DE102007054776B4 - Hochenergie-Laserkristall und zugehörige Hochenergie-Laserquelle - Google Patents
Hochenergie-Laserkristall und zugehörige Hochenergie-Laserquelle Download PDFInfo
- Publication number
- DE102007054776B4 DE102007054776B4 DE200710054776 DE102007054776A DE102007054776B4 DE 102007054776 B4 DE102007054776 B4 DE 102007054776B4 DE 200710054776 DE200710054776 DE 200710054776 DE 102007054776 A DE102007054776 A DE 102007054776A DE 102007054776 B4 DE102007054776 B4 DE 102007054776B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- crystal
- disc
- laser crystal
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0604—Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0405—Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0608—Laser crystal with a hole, e.g. a hole or bore for housing a flashlamp or a mirror
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0612—Non-homogeneous structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0615—Shape of end-face
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
- H01S3/0621—Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
- H01S3/0625—Coatings on surfaces other than the end-faces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
- H01S3/0815—Configuration of resonator having 3 reflectors, e.g. V-shaped resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094049—Guiding of the pump light
- H01S3/094053—Fibre coupled pump, e.g. delivering pump light using a fibre or a fibre bundle
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/09408—Pump redundancy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1616—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth thulium
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Dotierter, scheibenförmiger Laserkristall mit zwei Hauptflächen (2, 3) und einer umlaufenden Außenfläche (4), derart, dass
der Laserkristall eine Bohrung (5) enthält, die wenigstens teilweise durch die Achse der Scheibe verläuft,
der Laserkristall Pumpvorrichtungen (10) aufweist,
die Pumpvorrichtungen dazu ausgebildet sind, Strahlung in Richtung der umlaufenden Außenfläche des Kristalls zu emittieren,
die umlaufende Fläche eine Beschichtung aufweist, die für die Pumpwellenlänge durchlässig und bei der Emissionswellenlänge des dotierten Laserkristalls reflektierend ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Dicke des Laserkristalls radial variiert, wobei die Scheibe zum Zentrum hin dicker ist als zum Rand.
der Laserkristall eine Bohrung (5) enthält, die wenigstens teilweise durch die Achse der Scheibe verläuft,
der Laserkristall Pumpvorrichtungen (10) aufweist,
die Pumpvorrichtungen dazu ausgebildet sind, Strahlung in Richtung der umlaufenden Außenfläche des Kristalls zu emittieren,
die umlaufende Fläche eine Beschichtung aufweist, die für die Pumpwellenlänge durchlässig und bei der Emissionswellenlänge des dotierten Laserkristalls reflektierend ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Dicke des Laserkristalls radial variiert, wobei die Scheibe zum Zentrum hin dicker ist als zum Rand.
Description
- Die Erfindung betrifft vor allem den Bereich Laser und insbesondere eine Laserquelle, die mit hoher Energie und eventuell bei augensicheren Wellenlängen emittieren kann.
- Wenn es sich um Hochenergie-Laserquellen handelt, ist die Augensicherheit von Laserquellen ein entscheidendes Problem. Zweifellos sind die Risiken in den industriellen und militärischen Bereichen, in denen solche Laserquellen verwendet werden, am größten. Dennoch werden aus wirtschaftlichen und strategischen Gründen nach wie vor eher Quellen mit dem günstigsten Raumbedarf und Wirkungsgrad bevorzugt, anstatt das Risiko für die Augen zu berücksichtigen. In Einrichtungen der Industrie, in denen die Quellen fest installiert sind, kann das Personal geschützt werden. Ganz anders verhält es sich hingegen bei militärischen Anwendungen. Die Wahl eines Sauerstoff-Jod-Lasers mit einer Emission bei 1,315 μm als Hochenergie-Quelle im militärischen Bereich ist äußerstenfalls akzeptabel, sofern der Laser in großer Höhe eingesetzt wird, so dass das angesprochene Risiko nicht wirklich besteht. Zudem hat der Nd:YAG-Laser mit einer Emission bei 1,06 μm seit der Entwicklung von Pumpdioden, deren Wirkungsgrad 70 bis 80% erreichen kann, enorm an Bedeutung gewonnen, sodass diese Quelle als Hochenergie-Quelle für militärische Anwendungen gewählt wurde. Allerdings wurden für diesen Laser zahlreiche technologische Fortschritte erzielt, wodurch sein Potential als Hochenergie-Laser erhöht wurde.
