DE102007055097A1

DE102007055097A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System

Info

Publication number: DE102007055097A1
Application number: DE102007055097A
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Dr. Emer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2006-11-22
Filing date: 2007-11-16
Publication date: 2008-05-29

Abstract

Ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System umfassen insbesondere ein Aussenden von Strahlung mit einer Strahlungsquelle, ein Leiten der Strahlung von der Strahlungsquelle durch eine erste Maske mit örtlich variierender Transmission, ein Leiten der Strahlung von der ersten Maske durch das optische System, ein Leiten der Strahlung von dem optischen System durch eine zweite Maske mit örtlich variierender Transmission, ein Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor, und ein Auswerten der mit dem Detektor ermittelten örtlich verteilten Intesmessergebnis.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere an einer Projektionsoptik einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Projektionsoptik einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, eine Belichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen Vorrichtung sowie eine Wafer-Stage für die Mikrolithographie mit einer derartigen Belichtungsanlage. Schließlich betrifft die Erfindung auch die Verwendung einer bekannten Vorrichtung an einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Streustrahlungsmessung.
Die Streustrahlungsmessung ist bei Systemen für die Mikrolithographie ein sehr wichtiges Messverfahren, um das zugehörige optische System qualifizieren zu können. So ist es für die Qualifizierung eines optischen Systems für die Mikrolithographie, wie beispielsweise eines Lithographie-Objektivs, nicht mehr ausreichend, nur die niedrigen Aberrationen bzw. Abbildungsfehler zu messen, vielmehr ist für eine genaue Voraussage der lithographischen Leistung des optischen Systems auch die Kenntnis von dessen Streustrahlungsanteil für verschiedene Streureichweiten der durch das optische System geleiteten Strahlung, insbesondere Lichtstrahlung, von entscheidender Bedeutung.
Der Streustrahlungsanteil für verschiedene Streureichweiten kann bei bekannten Streustrahlungsmessungen an optischen Systemen durch den so genannten Kirk-Test bestimmt werden, bei dem eine Fotolackschicht durch zwei inverse Masken bestrahlt und das Ergebnis nachfolgend subjektiv auf Streustrahlung inspiziert wird. Problematisch ist dabei, dass es mehrerer Bestrahlungen bei unterschiedlichen Energien, einer entsprechender Entwicklung und einer manuellen Inspektion bedarf. Um einige dieser Nachteile zu überwinden wurde ein verbesserter Test entwickelt, bei dem aber ein zusätzlicher Dioden-Sensor in der Wafer-Stage vorhanden sein muss sowie ein spezielles Mess-Reticle notwendig ist.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung zu schaffen, bei denen die oben genannten Nachteile überwunden sowie insgesamt eine besonders aussagekräftige und zugleich kostengünstige Streustrahlungsmessung möglich sind.
Die Aufgabe ist erfindungsgemäß mit einem Verfahren zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 1, einem Verfahren zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 4, einem Verfahren zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 11, einer Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 12, einer Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 15, einer Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 21, einer Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung gemäß Anspruch 24, einer Belichtungsanlage gemäß Anspruch 25, einer Wafer-Stage gemäß Anspruch 26 und einer Verwendung einer Vorrichtung zur Wellenfronterfassung gemäß Anspruch 27 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Gemäß der Erfindung ist ein Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, mit folgenden Schritten geschaffen: Aussenden von Strahlung mit einer Strahlungsquelle, Leiten der Strahlung von der Strahlungsquelle durch eine erste Maske mit örtlich variierender Transmission, Leiten der Strahlung von der ersten Maske durch das optische System, Leiten der Strahlung von dem optischen System durch eine zweite Maske mit örtlich variierender Transmission, Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor, und Auswerten der mit dem Detektor ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem pupillenaufgelösten Streustrahlungsmessergebnis.
Ferner ist erfindungsgemäß ein Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie mit folgenden Schritten geschaffen: Aussenden von Strahlung mit einer Strahlungsquelle, Leiten der Strahlung von der Strahlungsquelle durch eine erste Maske mit örtlich variierender Transmission, Leiten der Strahlung von der ersten Maske durch das optische System, Leiten der Strahlung von dem optischen System durch eine zweite Maske mit örtlich variierender Transmission, Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor, wobei die zweite Maske relativ zur ersten Maske bewegt wird, und Auswerten der mit dem Detektor ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem Streustrahlungsmessergebnis.
Gemäß der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, geschaffen, bei dem eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung erfolgt.
Auch ist gemäß der Erfindung eine Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, geschaffen, mit einer Strahlungsquelle zum Aussenden von Strahlung, einer ersten Maske mit örtlich variierender Transmission zum Durchleiten der Strahlung von der Strahlungsquelle und weiter durch das optische System, einer zweiten Maske mit örtlich variierender Transmission zum Durchleiten der Strahlung von dem optischen System, einem ortsauflösenden Detektor zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung und einer Auswerteeinrichtung zum Auswerten der mit dem Detektor ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem pupillenaufgelösten Streustrahlungsmessergebnis.
Ferner ist die Aufgabe erfindungsgemäß mit einer Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, gelöst, mit einer Strahlungsquelle zum Aussenden von Strahlung, einer ersten Maske mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von der Strahlungsquelle und weiter durch das optische System, einer zweiten Maske mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von dem optischen System, einem ortsauflösenden Detektor zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung, einer Bewegungseinrichtung zum Bewegen der zweiten Maske relativ zur ersten Maske und einer Auswerteeinrichtung zum Auswerten der mit dem Detektor ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem Streustrahlungsmessergebnis.
Darüber hinaus ist die Aufgabe gemäß der Erfindung mit einer Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, gelöst, mit einer Strahlungsquelle zum Aussenden von Strahlung, einer ersten Maske mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von der Strahlungsquelle und weiter durch das optische System, einer zweiten Maske mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von dem optischen System und einem ortsauflösenden Detektor zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung, bei der die Messebene des ortsauflösenden Detektors in Strahlungsrichtung hinter der Bildebene des optischen Systems angeordnet ist.
