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Die
Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung großvolumiger
Substrate im Plasma nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren
zur Anwendung der Vorrichtung.
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Stand der Technik
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Nach
dem Stand der Technik werden zur Oberflächenbearbeitung
großflächiger ebener Substrate, z. B. von Glasplatten
mit mehreren Quadratmetern Flächeninhalt, lineare Plasmaquellen
oder lineare Sputterquellen verwendet. Die Glasplatten werden dabei
durch das Plasmaerzeugungsgebiet der Plasmaquellen hindurch bewegt,
wodurch eine gute Homogenität der Bearbeitung erreicht
wird.
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Zur
Plasmabehandlung großvolumiger, d. h. dreidimensionaler
Substrate, werden meist so genannte Batch-Anlagen verwendet, in
denen für die gleichmäßige Behandlung
der Substrate eine aufwendige Bewegungstechnik erforderlich ist.
Zur Verkürzung der Behandlungszeit der Substrate sowie Gewährleistung
der erforderlichen Gleichmäßigkeit können
die Anlagen mit mehreren Plasmaquellen, Ionenstrahlquellen bzw.
Sputterquellen ausgerüstet sein. Magnetanordnungen zur
Erzeugung von lokalen und weitreichenden Magnetfeldern verbessern die
Plasmaverteilung und damit die Gleichmäßigkeit der
Plasmabehandlung der Substrate. Batch-Anlagen eignen sich besonders
für die gleichzeitige Bearbeitung einer Vielzahl gleichartiger
kleinerer Substrate. Die Abmessungen dieser Anlagen erreichen Dimensionen
von mehreren Kubikmetern Rauminhalt.
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Die
Patentschrift
US 5,211,995 beschreibt ein
Verfahren zum Schutz organischer Oberflächen von großvolumigen
Werkstücken bis hin zur Dimension von Automobilkarossen
durch Plasmabehandlung der Oberfläche. In einer Ausführung
wird um die gesamte Karosse ein reaktives Plasma erzeugt. Dazu ist
die Karosse als Elektrode beschaltet und eine Gegenelektrode, die
auf Massepotential liegt, folgt annähernd der äußere
Kontur der Karosse, so dass eine planparallele Plattenanordnung
nachgestaltet wird. Die Karosse wird im Beispiel mit Hochfrequenz von
13,54 MHz versorgt und im Raum zwischen der Gegenelektrode und der
Karosse bildet sich ein Plasma aus. Zur Ausbildung einer relativ
homogenen Plasmadichte an der Oberfläche der Karosse ist
ein sehr großer technischer Aufwand zur Nachbildung der
Gegenelektrode an die Form der Karosse erforderlich. Die Gegenelektrode
ist zur Plasmabehandlung jeder einzelnen Karosse mit großem
Aufwand um diese zu positionieren. Zur Plasmabehandlung von Baugruppen
aus elektrisch nichtleitenden Materialien an der Karosse sind an
solchen Stellen aufwendigen Hilfselektroden vorzusehen. Hohlräume
an der Karosse sind der Plasmabehandlung nur schlecht oder nicht
zugänglich.
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Die
konkrete geometrische Verteilung der Vorrichtungen zur Erzeugung
der lokalen Plasmen innerhalb der Innenwandauskleidung wird den
Anforderungen zum Beispiel an die Gleichmäßigkeit
und Tiefe der Wirkung, auf oder in der Oberfläche des Werkstückes,
angepasst. Als Wirkung sollen alle Veränderungen der Oberfläche
des Werkstückes auf Grund von Wechselwirkungen verschiedene
Teilchenströme aus dem Plasma mit der Oberfläche
des Werkstückes und/oder auch durch Strahlung zur Oberfläche
des Werkstückes verstanden werden. Als Resultat der Wirkung
mit der Oberfläche des Werkstückes kann z. B.
