DE102008064927B3 - Lichtemissionsbauteile - Google Patents
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Abstract
Lichtemissionsbauteil (40; 60) mit:
einer Halbleiterschicht (43; 63) vom n-Typ;
einer Halbleiterschicht (44; 64) vom p-Typ und
einer aktiven Schicht (45; 65) zwischen der Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) und der Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) und mit einem ersten Bereich (45Ai; 65Ai) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) einem zweiten Bereich (45Bi; 65Bi) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) sowie einem dritten Bereich (45Ci; 65Ci) zwischen dem ersten und zweiten Bereich (45Ai, 45Bi; 65Ai, 65Bi);
wobei der erste Bereich (45Ai; 65Ai), der zweite Bereich (45Bi; 65Bi) und dritte Bereich (45Ci; 65Ci) jeweils abwechselnd aufeinander laminierte Barriereschichten (45A1, 45B3, 45C1; 65A1, 65B3, 65C1) und Trogschichten (45A2, 45B2, 45C2; 65A2, 65B2, 65C2) aufweisen,
wobei die Barriereschichten (45A1, 45B3; 65A1, 65B3) des ersten Bereiches (45Ai; 65Ai) und zweiten Bereiches (45Bi; 65Bi) mit n-Typ Dotierstoffen dotiert sind und der dritte Bereich (45Ci; 65Ci) mit n-Typ Dotierstoffen mit einer geringeren Konzentration dotiert ist als eine Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des ersten Bereiches (45Ai; 65Ai) und mit einer geringeren Konzentration als der Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des zweiten Bereiches (45Bi; 65Bi),
wobei der zweite Bereich (45Bi; 65Bi) weiter eine letzte Barriereschicht (45B1, benachbart zur Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) aufweist, wobei die letzte Barriereschicht (45B1, 65B1) undotiert ist.
einer Halbleiterschicht (43; 63) vom n-Typ;
einer Halbleiterschicht (44; 64) vom p-Typ und
einer aktiven Schicht (45; 65) zwischen der Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) und der Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) und mit einem ersten Bereich (45Ai; 65Ai) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) einem zweiten Bereich (45Bi; 65Bi) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) sowie einem dritten Bereich (45Ci; 65Ci) zwischen dem ersten und zweiten Bereich (45Ai, 45Bi; 65Ai, 65Bi);
wobei der erste Bereich (45Ai; 65Ai), der zweite Bereich (45Bi; 65Bi) und dritte Bereich (45Ci; 65Ci) jeweils abwechselnd aufeinander laminierte Barriereschichten (45A1, 45B3, 45C1; 65A1, 65B3, 65C1) und Trogschichten (45A2, 45B2, 45C2; 65A2, 65B2, 65C2) aufweisen,
wobei die Barriereschichten (45A1, 45B3; 65A1, 65B3) des ersten Bereiches (45Ai; 65Ai) und zweiten Bereiches (45Bi; 65Bi) mit n-Typ Dotierstoffen dotiert sind und der dritte Bereich (45Ci; 65Ci) mit n-Typ Dotierstoffen mit einer geringeren Konzentration dotiert ist als eine Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des ersten Bereiches (45Ai; 65Ai) und mit einer geringeren Konzentration als der Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des zweiten Bereiches (45Bi; 65Bi),
wobei der zweite Bereich (45Bi; 65Bi) weiter eine letzte Barriereschicht (45B1, benachbart zur Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) aufweist, wobei die letzte Barriereschicht (45B1, 65B1) undotiert ist.
Description
- Die Erfindung betrifft Lichtemissionsbauteile, genauer gesagt Leuchtdioden mit einer aktiven Mehrfachquantentrogschicht.
