DE102009036039A1 - Bipolarplatte sowie Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bipolarplatte sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Dies ist vorzugsweise eine Bipolarplatte (1), enthaltend mindestens zwei Lagen (2, 3), wobei mindestens zwei Lagen (2, 3) jeweils mindestens eine erste und eine zweite Erhebung/Vertiefung enthalten, wobei die erste Erhebung/Vertiefung (2a) der ersten Lage (2) und die erste Erhebung/Vertiefung (3a) der zweiten Lage (3) im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2, 3) ineinander greifen und sich in einer Ebene E1 formschlüssig berühren. Die zweite Erhebung/Vertiefung (2b) der ersten Lage (2) und die zweite Erhebung/Vertiefung (3b) der zweiten Lage (3) greifen im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2, 3) ineinander und berühren sich in einer Ebene E2 nur abschnittsweise in genau zwei Abschnitten (30b, 31b). Die Berührungsstellen (30, 31b) sind auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade (5b) angeordnet, die in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung (3b) der zweiten Lage (3) verläuft. In der Ebene E2 tritt kein Formschluss zwischen den ineinander greifenden zweiten Erhebungen/Vertiefungen (2b, 3b) im Bereich der zweiten Kontaktstelle (23) auf. Mit der Erfindung wird eine schnelle, kostengünstige und maßgenaue Herstellung von Bipolarplatten ermöglicht.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bipolarplatte sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
  • Die erfindungsgemäße Bipolarplatte ist in einem elektrochemischen System, beispielsweise einem Brennstoffzellensystem oder einem Elektrolyseur anwendbar. Es sind mehrere Arten elektrochemischer Systeme bekannt, bei denen ein elektrochemischer Zellstapel mit einer Schichtung von mehreren elektrochemischen Zellen, welche jeweils durch Bipolarplatten voneinander getrennt sind, aufgebaut ist. Die Bipolarplatten haben mehrere Aufgaben:
    • – Elektrische Kontaktierung der Elektroden der einzelnen elektrochemischen Zellen und Weiterleitung des Stroms zur benachbarten Zelle (Serienschaltung der Zellen),
    • – Versorgung der Zellen mit Reaktanden wie z. B. Wasser oder Gase und z. B. Abtransport des erzeugten Reaktionsgases über eine entsprechende Verteilerstruktur,
    • – Weiterleiten der bei der Erzeugung in der elektrochemischen Zelle entstehenden Abwärme, sowie
    • – Abdichten der verschiedenen Medien- bzw. Kühlkanäle des sog. Flowfields gegeneinander und nach außen.
  • Für die beabsichtigte großindustrielle Anwendung ist es von hoher Wichtigkeit, große Stückzahlen von Bipolarplatten mit einer hohen Qualität zu niedrigen Kosten bereitzustellen. Hierbei ist die Einhaltung von engen Maßtoleranzen von größter Wichtigkeit, da es sonst zu funktions- bzw. sogar sicherheitsrelevanten Fehlfunktionen kommen kann. Dies ist insbesondere bei geschweißten mehrlagigen Bipolarplatten essentiell.
  • Bisher werden zur Sicherstellung einer genauen Positionierung der Lagen zueinander Positionierlöcher verwendet. Werden diese Positionierlöcher, die die genaue Positionierung der mindestens zwei Bipolarplattenlagen zueinander sicherstellen, gleichzeitig mit den übrigen Durchgangsöffnungen sowie dem Beschnitt der Außenkanten der Bipolarplattenlagen eingebracht, hat sich in der Praxis gezeigt, dass die Genauigkeit und Reproduzierbarkeit der Positionierung der Lagen zueinander ungenügend ist. Insbesondere kommt es dabei zum Versatz der Kanalgeometrien der Lagen. Bei extremen Versatz wird dann beim Verbinden der Lagen der Bipolarplatte an Stellen geschweißt, an denen die Bipolarplattenlagen nicht aufeinander liegen, so dass es zu Durchbrennungen kommen kann.
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer mehrlagige Bipolarplatte sowie eine mehrlagige Bipolarplatte bereitzustellen, mit dem großindustriell mehrlagige Bipolarplatten in hoher Qualität zu geringen Kosten zur Verfügung gestellt werden können.
  • Diese Aufgabe wird durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche gelöst.
  • Eine erste Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer mehrlagigen Bipolarplatte sieht vor, dass in mindestens zwei Lagen jeweils mindestens eine erste und eine zweite Erhebung/Vertiefung eingeformt werden und die Lagen aufeinander positioniert werden. Im vollständig positionierten Zustand der Lagen greifen die erste Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die erste Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage ineinander und berühren sich in einer Ebene E1 formschlüssig (erste Kontaktstelle). Gleichzeitig greifen die zweite Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die zweite Erhebung/Vertiefung der zweite Lage im vollständig positionierten Zustand der Lagen ineinander und berühren sich in einer Ebene E2 nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten (zweite Kontaktstelle). Diese Berührungsstellen sind so angeordnet, dass sie auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade, die in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage entlang der längsten Erstreckung dieser Erhebung/Vertiefung in der zweiten Lage verläuft, angeordnet sind. Zwischen der zweiten Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und der zweiten Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage kommt es in der Ebene E2 nicht zum Formschluss. Die mindestens zwei Lagen werden mittels stoffschlüssiger Verfahren miteinander gefügt, dabei werden die Erhebungen/Vertiefungen mindestens einer Lage in komplementären Erhebungen/Vertiefungen einer Fixiervorrichtung gehalten.
  • Diese Anordnung hat zur Folge, dass im vollständig positionierten Zustand, d. h. der Anordnung unmittelbar vor dem Fügen der Lagen, keinerlei Ausgleichsbewegung zwischen den Lagen in Richtung einer virtuellen Gerade durch die beiden Berührstellen mehr möglich ist. Hingegen ist eine Ausgleichsbewegung zwischen den Lagen in Richtung senkrecht zu dieser virtuellen Gerade im Rahmen der Größenverhältnisse der beiden zweiten Erhebungen/Vertiefungen zueinander sehr wohl möglich.
  • Bevorzugt werden im gleichen Verfahrensschritt mit den Erhebungen/Vertiefungen die Kanalstrukturen in die mindestens zwei Lagen eingeformt. Die Orientierung der Kanalstruktur ist dabei üblicherweise so, dass ihre Hauptrichtung parallel zu der Richtung verläuft, in der die Erhebungen/Vertiefungen einen begrenzten Ausgleich zwischen den Lagen der Platte zulassen. Der Abstand der jeweils zweiten Erhebung/Vertiefung für beide Lagen zur jeweiligen Kanalstruktur wird dabei vor dem Umformen festgelegt. Dies erlaubt es, einen Versatz der Kanäle zwischen den zueinandergehörigen Lagen senkrecht zu ihrer Hauptrichtung von vornherein reproduzierbar zu vermeiden.
  • Der Begriff Erhebung/Vertiefung wird im Kontext dieser Erfindung für einen Abschnitt einer Lage einer Bipolarplatte verwendet, der aus der Ebene der jeweiligen Lage herausragt. Je nach Betrachtungsrichtung kann es sich dabei um eine Erhebung oder eine Vertiefung handeln. Der ergänzende Begriff Vertiefung/Erhebung betont die zur Erhebung/Vertiefung entgegengesetzte Richtung.
  • Eine zweite Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer mehrlagige Bipolarplatte sieht vor, dass in mindestens zwei Lagen jeweils mindestens eine erste, eine zweite und eine dritte Erhebung/Vertiefung eingeformt werden, und die Lagen aufeinander positioniert werden. Im vollständig positionierten Zustand greifen jeweils die erste Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die erste Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage (erste Kontaktstelle), die zweite Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die zweite Erhebung/Vertiefung der zweite Lage (zweite Kontaktstelle) sowie die dritte Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die dritte Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage (dritte Kontaktstelle) ineinander und berühren sich dabei in Ebenen E2, E3 und E4 jeweils nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten ohne dass es zu einem Formschluss zwischen den ineinander greifenden Erhebungen/Vertiefungen der ersten und zweiten Lage käme. Die Berührungsstellen sind so angeordnet, dass sie in der Ebene E2, E3 bzw. E4 auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade, die in Hauptrichtung der jeweiligen zweiten Erhebung/Vertiefung in der zweiten Lage verläuft, liegen. Diese virtuellen Geraden durch die erste bzw. zweite Kontaktstelle verlaufen zueinander im Wesentlichen parallel. „Im wesentlichen parallel” bedeutet im Rahmen dieser Erfindung unter einem Winkel von –10° bis 10°. Die virtuelle Gerade durch die dritte Kontaktstelle verläuft im Wesentlichen senkrecht zu den beiden vorgenannten virtuellen Geraden. Im Rahmen dieser Erfindung wird „im wesentlichen senkrecht” als ein Winkel von 80° bis 100° definiert.
  • Die mindestens zwei Lagen werden mittels stoffschlüssiger Verfahren miteinander gefügt, dabei werden die Erhebungen/Vertiefungen mindestens einer Lage in komplementären Erhebungen/Vertiefungen einer Fixiervorrichtung gehalten und so die exakte Positionierung der Lagen zueinander gewährleistet.
