DE102007051182A1 - Elektronikindustrieanlage und Verfahren zum Betreiben einer Elektronikindustrieanlage - Google Patents

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Abstract

Eine Elektronikindustrieanlage weist eine Produktionseinheit (200) zur Herstellung eines Halbleiterprodukts und eine Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit (100) auf. Der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit werden ein Stickstoff-Produktstrom (110), ein Reinsauerstoff-Produktstrom (120) und ein Unreinsauerstoff-Produktstrom (130) entnommen. Die drei Produktiströme (110, 120, 130) werden der Produktionseinheit zugeleitet.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer Elektronikindustrieanlage gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Es ist bekannt, bei Elektronikindustrieanlagen eine Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit in Form einer Einzelsäulenanlage einzusetzen, die Stickstoff als einziges Produkt erzeugen und dieses mindestens zum Teil an die Produktionseinheit zur Halbleiterherstellung zu liefern. Solche Einheiten benötigen häufig Stickstoff zur Inertisierung, Reinsauerstoff zur Herstellung einer oxidierenden Atmosphäre zur Entfernung von CO und NO aus den Fertigungswerkzeugen und Unreinsauerstoff zur Entsorgung von schädlichen Abgasen durch Verbrennung.
  • Die Produktionseinheit zur Halbleiterherstellung kann zum Beispiel durch eine an sich bekannte Anlage zur Herstellung oder Weiterverarbeitung von Wafern, zur Ferigung oder Weiterverarbeitung von Siliziumplatten für Solaranlagen oder zur Herstellung integrierter Schaltungen gebildet werden.
  • Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheiten sind zum Beispiel aus Hausen/Linde, Tieftemperaturtechnik, 2. Auflage 1985, Kapitel 4 (Seiten 281 bis 337) bekannt. Sie weisen üblicherweise ein Destilliersäulen-System zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung sowie mindestens einen Hauptwärmetauscher zur Abkühlung von Einsatzluft auf. Das Destilliersäulen-System der Erfindung kann als Einsäulensystem zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung ausgebildet sein (also zum Beispiel eine Einzelsäule als einzige Destilliersäule aufweisen), als Zweisäulensystem (zum Beispiel als klassisches Linde-Doppelsäulensystem oder als Einzelsäule mit Reinsauerstoffsäule), oder auch als Drei- oder Mehrsäulensystem. Es kann neben den Destilliersäulen auch Kondensator-Verdampfer zur Erzeugung von Rücklaufflüssigkeit und aufsteigendem Dampf für die Destillation aufweisen. Aus dem Destilliersäulen-System und/oder dem Hauptwärmetauscher entnommene Ströme werden im Folgenden als Produktströme der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit bezeichnet. Es ist bekannt, aus einer der Säulen und/oder Kondensator-Verdampfer des Destilliersäulen-Systems einen Stickstoff-Produktstrom abzuziehen, der sich in gasförmigem oder flüssigem Zustand befindet, und mindestens einen Teil dieses Stickstoff-Produktstroms der Produktionseinheit zuzuleiten.
  • Zusätzlich können weitere Destilliervorrichtungen zur Gewinnung anderer Luftkomponenten, insbesondere von Edelgasen vorgesehen sein, beispielsweise zur Argongewinnung.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, die Elektronikindustrieanlage wirtschaftlich besonders günstig zu betreiben.
  • Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Im Rahmen der Erfindung wird also nicht nur ein Stickstoff-Produktstrom aus der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit, sondern außerdem eine Reinsauerstoff-Produktstrom und ein Unreinsauerstoff-Produktstrom aus der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit in die Produktionseinheit eingeleitet. Dies ermöglicht eine wesentlich effizientere Nutzung der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit und erspart den Einsatz anderer Quellen für diese Ströme, die in der Produktionseinheit benötigt werden.
  • Das Unreinsauerstoff-Produkt kann auf jede Weise in der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit erzeugt werden. Vorzugsweise geschieht dies, indem eine erste sauerstoffangereicherte Restfraktion erzeugt wird, mindestens ein erster Teil der ersten Restfraktion in einer Entspannungsmaschine arbeitsleistend entspannt wird und ein zweiter Teil der ersten Restfraktion nicht in die Entspannungsmaschine eingeleitet, sondern als gasförmiges Unreinsauerstoff-Produktstrom gewonnen wird. Mindestens ein Teil des gasförmigen Unreinsauerstoff-Produktstroms wird dann der Produktionseinheit zugeleitet.
