DE102009025655A1

DE102009025655A1 - Optische Komponente zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie

Info

Publication number: DE102009025655A1
Application number: DE102009025655A
Authority: DE
Inventors: Holger Weigand; Michael Layh; Martin Endres; Ralf STÜTZLE; Christian Laubis; Sebastian Dörn; Michael Ricker
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2008-08-27
Filing date: 2009-06-17
Publication date: 2010-03-04

Abstract

Eine optische Komponente (6) dient zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie. Die optische Komponente (6) hat einen für EUV-Beleuchtungslicht (3) zumindest teiltransparenten Grundkörper (21). Eine Grenzfläche (24 bis 26) der optischen Komponente (6) zum Durchtritt des Beleuchtungslichts (3), das über die Brechung des Beleuchtungslichts (3) an der Grenzfläche (24 bis 26) eine Austritts-Divergenz (sigmaSS) des Beleuchtungslichts (3) erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz des Beleuchtungslichts (3). Zudem ist die optische Komponente (6) als EUV-Bandpass ausgeführt. Es resultiert eine optische Komponente, mit der sich eine Verbesserung der Fernfeldverteilung insbesondere abgeschatteter EUV-Nutzstrahlungsbündel erreichen lässt, wobei die Gesamttransmission des Beleuchtungssystems möglichst erhalten ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine optische Komponente zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen optischen Komponente, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes strukturiertes Bauelement.
Beleuchtungssysteme für Projektionsbelichtungsanlagen der EUV-Mikrolithographie sind bekannt unter anderem aus der EP 1 796 147 A1 . Optische Komponenten zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem sind weiterhin bekannt aus der WO 2005/119365 A2 und der JP 2005/294622 A .
EUV-Lichtquellen der bekannten Beleuchtungssysteme haben oftmals Kollektoren zum Sammeln des EUV-Beleuchtungslichts. Der Aufbau der EUV-Lichtquellen und insbesondere der Aufbau der EUV-Kollektoren bedingt, dass im Fernfeld ein EUV-Nutzstrahlungsbündel charakteristische Abschattungen aufweist, die dessen Verwendung zur Vorgabe definierter Beleuchtungsverhältnisse erschweren.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische Komponente anzugeben, mit der sich eine Verbesserung der Fernfeldverteilung insbesondere bereichsweise abgeschatteter EUV-Nutzstrahlungsbündel erreichen lässt, wobei die Gesamttransmission des Beleuchtungssystems möglichst erhalten ist.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gemäß einem ersten Aspekt gelöst durch eine optische Komponente zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie mit einem für EUV-Beleuchtungslicht zumin dest teiltransparenten Grundkörper mit mindestens einer derart unebenen Grenzfläche zum Durchtritt des Beleuchtungslichts das über die Brechung des Beleuchtungslichts an der Grenzfläche eine Austritts-Divergenz (σ_ss) des Beleuchtungslichts erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz des Beleuchtungslichts.
Die erfindungsgemäße optische Komponente sorgt für eine Streufunktion in Transmission. Im Gegensatz zu bereits bekannt gewordenen erfindungsgemäßen optischen EUV-Streukomponenten, die in Reflexion arbeiten, führt die erfindungsgemäße Transmissions-Streukomponente nicht zu einer Umlenkung des EUV-Beleuchtungslichts. Zudem wirkt sich eine beispielsweise thermische Deformation der erfindungsgemäßen Streukomponente praktisch nicht auf die Qualität des EUV-Beleuchtungslichts nach der Streukomponente aus. Die mindestens eine unebene Grenzfläche der erfindungsgemäßen optischen Streukomponente kann beispielsweise durch Sandstrahlen hergestellt werden. Soweit der Grundkörper der optischen Komponente aus mehreren Grundkörperschichten aufgebaut ist, reicht es oftmals aus, wenn mindestens eine der Grundkörperschichten eine erfindungsgemäß unebene Grenzfläche aufweist, die dann beispielsweise auch durch Sandstrahlen hergestellt sein kann. Die Divergenzvergrößerung durch die erfindungsgemäße Streukomponente kann auf einer Brechung des EUV-Beleuchtungslichts an der mindestens einen unebenen Grenzfläche beruhen. Eine derartige Brechung ermöglicht eine verlustarme divergenzerhöhende Wirkung der erfindungsgemäßen optischen Komponente. Die Divergenz kann absolut beispielsweise um mehr als 0,1°, bevorzugt um mehr als 0,25°, mehr bevorzugt um 0,4°, mehr bevorzugt um 0,42° erhöht werden. Auch stärkere Vergrößerungen der Austritts-Divergenz, beispielsweise um 1°, um 2° oder um noch größere Divergenzerhöhungen durch die erfindungsgemäße optische Komponente sind möglich. Der Grundkörper hat mindestens eine Tiefpass-Grundkörperschicht aus einem Material, das für dem Ziel-Wellenlängenbereich direkt benachbarte Wellenlängen, die größer sind als ein vorgegebener Ziel-Wellenlängenbereich, für das Beleuchtungslicht eine Transmission aufweisen, die mindestens um einen Faktor 10 geringer ist als eine maximale Transmission des Grundkörpers im Ziel-Wellenlängenbereich. Eine derartige Materialwahl für eine Tiefpass-Grundkörperschicht führt zu einer optischen Komponente, die neben der Divergenzerhöhung auch die Funktion eines Kantenfilters zum Blocken zu großer Wellenlängen hat. Insbesondere thermische Wellenlängen, die im weiteren Beleuchtungssystem stören, können auf diese Weise ausgefiltert werden. Der Grundkörper hat zumindest eine Hochpass-Grundkörperschicht aus einem Material, das für dem Ziel-Wellenlängenbereich direkt benachbarte Wellenlängen, die kleiner sind als ein vorgegebener Ziel-Wellenlängebereich, für das Beleuchtungslicht eine Transmission aufweist, die um mindestens einen Faktor 10 geringer ist als eine maximale Transmission des Grundkörpers im Ziel-Wellenlängenbereich. Eine derartige Hochpass-Grundkörperschicht blockt zu geringe Wellenlängen, die, da Beschichtungen nachfolgender Komponenten des Beleuchtungssystems nicht auf diese Wellenlängen ausgelegt sind, in der Regel ebenfalls störend sind. Eine Verbindung zweier Grundkörperschichten, von denen eine zu große und eine zu kleine Wellenlängen blockt, kann dann als Bandpass-Filter kombiniert werden. Die erfindungsgemäße optische Komponente vereint dann die Funktionen ”Divergenzerhöhung” und ”Bandpass”. Soweit ein entsprechender Bandpass-Filter bei einem Beleuchtungssystem ohnehin zum Einsatz kommt, kann die zusätzliche Funktion ”Divergenzerhöhung” genutzt werden, ohne dass hierdurch eine weitere transmissionsmindernde Komponente im Strahlengang des EUV-Beleuchtungslichts eingesetzt zu werden braucht. Materialvarianten für die Tiefpass- und die Hochpass-Grundkörperschicht können denen entsprechen, die in der DE 101 36 620 A1 und der DE 101 09 242 C1 beschrieben sind.
