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Die
Erfindung betrifft ein Photovoltaikelement mit einem Transparenzbereich.
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Derartige
Transparenzbereiche eignen sich dafür, auf einer der Lichteinfallseite
abgewandten Rückseite
des Photovoltaikelements zwischen einem photovoltaisch aktiven Bereich
und einer reflektierenden Schicht angeordnet zu werden. Der Transparenzbereich
dient hierbei dazu, die Reflexionseigenschaften der reflektierenden
Schicht zu verbessern. Bei dem Photovoltaikelement kann es sich
insbesondere um eine Solarzelle handeln.
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Der
Transparenzbereich kann zudem ausgelegt sein, in einem aktiven Bereich
des Photovoltaikelements durch Ladungsträgertrennung erzeugte Ströme zu entnehmen.
Die reflektierende Schicht ist dann als Kontaktschicht ausgebildet.
In der Regel werden als Grundmaterial für derartige Transparenzbereiche
sogenannte transparente leitfähige
Oxide (TCO – „transparent
conductive Oxide”)
verwendet, beispielsweise Zinkoxid (ZnO). Die Kontaktschicht ist vorzugsweise
als ganzflächige
Metallisierung ausgebildet, um den mittels des Transparenzbereichs
entnommenen Strom zu sammeln und weiterzuleiten. Diese Metallisierung
umfasst regelmäßig Aluminium.
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Um
den Kontakt zwischen dem aktiven Bereich und dem Transparenzbereich
zu verbessern, wird der Transparenzbereich derart dotiert, dass
er eine hohe Leitfähigkeit
aufweist. Üblicherweise
wird hierzu der gesamte zwischen dem aktiven Bereich und der Metallisierung
angeordnete Transparenzbereich hoch dotiert, im Falle des ZnO beispielsweise mittels
Aluminium-Dotierung. Die Dotierung des gesamten Transparenzbereichs
führt jedoch
dazu, dass einfallendes Licht im Transparenzbereich start absorbiert
wird. Hierdurch sinkt die Transparenz des Transparenzbereichs und
der Wirkungsgrad des Photovoltaikelements wird vermindert.
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Es
ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Photovoltaikelement mit einem
verbesserten Wirkungsgrad bereitzustellen.
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Die
Aufgabe wird gemäß der Erfindung
durch ein Photovoltaikelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1
gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
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Die
Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass der spezifische Leitwert
nicht in dem gesamten Transparenzbereich erhöht sein muss, da der Strom im
Wesentlichen senkrecht zu einer Übergangsfläche zwischen
dem aktiven Bereich und dem Transparenzbereich fließt. Deshalb
reicht es für
das Herstellen einer optimalen elektrischen Verbindung zwischen
diesen beiden Bereichen aus, wenn die Dotierung auf den Zwischenbereich
konzentriert wird. Üblicherweise
werden eine hohe laterale Leitfähigkeit beziehungsweise
Querleitfähigkeit
und gute Kontakteigenschaften der Transparenzschicht in Kombination
durch hohe Dotierung erreicht und damit gute Transparenz geopfert.
Mittels der Erfindung ist es möglich,
die guten Kontakteigenschaften beizubehalten. Hierdurch wird jedoch
die Querleitfähigkeit
der Transparenzschicht zugunsten einer guten Transparenz geopfert.
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Während also
der Zwischenbereich eine erhöhte
Dotierung aufweist und sich hierdurch ein elektrischer Kontakt zwischen
dem aktiven Bereich und dem Zwischenbereich bilden kann, ist der
Transparenzbereich niedriger dotiert, um eine Absorption des einfallenden
Lichts aufgrund der Dotierung zu vermindern. Mit dem einfallenden
Licht ist hierbei nicht lediglich das sichtbare Spektrum gemeint.
Vielmehr kann insbesondere auch infrarotes Licht, beispielsweise
in dem Wellenlängenbereich
von 900 bis 1200 nm, von großer
Bedeutung sein. Insbesondere in diesem Spektralbereich weist beispielsweise
Silizium eine niedrige Absorption auf, so dass die einfallende Strahlung
bis auf die Rückseite
des Photovoltaikelementes dringt und dort reflektiert werden muss.
Gerade bei infrarotem Licht wird die Absorption stark durch die
Dotierung beeinträchtigt.