  • Dies hat zur Folge, dass die begrenzte Beweglichkeit durch die beiden Kontaktstellen mit im wesentlichen paralleler Ausrichtung der genannten virtuellen Geraden gleichmäßiger auf die gesamte Plattenfläche verteilt wird. Insbesondere bei mittiger Anordnung der Kontaktstelle mit hierzu im wesentlichen senkrechter virtueller Gerade erfolgt bei der Positionierung der Lagen zueinander der Ausgleich der Formtoleranzen beider Lagen zueinander zu beiden Seiten dieser Kontaktstelle. Bei fertigungsbedingten Relativbewegungen der einzelnen Lagen zueinander ist dadurch eine ausreichende Freiheit gewahrt, wobei die Position der Lagen zueinander weiterhin genau bestimmt bleibt. Diese Lösung zeigt ihre Vorteile vor allem bei Bipolarplatten mit nahezu quadratischer Kanalstruktur.
  • Auch hier werden die Erhebungen/Vertiefungen bevorzugt im gleichen Verfahrensschritt mit den Kanalstrukturen eingeformt, um definierte Abstände zwischen den Kanalstrukturen und den Kontaktstellen in beiden Lagen sicherzustellen.
  • Bei beiden Ausführungsformen ist es im Hinblick auf eine optimale Positionierung vor dem Fügen der Lagen bevorzugt, wenn zumindest eine Erhebung/Vertiefung eine Durchgangsöffnung aufweist, durch die ein Zentrierbolzen der Fixiervorrichtung durchgreifen kann.
  • Als Verfahren zum Fügen der Lagen miteinander werden bevorzugt Kleben oder Schweißen, insbesondere Laserstrahlschweißen verwendet. Die Bipolarplatten bzw. ihre Lagen sind bevorzugt aus Metall, insbesondere aus Stahl, so dass eine Formgebung mittels Hohlprägen, Tiefziehen, Hydroforming, adiabatischem Umformen (Schmieden, Hochenergieumformen) oder Rollprägen bevorzugt ist.
  • Die Ebenen E1 und E2 bzw. E2, E3 und E4 sind vorzugsweise zur Stapelrichtung eines Brennstoffzellenstapels im Wesentlichen senkrecht liegende Ebenen auf Höhe der Berührung zwischen den beiden Lagen. Diese Ebenen E1 und E2 bzw. E2, E3 und E4 erstrecken sich parallel zur Ebene E der Bipolarplatte, die abgesehen von den für ihre Funktion notwendigen Prägungen in der Regel flach ist; die Ebene E erstreckt sich mittig zwischen den beiden Außenlagen der Bipolarplatte. Die Ebenen E1 und E2 einerseits und E2, E3 und E4 andererseits sind untereinander somit parallel – nämlich wenn die Berührung an den verschiedenen Kontaktstellen leicht versetzt eintritt, – sie können jedoch auch identisch sein – nämlich wenn kein solcher Versatz eintritt.
  • Eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte sieht vor, dass diese mindestens zwei Lagen enthält, wobei mindestens zwei Lagen jeweils mindestens eine erste und eine zweite Erhebung/Vertiefung enthalten, wobei die erste Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die erste Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage im vollständig positionierten Zustand der Lagen ineinander greifen und sich in einer Ebene E1 formschlüssig berühren (erste Kontaktstelle). Die zweite Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die zweite Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage berühren sich allerdings nur abschnittsweise in der Ebene E2, nämlich längs mindestens zweier kurzer, in manchen Fällen nur punktförmiger, Abschnitte (zweite Kontaktstelle), die auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade in Haupterstreckungsrichtung der zweiten Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage liegen. Der abschnittsweise Kontakt zwischen den ineinander greifenden zweiten Erhebungen/Vertiefungen der ersten und zweiten Lage bewirkt im Bereich der zweiten Kontaktstelle jedoch keinen Formschluss in der Ebene E2. In Richtung der genannten virtuellen Gerade ist hierdurch parallel zur Ebene E2 ein räumlich sehr begrenzter translatorischer Toleranzausgleich möglich. Eine Rotation ist hingegen durch das Zusammenwirken der beiden Kontaktstellen nicht möglich.
  • Hierdurch wird eine genaue Positionierung beider Lagen zueinander erreicht, wobei zum Toleranzausgleich noch eine eingeschränkte Bewegung zwischen den Lagen möglich ist, nämlich in Richtung im Wesentlichen senkrecht zu einer virtuellen Gerade durch beide Berührungsstellen der zweiten Kontaktstelle.
  • Bei den Bipolarplatten ist zu beachten, dass diese in der Regel Kanalstrukturen aufweisen, die sowohl an den äußeren Flächen der Bipolarplatte zum Führen von Betriebsmedien geeignet sind (beispielsweise molekularem Wasserstoff einerseits und Luft/Sauerstoff andererseits) als auch dem gezielten Führen eines Kühlmittels dienen. Die Kanalstrukturen zweier benachbarter, aufeinander positionierter Bipolarplattenlagen ergeben auf ihrer einander zugewandten Seite ein Flowfield, üblicherweise für Kühlmedien. Ebenso wird auf der von dieser Kanalstruktur abgewandten Seite der Lage, also auf der jeweils anderen Seite der jeweiligen Bipolarplattenlage ein Flowfield gebildet, üblicherweise für die Verteilung der Reaktanden und zum Abführen der Reaktionsprodukte. Bei metallischen Bipolarplatten sind die Strukturen auf den beiden Seiten einer Lage üblicherweise komplementär, d. h. eine Erhebung auf der Oberseite hat eine Vertiefung auf der Unterseite zur Folge. Neben parallelen und/oder serpentinenartig angeordneten kontinuierlichen Kanalstrukturen sind auch solche Verteilerstrukturen möglich, die einen Übertritt zwischen virtuellen parallelen Strömungslinien ermöglichen, sie werden hier im folgenden ebenfalls als Kanalstrukturen bezeichnet.
  • Die Positionierung der Lagen mittels Positionierprägungen in Form von Erhebungen/Vertiefungen bietet sich insbesondere bei metallischen Bipolarplatten an, deren Lagen umformbedingt Formtoleranzen aufweisen können. Das gleichzeitige Einformen der Kanalstrukturen und der Erhebungen/Vertiefungen sorgt dafür, dass der Abstand zwischen diesen Strukturen immer konstant bleibt. Mit der Erfindung wird somit insbesondere der Versatz der Einzellagen einer Bipolarplatte zueinander minimiert und eine genaue Positionierung der vorzugsweise geprägten Strukturen der einzelnen Lagen, insbesondere auch beim Fügen in einer Schweißvorrichtung (beispielsweise einer Laserschweißvorrichtung) ermöglicht. Vorteile sind, dass besser und schneller geschweißt werden kann, weniger Ausschuss beim Schweißen und anderen Prozessen durch die genaue Positionierung entsteht. Die Toleranz des Zuschnitts kann somit auch vergrößert werden. Dies führt zu einer Kostenverminderung, ohne dass hierdurch die Qualität negativ beeinflusst wird, insbesondere wenn einfachere Zuschnittmethoden (z. B. Stanzen) verwendet werden.
  • Um ein ”Aufblähen” der mehrlagigen Bipolarplatte zu verhindern, ist ein Schweißen, vorzugsweise Laserschweißen zumindest der beiden äußeren Lagen der Bipolarplatte miteinander sinnvoll. Hierbei ist allerdings wiederum zu beachten, dass bei der filigranen Kanalstruktur die richtigen Abschnitte miteinander verschweißt werden. Dies ist besonders wichtig, da hierdurch die Dichtigkeit sowie der geregelte Fluss von Kühlmedien gewährleistet sind. Es wird also nochmals betont, dass das Verschweißen der Lagen zur Bipolarplatte für die vorliegende Erfindung nicht ausschließlich an der äußeren Peripherie erfolgen muss, sondern auch im ”Binnenbereich” zwischen unterschiedlichen Kanalstrukturen erfolgt, und dass gerade hier höchste Präzision notwendig ist.
  • Eine weitere Alternative der Erfindung sieht vor, dass diese mindestens zwei Lagen enthält, wobei mindestens zwei Lagen jeweils mindestens eine erste, eine zweite und eine dritte Erhebung/Vertiefung enthalten und die erste Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die erste Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage (erste Kontaktstelle), die zweite Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die zweite Erhebung/Vertiefung der zweite Lage (zweite Kontaktstelle) sowie die dritte Erhebung/Vertiefung der ersten Lage und die dritte Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage (dritte Kontaktstelle) im vollständig positionierten Zustand der Lagen ineinander greifen und sich in den Ebenen E2, E3 und E4 jeweils nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten berühren. Beide Berührstellen einer Kontaktstelle liegen in der Ebene E2, E3 bzw. E4 auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade, die in Hauptrichtung der jeweiligen Erhebung/Vertiefung in der zweiten Lage verläuft. Diese virtuelle Geraden durch die erste bzw. zweite Kontaktstelle verlaufen zueinander im wesentlichen parallel, während die virtuelle Gerade durch die dritte Kontaktstelle im wesentlichen senkrecht zu den beiden vorgenannten virtuellen Geraden verläuft.
  • Im Folgenden werden Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Bipolarplatte beispielhaft geschildert.