Die mindestens eine unebene Grenzfläche kann eine externe Grenzfläche des Grundkörpers sein. Es handelt sich dann um die Eintritts- und/oder Austrittsfläche des Grundkörpers. Da an diesen externen Grundflächen der Brechungsindexunterschied groß ist, ist hier auch die divergenzerhöhende Wirkung der erfindungsgemäß unebenen Grenzfläche hoch.
Zwei derart unebene Grenzflächen der optischen Komponente zum Durchtritt des Beleuchtungslichts, das über die Brechung des Beleuchtungslichts an den Grenzflächen eine Austritts-Divergenz des Beleuchtungslichts erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz des Beleuchtungslichts, ermöglichen eine kombinierte divergenzerhöhende Wirkung der erfindungsgemäßen optischen Komponente.
Der Grundkörper der optischen Komponente kann aus mindestens zwei vom Beleuchtungslicht zu durchtretenden Grundkörperschichten aufgebaut sein, wobei die mindestens eine unebene Grenzfläche eine interne Grenzfläche des Grundkörpers zwischen benachbarten der Grundkörperschichten ist. Dies führt dann zu einer effektiven divergenzerhöhenden Wirkung, wenn der Brechungsindexunterschied zwischen den Materialen, aus denen die benachbarten Grundkörperschichten aufgebaut sind, entsprechend hoch ist.
Die unebene Grenzfläche der optischen Komponente kann Wölbungsstrukturen aufweisen, deren mittlerer Durchmesser um mindestens einen Faktor 10 größer ist als eine Wellenlänge des innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage einzusetzenden Beleuchtungslichts. Derartige Wölbungsstrukturen können als Eindellungen bzw. Kavitäten und/oder als Erhebungen ausgebildet sein. Das Größenverhältnis sorgt dafür, dass die Wirkung der erfindungsgemäßen optischen Komponente tatsächlich eine brechende und keine beugende Wirkung ist.
Entsprechende Vorteile gelten für eine Wahl des mittleren Abstandes benachbarter Wölbungsstrukturen mit einem mittleren Abstand, der um mindestens einen Faktor 10 größer ist als die Wellenlänge des innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage einzusetzenden Beleuchtungslichts.
Die Tiefpass-Grundkörperschicht kann aus mindestens einem der folgenden Materialien gefertigt sein: Zr, ZrC, ZrN, ZrSiN, Nb. Derartige Materialvarianten haben sich zum Einsatz als Kantenfilter als vorteilhaft herausgestellt.
Die Hochpass-Grundkörperschicht kann aus mindestens einem der folgenden Materialien gefertigt sein: Si₃N₄, Si, SiC. Die Vorteile derartiger Materialien entsprechen denen der vorstehend in Zusammenhang mit dem Kantenfilter zum Blocken zu großer Wellenlängen bereits angesprochener Materialien.
Die eingangs genannte Aufgabe ist gemäß einem zweiten Aspekt gelöst durch eine optische Komponente zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie mit einem Grundkörper, der so ausgeführt ist, dass er eine Divergenz (σ_ss) von dem Grundkörper beaufschlagenden EUV-Beleuchtungslicht erhöht, wobei der Grundkörper aus einem Material gefertigt ist, das einerseits für Wellenlängen, die kleiner sind und andererseits für Wellenlängen, die größer sind als ein vorgegebener Ziel-Wellenlängenbereich, für das Beleuchtungslicht eine Transmission aufweist, die um mindestens einen Faktor 10 geringer ist als eine Transmission des Grundkörpers im Ziel-Wellenlängenbereich.
Grundsätzlich kann die erfindungsgemäße optische Komponente nach diesem zweiten Aspekt auch als reflektive divergenzerhöhende optische Komponente ausgeführt sein, sofern sie gleichzeitig die Bandpasswirkung hat.
Die Vorteile dieser weiteren erfindungsgemäßen optischen Komponente entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit der Kombination der Funktionen ”Divergenzerhöhung” und ”Bandpassfilter” bereits erläutert wurden.
