DE102008011134A1 - Method for adapting imaging characteristics, involves determining polarization distribution which is presented in predetermined level of illumination equipment of projection lighting device - Google Patents

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Abstract

The method involves determining a polarization distribution (S10) which is presented in a predetermined level of an illumination equipment of a projection lighting device. Another polarization distribution is determined (S20) in pupil level by another illumination equipment. The difference distribution is determined (S30) from the two polarization distributions. The two polarization distributions are manipulated (S50) after selecting or adjusting polarization influencing optical element. Independent claims are also included for the following: (1) a method for manipulating imaging characteristic of a microlithographic projection lighting device (2) a polarization manipulator (3) an illumination equipment (4) a microlithographic projection lighting device.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Anpassen der Abbildungseigenschaften von wenigstens zwei mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen aneinander.The The invention relates to a method for adjusting the imaging properties of at least two microlithographic projection exposure machines together.

Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.microlithography is used for the production of microstructured components, such as integrated circuits or LCDs, applied. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus, which a lighting device and a projection lens having. The image of a lit by the illumination device Mask (= reticle) is here by means of the projection lens on a photosensitive layer (photoresist) coated and substrate disposed in the image plane of the projection lens (eg, a silicon wafer) projected around the mask pattern to transfer the photosensitive coating of the substrate.

Da das Retikel im Mikrolithographieprozess einen signifikanten Kostenbeitrag liefert, ist es wünschenswert, ein und dasselbe Retikel in zwei oder mehr Projektionsbelichtungsanlagen verwenden zu können. Um hierbei übereinstimmende Resultate bei der Belichtung auf Waferebene zu erzielen, ist es erforderlich, die Abbildungseigenschaften der Systeme aneinander anzupassen, d. h. wenigstens eine dieser Projektionsbelichtungsanlagen so zu modifizieren, dass die Kombination aus Beleuchtungseinrichtung, Retikel und Projektionsobjektiv auf Waferebene im Idealfall das gleiche Abbildungsergebnis bei Wechsel zwischen den beiden Systemen ergibt. Dieses Verfahren wird als „Tool-to-Tool-Matching" bezeichnet. Als geeignetes Kriterium für die Anpassung der Abbildungseigenschaften kann dabei die Abweichung der bei Abbildung der unterschiedlichen Linienabstände in den auf der Maske vorhandenen zweidimensionalen Strukturen erzielten Linienbreiten verwendet werden, welche nach dem „Tool-to-Tool-Matching" möglichst gering sein soll.There the reticle in the microlithography process a significant cost contribution it is desirable to have one and the same reticle to use in two or more projection exposure systems. To coincide results in the exposure At the wafer level, it is necessary to have the imaging properties adapt the systems to each other, d. H. at least one of these projection exposure systems to modify so that the combination of lighting device, reticle and projection lens at wafer level ideally the same Image result when switching between the two systems results. This process is called tool-to-tool matching suitable criterion for the adaptation of the imaging properties can the deviation of the image of the different Line spacing in the two-dimensional ones present on the mask Structures achieved line widths are used, which after the tool-to-tool matching as low as possible should.

Aus WO 2006/077849 A1 ist es u. a. bekannt, in einer Pupillenebene einer Beleuchtungseinrichtung oder in deren Nähe ein optisches Element zur Umwandlung des Polarisationszustandes anzuordnen, welches eine Mehrzahl variabler optischer Rotatorelemente aufweist, durch welche die Polarisationsrichtung von auftreffendem, linear polarisiertem Licht mit einem variabel einstellbaren Rotationswinkel gedreht oder die Elliptizität des Polarisationszustandes geändert werden kann und wel che jeweils aus zwei relativ zueinander beweglichen, den Polarisationszustand drehenden Ablenkprismen ausgebildet sind. Der durch diese Rotatorelemente bereitgestellte variable Rotationswinkel bzw. Polarisationszustand wird insbesondere auch gemäß dem von einer Einrichtung zur Messung des Polarisationszustandes gelieferten Messergebnis eingestellt, um etwa zwei Systeme aneinander anzupassen.Out WO 2006/077849 A1 It is known, inter alia, to arrange in a pupil plane of a lighting device or in its vicinity a polarization state conversion optical element having a plurality of variable optical rotator elements through which the polarization direction of incident linearly polarized light is rotated at a variably adjustable rotation angle or ellipticity of the polarization state can be changed and wel che each of two relatively movable, the polarization state rotating deflecting prisms are formed. In particular, the variable rotation angle or state of polarization provided by these rotator elements is also adjusted according to the measurement result provided by a device for measuring the state of polarization, in order to adapt two systems to one another.

Aus WO 2005/069081 A2 ist u. a. ein polarisationsbeeinflussendes Element bekannt, welches aus einem optisch aktiven Kristall besteht und ein in Richtung der optischen Achse des Kristalls variierendes Dickenprofil aufweist.Out WO 2005/069081 A2 Inter alia, a polarization-influencing element is known, which consists of an optically active crystal and has a varying in the direction of the optical axis of the crystal thickness profile.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Anpassen der Abbildungseigenschaften von wenigstens zwei mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen aneinander bereitzustellen, welches bei einfacher Handhabung eine flexible und genaue Anpassung ermöglicht.task The present invention is a method for adjusting the Imaging properties of at least two microlithographic projection exposure machines to provide each other, which with ease of use a flexible and accurate adjustment allows.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Anpassen der Abbildungseigenschaften von wenigstens zwei mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen aneinander, von denen jede eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, weist folgende Schritte auf:

  • – Ermitteln einer ersten Polarisationsverteilung, welche in einer vorbestimmten Ebene der Beleuchtungseinrichtung einer ersten Projektionsbelichtungsanlage vorliegt;
  • – Ermitteln einer zweiten Polarisationsverteilung, welche in einer vorbestimmten Ebene der Beleuchtungseinrichtung einer zweiten Projektionsbelichtungsanlage vorliegt; und
  • – Manipulieren der in einer Pupillenebene von wenigstens einer dieser Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Polarisationsverteilung in Abhängigkeit von der ermittelten ersten Polarisationsverteilung und der ermittelten zweiten Polarisationsverteilung,
  • – wobei dieses Manipulieren durch Einbringen wenigstens eines Polarisationsmanipulators in den Strahlengang der betreffenden Beleuchtungseinrichtung erfolgt, wobei die Dicke des Polarisationsmanipulators in einer zur optischen Systemachse der Beleuchtungseinrichtung senkrechten Ebene variiert und über den gesamten optisch wirksamen Bereich des Polarisationsmanipulators um nicht mehr als 50 μm von der Dicke einer Planplatte abweicht, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.
A method according to the invention for adapting the imaging properties of at least two microlithographic projection exposure apparatuses to each other, each of which has an illumination device and a projection objective, comprises the following steps:
  • Determining a first polarization distribution which is present in a predetermined plane of the illumination device of a first projection exposure apparatus;
  • - Determining a second polarization distribution, which is present in a predetermined plane of the illumination device of a second projection exposure system; and
  • Manipulating the polarization distribution present in a pupil plane of at least one of these illumination devices as a function of the determined first polarization distribution and the determined second polarization distribution,
  • - Wherein this manipulation is carried out by introducing at least one polarization manipulator in the beam path of the relevant illumination device, wherein the thickness of the polarization manipulator in a plane perpendicular to the optical system axis of the illumination device level varies and over the entire optically effective range of the polarization manipulator by not more than 50 microns in thickness deviates from a plane plate, which leaves unchanged the polarization state for vertically passing light of a working wavelength.

Gemäß der vorliegenden Erfindung werden somit, nach Ermittlung des Unterschiedes zwischen den ermittelten Polarisationsverteilungen der beiden aneinander anzupassenden Systeme, zur An passung der beiden Systeme ein oder mehrere Polarisationsmanipulatoren bzw. polarisationsbeeinflussende Elemente verwendet, welche einen vergleichsweise geringen Dickenunterschied gegenüber einer den Polarisationszustand unverändert lassenden Planplatte aufweisen. Mittels eines solchen Polarisationsmanipulators, welcher insbesondere als den optisch wirksamen Bereich der Pupille ausfüllendes, einzelnes Element mit der besagten Dickenvariation ausgebildet sein kann, kann in flexibler Weise eine Orts- bzw. pupillenaufgelöste Veränderung des IPS-Wertes erreicht werden, wobei der betreffende Polarisationsmanipulator auch je nach Bedarf in den Strahlengang eingeschoben bzw. ausgetauscht werden kann.Thus, according to the present invention, after determining the difference between the determined polarization distributions of the two systems to be matched, one or more polarization manipulators or polarization-influencing elements are used for matching the two systems, which have a comparatively small difference in thickness relative to a plane plate that leaves the polarization state unchanged , By means of such polarization manipulators, which may be formed in particular as the optically effective area of the pupil filling, single element with said thickness variation, a spatially or pupil resolved change in the IPS value can be achieved in a flexible manner, the respective polarization manipulator also as needed in the beam path can be inserted or replaced.

