DE102007044064A1 - Method for producing mirror assembly for semiconductor lithography, particularly for extreme ultraviolet lithography, involves processing of front side of substrate, before applying optical layers in processing step - Google Patents

Method for producing mirror assembly for semiconductor lithography, particularly for extreme ultraviolet lithography, involves processing of front side of substrate, before applying optical layers in processing step Download PDF

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Abstract

The method involves processing of the front side (3) of the substrate (2), before applying the optical layers (5) in a processing step. The substrate front side is provided with multiple optical layers for forming the reflecting surface (4). The front side has a required accuracy, and an electrically conducting path (7) is applied outside the optical area of use (A) on the front side of the substrate in another processing step. The treatment of the front side of the substrate is carried out at the area adjacent to the conducting path for correcting the change in precision of shape. Independent claims ara also included for the following: (1) a mirror assembly for an extreme ultraviolet projections objective or a illuminating system for the semiconductor lithography, particularly for an extreme ultraviolet lithography, for the reflection of electromagnetic radiation for the production of semiconductor components (2) a projection illumination system for the semiconductor lithography, particularly for the extreme ultraviolet lithography, for the production of semiconductor components.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Spiegelanordnung für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, mit einem Substrat, dessen Vorderseite zur Ausbildung einer Spiegelfläche mit mehreren optischen Schichten versehen wird.The The invention relates to a method for producing a mirror arrangement for the Semiconductor lithography, in particular for EUV lithography, with a Substrate, the front side to form a mirror surface with is provided with a plurality of optical layers.

Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Spiegelanordnung für ein EUV-Projektionsobjektiv oder ein Beleuchtungssystem für die Halbleiterlithographie zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung nach dem Oberbegriff von Anspruch 10. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein optisches System mit einer Mehrzahl von optischen Elementen sowie eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.The The invention also relates to a mirror assembly for an EUV projection lens or a lighting system for the semiconductor lithography for reflection of electromagnetic radiation according to the preamble of claim 10. The invention also relates an optical system having a plurality of optical elements and a projection exposure apparatus for microlithography for Production of semiconductor devices.

Die Spiegelanordnung weist eine Spiegelfläche auf, deren Geometrie die optischen Eigenschaften des Spiegels bestimmt. Die Spiegelanordnung kann in ein optisches System integriert sein und dort einen Strahlengang des Systems bestimmen. Das optische System kann insbesondere ein Objektiv sein, wie es in lithographischen Verfahren zur Abbildung einer Maske auf eine fotoempfindliche Schicht bei der Herstellung miniaturisierter Bauelemente, insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, eingesetzt wird.The Mirror arrangement has a mirror surface whose geometry the optical properties of the mirror determined. The mirror arrangement can be integrated into an optical system and there a beam path of the system. The optical system can in particular Be objective, as in lithographic methods for imaging a mask on a photosensitive layer in the manufacture miniaturized components, in particular in the production of Semiconductor devices, is used.

Beschreibung des Standes der TechnikDescription of the Prior Art

Ein Verfahren zum Herstellen einer Spiegelanordnung und eine gattungsgemäße Spiegelanordnung zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung sowie ein EUV-Projektionsobjektiv sind aus der JP 2006 194 690 A bekannt.A method for producing a mirror arrangement and a generic mirror arrangement for the reflection of electromagnetic radiation as well as an EUV projection lens are known from JP 2006 194 690 A known.

Aus der DE 102 14 259 A1 ist ein Beleuchtungssystem, welches mit einer Wellenlänge im EUV-Bereich arbeitet sowie eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem und ein Verfahren zur Belichtung von Mikrostrukturen bekannt.From the DE 102 14 259 A1 is an illumination system which operates with a wavelength in the EUV range and a projection exposure apparatus with such a lighting system and a method for exposure of microstructures known.

Von Nachteil bei den bisher bekannten Spiegelanordnungen zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit Wellenlängen ≤ 260 nm, ist, dass – vor allem bei Wellenlängen im EUV-Bereich – aufgrund der hochenergetischen Strahlung Elektronen aus der Spiegelfläche geschlagen werden (photoelektrischer Effekt). Dies führt zu einer Potentialänderung der Spiegelfläche gegenüber den Bauteilen, welche die Spiegelanordnung umgeben, wodurch ein Funkenüberschlag entstehen kann, der sowohl die Spiegelanordnung und die umgebenden Bauteile als auch das gesamte optische System bzw. eine Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die Spiegelanordnung eingebaut ist, beeinträchtigt.From Disadvantage of the previously known mirror arrangements for reflection electromagnetic radiation, in particular with wavelengths ≤ 260 nm, is that - before especially at wavelengths in the EUV area - due the high-energy radiation electrons knocked out of the mirror surface become (photoelectric effect). This leads to a potential change the mirror surface across from the components which surround the mirror assembly, whereby a Flashover can arise, both the mirror assembly and the surrounding components as well as the entire optical system or a projection exposure apparatus, in which the mirror assembly is installed, impaired.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Das aus der JP 2006 194 690 A bekannte EUV-Projektionsobjektiv für die EUV-Lithographie zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, umfasst ein Substrat mit einer der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Vorderseite, wobei die Vorderseite des Substrats mit mehreren optischen Schichten (Multilager) versehen ist, um eine Spiegelfläche durch eine Schichtstruktur bereitzustellen. Vorgesehen sind mehrere elektrisch leitende Bahnen, die auf der Spiegelfläche, das heißt auf der Oberseite der optischen Schichten angebracht sind. Die elektrisch leitenden Bahnen sind vorzugsweise als Metallleiterbahnen ausgebildet.That from the JP 2006 194 690 A known EUV projection objective for the EUV lithography for reflection of electromagnetic radiation for the production of semiconductor devices, comprising a substrate with one of the reflective radiation facing front, wherein the front of the substrate with a plurality of optical layers (multilayer) is provided to a mirror surface through a To provide layer structure. Provided are a plurality of electrically conductive tracks, which are mounted on the mirror surface, that is on the top of the optical layers. The electrically conductive tracks are preferably formed as metal conductor tracks.

Wesentlich bei Spiegelanordnungen für ein EUV-Projektionsobjektiv und auch für die Spiegelanordnung eines Beleuchtungssystems für die Halbleiterlithographie ist die Formgenauigkeit der Spiegeloberfläche. Die Formgenauigkeit der Spiegeloberfläche wird auch als Passe bezeichnet. Durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn gemäß der JP 2006 194 690 A auf die Spiegelfläche, das heißt die Oberseite der optischen Schichten (Multilager), wird die Formgenauigkeit der Spiegeloberfläche verändert. Dies resultiert zum Beispiel aus Spannungen, die durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahnen verursacht werden und die die Formgenauigkeit der Spiegelfläche verändern. Dadurch wird die Präzision der Spiegelanordnung negativ beeinflusst.Essential in the case of mirror arrangements for an EUV projection objective and also for the mirror arrangement of a lighting system for semiconductor lithography is the dimensional accuracy of the mirror surface. The dimensional accuracy of the mirror surface is also referred to as a passe. By applying the electrically conductive path according to the JP 2006 194 690 A On the mirror surface, that is, the top of the optical layers (multilayer), the shape accuracy of the mirror surface is changed. This results, for example, from stresses that are caused by the application of the electrically conductive paths and that change the shape accuracy of the mirror surface. As a result, the precision of the mirror arrangement is adversely affected.

Aus der WO 2006/033442 ist eine Maske für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen bekannt, bei der ein Substrat mit einer elektrisch leitenden Schicht versehen ist. Die Maske ist zwar ein Bestandteil einer Projektionsbelichtungsanlage, erfüllt jedoch eine völlig andere Funktion als das Projektionsobjektiv oder das Beleuchtungssystem.From the WO 2006/033442 is a mask for a projection exposure apparatus for semiconductor lithography for the production of semiconductor devices is known in which a substrate is provided with an electrically conductive layer. Although the mask is a component of a projection exposure apparatus, it fulfills a completely different function than the projection objective or the illumination system.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer Spiegelanordnung für die Halbleiterlithographie und eine Spiegelanordnung für ein EUV-Projektionsobjektiv oder ein Beleuchtungssystem für die Halbleiterlithographie zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung, insbesondere für den Einsatz in der EUV-Mikrolithographie zu schaffen, die die Nachteile des Standes der Technik, insbesondere einen durch die Spiegelanordnung bedingten Funkenüberschlag und eine Verringerung der Formgenauigkeit (Passe) vermeiden.Of the The present invention is therefore based on the object, a method for producing a mirror arrangement for semiconductor lithography and a mirror arrangement for an EUV projection lens or a lighting system for Semiconductor lithography for reflection of electromagnetic radiation, especially for the use in EUV microlithography to create the disadvantages of the prior art, in particular a caused by the mirror assembly sparkover and avoid a reduction in the dimensional accuracy (Passe).

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und eine Spiegelanordnung gemäß Anspruch 10 gelöst.According to the invention, this object is achieved by a method according to claim 1 and a Spiegela Arrangement according to claim 10 solved.