Diese weitere erfindungsgemäße optische Komponente kann als zusätzliche strukturelle Merkmale und Eigenschaften diejenigen aufweisen, die vorstehend in Zusammenhang mit der ersten erfindungsgemäßen optischen Komponente bereits erläutert wurden. Grundsätzlich kann die erfindungsgemäße optische Komponente nach diesem zweiten Aspekt auch als reflektive divergenzerhöhende optische Komponente ausgeführt sein, sofern sie gleichzeitig die Bandpasswirkung hat.
Ziel-Wellenlängenbereiche zwischen 5 nm und 30 nm, bevorzugt zwischen 10 nm und 17 nm und noch mehr bevorzugt zwischen 12,5 nm und 14,5 nm, sind für typische EUV-Lichtquellen zugänglich und erlauben eine hohe Strukturauflösung bei der Mikrolithografie. Bei diesen Ziel-Wellenlängenbereichen ist eine unnötige thermische Belastung von der optischen Streukomponente nachfolgenden optischen Komponenten, die mit dem Beleuchtungslicht beaufschlagt werden, vermieden.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems mit mindestens einer erfindungsgemäßen optischen Komponente und mit mindestens einer EUV-Lichtquelle entsprechen denen der vorstehend erläuterten erfindungsgemäßen optischen Komponenten. Als Lichtquelle kann insbesondere eine LPP-(Laser Produced Plasma-, laserproduziertes Plasma)Lichtquelle oder eine DPP-(Discharge Produced Plasma-, gasentladungserzeugtes Plasma)Lichtquelle zum Einsatz kommen.
Die optische Komponente kann nach einem Zwischenfokus des Beleuchtungslichts im der Lichtquelle folgenden Strahlengang angeordnet sein. Eine derartige Position der erfindungsgemäßen optischen Komponente ist vorteilhaft früh im Strahlengang des EUV-Beleuchtungslichts, sodass nicht genutzte Wellenlängen nur längs eines vergleichsweise geringen Weges unerwünscht mitgeführt werden. Es ist auch möglich, die optische Komponente im Zwischenfokus des Beleuchtungslichts oder auch vor dem Zwischenfokus des Beleuchtungslichts anzuordnen.
Ein Abstandsverhältnis A/B zwischen einem Abstand A der optischen Komponente zum Zwischenfokus und einem Abstand B der optischen Komponente zu einer mit der Beleuchtungssystem zu beleuchtenden Objektebene oder einer zu dieser Objektebene konjugierten und der optischen Komponente nächst benachbarten Feldebene im Strahlengang des Beleuchtungslichts nach der optischen Komponente kann kleiner sein als 1/4. Ein derartiges Abstandsverhältnis sorgt dafür, dass sich die divergenzerhöhende Wirkung der erfindungsgemäßen optischen Komponente nicht unerwünscht auf die Einstellung von Beleuchtungsparametern für das mit dem Beleuchtungssystem auszuleuchtende Objektfeld auswirkt. Beispielsweise wird eine Abbildung der Lichtquelle auf Pupillenfacetten eines Pupillenfacettenspiegels beim Einsatz eines Beleuchtungssystems mit einem Feldfacettenspiegel in einer Feldebene und einem Pupillenfacettenspiegel in einer Pupillenebene einer nachfolgenden Projektionsoptik, solange ein derartiges Abstandsverhältnis gewahrt bleibt, allenfalls gering gestört. Auch ein kleineres Abstandsverhältnis ist möglich, beispielsweise ein Verhältnis A/B von 1 zu 5 oder ein noch kleineres Abstandsverhältnis. Je nach der Auslegung der Beleuchtungsoptik, die der Lichtquelle vor dem zu beleuchtenden Objektfeld nachfolgt, kann auch ein Abstandsverhältnis A/B realisiert sein, das größer ist als 1/4. In der Regel ist das Abstandsverhältnis A/B kleiner als 1:1.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld, eines zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Wafers auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichem Material aufgebracht ist, Bereitstellen eines Retikels, das abzubildende Strukturen aufweist, Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 15, Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels auf einen Bereich der Schicht des Wafers mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage, und eines Bauteiles, das mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße optische Komponente und auf das erfindungsgemäße Beleuchtungssystem bereits erläutert wurden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch und in Bezug auf ein Beleuchtungssystem im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie;
2 eine Ausschnittsvergrößerung aus 1 im Bereich einer optischen Streukomponente, angeordnet zwischen einem Zwischenfokus nach einer Lichtquelle einerseits und einem Feldfacettenspiegel des Beleuchtungssystems andererseits;
3 eine Intensitätsverteilung von Beleuchtungslicht auf dem Feldfacettenspiegel;
4 gegenüber 2 nochmals vergrößert die optische Streukomponente in einer Ausführung, bei der sämtliche Grenzflächen uneben gestaltet sind;
5 eine Ausschnittsvergrößerung von Detail V in 4 zur Veranschaulichung eines ersten durch die optische Streukomponente erzeugten Streuwinkels an einer Austritts-Grenzfläche der optischen Streukomponente;
6 und 7 zu 5 ähnliche Darstellungen zur Veranschaulichung weiterer, an der Austritts-Grenzfläche erzeugter Streuwinkel des Beleuchtungslichts; und
8 eine weitere Ausführung einer Austritts-Grenzfläche der optischen Streukomponente zur Erzeugung einer vorgegebenen Streuwinkel-Bandbreite.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Licht-quelle 2 kann es sich um eine LPP-(Laser Produced Plasma-, laserproduziertes Plasma)Lichtquelle oder um eine DPP-(Discharge Produced Plasma-, gasentladungserzeugtes Plasma)Lichtquelle handeln. Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird Beleuchtungslicht in Form eines Nutzstrahlungsbündels 3 genutzt. Ein für die EUV-Projektionsbelichtung genutztes Wellenlängenband bzw. ein Ziel-Wellenlängenbereich des Nutzstrahlungsbündels 3 liegt beispielsweise bei 13,5 nm ± 1 nm. Auch ein anderer Ziel-Wellenlängenbereich, beispielsweise zwischen 10 nm und 17 nm, ist möglich. Die Bandbreite des genutzten Wellenlängenbandes kann zwischen 0,1 nm und 2 nm liegen. Das Nutzstrahlungsbündel 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau handeln kann. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das Nutzstrahlungsbündel 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des Nutzstrahlungsbündels 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das Nutzstrahlungsbündel 3 zunächst auf eine optische Komponente 6 in Form einer optischen Streukomponente, die noch beschrieben wird, und nachfolgend auf einen Feldfacettenspiegel 7.
