DE102008021833A1 - Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld - Google Patents

Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld Download PDF

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    • G03F7/70083Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane

Abstract

Zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld mit gleichzeitig vorgegebener Intensitätsverteilung der Beleuchtung über das Objektfeld wird folgendermaßen vorgegangen: Zunächst wird eine Soll-Phasenabweichung von einer ideal sphärischen Wellenfront von Nutzlicht vorgegeben, die nach Durchtreten einer Beleuchtungsoptik an einem randseitigen Maß-Feldpunkt (36) des Objektfeldes ankommt. Die Soll-Phasenabweichung hat eine dreizählige Symmetrie. Die Soll-Phasenabweichung hat also in Umfangsrichtung um einen auf dem Maß-Feldpunkt (36) auftreffenden Hauptstrahl (39) verteilt drei Phasenmaxima (MAX) und drei zwischen jeweils zweien Phasenmaxima (MAX) liegende Phasenminima (MIN). Es folgt eine Variation von Entwicklungskoeffizienten, die eine rotationssymmetrische Pfeilhöhe mindestens einer optischen Fläche einer optischen Komponente der Beleuchtungsoptik beschreiben, sowie von Luftabständen zwischen den optischen Komponenten. Diese Variation wird derart durchgeführt, dass eine Differenz einer Ist-Phasenabweichung des Nutzlichts von einer ideal sphärischen Wellenfront, die von der Beleuchtungsoptik am Maß-Feldpunkt (36) erzeugt wird, von der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung minimiert ist. Es resultiert eine Objektfeldausleuchtung, bei der Feldrandeffekte von Beleuchtungsparametern, die bei Beleuchtungssystemen auftreten können, kompensiert werden können.

Description

  • Die Erfindung betrifft einer Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld. Ferner betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik mit einer so eingestellten Beleuchtungswinkel- und Intensitätsverteilung, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein so hergestelltes strukturiertes Bauelement.
  • Insbesondere für Abbildungsanforderungen bei der Herstellung von mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelementen ist es erforderlich, ein abzubildendes Objektfeld hinsichtlich seiner Beleuchtungswinkel- und Intensitätsverteilung exakt definiert auszuleuchten. Bei bekannten Beleuchtungssystemen gibt es oftmals das Problem, dass am Rand des auszuleuchtenden Objektfeldes andere Beleuchtungsbedingungen hinsichtlich der Beleuchtungswinkel und/oder hinsichtlich der Beleuchtungsintensitäten vorliegen als in der Feldmitte.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Kompensationsmöglichkeit für derartige Feldrandeffekte geschaffen ist.
  • Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
  • Es hat sich überraschend herausgestellt, dass die Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung mit dreizähliger Symmetrie und nachfolgender Optimierung der Beleuchtungsoptik zur Erfüllung dieser Vorgabe eine Feldabhängigkeit von die Beleuchtungswinkel und/oder die Beleuchtungsintensitäten beschreibenden Beleuchtungsparametern zur Folge hat. Mit vorgegebener Soll-Phasenabweichung ändern sich diese Beleuchtungsparameter, ausgehend von der Feldmitte, zum Rand hin definiert. Die Art der Änderung der Beleuchtungsparameter, beispielsweise der Elliptizität oder der Uniformität, über das ausgeleuchtete Feld kann über die absolute Größe und den Feldverlauf der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung fein beeinflusst werden. Auf diese Weise ist es möglich, Beleuchtungs-Feldrandeffekte, die beispielsweise durch Beschichtungen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik erzeugt werden, zu kompensieren. Eine derartige Kompensation ist besonders dann von Vorteil, wenn es auf höchste Abbildungspräzision ankommt und/oder wenn derartige feldrandseitige Schichteffekte unvermeidlich sind. Anwendungsbeispiele für das erfindungsgemäße Einstellungsverfahren sind Optiken für die Mikrolithographie mit einer Nutzlichtwellenlänge im DUV oder im EUV. Für bestimmte Anwendungen reicht es aus, die Form einer einzigen optischen Fläche der Beleuchtungsoptik zu variieren, um innerhalb vorgegebener Grenzen die Soll-Phasenabweichung zu erreichen. Je nach dem Design der Beleuchtungsoptik und je nach der geforderten Genauigkeit, mit der die Soll-Phasenabweichung erreicht werden soll, können auch mehrere optische Flächen oder sogar alle optischen Flächen hinsichtlich ihrer Form und hinsichtlich ihres Abstandes zueinander variiert werden. Dabei kann eine Auswahl der optischen Flächen hinsichtlich der Wirkung einer Formänderung von diesen auf die Phase der Wellenfront erfolgen. Die erfindungsgemäße dreizählige Soll-Phasenabweichung kann insbesondere zur Kompensation der Beleuchtungsparameter Elliptizität und Uniformität bei be stimmten Beleuchtungssettings verwendet werden. Beispiele derartiger Beleuchtungssettings sind ein annulares Beleuchtungssetting, ein X-Dipol-Beleuchtungssetting, ein Y-Dipol-Beleuchtungssetting sowie ein C-Quad-Setting. Ein C-Quad-Setting ist eine Beleuchtung aus Richtung von vier Teilring-Bereichen, die in Umfangsrichtung um ein Zentrum einer Pupille jeweils mit einer Umfangserstreckung von 30° gleich verteilt im gleichen Abstand um dieses Zentrum angeordnet sind. Ein C-Quad-Setting ist mit einer Überlagerung eines X-Dipol-Beleuchtungssettings und eines Y-Dipol-Beleuchtungssettings vergleichbar. Das X-Dipol-Beleuchtungssetting, das Y-Dipol-Beleuchtungssetting sowie das C-Quad-Setting stellen Beispiele einer mehrpoligen Beleuchtung des Objektfeldes dar. Die erfindungsgemäß dreizählige Soll-Phasenabweichung kann so vorgegeben werden, dass die Beleuchtungsparameter Telezentrie oder auch, bei mehrpoliger Beleuchtung, das Intensitätsverhältnis zwischen den einzelnen Polen, unbeeinflusst bleiben. Da auch eine einem Objektfeld nachfolgende Optik, beispielsweise ein Projektionsoptik, Beleuchtungsparameter wie beispielsweise die Elliptizität oder die Telezentrie beeinflussen kann, kann die Beleuchtungswinkelverteilung auch so eingestellt werden, dass über die vorgegebene Phasenabweichung ein Vorhalt für das Gesamtsystem aus der Beleuchtungsoptik vor dem Objektfeld und einer nachgeschalteten Optik, beispielsweise einer Projektionsoptik, geschaffen ist.
