DE102008040874A1 - Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) mit mindestens einer optischen Komponente (3). Dabei zeigt die optische Komponente (3) ein optisches Element (1) und ein Trägerelement (7) für das optische Element, wobei das optische Element (1) mittels mindestens eines Verbindungselementes (4) über eine Fügefläche (2) mit dem Trägerelement (7) verbunden ist. Jedem Flächenelement der Fügefläche (2) liegt dabei ein weiteres Flächenelement der Fügefläche (2) auf einer Außenfläche des Verbindungselements (4) gegenüber.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit optischen Komponenten.
  • Durch die Lagerung von optischen Elementen auf diskreten Stütz-/Lagerstellen in optischen Komponenten wie beispielsweise in Baugruppen von Projektionsobjektiven für die Halbleiterlithographie entstehen beispielsweise an der Verbindungsstelle zu einer Fassung Deformationen an den optischen Elementen.
  • Diese Deformationen sind dabei insbesondere die Folge parasitärer Klemmkräfte oder von Veränderungen der verwendeten Verbindungsstoffe (Kleber, Lote) beim Aushärten oder Tempern. Durch die derzeit gängige Praxis, unterschiedliche Materialien zu verbinden, wird die genannte Problematik noch weiter verschärft.
  • Die genannten Deformationen resultieren aus Spannungen im Verbindungsstoff oder in der Kontaktstelle. In Form von Drift- und Setzeffekten können diese im Laufe der Zeit zu sogenannten Lifetime-Effekten führen. Durch Verbindungstechnik mit geringer Deformation sind diese Lifetime-Effekte minimierbar.
  • Um der geschilderten Problematik zu begegnen, werden beispielsweise zur Fassung von Spiegeln in aktuellen EUV-Projektionsobjektiven für die Halbleiterlithographie Buchsenverbindungen verwendet, welche Verbindungs- bzw. Klebestellen zeigen, die sich radial außerhalb der Buchsen befinden.
  • Dabei werden die Buchsen in entsprechende Löcher im Spiegel geklebt. Die Deformationswirkung der Verbindungsspannungen hängt hier unmittelbar von der jeweiligen Steifigkeit des Spiegels in der Umgebung der Buchse ab und tritt direkt am Spiegelkörper auf. Diese Deformationen werden konventionell nach dem Fügen (Kleben und Aushärten) korrigiert, wodurch jedoch keine ausreichend langzeitstabile Verbindungen gewährleistet werden.
  • Eine verwandte Möglichkeit zur Verbindung eines optischen Elementes in einer optischen Komponente wird ferner in der US-Patentanmeldung US 2006/0192328 , die auf die Anmelderin zurückgeht, beschrieben.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine optische Komponente anzugeben, in der ein optisches Element in der Weise gelagert ist, dass aufgrund der Lagerung möglichst geringe Kräfte/Momente in das optische Element eingetragen werden.
  • Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Varianten und Weiterbildungen der Erfindung.
  • Die erfindungsgemäße optische Komponente zeigt ein optisches Element und ein Trägerelement für das optische Element, wobei das optische Element mittels mindestens eines Verbindungselementes über eine Fügefläche mit dem Trägerelement verbunden ist. Dabei liegt jedem Flächenelement der Fügefläche ein weiteres Flächenelement der Fügefläche auf einer Außenfläche des Verbindungselements gegenüber.
  • Diese Gestaltung der Verbindung in der Art einer Greifverbindung führt aufgrund der resultierenden Kompensationswirkung von entgegengerichteten Kräften zu einer Verringerung der Deformationen des optischen Elements. Die Greifverbindung konzentriert dabei die parasitären Kräfte im Zentrum des symmetrischen Verbindungselementes. Diese Kräfte führen damit nur innerhalb des Verbindungselementes zu Spannungen und Deformationen.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung besteht dabei in der Verbindung des Trägerelementes mit dem optischem Element auf einer lokalen, vom eigentlichen optischen Element abgesetzten symmetrischen Haltegeometrie, die durch das Verbindungselement realisiert wird.
  • Eine einfache Variante, den oben geschilderten Effekt der paarweisen Kompensation der entgegengerichteten Kräfte besteht dabei darin, das Verbindungselement als symmetrischen, insbesondere rotationssymmetrischen Körper auszubilden.