Dadurch, dass Mittel vorgesehen sind, welche mit der Spiegelfläche Elektronen austauschen (zuführen und/oder abführen), wird ein Potenzialunterschied und somit ein Funkenüberschlag vermieden. Im Regelfall wird dies dadurch erreicht, dass die Mittel der Spiegelfläche Elektronen zuführen, da durch die Strahlung, insbesondere eine Strahlung im EUV-Bereich, Elektronen ausgeschlagen werden. Grundsätzlich ist es mit der er findungsgemäßen Lösung jedoch auch möglich, (überschüssige) Elektronen von der Spiegelfläche abzuleiten.Thereby, that means are provided which with the mirror surface electrons replace (feed and / or pay off), becomes a potential difference and thus a sparkover avoided. As a rule, this is achieved by the means the mirror surface Supplying electrons, because of the radiation, in particular radiation in the EUV range, Electrons are knocked out. Basically, it is with the inventive solution he however also possible, (excess) electrons from the mirror surface derive.

Das Potenzial der Spiegelanordnung bzw. der Spiegelfläche wird durch die Zuführung von Elektronen somit konstant gehalten. Beschädigungen an der Spiegelanordnung bzw. anderen optischen Systemen durch einen Funkenüberschlag werden durch die Erfindung zuverlässig vermieden.The Potential of the mirror arrangement or the mirror surface is through the feeder thus kept constant by electrons. Damage to the mirror assembly or other optical systems by a sparkover are reliably avoided by the invention.

Wie die Erfinder herausgefunden haben, können der Spiegelfläche Elektronen derart zugeführt werden, dass dies keine Auswirkung auf die optischen Eigenschaften hat und die Oberflächenbeschichtung nicht kontaminiert wird. Die erfindungsgemäße Lösung lässt sich vakuumkompatibel und temperaturstabil ausführen. Die erfindungsgemäße Lösung kann zudem derart ausgeführt werden, dass diese resistent gegen atomaren Sauerstoff und Wasserstoff sowie sowohl UV- als auch EUV-strahlungsbeständig ist.As The inventors have found that the mirror surface can be electrons supplied in such a way This will not affect the optical properties has and the surface coating not contaminated. The solution according to the invention can be vacuum-compatible and temperature stable. The solution according to the invention can also designed in this way Be that resistant to atomic oxygen and hydrogen as well as both UV and EUV radiation resistant.

Dadurch, dass im Unterschied zu der Spiegelanordnung gemäß der JP 2006 194 690 A die elektrisch leitende Bahn nicht auf die Spiegelfläche, das heißt die Oberseite der optischen Schichten (Multilager) aufgebracht wird, sondern unterhalb der Oberfläche der Spiegelfläche, ist es möglich, die durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn bewirkten mechanischen Veränderungen der Formgenauigkeit auszugleichen. Bei der Spiegelanordnung gemäß der JP 2006 194 690 A war dies nicht möglich, da sich Formänderungen auf der Spiegelfläche nicht ausgleichen lassen.In that, in contrast to the mirror arrangement according to the JP 2006 194 690 A the electrically conductive path is not applied to the mirror surface, that is, the top of the optical layers (multilayer), but below the surface of the mirror surface, it is possible to compensate for the mechanical changes of the dimensional accuracy caused by the application of the electrically conductive path. In the mirror assembly according to the JP 2006 194 690 A this was not possible, as changes in shape on the mirror surface can not be compensated.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Spiegelanordnung für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, sieht in einem ersten Arbeitsschritt vor, dass ein Substrat, dessen Vorderseite zur Ausbildung einer Spiegelfläche mit mehreren optischen Schichten versehen wird, vor dem Aufbringen der optischen Schichten eine Formgenauigkeit (die sogenannte Passe bzw. Endpasse) aufweist, die den Anforderungen an die Spiegelfläche entspricht. Das heißt, dass die mechanischen Form- und Oberflächenanforderungen, wie Genauigkeiten und Rauheit, derart vorliegen, dass die Vorderseite des Substrats mit den optischen Schichten (Multilager) versehen werden könnte. In einem zweiten Arbeitsschritt wird außerhalb eines optischen Nutzbereichs wenigstens eine elektrisch leitende Bahn auf die Vorderseite des Substrats aufgebracht. Die elektrisch leitende Bahn kann vorzugsweise als Metallbeschichtung ausgebildet sein. Die Metallbeschichtung kann auf verschiedene Art und Weise aufgebracht werden, besonders vorteilhaft ist ein Aufdampfen der Metallbeschichtung oder die Verwendung eines physikalischen oder chemischen Auftragsverfahrens, beispielsweise einer physikalischen Gasphasenabschneidung (PVD) oder einer chemischen Gasphashenabschneidung (CVD).The inventive method for producing a mirror arrangement for semiconductor lithography, especially for the EUV lithography, provides in a first step, that a substrate, the front side to form a mirror surface with is provided with a plurality of optical layers, before applying the optical layers a dimensional accuracy (the so-called Passe or Endpasse), which corresponds to the requirements of the mirror surface. This means, that the mechanical form and surface requirements, such as accuracies and roughness, such that the front of the substrate could be provided with the optical layers (multilayer). In one second step will be outside an optical useful area at least one electrically conductive Web applied to the front of the substrate. The electric conductive track may preferably be formed as a metal coating be. The metal coating can be done in different ways be deposited, particularly advantageous is a vapor deposition of Metal coating or the use of a physical or chemical application process, such as physical vapor phase separation (PVD) or chemical vapor phase separation (CVD).

Nach dem Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn erfolgt in einem dritten Arbeitsschritt eine Nachbearbeitung der Vorderseite des Substrats wenigstens in dem an die elektrisch leitende Bahn angrenzenden Bereich. Die elektrisch leitende Bahn selbst sollte dabei nicht bearbeitet werden. Durch die Bearbeitung der Vorderseite des Substrats bzw. durch deren Nachbearbeitung sollen mechanische Veränderungen, welche die Formgenauigkeit bedingt durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn verändert haben, korrigiert werden. Dadurch wird erreicht, dass die mechanischen Form- und Oberflächenanforderungen der Vorderseite des Substrats wieder innerhalb der geforderten Toleranzbereiche liegen. Nach diesem Nachbearbeitungsschritt können in bekannter Weise die optischen Schichten, zum Beispiel in Form eines MO/SI-Stacks, aufgebracht werden.To the application of the electrically conductive path takes place in a third Working a post-processing of the front of the substrate at least in the area adjacent to the electrically conductive track. The electrically conductive path itself should not be processed become. By processing the front of the substrate or through their post-processing is said to be mechanical changes affecting the dimensional accuracy have changed due to the application of the electrically conductive path, Getting corrected. This ensures that the mechanical Form and surface requirements the front of the substrate again within the required tolerance ranges. After this post-processing step can in a known manner the optical layers, for example in the form of a MO / SI stack applied become.

Die Nachbearbeitung der Vorderseite des Substrats kann mit bekannten Verfahren, beispielsweise einem IBF-Verfahren oder einem Superpolierverfahren, erfolgen. Das Superpolierverfahren kann vorzugsweise im an die elektrisch leitende Bahn angrenzenden Bereich der Vorderseite des Substrats durchgeführt werden. Vorgesehen sein kann jedoch auch, dass das Superpolierverfahren flächig über die gesamte Vorderseite des Substrats, ausgenommen die elektrisch leitende Bahn, durchgeführt wird.The Post-processing of the front of the substrate can be done with known Method, for example an IBF method or a superpolishing method, respectively. The super polishing method may preferably be applied to the electrical conductive path adjacent to the front area of the substrate. However, it can also be provided that the superpolishing process flat over the whole Front side of the substrate, except the electrically conductive path, carried out becomes.

Die aus dem Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn resultierte Verformung kann beispielsweise 1 bis 10 nm betragen.The resulting from the application of the electrically conductive path deformation may be, for example, 1 to 10 nm.

Mit dem IBF(Ion Beam Figuring)-Verfahren, welches beispielsweise in der US 7,077,533 B2 beschrieben ist, oder über Superpolierverfahren lassen sich Oberflächenrauhigkeiten von < 0,2 nm rms erreichen, wobei dabei die gewünschte Formgenauigkeit von 0,2 nm erzielbar ist . Mit diesen Verfahren lassen sich erfindungsgemäß auch Verformungen der Vorderseite des Substrats bedingt durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn korrigieren.With the IBF (Ion Beam Figuring) method, which, for example, in the US 7,077,533 B2 described surface polishing or superpolishing can achieve surface roughness of <0.2 nm rms, while the desired shape accuracy of 0.2 nm can be achieved. With these methods, deformations of the front side of the substrate due to the application of the electrically conductive path can also be corrected according to the invention.