eine gezielte Abtragung von Materialien der Oberfläche
bzw. auch eine gezielte Schichtabscheidung auf der Oberfläche
erreicht werden. Aber auch die definierte Veränderung des
Bindungscharakters und der Struktur der Oberfläche sind
weitere Möglichkeiten um die Oberflächen von Werkstücken
zu modifizieren. Dabei ist es gleich, ob direkt die Materialien
der Oberfläche des Werkstückes bearbeitet werden
oder eine zusätzliche vor der Plasmabearbeitung aufgebrachte
Beschichtung modifiziert werden soll. Das Resultat der Wirkung an
der Oberfläche wird besonders durch die Wahl der eingesetzten
Prozessgase und den speziellen Betriebsbedingungen bei der Ansteuerung
der Antennen und den Vorrichtungen zur lokalen Plasmaerzeugung beeinflusst.
Bei thermisch empfindlichen Oberflächenmaterialien oder
Beschichtungen auf dem Werkstück ist es vorteilhaft, wenn
dabei die Leistungsversorgungen zur Ansteuerungen der Antennen und
der Vorrichtungen zur lokalen Plasmaerzeugung gepulst betrieben
wird. Dadurch kann die thermische Belastung bei der Bearbeitung
der Werkstücke an die Materialien der Oberfläche
angepasst werden.
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Aufgabenstellung
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Der
Erfindung liegt damit als Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur
Behandlung großvolumiger Substrate im Plasma anzugeben,
bei der das Substrat innerhalb einer Vakuumkammer in einer Plasmaumhüllung
angeordnet ist und bei der eine Plasmaquelle vorhanden ist, die
geeignet ist, im Raum zwischen dem Substrat und der Plasmaumhüllung
ein Plasma zu erzeugen. Die Vorrichtung soll einen einfachen technischen
Aufbau aufweisen und die Oberfläche der Substrate, einschließlich
von Vertiefungen, Hinterschneidungen und Hohlräumen, soll einer
relativ gleichmäßigen Plasmabehandlung ausgesetzt
werden können. Weiterhin besteht die Aufgabe darin, ein
Verfahren zur Anwendung der Vorrichtung anzugeben.
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Die
Erfindung löst die Aufgabe für die Vorrichtung
durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale. Die Aufgabe für
ein Verfahren zur Anwendung der Vorrichtung wird durch die Merkmale
des Anspruchs 14 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung sind in den jeweiligen Unteransprüchen gekennzeichnet
und werden nachstehend zusammen mit der Beschreibung der bevorzugten
Ausführung der Erfindung, einschließlich der Zeichnung, näher
dargestellt.
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Erfindungsgemäß weist
die Vorrichtung innerhalb einer Vakuumkammer eine Plasmaumhüllung
auf, die die äußere Kontur des Substrates nur grob
nachgebildet und gasdurchlässig ist. Zur Erzeugung eines
Plasmas zwischen dem Substrat und der Plasmaumhüllung ist
als Plasmaquelle mindestens eine Antennenanordnung zur Abstrahlung
elektromagnetischer Wellen vorhanden, die im Raum zwischen dem Substrat
und der Plasmaumhüllung ein Plasma mit relativ niedriger
Plasmadichte erzeugt. Weiterhin ist mindestens eine weitere Plasmaerzeugungsvorrichtung
vorhanden, die geeignet ist, in einem definierten Bereich vor der
Substratoberfläche ein lokal definiertes Plasma auszubilden,
derart, dass im definierten Bereich ein Überlagerungsplasma
mit definierter Plasmadichteverteilung ausgebildet wird.
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Die
Plasmaumhüllung umschließt das Substrat je nach
dessen Form so, dass diese dauerhaft in der Vakuumkammer positioniert
ist. Dabei sollte die Ein- und Ausschleusung des Substrates nicht
wesentlich behindert sein. In den meisten Fällen wird eine
zylindrische Form der Plasmaumhüllung ausreichend sein.
