DE102008026211A1 - Halbleiterbauelement mit Metallleitungen mit einer selektiv gebildeten dielektrischen Deckschicht - Google Patents
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Abstract
Description
- Gebiet der vorliegenden Erfindung
- Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung integrierte Schaltungen und betrifft insbesondere die Metallisierungsschichten mit geringerer Permittivität unter Verwendung von dielektrischen Materialien mit kleinem ε und dielektrischen Deckschichten zum Einschluss einer oberen Fläche von Metallleitungen.
- Beschreibung des Stands der Technik
- In einer integrierten Schaltung wird eine große Anzahl von Schaltungselementen, Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und dergleichen in oder auf einem geeigneten Substrat für gewöhnlich einer im Wesentlichen ebenen Konfiguration hergestellt. Auf Grund der großen Anzahl an Schaltungselementen und der erforderlichen komplexen Gestaltung moderner integrierter Schaltungen können die elektrischen Verbindungen der einzelnen Schaltungselemente im Allgemeinen nicht innerhalb der gleichen Ebene hergestellt werden, in der die Schaltungselemente hergestellt sind. Typischerweise werden derartige elektrische Verbindungen in einer oder mehreren zusätzlichen „Verdrahtungsschichten” gebildet, die auch als Metallisierungsschichten bezeichnet werden. Diese Metallisierungsschichten enthalten im Allgemeinen metallenthaltende Leitungen, die die elektrische Verbindung innerhalb der Ebene schaffen, und enthalten auch mehrere Zwischenebenenverbindungen, die auch als Kontaktdurchführungen bezeichnet werden und mit einem geeigneten Metall gefüllt sind. Die Kontaktdurchführungen stellen eine elektrische Verbindung zwischen Metallleitungen zweier benachbarter gestapelter Metallisierungsschichten her, wobei die metallenthaltenden Leitungen und die Kontaktdurchführungen gemeinsam auch als Verbindungsstruktur bezeichnet werden.
- Auf Grund der fortschreitenden Forderung nach Verringerung der Strukturgrößen von sehr komplexen Halbleiterbauelementen, werden gut leitende Metalle, etwa Kupfer und Legierungen davon in Verbindung mit dielektrischen Materialien mit kleinem ε häufig als Alternative bei der Herstellung von Metallisierungsschichten eingesetzt. Typischerweise werden mehrere Metallisierungsschichten aufeinander gestapelt, um die Verbindungen zwischen allen inneren Schaltungselementen und von I/O-(Eingabe/Ausgab) Anschlüssen, Leistungs- und Masseanschlussflächen des betrachteten Schaltungsaufbaus zu realisieren.
- Für äußerst größenreduzierte integrierte Schaltungen ist die Signalausbreitungsverzögerung und damit die Arbeitsgeschwindigkeit der integrierten Schaltung nicht mehr durch die Feldeffekttransistoren begrenzt, sondern auf Grund der erhöhten Dichte an Schaltungselementen, die eine noch größere Anzahl an elektrischen Verbindungen erfordert, durch den geringen Abstand der Metallleitungen beschränkt, da die Kapazität zwischen Leitungen erhöht ist, wozu auch noch die Tatsache kommt, dass die Metallleitungen eine beschränkte Leitfähigkeit auf Grund des geringeren Querschnitts besitzen. Aus diesem Grunde werden übliche Dielektrika, etwa Siliziumdioxid (ε > 4) und Siliziumnitrid (ε > 7) durch dielektrische Materialien mit geringerer Permittivität besitzt, die daher auch als Dielektrika mit kleinem ε mit einer relativen Permittivität von drei oder weniger bezeichnet werden. Die geringere Permittivität dieser Materialien mit kleinem ε wird häufig durch das Vorsehen des dielektrischen Materials in einem porösen Zustand erreicht, wodurch ein ε-Wert deutlich unter 3,0 möglich ist, wobei derartige Materialien auch als Materialien mit Ultra-kleinem ε bezeichnet werden. Auf Grund der inhärenten Eigenschaften, etwa einen hohen Maß an Porosität des dielektrischen Materials ist jedoch die Dichte und damit die mechanische Stabilität oder Festigkeit deutlich geringer im Vergleich zu gut bewährten Dielektrika, etwa Siliziumdioxid und Siliziumnitrid.
- Auf Grund der Herstellung von kupferbasierten Metallisierungsschichten wird eine sogenannte Damaszener- oder Einlegetechnik häufig eingesetzt auf Grund der Eigenschaften des Kupfers, keine flüchtigen Ätzprodukte zu bilden, wenn dieses mit gut etablierten anisotropen Ätzumgebungen behandelt wird. Des weiteren kann Kupfer auch nicht effizient mit hohen Abscheideraten auf der Grundlage gut etablierter Abscheidetechniken aufgebracht werden, die typischerweise für Aluminium eingesetzt werden, etwa CVD (chemische Dampfabscheidung). Daher wird in der Einlegetechnik das dielektrische Material strukturiert um Gräben und/oder Kontaktöffnungen zu erhalten, die nachfolgend mit dem Metall durch elektrochemische Abscheidetechnikten gefüllt werden.
- Bekanntlich diffundiert Kupfer gut in einer Vielzahl von Materialien, etwa Silizium, Siliziumdioxid und auch in vielen dielektrischen Materialien mit kleinem ε, die typischerweise in aufwendigen Metallisierungssystemen verwendet werden. Aus diesem Grunde muss ein direkter Kontakt von kupferbasierten Materialien mit vielen dielektrischen Materialien, Siliziumdioxid und Materialien mit kleinem ε oder sehr kleinem ε vermieden werden, wodurch geeignete Barrierenmaterialien erforderlich sind, die für die gewünschte diffusionsblockierende Wirkung sorgen, um damit eine unerwünschte Diffusion von Kupferatomen zu unterdrücken. Des weiteren sollen die entsprechenden Barrierenmaterialien auch eine Wechselwirkung reaktiver Komponenten, etwa von Sauerstoff, Fluor und dergleichen unterdrücken, die in geringsten Mengen in dem umgebenden Material vorhanden sein können. Aus diesem Grunde werden häufig geeignete leitende Barrierenmaterialien, etwa Tantal, Tantalnitrid und dergleichen, eingesetzt, um in geeigneter Weise das Kupfermetall innerhalb der Kontaktdurchführungen und Metallleitungen einzuschließen, wobei auch für ein gewünschtes mechanisches und elektrisches Verhalten der betrachteten Metallgebiete gesorgt wird. D. h., obwohl Kupfer einen deutlich geringeren Widerstand und ein höheres Widerstandsvermögen gegenüber Elektromigration im Vergleich zu beispielsweise Aluminium in modernen Halbleiterbauelementen aufweist, treten dennoch moderat hohe Stromdichten während des Betriebs des Bauelements auf Grund der hohen Packungsdichte der Bauelement auf, die eine entsprechende Verringerung der Querschnittsflächen der Metallleitungen in dem Metallisierungssystem erfordert. Folglich repräsentiert die Elekgromigration, d. h. das Wandern von Kupferatomen in der Richtung des Elektronenstromes, einen der wesentlichen Ausfallmechanismen moderner Halbleiterbauelemente, da eine Zunahme der gerichteten Diffusion von Kupferatomen entlang der Metallleitungen und Kontaktdurchführungen schließlich zu einer Zunahme des Widerstands der entsprechenden Verbindungsstruktur führt und schließlich einen gesamten Ausfall nach sich zieht, da die Elektromigration wesentlich von den Eigenschaften entsprechender Grenzflächen abhängt, die mit Barrierenmaterialien, dieelektrischen Materialien und dergleichen gebildet sind. Somit sorgen gut etablierte leitende Barrierenmaterialien für eine Verstärkung der entsprechenden Bindungen im Grenzflächenbereich, wodurch diese Grenzflächen weniger zu einem vorzeitigen durch Elektromigration hervorgerufenen Ausfall führen. Andererseits wird typischerweise eine dielektrische Barrierenschicht oder Deckschicht auf der Oberseite der fertiggestellten Metallleitung gebildet, die gleichzeitig als eine Ätzstoppschicht zum Strukturieren einer nachfolgenden Metallisierungsschicht dient, wobei ebenfalls für die gewünschten Barrieren- und Elektromigrationseigenschaften zu sorgen ist. Beispielsweise ist Siliziumnitrid ein dielektrisches Material, das in ausreichender Weise die Diffusion von Kupfer unterdrücken kann und auch ein akzeptables Elektromigrationsverhalten aufweist. Andere geeignete Materialien, etwa stickstoffenethaltendes Siliziumkarbid und dergleichen, können ebenfalls als effiziente Deckschichten für Metallleitungen eingesetzt werden.
