 (de) * 1998-02-10 1999-08-18 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Bilderzeuger oder Partikel- oder Strahlungs-Detektor Und Verfahren zur Herstellung desselben
JP4040201B2 (ja) * 1999-03-30 2008-01-30 富士フイルム株式会社 放射線固体検出器、並びにそれを用いた放射線画像記録/読取方法および装置
US6455858B1 (en) * 2000-08-13 2002-09-24 Photon Imaging, Inc. Semiconductor radiation detector
US6940084B2 (en) * 2001-07-04 2005-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state radiation detector
WO2008054862A2 (en) * 2006-04-21 2008-05-08 Ii-Vi Incorporated Radiation detector with co-planar grid structure
US7671385B2 (en) * 2007-03-15 2010-03-02 Powerchip Semiconductor Corp. Image sensor and fabrication method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011116989A3 (en) 2011-11-24
WO2011116989A2 (en) 2011-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2735400C2 (de) Vorrichtung zum Prüfen von Gepäckstücken mitteis Röntgenstrahlung
US7791034B2 (en) Imaging apparatus, radiation imaging apparatus, and radiation imaging system
DE102016110948B4 (de) Strahlungsbildgebungsvorrichtung, Strahlungsbildgebungssystem und Bestrahlungsstarterfassungsverfahren
DE602004001170T2 (de) Verfahren, Vorrichtung, Computerprogramm und computerlesbares Aufzeichnungsmedium zur Korrektur defekter Pixel bei der Bildaufnahme
Wang et al. Climatic change during the Palaeocene to Eocene based on fossil plants from Fushun, China
DE112014003002T5 (de) Röntgenbildwandler mit CMOS-Sensor, eingebettet in einem TFT-Panel
CN102577356A (zh) 放射线摄像装置
EP2879373A3 (de) Röntgendetektor, Röntgenbildgebungsvorrichtung damit und Verfahren zur Steuerung davon
DE102018121976A1 (de) Anzeigevorrichtung mit integriertem Berührungssensor und Verfahren für deren Ansteuerung
CN103179352A (zh) 放射线摄像图像检测器及包含其的成像设备和成像系统
JP5676503B2 (ja) 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影装置の制御プログラム、及び放射線画像撮影装置の制御方法
EP2607928A3 (de) Röntgenbilddetektor, Röntgenabbildungsvorrichtung, Röntgenabbildungssystem
WO2019023375A3 (en) METHOD FOR CO-RECORDING AND DISPLAYING MULTIPLE IMAGING MODALITIES
DE102010013115A1 (de) Auslesesystem für Flachbildschirme-Röntgendetektoren unter Vermeidung von Dünnfilmtransistoren
CN106840613A (zh) 辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
EP3476296B1 (de) Tomographiesystem und verfahren dafür
DE112014005288B4 (de) Radiographiebildaufnahmevorrichtung und Radiographiebildaufnahmesystem
DE102010008456A1 (de) Verfahren zur Extraktion eines IR-Bildes und Wärmebildkamera
DE102008054913A1 (de) Messvorrichtung zum Bestimmen eines Differenzdrucks
DE102014205841A1 (de) Verfahren zur Bildbearbeitung zur Entfernung von bright-burn-Artefakten und Röntgengerät
US10313566B2 (en) Time delay integration image capture method correcting image defects caused by cosmic particles
CN107862670A (zh) 一种针对红外成像电串扰的图像复原方法
DE102014207324A1 (de) Direktkonvertierender Röntgenstrahlungsdetektor und CT-System
CN103366349A (zh) 一种消除平板探测器线噪声的方法及装置
DE102005052979A1 (de) Verfahren zur Gain-Kalibrierung eines Röntgenbildaufnahmesystems und Röntgenbildaufnahmesystem

Legal Events

Date Code Title Description
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131001