DE102006041996A1 - Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung mit einem optischen Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62), durch den Licht hindurchtritt, wird bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bilden von mehreren Siliziumoxidelementen (14), die auf einem Siliziumsubstrat (1) angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente (14) mit einem vorbestimmten Freiraum (11) zwischen benachbarten zwei von ihnen parallel zueinander angeordnet sind, und Füllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum (11), so dass der Freiraum (11) mit einem Produkt gefüllt ist, das aus einer vorbestimmten Verbindung (15) zur Bildung des optischen Blocks (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung in dem superkritischen Fluid gelöst ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung.
  • Der Anmelder der vorliegenden Erfindung hat ein Herstellungsverfahren eines optischen Elements wie etwa einer Mikrolinse in einer früheren Anmeldung (JP-A-2004-271756, korrespondierend zur US 2004-0173862-A1) vorgeschlagen. In diesem Herstellungsverfahren werden zahlreiche Gräben parallel in ein Siliziumsubstrat geätzt. In jedem Graben wird ein Siliziumoxid durch thermische Oxidation vergraben. Die in dem Siliziumsubstrat integrierte Mikrolinse wird dadurch erzeugt, dass eine Siliziumschicht zwischen den jeweiligen Gräben durch das Siliziumoxid ersetzt wird.
  • Die folgenden Inhalte wurden durch anschließende Überlegungen gewonnen. Jeder Graben wird durch Verwenden einer Ätzmaske, die auf der Grundlage einer Foto- bzw. Abdecklackmaske mit einem Muster versehen (gemustert) wird, und Verarbeiten des Siliziumsubstrats durch D-RIE (Deep Reactive Ion Etching) gebildet. Die Breite des Grabens streut aufgrund von Schwankungen bei der Herstellung der Lackmaske, der Herstellung der Ätzmaske und schließlich der Ausbildung der Gräben verursacht wird. Daher besteht die Gefahr, dass das Innere eines Grabens nicht lückenlos mittels thermischer Oxidation durch das Siliziumoxid vergraben bzw. ausgefüllt werden kann.
  • Zum Beispiel ergibt sich, wenn eine Lackmaske durch Halbleiter-Fotolithografie erzeugt wird, eine Streuung von ungefähr 0,2 μm bei einer Furchenbreite von 2 μm. Ferner ergeben sich, wenn die Ätzmaske hergestellt wird, die Breite der Furche, die dem Graben entspricht, Streuungen von zum Beispiel 0,1 μm bis 0,2 μm. Ferner streut, wenn der Graben durch die Verwendung der Ätzmaske hergestellt wird, die Breite des Grabens um zum Beispiel 0,1 μm bis 0,2 μm.
  • Wenn der Freiraum innerhalb des Grabens aufgrund derartiger Streuungen bei der Herstellung verbleibt, tritt Beugung auf, und das gebeugte Licht pflanzt sich in einer von einer ursprünglichen Konvergenz- und Brechungsrichtung abweichenden Richtung fort. Daher besteht die Gefahr, dass der Wirkungsgrad verschlechtert ist.
  • In einem Verfahren, das eine flüssige Phase verwendet, wie etwa das Sol-Gel-Verfahren; ist es aufgrund der hohen Viskosität der Flüssigkeit schwierig, diese in einen Graben mit einem großen Tiefen-Breiten-Verhältnis einzubringen. Andererseits kann in einem Gasphasen-Verfahren wie etwa dem CVD (Chemical Vapour Deposition) – Verfahren zwar der Graben vergraben bzw. gefüllt werden, doch muss die den Film bildende Geschwindigkeit stark verringert werden. Schließlich wird in einem physikalischen Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht bzw. eines Films wie etwa beim Sputtern und Verdampfen, eine Seitenwand innerhalb des Grabens abgeschattet. Daher ist es schwierig, den Graben vollständig zu vergraben.
  • Insbesondere existiert ein Problem dahingehend, dass sich, wenn jedes der oben genannten Verfahren auf den Graben mit einem Tiefen-Breiten-Verhältnis größer als zehn angewendet wird, ein Öffnungsabschnitt des Grabens (d.h. ein oberes offenes Ende) früh verjüngt und ein Freiraum innerhalb des Grabens übrig bleibt. 27 ist eine schematische Ansicht, die einen Zustand zeigt, indem der Freiraum innerhalb des Grabens übrig bleibt. Ein Siliziumoxidfilm 32 ist an einer inneren Wandoberfläche des Grabens 31 gebildet, der in dem Siliziumsubstrat 30 gebildet ist. Jedoch wird der Öffnungsabschnitt durch den Siliziumoxidfilm 32 geschmälert, und es wird schwierig, das Siliziumoxid in den Graben 31 einzubringen, so dass der Freiraum 33 in dem Graben 31 verbleibt.
  • Wie es oben erwähnt ist, wurde festgestellt, dass die Gefahr besteht, dass der Freiraum in dem Graben übrig bleibt.
  • Angesichts des oben beschriebenen Problems ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung bereitzustellen, die keine Freiräume aufweist.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung mit einem optischen Block, durch welchen Licht gesendet wird, bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bilden von mehreren Siliziumoxidelementen, die auf einem Siliziumsubstrat angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente mit einem vorbestimmten Freiraum jeweils zwei benachbarten von ihnen parallel zueinander angeordnet sind, und Einfüllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum, so dass der Freiraum mit einem Produkt gefüllt ist, das aus einer vorbestimmten Verbindung zur Bildung des optischen Blocks gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung in dem superkritischen Fluid gelöst ist.