  • Eine Vorgabe nach Anspruch 2 erlaubt eine exakte Kontrolle der Soll-Phasenabweichung über das gesamte Feld. Die Feldhöhe ist dabei diejenige Feldkoordinate, längs der keine Verlagerung eines abzubildenden Objektes im Zuge der Abbildung von diesem stattfindet.
  • Eine Vorgabe nach Anspruch 3 reduziert den mit dem Einstellverfahren verbundenen Rechenaufwand. Es reicht oftmals aus, die Wellenfront an drei Punkten vorzugeben. Der Rest der Wellenfront ergibt sich zwischen diesen vorgegebenen Punkten je nach der Beschreibung der Wellenfrontfunktion. Die mindestens drei Einzelstrahlen müssen natürlich so vorgegeben werden, dass eine eindeutige Beschreibung der gesamten Wellenfront durch die Vorgabe der Phasenwerte der drei Einzelstrahlen gegeben ist.
  • Eine Z11-Vorgabe nach Anspruch 4 erlaubt eine Einbindung des Einstellverfahrens in kommerziell verfügbare optische Designverfahren, in denen eine Zernike-Entwicklung der Nutzlicht-Wellenfront stattfindet.
  • Die Größenordnung der Z11-Vorgabe nach Anspruch 5 hat sich zur Erreichung eines zur Kompensation beispielsweise von Schichteffekten ausreichenden Beleuchtungsparameter-Vorhaltes als besonders geeignet herausgestellt. Es kann am Feldrand beispielsweise ein Z11-Sollwert vorgegeben werden, der von der ideal sphärischen Wellenfront um 1 bis 200 Nutzlicht-Wellenlängen, insbesondere um 40 bis 120 Nutzlicht-Wellenlängen abweicht.
  • Vorgaben nach den Ansprüchen 6 und 7 haben sich zur Kompensation insbesondere von Schichteffekten auf den optischen Flächen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik als besonders herausgestellt.
  • Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 10 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 11 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Einstellverfahren bereits erläutert wurden.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
  • 1 stark schematisch im Meridionalschnitt optische Hauptgruppen einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie;
  • 2 stärker im Detail zwei der optischen Hauptgruppen der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
  • 3 schematisch einen annular beleuchteten Maß-Feldpunkt einer Objektebene der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 in einem Meridionalschnitt;
  • 4 einen Schnitt gemäß Linie IV-IV in 3;
  • 5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine alternative Beleuchtung des Maß-Feldpunkts;
  • 6 ein Diagramm, welches eine Soll-Phasenabweichung einer Nutzlicht-Wellenfront eines auf ein Bildfeld auftreffenden Beleuchtungsbündels in Einheiten eines Zernike-Koeffizienten Z11 einer Wellenfrontentwicklung abhängig von einer Bildfeldhöhe eines Bildfeldes der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 darstellt;
  • 7 in einem Diagramm die Abhängigkeit eines Elliptizitätswertes E090 von der Feldhöhe für zwei verschiedene annulare Beleuchtungssettings der Projektionsbelichtungsanlage;
  • 8 eine Oktantenunterteilung einer Pupillenebene zur Definition von Elliptizitäts-Beleuchtungsparametern;
  • 9 in einem Diagramm die Abhängigkeit einer Uniformität (uniformity) von der Bildfeldhöhe für die beiden Beleuchtungssettings nach 7;
  • 10 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung die Abhängigkeit der Uniformität von der Bildfeldhöhe für zwei verschiedene X-Dipol-Beleuchtungssettings;
  • 11 schematische Darstellung einer Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene der Projektionsbelichtungsanlage für die beiden X-Dipol-Beleuchtungssettings nach 10; und
  • 12 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung die Abhängigkeit der Uniformität von der Bildfeldhöhe für zwei verschiedene Y-Dipol-Beleuchtungssettings.
  • Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 ist, was ihre optischen Hauptgruppen angeht, schematisch in der 1 im Meridionalschnitt dargestellt. Diese schematische Darstellung zeigt die optischen Hauptgruppen als refraktive optische Elemente. Genauso gut können die optischen Hauptgruppen auch als diffraktive oder reflektive Komponenten oder als Kombinationen oder Unterkombinationen von refraktiven/diffraktiven/reflektiven Zusammenstellungen optischer Elemente ausgebildet sein.
  • Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein x-y-z-Koordinatensystem verwendet. In der 1 verläuft die x-Achse senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach oben. Die z-Achse verläuft in der 1 nach rechts und parallel zu einer optischen Achse 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Diese optische Achse 2 kann auch gegebenenfalls mehrfach gefaltet sein.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Strahlungsquelle 3, die Nutzlicht in Form eines Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 erzeugt. Das Nutzlicht 4 hat eine Wellenlänge im DUV, beispielsweise im Bereich zwischen 100 und 200 nm. Alternativ kann das Nutzlicht 4 auch eine Wellenlänge im EUV, insbesondere im Bereich zwischen 5 und 30 nm, haben.