Dementsprechend bezieht sich die Eigenschaft „transparent” auf Materialien,
die zumindest einen Wesentlichen Teil des Lichts aus einem für das Photovoltaikelement
geeigneten Wellenlängenbereich
durchlassen.
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Die
Dotierstoffe, mit denen der Zwischenbereich und der Transparenzbereich
dotiert sind, können
sich hierbei unterscheiden. Ferner können mehrere Dotierstoffe in
einem der Bereiche oder in beiden Bereichen verwendet werden. In
diesem Zusammenhang wird als Dotierstoff jenes Material in dem Transparenzbereich
beziehungsweise in dem Zwischenbereich bezeichnet, welches nicht
den Wesentlichen Teil des jeweiligen Bereiches bildet. Der Dotierstoff beeinflusst
jedoch durch sein Vorhandensein die Leitfähigkeit des Bereichs.
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Zwischen
dem photovoltaisch aktiven Bereich und dem Transparenzbereich können weitere Bereiche
eingefügt
sein, die der Verbesserung der Kontaktierungseigenschaften des Photovoltaikelementes
dienen. Vorteilhafterweise handelt es sich herbei um einen Heteroübergang.
Dieser kann beispielsweise als pip+-Übergang
ausgebildet sein, mit einem p-dotierten kristallinen Bereich, einem
intrinsischen amorphen Bereich zur Oberflächenpassivierung und einem
p+-dotierten amorphen Bereich. Es handelt
sich hier also um einen Heteroübergang
mit intrinsischer Dünnschicht
oder HIT („Heterojunction with
Intrinsic Thin Layer”).
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Das
Photovoltaikelement wird hergestellt, indem der aktive Bereich,
der Zwischenbereich, der Transparenzbereich und gegebenenfalls der
Heteroübergang
auf einem Substrat gebildet werden. Ein mögliches Herstellungsverfahren
für das
Photovoltaikelement umfasst ein Sputtern mehrerer Schichten aus
unterschiedlichen Targets auf ein Substrat, auf dem ein aktiver
Bereich gebildet ist. Alternativ oder kumulativ können andere
Depositionsverfahren eingesetzt werden, beispielsweise ein chemisches und/oder
physikalisches Abscheiden aus der Gasphase (CVD – „chemical vapor deposition”, PVD – „physical
vapor deposition”).
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
ist vorgesehen, dass der Zwischenbereich aus einem gleichen Grundmaterial
gebildet ist, wie der Transparenzbereich. Mit anderen Worten, das
Zwischenbereich-Grundmaterial und das Transparenzbereich-Grundmaterial
sind im Wesentlichen gleich. Hierbei handelt es sich somit um ein
Photovoltaikelement, bei dem sich der Zwischenbereich und der Transparenzbereich
lediglich durch die Dotierung und/oder die Dotierungsdichte unterscheiden.
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Ein
derartiges Photovoltaikelement kann mittels Sputtern hergestellt
werden, indem das Zwischenbereich-Grundmaterial in einem Target
als Grundmaterial mit einer Dotierung und/oder einer Dotierungsdichte
und das Transparenzbereich-Grundmaterial in einem weiteren Target
als Grundmaterial mit einer weiteren Dotierung und/oder einer weiteren
Dotierungsdichte vorliegt und das Sputtern aus den beiden Targets
nacheinander erfolgt. Alternativ kann ein Sputtern aus einem in
einem Target vorliegenden Grundmaterial unter Verwendung eines Dotiergases
erfolgen, welches in unterschiedlichen Abscheidungszonen unterschiedlich stark
konzentriert, aktiviert und/oder vorhanden ist. Die Zugabe des Dotiergases
kann ferner zeitlich variiert werden.
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Weitere
Prozesse zur Herstellung des Zwischenbereiches und des Transparenzbereiches
mit gleichem Grundmaterial und unterschiedlicher Dotierung umfassen
Batchprozesse mit unterschiedlichen zeitlichen Dotiergasmengen und/oder
Inlineprozesse mit unterschiedlich stark dotierenden räumlichen
Abscheidungszonen. Während
also bei einem Batchprozess das Abscheiden auf paketweise angeordneten
Substraten bei zeitlich variierenden Dotiergasmengen und/oder -dichten
erfolgt, durchlaufen die Substrate bei einem Inlineprozess unterschiedliche Abscheidungszonen
in der Depositionsanlage.
