DE102009022823A1 - Excimer lamp - Google Patents

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DE102009022823A1
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Akira Himeji Aiba
Yukihiro Himeji Morimoto
Satoshi Himeji Matsuzawa
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Ushio Denki KK
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Excimerlampe, welche ein Entladungsgefäß aus Silicaglas mit einem Entladungsraum aufweist, bei welcher ein Paar Elektroden so angeordnet ist, dass das Silicaglas des Entladungsgefäßes sich zwischen diesen befindet, bei welcher in den Entladungsraum Entladungsgas eingefüllt ist und auf der Innenoberfläche des Entladungsgefäßes eine UV-Reflexionsschicht gebildet ist, die aus Siliciumdioxid-Teilchen, welche OH-Radikale enthalten, und aus Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid besteht. Die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid-Teilchen liegt bei mindestens 10 Gew.-ppm.The invention relates to an excimer lamp having a discharge vessel of silica glass with a discharge space in which a pair of electrodes is arranged so that the silica glass of the discharge vessel is between them, in which discharge gas is filled in the discharge space and on the inner surface of the discharge vessel UV reflection layer is formed, which consists of silica particles containing OH radicals, and of fine particles having a higher melting point than silica. The concentration of OH radicals in the silica particles is at least 10 ppm by weight.

Description

Die Erfindung betrifft eine Excimerlampe, welche zur Durchführung einer Oberflächenbehandlung eines zu behandelnden Gegenstandes, wie einer Reinigung, einer Veraschung, einer Schichtbildung und dergleichen, mittels Bestrahlung mit UV-Strahlung verwendet wird.The The invention relates to an excimer lamp which is to be carried out a surface treatment of an object to be treated, such as cleaning, ashing, stratification and The like is used by irradiation with UV radiation.

In der Praxis wird ein zu behandelnder Gegenstand wie ein Glassubstrat einer Flüssigkristallanzeige, ein Halbleiterwafer oder dergleichen mit Vakuum-UV-Strahlung – also UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von höchstens 200 nm – bestrahlt, um ihn durch die Wirkung der Vakuum-UV-Strahlung oder des von dieser gebildeten Ozons zu reinigen, an der Oberfläche des zu behandelnden Gegenstandes anhaftende organische Verunreinigungen zu beseitigen oder auf der Oberfläche des zu behandelnden Gegenstandes eine Oxidschicht zu bilden.In In practice, an object to be treated becomes like a glass substrate a liquid crystal display, a semiconductor wafer or The like with vacuum UV radiation - ie UV radiation having a wavelength of at most 200 nm - irradiated, to him by the action of the vacuum UV radiation or of this ozone to be purified on the surface of the adhering organic contaminants to the treated article to eliminate or on the surface of the treated Object to form an oxide layer.

Als Vorrichtung zur Bestrahlung mit Vakuum-UV-Strahlung wird beispielsweise eine mit einer Excimerlampe versehene Vorrichtung verwendet, bei welcher in ein aus einem Dielektrikum bestehendes Entladungsgefäß Entladungsgas eingefüllt ist, bei welcher durch Anlegen einer Wechselhochspannung über das Entladungsgefäß eine Excimer-Entladung erzeugt wird und bei welcher eine Excimer-Emission als Vakuum-UV-Strahlung ausgestrahlt wird. Mit derartigen Excimerlampen wird für eine effektive Ausstrahlung noch intensiverer UV-Strahlung eine Vielzahl von Untersuchungen durchgeführt.When Apparatus for irradiation with vacuum UV radiation, for example a device provided with an excimer lamp used in which in a discharge vessel consisting of a dielectric discharge gas is filled, in which by applying a high voltage across the discharge vessel generates an excimer discharge is and in which an excimer emission as vacuum UV radiation is broadcast. With such Excimerlampen is for an effective broadcast of even more intense UV radiation Variety of investigations carried out.

Konkret wird auf der Innenoberfläche des Entladungsgefäßes der Excimerlampe eine UV-Reflexionsschicht gebildet. In der JP-A-2007-335350 wird Technik offenbart, bei welcher eine UV-Reflexionsschicht durch Laminieren von Feinteilchen, welche UV-Strahlung durchlassen, wie beispielsweise Feinteilchen nur aus Siliciumdioxid oder Mischungen, die neben Feinteilchen aus Siliciumdioxid auch beispielsweise Aluminiumoxid, Magnesiumfluorid, Calciumfluorid, Lithiumfluorid, Magnesiumoxid oder dergleichen enthalten, gebildet wird.Concretely, a UV reflection layer is formed on the inner surface of the discharge vessel of the excimer lamp. In the JP-A-2007-335350 discloses a technique in which a UV reflection layer is obtained by laminating fine particles which transmit ultraviolet rays, such as silica fines or mixtures containing fine particles of silica, for example, alumina, magnesium fluoride, calcium fluoride, lithium fluoride, magnesium oxide or the like, is formed.

Bei einer Excimerlampe mit einer derartigen Anordnung fällt von der im Entladungsgefäß erzeugten UV-Strahlung diejenige UV-Strahlung, welche nicht unmittelbar in Richtung auf einen Lichtaustrittsteil ausgestrahlt wird, in die UV-Reflexionsschicht ein. Durch wiederholte Brechungen und Reflexionen auf den Oberflächen mehrerer Feinteilchen, aus welchen die UV-Reflexionsschicht besteht, erfolgt eine Diffusionsreflexion, und die UV-Strahlung wird durch den Lichtaustrittsteil ausgestrahlt. Hierdurch kann die UV-Strahlung effektiv ausgestrahlt werden.at an excimer lamp with such an arrangement falls from the UV radiation generated in the discharge vessel that UV radiation which is not directly towards a light emitting part is irradiated, in the UV reflection layer one. By repeated refractions and reflections on the surfaces a plurality of fine particles constituting the UV reflection layer, Diffusion reflection occurs and the UV radiation is transmitted through the light exit part emitted. As a result, the UV radiation be broadcast effectively.

Für eine Lampe, welche UV-Strahlung ausstrahlt, wird als Material des Entladungsgefäßes häufig beispielsweise Silicaglas verwendet. Die Feinteilchen, aus welchen die UV-Reflexionsschicht besteht, enthalten deshalb vorteilhafterweise Teilchen aus Siliciumdioxid, also dem selben Material wie das Entladungsgefäß, um eine Differenz des Wärmeausdehnungskoeffizienten zum Silicaglas, aus dem das Entladungsgefäß besteht, zu verhindern oder möglichst zu verkleinern und die Adhäsionseigenschaft der UV-Reflexionsschicht gegenüber dem Silicaglas zu erhöhen.For a lamp which emits UV radiation is used as the material of the Discharge vessel often, for example Used silica glass. The fine particles from which the UV reflection layer Therefore, advantageously contain particles of silica, So the same material as the discharge vessel, by a difference of the thermal expansion coefficient to Silica glass from which the discharge vessel consists, too prevent or minimize as possible and the adhesion property increase the UV reflection layer relative to the silica glass.

Der einer Oberflächenbehandlung zu unterziehende Gegenstand weist häufig eine flache Form wie beispielsweise bei einem Glassubstrat eines Flüssigkristall-Paneels auf. Bei einer Excimerlampe, deren Lichtaustrittsteil aus einem Entladungsgefäß besteht, welches wie der zu behandelnde Gegenstand eine flache Form aufweist, kann man deshalb durch eine Verkleinerung des Spaltes zwischen dem Lichtaustrittsteil und dem zu behandelnden Gegenstand die Absorption der UV-Strahlung durch Sauerstoff unterdrücken und somit effektiv eine Oberflächenbehandlung durchführen. Als Excimerlampe mit einem Entladungsgefäß mit einer derartigen Form ist beispielsweise in der JP-A-2004-113984 eine Excimerlampe mit einem eckigen Entladungsgefäß offenbart.The article to be surface-treated often has a flat shape such as a glass substrate of a liquid crystal panel. In an excimer lamp whose light exit part consists of a discharge vessel which, like the object to be treated, has a flat shape, therefore, by reducing the gap between the light exit part and the object to be treated, the absorption of UV radiation by oxygen can be suppressed, and thus effectively perform a surface treatment. As an excimer lamp with a discharge vessel having such a shape is for example in the JP-A-2004-113984 discloses an excimer lamp with a square discharge vessel.

Für eine Excimerlampe mit einem Entladungsgefäß, dessen Lichtaustrittsteil flach ist, gibt es eine in 7 gezeigte Anordnung. Die Excimerlampe 10 besteht aus einem platten, eckigen Entladungsgefäß 20 aus Silicaglas. Dieses Entladungsgefäß 20 weist eine Anordnung auf, bei welcher eine obere Wandplatte 21, eine untere Wandplatte 22, eine Seitenwandplatte 23 sowie eine Endwandplatte 24 miteinander verbunden sind, und in das Entladungsgefäß 20 ist Entladungsgas eingefüllt. Ferner ist die Außenoberfläche der oberen Wandplatte 21 mit einer Elektrode 11 für eine Zufuhr einer Hochspannung und die Außenoberfläche der unteren Wandplatte 22 mit einer Masse-Elektrode 12 versehen. Diese Elektroden 11, 12 sind gegenüberliegend angeordnet. Die in einem Entladungsraum S entstehende Excimer-Emission tritt durch die untere Wandplatte 22, welche auch als Lichtaustrittsteil fungiert, hindurch nach außen aus.For an excimer lamp with a discharge vessel whose light exit part is flat, there is an in 7 shown arrangement. The excimer lamp 10 consists of a flat, rectangular discharge vessel 20 from silica glass. This discharge vessel 20 has an arrangement in which an upper wall plate 21 , a lower wall plate 22 , a sidewall plate 23 and an endwall panel 24 connected to each other, and into the discharge vessel 20 Discharge gas is filled. Further, the outer surface of the upper wall plate 21 with an electrode 11 for supplying a high voltage and the outer surface of the lower wall plate 22 with a ground electrode 12 Mistake. These electrodes 11 . 12 are arranged opposite each other. The excimer emission generated in a discharge space S passes through the lower wall plate 22 , which also functions as a light exit part, out through.

Bei einer Excimerlampe mit einer UV-Reflexionsschicht verringert sich jedoch bei einem Betrieb über eine lange Zeit der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität mit der Zeit allmählich. Im Fall einer Oberflächenbehandlung, wie beispielsweise einer Reinigung oder der gleichen, tritt deshalb der Nachteil auf, dass die Behandlungskapazität der Excimerlampe sich im Lauf der Betriebszeit verändert, auch wenn man versucht, bei einer konstanten Beleuchtungsintensität zu behandeln.In an excimer lamp with a UV reflective layer, however, decreases during operation over a long time the degree of maintenance of the illumination intensity gradually over time. In the case of a surface treatment such as cleaning or the like, therefore, there is a disadvantage that the treatment capacity of the excimer lamp changes over the course of the operation time, even if an attempt is made to treat at a constant illumination intensity.