  • Eine Beleuchtungsoptik 5 der Projektionsbelichtungsanlage 1 führt das Nutzlicht 4 von der Strahlungsquelle 3 hin zu einer Objektebene 6 der Projektionsbelichtungsanlage 1. In der Objektebene 6 ist ein durch die Projektionsbelichtungsanlage 1 abzubildendes Objekt in Form eines Retikels 6a angeordnet. Das Retikel 6a ist in der 1 gestrichelt angedeutet.
  • Als erste optische Hauptgruppe umfasst die Beleuchtungsoptik 5 zunächst eine Pupillenformungsoptik 7. Diese dient dazu, in einer nachgelagerten Pupillenebene 8 eine definierte Intensitätsverteilung des Nutzlichts 4 zu erzeugen. Die Pupillenformungsoptik 7 bildet die Strahlungsquelle 3 in eine Mehrzahl sekundärer Lichtquellen ab. Die Pupillenformungsoptik 7 kann zusätzlich auch eine feldformende Funktion haben. In der Pupillenformungsoptik 7 können Facettenelemente, Wabenelemente und/oder diffraktive optische Elemente zum Einsatz kommen. Die Pupillenebene 8 ist optisch konjugiert zu einer weiteren Pupillenebene 9 eines Projektions objektivs 10 der Projektionsbelichtungsanlage 1, das der Beleuchtungsoptik 5 zwischen der Objektebene 6 und einer Bildebene 11 nachgelagert ist. In der Bildebene 11 ist ein Wafer 11a angeordnet und in der 1 gestrichelt angedeutet. Das Objektfeld in der Objektebene 6 wird von dem Projektionsobjektiv 10 in ein Bildfeld auf dem Wafer 11a in der Bildebene 11 abgebildet.
  • Der hinter der Pupillenformungsoptik 7 angeordneten Pupillenebene 8 nachgeordnet ist eine Feldlinsengruppe 12 als weitere optische Hauptgruppe der Beleuchtungsoptik 5.
  • Hinter der Feldlinsengruppe 12 ist eine Zwischenbildebene 13 angeordnet, die zur Objektebene 6 konjugiert ist. In der Zwischenbildebene 13 liegt eine Blende 14 zur Vorgabe einer randseitigen Begrenzung eines auszuleuchtenden Objektfeldes in der Objektebene 6. Die Blende 14 wird auch als REMA-(Reticle Masking-, System zum Abblenden des Retikels 6a)Blende bezeichnet.
  • Die Zwischenbildebene 13 wird durch eine Objektivgruppe 15, die auch als REMA-Linsengruppe bezeichnet wird, in die Objektebene 6 abgebildet. Die Objektivgruppe 15 stellt eine weitere optische Hauptgruppe der Beleuchtungsoptik 5 dar.
  • 2 zeigt die Feldlinsengruppe 12 und die REMA-Linsengruppe 15 stärker im Detail. Die Feldlinsengruppe 12 hat insgesamt 6 hintereinander angeordnete Linsen 16 bis 21. Die REMA-Linsengruppe 15 hat nach der Zwischenbildebene 13 zwei Teil-Linsengruppen 22, 23. Die erste Teil-Linsengruppe 22 umfasst insgesamt fünf Linsen 24 bis 28. Zwischen den beiden Teil-Linsengruppen 22, 23 der REMA-Linsengruppe 15 liegt eine weitere Pupillenebene 29. Die zweite Teil-Linsengruppe 23 der REMA-Linsengruppe 15 umfasst nochmals fünf Linsen 30 bis 34. Der in Strahlrichtung letzten Linse der zweiten Teil-Linsengruppe 23 ist die Objektebene 6 mit dem Retikel 6a nachgeordnet.
  • In der 2 sind die abbildenden Strahlengänge zu zwei Feldpunkten, nämlich einem mittigen Objektfeldpunkt 35 und einem Maß-Feldpunkt 36 am Rand des Objektfeldes dargestellt. Der mittige Objektfeldpunkt 35 ist am Ort des Durchstoßpunktes der optischen Achse 2 durch die Objektebene 6 angeordnet. Der Maß-Feldpunkt 36 ist am in negativer y-Richtung gelegenen Feldrand des Objektfeldes angeordnet. Die y-Richtung ist gleichzeitig eine Verfahrrichtung des Retikels 6a und des Wafers 11a im Zuge des Projektionsbetriebs der Projektionsbelichtungsanlage 1. Neben der optischen Achse 2 charakterisieren den Beleuchtungsstrahlengang des mittigen Objektfeldpunktes 35 zwei Randstrahlen 37, 38, die gleichzeitig die maximalen Beleuchtungswinkel des mittigen Objektfeldpunktes 35 darstellen. Der Beleuchtungsstrahlengang des Maß-Feldpunktes 36 ist charakterisiert durch einen Hauptstrahl 39, der die Pupillenebenen 8, 29 zentrisch durchtritt, sowie durch zwei Randstrahlen 40, 41, die ebenfalls die maximalen Beleuchtungswinkel des Maß-Feldpunktes 36 wiedergeben.
  • Je nach einem eingestellten Beleuchtungssetting der Beleuchtungsoptik 5, also je nach über die Pupillenformungsoptik 7 eingestellter Intensitätsverteilung in der Pupillenebene 8, resultiert eine entsprechende Verteilung der Beleuchtungswinkel für die Feldpunkte des Objektfeldes.
