DE102007005291A1 - Aqueous dispersion useful for chemical-mechanical polishing of conductive metal films contains an abrasive in the form of fumed alumina - Google Patents
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 106
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 23
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 11
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 claims description 9
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 8
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 8
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 3
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 claims description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 claims description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 claims description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001294 alanine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001483 arginine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000002332 glycine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002410 histidine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 claims description 2
- 150000002519 isoleucine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000002613 leucine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002668 lysine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000003354 serine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003587 threonine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004474 valine Substances 0.000 claims description 2
- 150000003679 valine derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N Alanine Chemical compound CC([NH3+])C([O-])=O QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- -1 amino acid compound Chemical class 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 2
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical class N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002510 pyrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01F7/00—Compounds of aluminium
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- C09G1/00—Polishing compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/50—Agglomerated particles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/11—Powder tap density
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
- C01P2006/82—Compositional purity water content
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Abstract
Description
Gegenstand der Erfindung ist eine wäßrige Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren von Metallfilmen, die Aluminiumoxid enthält.object The invention relates to an aqueous dispersion for chemical-mechanical polishing of metal films containing alumina contains.
Integrierte Schaltungen bestehen aus Millionen von aktiven Bauelementen, die in oder auf einem Siliciumsubstrat ausgebildet sind. Die anfangs voneinander isolierten aktiven Bauelemente werden miteinander zu funktionellen Schaltungen und Komponenten verbunden. Die Verbindung der Bauelemente erfolgt über bekannte Mehrebenenverdrahtungsmittel. Verdrahtungsstrukturen enthalten normalerweise eine erste Metallisierungsschicht, eine Verdrahtungsschicht, eine zweite Metallisierungsebene und zuweilen eine dritte und nachfolgende Metallisierungsebene. Zur Isolierung der verschiedenen Metallisierungsebenen in einem Siliciumsubstrat werden dielektrische Zwischenschichten verwendet, wie beispielsweise dotiertes Siliciumdioxid (SiO2) oder Tantalnitrid mit kleiner Dielektrizitätskonstante. Die elektrischen Verbindungen zwischen verschiedenen Verdrahtungsebenen werden durch metallisierte Durchkontaktierungen erzeugt.Integrated circuits consist of millions of active devices formed in or on a silicon substrate. The initially isolated active devices are connected together to form functional circuits and components. The connection of the components takes place via known multilevel wiring means. Wiring structures typically include a first metallization layer, a wiring layer, a second metallization level, and sometimes a third and subsequent metallization level. Dielectric interlayers such as doped silica (SiO 2 ) or low dielectric constant tantalum nitride are used to isolate the various metallization levels in a silicon substrate. The electrical connections between different wiring levels are generated by metallized vias.
Auf ähnliche Art und Weise werden Metallkontakte und -durchkontaktierungen zur Ausbildung von elektrischen Verbindungen zwischen Verdrahtungsebenen verwendet. Die Metalldurchkontaktierungen und -kontakte können mit verschiedenen Metallen und Legierungen gefüllt sein, beispielsweise Kupfer (Cu) oder Wolfram (W). In den Metalldurchkontaktierungen und -kontakten wird im allgemeinen eine Barriereschicht, beispielsweise aus Titannitrid (TiN), Titan (Ti), Tantal (Ta), Tantalnitrid (TaN) oder Kombinationen davon, verwendet, damit die Metallschicht auf dem SiO2-Substrat haftet. Auf der Kontaktebene fungiert die Barriereschicht als Diffusionsbarriere, die Reaktionen zwischen der Metallfüllung und dem SiO2 verhindert.Similarly, metal contacts and vias are used to form electrical interconnections between wiring levels. The metal vias and contacts may be filled with various metals and alloys, such as copper (Cu) or tungsten (W). In the metal vias and contacts, a barrier layer of, for example, titanium nitride (TiN), titanium (Ti), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN), or combinations thereof is generally used to adhere the metal layer to the SiO 2 substrate. At the contact level, the barrier layer acts as a diffusion barrier that prevents reactions between the metal filling and the SiO 2 .
Ein Halbleiterfertigungsverfahren umfaßt im allgemeinen einen CMP-Schritt (CMP = chemisch-mechanisches Polieren), bei dem überschüssiges Metall abgetragen wird. Es ist wünschenswert, daß die beim chemisch-mechanischen Polieren verwendeten Dispersionen eine erhöhte Metallfilm/Barriereschicht-Selektivität aufweisen.One Semiconductor manufacturing process generally includes one CMP step (CMP = chemical-mechanical polishing), in which excess Metal is removed. It is desirable that the in the chemical-mechanical polishing used dispersions have increased metal film / barrier layer selectivity.
Zu diesem Zweck werden normalerweise Aluminiumoxid enthaltende Dispersionen verwendet. Nachteilig ist an diesen Dispersionen, daß sie im pH-Bereich zwischen 3 und 7 häufig wenig stabil sind. Es kann Ausflockung auftreten, was die Erzielung eines reproduzierbaren Polierergebnisses unmöglich macht. Des weiteren kann die Selektivität zwischen Barriereschicht und Metallfilm unzureichend sein und Überpolieren auftreten.To For this purpose are usually alumina-containing dispersions used. A disadvantage of these dispersions is that they in the pH range between 3 and 7 are often less stable. There may be flocculation, resulting in the achievement of a reproducible Polishing result impossible. Furthermore, the Selectivity between barrier layer and metal film insufficient his and overpolish occur.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Dispersion, die eine gute Stabilität aufweist und bei CMP-Prozessen eine erhöhte Metallabtragungsrate im Verein mit einer kleinen Barriereschichtabtragungsrate aufweist.task the present invention provides a dispersion, which has good stability and CMP processes an increased metal removal rate in combination with a small metal removal rate Has barrier layer removal rate.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine wäßrige Dispersion mit einem pH-Wert zwischen 3 und 7, enthaltend 1 bis 35 Gew.-% eines Abrasivs, bei dem es sich um pyrogen hergestelltes Aluminiumoxid mit einer spezifischen Oberfläche von 50 bis 200 m2/g und einem mittleren Aggregatdurchmesser von weniger als 200 nm handelt.The object is achieved by an aqueous dispersion with a pH between 3 and 7, containing 1 to 35 wt .-% of an abrasive, which is pyrogenically produced alumina having a specific surface area of 50 to 200 m 2 / g and a mean aggregate diameter of less than 200 nm.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform beträgt der mittlere Aggregatdurchmesser 70 bis 150 nm.To a preferred embodiment is the average aggregate diameter 70 to 150 nm.