  • Eine Weiterbildung sieht vor, dass die Erhebungen/Vertiefungen der ersten Lage zu den Erhebungen/Vertiefungen der zweiten Lage selbstzentrierend ausgeführt sind. Hierdurch ist eine Ausrichtung, insbesondere in Höhenrichtung (Stapelrichtung eines Brennstoffzellenstapels) unnötig, da sich die Lagen selbst zueinander zentrieren.
  • Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung sieht vor, dass die erste und/oder zweite Erhebung/Vertiefung der ersten und/oder zweiten Lage gelocht ist. Unterschiedlich große Lochgebung oder Lochgebung in nur einer Lage erlaubt zudem eine visuelle Kontrolle der korrekten Lagenzusammenfügung. Vorteilhafterweise sind die Erhebungen/Vertiefung zentrisch gelocht. Ganz besonders vorteilhaft ist, dass hier beide Vertiefungen bzw. Erhebungen gelocht sind. Generell ermöglichen die Löcher das Eingreifen eines Stifts einer Fixiervorrichtung.
  • Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung sieht vor, dass die ineinander greifenden ersten Erhebungen/Vertiefungen der ersten und zweiten Lage jeweils kreisrund ausgeführt sind. Gleichzeitig ist vorgesehen, dass die zweite Erhebung/Vertiefung der ersten Lage kreisrund ist und die zweite Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage eine langlochförmige oder abgerundete vieleckige aber nicht kreisrunde Erhebung/Vertiefung ist.
  • Insgesamt sind hier sämtliche, insbesondere im Prägeverfahren leicht herstellbare, Geometrien möglich, dabei sind aus Herstellungsgründen abgerundete Geometrien bevorzugt. Die Geometrie der Erhebung/Vertiefung und der Fixiervorrichtung werden aufeinander abgestimmt. Im Rahmen dieser Erfindung bedeutet der Begriff langlochförmig entsprechend oval, abgerundetvieleckig oder langlochförmig und schließt die Kreisform aus. Langlochförmig bezeichnet dabei ausschließlich die Form, es muss sich nicht um eine Öffnung handeln, sondern es handelt sich meist um Erhebungen bzw. Vertiefungen.
  • Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung sieht vor, dass mindestens eine der Lagen eine Kanalstruktur aufweist und die Längserstreckungsrichtung der zweiten Erhebung/Vertiefung der zweiten Lage parallel zu der Kanalstruktur angeordnet ist. Hierdurch wird gesichert, dass bei einer z. B. wärmeausdehnungsbedingten oder auch herstellungsbedingten Relativbewegung beider Lagen immer gewährleistet ist, dass es zu einer ”Parallelverschiebung” entlang der miteinander zu fügenden Kanalbereiche kommt. Es kann somit sichergestellt werden, dass der ”tiefste Punkt” des Kanals bei beiden Lagen somit stets aufeinander liegt und selbst bei einem Verschieben der Lagen entlang des Toleranzquerschnitts immer die gewünschten Stellen beider Lagen miteinander in Kontakt sind. Dies ist insbesondere vorteilhaft beim Schweißen bzw. Laserschweißen, da es bei dieser Anordnung nicht zu einem Durchbrennen beim Schweißen kommt.
  • Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung sieht vor, dass die Erhebungen/Vertiefungen der ersten Lage einen größeren oder kleineren Konuswinkel haben als der Konuswinkel der dazu komplementären Erhebungen/Vertiefungen der zweiten Lage. Hierdurch wird eine linienförmige, umlaufende Berührung zwischen den Erhebungen/Vertiefungen erreicht, so dass in diesen Bereichen eine möglichst hohe Flächenpressung auftritt. Dies wird weiter unterstützt, wenn die Erhebungen/Vertiefungen der einen Lage weniger tief sind als die Erhebungen/Vertiefungen der anderen Lage.
  • Im Folgenden wird, mit etwas anderen Worten, eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung geschildert, die allerdings keinesfalls einschränkend zu verstehend ist:
    Um eine genaue Positionierung der Bipolarplatten zueinander vorzunehmen, werden konische Prägungen – je nach Betrachtungswinkel Erhebungen oder Vertiefungen – in die Lagen eingebracht. Vorteilhaft ist, wenn z. B. die anodenseitige Bipolarplattenlage zwei kreisrunde Prägungen aufweist und die kathodenseitige Bipolarplattenlage genau eine kreisrunde und eine langlochförmige Prägung aufweist. Dabei sollten diese Positionierprägungen so ausgeführt sein, dass z. B. die anodenseitige Lage in die kathodenseitige Lage gesteckt werden kann und über den Konus der Prägungen eine formschlüssige Zentrierung der Lagen zueinander vorgenommen wird. Der Vorteil der langlochförmigen Positionierprägung ist, dass das Plattensystem nicht überbestimmt ist und ein Toleranzausgleich von anodeseitiger zu kathodenseitiger Bipolarplattenlage gegeben ist. Deshalb ist es vorteilhaft, wenn die langlochförmige Positionierprägung parallel zu dieser Hauptrichtung der Kanäle des Flowfields verläuft. Dadurch wird ein Versatz in y-Richtung und damit senkrecht zu den Kanalstrukturen vermieden.
  • Ein weiteres Merkmal der Positionierprägung ist, dass sie auch für eine formschlüssige Positionierung innerhalb einer Vorrichtung, z. B. einer Schweißvorrichtung, verwendet werden kann. Aus demselben Grund wie oben beschrieben sollte eine Aufnahme der Vorrichtung eine komplementäre aber etwas größere Form aufweisen, als die entsprechende Erhebung oder Vertiefung der Bipolarplattenlage. Wird also eine langlochförmige Positionierprägung verwendet, weist die Aufnahme ebenfalls eine Langlochform auf, ist aber größer als die langlochförmige Positionierprägung in der betreffenden Lage (siehe Schnitt C-C in 3e). Für eine runde Positionierprägung wird eine runde Aufnahme verwendet, die wiederum einen größeren Durchmesser aufweist als die Positionierprägung. Für eine grobe Vorzentrierung der Einzellagen in die Vorrichtung ist es vorteilhaft, jeweils eine Bohrung und ein Langloch in der Mitte der Positionierungsprägung vorzusehen sowie einen dazu passenden Aufnahmestift in der Vorrichtung. Die Vorzentrierung über den Aufnahmestift gewährt ein Hineingleiten der Lagen in die Aufnahme der Vorrichtung.
  • Bei der Gestaltung der zueinandergehörigen Positionierprägungen in verschiedenen Lagen bieten sich verschiedene Varianten an. Einerseits ist es möglich, dass in beiden Lagen Erhebungen relativ zur sonstigen Lagenebene eingeformt werden und die Erhebung der unten angeordneten Lage in die Vertiefung, die auf der Unterseite der Erhebung in der darauf angeordneten Lage resultiert, eingreift. Im Hinblick auf die sonstigen Strukturelemente der betreffenden Bipolarplatte bzw. ihrer Lagen, ist es aber oftmals nicht möglich, die Erhebungen mit der hierzu notwendigen Höhe in eine einzige Richtung auszuformen, da die Erhebungen dann beispielsweise die zur Abdichtung der Lagen gegeneinander eingeprägten Sicken überragen und somit eine Abdichtung verhindern würden. In dieser Situation ist es dann andererseits angeraten, in beiden Lagen eine Vertiefung mit einem größeren Durchmesser einzubringen und in die Fläche dieser Vertiefung dann wiederum eine Erhöhung einzuformen. Das Ausmaß der Vertiefung ist dabei insgesamt geringer als das der Erhöhung. Dies erlaubt eine Verteilung der Höhe der Erhöhungen/Vertiefungen auf beiden Seiten der Ebene der jeweiligen Bipolarplattenlage. Dabei ist eine im Wesentlichen symmetrische Höhenaufteilung ebenso möglich wie eine asymmetrische.
  • Die Ausführung der Positionierprägung kann so gewählt sein, dass eine Lage einen steileren Konus aufweist als die andere Lage. Außerdem ist es vorteilhaft die Prägung an einer Lage etwas weniger tief auszuprägen, so dass sich die beiden Lagen im Bereich der Kontaktstelle nur in ihrer jeweiligen Flanke des Konus abschnittsweise oder umlaufend berühren.
  • Weiterhin ist es sinnvoll die runde oder langlochförmige Aufnahme der Vorrichtung an ihrer offenen Seite mit einem Radius zu versehen, auf dem die Schräge des Außenkonus einer aufgelegten Lage zu liegen kommt. Außerdem ist zur Positionierung in der Vorrichtung ausreichend Kraft/Pressung von oben auf die Positionierprägung aufzubringen, um eine formschlüssige Zentrierung zu erreichen.
  • Die erfindungsgemäße Bipolarplatte enthält wie bereits dargelegt mindestens zwei Lagen, es können allerdings durchaus noch mehr Lagen sein. Dies kann insbesondere dann vorteilhaft sein, wenn im Inneren der Bipolarplatte beispielsweise Kühlmittel geführt wird. Insbesondere bei einer unstrukturierten Zwischenlage als dritter Lage bietet es sich an, diese dadurch in der Bipolarplatte zu integrieren, dass sie im Bereich der Erhebungen/Vertiefungen der Außenlagen ausgespart wird, so dass die Erhebungen/Vertiefungen einer Außenlage durch die Aussparungen hindurch in die Vertiefungen/Erhebungen der jeweils anderen Außenlage eingreifen können.