Die Erfindung wurde gemacht, um den vorstehend beschriebenen Nachteil beim Stand der Technik zu beseitigen. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Excimerlampe anzugeben, welche eine UV-Reflexionsschicht aufweist, bei welcher auch bei einem Betrieb über eine lange Zeit das Maß einer Verringerung der Beleuchtungsintensität klein gehalten wird und bei welcher Vakuum-UV-Strahlung effektiv austreten kann.The Invention has been made to the disadvantage described above to eliminate in the prior art. The object of the invention is to specify an excimer lamp, which is a UV reflection layer in which also in an operation over a long time the measure of a reduction in illumination intensity is kept small and at which vacuum UV radiation effectively can escape.

Die Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung dadurch gelöst, dass die Excimerlampe, welche ein Entladungsgefäß aus Silicaglas mit einem Entladungsraum aufweist, bei welcher ein Paar Elektroden so angeordnet ist, dass das Silicaglas des Entladungsgefäßes sich zwischen diesen befindet, bei welcher in den Entladungsraum Entladungsgas eingefüllt ist und auf der Innenoberfläche des Entladungsgefäßes eine UV-Reflexionsschicht aufweist aus Siliciumdioxid-Teilchen, welche OH-Radikale enthalten, und aus Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid, wobei die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen, welche die UV-Reflexionsschicht enthält, bei mindestens 10 Gew.-ppm liegt.The Task is according to a first aspect of the invention achieved in that the excimer lamp, which is a discharge vessel Has a silica glass with a discharge space in which a pair Electrodes are arranged so that the silica glass of the discharge vessel is located between these, in which in the discharge space Discharge gas is filled in and on the inner surface of the discharge vessel, a UV reflection layer comprising silica particles containing OH radicals, and fine particles having a higher melting point than Silica, wherein the concentration of OH radicals in the silica Particles containing the UV reflective layer, at at least 10 ppm by weight.

Die Aufgabe wird ferner gemäß einer Weiterbildung der Erfindung dadurch gelöst, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen der UV-Reflexionsschicht bei höchstens 502 Gew.-ppm liegt.The Task is further according to a development the invention achieved in that the concentration of OH radicals in the silica particles of the UV reflective layer at most 502 ppm by weight.

Durch das Mischen von Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid in die UV-Reflexionsschicht wird ein Verschwinden der Korngrenze infolge einer Verbindung zueinander benachbarten Feinteilchen untereinander verhindert, und man kann eine Verringerung des Reflexionsfaktors der UV-Reflexionsschicht verhindern.By the mixing of fine particles with a higher melting point as silica in the UV reflective layer disappears the grain boundary due to a compound adjacent to each other fine particles prevents one another, and one can reduce the reflection factor prevent the UV reflection layer.

Ferner werden dadurch, dass die Siliciumdioxid Teilchen der UV-Reflexionsschicht OH-Radikalte enthalten, die Entstehung von internen Fehlern in den Siliciumdioxid Teilchen, welche in der UV-Reflexionsschicht enthalten sind, unterdrückt, eine Absorption von Licht mit Wellenlängen im UV-Bereich durch die UV-Reflexionsschicht verhindert, der Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht aufrechterhalten und das Maß der Verringerung der Beleuchtungsintensität der Excimerlampe klein gehalten, sodass Vakuum-UV-Strahlung effektiv austreten kann.Further This is because the silica particles of the UV reflective layer OH radicals contain the emergence of internal defects in the Silica particles contained in the UV reflective layer are, suppressed, an absorption of light with wavelengths prevented in the UV range by the UV reflective layer, the reflection factor maintained the UV reflection layer and the degree of Reduction of the illumination intensity of the excimer lamp kept small, so that vacuum UV radiation can effectively escape.

Ferner kann man durch die Maßnahme, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen, aus welchen die UV-Reflexionsschicht besteht, bei mindestens 10 Gew.-ppm liegt, sowohl den Aufrechterhaltungsgrad der Reflexion als auch den Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität weiter hoch halten. Somit wird eine beachtliche Wirkung hinsichtlich der Aufrechterhaltung der Beleuchtungsintensität bei einem Betrieb über eine lange Zeit erzielt.Further One can by the measure that the concentration of OH radicals in the silica particles, from which the UV reflection layer is at least 10 ppm by weight, both the degree of maintenance the reflection as well as the degree of maintenance of the illumination intensity keep up. Thus, a remarkable effect is made the maintenance of the illumination intensity at one Operation achieved over a long time.

Ferner wird dadurch, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen der UV-Reflexionsschicht bei höchstens 502 Gew.-ppm liegt, ein Übermaß an Sauerstoff-Atomen, welche aus den OH-Radikalen entstehen, im Entladungsraum verhindert und vermieden, dass die Bildung von Excimer-Molekülen dadurch herabgesetzt wird, dass Sauerstoff-Atome mit Edelgas-Atomen reagieren. Man kann den Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität der Excimerlampe weiter hoch halten, und Vakuum-UV-Strahlung kann effektiv austreten.Further This is due to the fact that the concentration of OH radicals in the silica Particles of the UV reflection layer at most 502 wt ppm lies, an excess of oxygen atoms, which arising from the OH radicals, prevented in the discharge space and avoided that the formation of excimer molecules thereby is reduced that oxygen atoms react with noble gas atoms. One can understand the degree of maintenance of the illumination intensity the excimer lamp can continue to hold high, and vacuum UV radiation can effectively exit.

Nachfolgend wird die erfindungsgemäße Excimerlampe anhand von Zeichnung weiter beschrieben. Es zeigen:following the excimer lamp according to the invention is based on further described by drawing. Show it:

1(a) und (b) jeweils eine schematische Querschnittsdarstellung der Anordnung eines Beispiels einer erfindungsgemäßen Excimerlampe, wobei 1(a) eine Querschnittsdarstellung entlang der Längsrichtung des Entladungsgefäßes und 1(b) eine Querschnittsdarstellung entsprechend der Linie A-A' gemäß 1(a) ist; 1 (a) and (b) each a schematic cross-sectional view of the arrangement of an example of an excimer lamp according to the invention, wherein 1 (a) a cross-sectional view along the longitudinal direction of the discharge vessel and 1 (b) a cross-sectional view along the line AA 'according to 1 (a) is;

2 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung des Messverfahrens der Beleuchtungsintensität der Excimerlampe bei einem Versuchsbeispiel; 2 a cross-sectional view for explaining the measuring method of the illumination intensity of the excimer lamp in a test example;

3 eine graphische Darstellung des Messergebnisses des Versuchsbeispiels; 3 a graphical representation of the measurement result of the experimental example;

4 eine weitere graphische Darstellung des Messergebnisses des Versuchsbeispiels; 4 a further graphical representation of the measurement result of the experimental example;

5 eine schematische Querschnittsdarstellung der Anordnung eines Beispiels einer erfindungsgemäßen Excimerlampe; 5 a schematic cross-sectional view of the arrangement of an example of an excimer lamp according to the invention;

6 eine schematische Querschnittsdarstellung der Anordnung eines weiteren Beispiels einer erfindungsgemäßen Excimerlampe und 6 a schematic cross-sectional view of the arrangement of another example of an excimer lamp according to the invention and

7 eine schematische Querschnittsdarstellung der Anordnung einer herkömmlichen Excimerlampe. 7 a schematic cross-sectional view of the arrangement of a conventional excimer lamp.

1(a) und (b) zeigen jeweils in einer schematischen Darstellung die Anordnung eines Beispiels einer erfindungsgemäßen Excimerlampe 10. 1(a) ist eine Darstellung des Querschnittes entlang der Längsrichtung eines Entladungsgefäßes 20. 1(b) ist eine Querschnittsdarstellung entsprechend der Linie A-A' gemäß 1(a). 1 (a) and (b) each show, in a schematic representation, the arrangement of an example of an excimer lamp according to the invention 10 , 1 (a) is a representation of the cross section along the longitudinal direction of a discharge vessel 20 , 1 (b) is a cross-sectional view along the line AA 'according to 1 (a) ,

Die Excimerlampe 10 weist ein längliches und hohles Entladungsgefäß 20 auf, dessen Querschnitt rechteckig ist, dessen beide Enden hermetisch abgeschlossen sind und in welchem ein Entladungsraum S gebildet ist. Das Entladungsgefäß 20 besteht aus einer oberen Wandplatte 21, einer der oberen Wandplatte 21 gegenüberliegenden unteren Wandplatte 22, einem Paar Seitenwandplatten 23, welche mit der oberen Wandplatte 21 sowie der unteren Wandplatte 22 verbunden sind, sowie einem Paar Endwandplatten 24, welche die beiden Enden eines Viereck-Zylinderkörpers hermetisch abschließen, welcher aus oberer Wandplatte 21, unterer Wandplatte 22 sowie dem Paar Seitenwandplatten 23 besteht. Das Entladungsgefäß 20 besteht aus Silicaglas, welches Vakuum-UV-Strahlung gut durchlässt, wie beispielsweise aus synthetischem Quarzglas.The excimer lamp 10 has an elongate and hollow discharge vessel 20 on, whose cross-section is rectangular, whose both ends are hermetically sealed and in which a discharge space S is formed. The discharge vessel 20 consists of an upper wall plate 21 , one of the top wall plate 21 opposite lower wall plate 22 , a pair of sidewall panels 23 , which with the upper wall plate 21 as well as the lower wall plate 22 connected as well as a pair of Endwandplatten 24 which hermetically seal the two ends of a quadrilateral cylinder body made of upper wall plate 21 , lower wall plate 22 as well as the pair of sidewall panels 23 consists. The discharge vessel 20 It is made of silica glass, which transmits good UV radiation, such as synthetic quartz glass.