  • In dem obigen Fall ist es möglich, einen Block zu bilden, in dem jeder Freiraum durch das oben genannte Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung lükkenlos vergraben ist. Somit ist es möglich, ein optisches Element herzustellen, bei dem keine Gefahr besteht, dass durch den Freiraum Beugung auftritt und der Wirkungsgrad dadurch herabgesetzt wird. Ferner kann jeder Freiraum durch das Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung in einer im Vergleich zu dem Gasphasenverfahren kurzen Zeit vergraben werden. Somit ist die Herstellungszeit verkürzt.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Verbindung mit einem optischen Block, durch den Licht hindurchtritt, bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bilden von mehreren Siliziumoxidelementen, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente mit einem vorbestimmten Freiraum jeweils zwei benachbarten von ihnen parallel zueinander angeordnet sind, Einfüllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum, so dass der Freiraum mit einem Produkt gefüllt ist, das aus einer vorbestimmten Verbindung gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung in dem superkritischen Fluid gelöst ist, und Entfernen eines Umfangsabschnitts des Siliziumsubstrats, der um die Siliziumoxidelemente angeordnet ist, wobei die Verbindung in den Freiraum gefüllt ist, so dass der optische Block gebildet wird.
  • In dem obigen Fall ist es möglich, den Block zu bilden, in dem jeder Freiraum durch das oben genannte Produkt aus der vorbestimmten Verbindung vergraben ist, so dass kein Freiraum mehr verbleibt. Somit ist es möglich, ein optisches Element herzustellen, bei dem nicht die Gefahr besteht, dass durch den Freiraum Beugung auftritt und der Wirkungsgrad herabgesetzt wird. Ferner kann jeder Freiraum durch das Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung in einer im Vergleich zu dem Gasphasenverfahren kurzen Zeit vergraben werden. Somit ist die Herstellungszeit verkürzt.
  • Die obigen und weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung, die unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung gemacht wurde, deutlicher ersichtlich. In den Zeichnungen sind:
  • 1 eine perspektivische Ansicht, die eine optische Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2A eine Draufsicht, die die optische Vorrichtung zeigt, 2B eine Querschnittsansicht, die die Vorrichtung entlang der Linie IIB-IIB in 1 zeigt;
  • 3 eine Draufsicht, die eine Oxidmaske auf einem Siliziumsubstrat zeigt, um ein Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zu erläutern;
  • 4 eine Querschnittsansicht, die die optische Vorrichtung entlang der Linie IV-IV in 3 zeigt;
  • 5 eine Draufsicht, die einen Schritt zur Bildung eines Grabens in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 6 eine Querschnittsansicht, die die optische Vorrichtung entlang der Linie VI-VI in 5 zeigt;
  • 7 eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zur Entfernung der Oxidmaske in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8 eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zur thermischen Oxidation in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 9 eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zur Füllung des Grabens mit einem Siliziumoxid in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 10 eine vertikale Querschnittsansicht, die die optische Vorrichtung zeigt;
  • 11A und 11B vergrößerte Draufsichten, die einen Verbindungsabschnitt zwischen zwei Siliziumschichten zeigen;
  • 12A und 12B Draufsichten, die eine Verformung eines Siliziumoxidschicht, verursacht durch thermische Spannungen, zeigen;
  • 13A und 13B Draufsichten, die durch thermische Spannungen bewirkte Verformungen der Siliziumoxidschichten erläutern;
  • 14A und 14B Querschnittsansichten, die mit den Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung gemäß Modifikationen der ersten Ausführungsform gebildete Gräben zeigen;
  • 15 eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zur Bildung eines Grabens in einem Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 16 eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zur thermischen Oxidation in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt;
  • 17 ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zum Füllen des Grabens mit Siliziumoxid in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt;
  • 18 eine Querschnittsansicht, die einen Schritt zum Entfernen eines Umfangs- bzw. Umgebungsabschnitts in dem Verfahren zur Herstellung der optischen Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt;
  • 19A bis 19C Draufsichten, die optische Vorrichtungen gemäß einer dritten Ausführungsform und Modifikationen der dritten Ausführungsform zeigen;
  • 20A und 20B Draufsichten, die optische Vorrichtungen gemäß Modifikationen der dritten Ausführungsform zeigen;
  • 21A und 21B Draufsichten, die optische Vorrichtungen mit einer Mehrzahl von optischen Elementen gemäß Modifikationen der dritten Ausführungsform zeigen;
  • 22 eine Draufsicht, die eine optische Vorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt;
  • 23 eine Querschnittsansicht, die die Vorrichtung entlang der Linie XXIII-XXIII in 22 zeigt;
  • 24 eine perspektivische Ansicht, die eine optische Vorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt;
  • 25 eine perspektivische Ansicht, die eine optische Vorrichtung gemäß einer Modifikation der vierten Ausführungsform zeigt;
  • 26 eine Draufsicht, die die optische Vorrichtung gemäß der Modifikation der vierten Ausführungsform zeigt; und
  • 27 eine Querschnittsansicht, die einen Graben gemäß dem Stand der Technik zeigt.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Nachfolgend ist ein Herstellungsverfahren eines optischen Elements gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen erläutert. In dieser Ausführungsform umfasst das optische Element eine Mikrolinse. 1 ist eine perspektivische Ansicht des optischen Elements, das mit dem Herstellungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform hergestellt wird. Die 2A und 2B sind erläuternde Ansichten des in 1 gezeigten optischen Elements, wobei 2A eine Draufsicht und 2B eine Querschnittsansicht entlang einer Linie IIB-IIB von 1 zeigt.
