DE102007013470A1 - Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit - Google Patents

Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit Download PDF

Info

Publication number
DE102007013470A1
DE102007013470A1 DE102007013470A DE102007013470A DE102007013470A1 DE 102007013470 A1 DE102007013470 A1 DE 102007013470A1 DE 102007013470 A DE102007013470 A DE 102007013470A DE 102007013470 A DE102007013470 A DE 102007013470A DE 102007013470 A1 DE102007013470 A1 DE 102007013470A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor laser
heating unit
laser
tunable heating
tuning heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007013470A
Other languages
German (de)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ROTTENKOLBER, MATTHIAS, DR., 82131 STOCKDORF, DE
Original Assignee
Rottenkolber, Matthias, Dr.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rottenkolber, Matthias, Dr. filed Critical Rottenkolber, Matthias, Dr.
Priority to DE102007013470A priority Critical patent/DE102007013470A1/en
Publication of DE102007013470A1 publication Critical patent/DE102007013470A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0261—Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
    • H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser

Abstract

The semiconductor laser (4) has a semiconductor laser chip emitting a single-mode light in a visible or infrared region. A tunable heating unit (3), a thermally conductive block (2) and a heat sink (1a) are thermally connected with each other. The tunable heating unit changes the temperature of the semiconductor laser, where a control electronic delivers a temporally varying voltage signals on the tunable heating unit. The tunable heating unit is heated or cooled, where an injection flow and a flow through the tunable heating unit are temporally changed.

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser, der insbesondere im sichtbaren oder infraroten Bereich kohärentes, einmodiges Licht emittiert. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Anordnung, in der der Halbleiterlaser als Chip auf einem Piezotranslator aufgebracht ist. Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine Anordnung mit der die Temperatur der Wärmesenke über ein Heiz- bzw. Kühlelement geregelt werden kann.The The invention relates to a semiconductor laser, in particular in the visible or infrared region emits coherent, single-mode light. The invention further relates to an arrangement in which the semiconductor laser is applied as a chip on a piezotranslator. About that In addition, the invention relates to an arrangement with the temperature the heat sink via a heating or cooling element can be regulated.

Für viele optische, insbesondere auf interferometrischen Methoden basierende Messtechnikanwendungen ist eine Betriebsart von einmodigen Diodenlasern wünschenswert, die es gestattet die Emissionswellenlänge diskret, d. h. in bestimmten Wellenlängenabständen, definiert und schnell durchzustimmen. Bisher wurden für diese Messtechnikanwendungen aufwendige Lasersysteme eingesetzt, wie beispielsweise durchstimmbare Ti:Sa-Laser oder zwei oder mehr Diodenlaser, die jeweils auf einer bestimmten Wellenlänge emittieren.For many optical, in particular based on interferometric methods Metrology applications is a mode of single-mode diode lasers desirable that it allows the emission wavelength discreet, d. H. at certain wavelength intervals, defined and fast to vote. So far have been for these metrology applications used elaborate laser systems, such as tunable Ti: Sa lasers or two or more Diode lasers, each at a specific wavelength emit.

Kommerziell verfügbare durchstimmbare Halbleiterlaser-Systeme bestehen aus einem Laserchip der auf eine Wärmesenke montiert ist. Die Wärmesenke ist thermisch mit einem Heiz-/Kühlelement verbunden (Peltierelement) mit dem die Temperatur des Laserchips kontrolliert wird. Eine Veränderung der /Kühlelements und damit des Laserchips. Meist werden solche Anordnungen zur Stabilisierung der Emissionswellenlänge benutzt.Commercially existing tunable semiconductor laser systems exist from a laser chip mounted on a heat sink. The heat sink is thermally connected to a heating / cooling element (Peltier element) which controls the temperature of the laser chip becomes. A change of / cooling element and thus of the laser chip. Most such arrangements for stabilization the emission wavelength used.

Ein anderes kommerziell verfügbares Konzept basiert auf einem Halbleiterlaser der in einen externen Resonator gebracht wird. Die Emissionswellenlänge des Gesamtsystems kann verändert werden in dem ein frequenzselektives Element, meistens ein Beugungsgitter in seiner geometrischen Lage verändert, meist verdreht wird. Ein solches Verfahren ist z. B. in der Gebrauchsmusterschrift DE 203 17 904 U1 beschrieben.Another commercially available concept is based on a semiconductor laser placed in an external cavity. The emission wavelength of the entire system can be changed in that a frequency-selective element, usually a diffraction grating changed in its geometric position, is usually twisted. Such a method is z. B. in the utility model DE 203 17 904 U1 described.