Die Plasmaumhüllung kann auch als Innenauskleidung der
Vakuumkammer bezeichnet werden, die grob der mittleren Geometrie
des zu bearbeitenden Werkstückes bzw. allgemein ausgedrückt
des Substrates angepasst ist. Dadurch wird die Plasmaausbildung
begrenzt und es können in der Anwendung ungenutzte Plasmabereiche
minimiert werden. Die Plasmaumhüllung kann geometrisch
unabhängig von der Vakuumkammer gestaltet werden. Die Plasmaumhüllung
ist aus elektrisch leitfähigem Material, bevorzugt Lochblech,
gefertigt. Dadurch ist ein ungehinderter Gasaustausch zwischen dem Raum
innerhalb und außerhalb der Plasmaumhüllung gewährleistet,
was für viele reaktive Verfahren sehr vorteilhaft ist.
Die Wand der Plasmaumhüllung weist somit keine unnötigen Öffnungen
zur Gasversorgung oder für die Absaugung der eingesetzten Gase
auf.
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Die
Antenne zur Abstrahlung elektromagnetischer Wellen in den Plasmaraum
ist so aufgebaut, dass die von der Antenne abgestrahlten elektromagnetischen
Wellen nicht in den Raum zwischen der Wand der Vakuumkammer und
der Plasmaumhüllung gelangen können. Damit wird
in diesem Raum eine unerwünschte Plasmazündung
vermieden. Auch bei der Anordnung mehrerer Antennen werden diese
so angeordnet, dass nur der Raum zwischen Substrat und Plasmaumhüllung
mit elektromagnetischen Wellen ausgefüllt wird. Als Antennen
sind alle gängigen Antennenformen wie Stabantennen, Dipolantennen,
Hornstrahler, dielektrische Antennen, Stromschleifenantennen, Schlitzantennen
usw. einsetzbar.
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Entsprechend
Anspruch 2 wird die Antennenanordnung bevorzugt mit Mikrowellen
der Frequenzen von 300 MHz bis 100 GHz, vorzugsweise 915 MHz oder
2,45 GHz, eingesetzt.
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Als
weitere Plasmaerzeugungsvorrichtung können ICP-Quellen
(Inductively Coupled Plasma), ECR-Plasmaquellen (Electron Cyclotron
Resonance), Plasmaquellen auf der Grundlage von Wellenleitern bzw.
gespeisten Elektroden oder Magnetanordnungen eingesetzt werden.
Entsprechend der Anpassung an den jeweiligen definierten Bereich
vor der Substratoberfläche kann die weitere Plasmaerzeugungsvorrichtung
neben anderen Formen auch als lineare Plasmaquelle ausgebildet sein.
Die Plasmaerzeugungsvorrichtung kann auch ein örtlich definiertes
Magnetsystem mit geeigneter Magnetfeldstärke aufweisen,
derart dass ein lokales Plasma hoher Plasmadichte ausbildet wird.
Die weitere Plasmaerzeugungsvorrichtung und/oder das Substrat können
auch relativ zueinander bewegbar angeordnet sein.
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Die
Plasmaumhüllung besteht aus einem elektrisch leitfähigen
Material, vorzugsweise einem Lochblech. Dabei kann sie derart ausgebildet
sein, dass die Innenwand der Plasmaumhüllung für
die von der Antennenanordnung abgestrahlten elektromagnetischen
Wellen mindestens teilweise als Reflektor wirkt. Die reflektierten
elektromagnetischen Wellen können sich definiert überlagern,
wodurch Gebiete mit erhöhter Mikrowellenkonzentration erzeugt
werden können.
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Beim
Vorhandensein mehrerer Antennenanordnungen werden diese bevorzugt
derart angeordnet, dass sich deren abgestrahlte elektromagnetischen
Wellen im Raum zwischen dem Substrat und der Plasmaumhüllung überlagern
und dieser Raum gleichmäßig mit elektromagnetischen
Wellen ausgefüllt ist.