Auch ist gemäß der Erfindung eine Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, insbesondere einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie, geschaffen, bei der eine Auswerteeinrichtung vorgesehen ist, die dazu angepasst ist, eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung durchzuführen.
Ferner ist erfindungsgemäß eine Belichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen erfindungsgemäßen Vorrichtung und eine Wafer-Stage mit einer derartigen erfindungsgemäßen Vorrichtung geschaffen.
Gemäß der Erfindung ist schließlich zur Lösung der oben genannten Aufgabe ferner die Verwendung einer Vorrichtung zur Wellenfronterfassung an einem optischen System einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Streustrahlungsmessung an dem optischen System der Belichtungsanlage vorgeschlagen.
Der erfindungsgemäßen Lösung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass es bei bekannten Lösungen problematisch ist, dass keine Zuordnung von ermittelter Streustrahlung zu einer Position innerhalb der Pupille des optischen Systems erfolgt, sodass die Streustrahlungssituation nicht im Hinblick auf einen bestimmten Winkel auf einem mit dem optischen System bestrahlten Wafer ermittelt werden kann. Erfindungsgemäß wurde ferner erkannt, dass eine Zuordnung von Streustrahlung zu einer Position innerhalb der Pupille eines optischen Systems bzw. eine pupillenaufgelöste Auswertung der gemessenen Streustrahlung eine wichtige Größe für die Qualifizierung eines optischen Systems, insbesondere eines Scanners für die Mikrolithographie, darstellt. Die Erfindung sieht daher insbesondere vor, dass diese Größe mittels einer pupillenaufgelösten Streustrahlungsmessung ermittelt wird. Diese Messung wird erfindungsgemäß insbesondere dadurch getätigt, dass elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsquelle durch zwei Masken, einer ersten, so genannten Luv-Maske am optischen System und einer zweiten, so genannten Lee-Maske am optischen System, geleitet wird. Wobei hier unter dem Leiten der Strahlung durch die Masken neben einer reinen Transmission durch eine Maskenschicht hindurch auch die Reflexion von Strahlung an einer Reflexionsmaske verstanden werden soll, wie es insbesondere für EUV-Strahlung (extremes Ultraviolett-Licht) üblich ist. Die Masken weisen jeweils eine örtlich variierende Transmission auf. Nachfolgend wird erfindungsgemäß die Intensität der durch die zweite Maske getretene Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor ermittelt und bei einer erfindungsgemäßen Lösung die dabei ermittelte örtlich verteilte Intensität zu einer pupillenaufgelösten Streustrahlungsmessung ausgewertet.
Auf diese Weise kann erfindungsgemäß im Hinblick auf die Streustrahlungssituation beispielsweise zwischen achsnahen Streustrahlen und achsfernen Streustrahlen unterschieden werden. Während achsnahe Streustrahlen durch eine vielfache Reflektion an Oberflächen des optischen Systems entstehen, ergeben sich achsferne Streustrahlen in der Regel durch einzelne Strahlaufweitungen. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der zugehörigen Vorrichtung wird nicht nur eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung durchgeführt, sondern es kann nachfolgend auch auf die Qualität des optischen Systems rückgeschlossen werden. Ferner können Ursachen für mangelnde Qualität angegeben oder es können entsprechende Gegenmaßnahmen bzw. Einstellungen, beispielsweise in Form von entsprechend angepassten Produktionsmasken, eingeleitet werden.
Bevorzugt erfolgt die erfindungsgemäße Messung der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung in mehreren Gebieten mit örtlich variierender Transmission, welche im Fernfeld bzw. in der Bildebene die gleiche Pupille ausleuchten. Der Vorteil liegt dabei in einer deutlich höheren Intensität auf dem zugehörigen ortsauflösenden Detektor, beispielsweise einem CCD-Chip, und damit einhergehend einer höheren Messgenauigkeit sowie einer geringeren Anfälligkeit gegenüber lokalen Maskenfehlern. Ferner ist bevorzugt zwischen der Strahlungsquelle und der ersten Maske eine Streuscheibe angeordnet.
Erfindungsgemäß ist es auch vorgesehen, dass während der Messung der durch die zweite Maske getretenen Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor die zweite Maske relativ zur ersten Maske bewegt wird. Mit einem derartigen Relativversatz zwischen der ersten und der zweiten Maske während der Messung ergibt sich eine wellenförmige Streustrahlungsintensitätskurve, von der für die unterschiedlichen Orte der Pupille entsprechend das Minimum ermittelt werden und auf diese Weise eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung bereitgestellt werden kann.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorgehensweise ist zumindest eine Maske mit einer Mehrzahl periodisch angeordneter Bereiche variierender Transmission gestaltet. Die dabei insbesondere als Öffnungen gestalteten Gebiete bzw. Bereiche mit örtlich variierender Transmission innerhalb der Maske stellen einen hohen Transmissionsunterschied bereit und ermöglichen damit große Messbereiche mit entsprechend hoher Messgenauigkeit. Die Mehrzahl Öffnungen ermöglicht eine weit verteilte Messung, um eine möglichst weitreichende pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung zu erhalten. Die Periodizität der Öffnungen lässt Vergleiche bzw. Rückschlüsse zwischen den Messungen an den einzelnen Öffnungen zu, sodass wiederum eine höhere Genauigkeit erzielt und die Messungen gegenüber lokalen Maskenfehlern weniger anfällig sind.
Bevorzugt ist ferner die zweite Maske mit einer zur ersten Maske inversen Transmissionsstruktur gestaltet. Eine derartige Maskenkombination ermöglicht eine besonders einfache Streustrahlungsmessung, denn die Information über die Streustrahlung kann allein durch Abdeckung des Bildes der ersten Maske durch das Bild der zweiten Maske erhalten werden. Ferner ist eine Kalibrierung der Messung über ein Dunkelbild möglich.