Der gemäß der Erfindung eingesetzte Polarisationsmanipulator kann ein polarisationsbeeinflussendes Element sein, welches insbesondere einstückig ausgebildet sein kann, oder als eine Anordnung aus einer Mehrzahl von Teilelementen ausgebildet sein.Of the According to the invention used polarization manipulator may be a polarization-influencing element, which in particular may be formed integrally, or as an arrangement of be formed of a plurality of sub-elements.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weicht die Dicke des Polarisationsmanipulators über dessen gesamten optisch wirksamen Bereich bzw. über dessen gesamte optisch wirksame Fläche um nicht mehr als 30 μm, bevorzugt um nicht mehr als 10 μm von der Dicke einer Planplatte ab, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.According to one preferred embodiment, the thickness of the polarization manipulator deviates over the entire optically effective area or over its entire optically effective area of not more than 30 μm, preferably not more than 10 μm from the thickness of a plane plate indicating the polarization state for light passing vertically a working wavelength remains unchanged.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform erfolgt das Manipulieren der in der betreffenden Pupillenebene vorliegenden Polarisationsverteilung zumindest überwiegend durch Änderung der Elliptizität des Polarisationszustandes, im Folgenden kurz Polarisationselliptizität genannt. Die Polarisationsorientierung wird dabei um nicht mehr als 1°, bevorzugt um nicht mehr als 0.5°, geändert.According to one preferred embodiment, the manipulation of the polarization distribution present in the relevant pupil plane at least predominantly by changing the ellipticity of the Polarization state, in the following short polarization ellipticity called. The polarization orientation is no longer around changed by 1 °, preferably by not more than 0.5 °.

Eine Änderung der Polarisationselliptizität kann gegenüber einer reinen Drehung des Polarisationszustandes, also einer Änderung der Polarisationsorientierung, insofern von Vorteil sein, als keine Asymmetrie in das System eingeführt wird, welche bei Abbildung von auf dem Retikel vorhandenen, voneinander verschieden orientierten Strukturen zu einer unterschiedlichen Abbildung dieser Strukturen und damit zu Bildfehlern führen kann.A change the polarization ellipticity can be compared to a pure rotation of the polarization state, ie a change the polarization orientation, to the extent of advantage, as no asymmetry is introduced into the system, which when mapping from present on the reticle, mutually differently oriented Structures to a different picture of these structures and can lead to image errors.

Gemäß einer Ausführungsform wird der Schritt des Manipulierens derart durchgeführt, dass dabei die erste und die zweite Polarisationsverteilung wenigstens bereichsweise in Übereinstimmung gebracht werden.According to one Embodiment becomes the step of manipulating such performed in that case the first and the second polarization distribution at least be brought into line in certain areas.

Gemäß einer Ausführungsform wird beim Ermitteln der ersten Polarisationsverteilung und der zweiten Polarisationsverteilung jeweils eine örtliche Verteilung einer für den Grad der Verwirkli chung eines bestimmten Polarisationszustandes charakteristischen Größe bestimmt, wobei der Schritt des Manipulierens derart durchgeführt wird, dass eine Differenzverteilung dieser Verteilungen nach dem Manipulieren zumindest bereichsweise geringere Werte aufweist als vor dem Manipulieren. Dabei kann es sich bei der für den Grad der Verwirklichung eines bestimmten Polarisationszustandes charakteristischen Größe beispielsweise um den sogenannten IPS-Wert handeln, welcher das energetische Verhältnis der Lichtintensität mit einer Polarisationsvorzugsrichtung in Sollrichtung zur Gesamtintensität angibt.According to one Embodiment is when determining the first polarization distribution and the second polarization distribution each have a local distribution one for the degree of realization of a particular one Polarization state characteristic size determined, wherein the step of manipulating carried out such is that a difference distribution of these distributions after the Manipulating has at least partially lower values than before manipulating. It may be in the for the Degree of realization of a certain polarization state characteristic size for example around the so-called IPS value, which is the energetic ratio the light intensity with a polarization preferential direction in Specified target direction to total intensity.

Gemäß einer Ausführungsform weist der Polarisationsmanipulator ein doppelbrechendes Kristallmaterial mit einer optischen Kristallachse auf, welche in der zur optischen Systemachse dieser Beleuchtungseinrichtung senkrechten Ebene orientiert ist. In diesem Falle handelt es sich bei der den Polarisationszustand für senkrechten Lichtdurchtritt unverändert lassenden Planplatte, gegenüber der der Polarisationsmanipulator eine geringfügige Dickenvariation aufweist, um eine sogenannte Lambda-Platte („Full-Wave-Plate"), also eine Planplatte, welche zwischen orthogonalen bzw. zueinander senkrechten Polarisationszuständen eine Phasendifferenz von 360° oder ein ganzzahliges Vielfaches hiervon einführt.According to one Embodiment, the polarization manipulator birefringent crystal material with an optical crystal axis on which in the optical system axis of this lighting device oriented perpendicular plane. In this case it is at the polarization state for vertical light passage unchanged plan plate, opposite the the polarization manipulator has a slight thickness variation, to a so-called lambda plate ("full-wave plate"), ie a plane plate, which between orthogonal and mutually perpendicular polarization states a phase difference of 360 ° or an integer multiple introduces thereof.

Bei dieser Ausführungsform wird ausgenutzt, dass eine durch das doppelbrechende Kristallmaterial eingeführte Verzögerung bei geeigneter Orientierung der optischen Kristallachse (nämlich unter einem Winkel von 45° zwischen der schnellen Achse der Doppelbrechung und der Polarisationsvorzugsrichtung des auftreffenden Lichtes) zur Einführung einer Polarisationselliptizität führt, wobei die Polarisationsorientierung erhalten bleibt. Dabei besteht (wie weiter unten näher erläutert) ein definierter Zusammenhang zwischen der eingeführten Polarisationselliptizität und dem IPS-Wert, so dass die erforderliche Dickenvariation des Polarisationsmanipulators bei Kenntnis der notwendigen Änderung der IPS-Verteilung berechnet werden kann.at This embodiment is exploited that a through the birefringent crystal material introduced delay with suitable orientation of the optical crystal axis (viz at an angle of 45 ° between the fast axis of the Birefringence and the polarization preferred direction of the impinging Light) to introduce a polarization ellipticity leads, wherein the polarization orientation is maintained. It consists (as explained in more detail below) a defined relationship between the introduced Polarization ellipticity and the IPS value, so that the required thickness variation of the polarization manipulator in knowledge necessary change in the IPS distribution can.

Des Weiteren können auch sowohl ein oder mehrere die Polarisationselliptizität ändernde Polarisationsmanipulatoren als auch ein oder mehrere die Polarisationsorientierung drehende Polarisationsmanipulatoren eingesetzt werden. Diese Polarisationsmanipulatoren können sowohl in Lichtausbreitungsrichtung direkt hintereinander oder auch ggf. in unterschiedlichen Pupillenebenen der Beleuchtungseinrichtung angeordnet sein. Insbesondere kann auch z. B. mit einem oder mehreren Polarisationsmanipulator(en) die Polarisationselliptizität geändert und mit einem anderen oder mehreren Polarisationsmanipulator(en) unabhängig hiervon der Polarisationszustand gedreht werden.Of Further, both one or more polarization ellipticity changing ones may also be used Polarization manipulators and one or more the polarization orientation rotating polarization manipulators are used. These polarization manipulators can both directly behind each other in the direction of light propagation or possibly in different pupil planes of the illumination device be arranged. In particular, z. B. with one or more Polarization manipulator (s) the polarization ellipticity modified and with another or more polarization manipulator (s) regardless of this, the polarization state can be rotated.

Bei dem doppelbrechenden Kristallmaterial kann es sich beispielsweise um kristallines Quarz, aber auch um ein anderes optisch einachsiges Kristallmaterial wie z. B. Magnesium-Fluorid (MgF2) oder Saphir (Al2O3) handeln, welches bei der Arbeitswellenlänge (z. B. ca. 193 nm) eine hinreichende Transmission aufweist.The birefringent crystal material may be, for example, crystalline quartz, but also another optically uniaxial crystal material such as. As magnesium fluoride (MgF 2 ) or sapphire (Al 2 O 3 ), which at the operating wavelength (eg., About 193 nm) a sufficient trans mission.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Polarisationsmanipulator ein optisch aktives Kristallmaterial mit einer optischen Kristallachse auf, welche parallel zur optischen Systemachse dieser Beleuchtungseinrichtung orientiert ist. In diesem Falle handelt es sich bei der den Polarisationszustand für senkrechten Lichtdurchtritt unverändert lassenden Planplatte, gegenüber der der Polarisationsmanipulator eine geringfügige Dickenvariation aufweist, um eine Planplatte, welche die Polarisationsorientierung des hindurch tretenden Lichtes um 180° oder ein ganzzahliges Vielfaches hiervon dreht.According to one Another embodiment, the polarization manipulator an optically active crystal material having an optical crystal axis, which parallel to the optical system axis of this lighting device is oriented. In this case, it is the polarization state for vertical passage of light leaving unchanged Planplatte, opposite the polarization manipulator has a slight thickness variation around a plane plate, which the polarization orientation of the passing light rotates by 180 ° or an integer multiple thereof.