  • [Hauptstruktur des optischen Elements]
  • Das optische Element 20 dieser Ausführungsform umfasst eine Mikrolinse 3, die auf einer inneren Bodenoberfläche eines konkaven Abschnitts 2, der in einem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet ist, angeordnet ist. Wie es in den 2A und 2B gezeigt ist, ist in dieser Ausführungsform die Mikrolinse 3 eine plankonvexe Zylinderlinse mit einer ebenen Eintrittsfläche 3a und einer Austrittsfläche 3b, die aus einer konvexen Oberfläche gebildet ist: Eine Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 ist eine (110)-Oberfläche.
  • Eine Mehrzahl von dünnen, säulenartigen Strukturkörpern 4 mit dünnplattiger Form, die aus Siliziumoxid (d.h. SiO2) gebildet sind, ragen nebeneinander angeordnet von der inneren Bodenoberfläche des konkaven Abschnitts 2 des Siliziumsubstrats 1 nach oben. Eine Vergrabungsschicht 15, die aus einem Siliziumoxid gebildet ist, ist zwischen jeweils zwei der säulenartigen Strukturkörper 4 ohne Freiraum vergraben, wie es in 2B gezeigt ist. Die säulenartigen Strukturkörper 4 und die Vergrabungsschicht 15 sind einstückig mit dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Und zwar ist die Mikrolinse 3 aus einem Siliziumoxidblock gebildet, der seinerseits aus der Mehrzahl von säulenartigen Strukturkörpern 4 und der Mehrzahl von Vergrabungsschichten 15 gebildet ist.
  • Wie es in den 2A und 2B gezeigt ist, ist eine untere Oberfläche jedes säulenartigen Strukturkörpers 4 und der Vergrabungsschicht 15 bogenförmig nach unten gewölbt. Der Siliziumoxidblock (die Mikrolinse 3) ist an einer Grenzfläche, die mikroskopische Unregelmäßigkeiten aufweist, mit dem Siliziumsubstrat 1 verbunden, und zwar ohne Zwischenfügung eines Klebemittels. Und zwar ist der Siliziumoxidblock (die Mikrolinse 3) so angeordnet, dass sich die untere Oberfläche, die die Grenzfläche zu dem Siliziumsubstrat 1 bildet und eine unregelmäßige Form ausweist, in horizontaler Richtung auf der inneren Bodenoberfläche des konkaven Abschnitts 2 des Siliziumsubstrats 1 erstreckt. Das Licht tritt durch die Struktur des Siliziumoxidblocks (der Mikrolinse 3) hindurch, der einteilig mit dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet ist.
  • Ferner, wie es in den 2A und 2B gezeigt ist, erstrecken sich die säulenartigen Strukturkörper 4, die aus dem Siliziumoxid gebildet sind, parallel zu einer optischen Achse auf der inneren Bodenoberfläche des konka ven Abschnitts 2 des Siliziumsubstrats 1. Somit ist die Erstreckungsrichtung der säulenartigen Strukturkörper 4 parallel zur optischen Achse, und ein zwischen dieser Erstreckungsrichtung und der Austrittsrichtung des Lichts gebildeter Winkel kann auf einen Winkel eingestellt werden, der kleiner gleich dem Totalreflexionswinkel zwischen dem Siliziumoxid und einer Luftschicht ist. Somit ist es möglich, die Transmissionsverluste durch Streuung des Lichts zu begrenzen. Die als Siliziumoxidblock ausgebildete Mikrolinse 3 und das Siliziumsubstrat 1 sind an einem Verbindungsabschnitt (Sockelabschnitt) 5 miteinander verbunden, wobei der zur Mikrolinse 3 gehörende Teil und der zum Siliziumsubstrat 1 gehörende Teil komplementär ausgebildet sind. Ferner ist die Mikrolinse 3 (der Siliziumoxidblock), die innerhalb des konkaven Abschnitts 2 angeordnet und einteilig mit dem Siliziumsubstrat 1 gebildet ist, von einem Luftspalt 6 umgeben. Somit kann der Siliziumoxidblock und das Siliziumsubstrat außerhalb des Siliziumoxidblocks perfekt getrennt sein, und ein Verkrümmen bei der Herstellung (die nachstehend ausführlich beschrieben ist) kann vermieden werden. In dieser Ausführungsform hat die Mikrolinse 3 (der Siliziumoxidblock) eine Dicke in der vertikalen Richtung (Höhe H) von 10 μm oder mehr, zum Beispiel 100 μm, wie es in den 2A und 2B gezeigt ist. Ferner beträgt die Breite W in der horizontalen Richtung der Mikrolinse 3 etwa 500 μm.