Das Substrat ist vorzugsweise aus einem Material mit sehr geringem thermischem Ausdehnungskoeffizienten (CTE) gebildet. Der thermische Ausdehnungskoeffizient sollte höchstens 0,1 ppm/K, besonders bevorzugt höchstens 0,02 ppm/K, aufweisen. Hierbei handelt es sich vorzugsweise um ein sogenanntes "Nahe-Null-Ausdehnungsmaterial", das in einem Temperaturbereich von –40°C bis +400°C, vorzugsweise in einem Temperaturbereich von 0°C bis 50°C, im wesentlichen keine Dimensionsänderung erfährt, das heißt einen CTE von höchstens 10 ppb/K aufweist. Vorzugsweise weist das Substrat bzw. wird das Substrat aus einer Keramik, einem Glas oder einer Glaskeramik gebildet. Dabei kommen insbesondere die im Handel erhältlichen Produkte Zerodur®, Zerodur-M®, ClearCERAM®, ULE® oder andere Glaskeramiken mit geringer Wärmeausdehnung in Frage.The substrate is preferably formed of a material having a very low thermal expansion coefficient (CTE). The thermal Coefficient of expansion should be at most 0.1 ppm / K, more preferably at most 0.02 ppm / K. This is preferably a so-called "near-zero expansion material" which undergoes essentially no dimensional change in a temperature range from -40 ° C. to + 400 ° C., preferably in a temperature range from 0 ° C. to 50 ° C. that is, having a CTE of at most 10 ppb / K. Preferably, the substrate or the substrate is formed from a ceramic, a glass or a glass ceramic. In particular, the commercially available products Zerodur ®, Zerodur-M ®, Clearceram ®, ULE ® or other glass ceramics eligible low thermal expansion.

Glaskeramiken sind anorganische, nicht poröse Materialien mit einer kristallinen Phase und einer glasigen Phase.glass ceramics are inorganic, non-porous Materials having a crystalline phase and a glassy phase.

Zerodur® ist beispielsweise in der DE-A-1 902 432 beschrieben. Bei Zerodur-M® handelt es sich um eine im wesentlichen magnesiumoxidfreie Zerodur®-Zusammensetzung, die beispielsweise in der US-A-4 851 372 beschrieben ist.Zerodur ®, for example, in the DE-A-1 902 432 described. Zerodur- M® is a substantially magnesium oxide-free Zerodur® composition which is described, for example, in US Pat US-A-4,851,372 is described.

Die Bearbeitung der Vorderseite des Substrats, um eine geforderte Formgenauigkeit derart zu erreichen, dass die bearbeite te Fläche mit den optischen Schichten (Multilagern) versehen werden könnte, erfolgt mit bekannten Verfahren, vorzugsweise dem Ionen-Strahlbearbeitungsverfahren IBF oder einem Superpolierverfahren. Eine Formgenauigkeit der Vorderseite des Substrats von 0,2 nm kann dabei erreicht werden, d.h., dass die Form der tatsächlichen Oberfläche von einer Soll-Oberfläche lediglich um 0,2 nm oder weniger abweicht. Mit einem Superpolierverfahren kann die Vorderseite des Substrats auf eine Oberflächenrauhigkeit von 0,1 bis 0,3 nm rms poliert werden. Probleme und Lösungen, die bei der Bearbeitung des Substrats auftreten, um dieses mit einer vorgesehenen Formgenauigkeit auszubilden, sind in der US 7,077,533 B2 und der US 6,453,005 B2 beschrieben. Hierin sind auch besonders bevorzugte Verfahren dargestellt, um eine sehr geringe Rauhigkeit der Oberfläche von < 0,2 nm rms sicherzustellen. Beschrieben werden dabei insbesondere Verfahren, die sowohl zu einem guten HSFR(high spatial frequency roughness)- und einem guten MSFR(mid spatial frequency roughness)-Wert führen. Diese Verfahren sehen vor, dass, wenn die Vorderseite des Substrats eine geforderte Formgenauigkeit (Passe) aufweist, das heißt nach dem Polier- bzw. Superpolierverfahren, eine Zwischenschicht auf die Vorderseite des Substrats aufgetragen wird, bevor die optischen Schichten (Multilager) aufgebracht werden. Die Zwischenschicht kann gemäß der US 7,077,533 B2 aus einem Material gebildet sein, das seine Oberflächenrauhigkeit nach einem Strahlbearbeitungsverfahren (IBF) nicht signifikant erhöht. In der US 7,077,533 B2 wird als Material für die Zwischenschicht Silizium, Quarzglas oder Metall angegeben. In der US 6,453,005 B2 wird als Zwischenschicht u. a. Siliziumoxid vorgeschlagen. Damit soll eine geeignete Deckschicht bereitgestellt werden, ohne die sonstigen Eigenschaften des Substrats zu beeinträchtigen.The processing of the front side of the substrate in order to achieve a required dimensional accuracy such that the machined te surface could be provided with the optical layers (multilayers), carried out by known methods, preferably the ion beam processing method IBF or a Superpolierverfahren. A shape accuracy of the front surface of the substrate of 0.2 nm can be achieved, that is, the shape of the actual surface deviates from a target surface by only 0.2 nm or less. With a super polishing method, the front surface of the substrate can be polished to a surface roughness of 0.1 to 0.3 nm rms. Problems and solutions that occur in the processing of the substrate to form this with a planned dimensional accuracy are in the US 7,077,533 B2 and the US 6,453,005 B2 described. Herein also particularly preferred methods are shown to ensure a very low roughness of the surface of <0.2 nm rms. In particular, methods are described which lead to both a high spatial frequency roughness (HSFR) and a mid spatial frequency roughness (MSFR). These methods provide that, when the front surface of the substrate has a required molding accuracy, that is, after the polishing or super polishing process, an intermediate layer is applied to the front side of the substrate before the optical layers (multilayers) are applied. The intermediate layer can according to the US 7,077,533 B2 may be formed of a material that does not significantly increase its surface roughness after a shot-blasting process (IBF). In the US 7,077,533 B2 is given as material for the intermediate layer silicon, quartz glass or metal. In the US 6,453,005 B2 is proposed as an intermediate layer, inter alia, silica. This is intended to provide a suitable cover layer without impairing the other properties of the substrate.

Aus der EP 1 450 182 A2 ist es bekannt, bei der Herstellung von Optiken, insbesondere Spiegeln, nachdem die Vorderseite des Substrats vorpräpariert bzw. poliert ist, diese zunächst mit einem IBF-Verfahren zu bearbeiten, um die gewünschte Form einzustellen. Anschließend wird eine Zwischenschicht aus Silizium durch Innenstrahl-Sputtern mit einer Schichtdicke von 500 nm bis 2 μm aufgebracht und dieses wiederum zur endgültigen Formgebung und zur weiteren Reduzierung der Rauhigkeit durch das IBF-Verfahren bearbeitet.From the EP 1 450 182 A2 It is known that in the manufacture of optics, in particular mirrors, after the front side of the substrate has been pre-polished, it is first processed using an IBF process in order to set the desired shape. Subsequently, an intermediate layer of silicon is applied by internal jet sputtering with a layer thickness of 500 nm to 2 microns and this in turn processed for final shaping and further reducing the roughness by the IBF process.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann vorgesehen sein, dass vor oder nach dem ersten Arbeitsschritt, in dem die Vorderseite des Substrats auf die geforderte Formgenauigkeit bearbeitet wird, eine Siliziumoxidschicht oder eine andere aus der EP 1 450 182 A2 , der US 6,453,005 B2 oder der US 7,077,533 B2 bekannte Schicht als Zwischenschicht zwischen dem Substrat und den im vierten Arbeitsschritt aufzubringenden optischen Schichten (Multilager) aufgebracht wird. Die Zwischenschicht wird somit vor dem zweiten erfindungsgemäßen Arbeitsschritt (Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn) aufgetragen. Hinsichtlich des Aufbringens der Zwischenschicht wird auf die vorgenannten drei Patentpublikationen verwiesen, wobei das Bearbeiten der Zwischenschicht mittels dem IBF-Verfahren besonders bevorzugt wird.According to the present invention it can be provided that before or after the first step, in which the front side of the substrate is machined to the required dimensional accuracy, a silicon oxide layer or another of the EP 1 450 182 A2 , of the US 6,453,005 B2 or the US 7,077,533 B2 known layer is applied as an intermediate layer between the substrate and the applied in the fourth step optical layers (multilayer). The intermediate layer is thus applied before the second inventive step (application of the electrically conductive path). With regard to the application of the intermediate layer, reference is made to the aforementioned three patent publications, wherein the processing of the intermediate layer by means of the IBF method is particularly preferred.

Hinsichtlich der Möglichkeit der IBF-Nachbearbeitung wird ein Substrat aus ULE® gegenüber einem Substrat aus Zerodur® bevorzugt, da ULE® eine geringere Rauhigkeitsproblematik aufweist.Regarding the possibility of post-processing by IBF, a substrate made of ULE ® is preferred over a substrate made of Zerodur ® , since ULE ® has a lower roughness problem.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, elektrisch leitende Bahnen, insbesondere eine Metallbeschichtung aufzubringen, ohne dass die optischen Eigenschaften der Spiegelfläche beeinträchtigt werden. Die Präzision der EUV-Beschichtung im optisch Nutzbereich wird durch die leitende Beschichtung nicht beeinflusst.The inventive method allows it, electrically conductive tracks, in particular a metal coating apply without the optical properties of the mirror surface are affected. The precision the EUV coating in the optical range is due to the conductive coating unaffected.