  • Daneben ist es genauso möglich, die Lagen der Platte jeweils paarweise wie bereits zuvor für zwei einzelne Lagen beschrieben zueinander zu positionieren. Bei den Positionierprägungen, die zum Formschluss in der x-y-Ebene, genauer der Ebene E1 führen, ist es dabei ohne weiteres möglich, aber nicht zwingend, an derselben Stelle in allen Lagen die entsprechende Erhebung/Vertiefung vorzusehen, während die Positionierprägungen, die in der entsprechenden Berührebene E2, E3 oder E4 nicht zum Formschluss führen, von benachbartem Lagenpaar zu benachbartem Lagenpaar versetzt angeordnet werden müssen. Diese Anordnung ist für strukturierte, d. h. z. B. geprägte Zwischenlagen bevorzugt, da die Positionierprägungen dann mit der sonstigen Struktur zusammen eingebracht werden kann, sie ist aber auch für unstrukturierte Zwischenlagen einsetzbar.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand mehrerer Figuren erläutert. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich auf die gleichen Elemente. Es zeigen:
  • 1a bis 1d den beispielhaften Aufbau eines mindestens eine Bipolarplatte enthaltenden elektrochemischen Zellstapels,
  • 2 eine Lage einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte,
  • 3a bis 3g Ansichten, Schnitte und weitere Details einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte,
  • 4a bis 4c eine Ansicht sowie einen Schnitt einer zweiten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte,
  • 5a bis 5h verschiedene Draufsichten auf Kontaktstellen,
  • 6 eine Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte,
  • 7 eine Schnittansicht der Kontaktstellen einer weiteren Ausführungsform einer erfindungsgemäßen dreilagigen Bipolarplatte und
  • 8 Details zum Laserschweißen der Lagen einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte.
  • 1a und 1d zeigen den Aufbau einer Brennstoffzelleneinheit 7. Eine Vielzahl dieser Brennstoffzelleneinheiten 7 bildet geschichtet den zwischen Endplatten 70 und 71 angeordneten Bereich einer Brennstoffzellenanordnung 8 (siehe 1c). 1b zeigt mehrere aufeinander gelegte Brennstoffzelleneinheiten 7 ohne die Endplatten. In 1a und 1d ist in Schrägansicht bzw. Draufsicht von oben eine Brennstoffzelleneinheit 7 mit ihren regelmäßigen Bauteilen zu sehen, welche beispielsweise eine Polymermembran 9aufweist, welche im Mittelbereich 9a mit einer Katalysatorschicht beidseitig versehen ist. In der Brennstoffzelleneinheit 7 sind zwei Bipolarplatten 1 vorgesehen, zwischen denen die beschichtete Polymermembran angeordnet wird. Im Bereich zwischen jeder Bipolarplatte 1 und der beschichteten Polymermembran 9 ist außerdem eine Gasdiffusionslage 10 angeordnet. Die Bipolarplatten 1 weisen einerseits eine Sicke 4a auf, die das Flowfield, d. h. die Kanalstruktur 4, dichtend umgibt. Darüber hinaus ist eine weitere Sicke 4a angedeutet, die eine Medienleitung von Wiederholeinheit 7' zu Wiederholeinheit 7' abdichtet. In den nachfolgenden Figuren wird aus Gründen der Klarheit der Figuren auf die Darstellung der Abdichtelemente verzichtet.
  • Im Rahmen dieser Anmeldung werden die folgenden Begriffe unterschieden: Unter der eigentlichen Brennstoffzelle wird das Ensemble aus erster Gasdiffusionslage 10, beschichteter Polymermembran 9 und zweiter Gasdiffusionslage 10 verstanden. Die Brennstoffzelleneinheit 7 umfasst eine anodenseitige Lage einer Bipolarplatte 1, die gerade definierte Brennstoffzelle sowie die kathodenseitige Lage einer zweiten Bipolarplatte 1, sowie ggf. auch noch weitere Lagen einer Bipolarplatte 1. Dies bedeutet, dass eine Bipolarplatte 1 immer zwischen zwei Brennstoffzelleneinheiten 7 geteilt wird. Hiervon unterscheidet sich die Wiederholeinheit 7', die eine komplette Bipolarplatte 1 sowie eine Brennstoffzelle gemäß der obigen Definition enthält. In 1d wird darüber hinaus noch angedeutet, dass die Lagen zumindest im Bereich der Sicken 4a umlaufend miteinander verschweißt sind (Schweißlinien 11). Hier wird auch die größere Prägetiefe der Dichtsicken 4a gegenüber den Kanalstrukturen 4 deutlich. 1d zeigt zudem die verschiedenen Kompartimente der Kanalstrukturen 4: Reaktandenkanäle 41, 42 auf den von einander weg weisenden Seiten der Lagen 2, 3 und Kühlmittelkanäle 43 zwischen den sich abschnittsweise berührenden Lagen 2, 3.
  • Im Folgenden soll der Aufbau der Bipolarplatte 1 sowie deren Herstellverfahren beispielhaft näher erklärt werden.
  • 2 zeigt eine Lage 3 einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte. Es handelt sich im gezeigten Beispiel um eine Metalllage 3 mit einer kontinuierlichen, geradlinigen Kanalstruktur 4 aus mehreren parallelen Kanälen, wobei die Kanalstruktur eine ungefähr fünfmal so große Erstreckung in x- als in y-Richtung aufweist. Daneben ist in der Metalllage 3 eine kreisrunde Vertiefung 3a sowie eine langlochförmigen Vertiefung 3b vorhanden. Die runde Vertiefung 3a weist zentrisch eine kreisrunde Bohrung auf. Die langlochförmige Vertiefung 3b weist eine zentrische Öffnung in Form eines Langlochs auf. Die Längserstreckungsrichtung 5 (d. h. eine virtuelle Gerade in Richtung der längsten Ausdehnung der langlochförmigen Vertiefung) ist parallel angeordnet zum Verlauf (d. h. der Fluidführungsrichtung) der Kanalstruktur 4. Dies bedeutet, dass die Kanalstrukturen des Fluids (entweder ein Kühlfluid im Inneren der späteren Bipolarplatte oder ein Medium an der Außenseite der späteren Bipolarplatte) in eben dieser Richtung führen.
  • Die in 2 gezeigte Lage 3 wird mit zumindest einer weiteren Lage verbunden, so dass sich eine Bipolarplatte ergibt. Diese beiden Lagen werden durch Laserstrahlschweißen verbunden, wobei auch im ”Binnenbereich” der Bipolarplatte, d. h. zwischen den Kanälen ein Verschweißen stattfindet, um so ein ”Aufblähen” der Platte zu verhindern bei erhöhtem Druck der Kühlflüssigkeit im Inneren der Bipolarplatte. Um ein sicheres und genaues Schweißen zu gewährleisten ist es vorteilhaft, dass die Längserstreckungsrichtung 5 parallel zur Kanalstruktur ist.
  • 3a zeigt eine Draufsicht einer gefügten Bipolarplatte 1 gemäß der Erfindung. Die Bipolarplatte besteht aus zumindest zwei Lagen 2 und 3, die mittels einer Laserverschweißung 11 bzw. 11' und 11'' gefügt sind. Die Laserverschweißung 11 ist entlang der durchgängigen Linie geführt. D. h., dass der Bereich um die Kanalstruktur herum (gegebenenfalls unterbrochen durch Zu- und Ableitungen) entsprechend verschweißt ist. Außerdem sind die Bereiche der Erhebungen bzw. Vertiefungen (je nach Blickrichtung, siehe Bezugszeichen 2a und 2b), miteinander verbunden, siehe gestrichelte Linien 11'. Weiter sind die beiden Lagen der Bipolarplatte 1 auch im Bereich des Flowfields mit abschnittsweisen linienförmigen Schweißungen miteinander verbunden, deren Position der Pfeil 11'' beispielhaft andeutet.
  • Gezeigt ist hier eine obere erste Lage 2, darunter ist eine Lage 3 lediglich bereichsweise erkennbar, und zwar im Bereich von Bohrungen. Der Bohrungsdurchmesser im Bereich der Erhebungen/Vertiefungen ist bei der unten liegenden Lage 3 kleiner, so dass ein kreisringförmiger Abschnitt noch sichtbar ist (siehe 3a, oben rechts). Dies ermöglicht bereits bei Augenschein oder automatisiert die Überprüfung, ob die richtigen Lagen zusammengesetzt wurden.
  • Im Folgenden soll auf die Erhebungen/Vertiefungen der Kontaktstellen 23a und 23b besonders eingegangen werden, vor allem auch anhand der Schnittdarstellungen B-B (siehe 3b) sowie C-C und D-D (siehe 3e und 3f). Die entsprechenden abschnittsweisen schematisierten Draufsichten in den Bereichen D1 bzw. D2 ergeben sich aus 3c u. 3g. Ergänzend wird auch auf 3d eingegangen, die Winkelverhältnisse der Erhebungen/Vertiefungen gemäß 3b zeigt. Auch unter der oberen Lage liegende Elemente, wie beispielsweise die langlochförmige Erhebung/Vertiefung sind hier – obwohl von oben eigentlich nicht sichtbar – mittels durchgängiger Linien angedeutet. Vergleichbares gilt nachfolgend auch für 4a.