Bei dem optisch aktiven Kristallmaterial kann es sich beispielsweise um kristallines Quarz handeln.at The optically active crystal material may be, for example to act crystalline quartz.

Bei dieser weiteren Ausführungsform erfolgt die Anpassung der Polarisationsverteilungen der beiden Systeme aneinander mittels einer Drehung der Polarisationsorientierung, die durch das optisch aktive Kristallmaterial proportional zu seiner Dicke bewirkt wird, wobei wiederum ein definierter Zusammenhang zwischen der erzeugten Änderung der Polarisationsvorzugsrichtung und dem IPS-Wert besteht, so dass die erforderliche Dickenvariation des Polarisationsmanipulators bzw. des polarisationsbeeinflussenden Elementes bei Kenntnis der notwendigen Änderung der IPS-Verteilung berechnet werden kann.at this further embodiment, the adaptation of the Polarization distributions of the two systems to each other by means a rotation of the polarization orientation, by the optical active crystal material is effected in proportion to its thickness, again a defined relationship between the generated change the polarization preferred direction and the IPS value, so that the required thickness variation of the polarization manipulator or the polarization-influencing element with knowledge of necessary change of the IPS distribution can be calculated.

Gemäß einer Ausführungsform wird der Polarisationsmanipulator bzw. das polarisationsbeeinflussende Element in Abhängigkeit von der ermittelten ersten Polarisationsverteilung und der ermittelten zweiten Polarisationsverteilung aus einem Vorrat von unterschiedlichen polarisationsbeeinflussenden Elementen ausgewählt.According to one Embodiment, the polarization manipulator or the polarization-influencing element in dependence from the determined first polarization distribution and the determined second Polarization distribution from a supply of different polarization-influencing Elements selected.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Polarisationsmanipulator eine Mehrzahl von Teilelementen auf, welche in der betreffenden Pupillenebene unabhängig voneinander bewegbar sind.According to one Another embodiment, the polarization manipulator a plurality of sub-elements, which in the respective pupil plane are independently movable.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weist das Verfahren weiter den Schritt auf: Manipulieren einer in einer Pupillenebene von wenigstens einer dieser Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Intensitätsverteilung derart, dass die in den Pupillenebenen der beiden Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Intensitätsverteilungen wenigstens bereichsweise in Übereinstimmung gebracht werden. Hierdurch wird dem Umstand Rechnung getragen, dass mittels der vorstehend be schriebenen Anpassung der Polarisationsverteilung noch keine -ebenfalls wünschenswerte- Anpassung der Intensitätsverteilung erfolgt. Letztere Anpassung kann beispielsweise mittels eines Elementes mit in einer zur optischen Systemachse senkrechten Ebene variierender Transmission (z. B. einem Graustufenfilter) erzielt werden.According to one preferred embodiment, the method continues the step of: manipulating one in a pupil plane of at least one of these illumination devices present intensity distribution such that in the pupil planes of the two illumination devices present intensity distributions at least partially be reconciled. This will be the Taking into account that by means of the above-described be Adaptation of the polarization distribution still no-also desirable- Adjustment of the intensity distribution takes place. Latter adjustment For example, by means of an element with in an optical System axis vertical plane of varying transmission (eg Grayscale filter).

Das erfindungsgemäße Konzept der Pupillen- bzw. ortsaufgelösten Veränderung der Polarisationsverteilung bzw. des IPS-Wertes mittels wenigstens eines Polarisationsmanipulators, welcher einen vergleichsweise geringen Dickenunterschied gegenüber einer den Polarisationszustand unverändert lassenden Planplatte aufweist, lässt sich nicht nur auf die Anpassung zweier Projektionsbelichtungsanlagen aneinander, sondern auch auf die Manipulation der Abbildungseigenschaften einer einzelnen Projektionsbelichtungsanlage anwenden.The inventive concept of pupil or spatially resolved Change in the polarization distribution or the IPS value by means of at least one polarization manipulator, which has a comparatively small difference in thickness compared to a polarization state Having left unaltered plan plate leaves not only the adaptation of two projection exposure systems to each other, but also to the manipulation of the imaging properties a single projection exposure system.

Die Erfindung betrifft daher gemäß einem weiteren Aspekt auch ein Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Projektionsbelichtungsanlage eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei das Verfahren den Schritt aufweist:

  • – Einbringen wenigstens eines Polarisationsmanipulators in den Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung, wobei die Dicke des Polarisationsmanipulators in einer zur optischen Systemachse der Beleuchtungseinrichtung senkrechten Ebene variiert und über den gesamten optisch wirksamen Bereich des Polarisationsmanipulators um nicht mehr als 50 μm von der Dicke einer Planplatte abweicht, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.
The invention therefore also relates, according to a further aspect, to a method for manipulating the imaging properties of a microlithographic projection exposure apparatus, the projection exposure apparatus comprising a lighting device and a projection objective, the method comprising the step:
  • Introducing at least one polarization manipulator into the beam path of the illumination device, wherein the thickness of the polarization manipulator varies in a plane perpendicular to the optical system axis of the illumination device and does not deviate over the entire optically active region of the polarization manipulator by more than 50 μm from the thickness of a plane plate which Polarization state for perpendicular passing light of a working wavelength leaves unchanged.

Die Erfindung betrifft ferner einen Polarisationsmanipulator, welcher zur Verwendung in einem erfindungsgemäßen Verfahren ausgelegt ist, sowie eine Beleuchtungseinrichtung bzw. eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Polarisationsmanipulator. Zu bevorzugten Ausgestaltungen wird auf die Ausführungen im Zusammenhang mit den vorstehend beschriebenen Verfahren Bezug genommen.The The invention further relates to a polarization manipulator, which for use in a method according to the invention is designed, and a lighting device or a microlithographic Projection exposure apparatus with such a polarization manipulator. Preferred embodiments of the embodiments in connection with the above described methods taken.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further Embodiments of the invention are the description and the dependent claims refer to.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The Invention is described below with reference to the attached Figures illustrated embodiments closer explained.

Es zeigen:It demonstrate:

1 ein Flussdiagramm zur Erläuterung des prinzipiellen Ablaufes des erfindungsgemäßen Verfahrens. 1 a flowchart for explaining the basic sequence of the method according to the invention.

2a–c schematische Darstellungen eines prinzipiellen, beispielhaften Aufbaus gemessener IPS-Verteilungen in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung von unterschiedlichen Projektionsbelichtungsanlagen (2a bzw. 2b) sowie eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäß zur Anpassung dieser IPS-Verteilungen verwendeten Polarisationsmanipulators (2c), jeweils in Draufsicht entlang der Lichtausbreitungsrichtung; 2a -C schematic representations of a principle, exemplary construction of measured IPS distributions in the pupil plane of the illumination device of different projection exposure systems ( 2a respectively. 2 B ) and a schematic representation of a polarization manipulator used according to the invention for adapting these IPS distributions ( 2c ), respectively in plan view along the light propagation direction;

2d eine schematische Darstellung des Aufbaus eines zur Anpassung von Polarisationsverteilungen in Beleuchtungseinrichtungen unterschiedlicher Projektionsbelichtungsanlagen verwendeten Polarisationsmanipulators; 2d a schematic representation of the structure of a polarization manipulator used to adjust polarization distributions in lighting devices of different projection exposure systems;

3a–b schematische Darstellungen zweier IPS-Verteilungen in den Pupillenebenen unterschiedlicher, mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens aneinander anzupassender Beleuchtungseinrichtungen; 3a -B are schematic representations of two IPS distributions in the pupil planes of different illumination devices to be matched to one another by means of the method according to the invention;

4 ein Diagramm, in welchem der IPS-Wert über den Querschnitt der Pupille für das System von 3a aufgetragen ist; 4 a diagram in which the IPS value across the cross section of the pupil for the system of 3a is applied;