  • 3 zeigt eine annulare, also ringförmige Beleuchtungswinkelverteilung für den Maß-Feldpunkt 36. Eine derartige Beleuchtungswinkelverteilung wird auch als annulares Beleuchtungssetting bezeichnet. Der Maß- Feldpunkt 36 wird dabei aus Richtung eines in der Pupillenebene 29 ausgeleuchteten Rings beleuchtet, der bei der Beleuchtung des Maß-Feldpunkts 36 durch die Randstrahlen 40, 41 und zusätzlich durch innere Randstrahlen 42, 43 begrenzt ist. Die beiden äußeren Randstrahlen 40, 41 repräsentieren einen maximalen Beleuchtungswinkel und die beiden inneren Randstrahlen 42, 43 einen minimalen Beleuchtungswinkel für den Maß-Feldpunkt 36 für dieses annulare Beleuchtungssetting.
  • 4 zeigt einen Schnitt durch das Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündel 4 zwischen der letzten Linse 34 der zweiten Teil-Linsengruppe 23 der REMA-Linsengruppe 15 und der Objektebene 6. In der 4 ist schematisch der Verlauf einer Wellenfront des ringförmig auf den Maß-Feldpunkt 36 einfallenden Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 dargestellt. Auf dem ringförmigen Bündel 4 sind die Phasenabweichungen von einer ideal sphärischen Wellenfront dargestellt. In der 4 in 12-Uhr-, in 4-Uhr- und in 8-Uhr-Position eilt die Wellenfront der ideal sphärischen Wellenfront maximal voraus, was durch den Hinweis „MAX" verdeutlicht wird. In diesen Bereichen eilt die auf den Maß-Feldpunkt 36 zulaufende Nutzlicht-Wellenfront der ideal sphärischen Wellenfront um 40 Wellenlängen voraus. In 1-Uhr-, 3-Uhr-, 5-Uhr-, 7-Uhr-, 9-Uhr- und 11-Uhr-Position ist die Phasenabweichung der Wellenfront des Bündels 4 von einer ideal sphärischen Wellenfront 0. In 2-Uhr, 6-Uhr- und 10-Uhr-Position ist die Wellenfront des Bündels 4 gegenüber der ideal sphärischen Wellenfront um 40 Wellenlängen am stärksten verzögert, was durch den Hinweis „MIN" verdeutlicht wird. Auf den Maß-Feldpunkt 36 treffen Bereiche konstanter Phase der Nutzlicht-Wellenfront des Bündels 4 also zunächst, gesehen in der Orientierung nach 4, aus den Richtungen 12-Uhr, 4-Uhr und 8-Uhr ein. Um diese drei Richtungen teilt sich die Wellenfront dann jeweils auf, wobei die Wellenfront abschließend aus den Rich tungen 2-Uhr, 6-Uhr und 10-Uhr auf den Maß-Feldpunkt 36 trifft. An den Positionen MAX liegt also ein Phasenmaximum der Wellenfront des Strahlenbündels 4 vor. An den Positionen MIN liegt ein Phasenminimum des Strahlenbündels 4 vor.
  • Bei einer Zernike-Entwicklung der Wellenfront wird ein Wellenfrontverlauf wie in der 4 dargestellt, durch den Zernike-Koeffizienten Z11 wiedergegeben.
  • Die Wellenfrontgestalt nach 4 wird auch als Dreiwelligkeit bezeichnet, da sie eine dreizählige Rotationssymmetrie um die z-Achse aufweist. Durch Drehung der dem Maß-Feldpunkt 36 zugeordneten Wellenfront um die z-Achse um 120° wird diese in sich übergeführt.
  • 5 zeigt eine weitere Variante einer dreiwelligen Wellenfront, die dem Maß-Feldpunkt 36 zugeordnet ist. Maximal voraus (Position MAX) eilt die Wellenfront des Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 bei der Ausführung nach 5 in 3-Uhr-, 7-Uhr- und 11-Uhr-Position. Maximal nacheilend (Position MIN) sind die Wellenfrontbereiche in 1-Uhr-, 5-Uhr- und 9-Uhr-Position. Dazwischen, also in 12-Uhr-, 2-Uhr-, 4-Uhr-, 6-Uhr-, 8-Uhr und 10-Uhr-Position entspricht die Wellenfront des Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 nach 5 einer ideal sphärischen Wellenfront. Die maximalen Phasenabweichungen betragen auch hier wiederum 40 Nutzlicht-Wellenlängen.
  • Auch andere maximale Phasenabweichungen in einem Bereich beispielsweise zwischen 1 und 200 Nutzlicht-Wellenlängen sind möglich.
  • Die optischen Flächen der Linsen 16 bis 21 der Feldlinsen-Gruppe 12 sowie der Linsen 24 bis 28 und 30 bis 34 der REMA-Linsengruppe 15 sowie die Luftabstände zwischen diesen Linsen sind so variiert, dass der Verlauf der Wellenfront nach 4 resultiert.
  • Die nachfolgenden Tabellen zeigen die Pfeilhöhenkoeffizienten sowie die Luftabstände der optischen Flächen der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34.
  • Die nachfolgenden Tabellen geben die optischen Designdaten der Feldlinsen-Gruppe 12 und der REMA-Linsengruppe 15 wieder. Die erste Tabelle zeigt in der ersten Spalte die von links nach rechts durchnummerierten optischen Flächen zuerst der Feldlinsengruppe 12 und nachfolgend der REMA-Linsengruppe 15. Dies wird nachfolgend anhand ausgewählter Flächennummern näher verdeutlicht. Die „Fläche 1" ist die Pupillenebene 8. Die „Flächen 2 und 3" sind die Ein- und die Austrittsfläche der Linse 16. Die „Flächen 14 und 15" stellen die Ebene der Blende 14 dar. Die „Flächen 26, 27 und 28" stellen die Pupillenebene 29 dar. Die „Fläche 39" ist die Austrittsfläche der Linse 34. Die „Flächen 40 bis 42" stellen die Objektebene 6 dar. Die Spalte „Radien" gibt den Krümmungsradius der jeweiligen optischen Fläche wieder. Der Zusatz „AS" bei den Radiuswerten weist darauf hin, dass es sich bei der zugehörigen optischen Fläche um eine Asphärenfläche handelt. Die Spalte „Dicken" gibt den Abstand der jeweiligen optischen Fläche zur nachfolgenden optischen Fläche wieder.