- Leuchtdioden (LEDs) sind wichtige Festkörperbauteile, die elektrischen Strom in Licht wandeln. Sie verfügen über eine aktive Schicht aus einem Halbleitermaterial zwischen zwei entgegengesetzt dotierten Schichten, von denen die eine vom p-Typ und die andere vom n-Typ ist. Zwischen elektrischen Kontakten auf den dotierten Schichten fließt ein Steuerstrom, der dafür sorgt, dass Elektronen und Löcher aus den dotierten Schichten in die aktive Schicht injiziert werden. Diese Elektronen und Löcher rekombinieren dann unter Erzeugung von Licht, das omnidirektional aus der aktiven Schicht abgestrahlt wird und aus allen Flächen der LED austritt. Im Allgemeinen ist die aktive Schicht entweder eine Einfachquantentrogschicht (SQW = Single-Quantum-Well) oder eine Mehrfachquantentrogschicht (MQW = Multi-Quantum-Well). Es ist zu erwarten, dass eine aktive MQW-Schicht zu besseren Bauteileeigenschaften, wie höheren Ausgangsleistungen, im Vergleich zu einer aktiven SQW-Schicht führt, da sie aufgrund der Polarität der Minibänderstruktur Licht effizient bei kleinem Strom emittieren kann. Eine solche ist bekannt aus der Druckschrift
US 2005 / 0 156 153 A1 - Die
1 ist ein schematischer Schnitt durch eine herkömmliche LED mit aktiver MQW-Schicht für gute Effizienz und hohe Ausgangsleistung. Dieses Lichtemissionsbauteil10 verfügt über die genannte aktive MQW-Schicht15 zwischen einer Nitridhalbleiterschicht14 vom p-Typ und einer Nitridhalbleiterschicht13 vom n-Typ. Alle Barriereschichten der aktiven MQW-Schicht15 sind, mit Ausnahme der Barriereschicht, benachbart zur Nitridhalbleiterschicht14 vom p-Typ, mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert. - In der
2 ist ein schematischer Schnitt durch eine weitere herkömmliche LED20 dargestellt. Dieses Lichtemissionsbauteil20 verfügt über eine aktive MQW-Schicht25 , die zwischen einer Nitridhalbleiterschicht24 vom p-Typ und einer Nitridhalbleiterschicht23 vom n-Typ liegt. Nur einige Barriereschichten nahe der Nitridhalbleiterschicht23 vom n-Typ sind mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Lichtemissionsbauteil mit hoher Lichteffizienz zu schaffen.
- Diese Aufgabe ist durch die Lichtemissionsbauteile gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüchen gelöst. Die erfindungsgemäßen Lichtemissionsbauteile verfügen über spezielle Dotierprofile, die für die genannte hohe Lichteffizienz sorgen.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert.
-
1 zeigt eine schematische Schnittansicht eines ersten herkömmlichen Lichtemissionsbauteils10 . -
2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines zweiten herkömmlichen Lichtemissionsbauteils20 . -
3 bis6 zeigen jeweils eine schematische Schnittansicht einer ersten bis vierten Ausführungsform von Lichtemissionsbauteilen30 ,40 ,50 bzw.60 gemäß der Erfindung. - Das in der
3 dargestellte Lichtemissionsbauteil30 gemäß einer ersten Ausführungsform verfügt über ein Substrat31 , eine Pufferschicht32 , eine Nitridhalbleiterschicht33 vom n-Typ, eine aktive Schicht35 und eine Nitridhalbleiterschicht34 vom p-Typ. Die aktive Schicht35 ist eine aktive Mehrfachquantentrogschicht, die dadurch hergestellt wird, dass mehrere Barriereschichten und Trogschichten abwechselnd aufeinander laminiert werden. Darüber hinaus ist die aktive Schicht35 in drei Bereiche unterteilt, nämlich einen ersten Bereich35Ai (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht33 vom n-Typ, einen zweiten Bereich35Bi (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht34 vom p-Typ sowie einen dritten Bereich35Ci (i = 1, 2, 3, ...) zwischen dem ersten Bereich35Ai und dem zweiten Bereich35Bi . Ferner besteht der erste Bereich35Ai aus einem Stapel von Schichten, nämlich einer Schicht35A1 , einer Schicht35A2 , einer Schicht 35A3 usw., wobei die Schicht35A1 benachbart zu an die Nitridhalbleiterschicht33 vom n-Typ liegt; der zweite Bereich35Bi besteht aus einem Stapel