  • Diese Mikrolinse 3 hat dadurch, dass ihre Struktur ohne eine zwischen ihr und dem Siliziumsubstrat 1 angeordnete Klebeschicht mit diesem verbunden ist, ausgezeichnete Strahlungseigenschaften. Zum Beispiel ist die Mikrolinse 3 klein, wenn sie zur Kollimation eines Hochleistungslasers 7 verwendet wird. Daher ist, wie es in 10 als einem Längsschnitt des optischen Elements 20 gezeigt ist, wenn ein Aufweitungswinkel des Laserstrahls auf 90° eingestellt ist, der Abstand L (siehe die 2A und 2B) zwischen einem Licht aussendenden Ende des Hochleistungslasers 7 und der Linse 3 auf etwa 100 μm eingestellt. Ferner ist die Austrittsfläche 3b der Mikrolinse 3 maximal etwa 100 μm von dem Licht aussendenden Ende des Hochleistungslasers 7 entfernt angeordnet. In diesem Fall besteht die Gefahr, dass die Temperatur der Mikrolinse 3 durch Absorption der Wärme des Laserstrahls ansteigt. Jedoch ist die Mikrolinse 3 mit dem Siliziumsubstrat 1 verbunden, das eine im Vergleich zu Glas sehr hohen Wärmeleitfähigkeit besitzt. Somit steigt vorteilhafterweise die Temperatur der Mikrolinse nicht schnell an, da die Wärme auf der Seite des Siliziumsubstrats 1 abgeführt wird.
  • [Herstellungsverfahren des optischen Elements]
  • Nachstehend ist das Herstellungsverfahren des optischen Elements 20 der obigen Struktur erläutert.
  • 3 ist eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, in dem eine Oxidfilmmaske auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats angeordnet ist. 4 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie IV-IV von 3. 5 ist eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, in dem ausgehend von dem Zustand von 3 Gräben gebildet sind. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VI-VI von 5. 7 ist eine Querschnittsansicht, die einen Zustand zeigt, in dem eine in dem Zustand von 6 noch vorhandene Oxidfilmmaske entfernt ist. 8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Zustand von 7 thermisch oxidiert ist. 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Graben von einem Siliziumsubstrat vergraben ist.
  • <Bildung der Gräben>
  • Zuerst, wie es in den 3 und 4 gezeigt ist, wird ein Muster der Form der Mikrolinse 3 durch Verwenden einer Oxidfilmmaske 10 auf der (oberen) Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 festgelegt. Mehrere Öffnungsabschnitte 10a, die jeweils der Form eines der Gräben entsprechen, die in dem nachfolgenden Ätzprozess gebildet werden, sind in der Oxidfilmmaske 10 aus gebildet.
  • Wie es in den 5 und 6 gezeigt ist, wird von jedem Öffnungsabschnitt 10a der Oxidfilmmaske 10 eine Ätzung ausgeführt, so dass die Gräben 11 gebildet werden. Und zwar wird das Siliziumsubstrat 1 von der Substratoberfläche grabengeätzt, indem die gemusterte Oxidfilmmaske 10 verwendet wird, so dass viele Gräben 11 mit einer konstanten Breite und einem konstantem Intervall parallel angeordnet sind. Als Ätztechnik wird zum Beispiel reaktives Ionenätzen verwendet. Anschließend werden die Gräben mit einem großen Tiefen-Breiten-Verhältnis (zum Beispiel 60) gebildet, indem im Wechsel ein Ätzschritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats 1 durch Plasma eines Gases mit Ätzeigenschaften und ein Schutzfilmausbildungsschritt zum Ausbilden eines Seitenwandschutzfilms innerhalb des Grabens durch Plasma eines Gases mit Abscheidungseigenschaften wiederholt werden.
  • Es ist erforderlich, Gräben mit einem großen Tiefen-Breiten-Verhältnis zu erzeugen, um so eine dreidimensionale Linsenform durch Formen eines im Verhältnis zu einer vorbestimmten Grabenbreite tiefen Grabens 11 zu erhalten.
  • Daher wird ein Schutzoxidfilm auf einer inneren Oberfläche (einer Seitenoberfläche und einer Bodenoberfläche) der gebildeten Gräben 11 erzeugt, indem die in der JP-A-2000-299310 (die korrespondierend ist zu der US 6 277 756 ) beschriebene Ätztechnik verwendet wird, der Oxidfilm der Bodenoberfläche durch reaktives Ionenätzen wieder entfernt, und das Siliziumsubstrat 1 anschließend von dieser Bodenoberfläche aus geätzt. Der Prozess zur Bildung des Schutzoxidfilms und der Ätzprozess der Grabenbodenabschnitte werden im Wechsel solange ausgeführt, bis man Gräben mit einem im Wesentlichen rechteckigen Profil erhält, deren Tiefen-Breiten-Verhältnis etwa 60 beträgt. Somit werden die Gräben 11 durch reaktives Ionenätzen gebildet, und ein Oxidfilm zum Schutz ist auf der Innenwand des Grabens gebildet. Ferner, nachdem der Oxidfilm zum Schutz in dem Grabenbodenabschnitt weggeätzt ist, wird der Gräben weiter vertieft, indem der Bodenabschnitt des Grabens 11 einer reaktiven Ionenätzung unterzogen wird. Somit kann der Gräben mit einem großen Tiefen-Breiten-Verhältnis gebildet werden.