Im Hinblick auf das erfindungsgemäße Bewegen der zweiten Maske relativ zur ersten Maske, um dadurch das Minimum der Streustrahlungsintensität besonders präzise zu ermitteln, ist es vorteilhaft die Relativbewegung in einer ersten Richtung und einer zweiten Richtung auszuführen, welche zur ersten Richtung im Wesentlichen senkrecht ist. Dabei wird besonders bevorzugt die zweite Maske bewegt, da deren Bewegung im Hinblick auf den derzeitigen Stand der Technik bei einer Wafer-Stage einfacher möglich ist. Mit dem erfindungsgemäß genutzten ortsauflösenden Detektor wird dabei eine zweidimensionale Intensitäts-Information gemessen und entsprechend auf die Streustrahlungssituation am untersuchten optischen System rückgeschlossen. Die Relativbewegung der beiden Masken erfolgt besonders bevorzugt ähnlich wie das Phasenschieben für einen Wellenfront-Sensor, wie er bei bekannten Wafer-Stages vorhanden sein kann. Mit einem derartigen Wellenfront-Sensor wird die Wellenfront in der Messebene aus einer großen Anzahl von Teilstrahlen rekonstruiert. Erfindungsgemäß kann ein derartiger Sensor für die Streustrahlungsmessung genutzt werden, indem mit dem ortsauflösenden Detektor des Wellenfront-Sensors auch eine Streustrahlungsinformation extrahiert wird.
Die Streustrahlungsinformation und insbesondere das pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessergebnis wird erhalten, indem, wie oben erläutert insbesondere die grundsätzlich inversen Masken derart in Deckung gebracht werden, dass eine direkte Durchleuchtung nicht mehr erfolgt und lediglich Streustrahlung durch die zweite Maske hindurch treten kann. Mittels einer Bewegung der Masken relativ zu einander ähnlich dem Phasenschieben vorhandener Wellenfront-Sensoren kann das Minimum der Streustrahlungsintensität auch pupillenaufgelöst, d.h. zugeordnet zu den einzelnen Positionen innerhalb der Pupille bzw. einem bestimmten Winkel auf einem zugehörigen Wafer, ermittelt werden.
Besonders bevorzugt wird dabei mindestens eine Maske verwendet, welche eine periodische Struktur örtlich variierender Transmission aufweist, und beim Bewegen der zweiten Maske relativ zur ersten Maske erfolgt dieses Bewegen über mehrere Perioden der genannten Struktur hinweg. Die derartige Vorgehensweise führt zu einer besonders präzisen und von lokalen Maskenfehlern weitgehend unabhängigen Messung.
Bevorzugt wird erfindungsgemäß ferner eine Vorgehensweise, bei der sowohl die erste Maske als auch die zweite Maske eine periodische Struktur örtlich variierender Transmission und beide periodischen Strukturen die gleiche Periode aufweisen. Mit derartigen Masken sollte im Hinblick auf die gemessene Streustrahlungsintensität ein sinusförmiges Signal erhalten werden, von dem Abweichungen besonders einfach erkannt werden können.
Ferner ist es erfindungsgemäß bevorzugt, mit einer ersten und einer zweiten Maske zu arbeiten, welche ebenfalls beide eine periodische Struktur örtlich variierender Transmission aufweisen, wobei beide periodischen Strukturen aber unterschiedliche Tastverhältnisse haben. Derartige Masken führen zu einem verzerrten Sinussignal, wobei die Form des Signalverlaufes von dem Tastverhältnissen der beiden Masken abhängig ist. Mittels unterschiedlicher Tastverhältnisse kann dann entsprechend auf die Qualität des optischen Systems pupillenaufgelöst rückgeschlossen werden.
Besonders bevorzugt weisen die erste und die zweite Maske beide eine periodische Struktur örtlich variierender Transmission auf und das Tastverhältnis von mindestens einer der beiden Masken ist größer eins gewählt. Dies bedeutet, dass diese Maske größere dunkle Bereiche als transparente Bereiche aufweist. Es kann auf diese Weise sichergestellt werden, dass unabhängig von kleineren Abweichungen in der relativen Position der beiden Masken zueinander im abgedeckten Zustand nur Streustrahlung zum gemessenen Signal beiträgt. Welche der beiden Masken dabei ein größeres Tastverhältnis besitzt, spielt hinsichtlich der erzielten Messergebnisse grundsätzlich keine Rolle.
Bei einer weiteren Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe ist an der oben bereits in den Grundzügen erläuterten Vorrichtung ein ortsauflösender Detektor zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske getretenen Strahlung vorgesehen, dessen Messebene in Strahlungsrichtung hinter der Bildebene bzw. Fokussierebene des optischen Systems angeordnet ist. Besonders bevorzugt ist bei der derartigen Vorrichtung die zweite Maske in der Bildebene des optischen Systems angeordnet. Mit dem derart angeordneten Detektor kann die Winkelausrichtung von Streustrahlung ermittelt werden, welche durch die zweite Maske an den einzelnen Bereichen örtlich variierender Transmission durchtritt und es kann auf diese Weise eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung dargestellt werden.