- Bei dem stetig abnehmenden Strukturgrößen in der Bauteilebene müssen jedoch auch geringere Abmessungen für Metallleitungen und Kontaktdurchführungen eingeführt werden, wobei auch die gesamte parasitäre Kapazität zu verringern ist, insbesondere in Metallisierungsschichten, in denen die parasitäre Kapazität zwischen benachbarten Metallleitungen wesentlich zur gesamten Signalausbreitungsverzögerung beiträgt. Die entsprechenden dielektrischen Materialien mit einer deutlich geringeren dielektrischen Konstante von weniger als 3,0 führen jedoch zu einem deutlichen Ausbeuteverlust auf Grund mechanischer Instabilitäten, wie dies mit Bezug zu den
1a bis1d nachfolgend detaillierter beschrieben ist. -
1a zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauelements100 , in welchem ein dielektrisches Material mit geringerer Permittivität, beispielsweise mit einem Wert von 3,0 und deutlich weniger, gemäß einer Einlegetechnik strukturiert wird, in der beispielsweise eine Kontaktdurchführung und eine Metallleitung strukturiert und in einer gemeinsamen Prozesssequenz gefüllt werden. Das Halbleiterbauelement100 umfasst ein Substrat101 , das ein beliebiges geeignetes Trägermaterial repräsentiert, um darauf Schaltungselemente und dergleichen herzustellen, wie dies für den Gesamtaufbau des Halbleiterbauelements100 erforderlich ist. Der Einfachheit halber sind derartige Schaltungselemente, etwa Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und dergleichen nicht gezeigt. Wie zuvor erläutert ist, sind typischerweise eine oder mehrere Metallisierungsschichten erforderlich, um die elektrischen Verbindungen zwischen den diversen Schaltungselementen bereitzustellen, die in und über dem Substrat101 vorgesehen sind. In dem gezeigten Beispiel ist eine erste Metallisierungsschicht110 , die nicht notwendigerweise die aller erste Metallisierungsebene vorgesehen und enthält eine geeignete dielektrische Schicht111 , beispielsweise in Form eines geeigneten dielektrischen Materials, etwa Siliziumdioxid und dergleichen. Die dielektrische Schicht111 enthält auch ein dielekterisches Material mit kleinem ε, wobei dies von den gesamten Bauteilerfordernissen abhängt. Beispielsweise repräsentiert in komplexen Metallisierungssystemen die parasitäre Kapazität nicht notwendigerweise eine Beschränkung, so dass die Verwendung mechanisch robusterer dielektrischer Materialien, etwa Siliziumdioxid, als geeignet erachtet wird, während in anderen Metallisierungsebenen, etwa der Metallisierungsschicht120 ein dielektrisches Material mit kleinem ε vorzusehen ist, um die Erfordernisse im Hinblick auf das elektrische Leistungsverhalten der Metallisierungsschicht120 zu erfüllen. Die dielektrische Schicht111 umfasst mehrere Metallgebiete, etwa eine Metallleitung112 , die ein gut leitendes Metall, etwa Kupfer, möglicherweise in Verbindung mit einem geeigneten leitenden Barrierenmaterial112b aufweist. Beispielsweise ist das Barrierenmaterial112b aus Tantal und Tantalnitrid aufgebaut, wodurch für die Barriereneigenschaften gesorgt ist, während auch die Haftung des gut leitenden Metallkerns112a in Bezug auf das umgebende dielektrische Material111 verbessert ist. Des weiteren ist eine dielektrische Deckschicht113 , die beispielsweise aus Siliziumnitrid, stickstoffenthaltendem Siliziumkarbid und dergleichen aufgebaut ist, auf der dielektrischen Schicht111 und dem Metallgebiet112 gebildet, wodurch eine Grenzufläche113s mit dem Metallgebiet112 erzeugt wird, deren Eigenschaften einen wesentlichen Einfluss auf das gesamte elektrische Verhalten des Metallgebiets112 besitzt, wie dies zuvor beschrieben ist. - Das Halbleiterbauelement
100 umfasst ferner ein dielektrisches Material121 in der zweien Metallisierungsschicht120 , das ein dielektrisches Material mit kleinem ε repräsentiert und das aus einer beliebigen geeigneten Materialzusammensetzung, etwa siliziumbasierten Materialien, Polymermaterialien und dergleichen aufgebaut ist, wobei auch ein gewisser Grad an Porosität zum Erhalten einer geringeren dielektrischen Konstante vorgesehen werden kann, wodurch sich jedoch auch eine geringere mechanische Stabilität ergibt. Es sollte beachtet werden, dass in einigen konventionellen Lösungen die dielektrische Schicht121 einen Oberflächenbereich mit verbesserten mechanischen Eigenschaften besitzt, um damit Schäden während der nachfolgenden Bearbeitung, beispielsweise im Hinblick auf Ätzprozesse, chemisch-mechanische Polierprozesse und dergleichen, zu verringern. Der Einfachheit halber sind Oberflächenschichten in1a nicht gezeigt. Ferner ist in dieser Fertigungsphase eine Ätzmaske102 über der dielektrischen Schicht121 gebildet und besitzt eine Öffnung102a , die im Wesentlichen die laterale Größe einer in dem dielektrischen Material121 zu bildenden Kontaktlochöffnung definiert. Die Ätzmaske102 umfasst ein Lackmaterial, möglicherweise in Verbindung mit einem ARC-(antireflektierenden Beschichtungs-)Material, das aus etwa Siliziumoxidnitrid und dergleichen aufgebaut ist, das auch ein als ein Hartmaskenmaterial während des Strukturierens des dielektrischen Materials121 verwendet werden kann. D. h., in modernsten Bauelementen, etwa dem Bauelement100 , wird typischerweise ein Lithographieprozess mit moderat kurzer Wellenlänge der Belichtungsstrahlung angewendet, wodurch ebenfalls eine angepasste Dicke des Lackmaterials erforderlich ist, die in Form eines positiven Lackmaterials oder negativen Lackmaterials in Abhängigkeit der gesamten Prozessstrategie vorgesehen wird. Eine Dicke des Lackmaterials, das in der Ätzmaske102 verwendet wird, ist jedoch unter Umständen nicht ausreichend, um dem Ätzangriff während eines nachfolgenden Ätzprozesses zu wiederstehen, wodurch ein zusätzliches Maskenmaterial erforderlich ist, das zuverlässig auf der Grundlage des zuvor belichteten und entwickelten Lackmaterials strukturiert werden kann. - Das in
1a gezeigte Halbleiterbauelement100 kann auf der Grundlage der folgenden konventionellen Prozesstechniken hergestellt werden. Nach dem Erzeugen von Schaltungselementen in und über dem Substrat101 , das auf Grundlage gut etablierter Prozessstrategien erfolgen kann, werden ein oder mehrere Metallisierungsschichten hergestellt, etwa die Metallisierungsschicht110 . Zu diesem Zweck wird ein geeignetes dielektrisches Material, etwa ein dielektrisches Material mit kleinem ε und dergleichen abgeschieden, beispielsweise durch CVD und dergleichen, woran sich ein Strukturierungsschema anschließt, wie es in ähnlicher Weise zur Herstellung der Äztmaske102 und zum Strukturieren des dielektrischen Materials121 angewendet wird. Somit wird die Beschreibung der entsprechenden Strukturierungssequenz weggelassen. Nach dem Strukturieren des dielektrischen Materials111 , um einen geeigneten Graben zu erhalten, wird das Barrierenmaterial112 abgeschieden, beispielsweise durch Sputter-Abscheidung, woran sich eine elektrochemische Abscheidung des Materials112a