DE102008045615A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2435—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted with opposite contact points, e.g. C beam
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0311—Metallic part with specific elastic properties, e.g. bent piece of metal as electrical contact
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
- H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Ein Beispiel der Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul, umfassend ein Substrat, elektronische Bauelemente, die auf einer ersten Oberfläche des Substrates angeordnet sind, und einen Kunststoffkörper, der auf der ersten Oberfläche des Substrates anliegt und die Bauelemente umhüllt. Der Kunststoffkörper weist mindestens einen Kanal auf, welcher senkrecht zur ersten Oberfläche durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft. Das Modul umfasst weiter mindestens ein Kontaktelement, das in dem Kanal angeordnet und zur elektrischen Kontaktierung der ersten Oberfläche des Substrates an diese angedrückt ist.
Description
- TECHNISCHES GEBIET
- Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul.
- HINTERGRUND
- Leistungshalbleitermodule für kleine bis mittlere Leistungen werden häufig in mit Kunststoff umspritzter Ausführungsform ausgeführt. Das dazu angewendete Herstellungsverfahren wird zumeist – und des Weiteren auch in dieser Schrift als „Insert-hold-Verfahren” bezeichnet. Ein typisches demtsprechend hergestelltes Leistungshalbleitermodul besteht aus einer keramischen, mit einer strukturierten Metallisierung versehen Trägerplatte („Substrat”), auf welcher einseitig elektronische Bauteile angeordnet sind. Anschlussdrähte werden vom Substrat seitlich weg geführt. Die Seite des Substrates an der die elektronischen Bauteile angeordnet sind, ist mit einem Kunststoffkörper versehen, welcher gebildet und angebracht wurde, indem die mit den Bauteilen versehene Substratseite einschließlich der Bauteile mit einer sich verfestigenden Kunststoffmasse an- bzw. umspritzt wurde. Für dieses An- bzw. Umspritzen wird die aus Substrat und Bauteilen bestehende Bauteilgruppe in eine Gießform eingelegt und der in der Form verbleibende Hohlraum über den Bauteilen und um die Bauteile wird mit sich verfestigender Kunststoffmasse gefüllt. Das so gebildete Leistungshalbleitermodul stellt einen kompakten, typischerweise prismatischen Körper dar, in welchem die elektronischen Bauteile gut geschützt sind. In eingebau tem Zustand sitzt das Modul zwischen einer Leiterplatte einerseits und einem Kühlkörper andererseits, wobei der Kühlkörper an der den elektronischen Bauteilen abgewandten und damit nicht mit Kunststoffmasse versehenen Seite des Substrates anliegt. Die elektrischen Anschlüsse des Moduls führen aus der Kunststoffmasse zur Leiterplatte und sind dort mit dieser verlötet oder verpresst. Vor allem bei größeren Stückzahlen sind die im Insert-hold-Verfahren hergestellte Leistungshalbleitermodule kostengünstig. Allerdings sind durch das stoffschlüssige verbinden der Anschlüsse mit der Leiterplatte und das anschließende Umspritzen mehrere Verfahrensschritte nötig.
- Es besteht der Bedarf Leistungshalbleitermodule so auszubilden, dass sie einerseits in umspritzter Bauweise (d. h. durch Mold-Verfahren) kostengünstig herstellbar, und die Anzahl der Verfahrensschritte in der Herstellung noch weiter reduziert sind.
- ÜBERSICHT
- Ein Beispiel der Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul umfassend ein Substrat, elektronische Bauelemente, die auf einer ersten Oberfläche des Substrates angeordnet sind, und einen Kunststoffkörper, der auf der ersten Oberfläche des Substrates anliegt und die Bauelemente umhüllt. Der Kunststoffkörper weist mindestens einen Kanal auf, welcher senkrecht zur ersten Oberfläche durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft. Das Modul umfasst weiter mindestens ein Kontaktelement, das in dem Kanal angeordnet und zur elektrischen Kontaktierung der ersten Oberfläche des Substrates an diese angedrückt ist.