  • 3a verdeutlicht, dass an der Kontaktstelle 23a in beiden Lagen 2 und 3, kreisförmige Erhebungen/Vertiefungen 2a und 3a vorgesehen sind. Die Kontaktstelle 23a weist hingegen eine runde Erhebung/Vertiefung 2b in der Lage 2 und eine langlochförmige Erhebung/Vertiefung 3b in der Lage 3 auf. Diese ineinander greifenden Erhebungen/Vertiefungen 2b und 3b weisen zwei Berührungsstellen 30b und 31b auf. Bezogen auf die kreisförmige Erhebung 2b der Lage 2 erstrecken sich die Berührungsstellen 30b und 31b nur über ein sehr kurzes Stück des Kreisumfanges, sind quasi nur punktförmig. Die beiden Berührungsstellen 30b und 31b liegen einander auf unterschiedlichen Seiten des Kreises gegenüber. Eine virtuelle Gerade durch die Mittelpunkte der jeweiligen Berührungsstellen, 32b und 33b zeigt dabei die Richtung, in der keine Bewegung möglich ist. Diese Richtung ist dabei senkrecht zur Hauptrichtung der Kanalstruktur 4 bzw. der Richtung der Schweißungen 11''. In Richtung senkrecht zu dieser virtuellen Geraden, entlang der Linie 5b, können sich die beiden Lagen jedoch in geringem Umfang gegen- und zueinander bewegen, so dass geringe Toleranzen oder wärmemeausdehnungs- oder prozessbedingte Relativbewegungen entlang der Kanalstrukturen beider Lagen ausgeglichen werden können.
  • 3b zeigt eine Bipolarplatte gemäß 3a, welche in die Aufnahme 6c einer Fixiervorrichtung 6 eingelegt ist. Die Fixiervorrichtung weist weiter einen Zentrierbolzen 6a auf sowie Radien 6b. Gezeigt ist eine Detailansicht gemäß Schnitt B-B, bei dem unter einer ersten Lage 2 (im Einbau anodenseitig) eine zweite Lage 3 (kathodenseitig) eingelegt ist. Beide Lagen sind aus einem dünnen Metallblech, insbesondere Stahlblech, hergestellt. Eine erste Erhebung 2a der ersten Lage ist in eine erste Vertiefung 3a der zweiten Lage 3 eingesteckt. Die genannten Erhebungen/Vertiefungen 2a bzw. 3a sind in der Ebene E1 parallel zur Ebene E (Plattenebene bzw. Blattebene x-y gemäß 2) formschlüssig zueinander angeordnet, so dass hier in keiner Flächenrichtung eine Translation möglich ist.
  • Wie in 3b zu sehen, ist sowohl die erste Erhebung 2a als auch die erste Vertiefung 3a jeweils mit einer kreisrunden Öffnung 2ax bzw. 3ax versehen. Der Kreisdurchmesser bzw. die Kreisfläche der Öffnung 3ax der ersten Vertiefung 3a ist hierbei kleiner als der Durchmesser bzw. die Fläche der Öffnung 2ax der ersten Erhebung 2a.
  • Diese Verhältnisse sind außerdem durch die beiden orthogonalen Doppelpfeile in der vereinfachten Darstellung des Bereichs D1 ohne Bohrungen in 3c nochmals verdeutlicht. Dort ist sichtbar, dass in der Ebene E bzw. E1 keine Flächenbewegung möglich ist. Die erste Erhebung 2a sowie die erste Vertiefung 3a sind somit zueinander selbstzentrierend angeordnet.
  • Die Fixiervorrichtung selbst weist um den Fixierbolzen herum die eigentliche, hier kreiszylindrische, Aufnahme 6c auf, welche nach oben hin einen mittels Radius 6b gerundeten Übergang zur Ebene E zeigt.
  • Wie in 3d in einer Detailansicht entsprechend dem Bereich F1 der 3b nochmals deutlicher zu sehen, ist der Konuswinkel α2 zwischen der vertikalen (also der Richtung der Hauptachse des Fixierbolzens 6a) sowie der äußeren Mantelfläche der Erhebung 2a etwas kleiner als der Winkel α3 zwischen dieser Vertikalen und der inneren Mantelfläche der Vertiefung 3a. Hierdurch wird eine nur linienförmige umlaufende Berührung der äußeren Mantelfläche der ersten Erhebung 2a mit der inneren Mantelfläche der ersten Vertiefung 3a ermöglicht, die zum Formschluss in der Ebene E1 führt.
  • Außerdem ist zu sehen, dass die Höhe h2 der ersten Erhebung 2a geringer ist als die Höhe/Tiefe h3 der Vertiefung 3a. Dies führt dazu, dass kein ”Aufsetzen” der ersten Lage 2 im Bereich um den Zentrierbolzen 6a herum auf die zweite Lage 3 erfolgt und die beiden Lagen 2 und 3 im Verbindungsbereich nur an ihrer umlaufenden Berührungslinie in Kontakt sind.
  • 3e zeigt einen Schnitt gemäß C-C im Bereich um einen zweiten Fixierbolzen 6d der Fixiervorrichtung 6. Ergänzend ist in 3f der hierzu senkrechte Schnitt gemäß D-D dargestellt. Zu sehen ist eine zweite Erhebung 2b der Lage 2, diese ist kreisrund und weist eine kreisrunde zentrische Öffnung 2bx auf, die konzentrisch zum äußeren Mantel des zweiten Fixierbolzens 6d in der Aufnahme 6f angeordnet ist. Diese zweite Erhebung 2b ist in eine zweite Vertiefung 3b der darunter liegenden Lage 3 eingepasst. Wie in 3b ist hierbei der Querschnitt der Öffnung 3bx der zweiten Vertiefung 3b (zumindest in dieser Querschnittsansicht) etwas kleiner als der der entsprechenden Öffnung der zweiten Erhebung 2b. Allerdings ist die zweite Vertiefung 3b langlochförmig ausgeführt, so dass die zweite Erhebung 2b in 3e von links nach rechts bereichsweise verschieblich angeordnet ist, also dort keinen Formschluss aufweist. Im Gegensatz hierzu findet im Schnitt D-D der 3f eine Berührung der beiden Erhebungen/Vertiefungen 2b, 3b an den Berührpunkten 30b, 31b in der Ebene E2 statt. Dies ist anhand der in 3g gezeigten vereinfachten Skizze des Bereichs D2, in der auf die Darstellung der Öffnungen verzichtet wurde, nochmals schematisch verdeutlicht. Der dortige vertikale Doppelpfeil zeigt an, dass eine Bewegung der zweiten Erhebung 2b innerhalb der zweiten Vertiefung 3b in y-Richtung nicht möglich ist. Dagegen zeigt der horizontale Doppelpfeil die Möglichkeit der Bewegung zum Toleranzausgleich in x-Richtung.
  • Um den Maßstab der Erfindung zu verdeutlichen, so beträgt die Ausdehnung der Erhebung/Vertiefung in x- bzw. y-Richtung 2 bis 25 mm, bevorzugt 4 bis 15 mm. Weiter ist die Tiefe der Aufnahme 6f um den Fixierbolzen 6d herum etwa 0,5 bis 1 mm, der Durchmesser der Aufnahme 6f in der Fixiervorrichtung 6 beträgt vorzugsweise zwischen 1 und 10 mm. Der Freigang der Öffnungen, also beispielsweise der Öffnungen 2bx oder 3bx relativ zum Fixierbolzen beträgt üblicherweise 0,1 bis 3 mm, bevorzugt 0,1 bis 1 mm.
  • 3a bis 3g zeigen somit eine Bipolarplatte 1, enthaltend mindestens zwei Lagen 2, 3, wobei mindestens zwei Lagen 2, 3 jeweils mindestens eine erste und eine zweite Erhebung/Vertiefung enthalten, wobei die erste Erhebung/Vertiefung 2a der ersten Lage 2und die erste Erhebung/Vertiefung 3a der zweiten Lage 3 im vollständig positionierten Zustand der Lagen 2, 3 ineinander greifen und sich in einer Ebene E1 formschlüssig berühren, wobei die zweite Erhebung/Vertiefung 2b der ersten Lage 2 und die zweite Erhebung/Vertiefung 3b der zweite Lage 3 im vollständig positionierten Zustand der Lagen 2, 3 ineinander greifen und sich in einer Ebene E2 nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten 30b, 31b berühren, wobei die Berührungsstellen 30b, 31b so angeordnet sind, dass sie sich auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade 5b, die in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung 3b der zweiten Lage 3 verläuft, liegen und in der Ebene E2 kein Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2b und 3b eintritt.
  • Im Folgenden wird eine alternative Ausführungsform gemäß 4a bis 4c einer erfindungsgemäßen Bipolarplatte gezeigt. Sämtliche obigen Ausführungen gelten auch für diese Ausführungsform, so weit im Folgenden nicht auf Unterschiede hingewiesen wird.