Der Feldfacettenspiegel 7 weist, wie dies aus dem Stand der Technik bekannt ist, eine Facettenanordnung von Feldfacetten auf. Diese Feldfacetten sind rechteckig oder bogenförmig und haben jeweils das gleiche Aspektverhältnis. Die Feldfacetten geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 7 vor und sind in mehreren Spalten in Feldfacettengruppen gruppiert, wie dies aus dem Stand der Technik ebenfalls bekannt ist.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach links. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.
Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 7 trifft das in Strahlbüschel bzw. in Ausleuchtungskanäle, die den einzelnen Feldfacetten zugeordnet sind, aufgeteilte Nutzstrahlungsbündel 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 8.
Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 8 sind rund, wie dies aus dem Stand der Technik bekannt ist. Die Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 8 sind um ein Zentrum herum in ineinander liegenden Facettenringen angeordnet. Jedem von einer der feldfacettenreflektierten Strahlbüschel des Nutzstrahlungsbündels 3 ist eine Pupillenfacette zugeordnet, sodass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten und einer der Pupillenfacetten einen Strahlführungs- bzw. Ausleuchtungskanal für das zugehörige Strahlbüschel des Nutzstrahlungsbündels 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten zu den Feldfacetten erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1. Zur Ansteuerung bestimmter Spiegelfacetten sind die Feldfacetten individuell verkippt.
Über den Pupillenfacettenspiegel 8 und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 9, 10, 11 bestehende Übertragungsoptik 12 werden die Feldfacetten in eine Objektebene 13 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 11 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence-Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 13 ist ein Retikel 14 angeordnet, von dem mit dem Nutzstrahlungsbündel 3 ein Objektfeld 15 einer nachgelagerten Projektionsoptik 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 ausgeleuchtet wird. Das Nutzstrahlungsbündel 3 wird vom Retikel 14 reflektiert.
Die Projektionsoptik 16 bildet das Objektfeld 15 in der Objektebene 13 in ein Bildfeld 17 in einer Bildebene 18 ab. In dieser Bildebene 18 ist ein Wafer 19 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 14 als auch der Wafer 19 in y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung wird nachfolgend auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet.
Die optische Streukomponente 6, der Feldfacettenspiegel 7, der Pupillenfacettenspiegel 8 sowie die Spiegel 9 bis 11 der Übertragungsoptik 12 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 20 sowie einer Lichtquelle 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1.
Die optische Streukomponente 6 hat, wie stärker im Detail in den diesen schematischen Querschnitt zeigenden 2 und 4 dargestellt, einen für das Nutzstrahlungsbündel, also für den genutzten Anteil des EUV-Beleuchtungslichts 3, transparenten Grundkörper 21. Eine maximale Transmission des Grundkörpers 21 für das Nutzstrahlungsbündel liegt beispielsweise im Bereich zwischen 0,5 bis 0,8, d. h. 50% bis 80% des einfallenden Beleuchtungslichts 3 werden vom Grundkörper 21 durchgelassen. Eine Transmission außerhalb des Ziel-Wellenlängenbereichs, beispielsweise bei 200 nm, kann beispielsweise bei weniger als 1% liegen. Auch im sichtbaren und im infraroten Wellenlängenbereich kann die Transmission der optischen Streukomponente 6 kleiner sein als 1%. Der nicht maßstabsgerecht dargestellte Grundkörper 21 ist zur Optimierung seiner Transmission extrem dünn ausgeführt und hat in der Regel eine Stärke, die deutlich geringer ist als 1 μm. Die optische Streukomponente 6 stellt hinsichtlich ihrer optischen Wirkung bei der gezeigten Ausführung eine optische Brechungskomponente dar. Der Grundkörper 21 ist aufgebaut aus zwei Grundkörperschichten, nämlich einer Eintritts-Grundkörperschicht 22 und einer Austritts-Grundkörperschicht 23. Die Eintritts-Grundkörper-schicht 22 ist aus einem Material, das für Wellenlängen, die kleiner sind als ein vorgegebener Ziel-Wellenlängenbereich um die Wellenlänge 13,5 nm, für das Beleuchtungslicht 3 eine Transmission aufweist, die mindestens einen Faktor 10 geringer ist als eine Transmission des Grundkörpers 21 in diesem Ziel-Wellenlängenbereich. Bei der dargestellten Ausführung ist die Eintritts-Grundkörperschicht 22 aus Si₃N₄, also aus Siliziumnitrid. Das Si₃N₄ hat bei einer Dichte von 3,44 g/cm³ einen Realteil des Brechungsindex von 0,9731.