anschließt, was durch eine stromlose Abscheidung, durch Elektroplattieren und dergleichen möglicherweise in Verbindung mit einem vorhergehenden Abscheiden eines Saatmaterials erreicht werden kann. Danach wird überschüssiges Material etwa durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) entfernt. Als nächstes wird die dielektrische Deckschicht113 gebildet, beispielsweise durch plasmaunterstützte CVD und dergleichen. Es sollte beachtet werden, dass die Deckschicht113 zwei oder mehr Teilschichten aufweisen kann, wenn dies gewünscht ist. Anschließend wird das dielektrische Material mit kleinem ε121 abgeschieden, beispielsweise durch CVD, Aufschleudertechniken und dergleichen, wobei dies von der Art des vorzusehenden Materials mit kleinem ε abhängt. Wie zuvor erläutert ist, kann bei Bedarf eine Oberflächenbehandlung ausgeführt werden oder es kann eine Oberflächenschicht aufgebracht werden, um die gesamten mechanischen Eigenschaften der dielektrischen Schicht121 zu verbessern. Danach werden ARC-Materialien und Hartmaskenmaterialien aufgebracht, woran sich das Abscheiden des Lackmaterials der Ätzmaske102 anschließt. Daraufhin wird das Lackmaterial belichtet unter Anwendung einer entsprechenden Lithographiemaske, die so gestaltet ist, dass die Öffnung102a beispielsweise auf der Grundlage eines positiven Lackmaterials bereitgestellt wird. D. h., in diesem Falle werden belichtete Bereiche des Lackmaterials eine photochemische Reaktion zeigen, so dass die belichteten Materialbereiche einen gewissen Schwellwert übersteigen und während eines nachfolgenden Entwicklungsprozesses entfernt werden. Auf der Grundlage des strukturierten Lackmaterials wird die Ätzmaske102 gebildete und nachfolgend wird eine geeignete Ätzumgebung eingerichtet, um durch das dielektrische Material zu ätzen, während die dielektrische Deckschicht113 als ein effizientes Ätzstoppmaterial verwendet wird. -
1b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement100 nach der oben beschriebenen Prozesssequenz und nach dem Entfernen der Ätzmaske102 . Wie gezeigt, ist eine Kontaktlochöffnung121a in der dielektrischen Schicht121 gebildet und erstreckt sich in die dielektrische Deckschicht113 . -
1c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement100 in einem weiter fortgeschrittenen Fertigungsstadium. Wie gezeigt, ist die Kontaktlochöffnung121a mit einem Material104 gefüllt, das ebenfalls eine geeignete ARC-Schicht über der dielektrischen Schicht121 bildet. Zu diesem Zweck werden typischerweise geeignete Lackmaterialien, Polymermaterialien und dergleichen eingesetzt. Des weiteren ist eine Ätzmaske103 , beispielsweise in Form einer Lackmaske, auf dem Material104 gebildet und besitzt eine Öffnung103a , die der lateralen Größe eines in der dielektrischen Schicht121 zu bildenden Grabens entspricht, um Metallleitungen für die Metallisierungsschicht120 zu bilden. - Das in
1c gezeigte Bauelement100 kann auf der Grundlage gut etablierter Techniken hergestellt werden, etwa dem Abscheiden des Materials104 , etwa durch Aufschleudertechniken und dergleichen, möglicherweise in Verbindung mit einem Einebnungsschritt, woran sich eine Lithographiesequenz anschließt, die das Abscheiden eines Lackmaterials, etwa eines positiven Lackmaterials, und dessen Belichtung auf der Grundlage einer Lithographiemaske beinhaltet, die zum Erzeugen einer Öffnung103a in dem Lackmaterial nach dessen Entwicklung gestaltet ist. Im Hinblick auf eine geeignete Lackdicke sowie auf die Belichtungswellenlänge gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor erläutert sind. Danach wird ein anisotroper Ätzprozess auf der Grundlage gut etablierter Techniken ausgeführt, wodurch eine entsprechende Öffnung in der dielektrischen Schicht121 gebildet wird. Anschließend werden die Lackmaske103 und das Material104 entfernt und es werden auch die verbleibenden Bereiche der Schicht113 in der Öffnung121a entfernt, um einen Oberflächenbereich des Materials112a freizulegen. - Es sollte beachtet werden, dass auch andere Strukturierungsschemata eingesetzt werden können, beispielsweise Einzel-Damaszener-Prozesse, in denen die Kontaktlochöffnung
121a gebildet und in einer separaten Prozesstechnik gefüllt wird und danach die Grabenöffnung auf der Grundlage der Lackmaske103 in der zuvor beschriebenen Weise hergestellt wird. Nach der Strukturierungssequenz werden die resultierenden Öffnungen, d. h. die Kontaktlochöffnung121a und eine entsprechende Grabenöffnung (nicht gezeigt) mit einem geeigneten Material gefüllt. -
1d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement100 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase, in der ein Barrierenmaterial122b , beispielsweise in Form eines geeignetn leitenden Materials, etwa Tantal, Tantalnitrid, und dergleichen in der Kontaktlochöffnung121a und einer Grabenöffnung121b gebildet ist, während auch ein Metall vorgesehen ist, wodurch ein Metallgebiet121 innerhalb der Öffnungen121b ,121a gebildet wird. Das leitende Barrierenmateral122b kann durch Sputterabscheidung und dergleichen aufgebracht werden, wie dies auch zuvor mit Bezug zu dem Barrierenmaterial112b erläutert ist, während das Metall für das Metallgebiet122 , beispielsweise Kupfer, auf der Grundlage gut etablierter elektrochemischer Abscheidetechniken gebildet werden kann. Um die Öffnungen121a ,121b zuverlässig zu füllen, wird typischerweise eine gewisse Menge an Überschussmaterial121e vorgesehen, das nachfolgend mittels einer geeigneten Einebnungstechnik entfernt wird, die für gewöhnlich einen CMP-Prozess umfasst. Während des CMP-Prozesses105 werden auch Bereiche des Barrierenmaterials122b außerhalb des Metallgebiets122 entfernt, wodurch elektrisch isolierte Metallleitungen entstehen. Jedoch ist auf Grund der geringeren mechanischen Stabilität des dielektrischen Materials121 mit kleinem ε und insbesondere auf einer geringeren Haftung des Materials121 an das dielektrische Deckschichtmaterial113 ggf. eine deutliche Ablösung wahrzunehmen, wie dies zuvor erläutert ist und als113a gekennzeichnet ist, die zu einer geringeren Zuverlässigkeit und schließlich auch zu einer geringeren Ausbeute führt. - Folglich werden große Anstrengungen unternommen, um neue Materialien für die dielektrische Deckschicht
113 zu entwickeln, um eine erhöhte Haftung zu ermöglichen, wodurch ausgeprägte Modifizierungen an den gesamten Prozesssequenzen erforderlich sind, wodurch auch möglicherweise die Barriereneigenschaften, die Ätzstoppeigenschaften und andere Eigenschaften der dielektrischen Deckschicht113 negativ beeinflusst werden. - Angesichts der zuvor beschriebenen Situation betrifft die vorliegende Offenbarung Verfahren und Halbleiterbauelemente, in denen eine bessere mechanische Integrität von Metallisierungssystemen in Verbindung mit dielektrischen Materialien mit kleinem ε erreicht wird, wobei eines oder mehrere der oben erkannten Probleme vermieden oder zumindest reduziert werden.