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Bei
einem alternativen Verfahren zur Herstellung des Photovoltaikelements
wird zunächst
eine dünne
Schicht eines Dotierstoffes, beispielsweise eine Aluminiumschicht,
auf den aktiven Bereich aufgebracht. Anschließend wird auf diese Schicht
das transparente leitende Grundmaterial undotiert oder mit nur geringer
Dotierung aufgebracht. Der Dotierstoff wird anschließend in
das Grundmaterial eindiffundieren. Dieser Vorgang kann mittels Energiezufuhr
unterstützt
werden, beispielsweise in einem Aufwärmschritt.
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In
einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass der Zwischenbereich
eine 10-fach höhere
Dotierungsdichte aufweist, als der Transparenzbereich, vorzugsweise
eine 40-fach höhere
Dotierungsdichte, bevorzugt eine 100-fach höhere Dotierungsdichte. Eine
um den Faktor 40 höhere
Dotierungsdichte liegt beispielsweise vor, wenn der Zwischenbereich
eine Dotierungsdichte von etwa 2% und der Transparenzbereich eine
Dotierungsdichte von etwa 0,05% aufweisen.
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Gemäß einer
zweckmäßigen Ausgestaltung ist
vorgesehen, dass das Transparenzbereich-Grundmaterial in dem Transparenzbereich
im Wesentlichen undotiert ist. Hierdurch wird die Lichtabsorption
in dem Transparenzbereich minimiert. Hierbei können jedoch prozessbedingte
Dotierungslevels vorliegen. Beispielsweise kann beim Sputtern eine
geringe Dotierung notwendig sein, damit das Target ausreichend leitfähig ist.
Prozessbedingte Dotierungsdichten können in einem Bereich von bis
zu etwa 0,05% liegen.
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Bevorzugterweise
ist vorgesehen, dass das Grundmaterial in dem Zwischenbereich derart
dotiert ist, dass sich zwischen dem Zwischenbereich und dem photovoltaisch
aktiven Bereich ein Tunnelübergang
bildet. Hierzu kann der Zwischenbereich p- oder n-dotiert sein.
Der an den Zwischenbereich grenzende Bereich des photovoltaisch
aktiven Bereichs weist eine entgegen gesetzte Dotierung auf. Um
einen Tunnelübergang
zu bilden, können
sowohl die Dotierdichte in dem Zwischenbereich als auch die räumlichen
Abmessungen des Zwischenbereichs eingestellt werden, beispielsweise
eine Schichtdicke bei schichtförmigen
Zwischenbereichen.
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Bei
einer zweckmäßigen Ausführungsform ist
vorgesehen, dass der Zwischenbereich eine Dotierungsdichte von etwa
0,5% aufweist, vorzugsweise von etwa 1%, bevorzugt von etwa 2%.
Höhere
Dotierungsdichten können
auch vorgesehen sein.
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In
einer vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, dass auf einer
dem Zwischenbereich abgewandten Seite des Transparenzbereichs eine
Metallisierung vorgesehen ist. Die Metallisierung dient dazu, den
mittels des Transparenzbereichs aus dem aktiven Bereich entnommenen
Strom abzuführen. Sie
ist vorzugsweise ganzflächig
ausgebildet, um eine laterale Leitfähigkeit bereitzustellen und
die hierauf auftreffende elektromagnetische Strahlung zurück in den
photovoltaisch aktiven Bereich zu reflektieren.
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Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass zwischen dem Transparenzbereich
und der Metallisierung ein hochdotierter Metallisierungsübergang
angeordnet ist. Durch geeignete Auswahl elektrischer und/oder geometrischer
Parameter des Metallisierungsübergangs
können
die elektrischen Verbindungseigenschaften zwischen dem Transparenzbereich
und der Metallisierung eingestellt werden.
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Vorteilhafterweise
ist vorgesehen, dass die Metallisierung aus Aluminium gebildet ist.