- In dieser Hinsicht kennt man vor allem die Patentanmeldung US 2003/0138021 A1, in der eine Hochenergie-Laserquelle beschrieben wird, die mit einem aktiven Material des Typs Nd:YAG arbeitet, welches eine Struktur von geringer Dicke in Form eines dünnen Plättchens hat, damit der in Wärme umgewandelte Teil der Pumpenergie besser abgeleitet werden kann. Dieses dünne Plättchen wird mitunter auch als „Slab” bezeichnet.
- Das dünne Plättchen wird mit Hilfe von zwei Diodenarrays, die an beiden Seiten des Plättchens platziert sind, gepumpt und durch mikrooptische Elemente wird das Pumplicht durch die Seitenflächen hindurch, die eine Höhe von 0,4 bis 0,7 mm haben, in das Laser-Material eingekoppelt. Die Wärme wird durch die Hauptoberflächen des Plättchens abgeleitet und die Laseremission verläuft entlang des Plättchens durch dessen kleinsten Querschnitt. Aufgrund reflektierender Beschichtungen oder Plättchen mit geringerem Index, zum Beispiel aus Saphir, die an beiden Seiten der Hauptflächen angebracht sind, werden Laseremission und Pumplicht gesteuert. Die Länge des dünnen Plättchens, an dem entlang die Laseremission stattfindet, ist der Parameter, mit dem hohe Leistungen extrapoliert werden können.
- Das größte Problem, das weiterhin besteht, hängt mit der besonderen Geometrie des emittierten Laserstrahls zusammen, nämlich ein Strahl, dessen Querschnitt ein Spalt mit sehr unterschiedlichen Divergenzen in beiden Richtungen ist und der aufgrund des Absorptionsgesetzes eine Inhomogenität des Intensitätsprofils in Richtung der Spaltbreite aufweist.
- Zusätzlich zu ihren eigentlichen Mängeln haben diese Hochenergie-Laserquellen den Nachteil, dass sie nicht bei einer augensicheren Wellenlänge emittieren, das heißt bei etwa über 1,5 μm.
- Aus der
US 2005/0163184 A1 - Die
DE 600 02 336 T2 zeigt einen dotierten, scheibenförmigen Laserkristall mit zwei Hauptflächen. Augenmerk wird auf eine Kühlvorrichtung gerichtet, die bündig an einer der beiden Hauptflächen anliegt. Die Laserstrahlung wird senkrecht zu den Hauptflächen emittiert. - Die
DE 10 2004 056 902 A1 geht auf eine chemische Zusammensetzung eines scheibenförmigen Laserkristalls ein. - Aufgabe der Erfindung ist es, bei einem gattungsgemäßen Laserkristall eine konstante Absorption der Pumpstrahlung im Innern des Kristalls zu erhalten. Der Laserkristall soll ferner die Schaffung einer Hochenergie-Laserquelle und die Gewinnung von schwach divergenten Strahlen ermöglichen, sodass ein Laserstrahl problemlos über weite Strecken transportiert werden kann.
- Die Lösung ist ein dotierter, scheibenförmiger Laserkristall mit den Merkmalen des Anspruches 1. Ein Laserkristall ist ein Kristall, der dazu geeignet ist, Laserstrahlung zu emittieren, wenn er mit angemessener Pumpstrahlung gepumpt wird.
- Zudem kann dieser Kristall mindestens eine der folgenden Eigenschaften haben:
- – er besteht aus YAG, YALO, YVO4 oder KGW,
- – er ist Holmium-, Thulium- oder Erbium-dotiert: der Gebrauch dieser Dotierungsstoffe ermöglicht es, augensichere Laserquellen zu erhalten,
- – er enthält einen radialen Spalt, durch den es möglich ist, die Eigenschwingung zu vermeiden, wenn der Kristall in eine Laserquelle eingesetzt wird.