- Überblick über die Offenbarung
- Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung Halbleiterbauelemente und Verfahren, in denen die mechanische Stabilität eines Metallisierungssystems in modernsten Halbleiterbauelementen verbessert wird, indem die Haftung eines dielektrischen Materials mit kleinem ε an einem darunter liegenden dielektrischen Zwischenschichtmaterial erhöht wird, indem eine entsprechende dielektrische Deckschicht in einer räumlich beschränkten Weise vorgesehen wird, so dass wesentliche Teile des dielektrischen Materials mit kleinem ε nicht mit der dielektrischen Deckschicht in Kontakt sind. Auf diese Weise wird die gesamte mechanische Stabilität erhöht, da diversen dielektrischen Zwischenschichtmaterialien der benachbarten Metallisierungsebenen im Allgemeinen ein besseres Haftungsverhalten zueinander aufweisen, so dass das Vorsehen von Grenzflächenbereichen zwischen den zwei aufeinanderfolgenden dielektrischen Schichten somit zu einer insgesamt besseren Stabilität führt, wobei gleichzeitig gut etablierte dielektrische Deckschichtmaterialien verwendet werden können, die im Wesentlichen auf die Metallleitung beschränkt sind. Folglich wird das gute Elektromigrationsverhalten beibehalten und es besteht auch ein hohes Maß an Kompatibilität mit gut etablierten Prozessen und Materialien.
- Ein anschauliches hierin offenbartes Verfahren betrifft das Herstellen einer Metallisierungsschicht für Halbleiterbauelemente. Das Verfahren umfasst das Bilden einer dielektrischen Deckschicht auf einer dielektrischen Schicht und einem Metallgebiet, das in der dielektrischen Schicht gebildet ist, wobei die dielektrische Deckschicht und das Metallgebiete eine Grenzfläche bilden. Des weiteren umfasst das Verfahren das Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht, während die Grenzfläche beibehalten wird.
- Ein weiteres anschauliches hierin offenbartes Verfahren umfasst das Bilden einer dielektrischen Deckschicht auf einer dielektrischen Schicht einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements, wobei die dielektrische Schicht ein Metallgebiet aufweist, das eine Grenzfläche mit der dielektrischen Deckschicht bildet. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden einer Maske über der dielektrischen Deckschicht, um zumindest das Metallgebiet abzudecken. Schließlich umfasst das Verfahren das Entfernen der dielektrischen Deckschicht von einem Teil der dielektrischen Schicht, der nicht an der Maske bedeckt ist.
- Ein anschauliches hierin offenbartes Halbleiterbauelement umfasst ein dielektrisches Material mit kleinem ε, das über einem Substrat ausgebildet ist, und es sind mehrere Metallleitungen in dem dielektrischen Material mit kleinem ε ausgebildet. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine dielektrische Deckschicht, die auf den Metallleitungen gebildet ist, um eine Grenzfläche mit jeder der Metallleitungen zu bilden, wobei die dielektrische Deckschicht sich lateral von jeder der Metallleitungen mit einem Abstand erstreckt, der kleiner ist als die Hälfte eines Abstands zwischen zwei benachbarten Metallleitungen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor, wenn diese mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen studiert wird, in denen:
-
1a bis1d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements100 während diverser Fertigungsphasen bei der Herstellung einer Metallisierungsschicht auf der Grundlage einer dielektrischen Deckschicht gemäß konventioneller Strategien zeigen; -
2a bis2d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements mit diverser Fertigungsphasen zeigen, wenn eine dielektrische Deckschicht hergestellt und diese auf der Grundlage einer Maske gemäß anschaulicher Ausführungsformen strukturiert wird; -
2e und2f schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements während diverser Fertigungsphasen zeigen, in denen eine Maske zum Strukturieren der dielektrischen Deckschicht auf Grundlage einer ähnlichen Lithographiesequenz gebildet wird, wie sie zur Herstellung eines darunter liegenden Metallgebiets gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen verwendet wird; -
2g bis2j schematisch Querschnittsansichten des Halbleiterbauelements während diverser Fertigungsphasen zeigen, in denen die dielektrische Deckschicht auf der Grundlage einer selbstjustierten Prozessstrategie gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen strukturiert wird; und -
2k und2l schematisch eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht des Halbleiterbauelements zeigen, das Metallleitungen mit einer dielektrischen Deckschicht aufweist, die räumlich so beschränkt sind, dass insgesamt die mechanische Stabilität gemäß anschaulicher Ausführungsformen verbessert wird. - Detaillierte Beschreibung
- Obwohl die vorliegende Erfindung mit Bezug zu den Ausführungsformen beschrieben ist, wie sie in der folgenden detaillierten Beschreibung und in den Zeichnungen dargestellt sind, sollte beachtet werden, dass die folgende detaillierte Beschreibung sowie die Zeichnungen nicht beabsichtigen, die vorliegende Offenbarung auf die speziellen anschaulichen Ausführungsformen einzuschränken, sondern die beschriebenen anschaulichen Ausführungsformen stellen lediglich beispielhaft die diversen Aspekte der vorliegenden Offenbarung dar, deren Schutzbereich durch die angefügten Patentansprüche definiert ist.
- Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Herstellung, in denen eine dielektrische Deckschicht, die zum Einschluss eines Metalls dient, als ein Ätzstoppmaterial und dergleichen während der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme verwendet wird, räumlich so beschränkt wird, dass ein direkter Kontakt des dielektrischen Zwischenschichtmaterials einer tieferliegenden Metallisierungsebene und des dielektrischen Zwischenschichtmaterials der nachfolgenden Metallisierungsebene ermöglicht wird, wodurch die Haftung zwischen den dielektrischen Materialien benachbarter Metallisierungsschichten verbessert wird. Die dielektrische Deckschicht wird in einer räumlich beschränkten Weise mittels Lithographie gebildet, wobei in einigen anschaulichen Ausführungsformen die gleiche Lithographiemaske verwendet wird, wodurch nicht unnötig zur gesamten Prozesskomplexität beigetragen wird. Beispielsweise wird eine Maske auf der Grundlage der Lithographiemaske gebildet, die zuvor zur Erzeugung der Gräben der Metallleitungen der tieferliegenden Metallisierungsschicht verwendet wurde, wobei bei Bedarf Prozessparameter so eingestellt werden, dass größere laterale Abmessungen erreicht werden, um damit eine zuverlässige Abdeckung des Metallgebiets durch die Maske zu ermöglichen. In anderen anschaulichen Ausführungsformen wird eine im Wesentlichen selbstjustierte Prozesssequenz eingesetzt, um die dielektrische Deckschicht zu strukturieren, wodurch zusätzliche Lithographieschritte vermieden werden, was insgesamt zu geringeren Herstellungskosten führt.
- Mit Bezug zu den
2a bis2l werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen detaillierter beschrieben. -
2a zeigt schematisch ein Halbleiterbauelement200 in einer gewissen Fertigungsphase, in der eine erste Metallisierungsschicht210 über einem Substrat201 vorgesehen ist. Das Substrat201 repräsentiert ein beliebiges geeignetes Trägermaterial, um darüber ein Metallisierungssystem für ein Halbleiterbauelement zu bilden, in welchem dielektrische Materialien mit kleinem ε im Hinblick auf das elektrische Verhalten des betrachteten Metallisierungssystems vorzusehen sind. Beispielsweise repräsentiert das Substrat201 ein Halbleitersubstrat, ein isolierendes Substrat und dergleichen, in welchem eine Halbleiterschicht (nicht gezeigt) gebildet ist, in und über welcher Schaltungselemente, etwa Transistoren und dergleichen vorzusehen sind. In anderen Fallen sind entsprechende Schaltungselemente nicht in dem Substrat201 enthalten, wenn beispielsweise das Metallisierungssystem mit der Metallisierungsschicht210 separat zu einer entsprechenden Bauteilschicht einer Mikrostruktur oder eines Halbleiterbauelements herzustellen ist. Wenn beispielsweise entsprechende Schaltungselemente in und über dem Substrat201 vorgesehen sind, können kritische Abmessungen davon, etwa eine Gatelänge von Feldeffekttransistoren, ungefähr 50 nm oder weniger betragen, wodurch typischerweise auch anspruchsvolle Strukturierungsschemata und Materialien in der Metallisierungsschichten, etwa der Schicht210 erforderlich sind. Ferner kann in der gezeigten Fertigungsphase die Metallisierungsschicht210 ein dielektrisches Material211 aufweisen, das ein dielektrisches Material mit kleinem ε enthalten kann, etwa ein Material mit einer dielektrischen Konstante von 3,0 oder kleiner. Die dielektrische Schicht211 wird auch als dielektrisches Zwischenschichtmaterial bezeichnet, da es einen wesentlichen Bereich repräsentiert, der zwischen lateral benachbarten Metallleitungen und Metallgebieten, etwa der Metallleitung212 , der Metallisierungsschicht210 gebildet ist. Daher können die Metallleitungen212 als Metallschichten bezeichnet werden, während das dielektrische Material211 als dessen Zwischenschichtmaterial betrachtet wird. Die Metallleitung212 enthält ein geeignetes Metall212a , etwa Kupfer, Kupferlegierungen, Silber, Aluminium und dergleichen, wobei dies von den gesamten Bauteilerfordernissen abhängt. Des weiteren ist in der gezeigten Ausführungsform ein Barrierenmaterial212b in der Metallleitung212 vorgesehen, wobei das Barrierenmaterial212b ein leitendes Material repräsentiert, das die gewünschten Haftungseigenschaften, Diffusionsblockiereigenschaften, das Elektromigrationsverhalten und dergleichen bereitstellt, wie diese auch zuvor mit Bezug zu dem Halbleiterbauelement100 erläutert ist. Ferner ist eine dielektrische Deckschicht213 auf der dielektrischen Schicht211 und der Metallleitung212 gebildet, wodurch eine Grenzfläche213s mit dem Metallgebiet212 gebildet wird. Es sollte beachtet werden, das das Metallgebiet212 zusätzlich zu der dielektrischen Deckschicht213 auch eine leitende Deckschicht, beispielsweise in Form einer Legierung und dergleichen, aufweisen kann, um damit das gesamte Elektromigrationsverhalten an der Grenzfläche213s weiter zu verbessern. Wie zuvor angegeben ist, wird die dielektrische Deckschicht213 in Form einer geeigneten Materialzusammensetzung, etwa in Form von Siliziumnitrid, stickstoffenthaltendem Siliziumkarbid, Siliziumkarbid, einer Mischung zweier oder mehrerer dieser Materialien und dergleichen vorgesehen. - Das in
2a gezeigte Halbleiterbauelement200 kann auf der Grundlage von im Wesentlichen den gleichen Prozesstechniken hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement100 erläutert sind, wenn Bezug genommen wurde auf den Metallisierungsschichten110 und120 . Jedoch wird im Gegensatz zu der konventionellen Prozessstrategie die dielektrische Deckschicht213 strukturiert, um damit wesentliche Bereiche des dielektrischen Materials211 vor der Herstellung einer weiteren Metallisierungsschicht freizulegen. -
2b zeigt schematisch das Bauelement200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Wie gezeigt, ist eine Maskenschicht214 , die beispielsweise aus einem Lackmaterial aufgebaut ist, über der dielektrischen Deckschicht213 gebildet. Beispielsweise repräsentiert die Maskenschicht214 ein geeignetes Lackmaterial, das zur Strukturierung der dielektrischen Deckschicht213 auf der Grundlage einer Ätzmaske, die aus der Schicht214 gebildet wird, geeignet ist. Zu diesem Zweck wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen (nicht gezeigt) eine geeignete Lithographiemaske vorgesehen, die ein belichtendes Lackmaterial214 derart ermöglicht, dass ein nicht entwickelter Bereich über dem Metallgebiet212 gebildet wird, möglicherweise mit lateralen Abmessungen, die größer sind als die lateralen Abmessungen des Metallgebiets212 , so dass ein Prozessspielraum im Hinblick auf die Justiergenauigkeit gegeben ist. In anderen anschaulichen Ausführungsformen wird, wie gezeigt ist, das Lackmaterial der Maske214 mit einem photochemischen Verhalten vorgesehen, das invers zu dem photochemischen Verhalten eines Lackmaterials ist, wie es zum Strukturieren einer Öffnung für das Metallgebiet212 verwendet wurde. Wie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement100 und auf die Lackschicht103 (siehe1c ) erläutert ist, kann ein Negativlack oder ein Positivlack in Verbindung mit einer geeigneten Lithographiemaske verwendet werden, um beispielsweise eine gewünschte Öffnung, etwa die Öffnung103a aus1c zu erhalten. Folglich kann unter Verwendung eines Lackmaterials mit entgegengesetztem photochemischen Verhalten die gleiche Lithographiemaske während einer Belichtung215 zum Erzeugen eines latenten Bildes214l verwendet werden, das einen Teil repräsentiert, der während einer nachfolgenden Entwicklung der belichteten Schicht214 nicht zu entfernen ist. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird eine Dicke214t der Lackschicht214 so gewählt, dass das Gesamtverhalten des Belichtungsprozesses215 im Vergleich zu den Belichtungsbedingungen während des vorhergehenden Lithographieprozesses zum Bilden einer Ätzmaske für die Öffnung des Metallgebiets212 verbessert sind, wie dies auch zuvor mit Bezug zu dem Bauelement100 erläutert ist, da in dem vorhergehenden Lithographieprozess die entsprechende Lackmaske als eine Ätzmaske zum Ätzen durch eine große Dicke des dielektrischen Materials211 dienen muss, wodurch eine geeignete Anfangsdicke des Lackmaterials erforderlich war. Andererseits kann während der Belichtung215 die geringere Dicke214t verwendet werden, da die entsprechende Ätzmaske, d. h. der nicht entfernte Bereich des latenten Bild214l , für einen Ätzprozess zum Ätzen durch die dielektrische Deckschicht213 verwendet wird, die eine deutlich geringere Dicke im Vergleich zu der dielektrischen Schicht211 aufweist, wodurch deutlich geringere Gesamtätzzeiten erforderlich sind. - Ferner kann während des Belichtungsprozesses