  • Dabei kann die Symmetrieachse des Verbindungselementes parallel zur optischen Achse des optischen Elements verlaufen; es ist jedoch auch möglich, von dieser Parallelität auch geringfügig (< 30°) abzuweichen, ohne dass dadurch die Funktionalität wesentlich eingeschränkt wird.
  • Das Verbindungselement kann insbesondere eine zylindrische Form aufweisen und z. B. in der Weise gebildet sein, dass in das optische Element eine zylindrische Ausnehmung eingeformt ist, innerhalb derer das Verbindungselement angeordnet ist. In diesem Fall ist das Verbindungselement monolithisch mit dem optischen Element verbunden; auch bei einer nicht monolithischen Verbindung des Verbindungselementes mit dem optischen Element sollte es vorteilhafterweise zumindest aus dem gleichen Material bestehen, um Spannungen, die von Temperaturänderungen herrühren, zu verringern.
  • Das Verbindungselement kann einen Durchmesser von 10 bis 100 mm, vorzugsweise von 40 bis 80 mm, aufweisen; die Länge des Verbindungselementes kann 2 bis 50 mm, bevorzugt 3 bis 8 mm, betragen.
  • Im geschilderten Fall der zylindrischen Ausbildung des Verbindungselementes kann das Trägerelement eine hohlzylindrische Buchse aufweisen, die das Verbindungselement umgreift.
  • Die Verbindung des Verbindungselements mit dem Trägerelement kann als stoffschlüssige Verbindung, insbesondere als Klebeverbindung oder Lötverbindung ausgebildet sein. Auch eine Verbindung ohne Mitwirkung eines zusätzlichen Stoffes, wie beispielsweise eine Klemmung oder eine Pressung, ist denkbar.
  • Hinsichtlich der Geometrie sind ringförmige oder segmentierte stoffschlüssige Verbindungen ebenso denkbar wie kraftschlüssige Verbindungen durch Flächenlasten oder Kräftepaare. Die Lage der Fügeflächen kann sowohl auf Umfangsflächen des Verbindungselementes wie auch auf abgesetzten Planflächen oder schräg angeordneten Flächen erfolgen.
  • Das Trägerelement kann mit einem Halteelement wie beispielsweise einer Fassung verbunden, insbesondere verschraubt oder auch einstückig ausgebildet sein.
  • Um thermische Einflüsse des Verbindungselementes und/oder des Trägerelementes so weit wie möglich zu minimieren, kann das Verbindungselement und/oder das Trägerelement aus einem Material mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, insbesondere aus ULE, Zerodur oder Invar, bestehen.
  • Ferner können das Verbindungselement und das Trägerelement aus unterschiedlichen Materialien bestehen; dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn das Trägerelement aus einem Material besteht, das einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als das Material des Verbindungselementes aufweist.
  • Beispielsweise kann das Trägerelement aus Metall bestehen, das einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als das Material des Verbindungselements, z. B. Keramik oder Glas, aufweist. Im Fall einer Klebeverbindung bietet sich so die Möglichkeit, einen Teil der hohen thermischen Ausdehnung des Verbindungsstoffes wie beispielsweise des Klebers in radialer Richtung zu kompensieren. Das Ausmaß einer dieser Temperaturdehnungskompensation ist von den verwendeten Materialien und der radialen Breite des Verbindungsstoffes (Klebespaltdicke) abhängig.
  • Nachfolgend werden einige Ausführungsformen und Varianten der Erfindung anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Schnittdarstellung einer ersten vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung,
  • 2 einen Querschnitt durch die in 1 dargestellte Anordnung,
  • 3 eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 4 eine weitere alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 5 eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, in die mindestens eine der beschriebenen optischen Komponenten integriert ist.