  • Häufig wird nur ein Teil der ersten Restfraktion für die Kälteproduktion durch arbeitsleistende Entspannung benötigt. Der Rest oder ein Teil des Restes kann im Rahmen der Erfindung als gasförmiges Unrein-Sauerstoffprodukt verwendet werden, und zwar unter etwa dem Eintrittsdruck der Entspannungsmaschine, das heißt unter einem deutlich überatmosphärischen Druck von 3 bis 6 bar, vorzugsweise 3,5 bis 5,5 bar.
  • Das gasförmige Unrein-Sauerstoffprodukt kann für jede Anwendung in der Produktionseinheit genutzt werden, die einen entsprechenden Druck erfordert, ohne dass ein Verdichter notwendig wäre, zum Beispiel als Oxidationsmittel bei einer chemischen Reaktion, etwa einer Verbrennung von umweltschädlichem Abgas.
  • Wenn die Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit eine Einzelsäule mit Kopfkondensator aufweist, in dem Dampf aus dem oberen Bereich der Einzelsäule mindestens teilweise kondensiert wird, kann die erste Restfraktion zunächst flüssig aus dem unteren Bereich der Einzelsäule entnommen und anschließend in dem Kopfkondensator mindestens teilweise verdampft werden; aus der verdampften Restfraktion stromabwärts des Kopfkondensators werden dann der erste und der zweite Teil der ersten Restfraktion gebildet.
  • Außerdem ist es günstig, wenn bei der Erfindung in an sich bekannter Weise eine zweite Restfraktion aus dem unteren oder mittleren Bereich der Einzelsäule entnommen, rückverdichtet und anschließend wieder der Einzelsäule zugeleitet wird. Hierdurch wird die Produktausbeute, insbesondere an Stickstoff, erhöht.
  • Die Rückverdichtung der zweiten Restfraktion kann mittels eines Kaltverdichters vorgenommen werden. Sowohl bei kalter als auch bei warmer Rückverdichtung kann die bei der arbeitsleistenden Entspannung erzeugte mechanische Energie mindestens teilweise zur Rückverdichtung der zweiten Restfraktion genutzt werden.
  • Die zweite Restfraktion kann zusammen mit der ersten Restfraktion aus der Einzelsäule entnommen werden. Alternativ wird sie von einer Zwischenstelle der Einzelsäule abgezogen, die oberhalb des Sumpfs angeordnet ist, insbesondere oberhalb der Stelle, an der die erste Restfraktion entnommen wird. Die erste Restfraktion kann dabei zum Beispiel am Sumpf der Einzelsäule abgezogen werden.
  • Das Reinsauerstoff-Produkt für die Produktionseinheit kann innerhalb der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit mittels Verdampfung und/oder Anwärmung eines externen Fluids entsprechender Zusammensetzung gewonnen werden, indem Einsatzluft in einem Hauptwärmetauscher der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit abgekühlt und in ein Destilliersäulen-System zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung eingeleitet wird, ein Fluid aus einer externen Quelle mindestens zeitweise in einen Flüssigtank geleitet wird, wobei mindestens zeitweise Fluid in flüssigem Zustand aus dem Flüssigtank entnommen, in dem Hauptwärmetauscher verdampft und als gasförmiger Reinsauerstoff-Produktstrom gewonnen wird, der schließlich mindestens zum Teil der Produktionseinheit zugeleitet wird.
  • Das externe Fluid aus dem Flüssigtank wird nicht wie üblich mittels eines externen Wärmetauschers (beispielsweise einem Wasserbad-Verdampfer oder einem luftbeheizten Verdampfer) angewärmt, sondern im Hauptwärmetauscher, in dem die Einsatzluft für das Destilliersäulen-System abgekühlt wird. Hierdurch kann die Kälte, die in dem externen Fluid enthalten ist, für das Zerlegungsverfahren zurückgewonnen werden, indem sie in dem Hauptwärmetauscher auf Einsatzluft übertragen wird.