Von Vorteil ist es, wenn die Mittel wenigstens eine Elektronenquelle aufweisen, welche der Spiegelfläche über wenigstens eine elektrisch leitende Bahn Elektronen zuführt. Um die Spiegelfläche deformationsfrei zu kontaktieren, ist es vorteilhaft, wenn die eigentliche Kontaktierung, d. h. das Zuführen von Elektronen, möglichst weit entfernt von einer optischen Nutzfläche der Spiegelfläche erfolgt. Von Vorteil ist es dabei, wenn ein radialer Abstand zwischen der wenigstens einen elektrisch leitenden Bahn zu der optischen Nutzfläche wenigstens 10 mm beträgt. Die elektrisch leitende Bahn kann hierzu auf das Substrat bzw. den unbeschichteten Spiegel aufgebracht werden.It is advantageous if the means have at least one electron source which supplies electrons to the mirror surface via at least one electrically conductive path. In order to contact the mirror surface without deformation, it is advantageous if the actual contacting, ie the supply of electrons, takes place as far away as possible from an optical useful surface of the mirror surface. It is advantageous if a radial distance between the at least one electrically conductive path to the optical surface is at least 10 mm. For this purpose, the electrically conductive path can be applied to the substrate or the uncoated mirror.

Von Vorteil ist es, wenn die Kontaktstelle, d. h. die Stelle, an der die elektrisch leitende Bahn über ein Kabel, eine Leitung oder dergleichen mit der Elektronenquelle verbunden wird, von der Spiegelfläche entfernt angeordnet ist. Dabei ist es vorteilhaft, wenn der elektrische Widerstand zwischen der Spiegelfläche und der Kontaktierungsstelle kleiner als 500 Ohm ist.From It is an advantage if the contact point, i. H. the place where the electrically conductive path over Cable, a line or the like connected to the electron source is removed from the mirror surface is arranged. It is advantageous if the electrical resistance between the mirror surface and the contact point is less than 500 ohms.

Die Kontaktierung der elektrischen Bahn kann auch über ein Tastelement, beispielsweise eine Tastspitze, erfolgen.The Contacting the electrical path can also be via a probe element, for example a Tastspitze done.

Eine Anordnung der Kontaktstelle derart, dass diese von der Spiegelfläche entfernt ist, lässt sich besonders einfach dadurch erreichen, dass die elektrisch leitende Bahn entsprechend lang ausgebildet ist und sich entlang einer Außenseite des Substrats erstreckt, die nicht mit einer Spiegelfläche bzw. einer Oberflächenbeschichtung versehen ist. Hieraus können sich eine Vielzahl möglicher Kontaktstellen ergeben.A Arrangement of the contact point such that it removes from the mirror surface is, can be Particularly easy achieve that the electrically conductive Train is formed according to long and along an outside of the substrate, which does not have a mirror surface or a surface coating is provided. From this you can a multitude of possible ones Contact points arise.

Die elektrisch leitende Bahn kann in unterschiedlicher Art und Weise ausgebildet sein, wozu auf den allgemeinen Stand der Technik verwiesen wird. Besonders geeignet ist es, wenn die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn aufgedampft und als Metallleiterbahn ausgebildet ist. Als Materialien kommen hierfür z. B. Au, Ag, Pt und Cu in Frage. Ebenfalls möglich ist eine Ausbildung der elektrisch leitenden Bahn als nichtmetallische Leiterbahn, wozu z. B. TiN oder dotiertes Si eingesetzt werden kann. Eine weitere mögliche Ausgestaltung der elektrisch leitenden Bahn besteht dabei, diese als Metallfolie, z. B. aus Blattgold, auszubilden.The electrically conductive path can be in different ways be formed, for which reference is made to the general state of the art. It is particularly suitable if the at least one electrically conductive Steamed web and is designed as a metal trace. As materials come for this z. As Au, Ag, Pt and Cu in question. Also possible is a training of electrically conductive path as a non-metallic trace, including z. As TiN or doped Si can be used. Another possible Design of the electrically conductive path is this as a metal foil, for. B. of gold leaf, form.

Möglich ist es auch, Gold als Ablöseschicht auszubilden, so wie dies für strukturtragende Masken aus der JP 06124876 be kannt ist.It is also possible to form gold as a release layer, as is the case for structure-bearing masks from the JP 06124876 be known.

Die Kontaktierung des Kabels oder der Leitung mit der elektrisch leitenden Bahn kann in vielfältiger Art und Weise erfolgen. Vorteilhaft kann es dabei sein, wenn die Leitung mit der elektrisch leitenden Bahn mittels Löten verbunden ist. Hierbei kann es zudem von Vorteil sein, wenn die Kontaktstelle zum Schutz überlackiert oder mit einem Epoxidkleber versehen wird. Die Leitung oder das Kabel können mit der elektrisch leitenden Bahn auch durch Bonden verbunden werden. Möglich ist es auch, dass die Verbindung durch Kleben erfolgt, wozu vorzugsweise ein Leitkleber (z. B. ein Silberleitkleber) eingesetzt werden kann. Eine weitere Alternative besteht darin, die Leitung oder das Kabel mittels einer Kontaktfeder mit der elektrisch leitenden Bahn zu verbinden.The Contacting the cable or the cable with the electrically conductive Railway can be more diverse Way done. It can be advantageous if the Line connected to the electrically conductive path by means of soldering is. It may also be advantageous if the contact point overpainted for protection or provided with an epoxy adhesive. The wire or the Cables can be connected to the electrically conductive path by bonding. Possible it is also that the connection is made by gluing, preferably a conductive adhesive (eg a silver conductive adhesive) can be used. Another alternative is the cable or the cable by means of a contact spring with the electrically conductive path to connect.

Einige der genannten Verbindungsmöglichkeiten bieten den Vorteil, dass die Kontaktstelle dadurch gleichzeitig gegen Streulicht und/oder physikalische/chemische Einflüsse geschützt wird. Dabei muss darauf geachtet werden, dass keine Kontaminierung durch das Verbindungsmittel erfolgt. Eine Verbindung des Kabels oder der Leitung mit der elektrisch leitenden Bahn kann auch über ein Metallplättchen erfolgen, welches zudem die Kontaktstelle schützen kann. Vorteilhaft ist es des weiteren, wenn die Kontaktstelle mit einer Zugentlastung versehen ist. Derartige Lösungen sind aus dem allgemeinen Stand der Technik hinlänglich bekannt.Some the said connection possibilities offer the advantage that the contact point thereby at the same time is protected against stray light and / or physical / chemical influences. It must be ensured that no contamination by the connecting means takes place. A connection of the cable or the Line with the electrically conductive path can also have a metal plates which can also protect the contact point. Is advantageous It further, if the contact point with a strain relief is provided. Such solutions are well known from the general state of the art.

Aus Redundanzgründen hat es sich als vorteilhaft herausgestellt, mehrere elektrisch leitende Bahnen einzusetzen.Out redundancy It has been found to be advantageous, several electrically conductive tracks use.

In einer alternativen, kostengünstigen Ausgestaltung ist es auch möglich, auf die elektrisch leitende Bahn zu verzichten und die Spiegelfläche direkt anzutasten bzw. zu kontaktieren. Hierzu kann beispielsweise eine Tastspitze, die über ein Kabel mit der Elektronenquelle verbunden ist, eingesetzt werden. In dieser Ausgestaltung ist es vorteilhaft, wenn die Kontaktierung der Spiegelfläche außerhalb der optischen Nutzfläche in einem sogenannten "Überlauf" erfolgt.In an alternative, inexpensive Embodiment, it is also possible to dispense with the electrically conductive path and the mirror surface directly to touch or to contact. For this example, a Probe tip that over a cable is connected to the electron source can be used. In this embodiment, it is advantageous if the contacting the mirror surface outside the optical effective area takes place in a so-called "overflow".

In einer weiteren alternativen Ausgestaltung kann vorgesehen sein, dass die Mittel wenigstens eine Elektronenquelle aufweisen, welche geeignet ist, die Spiegelfläche kontaktfrei mit Elektronen zu beschießen. Eine entsprechende Installation einer Elektronenquelle und ein Beschuss der Spiegelfläche weist den Vorteil auf, dass dies berührungsfrei erfolgen kann. Der Nachteil besteht jedoch darin, dass diese Lösung aufwändig und kostenintensiv ist und gegebenenfalls zu einem Materialabtrag führen kann.In a further alternative embodiment can be provided in that the means have at least one electron source, which is suitable, the mirror surface Shattered with electrons without contact. An appropriate installation an electron source and a bombardment of the mirror surface the advantage that this is done without contact can. The disadvantage, however, is that this solution is expensive and is expensive and may lead to a material removal if necessary.