215 der Belichtungsdosis so gewählt werden, dass ein gewisses Maß an Überbelichtung auftritt, wodurch ebenfalls Energie an Randgebieten214e des latenten Bildes214l deponiert wird, obwohl die gleiche Lithographiemaske eingesetzt wird, die ansonsten einer lateralen Größe des Metallgebiets212 entspricht. Folglich wird auch ein kritischer Schwellwert des Lackmaterials der Schicht214 überschritten oder wird nicht erreicht, wobei dies von der Art des in den Randgebieten214 verwendeten Lackmaterials abhängt, wodurch das latente Bild214l mit größeren latenten Abbildungen bei Bedarf erhalten wird. -
2c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Wie gezeigt, ist eine Maske214m über dem Metallgebiete212 angeordnet, wobei die laterale Größe der Maske214m im Wesentlichen dem latenten Bild214l entspricht. Die Maske214m wird durch Entwickeln der belichteten Maskenschicht214 unter Anwendung geeigneter Prozessparameter erhalten, die im Stand der Technik gut bekannt sind. -
2d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement200 während eines Ätzprozesses216 zum wirksamen Entfernen eines Teils der dielektrischen Deckschicht213 , der von der Maske214m bedeckt ist. Somit wird eine räumlich beschränkte Deckschicht213a vorgesehen, die zumindest das Metallgebiet212 abdeckt und sich möglicherweise lateral über das Metallgebiet212 hinaus erstreckt, um damit einen gewissen Prozesstoleranzbedarf zu schaffen. Der Ätzprozess216 kann auf der Grundlage plasmaunterstützter Ätzrezepte ausgeführt werden, die im Stand der Technik für eine Vielzahl von Deckmaterialien, wie sie zuvor angegeben sind, bekannt sind, während in anderen anschaulichen Ausführungsformen auch nasschemische Ätzrezepte eingesetzt werden, wenn eine ausreichende Ätzselektivität im Hinblick auf das darunter liegende dielektrische Material211 erreicht wird. Wie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement100 erläutert ist, wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen auch eine geeignet Oberflächenschicht des Materials211 vorgesehen, beispielsweise durch Oberflächenbehandlung, Abscheidung und dergleichen, um damit die gesamten Eigenschaften des Materials211 zu verbessern, ohne jedoch in unerwünschter Weise die gesamten dielektrischen Eigenschaften zu modifizieren. In diesem Falle wird eine gewisse erhöhte Ätzwiderstandsfähigkeit während des Prozesses211 erreicht, wodurch der Grad an Flexibilität bei der Auswahl eines geeigneten Ätzrezepts erhöht wird. Beispielsweise können siliziumnitridbasierte Materialien effizient mittels einer Vielzahl plasmaunterstützter Chemien selektiv zu siliziumdioxidbasierten Materialien entfernt werden, wobei auch selektive nasschemische Ätzrezepte für diese Materialien verfügbar sind. Danach wird die Maske214m durch gut etablierte Lackabtragungsprozesse entfernt und die weitere Bearbeitung wird fortgesetzt, indem ein dielektrisches Material mit kleinem ε gebildet und dieses strukturiert wird, um Kontaktlochöffnungen und Grabenöffnungen zu bilden, wie dies auch zuvor mit Bezug zu dem Halbleiterbauelement100 erläutert ist, wenn auf die Metallisierungsschicht120 verwiesen wird. - Mit Bezug zu den
2e und2f werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen beschrieben, in denen die Maske214m auf der Grundlage einer Lithographiesequenz gebildet wird, die sehr ähnlich zur Lithographiesequenz ist, die zum Strukturieren des dielektrischen Materials211 angewendet wird, um eine Öffnung für das Metallgebiet212 zu schaffen. -
2e zeig schematisch das Halbleiterbauelement200 mit einer Lackmaske203 , in der eine Öffnung203 gebildet ist, die im Wesentlichen dem Metallgebiet212 entspricht. Des weiteren ist die Maskenschicht214 über der Lackschicht203 gebildet, um im Wesentlichen vollständig die Öffnung203a zu füllen. Beispielsweise wird die Maskenschicht214 in Form eines Lackmaterials oder eines anderen Polymermaterials und dergleichen vorgesehen, das in sehr nicht-konformer Weise aufgebracht werden kann. - Die strukturierte Lackschicht
203 kann durch Abscheiden eines geeigneten Lackmaterials strukturiert werden, das gleiche photochemische Verhalten wie ein Lackmaterial besitzt, das zuvor zum Strukturieren der dielektrischen Schicht211 verwendet wurde, wie dies auch zuvor erläutert ist. Somit können ähnliche Prozesstechniken eingesetzt werden, wobei auch in diesem Falle eine geringere Schichtdicke für die Schicht203 verwendet werden kann, um damit das Gesamtverhalten des Lithographieprozesses zu verbessern, wie dies auch zuvor diskutiert ist. Es sollte beachtet werden, dass in einigen anschaulichen Ausführungsformen das Belichten des Lackmaterials203 auf der Grundlage geeignet ausgewählter Belichtungsparameter, etwa einer höheren Dosis, ausgeführt wird, um ebenfalls eine größere laterale Größe der Öffnung203a zu schaffen, wenn eine entsprechende Prozesstoleranz gewünscht ist. Beispielsweise werden geeignete Prozessparameter im Hinblick auf die Belichtungsdosis einfach ermittelt, indem geeignete Testläufe ausgeführt werden, um eine gewünschte laterale Abmessung für eine gegebene Dicke der Lackschicht203 zu ermitteln. Danach wird das Maskenmaterial214 abgeschieden und kann nachfolgend eingeebnet werden, um die Schicht203 freizulegen, die dann selektiv in Bezug auf das verbleibende Material der Maskenschicht214 auf Grundlage einer geeigneten Ätzrezepts entfernt wird, für das geeignete Prozessparameter für eine Vielzahl von Lackmaterialien, Polymermaterialien und dergleichen verfügbar sind. -
2f zeigt schematisch das Halbleiterbauelement200 nach der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. Somit ist nach dem selektiven Entfernen der Lackschicht203 die Maske214m gemäß den Abmessungen der Öffnung203a des Metallgebiets213 gebildet. Anschließend wird der Ätzprozess216 (siehe2d ) ausgeführt, um die nicht abgedeckten Bereiche der dielektrischen Deckschicht213 zu entfernen, wie dies zuvor erläutert ist. Anschließend wird die weitere Bearbeitung fortgesetzt, indem die nachfolgende Metallisierungsebene auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit kleinem ε gebildet wird. - Mit Bezug zu den
2g bis2j werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen beschrieben, in denen die dielektrische Deckschicht auf dem Metallgebiet in einer im Wesentlichen selbstjustierten Weise positioniert wird. -