5 ein Diagramm, in welchem der Verlauf der Polarisationselliptizität über den Querschnitt der Pupille aufgetragen ist, welche gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung in das System von 3b eingeführt wird, um eine Anpassung an das System von 3a zu erreichen; 5 a diagram in which the course of polarization ellipticity is plotted over the cross section of the pupil, which according to a first embodiment of the invention in the system of 3b is introduced to adapt to the system of 3a to reach;

6 die Dickenvariation des gemäß der ersten Ausführungsform eingesetzten Polarisationsmanipulators zur Erzielung des Verlaufes der Polarisationselliptizität von 5; 6 the thickness variation of the polarization manipulator used according to the first embodiment to obtain the course of the polarization ellipticity of 5 ;

7a–b Diagramme zur Erläuterung einer Tiefpassfilterung, welche gemäß einer Ausführungsform der Erfindung vor Auswahl eines zur Anpassung zweier Systeme verwendeten Polarisationsmanipulators erfolgt; 7a -B are diagrams for explaining a low-pass filtering, which according to an embodiment of the invention takes place before selection of a polarization manipulator used to adapt two systems;

8–9 Diagramme, in welchen der Verlauf der Polarisationsorientierung über die Pupille in Einheiten von Radiant (rad, 8) bzw. Grad (9) aufgetragen ist, welche gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung in das System von 3b eingeführt wird, um eine Anpassung an das System von 3a zu erreichen; 8th - 9 Diagrams in which the course of polarization orientation across the pupil is expressed in units of radians (radians, 8th ) or degrees ( 9 ), which according to a second embodiment of the invention in the system of 3b is introduced to adapt to the system of 3a to reach;

10 die Dickenvariation des gemäß der zweiten Ausführungsform eingesetzten Polarisationsmanipulators zur Erzielung des Verlaufes der Polarisationsorientierung von 8–9; 10 the thickness variation of the polarization manipulator used according to the second embodiment to obtain the course of the polarization orientation of 8th - 9 ;

11 den Aufbau eines Polarisationsmanipulators gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; und 11 the construction of a polarization manipulator according to another embodiment of the invention; and

12 eine schematische Darstellung des prinzipiellen Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. 12 a schematic representation of the basic structure of a microlithographic projection exposure system.

Nachfolgend wird zunächst der prinzipielle Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Bezugnahme auf das Flussdiagramm von 1 erläutert. Ziel des Verfahrens ist es, bei einfacher Handhabung die möglichst genaue Anpassung der jeweils in den Pupillenebenen unterschiedlicher Beleuchtungseinrichtungen (bzw. in voneinander verschiedenen Projektionsbelichtungsanlagen) vorliegenden Polarisationsverteilungen aneinander (sogenanntes „Tool-to-Tool-Matching") zu erreichen, um auf beiden Projektionsbelichtungsanlagen jeweils die gleichen Abbildungsprozesse realisieren zu können (d. h. insbesondere auch das gleiche Retikel für den Lithographie-Prozess verwenden zu können).Hereinafter, the basic sequence of the method according to the invention with reference to the flowchart of 1 explained. The aim of the method is to achieve with simple handling the most accurate adaptation of each present in the pupil levels of different lighting devices (or in different projection exposure systems) polarization distributions to each other (so-called "tool-to-tool matching") to on both projection exposure systems in each case to be able to realize the same imaging processes (ie in particular also to be able to use the same reticle for the lithography process).

Hierzu werden zunächst in Schritten S10 bzw. S20 gemäß 1 die in den betreffenden Pupillenebenen der beiden Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Polarisationsverteilungen ermittelt. Eine eindeutige Beschreibung der betreffenden Polarisationsverteilungen ist durch die Beschreibung der Verteilungen von Polarisationsgrad, Polarisationsorientierung und Polarisationselliptizität möglich.For this purpose, first in steps S10 and S20 according to 1 determines the polarization distributions present in the respective pupil planes of the two illumination devices. A clear description of the respective polarization distributions is possible by describing the distributions of degree of polarization, polarization orientation and polarization ellipticity.

Die Beschreibung der betreffenden Polarisationsverteilungen erfolgt typischerweise auch als sogenannte IPS-Verteilung, wobei die in der Verteilung wiedergegebenen IPS-Werte jeweils den Grad der Verwirklichung eines gewünschten Polarisationszustandes an dem betreffenden Ort bezeich nen, d. h. das energetische Verhältnis der Lichtintensität mit einer Polarisationsvorzugsrichtung in Sollrichtung zur Gesamtintensität angeben.The Description of the relevant polarization distributions takes place typically also called IPS distribution, where the in The distribution of IPS values reflects the degree of realization a desired polarization state at the relevant Designate place, d. H. the energetic ratio of light intensity with a polarization preferred direction in the desired direction to the total intensity specify.

Beispielhafte, als Ergebnis der Schritte S10 bzw. S20 erhaltene IPS-Verteilungen 10 bzw. 20 sind in 2a bzw. 2b zunächst lediglich schematisch dargestellt. Dabei weist die erste Polarisationsverteilung bzw. IPS-Verteilung 10 der ersten Beleuchtungseinrichtung unterschiedliche kreissektorförmige Bereiche 10a, 10b, 10c, 10d, 10e, ... auf, in welchen die jeweils dort vorliegenden IPS-Werte mit IPS1-1, IPS1-2, IPS1-3, ... bezeichnet sind. Analog sind in 2b in der Polarisationsverteilung bzw. IPS-Verteilung 20 der zweiten Beleuchtungseinrichtung die in den einzelnen kreissektorförmigen Bereichen 20a, 20b, 20c, 20d, 20e, ... vorliegenden IPS-Werte mit IPS2-1, IPS2-2, IPS2-3 etc. bezeichnet.Exemplary IPS distributions obtained as a result of steps S10 and S20, respectively 10 respectively. 20 are in 2a respectively. 2 B initially shown only schematically. In this case, the first polarization distribution or IPS distribution 10 the first illumination device different sector-shaped areas 10a . 10b . 10c . 10d . 10e , ..., in which the IPS values available there with IPS 1-1 , IPS 1-2 , IPS 1-3 , ... are indicated. Analog are in 2 B in the polarization distribution or IPS distribution 20 the second illumination device in the individual circular sector-shaped areas 20a . 20b . 20c . 20d . 20e , ... present IPS values with IPS 2-1 , IPS 2-2 , IPS 2-3, etc.

In einem nächsten Schritt S30 wird nun die sich aus den o. g. Polarisationsverteilungen ergebende Differenzverteilung ermittelt. Hierbei wird jedem Ort der Pupillenebene der sich aus Subtraktion der in 2a–b dargestellten IPS-Werte ergebende Differenzwert zugeordnet.In a next step S30, the difference distribution resulting from the above-mentioned polarization distributions is determined. In this case, each place of the pupil plane is subtracted from the in 2a -B illustrated IPS values resulting difference value.

In einem weiteren Schritt S40 wird nun ein geeigneter Polarisationsmanipulator ausgewählt bzw. angepasst, um im nachfolgenden Schritt S50 die erste Polarisationsverteilung und/oder die zweite Polarisationsverteilung -zwecks Anpassung dieser beiden Polarisationsverteilungen aneinander- zu manipulieren.In a further step S40 will now be a suitable polarization manipulator selected or adjusted to in the subsequent step S50 the first polarization distribution and / or the second polarization distribution in order to adapt these two polarization distributions to one another to manipulate.

Ein entsprechender beispielhafter Aufbau eines Polarisationsmanipulators 30 ist lediglich schematisch in 2c gezeigt, wobei in den einzelnen kreissektorförmigen Bereichen 30a, 30b, 30c, 30d, 30e, ... jeweils abhängig von der vorstehend beschriebenen Differenzverteilung unterschiedliche Dicken (in z-Richtung im eingezeichneten Koordinatensystem) vorgesehen sind. Je nach Beschaffenheit der sich aus erster und zweiter Polarisationsverteilung ergebenden Differenzverteilung kann die betreffende Dickenvariation, wie in 2d lediglich schematisch für einen Polarisationsmanipulator 50 dargestellt, auch unregelmäßig bzw. asymmetrisch sein.A corresponding exemplary structure of a polarization manipulator 30 is purely schematic in 2c shown, wherein in the individual circular sector-shaped areas 30a . 30b . 30c . 30d . 30e , ... depending on the difference distribution described above, different thicknesses (in the z-direction in the drawn coordinate system) are provided. Depending on the nature of the difference distribution resulting from the first and second polarization distribution, the relevant thickness variation, as in FIG 2d only schematically for a polarization manipulator 50 also be irregular or asymmetrical.