Wie oben bereits erwähnt, ist es erfindungsgemäß besonders bevorzugt, für eine Streustrahlungsmessung an einer Wafer-Stage eine grundsätzlich bekannte Vorrichtung zur Wellenfronterfassung an der zugehörigen Belichtungsanlage zu verwenden. Bekannte Vorrichtungen zur Wellenfronterfassung weisen insbesondere Einrichtungen zum Anordnen der erfindungsgemäß verwendeten ersten Maske und der erfindungsgemäß verwendeten zweiten Maske sowie einen ortsauflösenden Detektor auf, der erfindungsgemäß für die eigentliche Streustrahlungsmessung genutzt wird. Ferner ermöglichen bekannte Vorrichtungen zur Wellenfronterfassung eine Relativbewegung von zwei Masken zueinander. Erfindungsgemäß wird mit einem derartigen vorhandenen Wellenfront-Sensor eine Streustrahlungsinformation extrahiert, was insbesondere bei Verwendung von EUV-Strahlung (Extreme Ultraviolett-Strahlung) von entscheidender Bedeutung sein kann, da es dort einen großen Unterschied machen kann, ob man einen oder zwei ortsauflösende Detektoren auf einer Wafer-Stage unterbringen muss. Als Vorrichtung zur Wellenfronterfassung sind erfindungsgemäß insbesondere Interferometer bevorzugt, wobei grundsätzlich verschiedene Typen von Interferometern bei der erfindungsgemäßen Vorgehensweise genutzt werden können. Solche Interferometer umfassen ein PDI (Point Diffraction Interferometer), ein LDI (Line Diffraction Interferometer), ein LSI (Lateral Shearing Interferometer), ein SLSI (Slit-type Lateral Shearing Interferometer), ein CGLSI (Cross-grating Lateral Shearing Interferometer) und ein DLSI (Double-grating Lateral Shearing Interferometer).
Die dabei mit dem Interferometer erfindungsgemäß erreichte Streustrahlungsmessung erfolgt besonders bevorzugt pupillenaufgelöst, wodurch, wie oben erläutert, insbesondere zwischen der Streustrahlung achsnaher Strahlen und der Streustrahlung achsferner Strahlen unterschieden werden kann. Es werden darüber hinaus bevorzugt eine oder mehrere Masken mit einer Mehrzahl periodisch angeordneter Gebiete variierender Transmission, insbesondere Öffnungen benutzt, welche bevorzugt eine inverse Transmissionsstruktur aufweisen. Zur verbesserten Ermittlung des Minimums der gemessenen Streustrahlungsintensität wird bevorzugt eine Relativbewegung der beiden Masken durchgeführt, wobei diese Bewegung vorteilhaft in zwei Richtungen durchgeführt wird. Besonders vorteilhaft sind Masken mit einer periodischen Struktur, wobei die Strukturen bevorzugt gleiche Periode und/oder unterschiedliche Tastverhältnisse aufweisen, sodass sich streng sinusförmige oder verzerrt sinusförmige Signale der Streustrahlungsintensität ergeben. Schließlich werden, wie oben bereits erwähnt, bevorzugt Masken verwendet, bei denen das Tastverhältnis von mindestens einer der Masken größer eins beträgt.
Der ortsauflösende Detektor der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorteilhaft ferner mit einem punkt- oder zeilenförmig messenden Sensor und einer Bewegungseinrichtung zum Bewegen des Sensors in mindestens einer Richtung gestaltet.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer Verfahren und Vorrichtungen zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System anhand der beigefügten schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:
1 eine Darstellung des prinzipiellen Aufbaus einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System, vorliegend einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie,
2 jeweils die Draufsicht auf drei unterschiedliche Ausführungsformen von Masken einer Vorrichtung gemäß 1,
3 eine Darstellung eines Signalverlaufs der Intensitätsmessung an einer Vorrichtung gemäß 1 mit einem zugehörigen ersten Ausführungsbeispiel von Masken,
4 eine Darstellung eines Signalverlaufs der Intensitätsmessung an einer Vorrichtung gemäß 1 mit einem zugehörigen zweiten Ausführungsbeispiel von Masken,
5 eine stark schematische Darstellung von zwei Signalverläufen der Intensitätsmessung an einer Vorrichtung gemäß 1 mit zwei zugehörigen Ausführungsbeispielen von Masken,
6 eine stark schematisierte Darstellung von zwei Signalverläufen der Intensitätsmessung an einer Vorrichtung gemäß 1 mit zwei zugehörigen Ausführungsbeispielen von Masken,
7 einen Teil der Darstellung gemäß 1 mit der Veranschaulichung einer ersten möglichen Art von Streustrahlung und
8 einen Teil der Darstellung gemäß 1 mit der Veranschaulichung einer zweiten möglichen Art von Streustrahlung.
In 1 ist eine Belichtungsanlage 10 für die Mikrolithographie veranschaulicht, welche ein optisches System 12 in Gestalt einer Projektionsoptik aufweist. An dem optischen System 12 ist eine Vorrichtung 14 zur Messung von Streustrahlung vorgesehen, welche in dem optischen System 12 entsteht, wenn dieses mittels einer Strahlungsquelle 16 in Gestalt einer Leuchte für elektromagnetische Strahlung, insbesondere im Ultraviolett-Wellenlängenbereich.
Die Vorrichtung 14 umfasst eine Streulichtscheibe 18, welche in Strahlungsrichtung hinter der Strahlungsquelle 16 vor einem Reticle 20 und einer ersten Maske 22 angeordnet ist. Die erste Maske 22 weist Gebiete mit örtlich variierender Transmission auf und befindet sich in Strahlungsrichtung vor dem optischen System 12, so dass die Strahlung von der Strahlungsquelle 16 teilweise an der ersten Maske 22 abgehalten bzw. abgeschattet wird und nur ein Teil der Strahlung in das optische System 12 ein und durch dieses hindurchtritt. Die Strahlung wird von dem optischen System 12 auf eine Bildebene projiziert, in der sich während der eigentlichen Nutzung der Belichtungsanlage 10 ein Wafer befindet. Für den hier behandelten Fall einer Streustrahlungsmessung an der Belichtungsanlage 10, ist in der Bildebene, also in Strahlungsrichtung hinter dem optischen System 12, eine zweite Maske 24 angeordnet und hinter dieser Maske noch ein ortsauflösender Detektor 26 in Gestalt eines photoelektrischen Detektors, wie etwa eines CCD-Detektors.