- Um eine praktisch konstante Absorption der Pumpstrahlung innerhalb der gesamten Scheibe, wenn diese in einer Laserquelle eingesetzt wird, zu erhalten, kann ein Kristall gemäß Anspruch 1 zusätzlich mindestens eine der folgenden Eigenschaften aufweisen:
- – die Konzentration an Dotierungsstoffen variiert radial,
- – die Scheibe wird aus Keramik hergestellt, z. B. durch Sintern, wodurch die Konzentration an Dotierungsstoffen hervorragend kontrolliert werden kann; da diese Konzentration radial stetig oder stufenweise variieren kann, weist die Scheibe konzentrische Ringe auf, bei denen die Konzentration an Dotierungsstoffen innerhalb eines Ringes dieselbe ist, sich aber von Ring zu Ring unterscheidet. Diese zuletzt genannte Technik ermöglicht die Herstellung von großen Scheiben und Hochleistungslasern.
- Gemäß einer besonderen Ausführungsform ist die Quelle dazu geeignet, am Ausgang der Scheibe eine Strahlung zu emittieren, deren Richtung einen um π/2 anderen Winkel als die Achse der Scheibe hat.
- Gemäß einer besonderen Ausführungsform enthält die Quelle Vorrichtungen, die auf Höhe der Bohrung angebracht und dazu geeignet sind, die vom Kristall emittierte Laserstrahlung abzulenken.
- Gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform sind diese Vorrichtungen, die dazu geeignet sind, die vom Kristall emittierte Laserstrahlung abzulenken, dazu geeignet, die Strahlung zumindest teilweise in Richtung der Achse der Scheibe abzulenken.
- Gemäß einer besonderen Ausführungsform sind die Hauptflächen des Kristalls mit einem Material mit geringerem Brechungsindex überzogen, wodurch ein Lichtleitungseffekt erzielt wird, z. B. Saphir.
- Wie schon im Anspruch 1 ausgeführt, enthält die umlaufende Fläche eine Beschichtung, die für die Wellenlänge des Pumpstrahls durchlässig und bei der Laseremissionswellenlänge des dotierten Kristalls reflektierend ist, mit einem vorteilhaften, sehr engen Spektral- und Winkelprofil.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform bestehen die Pumpvorrichtungen aus fasergekoppelten Dioden, die möglicherweise dazu geeignet sind, eine Thulium- oder Erbium-dotierte Scheibe zu pumpen; diese Scheibe ist dazu geeignet, im Fall einer Dotierung mit Thulium, eine Laserstrahlung zu emittieren, die selbst wiederum dazu geeignet ist, einen Holmium-dotierten Kristall zu pumpen.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform enthält die Quelle Vorrichtungen zur Kühlung der Scheibe, die vorzugsweise mit den Hauptflächen der Scheibe verbunden sind.
- Beigefügte Figuren:
- In den
1a und1b wird ein Kristall gemäß einer ersten Ausführung schematisch dargestellt. - In den
2a und2b wird ein Beispiel für mit dem Kristall verbundene Ablenkungsvorrichtungen gemäß der ersten Ausführung schematisch dargestellt. - In der
3 wird ein Beispiel für Pumpvorrichtungen für den Kristall gemäß der ersten Ausführung schematisch dargestellt. - In der
4 wird ein zweites Beispiel für mit dem Kristall verbundene Ablenkungsvorrichtungen gemäß der ersten Ausführung schematisch dargestellt. - In den
5a und5b wird ein Kristall, jeweils gemäß einer zweiten und einer dritten Ausführung schematisch dargestellt. - In den
6a und6b wird ein Beispiel für Kühlvorrichtungen eines Kristalls jeweils gemäß der zweiten und der dritten Ausführung schematisch dargestellt. - In den
1a und1b ist ein Kristall1 schematisch dargestellt. Dieser Kristall1 ist scheibenförmig und hat zwei Hauptoberflächen2 und3 mit einem Außendurchmesser Ra und eine umlaufende Außenfläche4 mit der Höhe h. - Diese Scheibe