von Schichten, nämlich einer Schicht35B1 , einer Schicht35B2 , einer Schicht35B3 usw., wobei die Schicht35B1 benachbart zu der Nitridhalbleiterschicht33 vom p-Typ liegt. Außerdem sind die Schichten35A1 ,35A3 ,35B1 und35B3 Barriereschichten, während die Schichten35A2 und35B2 Trogschichten sind. Anders gesagt, sind die Schichten mit ungeraden Zahlen Barriereschichten, während die Schichten mit geraden Zahlen Trogschichten sind. Der erste Bereich35Ai und der zweite Bereich35Bi (d. h. die Schichten35A1 ,35A2 ,35A3 ,35B1 ,35B2 ,35B3 ) sind mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert, während der dritte Bereich35Ci undotiert oder mit den Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten Bereich35Ai und im zweiten Bereich35Bi ist. - Das in der
4 dargestellte Lichtemissionsbauteil40 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung verfügt über ein Substrat41 , eine Pufferschicht42 , eine Nitridhalbleiterschicht43 vom n-Typ, eine aktive Schicht45 und eine Nitridhalbleiterschicht44 vom p-Typ. Die aktive Schicht45 ist eine aktive Mehrfachquantentrogschicht, die durch abwechselndes Auflaminieren mehrerer Barriereschichten und Quantentrogschichten hergestellt wurde. Die aktive Schicht45 ist in drei Bereiche unterteilt, nämlich einen ersten Bereich45Ai (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht43 vom n-Typ, einen zweiten Bereich45Bi (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht44 vom p-Typ und einen dritten Bereich45Ci (i = 1, 2, 3, ...) zwischen dem ersten Bereich45Ai und dem zweiten Bereich45Bi . Ferner besteht der erste Bereich45Ai aus einem Stapel von Schichten, nämlich Schichten45A1 ,45A2 ,45A3 usw., wobei die SchichtA1 benachbart zur Nitridhalbleiterschicht43 vom n-Typ liegt. Der zweite Bereich45Bi besteht aus einem Stapel von Schichten, nämlich Schichten45B1 ,45B2 ,45B3 usw., wobei die Schicht45B1 benachbart zur Nitridhalbleiterschicht43 vom p-Typ liegt. Außerdem sind die Schichten45A1 ,45A3 ,45B1 und45B3 Barriereschichten, während die Schichten45A2 und45B2 Trogschichten sind. Anders gesagt, sind die Schichten mit ungeraden Zahlen Barriereschichten, und die Schichten mit geraden Zahlen sind Trogschichten. Gemäß der Erfindung sind der erste Bereich45Ai und der zweite Bereich45Bi (wie die Schichten45A1 ,45A2 ,45A3 ,45B2 und45B3 ) mit Ausnahme der Schicht45B1 mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert, und der dritte Bereich45Ci ist undotiert oder mit Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten Bereich45Ai und im zweiten Bereich45Bi dotiert. - Das in der
5 dargestellte Lichtemissionsbauteil50 gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung verfügt über ein Substrat51 , eine Pufferschicht52 , eine Nitridhalbleiterschicht53 vom n-Typ, eine aktive Schicht55 und eine Nitridhalbleiterschicht45 vom p-Typ. Die aktive Schicht55 ist eine aktive Mehrfachquantentrogschicht, die dadurch hergestellt wurde, dass mehrere Barriereschichten und Quantentrogschichten abwechselnd aufeinander laminiert wurden. Darüber hinaus ist die aktive Schicht55 in drei Bereiche unterteilt, nämlich einen ersten Bereich55Ai (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht53 vom n-Typ, einen zweiten Bereich55Bi (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht54 vom p-Typ und einen dritten Bereich55Ci (i = 1, 2, 3, ...) zwischen dem ersten Bereich55Ai und dem zweiten Bereich55Bi . Ferner besteht der erste Bereich55Ai aus einem Stapel von Schichten, nämlich Schichten55A1 ,55A2 ,55A3 usw., wobei die Schicht55A1 benachbart zur Nitridhalbleiterschicht53 vom n-Typ liegt; der zweite Bereich55Bi besteht aus einem Stapel von Schichten, nämlich Schichten55B1 ,55B2 ,55B3 usw., wobei die Schicht55B1 benachbart zur Nitridhalbleiterschicht53 vom p-Typ liegt. Außerdem sind die Schichten55A1 ,55A3 ,55B1 und55B3 Barriereschichten, während die Schichten55A2 und55B2 Trogschichten sind. Anders gesagt, sind die Schichten mit ungeraden Zahlen Barriereschichten, und die Schichten mit geraden Zahlen sind Trogschichten. Gemäß der Erfindung sind die Barriereschichten des ersten Bereichs55Ai und des zweiten Bereichs55Bi (wie die Schichten55A1 ,55A3 ,55B1 und55B3 ) mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert, und der dritte Bereich55Ci ist undotiert oder mit Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten Bereich55Ai und im zweiten Bereich55Bi dotiert. - Das in der