Eine drittes Verfahren geht von einer Anordnung aus auf dem ein Heizdrahtelement direkt auf dem Laserchip angeordnet ist. Durch dieses Element lässt durch thermische Dissipation eine mechanische Längenänderung des Laserchips und somit eine Veränderung der Emissionswellenlänge erreichen. Eine derartige Anordnung ist beispielsweise aus der Offenlegungsschrift DE 101055331 A1 bekannt.A third method is based on an arrangement on which a Heizdrahtelement is arranged directly on the laser chip. Through this element can be achieved by thermal dissipation, a mechanical change in length of the laser chip and thus a change in the emission wavelength. Such an arrangement is for example from the published patent application DE 101055331 A1 known.

Nachteilig beim ersten Verfahren ist die langsame Durchstimmbarkeit der Wellenlänge, beim zweiten Verfahren der hohe mechanische Aufwand verbunden mit einer hohen Störanfälligkeit und beim dritten Verfahren das proprietäre und aufwendige Laserchipdesign.adversely in the first method, the slow tunability of the wavelength, in the second method of high mechanical complexity associated with a high susceptibility to interference and the third Process the proprietary and expensive laser chip design.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es kommerziell verfügbare Halbleiterlaser durch direkte thermische Anregung schnell auf eine andere Emissionswellenlänge zu bringen und dort die Emissionswellenlänge stabil zu halten.aim It is commercially available in the present invention Semiconductor laser by direct thermal excitation quickly on one to bring different emission wavelength and there the emission wavelength stable.

Nachdem die Emissionswellenlänge von der Betriebstemperatur abhängt, bietet es sich an, den im Betrieb befindlichen Laserchip möglichst schnell auf unterschiedliche Temperaturen zu bringen. Dies kann durch ein in die Nähe des Lasers gebrachtes Durchstimm-Heizelement erfolgen, das in unmittelbarem, thermischem Kontakt zum Laserchip steht. Dies erfolgt über einen gut thermisch leitenden Block. Dieser Block ist wiederum mit einer Wärmesenke verbunden. Die Temperatur dieser Wärmesenke wird von einem Heiz-/Kühlelement (Peltierelement) bestimmt.After this the emission wavelength depends on the operating temperature, It makes sense, the laser chip in operation as possible quickly bring to different temperatures. This can by a tuning heater placed near the laser take place, in direct, thermal contact with the laser chip stands. This is done via a good thermal conductivity Block. This block is in turn connected to a heat sink. The temperature of this heat sink is from a heating / cooling element (Peltier element) determined.

Die Strompulsform durch das Durchstimm-Heizelement hängt von verschiedenen Parametern wie Halbleiterlasertyp, gewünschter Temperatursprung und damit Wellenlängenänderung, Ausgangstemperatur und anschließender Temperaturstabilisierungsphase sowie von der geometrischen Anordnung ab und wird durch einen Mikrocontroller mit vordefinierter Kurvenform vorgegeben. Die verschiedenen Kurvenformen die für einen Wellenlängensprung notwendig sind, können im Vorfeld durch numerische Simulation ermittelt werden.The Current pulse shape through the tuning heater depends on various parameters such as semiconductor laser type, desired Temperature jump and thus wavelength change, Initial temperature and subsequent temperature stabilization phase as well as from the geometric arrangement and is powered by a microcontroller predefined waveform specified. The different waveforms which are necessary for a wavelength jump, can be determined in advance by numerical simulation become.

Besonders vorteilhaft lässt sich dieses Verfahren auf Mehrsegment Laser anwenden. Solche Lasertypen sind beispielsweise in der Offenlegungsschrift EP 1 304 780 A1 oder in US Patentnr. Nr. 6,671,306 beschrieben. Sie bestehen elektrisch aus zwei Segmenten. Durch Veränderung der Injektionsströme durch die beiden Segmente lässt sich die Emissionswellenlänge diskret verändern. Nachteilig ist dass die durch Umschalten der Injektionsströme bedingte Änderung der elektrischen Verlustleistung sich die thermisch eingebrachte Leistung ebenfalls verändert und der Laser erst nach einigen Sekunden wieder stabil auf der neuen Wellenlänge emittiert. Durch das oben beschriebene Verfahren lässt sich diese Stabilisierungsphase auf wenige Millisekunden verkürzen.This method can be applied particularly advantageously to multi-segment lasers. Such laser types are for example in the published patent application EP 1 304 780 A1 or in US Pat. No. 6,671,306 described. They consist of two segments electrically. By changing the injection currents through the two segments, the emission wavelength can be discreetly changed. It is disadvantageous that the change in the electrical power loss due to switching of the injection currents also alters the thermally induced power and that the laser emits again stably at the new wavelength only after a few seconds. By the method described above, this stabilization phase can be shortened to a few milliseconds.