  • Die Spalte „Gläser" gibt Informationen zum verwendeten Linsenmaterial. Die Spalte „Brechzahl" gibt den Brechungsindex des Linsenmaterials bei einer Lichtwellenlänge von 193,38 nm wieder. Die Spalte „Halbmesser" gibt den halben freien Durchmesser der jeweiligen optischen Komponente wieder.
    FLÄCHE RADIEN DICKEN GLÄSER BRECHZAHL 193.38 nm HALBMESSER
    1 0.000000000 92.233557345 1.00000000 62.540
    2 –89.700000000 29.679922960 QUARZ 1.56034000 78.956
    3 –272.462438385AS 0.955298052 1.00000000 112.725
    4 –725.448369464 71.437326360 QUARZ 1.56034000 130.148
    5 –167.694355505 1.008669622 1.00000000 136.991
    6 –447.155660016 36.898792950 QUARZ 1.56034000 147.384
    7 –242.866196020 1.001539643 1.00000000 150.045
    8 163.849736489AS 67.433564155 QUARZ 1.56034000 150.332
    9 1364.109862141 0.925331993 1.00000000 147.124
    10 162.104756393 67.581031005 QUARZ 1.56034000 127.171
    11 1887.620154608 3.604364887 1.00000000 120.981
    12 610.048430997 11.846684677 QUARZ 1.56034000 108.968
    13 96.163033983 96.671112000 1.00000000 78.634
    14 0.000000000 0.000000000 1.00000000 54.968
    15 0.000000000 75.872817197 1.00000000 54.968
    16 –83.789542737 45.215799660 QUARZ 1.56034000 70.551
    17 –310.036905041 0.824595207 1.00000000 115.298
    18 –535.352671659 68.748254532 QUARZ 1.56034000 123.672
    19 –151.907325684 0.835394959 1.00000000 130.004
    20 –1231.483593390 55.558272275 QUARZ 1.56034000 147.744
    21 –209.503913013AS 0.824610263 1.00000000 150.399
    22 154.092521546AS 80.629744547 QUARZ 1.56034000 149.947
    23 1065.917108338 2.516121503 1.00000000 145.285
    24 265.109387135AS 22.236298536 QUARZ 1.56034000 126.141
    25 114.547832859 165.533970841 1.00000000 101.140
    26 0.000000000 0.000000000 1.00000000 71.313
    27 0.000000000 0.000000000 QUARZ 1.56034000 71.313
    28 0.000000000 128.127081945 1.00000000 71.313
    29 –110.044717777 29.523581666 QUARZ 1.56034000 94.344
    30 –174.150784378AS 0.894954340 1.00000000 118.334
    31 –40322.435844235 73.195259688 QUARZ 1.56034000 144.594
    32 –213.277507038 0.986210604 1.00000000 148.817
    33 157.604075517AS 91.460239170 QUARZ 1.56034000 150.585
    34 15274.245301417 3.242255885 1.00000000 146.299
    35 274.455520510 44.999907025 QUARZ 1.56034000 125.871
    36 1596.100674430 0.852705753 1.00000000 115.094
    37 301.744850001AS 12.397146898 QUARZ 1.56034000 106.062
    38 112.625107823 99.275036425 1.00000000 82.899
    39 0.000000000 6.250000000 QUARZ 1.56034000 56.389
    40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423
    41 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423
    42 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423
  • Die Austrittsfläche der Linse 16 („Fläche 3") , die Austrittsfläche der Linse 19 („Fläche Nr. 8"), die Austrittsfläche der Linse 26 („Fläche 21"), die Eintrittsfläche der Linse 27 („Fläche 22"), die Eintrittsfläche der Linse 28 („Fläche 24"), die Austrittsfläche der Linse 30 („Fläche Nr. 30"), die Eintrittsfläche der Linse 32 („Fläche 33") sowie die Eintrittsfläche der Linse 34 („Fläche 37") sind als asphärische Flächen nach der Asphärenformel p(h) = [((1/r)h2)/(+SQRT(1 – (1 + K)(1/r)2h2))] + C1·h4 + C2·h6 + ... ausgeführt. Hierbei ist 1/r die Krümmung der Oberfläche im Scheitelpunkt der Asphäre. h ist der Abstand eines Punktes auf der optischen Fläche der Asphäre von der in z-Richtung verlaufenden Rotationssymmetrieachse der optischen Fläche, die auch als optische Achse bezeichnet wird. p(h), die Pfeilhöhe, ist der z-Abstand zwischen einem betrachteten Punkt mit Abstand h (h2 = x2 + y2) von der Rotationssymmetrieachse zum Scheitelpunkt der optischen Asphärenfläche, also des Punkts auf der optischen Fläche mit h = 0. Die Koeffizienten C3 ff gehören zu weiteren geradzahligen Potenzen von h ab, einschließlich h8.