6 dargestellte Lichtemissionsbauteil60 gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung verfügt über ein Substrat61 , eine Pufferschicht62 , eine Nitridhalbleiterschicht63 vom n-Typ, eine aktive Schicht65 und eine Nitridhalbleiterschicht64 vom p-Typ. Die aktive Schicht65 ist eine aktive Mehrfachquantentrogschicht, die durch abwechselndes Aufeinanderlaminieren mehrerer Barriereschichten und Trogschichten hergestellt wurde. Darüber hinaus ist die aktive Schicht65 in drei Bereiche unterteilt, nämlich einen ersten Bereich65Ai (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht63 vom n-Typ, einen zweiten Bereich65Bi (i = 1, 2, 3, ...) nahe der Nitridhalbleiterschicht vom p-Typ sowie einen dritten Bereich65Ci (i = 1, 2, 3, ...) zwischen dem ersten Bereich65Ai und dem zweiten Bereich65Bi . Ferner besteht der erste Bereich65Ai aus einem Stapel von Schichten, nämlich Schichten65A1 ,65A2 ,65A3 usw., wobei die Schicht65A1 benachbart zur Nitridhalbleiterschicht63 vom n-Typ liegt; der zweite Bereich65Bi besteht aus einem Stapel von Schichten, nämlich Schichten65B1 ,65B2 ,65B3 usw., wobei die Schicht65B1 benachbart zur Nitridhalbleiterschicht63 vom p-Typ liegt. Außerdem sind die Schichten65A1 ,65A3 ,65B1 und65B3 Barriereschichten, während die Schichten65A2 und65B2 Trogschichten sind. Anders gesagt, sind die Schichten mit ungeraden Zahlen Barriereschichten, und die Schichten mit geraden Zahlen sind Trogschichten. Gemäß der Erfindung sind die Barriereschichten des ersten Bereichs65Ai und des zweiten Bereichs65Bi (wie die Schichten65A1 ,65A3 und65B3 ) mit Ausnahme der Schicht65B1 mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert, und der dritte Bereich65Ci ist undotiert oder mit Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten Bereich65Ai und im zweiten Bereich65Bi dotiert. - Die Dotierstoffe vom n-Typ werden aus Silicium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Schwefel (S), Sauerstoff (O) ausgewählt, und die Konzentration derselben liegt in den dotierten Schichten zwischen 5 × 1016 und 1 × 1019/cm3. In den undotierten oder schwach dotierten Schichten liegt die Konzentration der Dotierstoffe vom n-Typ unter 1 × 1017/cm3, wobei dieser Wert auf Diffusion oder Verunreinigungen im Herstellprozess beruht. Die Konzentrationen in den verschiedenen dotierten Schichten sind im Wesentlichen gleich, oder sie sind in den Bereichen näher an den Nitridhalbleiterschichten vom p-Typ oder vom n-Typ höher.
- Es folgt eine Liste von Beispielen:
- 1. Lichtemissionsbauteil (
30 ;40 ) mit: einer Halbleiterschicht (33 ;43 ) vom n-Typ;- einer Halbleiterschicht (
34 ;44 ) vom p-Typ und einer aktiven Schicht (35 ;45 ) zwischen den Halbleiterschichten vom n-Typ und vom p-Typ, mit einem ersten Bereich (35Ai ;45Ai ) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ, einem zweiten Bereich (35Bi ;45Bi ) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ sowie einem dritten Bereich (35Ci ;45Ci ) zwischen dem ersten und zweiten Bereich; wobei der erste und der zweite Bereich mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert sind und der dritte Bereich undotiert ist oder mit Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten und zweiten Bereich dotiert ist.
- einer Halbleiterschicht (
- 2. Lichtemissionsbauteil nach Beispiel 1, wobei die Konzentration der Dotierstoffe vom n-Typ im ersten und zweiten Bereich im Wesentlichen dieselbe ist.