  • 1 zeigt in einer Schnittdarstellung eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Komponente 3. Das optische Element 1 weist dabei eine im Wesentlichen zylindrische Ausnehmung auf, innerhalb derer das Verbindungselement 4 angeordnet ist. Im vorliegenden Fall ist das Verbindungselement 4 als zylindrischer Zapfen realisiert, der einstückig aus dem optischen Element 1 ausgeformt ist. Dabei wird das Verbindungselement 4 von dem als hohlzylindrische Greifbuchse 5 ausgebildeten Trägerelement entlang der Fügefläche 2, im vorliegenden Fall der Mantelfläche des Verbindungselements 4, umschlossen; zwischen der Innenseite der Greifbuchse 5 und der Fügefläche 2 auf dem Verbindungselement 4 ist dabei die Kleberschicht 6 angeordnet. Aus 1 wird unmittelbar klar, dass sich im mit dem Buchstaben A bezeichneten Innenbereich des Verbindungselementes 4 die von der Fügefläche 2 her eingeleiteten radialen Kräfte sich gerade gegenseitig kompensieren. Auf diese Weise wird erreicht, dass Änderungen beispielsweise der Dicke einer auf der Fügefläche 2 angeordneten Kleberschicht 6 keine oder allenfalls nur eine sehr reduzierte Wirkung auf den – mit Buchstaben B bezeichneten – dem Verbindungselement 4 benachbarten Bereich des optischen Elementes 1 hat. Somit wird eine langzeitstabile mechanische Verbindung der Greifbuchse 5 mit dem optischen Element 1 sichergestellt. Darüber hinaus wird durch die zylindrische Ausnehmung im optischen Element 1 erreicht, dass auch eine thermale Ausdehnung des Verbindungselementes 4, der Greifbuchse 5 oder auch der Kleberschicht 6 keinen bzw. nur einen sehr begrenzten Effekt auf die – mit Buchstaben B bezeichnete – dem Verbindungselement 4 benachbarte Umgebung des optischen Elementes 1 hat. Dies geht darauf zurück, dass die zylindrische Ausnehmung in der Weise gestaltet ist, dass noch genügend Raum für eine thermische Ausdehnung der Greifbuchse 5, des Verbindungselementes 4 oder auch der Kleberschicht 6 verbleibt.
  • In dem in 1 mit dem Buchstaben C bezeichneten Bereich der Anordnung kann zusätzlich noch eine mindestens teilweise Kompensation einer thermischen Ausdehnung der Kleberschicht 6 erfolgen. Dies lässt sich dadurch erreichen, dass für das Material der Greifbuchse 5 beispielsweise ein metallischer Werkstoff verwendet wird, während das Verbindungselement 4 aus z. B. Zerodur, ULE oder Invar gefertigt ist. Aufgrund der Tatsache, dass der metallische Werkstoff der Greifbuchse 5 einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten zeigt als das Material des Verbindungselementes 4, vergrößert sich bei einer Erwärmung der Anordnung der Bereich zwischen der Greifbuchse 5 und dem Verbindungselement 4, in dem die Kleberschicht 6 angeordnet ist, überproportional. Damit werden die in das Verbindungselement 4 eingetragenen Kräfte, die aus der thermischen Ausdehnung der Kleberschicht 6 herrühren, wirksam reduziert.
  • Die in 1 anhand der Buchstaben A, B, C dargestellten Möglichkeiten zur mechanischen Entkopplung des optischen Elements 1 sind dabei selbstverständlich jeweils auch als Einzelmaßnahme oder in einer Unterkombination der einzelnen Möglichkeiten denkbar.
  • 2 zeigt einen Querschnitt der in 1 dargestellten Anordnung entlang der in 1 mit der gestrichelten Linie X-X angedeuteten Schnittebene; aus 2 wird die Rotationssymmetrie der Anordnung noch einmal klar.
  • 3 zeigt eine erste alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Komponente 3. Das in 3 dargestellte Verbindungselement 4 ist ebenfalls rotationssymmetrisch, allerdings in der 3 vorgestellten Alternative mit einem T-förmig ausgebildeten Querschnitt realisiert. Die Fügeflächen 2 sind in der 3 dargestellten Ausführungsform als einander gegenüberliegende, jeweils oben und unten am Querbalken des T angeordnete, umlaufende ringförmige Flächen ausgebildet. Die Greifbuchse 5 ist der Formgebung des Verbindungselementes 4 korrespondierend gestaltet. Die in 3 dargestellte Ausführungsform zeigt aufgrund der gegenüber der in 1 bzw. 2 dargestellten Variante noch etwas stärker abgesetzten Fügeflächen 2 eine ausgeprägte Deformationsentkopplung des optischen Elements 1.
  • 4 zeigt eine weitere alternative Ausführungsform der Erfindung. Die in 4 dargestellte Ausführungsform zeigt einen geometrischen Kompromiss zwischen den in 1 bzw. 2 und 3 dargestellten Varianten der Erfindung. Vorteilhaft an der in 4 dargestellten Variante ist, dass sich das Verbindungselement 4 – bei ähnlich guter Deformationsentkopplung wie in 3 – aufgrund der einfacheren Geometrie der Greifbuchse 5 und insbesondere des Verbindungselementes 4 selbst erheblich leichter fertigen und anbringen lässt als die in 3 dargestellte Variante.