  • Die 14A und 14B sind erläuternde Ansichten, die modifizierte Beispiele des Grabens zeigen. Wie es in 14A gezeigt ist, können auch Gräben 11 mit einer nach unten geringer werdenden Breite erzeugt werden. Die Gräben 11 können auch wie es in 14B gezeigt ist gebildet werden. Diese Gräben 11 weisen jeweils von ihrem Boden bis zu einem mittleren Abschnitt eine konstante Breite auf, welche dann von diesem mittleren Abschnitt nach oben hin allmählich zunimmt, so dass der oberste Abschnitt jedes Grabens 11 am breitesten ist. Zum Beispiel kann ein Abschnitt der sich nach oben hin weitenden Form dadurch erzeugt werden, dass der Oxidfilm zum Schutz so gesteuert wird, dass eine dicke Schicht davon verbleibt.
  • In den 5 und 6 sind viele Gräben 11 mit einer konstanten Breite und einem konstanten Intervall durch Grabenätzen parallel angeordnet. Jedoch ist die Anordnung nicht hierauf begrenzt. Zum Beispiel können auch Gräben parallel angeordnet werden, die keine konstante Breite besitzen, und ferner können viele Gräben parallel angeordnet werden, wobei das Intervall nicht konstant ist.
  • Ferner erstrecken sich in dem Mikrolinsen-Bildungsbereich eine Mehrzahl von Gräben 11 parallel zu einer optischen Achse, wobei ein Verhältnis zwischen einer Grabenbreite und einer Breite (nachfolgend als "verbleibende Breite" bezeichnet) einer Siliziumschicht 13 als einer Trennwand zwischen den Gräben so eingestellt wird, dass auch nach einer anschließenden thermischen Oxidation der Siliziumschichten 13 die Grabenbreite, d.h. der Freiraum zwischen den jeweiligen Siliziumschichten 13, ausreichend groß ist, so dass ein superkritisches Fluid in die Gräben gefüllt werden kann.
  • In den 5 und 6 wird um einen Bereich zum Bilden des Blocks zur Lichttransmission (der Mikrolinse 3), der die durch die Siliziumschichten 13 getrennten Gräben 11 umfasst, ein Graben 9 gebildet, wobei der Graben 9 von dem Bereich zum Bilden des Blocks zur Lichttransmission (der Mikrolinse 3) durch eine Siliziumschicht 12 vorbestimmter Breite getrennt ist, d.h. die Siliziumschicht 12 bildet die Grenzsschicht zwischen dem Graben 9 einerseits und den Gräben 11 bzw. den Siliziumschichten 13 andererseits. Die Krümmungen einer Lichteintrittsfläche und einer Lichtaustrittsfläche werden durch das Muster dieser Konturlinie 12 bestimmt. Auf diese Weise kann entsprechend dem Muster eine beliebig gekrümmte Oberfläche hergestellt werden.
  • Die Breite der durch die Siliziumschicht 12 definierten Konturlinie ist gleich der Breite einer jeden Siliziumschicht 13 zwischen jeweils zwei Gräben 11 oder dünner. Dies hat folgende Gründe.
  • Die 11A und 11B sind vergrößerte Ansichten von Verbindungsabschnitten zwischen den einzelnen Siliziumschichten 13 und der Siliziumschicht 12. wie es in 11A gezeigt ist, sind die äußeren Abschnitte 14 der Siliziumschichten 13 und die Konturlinie 12 in etwa T-förmig verbunden, jedoch ist eine Vorrückungsgeschwindigkeit des Oxidfilms in diesem T-förmigen Abschnitts langsamer als in den weiteren Abschnitten. Dadurch kann es vorkommen, dass, wenn die Breite W2 der Konturlinie 12 größer als die Breite W1 der Siliziumschicht 13 zwischen den Gräben 11 ist, in diesem Abschnitt ein nicht oxidierter Abschnitt 8 gebildet wird. Daher wird, wie es in 11B gezeigt ist, die Breite W2 der Konturlinie 12 gleich oder der Breite W1 der Siliziumschicht 13 zwischen den Gräben 11 eingestellt, oder so eingestellt, dass sie kleiner als diese ist. Somit ist es möglich, einen Bereich zu verringern, in dem die Siliziumschichten 12, 14 nicht oxidiert sind.
  • Ferner besitzt der Graben 9, der außerhalb des Linsenbildungsbereichs (um den Bildungsbereich des Blocks zur Lichttransmission herum) gebildet ist, eine im Vergleich zur Grabenbreite innerhalb des Blocks zur Lichttransmission ausreichende Breite. Wie es in 8 gezeigt ist, wird der Graben 9, der um den Bildungsbereich des Blocks zur Lichttransmission gebildet ist, so eingestellt, dass er durch die anschließende thermische Oxidation nicht verschlossen wird und somit der Bildungsbereich des Blocks zur Lichttransmission von einem Luftspalt umgeben ist. Somit können Verkrümmungen vermieden werden. Ferner ist der Ätzbereich (Graben 9) aufgrund eines Mikro-Loading-Effekts im Grabenätzprozess im Vergleich zu den Gräben 11 innerhalb der Mikrolinse 3 tiefer eingeätzt. Diese Form ist wichtig, damit das Licht weder beim Eintreten noch beim Austreten behindert wird. Und zwar kann ein Siliziumoxidblock 3, der einteilig mit dem Siliziumsubstrat 1 gebildet ist, die Blockierung des einfallenden und austretenden Lichts, dargestellt durch L1 in 10, vermeiden, wenn ein Verbindungsabschnitt 5, der von dem Siliziumsubstrat und in der gleichen Form wie der Siliziumoxidblock 3 gebildet ist, unterhalb dieses Siliziumoxidblocks 3 angeordnet ist.