Nach einer anderen bevorzugten Ausführungsform weisen mindestens 90% der Aggregate einen Durchmesser von weniger als 500 nm auf.To In another preferred embodiment, at least 90% of the aggregates have a diameter of less than 500 nm.
Bei der Herstellung des pyrogen hergestellten Aluminiumoxids wird eine Aluminiumverbindung in einer Wasserstoff-Sauerstoff-Flamme hydrolysiert. Bei dem Verbrennungsprozeß bilden sich ungefähr kugelförmige schmelzflüssige Teilchen, deren Durchmesser durch die Verfahrensparameter variiert werden. Diese schmelzflüssigen Metalloxidkügelchen, die als Primärteilchen bezeichnet werden, verschmelzen durch Kollisionen an ihren Berührungspunkten miteinander zu verzweigten, dreidimensionalen kettenartigen Aggregaten. Zum Aufbrechen der Aggregate ist ein beträchtlicher Kraftaufwand notwendig. Beim Abkühlen und Auffangen erleiden die Aggregate weitere Kollisionen, die zu einer bestimmten mechanischen Verhakung unter Bildung von Agglomeraten führen kann. Es wird angenommen, daß Agglomerate durch van-der-Waals-Kräfte lose zusammengehalten werden und durch sachgerechtes Dispergieren in einem geeigneten Medium wieder entagglomeriert werden können.at the production of pyrogenic alumina is a Aluminum compound hydrolyzed in a hydrogen-oxygen flame. In the combustion process form approximately spherical molten particles whose diameter be varied by the process parameters. This molten one Metal oxide beads, called primary particles become merged by collisions at their points of contact branched, three-dimensional chain-like aggregates. To break up the aggregates is a considerable effort necessary. Upon cooling and catching the aggregates suffer more collisions leading to a certain mechanical entanglement may result in the formation of agglomerates. It is believed, that agglomerates loose by van der Waals forces held together by proper dispersion in a suitable medium can be deagglomerated again.
Das erfindungsgemäße pyrogen hergestellte Aluminiumoxid liegt in Form von Aggregaten von Primärteilchen vor. Die Primärteilchen sind nicht porös. Die Oberflächen dieser Primärteilchen weisen Hydroxylgruppen auf.The pyrogenically produced alumina according to the invention is in the form of aggregates of primary particles. The Primary particles are not porous. The surfaces These primary particles have hydroxyl groups.
Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid eine spezifische Oberfläche von 55 bis 75 m2/g und vorzugsweise 60 bis 70 m2/g auf.According to one embodiment of the present invention, the pyrogenically produced alumina has a specific surface area of 55 to 75 m 2 / g and preferably 60 to 70 m 2 / g.
Das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid enthält vorzugsweise als kristalline Phasen neben gamma-Aluminiumoxid und/oder theta-Aluminiumoxid mindestens 30% delta-Aluminiumoxid. Die Prozentangaben beziehen sich auf die Summe der kristallinen Bestandteile. Die Gehalte der kristallinen Phasen werden durch Röntgenbeugungsanalyse bestimmt. Andere Phasen lassen sich mit dieser analytischen Methode nicht nachweisen. Der delta-Aluminiumoxid-Gehalt kann vorzugsweise 70 bis 95% betragen. Neben den kristallinen Modifikationen delta-, gamma- und theta-Aluminiumoxid kann das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid auch amorphe Aluminiumoxidbestandteile enthalten. Der Gehalt an amorphem Aluminiumoxid beträgt vorzugsweise weniger als 5 Gew.-% und besonders bevorzugt weniger als 2 Gew.-%, jeweils bezogen auf die Gesamtmenge des pyrogen hergestellten Aluminiumoxids. Die Gehalte an amorphem Aluminiumoxid können aus einem Röntgenbeugungsdiagramm abgeschätzt werden. Des weiteren kann ein pyrogenes Aluminiumoxid mit einem Gehalt an delta-Aluminiumoxid von 30 bis 40%, einem Gehalt an theta-Aluminiumoxid von 0 bis 5% und einem Gehalt an gamma-Aluminiumoxid von 60 bis 70%, jeweils bezogen auf die Summe der kristallinen Bestandteile, besonders vorteilhaft sein.The pyrogenically produced alumina preferably contains as crystalline phases besides gamma-alumina and / or theta-alumina at least 30% delta-alumina. The percentages refer on the sum of the crystalline components. The contents of the crystalline phases are determined by X-ray diffraction analysis certainly. Other phases can be solved with this analytical method do not prove. The delta-alumina content may preferably 70 to 95%. Besides the crystalline modifications delta-, gamma and theta alumina may be the pyrogenically produced alumina also contain amorphous alumina components. The content of amorphous alumina is preferably less than 5 wt .-% and particularly preferably less than 2 wt .-%, each based on the total amount of pyrogenic alumina. The Levels of amorphous alumina can be determined from an X-ray diffraction pattern be estimated. Furthermore, a pyrogenic alumina with a content of delta-aluminum oxide of 30 to 40%, a content to theta alumina from 0 to 5% and a content of gamma-alumina from 60 to 70%, in each case based on the sum of the crystalline constituents, be particularly advantageous.
Es kann ferner vorteilhaft sein, wenn die Stampfdichte des pyrogen hergestellten Aluminiumoxids 10 bis 200 g/l beträgt. Ein Bereich von 35 bis 135 g/l kann besonders bevorzugt sein. Es wird beobachtet, daß das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid in diesem Bereich besonders leicht in wäßrige Medien eingearbeitet werden kann.It may also be advantageous if the tamped density of the pyrogenic produced alumina 10 to 200 g / l. One Range of 35 to 135 g / l may be particularly preferred. It will observed that the pyrogenic alumina particularly easy in this area in aqueous Media can be incorporated.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung weist das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid eine spezifische Oberfläche von 85 bis 115 m2/g auf. Die Stampfdichte gemäß DIN EN ISO 787/11, Aug. 1983, beträgt vorzugsweise 50 ± 10 g/l, und der Al2O3-Gehalt, bezogen auf gezündete Substanz, beträgt vorzugsweise > 99,6 Gew.-%.According to another embodiment of the invention, the pyrogenically produced aluminum oxide has a specific surface area of 85 to 115 m 2 / g. The tamped density according to DIN EN ISO 787/11, Aug. 1983, is preferably 50 ± 10 g / l, and the Al 2 O 3 content, based on ignited substance, is preferably> 99.6 wt .-%.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung weist das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid eine spezifische Oberfläche von 120 bis 140 m2/g und eine Sears-Zahl von mehr als 8 ml/2 g auf. Vorzugsweise erlaubt das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid keine Endpunktsdetektion bei der Dibutylphthalatabsorption, gemessen mit einer Portion mit einem Gewicht von 16 g.According to another embodiment of the invention, the pyrogenically produced alumina has a specific surface area of 120 to 140 m 2 / g and a Sears number of more than 8 ml / 2 g. Preferably For example, the pyrogenic alumina does not allow end-point detection on dibutyl phthalate absorption measured with a 16 g portion.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung besteht das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid aus Aggregaten von Primärteilchen mit einer BET-Oberfläche von 150 bis 170 m2/g und einer Dibutylphthalatabsorption von 50 bis 450 g/100 g pyrogen hergestelltes Aluminiuoxid und zeigt auf hochaufgelösten TEM-Aufnahmen nur kristalline Primärteilchen.According to another embodiment of the invention, the pyrogenically produced aluminum oxide consists of aggregates of primary particles having a BET surface area of 150 to 170 m 2 / g and a dibutyl phthalate absorption of 50 to 450 g / 100 g of pyrogenically prepared aluminum oxide and only shows on high-resolution TEM images crystalline primary particles.
Das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid kann im Rötngendiffraktogramm Signale von gamma-, theta- und/oder delta-Aluminiumoxid aufweisen, wobei das Signal von gamma-Aluminiumoxid im allgemeinen am intensivsten ist.The Fumed alumina can be detected in the X-ray diffractogram Have signals of gamma, theta and / or delta-alumina, the signal from gamma-alumina is generally most intense is.
Die erfindungsgemäße Dispersion kann ein weiteres Metalloxid-Abrasiv aus der Gruppe bestehend aus Siliciumdioxid, Ceroxid, Zirconiumoxid, Titandioxid, Mischoxiden davon und Mischoxiden jedes der Metalloxide mit Aluminiumoxid enthalten.The Dispersion according to the invention may be another Metal oxide abrasive selected from the group consisting of silica, Ceria, zirconia, titania, mixed oxides thereof and mixed oxides each of the metal oxides containing alumina.
Vorzugsweise handelt es sich bei dem pyrogen hergestellten Aluminiumoxid um das einzige Abrasiv in der Dispersion.Preferably it is in the pyrogenically produced alumina to the only abrasive in the dispersion.
Das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid kann in der Dispersion vorzugsweise in einer Menge von 0,1 bis 30 Gew.-% vorliegen. Besonders bevorzugt liegt das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid in einer Menge von etwa 3 bis 25 Gew.-%, z. B. etwa 5 bis 20 Gew.-% oder auch sogar etwa 6 bis 15 Gew.-%, vor. Alternativ dazu kann das Abrasiv ganz oder teilweise auf oder im Polierpad fixiert sein.The pyrogenically produced alumina may preferably be present in the dispersion in an amount of 0.1 to 30 wt .-% present. Especially preferred the pyrogenically produced aluminum oxide is present in an amount of about 3 to 25 wt .-%, z. B. about 5 to 20 wt .-% or even about 6 to 15 wt .-%, before. Alternatively, the abrasive can be quite or partially fixed on or in the polishing pad.
Der pH-Wert der Dispersion beträgt 3 bis 7, vorzugsweise 3,5 bis etwa 6,5 und ganz besonders bevorzugt 4 bis 5,1. Der pH-Wert der erfindungsgemäßen Dispersion kann mit einer beliebigen bekannten Säure oder Base eingestellt werden. Bevorzugt ist jedoch die Verwendung einer metallionenfreien Säure oder Base, wie Ammoniumhydroxid und Aminen oder Salpetersäure, Phosphorsäure, Schwefelsäure oder organischen Säuren, damit keine unerwünschten Metallkomponenten eingeschleppt werden. Vorzugsweise verwendete organische Säuren sind Carbonsäuren der allgemeinen Formel CnH2n+1CO2H, worin n = 0–6 oder n = 8, 10, 12, 14, 16, oder Dicarbonsäuren der allgemeinen Formel HO2C(CH2)nCO2H, worin n = 0–4, oder die Salze der oben aufgeführten Säuren oder Mischungen der oben aufgeführten Säuren und der Salze davon.The pH of the dispersion is 3 to 7, preferably 3.5 to about 6.5 and most preferably 4 to 5.1. The pH of the dispersion of the invention can be adjusted with any known acid or base. However, it is preferred to use a metal ion-free acid or base, such as ammonium hydroxide and amines or nitric acid, phosphoric acid, sulfuric acid or organic acids, so that no unwanted metal components are introduced. Preferably used organic acids are carboxylic acids of the general formula C n H 2n + 1 CO 2 H, where n = 0-6 or n = 8, 10, 12, 14, 16, or dicarboxylic acids of the general formula HO 2 C (CH 2 ) n CO 2 H, wherein n = 0-4, or the salts of the abovementioned acids or mixtures of the abovementioned acids and the salts thereof.
Die erfindungsgemäße wäßrige Dispersion kann ferner eine Hydroxycarbonsäure enthalten. Die Hydroxycarbonsäure ist vorzugsweise aus der Gruppe bestehend aus Citronensäure, Milchsäure, Weinsäure, Bernsteinsäure, Oxalsäure und Mischungen davon ausgewählt. Die Menge der Hydroxycarbonsäure in der Dispersion beträgt 0,05 bis 3 Gew.-%.The aqueous dispersion according to the invention may further contain a hydroxycarboxylic acid. The hydroxycarboxylic acid is preferably selected from the group consisting of citric acid, Lactic acid, tartaric acid, succinic acid, Oxalic acid and mixtures thereof. The Amount of hydroxycarboxylic acid in the dispersion is 0.05 to 3 wt .-%.
Die erfindungsgemäße wäßrige Dispersion kann ferner eine Aminocarbonsäure enthalten. Die Aminocarbonsäure ist vorzugsweise aus der Gruppe bestehend aus Alanin, Alaninderivaten, Arginin, Argininderivaten, Glycin, Glycinderivaten, Histidin, Histidinderivaten, Isoleucin, Isoleucinderivaten, Leucin, Leucinderivaten, Lysin, Lysinderivaten, Serin, Serinderivaten, Threonin, Threoninderivaten, Valin und Valinderivaten ausgewählt.The aqueous dispersion according to the invention may further contain an aminocarboxylic acid. The aminocarboxylic acid is preferably selected from the group consisting of alanine, alanine derivatives, Arginine, arginine derivatives, glycine, glycine derivatives, histidine, histidine derivatives, Isoleucine, isoleucine derivatives, leucine, leucine derivatives, lysine, lysine derivatives, Serine, serine derivatives, threonine, threonine derivatives, valine and valine derivatives selected.
Besonders bevorzugt ist Glycin oder Alanin. Die Menge der Aminocarbonsäure beträgt 0,01 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge der erfindungsgemäßen Dispersion.Especially preferred is glycine or alanine. The amount of aminocarboxylic acid is 0.01 to 10 wt .-%, based on the total amount the dispersion of the invention.
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung enthält die wäßrige Dispersion eine Hydroxycarbonsäure in einer Menge von 0,005 bis 3 Gew.-% und eine Aminocarbonsäure in einer Menge von 0,01 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge der Dispersion.To a further embodiment of the invention the aqueous dispersion is a hydroxycarboxylic acid in an amount of 0.005 to 3% by weight and an aminocarboxylic acid in an amount of 0.01 to 10 wt .-%, based on the total amount the dispersion.
Die erfindungsgemäße wäßrige Dispersion kann ferner 0,3 bis 20 Gew.-% eines Oxidationsmittels enthalten. Bei dem Oxidationsmittel kann es sich um Ammoniumpersulfat, Kaliumpersulfat oder Natriumpersulfat handeln. Als Oxidationsmittel ganz besonders bevorzugt ist Wasserstoffperoxid.The aqueous dispersion according to the invention may further contain from 0.3 to 20% by weight of an oxidizing agent. The oxidizing agent may be ammonium persulfate, potassium persulfate or sodium persulfate. As an oxidizing agent very special preferred is hydrogen peroxide.
Die erfindungsgemäße wäßrige Dispersion kann ferner einen Oxidationsaktivator enthalten. Als Oxidationsaktivatoren kommen Metallsalze von Ag, Co, Cr, Cu, Fe, Mo, Mn, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti, V und Mischungen davon in Betracht. Geeignet sind außerdem Carbonsäuren, Nitrile, Harnstoffe, Amide und Ester. Besonders bevorzugt ist Eisen(II)-nitrat. Je nach Oxidationsmittel und Polieraufgabe kann die Konzentration des Oxidationskatalysators im Bereich zwischen 0,001 und 2 Gew.-% variiert werden. Der Bereich kann besonders bevorzugt zwischen 0,01 und 0,05 Gew.-% liegen.The aqueous dispersion of the invention may further contain an oxidation activator. Suitable oxidation promoters are metal salts of Ag, Co, Cr, Cu, Fe, Mo, Mn, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti, V and mixtures thereof. Also suitable are carboxylic acids, nitriles, ureas, amides and esters. Particularly preferred is iron (II) nitrate. Depending on the oxidizing agent and polishing task, the concentration of the oxidation catalyst can be varied in the range between 0.001 and 2 wt .-%. The area can be special preferably between 0.01 and 0.05 wt .-% are.
Die erfindungsgemäße wäßrige Dispersion kann ferner einen Korrosionsinhibitor enthalten. Geeignete Korrosionsinhibitoren, die in der erfindungsgemäßen Dispersion in einem Anteil von 0,001 bis 2 Gew.-% vorliegen können, umfassen die Gruppe stickstoffhaltiger Heterocyclen, wie Benzotriazol, substituierte Benzotriazole, substituierte Pyrazine, substituierte Pyrazole, Glycin und Mischungen davon.The aqueous dispersion according to the invention may further contain a corrosion inhibitor. Suitable corrosion inhibitors, in the dispersion of the invention in a From 0.001 to 2% by weight the group of nitrogen-containing heterocycles, such as benzotriazole, substituted Benzotriazoles, substituted pyrazines, substituted pyrazoles, glycine and mixtures thereof.
Die Dispersion kann ferner durch Zusatz von 0,001 bis 10 Gew.-% mindestens eines oberflächenaktiven Stoffs, der nichtionischer, kationischer, anionischer oder amphoterer Art ist, stabilisiert sein, beispielsweise gegen Absetzen und Ausflockung des pyrogen hergestellten Aluminiumoxids.The Dispersion can also be achieved by adding 0.001 to 10% by weight at least surfactant, the nonionic, cationic, anionic or amphoteric type, be stabilized, for example against Settling and flocculation of pyrogenic alumina.
Eine spezielle Ausführungsform der Erfindung ist eine wäßrige Dispersion, bei der das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid
- – in einer Konzentration von 5–20 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion, vorliegt und
- – eine spezifische Oberfläche von 55 bis 75 m2/g und einen mittleren Aggregatdurchmesser von 70 bis 150 nm aufweist,
- – ferner enthaltend Glycin und/oder Alanin in einer Menge von 0,1 Gew.-% bis 5 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge der Dispersion.
- - in a concentration of 5-20 wt .-%, based on the dispersion, is present and
- Having a specific surface area of 55 to 75 m 2 / g and an average aggregate diameter of 70 to 150 nm,
- - Also containing glycine and / or alanine in an amount of 0.1 wt .-% to 5 wt .-%, based on the total amount of the dispersion.
Eine andere spezielle Ausführungsform der Erfindung ist eine wäßrige Dispersion, bei der das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid
- – in einer Konzentration von 5–20 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion, vorliegt und
- – eine spezifische Oberfläche von 85 bis 110 m2/g und einen mittleren Aggregatdurchmesser von 70 bis 150 nm aufweist,
- – ferner enthaltend Glycin und/oder Alanin in einer Menge von 0,1 Gew.-% bis 5 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge der Dispersion.
- - in a concentration of 5-20 wt .-%, based on the dispersion, is present and
- Having a specific surface of 85 to 110 m 2 / g and a mean aggregate diameter of 70 to 150 nm,
- - Also containing glycine and / or alanine in an amount of 0.1 wt .-% to 5 wt .-%, based on the total amount of the dispersion.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung der Dispersion mit Dispergier- und/oder Mahlvorrichtungen, die einen Energieeintrag von mindestens 200 kJ/m3 bewirken. Hierzu zählen Systeme nach dem Rotor-Stator-Prinzip, zum Beispiel Ultra-Turrax-Maschinen, oder Rührwerkskugelmühlen. Höhere Energieeinträge sind mit einem Planetenkneter/-mischer möglich. Die Wirksamkeit dieses Systems ist jedoch mit einer ausreichend hohen Viskosität der bearbeiteten Mischung verbunden, um die benötigten hohen Scherenergien zum Zerteilen der Teilchen einzubringen.Another object of the invention is a process for the preparation of the dispersion with dispersing and / or grinding devices, which cause an energy input of at least 200 kJ / m 3 . These include systems based on the rotor-stator principle, for example Ultra-Turrax machines or agitator ball mills. Higher energy inputs are possible with a planetary kneader / mixer. However, the effectiveness of this system is associated with a sufficiently high viscosity of the processed mixture to provide the high shear energies needed to break up the particles.
Bei diesen Vorrichtungen werden zwei unter hohem Druck stehende vordispergierte Suspensionsströme über eine Düse entspannt. Die beiden Dispersionsstrahlen treffen exakt aufeinander, und die Teilchen mahlen sich selbst. Bei einer anderen Ausführungsform wird die Vordispersion ebenfalls unter hohen Druck gesetzt, jedoch erfolgt die Kollision der Teilchen gegen gepanzerte Wandbereiche. Die Operation kann beliebig oft wiederholt werden, um kleinere Teilchengrößen zu erhalten.at These devices are pre-dispersed under high pressure Suspended streams through a nozzle. The two dispersion jets hit each other exactly, and the Particles grind themselves. In another embodiment the predispersion is also put under high pressure, however the collision of the particles takes place against armored wall areas. The operation can be repeated as often as desired to smaller particle sizes to obtain.
Die Dispergier- und Mahlvorrichtungen können auch in Kombination verwendet werden. Oxidationsmittel und Additive können während des Dispergierens zu verschiedenen Zeitpunkten zugegeben werden. Es kann auch vorteilhaft sein, beispielsweise die Oxidationsmittel und Oxidationsaktivatoren nicht vor dem Ende des Dispergierens einzutragen, gegebenenfalls mit geringem Energieeintrag.The Dispersing and grinding devices may also be used in combination be used. Oxidizing agents and additives can during dispersing at different times be added. It may also be advantageous, for example the oxidizing and oxidizing activators do not stop before the end of Dispergieren enter, optionally with low energy input.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren von leitfähigen Metallfilmen. Dabei kann es sich um Filme aus Kupfer, Aluminium, Wolfram, Titan, Molybdän, Niob und Tantal handeln.object The present invention also provides the use of the invention Dispersion for chemical mechanical polishing of conductive Metal films. These can be films made of copper, aluminum, Tungsten, titanium, molybdenum, niobium and tantalum act.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren von auf eine isolierende Barrierieschicht aufgebrachten leitfähigen Metallfilmen. Die Metallfilme enthalten die Metalle Kupfer, Aluminium, Wolfram, Titan, Molybdän, Niob und Tantal. Die Barriereschichten können beispielsweise aus Siliciumdioxid oder Tantalnitrid bestehen.object The present invention also provides the use of the invention Dispersion for chemical-mechanical polishing of an insulating Barrier layer applied conductive metal films. The metal films contain the metals copper, aluminum, tungsten, Titanium, molybdenum, niobium and tantalum. The barrier stories For example, silica or tantalum nitride consist.
Beispiele:Examples:
Pyrogen hergestellte Aluminiumoxidpulver:Pyrogenic alumina powder:
P-1:P-1:
Spezifische
Oberfläche (BET): 100 m2/g
Stampfdichte
gemäß DIN EN ISO 787/11, Aug. 1983: 50 g/l
Feuchtigkeit
(2 Stunden bei 105°C): < 5,0
Gew.-%
Glühverlust (82 Stunden bei 1000°C),
bezogen auf die 2 Stunden bei 105°C getrocknete Substanz: < 3,0 Gew.-%
pH-Wert
(4%ige Dispersion in Wasser): 4,5–5,5
Al2O3-Gehalt, bezogen auf geglühte Substanz: > 99,6 Gew.-%
Siebrückstand
(nach Mocker, 45 μm) gemäß DIN EN ISO
787/18, Apr. 1984: < 0,050
Gew.-%Specific surface area (BET): 100 m 2 / g
Tamping density according to DIN EN ISO 787/11, Aug. 1983: 50 g / l
Moisture (2 hours at 105 ° C): <5.0% by weight
Ignition loss (82 hours at 1000 ° C), based on the 2 hours at 105 ° C dried substance: <3.0 wt .-%
pH (4% dispersion in water): 4.5-5.5
Al 2 O 3 content, based on the calcined substance:> 99.6% by weight
Siebrückstand (after mocker, 45 microns) according to DIN EN ISO 787/18, Apr. 1984: <0.050 wt .-%
P-2:P-2:
Das pyrogen hergestellte Aluminiumoxid P-2 wurde folgendermaßen hergestellt: 4,5 kg/h AlCl3 werden verdampft. Die Dämpfe werden mittels Inertgas in eine Mischkammer überführt. Getrennt hiervon werden 2,6 Nm3/h Wasserstoff und 5,25 Nm3/h Primärluft in die Mischkammer eingebracht. Die Reaktionsmischung wird in einem Zentralrohr einem Brenner zugeführt und gezündet. Die Austrittsgeschwindigkeit der Reaktionsmischung aus dem Brenner beträgt 34,7 m/s. Dabei brennt die Flamme in eine wassergekühlte Reaktionskammer. Zusätzlich werden 16 Nm3/h Sekundärluft in die Reaktionskammer eingebracht. Das gebildete Pulver wird in einem nachgeschalteten Filter abgeschieden und dann bei ungefähr 700°C im Gegenstrom mit Luft und Wasserdampf behandelt.The pyrogenically produced aluminum oxide P-2 was prepared as follows: 4.5 kg / h AlCl 3 are evaporated. The vapors are transferred by means of inert gas into a mixing chamber. Separately, 2.6 Nm 3 / h of hydrogen and 5.25 Nm 3 / h of primary air are introduced into the mixing chamber. The reaction mixture is fed to a burner in a central tube and ignited. The exit velocity of the reaction mixture from the burner is 34.7 m / s. The flame burns into a water-cooled reaction chamber. In addition, 16 Nm 3 / h of secondary air are introduced into the reaction chamber. The formed powder is deposited in a downstream filter and then countercurrently treated with air and steam at about 700 ° C.
Das
pyrogen hergestellte Aluminiumoxid P-2 weist die folgenden physikalisch-chemischen
Daten auf:
Spezifische Oberfläche (BET): 54 m2/g
delta-Al2O3 85%, theta-Al2O3: 5%, gamma-Al2O3 10%
Stampfdichte gemäß DIN
EN ISO 787/11, Aug. 1983: 54 g/l Feuchtigkeit (2 Stunden bei 105°C): < 5,0 Gew.-%
Glühverlust
(82 Stunden bei 1000°C), bezogen auf die 2 Stunden bei
105°C getrocknete Substanz: < 3,0 Gew.-%
pH-Wert (4%ige Dispersion
in Wasser): 6,07
Al2O3-Gehalt,
bezogen auf geglühte Substanz: > 99,60 Gew.-%
Siebrückstand
(nach Mocker, 45 μm) gemäß DIN EN ISO
787/18, Apr. 1984: < 0,050
Gew.-%The pyrogenically produced aluminum oxide P-2 has the following physico-chemical data:
Specific surface area (BET): 54 m 2 / g
delta-Al 2 O 3 85%, theta-Al 2 O 3 : 5%, gamma-Al 2 O 3 10%
Tamped density according to DIN EN ISO 787/11, Aug. 1983: 54 g / l of moisture (2 hours at 105 ° C.): <5.0% by weight
Ignition loss (82 hours at 1000 ° C), based on the 2 hours at 105 ° C dried substance: <3.0 wt .-%
pH (4% dispersion in water): 6.07
Al 2 O 3 content, based on the calcined substance:> 99.60% by weight
Siebrückstand (after mocker, 45 microns) according to DIN EN ISO 787/18, Apr. 1984: <0.050 wt .-%
P-3:P-3:
In einem Brenner bekannter Konstruktion werden 320 kg/h vorher verdampftes Aluminiumtrichlorid zusammen mit 100 Nm3/h Wasserstoff und 450 Nm3/h Luft verbrannt. Nach der Flammenreaktion wird das feinteilige Aluminiumoxid mit großer Oberfläche in einem Filter oder Zyklon von den ebenfalls gebildeten HCl-Gasen getrennt, wonach jegliche noch anhaftende HCl-Spuren durch Behandlung mit angefeuchteter Luft bei erhöhter Temperatur entfernt werden.In a burner of known construction, 320 kg / h of previously evaporated aluminum trichloride are burned together with 100 Nm 3 / h of hydrogen and 450 Nm 3 / h of air. After the flame reaction, the finely divided high surface area alumina in a filter or cyclone is separated from the HCl gases also formed, after which any adhering HCl traces are removed by treatment with humidified air at elevated temperature.
Das
pyrogen hergestellte Aluminiumoxid P-3 weist die folgenden physikalisch-chemischen
Daten auf:
Spezifische Oberfläche (BET): 121 m2/g
Sears-Zahl: 9,38 ml/2 g (pH 4 bis
9)
pH-Wert (4%ige Dispersion in Wasser): 4,93
Trocknungsverlust:
3,3 Gew.-%
Schüttdichte: 55 g/l
Stampfdichte:
63 g/l
Dibutylphthalatabsorption (DBP-Absorption): nicht meßbarThe pyrogenically produced aluminum oxide P-3 has the following physico-chemical data:
Specific surface area (BET): 121 m 2 / g
Sears number: 9.38 ml / 2 g (pH 4 to 9)
pH (4% dispersion in water): 4.93
Drying loss: 3.3% by weight
Bulk density: 55 g / l
Tamped density: 63 g / l
Dibutyl phthalate absorption (DBP absorption): not measurable
Die
Bestimmung der Sears-Zahl wird in der
Dispersionendispersions
Die Dispersionen D-1a, D-2a und D-3a mit einem Feststoffgehalt von jeweils 5 Gew.-% pyrogen hergestelltem Aluminiumoxid P-1, P-2 bzw. P-3 in Wasser (Tabelle 1) wurden mit Hilfe eines Ultraturrax von IKA hergestellt.The Dispersions D-1a, D-2a and D-3a each having a solids content 5 wt .-% pyrogenically produced aluminum oxide P-1, P-2 and P-3 in Water (Table 1) was prepared using an Ultraturrax from IKA.
Die Dispersionen D-1b, D-2b und D-3b werden durch Zusatz von 1,3 Gew.-% Glycin, bezogen auf die Dispersion, zu den Dispersionen D-1a, D-2a und D-3a hergestellt.The Dispersions D-1b, D-2b and D-3b are prepared by addition of 1.3% by weight. Glycine, based on the dispersion, to the dispersions D-1a, D-2a and D-3a.
Die Dispersionen D-1c, D-2c und D-3c werden durch Zusatz von 1,3 Gew.-% Glycin und 7,5 Gew.-% Wasserstoffperoxid, jeweils bezogen auf die Dispersion, zu den Dispersionen D-1a, D-2a und D-3a hergestellt.The Dispersions D-1c, D-2c and D-3c are replaced by addition of 1.3% by weight. Glycine and 7.5 wt .-% hydrogen peroxide, each based on the Dispersion, to the dispersions D-1a, D-2a and D-3a.
Die Dispersionen D-1d, D-2d und D-3d werden durch Einstellung des pH-Werts der Dispersionen D-1a, D-2a und D-3a auf pH = 6 hergestellt.The Dispersions D-1d, D-2d and D-3d are prepared by adjusting the pH the dispersions D-1a, D-2a and D-3a to pH = 6.
Die Dispersionen D-1e, D-2e und D-3e werden durch Einstellung des pH-Werts der Dispersionen D-1c, D-2c und D-3c auf pH = 6 hergestellt.The Dispersions D-1e, D-2e and D-3e are prepared by adjusting the pH the dispersions D-1c, D-2c and D-3c to pH = 6.
Tabelle 1 zeigt die Komponenten der Dispersionen, ihren pH-Wert und ihre Stabilität. Die Stabilität bezieht sich auf die Abwesenheit von Sedimentation, Aggregation und Zersetzung von Bestandteilen der Dispersion.table Figure 1 shows the components of the dispersions, their pH and theirs Stability. The stability refers to the Absence of sedimentation, aggregation and decomposition of constituents the dispersion.
Die Dispersionen D-1a,b,c, D-2a,b,c und D-3a,b,c zeigen alle eine hervorragende Stabilität nach 24 Stunden und selbst nach 1 Monat. Dies wurde auch für Dispersionen mit 10 Gew.-% Aluminiumoxid und 5 Gew.-% Glycin bestätigt. Dies wurde auch für Dispersionen mit 20 Gew.-% Aluminiumoxid und 5 Gew.-% Glycin bestätigt. Dies wurde auch für Dispersionen mit 10 Gew.-% Aluminiumoxid, 2,6 Gew.-% Glycin und 7,5 Gew.-% H2O2 bestätigt.The dispersions D-1a, b, c, D-2a, b, c and D-3a, b, c all show excellent stability after 24 hours and even after 1 month. This was also confirmed for dispersions containing 10% by weight of alumina and 5% by weight of glycine. This was also confirmed for dispersions containing 20% by weight of alumina and 5% by weight of glycine. This was also confirmed for dispersions containing 10% by weight of alumina, 2.6% by weight of glycine and 7.5% by weight of H 2 O 2 .
Poliertestspolishing tests
Verwendete Dispersionen: D-1c, D-2c, D-3c, D-1e, D-2e und D-3eDispersions used: D-1c, D-2c, D-3c, D-1e, D-2e and D-3e
Polierwerkzeuge und Polierparameter Polishing tools and polishing parameters
- Poliermaschine: MECAPOL E460 (STEAG) mit 46-cm-Platen und 6-Zoll-WafercarrierPolishing machine: MECAPOL E460 (STEAG) with 46 cm platen and 6-inch wafer carrier
- Polierpad: IC1400 (RODEL Corp.); Padkonditionierung mit Diamantsegment nach jedem polierten WaferPolishing pad: IC1400 (RODEL Corp.); Pad conditioning with diamond segment after every polished wafer
- Slurry-Rate: 120 ml/minSlurry rate: 120 ml / min
- Polierparameter: Arbeitsdruck: 10 bis 125 kPa (1,45–18,13 psi); Standard: 45 und 60 kPa; Rückseitendruck 10 kPa; ωp = ωc = 40 UpM; Sweep = 4 cmPolishing parameters: working pressure: 10 to 125 kPa (1.45-18.13 psi); Standard: 45 and 60 kPa; Back pressure 10 kPa; ω p = ω c = 40 rpm; Sweep = 4 cm
- Polierzeit: 2 minPolishing time: 2 min
- Nachreinigung: Nach der Politur wurde das Substrat 30 s mit VE-Wasser gespült und dann in einer Bürstenreinigungsanlage mit Sprühstrahl und Megaschall-Unterstützung beidseitig gereinigt und dann trockengeschleudert.Post-cleaning: After polishing, the substrate was 30 s with Rinsed demineralised water and then in a brush cleaning system with spray jet and megasonic support on both sides cleaned and then thrown dry.
Verwendete WaferUsed wafers
- Kupfer: 6-Zoll-Wafer mit ganzflächig 140 nm Oxid, 50 nm TaN und ca. 500 oder 1000 nm PVD-Cu.Copper: 6-inch wafer with full-area 140 nm oxide, 50 nm TaN and about 500 or 1000 nm PVD-Cu.
- Tantalnitrid: 6-Zoll-Wafer mit ganzflächig 140 nm Oxid und ca. 100 nm PVD-Tantalnitrid.Tantalum Nitride: 6-inch wafer with full-area 140 nm oxide and about 100 nm PVD tantalum nitride.
Auswertungevaluation
Die Polierrate wird anhand der Schichtdickendifferenz ermittelt. Die Schichtdicke von Cu und TaN wird durch Messung des elektrischen Widerstands der Schicht (Waferprober AVT 110) bestimmt.The Polishing rate is determined based on the layer thickness difference. The Layer thickness of Cu and TaN is determined by measuring the electrical Resistance of the layer (Waferprober AVT 110) determined.
Die Polierergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt. Alle verwendeten Dispersionen wiesen erhöhte Abtragsraten und gute bis mäßige Cu:TaN-Selektivität im Verein mit guter Stabilität auf. Alle Dispersionen wiesen die erwartete Erhöhung der Abtragsrate bei Erhöhung des Arbeitsdrucks auf. Die Abtragsrate kann mit Hilfe von maßgeschneidertem pyrogen hergestelltem Aluminiumoxid fein eingestellt werden, wie für die Dispersionen D-1c, D-2c und D-3c ersichtlich ist.The Polishing results are listed in Table 2. All used Dispersions showed increased removal rates and good to moderate Cu: TaN selectivity combined with good stability on. All dispersions showed the expected increase in Removal rate when increasing the working pressure on. The removal rate Can be made with the help of tailor made pyrogen Alumina can be finely adjusted, as for the dispersions D-1c, D-2c and D-3c.
Bei
Verwendung von Dispersionen mit einem pH-Wert von ungefähr
6 war die Cu:TaN-Selektivität weniger zufriedenstellend.
Diese Dispersionen könnten in einem Vorpolierschritt oder
zum Polieren von TaN alleine verwendet werden. Tabelle 1: Bestandteile der Dispersionen
- 1) nach dem Mischen; 2) nach 24 h
- a) Cu vor dem Polieren: 10,8; b) UE = (ARmax – ARmin)/2ARmitt × 100%
- 1) after mixing; 2) after 24 h
- a) Cu before polishing: 10.8; b) UE = (AR max - AR min ) / 2AR mitt × 100%
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - US 6585786 [0006, 0006] US 6585786 [0006, 0006]
- - US 6471884 [0007, 0007] US 6471884 [0007, 0007]
- - US 6593239 [0008, 0008] - US 6593239 [0008, 0008]
- - EP 717008 A [0046] - EP 717008 A [0046]
Claims (29)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007005291A DE102007005291A1 (en) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | Aqueous dispersion useful for chemical-mechanical polishing of conductive metal films contains an abrasive in the form of fumed alumina |
CNA2007101065446A CN101235254A (en) | 2007-02-02 | 2007-06-01 | Dispersion for chemical machinery mechanical polishing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007005291A DE102007005291A1 (en) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | Aqueous dispersion useful for chemical-mechanical polishing of conductive metal films contains an abrasive in the form of fumed alumina |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007005291A1 true DE102007005291A1 (en) | 2008-08-07 |
Family
ID=39587226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007005291A Withdrawn DE102007005291A1 (en) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | Aqueous dispersion useful for chemical-mechanical polishing of conductive metal films contains an abrasive in the form of fumed alumina |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101235254A (en) |
DE (1) | DE102007005291A1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102650059B (en) * | 2009-06-26 | 2015-04-15 | 中国石油化工股份有限公司 | Composite corrosion inhibitor for butyl rubber chloromethane glycol dehydration and regeneration system |
CN102953063B (en) * | 2012-11-20 | 2015-08-19 | 江苏高博智融科技有限公司 | Metal-polishing liquid |
CN106661382B (en) * | 2014-07-15 | 2020-03-24 | 巴斯夫欧洲公司 | Chemical Mechanical Polishing (CMP) composition |
JP7057662B2 (en) * | 2017-12-26 | 2022-04-20 | ニッタ・デュポン株式会社 | Polishing composition and method for adjusting polishing speed |
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- 2007-02-02 DE DE102007005291A patent/DE102007005291A1/en not_active Withdrawn
- 2007-06-01 CN CNA2007101065446A patent/CN101235254A/en active Pending
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---|---|
CN101235254A (en) | 2008-08-06 |
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