In diesem Fall kann ein Metallisierungsübergang dadurch gebildet werden,
dass Aluminiumatome aus der Metallisierung in das Transparenzbereich-Grundmaterial getrieben
werden.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausgestaltung ist vorgesehen, dass der photovoltaisch
aktive Bereich aus Silizium gebildet ist. Das Silizium kann hierbei zumindest
teilweise amorph oder polykristallin sein. Der aktive Bereich kann
beispielsweise eine Schichtfolge mit einem pn-Übergang, einem pin-Übergang, und/oder einem anderen
zur Umwandlung elektromagnetischer Strahlung in elektrischen Strom
geeigneten Übergang
umfassen. Hierzu ist beispielsweise auch ein Schottky-Übergang
geeignet.
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Bevorzugterweise
ist vorgesehen, dass der Zwischenbereich und/oder der Transparenzbereich aus
Indium-Zinn-Oxid (ITO), aus Zinnoxid (SnO), aus Zinkoxid (ZnO) und/oder
aus einem weiteren transparenten leitfähigen Metalloxid (TCO – „transparent conductive
Oxide”)
gebildet sind.
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In
einer zweckmäßigen Weiterbildung
ist vorgesehen, dass ein dem Zwischenbereich benachbarter Bereich
des photovoltaisch aktiven Bereichs p-dotiert ist und der Zwischenbereich
und/oder der Transparenzbereich n-dotiert sind. Für die p-Dotierung von Silizium
können
beispielsweise die Elemente B, Al und/oder Ga als Dotierstoffe verwendet
werden. Der umgekehrte Fall, bei dem der dem Zwischenbereich benachbarte
Bereich n-dotiert
ist und der Zwischenbereich und/oder der Transparenzbereich p-dotiert sind, ist
auch geeignet, wobei jedoch die Herstellung p-dotierter TCOs schwieriger
sein kann.
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Zweckmäßigerweise
ist vorgesehen, dass der Zwischenbereich und/oder der Transparenzbereich
mit Aluminium, Bor und/oder einem weiteren Donator-Material dotiert
sind. Je nach verwendetem Grundmaterial können auch andere Elemente als Donator-Material
zu Dotierung des Grundmaterials in dem Zwischenbereich und/oder
dem Transparenzbereich verwendet werden.
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In
einer vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, dass der Zwischenbereich
als eine Zwischenschicht und der Transparenzbereich als eine Transparenzschicht
gebildet sind. In diesem Fall ist das Photovoltaikelement zumindest
teilweise schichtförmig
oder plattenförmig
aufgebaut. Alternativ können
die einzelnen Bereiche dreidimensionale Strukturen bilden.
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Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Zwischenschicht
eine wesentlich kleinere Dicke aufweist, als die Transparenzschicht.
Die Dicke der Zwischenschicht kann beispielsweise in einem Bereich
zwischen 5 und 30 nm liegen.
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In
einer zweckmäßigen Ausführungsform
ist das Photovoltaikelement als eine Solarzelle ausgebildet. Die
Solarzelle kann waferbasiert oder als Dünnschicht auf einem Substrat
aufgebracht sein.
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Die
Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme
auf die Figuren erläutert.
Hierbei zeigen:
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1 eine
schematische nicht maßstabsgerechte
Schnittansicht eines Photovoltaikelements mit einem dotierten Transparenzbereich;
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2 eine
schematische nicht maßstabsgerechte
Schnittansicht eines Photovoltaikelements mit einem zwischen Transparenzbereich
und einem Heteroübergang
angeordneten, dotierten Zwischenbereich; und
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3 eine
Ausführung
des Photovoltaikelements aus der 2, bei dem
zwischen Transparenzbereich und Metallisierung ein Metallisierungsübergang
eingefügt
ist.
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In
den 1 bis 3 sind Photovoltaikelemente 1 unterschiedlicher
Gestaltung gezeigt. Die Zickzacklinie am oberen Rand der hier dargestellten Strukturen
deutet an, dass sich das Photovoltaikelement 1 nach oben
hin fortsetzt. In den 1 bis 3 nicht
dargestellt, sind die sich nach oben hin anschließenden photovoltaisch
aktiven Bereiche der Photovoltaikelemente 1, die beispielsweise
einen pn-Übergang
und/oder eine Heterostruktur umfassen können. Die Lichteinfallseiten
der Solarzellen sind also in den 1 bis 3 nicht
dargestellt.