Neben der Spiegelanordnung selbst stellt die Erfindung auch ein optisches System mit einer Mehrzahl von optischen Elementen sowie eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zur Verfügung. Hierbei ist wenigstens eines der optischen Elemente als Spiegelanordnung gemäß Anspruch 10 ausgebildet.Next the mirror arrangement itself, the invention also provides an optical System with a plurality of optical elements and a projection exposure system for the Semiconductor lithography, in particular for EUV lithography, for Production of semiconductor devices available. This is at least one of the optical elements as a mirror arrangement according to claim 10 trained.

Darüber hinaus stellt die Erfindung auch ein lithographisches Verfahren zur Herstellung eines miniaturisierten Bauelements mit einem Belichtungssystem zur Verfügung, welches die nachfolgenden Schritte umfasst:

  • – Anordnen einer abzubildenden musterbildenden Struktur in einem Bereich einer Objektebene einer abbildenden Optik des Belichtungssystems;
  • – Anordnen eines eine fotoempfindliche Schicht tragenden Substrats in dem Bereich einer Bildebene der abbildenden Optik und Belichten von Bereichen des Substrats mit Bildern der musterbildenden Struktur unter Verwendung des Belichtungssystems;
  • – wobei das Belichtungssystem eine Mehrzahl von optischen Elementen aufweist und wenigstens eines der optischen Elemente eine Spiegelanordnung gemäß Anspruch 1 umfasst.
In addition, the invention also provides a lithographic method for producing a miniaturized device with an exposure system, comprising the following steps:
  • - Arranging a pattern forming pattern to be imaged Structure in a region of an object plane of an imaging optic of the exposure system;
  • Arranging a photosensitive layer-bearing substrate in the region of an image plane of the imaging optics and exposing regions of the substrate to images of the pattern-forming structure using the exposure system;
  • - wherein the exposure system comprises a plurality of optical elements and at least one of the optical elements comprises a mirror arrangement according to claim 1.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den restlichen Unteransprüchen.Further yield advantageous embodiments and refinements of the invention from the remaining subclaims.

Nachfolgend sind anhand der Zeichnung prinzipmäßige Ausführungsbeispiele beschrieben.following are described with reference to the drawing principle embodiments.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Es zeigt:It shows:

1 eine prinzipmäßige Draufsicht auf eine Spiegelanordnung für ein EUV-Projektionsobjektiv oder ein Beleuchtungssystem für die Halbleiterlithographie zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung mit einer Elektronenquelle, welche der Spiegelfläche über eine elektrisch leitende Bahn Elektronen zuführt; 1 a schematic plan view of a mirror assembly for an EUV projection lens or a lighting system for semiconductor lithography for reflection of electromagnetic radiation with an electron source, which supplies electrons to the mirror surface via an electrically conductive path;

2 einen prinzipmäßigen Querschnitt durch einen Teil einer Spiegelanordnung mit einem Substrat, an dessen der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Vorderseite eine Spiegelfläche bereitgestellt ist, die aus einer Schichtstruktur (Multilager) besteht, wobei eine elektrisch leitende Bahn vorgesehen ist, über welche der Spiegelfläche Elektronen zugeführt werden können; 2 a cross-section through a portion of a mirror assembly having a substrate, on whose front surface to be reflected facing a mirror surface is provided which consists of a layer structure (multilayer), wherein an electrically conductive path is provided, via which the mirror surface electrons can be supplied ;

3 eine Darstellung gemäß 2 mit einer alternativen Ausgestaltung der elektrisch leitenden Bahn, welche an einer Kontaktstelle über eine Leitung mit einer Elektronenquelle verbunden ist; 3 a representation according to 2 with an alternative embodiment of the electrically conductive path, which is connected at a contact point via a line with an electron source;

4 eine zu 3 alternative Darstellung, wobei die Kontaktierung der elektrisch leitenden Bahn mittels einem Tastelement in Form eines Taststiftes erfolgt; 4 one too 3 alternative representation, wherein the contacting of the electrically conductive path is effected by means of a probe element in the form of a stylus;

5 eine zu 4 alternative Ausgestaltung, wobei keine elektrisch leitende Bahn vorgesehen ist und ein als Taststift ausgebildetes Tastelement, welches mit einer Elektronenquelle verbunden ist, die Spiegelfläche an deren Oberfläche kontaktiert; 5 one too 4 alternative embodiment, wherein no electrically conductive path is provided and designed as a stylus probe element, which is connected to an electron source, the mirror surface contacted on the surface thereof;

6 einen perspektivischen Aufbau einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Lichtquelle, einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv; und 6 a perspective view of an EUV projection exposure system with a light source, a lighting system and a projection lens; and

7 eine prinzipmäßige Darstellung der Arbeitsschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens. 7 a schematic representation of the steps of the method according to the invention.

1 zeigt eine Spiegelanordnung 1 für eine EUV-Projektionsobjektiv oder ein Beleuchtungssystem für die Halbleiterlithographie zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit Wellenlängen im EUV-Bereich zur Herstellung von Halbleiterbauelementen. In den 2 bis 5 sind im Querschnitt verschiedene Ausführungsformen der in 1 in der Draufsicht ersichtlichen Spiegelanordnung 1 dargestellt. 1 shows a mirror arrangement 1 for an EUV projection objective or a lighting system for semiconductor lithography for reflection of electromagnetic radiation, in particular with wavelengths in the EUV range for the production of semiconductor components. In the 2 to 5 are in cross-section different embodiments of in 1 in plan view apparent mirror assembly 1 shown.

Die Spiegelanordnung 1 umfasst im Ausführungsbeispiel ein Substrat (Trägersubstrat) 2 mit einer der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Vorderseite 3, an der eine Spiegelfläche 4 bereitgestellt ist. Das Substrat 2 kann aus einem Glasmaterial, wie etwa Zerodur® oder ULE®, welches einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, gebildet sein. Auch beliebige andere geeignete Substrate sind einsetzbar, wie beispielsweise ein Substrat aus Silizium.The mirror arrangement 1 comprises in the exemplary embodiment a substrate (carrier substrate) 2 with one of the reflective radiation facing front 3 , at the mirror surface 4 is provided. The substrate 2 can be made of a glass material such as Zerodur ® or ULE ®, which has a low coefficient of thermal expansion is formed. Any other suitable substrates can be used, such as a substrate made of silicon.

Die Vorderseite 3 des Substrats 2 kann metallisiert sein, um eine metallisch spiegelnde Spiegelfläche 4 bereitzustellen. Im Ausführungsbeispiel ist jedoch vorgesehen, dass die Vorderseite 3 mit mehreren optischen Schichten 5 versehen ist, um die Spiegelfläche 4 durch eine Schichtstruktur (Multilager) bereitzustellen.The front 3 of the substrate 2 can be metallized to a metallic mirror surface 4 provide. In the embodiment, however, it is provided that the front 3 with multiple optical layers 5 is provided to the mirror surface 4 by providing a layer structure (multilayer).

Wie aus den 1 bis 5 ersichtlich ist, sind Mittel 6 vorgesehen, welche mit der Spiegelfläche 4 Elektronen austauschen. Im Ausführungsbeispiel sind die Mittel als Elektronenquelle 6 ausgebildet, welche der Spiegelfläche 4 über eine elektrisch leitende Bahn 7 Elektronen zuführt. Die elektrisch leitende Bahn 7 ist im Ausführungsbeispiel als Metallleiterbahn ausgebildet und auf die Vorderseite 3 des Substrates 2 aufgedampft. Gemäß den in den 1 bis 4 dargestellten Ausführungsformen verläuft die elektrisch leitende Bahn 7 unterhalb einer Oberfläche 4a der Spiegelfläche 4. Die elektrisch leitende Bahn 7 erstreckt sich dabei entlang eines Außenumfangs des Substrats 2 in einen Bereich, in dem das Substrat 2 nicht mit einer Spiegelfläche 4 versehen ist. In Abhängigkeit der Länge der elektrisch leitenden Bahn 7 können sich – wie in 2 dargestellt – eine Mehrzahl von Kontaktstellen 8 ergeben, an welchen die elektrisch leitende Bahn 7 mit einer Leitung 9 oder einem Tastelement 10 kontaktierbar ist. Die Leitung 9 bzw. das Tastelement 10 sind dabei mit der Elektronenquelle 6 verbunden. Die Verbindung des Tastelements 10 mit der Elektronenquelle 6 kann über ein herkömmliches weiterführendes Kabel 11 erfolgen.Like from the 1 to 5 is apparent, are means 6 provided, which with the mirror surface 4 Exchange electrons. In the exemplary embodiment, the means are used as an electron source 6 formed, which the mirror surface 4 via an electrically conductive path 7 Supplying electrons. The electrically conductive path 7 is formed in the embodiment as a metal track and on the front 3 of the substrate 2 evaporated. According to the in the 1 to 4 illustrated embodiments, the electrically conductive path runs 7 below a surface 4a the mirror surface 4 , The electrically conductive path 7 extends along an outer periphery of the substrate 2 in an area where the substrate 2 not with a mirror surface 4 is provided. Depending on the length of the electrically conductive path 7 can - as in 2 shown - a plurality of contact points 8th result, to which the electrically conductive path 7 with a line 9 or a probe element 10 is contactable. The administration 9 or the probe element 10 are with the electron source 6 connected. The connection of the probe element 10 with the electron source 6 can via a conventional continuing cable 11 respectively.