  • Die Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Siliziumoxid (SiO2) sind verschieden (Si: 2,6·10–6/°C, geschmolzener Quarz: 0,4 bis 0,55·10–6/°C bei 20°C; Quelle: Rika-nenpyo (d.h. science chronological table)). Demzufolge werden, wie es in den 12A und 12B als Draufsichten zur Erläuterung von Verformungen durch thermische Spannungen gezeigt ist, wenn die thermische Oxidation ausgeführt wird, nachdem plattenförmige Siliziumelemente (Siliziumschichten 13) durch das Grabenätzen zurückbleiben, von beiden Seiten Spannungen auf das plattenförmige Siliziumoxid (SiO2) ausgeübt, und zwar aufgrund des unterschiedlichen Schwindungsbetrag beim Abkühlen, so dass Verkrümmungen entstehen. 12A zeigt ein Substrat mit einem Graben und einer SiO2-Schicht bei einer Wärmebehandlungstemperatur (annealing temperature) von zum Beispiel 1000°C. 12B zeigt das Substrat mit einer gekrümmten SiO2-Schicht bei Raumtemperatur nach der Wärmebehandlung. Daher besteht, selbst wenn viele Gräben 11 in einer Richtung angeordnet sind, wie es in 13A als einer Draufsicht zur Erläuterung einer Verformung durch thermische Spannungen gezeigt ist, die Gefahr, dass eine einzelne Siliziumoxidschicht (SiO2-Schicht) aus den oben genannten Gründen nach der thermischen Oxidation gekrümmt wird, wie es in 13B gezeigt ist, und die Linse kann nicht mit der vorgesehenen Form hergestellt werden. 13A zeigt ein Substrat vor der Wärmebehandlung, und 13B zeigt ein Substrat nach der Wärmebehandlung.
  • Daher werden in dieser Ausführungsform die folgenden drei Maßnahmen zur Bildung der Mikrolinse getroffen.
  • Als erste Maßnahme wird der Umfang eines Bereichs zur Ausbildung der Mikrolinse von einem Graben 9 umgeben. Und zwar wird der Graben 9 um den Bildungsbereich des Blocks zur Lichttransmission herum gebildet. Als zweite Maßnahme wird die Mikrolinse von dem Restbereich 12 als Konturlinie umschlossen. Als dritte Maßnahme wird die Erstreckungsrichtung des Grabens parallel zur Transmissionsrichtung des Lichts eingestellt. Und zwar werden viele Gräben 11 parallel zur optischen Achse angeordnet.
  • Durch die erste Maßnahme wird verhindert, dass das Linsenmuster während des Abhühlens nach der thermischen Oxidation von umgebendem Silizium weggedrückt wird. Somit wird das plattenförmig ausgebildete Siliziumoxid (SiO2) nicht gekrümmt bzw. gewellt. Ferner sind durch die zweite Maßnahme die einzelnen plattenförmigen Siliziumoxidschichten (SiO2-Schichten) von dem Restbereich 12 als einer Konturlinie dynamisch miteinander verbunden. Ferner, da eine Linsenoberfläche durch entsprechende Musterung des Restbereichs 12 als einer Konturlinie bestimmt werden kann, kann entsprechend dem Muster eine Linsenoberfläche mit einer beliebigen Krümmung gewonnen werden. Ferner kann durch die dritte Maßnahme eine Schnittstelle, bei der die einzelnen plattenförmigen Siliziumoxidschichten (SiO2-Schichten) benachbart zueinander sind, parallel zu der Transmissionsrichtung des Licht eingestellt werden. Daher kann eine Verringerung des Transmissionsgrades der Linse durch Reflexionen und Streuungen etc. von Licht in diesem Abschnitt auf ein Minimum begrenzt werden.
  • Der obige Bildungsprozess des Grabens entspricht einem ersten Prozess.
  • <Wärmebehandlungsprozess (annealing process)>
  • Als nächstes wird das gesamte Substrat einer Wärmebehandlung in einer Wasserstoffatmosphäre unterzogen, und die Oberflächenrauhigkeit der Grabenwände wird verringert. Eine glatte Oberfläche der Seitenwand des Grabens nach dem vorherigen Ätzprozess, insbesondere des äußersten Umfangsabschnitts des Linsenbildungsbereichs, ist wichtig, da diese Oberfläche schließlich eine Eintritts- oder Austrittsfläche des Lichts bildet. Anschließend kann durch thermische Oxidation eine glatte Linsenoberfläche gewonnen werden. Diese Technik ist in der JP-A-2002-231945, die der US 6 630 389 entspricht, gewonnen werden.
  • <Entfernen der Oxidfilmmaske>
  • Als nächstes wird, wie es in 7 gezeigt ist, die Oxidfilmmaske 10 durch Tauchen in eine HF-Lösung etc. entfernt.