Der betreffende Polarisationsmanipulator 30 bzw. 50 kann, wie im Weiteren erläutert, aus doppelbrechendem oder optisch aktivem Kristallmaterial (z. B. aus kristallinem Quarz) hergestellt sein, wobei die optische Kristallachse je nach Ausführungsform entweder in Lichtausbreitungsrichtung oder senkrecht zur Lichtausbreitungsrichtung orientiert sein kann. Konkrete Ausführungsformen bzw. erfindungsgemäße Vorgehensweisen zur Manipulation der IPS-Verteilungen werden im Weiteren unter Bezugnahme auf 3 bis 10 näher erläutert.The relevant polarization manipulator 30 respectively. 50 can, as explained below, be made of birefringent or optically active crystal material (for example of crystalline quartz), the optical crystal axis, depending on the embodiment, being oriented either in the direction of light propagation or perpendicular to the light propagation direction. Specific embodiments or methods according to the invention for manipulating the IPS distributions will be described below with reference to FIG 3 to 10 explained in more detail.

Grundsätzlich ermöglichen die erfindungsgemäß geeigneten Polarisationsmanipulatoren somit jeweils eine ortsaufgelöste Manipulation des Polarisationszustandes bzw. IPS-Wertes in der Pupillenebene. Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung erfolgt diese ortsaufgelöste Manipulation des Polarisationszustandes zumindest überwiegend durch eine gezielte Veränderung der Polarisationselliptizität.in principle allow the invention suitable Polarization manipulators thus each a spatially resolved Manipulation of the polarization state or IPS value in the pupil plane. According to a first embodiment of the Invention is this spatially resolved manipulation of the polarization state at least predominantly through a targeted change the polarization ellipticity.

Zur Erläuterung eines konkreten Ausführungsbeispiels zeigen 3a–b zunächst beispielhafte IPS-Verteilungen in den Pupillenebenen von zwei aneinander anzupassenden Beleuchtungseinrichtungen. Hierbei zeigt 3a ein System mit einer über die Pupille variierenden IPS-Verteilung 310, und 3b zeigt ein System mit einer über die Pupille konstanten IPS-Verteilung 320 (mit konstantem Wert IPS = 1). Zu der über die Pupille variierenden IPS-Verteilung 310 von 3a zeigt 4 den Verlauf der IPS-Werte über die Pupille entlang der gestrichelten Linie aus 3a und im Bereich von –NA bis +NA, wobei mit NA die maximale Systemapertur bezeichnet ist.To illustrate a concrete embodiment show 3a First, exemplary IPS distributions in the pupil planes of two adjunct lighting devices. This shows 3a a system with a pupil-varying IPS distribution 310 , and 3b shows a system with a constant IPS distribution across the pupil 320 (with constant value IPS = 1). To the pupil-varying IPS distribution 310 from 3a shows 4 the course of IPS values across the pupil along the dashed line 3a and in the range from -NA to + NA, where NA is the maximum system aperture.

Gemäß einer ersten, unter Bezugnahme auf 3 bis 6 beschriebenen Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Anpassung der beiden Polarisationsverteilungen über einen Polarisationsmanipulator aus doppelbrechendem Kristallmaterial mit einer optischen Kristallachse, welche in der zur Lichtausbreitungsrichtung bzw. zur optischen Systemachse dieser Beleuchtungseinrichtung senkrechten Ebene orientiert ist. Des Weiteren ist bei diesem Polarisationsmanipulator die optische Kristallachse unter einem Winkel von 45° zur x-Achse und zur y-Achse (gemäß dem in 3a–b eingezeichneten Koordinatensystem) orientiert, wobei die Polarisationsorientierung des auf den Polarisationsmanipulator treffenden Lichtes wahlweise in x-Richtung oder in y-Richtung verläuft.According to a first, with reference to 3 to 6 described embodiment of the invention, the adaptation of the two polarization distributions via a polarization manipulator made of birefringent crystal material having an optical crystal axis, which is oriented in the plane perpendicular to the light propagation direction or to the optical system axis of this illumination device level. Furthermore, in this polarization manipulator, the optical crystal axis is at an angle of 45 ° to the x-axis and the y-axis (according to the in 3a -B drawn coordinate system) oriented, wherein the polarization orientation of the incident on the polarization manipulator light optionally in the x-direction or in the y-direction.

Der Polarisationsmanipulator weist, wie im Weiteren erläutert, einen vergleichsweise geringen Dickenunterschied (gemäß diesem Ausführungsbeispiel weniger als 10 μm) gegenüber einer den Polarisationszustand unverändert lassenden Planplatte auf. Bei Verwendung von kristallinem Quarz beträgt die Dicke d einer entsprechenden „Lambda-Platte" bei einer Arbeitswellenlänge von 193 nm d= λ/(n0 – ne) ≈ 193 nm/0.012 ≈ 16.1 μm, wobei ein ganzzahliges Vielfaches dieser Dicke zum Erhalt einer entsprechenden Lambda-Platte höherer Ordnung addiert werden kann.As explained below, the polarization manipulator has a comparatively small difference in thickness (less than 10 μm according to this exemplary embodiment) with respect to a plane plate which leaves the polarization state unchanged. When using crystalline quartz, the thickness d of a corresponding "lambda plate" at a working wavelength of 193 nm d = λ / (n 0 - n e ) ≈ 193 nm / 0.012 ≈ 16.1 microns, where an integer multiple of this thickness to obtain a corresponding lambda plate of higher order can be added.

Das doppelbrechende Kristallmaterial führt eine Verzögerung ein, die bei geeigneter Orientierung der optischen Kristallachse (nämlich unter einem Winkel von 45° zwischen der schnellen Achse der Doppelbrechung und der Polarisationsorientierung des auftreffenden Lichtes) zur Einführung einer Polarisationselliptizität führt, wobei die Polarisationsorientierung erhalten bleibt. Wegen des nachfolgend erläuterten Zusammenhanges zwischen der eingeführten Polarisationselliptizität und dem IPS-Wert kann die erforderliche Dickenvariation des Polarisationsmanipulators bei Kenntnis der notwendigen Änderung der IPS-Verteilung berechnet werden.The birefringent crystal material causes a delay a, with a suitable orientation of the optical crystal axis (namely at an angle of 45 ° between the fast axis of birefringence and polarization orientation the incident light) to introduce a polarization ellipticity leads, wherein the polarization orientation is maintained. Because of the relationship between the introduced polarization ellipticity and The IPS value can be the required thickness variation of the polarization manipulator knowing the necessary change in the IPS distribution be calculated.

Für polarisiertes Licht mit einem Polarisationsgrad von Eins sowie der o. g. Polarisationsvorzugsrichtung besteht folgender Zusammenhang zwischen dem IPS-Wert und der Polarisationselliptizität ε = tan χ:

Figure 00110001
For polarized light with a degree of polarization of one and the polarization preferential direction mentioned above, the following relationship exists between the IPS value and the polarization ellipticity ε = tan χ:
Figure 00110001

In diesem Falle bewirkt eine in dem Polarisationsmanipulator erzeugte Verzögerung (Retardierung) Δ eine Polarisationselliptizität

Figure 00110002
wobei die Polarisationsvorzugsrichtung im Falle der o. g. Orientierung der Kristallachse relativ zur Polarisationsvorzugsrichtung erhalten bleibt.In this case, a retardation Δ produced in the polarization manipulator causes a polarization ellipticity
Figure 00110002
wherein the polarization preferred direction in the case of the above-mentioned orientation of the crystal axis relative to the Polari preferred direction.

Die entsprechende Dickenvariation des Polarisationsmanipulators bezogen auf die Dicke einer Lambda-Platte nullter oder höherer Ordnung beträgt:

Figure 00110003
The corresponding thickness variation of the polarization manipulator based on the thickness of a zeroth or higher order lambda plate is:
Figure 00110003

Hierbei wird die Retardierung oder Verzögerung Δ in Grad (°) angegeben.in this connection becomes the retardation or delay Δ in degrees (°).

5 zeigt konkret den aufgrund der o. g. Beziehungen berechneten Verlauf der Polarisationselliptizität über die Pupille, welche in das System mit der konstanten IPS-Verteilung 320 von 3b eingeführt werden muss, um über eine Änderung der Polarisationselliptizität eine Anpassung an das System mit der variierenden IPS-Verteilung 310 von 3a zu erreichen. 5 shows concretely the course of the polarization ellipticity over the pupil, which is calculated on the basis of the above-mentioned relations, which into the system with the constant IPS distribution 320 from 3b must be introduced to adapt to a change in polarization ellipticity to the system with the varying IPS distribution 310 from 3a to reach.