In das Entladungsgefäß 20 ist Entladungsgas mit einem Druck beispielsweise von 10 kPa bis 80 kPa eingefüllt. Auf die mit der Zeit auftretende Veränderung der Strahlungsintensität wird zwar, abhängig davon, was man für Gas als Entladungsgas auswählt, kein Einfluss ausgeübt. Die Haupt-Wellenlänge der ausgestrahlten Excimer-Emission unterscheidet sich aber nach der Art des Entladungsgases. Beispielsweise entsteht bei einer Excimerlampe, in welche Xenon (Xe) eingefüllt ist, eine Excimer-Emission, deren Haupt-Wellenlänge bei 172 nm liegt. Bei einer Excimerlampe, in welche ein Gasgemisch aus Argon (Ar) und Chlor (Cl) eingefüllt ist, entsteht eine Excimer-Emission, deren Haupt-Wellenlänge bei 175 nm liegt. Bei einer Excimerlampe, in welche ein Gasgemisch aus Krypton (Kr) und Iod (I) eingefüllt ist, entsteht eine Excimer-Emission, deren Haupt-Wellenlänge bei 191 nm liegt. Bei einer Excimerlampe, in welche ein Gasgemisch aus Argon (Ar) und Fluor (F) eingefüllt ist, entsteht eine Excimer-Emission, deren Haupt-Wellenlänge bei einer Wellenlänge von 193 nm liegt. Bei einer Excimerlampe, in welche ein Gasgemisch aus Krypton (Kr) und Brom (Br) eingefüllt ist, entsteht eine Excimer-Emission, deren Haupt-Wellenlänge bei 207 nm liegt, und bei einer Excimerlampe, in welche ein Gasgemisch aus Krypton (Kr) und Chlor (Cl) eingefüllt ist, entsteht eine Excimer-Emission, deren Haupt-Wellenlänge bei 222 nm liegt.In the discharge vessel 20 Discharge gas is filled at a pressure of, for example, 10 kPa to 80 kPa. The change in the radiation intensity occurring over time is, however, exerted no influence, depending on what gas is selected to be the discharge gas. However, the main wavelength of the emitted excimer emission differs according to the nature of the discharge gas. For example, in an excimer lamp in which xenon (Xe) is filled, an excimer emission whose principal wavelength is 172 nm is formed. In an excimer lamp, in which a gas mixture of argon (Ar) and chlorine (Cl) is filled, produces an excimer emission whose main wavelength is 175 nm. In an excimer lamp in which a gas mixture of krypton (Kr) and iodine (I) is filled in, an excimer emission is produced whose principal wavelength is 191 nm. In an excimer lamp, in which a gas mixture of argon (Ar) and fluorine (F) is filled, produces an excimer emission whose main wavelength is at a wavelength of 193 nm. In an excimer lamp, in which a gas mixture of krypton (Kr) and bromine (Br) is filled, an excimer emission whose main wavelength is 207 nm and an excimer lamp into which a gaseous mixture of krypton (Kr) is formed and chlorine (Cl) is filled, an excimer emission is produced whose main wavelength is 222 nm.

Beim Entladungsgefäß 20 ist die Außenoberfläche der oberen Wandplatte 21 mit einer Elektrode 11 für eine Zufuhr einer Hochspannung und die Außenoberfläche der unteren Wandplatte 22 mit einer Masse-Elektrode 12 versehen. Diese Elektroden 11, 12 sind gegenüberliegend angeordnet. Derartige Elektroden 11, 12 weisen jeweils eine netzartige Anordnung auf und sind in der Weise ausgebildet, dass Licht durch die Maschen des Netzes durchgelassen wird. Als Material wird beispielsweise Aluminium, Nickel, Gold oder dergleichen verwendet. Sie werden beispielsweise durch Mittel wie Siebdruck oder Vakuumaufdampfung gebildet. Ferner sind die Elektroden 11, 12 jeweils an eine geeignete Hochfrequenz-Stromquelle (nicht in der Zeichnung dargestellt) angeschlossen.At the discharge vessel 20 is the outer surface of the upper wall plate 21 with an electrode 11 for supplying a high voltage and the outer surface of the lower wall plate 22 with a ground electrode 12 Mistake. These electrodes 11 . 12 are arranged opposite each other. Such electrodes 11 . 12 each have a net-like arrangement and are formed in such a way that light is transmitted through the mesh of the network. As the material, for example, aluminum, nickel, gold or the like is used. They are formed, for example, by means such as screen printing or vacuum evaporation. Further, the electrodes 11 . 12 each connected to a suitable high frequency power source (not shown in the drawing).

Bei der vorstehend beschriebenen Excimerlampe 10 ist die dem Entladungsraum S zugewandte Innenoberfläche des Entladungsgefäßes 20 mit einer UV-Reflexionsschicht 30 aus einer Veilzahl von Teilchen versehen, um Vakuum-UV-Strahlung, welche durch eine Excimer-Entladung entsteht, effektiv auszunutzen. Konkret sind ein der Elektrode 11 für die Zufuhr einer Hochspannung entsprechender Bereich der Innenoberfläche der oberen Wandplatte 21, die Innenoberflächen der oberen Wandplatte 21 und der unteren Wandplatte 22, wobei diese Innenoberflächen außerhalb der den Elektroden 11, 12 entsprechenden Bereiche liegen, sowie Bereiche der Innenoberflächen der Seitenwandplatte 23 und der Endwandplatte 24 mit einer UV-Reflexionsschicht 30 versehen.In the excimer lamp described above 10 is the discharge space S facing inner surface of the discharge vessel 20 with a UV reflective coating 30 made of a variety of particles to effectively utilize vacuum ultraviolet radiation generated by excimer discharge. Specifically, one is the electrode 11 for supplying a high voltage corresponding portion of the inner surface of the upper wall plate 21 , the inner surfaces of the upper wall panel 21 and the lower wall plate 22 These inner surfaces are outside of the electrodes 11 . 12 corresponding areas are, as well as areas of the inner surfaces of the side wall panel 23 and the end wall panel 24 with a UV reflective coating 30 Mistake.

Andererseits ist dadurch, dass die der Masse-Elektrode 12 entsprechende Innenoberfläche der unteren Wandplatte 22 des Entladungsgefäßes 20 nicht mit einer UV-Reflexionsschicht 30 versehen ist, ein Lichtaustrittsteil gebildet.On the other hand, this is due to the fact that the ground electrode 12 corresponding inner surface of the lower wall plate 22 of the discharge vessel 20 not with a UV reflective coating 30 is provided Light exit part formed.

Die UV-Reflexionsschicht 30 weist eine Dicke beispielsweise von 5 μm bis 1000 μm auf und besteht aus Siliciumdioxid Teilchen sowie aus Feinteilchen, welche einen höheren Schmelzpunkt aufweisen als Siliciumdioxid und UV-Strahlung durchlassen. Unter den Feinteilchen, welche einen höheren Schmelzpunkt aufweisen als Siliciumdioxid und UV-Strahlung durchlassen, sind beispielsweise Aluminiumoxid, Lithiumfluorid, Magnesiumfluorid, Calciumfluorid, Bariumfluorid und dergleichen zu nennen. Es wird kein Material verwendet, welches UV-Strahlung absorbiert, wie beispielsweise Titan, Zirkonium sowie Verbindungen derselben, für die Feinteilchen, es sei denn, dass Titan oder Zirkonium als Verunreinigungen in der UV-Reflexionsschicht 30 vorhanden sind.The UV reflection layer 30 has a thickness of, for example, from 5 .mu.m to 1000 .mu.m, and consists of silica particles as well as fine particles having a higher melting point than silicon dioxide and transmitting UV radiation. Among the fine particles having a higher melting point than silica and transmitting UV radiation, there are mentioned, for example, alumina, lithium fluoride, magnesium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride and the like. No material is used which absorbs UV radiation, such as titanium, zirconium and their compounds, for the fines, unless titanium or zirconium are impurities in the UV reflective layer 30 available.

Wenn in die UV-Reflexionsschicht 30 aus derartigen Feinteilchen, welche UV-Strahlung durchlassen, Vakuum-UV-Strahlung einfällt, wird ein Teil hiervon von den Oberflächen der Feinteilchen reflektiert, während ein anderer Teil abgelenkt, durch die Teilchen hindurchgelassen und wieder von einer weiteren Oberfläche reflektiert oder abgelenkt wird. Durch derartig wiederholte Reflexionen und Refraktionen an mehreren Feinteilchen wird die Vakuum-UV-Strahlung einer Diffusionsreflexion unterzogen.When in the UV reflective layer 30 From such fine particles which transmit UV radiation, vacuum UV radiation is incident, a part thereof is reflected by the surfaces of the fine particles, while another part is deflected, passed through the particles and again reflected or deflected by another surface. By such repeated reflections and refractions on a plurality of fine particles, the vacuum UV radiation is subjected to diffusion reflection.

Es gibt jedoch Fälle, in welchen Siliciumdioxid Teilchen durch die Hitze eines in der Excimerlampe 10 entstehenden Plasmas schmelzen und dadurch die Korngrenzen verschwinden, sodass die Vakuum-UV-Strahlung keiner Diffusionsreflexion mehr unterliegt und sich somit der Re flexionsfaktor verringert. Andererseits schmelzen Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid auch dann nicht, wenn sie der Hitze des Plasmas ausgesetzt sind. Man kann deshalb durch Einmischen der Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid in die UV-Reflexionsschicht 30 verhindern, dass die Korngrenzen infolge einer Verbindung benachbarter Feinteilchen miteinander verschwindet, und man kann eine Verringerung des Reflexionsfaktors der UV-Reflexionsschicht 30 verhindern.However, there are cases in which silica particles are heated by the heat in the excimer lamp 10 resulting plasma melt and thereby the grain boundaries disappear, so that the vacuum UV radiation is no longer subject to diffusion reflection and thus reduces the re flexionsfaktor. On the other hand, fine particles having a higher melting point than silica do not melt even when exposed to the heat of the plasma. Therefore, by mixing the fine particles having a higher melting point than silica into the UV reflection layer 30 prevent the grain boundaries from vanishing due to a combination of adjacent fine particles, and a reduction in the reflection factor of the UV reflection layer 30 prevent.

Es ist vorteilhaft, wenn bei den Feinteilchen, welche in der UV-Reflexionsschicht 30 enthalten sind, die auf die nachstehend beschriebene Weise definierte Korngröße beispielsweise in einem Bereich von 0.01 μm bis 20 μm liegt, und dass ihre mittlere Korngröße (maximaler Wert der Korngrößenverteilung entsprechend der Auszählung der Teilchen) bei der UV-Reflexionsschicht 30 beispielsweise bei 0.1 μm bis 10 μm, bevorzugt bei 0.1 μm bis 3 μm, liegt.It is advantageous if in the case of the fine particles, which in the UV reflection layer 30 contained in the manner described below, for example, in a range of 0.01 .mu.m to 20 .mu.m, and that their average grain size (maximum value of the particle size distribution corresponding to the count of the particles) in the UV reflection layer 30 for example, at 0.1 .mu.m to 10 .mu.m, preferably at 0.1 .mu.m to 3 .mu.m, is.

Hierbei soll unter dem Begriff ”Korngröße” der Feret-Durchmesser verstanden werden, welcher den Abstand zwischen Parallelen darstellt, wenn man durch ein Rasterelektronenmikroskop (REM) ein vergrößertes Projektionsbild erfasst und beliebige Teilchen auf diesem vergrößerten Projektionsbild zwischen zwei Parallelen in einer bestimmten Richtung eingespannt werden, wobei eine im Wesentlichen mittlere Position in der Dickenrichtung auf einer gebrochenen Fläche bei Brechen in der zur Oberfläche der UV-Reflexionsschicht 30 senkrechten Richtung als Beobachtungsbereich betrachtet wird.Here, the term "grain size" Feret the diameter to be understood, which represents the distance between parallels, when detected by a scanning electron microscope (SEM) an enlarged projection image and any particles are clamped on this enlarged projection image between two parallels in a particular direction wherein a substantially central position in the thickness direction is on a refracted surface when fractured in the surface of the UV reflective layer 30 vertical direction is considered as an observation area.