  • Das Fluid stammt aus einer "externen Quelle", das heißt nicht aus einer der Trennsäulen des Destilliersäulen-System zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung oder einer dem Destilliersäulen-System zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung nachgeschalteten Trennsäule. Vorzugsweise wird es aus einer anderen Anlage zur Erzeugung verflüssigter Gas antransportiert, beispielsweise mittels eines Tankwagens. Es kann sich dabei um ein Fluid, das die chemische Zusammensetzung eines der Produktströme des Destilliersäulen-Systems zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung aufweist. Vorzugsweise weist das Fluid jedoch eine andere Zusammensetzung als diese Produktströme auf und besteht beispielsweise aus Argon oder Wasserstoff. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich damit insbesondere für die Versorgung von Betrieben der Halbleiterindustrie mit technischen Gasen. Diese benötigen häufig eine so geringe Menge an Argon, dass es sich nicht lohnt, dem Destilliersäulen-System zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung eine Argongewinnung nachzuschalten. Außerdem kann auch die Kälte von Gasen wie Wasserstoff, die nicht in Luftzerlegungsanlagen gewonnen werden, für die Luftzerlegung genutzt und damit der Energieverbrauch der Zerlegung verringert werden.
  • Der "Hauptwärmetauscher" wird vorzugsweise durch einen einzigen Wärmetauscherblock gebildet. Bei größeren Anlagen kann es sinnvoll sein, den Hauptwärmetauscher durch mehrere hinsichtlich des Temperaturverlaufs parallel geschaltete Stränge zu realisieren, die durch voneinander getrennte Bauelemente gebildet werden. Grundsätzlich ist es möglich, dass der Hauptwärmetauscher beziehungsweise jeder dieser Stränge durch zwei oder mehr seriell verbundene Blöcke gebildet wird.
  • Es ist günstig, wenn der Betriebsdruck des Flüssigtanks mindestens 1 bar über dem Atmosphärendruck liegt, vorzugsweise mindestens 1 bar über dem Produktdruck des gasförmigen Zusatzprodukts, unter dem dieses an eine Anwendung oder eine Nachverdichtungseinheit abgegeben wird. Der Betriebsdruck des Flüssigtanks beträgt beispielsweise 2 bis 36 bar, vorzugsweise 5 bis 16 bar. Der Überdruck kann durch jede bekannte Maßnahme, beispielsweise durch das Befüllen mit unter entsprechendem Druck stehendem Fluid oder durch Druckaufbauverdampfung gebildet werden.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Reinsauerstoff durch Zerlegung in der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit gewonnen werden, indem ein sauerstoffhaltiger Strom der Einzelsäule an einer Zwischenstelle entnommen und einer Reinsauerstoffsäule zugeleitet wird und ein Reinsauerstoff-Produktstrom in flüssigem Zustand aus dem unteren Bereich der Reinsauerstoffsäule entnommen wird, der Reinsauerstoff-Produktstrom – gegebenenfalls nach Druckerhöhung im flüssigen Zustand in dem Hauptwärmetauscher gegen Einsatzluft verdampft und angewärmt und mindestens zum Teil der Produktionseinheit zugeleitet wird.
  • Die Erfindung betrifft außerdem eine Elektronikindustrieanlage gemäß Patentanspruch 10.
  • Die Erfindung sowie weitere Einzelheiten der Erfindung werden im Folgenden anhand eines in den Zeichnungen schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Hierbei zeigen:
  • 1 eine Prinzipdarstellung des Ausführungsbeispiels,
  • 2 die Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit des Ausführungsbeispiels im Detail.
  • Die Elektronikindustrieanlage der 1 weist eine Produktionseinheit 200 zur Herstellung eines Halbleiterprodukts und eine Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit 100 auf. Luft 1 wird einer Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit 100 zugeführt. Aus dieser werden ein Stickstoff-Produktstrom 110, ein Reinsauerstoff-Produktstrom und ein Unreinsauerstoff-Produktstrom entnommen und der Unreinsauerstoff-Produktstrom der Produktionseinheit zugeleitet werden.
  • 2 zeigt Details der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit der 1. Das Destilliersäulen-System der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit des Ausführungsbeispiels der 2 weist eine Einzelsäule 12 und eine Reinsauerstoffsäule 38 auf. Atmosphärische Luft 1 wird über ein Filter 2 von einem Luftverdichter angesaugt und dort auf einen Absolutdruck von 6 bis 20 bar, vorzugsweise etwa 9 bar verdichtet. Nach Durchströmen eines Nachkühlers 4 und eines Wasserabscheiders 5 wird die verdichtete Luft 6 in einer Reinigungsvorrichtung 7 gereinigt, die ein Paar von mit Adsorptionsmaterial, vorzugsweise Molekularsieb, gefüllten Behältern aufweist. Die gereinigte Luft 8 wird in einem Hauptwärmetauscher 9 auf etwa Taupunkt abgekühlt und teilweise verflüssigt. Ein erster Teil 11 der abgekühlten Luft 10 wird über ein Drosselventil 51 in die Einzelsäule 12 eingeleitet. Die Einspeisung erfolgt vorzugsweise einige praktische oder theoretische Böden oberhalb des Sumpfs.