Gemäß den in den 2, 3 und 4 dargestellten Ausführungsformen ist vorgesehen, dass die Kontaktstelle 8 von der Spiegelfläche 4 entfernt angeordnet ist, die Kontaktierung also mit Abstand zu der Spiegelfläche 4 erfolgt.According to the in the 2 . 3 and 4 illustrated embodiments, it is provided that the contact point 8th from the mirror surface 4 is arranged away, so the contact so far from the mirror surface 4 he follows.

Gemäß den in den 1 bis 4 dargestellten Ausführungsformen ist zudem vorgesehen, dass die elektrisch leitende Bahn 7 außerhalb einer optischen Nutzfläche A der Spiegelfläche 4 verläuft. Dabei ist in den genannten Ausführungsformen vorgesehen, dass die elektrisch leitende Bahn 7 in einer als "Überlauf" bezeichneten Ringfläche B endet, welche nicht als Nutzfläche Verwendung findet. Vorgesehen ist dabei, dass der radiale Abstand der elektrisch leitenden Bahn 7 zu der optischen Nutzfläche A wenigstens 10 mm beträgt.According to the in the 1 to 4 illustrated embodiments is also provided that the electrically conductive path 7 outside an optical effective area A of the mirror surface 4 runs. It is provided in the embodiments mentioned that the electrically conductive path 7 ending in a designated as "overflow" ring surface B, which is not used as a usable area. It is envisaged that the radial distance of the electrically conductive path 7 to the optical effective area A is at least 10 mm.

Die in 2 dargestellte Ausführungsform zeigt eine Verlängerung der elektrisch leitenden Bahn 7 bis auf die Rückseite des Substrats 2. Die Kontaktierung erfolgt dann vorzugsweise auf der Rückseite des Substrats 2 oder auch alternativ an einer Stirnseite.In the 2 illustrated embodiment shows an extension of the electrically conductive path 7 down to the back of the substrate 2 , The contacting is then preferably carried out on the back of the substrate 2 or alternatively on a front side.

Die in 3 dargestellte Ausführungsform zeigt eine Kontaktierung der elektrisch leitenden Bahn 7 mit der Leitung 9 an der Oberseite des Substrats 2. Gemäß der in 3 dargestellten Ausführungsform ist ferner vorgesehen, dass die Kontaktstelle 8 gegenüber Streulicht und/oder physikalischen/chemischen Einflüssen geschützt ist. Hierzu ist die Kontaktstelle 8 mittels einem Metallplättchen 12 (vorzugsweise aus Invar) abgedeckt, welches gleichzeitig als Zugentlastung dient. Das Metallplattchen ist dabei angelötet (alternativ: angeklebt), so dass zugleich die Leitung 9 mit der elektrisch leitenden Bahn 7 verbunden ist.In the 3 illustrated embodiment shows a contacting of the electrically conductive path 7 with the line 9 at the top of the substrate 2 , According to the in 3 illustrated embodiment is further provided that the contact point 8th is protected against stray light and / or physical / chemical influences. This is the contact point 8th by means of a metal plate 12 Covered (preferably from Invar), which also serves as a strain relief. The metal plate is soldered (alternatively: glued), so that at the same time the line 9 with the electrically conductive path 7 connected is.

Die in 4 dargestellte Ausführungsform zeigt eine Variante, bei der anstelle der Kontaktierung der elektrisch leitenden Bahn 7 mit einem Kabel 9 ein als Taststift 10 ausgebildetes Tastelement verwendet wird. Ein Schutz der Kontaktstelle 8 gegenüber Streulicht und/oder physikalischen/chemischen Einflüssen ist hierbei nicht notwendig, darüber hinaus kann eine Zugentlastung entfallen. Vorgesehen ist, dass das Tastelement 10 die elektrisch leitende Bahn 7 an der Oberseite des Substrats 2, jedoch entfernt von der Spiegelfläche 4 kontaktiert.In the 4 illustrated embodiment shows a variant in which instead of contacting the electrically conductive path 7 with a cable 9 as a stylus 10 trained probe element is used. A protection of the contact point 8th to stray light and / or physical / chemical influences is not necessary here, in addition, a strain relief can be omitted. It is envisaged that the probe element 10 the electrically conductive path 7 at the top of the substrate 2 but away from the mirror surface 4 contacted.

Die in 5 dargestellte Ausführungsform zeigt eine besonders einfache und kostengünstige Alternative, bei der vorgesehen ist, dass der Taststift 10 direkt die Oberfläche 4a der Spiegelfläche 4 kontaktiert. Die Kontaktierung erfolgt dabei im Bereich des ringförmigen Überlaufs B, d. h. außerhalb der Nutzfläche A der Spiegelfläche 4,.In the 5 illustrated embodiment shows a particularly simple and inexpensive alternative, in which it is provided that the stylus 10 directly the surface 4a the mirror surface 4 contacted. The contacting takes place in the region of the annular overflow B, ie outside the effective area A of the mirror surface 4 .

Die durch die hochenergetische EUV-Strahlung ausgeschlagenen Elektronen können somit in besonders kostengünstiger Weise wieder zugeführt werden.The Electrons knocked out by the high-energy EUV radiation can thus in a particularly cost-effective Way to be fed again.

In 6 ist prinzipmäßig eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage 30 mit einer Lichtquelle 31, einem EUV-Beleuchtungssystem 32 zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene 33, in welcher eine strukturtragende Maske angeordnet ist, sowie ein Projektionsobjektiv 34 mit einem Gehäuse 34a und mit einem Strahlenverlauf 35 zur Abbildung der strukturtragenden Maske in der Objektebene 33 auf ein lichtempfindliches Substrat 36 zur Herstellung von Halbleiterbauelementen dargestellt. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 30 weist dabei eine Mehrzahl von optischen Elementen auf, um den Strahlenverlauf 35 zu beeinflussen, wobei wenigstens eines der optischen Elemente 37 des Projektionsobjektivs (zwischen Objektebene 33 und Substrat 36) oder eines der optischen Elemente 38 des Beleuchtungssystems 32 (vor Erreichen der Objektebene 33 bzw. der Maske), eine erfindungsgemäße Spiegelanordnung 1 ist. In der Ausführungsform gemäß 6 sind zumindest alle optischen Elemente 37 zum Umlenken des Strahlenverlaufs 35 als Spiegelanordnung 1 gemäß der erfindungsgemäßen Lösung ausgebildet.In 6 is in principle an EUV projection exposure system 30 with a light source 31 , an EUV lighting system 32 for illuminating a field in an object plane 33 in which a structure-carrying mask is arranged, and a projection lens 34 with a housing 34a and with a ray path 35 for mapping the structure-bearing mask in the object plane 33 on a photosensitive substrate 36 for the production of semiconductor devices shown. The EUV projection exposure system 30 has a plurality of optical elements to the beam path 35 to influence, wherein at least one of the optical elements 37 of the projection lens (between object plane 33 and substrate 36 ) or one of the optical elements 38 of the lighting system 32 (before reaching the object level 33 or the mask), a mirror arrangement according to the invention 1 is. In the embodiment according to 6 are at least all optical elements 37 for deflecting the beam path 35 as a mirror arrangement 1 formed according to the inventive solution.