Unter dem Begriff ”mittlere Korngröße” soll ein Mittelwert desjenigen Bereiches mit der maximalen Anzahl (Auszählung) an Teilchen, welche dem entsprechenden Bereich zugehören, verstanden werden, wobei man einen Gesamtbereich der Korngrößen zwischen dem maximalen Wert und dem minimalen Wert aus den für alle Teilchen ermittelten Korngrößen, welche auf die vorstehend beschriebene Weise erhalten werden, wie beispielsweise einen Bereich von 0.1 μm, in mehrere Bereiche, beispielsweise in ca. 15 Bereiche, unterteilt und für jeden der Bereiche die zugehörigen Teilchen auszählt.Under the term "average grain size" is intended an average of the area with the maximum number (count) on particles belonging to the corresponding area, be understood, wherein a total range of grain sizes between the maximum value and the minimum value from the for all particles determined grain sizes, which on obtained as described above, such as a range of 0.1 microns, in several areas, for example divided into about 15 areas, and for each of the areas counting the associated particles.

Wenn bei der Excimerlampe 10 der Elektrode 11 Für eine Zufuhr einer Hochspannung eine Betriebsleistung zugeführt wird, entsteht über das Entladungsgefäß 20 im Entladungsraum S zwischen den beiden Elektroden 11 und 12 eine Excimer-Entladung. Hierdurch werden Excimer-Moleküle gebildet, und zugleich wird von diesen Excimer-Molekülen Vakuum-UV-Strahlung ausgestrahlt. Ein Teil der im Entladungsraum S entstehenden Vakuum-UV-Strahlung tritt unmittelbar durch die untere Wandplatte 22, welche auch als Lichtaustrittsteil fungiert, nach außen aus. Fer ner wird ein weiterer Teil der Vakuum-UV-Strahlung zwar in Richtung auf die obere Wandplatte 21 ausgestrahlt. Sie wird jedoch an der UV-Reflexionsschicht 30 einer Diffusionsreflexion unterzogen und tritt durch den Lichtaustrittsteil nach außen aus.If at the excimer lamp 10 the electrode 11 For a supply of high voltage, an operating power is supplied, formed via the discharge vessel 20 in the discharge space S between the two electrodes 11 and 12 an excimer discharge. As a result, excimer molecules are formed, and at the same time emitted by these excimer molecules vacuum UV radiation. Some of the vacuum UV radiation generated in the discharge space S passes directly through the lower wall plate 22 , which also acts as a light exit part, outwards. Fer ner is another part of the vacuum UV radiation, although in the direction of the upper wall plate 21 broadcast. However, it is at the UV reflective layer 30 subjected to diffusion reflection and exits through the light exit part to the outside.

Dadurch, dass die Siliciumdioxid-Teilchen sowie andere Feinteilchen der UV-Reflexionsschicht 30 eine Korngröße aufweisen, welche ungefähr gleich der Wellenlänge der Vakuum-UV-Strahlung ist, kann man Vakuum-UV-Strahlung effektiv einer Diffusionsreflexion unterziehen.Characterized in that the silica particles and other fine particles of the UV reflection layer 30 have a grain size which is approximately equal to the wavelength of the vacuum UV radiation, one can effectively subject vacuum UV radiation to a diffusion reflection.

Wenn man jedoch die Excimerlampe 10 mit der UV-Reflexionsschicht 30 über eine lange Zeit betreibt, stellt man fest, dass man die Anfangs-Beleuchtungsintensität nicht aufrechterhalten kann und die Beleuchtungsintensität sich im Lauf der Betriebszeit allmählich verringert. Die Erfinder haben die Ursache der Verringerung der Beleuchtungsintensität von verschiedenen Seiten her überprüft und angenommen, dass sich der Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht 30 als ein möglicher Faktor verringerte.But if you have the excimer lamp 10 with the UV reflective layer 30 operates for a long time It is found that the initial illumination intensity can not be maintained and the illumination intensity gradually decreases over the course of the operation time. The inventors have examined the cause of the reduction of the illumination intensity from various sides and assumed that the reflection factor of the UV reflection layer 30 as a potential factor decreased.

Daher wurden Spektren der Reflexionsintensität der UV-Reflexionsschicht 30 der Excimerlampe 10 zu Betriebsanfang sowie Spektren der Reflexionsintensität der UV-Reflexionsschicht 30 der Excimerlampe 10 nach einem Betrieb über eine lange Zeit gemessen und miteinander verglichen. Anahand dieses Ergebnisses wurde nachgewiesen, dass bei der UV-Reflexionsschicht 30 der Excimerlampe 10 nach einem Betrieb über eine lange Zeit im UV-Bereich ein Absorptionsband entsteht und durch Absorption eines Teils der UV-Strahlung durch die UV-Strahlungs-Reflexionsschicht 30 eine Verringerung der Beleuchtungsintensität entsteht.Therefore, spectrums of the reflection intensity of the UV reflection layer were measured 30 the excimer lamp 10 to start of operation and spectrums of the reflection intensity of the UV reflection layer 30 the excimer lamp 10 after a long time operation and compared. Anahand this result has been demonstrated that in the UV reflective layer 30 the excimer lamp 10 after operation for a long time in the UV region, an absorption band is formed and by absorption of a part of the UV radiation by the UV radiation reflection layer 30 a reduction of the illumination intensity arises.

Man kann sich vorstellen, dass der Grund für das Absorptionsband im UV-Bereich, welcher in der UV-Reflexionsschicht 30 entsteht, in Folgendem liegt:
Die Siliciumdioxid Teilchen der UV-Reflexionsschicht 30 werden dadurch, dass sie während der Entladung der UV-Strahlung sowie dem Plasma ausgesetzt sind, durch die Strahlung beschädigt, wodurch in ihnen der Fehler auftritt, dass Licht mit Wellenlängen im UV-Bereich absorbiert wird. Dadurch, dass die UV-Strahlung aufgrund des internen Fehlers absorbiert wird, wird die Diffusionsreflexion unterdrückt.
One can imagine that the reason for the absorption band in the UV range, which in the UV reflective layer 30 arises, in the following is:
The silica particles of the UV reflective layer 30 are damaged by the radiation during exposure to the UV radiation as well as the plasma, causing them to fail to absorb light having wavelengths in the UV range. Due to the fact that the UV radiation is absorbed due to the internal error, the diffusion reflection is suppressed.

Unter dem Begriff ”Interner Fehler” soll ein Si-Si-Fehler mit einer Absorptionslinie bei einer Wellenlänge von ca. 163 nm oder ein E'-Zentrums-Fehler (Si•) mit einer Absorptionslinie bei einer Wellenlänge von ca. 215 nm verstanden werden, welche dadurch auftreten, dass eine Si-O-Si-Bindung der Siliciumdioxid Teilchen UV-Strahlung oder Plasma ausgesetzt wird.Under The term "internal error" is intended to mean a Si-Si error with an absorption line at a wavelength of approx. 163 nm or an E 'center error (Si •) with an absorption line be understood at a wavelength of about 215 nm, which occur due to an Si-O-Si bond of the silica Particles UV radiation or plasma is exposed.

Aus dem vorstehend beschriebenen Grund kann man sich vorstellen, dass der interne Fehler, Licht mit Wellenlängen im UV-Bereich zu absorbieren, bei den Siliciumdioxid Teilchen auftritt und die Absorption des Lichtes mit Wellenlängen im UV-Bereich, welche eine Verringerung der Beleuchtungsintensität verursacht, von internen Fehlern der Siliciumdioxid Teilchen abhängt. Ferner tritt bei den Feinteilchen, welche UV-Strahlung durchlassen, worunter Feinteilchen außer Siliciumdioxid Teilchen gemeint sind, wie Feinteilchen aus Aluminiumoxid, Lithiumfluorid, Magnesiumfluorid, Calciumfluorid, Bariumfluorid und dergleichen, kein Strahlungsschaden auf, auch wenn sie der UV-Strahlung sowie dem Plasma ausgesetzt werden. Man kann sich deshalb vorstellen, dass man dadurch, dass man das Entstehen des internen Fehlers in den Siliciumdioxid-Teilchen der UV-Reflexionsschicht 30 verhindert, eine Verringerung der Beleuchtungsintensität verhindert und selbst bei einem Betrieb über eine lange Zeit einen hohen Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität beibehalten kann.For the reason described above, it can be imagined that the internal failure to absorb light having wavelengths in the UV region occurs in the silica particles and the absorption of the light with wavelengths in the UV range, which causes a reduction of the illumination intensity of internal errors of the silica particles. Further, in the fine particles which transmit ultraviolet rays, other than silica particles, such as fine particles of alumina, lithium fluoride, magnesium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride and the like, no radiation damage occurs even when exposed to ultraviolet rays and plasma become. One can therefore imagine that one by the emergence of the internal error in the silica particles of the UV reflective layer 30 prevents, prevents a reduction in the illumination intensity and can maintain a high degree of maintenance of the illumination intensity even when operating for a long time.

Um zu verhindern, dass in den Siliciumdioxid Teilchen interne Fehler auftreten, ist es effektiv, dass die Siliciumdioxid Teilchen OH-Radikale enthalten. Dadurch, dass OH-Radikale enthalten sind, wird verhindert, dass in den Siliciumdioxid Teilchen, welche in der UV-Reflexionsschicht 30 enthalten sind, interne Fehler erzeugt werden. Man kann somit eine Verringerung des Reflexionsfaktors der UV-Reflexionsschicht 30 verhindern.In order to prevent internal defects from occurring in the silica particles, it is effective that the silica particles contain OH radicals. By containing OH radicals, it prevents the silica particles contained in the UV reflective layer 30 contained, internal errors are generated. It is thus possible to reduce the reflection factor of the UV reflection layer 30 prevent.

Nachfolgend wird das Verfahren zur Bildung der UV-Reflexionsschicht 30 aus Feinteilchen beschrieben, welche OH-Radikal-haltige Siliciumdioxid Teilchen enthalten. Bei der UV-Reflexionsschicht 30 werden beispielsweise durch ein Benetzungsverfahren in einem vorgegebenen Bereich auf der Innenoberfläche des Materials des Entladungsgefäßes Teilchenablagerungsschichten gebildet, welche Siliciumdioxid Teilchen enthalten. Beispielsweise mischt man Feinteilchen in ein viskoses Lösungsmittel, in dem Wasser mit PEO-Harz (Polyethylenoxid) vermischt ist, wodurch man eine Dispersionsflüssigkeit erhält. Man gießt diese Dispersionsflüssigkeit in das Entladungsgefäß. Man lässt die Dispersionsflüssigkeit in einem vorgegebenen Bereich auf der Innenoberfläche des Materials des Entladungsgefäßes anhaften und danach durch Trocknung und Brennen Wasser und PEO-Harz verdampfen. Hierdurch kann man Teilchenablagerungsschichten ausbilden. Die Brenntemperatur liegt beispielsweise bei 500°C bis 1100°C.The following is the method of forming the UV reflective layer 30 from fine particles containing OH-containing silica particles. In the case of the UV reflection layer 30 For example, by a wetting method in a predetermined area on the inner surface of the material of the discharge vessel, particle deposition layers containing silica particles are formed. For example, fine particles are mixed in a viscous solvent in which water is mixed with PEO resin (polyethylene oxide) to obtain a dispersion liquid. This dispersion liquid is poured into the discharge vessel. The dispersion liquid is allowed to adhere to the inner surface of the material of the discharge vessel in a predetermined range, and thereafter, by drying and firing, water and PEO resin are vaporized. This can be used to form particle deposition layers. The firing temperature is for example at 500 ° C to 1100 ° C.