In 6 ist der zugehörige berechnete Dickenverlauf eines Polarisationsmanipulators dargestellt, welcher den gewünschten Verlauf der Polarisationselliptizität von 5 ergibt. Dabei beziehen sich die in 6 in Einheiten von μm angegebenen Dickenvariationen auf die Dicke einer Planplatte, welche bei der betreffenden Arbeitswellenlänge (z. B. 193 nm) den Polarisationszustand unverändert lässt, also eine Phasenverzögerung zwischen senkrechten Polarisationszuständen von 360° oder ein ganzzahliges Vielfaches hiervon bewirkt (d. h. auf die Dicke einer sogenannten Lambda-Platte von nullter oder höherer Ordnung). Wird somit nun in dem Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung mit der konstanten IPS-Verteilung 320 von 3b ein Polarisationsmanipulator mit der Dickenvariation gemäß 5 angeordnet, so wird hierdurch eine Verteilung der IPS-Verteilung erzeugt, die der IPS-Verteilung 310 gemäß 3a der anderen Beleuchtungseinrichtung entspricht.In 6 the associated calculated thickness profile of a polarization manipulator is shown, which shows the desired course of the polarization ellipticity of 5 results. Here are the in 6 thickness variations in units of μm to the thickness of a plane plate which leaves the polarization state unchanged at the relevant working wavelength (eg 193 nm), ie a phase delay between vertical polarization states of 360 ° or an integer multiple thereof (ie on the thickness a so-called lambda plate of zeroth or higher order). Will thus now in the beam path of the lighting device with the constant IPS distribution 320 from 3b a polarization manipulator with the thickness variation according to 5 arranged, this produces a distribution of the IPS distribution, that of the IPS distribution 310 according to 3a the other lighting device corresponds.

Gemäß 7a–b kann im Falle eines Systems mit einer IPS-Verteilung mit relativ starker bzw. hochfrequenter örtlicher Variation des IPS-Wertes (7a) auch zunächst eine Glättung (z. B. Tiefpassfilterung) dieser IPS-Verteilung zum Erreichen einer IPS-Verteilung mit geringerer örtlicher Variation des IPS-Wertes (7b) vorgenommen werden, auf die dann eine Anpassung der IPS-Verteilung des jeweils anderen Systems wie zuvor beschrieben durchgeführt werden kann.According to 7a In the case of a system with an IPS distribution with relatively high spatial variation of the IPS value, 7a ) first of all a smoothing (eg low-pass filtering) of this IPS distribution to achieve an IPS distribution with a lower local variation of the IPS value ( 7b ), to which an adaptation of the IPS distribution of the respective other system can then be carried out as described above.

Gemäß einer weiteren, unter Bezugnahme auf 8 bis 10 erläuterten Ausführungsform erfolgt die Anpassung der Polarisationsverteilungen der beiden Systeme über einen Polarisationsmanipulator bzw. ein polarisationsbeeinflussendes Element aus optisch aktivem Kristallmaterial mit einer optischen Kristallachse, welche parallel zur Lichtausbreitungsrichtung bzw. zur optischen Systemachse der betreffenden Beleuchtungseinrichtung orientiert ist.According to another, with reference to 8th to 10 illustrated embodiment, the adaptation of the polarization distributions of the two systems via a polarization manipulator or a polarisationsbeeinflussendes element of optically active crystal material having an optical crystal axis, which is oriented parallel to the light propagation direction or to the optical system axis of the respective illumination device.

Bei dem optisch aktiven Kristallmaterial kann es sich beispielsweise um kristallines Quarz handeln. In diesem Falle erfolgt somit die Anpassung der Polarisationsverteilungen der beiden Systeme aneinander mittels einer Drehung des Polarisationszustandes, die durch das optisch aktive Kristallmaterial proportional zu seiner Dicke bewirkt wird, wobei wiederum ein definierter Zusammenhang zwischen der erzeugten Abweichung der Polarisationsorientierung und dem IPS-Wert besteht, so dass die erforderliche Dickenvariation des Polarisationsmanipulators bei Kenntnis des notwendigen Änderung der IPS-Verteilung berechnet werden kann.at The optically active crystal material may be, for example to act crystalline quartz. In this case, therefore, the Adaptation of the polarization distributions of the two systems to each other by means of a rotation of the polarization state passing through the optically active crystal material proportional to its thickness causes is, again with a defined relationship between the generated Deviation of the polarization orientation and the IPS value, so that the required thickness variation of the polarization manipulator with knowledge of the necessary change of the IPS distribution can be calculated.

Für polarisiertes Licht mit einem Polarisationsgrad von Eins besteht folgender Zusammenhang zwischen dem IPS-Wert und der Abweichung Δψ zwischen der durch den Polarisationsmanipulator infolge Drehung eingestellten Polarisationsorientierung ψ und der ursprünglichen Polarisationsorientierung ϕ:

Figure 00120001
For polarized light with a degree of polarization of one, the following relationship exists between the IPS value and the deviation Δψ between the polarization orientation durch set by the polarization manipulator as a result of rotation and the original polarization orientation φ :
Figure 00120001

Die entsprechende Dickenvariation des Polarisationsmanipulators bezogen auf die Dicke einer den Polarisationszustand unverändert lassenden (d. h. im vorliegenden Falle eine Drehung der Polarisationsorientierung um 180° oder ein ganzzahliges Vielfaches hiervon bewirkenden) Planplatte beträgt:

Figure 00130001
The corresponding thickness variation of the polarization manipulator relative to the thickness of a plane plate which leaves the polarization state unchanged (ie in the present case a rotation of the polarization orientation by 180 ° or an integral multiple thereof) is:
Figure 00130001

Hierbei wird Δψ in Einheiten von rad angegeben; falls Δψ in Einheiten von Grad (°) angegeben wird, entfällt der Faktor 180°/π. Mit a ist das spezifische Drehvermögen des optisch aktiven Kristallmaterials bezeichnet. Für kristallines Quarz beträgt a bei einer Wellenlänge von 193 nm etwa 323.67°/mm.in this connection Δψ is given in units of rad; if Δψ in Units of degrees (°) is specified, is omitted the factor 180 ° / π. With a is the specific turning ability of the optically active crystal material. For crystalline Quartz is a at a wavelength of 193 nm about 323.67 ° / mm.

8 und 9 zeigen konkret (in 8 in Einheiten von Radiant, in 9 in Einheiten von Grad) den aufgrund der o. g. Beziehungen berechneten Verlauf der Verdrehung der Polarisationsorientierung über die Pupille, welche in das System mit der konstanten IPS-Verteilung 320 von 3b eingeführt werden muss, um über eine Drehung der Polarisationsorientierung eine Anpassung an das System mit der variierenden IPS-Verteilung 310 von 3a zu erreichen. 8th and 9 show concretely (in 8th in units of radians, in 9 in units of degrees) the course of the polarization orientation twisting over the pupil, which is calculated on the basis of the above-mentioned relationships, into the system with the constant IPS distribution 320 from 3b must be introduced in order to adapt to the system with the varying IPS distribution via a rotation of the polarization orientation 310 from 3a to reach.

In 10 ist der zugehörige berechnete Dickenverlauf eines Polarisationsmanipulators dargestellt, welcher den gewünschten Verlauf der Drehung der Polarisationsorientierung von 8 und 9 ergibt. Dabei beziehen sich die in 10 in Einheiten von μm angegebenen Dickenvariationen wiederum auf die Dicke einer Planplatte, welche bei der betreffenden Arbeitswellenlänge (z. B. 193 nm) den Polarisationszustand unverändert lässt, also im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine Drehung der Polarisationsorientierung um 180° oder ein ganzzahliges Vielfaches hiervon bewirkt.In 10 the associated calculated thickness profile of a polarization manipulator is shown, which shows the desired course of the rotation of the polarization orientation of 8th and 9 results. Here are the in 10 in units The thickness variations given by μm are again based on the thickness of a plane plate which leaves the polarization state unchanged at the relevant operating wavelength (eg 193 nm), ie in the present exemplary embodiment causes a rotation of the polarization orientation by 180 ° or an integral multiple thereof.

Der jeweils geeignete Polarisationsmanipulator kann in Abhängigkeit von der ermittelten Differenzverteilung beispielsweise aus einem Vorrat („Bibliothek") von unterschiedlichen Polarisationsmanipulatoren bzw. polarisationsbeeinflussenden Elementen ausgewählt werden.Of the Each suitable polarization manipulator can be dependent from the determined difference distribution, for example from a Stock ("library") of different polarization manipulators or polarization-influencing elements selected become.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann zur lokalen Manipulation der Polarisationsverteilung in wenigstens einer der beiden Beleuchtungseinrichtungen auch eine polarisationsbeeinflussende Anordnung verwendet werden, welche eine Mehrzahl von in der betreffenden Pupillenebene unabhängig voneinander bewegbaren polarisationsbeeinflussenden (Teil-)Elementen aufweist.According to one Another embodiment may be for local manipulation the polarization distribution in at least one of the two illumination devices also a polarization-influencing arrangement can be used, which a plurality of independent in the pupil plane in question having movable polarization-influencing (part) elements.