1 enthält unter anderem eine Bohrung5 mit einem kreisförmigen Querschnitt der Achse Y, die der Achse der Scheibe entspricht und eine umlaufende Innenfläche6 mit dem Radius Ri definiert. - Wie in den
2a und2b dargestellt, sind die Vorrichtungen7 zur Ablenkung der vom Kristall emittierten Laserstrahlung L, die in2a nur teilweise zu sehen ist, im Innern der Bohrung5 angebracht. Diese Vorrichtungen7 zur Ablenkung der vom Kristall emittierten Laserstrahlung L bestehen aus einer rotationssymmetrischen Vorrichtung, nämlich einem Kegel8 , dessen Achse mit der Achse Y der Scheibe1 zusammenfällt und dessen Seitenfläche9 mit einer bei der Wellenlänge der vom Kristall emittierten Laserstrahlung L reflektierenden Beschichtung versehen ist. Die Kegelspitze hat einen Winkel von ungefähr π/2 Rd. - Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Hauptflächen
2 und3 sowie die umlaufende Außenfläche4 mit einer bei der Wellenlänge der vom Kristall emittierten Laserstrahlung L reflektierenden Beschichtung versehen. - So wird die vom Kristall emittierte und über die umlaufende Innenfläche
6 aus diesem austretende Laserstrahlung von der reflektierenden Oberfläche9 des Kegels ungefähr senkrecht zu ihrer ursprünglichen Richtung, also ungefähr in Richtung der Achse Y des Kegels8 , die, in diesem Ausführungsbeispiel, mit der Achse der Bohrung5 und der Achse der Scheibe1 zusammenfällt, reflektiert. - Die
3 zeigt ein Beispiel für die Verbindung von Pumpvorrichtungen10 mit einer Scheibe1 gemäß dem vorhergehenden Beispiel. Diese Pumpvorrichtungen10 bestehen aus fasergekoppelten Dioden, die, wenn sie alle dieselbe Leistung haben, vorzugsweise gleichmäßig um die umlaufende Außenfläche4 der Scheibe verteilt sind, deren Beschichtung für die Wellenlänge der Pumpstrahlung, die aus den Fasern11 austritt, durchlässig ist. Diese fasergekoppelten Dioden sind radial um den Umfang der Scheibe1 angeordnet und die Fasern11 leiten die Pumpleistung von den Dioden, die nicht abgebildet sind, zur Scheibe1 , indem sie die Pumpleistung auf der gesamten Höhe h der Scheibe verteilen. - Der Laserresonator besteht zum einen aus der Beschichtung der umlaufenden Außenfläche
4 der Scheibe, die die Wellenlänge der vom Kristall emittierten Laserstrahlung L reflektiert (z. B. 2,02 μm für Tm:YAG und 2,09 μm für Ho:YAG) und die für die Wellenlänge der Pumpstrahlung, die aus den Fasern11 (785 nm bzw. 1,91 μm) austritt, durchlässig ist und zum anderen aus einer Beschichtung, die die umlaufende Innenfläche6 der Scheibe1 bedeckt und die die Pump-Wellenlänge reflektiert und für die Emissionswellenlänge des Kristalls1 durchlässig ist. - Die vom Kristall
1 emittierte Laserstrahlung L, die aus dem Resonator austritt, wird von dem reflektierenden Kegel8 in eine Richtung abgelenkt, die der Achse Y der Scheibe1 entspricht, und die so entstehende Strahlung weist eine Rotationssymmetrie um die Achse Y auf. - Gemäß einer Ausführungsform, durch die eine augensichere Laserstrahlung emittiert werden kann, in diesem Fall bei einer Wellenlänge von etwa 1,9 μm, besteht der Kristall aus YAG, der mit Thulium in einer Konzentration von über 2%, in diesem Fall 3% dotiert ist, während die Pumpvorrichtungen aus fasergekoppelten Dioden bestehen, die bei einer Wellenlänge von etwa 0,8 μm emittieren. Durch diese fasergekoppelten Dioden ist es möglich, Pumpleistungsdichten in der Größenordnung von mehreren kWatt/cm2 und eine Leistungsdichte des vom Kristall emittierten Lasers von mehreren kWatt/cm2 zu erhalten.