Ein Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung von Siliciumdioxid-Teilchen, die OH-Radikale enthalten, ist das Erwärmen in einem Elektroofen (beispielsweise 1000°C) von Siliciumdioxid-Teilchen, die keine OH-Radikale enthalten, unter gleichzeitiger Zufuhr von Wasserdampf. Dadurch werden Siliciumdioxid Teilchen erhalten, welche eine große Menge OH-Radikale enthal ten. Durch Verwendung von derartig behandelten Siliciumdioxid Teilchen kann man eine UV-Reflexionsschicht 30 aus Feinteilchen bilden, welche OH-Radikal-haltige Siliciumdioxid Teilchen enthalten.An example of a method for producing silica particles containing OH radicals is heating in an electric furnace (for example, 1000 ° C) of silica particles containing no OH radicals while simultaneously supplying water vapor. This silica particles are obtained which contain a large amount of OH radicals. By using such treated silica particles can be a UV-reflective layer 30 from fine particles containing OH-containing silica particles.

Weiter kann man Siliciumdioxid Teilchen, die keine OH-Radikale enthalten, in einem vorgegebenen Bereich auf der Innenoberfläche des Materials des Entladungsgefäßes anhaften lassen und sie danach unter gleichzeitiger Zufuhr von Wasserdampf brennen und so Siliciumdioxid Teilchen erhalten, die OH-Radikale enthalten. Ferner kann man Siliciumdioxid Teilchen, die keine OH-Radikale enthalten, brennen, auf diese Weise eine UV-Reflexionsschicht 30 bilden und sie danach unter gleichzeitiger Zufuhr von Wasserdampf in einem Elektroofen erwärmen und so Siliciumdioxid-Teilchen erhalten, die OH-Radikale enthalten.Further, silica particles which do not contain OH radicals can be adhered to a predetermined area on the inner surface of the material of the discharge vessel and thereafter burned with simultaneous supply of water vapor, thus obtaining silica particles containing OH radicals. Further, one can burn silica particles containing no OH radicals, thus a UV reflection layer 30 and then heat them with simultaneous supply of steam in an electric furnace to obtain silica particles containing OH radicals.

Unter den käuflich erhältlichen Siliciumdioxid-Teilchen gibt es zwar je nach dem Herstellungsverfahren auch Produkte, welche OH-Radikale enthalten. Es gibt jedoch darunter auch Produkte mit einer geringen Konzentration von OH-Radikalen. Es ist deshalb bevorzugt, durch die vorstehend beschriebenen Verfahren OH-Radikale in einer hohen Konzentration zu erzeugen.Under the commercially available silica particles Depending on the manufacturing process, there are also products which Contain OH radicals. However, there are also products with it a low concentration of OH radicals. It is therefore preferable by the methods described above OH radicals in one to produce high concentration.

Man kann die Konzentration der in den Siliciumdioxid-Teilchen enthaltenen OH-Radikale durch Verändern der Bedingungen der Heißluftabfuhr regulieren. Die Excimerlampe 10 wird unter Verwendung eines Prozesses des Ausglühens, bei welchem man durch eine Wiedererwärmung sowie eine langsame Abkühlung Verzerrungen im Entladungsgefäß 20 beseitigt, sowie eines Prozesses der Heißluftabfuhr zur Beseitigung von Gasverunreinigungen, welche im Entladungsraum S enthalten sind, hergestellt. Durch geeignete Auswahl der Bedingung der Heißluftabfuhr kann man die Konzentration der OH-Radikale, welche in den Siliciumdioxid Teilchen der UV-Reflexionsschicht 30 enthalten sind, auf gewünschte Werte regulieren. Hierbei soll man unter dem Begriff ”Heißluftabfuhr” folgendes verstehen:

  • – Man schließt das Entladungsgefäß mit einem Abzweigrohr für eine Evakuierung an eine Luftabfuhrvorrichtung an, und
  • – man hält das Innere des Entladungsgefäßes bei gleichzeitiger Evakuierung durch das Abzweigrohr mittels Elektroofen auf einer hohen Temperatur.
One can regulate the concentration of OH radicals contained in the silica particles by changing the conditions of hot air removal. The excimer lamp 10 is using a process of Ausglühens, which is characterized by reheating and a slow cooling distortion in the discharge vessel 20 eliminated, and a process of hot air removal for the removal of gas contaminants contained in the discharge space S made. By appropriate selection of the condition of the hot air removal, one can determine the concentration of the OH radicals present in the silica particles of the UV reflection layer 30 are included, to regulate to desired values. This should be understood by the term "hot air removal" the following:
  • - Connect the discharge vessel with a branch pipe for evacuation to an air discharge device, and
  • - Keeping the inside of the discharge vessel with simultaneous evacuation through the branch pipe by means of electric furnace at a high temperature.

Man kann beispielsweise bei einer Haltetemperatur von 800°C umso mehr OH-Radikale beseitigen, je mehr die Haltezeit verlängert wird, beispielsweise von 1 Stunde auf 5 Stunden, 10 Stunden oder 20 Stunden. Man kann dadurch, dass man unter Berücksichtigung der Menge der OH-Radikale, welche in den Siliciumdioxid-Teilchen von Anfang an enthalten sind, die Menge der OH-Radikale reguliert, die durch die Heißluftabfuhr beseitigt werden, eine UV-Reflexionsschicht 30 aus Feinteilchen bilden, welche Siliciumdioxid Teilchen mit einer beliebigen OH-Radikal-Konzentration enthalten.For example, at a hold temperature of 800 ° C, the more OH-radicals are removed, the more the hold time is increased, for example from 1 hour to 5 hours, 10 hours or 20 hours. By controlling the amount of OH radicals contained in the silica particles from the beginning, it is possible to regulate the amount of OH radicals removed by the hot air discharge, a UV reflection layer 30 of fine particles containing silica particles of any OH radical concentration.

Nachfolgend werden Versuchsbeispiele bezüglich der erfindungsgemäßen Excimerlampe gezeigt.following Be experimental examples relating to the inventive Excimer lamp shown.

Versuchsbeispiel 1Experimental Example 1

Nach der in 1(a) und (b) gezeigten Anordnung wird eine Excimerlampe mit einer UV-Reflexionsschicht hergestellt.After the in 1 (a) and (b) an excimer lamp having a UV reflection layer is fabricated.

(Grundanordnung der Excimerlampe)(Basic arrangement of the excimer lamp)

Das Material des Entladungsgefäßes ist Silicaglas. Die Abmessung betragen 15 mm × 43 mm × 350 mm und die Dicke 2.5 mm.The Material of the discharge vessel is silica glass. The dimensions are 15 mm × 43 mm × 350 mm and the thickness 2.5 mm.

Die Abmessung der Elektrode für die Zufuhr einer Hochspannung sowie der Masse-Elektrode liegt bei 30 mm × 300 mm.The Dimension of the electrode for the supply of a high voltage and the ground electrode is 30 mm × 300 mm.

Die UV-Reflexionsschicht besteht aus einer Mischung von Siliciumdioxid Teilchen mit einer mittleren Korngröße von 1.5 μm mit einem Anteil von 90 Gewichtsprozent und Aluminiumoxid-Teilchen mit einer mittleren Korngröße von 1.5 μm mit einem Anteil von 10 Gewichtsprozent und wird jeweils durch die Benetzungsmethode gebildet, wobei die Brenntemperatur bei 1000°C liegt. Als Entladungsgas ist Xenon mit 40 kPa ins Entladungsgefäß eingefüllt.The UV reflection layer consists of a mixture of silicon dioxide Particles with a mean particle size of 1.5 μm in an amount of 90% by weight and alumina particles with a mean particle size of 1.5 μm in a proportion of 10% by weight and is determined by the Wetting method formed, the firing temperature at 1000 ° C. lies. Xenon is filled into the discharge vessel at 40 kPa as the discharge gas.

Von der Excimerlampe mit der vorstehend beschriebenen Anordnung wurden 100 Arten von Lampen 1 bis 100 mit unterschiedlichen Bedingungen der Heißluftabfuhr bereitgestellt. Für jede Bedingung wurden zwei Excimerlampen hergestellt, wobei eine der beiden zerbrochen und der Anfangs-Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht sowie die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen gemessen wurde. Die andere Lampe wurde mit einer Röhrenwandlast von 0.8 W/cm2 500 Stunden lang ununterbrochen betrieben. Nach einer Messung ihrer Beleuchtungsintensität wurde der Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht gemessen.From the excimer lamp having the above-described arrangement, 100 kinds of lamps 1 to 100 were provided with different conditions of hot air discharge. For each condition, two excimer lamps were made, one of which was broken and the initial reflectance of the UV reflective layer and the concentration of OH radicals in the silica particles were measured. The other lamp was operated uninterruptedly with a tube wall load of 0.8 W / cm 2 for 500 hours. After measuring its illumination intensity, the reflection factor of the UV reflection layer was measured.

Für den Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht wurden unter den Bruchstücken des Entladungsgefäßes drei beliebige Stücke aus einem Bereich der Innenoberfläche ausgewählt, in welchem die UV-Reflexionsschicht gebildet ist. Diese Stücke wurden als Probenstücke verwendet. Unter Verwendung einer spektroskopischen Vorrichtung für Vakuum-UV-Strahlung wurden die drei Probenstücke jeweils mit Vakuum-UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von 172 ± 5 nm bestrahlt, und aufgrund des Verhältnisses der Intensität des Reflexionslichtes zur Intensität des Bestrahlungslichtes wurde der Reflexionsfaktor ermittelt. Der Durchschnittswert der Reflexionsfaktoren der drei Probenstücke wird als Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht bezeichnet.For the reflection factor of the UV reflective layer were below the fragments of the discharge vessel three arbitrary pieces selected from an area of the inner surface, in which the UV reflection layer is formed. These pieces were used as specimens. Using a spectroscopic device for vacuum UV radiation were the three specimens each with vacuum UV radiation with irradiated at a wavelength of 172 ± 5 nm, and due to the ratio of the intensity of the Reflection light to the intensity of the irradiation light the reflection factor was determined. The average value of Reflection factors of the three specimens is used as a reflection factor the UV reflective layer.