Die Vorteile der Erfindung liegen in der Möglichkeit einmodige, kommerziell verfügbare Laser sehr schnell diskret durchzustimmen. Aufwendige Chipdesigns oder störanfällige Anordnungen wie oben beschrieben können entfallen.The Advantages of the invention are the possibility of single-mode, commercially available lasers discreetly vote through very quickly. Elaborate chip designs or interference-prone arrangements as described above can be omitted.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben.embodiments The invention are illustrated in the drawings and are in Described in more detail below.

Es zeigenIt demonstrate

1: Ansichten verschiedener Ausführungsformen des durchstimmbaren Lasers und 1 : Views of various embodiments of the tunable laser and

2: die Elemente der Steuerelektronik und 2 : the elements of the control electronics and

3: A eine typische Verlaufsform der Spannungspulse am Durchstimm-Heizelement für den Fall eines Mehrsegmentlasers, B Temperaturverlauf am Laserchip mit und ohne Kompensation des Heizelements sowie Emissionswellenlänge 3 A is a typical waveform of the voltage pulses on the tuning heater in the case of a multi-segment laser, B temperature profile on the laser chip with and without compensation of the heating element and emission wavelength

4: A eine typische Verlaufsform der Spannungspulse am Durchstimm-Heizelement für den Fall eines DFB (distributed-feedback) Lasers, B Temperaturverlauf am Laserchip sowie Emissionswellenlänge 4 : A is a typical waveform of the voltage pulses at the tuning heater in the case of a DFB (distributed-feedback) laser, B temperature curve at the laser chip and emission wavelength

Die Anordnung besteht aus einer Wärmesenke (1a) die in thermische Kontakt zu einem Peltierelement (1b) und einem Temperaturfühler (1c) steht. Der thermisch leitende Block (2) (z. B. aus Kupfer), das Durchstimmheizelement (3) und Laser (4) sind ebenfalls in thermischem Kontakt. Wenn das Heizelement stromdurchflossen ist, erwärmt sich der Block 2 und somit auch der Laser 4 in kurzer Zeit. Nachdem das Durchstimmheizelement und der Laser in sehr geringem Abstand sind fliesst die Wärme zunächst praktisch nur zum Laser, die Wärmesenke „sieht" den thermischen Puls erst sehr viel später. Die Wärmesenke dient in erster Linie zum Abführen von Wärme nach einer Durchstimmsequenz. 1B zeigt eine alternative Ausführungsform bei der der Laserchip auf dem Durchstimmheizelement angebracht ist. 1C zeigt eine Ausführungsform mit zwei oder mehreren Durchstimmheizelementen.The arrangement consists of a heat sink ( 1a ) in thermal contact with a Peltier element ( 1b ) and a temperature sensor ( 1c ) stands. The thermally conductive block ( 2 ) (eg made of copper), the continuous heating element ( 3 ) and lasers ( 4 ) are also in thermal contact. When the heating element is flowed through, the block heats up 2 and therefore also the laser 4 in a short time. After the Durchstimmheizelement and the laser are at a very close distance, the heat flows at first practically only to the laser, the heat sink "sees" the thermal pulse until much later The heat sink is used primarily for dissipating heat after a tuning sequence. 1B shows an alternative embodiment in which the laser chip is mounted on the continuous heating element. 1C shows an embodiment with two or more Durchstimmheizelementen.

2 zeigt die Ansteuerelektronik für den Fall der Ansteuerung eines Mehrsegmentlasers. Sie besteht aus einem Mikrocontroller 5, der eine Spannungspulssequenz über einen D/A-Wandler und Verstärker 8 und 9 an die Segmente 6 und 7 des Halbleiterlasers abgibt. Strompaare erzeugen bestimmte Wellenlängen. Das Durchstimmheizelement 11 wird über den Verstärker 10 vom Mikrocontroller zeitsynchron in der Weise gesteuert, dass sich der Stromverlauf durch das Durchstimmheizelement bei jedem Umschalten der Ströme durch die Segmente des Halbleiterlasers ändert. Nach einer Durchstimmsequenz sorgt das Peltierelement 12 über den Verstärker 13 für eine Abführung der Wärme. Der Temperaturfühler 14 liefert dem Mikrocontroller Informationen über die aktuelle Temperatur der Wärmesenke. 2 shows the control electronics for the case of driving a multi-segment laser. It consists of a microcontroller 5 containing a voltage pulse sequence via a D / A converter and amplifier 8th and 9 to the segments 6 and 7 of the semiconductor laser. Current pairs produce specific wavelengths. The tuning heater 11 will be over the amplifier 10 controlled by the microcontroller time-synchronized in such a way that the current variation through the tuning heater at each switching of the currents through the segments of the semiconductor laser changes. After a tuning sequence provides the Peltier element 12 over the amplifier 13 for a dissipation of heat. The temperature sensor 14 provides the microcontroller with information about the current temperature of the heat sink.