Dementsprechend kann in einer weiteren, in 11 schematisch dargestellten Ausführungsform ein gemäß der Erfindung eingesetzter Polarisationsmanipulator 100 auch eine Mehrzahl von Teilelementen 110 aufweisen, welche in einer gemeinsamen Ebene unabhängig voneinander bewegbar sind. Diese Teilelemente 110 können beispielsweise in einer in Bezug auf die optische Systemachse radialen Richtung verschiebbar angeordnet sein, wie anhand der Doppelpfeile „P" angedeutet ist, wobei dann ebenfalls lediglich beispielhaft jedes der Teilelemente 110 eine kreissektorförmige Geometrie aufweisen kann und wobei die einzelnen Elemente 110 in tangentialer Richtung unmittelbar aneinander grenzen. In diesem Falle ergibt sich somit das Dickenprofil des Polarisationsmanipulators durch Zusammensetzung der einzelnen Teilelemente 110, wobei im Ergebnis die gewünschte lokale Manipulation der IPS-Verteilung erreicht wird.Accordingly, in another, in 11 schematically illustrated embodiment of a used according to the invention polarization manipulator 100 also a plurality of sub-elements 110 have, which are movable independently of each other in a common plane. These subelements 110 For example, in a radial direction with respect to the optical system axis, they can be arranged to be displaceable, as indicated by the double arrows "P", in which case also each of the subelements is merely an example 110 may have a circular sector-shaped geometry and wherein the individual elements 110 border directly in tangential direction. In this case, the thickness profile of the polarization manipulator thus results from the composition of the individual subelements 110 as a result, the desired local manipulation of the IPS distribution is achieved.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen wurde jeweils für eines der beiden aneinander anzupassenden Systemen ein System mit konstanter IPS-Verteilung gewählt, wobei ein Polarisationsmanipulator jeweils nur in dem Strahlengang dieses Systems zur Anpassung an ein System mit über die Pupillenebene variierender IPS-Verteilung angeordnet wurde. Die Erfindung ist jedoch selbstverständlich hierauf nicht beschränkt, so dass alternativ und in analoger Weise auch eine Anpassung zwischen zwei Systemen mit über die Pupillenebene variierenden Polarisationsverteilungen erfolgen kann und/oder Polarisationsmanipulatoren im Strahlengang beider Systeme positioniert werden können.at The embodiments described above were respectively for one of the two systems to be adapted chosen a system with constant IPS distribution, where a polarization manipulator only in the beam path this System for adapting to a system at the pupil level varying IPS distribution. The invention is but of course not limited thereto so that alternatively and in an analogous way, an adaptation between two systems with polarization distributions varying across the pupil plane can take place and / or polarization manipulators in the beam path Both systems can be positioned.

12 zeigt die Anordnung eines gemäß der Erfindung eingesetzten Polarisationsmanipulators in einer Pupillenebene einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Aufbau einer solchen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage in 12 lediglich schematisch dargestellt ist. 12 shows the arrangement of a polarization manipulator used according to the invention in a pupil plane of a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus, wherein the structure of such a microlithographic projection exposure apparatus in 12 is shown only schematically.

Die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung 201 und ein Projektionsobjektiv 202 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 201 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 203 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 204, welche beispielsweise einen ArF-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm oder einen F2-Laser mit einer Arbeitswellenlänge von 157 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst.The microlithographic projection exposure apparatus has a lighting device 201 and a projection lens 202 on. The lighting device 201 serves to illuminate a structure-carrying mask (reticle) 203 with light from a light source unit 204 which comprises, for example, an ArF laser for a working wavelength of 193 nm or an F 2 laser with an operating wavelength of 157 nm and a parallel beam-generating beam shaping optics.

Das parallele Lichtbüschel der Lichtquelleneinheit 204 trifft gemäß dem Ausführungsbeispiel zunächst auf ein diffraktives optisches Element 205 (auch als „pupil defining element" bezeichnet), welches über eine durch die jeweilige beugende Oberflächenstruktur definierte Winkelabstrahlcharakteristik in einer Pupillenebene P1 eine gewünschte Intensitätsverteilung erzeugt. In Lichtaus breitungsrichtung nach dem diffraktiven optischen Element 205 befindet sich eine optische Einheit 206, welche ein ein paralleles Lichtbündel mit variablem Durchmesser erzeugendes Zoom-Objektiv sowie ein Axikon aufweist. Mittels des Zoom-Objektives in Verbindung mit dem vorgeschalteten diffraktiven optischen Element 205 werden in der Pupillenebene P1 je nach Zoom-Stellung und Position der Axikon-Elemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt. Die optische Einheit 206 umfasst im dargestellten Beispiel ferner einen Umlenkspiegel 207. In Lichtausbreitungsrichtung nach der Pupillenebene P1 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung 208, welche z. B. in bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann.The parallel light pencil of the light source unit 204 First of all, according to the exemplary embodiment, a diffractive optical element is used 205 (Also referred to as "pupil-defining element"), which generates a desired intensity distribution in a pupil plane P1 via a defined by the respective diffractive surface structure Winkelabstrahlcharakteristik In Lichtaus propagation direction after the diffractive optical element 205 there is an optical unit 206 comprising a zoom lens generating a parallel variable diameter light beam and an axicon. By means of the zoom lens in conjunction with the upstream diffractive optical element 205 Depending on the zoom position and position of the axicon elements, different illumination configurations are generated in the pupil plane P1. The optical unit 206 In the illustrated example, further comprises a deflection mirror 207 , In the light propagation direction to the pupil plane P1 is located in the beam path, a light mixing device 208 which z. B. may have a suitable for obtaining a light mixture arrangement of micro-optical elements in a known manner.

Auf die Lichtmischeinrichtung 208 folgt in Lichtausbreitungsrichtung eine Linsengruppe 209, hinter welcher sich eine Feldebene F1 mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 210 auf die Struktur tragende, in der Feldebene F2 angeordnete Maske (Retikel) 203 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. Die Struktur tragende Maske 203 wird mit dem Projektionsobjektiv 202 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 211 bzw. einen Wafer abgebildet.On the light mixing device 208 follows in the light propagation direction a lens group 209 behind which there is a field plane F1 with a reticle masking system (REMA), which passes through a REMA objective following in the light propagation direction 210 on the structure bearing, arranged in the field plane F2 mask (reticle) 203 and thereby limits the illuminated area on the reticle. The structure wearing mask 203 becomes with the projection lens 202 on a substrate provided with a photosensitive layer 211 or a wafer imaged.

12 zeigt lediglich beispielhaft die Anordnung eines Polarisationsmanipulators 212, welcher gemäß einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ausgebildet ist, in der ersten Pupillenebene P1. 12 merely shows by way of example the arrangement of a polarization manipulator 212 , which is formed according to one of the embodiments described above, in the first pupilene bene P1.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.If the invention also with reference to specific embodiments described, will be apparent to those skilled in the art numerous variations and alternative embodiments, z. B. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it is understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are covered by the present invention, and the range the invention only in the sense of the appended claims and their equivalents are limited.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2006/077849 A1 [0004] WO 2006/077849 A1 [0004]
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Claims (18)