Für die OH-Radikal-Konzentration in den Siliciumdioxid-Teilchen wurden von den Excimerlampen, deren Reflexionsfaktoren gemessen wurden, die UV-Reflexionsschicht vom Entladungsgefäß abgekratzt und die abgekratzte UV-Reflexionsschicht in drei Teile aufgeteilt. Die drei Teile der abgeschälten UV-Reflexionsschichten wurden jeweils mittels thermischen Desorptions-Gasanalyseverfahrens vermessen, und der Durchschnittswert der drei Messergebnisse wird als OH-Radikal-Konzentration in den Siliciumdioxid Teilchen bezeichnet.For the OH radical concentration in the silica particles became of the excimer lamps whose reflection factors were measured the UV reflective layer scraped off the discharge vessel and the scraped UV reflective layer divided into three parts. The three parts of the peeled UV reflection layers were each using a thermal desorption gas analysis method measure, and the average of the three measurement results will be referred to as the OH radical concentration in the silica particles.

Nachfolgend wird das Prinzip der Messung der OH-Radikal-Konzentration beim thermischen Desorptions-Gasanalyseverfahren vereinfacht beschrieben. Wenn man Siliciumdioxid Teilchen, welche OH-Radikale enthalten, im Hochvakuum erwärmt, erfolgt eine anhand der nachfolgenden chemischen Formel gezeigte Reaktion.following becomes the principle of measuring the OH radical concentration in the thermal Desorption gas analysis method simplified. If Silica particles containing OH radicals in a high vacuum heated, one takes place on the basis of the following chemical Formula shown reaction.

(chemische Formel 1)(chemical formula 1)

  • 2 ≡ SiOH → H2O(g) + 2SiO2 2 ≡ SiOH → H 2 O (g) + 2SiO 2

Bei einer thermischen Desorptions-Gasanalyse wird durch Bestimmung des H2O die Masse der OH-Radikale ermittelt, welche in den Siliciumdioxid Teilchen (gemessene Masse) enthalten sind. Somit kann man die Konzentration der in den Siliciumdioxid Teilchen enthaltenen OH-Radikale ermitteln.In a thermal desorption gas analysis, the determination of H 2 O determines the mass of OH radicals contained in the silica particles (measured mass). Thus, one can determine the concentration of OH radicals contained in the silica particles.

Die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid-Teilchen entspricht der Konzentration der OH-Radikale bezüglich der in der UV-Reflexionsschicht enthaltenen Siliciumdioxid-Teilchen, welche in der UV-Reflexionsschicht interne Fehler verursachen. Der Anteil der in der abgeschälten UV-Reflexionsschicht enthaltenen Siliciumdioxid Teilchen wurde ermittelt und aus diesem die Masse der OH-Radikale in Bezug auf die Masse der Siliciumdioxid Teilchen berechnet und bestimmt.The Concentration of OH radicals in the silica particles corresponds the concentration of OH radicals with respect to in the UV reflective layer containing silica particles, which cause internal errors in the UV reflective layer. The amount that contained in the peeled UV reflective layer Silica particles were determined and from this the mass the OH radicals in relation to the mass of the silica particles calculated and determined.

Nachfolgend wird das Verfahren zur Berechnung der OH-Radikal-Konzentration in den Siliciumdioxid Teilchen anhand eines Beispiels beschrieben. Wenn die Masse der abgeschälten UV-Reflexionsschicht bei 0.20 g liegt und als Anteil der Siliciumdioxid Teilchen 90 Gewichtspro zent ermittelt wird, liegt die Masse der Siliciumdioxid Teilchen bei 0.18 g. Da bei dem thermischen Desorptions-Gasanalyseverfahren die in der chemischen Formel 1 gezeigte Reaktion erfolgt, wird aus zwei OH-Radikalen ein Molekül H2O erzeugt. Wenn die Menge an gebildetem H2O, welche als Messergebnis erhalten wird, bei 1.6 × 1018 Molekülen liegt, liegt deshalb die Anzahl der OH-Radikale bei 3.2 × 1018 Molekülen. Da die Molekülmenge von OH bei 17 liegt, wird als Masse von 3.2 × 1018 Molekülen OH-Radikalen 9.04 × 10–5 g ermittelt. Da in 0.18 g Siliciumdioxid-Teilchen 9.04 × 10–5 g OH-Radikale enthalten sind, wird als Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen 502 Gew.-ppm errechnet.Hereinafter, the method for calculating the OH radical concentration in the silica particles will be described by way of example. When the mass of the peeled-off UV reflection layer is 0.20 g and the proportion of silica particles is found to be 90% by weight, the mass of the silica particles is 0.18 g. Since in the thermal desorption gas analysis method, the reaction shown in Chemical Formula 1 takes place, one molecule of H 2 O is generated from two OH radicals. Therefore, when the amount of H 2 O produced as the result of measurement is 1.6 × 10 18 molecules, the number of OH radicals is 3.2 × 10 18 molecules. Since the molecular weight of OH is 17, the mass of 3.2 × 10 18 molecules of OH radicals 9.04 × 10 -5 g is determined. Since 0.18 g of silica particles contain 9.04 × 10 -5 g of OH radicals, the concentration of OH radicals in the silica particles is calculated to be 502 ppm by weight.

Die Messung der Beleuchtungsintensität wurde folgendermaßen durchgeführt:

  • – Die Excimerlampe 10 wurde, wie in 2 gezeigt, auf einem Stützgestell 41 aus Keramik befestigt, welches innerhalb eines Gefäßes 40 aus Aluminium angeordnet ist;
  • – Ein Gerät 42 zur Messung der UV-Beleuchtungsintensität wurde an einer Stelle, welche von der Oberfläche der Excimerlampe 10 um 1 mm entfernt ist, in der Weise befestigt, dass es sich der Excimerlampe 10 gegenüber befindet;
  • – In einem Zustand, in welchem die Innenatmosphäre des Gefäßes 40 aus Aluminium gegen Stickstoff ausgetauscht wurde, wurde zwischen den Elektroden 11 und 12 der Excimerlampe 10 eine Wechselhochspannung von 5.0 kV angelegt und dadurch innerhalb des Entladungsgefäßes eine Entladung erzeugt, und
  • – die Beleuchtungsintensität der Xenon-Excimer-Strahlung, welche über das Netz der Masse-Elektrode 12 ausgestrahlt wird, wurde in einem Wellenlängenbereich von 150 nm bis 200 nm gemessen.
The measurement of the illumination intensity was carried out as follows:
  • - The excimer lamp 10 was, as in 2 shown on a support frame 41 made of ceramic, which is inside a vessel 40 made of aluminum;
  • - A machine 42 for measuring the UV illumination intensity was at a location which from the surface of the excimer lamp 10 removed by 1 mm, fixed in such a way that it is the excimer lamp 10 located opposite;
  • - In a state in which the internal atmosphere of the vessel 40 aluminum for nitrogen was exchanged between the electrodes 11 and 12 the excimer lamp 10 applied a high alternating voltage of 5.0 kV, thereby generating a discharge within the discharge vessel, and
  • - The illumination intensity of xenon excimer radiation, which through the network of the ground electrode 12 was measured in a wavelength range of 150 nm to 200 nm.

Die Beleuchtungsintensität nach einem ununterbrochenen Betrieb von 15 Minuten wurde als Anfangs-Beleuchtungsintensität bezeichnet. Die Beleuchtungsintensität wurde bei einem ununterbrochenen Betrieb von 500 Stunden anhand eines relativen Wertes zur Anfangs-Beleuchtungsintensität dargestellt und als Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität bezeichnet. Das heißt, der ”Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität” wird als [(Beleuchtungsintensität nach einem Betrieb von 500 Stunden)/(Beleuchtungsintensität unmittelbar nach dem Betrieb)] (%) bezeichnet und berechnet.The illumination intensity after 15 minutes of uninterrupted operation was called the initial illumination intensity. The illumination intensity was at an uninterrupted Be of 500 hours on the basis of a relative value to the initial illumination intensity and referred to as the degree of maintenance of the illumination intensity. That is, the "intensity of illumination intensity maintenance" is denoted and calculated as [(illumination intensity after operation of 500 hours) / (illumination intensity immediately after operation)] (%).

Die Excimerlampen wurden nach einem Betrieb von 500 Stunden zerbrochen, und wie zuvor wurde der Reflexionsfaktor der UV-Reflexionsschicht gemessen. Der Reflexionsfaktor nach dem Betrieb von 500 Stunden bezüglich des Anfangs-Reflexionsfaktors wird als Reflexions-Auf rechterhaltungsgrad bezeichnet, und der ”Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad” wird als [(Reflexionsfaktor nach einem Betrieb von 500 Stunden)/(Anfangs-Reflexionsgrad)] (%) bezeichnet und berechnet.The Excimer lamps were broken after 500 hours of operation, and as before, the reflection factor of the UV reflection layer became measured. The reflection factor after the operation of 500 hours with respect to the initial reflection factor, as the reflection-on-preservation degree and the "reflection preservation degree" becomes as [(reflection factor after operation of 500 hours) / (initial reflectance)] (%) is called and calculated.

Das Messergebnis der Lampen 1 bis 10 ist in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1 Konzentration der OH-Radikale in Siliciumdioxid-Teilchen/Gew.-ppm Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad/% Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität/% Lampe 1 5 78 72 Lampe 2 7 82 79 Lampe 3 10 98 96 Lampe 4 42 96 92 Lampe 5 132 96 94 Lampe 6 214 95 94 Lampe 7 341 94 93 Lampe 8 406 95 95 Lampe 9 502 97 94 Lampe 10 658 95 81 The measurement result of the lamps 1 to 10 is shown in Table 1. Table 1 Concentration of OH radicals in silica particles / ppm by weight Reflections maintenance degrees /% Maintenance level of illumination intensity /% Lamp 1 5 78 72 Lamp 2 7 82 79 Lamp 3 10 98 96 Lamp 4 42 96 92 Lamp 5 132 96 94 Lamp 6 214 95 94 Lamp 7 341 94 93 Lamp 8 406 95 95 Lamp 9 502 97 94 Lamp 10 658 95 81

3 ist eine graphische Darstellung des in der Tabelle 1 gezeigten Messergebnisses, wobei die Abszissenachse die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen (Gew.-ppm) und die Ordinatenachse den Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad (%) darstellt und die Werte der Lampen 1 bis 10 aufgezeichnet wurden. 4 ist eine graphische Darstellung des in der Tabelle 1 gezeigten Messergebnisses, wobei die Abszissenachse die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen (Gew.-ppm) und die Ordinatenachse den Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität (%) darstellt und die Werte der Lampen 1 bis 10 aufgezeichnet wurden. 3 Fig. 12 is a graph showing the result of measurement shown in Table 1, wherein the axis of abscissa represents the concentration of OH radicals in the silica particles (ppm by weight) and the axis of ordinate represents reflection retention (%) and the values of lamps 1 to 10 were recorded. 4 is a graph of the measurement result shown in Table 1, wherein the axis of abscissa represents the concentration of OH radicals in the silica particles (ppm by weight) and the ordinate axis the degree of maintenance of the illumination intensity (%) and the values of the lamps 1 to 10 were recorded.