Nachfolgend wird anhand das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer besonders bevorzugten Spiegelanordnung 1 für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, dargestellt. Ausgangspunkt ist ein Substrat 2, dessen Vorderseite 3 zur Ausbildung einer Spiegelfläche 4 mit mehreren optischen Schichten versehen wird, um die Spiegelfläche 4 durch eine Schichtstruktur (Multilager) bereitzustellen. Das Substrat 2 kann dabei bereits eine Vorderseite 3 aufweisen, die eine Formgenauigkeit (Passe) aufweist, die geeignet ist, mit einer Reflexionsschicht, das heißt den optischen Schichten 5, versehen zu werden. Erfindungsgemäß kann dabei der erste Arbeitsschritt I darin bestehen, der Vorderseite 3 des Substrats 2 die geforderte Formgenauigkeit zu geben. In einem zweiten Arbeitsschritt II wird außerhalb eines optischen Nutzbereichs A, das heißt gemäß den 2 bis 4, in einen Bereich B wenigstens eine elektrisch leitende Bahn 7 auf die Vorderseite 3 des Substrats 2 unterhalb der optischen Schichten 5 aufgebracht. Erfindungsgemäß sind dabei mehrere elektrisch leitende Bahnen 7 vorgesehen. In einem dritten Arbeitsschritt III erfolgt eine Nachbearbeitung der Vorderseite 3 des Substrats 2 wenigstens in dem an die elektrisch leitende Bahn 7 angrenzenden Bereich, um durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn 7 bedingte Verformungen bzw. Veränderungen der Formgenauigkeit zu korrigieren. Dabei ist vorgesehen, dass nach der Durchführung des Arbeitsschrittes III, das heißt nach der Nachbearbeitung die Vorderseite 3 des Substrats 2 möglichst eine Formgenauigkeit aufweist, die der Formgenauigkeit nach Durchführung des Arbeitsschritts I, das heißt vor dem Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn, entspricht. In einem vierten Arbeitsschritt IV werden die optischen Schichten 5 mit bekannten Verfahren aufgebracht.The method according to the invention for producing a particularly preferred mirror arrangement will be described below 1 for semiconductor lithography, in particular for EUV lithography. The starting point is a substrate 2 whose front 3 to form a mirror surface 4 is provided with multiple optical layers to the mirror surface 4 by providing a layer structure (multilayer). The substrate 2 can already have a front 3 having a shape accuracy (Passe), which is suitable, with a reflection layer, that is, the optical layers 5 to be provided. According to the invention, the first step I consist in the front 3 of the substrate 2 to give the required dimensional accuracy. In a second step II is outside an optical range A, that is, according to the 2 to 4 in a region B at least one electrically conductive path 7 on the front 3 of the substrate 2 below the optical layers 5 applied. According to the invention, a plurality of electrically conductive tracks 7 intended. In a third step III Followed by a post-processing of the front 3 of the substrate 2 at least in the to the electrically conductive path 7 adjacent area to by applying the electrically conductive path 7 to correct conditional deformations or changes in the dimensional accuracy. It is envisaged that after the execution of the step III , that means after the post-processing the front 3 of the substrate 2 as far as possible has a dimensional accuracy, the shape accuracy after implementation of the work step I , that is before the application of the electrically conductive path, corresponds. In a fourth step IV become the optical layers 5 applied by known methods.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann vorsehen, dass die elektrisch leitende Bahn als Metallbeschichtung (7) ausgebildet wird. Zum Aufbringen der Metallbeschichtung eignet sich ein Aufdampfen oder eine physikalische Gasphasenabschneidung (PVD) oder eine chemische Gasphasenabschneidung (CVD) besonders. Im Ausführungsbeispiel ist die Metallbeschichtung eine aufgedampfte Goldbeschichtung.The method according to the invention can provide that the electrically conductive path is used as a metal coating ( 7 ) is formed. For depositing the metal coating, vapor deposition or physical vapor phase separation (PVD) or chemical vapor phase separation (CVD) is particularly suitable. In the exemplary embodiment, the metal coating is a vapor-deposited gold coating.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann zudem vorsehen, dass das Substrat aus Zerodur® oder ULE® gebildet wird. Die Bearbeitung der Vorderseite 3 des Substrats 2 gemäß dem Arbeitsschritt I und/oder gemäß dem Arbeitsschritt III kann durch ein IBF-Verfahren oder ein Superpolierverfahren erfolgen. Grundsätzlich können auch andere Verfahren verwendet werden, die bekannt sind, um die Oberfläche eines Substrats zu bearbeiten und mit der vorgesehenen Toleranz in die gewünschte Form zu bringen.The inventive method may also provide that the substrate consists of Zerodur ® or ULE ® is formed. The processing of the front 3 of the substrate 2 according to the work step I and / or according to the work step III can be done by an IBF process or a super polishing process. In principle, other methods known to process the surface of a substrate and to bring it into the desired shape with the intended tolerance can also be used.

Im Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, dass das Superpolierverfahren lediglich im an die elektrisch leitende Bahn 7 angrenzenden Bereich der Vorderseite 3 des Substrats 2 durchgeführt wird, wobei die elektrisch leitende Bahn 7 selbst weder bearbeitet noch beschädigt werden soll. Die Bearbeitung der Vorderseite 3 im Bereich der elektrisch leitenden Bahn 7 erfolgt vorzugsweise nur dort, wo die Vorderseite 3 die geforderte Formgenauigkeit aufgrund des Aufbringens der elektrischen Bahn 7 nicht mehr aufweist bzw. verformt ist.In the exemplary embodiment, it is provided that the superpolishing method is applied only to the electrically conductive path 7 adjacent area of the front 3 of the substrate 2 is performed, wherein the electrically conductive path 7 itself should neither be edited nor damaged. The processing of the front 3 in the region of the electrically conductive path 7 is preferably only where the front 3 the required dimensional accuracy due to the application of the electrical path 7 no longer has or is deformed.

Wie in 7, die ein Ausführungsbeispiel des erfindungsge mäßen Verfahrens zeigt, ersichtlich ist, kann vor oder nach der Durchführung des ersten Arbeitsschritts I ein weiterer Arbeitsschritt X vor- oder nachgeschoben werden. In diesem Arbeitsschritt ist vorgesehen, dass eine Siliziumoxidschicht oder eine Metallschicht als Zwischenschicht (nicht näher dargestellt) zwischen dem Substrat 2 bzw. der Vorderseite 3 des Substrats 2 und den im vierten Arbeitsschritt IV aufzubringenden optischen Schichten (Multilager) aufgebracht wird. Im Ausführungsbeispiel nach 7 ist vorgesehen, dass der Arbeitsschritt X nach Durchführung des ersten Arbeitsschritts I und vor Durchführung des zweiten Arbeitsschritts II durchgeführt wird. Die Zwischenschicht wird dabei im Ausführungsbeispiel z.B. mittels dem IBF-Verfahren bearbeitet.As in 7 showing an embodiment of the erfindungsge MAESSEN method, it can be seen, before or after the implementation of the first operation I another step X be advanced or advanced. In this step, it is provided that a silicon oxide layer or a metal layer as an intermediate layer (not shown in detail) between the substrate 2 or the front 3 of the substrate 2 and in the fourth step IV applied optical layers (multilayer) is applied. In the embodiment according to 7 is provided that the work step X after completion of the first step I and before carrying out the second step II is carried out. The intermediate layer is processed in the exemplary embodiment, for example by means of the IBF method.

Die erfindungsgemäße Lösung eignet sich in besonderer Weise für Projektionsbelichtungsanlagen bzw. lithographische Verfahren zur Herstellung eines miniaturisierten Bauelements mit einem Beleuchtungssystem, bei dem EUV-Strahlung mit einer Wellenlänge von 13 nm eingesetzt wird. Hierauf ist die Erfindung selbstverständlich jedoch nicht beschränkt, vielmehr kann die erfindungsgemäße Spiegelanordnung auch bei UV-Strahlung sowie bei allen anderen elektromagnetischen Strahlungen eingesetzt werden.The solution according to the invention is suitable in a special way for Projection exposure systems or lithographic processes for Production of a miniaturized component with a lighting system, in which EUV radiation with a wavelength of 13 nm is used. Of course, the invention is not limited thereto, but rather can the mirror assembly according to the invention also with UV radiation as well as with all other electromagnetic Radiations are used.

Claims (23)