- Ein weiteres Beispiel der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Substrats, mit elektronischen Bauelementen, die auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet sind, und Formen eines Kunststoffkörpers derart, dass der Kunststoffkörper an der ersten Oberfläche des Substrates anliegt und die elektronischen Bauelemente umhüllt, wobei der Kunststoffkörper mindestens einen Kanal aufweist, welcher von der ersten Oberfläche des Substrates durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft und wobei der Kunststoffköper in einem Formnest einer Gießform durch Aufbringen einer zuerst flüssigen Kunststoffmasse an das Substrat und die Bauteile und durch darauf folgendes Erhärten der Kunststoffmasse gebildet ist, wobei der Kanal gebildet wird, indem im Formnest durch einen darin befindlichen Körper Fluss von Kunststoffmasse in jenen Volumenbereich, welcher für den Kanal vorgesehen ist, verhindert wird.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die folgenden Figuren und die weitere Beschreibung soll helfen, die Erfindung besser zu verstehen. Die Elemente in den Figuren sind nicht unbedingt als Einschränkung zu verstehen, vielmehr wird Wert darauf gelegt, das Prinzip der Erfindung darzustellen. In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen korrespondierende Teile.
-
1 zeigt in einer Schnittansicht ein erstes erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul während des Ausformens nach dem Umspritzen gemäß dem Insert-Mold-Verfahren. -
2 zeigt in einer Schnittansicht ein zweites erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul während des Ausformens nach dem Umspritzen gemäß dem Insert-Mold-Verfahren. -
3 zeigt in Schnittansicht das Leistungshalbleitermodul von1 mit darin eingesetzten Kontaktelementen einer ersten und einer zweiten Ausführungsform. -
4 zeigt in Schnittansicht das Leistungshalbleitermodul von1 mit darin eingesetzten Kontaktelementen einer dritten Ausführungsform. -
5 zeigt in Schnittansicht das Leistungshalbleitermodul von1 mit darin eingesetzten Kontaktelementen einer vierten Ausführungsform einschließlich einem zusätzlichen Deckel. -
6 zeigt in Schnittansicht das Leistungshalbleitermodul von1 mit darin eingesetzten Kontaktelementen der ersten Ausführungsform in einer Einbausituation zwischen einer Leiterplatte und einem Kühlkörper. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Ein Beispiel der Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul, welches im Insert-hold-Verfahren herstellbar ist, wobei im Unterschied zu bekannten Ausführungsformen der im Insert-hold-Verfahren hergestellte, bauteilseitig am Substrat und an den elektronischen Bauteilen anliegende, Kunststoffkörper Kanäle aufweist, welche von zu kontaktierenden Flächen des Substrates zur gegenüberliegenden Seite des Kunststoffkörpers verlaufen.
- In einer Ausführungsform der Erfindung verläuft durch einen Kanal im Kunststoffkörper ein Kontaktelement aus einem elektrisch leitfähigen Material wie typischerweise einem Draht oder einem Metallstreifen und dieses Kontaktelement liegt am Substrat durch die Wirkung einer elastischen Feder an.
- In einer Ausführungsform der Erfindung liegt ein durch einen Kanal im Kunststoffkörper verlaufendes Kontaktelement durch eigene elastische Vorspannung unter Druck an der zu kontaktierenden Oberflächenschicht des Leistungshalbleitermoduls an.
- In einer Ausführungsform der Erfindung ist ein durch einen Kanal im Kunststoffkörper verlaufendes Kontaktelement an Begrenzungsflächen des Kanals gegen Bewegung vom Substrat weg verhakt.
- In einer Ausführungsform der Erfindung ist ein durch einen Kanal im Kunststoffkörper verlaufendes Kontaktelement an der dem Substrat abgewandten Seite des Kunststoffkörpers an einem zusätzlichen Deckel befestigt.
- In einer Ausführungsform der Erfindung sind der Kunststoffköper und das Substrat mit einer durchgehenden Bohrung versehen, durch welche hindurch sie mittels einer Schraube an einem Kühlkörper befestigt werden können, welcher an der dem Kunststoffkörper abgewandten Seite des Substrates an diesem anliegt.