Die Masken 22 und 24 sowie der Detektor 26 sind dabei derart aufeinander angepasst, dass mit ihnen eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung erfolgen kann. Für diese Art der Streustrahlungsmessung ist insbesondere eine besonders angepasste Auswerteeinrichtung 28 an den Detektor 26 angeschlossen und es ist ferner eine Bewegungseinrichtung 30 vorgesehen, mittels der die zweite Maske 24 relativ zur ersten Maske 22 und relativ zum optischen System 12 in der Bildebene in einer ersten Richtung und insbesondere auch in einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung bewegt werden kann.
Die erste Maske 22 und die zweite Maske 24 sowie die Bewegungseinrichtung 30 sind Teil einer an der Belichtungsanlage 10 vorgesehenen Vorrichtung zur Wellenfronterfassung, wobei die Auswerteeinrichtung 28 dazu angepasst ist, aus dem Signal des Detektors 26 eine Streustrahlungsinformation zu extrahieren. Dies ist besonders vorteilhaft, weil für eine derartige Streustrahlungsmessung kein eigener Sensor vorgesehen werden muss. Besonders bei Belichtungsanlagen mit EUV-Belichtung kann es von großer Bedeutung sein, ob ein oder zwei Sensoren auf der Wafer-Stage untergebracht werden müssen. Als Vorrichtung zur Wellenfronterfassung kommen insbesondere Interferometer zum Einsatz, welche zwei Masken bzw. Gitter aufweisen, welche vorliegend die erste Maske 22 und die zweite Maske 24 bilden und bei denen ferner die zweite Maske zum so genannten Phasenschieben bewegt werden kann. Die vorliegende Ausführungsform bildet dann eine Erweiterung der derartigen Interferometer-Messtechnik hin zu einer zusätzlichen Streustrahlungsinformation aus der mit dem Detektor gemessenen zweidimensionalen Intensitätsinformation. Die Streustahlungsinformation kann dabei derart aufbereitet und ausgewertet werden, dass sie pupillenaufgelöst vorliegt, dass also die ermittelte Streustrahlung zu einer Position innerhalb der Pupille des optischen Systems 12 bzw. einem bestimmten Winkel auf dem Wafer zugeordnet werden kann.
2 zeigt verschiedene Ausführungsformen von ersten und zweiten Masken, welche für die erfindungsgemäße Streustrahlungsmessung zum Einsatz kommen. Eine erste Maske 32 weist ein zentrales Pad 34 auf, welches eine Abschattung von Strahlung in der Mitte der Maske 32 erzeugt. Eine zugehörige zweite Maske 36 weist eine zentrale Öffnung entsprechend dem Pad 34 auf, so dass es bei einem Übereinanderlegen der beiden Masken 32 und 36 zu einer Vollabschattung kommen sollte. Die Vollabschattung kann nur von Streustrahlung bzw. Streulicht umgangen werden, welches im optischen System 12 entsteht. Die Intensität und die Lage dieser Streustrahlung wird erfindungsgemäß ermittelt, indem die zweite Maske 36 relativ zur ersten Maske 32 bewegt und dabei das Pad 34 in Deckung mit der zugehörigen Öffnung in der zweiten Maske 36 gebracht wird. Es entsteht eine sinusförmige Messkurve, welche den mit dem Detektor 26 ermittelten Intensitätsverlauf wiedergibt.
Das Minimum dieser Messkurve stellt die Intensität von Streustrahlung an dem gemessen Pad 34 dar. Die Flanken der Messkurve ermöglichen einen Rückschluss auf die Art und die Position der Streustrahlung innerhalb der Pupille. Mit anderen Worten bekommt man ein Minimum der Signalkurve genau dann, wenn sich das Lufbild der ersten Maske 32 (welche auch als Reticle-Gitter bezeichnet werden könnte) zentriert relativ zur zweiten Maske 36 befindet (die auch als Wafer-Gitter bezeichnet werden könnte). Die Signalstärke an diesem Minimum kann ausgewertet werden und man erhält eine Information über die Höhe und aus dem Ort der Messung auch über die Art der Streustrahlung. Bei Konfigurationen mit einem singulären Pad 34 erhält man ein Streustrahlungsintegral von a bis Unendlich, wobei a die Hälfte aus der Differenz der Kantenlänge des transparenten Bereichs der zweien Maske 36 und der Kantenlänge des dunklen Bereichs der ersten Maske 32 ist.
In 2 ist ferner eine erste Maske 38 sowie eine zugehörige zweite Maske 40 veranschaulicht, bei denen insgesamt vier Pads 34 jeweils in den Eckbereichen der im Übrigen quadratischen Masken vorgesehen sind. Die Pads 34 sind derart angeordnet, dass sie im Fernfeld auf der Messebene des Detektors 26 die gleiche Pupille ausleuchten. Der Vorteil liegt dabei in einer deutlich höheren Intensität an dem Detektor 26 und einer damit einhergehenden höheren Genauigkeit sowie einer geringeren Anfälligkeit gegenüber lokalen Maskenfehlern.
Bei einer weiteren in 2 rechts dargestellten ersten Maske 42 sind die Gebiete örtlich variierender Transmission mittels Streifen 44 gestaltet und eine zugehörige zweite Maske 46 ist mit entsprechend gestalteten Streifen mit inverser Transmissionsstruktur gestaltet. Die Pads 34 wurden hier also durch eine periodische Struktur, z.B. ein Liniengitter, ersetzt. Diese Ausführungsform liegt einem Wellenfront-Interferometer nahe.
