DE102008039360B4 - Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips - Google Patents

Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips Download PDF

Info

Publication number
DE102008039360B4
DE102008039360B4 DE102008039360.6A DE102008039360A DE102008039360B4 DE 102008039360 B4 DE102008039360 B4 DE 102008039360B4 DE 102008039360 A DE102008039360 A DE 102008039360A DE 102008039360 B4 DE102008039360 B4 DE 102008039360B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mirror layer
contact points
semiconductor body
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102008039360.6A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE102008039360A1 (de
Inventor
Vincent Grolier
Dr. Plößl Andreas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE102008039360.6A priority Critical patent/DE102008039360B4/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to US13/002,352 priority patent/US8761219B2/en
Priority to JP2011523298A priority patent/JP5921192B2/ja
Priority to PCT/DE2009/001111 priority patent/WO2010020213A1/de
Priority to CN2009801276923A priority patent/CN102099926B/zh
Priority to KR1020117003395A priority patent/KR101704831B1/ko
Priority to EP09776069A priority patent/EP2316133A1/de
Publication of DE102008039360A1 publication Critical patent/DE102008039360A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008039360B4 publication Critical patent/DE102008039360B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8316—Multi-layer electrodes comprising at least one discontinuous layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/835—Reflective materials

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
DE102008039360.6A 2008-08-22 2008-08-22 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips Active DE102008039360B4 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008039360.6A DE102008039360B4 (de) 2008-08-22 2008-08-22 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP2011523298A JP5921192B2 (ja) 2008-08-22 2009-08-05 気体の充填された鏡を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法
PCT/DE2009/001111 WO2010020213A1 (de) 2008-08-22 2009-08-05 Optoelektronischer halbleiterchip mit gas-gefülltem spiegel
CN2009801276923A CN102099926B (zh) 2008-08-22 2009-08-05 具有气体填充的镜的光电子半导体芯片
US13/002,352 US8761219B2 (en) 2008-08-22 2009-08-05 Optoelectronic semiconductor chip with gas-filled mirror
KR1020117003395A KR101704831B1 (ko) 2008-08-22 2009-08-05 가스 충전된 거울을 포함하는 광전 반도체칩
EP09776069A EP2316133A1 (de) 2008-08-22 2009-08-05 Optoelektronischer halbleiterchip mit gas-gefülltem spiegel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008039360.6A DE102008039360B4 (de) 2008-08-22 2008-08-22 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008039360A1 DE102008039360A1 (de) 2010-02-25
DE102008039360B4 true DE102008039360B4 (de) 2021-05-12

Family

ID=41461099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008039360.6A Active DE102008039360B4 (de) 2008-08-22 2008-08-22 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8761219B2 (https=)
EP (1) EP2316133A1 (https=)
JP (1) JP5921192B2 (https=)
KR (1) KR101704831B1 (https=)
CN (1) CN102099926B (https=)
DE (1) DE102008039360B4 (https=)
WO (1) WO2010020213A1 (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8957490B2 (en) 2013-06-28 2015-02-17 Infineon Technologies Dresden Gmbh Silicon light trap devices
KR102465406B1 (ko) * 2016-01-07 2022-11-09 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
DE102018101389A1 (de) 2018-01-23 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040211968A1 (en) * 2003-04-24 2004-10-28 Ming-Der Lin Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US20070145380A1 (en) * 2006-05-19 2007-06-28 Shum Frank T Low optical loss electrode structures for LEDs

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0683921B1 (en) * 1993-02-04 2004-06-16 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US6515370B2 (en) * 1997-03-10 2003-02-04 Seiko Epson Corporation Electronic component and semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit board have the same mounted thereon, and electronic equipment having the circuit board
EP1010781A4 (en) * 1997-04-17 2007-04-25 Sekisui Chemical Co Ltd CONDUCTIVE PARTICLES AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THE SAME ANISOTROPIC CONDUCTIVE ADHESIVE AND CONDUCTIVE CONNECTION STRUCTURE, AND ELECTRICAL SWITCHING COMPONENTS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
WO2003019653A2 (de) * 2001-08-24 2003-03-06 Schott Glas Verfahren zum kontaktieren und gehäusen von integrierten schaltungen
DE10164800B4 (de) * 2001-11-02 2005-03-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten und miteinander kontaktierten Chips
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
JP2004332017A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Sumitomo Electric Ind Ltd ハンダ皮膜の製造方法、ハンダ皮膜を備えたヒートシンク、および半導体素子とヒートシンクの接合体
WO2005089098A2 (en) * 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
DE102007003282B4 (de) 2007-01-23 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040211968A1 (en) * 2003-04-24 2004-10-28 Ming-Der Lin Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US20070145380A1 (en) * 2006-05-19 2007-06-28 Shum Frank T Low optical loss electrode structures for LEDs

Also Published As

Publication number Publication date
US8761219B2 (en) 2014-06-24
WO2010020213A1 (de) 2010-02-25
KR101704831B1 (ko) 2017-02-08
CN102099926A (zh) 2011-06-15
DE102008039360A1 (de) 2010-02-25
EP2316133A1 (de) 2011-05-04
US20110164644A1 (en) 2011-07-07
JP5921192B2 (ja) 2016-05-24
CN102099926B (zh) 2013-04-24
KR20110068974A (ko) 2011-06-22
JP2012501065A (ja) 2012-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2612372B1 (de) Leuchtdiodenchip
DE102012108879B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip mit mehreren nebeneinander angeordneten aktiven Bereichen
DE102012102847A1 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
WO2010060404A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip
DE102010034665A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
DE102010048159A1 (de) Leuchtdiodenchip
DE102010032497A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
WO2009079983A1 (de) Leuchtdiodenchip mit überspannungsschutz
EP2415077A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2009152790A1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
DE102008039360B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
WO2012107289A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht
WO2014000988A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE10214210B4 (de) Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112016000474B9 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil, optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
WO2021037568A1 (de) Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement
DE102014111482B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102018131775A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
WO2020182621A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
EP2619807B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
DE102008030816B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bauteils mit mindestens einem organischen Material
DE102014107555A1 (de) Elektrische Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement
DE102017126109A1 (de) Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements
WO2012080014A1 (de) Gehäuse und verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches bauelement
DE102015108056A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil, optoelektronische Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0031023200

Ipc: H10F0077400000