Die in 3 und 4 gezeigten graphischen Darstellungen sind semilogarithmische graphische Darstellungen, wobei die Abszissenachsen jeweils einen logarithmischen Maßstab haben.In the 3 and 4 The graphs shown are semilogarithmic graphs, the axes of abscissa each having a logarithmic scale.

Aus dem vorstehend beschriebenen Ergebnis lässt sich ablesen, dass sowohl der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad als auch der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität ca. 80% oder kleiner als ca. 80% betragen, und dass bei einem Betrieb der Excimerlampen über eine lange Zeit die Behandlungskapazität sich verringert, wenn die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen bei kleiner als 10 Gew.-ppm, konkret bei 5 Gew.-ppm, 7 Gew.-ppm liegt. Andererseits kann man ablesen, dass bei einer Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid-Teilchen von mindestens 10 Gew.-ppm sowohl der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad als auch der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität mindestens 90% erreichen und dass die Behandlungskapazität selbst bei einem Betrieb der Excimerlampen über eine lange Zeit aufrechterhalten werden kann. Wie in 3 und 4 gezeigt wird, erhöhen sich sowohl der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad als auch der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität rasch, wenn die OH-Radikal-Konzentration von kleiner als 10 Gew.-ppm auf mindestens 10 Gew.-ppm erhöht wird. Man kann deshalb eine deutliche Differenz erkennen, wenn man die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen auf mindestens 10 Gew.-ppm festlegt. Es hat sich erwiesen, dass dadurch hinsichtlich der Aufrechterhaltung der Beleuchtungsintensität bei einem Betrieb über eine lange Zeit eine beachtliche Wirkung erreicht wird.From the result described above, it can be seen that both the reflection maintaining degree and the maintenance degree of the illumination intensity are about 80% or less than about 80%, and that when the excimer lamps are operated for a long time, the treatment capacity decreases. if the concentration of OH radicals in the silica particles is less than 10 ppm by weight, specifically 5 ppm by weight, 7 ppm by weight. On the other hand, it can be seen that, when the OH radicals in the silica particles are at least 10 ppm by weight, both the reflection maintenance degree and the illumination intensity maintenance degree reach at least 90%, and the treatment capacity becomes high even when the excimer lamps are operated can be sustained over a long time. As in 3 and 4 is shown, both the reflection maintenance level and the maintenance level of the illumination intensity increase rapidly when the OH radical concentration is increased from less than 10 ppm by weight to at least 10 ppm by weight. It is therefore possible to detect a clear difference if the concentration of OH radicals in the silica particles is set to at least 10 ppm by weight. It has been found that this results in respect of the maintenance of the illumination intensity in a long-term operation, a considerable effect is achieved.

Andererseits wurde festgestellt, dass der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität sich im Vergleich zu einer Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen von 502 Gew.-ppm der Lampe 9 deutlich mehr verringert, obwohl der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad bei einer Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen von 658 Gew.-ppm der Lampe 10 hoch aufrechterhalten wird. Der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität bei einer Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen von 658 Gew.-ppm der Lampe 1 bleibt bei 81%, was ungefähr gleich 79% ist, bei welchem der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität bei einer Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen von 7 Gew.-ppm der Lampe 2 liegt. Das heißt, die ausgezeichnete Wirkung hinsichtlich der Aufrechterhaltung der Beleuchtungsintensität, welche dadurch erhalten wird, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen auf mindestens 10 Gew.-ppm festgelegt wird, wird bei einer Konzentration der OH-Radikale von 658 Gew.-ppm nicht erreicht.on the other hand It was found that the degree of maintenance of the illumination intensity compared to a concentration of OH radicals in the Silica particles of 502 ppm by weight of the lamp 9 significantly more although the degree of reflection retention at a Concentration of OH radicals in the silica particles of 658 ppm by weight of the lamp 10 is maintained high. The degree of maintenance the illumination intensity at a concentration of OH radicals in the silica particles of 658 ppm by weight of Lamp 1 remains at 81%, which is about 79% which the degree of maintenance of the illumination intensity at a concentration of OH radicals in the silica particles of 7 wt ppm of the lamp 2 is located. That is, the excellent Effect with regard to the maintenance of the illumination intensity, which is obtained by the concentration of OH radicals in the silica particles to at least 10 ppm by weight is at a concentration of OH radicals of 658 ppm by weight not reached.

Man kann sich vorstellen, dass der Grund hierfür darin liegt, dass im Fall einer zu hohen Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen durch eine Reaktion der Sauerstoff-Atome, welche aus den OH-Radikalen entstehen, mit Edelgas-Atomen die Bildung von Excimermolekülen behindert wird und dass dadurch der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität sich verringert. Wenn die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen zu hoch ist, werden die OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen dadurch, dass sie dem Entla dungsplasma ausgesetzt sind, erwärmt und optisch angeregt und als Wasser (H2O) in den Entladungsraum abgegeben. Das freigesetzte Wasser (H2O) wird im Entladungsplasma zersetzt. Bei einer Excimerlampe, in welche als Entladungsgas Xenon (Xe) eingefüllt ist, entstehen Moleküle (XeO), in denen Xenon-Atome mit Sauerstoff-Atomen verbunden sind. Von diesen Molekülen wird nun grüne Strahlung mit einer Haupt-Wellenlänge von ca. 550 nm ausgestrahlt. Durch eine derartige Reaktion von Sauerstoff-Atomen mit Edelgas-Atomen wird die Bildung von Excimermolekülen behindert, und der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität der Excimer-Emission mit einer Haupt-Wellenlänge von 172 nm verringert sich.One can imagine that the reason for this is that in the case of too high a concentration of OH radicals in the silica particles by a reaction of the oxygen atoms, which arise from the OH radicals, with noble gas atoms, the formation of Excimer molecules is hindered and that thereby the degree of maintenance of the illumination intensity is reduced. If the concentration of OH radicals in the silica particles is too high, the OH radicals in the silica particles are heated and optically excited by being exposed to the discharge plasma and released into the discharge space as water (H 2 O) , The released water (H 2 O) is decomposed in the discharge plasma. An excimer lamp filled with xenon (Xe) as the discharge gas produces molecules (XeO) in which xenon atoms are linked to oxygen atoms. Of these molecules, green radiation is now emitted with a main wavelength of about 550 nm. Such a reaction of oxygen atoms with rare gas atoms hinders the formation of excimer molecules, and the maintenance of the illumination intensity of the excimer emission having a main wavelength of 172 nm decreases.

Aufgrund des vorstehend beschriebenen Phänomens kann ein Fall auftreten, in welchem der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität sich verringert, auch wenn der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad der UV-Reflexionsschicht hoch aufrechterhalten werden kann. Es hat sich deshalb erwiesen, dass es auch erforderlich ist, die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen, welche in der UV-Reflexionsschicht enthalten sind, auf höchstens 502 Gew.-ppm einzustellen, um ein übermäßiges Vorhandensein von Sauerstoff-Atomen, welche aus den OH-Radikalen entstehen, im Entladungsraum zu verhindern, so eine Behinderung bei der Bildung von Excimer-Molekülen aufgrund einer Reaktion von Sauerstoff-Atomen mit Edelgas-Atomen zu verhindern, eine Verringerung des Aufrechterhaltungsgrades der Beleuchtungsintensität der Excimerlampe zu unterdrücken und gleichzeitig eine ausgezeichnete Wirkung hinsichtlich der Aufrechterhaltung der Beleuchtungsintensität zu erreichen, welche dadurch erhalten wird, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen auf mindestens 10 Gew.-ppm festgelegt wird.by virtue of of the phenomenon described above, a case may arise in which the degree of maintenance of the illumination intensity decreases, even if the reflection-preservation degree of UV reflective layer can be maintained high. It has therefore proved that it is also necessary to increase the concentration the OH radicals in the silica particles which are in the UV reflective layer to set at most 502 ppm by weight, an excessive presence of oxygen atoms, which arise from the OH radicals to prevent in the discharge space, such a hindrance in the formation of excimer molecules due to a reaction of oxygen atoms with noble gas atoms to prevent a reduction in the degree of maintenance of To suppress illumination intensity of the excimer lamp and at the same time an excellent maintenance effect to reach the illumination intensity which thereby is obtained that the concentration of OH radicals in the silica Particles is set to at least 10 ppm by weight.

Versuchsbeispiel 2Experimental Example 2

Mit Lampen, bei welchen die mittleren Korngrößen sowie die Anteile an Siliciumdioxid-Teilchen und Aluminiumoxid Teilchen der UV-Reflexionsschichten verändert wurden, wurden dieselben Messungen wie im Versuchsbeispiel 1 durchgeführt.With Lamps where the mean grain sizes as well the proportions of silica particles and alumina particles the UV reflection layers were changed became the same Measurements carried out as in Experimental Example 1.

(Grundanordnung der Excimerlampe)(Basic arrangement of the excimer lamp)

Excimerlampen wie im Versuchsbeispiel 1 und unter denselben Bedingungen hergestellt außer, dass mittlere Korngrößen sowie Anteile an Siliciumdioxid Teilchen und Aluminiumoxid-Teilchen der UV-Reflexionsschichten auf verschiedene Weise verändert wurden.excimer as prepared in Experimental Example 1 and under the same conditions except that mean grain sizes as well Proportions of silica particles and alumina particles of the UV reflection layers changed in different ways were.