Besonders vorteilhaft erfolgt mit diesen Masken 42 und 46 die Bewegung mittels der Bewegungseinrichtung 30 über mehrere Phasen der periodischen Struktur, wodurch die Messgenauigkeit weiter verbessert werden kann. Mit derart periodischen Strukturen erhält man eine Phasenschiebe-Kurve als Signalverlauf, wobei wiederum das Minimum dieser Messkurve die Streustrahlungsinformation enthält. Es kommt bei der erfindungsgemäßen Messung also weniger auf die Phase des Signals an, wie dies bei Vorrichtungen zur Wellenfronterfassung der Fall ist, sondern vielmehr auf das bzw. die Minima der gemessenen Intensitätssignalverläufe.
3 und 4 zeigen Signalverläufe 48 und 50 von erfindungsgemäßen Messungen während des Verschiebens einer zweiten Maske 46 relativ zu einer ersten Maske 42. In dem Fall der 3 handelt es sich bei den Masken 46 und 42 um Masken mit identischer Struktur. Man erhält mit derartigen Masken 42 und 46 ein sinusförmiges Signal. 4 zeigt den Signalverlauf 50 bei einer Kombination einer ersten Maske 42 mit einer zweiten Maske 46, bei dem die Masken gleiche Perioden aber unterschiedliche Tastverhältnisse aufweisen. Die unterschiedlichen Tastverhältnisse führen zu einem "verzerrten" sinusförmigen Signal.
In den 5 und 6 ist jeweils die Intensität von Streustrahlung (Y-Achse) über der Reichweite der Streustrahlung (X-Achse) dargestellt. Die Streustrahlung an einem Ort der Pupille ergibt sich im optischen System 12 längs einem über die Reichweite abnehmenden Streustrahlungs-Intensitätsverlauf 52. Dazu ist in den Diagrammen gemäß den 5 und 6 jeweils stark schematisiert der Signalverlauf der Intensitätsmessung mit einem Detektor 26 dargestellt. Es ergeben sich je nach Art der verwendeten Masken 42 und 46 unterschiedliche Signalverläufe. Ein erster Signalverlauf 54 ergibt sich für Masken, die gleiche Perioden und gleiche Tastverhältnisse haben. Ein zweiter Signalverlauf 56 entsteht für Masken, die gleiche Perioden und unterschiedliche Tastverhältnisse haben. Die Signalverläufe sind wegen der periodischen Strukturen der verwendeten Masken ebenfalls periodisch, wobei sich die Nullstellen bei Vielfachen der Periode ergeben. Die Bereiche zwischen den Nullstellen sind trapezförmig und die Form des Trapezes hängt von den Tastverhältnissen der verwendeten Masken ab. Es empfiehlt sich, das Tastverhältnis von einer der Masken größer eins zu wählen, d.h. die Maske weist größere mehr dunkle Bereiche auf, als transparente. Es kann auf diese Weise sichergestellt werden, dass unabhängig von der relativen Position der Masken zueinander nur Streustrahlung zu einem Signal beiträgt.
6 zeigt stark schematisierte Signalverläufe 58 und 60, bei denen die erste Maske 42 jeweils mit einem anderen Tastverhältnis gestaltet worden ist, als jene von 5. Es zeigt sich, dass der Streustrahlungs-Intensitätsverlauf 52 entsprechend an längeren Minima-Bereichen der Intensitätsverläufe 58 bzw. 60 zu auswertbaren Messergebnissen führt.
Die 5 und 6 veranschaulichen ferner, wie mit den einzelnen Minima-Messungen an den Signalverläufen 54 bis 60 eine "Entfaltung" der Streustrahlungsintegrale möglich ist, so dass aus diesen eine Reichweiten-aufgelöste Information über die Streustrahlung bzw. das Streulicht extrahiert werden kann. Die gemessenen Intensitäten an den einzelnen Minima der Signalverläufe 54 bis 60 können nämlich in Vergleich zu einem grundsätzlich erwarteten Streustrahlungs-Intensitätsverlauf (beispielsweise dem Streustrahlungs-Intensitätsverlauf 52) gesetzt werden und es kann dann aus einer ermittelten Abweichung entsprechend auf die reell vorliegende Streustrahlungssituation am optischen System 12 rückgeschlossen werden.
Durch den starken Abfall des Streustrahlungs-Intensitätsverlaufs 52 zu höheren Reichweiten der Streustrahlung kann die Periodizität des detektierten Bereichs nur eine untergeordnete Rolle spielen, d.h. die Signalstärke wird durch Reichweiten der Streustrahlung von kleiner einer Periode dominiert. Zur Vermeidung derartiger Probleme wird erfindungsgemäß insbesondere bei einer Streustrahlungsmessung eine Verschiebung verschiedener Kombinationen von Masken 42 und 46 relativ zueinander durchgeführt. Diese Verschiebung kann sequentiell erfolgen, oder aber die verschiedenen Masken sind nebeneinander bzw. parallel angeordnet, so dass man an verschiedenen Pupillen (so genannte Rois) Signale von verschiedenen Maskenkombinationen erhalten würde. 5 veranschaulicht dabei stark schematisiert zwei Signalverläufe 54 und 56, wobei bei dem Signalverlauf 54 die Masken 42 und 46 gleiche Perioden und gleiche Tastverhältnisse aufweisen sowie bei dem Signalverlauf 56 die Masken 42 und 46 gleiche Perioden und unterschiedliche Tastverhältnisse haben. 6 zeigt stark schematisiert zwei Signalverläufe 58 und 60, bei denen die Maske 42 jeweils im Vergleich zur 5 eine veränderte Periode und ein verändertes Tastverhältnis aufweist.
Bei der Auswertung der während der Verschiebung ermittelten Signalverläufe 54 bis 60 wird für die einzelnen örtlichen Bereiche des Detektors 26 und insbesondere für jedes seiner Pixel separat ein Signal-Minimum ermittelt. Dieses Signal-Minimum ergibt dann ein pupillenaufgelöstes Streustrahlungsmessergebnis, welches gegebenenfalls über ein Dunkelbild kalibrierbar ist. Ferner kann über eine Integration der Streustrahlungsinformation die Intensität über die gesamte Pupille ermittelt werden, wobei je nach Bedarf auch eine Gewichtung einzelner Pupillenbereiche möglich ist.