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Sind
mehrere weitere Plasmaerzeugungsvorrichtungen zur Ausbildung mehrerer
lokal definierter Plasmen vorhanden, ist es vorteilhaft, die definierten
Bereiche der variablen Oberflächenkontur des Substrates
folgend anzuordnen.
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Soweit
das Substrat insgesamt oder teilweise hohl ist oder Vertiefungen
bzw. Hinterschneidungen aufweist, ist es vorteilhaft, dass mindestens
eine Antennenanordnung derart in den Innenraum des Substrates eintaucht
oder als Richtstrahlantenne ausgebildet ist, dass durch geeignete Öffnungen
hindurch die elektromagnetischen Wellen im Inneren des hohlen Substrates
ein Plasma ausbilden.
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In
entsprechender Weise kann mindestens eine der weiteren Plasmaerzeugungsvorrichtungen derart
angeordnet sein, dass das Plasma örtlich im Innenraum des
Substrates ausgebildet wird.
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Beim
Vorhandensein mehrerer Antennenanordnungen und/oder Plasmaerzeugungsvorrichtungen
können diese verfahrensgemäß als Gruppen
angeordnet sein, deren elektrische Parameter und/oder deren zeitlicher
Einsatz von einer Steuereinheit definiert variiert werden. Die Antennenanordnungen und/oder
Plasmaerzeugungsvorrichtungen können einzeln oder in Gruppen
mit unterschiedlicher elektrischer Leistung und/oder Frequenzen
sowohl zeitlich versetzt, synchronisiert und gepulst betrieben werden.
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Die
vorbeschriebene Antennenanordnungen und/oder die weiteren Plasmaerzeugungsvorrichtungen
können einzeln oder in Gruppen mit unabhängigen
Stromversorgungseinrichtungen betrieben und relativ zum Substrat
bewegt werden.
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Ausführungsbeispiele
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Die
Erfindung wird nachstehend an vier Ausführungsbeispielen
näher erläutert. Zugehörig zum Ausführungsbeispiel
I zeigt 1 einen Schnitt durch eine zylinderförmige
Vakuumkammer, in der sich ein Substrat mit einem einfachen rechteckförmigen
Querschnitt befindet. Die Ausführungsbeispiele II bis IV
beinhalten bei grundsätzlich gleicher vakuumkammer unterschiedliche
Varianten der erfindungsgemäßen Vorrichtung. 2,
zugehörig zum Ausführungsbeispiel II, zeigt eine
gleiche Vakuumkammer mit einem Substrat, das einen achteckigförmigen
Querschnitt aufweist. In 3, zugehörig zum Ausführungsbeispiel
III, ist das Substrat ein im Wesentlichen geschlossener rechteckförmiger
Hohlkörper und in 4, zugehörig
zum Ausführungsbeispiel IV, ist das Substrat ein Hohlkörper
mit Öffnungen.
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Ausführungsbeispiel
I
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1 zeigt
eine schematische Ansicht eines Querschnittes durch eine zylinderförmige
Vakuumkammer 1, in deren Längsausdehnung sich
ein Werkstück mit einem einfachen langgestreckten, rechteckförmigen
Querschnitt als Substrat 2 mit einer Lackbeschichtung befindet.
Die Lackbeschichtung soll zur Härtung einer Plasmabehandlung
ausgesetzt werden, wobei die Plasmabehandlung der Seitenflächen besonders
intensiv sein soll.
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Die
Vorrichtung umfasst eine Plasmaumhüllung 3, die
der äußeren Geometrie des Substrates 2 grob
nachgebildet ist, derart dass zwischen der Plasmaumhüllung 3 und
dem Substrat 2 ein Raum mit einer relativ gleichmäßigen
Dicke ausgebildet wird. Dieser Raum definiert im Betrieb der Vorrichtung
den Plasmaraum 4, in dessen Zentrum sich das Substrat 2 befindet.