Alternativ kann die Eintritts-Grundkörperschicht 22 auch aus Silizium (Si) oder aus Siliziumcarbid (SiC) gefertigt sein.
Die Austritts-Grundkörperschicht 23 ist aus einem Material, das für Wellenlängen, die größer sind als der Ziel-Wellenlängenbereich für das Beleuchtungslicht 3 eine Transmission aufweist, die mindestens einen Faktor 10 geringer ist als die Transmission des Grundkörpers 21 im Ziel-Wellenlängenbereich. Bei der dargestellten Ausführung ist die Austritts-Grundkörperschicht 23 aus Zirkon (Zr). Alternativ kann die Austritts-Grundkörperschicht 23 auch aus Zirkoncarbid (ZrC) oder aus Zirkonnitrid (ZrN) gefertigt sein.
Aufgrund der vorstehend erläuterten Transmissionskanten einerseits der Eintritts-Grundkörperschicht 22 und andererseits der Austritts-Grundkörperschicht 23 stellt der Grundkörper 21 einen Bandpass-Filter dar, mit dem das nutzbare Wellenlängenband des Beleuchtungslichts 3 auf die eingangs genannten Werte eingeschränkt wird. Das vom Bandpass-Filter durchgelassene Wellenlängenband Δλ kann zur durchgelassenen absoluten Wellenlänge λ in einem Verhältnis von Δλ/λ = 1% stehen.
Der Grundkörper 21 hat aufgrund seines Zweischicht-Aufbaus eine Eintritts-Grenzfläche 24, also die Oberfläche der Eintritts-Grundkörperschicht 22, in die das Beleuchtungslicht 3 eintritt, eine interne Grenzfläche 25 für den Durchtritt des Beleuchtungslichts 3 zwischen den Grundkörperschichten 22, 23 und eine Austritts-Grenzfläche 26, also die Ober fläche der Austritts-Grundkörperschicht 23, durch die das Beleuchtungslicht 3 aus dieser und dem Grundkörper 21 austritt. Bei der Eintritts-Grenzfläche 24 und der Austritts-Grenzfläche 26 handelt es sich jeweils um Grenzflächen Festkörper/Gasraum bzw. Festkörper/Vakuum. Die Eintritts-Grenzfläche 24 und die Austrittsgrenzfläche 26 stellen daher externe Grenzflächen des Grundkörpers 21 dar.
Die Eintritts-Grundkörperschicht 22 wird durch CVD (Chemical Vapor Deposition, chemische Gasphasenabscheidung) auf einem Trägerkörper hergestellt, von dem die Eintritts-Grundkörperschicht 22 nachträglich entfernt wird. Die Austritts-Grundkörperschicht 23 wird ebenfalls mit Hilfe eines CVD-Verfahrens auf der Eintritts-Grundkörperschicht 22 aufgebracht.
Die Grenzflächen 24, 25, 26 weisen jeweils charakteristische Unebenheiten 27 bzw. 28 auf. Die Unebenheiten 27 stellen Vertiefungen in der jeweiligen Grenzfläche 24 bis 26 gegenüber der sonstigen Grenzfläche dar und werden auch als Kavitäten bezeichnet. Die Unebenheiten 28 stellen Erhebungen über die sonstige Grenzfläche dar.
Dargestellt ist in der 2 schematisch eine Variante der optischen Streukomponente 6, bei der die Eintritts-Grenzfläche 24 und die interne Grenzfläche 25 ohne derartige Unebenheiten 27, 28 ausgeführt sind. Die Austritts-Grenzfläche 26 weist die Kavitäten 27 auf.
4 zeigt eine Ausführung der optischen Streukomponente 6, bei der die Eintritts-Grenzfläche 24 und die Austritts-Grenzfläche 26 die Kavitäten 27 aufweist. Die Eintritts-Grundkörperschicht 22 weist an der internen Grenzfläche 25 die Kavitäten 27 auf. Die Austritts-Grundkörperschicht 23 weist an der internen Grenzfläche 25 die Erhebungen 28 auf.
Die Kavitäten 27 und die Erhebungen 28 sind in den 2 bis 4, was ihre Größe, ihre Verteilung, ihre Anzahl und ihren Abstand zueinander angeht, lediglich schematisch und nicht maßstabsgetreu dargestellt.
Die Kavitäten 27 und die Erhebungen 28 stellen Wölbungsstrukturen dar, deren Durchmesser D um mindestens einen Faktor 10 größer ist als die Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3. Die optische Streukomponente 6 hat Kavitäten 27 bzw. Erhebungen 28 mit einem typischen Durchmesser im Bereich zwischen 1 μm und 40 μm, insbesondere im Bereich zwischen 1 μm und 10 μm. Es handelt sich hierbei um mittlere Durchmesser dieser Wölbungsstrukturen 27, 28. Auch andere derartige mittlere Durchmesser der Wölbungsstrukturen 27, 28, die mehr als zehnmal so groß sind wie die Wellenlängen des Ziel-Wellenlängenbereichs des Beleuchtungslichts 3, sind möglich.
Der mittlere Abstand A benachbarter Wölbungsstruktur 27, 28 ist ebenfalls um mindestens einen Faktor 10 größer als die Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3 und beträgt bei der optischen Streukomponente 6 ebenfalls zwischen 1 μm und 40 μm, insbesondere im Bereich zwischen 1 μm und 10 μm, wobei auch hier andere mittlere Abstände möglich sind, die größer sind als das zehnfache der Wellenlängen des Ziel-Wellenlängenbereichs.