  • Gezeigt ist hierbei in 4a in der Draufsicht eine Bipolarplatte 1' mit einer diesmal oben liegenden Lage 3'. Die Führung des Schnittes E-E ist anhand 4c in einer Draufsicht auf eine Platte, in der lediglich die Positionierprägungen gezeigt sind, erläutert, der entsprechende Schnitt E-E ist in 4b gezeigt. Gezeigt ist hier, wie die Erhebung 2a' in die Vertiefung 3a' eingreift, die Erhebung 2b' in die Vertiefung 3b' sowie die Erhebung 2c' in die Vertiefung 3c'. Hierbei handelt es sich um drei Kontaktstellen 23a', 23b' und 23c' jeweils mit Erhebungs/Vertiefungspaarungen gemäß 3e bis 3g. D. h., dass sich die Erhebungen/Vertiefungen einer Kontaktstelle, beispielsweise der Kontaktstelle 23b' in einer Ebene E3, jeweils in zwei Abschnitten berühren, wobei diese Berührstellen 30b' und 31b' sich auf beiden Seiten der virtuellen Gerade 5b gegenüberliegen. Gleiches gilt für die Kontaktstelle 23a' in der Ebene E2 mit den Berührpunkten 30a' und 31a' sowie der virtuellen Gerade 5a bzw. die Kontaktstelle 23c' in der Ebene E4 mit den Berührpunkten 30c' und 31c' sowie der virtuellen Gerade 5c. Die virtuelle Gerade 5a an der Kontaktstelle 23a' und die virtuelle Gerade 5b an der Kontaktstelle 23b' verlaufen dabei im gezeigten Beispiel im Wesentlichen parallel und lassen deshalb in dieser Richtung, nämlich parallel zur Hauptrichtung der Kanalstruktur 4 und damit auch der Schweißungen 11'' eine geringfügige Ausgleichsbewegung zu. Hierzu senkrecht verläuft etwa mittig zwischen den beiden Kontaktstellen 23a' und 23b' die virtuelle Gerade 5c. Diese deutet die Ausgleichsrichtung an der Kontaktstelle 23c' an.
  • Gezeigt ist somit eine Bipolarplatte 1', enthaltend mindestens zwei Lagen 2', 3', wobei mindestens zwei Lagen 2', 3' jeweils mindestens eine erste, eine zweite und eine dritte Erhebung/Vertiefung enthalten, wobei die erste Erhebung/Vertiefung 2a' der ersten Lage 2' und die erste Erhebung/Vertiefung 3a' der zweiten Lage 3', die zweite Erhebung/Vertiefung 2b' der ersten Lage 2' und die zweite Erhebung/Vertiefung 3b' der zweite Lage 3' sowie die dritte Erhebung/Vertiefung 2c' der ersten Lage 2' und die dritte Erhebung/Vertiefung 3c' der zweiten Lage 3' im vollständig positionierten Zustand der Lagen 2', 3' ineinander greifen und in den Ebenen E2, E3 und E4 sich jeweils nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten 30a', 31a', 30b', 31b', 30c', 31c' berühren, wobei die Berührungsstellen 30a', 31a', 30b', 31b', 30c', 31c' so angeordnet sind, dass sie jeweils auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade 5a, 5b bzw. 5c, die sich jeweils in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung 3a', 3b' bzw. 3c' erstrecken, liegen, wobei in den Ebenen E2, E3 und E4 kein Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2a und 3a, 2b und 3b sowie 2c und 3b eintritt, wobei die virtuelle Gerade 5a und die virtuelle Gerade 5b unter einem Winkel von –10° bis 10° zueinander verlaufen und wobei die virtuelle Gerade 5c unter einem Winkel von 80° bis 100° zu den virtuellen Geraden 5a und 5b verläuft.
  • 5 zeigt anhand von acht verschiedenen Beispielen die Ausgestaltung der ineinander greifenden Erhebungen/Vertiefungen (2a, 3a, 2b, 3b) der ersten und zweiten Lage (2, 3). Die Beispiele der 5a bis 5d zeigen Beispiele, die zu einem Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen in ihrer Berührungsebene führen, während die Beispiele der 5e bis 5h keinen Formschluss zwischen den jeweiligen ineinander greifenden Erhebungen/Vertiefungen bewirken. Auf eine Darstellung möglicher Öffnungen für Fixierbolzen oder für die Lagenkontrolle wurde zugunsten der darstellerischen Klarheit verzichtet. 5a zeigt, wie zwei kreisförmige Erhebungen/Vertiefungen (2a, 3a) ineinander greifen. Die kreisförmigen Erhebungen/Vertiefungen (2a, 3b) berühren sich, wie schon in 3b und 3c gezeigt, umlaufend.
  • 5b stellt eine dreieckige Erhebung/Vertiefung 2a dar, die in eine kreisförmige Erhebung/Vertiefung 3a eingreift und diese mit den drei Ecken des Dreiecks berührt. Diese drei Kontaktpunkte sind ausreichend dafür, dass es zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2a und 3a zum Formschluss kommt. Eine größere Anzahl Eckpunkte eines Polygons führt ebenfalls zum Formschluss, wie am Beispiel der 5c verdeutlicht, in dem eine viereckigen Erhebung/Vertiefung in eine kreisrunde Erhebung/Vertiefung eingreift und letztere in der Berührungsebene mit seinen vier Ecken kontaktiert. Um unnötigen Werkzeugverschleiß zu vermeiden, sind jedoch Polygone mit abgerundeten Ecken vorzuziehen.
  • 5d deutet an, dass auch der Eingriff einer langlochförmige Erhebung/Vertiefung 2a in eine kreisrunde Erhebung/Vertiefung 3a bei passenden Abmessungen zu einem Formschluss führen kann. Umgekehrt führt der Eingriff einer kreisrunden Erhebung/Vertiefung 2b in eine langlochförmige Erhebung/Vertiefung 3b zwar zur Berührung der ineinander greifenden Erhebungen/Vertiefungen, nicht aber zum Formschluss, wie aus 5e folgt und zuvor bereits anhand 3e bis 3g demonstriert wurde.
  • Der Eingriff einer Erhebung/Vertiefung in Form eines gleichseitigen Polygons, beispielsweise eines Quadrates 2b, in eine langlochförmige Erhebung/Vertiefung 3b, führt – je nach Ausrichtung des Polygons – zu Berührungsstellen an den Ecken (dargestellt) und/oder den Seitenkanten (nicht dargestellt) des Polygons mit der Langlochform, hat bei passenden Abmessungen jedoch keinen Formschluss zur Folge, wie 5f zeigt. Auch zwei langlochförmige Erhebungen/Vertiefungen 2b, 3b können ineinander greifen und sich bei passender Breite entlang der Seitenkanten berühren. Hier hängt es von der Wahl der Länge ab, ob es zu einem Formschluss kommt oder nicht. Solange, wie im in 5g dargestellten Beispiel das Außenmaß der eingreifenden Erhebung/Vertiefung geringer ist als das Innenmaß der Erhebung/Vertiefung, in die eingegriffen wird, resultiert kein Formschluss.
  • 5h zeigt ergänzend, dass der Kontakt der ineinander greifenden Erhebungen/Vertiefungen 2b, 3b nicht auf zwei Positionen begrenzt sein muss, von denen je eine auf den beiden Seiten der virtuellen Gerade 5b liegt, sondern dass eine größere Anzahl Berührpunkte, insbesondere auch eine unterschiedliche Anzahl beiderseits der virtuellen Gerade 5b möglich ist, um den nicht-formschlüssigen Eingriff zu realisieren.
  • 6 zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Bipolarplatte 1, bei der die Positionierprägung in beiden Lagen jeweils zu beiden Seiten der Plattenebene E ausgeformt ist. Beispielsweise ist in der oberen Lage 3 eine Erhöhung 3a* mit einer Höhe h3x ausgebildet, die – dargestellt ist die kreisrunde Positionierprägung – einen Durchmesser d3 aufweist. Innerhalb dieser kreisförmigen Erhöhung 3a* ist eine ebenfalls kreisförmige Vertiefung 3a+ angeordnet, die eine Höhe h3i aufweist, wobei h3i größer ist als h3x, so dass die Vertiefung 3a+ gegenüber der Plattenebene E nach unten abgesenkt ist. Die Positionierprägung der Lage 2 ist vergleichbar ausgestaltet, wobei dort der Durchmesser der Erhöhung 2a*, d2, geringer ist als der der Erhöhung 3a*, d3, so dass die äußeren Erhöhungen 2a*, 3a* nur für die Optimierung der Höhenverhältnisse innerhalb der Lagen sorgen, zur eigentlichen Positionierung bzw. zum Formschluss, aber nicht beitragen. 6 verdeutlicht überdies, dass die Gesamthöhe der Positionierprägung in beiden Lagen, he, im Wesentlichen der Gesamthöhe der Kanalstruktur 4, hf, entspricht, so dass von der Positionierprägung keine Beeinträchtigung der Abdichtung im Bereich des hier nicht dargestellten Außenrandes der betreffenden Bipolarplatte ausgeht.