  • Die nachfolgenden Tabellen zeigen die Koeffizienten K sowie C1 bis C9, die in diese Asphärengleichung jeweils einzusetzen sind, um die jeweilige asphärische optische Fläche zu erhalten. ASPHAERISCHE KONSTANTEN
    FLAECHE NR. 3
    K –2.5748
    C1 –1.19330892e–007
    C2 7.04733253e–012
    C3 –2.44589399e–016
    C4 6.10706929e–021
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 8
    K –1.5711
    C1 –4.29326717e–009
    C2 5.00511590e–013
    C3 –9.78018564e–018
    C4 3.49199291e–023
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 21
    K –0.4568
    C1 6.11367241e–009
    C2 3.40726569e–013
    C3 –7.68087411e–018
    C4 1.96451358e–022
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 22
    K –0.6323
    C1 –2.86159265e–009
    C2 –2.32170489e–013
    C3 5.81359768e–018
    C4 –1.57396672e–022
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 24
    K 2.2865
    C1 2.30807796e–008
    C2 6.67847615e–013
    C3 –4.62329172e–017
    C4 1.53138935e–021
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 30
    K 0.1943
    C1 1.44760510e–009
    C2 –2.48108477e–013
    C3 4.48520578e–018
    C4 2.22291441e–021
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 33
    K –0.7663
    C1 1.06212025e–008
    C2 –4.12517030e–013
    C3 2.68732020e–017
    C4 –6.15676979e–022
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
    FLAECHE NR. 37
    K –13.8396
    C1 –1.92231791e–008
    C2 –1.31880966e–012
    C3 1.19473760e–016
    C4 –1.32105397e–021
    C5 0.00000000e+000
    C6 0.00000000e+000
    C7 0.00000000e+000
    C8 0.00000000e+000
    C9 0.00000000e+000
  • 6 zeigt eine Soll-Phasenabweichung jeweils am Ort MIN abhängig von der Feldhöhe, also abhängig vom Abstand des jeweils betrachteten Feldpunktes vom mittigen Objektfeldpunkt 35. Am Feldrand, also beim Maß-Feldpunkt 36 bzw. beim in positiver y-Richtung gegenüberliegenden randseitigen Feldpunkt, liegt eine Soll-Phasenabweichung vor, die –100 Wellenlängen noch unterschreitet. Von dem randseitigen Maß-Feldpunkt 36 aus zum mittigen Objektfeldpunkt 35 hin verringert sich diese negative Phasenabweichung schnell, bis sie etwa auf halbem Wege zwischen dem Objektfeldrand und der Objektfeldmitte sogar positive Werte annimmt und sich dann zum mittigen Objektfeldpunkt 35 hin wieder einer Phasenabweichung von null annähert.
  • 7 zeigt die Feldhöhenabhängigkeit eines Elliptizitätswertes E090 für die Beleuchtungsoptik 5 mit der Soll-Phasenabweichung nach 6.
  • Zur Definition des Elliptizitätswerts E090 wird auf die Zerlegung einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 5 nach 8 verwiesen. Hierbei kann es sich beispielsweise um die Pupillenebene 29 handeln. Diese Pupillenebene 29 wird, wie dies mathematisch üblich ist, beginnend mit dem xy-Quadranten, in acht Oktanten O1 bis O8 zerlegt. Der Elliptizitätswert E090 entspricht dem Intensitätsverhältnis des Strahlenbündels 4 in der Pupillenebene über die Oktanten O1 bis O8 gemäß folgender Formel: E090 = (IO2 + IO3 + IO6 + IO7)/(IO1 + IO4 + IO5 + IO8)
  • Der Elliptizitätswert E090 entspricht also anschaulich dem Verhältnis der Intensität aus Bereichen von mit überwiegendem y-Richtungsanteil einfallenden Beleuchtungsrichtungen im Verhältnis zu der Intensität aus Berei chen von mit überwiegendem x-Richtungsanteil einfallenden Beleuchtungsrichtungen.
  • Dargestellt ist in der 7 der Elliptizitätswert E090 als prozentuale Abweichung vom Elliptizitätswert 1. Der Elliptizitätswert E090 ist dargestellt für zwei verschiedene annulare Beleuchtungssettings. Strichpunktiert dargestellt ist eine annulare Beleuchtung, bei der Beleuchtungswinkel zwischen dem 0,75- und dem 0,95-fachen der maximalen bildseitigen numerischen Apertur der Beleuchtungsoptik genutzt werden. Dieses Beleuchtungssetting wird nachfolgend auch als großes annulares Setting bezeichnet. Gestrichelt dargestellt ist zudem eine annulare Beleuchtung, bei der Beleuchtungswinkel zwischen dem 0,65- und dem 0,85-fachen der maximalen bildseitigen numerischen Apertur der Beleuchtungsoptik genutzt werden. Dieses Beleuchtungssetting wird nachfolgend auch als kleines annulares Setting bezeichnet.
  • Beim großen annularen Setting nimmt der Elliptizitätsparameter E090 hin zu den beiden Feldrändern in etwa parabolisch ab, wobei an den Feldrändern die Abweichung des E090-Wertes von 1 mehr als 3% beträgt. Beim kleinen annularen Setting resultiert ein ähnlicher Verlauf des Elliptizitätsparameters E090, wobei am Feldrand eine geringere Reduzierung des E090-Wertes um etwa 2% resultiert. In der Feldmitte bleibt der Elliptizitätswert E090 konstant bei null.
  • Die Abnahme des Elliptizitätswerts E090 zum Feldrand hin kann zum Ausgleich eines gegenläufigen Elliptizitätseffekts herangezogen werden, der durch optische Beschichtungen der optischen Flächen der einzelnen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5 resultiert.
  • 9 zeigt die Uniformität (uniformity) der Beleuchtung des Objektfeldes über die Feldhöhe. Beleuchtet wird hier ebenfalls mit den Settings, die vorstehend im Zusammenhang mit der 7 erläutert wurden.