- 3. Lichtemissionsbauteil nach Beispiel 1, wobei die Konzentration der Dotierstoffe vom n-Typ im zweiten und ersten Bereich in den Gebieten näher zur Halbleiterschicht vom p-Typ bzw. vom n-Typ höher ist.
- 4. Lichtemissionsbauteil (
50 ;60 ) mit: einer Halbleiterschicht (53 ;63 ) vom n-Typ;- einer Halbleiterschicht (
54 ;64 ) vom p-Typ und einer aktiven Schicht (55 ;65 ) zwischen den Halbleiterschichten vom n-Typ und vom p-Typ, mit einem ersten Bereich (55Ai ;65Ai ) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ, einem zweiten Bereich (55Bi ;65Bi ) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ sowie einem dritten Bereich (55Ci ;65Ci ) zwischen dem ersten und zweiten Bereich; wobei die Barriereschichten des ersten und des zweiten Bereichs mit Dotierstoffen vom n-Typ dotiert sind und der dritte Bereich undotiert ist oder mit Dotierstoffen vom n-Typ mit einer Konzentration unter derjenigen im ersten und zweiten Bereich dotiert ist.
- einer Halbleiterschicht (
- 5. Lichtemissionsbauteil nach Beispiel 4, wobei die Konzentration der Dotierstoffe in den Barriereschichten vom n-Typ des ersten und zweiten Bereichs im Wesentlichen dieselbe ist.
- 6. Lichtemissionsbauteil nach Beispiel 4, wobei die Konzentration der Dotierstoffe vom n-Typ in den Barriereschichten des zweiten und ersten Bereichs in den Gebieten näher zur Halbleiterschicht vom p-Typ bzw. vom n-Typ höher ist.
- 7. Lichtemissionsbauteil nach einem der vorstehenden Beispiele, wobei die Halbleiterschicht vom n-Typ eine Nitridhalbleiterschicht vom n-Typ ist und die Halbleiterschicht vom p-Typ eine Nitridhalbleiterschicht vom p-Typ ist.
- 8. Lichtemissionsbauteil nach einem der vorstehenden Beispiele, wobei die Dotierstoffe vom n-Typ aus Silicium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Schwefel (S) und Sauerstoff (O) ausgewählt sind.
- 9. Lichtemissionsbauteil nach einem der vorstehenden Beispiele, wobei die Konzentration der Dotierstoffe vom n-Typ im ersten und zweiten Bereich zwischen 5 × 1016 und 1 × 1019/cm3 beträgt.
- 10. Lichtemissionsbauteil nach einem der vorstehenden Beispiele, wobei die der Halbleiterschicht vom p-Typ (
44 ;64 ) des zweiten Bereichs (45Bi ;65Bi ) benachbarte Barriereschicht (65B1 ) undotiert ist.
Claims (9)
- Lichtemissionsbauteil (40; 60) mit: einer Halbleiterschicht (43; 63) vom n-Typ; einer Halbleiterschicht (44; 64) vom p-Typ und einer aktiven Schicht (45; 65) zwischen der Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) und der Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) und mit einem ersten Bereich (45Ai; 65Ai) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) einem zweiten Bereich (45Bi; 65Bi) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) sowie einem dritten Bereich (45Ci; 65Ci) zwischen dem ersten und zweiten Bereich (45Ai, 45Bi; 65Ai, 65Bi); wobei der erste Bereich (45Ai; 65Ai), der zweite Bereich (45Bi; 65Bi) und dritte Bereich (45Ci; 65Ci) jeweils abwechselnd aufeinander laminierte Barriereschichten (45A1, 45B3, 45C1; 65A1, 65B3, 65C1) und Trogschichten (45A2, 45B2, 45C2; 65A2, 65B2, 65C2) aufweisen, wobei die Barriereschichten (45A1, 45B3; 65A1, 65B3) des ersten Bereiches (45Ai; 65Ai) und zweiten Bereiches (45Bi; 65Bi) mit n-Typ Dotierstoffen dotiert sind und der dritte Bereich (45Ci; 65Ci) mit n-Typ Dotierstoffen mit einer geringeren Konzentration dotiert ist als eine Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des ersten Bereiches (45Ai; 65Ai) und mit einer geringeren Konzentration als der Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des zweiten Bereiches (45Bi; 65Bi), wobei der zweite Bereich (45Bi; 65Bi) weiter eine letzte Barriereschicht (45B1, benachbart zur Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) aufweist, wobei die letzte Barriereschicht (45B1, 65B1) undotiert ist.