Lampe 11Lamp 11

  • Aluminiumoxid Teilchen: mittlere Korngröße 1.5 μmAluminum oxide particles: mean particle size 1.5 μm
  • Anteil: 20 GewichtsprozentProportion: 20% by weight
  • Siliciumdioxid Teilchen: mittlere Korngröße 1.5 μmSilica particles: mean grain size 1.5 μm
  • Anteil: 80 GewichtsprozentProportion: 80 weight percent

Lampe 12Lamp 12

  • Aluminiumoxid Teilchen: mittlere Korngröße 1.5 μmAluminum oxide particles: mean particle size 1.5 μm
  • Anteil: 30 GewichtsprozentProportion: 30 weight percent
  • Siliciumdioxid Teilchen: mittlere Korngröße 1.5 μmSilica particles: mean grain size 1.5 μm
  • Anteil: 70 GewichtsprozentProportion: 70 weight percent

Lampe 13Lamp 13

  • Aluminiumoxid Teilchen: mittlere Korngröße 0.3 μmAluminum oxide particles: mean particle size 0.3 μm
  • Anteil: 10 GewichtsprozentProportion: 10% by weight
  • Siliciumdioxid Teilchen: mittlere Korngröße 0.3 μmSilica particles: mean grain size 0.3 μm
  • Anteil: 90 GewichtsprozentProportion: 90% by weight

Lampe 14Lamp 14

  • Aluminiumoxid Teilchen: mittlere Korngröße 3.5 μmAluminum oxide particles: mean particle size 3.5 μm
  • Anteil: 40 GewichtsprozentProportion: 40% by weight
  • Siliciumdioxid Teilchen: mittlere Korngröße 0.3 μmSilica particles: mean grain size 0.3 μm
  • Anteil: 60 GewichtsprozentProportion: 60% by weight

Lampe 15Lamp 15

  • Aluminiumoxid Teilchen: mittlere Korngröße 4.0 μmAluminum oxide particles: mean particle size 4.0 μm
  • Anteil: 10 GewichtsprozentProportion: 10% by weight
  • Siliciumdioxid Teilchen: mittlere Korngröße 0.5 μmSilica particles: mean grain size 0.5 μm
  • Anteil: 90 GewichtsprozentProportion: 90% by weight

Für die Excimerlampen mit der vorstehend beschriebenen Anordnung (Lampen 11 bis 15) wurde in derselben Weise wie beim Versuchsbeispiel 1 die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen, der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad sowie der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität gemessen. Die Messergebnisse für die Lampen 11 bis 15 sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2 Bestandteil Haupt-Korngröße (μm) Anteil (Gew.-%) Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen (Gew.-ppm) Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad (%) Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität (%) Lampe 11 Aluminiumoxid Teilchen 1.5 20 153 96 94 Siliciumdioxid Teilchen 1.5 80 Lampe 12 Aluminiumoxid Teilchen 1.5 30 221 95 94 Siliciumdioxid Teilchen 1.5 70 Lampe 13 Aluminiumoxid Teilchen 0.3 10 183 92 91 Siliciumdioxid Teilchen 0.3 90 Lampe 14 Aluminiumoxid Teilchen 3.5 40 304 95 93 Siliciumdioxid Teilchen 0.3 60 Lampe 15 Aluminiumoxid Teilchen 4.0 10 197 97 95 Siliciumdioxid Teilchen 0.5 90 For the excimer lamps having the above-described arrangement (lamps 11 to 15), in the same manner as in Experimental Example 1, the concentration of OH radicals in the silica particles, the reflection maintaining degree, and the maintenance level of the illumination intensity were measured. The measurement results for the lamps 11 to 15 are shown in Table 2. Table 2 component Main grain size (μm) Proportion (% by weight) Concentration of OH radicals in the silica particles (ppm by weight) Reflection maintenance degree (%) Maintenance level of illumination intensity (%) Lamp 11 Alumina particles 1.5 20 153 96 94 Silica particles 1.5 80 Lamp 12 Alumina particles 1.5 30 221 95 94 Silica particles 1.5 70 Lamp 13 Alumina particles 0.3 10 183 92 91 Silica particles 0.3 90 Lamp 14 Alumina particles 3.5 40 304 95 93 Silica particles 0.3 60 Lamp 15 Alumina particles 4.0 10 197 97 95 Silica particles 0.5 90

Bei den UV-Reflexionsschichten der Lampen 11 bis 15 lag die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid-Teilchen in einem Bereich von mindestens 10 Gew.-ppm und höchstens 502 Gew.-ppm. Es wurde festgestellt, dass der Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad sowie der Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität dieser UV-Reflexionsschichten bei mindestens 90% liegen. Aus diesen Ergebnissen hat sich erwiesen, dass selbst bei verschiedenen Änderungen der mittleren Korngrößen sowie der Anteile der Siliciumdioxid Teilchen und Aluminiumoxid-Teilchen der UV-Reflexionsschichten ein ausreichend hoher Reflexions-Aufrechterhaltungsgrad sowie ein ausreichend hoher Aufrechterhaltungsgrad der Beleuchtungsintensität beibehalten werden, wenn die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen der UV- Reflexionsschicht in einem Bereich von mindestens 10 Gew.-ppm und höchstens 502 Gew.-ppm liegt.at the UV reflection layers of lamps 11 to 15 was the concentration the OH radicals in the silica particles in a range of at least 10 ppm by weight and at most 502 ppm by weight. It was found that the degree of reflection maintenance and the degree of maintenance of the illumination intensity these UV reflective layers are at least 90%. From these Results have been proven that even with different changes the average particle sizes and the proportions of Silica particles and alumina particles of the UV reflection layers a sufficiently high degree of reflection maintenance and a maintain a sufficiently high degree of maintenance of the illumination intensity when the concentration of OH radicals in the silica Particles of the UV reflection layer in a range of at least 10 ppm by weight and at most 502 ppm by weight.

Vorstehend wurde zwar eine Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die vorstehend beschriebenen Excimerlampen beschränkt, sondern kann zum Beispiel auch auf die in 5 gezeigte Excimerlampe 50 vom Doppelröhrentyp angewendet werden. Auf der Innenoberfläche der Außenröhre 52 und auf der Außenoberfläche der Innenröhre 53 des Entladungsgefäßes 51 der in 5 gezeigten Excimerlampe 50 sind UV-Reflexionsschichten 54 gebildet. Der Innendurchmesser der Außenröhre 52 liegt bei 24 mm, der Außendurchmesser der Innenröhre 53 bei 16 mm, die Gesamtlänge bei 350 mm und die Dicke bei 1 mm. Sie bestehen jeweils aus Silicaglas. Auf der Außenoberfläche der Außenröhre 52 ist eine Außenelektrode 55 aus einem netzartigen Metall und auf der Außenoberfläche der Innenröhre 53 eine Innenelektrode 55 aus einem plattenartigen Metall angeordnet.Although an embodiment of the invention has been described above. However, the invention is not limited to the excimer lamps described above, but can also be applied to the in 5 shown excimer lamp 50 be applied by the double tube type. On the inner surface of the outer tube 52 and on the outer surface of the inner tube 53 of the discharge vessel 51 the in 5 shown excimer lamp 50 are UV reflective coatings 54 educated. The inner diameter of the outer tube 52 is 24 mm, the outer diameter of the inner tube 53 at 16 mm, the total length at 350 mm and the thickness at 1 mm. They each consist of silica glass. On the outer surface of the outer tube 52 is an outer electrode 55 of a reticulated metal and on the outer surface of the inner tube 53 an inner electrode 55 arranged from a plate-like metal.

Die Erfindung kann ferner auch bei einer eckigen Excimerlampe 60 gemäß 6 angewendet werden. Die in 6 gezeigte Excimerlampe 60 weist beispielsweise ein Entladungsgefäß 61 mit einem rechteckigen Querschnitt aus Silicaglas auf. Auf gegenüberliegenden Außenoberflächen dieses Entladungsgefäßes 61 ist ein Paar Außenelektroden 62, 63 aus Metall in der Weise angeordnet, dass sie sich in der Röhrenachsrichtung des Entladungsgefäßes 61 erstrecken. In das Entladungsgefäß 61 ist Xenongas als Entladungsgas eingefüllt. Auf der Innenoberfläche des Entladungsgefäßes 61 ist eine UV-Reflexionsschicht 64 angeordnet. Auf der Außenoberfläche des Entladungsgefäßes 61 ist auf einer beliebigen Seite, welche nicht mit den Außenelektroden 62, 63 versehen ist, ein Lichtaustrittsfenster 65 dadurch gebildet, dass die UV-Reflexionsschicht 64 nicht gebildet ist. Die Abmessung des Entladungsgefäßes 61 liegt bei 14 × 34 × 150 mm. Die Dicke liegt bei 2.5 mm.The invention can also be applied to an angular excimer lamp 60 according to 6 be applied. In the 6 shown excimer lamp 60 has, for example, a discharge vessel 61 with a rectangular cross section made of silica glass. On opposite outer surfaces of this discharge vessel 61 is a pair of external electrodes 62 . 63 of metal arranged in such a way that they are in the tube axial direction of the discharge vessel 61 extend. In the discharge vessel 61 Xenon gas is filled in as discharge gas. On the inner surface of the discharge vessel 61 is a UV reflection layer 64 arranged. On the outer surface of the discharge vessel 61 is on any side, which does not match the outer electrodes 62 . 63 is provided, a light emission window 65 formed by that the UV reflection layer 64 not formed. The dimension of the discharge vessel 61 is 14 × 34 × 150 mm. The thickness is 2.5 mm.

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Claims (5)

Excimerlampe, welche ein Entladungsgefäß aus Silicaglas mit einem Entladungsraum aufweist, bei welcher ein Paar Elektroden so angeordnet ist, dass das Silicaglas des Entladungsgefäßes sich zwischen diesen befindet, bei welcher in den Entladungsraum Entladungsgas eingefüllt ist und auf der Innenoberfläche des Entladungsgefäßes eine UV-Reflexionsschicht gebildet ist, die aus Siliciumdioxid Teilchen, welche OH-Radikale enthalten, und aus Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid besteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen bei mindestens 10 Gew.-ppm liegt.An excimer lamp comprising a discharge vessel of silica glass having a discharge space in which a pair of electrodes are arranged so that the silica glass of the discharge vessel is interposed therebetween, in which discharge gas is filled in the discharge space and a UV reflection layer is formed on the inner surface of the discharge vessel which is composed of silica particles containing OH radicals and fine particles having a higher melting point than silica, characterized in that the concentration of OH radicals in the silica particles is at least 10 ppm by weight. Excimer-Lampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration der OH-Radikale in den Siliciumdioxid Teilchen bei höchstens 502 Gew.-ppm liegt.Excimer lamp according to Claim 1, characterized that the concentration of OH radicals in the silica particles at most 502 ppm by weight. Excimer-Lampe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die aus Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid ausgewählt sind aus Aluminiumoxid, Lithiumfluorid, Magnesiumfluorid, Calciumfluorid oder Bariumfluorid.Excimer lamp according to claim 1 or 2, characterized that of fine particles with a higher melting point are selected as silica from alumina, lithium fluoride, Magnesium fluoride, calcium fluoride or barium fluoride. Excimer-Lampe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngröße der Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid in einem Bereich von 0.01 μm bis 20 μm liegt.Excimer lamp according to one of claims 1 to 3, characterized in that the grain size the fines having a higher melting point than silica in a range of 0.01 microns to 20 microns. Excimer-Lampe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass, und dass die mittlere Korngröße der Feinteilchen mit einem höheren Schmelzpunkt als Siliciumdioxid im Bereich von 0.1 μm bis 10 μm, bevorzugt bei 0.1 μm bis 3 μm, liegt.Excimer lamp according to one of claims 1 to 4, characterized in that, and that the mean grain size the fines having a higher melting point than silica in the range of 0.1 .mu.m to 10 .mu.m, preferably at 0.1 μm to 3 μm.
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