  • Im in 7 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Bipolarplatte 1 insgesamt drei Lagen 2, 100 und 3 auf. Die mittlere Lage 100 weist im Bereich der Kontaktstellen 23a und 23b jeweils Ausnehmungen auf, deren Ausdehnung so groß ist, dass die Vertiefungen 3a bzw. 3b durch sie hindurch in die Vertiefungen 2a bzw. 2b eingreifen können. Die Positionierung der beiden äußeren Lagen 2, 3 erfolgt also wie bei den zuvor beschriebenen zweilagigen Ausführungsformen, wobei die mittlere Lage dazwischengefasst wird.
  • 8 zeigt ein Beispiel einer Verschweißung einer ersten Lage 2 mit einer zweiten Lage 3 mittels eines Laserstrahls 12 im Bereich einer Kanalstruktur 4. Die Lage 2 sowie die Lage 3 weisen Kanalstrukturen auf, wobei im zu verschweißenden Bereich (also die Engstelle in der Mitte in 8) flache Abschnitte bereichsweise aufeinander liegen. Als beispielhafte Angabe ist hierbei die Breite des flachen Abschnittes der ersten Lage 2 mit 200 µm und die Breite der Auflagefläche der Lage 3 hin zum Bereich mit 170 µm gezeigt. Die Breite eines Laserstrahls 12 beträgt in diesem Bereich etwa 50 µm. Mit der Erfindung wird ermöglicht, dass die Auflagebereiche einen Überlappungsbereich von mindestens 100 µm aufweisen, so dass selbst bei leichter Ungenauigkeit der Führung des Laserstrahls immer noch ein vollflächiger Stoffschluss zwischen erster Lage 2 und zweiter Lage 3 in diesem Bereich erfolgt.
  • Hierzu werden gemäß 3a bis 3g die beiden Lagen 2 und 3 aufeinander gelegt mittels entsprechender Fixierbolzen 6a bzw. 6d der Fixiervorrichtung 6 und in dieser Lage die Laserverschweißung durchgeführt.
  • Die obigen Ausführungen sind lediglich beispielhaft zu verstehen. Es wird darauf Wert gelegt, dass Kombinationen sämtlicher hier gezeigten Ausführungsformen im Rahmen der Erfindung liegen und auch die Gegenstände der Unteransprüche, soweit nicht ausgeschlossen, beliebig kombinierbar sind.

Claims (20)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Bipolarplatte (1) wobei in mindestens zwei Lagen (2, 3) jeweils mindestens eine erste und eine zweite Erhebung/Vertiefung (2a, 2b, 3a, 3b) eingeformt werden, und die Lagen (2, 3) aufeinander positioniert werden, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Erhebung/Vertiefung (2a) der ersten Lage (2) und die erste Erhebung/Vertiefung (3a) der zweiten Lage (3) im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2, 3) ineinander greifen und sich in einer Ebene E1 formschlüssig berühren und dass die zweite Erhebung/Vertiefung (2b) der ersten Lage (2) und die zweite Erhebung/Vertiefung (3b) der zweiten Lage (3) im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2, 3) ineinander greifen und sich in einer Ebene E2 nur ab schnittsweise in mindestens zwei Abschnitten (30b, 31b) berühren, wobei die Berührungsstellen (30b, 31b) so angeordnet sind, dass sie auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade 5b, die in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung 3b der zweiten Lage (3) verläuft, liegen und in der Ebene E2 kein Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2b und 3b eintritt und wobei diese Lagen (2, 3) mittels stoffschlüssiger Verfahren miteinander gefügt werden und wobei die Erhebungen/Vertiefungen mindestens einer Lage in komplementären Erhebungen/Vertiefungen (6c, 6f) einer Fixiervorrichtung (6) gehalten sind.
  2. Verfahren zum Herstellen einer Bipolarplatte (1) wobei in mindestens zwei Lagen (2', 3') jeweils mindestens eine erste, eine zweite und eine dritte Erhebung/Vertiefung (2a', 2b', 2c', 3a', 3b', 3c') eingeformt werden, und die Lagen (2', 3') aufeinander positioniert werden, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Erhebung/Vertiefung (2a') der ersten Lage (2') und die erste Erhebung/Vertiefung (3a') der zweiten Lage (3'), die zweite Erhebung/Vertiefung (2b') der ersten Lage (2') und die zweite Erhebung/Vertiefung (3b') der zweite Lage (3') sowie die dritte Erhebung/Vertiefung (2c') der ersten Lage (2') und die dritte Erhebung/Vertiefung (3c') der zweiten Lage (3') im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2', 3') ineinander greifen und sich in einer Ebene E2, E3 bzw. E4 nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten (30b, 31b) berühren, wobei die Berührungsstellen (30b, 31b) so angeordnet sind, dass sie jeweils auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade 5a, 5b bzw. 5c, die sich jeweils in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung 3a', 3b' bzw. 3c' der zweiten Lage (3) erstrecken, liegen, wobei in den Ebenen E2, E3 und E4 kein Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2a und 3a, 2b und 3b sowie 2c und 3b eintritt, wobei die Gerade 5a und die Gerade 5b unter einem Winkel von –10° bis 10° zueinander verlaufen und wobei die Gerade 5c unter einem Winkel von 80° bis 100° zu den Geraden 5a und 5b verläuft, wobei diese Lagen (2, 3) mittels stoffschlüssiger Verfahren miteinander gefügt werden und wobei die Erhebungen/Vertiefungen mindestens einer Lage in komplementären Erhebungen/Vertiefungen (6f) einer Fixiervorrichtung (6) gehalten sind.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens zwei Lagen (2, 3, 2', 3') im gleichen Verfahrensschritt mit den Erhebungen/Vertiefungen (2a, 2a', 2b, 2b', 2c', 3a, 3a', 3b, 3b', 3c') eine Kanalstruktur (4) eingeformt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Erhebung/Vertiefung (2a, 2a', 2b, 2b', 2c', 3a, 3a', 3b, 3b', 3c') eine Durchgangsöffnung (2ax, 2ax', 2bx, 2bx', 2cx', 3ax, 3ax', 3bx, 3bx', 3cx') aufweist, durch die ein Zentrierbolzen (6a, 6d) der Fixiervorrichtung (6) durchgreift.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lagen (2, 3) metallisch sind und bevorzugt aus Stahl bestehen.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das stoffschlüssige Verfahren Kleben oder Schweißen, vorzugsweise Laserstrahlschweißen, ist.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen/Vertiefungen (2a, 2a', 2b, 2b', 2c', 3a, 3a', 3b, 3b', 3c') und/oder die Kanalstrukturen (4) mittels Hohlprägen, Tiefziehen, Hydroforming, adiabatischem Umformen oder Rollprägen eingebracht werden.
  8. Bipolarplatte (1) enthaltend mindestens zwei Lagen (2, 3), wobei mindestens zwei Lagen (2, 3) jeweils mindestens eine erste und eine zweite Erhebung/Vertiefung enthalten, wobei die erste Erhebung/Vertiefung (2a) der ersten Lage (2) und die erste Erhebung/Vertiefung (3a) der zweiten Lage (3) im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2, 3) ineinander greifen und sich in einer Ebene E1 formschlüssig berühren, wobei die zweite Erhebung/Vertiefung (2b) der ersten Lage (2) und die zweite Erhebung/Vertiefung (3b) der zweite Lage (3) im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2, 3) ineinander greifen und sich in einer Ebene E2 nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten (30b, 31b) berühren, wobei die Berührungsstellen (30b, 31b) so angeordnet sind, dass sie auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade 5b, die in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung 3b der zweiten Lage (3) verläuft, liegen und in der Ebene E2 kein Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2b und 3b eintritt.
  9. Bipolarplatte (1) enthaltend mindestens zwei Lagen (2', 3'), wobei mindestens zwei Lagen (2', 3') jeweils mindestens eine erste, eine zweite und eine dritte Erhebung/Vertiefung enthalten, wobei die erste Erhebung/Vertiefung (2a') der ersten Lage (2') und die erste Erhebung/Vertiefung (3a') der zweiten Lage (3'), die zweite Erhebung/Vertiefung (2b') der ersten Lage (2') und die zweite Erhebung/Vertiefung (3b') der zweite Lage (3') sowie die dritte Erhebung/Vertiefung (2c') der ersten Lage (2') und die dritte Erhebung/Vertiefung (3c') der zweiten Lage (3') im vollständig positionierten Zustand der Lagen (2', 3') ineinander greifen und in den Ebenen E2, E3 und E4 sich jeweils nur abschnittsweise in mindestens zwei Abschnitten (30a', 31a', 30b', 31b', 30c', 31c') berühren, wobei die Berührungsstellen (30a', 31a', 30b', 31b', 30c', 31c') so angeordnet sind, dass sie jeweils auf beiden Seiten einer virtuellen Gerade 5a, 5b bzw. 5c, die sich jeweils in Hauptrichtung der Erhebung/Vertiefung 3a', 3b' bzw. 3c' der zweiten Lage (3) erstrecken, liegen, wobei in den Ebenen E2, E3 und E4 kein Formschluss zwischen den Erhebungen/Vertiefungen 2a und 3a, 2b und 3b sowie 2c und 3b eintritt, wobei die Gerade 5a und die Gerade 5b unter einem Winkel von –10° bis 10° zueinander verlaufen und wobei die Gerade 5c unter einem Winkel von 80° bis 100° zu den Geraden 5a und 5b verläuft.