  • Die Uniformität U ist definiert als die in y-Richtung integrierte Gesamtenergie SE an einem x-Wert, also bei einer Feldhöhe, in der Objektebene 6. Dieser Wert wird üblicherweise noch normiert, so dass gilt: Uniformität in % = 100(SE(x)max – SE(x)min)/(SE(x)max + SE(x)min)SE(x)max stellt dabei die maximale und SE(x)min die minimale scanintegrierte Gesamtenergie dar.
  • Die Uniformität nimmt, ausgehend von der Feldmitte (x = 0) sowohl beim kleinen als auch beim großen annularen Setting zunächst in etwa parabolisch zu. In der Nähe des Feldrandes steigt die Uniformität beim großen annularen Setting auf einen Wert von etwa 1,3% an. Beim kleinen annularen Setting steigt auch am Feldrand die Uniformität nicht über einen Wert, der größer ist als 1%.
  • 10 zeigt die Uniformität über die Feldhöhe x für zwei X-Dipol-Beleuchtungssettings.
  • Gestrichelt ist der Uniformitätswert für ein großes X-Dipol-Setting dargestellt, das nachfolgend anhand von 11 erläutert wird. 11 zeigt ähnlich der 8 eine Ausleuchtung einer der Pupillenebenen der Beleuchtungsoptik 5 am Beispiel der Pupillenebene 29. Das große X-Dipol-Setting 44 ist als Gruppe zweier 90°-Abschnitte durchgezogen dargestellt. Die beiden Ringabschnitte des X-Dipol-Settings 44, also dessen beide Pole, über streichen die Oktanten O1, O8 einerseits und O4, O5 andererseits. Die beiden Ringabschnitte werden begrenzt durch zwei Teilkreise, die auf Radien laufen, die dem 0,75-fachen und dem 0,95-fachen eines maximalen Aperturradius R in der Pupillenebene 29 entsprechen.
  • In der 11 strichpunktiert dargestellt ist auch ein kleines X-Dipol-Setting 45, dessen Pole von Teilkreisen begrenzt sind, deren Radien dem 0,65-fachen und dem 0,85-fachen des maximalen Aperturradius R in der Pupillenebene 29 entsprechen.
  • Die Uniformität nimmt, wie in der 10 dargestellt, beim großen X-Dipol-Setting ausgehend von einem Wert 0 in der Feldmitte zum Rand hin bis auf einen Wert von 3% zu. Beim kleinen X-Dipol-Setting nimmt die Uniformität in ähnlicher Form, jedoch nicht in gleicher Stärke, bis zu einem Wert von 2% am Feldrand zu.
  • 12 zeigt den Feldverlauf der Uniformität für ein großes und ein kleines Y-Dipol-Setting. Die Y-Dipol-Settings gehen aus den X-Dipol-Settings nach 11 durch Drehung um 90° um die z-Achse hervor. Die Uniformität nimmt für das große Y-Dipol-Setting ausgehend von einem Wert 0 in der Feldmitte bis zu einem Wert von etwa –1,4% am Feldrand ab. Beim kleinen Y-Dipol-Setting nimmt die Uniformität, ebenfalls ausgehend von einem Wert von 0 in der Feldmitte auf einen Wert von etwa –0,9% ab.
  • Die Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung insbesondere mit einer feldrandseitig großen Soll-Phasenabweichung, wie in der 6 dargestellt, ermöglicht die Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung für die Objektfeldpunkte, bei der zusätzlich eine vorgegebene Intensitätsverteilung beispielsweise über das gesamte Objektfeld in der Objektebene 6 erreicht werden kann. Zu dieser Einstellung wird zunächst die Soll-Phasenabweichung von einer ideal sphärischen Wellenfront vorgegeben, beispielsweise ein Phasenabweichungsverlauf wie in der 6 dargestellt. Diese Soll-Phasenabweichung wird für diejenige Wellenfront angegeben, die nach dem Durchtreten der gesamten Beleuchtungsoptik 5, also nach Durchtreten der letzten Linse 34 der REMA-Linsengruppe 15, am randseitigen Maß-Feldpunkt 36 des Objektfeldes ankommt. Die vorgegebene Soll-Phasenabweichung hat eine dreizählige Symmetrie, wie vorstehend für den Maß-Feldpunkt 36 anhand der 4 erläutert. Die Soll-Phasenabweichung hat also in einer Umfangsrichtung um den Hauptstrahl 39 verteilt drei Phasenmaxima MAX und drei zwischen jeweils zweien der Phasenmaxima MAX liegende Phasenminima MIN. Nach dieser Vorgabe der Soll-Phasenabweichung wird die Pfeilhöhenfunktion der optischen Flächen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5, also insbesondere der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34 an die vorgegebene Soll-Phasenabweichung angepasst. Dies erfolgt durch Variation der Koeffizienten der Pfeilhöhenfunktion sowie der Luftabstände zwischen den optischen Komponenten. Die Variation wird so durchgeführt, dass eine Differenz einer Ist-Phasenabweichung, die von der Beleuchtungsoptik 5 am Maß-Feldpunkt 36 erzeugt wird, von der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung minimiert ist. Entsprechend den so angepassten Pfeilhöhenfunktionen werden dann die optischen Flächen der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34 geformt.
  • Es ist nicht zwingend erforderlich, die Form der optischen Flächen aller optischen Komponenten zur Einstellung der Soll-Phasenabweichung zu variieren. Es reicht aus, ausgewählte optische Flächen zu variieren. Prinzipiell kann es genügen, die vorgegebene Soll-Phasenabweichung über die Variation der Form einer einzigen optischen Fläche innerhalb vorgegebener Grenzen zu erreichen.