In den 7 und 8 wird die erfindungsgemäß mögliche Unterscheidung zwischen verschiedenen Arten von Streustrahlung am optischen System 12 veranschaulicht. 7 zeigt die Situation mit einer Streustrahlung 62, welche bezogen auf die Achse des optischen Systems 12 nur für sehr achsnahe Strahlen durch Vielfachreflexion entsteht. Diese achsnahe Streustrahlung 62 gelangt an der Maske 46 durch ein transparentes Gebiet, welches vorliegend mehr als eine Periode von dem die eigentliche Strahlung abschattenden Gebiet entfernt ist. Bei der Situation gemäß 8 entsteht Streustrahlung 64 am Rande der Pupille durch eine Auffächerung. Diese führt dazu, dass die achsferne Streustrahlung 64 durch jene transparenten Gebiete tritt, welche direkt benachbart zu dem die eigentliche Strahlung abschattenden Gebiet sind. Die damit erzielte Unterscheidung verschiedener Arten von Streustrahlung 62 bzw. 64 war mit bisher bekannten Methoden nicht möglich.

10: Belichtungsanlage
12: optisches System
14: Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung
16: Strahlungsquelle
18: Streuscheibe
20: Reticle
22: erste Maske
24: zweite Maske
26: Detektor
28: Auswerteeinrichtung
30: Bewegungseinrichtung
32: erste Maske
34: Pad
36: zweite Maske
38: erste Maske
40: zweite Maske
42: erste Maske
44: Streifen
46: zweite Maske
48: Signalverlauf mit gleichen Perioden und gleichen Tastverhältnissen
50: Signalverlauf mit gleichen Perioden und unterschiedlichen Tastverhältnissen
52: Streustrahlungs-Intensitätsverlauf
54: stark schematisierter Signalverlauf mit gleichen Perioden und gleichen Tastverhältnissen
56: stark schematisierter Signalverlauf mit gleichen Perioden und unterschiedlichen Tastverhältnissen
58: stark schematisierter Signalverlauf mit veränderter Periode an der ersten Maske
60: stark schematisierter Signalverlauf mit veränderter Periode an der ersten Maske
62: achsnahe Streustrahlung
64: achsferne Streustrahlung

Claims

Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12) mit den Schritten: Aussenden von Strahlung mit einer Strahlungsquelle (16), Leiten der Strahlung von der Strahlungsquelle (16) durch eine erste Maske mit örtlich variierender Transmission, Leiten der Strahlung von der ersten Maske (22; 32; 38; 42) durch das optische System (12), Leiten der Strahlung von dem optischen System (12) durch eine zweite Maske (24; 36; 40; 46) mit örtlich variierender Transmission, Messen der Intensität der durch die zweite Maske (24; 36; 40; 46) getretenen Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor (26), und Auswerten der mit dem Detektor (26) ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem pupillenaufgelösten Streustrahlungsmessergebnis.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zumindest eine der Masken (22; 24; 32; 36; 38; 40; 42; 46) mit einer Mehrzahl periodisch angeordneter Bereiche (44) variierender Transmission gestaltet ist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die zweite Maske (24; 36; 40; 46) mit einer zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) inversen Transmissionsstruktur gestaltet ist.
Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12), insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit den Schritten: Aussenden von Strahlung mit einer Strahlungsquelle (16), Leiten der Strahlung von der Strahlungsquelle (16) durch eine erste Maske (22; 32; 38; 42) mit örtlich variierender Transmission, Leiten der Strahlung von der ersten Maske (22; 32; 38; 42) durch das optische System (12), Leiten der Strahlung von dem optischen System (12) durch eine zweite Maske (24; 36; 40; 46) mit örtlich variierender Transmission, Messen der Intensität der durch die zweite Maske (24; 36; 40; 46) getretenen Strahlung mit einem ortsauflösenden Detektor (26), wobei die zweite Maske (24; 36; 40; 46) relativ zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) bewegt wird, und Auswerten der mit dem Detektor (26) ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem Streustrahlungsmessergebnis.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem beim Bewegen der zweiten Maske (24; 36; 40; 46) relativ zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) die Bewegung in einer ersten Richtung und in einer zweiten Richtung erfolgt, welche zur ersten Richtung im Wesentlichen senkrecht ist.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, bei dem mindestens eine Maske (22; 24; 32; 36; 38; 40; 42; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission aufweist und die Bewegung über mehrere Perioden dieser Struktur (44) erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission und beide periodischen Strukturen (44) gleiche Periode aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, bei dem die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission und beide periodischen Strukturen (44) unterschiedliche Tastverhältnisse aufweisen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission aufweisen und das Tastverhältnis von mindestens einer der Masken (22; 24; 32; 36; 38; 40; 42; 46) größer eins beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Schritte an einem optischen System (12) einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie durchgeführt werden.
Verfahren zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12), insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung durchgeführt wird.
Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12) mit einer Strahlungsquelle (16) zum Aussenden von Strahlung, einer ersten Maske (22; 32; 38; 42) mit örtlich variierender Transmission zum Durchleiten der Strahlung von der Strahlungsquelle (16) und weiter durch das optische System (12), einer zweiten Maske (24; 36; 40; 46) mit örtlich variierender Transmission zum Durchleiten der Strahlung von dem optischen System (12), einem ortsauflösenden Detektor (26) zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske (24; 36; 40; 46) getretenen Strahlung und einer Auswerteeinrichtung (28) zum Auswerten der mit dem Detektor (26) ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem pupillenaufgelösten Streustrahlungsmessergebnis.
Vorrichtung nach Anspruch 12, bei der zumindest eine der Masken mit einer Mehrzahl periodisch angeordneter Bereiche (44) variierender Transmission gestaltet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, bei der die zweite Maske (24; 36; 40; 46) mit einer zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) inversen Transmissionsstruktur gestaltet ist.
Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12), insbesondere nach einem der Ansprüche 12 bis 14, mit einer Strahlungsquelle (16) zum Aussenden von Strahlung, einer ersten Maske (22; 32; 38; 42) mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von der Strahlungsquelle (16) und weiter durch das optische System (12), einer zweiten Maske (24; 36; 40; 46) mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von dem optischen System (12), einem ortsauflösenden Detektor (26) zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske (24; 36; 40; 46) getretenen Strahlung, einer Bewegungseinrichtung (30) zum Bewegen der zweiten Maske (24; 36; 40; 46) relativ zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) und einer Auswerteeinrichtung (28) zum Auswerten der mit dem Detektor (26) ermittelten örtlich verteilten Intensität zu einem Streustrahlungsmessergebnis.
Vorrichtung nach Anspruch 15, bei der die Bewegungseinrichtung zum Bewegen der zweiten Maske (24; 36; 40; 46) relativ zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) dazu eingerichtet ist, die Bewegung in einer ersten Richtung und in einer zweiten Richtung durchzuführen, welche zur ersten Richtung im Wesentlichen senkrecht ist.
Vorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, bei der mindestens eine Maske eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission aufweist und die Bewegungseinrichtung (30) dazu einrichtet ist, die Bewegung über mehrere Perioden dieser Struktur (44) durchzuführen.
Vorrichtung nach Anspruch 17, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission und beide periodischen Strukturen (44) gleiche Periode aufweisen.
Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission und beide periodischen Strukturen (44) unterschiedliche Tastverhältnisse aufweisen.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine periodische Struktur (44) örtlich variierender Transmission aufweisen und das Tastverhältnis von mindestens einer der Masken (22; 24; 32; 36; 38; 40; 42; 46) größer eins beträgt.
Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12), insbesondere nach einem der Ansprüche 12 bis 20, mit einer Strahlungsquelle (16) zum Aussenden von Strahlung, einer ersten Maske (22; 32; 38; 42) mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von der Strahlungsquelle (16) und weiter durch das optische System (12), einer zweiten Maske (24; 36; 40; 46) mit örtlich variierender Transmission zum Hindurchleiten der Strahlung von dem optischen System (12) und einem ortsauflösenden Detektor (26) zum Messen der Intensität der durch die zweite Maske (24; 36; 40; 46) getretenen Strahlung in einer Messebene, bei der die Messebene des ortsauflösenden Detektors (26) in Strahlungsrichtung hinter der Bildebene des optischen Systems (12) angeordnet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 21, bei der ortsauflösende Detektor mit einem punkt- oder zeilenförmig messenden Sensor und einer Bewegungseinrichtung zum Bewegen des Sensors in mindestens einer Richtung gestaltet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 22, bei der das optische System (12) einer Belichtungsanlage für die Mikrolithographie zugeordnet ist.
Vorrichtung zur Streustrahlungsmessung an einem optischen System (12), insbesondere nach einem der Ansprüche 12 bis 23, bei der eine Auswerteeinrichtung (28) vorgesehen ist, die dazu angepasst ist, eine pupillenaufgelöste Streustrahlungsmessung durchzuführen.
Belichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie mit einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 24.
Wafer-Stage mit einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 24.
Verwendung einer Vorrichtung zur Wellenfronterfassung an einem optischen System (12) einer Belichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie zur Streustrahlungsmessung an dem optischen System (12) der Belichtungsanlage (10).
Verwendung nach Anspruch 27, bei der die Streustrahlungsmessung pupillenaufgelöst erfolgt.
Verwendung nach Anspruch 27 oder 28, bei der eine erste Maske (22; 32; 38; 42) und/oder eine zweite Maske (24; 36; 40; 46) mit einer Mehrzahl periodisch angeordneter Gebiete (44) variierender Transmission, insbesondere in Form von Öffnungen, benutzt wird.
Verwendung nach Anspruch 29, bei der eine zweite Maske (24; 36; 40; 46) mit einer zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) inversen Transmissionsstruktur benutzt wird.
Verwendung nach einem der Ansprüche 27 bis 30, bei der eine erste und eine zweite Maske (24; 36; 40; 46) verwendet und bei der Streustrahlungsmessung die zweite Maske (24; 36; 40; 46) relativ zur ersten Maske (22; 32; 38; 42) bewegt wird.
Verwendung nach Anspruch 31, bei der das Bewegen der ersten Maske (22; 32; 38; 42) relativ zur zweiten Maske (24; 36; 40; 46) in einer ersten Richtung und in einer zweiten Richtung erfolgt, welche zur ersten Richtung im Wesentlichen senkrecht ist.
Verwendung nach Anspruch 31 oder 32, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine Struktur (44) periodisch angeordneter Gebiete variierender Transmission aufweisen und das Bewegen der ersten Maske (22; 32; 38; 42) relativ zur zweiten Maske (24; 36; 40; 46) über mehrere Perioden der Struktur (44) der periodisch angeordneten Gebiete variierender Transmission erfolgt.
Verwendung nach einem der Ansprüche 29 bis 33, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine Struktur (44) periodisch angeordneter Gebiete variierender Transmission aufweisen und beide Strukturen (44) gleiche Periode aufweisen.
Verwendung nach einem der Ansprüche 29 bis 34, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine Struktur (44) periodisch angeordneter Gebiete variierender Transmission aufweisen und beide Strukturen (44) unterschiedliche Testverhältnisse aufweisen.
Verwendung nach einem der Ansprüche 29 bis 35, bei der die erste und die zweite Maske (24; 36; 40; 46) eine Struktur (44) periodisch angeordneter Gebiete variierender Transmission aufweisen und das Testverhältnis von mindestens einer der Masken (22; 24; 32; 36; 38; 40; 42; 46) größer eins beträgt.