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Die 1 zeigt
schematisch in einer Schnittansicht den Schichtaufbau eines Kontaktbereiches eines
Photovoltaikelements 1 mit einem Heteroübergang 2 und einer
bekannten Kontaktierung. Hierbei ist der schichtweise aufgebaute
Heteroübergang 2 mittels
eines Transparenzbereichs 6 bedeckt, auf dem wiederum eine
Metallisierung 8 aufgetragen ist. Das Photovoltaikelement 1 kann
einen kristallinen Wafer umfassen. Alternativ kann es auch in Form
von Dünnschichten
auf einem geeigneten Substrat, beispielsweise Glas, aufgebracht
sein.
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Der
Heteroübergang 2 umfasst
einen dreischichtigen Aufbau aus einer p-dotierten kristallinen Siliziumschicht 21,
einer intrinsischen amorphen Siliziumschicht 22 und einer
p+-dotierten amorphen Siliziumschicht 23.
Die Zick-Zack-Linie am oberen Rand der kristallinen Siliziumschicht 21 kann
beispielsweise andeuten, dass sich an die kristalline Siliziumschicht 21 eine
weitere Halbleiterschicht anschließt, welche mit der kristallinen
Siliziumschicht 21 einen photovoltaisch aktiven Übergang
bildet, beispielsweise kann es sich um einen Silizium-Wafer handeln,
der gleichzeitig als Substrat für
das Photovoltaikelement 1 dient.
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Der
hier nicht dargestellte aktive Bereich sowie der Heteroübergang 2 sind
mit herkömmlichen Halbleiterverfahren
herstellbar. Der Photovoltaikelement-Aufbau ist nicht auf die hier beschriebene
und auch im Folgenden beispielhaft verwendete Ausführung mit
einem Heteroübergang
im Kontaktbereich beschränkt,
sondern kann auch andere Strukturen aufweisen, die zur Lichtumwandlung
und Kontaktierung geeignet sind. Derartige Strukturen können als (reine)
Halbleiterstrukturen oder auch als Metall-Halbleiter-Strukturen aufgebaut
sein, beispielsweise mit einem Schottky-Übergang. Dies gilt für alle hierin
aufgeführten
Photovoltaikelemente.
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Der
Transparenzbereich 6 des Photovoltaikelements 1 umfasst
als Grundmaterial das transparente leitfähige Oxid (TCO) Zinkoxid (ZnO)
und ist mit Aluminium dotiert. Die gewöhnlich starke Dotierung des
TCO dient hierbei dazu, die Leitfähigkeit des Transparenzbereiches 6 zu
erhöhen.
Eine derartige starke Dotierung hat jedoch den Nachteil, dass beim Durchgang
durch den photovoltaisch aktiven Bereich nicht absorbierte elektromagnetische
Strahlung, die mittels einer Metallisierung 8 in den photovoltaisch aktiven
Bereich zurückreflektiert
werden soll eine starke Absorption erfährt.
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Das
in der 2 dargestellte Photovoltaikelement 1 umfasst
einen Heteroübergang 2,
der einem (nicht dargestellten, sondern nur durch die Zickzacklinie
angedeuteten) aktiven Bereich folgt. Zwischen dem Heteroübergang 2 und
dem Transparenzbereich 6 ist ein Zwischenbereich 4 vorgesehen.
Im vorliegenden Fall weist der Zwischenbereich 4 als Zwischenbereich-Grundmaterial das
gleiche Grundmaterial auf, wie der Transparenzbereich 6, nämlich ZnO.
Im Gegensatz zu dem Transparenzbereich 6 in der Ausführungsform
der 1 ist der Transparenzbereich 6 in der
in 2 dargestellten Ausführungsform nicht dotiert oder
nur sehr gering dotiert. Dagegen weist der Zwischenbereich 4 eine
verhältnismäßig hohe
Aluminium-Dotierung auf. Mit anderen Worten, die Dotierung des TCO
ist zu einem wesentlichen Teil oder im Wesentlichen vollständig auf
den Zwischenbereich 4 konzentriert.
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Ein
Verfahren zur Herstellung des Zwischenbereichs 4 und des
Transparenzbereichs 6 umfasst die Schritte, eine gegebenenfalls
sehr dünne
oder ultradünne
Aluminiumschicht auf den Heteroübergang 2 aufzutragen
und diese Aluminiumschicht anschließend mit dem ZnO zu bedecken.