Die Unebenheit zumindest einer der Grenzflächen 24 bis 26 der Ausführungen der optischen Streukomponente 6 nach den 2 und 4 führt dazu, dass über die Berechung des Beleuchtungslichts 3 an dieser Grenzfläche eine Austritts-Divergenz des Beleuchtungslichts 3 erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz des Beleuchtungslichts 3. Dies wird nachfolgend anhand der 5 bis 7 erläutert, die eine Ausschnittsvergrößerung der 4 zeigen, also im Meridionalschnitt exakt die Hälfte einer der Kavitäten 27 der Austritts-Grenzfläche 26 des Austritts-Grundkörpers 23. 5 zeigt die Verhältnisse bei einem eintretenden Beleuchtungsstrahl 3₁ auf Höhe H₁ über einer zur Strahlrichtung des Beleuchtungsstrahls 3₁ parallelen Scheitelebene S der Kavität 27. Ein Eintrittswinkel α₁ des Beleuchtungsstrahls 3₁ in Bezug auf die Austritts-Grenzfläche 26 beträgt 45°. Aufgrund der Brechung an der Austritts-Grenzfläche 26 ergibt sich zwischen der Eintritts-Strahlrichtung und Austritts-Strahlrichtung des Beleuchtungsstrahls 3₁ ein Streuwinkel S₁ von 2,36°. Hier wird ein Realteil des Brechungsindex von Zirkon (Dichte: 6,49 g/cm³) bei einer Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3 von 13,5 nm mit einem Wert von 0,9578 berücksichtigt.
6 und 7 zeigen die entsprechenden Verhältnisse für auf den Höhen H₂, H₃ eintretende Beleuchtungsstrahlen 3₂ und 3₃ .
Beim gemäß 6 auf Höhe H₂ eintretenden Beleuchtungsstrahlbündel 3₂ resultiert ein Eintrittswinkel α₂ von 10° und ein Streuwinkel S₂ von 0,99°.
Beim gemäß 7 auf Höhe H₃ eintretenden Beleuchtungsstrahlbündel 3₃ resultiert ein Eintrittswinkel α₃ von 22,5° und ein Streuwinkel S₃ von 0,42°.
2 verdeutlicht die Verhältnisse bei einer Erzeugung des Streuwinkels S₃ von 0,42° an der Austritts-Grenzfläche 26 der optischen Streukomponente 6. Die optische Streukomponente 6 ist dabei so zwischen der Zwischen-Fokusebene 5 und dem Feldfacettenspiegel 7 angeordnet, dass ein Abstandsverhältnis A/B zwischen einem Abstand A der optischen Streukomponente 6 zur Zwischenfokusebene 5 und einem Abstand B der optischen Streukomponente 6 zum Feldfacettenspiegel 7 etwa 1/6 beträgt. Auch andere Abstandsverhältnisse A/B, die kleiner sind als ¼, sind möglich, beispielsweise 1/5, 1/7 oder 1/10.
Der Abstand B kann sich bei einer alternativen Ausführung des Beleuchtungssystems auch bemessen von der optischen Streukomponente 6 bis hin zu einer ersten Feldebene, die im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nach der optischen Komponente 6 angeordnet ist. Es muss sich also nicht zwingend um den Abstand zwischen der optischen Streukomponente 6 und dem Feldfacettenspiegel 7 handeln. Die optische Streukomponente 6 kann vielmehr auch bei Beleuchtungssystemen zum Einsatz kommen, bei denen ein spekularer Reflektor zum Einsatz kommt oder bei denen der Feldfacettenspiegel in einer späteren, optisch konjugierten Feldebene angeordnet ist.
Ein aus Richtung der zwischen Fokusebene 5 in die optische Streukomponente 6 eintretender Beleuchtungsstrahl 3e, der in der modellhaften Darstellung nach 2 als divergenzfrei dargestellt ist, wird an der Austritts-Grenzfläche 26 der optischen Streukompo nente 6 so gebrochen, dass er eine Divergenz σ_ss von 0,42° erfährt, die also dem vorstehend im Zusammenhang mit der 7 beschriebenen Streuwinkel S₃ entspricht. Es resultiert ein aus der optischen Streukomponente 6 austretendes Beleuchtungsstrahlbündel 3a mit der Divergenz σ_ss. Aufgrund der durch die optische Streukomponente 6 erzeugten Divergenz σ_ss resultiert am Ort des Feldfacettenspiegels 7 ein Streufleck mit einer typischen Ausdehnung σa. Die absolute Größe von σa ergibt sich geometrisch aus den Größen σ_ss und B.
3 zeigt die Auswirkungen der optischen Streukomponente 6 auf ein Fernfeld 29 des gesamten Nutzstrahlungsbündels 3 am Ort des Feldfacettenspiegels 7. Das Fernfeld 29 ergibt sich angenähert durch zwei Halbkreise, die vertikal voneinander beabstandet sind. Aufgrund der Streuwirkung der optischen Streukomponente 6 wirkt sich eine Abschattung des Nutzstrahlungsbündels 3 durch am Kollektor 4 vorliegende Speichen bzw. Stege, die in der 3 beispielhaft an einem Ort durch zwei gestrichelte Begrenzungslinien 30 angedeutet ist, nicht mehr als Intensitätseinbruch im Fernfeld 29 aus. Im Bereich der beiden angenäherten Halbkreise liegt eine kontinuierliche Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 3 vor, die entsprechend ohne Bruch genutzt werden kann.