Verfahren zum Anpassen der Abbildungseigenschaften von wenigstens zwei mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen aneinander, wobei jede dieser Projektionsbelichtungsanlagen eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: a) Ermitteln einer ersten Polarisationsverteilung (10, 310), welche in einer vorbestimmten Ebene der Beleuchtungseinrichtung einer ersten Projektionsbelichtungsanlage vorliegt; b) Ermitteln einer zweiten Polarisationsverteilung (20, 320), welche in einer vorbestimmten Ebene der Beleuchtungseinrichtung einer zweiten Projektionsbelichtungsanlage vorliegt; und c) Manipulieren der in einer Pupillenebene von wenigstens einer dieser Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Polarisationsverteilung (20, 320) in Abhängigkeit von der ermittelten ersten Polarisationsverteilung (10, 310) und der ermittelten zweiten Polarisationsverteilung (20, 320); d) wobei dieses Manipulieren durch Einbringen wenigstens eines Polarisationsmanipulators in den Strahlengang der betreffenden Beleuchtungseinrichtung erfolgt, dessen Dicke in einer zur optischen Systemachse dieser Beleuchtungseinrichtung senkrechten Ebene variiert und über den gesamten optisch wirksamen Bereich des Polarisationsmanipulators um nicht mehr als 50 μm von der Dicke einer Planplatte abweicht, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.Method for adapting the imaging properties of at least two microlithographic projection exposure apparatuses to one another, each of these projection exposure apparatuses having a lighting apparatus and a projection objective, the method comprising the following steps: a) determining a first polarization distribution ( 10 . 310 ) present in a predetermined plane of the illumination device of a first projection exposure apparatus; b) determining a second polarization distribution ( 20 . 320 ), which is present in a predetermined plane of the illumination device of a second projection exposure apparatus; and c) manipulating the polarization distribution present in a pupil plane of at least one of these illumination devices ( 20 . 320 ) as a function of the determined first polarization distribution ( 10 . 310 ) and the determined second polarization distribution ( 20 . 320 ); d) whereby this manipulation takes place by introducing at least one polarization manipulator into the beam path of the relevant illumination device, whose thickness varies in a plane perpendicular to the optical system axis of this illumination device and over the entire optically effective range of the polarization manipulator by not more than 50 μm from the thickness of a plane plate which leaves unchanged the state of polarization for perpendicularly passing light of a working wavelength. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des Polarisationsmanipulators über dessen gesamten optisch wirksamen Bereich um nicht mehr als 30 μm, bevorzugt um nicht mehr als 10 μm von der Dicke einer Planplatte abweicht, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.Method according to claim 1, characterized in that that the thickness of the polarization manipulator on the total optically effective range by not more than 30 μm, preferably not more than 10 μm from the thickness of a plane plate which differs the polarization state for perpendicular passing light of a working wavelength unchanged leaves. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt c) des Manipulierens derart durchgeführt wird, dass dabei die erste und die zweite Polarisationsverteilung wenigstens bereichsweise in Übereinstimmung gebracht werden.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the step c) of the manipulation is carried out in such a way is that while the first and the second polarization distribution be brought in line at least in some areas. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass beim Ermitteln der ersten Polarisationsverteilung (10, 310) und der zweiten Polarisationsverteilung (20, 320) jeweils eine Verteilung der Polarisationselliptizität bestimmt wird, wobei der Schritt des Manipulierens derart durchgeführt wird, dass eine Differenzverteilung dieser Verteilungen der Polarisationselliptizität nach dem Manipulieren zumindest bereichsweise geringere Werte aufweist als vor dem Manipulieren.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that when determining the first polarization distribution ( 10 . 310 ) and the second polarization distribution ( 20 . 320 ), in each case a distribution of the polarization ellipticity is determined, wherein the step of manipulating is carried out in such a way that a difference distribution of these distributions of the polarization ellipticity after manipulation has lower values at least in some areas than before the manipulation. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass beim Ermitteln der ersten Polarisationsverteilung (10, 310) und der zweiten Polarisationsverteilung (20, 320) jeweils eine Verteilung der Polarisationsorientierung bestimmt wird, wobei der Schritt des Manipulierens derart durchgeführt wird, dass eine Differenzverteilung dieser Verteilungen der Polarisationsorientierung nach dem Manipulieren zumindest bereichsweise geringere Werte aufweist als vor dem Manipulieren.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that when determining the first polarization distribution ( 10 . 310 ) and the second polarization distribution ( 20 . 320 ), in each case a distribution of the polarization orientation is determined, wherein the step of manipulating is carried out in such a way that a difference distribution of these distributions of the polarization orientation after manipulation at least partially has lower values than before the manipulation. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass beim Ermitteln der ersten Polarisationsverteilung (10, 310) und der zweiten Polarisationsverteilung (20, 320) jeweils eine örtliche Verteilung einer für den Grad der Verwirklichung eines bestimmten Polarisationszustandes charakteristischen Größe bestimmt wird, wobei der Schritt des Manipulierens derart durchgeführt wird, dass eine Differenzverteilung dieser Verteilungen nach dem Manipulieren zumindest bereichsweise geringere Werte aufweist als vor dem Manipulieren.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that when determining the first polarization distribution ( 10 . 310 ) and the second polarization distribution ( 20 . 320 In each case a local distribution of a variable which is characteristic of the degree of realization of a specific polarization state is determined, wherein the step of manipulation is carried out in such a way that a difference distribution of these distributions after manipulation has lower values at least in some areas than before the manipulation. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Manipulierens derart durchgeführt wird, dass die Werte der betreffenden Differenzverteilung nach dem Manipulieren minimiert sind.Method according to one of claims 4 to 6, characterized in that the step of manipulating such is carried out that the values of the difference distribution in question are minimized after manipulation. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Manipulieren der in der betreffenden Pupillenebene vorliegenden Polarisationsverteilung (20, 320) zumindest überwiegend durch Änderung der Polarisationselliptizität erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the manipulation of the polarization distribution present in the relevant pupil plane ( 20 . 320 ) takes place at least predominantly by changing the polarization ellipticity. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationsmanipulator in Abhängigkeit von der ermittelten ersten Polarisationsverteilung (10, 320) und der ermittelten zweiten Polarisationsverteilung (20, 320) aus einem Vorrat von unterschiedlichen polarisationsbeeinflussenden Elementen ausgewählt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the polarization manipulator in dependence on the determined first polarization distribution ( 10 . 320 ) and the determined second polarization distribution ( 20 . 320 ) is selected from a supply of different polarization-influencing elements. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Polarisationsmanipulator ein doppelbrechendes Kristallmaterial mit einer optischen Kristallachse aufweist, welche in der zur optischen Systemachse dieser Beleuchtungsein richtung senkrechten Ebene orientiert ist.Method according to one of claims 1 to 9, characterized in that at least one polarization manipulator a birefringent crystal material with an optical crystal axis which, in the direction of the optical system axis of this Beleuchtungsein direction oriented perpendicular plane. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Polarisationsmanipulator ein optisch aktives Kristallmaterial mit einer optischen Kristallachse aufweist, welche parallel zur optischen Systemachse dieser Beleuchtungseinrichtung orientiert ist.Method according to one of claims 1 to 10, characterized in that at least one polarization manipulator an optically active crystal material having an optical crystal axis which is parallel to the optical system axis of this illumination device is oriented. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationsmanipulator eine Mehrzahl von Teilelementen (110) aufweist, welche in einer gemeinsamen Ebene unabhängig voneinander bewegbar sind.Method according to one of the preceding Claims, characterized in that the polarization manipulator comprises a plurality of sub-elements ( 110 ), which are movable independently of each other in a common plane. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses ferner den Schritt aufweist: Manipulieren einer in einer Pupillenebene von wenigstens einer dieser Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Intensitätsverteilung derart, dass die in den Pupillenebenen der beiden Beleuchtungseinrichtungen vorliegenden Intensitätsverteilungen wenigstens bereichsweise in Übereinstimmung gebracht werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that it further comprises the step of: Manipulating one in a pupil plane of at least one of these Lighting devices present intensity distribution such that in the pupil planes of the two illumination devices present intensity distributions at least partially be reconciled. Verfahren zum Manipulieren der Abbildungseigenschaften einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Projektionsbelichtungsanlage eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist, wobei das Verfahren den Schritt aufweist: – Einbringen wenigstens eines Polarisationsmanipulators in den Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung, wobei die Dicke des Polarisationsmanipulators in einer zur optischen Systemachse der Beleuchtungseinrichtung senkrechten Ebene variiert und über den gesamten optisch wirksamen Bereich des Polarisationsmanipulators um nicht mehr als 50 μm von der Dicke einer Planplatte abweicht, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.Method for manipulating the imaging properties a microlithographic projection exposure apparatus, wherein the projection exposure apparatus a lighting device and a projection lens, the method comprising the step having: - introducing at least one polarization manipulator in the beam path of the illumination device, the thickness of the polarization manipulator in one to the optical system axis the lighting device vertical plane varies and over the entire optically effective range of the polarization manipulator not more than 50 μm from the thickness of a plane plate which differs the polarization state for perpendicular passing light of a working wavelength unchanged leaves. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des Polarisationsmanipulators über dessen gesamten optisch wirksamen Bereich um nicht mehr als 30 μm, bevorzugt um nicht mehr als 10 μm von der Dicke einer Planplatte abweicht, welche den Polarisationszustand für senkrecht hindurchtretendes Licht einer Arbeitswellenlänge unverändert lässt.Method according to claim 14, characterized in that that the thickness of the polarization manipulator on the total optically effective range by not more than 30 μm, preferably not more than 10 μm from the thickness of a plane plate which differs the polarization state for perpendicular passing light of a working wavelength unchanged leaves. Polarisationsmanipulator, dadurch gekennzeichnet, dass dieser zur Verwendung in einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgelegt ist.Polarization manipulator, characterized that for use in a method according to any one of the preceding Claims is designed. Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung einen Polarisationsmanipulator nach Anspruch 16 aufweist.Lighting device of a microlithographic Projection exposure apparatus, characterized in that the illumination device a polarization manipulator according to claim 16. Mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 17 ausgebildet ist.Microlithographic projection exposure machine with a lighting device and a projection lens, characterized in that the illumination device according to claim 17 is formed.
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US8982324B2 (en) 2009-12-15 2015-03-17 Asml Holding N.V. Polarization designs for lithographic apparatus

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