- In einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Leiterplatte zwischen der dem Substrat abgewandten Seite des Kunststoffkörpers und einem Gegenhalter durch die Wirkung einer durch eine Bohrung in der Leiterplatte verlaufenden Schraube eingeklemmt.
- In einem Beispiel eines Herstellungsverfahrens ist eine Formhälfte der zur Herstellung des Kunststoffkörpers dienenden Gießform mit Fortsätzen versehen, welche in das Formnest ragen und mit einem Ende an dem in das Formnest eingelegten Substrat anliegen und so eine Negativform eines nach dem Entformen durch den Kunststoffkörper verlaufenden Kanals bilden.
- In einem anderen Beispiel eines Herstellungsverfahrens sind während des Spritzvorganges im Formnest der Gießform Hülsen, also kurze Rohrstücke, so angeordnet, dass sie mit einer Stirnseite am Substrat anliegen und mit der anderen Stirnseite an einer Wandfläche des Formnestes. Nach dem Entformen bilden diese Hülsen die Wandungen der durch den Kunststoffkörper verlaufenden Kanäle.
-
1 und2 dienen zur Veranschaulichung des Herstellungsvorganges von Leistungshalbleitermodulen unter Anwendung des Insert-hold-Verfahrens. - Die aus dem Substrat
1 und elektronischen Bauelementen2 bestehende Baugruppe wird so in das Formnest einer Gießform eingelegt, dass bei geschlossener Form an der Bauteilseite des Substrates ein Hohlraum verbleibt, welcher mitflüssiger Kunststoffmasse ausgefüllt wird. Nach dem Erstarren der Kunststoffmasse wird die aus Substrat1 , Bauelementen2 und Kunststoffkörper3 gebildete Baueinheit, welche hier zusammenfassend als Leistungshalbleitermodul bezeichnet wird, ausgeformt. - Gemäß
1 ist eine Formhälfte5 der zur Herstellung des Kunststoffkörpers3 dienenden Gießform mit Fortsätzen5.2 versehen, welche in das Formnest5.1 ragen und mit einem Ende an dem in das Formnest eingelegten Substrat1 anliegen und so eine Negativform eines nach dem Entformen durch den Kunststoffkörper3 verlaufenden Kanals3.1 bilden. - Gemäß
2 werden die Kanäle3.1 im Kunststoffkörper3 gebildet, indem während des Spritzvorganges im Formnest5.1 Hülsen6 , also kurze Rohrstücke, so angeordnet sind, dass sie mit einer Stirnseite am Substrat1 anliegen und mit der anderen Stirnseite an einer Wandfläche des Formnestes. Nach dem Entformen bilden diese Hülsen die Wandungen der durch den Kunststoffkörper verlaufenden Kanäle3.1 . -
3 zeigt das Leistungshalbleitermodul von1 mit darin eingesetzten Kontaktelementen7 ,8 einer ersten und einer zweiten Ausführungsform. Das Kontaktelement7 ist als Spiralfeder ausgebildet, typischerweise besteht es aus einem Runddraht aus einer elektrisch gut leitenden und dennoch einiger maßen festen Metalllegierung. Das ebenso elastisch verformbare Kontaktelement8 weist einen C-förmig von seiner Längsrichtung ausgebogenen Bereich auf. Das Kontaktelement8 kann auch sehr gut aus einem Metallstreifen gebildet sein. - Die Kontaktelemente