- Gemäß einer in
4 dargestellten Ausführungsform bestehen die Vorrichtungen22 zur Ablenkung der Laserstrahlung, die über die umlaufende Innenfläche aus dem Resonator austritt, aus einem kegelförmigen Spiegel, dessen reflektierende Oberfläche23 konkavförmig ist. Im Gegensatz zu einem einfachen Kegel ermöglicht es diese Geometrie, den Querschnitt der austretenden Laserstrahlung zu verkleinern und somit ihre Leistungsdichte zu erhöhen. Zudem sind die Hauptflächen der Scheibe1 von Plättchen24 ,25 mit geringerem Index, z. B. aus Saphir, beschichtet, die zur Lichtleitung der Laseremission und des Pumplichts dienen. Außerdem sind die Vorrichtungen zur Abkühlung26 durch Wärmeleitung mit den genannten Hauptflächen der Scheibe1 verbunden und bestehen aus einer oberen Platte27 und einer unteren Platte28 ; die Ablenkvorrichtungen22 , die im Innern der genannten Bohrung5 angebracht sind, sind fest mit der genannten unteren Platte28 verbunden. Diese beiden Platten können selbst mit Flüssigkeit, z. B. Wasser, gekühlt werden. - Zudem zeigen die
5a und5b mehrere Ausführungsformen der Bohrung, die an einer Scheibe durchgeführt wurden und die es ermöglichen, ohne die genannten Ablenkvorrichtungen7 auszukommen. - Die Bohrung
13 , mit der die Scheibe14 auf Höhe ihrer Achse Y versehen wurde, ist kegelförmig, wie in den5a und5c oder kegelstumpfförmig, wie in den5b und5c und mündet auf einer oder beiden Hauptflächen15 ,16 der Scheibe14 . Die Oberfläche17 , die diese Bohrung abgrenzt, ist mit einer Beschichtung versehen, die für die Wellenlänge der Pumpstrahlung durchlässig ist und die Wellenlänge der vom Kristall emittierten Laserstrahlung reflektiert. Der Scheitelwinkel der Bohrung beträgt etwa π/2 Rad, sodass die Innenfläche17 der Scheibe14 , die der genannten Oberfläche17 , welche die Bohrung begrenzt, entspricht, einen Winkel von etwa π/4 Rad mit der Scheibenebene bildet. Auf diese Weise wird die vom Kristall emittierte Laserstrahlung, die auf die Innenfläche17 auftrifft, von der Beschichtung in Richtung der Achse Y des durch die Bohrung geformten Kegels reflektiert, d. h. ungefähr senkrecht zu ihrer ursprünglichen Richtung. - In
5a ist die Bohrung kegelförmig und die austretende Strahlung hat einen vollkommen kreisförmigen Querschnitt, dessen Form eine gute Homogenität aufweist. - In
5b ist die Bohrung kegelstumpfförmig und die austretende Strahlung hat einen ringförmigen Querschnitt18 , dann, ab einer bestimmten Entfernung, einen kreisförmigen Querschnitt19 und zeigt einen ersten zentralen Querschnitt20 , dessen Leistungsdichte größer ist als ein zweiter, umlaufender und ringförmiger Querschnitt21 . - Somit kann die Form der Bohrung an das erwünschte räumliche Profil der von der Scheibe emittierten Laserstrahlung angepasst werden.
- Wie in den
6a und6b dargestellt, sind die Hauptflächen15 ,16 der Scheibe14 zudem mit Plättchen34 ,35 mit geringerem Index bedeckt, z. B. aus Saphir, und dienen zur Steuerung der Laseremission und des Pumplichts. Außerdem sind die Vorrichtungen zur Kühlung36 durch Wärmeleitung mit den genannten Hauptflächen der Scheibe14 verbunden und bestehen aus einer oberen Platte37 und einer unteren Platte38 . Diese beiden Platten können selbst mit Flüssigkeit, z. B. Wasser, gekühlt werden und die Plättchen34 ,35 tragen zum Wärmeaustausch durch Ableitung bei. - Im Übrigen hängt die Absorption der Pumpstrahlung im Innern einer Scheibe von der Intensität dieser Strahlung, vom Absorptionswirkungsquerschnitt und vom bestrahlten Querschnitt des Kristalls ab. Von außen in Richtung der Achse Y der Scheibe nimmt die Intensität der Pumpstrahlung infolge der Absorption ab und der bestrahlte Querschnitt (2πR.h mit R von Ra bis Ri variierend) wird ebenfalls kleiner und tendiert so zu einer praktisch konstanten, absorbierten Leistungsdichte, wenn eins das andere vollständig kompensiert. Wenn die Kompensation nur teilweise stattfände, wäre es vorteilhaft, die Konzentration an Dotierungsstoffen entsprechend der Strahlung zu variieren, um eine konstante Absorption und somit eine quasi konstante Erwärmung auf dem gesamten Radius der Scheibe zu erhalten, wodurch es möglich wäre, Wärmepunkte zu vermeiden, die den Kristall möglicherweise beschädigen.
- An der Erfindung können zahlreiche Modifikationen vorgenommen werden, ohne den Rahmen der Erfindung zu sprengen. So kann die Bohrung eine andere Form als zylindrisch oder kegelförmig haben. Die Bohrung kann z. B. einen vieleckigen Querschnitt haben.