2g zeigt schematisch das Halbleiterbauelement200 in einer Fertigungsphase, in der eine Öffnung221d , die in der dielektrischen Schicht211 gebildet ist, mit einem leitenden Barrierenmaterial212b und dem Metall222e gefüllt ist, das ebenfalls überschüssiges Material über der Barrierenschicht212 bereitstellt. Wie zuvor bereits erläutert ist, kann die Öffnung221b auf der Grundlage von Lithographietechniken hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement100 beschrieben sind, wenn die Metallisierungsschicht120 beschrieben wird. Danach wird das leitende Barrierenmaterial212b auf der Grundlage einer beliebigen geeigneten Abscheidetechnik, etwa Sputter-Abscheidung, CVD, selbstimitierende CVD-Techniken und dergleichen aufgebracht. Danach wird die Metallschicht222e durch elektrochemische Abscheidetechniken gebildet. -
2h zeigt schematisch das Bauelement200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase, in der ein Abtragungsprozess205a ausgeführt wird, um das überschüssige Material222e zu entfernen und um auch eine Vertiefung212r in dem Metallgebiet212 zu erzeugen. Beispielsweise wird während des Entfernungsprozesses205a ein CMP-Prozess auf der Grundlage eines Rezepts ausgeführt, das vorzugsweise Material der Schicht222e entfernt, wobei das Barrierenmaterial212b als eine CMP-Stoppschicht dient. Folglich kann durch Anwenden einer geeigneten Nachpolierzeit die Vertiefung212r in einem oberen Bereich des Metallgebiets212 geschaffen werden. In anderen anschaulichen Ausführungsformen werden gut etablierte CMP-Rezepte eingesetzt, in denen auch das Barrierenmaterial212b als eine Stoppschicht dient, und danach wird ein elektrochemischer Ätzprozess ausgeführt, wodurch in selektiver Weise ein Teil des Materials212a entfernt wird, um die Vertiefung212r zu erzeugen. -
2i zeigt schematisch das Bauelement200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase, in der die dielektrische Deckschicht212 auf der Barrierenschicht212b und innerhalb der Vertiefung212r gebildet ist. Zu diesem Zweck wird die dielektrische Deckschicht213 mit einer ausreichenden Dicke abgeschieden, um die Vertiefung212r vollständig zu füllen, was durch Vorsehen einer längeren Abscheidezeit möglich ist, wobei gut etablierte Prozessparameter angewendet werden. -
2j zeigt schematisch das Bauelement200 während eines weiteren Abtragungsprozesses205b , der einen CMP-Prozess umfasst, um überschüssiges Material der dielektrischen Deckschicht213 zu entfernen, wodurch die räurnlich beschränkte Deckschicht213a entsteht, wobei auch das Barrierenmaterial außerhalb der Metallleitung212 entfernt wird, wodurch elektrisch isolierte Metallleitungen in der Metallisierungsschicht210 geschaffen werden. Es sollte beachtet werden, dass der Abtragungsprozess205b mehrere CMP-Schritte enthalten kann, wenn die Abtragsraten der Materialien213 ,212b nicht kompatibel sind. Beispielsweise wird die Barrierenschicht212b auf der Grundlage eines geeigneten Prozessrezepts entfernt, das eine erhöhte Abtragsrate für das Barrierenmaterial212b im Vergleich zur Deckschicht213a ergibt. - Folglich kann die räumlich beschränkte dielekitrische Deckschicht
213a auf der Grundlage einer selbstjustierten Fertigungssequenz bereitgestellt werden, wobei zusätzliche Photolithographieprozesse vermieden werden, wodurch zu geringeren Herstellungskosten beigetragen wird. - Danach wird die weitere Bearbeitung fortgesetzt, wie dies zuvor beschrieben ist.
-
2k zeigte schematisch das Halbleiterbauelement200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Wie gezeigt, ist eine zweite Metallisierungsschicht220 über der ersten Metallisierungsschicht210 , die das dielektrische Material211 und die räumlich beschränkte dielektrische Deckschicht213 aufweist, die zumindest die Metallleitung212 bedeckt, gebildet. Die zweite Metallisierungsschicht220 umfasst ein dielektrisches Material221 , beispielsweise ein Material mit kleinem ε oder mit sehr kleinem ε, was auf Grund der räumlich beschränkten dielektrischen Deckschicht213a Grenzflächenbereiche221s mit dem Material211 zwischen den diversen Metallleitungen212 bildet, die in der ersten Metallleitung210 ausgebildet sind. Folglich wird eine verbesserte mechanische Integrität des Stapels der Schichten210 ,220 erreicht, da die Haftung des Materials221 an das Material211 deutlich größer ist im Vergleich zur Haftung des Materials221 zu dem Material der dielektrischen Deckschicht213a , wie dies zuvor erläutert ist. Des weiteren umfasst die zweite Metallisierungsschicht220 Metallgebiete221 , beispielsweise in Form von Metallleitungen, die eine oder mehrere der Metallleitungen212 in der Metallisierungsschicht210 mittels entsprechender Kontaktdurchführungen222b verbinden. Das Metallgebiete222 enthält ferner ebenfalls das Barrierenmaterial212b in Verbindung mit einem gut leitenden Metall, etwa Kupfer und dergleichen, wie dies zuvor mit Bezug zu der Metallleitung212 erläutert ist. Ferner ist eine dielektrische Deckschicht223a auf dem Metallgebiet222 in Form einer räumlich beschränkten Schicht in ähnlicher Weise vorgesehen, wie dies für die Schicht213a erläutert ist. Des weiteren umfasst das Halbleiterbauelement200 eine weitere Metallisierungsschicht230 mit einem dielektrischen Material231 , beispielsweise in Form eines dielektrischen Materials mit kleinem ε, das ebenfalls mit dem Material221 an Grenzflächen231s verbunden ist, wobei auch in diesem Falle eine verbesserte Haftung auf Grund der räumlichen Beschränkung der dielektrischen Deckschicht223 gelingt. - In Bezug auf Prozesstechniken zur Herstellung des Halbleiterbauelements
200 , wie es in2k gezeigt ist, sei auf die Prozesstechniken verwiesen, die mit Bezug zu dem Bauelement100 beschrieben sind, wenn das Herstellen und Strukturieren von dielektrischen Materialien betroffen sind. Des weiteren kann die räumlich beschränkte Deckschicht223a gemäß den gleichen Prozessstrategien hergestellt werden, wie dies mit Bezug zu den2a bis2j erläutert ist. -
2l zeigt schematisch eine Draufsicht des Halbleiterbauelements200 in einer Fertigungsphase vor dem Bilden der Metallisierungsschicht220 . Wie gezeigt, umfasst die Metallisierungsschicht210 das dielektrische Material211 , in der mehrere Metallleitungen212 gebildet sind, wie dies zuvor beschrieben ist. Des weiteren sind die räumlich beschränkten dielektrischen Deckschichten213a so vorgesehen, dass zumindest die Metallgebiete212 , wie sie durch gestrichelte Linien dargestellt sind, zuverlässig durch die Deckschichten213a abgedeckt sind. In der gezeigten Ausführungsform erstrecken sich die Deckschichten213a lateral von den Metallleitungen213 entsprechend einem Abstand213d , der kleiner ist als die Hälfte eines Abstands212d zwischen zwei benachbarten Metallleitungen212 . Auf diese Weise wird sichergestellt, dass das dielektrische Material211 der Metallisierungsschicht210 direkt mit dem dielektrischen Material einer nachfolgenden Metallisierungsschicht, etwa der Metallisierungsschicht220 , zwischen benachbarten Metallleitungen212 direkt in Kontakt kommt. In einer anschaulichen Ausführungsform ist der Abstand213 kleiner als eine Breite212w jeder der Metallleitungen212 . - Es gilt also: Die vorliegende Offenbarung stellt Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Herstellung bereit, wobei die gesamte mechanische Integrität eines Metallisierungsschichtstapels verbessert wird, indem eine dielektrische Deckschicht in lokal beschränkter Weise so bereitgestellt wird, dass Grenzflächen zwischen den dielektrischen Zwischenschichtmaterialien zweier aufeinanderfolgender Metallisierungsschichten gebildet sind. Die dielektrische Deckschicht kann lokal beschränkt werden, indem eine Maske gebildet wird, was in einigen anschaulichen Ausführungsformen unter Anwendung der gleichen Lithographiemaske bewerkstelligt wird, wie sie zum Strukturieren des darunter liegenden dielektrischen Materials verwendet wird. In anderen Fällen wird eine selbstjustierte Prozesssequenz eingesetzt.