  • Der Betriebsdruck der Einzelsäule 12 (am Kopf) beträgt 6 bis 20 bar, vorzugsweise etwa 9 bar. Ihr Kopfkondensator wird mit einer zweiten Restfraktion 18 und einer ersten Restfraktion 14 gekühlt. Die erste Restfraktion 14 wird vom Sumpf der Einzelsäule 12 abgezogen, die zweite Restfraktion 14 von einer Zwischenstelle einige praktische oder theoretische Böden oberhalb der Luftzuspeisung oder auf gleicher Höhe wie diese.
  • Als Hauptprodukt der Einzelsäule 12 wird gasförmiger Stickstoff 15, 16 am Kopf abgezogen, im Hauptwärmetauscher 9 auf etwa Umgebungstemperatur angewärmt und schließlich über Leitung 17 als gasförmiges Druckprodukt (PGAN) abgezogen und über die in 1 dargestellte Leitung 110 als Stickstoff-Produktstrom der Produktionseinheit 200 zugeleitet. Ein Teil 53 des Kondensats 52 aus dem Kopfkondensator 13 kann als Flüssigstickstoffprodukt (PLIN) gewonnen werden; der Rest 54 wird als Rücklauf auf den Kopf der Einzelsäule aufgegeben.
  • Die zweite Restfraktion 18 wird im Kopfkondensator 13 unter einem Druck von 2 bis 9 bar, vorzugsweise etwa 4 bar verdampft und strömt gasförmig über Leitung 29 zu einem Kaltverdichter 30, in dem sie auf etwa den Betriebsdruck der Einzelsäule rückverdichtet wird. Die rückverdichtete Restfraktion 31 wird im Hauptwärmetauscher 9 wieder auf Säulentemperatur abgekühlt und schließlich über Leitung 32 der Einzelsäule 12 am Sumpf wieder zugeführt.
  • Die erste Restfraktion 14 wird im Kopfkondensator 13 unter einem Druck von 2 bis 9 bar, vorzugsweise etwa 4 bar verdampft und strömt gasförmig über Leitung 19 zum kalten Ende des Hauptwärmetauschers 9. Aus bei einer Zwischentemperatur wird ein erster Teil 20 der ersten Restfraktion wieder entnommen (Leitung 20). Ein zweiter Teil verbleibt im Hauptwärmetauscher 9, wird dort weiter auf etwa Umgebungstemperatur angewärmt und verlässt über Leitung 60 die Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit als gasförmiges Unrein-Sauerstoffprodukt (GOX-Imp.). Er wird dann über die in 1 dargestellte Leitung 130 als Unreinsauerstoff-Produktstrom der Produktionseinheit 200 zugeleitet. Der erste Teil 20 der ersten Restfraktion wird in einer Entspannungsmaschine 21, die in dem Beispiel als Turboexpander ausgebildet ist, arbeitsleistend auf etwa 300 mbar über Atmosphärendruck entspannt. Die Entspannungsmaschine ist mechanisch gekoppelt mit dem Kaltverdichter 30 und einer Bremseinrichtung 22, die in dem Ausführungsbeispiel durch eine Ölbremse gebildet wird. Die entspannte erste Restfraktion 23 wird im Hauptwärmetauscher 9 auf etwa Umgebungstemperatur angewärmt. Die warme erste Restfraktion 24 wird in die Atmosphäre abgeblasen (Leitung 25) und/oder als Regeneriergas 26, 27 in der Reinigungsvorrichtung 7 eingesetzt, gegebenenfalls nach Erhitzung in der Heizeinrichtung 28.