Die über die optische Streukomponente 6 ausgleichende Wirkung der Beleuchtung des Feldfacettenspiegels 7 führt zu einer Verbesserung der Uniformität der Ausleuchtung des Objektfeldes 15. Im Vergleich zur Situation ohne die Streuwirkung der optischen Streukomponente 6 ergibt sich eine Verbesserung einer Annäherung eines Uniformitätswerts U an einen Idealwert um bis zu einen Faktor 3. Die Uniformität ist dabei definiert als die maximale Abweichung der scanintegrierten Gesamtenergie des Beleuchtungslichts 3 an einem x-Wert (vgl. 1) des Objektfeldes 15.
Entsprechende Verbesserungen ergeben sich bei den Beleuchtungsparametern x-Telezentrie Tx, y-Telezentrie Ty sowie den Elliptizitätswerten E₄₅ und E₉₀.
tx und ty sind folgendermaßen definiert:
In jedem Feldpunkt des ausgeleuchteten Objektfeldes 15 ist ein Schwerstrahl eines diesem Feldpunkt zugeordneten Lichtbüschels definiert. Der Schwerstrahl hat dabei die energiegewichtete Richtung des von diesem Feldpunkt ausgehenden Lichtbüschels. Im Idealfall verläuft bei jedem Feldpunkt der Schwerstrahl parallel zum von der Beleuchtungsoptik 20 bzw. der Projektionsoptik 16 vorgegebenen Hauptstrahl.
Die Richtung des Hauptstrahls s →₀(x, y) ist anhand der Designdaten der Beleuchtungsoptik 20 bzw. der Projektionsoptik 16 bekannt. Der Hauptstrahl ist an einem Feldpunkt definiert durch die Verbindungslinie zwischen dem Feldpunkt und dem Mittelpunkt der Eintrittspupille der Projektionsoptik 16. Die Richtung des Schwerstrahls an einem Feldpunkt x, y im Objektfeld 15 berechnet sich zu:
E(u, v, x, y) ist die Energieverteilung für den Feldpunkt x, y in Abhängigkeit von den Pupillenkoordinaten u, v, also in Abhängigkeit vom Beleuchtungswinkel, den der entsprechende Feldpunkt x, y sieht.
E ~(x, y) = ∫dudvE(u, v, x, y) ist dabei die Gesamtenergie, mit der der Punkt x, y beaufschlagt wird.
Ein mittiger Objektfeldpunkt x₀, y₀ sieht z. B. die Strahlung von Strahlungs-Teilbündeln aus Richtungen u, v, die durch die Position der jeweiligen Pupillenfacetten definiert ist. Der Schwerstrahl s verläuft bei dieser Beleuchtung nur dann längs des Hauptstrahls, wenn sich die verschiedenen Energien bzw. Intensitäten der den Pupillenfacetten zugeordneten Strahlungs-Teilbündel zu einer über alle Pupillenfacetten integrierten Schwerstrahlrichtung zusammensetzen, die parallel zur Hauptstrahlrichtung verläuft. Dies ist nur im Idealfall so. In der Praxis existiert eine Abweichung zwischen der Schwerstrahlrich tung
(x, y) und der Hauptstrahlrichtung s →₀(x, y), die als Telezentriefehler t →(x, y) bezeichnet wird: t →(x, y) = s →(x, y) – s →0(x, y)
Korrigiert werden muss im praktischen Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht der statische Telezentriefehler bei einem bestimmten Objektfeld, sondern der bei x = x₀ scanintegrierte Telezentriefehler. Dieser ergibt sich zu:
Es wird also der Telezentriefehler korrigiert, den ein durch das Objektfeld 15 in der Objektebene 13 während des Scannens laufender Punkt (x, z. B. x₀) auf dem Retikel 14 aufintegriert erfährt. Unterschieden wird dabei zwischen einem x-Telezentriefehler (Tx) und einem y-Telezentriefehler (Ty). Der y-Telezentriefehler ist als Abweichung des Schwerstrahls vom Hauptstrahl senkrecht zur Scanrichtung definiert. Der x-Telezentriefehler ist als die Abweichung des Schwerstrahls vom Hauptstrahl in Scanrichtung definiert.
Die Elliptizität ist eine weitere Messgröße zur Beurteilung der Qualität der Ausleuchtung des Objektfeldes 15 in der Objektebene 13. Die Bestimmung der Elliptizität erlaubt dabei eine genauere Aussage über die Verteilung der Energie bzw. Intensität über die Eintrittspupille der Projektionsoptik 16. Hierzu wird die Eintrittspupille in acht Oktanten unterteilt, die wie mathematisch üblich entgegen dem Uhrzeigersinn von O₁ bis O₈ durchnumeriert sind. Der Energie- bzw. Intensitätsbeitrag, den die Oktanten O₁ bis O₈ der Eintrittspupille zur Beleuchtung eines Feldpunktes beitragen, wird nachfolgend als Energie- bzw. Intensitätsbeitrag I₁ bis I₈ bezeichnet.
Man bezeichnet als –45°/45°-Elliptizität (Elly, E_-45°/45°, E₄₅) nachfolgende Größe
und als 0°/90°-Elliptizität (Ellx, E_0°/90, E₉₀) nachfolgende Größe
Entsprechend zum vorstehend in Bezug auf den Telezentriefehler Ausgeführten kann auch die Elliptizität für einen bestimmten Objektfeldpunkt x₀, y₀ oder aber auch für eine scanintegrierte Ausleuchtung (x = x₀, y-integriert) bestimmt werden.