  • In 5 ist eine Projektionsbelichtungsanlage 31 für die Halbleiterlithographie, in die eine der beschriebenen optischen Komponenten 3 integriert ist, dargestellt. Die Anlage dient zur Belichtung von Strukturen auf ein mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer 32 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z. B. Computerchips.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 31 besteht dabei im wesentlichen aus einer Beleuchtungseinrichtung 33, einer Einrichtung 34 zur Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer Struktur versehenen Maske, eines sogenannten Reticles 35, durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer 32 bestimmt werden, einer Einrichtung 36 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 32 und einer Abbildungseinrichtung, nämlich einem Projektionsobjektiv 37, mit mehreren optischen Elementen 38, die über Fassungen 39 in einem Objektivgehäuse 40 des Projektionsobjektives 37 gelagert sind. Dabei kann eine erfindungsgemäße optische Komponente 3 an einer beliebigen Stelle im Projektionsobjektiv 37 angeordnet sein. Alternativ kann die erfindungsgemäße optische Komponente 3 auch in der Beleuchtungs einrichtung 33 angeordnet sein.
  • Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle 35 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 32 abgebildet werden; die Abbildung wird in der Regel verkleinernd ausgeführt.
  • Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 32 in Pfeilrichtung weiterbewegt, sodass auf demselben Wafer 32 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 35 vorgegebenen Struktur, belichtet wird. Aufgrund der schrittweisen Vorschubbewegung des Wafers 32 in der Projektionsbelichtungsanlage 31 wird diese häufig auch als Stepper bezeichnet.
  • Die Beleuchtungseinrichtung 33 stellt einen für die Abbildung des Reticles 35 auf dem Wafer 32 benötigten Projektionsstrahl 41, beispielsweise Licht oder eine ähnliche elektromagnetische Strahlung, bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrichtung 33 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 41 beim Auftreffen auf das Reticle 35 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
  • Über die Strahlen 41 wird ein Bild des Reticles 35 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv 37 entsprechend verkleinert auf den Wafer 32 übertragen, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Das Projektionsobjektiv 37 weist eine Vielzahl von einzelnen refraktiven, diffraktiven und/oder reflexiven optischen Elementen 38, wie z. B. Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen auf.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 2006/0192328 [0007]

Claims (14)

  1. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) mit mindestens einer optischen Komponente (3) mit einem optischen Element (1) und einem Trägerelement (7) für das optische Element, wobei das optische Element (1) mittels mindestens eines Verbindungselementes (4) über eine Fügefläche (2) mit dem Trägerelement (7) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Flächenelement der Fügefläche (2) ein weiteres Flächenelement der Fügefläche (2) auf einer Außenfläche des Verbindungselements (4) gegenüberliegt.
  2. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungselement (4) eine symmetrische, insbesondere eine rotationssymmetrische, wie beispielsweise zylindrische Form aufweist.
  3. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung des Verbindungselements (4) mit dem Trägerelement (7) als stoffschlüssige Verbindung ausgebildet ist.
  4. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung als Klebeverbindung ausgebildet ist.
  5. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungselement (4) in der Weise gebildet ist, dass in das optische Element (1) eine zylindrische Ausnehmung eingeformt ist, innerhalb derer das Verbindungselement (4) angeordnet ist.
  6. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (7) eine insbesondere hohlzylindrische Greifbuchse (5) aufweist, die das Verbindungselement (4) umgreift.
  7. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (7) mit einem Halteelement, insbesondere einer Fassung, verbunden ist.
  8. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (7) mit dem Halteelement verschraubt ist.
  9. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (7) mit dem Halteelement einstückig ausgebildet ist.
  10. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungselement (4) einen Durchmesser von 10 bis 100 mm, vorzugsweise von 40 bis 80 mm, aufweist.
  11. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungselement (4) eine Länge von 2 bis 50 mm, bevorzugt 3 bis 8 mm, aufweist.
  12. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungselement (4) und/oder das Trägerelement (7) aus einem Material mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, insbesondere aus ULE, Zerodur oder Invar, bestehen.
  13. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbindungselement (4) und das Trägerelement (7) aus unterschiedlichen Materialien bestehen.
  14. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie (31) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägerelement (7) aus einem Material besteht, das einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als das Material des Verbindungselementes aufweist.
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