7 ,8 sind in jeweils einen Kanal3.1 des Kunststoffkörpers3 eingesetzt. In entspanntem Zustand ist die Länge der Kontaktelemente7 ,8 größer als die Länge der Kanäle3.1 , sodass die Kontaktelemente an einer Seite aus dem jeweiligen Kanal3.1 hervor ragen. - So lange das Leistungshalbleitermodul nicht selbst montiert ist, könnten die Kontaktelemente
7 ,8 aus den Kanälen3.1 herausfallen. In4 ist eine Bauform für Kontaktelemente9 gezeigt, welche an der Mantelfläche des Kanals3.1 durch welchen sie verlaufen, mittels abstehender Arme9.1 unter elastischer Vorspannung anliegen. Damit können die Kontaktelemente nicht einfach so aus den Kanälen3.1 herausfallen. -
5 zeigt eine Bauweise bei der Kontaktelemente10 durch einen separaten Deckel11 , welcher an der dem Substrat abgewandten Seite am Kunststoffkörper3 anliegt und an diesem befestigt ist, verlaufen und durch diesen gegen Herausfallen aus dem jeweiligen Kanal3.1 gehalten werden. Damit durch Kontaktelemente Kontakt zu einer über dem Deckel anzuordnenden Leiterplatte hergestellt werden kann, ist der Deckel mit Durchgangslöchern versehen, durch welche die Kontaktelemente durchragen. -
6 zeigt die Einbausituation eines mit Kontaktelementen versehenen Leistungshalbleitermoduls zwischen einer Leiterplatte12 und einem Kühlkörper15 gemäß einem Beispiel der Erfindung. - Ein plattenförmiger Gegenhalter
13 , die Leiterplatte12 , das aus Substrat, Bauteilen und Kunststoffköper bestehende Leistungshalbleitermodul einschließlich darin eingesetzten Kon taktelementen und ein Kühlkörper15 liegen in dieser Reihenfolge hintereinander. Eine Schraube14 verläuft durch zueinander fluchtende Durchgangsbohrungen durch den Gegenhalter, die Leiterplatte und das Leistungshalbleitermodul und endet in einer Gewindebohrung im Kühlkörper15 . Mit der Kragenfläche ihres Kopfes liegt die Schraube14 an der von der Leiterplatte12 abgewandten Seite des Gegenhalters13 an, sodass der Gegenhalter durch das Anziehen der Schraube14 gegen die Leiterplatte gedrückt wird und diese gegen den Kunststoffteil3 . - Indem die Leiterplatte gegen den Kunststoffkörper
3 gedrückt wird, verformt sie die Kontaktelemente dahingehend elastisch, dass diese verkürzt werden und somit von ihren Enden aus einen Druck auf die anliegenden Teile, nämlich die Kontaktierungsflächen des Substrats1 und der Leiterplatte12 ausüben. - Die Durchgangsbohrung für die Schraube im Kunststoffkörper
3 kann in gleicher Weise während des Spritzvorganges hergestellt werden wie die Kanäle3.1 . - Für großflächigere Leistungshalbleitermodule empfielt es sich, mehrere Schrauben
14 vorzusehen. An Stelle von Schrauben14 kann die Verbindung der einzelnen Teile beispielsweise auch mittels seitlicher Klammern erfolgen. - Durch Bauweise gemäß den beschriebenen Beispielen der Erfindung lassen sich die Vorteile des Insert-hold-Verfahrens für die Herstellung von Leistungshalbleitermodulen mit denen der Bauweisen mit Druckkontaktierung kombinieren.