  • <Thermische Oxidation>
  • Als nächstes wird, wie es in 8 gezeigt ist, jede Siliziumschicht 13 in die Siliziumoxidschicht 14 umgewandelt, indem eine thermische Oxidation ausgeführt wird. Diese thermische Oxidation wird so ausgeführt, dass kein vergrabenes Siliziumoxid zwischen den jeweiligen Siliziumschichten vergraben ist und Gräben 11 reduzierter Breite übrig bleiben. Ferner wird die thermische Oxidation so ausgeführt, dass in dem oberen Abschnitt jedes Grabens 11 ein Öffnungsabschnitt übrig bleibt, und zwar derart, dass in dem nächsten Prozess ein superkritisches Fluid in die Gräben 11 gefüllt werden kann.
  • <Auffüllen des Grabens>
  • Als nächstes wird, wenn das superkritische Fluid, in dem eine vorbestimmte Verbindung wie etwa eine organische Verbindung gelöst ist, in die Gräben 11 gefüllt wird, die in dem superkritischen Fluid gelöste vorbestimmte Verbin dung an einer Innenwandoberfläche jedes erwärmten Grabens 11 abgeschieden, und das aus dem superkritischen Fluid abgeschiedene Produkte wird als Film auf dieser Innenwandoberfläche abgeschieden. Insbesondere ist in dieser Ausführungsform die vorbestimmte Verbindung TMOS (Tetramethoxysilan). Das TMOS in dem superkritischen Fluid wird umgesetzt bzw. gespalten und chemisch reagieren gelassen, so dass das Siliziumoxid an den Innenwandoberflächen der Gräben 11 gebildet wird. Wenn diese Filmbildung fortgeschritten wird, ist schließlich jeder Graben 11 dem Siliziumoxid gefüllt. wie es in 9 gezeigt ist, ist eine Vergrabungsschicht 15, die aus dem Siliziumoxid gebildet ist, das durch das superkritische Fluid eingebracht wurde, in den Gräben 11 zwischen den Siliziumoxidschichten 14 gebildet. In dieser Ausführungsform wird ein kritischer Zustand leicht erreicht und leicht gesteuert, da sowohl eine kritische Temperatur als auch ein kritischer Druck niedrig sind. Aus diesen Gründen wird das superkritische Fluid mit Kohlenstoffdioxid als Hauptkomponente verwendet.
  • Das superkritische Fluid besitzt die Eigenschaften eines Gases (Diffusion) und die Eigenschaften einer Flüssigkeit (Lösung) zur Lösung einer Komponente und besitzt ferner die Eigenschaften, ihre Dichte kontinuierlich und stark zu ändern. Daher kann jeder der Gräben mit dem Siliziumoxid gefüllt bzw. durch dieses vergraben werden, ohne dass am Ende ein Freiraum existiert. Ferner kann sich das superkritische Fluid bis in alle Ecken des Grabens ausbreiten, selbst wenn Unregelmäßigkeiten in dem Graben 11 vorhanden sind und der Öffnungsabschnitt des im oberen Bereich eines Grabens 11 verschmälert ist. Daher können die Gräben 11 von dem Siliziumoxid aufgefüllt bzw. durch dieses vergraben werden, ohne dass ein Freiraum existiert.
  • Auf diese Weise wird die Mikrolinse (Block zur Lichttransmission) 3 einteilig mit dem Siliziumsubstrat 1 gebildet.
  • Wie es in den 14A und 14B gezeigt ist, besteht, wenn der obere Abschnitt des Grabens breit ausgebildet ist, keine Gefahr, dass der obere Abschnitt des Grabens 11 durch das Siliziumoxid verschlossen wird, das als ein Film in dem Graben 11 gebildet ist. Daher besteht keine Gefahr, dass ein Vergrabungsrest innerhalb des Grabens 11 gebildet wird.
  • Schließlich wird der Umfang der Mikrolinse in einer vorbestimmten Größe ausgeschnitten (dicing-cut). Auf diese Weise wird eine Zylinderlinse wie in 1 gewonnen. Der Vergrabungs- bzw. Auffüllprozess des oben genannten Grabens entspricht einem zweiten Prozess.
  • Das gesamte Substrat kann, je nach Notwendigkeit, ferner mit einer Antireflexionsschicht zur Verbesserung der Transmission beschichtet sein.
  • [Eigenschaften der ersten Ausführungsform]
  • Wie es oben erwähnt ist, wird gemäß dem Herstellungsverfahren des optischen Elements gemäß der ersten Ausführungsform Kohlenstoffdioxid in dem superkritischen Zustand, in dem das TMOS gelöst ist, in die Gräben 11 zwischen den Siliziumschichten 14 gefüllt, die auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 parallel angeordnet sind, und in jedem der Gräben 11 wächst ein Film aus Siliziumoxid. Somit ist es möglich, die Mikrolinse 3 in einem Zustand zu bilden, in dem jeder der Gräben 11 ohne Freiraum durch das Siliziumoxid vergraben ist.
  • Demzufolge ist es möglich, die Mikrolinse 3 herzustellen, ohne dass Gefahr besteht, dass Beugung durch verbleibende Freiräume auftritt und der Wirkungsgrad verringert wird.
  • Ferner hat das superkritische Fluid eine im Vergleich zu einem Gas in einem Gasphasenverfahren wie der CVD hohe Dichte. Daher kann das Siliziumoxid in hoher Konzentration gelöst werden. Demzufolge kann in kurzer Zeit eine große Menge an oxidiertem Silizium die Gräben eingebracht werden.