- Zudem sind die Hauptflächen der Scheibe nicht parallel und haben zwischen sich einen Winkel, der nicht Null ist, wobei die Dicke h in Abhängigkeit vom Radius r variabel ist, die Dicke vorzugsweise umgekehrt proportional zum Radius ist, der Wert für h auf Höhe des Radius Ri größer ist als auf Höhe des Radius Ra, sodass diese Änderung der Dicke dazu dient, eine konstante Absorption im Innern des Kristalls zu erhalten.
Claims (16)
- Dotierter, scheibenförmiger Laserkristall mit zwei Hauptflächen (
2 ,3 ) und einer umlaufenden Außenfläche (4 ), derart, dass der Laserkristall eine Bohrung (5 ) enthält, die wenigstens teilweise durch die Achse der Scheibe verläuft, der Laserkristall Pumpvorrichtungen (10 ) aufweist, die Pumpvorrichtungen dazu ausgebildet sind, Strahlung in Richtung der umlaufenden Außenfläche des Kristalls zu emittieren, die umlaufende Fläche eine Beschichtung aufweist, die für die Pumpwellenlänge durchlässig und bei der Emissionswellenlänge des dotierten Laserkristalls reflektierend ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des Laserkristalls radial variiert, wobei die Scheibe zum Zentrum hin dicker ist als zum Rand. - Laserkristall gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bohrung (
5 ) einen kreisförmigen Querschnitt hat. - Laserkristall gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bohrung (
5 ) kegelstumpfförmig ist. - Laserkristall gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bohrung (
5 ) eine vieleckige Form hat. - Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass er einen radialen Spalt enthält.
- Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der dotierte Kristall aus YAG, YALO, YVO4 oder KGW besteht.
- Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet dadurch, dass er Thulium-, Erbium oder Holmium-dotiert ist.
- Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration an Dotierungsstoffen im Kristall radial variiert.
- Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass er aus Keramik besteht.
- Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Bohrung (
5 ) auf jeder der beiden Hauptflächen der Scheibe mündet. - Laserquelle mit einem Laserkristall gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass sie dazu geeignet ist, am Ausgang der Scheibe eine Strahlung zu emittieren, deren Richtung einen um π/2 anderen Winkel als die Achse der Scheibe hat.
- Laserquelle gemäß Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sie Vorrichtungen enthält, die auf Höhe der Bohrung angebracht und dazu geeignet sind, die vom Kristall emittierte Laserstrahlung abzulenken.
- Laserquelle gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass diese Vorrichtungen, die dazu geeignet sind, die vom Kristall emittierte Laserstrahlung abzulenken, dazu geeignet sind, die Strahlung zumindest teilweise in Richtung der Achse der Scheibe abzulenken.
- Laserquelle gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptflächen mit einem Material mit geringerem Brechungsindex als der Kristall überzogen sind, z. B. mit Saphir.
- Laserquelle gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Pumpvorrichtungen aus fasergekoppelten Dioden bestehen, die insbesondere dazu geeignet sind, eine Thulium-dotierte Scheibe zu pumpen; diese Scheibe ist dann dazu geeignet, eine Laserstrahlung zu emittieren, die selbst wiederum dann dazu geeignet ist, einen Holmium-dotierten Kristall zu pumpen.