3A (a) zeigt einen typischen Verlauf der Spannung am Durchstimmheizelement für dreimaliges Umschalten für den Fall eines Mehrsegmentlasers gezeigt, also die Erzeugung von vier verschiedenen Wellenlängen, (b) zeigt die Änderung der Verlustleistung durch den Laser. 3A (a) shows a typical waveform of the tuning heater voltage for three times switching in the case of a multi-segment laser, ie the generation of four different wavelengths, (b) shows the change in power dissipation by the laser.

In 3B ist der korrespondierende Temperaturverlauf (a) mit Kompensation und ohne Kompensation gezeigt (b), (c) illustriert die durch das Umschalten erzielte Emissionswellenlängenänderung. Die Aufgabe des Durchstimm-Heizelements besteht im Falle des Mehrsegmentlasers darin die unterschiedlichen Verlustleistungseinträge durch die Segmente der Laserdiode (6, 7 in 2) zu kompensieren.In 3B the corresponding temperature profile (a) is shown with compensation and without compensation (b), (c) illustrates the emission wavelength change achieved by the switching. In the case of the multi-segment laser, the purpose of the tuning-through heating element is the different power losses due to the segments of the laser diode ( 6 . 7 in 2 ) to compensate.

4A (a) zeigt den Spannungsverlauf am Durchstimm-Heizelement für den Fall eines normalen DFB Lasers (der Strom durch die Diode 7, 2 ist in diesem Fall Null) (b) die konstante Verlustleistung durch die Diode, 4B wiederum die Temperatur am Laser (a), (b) den Verlauf der Wellenlänge. In diesem Fall dient das Durchstimm-Heizelement der Temperaturvorgabe, der Strom durch den Laser und die damit verbundene Verlustleistung bleibt konstant. 4A (a) shows the voltage waveform on the tuning heater for the case of a standard DFB laser (the current through the diode 7 . 2 is zero in this case) (b) the constant power dissipation through the diode, 4B again the temperature at the laser (a), (b) the course of the wavelength. In this case, the tuning heater serves as the temperature preset, the current through the laser and the associated power dissipation remains constant.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 20317904 U1 [0004] - DE 20317904 U1 [0004]
  • - DE 101055331 A1 [0005] - DE 101055331 A1 [0005]
  • - EP 1304780 A1 [0010] - EP 1304780 A1 [0010]
  • - US 6671306 [0010] - US 6671306 [0010]

Claims (8)

Vorrichtung bestehend aus einem Halbleiterlaserchip der einmodiges Licht im sichtbaren oder infraroten Bereich emittiert, eines Durchstimm-Heizelements, eines thermisch leitenden Blocks und einer Wärmesenke die thermisch miteinander verbunden sind sowie einer Ansteuerelektronik dadurch gekennzeichnet, dass das Durchstimm-Heizelement die Temperatur des Halbleiterlasers verändert und die Ansteuerelektronik zeitlich variierende Spannungssignale auf das Durchstimm-Heizelement abgibtDevice consisting of a semiconductor laser chip emitting single-mode light in the visible or infrared range, a tuning heater, a thermally conductive block and a heat sink thermally connected to each other and a drive electronics characterized in that the tuning heater changes the temperature of the semiconductor laser and the Control electronics outputs time varying voltage signals to the tuning heater Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Laser einmodig ist und nur ein Injektionsstromsegment hat.Device according to claim 1, characterized in that that the laser is single-mode and has only one injection current segment. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Injektionsstrom und der Strom durch das Durchstimm-Heizelement zeitlich verändert wird.Device according to claims 1 and 2, characterized in that that the injection current and the current through the tuning heater is changed over time. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Laser einmodig ist und mehr als ein Segment hatDevice according to claim 1, characterized in that that the laser is single-mode and has more than one segment Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Injektionsströme und der Strom durch das Durchstimm-Heizelement zeitlich verändert werdenDevice according to claim 4, characterized in that that the injection currents and the current through the tuning heater be changed over time Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Durchstimm-Heizelement heizen oder/und kühlen kannDevice according to one of the preceding claims, characterized in that the tuning heater is heating and / or can cool Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Laserchip direkt auf dem Durchstimm-Heizelement angebracht werden kannDevice according to one of the preceding claims, characterized in that the laser chip is directly on the tuning heater can be attached Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ströme durch das Durchstimm-Heizelement, die Injektionsströme und durch das Peltierelement in zeitlicher Abfolge verändert werden können.Device according to one of the preceding claims, characterized in that the currents through the tuning heater, the injection currents and through the Peltier element in temporal Sequence can be changed.
DE102007013470A 2007-03-21 2007-03-21 Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit Withdrawn DE102007013470A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007013470A DE102007013470A1 (en) 2007-03-21 2007-03-21 Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007013470A DE102007013470A1 (en) 2007-03-21 2007-03-21 Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007013470A1 true DE102007013470A1 (en) 2008-09-25