- Weitere Modifizierungen und Variationen der vorliegenden Offenbarung werden für den Fachmann angesichts dieser Beschreibung offenkundig. Daher ist diese Beschreibung als lediglich anschaulich und für die Zwecke gedacht, dem Fachmann die allgemeine Art und Weise des Ausführens der hierin offenbarten Prinzipien zu vermitteln. Selbstverständlich sind die hierin gezeigten und beschriebenen Formen als die gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen zu betrachten.
Claims (20)
- Verfahren zur Herstellung einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer dielektrischen Deckschicht auf einer dielektrischen Schicht und auf einem Metallgebiet, das in der dielektrischen Schicht gebildet ist, wobei die dielektrische Deckschicht und das Metallgebiet eine Grenzfläche bilden; und Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht, wobei die Grenzfläche beibehalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht umfasst: Bilden einer Maske über der dielektrischen Deckschicht, um zumindest das Metallgebiet abzudecken und Entfernen eines Teils der Deckschicht, der nicht von der Maske abgedeckt ist.
- Verfahren nach Anspruch 2, wobei Bilden der Maske umfasst: Bilden einer Lackschicht mit entgegengesetztem photochemischen Reaktionsverhalten im Vergleich zu einem Lackmaterial, das zum Strukturieren der dielektrischen Schicht verwendet wird, wenn eine Öffnung für das Metallgebiet gebildet wird, wobei das Verfahren ferner umfasst: Belichten der Lackschicht mit der gleichen photolithographischen Maske, wie sie zur Herstellung der Öffnung verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Lackschicht auf der Grundlage einer Belichtungsdosis belichtet wird, um eine laterale Abmessung der Maske zu erhalten, die größer ist als eine laterale Abmessung des Metallgebiets.
- Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine Dicke der Lackschicht kleiner ist als eine Dicke des Lackmaterials, das zur Herstellung der Öffnung verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, wobei Bilden der Maske umfasst: Bilden einer Lackschicht über der Deckschicht, Bilden einer Maskenöffnung in der Lackschicht, die im Wesentlichen dem Metallgebiet entspricht, Füllen der Maskenöffnung mit einem Maskenmaterial und Entfernen der Lackschicht selektiv zu dem Maskenmaterial.
- Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Maskenöffnung zur Anwendung einer lithographischen Maske gebildet wird, die zur Herstellung einer Öffnung für das Metallgebiet, das in der dielektrischen Schicht gebildet ist, verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei Bilden der Deckschicht umfasst: Bilden einer Vertiefung in dem Metallgebiet und Bilden der Deckschicht derart, dass diese zumindest die Vertiefung teilweise ausfüllt.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht Ausführen eines Einebnungsprozesses umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 9, das ferner umfasst: Bilden einer Öffnung in der dielektrischen Schicht, Bilden einer leitenden Barrierenschicht in der Öffnung, Füllen der Öffnung mit einem Metall und Entfernen von überschüssigem Material des Metalls, um das Metallgebiet bereitzustellen.
- Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Vertiefung vor dem Entfernen der Barrierenschicht von der dielektrischen Schicht außerhalb des Metallgebiets gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Vertiefung durch Ausführen eines chemischmechanischen Einebnungsprozesses gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Vertiefung durch Ausführen eines elektrochemischen Abtragungsprozesses gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei die dielektrische Schicht Material mit einer Dielektrizitätskonstante von ungefähr 3,0 oder weniger aufweist.
- Verfahren mit: Bilden einer dielektrischen Deckschicht auf einer dielektrischen Schicht einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements, wobei die dielektrische Schicht ein Metallgebiet aufweist, das eine Grenzfläche mit der dielektrischen Deckschicht bildet; Bilden einer Maske über der dielektrischen Deckschicht, um zumindest das Metallgebiet abzudecken; und Entfernen der dielektrischen Deckschicht von einem Teil der dielektrischen Schicht, der nicht durch die Maske bedeckt ist.
- Verfahren nach Anspruch 15, das ferner umfasst: Bilden des Metallgebiets durch Anwenden einer Lithographiemaske und eines ersten Lackmaterials mit einem positiven oder einem negativen Belichtungsverhalten, wobei die Maske unter Verwendung der Lithographiemaske und eines zweiten Lackmaterials gebildet wird, das im Vergleich zu dem oben genannten positiven oder negativen Belichtungsverhalten das umgekehrte Belichtungsverhalten aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 16, wobei eine Dicke des zweiten Lackmaterials kleiner als eine Dicke des ersten Lackmaterials.
- Verfahren nach Anspruch 17, wobei Prozessparameter einer Lithographieprozesssequenz so festgelegt werden, dass die Maske mit einer lateralen Größe gebildet wird, die größer ist als eine laterale Größe des Metallgebiets.
- Halbleiterbauelement mit: einem dielektrischen Material mit kleinem ε, das über einem Substrat gebildet ist; mehreren Metallleitungen, die in dem dielektrischen Material mit kleinem ε gebildet sind; und einer dielektrischen Deckschicht, die auf den Metallleitungen gebildet ist, derart, dass eine Grenzfläche mit jeder der Metallleitungen gebildet wird, wobei die dielektrische Deckschicht sich lateral von jeder der Metallleitungen mit einem Abstand erstreckt, der kleiner ist als die Hälfte eines Abstands zwischen lateral benachbarten Metallleitungen ist.
- Halbleiterbauelement nach Anspruch 19, wobei die dielektrische Deckschicht sich lateral von jeder der Metallleitungen mit einem Abstand erstreckt, der kleiner ist als eine Breite jeder der Metallleitungen.
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