Die Plasmaumhüllung 3 besteht aus elektrisch leitfähigem
Lochblech, so dass ein guter Gasaustausch zwischen dem Plasmaraum 4 und
dem Außenraum 5, zwischen der Plasmaumhüllung 3 und der
Wand der Vakuumkammer 1, gewährleistet ist. Das
Lochblech als Begrenzung des Plasmaraumes 4 schirmt im
Betrieb der Vorrichtung den Außenraum 5 gegenüber
Durchtreten von elektromagnetischen Wellen ab. Wenn eine vollständige
Abschirmung des Außenraumes 5 erreicht werden
soll, muss die Plasmaumhüllung 3 auch im Bereich
der stirnseitigen Enden der Vakuumkammer 1 elektrisch geschlossen werden.
In diesem Fall wird praktisch jede Plasmazündung zwischen
der Plasmaumhüllung 3 und der Wand der Vakuumkammer 1 verhindert.
Mit der angepassten Geometrie der Plasmaumhüllung 3 an
die Form des Substrates 2 entsteht ein definierter und minimierter
Plasmaraum 4, der das gesamte Substrat 2 umhüllt.
Somit wird in großen Bereichen innerhalb der Vakuumkammer 1 und
außerhalb der Plasmaumhüllung 3, in denen
technologisch kein Plasma benötigt wird, auch kein Plasma
erzeugt. Dadurch wird insbesondere der Leistungseintrag wesentlich verringert
und unerwünschte Entladungen im Bereich der Einbauten an
der Wand der Vakuumkammer können ausgeschlossen werden.
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An
der Innenwand der Vakuumkammer 1 sind mehrere Gaseinlässe 6 vorgesehen, über
die Prozessgase definiert in die Vakuumkammer 1 zugeführt
werden können. An einem Pumpstutzen 7 ist eine
Vakuumerzeugereinrichtung angeschlossen.
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Erfindungsgemäß durchdringen,
in der 1 oben und unten dargestellt, zwei gegenüberliegende
Antennenanordnungen, nachfolgend kurz als Antennen 8 bezeichnet,
die Wand der Vakuumkammer 1 und die Plasmaumhüllung 3,
derart dass elektromagnetische Wellen unmittelbar in den Plasmaraum 4 eingekoppelt
werden können. Extern sind die Antennen 8 mit
geeigneten, in der Zeichnung nicht dargestellten Leistungsversorgern
verbunden.
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In 1 links
und rechts dargestellt, sind gegenüberliegend in der Wand
der Vakuumkammer 1 zwei Plasma quellen 9 vorgesehen,
die an Öffnungen 10 in der Plasmaumhüllung 3 anschließen.
Als Plasmaquellen 9 sind im Ausführungsbeispiel
lineare, an die Längsstruktur der Substrate 2 angepasste, ECR-Plasmaquellen
vorgesehen. Über Vakuumflansche in der Wand der Vakuumkammer 1 sind
die Plasmaquellen 9 außerhalb der Vakuumkammer 1 mit
Leistungsversorgern verbunden.
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Nachfolgend
wird die Vorrichtung in der Anwendung näher beschrieben.
Die in 1 nur schematisch dargestellte Vorrichtung wird
als Durchlaufanlage betrieben, wobei die Vakuumkammer 1 zur Plasmabehandlung
des Substrates 2 in der Längsrichtung beidseitig
verschlossen werden kann. Die Vakuumkammer wird zuerst auf ca. 1
Pa evakuiert. Danach wird über die Gaseinlässe 6 ein
Stickstoff-Sauerstoffgemisch eingebracht und durch permanente Evakuierung über
den Pumpstutzen 7 ein Arbeitsdruck von 0,5 Pa eingestellt.
Verfahrensgemäß werden die zwei Antennen 8 und
die zwei Plasmaquellen 9 je als Gruppe mit den zugehörigen
Leistungsversorgern verbunden.
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Über
die Antennen 8 werden Mikrowellen mit einer Frequenz von
2,45 GHz in den Plasmaraum 4 eingespeist. Das führt
zur Ausbildung eines allgemeinen relativ schwachen Plasmas im gesamten
Plasmaraum 4. Parallel werden die zwei Plasmaquellen 9 in
Betrieb genommen und es werden zwischen den Plasmaquellen 9 und
dem Substrat 2 relativ selbständige Plasmen erzeugt,
die sich im lokal definierten Bereich seitlich des Substrates 2 ausbilden
und mit dem allgemeinen Plasma der Antenneneinkopplung überlagern.
Das führt dazu, dass im lokal definierten Bereich seitlich
des Substrates 2 ein besonders intensives Plasma erzeugt
wird und entsprechend intensiv auf die Seitenflächen des
Substrates 2 einwirkt. Beispielhaft können dadurch
in der reaktiven Stickstoff-Sauerstoff-Atmosphäre dickere
Lackschichten an den Seitenflächen gleich wirkungsvoll behandelt
werden wie dünnere Lackschichten an den oberen und unteren
Flächen des Substrates 2. Wenn in der Seitenwand
des Substrates 2 beispielsweise Vertiefungen vorhanden
wären, könnten auch diese durch das intensive
lokal definierte Plasma einer wirkungsvollen Plasmabehandlung unterzogen
werden.
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Ausführungsbeispiel
II
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Beim
Ausführungsbeispiel II nach 2 ist eine
gleiche Vakuumkammer I wie im Ausführungsbeispiel I vorhanden
und als Substrat 2 soll ein Werkstück mit einem
achteckigförmigen Querschnitt einer Plasmabehandlung unterzogen
werden. Dabei sind gleichartige Elemente mit gleicher Positionsnummer bezeichnet.
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In
entsprechender Weise wie im Ausführungsbeispiel I ist die
Plasmaumhüllung 3 in grober Form der äußeren
Kontur des Substrates 2 in achteckiger Form nachgebildet.
Jeder der acht Flächen des Substrates 2 ist eine
Plasmaerzeugungseinrichtung zugeordnet. Vier Antennen 8 speisen
Mikrowellen mit einer Frequenz von 915 MHz in den Plasmaraum 4 ein
und erzeugen ein allgemeines Plasma im gesamten Plasmaraum 4.
Jeweils zwischen zwei Antennen 8 sind zugeordnet zu den
schrägen Flächen 11 des Substrates 2 vier
ICP-Quellen 12 vorgesehen. Diese erzeugen relativ selbständige
Plasmen in lokal definierten Bereichen vor den Flächen 11 des
Substrates 2, die sich mit dem allgemeinen Plasma der Antenneneinkopplung überlagern.
Bei spielhaft sind koaxial an den ICP-Quellen 12 verschiebbare
Magnetanordnungen 22 vorgesehen, mit denen die Dichte des
Plasmas verstärkt und die Geometrie verändert werden
kann.
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Diese
Vorrichtung kann verfahrensgemäß in verschiedenen
Varianten betrieben werden. Insbesondere können die Antennen 8 und/oder
die ICP-Quellen 12 einzeln oder in Gruppen mit unterschiedlicher
elektrischer Leistung und/oder Frequenzen sowohl zeitlich versetzt,
synchronisiert und gepulst betrieben werden. In dieser Vorrichtung
ist es auch leicht möglich, das Substrat 2 gegenüber
den Antennenanordnungen und die ICP-Quellen 12 relativ
zueinander zu bewegen, damit örtlich abweichende Plasmaintensitäten
ausgeglichen werden.