  • Ein sauerstoffhaltiger Strom 36, der im Wesentlichen frei von schwererflüchtigen Verunreinigungen ist, wird von einer Zwischenstelle der Einzelsäule 12 in flüssigem Zustand abgezogen, die 5 bis 25 theoretische oder praktische Böden oberhalb der Luftzuspeisung angeordnet ist. Der sauerstoffhaltige Strom 36 wird gegebenenfalls in einem Sumpfverdampfer 37 der Reinsauerstoffsäule 38 unterkühlt und über Leitung 39 und Drosselventil 40 auf den Kopf der Reinsauerstoffsäule 38 aufgegeben. Der Betriebsdruck der Reinsauerstoffsäule 38 (am Kopf) beträgt 1,3 bis 4 bar, vorzugsweise etwa 2,5 bar.
  • Der Sumpfverdampfer 37 der Reinsauerstoffsäule 38 wird außerdem mittels eines zweiten Teils 42 der abgekühlten Einsatzluft 10 gekühlt. Der Einsatzluftstrom 42 wird dabei mindestens teilweise, beispielsweise vollständig kondensiert und strömt über Leitung 43 zur Einzelsäule 12, wo er etwa auf Höhe der Zuspeisung der übrigen Einsatzluft 11 eingeleitet wird.
  • Vom Sumpf der Reinsauerstoffsäule 38 wird ein Reinsauerstoff-Produktstrom 41 in flüssigem Zustand entnommen, mittels einer Pumpe 55 auf einen erhöhten Druck von 2 bis 100 bar, vorzugsweise etwa 12 bar gebracht, über Leitung 56 zum kalten Ende des Hauptwärmetauschers 9 geführt, dort unter dem erhöhten Druck verdampft und auf etwa Umgebungstemperatur angewärmt und schließlich über Leitung 57 als gasförmiges Produkt (GOX-IC) gewonnen. Er wird dann über die in 1 dargestellte Leitung 120 als Reinsauerstoff-Produktstrom der Produktionseinheit 200 zugeleitet.
  • Das Kopfgas 58 der Reinsauerstoffsäule 38 wird der entspannten ersten Restfraktion 23 zugemischt. Über eine Bypassleitung 59 wird gegebenenfalls ein Teil der Einsatzluft zur Pumpverhütung des Kaltverdichters 30 zu dessen Eintritt geleitet (anti-surge control).
  • Bei Bedarf kann der Anlage stromaufwärts und/oder stromabwärts der Pumpe 55 ein flüssiger Sauerstoffs als Flüssigprodukt entnommen werden (in der Zeichnung nicht dargestellt). Zusätzlich kann eine externe Flüssigkeit, zum Beispiel flüssiges Argon, flüssiger Stickstoff oder flüssiger Sauerstoff aus einem Flüssigtank, in dem Hauptwärmetauscher 9 in indirektem Wärmeaustausch mit der Einsatzluft verdampft werden (in der Zeichnung nicht dargestellt).
  • Ein Flüssigkeitstank 70 wird von Zeit zu Zeit aus einem Tankwagen mit flüssigem Argon als "Fluid" gefüllt. Das Fluid wird unter etwa 12 bar, dem Betriebsdruck des Flüssigtanks, eingeführt. Kontinuierlich wird über eine Leitung 71 flüssiges Fluid unter etwa 12 bar entnommen, unter diesem Druck im Hauptwärmetauscher 9 verdampft und angewärmt und schließlich über die Leitungen 72 und 73 als gasförmiges Zusatzprodukt abgezogen.
  • Gleichzeitig kann ein weiterer Strom 74 des flüssigen und unter Druck stehenden Fluids aus dem Flüssigtank 70 entnommen, in einem Verdampfer 75, der mittels eines externen Wärmeträgers (zum Beispiel atmosphärischer Luft oder Wasser) verdampft und über Leitung 76 dem gasförmigen Zusatzprodukt hinzugefügt werden. Der Verdampfer 75 kann aber auch zur Notversorgung bei Ausfall des Hauptwärmetauschers 9 genutzt werden. Die Mengenströme werden durch die Ventile 77 und 78 eingestellt.
  • Die Erfindung ist ebenso auf ähnliches Verfahren ohne Reinsauerstoffsäule 38 anwendbar. In diesem Fall wird das externe Fluid in dem Flüssigtank 70 nicht durch Argon, sondern durch Reinsauerstoff gebildet. Der Reinsauerstoffprodukt-Strom wird dann über Leitung 72 abgezogen.