8 zeigt eine Variante der Austritts-Grenzfläche 26 bei der die Kavitäten 27 weniger tief im Vergleich zur sonstigen Austritts-Grenzfläche 26 ausgeführt sind, so dass als maximal aufgrund dieser Kavitäten 27 erreichbarer Streuwinkel der Streuwinkel S₂ nach 6 von 0,99 Grad erreicht wird.
Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels 14 auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf den Wafer 19 zur lithographischen Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements, insbesondere eines Halbleiterbauelements, abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel 14 und der Wafer 19 zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- EP 1796147 A1 [0002]
- WO 2005/119365 A2 [0002]
- JP 2005/294622 A [0002]
- DE 10136620 A1 [0006]
- DE 10109242 C1 [0006]

Claims

Optische Komponente (6) zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem (20) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) der EUV-Mikrolitho-graphie – mit einem für EUV-Beleuchtungslicht (3) zumindest teiltransparenten Grundkörper (21), – mit mindestens einer derart unebenen Grenzfläche (24 bis 26) zum Durchtritt des Beleuchtungslichts (3), dass über die Brechung des Beleuchtungslichts (3) an der Grenzfläche (24 bis 26) eine Austritts-Divergenz (σ_ss) des Beleuchtungslichts (3) erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz des Beleuchtungslichts (3), dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (21) aus einem Material gefertigt ist, das einerseits für Wellenlängen, die kleiner sind und andererseits für Wellenlängen, die größer sind als ein vorgegebener Ziel-Wellenlängenbereich und diesem direkt benachbart sind, für das Beleuchtungslicht (3) eine Transmission aufweist, die um mindestens einen Faktor 10 geringer ist als eine maximale Transmission des Grundkörpers (21) im Ziel-Wellenlängenbereich.
Optische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine unebene Grenzfläche eine externe Grenzfläche (24, 26) des Grundkörpers (21) ist.
Optische Komponente nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch zwei derart unebene Grenzflächen (24 bis 26) zum Durchtritt des Beleuchtungslichts (3), dass über die Brechung des Beleuchtungslichts (3) an den Grenzflächen (24 bis 26) eine Austritts-Divergenz (Σ_ss) des Beleuchtungslichts (3) erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz des Beleuchtungslichts (3).
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (21) aus mindestens zwei vom Beleuchtungslicht (3) zu durchtretenden Grundkörperschichten (22, 23) aufgebaut ist, wobei die mindestens eine unebene Grenzfläche eine interne Grenzfläche (25) des Grundkörpers (21) zwischen benachbarten der Grundkörperschichten (22, 23) ist.
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die unebene Grenzfläche (24 bis 26) Wölbungsstrukturen (27, 28) aufweist, deren mittlerer Durchmesser (D) um mindestens einen Faktor 10 größer ist als eine Wellenlänge des innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage (1) einzusetzenden Beleuchtungslichts (3).
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der mittlere Abstand (A) benachbarter Wölbungsstrukturen (27, 28) um mindestens einen Faktor 10 größer ist als die Wellenlänge des innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage (1) einzusetzenden Beleuchtungslichts (3).
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Tiefpass-Grundkörperschicht (23) des Grundkörpers (21) aus mindestens einem der folgenden Materialien ist: Zr, ZrC, ZrN, ZrSiN, Nb.
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Hochpass-Grundkörperschicht (22) des Grundkörpers (21) aus mindestens einem der folgenden Materialien ist: Si₃N₄, Si, SiC.
Optische Komponente zum Einsatz in einem Beleuchtungssystem (20) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) der EUV-Mikrolithographie – mit einem Grundkörper (21), der so ausgeführt ist, dass er eine Divergenz (σ_ss) von dem Grundkörper (21) beaufschlagenden EUV-Beleuchtungslicht (3) erhöht, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (21) aus einem Material gefertigt ist, das einerseits für Wellenlängen, die kleiner sind und andererseits für Wellenlängen, die größer sind als ein vorgegebener Ziel-Wellenlängenbereich und diesem direkt benachbart sind, für das Beleuchtungslicht (3) eine Transmission aufweist, die um mindestens einen Faktor 10 geringer ist als eine maximale Transmission des Grundkörpers (21) im Ziel-Wellenlängenbereich.
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 9, gekennzeichnet durch einen Ziel-Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 30 nm, bevorzugt zwischen 10 nm und 17 nm und noch mehr bevorzugt zwischen 12,5 nm und 14,5 nm.
Beleuchtungssystem – mit mindestens einer optischen Komponente (6) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, – mit mindestens einer EUV-Lichtquelle (2).
Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet dass die optische Komponente (6) nach einem Zwischenfokus des Beleuchtungslichts (3) im der Lichtquelle (2) folgenden Strahlengang angeordnet ist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch ein Abstandsverhältnis A/B zwischen – einem Abstand A der optischen Komponente (6) zum Zwischenfokus und – einem Abstand B der optischen Komponente (6) zu einer mit dem Beleuchtungssystem (20) zu beleuchtenden Objektebene (13) oder einer zu dieser Objektebene (13) konjugierten und der optischen Komponente (6) nächst benachbarten Feldebene im Strahlengang des Beleuchtungslichts (3) nach der optischen Komponente (6) kleiner als 1/4.
Projektionsbelichtungsanlage (1) – mit einem Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 10 bis 13, – mit einem Projektionsobjektiv (16) zur Abbildung eines Objektfeldes (15) in ein Bildfeld (17).
Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Wafers (19) auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichem Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (14), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 14, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (14) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (19) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 15.