  • Bei der Auswahl der optischen Flächen zur Vorgabe einer bestimmten Phasenabweichung mit entsprechend dem Vorstehenden erläuterten dreizähligen Symmetrie, kann berücksichtigt werden, dass die Wirkung einer Änderung der Pfeilhöhe einer optischen Fläche auf die Phasenabweichung eines Feldpunktes gleichzeitig von der dritten Potenz einer Pupillenkoordinate und von der dritten Potenz einer Feldkoordinate abhängt.
  • Die Soll-Phasenabweichung mit den drei Phasenmaxima und den zwischenliegenden drei Phasenminima kann, wie vorstehen im Zusammenhang mit der 6 erläutert, durch Vorgabe eines Zernike-Koeffizienten Z11 bei der Beschreibung der Wellenfunktion am Maß-Feldpunkt 36 geschehen. Alternativ ist es möglich, für den Maß-Feldpunkt 36 den Phasenwert für drei im Maß-Feldpunkt ankommende Einzelstrahlen vorzugeben, die in Umfangsrichtung um den Hauptstrahl 39 zueinander versetzt angeordnet sind. Es muss sich dabei um Einzelstrahlen handeln, die im Rahmen der jeweils gewählten Wellenfrontbeschreibung eine eindeutige Phasencharakterisierung der Form der am Maß-Feldpunkt 36 ankommenden Wellenfront ermöglichen. Drei Durchstoßpunkte 46, 47, 48 derartiger Einzelstrahlen sind beispielhaft in der 4 angedeutet. Der Durchstoßpunkt 46 liegt im Bereich der 2-Uhr-Position, der Durchstoßpunkt 47 im Bereich der 4-Uhr-Position und der Durchstoßpunkt 48 im Bereich der 9-Uhr-Position der annularen Beleuchtung des Maß-Feldpunkts 36.
  • Die durch die vorgegebene Soll-Phasenabweichung erzwungene Dreizähligkeit der auf die randseitigen Objektfeldpunkte auftreffenden Wellenfront erzwingt eine beispielsweise näherungsweise parabolische Abhängigkeit der Beleuchtungsparameter Elliptizität (E090) und Uniformität wie vorstehend insbesondere im Zusammenhang mit den 7, 10 und 12 erläutert. Diese parabolische Abhängigkeit wird als Vorhalt zur Kompensation gegenläufiger parabolischer Feldabhängigkeiten dieser Beleuchtungsparameter eingesetzt, die beispielsweise durch Schichteffekte auf den optischen Flächen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5 erzeugt werden.
  • Typische Vorhaltwerte sind Verläufe des Elliptizitätswertes E090 derart, dass sich dieser am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert, und Verläufe des Uniformitätswertes derart, dass sich dieser am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert.
  • Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels 6a auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer bzw. dem Substrat 11a zur lithographischen Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel 6a und der Wafer 11a zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.

Claims (11)

  1. Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld mit gleichzeitig vorgegebener Intensitätsverteilung einer Beleuchtung über das Objektfeld mit folgenden Schritten: – Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung von einer ideal sphärischen Wellenfront von Nutzlicht, die nach Durchtreten einer Beleuchtungsoptik (5) an einem randseitigen Maß-Feldpunkt (36) des Objektfeldes ankommt, wobei die Soll-Phasenabweichung eine dreizählige Symmetrie hat, die Soll-Phasenabweichung also in Umfangsrichtung um einen auf dem Maß-Feldpunkt (36) auftreffenden Hauptstrahl (39) verteilt drei Phasenmaxima (MAX) und drei zwischen jeweils zweien der Phasenmaxima (MAX) liegende Phasenminima (MIN) aufweist, – Variation von – Entwicklungskoeffizienten, die eine rotationssymmetrische Pfeilhöhe mindestens einer optischen Fläche einer optischen Komponente (16 bis 21, 24 bis 28, 30 bis 34) der Beleuchtungsoptik (5) beschreiben, – Luftabständen zwischen den optischen Komponenten (16 bis 21, 24 bis 28, 30 bis 34) derart, – dass eine Differenz einer Ist-Phasenabweichung, die von der Beleuchtungsoptik (5) am Maß-Feldpunkt (36) erzeugt wird, von der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung minimiert ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Soll-Phasenabweichung als Funktion über eine Feldhöhe des Objektfeldes oder des Bildfeldes vorgegeben wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorgabe der Soll-Phasenabweichung durch Vorgabe des Phasenwertes mindestens dreier im Maß-Feldpunkt ankommender Einzelstrahlen (46 bis 48) erfolgt, die in Umfangsrichtung um den Hauptstrahl (39) zueinander versetzt angeordnet sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorgabe der Soll-Phasenabweichung durch – Entwicklung der Wellenfront, die am Maß-Feldpunkt (36) ankommt, in eine Zernike-Reihe und durch – Vorgabe der Soll-Phasenabweichung durch Vorhalt eines von Null abweichenden Z11-Sollwertes erfolgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die Vorgabe eines Z11-Sollwertes in der Größenordnung mehrerer Nutzlicht-Wellenlängen, insbesondere in der Größenordnung mehrerer 10 Nutzlicht-Wellenlängen.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorgabe derart erfolgt, dass sich ein Elliptizitätswert E090 am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorgabe derart erfolgt, dass sich eine Uniformität am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert.
  8. Beleuchtungsoptik (5) zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage (1), gekennzeichnet durch eine nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 eingestellte Beleuchtungswinkel- und Intensitätsverteilung.
  9. Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8.
  10. Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (11a), auf das zumindest teilweise eine Schicht auf einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (6a), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 9, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (6a) auf einen Bereich der Schicht des Substrats (11a) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
  11. Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 10.
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