Verfahren zum Herstellen einer Spiegelanordnung (1) für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, mit einem Substrat (2), dessen Vorderseite (3) zur Ausbildung einer Spiegelfläche (4) mit mehreren optischen Schichten (5) versehen wird, wobei die Vorderseite (3) des Substrats (2) vor dem Aufbringen der optischen Schichten (5) in einem ersten Arbeitsschritt (I) derart bearbeitet wird, dass die Vorderseite (3) eine geforderte Formgenauigkeit aufweist, wonach in einem zweiten Arbeitsschritt (II) außerhalb eines optischen Nutzbereichs (A) wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) auf die Vorderseite (3) des Substrats (2) aufgebracht wird, wonach in einem dritten Arbeitsschritt (III) eine Nachbearbeitung der Vorderseite (3) des Substrats (2) wenigstens in dem an die elektrisch leitende Bahn (7) angrenzenden Bereich erfolgt, um durch das Aufbringen der elektrisch leitenden Bahn (7) bedingte Veränderungen der Formgenauigkeit zu korrigieren, wonach in einem vierten Arbeitsschritt (IV) die optischen Schichten (5) aufgebracht werden.Method for producing a mirror arrangement ( 1 ) for semiconductor lithography, in particular for EUV lithography, with a substrate ( 2 ) whose front ( 3 ) for forming a mirror surface ( 4 ) with several optical layers ( 5 ), the front side ( 3 ) of the substrate ( 2 ) before applying the optical layers ( 5 ) in a first step ( I ) is processed such that the front side ( 3 ) has a required dimensional accuracy, after which in a second step ( II ) outside an optical working region (A) at least one electrically conductive path ( 7 ) on the front ( 3 ) of the substrate ( 2 ), after which in a third step ( III ) a post-processing of the front ( 3 ) of the substrate ( 2 ) at least in that to the electrically conductive path ( 7 ) adjacent area is carried out in order by the application of the electrically conductive path ( 7 ) to correct conditional changes in shape accuracy, after which in a fourth step ( IV ) the optical layers ( 5 ) are applied. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Bahn als Metallbeschichtung (7) ausgebildet wird.A method according to claim 1, characterized in that the electrically conductive path as a metal coating ( 7 ) is formed. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallbeschichtung (7) aufgedampft oder durch eine physikalische Gasphasenabschneidung (PVD) oder eine chemische Gasphasenabschneidung (CVD) aufgebracht wird.Method according to claim 2, characterized in that the metal coating ( 7 ) or deposited by physical vapor phase separation (PVD) or chemical vapor phase separation (CVD). Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) aus Zerodur® oder ULE® gebildet wird.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the substrate ( 2 ) Is formed from Zerodur ® or ULE ®. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Bearbeitung der Vorderseite (3) des Substrats (2) durch ein IBF-Verfahren erfolgt.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the processing of the front ( 3 ) of the substrate ( 2 ) by an IBF procedure. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Bearbeitung der Vorderseite (3) des Substrats (2) durch ein Superpolierverfahren erfolgt.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the processing of the front ( 3 ) of the substrate ( 2 ) by a super polishing process. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Superpolierverfahren im an die elektrisch leitende Bahn (7) angrenzenden Bereich der Vorderseite (3) des Substrats (2) oder flächig über die gesamte Vorderseite (3) des Substrats (2), ausgenommen die elektrisch leitende Bahn (7), durchgeführt wird.Method according to Claim 6, characterized in that the superpolishing method is applied to the electrically conductive path ( 7 ) adjacent area the front side ( 3 ) of the substrate ( 2 ) or across the entire front ( 3 ) of the substrate ( 2 ), except for the electrically conductive path ( 7 ), is carried out. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass vor oder nach dem ersten Arbeitsschritt (I), in dem die Vorderseite (3) des Substrats (2) auf die geforderte Formgenauigkeit bearbeitet wird, eine Siliziumoxidschicht oder eine Metallschicht als Zwischenschicht zwischen dem Substrat (2) und den im vierten Arbeitsschritt IV aufzubringenden optischen Schichten (5) aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 to 7, characterized in that before or after the first step ( I ), in which the front ( 3 ) of the substrate ( 2 ) is processed to the required dimensional accuracy, a silicon oxide layer or a metal layer as an intermediate layer between the substrate ( 2 ) and in the fourth step IV to be applied optical layers ( 5 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht mittels dem IBF-Verfahren bearbeitet wird.Method according to claim 8, characterized in that that the intermediate layer is processed by the IBF method. Spiegelanordnung für ein EUV-Projektionsobjektiv oder ein Beleuchtungssystem für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, zur Reflexion elektromagnetischer Strahlung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, umfassend wenigstens ein Substrat mit einer der zu reflektierenden Strahlung zugewandten Vorderseite, wobei die Vorderseite des Substrats mit mehreren optischen Schichten versehen ist, um eine Spiegelfläche durch eine Schichtstruktur bereitzustellen, wobei Mittel ausgebildet sind, welche mit der Spiegelfläche über wenigstens eine elektrisch leitende Bahn Elektronen austauschen, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) unterhalb der Oberfläche (4a) der Spiegelfläche (4) verläuft.Mirror arrangement for an EUV projection lens or a lighting system for semiconductor lithography, in particular for EUV lithography, for reflection of electromagnetic radiation for the production of semiconductor devices, comprising at least one substrate with one of the radiation to be reflected facing front, wherein the front of the substrate with a plurality of optical Layers is provided to provide a mirror surface through a layer structure, wherein means are formed which exchange electrons with the mirror surface via at least one electrically conductive path, characterized in that the at least one electrically conductive path ( 7 ) below the surface ( 4a ) of the mirror surface ( 4 ) runs. Spiegelanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) außerhalb einer optischen Nutzfläche (A) der Spiegelfläche (4) verläuft.Mirror arrangement according to claim 10, characterized in that the at least one electrically conductive path ( 7 ) outside an optical effective area (A) of the mirror surface ( 4 ) runs. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) aufgedampft und als Metallleiterbahn ausgebildet ist.Mirror arrangement according to one of claims 10 or 11, characterized in that the at least one electrically conductive path ( 7 ) and formed as a metal trace. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) als nichtmetallische Leiterbahn ausgebildet ist.Mirror arrangement according to one of claims 10 or 11, characterized in that the at least one electrically conductive path ( 7 ) is designed as a non-metallic conductor track. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) als Metallfolie ausgebildet ist.Mirror arrangement according to one of claims 10 or 11, characterized in that the at least one electrically conductive path ( 7 ) is formed as a metal foil. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine elektrisch leitende Bahn (7) zu einer Kontaktstelle (8) führt, an welcher die elektrisch leitende Bahn (7) mit einer Leitung (9) oder einem Tastelement (10) kontaktierbar ist, die mit der Elektronenquelle (6) verbunden ist.Mirror arrangement according to one of claims 10 to 14, characterized in that the at least one electrically conductive path ( 7 ) to a contact point ( 8th ), at which the electrically conductive path ( 7 ) with a line ( 9 ) or a probe element ( 10 ) is contactable with the electron source ( 6 ) connected is. Spiegelanordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle (8) von der Spiegelfläche (4) entfernt angeordnet ist.Mirror arrangement according to claim 15, characterized in that the contact point ( 8th ) from the mirror surface ( 4 ) is located away. Spiegelanordnung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitung mit der elektrisch leitenden Bahn (7) mittels Löten und/oder Kleben und/oder Bonden und/oder einer Kontaktfeder verbunden ist.Mirror arrangement according to claim 15 or 16, characterized in that the line with the electrically conductive path ( 7 ) is connected by means of soldering and / or gluing and / or bonding and / or a contact spring. Spiegelanordnung nach Anspruch 15, 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle gegenüber Streulicht und/oder physikalischen/chemischen Einflüssen geschützt ist.Mirror arrangement according to claim 15, 16 or 17, characterized characterized in that the contact point to scattered light and / or physical / chemical influences is protected. Spiegelanordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle (8) mittels einem Metallplättchen abgedeckt ist.Mirror arrangement according to claim 18, characterized in that the contact point ( 8th ) is covered by a metal plate. Spiegelanordnung nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle (8) mit einer Zugentlastung versehen ist.Mirror arrangement according to claim 18 or 19, characterized in that the contact point ( 8th ) is provided with a strain relief. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere elektrisch leitende Bahnen (7) ausgebildet sind.Mirror arrangement according to one of claims 10 to 20, characterized in that a plurality of electrically conductive tracks ( 7 ) are formed. Optisches System mit einer Mehrzahl von optischen Elementen, wobei wenigstens eines der optischen Elemente eine Spiegelanordnung (1) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 21 umfasst.Optical system having a plurality of optical elements, wherein at least one of the optical elements has a mirror arrangement ( 1 ) according to any one of claims 10 to 21. Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Lithographie, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit: – einem Beleuchtungssystem (32), – eine Maske, welche von dem Beleuchtungssystem (32) beleuchtbar ist, und – einem Projektionsobjektiv (34) zur Abbildung der Maske auf einem lichtempfindlichen Wafer, wobei das Beleuchtungssystem (32) und/oder das Projektionsobjektiv wenigstens eine Spiegelanordnung (1) nach einem der Ansprüche 10 bis 21 umfasst.Projection exposure apparatus for semiconductor lithography, in particular for EUV lithography, for the production of semiconductor components, comprising: - an illumination system ( 32 ), - a mask, which of the illumination system ( 32 ), and - a projection lens ( 34 ) for imaging the mask on a photosensitive wafer, wherein the illumination system ( 32 ) and / or the projection lens at least one mirror arrangement ( 1 ) according to any one of claims 10 to 21.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080636A1 (en) 2010-09-27 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Extreme UV (EUV) mirror for projection exposure system, has heat conducting layer having preset values of absolute and specific heat conductivity and average thickness, that is arranged between substrate and layer stack
DE102011080052A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, optical system with mirror and method for producing a mirror

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124111A (en) * 2001-08-07 2003-04-25 Nikon Corp Soft x-ray exposure system
JP2005098930A (en) * 2003-09-26 2005-04-14 Nikon Corp Multilayer-film reflector, method for reconditioning it and exposure system
DE102004008824B4 (en) * 2004-02-20 2006-05-04 Schott Ag Glass ceramic with low thermal expansion and their use
JP4665443B2 (en) * 2004-06-22 2011-04-06 旭硝子株式会社 Glass substrate polishing method
JP4539335B2 (en) * 2005-01-12 2010-09-08 株式会社ニコン Multilayer reflection mirror, EUV exposure apparatus, and contamination removal method in multilayer reflection mirror
JP4476824B2 (en) * 2005-01-25 2010-06-09 太平洋セメント株式会社 Electrostatic chuck and exposure apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011080636A1 (en) 2010-09-27 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Extreme UV (EUV) mirror for projection exposure system, has heat conducting layer having preset values of absolute and specific heat conductivity and average thickness, that is arranged between substrate and layer stack
DE102011080052A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, optical system with mirror and method for producing a mirror

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