Claims (10)

  1. Verfahren zum Betreiben einer Elektronikindustrieanlage, die eine Produktionseinheit (200) zur Herstellung eines Halbleiterprodukts und eine Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit (100) aufweist, wobei der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit ein Stickstoff-Produktstrom (15, 16, 17; 110) entnommen und der Produktionseinheit zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit ein Reinsauerstoff-Produktstrom (41, 56, 57; 120) und ein Unreinsauerstoff-Produktstrom (60; 130) entnommen und der Reinsauerstoff-Produktstrom und der Unreinsauerstoff-Produktstrom der Produktionseinheit zugeleitet werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit – eine erste sauerstoffangereicherte Restfraktion (19) erzeugt wird, – mindestens ein erster Teil (20) der ersten Restfraktion (19) in einer Entspannungsmaschine (21) arbeitsleistend entspannt wird, – ein zweiter Teil der ersten Restfraktion (19) nicht in die Entspannungsmaschine (21) eingeleitet, sondern als gasförmiges Unreinsauerstoff-Produktstrom (60) gewonnen wird und mindestens ein Teil des gasförmigen Unreinsauerstoff-Produktstroms (60) der Produktionseinheit zugeleitet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass – die Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit eine Einzelsäule (12) mit Kopfkondensator (13) aufweist, in dem Dampf aus dem oberen Bereich der Einzelsäule mindestens teilweise kondensiert wird, – eine erste Restfraktion (14, 19) flüssig aus dem unteren Bereich der Einzelsäule (12) entnommen und in dem Kopfkondensator (13) mindestens teilweise verdampft wird und – aus der verdampften Restfraktion (19) stromabwärts des Kopfkondensators (13) der erste und der zweite Teil der ersten Restfraktion gebildet werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Restfraktion (18, 29) aus dem unteren oder mittleren Bereich der Einzelsäule (12) entnommen, rückverdichtet (30) und anschließend wieder der Einzelsäule (12) zugeleitet (32) wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückverdichtung der zweiten Restfraktion (18, 29) mittels eines Kaltverdichters (30) vorgenommen wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die bei der arbeitsleistenden Entspannung (21) erzeugte mechanische Energie mindestens teilweise zur Rückverdichtung (30) der zweiten Restfraktion genutzt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Restfraktion (18) von einer Zwischenstelle der Einzelsäule (12) abgezogen wird, die oberhalb des Sumpfs angeordnet ist, insbesondere oberhalb der Stelle, an der die erste Restfraktion (14) entnommen wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass in der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit – Einsatzluft (8) in einem Hauptwärmetauscher (9) abgekühlt und in ein Destilliersäulen-System zur Stickstoff-Sauerstoff-Trennung eingeleitet (11, 43) wird, – ein Fluid aus einer externen Quelle mindestens zeitweise in einen Flüssigtank (70) geleitet wird, – mindestens zeitweise Fluid (71) in flüssigem Zustand aus dem Flüssigtank (70) entnommen, in dem Hauptwärmetauscher (9) verdampft und als gasförmiger Reinsauerstoff-Produktstrom (72, 73) gewonnen wird und – mindestens ein Teil des gasförmigen Reinsauerstoff-Produktstroms (72, 73) der Produktionseinheit zugeleitet wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass in der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit – ein sauerstoffhaltiger Strom (36) der Einzelsäule (12) an einer Zwischenstelle entnommen und einer Reinsauerstoffsäule (38) zugeleitet (39) wird und – ein Reinsauerstoff-Produktstrom (41) in flüssigem Zustand aus dem unteren Bereich der Reinsauerstoffsäule (38) entnommen wird, – der Reinsauerstoff-Produktstrom (41, 56) – gegebenenfalls nach Druckerhöhung (55) im flüssigen Zustand in dem Hauptwärmetauscher (9) gegen Einsatzluft (8) verdampft und angewärmt – und mindestens zum Teil der Produktionseinheit zugeleitet wird.
  10. Elektronikindustrieanlage mit einer Produktionseinheit zur Herstellung eines Halbleiterprodukts und mit einer TT-LZE und mit Mitteln zur Zuführung von Stickstoff aus der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit in die Produktionseinheit, gekennzeichnet durch Mittel zur Zuführung von Reinsauerstoff aus der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit in die Produktionseinheit und durch Mittel zur Zuführung von Unreinsauerstoff aus der Tieftemperatur-Luftzerlegungseinheit in die Produktionseinheit.
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