Family

ID=39713001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007013470A Withdrawn DE102007013470A1 (en) 2007-03-21 2007-03-21 Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102007013470A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10105331A1 (en) 2001-02-05 2002-08-29 Beru Ag Cold start arrangement for a car diesel engine
EP1304780A1 (en) 2001-10-18 2003-04-23 nanoplus GmbH Nanosystems and Technologies A wideley tuneable semiconductor laser with a grating structure
US6671306B1 (en) 1998-08-31 2003-12-30 Alfred Forchel Semiconductor laser with a lattice structure
DE20317904U1 (en) 2003-11-19 2005-03-31 Sacher Joachim Laser diode array with external resonator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671306B1 (en) 1998-08-31 2003-12-30 Alfred Forchel Semiconductor laser with a lattice structure
DE10105331A1 (en) 2001-02-05 2002-08-29 Beru Ag Cold start arrangement for a car diesel engine
EP1304780A1 (en) 2001-10-18 2003-04-23 nanoplus GmbH Nanosystems and Technologies A wideley tuneable semiconductor laser with a grating structure
DE20317904U1 (en) 2003-11-19 2005-03-31 Sacher Joachim Laser diode array with external resonator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2737345C2 (en) Semiconductor laser device with a Peltier element
WO2006012825A1 (en) Sensor process and device for determining a physical value
DE19932051A1 (en) Vehicle light
EP1605560A2 (en) Lightemitting semiconductor device and method for temperature stabilisation
DE102007013173A1 (en) Device for stabilization of emission wavelength, has semiconductor laser chip which emits single-mode light within visible or infrared region, where tunable heating element changes temperature of semiconductor laser
DE2424468A1 (en) TEMPERATURE COMPENSATED THERMAL RELAY DEVICE
DE102007039219A1 (en) Spectrally tunable laser module
EP2947962B1 (en) Motor vehicle illumination system
DE102007013470A1 (en) Semiconductor laser, has tunable heating unit changing temperature of semiconductor laser, where control electronic delivers temporally varying voltage signals on tunable heating unit
EP1023749B1 (en) Semiconductor laser chip
DE102005004145A1 (en) Device has radiation-emitting semiconducting component(s) with associated heating element(s) for heating the component(s); peak wavelength varies in fluctuation range over defined ambient temperature range in which component operated
WO2018162222A1 (en) Lighting device for a motor vehicle
DE102007062044A1 (en) Semiconductor laser device
EP3740042B1 (en) Assembly and method for operating a semiconductor element and light
DE102011088726A1 (en) LASER ARRANGEMENT AND METHOD FOR OPERATING A LASER ARRANGEMENT
EP3915336B1 (en) Driver circuit, method for laser actuation, and ophthalmological laser treatment device
DE10254190B4 (en) Infrared semiconductor laser
EP2296073A1 (en) Device for shear point wavelength adjustment of emitted optical radiation
WO2020025626A1 (en) Laser diode chip
WO1998038710A1 (en) Optoelectronic component
DE102010014100A1 (en) Semiconductor laser element, has laser diode and positive temperature co-efficient resistor that are thermally connected with one another and arranged on heat sink and thermal conductive intermediate medium
EP3409085B1 (en) Electric arrangement for a motor vehicle, motor vehicle, and method for operating a synthetic jet
EP3404780A1 (en) Laser diode with predetermined chirp
DE632771C (en) Thermostat for heat-generating bodies, especially crystals from high-frequency systems
DE2943675A1 (en) Integrated circuit incorporating compensating heater - has integral heater enclosing circuit, with elements between conductors trimmed by laser beam

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ROTTENKOLBER, MATTHIAS, DR., 82131 STOCKDORF, DE

8139 Disposal/non-payment of the annual fee