- Laserquelle gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserquelle Vorrichtungen zur Kühlung der Scheibe enthält, die vorzugsweise mit den Hauptflächen der Scheibe verbunden sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0610822A FR2909806B1 (fr) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | Cristal et source laser a haute energie associe. |
FR06/10822 | 2006-12-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007054776A1 DE102007054776A1 (de) | 2008-06-26 |
DE102007054776B4 true DE102007054776B4 (de) | 2011-03-17 |
Family
ID=38335696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200710054776 Active DE102007054776B4 (de) | 2006-12-12 | 2007-11-16 | Hochenergie-Laserkristall und zugehörige Hochenergie-Laserquelle |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102007054776B4 (de) |
FR (1) | FR2909806B1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2944159A1 (fr) * | 2009-04-02 | 2010-10-08 | Ecole Polytech | Laser a dispositif de pompage ameliore |
US11658453B2 (en) * | 2018-01-29 | 2023-05-23 | Ronald LaComb | Concentric cylindrical circumferential laser |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60002336T2 (de) * | 1999-07-02 | 2004-03-04 | Asah Medico A/S | Laserkristallvorrichtung |
US20050163184A1 (en) * | 2000-09-29 | 2005-07-28 | Hilliard Donald B. | Optical cavity and laser |
DE102004056902A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-08 | FEE Forschungsinstitut für Mineralische und Metallische Werkstoffe Edelsteine/Edelmetalle GmbH | Scheibenlaserkristall |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3921096A (en) * | 1974-12-16 | 1975-11-18 | United Technologies Corp | Unstable split mode laser resonator |
WO1987002519A1 (en) * | 1985-10-08 | 1987-04-23 | Benny Allan Greene | Laser apparatus |
US7200161B2 (en) * | 2001-01-22 | 2007-04-03 | The Boeing Company | Side-pumped solid-state disk laser for high-average power |
US6810060B2 (en) * | 2001-02-13 | 2004-10-26 | The Boeing Company | High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures |
DE10243845B4 (de) * | 2002-09-10 | 2009-01-15 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Verfahren zur Herstellung und zum Betreiben eines Feststoff-Polymer-Lasermediums |
-
2006
- 2006-12-12 FR FR0610822A patent/FR2909806B1/fr active Active
-
2007
- 2007-11-16 DE DE200710054776 patent/DE102007054776B4/de active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60002336T2 (de) * | 1999-07-02 | 2004-03-04 | Asah Medico A/S | Laserkristallvorrichtung |
US20050163184A1 (en) * | 2000-09-29 | 2005-07-28 | Hilliard Donald B. | Optical cavity and laser |
DE102004056902A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-08 | FEE Forschungsinstitut für Mineralische und Metallische Werkstoffe Edelsteine/Edelmetalle GmbH | Scheibenlaserkristall |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE Journ. Select. Topics Quant. Electron., Vol. 13, No. 3, May, June 2007, S. 598-609 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2909806A1 (fr) | 2008-06-13 |
DE102007054776A1 (de) | 2008-06-26 |
FR2909806B1 (fr) | 2010-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0869592B1 (de) | Laserverstärkersystem | |
DE60218211T2 (de) | Laser mit einem verteilten verstärkungsmedium | |
EP0917750B1 (de) | Einrichtung zur ablation von material mit hilfe von laserstrahlung | |
DE102006039074B4 (de) | Optische Anordnung zum Pumpen von Festkörperlasern | |
EP0632551A1 (de) | Laserverstärkersystem | |
DE60212436T2 (de) | Kompakte Festkörperlaser | |
DE102010018030A1 (de) | Flächenlichtquelle | |
DE19934638B4 (de) | Modensynchronisierter Festkörperlaser mit mindestens einem konkaven Faltungsspiegel | |
DE102007054776B4 (de) | Hochenergie-Laserkristall und zugehörige Hochenergie-Laserquelle | |
DE4101403C2 (de) | Halbleiterlaser-gepumpter Festkörperlaser | |
DE2456913A1 (de) | Farbstoff-laser | |
DE60038749T2 (de) | Transversal gepumpter Laser | |
DE60004237T2 (de) | LASER-Generatorsystem | |
DE4008225C2 (de) | Laserdiodengepumpter Festkörperlaser | |
DE69737119T2 (de) | Laserdiodengepumpter Festkörper Verstärker und Laser | |
DE10154007B4 (de) | Anordnung zum Pumpen eines anisotropen Laserkristalls | |
EP1502332B1 (de) | Optische anordnung zur erzeugung eines breitbandspektrums | |
DE4304178A1 (de) | Aktives gefaltetes Resonatorsystem | |
EP2976816B1 (de) | Laseranordnung | |
WO2011085794A1 (de) | Optische anordnung zum optischen pumpen eines aktiven mediums | |
DE4229498A1 (de) | Festkörperlaser | |
DE102007054775A1 (de) | Dünnes Plättchen für eine Hochenergie-Laserquelle | |
DE102007054846A1 (de) | Hochenergie-Laserquelle | |
WO2004027943A1 (de) | Optisch gepumpter festkörperlaser | |
DE4444435A1 (de) | Optisch angeregter Festkörperlaser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20110703 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R073 | Re-establishment requested | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHNEIDER, MICHAEL, DR.-ING., DE |
|
R074 | Re-establishment allowed |