- Lichtemissionsbauteil nach
Anspruch 1 , wobei die Halbleiterschicht vom n-Typ (43; 63) eine n-Typ Nitridhalbleiterschicht ist und die Halbleiterschicht vom p-Typ (44; 64) eine p-Typ Nitridhalbleiterschicht ist. - Lichtemissionsbauteil nach
Anspruch 1 oder2 , wobei die n-Typ Dotierstoffe aus Silicium, Germanium, Zinn, Schwefel und Sauerstoff ausgewählt sind. - Lichtemissionsbauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Konzentration der n-Typ Dotierstoffe im ersten und zweiten Bereich (45Ai, 65Ai; 45Bi, 65Bi) zwischen 5 × 1016/cm3 und 1 × 1019/cm3 beträgt.
- Lichtemissionsbauteil nach
Anspruch 1 , wobei die Konzentration der n-Typ Dotierstoffe im ersten und zweiten Bereich (45Ai, 65Ai, 45Bi, 65Bi) im Wesentlichen dieselbe ist. - Lichtemissionsbauteil nach
Anspruch 1 , wobei die Trog- schicht (65A2) des ersten Bereichs (65Ai) die näher zur Halbleiterschicht vom n-Typ (63) angeordnet ist als die anderen Trogschichten, und die Trogschicht (65B2) des zweiten Bereichs (65Bi) die näher zur Halbleiterschicht vom p-Typ (64) angeordnet ist als die anderen Trogschichten, undotiert sind. - Lichtemissionsbauteil (50) mit: einer Halbleiterschicht (53) vom n-Typ; einer Halbleiterschicht (54) vom p-Typ und einer aktiven Schicht (55) zwischen der Halbleiterschicht vom n-Typ (53) und der Halbleiterschicht vom p-Typ (54) und mit einem ersten Bereich (55Ai) nahe der Halbleiterschicht vom n-Typ (53) einem zweiten Bereich (55Bi) nahe der Halbleiterschicht vom p-Typ (54) sowie einem dritten Bereich (55Ci) zwischen dem ersten und zweiten Bereich (55Ai 55Bi); wobei der erste Bereich (55Ai), der zweite Bereich (55Bi) und dritte Bereich (55Ci) jeweils abwechselnd aufeinander laminierte Barriereschichten (55A1, 55B3, 55C1) und Trogschichten (55A2, 55B2, 55C2) aufweisen, wobei die Barriereschichten (55A1, 55B3) des ersten Bereiches (55Ai) und zweiten Bereiches (55Bi) mit n-Typ Dotierstoffen dotiert sind und der dritte Bereich (55Ci) mit n-Typ Dotierstoffen mit einer geringeren Konzentration dotiert ist als eine Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des ersten Bereiches (55Ai) und mit einer geringeren Konzentration als der Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des zweiten Bereiches (55Bi), wobei der zweite Bereich (55Bi) weiter eine letzte Barriereschicht (55B1) und eine letzte Trogschicht (55B2) näher zur Halbleiterschicht vom p-Typ (54) als die anderen Barriereschichten und Trogschichten aufweist, wobei die letzte Barriereschicht (55B1) mit den n-Typ Dotierstoffen dotiert ist und die letzte Trogschicht undotiert ist.
- Lichtemissionsbauteil nach
Anspruch 7 , wobei der erste Bereich (55Ai) eine erste Barriereschicht (55A1) und eine erste Trogschicht (55A2) aufweist, die näher zur Halbleiterschicht vom n-Typ (53) als die anderen Barriereschichten und Trogschichten angeordnet sind, wobei die erste Barriereschicht (55A1) mit den n-Typ Dotierstoffen dotiert ist und die erste Trogschicht (55A2) undotiert ist. - Lichtemissionsbauteil nach
Anspruch 7 , wobei die Konzentration der n-Typ Dotierstoffe des ersten und zweiten Bereichs im Wesentlichen dieselbe ist.
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