  10. Bipolarplatte nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen/Vertiefungen (2a, 2b) der ersten Platte (2) zu den Erhebungen/Vertiefungen (3a, 3b) der zweiten Platte (3) selbstzentrierend ausgeführt sind.
  11. Bipolarplatte nach Anspruch 8, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder zweite Erhebung/Vertiefung der ersten (2) und/oder zweiten Lage (3) gelocht ist.
  12. Bipolarplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebung/Vertiefung (2a, 2b, 3a, 3b) zentrisch gelocht ist.
  13. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Erhebungen/Vertiefungen (2a, 3a) der ersten (2) und zweiten Lage (3) jeweils kreisrund oder als abgerundetes Polygon ausgeführt sind.
  14. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 und 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Erhebung/Vertiefung (2b) der ersten Lage (2) kreisrund oder abgerundet-polygonisch ist und die zweite Erhebung/Vertiefung (3b) der zweiten Lage (3) eine langlochförmige Erhebung/Vertiefung ist.
  15. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Lagen (2, 3) eine Kanalstruktur (4) aufweist und die Längserstreckungsrichtung (5) der zweiten Erhebung/Vertiefung (3b) der zweiten Lage (3) parallel zu der Hauptrichtung der Kanalstruktur (4) angeordnet ist.
  16. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalstruktur (4) der Lagen (2, 3) mindestens einen Hohlraum zwischen den Lagen (2, 3) bildet, insbesondere zum Führen einer Kühlflüssigkeit.
  17. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen/Vertiefungen (2a, 3a) konisch ausgeführt sind.
  18. Bipolarplatte nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen/Vertiefungen der ersten Lage (2) einen größeren oder kleineren Konuswinkel (α2) haben als der Konuswinkel (α3) der dazu komplementären Erhebungen/Vertiefungen der zweiten Lage (3).
  19. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen/Vertiefungen (2a oder 3a) der einen Lage (2 oder 3) weniger tief sind als die Erhebungen/Vertiefungen (3a oder 2a) der anderen Lage (3 oder 2).
  20. Bipolarplatte nach einem der Ansprüche 8 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen/Vertiefungen (2a, 2b, 2a', 2b', 2c', 3a, 3b, 3a', 3b', 3c') jeweils aus einer ersten Erhebung/Vertiefung in eine Richtung und einer innerhalb dieses verformten Bereichs angeordneten zweiten Vertiefung/Erhebung in die dazu entgegengesetzte Richtung jeweils senkrecht zur Plattenebene E gebildet ist, wobei die zweite Vertiefung/Erhebung eine größere Tiefe aufweist als die erste Erhebung/Vertiefung.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2608299A1 (de) 2011-12-22 2013-06-26 Feintool Intellectual Property AG Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von metallischen Bipolarplatten
DE102012023055A1 (de) * 2012-11-26 2014-05-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Bipolarplatte sowie Brennstoffzelle mit einer solchen
DE102013208450A1 (de) 2013-05-08 2014-11-13 Volkswagen Ag Bipolarplatte, Brennstoffzelllage, Brennstoffzellenstapel und Kraftfahrzeug
DE102014019334A1 (de) 2014-12-20 2016-06-23 Daimler Ag Verfahren zur Herstellung einer Bipolarplatte und Bipolarplatte
DE102017200198A1 (de) * 2017-01-09 2018-07-12 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Brennstoffzelle für einen Brennstoffzellenstapel und Brennstoffzellenstapel
US10243230B2 (en) 2014-11-10 2019-03-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fuel battery
DE102020203069A1 (de) 2020-03-11 2021-09-16 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Brennstoffzelle, Brennstoffzellenstapel
DE102015114636B4 (de) 2014-09-10 2022-04-07 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) Verfahren zum Zusammenbauen eines Brennstoffzellenstapels
DE102021113597A1 (de) 2021-05-26 2022-12-01 Trumpf Laser Gmbh Verfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung zur Herstellung einer Bipolarplatte
WO2023001870A1 (de) 2021-07-22 2023-01-26 Cellcentric Gmbh & Co. Kg Bipolarplatte für eine brennstoffzelle
US11894584B2 (en) 2021-03-26 2024-02-06 Reinz-Dichtungs-Gmbh Bipolar plate with a positioning opening, and method for the production thereof

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3022398B1 (fr) * 2014-06-13 2019-01-25 Safran Aircraft Engines Structure et procede de fabrication ameliores pour une plaque bipolaire de pile a combustible
CN106887597B (zh) * 2015-12-15 2019-06-04 中国科学院大连化学物理研究所 一种孔径梯度分布的水传输板及其制备方法
DE102017202048A1 (de) 2017-02-09 2018-08-09 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Bipolarplatte und Brennstoffzellenstapel
CN110323466A (zh) * 2019-07-09 2019-10-11 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所) 一种新型燃料电池石墨双极板结构
NL2025282B1 (en) * 2020-04-06 2021-10-27 Borit N V Welding bump for laser welding and method of manufacturing a welding bump
DE102021204837A1 (de) 2021-05-12 2022-11-17 Cellcentric Gmbh & Co. Kg Metallische Bipolarplatte und Verfahren zum selektiven Auftrag von Beschichtungen auf eine Bipolarplatte

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6261710B1 (en) * 1998-11-25 2001-07-17 Institute Of Gas Technology Sheet metal bipolar plate design for polymer electrolyte membrane fuel cells
DE10331406A1 (de) * 2003-07-10 2005-01-27 Behr Gmbh & Co. Kg Vorrichtung mit Mitteln zur Führung von Fluiden und Verfahren zum Betreiben einer solchen Vorrichtung
US20090188099A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Keyser Mark W Pre-nesting of the active area on plates to reduce thickness variation

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10158772C1 (de) * 2001-11-23 2003-06-26 Reinz Dichtungs Gmbh & Co Kg Brennstoffzellensystem
DE102004016318A1 (de) * 2004-03-30 2005-10-20 Reinz Dichtungs Gmbh Bipolarplatte sowie Verfahren zu deren Herstellung und ein die Bipolarplatte enthaltendes elektrochemisches System
KR100901568B1 (ko) * 2006-12-12 2009-06-08 현대자동차주식회사 연료전지용 금속분리판의 제조방법
US8568940B2 (en) * 2007-05-24 2013-10-29 GM Global Technology Operations LLC Joining bipolar plates using localized electrical nodes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6261710B1 (en) * 1998-11-25 2001-07-17 Institute Of Gas Technology Sheet metal bipolar plate design for polymer electrolyte membrane fuel cells
DE10331406A1 (de) * 2003-07-10 2005-01-27 Behr Gmbh & Co. Kg Vorrichtung mit Mitteln zur Führung von Fluiden und Verfahren zum Betreiben einer solchen Vorrichtung
US20090188099A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Keyser Mark W Pre-nesting of the active area on plates to reduce thickness variation

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2608299A1 (de) 2011-12-22 2013-06-26 Feintool Intellectual Property AG Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von metallischen Bipolarplatten
US9630233B2 (en) 2011-12-22 2017-04-25 Feintool International Holding Ag Method and apparatus to manufacture metallic bipolar plates
DE102012023055A1 (de) * 2012-11-26 2014-05-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Bipolarplatte sowie Brennstoffzelle mit einer solchen
DE102013208450A1 (de) 2013-05-08 2014-11-13 Volkswagen Ag Bipolarplatte, Brennstoffzelllage, Brennstoffzellenstapel und Kraftfahrzeug
DE102015114636B4 (de) 2014-09-10 2022-04-07 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) Verfahren zum Zusammenbauen eines Brennstoffzellenstapels
US10243230B2 (en) 2014-11-10 2019-03-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fuel battery
DE102015118185B4 (de) 2014-11-10 2019-07-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Brennstoffbatterie
DE102014019334A1 (de) 2014-12-20 2016-06-23 Daimler Ag Verfahren zur Herstellung einer Bipolarplatte und Bipolarplatte
DE102017200198A1 (de) * 2017-01-09 2018-07-12 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Brennstoffzelle für einen Brennstoffzellenstapel und Brennstoffzellenstapel
DE102020203069A1 (de) 2020-03-11 2021-09-16 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Brennstoffzelle, Brennstoffzellenstapel
US11894584B2 (en) 2021-03-26 2024-02-06 Reinz-Dichtungs-Gmbh Bipolar plate with a positioning opening, and method for the production thereof
DE102021113597A1 (de) 2021-05-26 2022-12-01 Trumpf Laser Gmbh Verfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung zur Herstellung einer Bipolarplatte
WO2023001870A1 (de) 2021-07-22 2023-01-26 Cellcentric Gmbh & Co. Kg Bipolarplatte für eine brennstoffzelle
DE102021207840A1 (de) 2021-07-22 2023-01-26 Cellcentric Gmbh & Co. Kg Bipolarplatte für eine Brennstoffzelle

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