Claims (11)
- Leistungshalbleitermodul umfassend ein Substrat (
1 ), elektronische Bauelemente (2 ), die auf einer ersten Oberfläche des Substrates (1 ) angeordnet sind, und einen Kunststoffkörper (3 ), der auf der ersten Oberfläche des Substrates (1 ) anliegt und die Bauelemente (2 ) umhüllt, wobei der Kunststoffkörper (3 ) mindestens einen Kanal (3.1 ) aufweist, welcher senkrecht zur ersten Oberfläche durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft, und mindestens ein Kontaktelement (7 ,8 ,9 ,10 ), das in dem Kanal (3.1 ) angeordnet und zur elektrischen Kontaktierung der ersten Oberfläche des Substrates (1 ) an diese angedrückt ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei das Kontaktelement (
7 ,8 ,9 ,10 ) durch die Wirkung einer elastischen Feder an das Substrat (1 ) gedrückt wird. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, wobei die elastische Feder durch das Kontaktelement (
7 ,8 ,9 ,10 ) selbst gebildet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2 oder 3, wobei das Kontaktelement (
7 ,8 ,9 ,10 ) in entspanntem Zustand eine größere Länge aufweist als die Länge des Kanals (3.1 ). - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei das Kontaktelement (
9 ) mit einem oder mehreren Fortsätzen (9.1 ) unter elastischer Vorspannung an der Wand des Kanals (3.1 ) anliegt. - Leistungshalbleitermodul nach einem der bisherigen Ansprüche, wobei an der dem Substrat (
1 ) abgewandten Seite des Kunststoffkörpers (3 ) mittelbar oder unmittelbar eine Leiterplatte (12 ) anliegt und an der dem Kunststoffkörper (3 ) abgewandten Seite des Substrates (1 ) ein Kühlkörper (15 ) anliegt. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 6, wobei an der dem Kunststoffkörper abgewandten Seite der Leiterplatte ein Gegenhalter (
13 ) an dieser anliegt und wobei ein Befestigungsmittel Gegenhalter (13 ), Leiterplatte (12 ) Leistungshalbleitermodul und Kühlkörper (15 ) aneinander drückt. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 8, wobei das Befestigungsmittel mindestens eine Schraube (
14 ) ist, welche durch Gegenhalter (13 ), Leiterplatte (12 ) und Leistungshalbleitermodul verläuft und mit einer Gewindebohrung im Kühlkörper (15 ) in Gewindeeingriff ist. - Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls, das folgendes umfasst: Bereitstellen eines Substrats (
1 ), mit elektronischen Bauelementen (2 ), die auf einer ersten Oberfläche des Substrats angeordnet sind, Formen eines Kunststoffkörpers derart, dass der Kunststoffkörper an der ersten Oberfläche des Substrates (1 ) anliegt und die elektronischen Bauelemente (2 ) umhüllt, wobei der Kunststoffkörper mindestens einen Kanal (3.1 ) aufweist, welcher von der ersten Oberfläche des Substrates (1 ) durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft und wobei der Kunststoffköper in einem Formnest (5.1 ) einer Gießform durch Aufbringen einer zuerst flüssigen Kunststoffmasse an das Substrat (1 ) und die Bauteile (2 ) und durch darauf folgendes Erhärten der Kunststoffmasse gebildet ist, wobei der Kanal (3.1 ) gebildet wird, indem im Formnest (5.1 ) durch einen darin befindlichen Körper (5.2 ,6 ) Fluss von Kunststoffmasse in jenen Volumenbereich, welcher für den Kanal (3.1 ) vorgesehen ist, verhindert wird. - Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls nach Anspruch 9, wobei jener Körper, welcher Fluss von Kunststoffmaterial in den für den Kanal (
3.1 ) vorgesehenen Volumenbereich verhindert, ein Fortsatz (5.2 ) eines das Formnest (5.1 ) eingrenzenden Teiles (5 ) der Gießform ist. - Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls nach Anspruch 9, wobei jener Körper, welcher Fluss von Kunststoffmaterial in den für den Kanal (
3.1 ) vorgesehenen Volumenbereich verhindert, eine in das Formnest (5.1 ) eingelegte Hülse (6 ) ist, welche nach dem Gießvorgang mit dem Kunststoffteil (3 ) verbunden ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008045615.2A DE102008045615C5 (de) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008045615.2A DE102008045615C5 (de) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008045615A1 true DE102008045615A1 (de) | 2010-03-18 |
DE102008045615B4 DE102008045615B4 (de) | 2015-02-05 |
DE102008045615C5 DE102008045615C5 (de) | 2018-01-04 |
Family
ID=41667685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008045615.2A Expired - Fee Related DE102008045615C5 (de) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008045615C5 (de) |
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- 2008-09-03 DE DE102008045615.2A patent/DE102008045615C5/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008045615C5 (de) | 2018-01-04 |
DE102008045615B4 (de) | 2015-02-05 |
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Legal Events
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R026 | Opposition filed against patent | ||
R034 | Decision of examining division/federal patent court maintaining patent in limited form now final | ||
R206 | Amended patent specification | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |