DE102006046210A1 - Organic photo-detector i.e. organic photodiode, has bulk-heterojunction-blend, whose components concentrations are changed, such that high concentrations of hole and electrodes transporting components exists close to anode and cathode - Google Patents
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische Photodiode nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zu deren Herstellung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 4.The The present invention relates to an organic photodiode after The preamble of claim 1 and a method for their preparation according to the preamble of claim 4.
Photodioden
auf der Basis von organischen Halbleitermaterialien bieten die Möglichkeit,
pixelierte Flachdetektoren mit hohen Quanteneffizienzen (50 bis
85%) im sichtbaren Bereich des Spektrums herzustellen. Die hierbei
eingesetzten dünnen
organischen Schichtsysteme können
mit bekannten Herstellungsverfahren wie Spin-Coating, Rakeln oder Druckverfahren
kostengünstig
hergestellt werden und ermöglichen
so einen Preisvorteil, vor allem für größerflächige Devices. Vielversprechende
Anwendungen solcher organischer Detektorarrays finden sich z.B.
in der medizinischen Bilderkennung als Röntgen-Flachdetektoren, da hier
das Licht einer Szintillatorschicht typischerweise auf relativ großen Flächen von
mindestens einigen Zentimetern detektiert wird. Dies ist beispielsweise
beschrieben in
Die organischen Photodioden bestehen z.B. aus einem vertikalen Schichtsystem: Au-Elektrode/P3HT-PCBMBlend/Ca-Ag-Elektrode. Der Blend aus den beiden Komponenten P3HT (Absorber- und Lochtransportkomponente) und PCBM (Elektronenakzeptor und -transportkomponente) wirkt hierbei als so genannte „Bulk Heterojunction", d.h. die Trennung der Ladungsträger erfolgt an den Grenzflächen der beiden Materialien, die sich innerhalb des gesamten Schichtvolumens ausbilden.The organic photodiodes consist e.g. from a vertical layer system: Au electrode / P3HT PCBMBlend / Ca-Ag electrode. The blend of the two Components P3HT (absorber and hole transport component) and PCBM (Electron acceptor and transport component) acts as such called "bulk Heterojunction " i.e. the separation of the charge carriers takes place at the interfaces of the two materials, which are within the total layer volume form.
Ein Nachteil solcher Detektor-Arrays mit großflächigen, unstrukturierten organischen Halbleiterschichten besteht darin, dass der Dunkelstrom vor allem bei Verwendung polymerer Materialen (wie z.B. P3HT-PCBM-Blend) deutlich höher ist als z.B. bei anorganischen Flachdetektoren. Typische Dun kelströme der organischen Photodioden bei einer Biasspannung von –5 V liegen im Bereich von 10–2 bis 10–3 mA/cm2, typische Ströme für Detektoren auf Basis von amorphem Silizium liegen dagegen unterhalb von 10–5 mA/cm2.A disadvantage of such detector arrays with large, unstructured organic semiconductor layers is that the dark current, especially when using polymeric materials (such as P3HT PCBM blend) is significantly higher than, for example, in inorganic flat detectors. Typical dark currents of the organic photodiodes at a bias voltage of -5 V are in the range of 10 -2 to 10 -3 mA / cm 2 , typical currents for detectors based on amorphous silicon, however, are below 10 -5 mA / cm 2 .
Ein niedriger Dunkelstrom ist insbesondere dann wichtig, wenn wie z.B. bei Röntgendetektoren ein hoher Dynamikbereich abgedeckt werden muss, d.h. wenn auch sehr geringe Lichtintensitäten über dem Rauschlevel detektiert werden müssen. Ein Dunkelstrombeitrag kann zwar grundsätzlich vom Signal subtrahiert werden, führt aber immer zu einem Rauschbeitrag, der bei Messungen mit niedrigen Röntgendosen den Dynamikbereich limitiert.One low dark current is particularly important when such as e.g. in X-ray detectors high dynamic range must be covered, i. though very much low light levels above the Noise level must be detected. A dark current contribution can indeed be subtracted from the signal be leads but always to a noise contribution, which in measurements with low x-ray doses limited the dynamic range.
Bisher werden daher kommerziell anorganische Röntgen-Flachdetektoren auf der Basis von amorphem Silizium eingesetzt, die einen sehr geringen Dunkelstrom von weniger als 10–6 mA/cm2 aufweisen.So far, therefore, commercial inorganic X-ray flat detectors based on amorphous silicon are used, which have a very low dark current of less than 10 -6 mA / cm 2 .
Stand der Technik für effiziente organische Photodioden sind entweder Einschichtsysteme mit einem Bulk Heterojunction Elend zwischen einer Anode (ITO, Gold, Palladium, Platin, etc.) und einer Kathode (z.B. Ca, Ba, Mg, LIF, etc. mit anschließender Deckschicht aus Ag oder Al) oder Zweischichtsysteme, bei denen zwischen dem Elend und der Anode noch eine zusätzliche Lochtransporterschicht (typischerweise Pedot:PSS oder Pani:PSS) oder Elektronenblockerschicht aufgebracht ist. Die organischen Materialien werden üblicherweise mittels Spin Coating oder Rakeln aufgebracht. Bei diesen Verfahren besteht bei der Herstellung von Mehrschichtsystemen die Problematik, dass beim Aufbringen einer organischen Schicht auf eine bereits vorhandene organische Schicht, das Lösungsmittel des aufzubringenden Materials die vorhandene Schicht an- oder auflöst mit der Folge einer Durchmischung der Materialien. Bisher sind in der Literatur keine polymerbasierten Photodetektor-Systeme mit ausreichend niedrigen Dunkelstrom-Niveaus bekannt.was standing the technology for efficient organic photodiodes are either single-layer systems with a bulk heterojunction misery between an anode (ITO, gold, Palladium, platinum, etc.) and a cathode (e.g., Ca, Ba, Mg, LIF, etc. with subsequent cover layer made of Ag or Al) or two - layer systems, where between Misery and the anode still an additional hole transporter layer (typically Pedot: PSS or Pani: PSS) or electron blocker layer is applied. The organic materials usually become applied by spin coating or doctoring. In these procedures exists in the production of multi-layer systems the problem that when applying an organic layer to an existing one organic layer, the solvent the applied material, the existing layer on or dissolves with the Result of a mixing of the materials. So far, in the literature no polymer-based photodetector systems with sufficiently low Dark current levels known.
Der vorliegenden Erfindung liegt das Problem zu Grunde, organische Photodioden hinsichtlich deren Einsatzmöglichkeiten zu verbessern.Of the The present invention is based on the problem of organic photodiodes in terms of their applications to improve.
Diese Aufgabe wird nach der vorliegenden Erfindung gemäß Anspruch 1 gelöst, indem die Konzentrationen der Bestandteile der Bulk-Heterojunction-Blend in Richtung des Abstandes der beiden Elektroden geändert werden derart, dass nahe der Anode eine höhere Konzentration der Lochtransportkomponenten besteht und dass nahe der Kathode eine höhere Konzentration der Elektronentransportkomponente besteht.These The object is achieved according to the present invention according to claim 1, by the concentrations of the components of the bulk heterojunction blend be changed in the direction of the distance of the two electrodes such that near the anode there is a higher concentration of hole transport components and that near the cathode, a higher concentration of the electron transport component consists.
Es hat sich gezeigt, dass mit einem solchen Aufbau die Dunkelströme deutlich reduziert werden können.It has been shown that with such a structure, the dark currents clearly can be reduced.
Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 2 sind die Konzentrationen der Bestandteile derart geändert, dass zwischen Anode und Bulk-Heterojunction-Blend eine Schicht der Lochtransportkomponenten allein angeordnet wird und zwischen Kathode und Bulk-Heterojunction-Blend eine Schicht der Elektronentransportkomponente allein angeordnet wird.at The embodiment according to claim 2 are the concentrations of the components changed so that between anode and bulk heterojunction blend one layer of the Hole transport components is placed alone and between the cathode and bulk heterojunction blend a layer of the electron transport component is arranged alone.
Die vorliegende Erfindung löst das Problem der hohen Dunkelströme durch Einfügen einer oder zweier zusätzlicher Schichten zwischen den beiden Elektroden und der Bulk-Heterojunction-Blend (wie z.B. P3HT-PCBM-Blend), die den durch Injektion verursachten Dunkelstrom effizient reduzieren. Zwischen Anode und Elend wird eine dünne Schicht der Lochtransportkomponente allein (P3HT) eingefügt, zwischen Kathode und Elend eine dünne Schicht der Elektronentransportkomponente allein (PCBM). Es wird also kein zusätzliches Material eingefügt, sondern die Konzentration der beiden Komponenten in vertikaler Richtung variiert.The present invention solves the problem of high dark currents by inserting one or two additional layers between the two electrodes and the bulk heterojunction blend (such as P3HT-PCBM blend) which efficiently reduces the dark current caused by injection. Between anode and misery, a thin layer of the hole transport component alone (P3HT) is inserted, between cathode and misery a thin layer of the electron transport component alone (PCBM). So no additional material is inserted, but the concentration of the two components varies in the vertical direction.
Es hat sich gezeigt, dass durch diesen Schichtaufbau die Dunkelströme besonders stark reduziert werden können.It It has been shown that the dark currents are particularly due to this layer structure can be greatly reduced.
Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 3 ist unmittelbar auf der Anode eine zusätzliche Elektronenblockierschicht aufgebracht.at The embodiment according to claim 3 is directly on the anode an additional Electron blocking layer applied.
Dadurch werden die Dunkelströme nochmals reduziert.Thereby become the dark currents again reduced.
Anspruch 4 betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors nach der vorliegenden Erfindung, wobei die organischen Schichten mittels eines Sprühverfahrens aufgetragen werden.claim FIG. 4 relates to a method for producing a photodetector according to FIG the present invention, wherein the organic layers by means of a spraying process be applied.
Bei dem Sprühverfahren erweist es sich als vorteilhaft, dass der Trocknungsprozess bei dieser Art der Aufbringung wesentlich schneller vonstatten geht. Insbesondere wird damit der Effekt des An- bzw. Auflösens anderer Schichten beim Auftragen minimiert, so dass die definierte Trennung der Schichten verbessert wird.at the spray process it proves to be advantageous that the drying process at this type of application is much faster. In particular, thus the effect of the arrival or dissolution of others Layers minimized during application, leaving the defined separation the layers is improved.
Gemäß Anspruch 5 hat es sich hinsichtlich der Aufbringung und der Trocknung als vorteilhaft erwiesen, wenn die Tröpfchengröße beim Auftragen etwa 10 μm beträgt.According to claim 5 it has regard to the application and drying as proven advantageous when the droplet size when applied is about 10 microns.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt dabei im Einzelnen:One embodiment the invention is shown in the drawing. It shows in the Specifically:
Die Injektion von Elektronen durch die Anode und die Injektion von Löchern durch die Kathode wird in diesem Aufbau reduziert, weil unmittelbar an den jeweiligen Elektroden Transportmaterialien der anderen Ladungsträgersorte angrenzen.The Injection of electrons through the anode and the injection of holes through the cathode is reduced in this construction, because immediately on the respective electrodes transport materials of the other charge carrier type adjoin.
Die Injektion von Elektronen an der Anode wird reduziert durch die höhere Energiebarriere zwischen Anode und LUMO der Lochleiterkomponente gegenüber der zwischen Anode und LUMO der Elektronenleiterkomponente (z.B. 2 eV für Au/P3HT statt 1.4 eV für Au/PCBM).The Injection of electrons at the anode is reduced by the higher energy barrier between anode and LUMO of the hole conductor component with respect to between anode and LUMO of the electron conductor component (e.g., 2 eV for Au / P3HT instead of 1.4 eV for Au / PCBM).
Ebenso wird die Injektion von Löchern an der Kathode reduziert durch die höhere Energiebarriere zwischen Kathode und HOMO der Elektronenleiterkomponente gegenüber der zwischen Kathode und HOMO der Löcherleitkomponente (z.B. 3.2 eV für Ca/PCBM statt 2.9 eV für Ca/P3HT).As well will be the injection of holes at the cathode reduced by the higher energy barrier between Cathode and HOMO of the electron conductor component opposite to the between the cathode and HOMO of the hole-guiding component (e.g., 3.2 eV for Ca / PCBM instead of 2.9 eV for Ca / P3HT).
In
Für die Realisierung
des in
Mit
einer 100 nm P3HT-Zwischenschicht und einer 100 nm PCBM-Zwischenschicht konnten
die Dunkelströme
von organischen Photodetektorpixeln von 1.8 × 10–3 mA/cm2 auf 4 × 10–4 mA/cm2 reduziert werden (jeweils bei –5 V Biasspannung).
Die Dicke der P3HT-PCBM-Blend-Schicht betrug 300 nm. der Bei diesen
Devices wurde zusätzlich
zu den in
Das
Aufbringen von organischen Schichten mittels Sprühen wurde bereits in der Publikation
von T. Ishikawa und Mitarbeitern demonstriert (
Der Vorteil des erfindungsgemäß mit Sprüh-Technik aufgebrachten organischen Halbleiter-Schichtensystems und den damit hergestellten organischen Photodioden liegt in dem reduzierten Dunkelstrom, der eine deutlich höhere Empfindlichkeit für niedrige Intensitäten und damit einen höheren Dynamikbereich zur Folge hat. Diese Verbesserung könnte die kommerzielle Verwendung von organischen Photodioden in Röntgen-Flachdetektoren ermöglichen.Of the Advantage of the invention with spray technology applied organic semiconductor layer system and the so produced organic photodiodes lies in the reduced dark current, the one much higher Sensitivity for low intensities and thus a higher dynamic range entails. This improvement could be commercial use of organic photodiodes in X-ray flat detectors.
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