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Ausführungsbeispiel
III
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Beim
Ausführungsbeispiel III nach 3 ist ein
Substrat 13 ein rechteckförmiger Hohlkörper
mit geschlossenem Körpermantel. Die Plasmaumhüllung 3 ist
wieder in grober Form dem Substrat 13 nachgebildet und
in bewährter Weise aus Lochblech gefertigt. Gegenüber
den vier Seitenflächen 14 des Substrates 13 sind
je eine Antenne 8 vorgesehen, die an konischen Ausformungen 15 in
der Plasmaumhüllung 3 mit dieser verbunden sind.
Die konischen Ausformungen 15 sind in Abweichung zur Plasmaumhüllung 3 nicht
aus Lochblech, sondern vollflächig ausgebildet und wirken
für die Antennen 8 in vorteilhafter Weise als
Reflektoren, wodurch die Einkopplung der elektromagnetischen Wellen
in den Plasmaraum 4 besonders wirkungsvoll ist.
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Als
weitere Plasmaerzeugungsvorrichtung sind im Aus führungsbeispiel
III definierte Magnetanordnungen 16 um die konischen Ausformungen 15 herum
vorgesehen sowie Magnetanordnungen 17 im Inneren des Substrates 2.
Diese Magnetanordnungen 16 und 17 führen
in ähnlicher Weise wie die Plasmaquellen 9 und
die ICP-Quellen 12 zur Ausbildung lokal definierter Plasmen,
die mit dem Plasma der Antenneneinkopplung überlagert sind.
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Ausführungsbeispiel
IV
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Beim
Ausführungsbeispiel IV nach 4 ist ein
Substrat 18 ein rechteckförmiger Hohlkörper
mit allseitigen Öffnungen 19. Ähnlich
dem Ausführungsbeispiel III ist die Plasmaumhüllung 3 wieder
in grober Form dem Substrat 18 nachgebildet und in bewährter
Weise aus Lochblech gefertigt. Gegenüber den vier Öffnungen 19 in
den Seitenflächen des Substrates 18 sind je eine
Antenne 8 vorgesehen, die an konischen Ausformungen 15 in
der Plasmaumhüllung 3 mit dieser verbunden sind.
Die konischen Ausformungen 15 wirken für die Antennen 8 ebenfalls
in vorteilhafter Weise als Reflektoren. An den beiden seitlich gegenüberstehenden
Antennen 8 sind in entsprechender Weise wie im Ausführungsbeispiel
III definierte Magnetanordnungen 16 um die konischen Ausformungen 15 herum
vorgesehen.
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Auf
Grund der spezifischen Anordnung der Antennen 8 gegenüber
den Öffnungen 19 wirken die Antennen 8 als
Richtstrahlantenne, derart dass auch im Inneren des Substrates 18 ein
Plasma ausgebildet wird.
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Zusätzlich
sind im Inneren des Substrates 18 an einer zentrischen
Halteeinrichtung 20 in Ausrichtung zu den Öff nungen 19 je
eine Magnetanordnungen 21 vorgesehen. Die Magnetanordnungen 16 und 21 führen
ebenfalls zur Ausbildung lokal definierter Plasmen, die mit dem
Plasma der Antenneneinkopplung überlagert sind, wobei die
Magnetanordnungen 21 in besonderer Weise in Kombination
mit der gerichteten Strahlung der Antennen 8 im Inneren
des Substrates 8 ein Plasma ausbilden.
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- 1
- Vakuumkammer
- 2
- Substrat
- 3
- Plasmaumhüllung
- 4
- Plasmaraum
- 5
- Außenraum
- 6
- Gaseinlass
- 7
- Pumpstutzen
- 8
- Antennen
- 9
- Plasmaquellen
- 10
- Öffnungen
- 11
- schräge
Flächen
- 12
- ICP-Quellen
- 13
- Substrat
- 14
- Seitenflächen
- 15
- Ausformung
- 16
- Magnetanordnung
- 17
- Magnetanordnung
- 18
- Substrat
- 19
- Öffnung
- 20
- Halteeinrichtung
- 21
- Magnetanordnung
- 22
- Magnetanordnung
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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