In einem anschließenden
Diffusionsschritt, beispielsweise mit unterstützender Wärmebehandlung, diffundieren
Aluminiumatome aus der Aluminiumschicht in den ZnO hinein und bilden
einen dotierten Zwischenbereich 4, während der übrigbleibende Teil der ZnO-Schicht den
Transparenzbereich 6 bildet. Bei diesem Verfahren ist es
möglich,
den Zwischenbereich 4 und den Transparenzbereich 6 als
eine zusammenhängende Schicht
herzustellen, der einen höher
dotierten Zwischenbereich 4 und einen niedriger dotierten
oder im Wesentlichen undotierten Transparenzbereich 6 umfasst.
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Eine
Abschätzung
für eine
vorteilhafte Schichtdicke der dünnen
Aluminiumschicht ergibt die folgende Rechnung: Um auf eine Dotierungsdichte von
0,5%–2%
in einer 5–30
nm dicken Zwischenschicht zu kommen, würde theoretisch eine Schicht von
0,025–0,6
nm ausreichen. Dies entspricht Bruchteilen einer bis etwa zwei ganzen
Monolagen von Al-Atomen.
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Aufgrund
der Dotierung ist das ZnO der Zwischenschicht 4 n-dotiert,
so dass sich zwischen der Zwischenschicht 4 und der p+-dotierten amorphen Siliziumschicht 23 des
Heteroübergangs 2 ein
Tunnelkontakt bildet. Anstelle des Aluminiums und des Grundmaterials
ZnO können
auch andere geeignete Stoffkombinationen eingesetzt werden.
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Auf
dem Transparenzbereich 6 ist eine Metallisierung 8 aufgebracht,
die vorliegend aus einer Aluminiumschicht gebildet ist. Auch hierbei
kann das Aluminium aus der Aluminiumschicht in einem Diffusionsschritt
in die ZnO-Schicht
des Transparenzbereiches 6 eindringen. Wie in der 3 dargestellt, kann
hierdurch ein Metallisierungsübergang 9 gebildet
werden. Ein derartiger Metallisierungsübergang 9 verbessert
die elektrische Verbindung zwischen dem Transparenzbereich 6 und
der Metallisierung 8.
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Wie
vorangehend erläutert,
kann somit die Schichtstruktur aus Zwischenbereich 4, Transparenzbereich 6 und
Metallisierungsübergang 9 aus
einer Schicht eines Grundmaterials hervorgegangen sein, die an ihren
zwei gegenüberliegenden
Flächen dotiert
ist, entweder mit dem gleichen Dotierstoff oder mit unterschiedlichen
Dotierstoffen. Alternativ kann der Transparenzbereich 6 aus
einem Transparenzbereich-Grundmaterial gebildet sein, während der
Zwischenbereich 4 und/oder der Metallisierungsübergang 9 aus
hiervon abweichenden Materialien gebildet sind und gleiche oder
unterschiedliche Dotierstoffe enthalten. Ein möglicher alternativer Dotierstoff
ist beispielsweise Bor.
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Bei
den bisher beschriebenen Ausführungsformen
ist der Zwischenbereich 4 n-dotiert und der dem Zwischenbereich 4 benachbarte
Bereich 23 des Heteroübergangs 2,
vorliegend aus amorphem Silizium, ist p-dotiert. Alternativ kann
die Dotierungsart auch umgekehrt so vorliegen, dass der Zwischenbereich 4 p-dotiert
ist, was jedoch technologisch schwieriger zu realisieren sein kann.
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Die
hier beschriebenen Ausführungsformen können sowohl
bei beidseitig als auch bei allen rückkontaktierten Photovoltaikelementen
eingesetzt werden. Diese umfassen beispielsweise Emitter-Wrap-Through-Strukturen
(EWT-Struktur), HIT-Rückkontaktstrukturen
(HIT – Heterojunction with
Intrinsic Thin Lager, Heteroübergang
mit intrinsischer Dünnschicht)
und Dünnschichtrückkontakte
in Zusammenhang mit amorphen oder mikromorphen Halbleitern.
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- 1
- Photovoltaikelement
- 2
- Heteroübergang
- 21
- p-dotierte
kristalline Siliziumschicht
- 22
- intrinsische
amorphe Siliziumschicht
- 23
- p+-dotierte amorphe Siliziumschicht
- 4
- Zwischenbereich
- 6
- Transparenzbereich
- 8
- Metallisierung
- 9
- Metallisierungsübergang