  • Demzufolge kann jeder Graben in im Vergleich zu dem Gasphasenverfahren kurzer Zeit durch das oxidierte Silizium vergraben werden.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Nachfolgend ist eine zweite Ausführungsform mit Bezug auf die 15 bis 18 erläutert. Diese Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass der Umfang des Mikrolinsenbildungsbereichs nach dem Vergraben jedes Grabens entfernt wird.
  • 15 ist eine Längsschnittansicht des Siliziumsubstrats, in dem die Gräben gebildet sind. 16 ist eine Längsschnittansicht, die einen Zustand anzeigt, in dem das in 15 gezeigte Siliziumsubstrat thermisch oxidiert ist. 17 ist eine Längsschnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem jeder Graben des Substrats, der in 16 gezeigt ist, durch das Siliziumoxid vergraben ist. 18 ist eine Längsschnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Umfang des in 17 gezeigten Siliziumoxidblocks entfernt ist. Erläuterungen der gleichen Konstruktionen und Prozesse wie in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform sind weggelassen, und die gleichen Bezugszeichen werden bezüglich der gleichen Konstruktionen verwendet.
  • Wie es in 15 gezeigt ist, unterscheidet sich diese Ausführungsform von der ersten Ausführungsform dahingehend, dass in dem Siliziumsubstrat 1 kein in 6 gezeigter konkaver Abschnitt 2 gebildet ist, und der Oxidfilmmaske davon entfernt ist. Wie es in 16 gezeigt ist, wird jede Siliziumschicht 13 in die Siliziumoxidschicht 14 umgewandelt, indem eine Wärmebehandlung ähnlich jener der ersten Ausführungsform ausgeführt wird. Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform wird Kohlenstoffdioxid im superkritischen Zustand, in dem TMOS gelöst ist, in jeden der Gräben 11 eingefüllt, und jeder der Gräben 11 wird ohne Freiraum durch das Siliziumoxid vergraben.
  • Als nächstes wird die obere Oberfläche des Siliziumoxidblocks mit einer Ätzmaske bedeckt, und die Umgebung des Mikrolinsenbildungsbereichs wird geätzt. Das Ätzen wird gestoppt, wenn der untere Abschnitt eines durch das Ätzen entfernten Bereichs eine Tiefe erreicht hat, die gleich der des Siliziumoxidblocks ist. Somit wird, wie es in 18 gezeigt ist, die Mikrolinse 3 auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 gebildet.
  • In dieser Ausführungsform wird das anisotrope Ätzen unter Verwendung von wässriger Kaliumhydroxid (KOH) – Lösung oder wässriger Tetramethylamoniumhydroxid (TMAH) – Lösung ausgeführt. Ferner, da das Siliziumsubstrat 1 eine (110)-Oberflächenorientierung aufweist, kann das Ätzen senkrecht zu der Substratoberfläche durch Verwenden der obigen wässrigen Lösung ausgeführt werden. Demzufolge kann eine äußere Umfangsoberfläche des Siliziumoxidblocks (Mikrolinse) exakt in eine gewünschte Form gebracht werden, wobei der Siliziumoxidblock keine Fehler aufweist.
  • Der Entfernungsprozess der Umgebung des obigen Mikrolinsenbildungsbereichs entspricht einem dritten Prozess.
  • [Effekt der zweiten Ausführungsform]
  • Wie es oben erwähnt ist, wird ferner in dem Herstellungsverfahren des optischen Elements der zweiten Ausführungsform Kohlenstoffdioxid im superkritischen Zustand, in dem TMOS gelöst ist, in jeden der Gräben 11 zwischen den Siliziumoxidschichten 14 gefüllt, die auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 parallel angeordnet sind, und jeder Graben 11 ist ebenfalls als ein Siliziumoxidfilm ausgebildet. Somit ist es möglich, die Mikrolinse 3 in einem Zustand auszubilden, in dem jeder Graben 11 durch das Siliziumoxid ohne Freiraum vergraben ist.
  • Demzufolge ist es möglich, die Mikrolinse 3 herzustellen, ohne dass die Gefahr besteht, dass aufgrund des verbleibenden Freiraums Beugung auftritt und der Wirkungsgrad verringert wird.
  • Ferner, da das superkritische Fluid eine im Vergleich mit einem Gas in einem Gasphasenverfahren wie etwa dem CVD hohe Dichte besitzt, kann das Siliziumoxid in hoher Konzentration gelöst werden. Demzufolge kann in kurzer Zeit eine große Menge an oxidiertem Silizium in jeden der Gräben gefüllt werden.
  • Demzufolge kann jeder Graben durch das oxidierte Silizium in einer im Vergleich zu dem Gasphasenverfahren kurzen Zeit vergraben werden.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Nachfolgend ist eine dritte Ausführungsform dieser Erfindung mit Bezug auf die 19 bis 21 erläutert.
  • Die 19A bis 19C und 20A und 20B sind Draufsichten, die modifizierte Beispiele des optischen Elements zeigen. Die 21A und 21B sind Draufsichten von Zu ständen, in denen eine Mehrzahl von optischen Elementen gebildet ist.
  • 19A stellt eine plankonvexe Zylinderlinse dar, die gemäß der obigen ersten und zweiten Ausführungsform hergestellt wird. Jedoch ist es in Übereinstimmung mit der Auslegung einer Konturlinie möglich, eine Linse beliebiger Form wie etwa eine Bikonvexlinse, wie es in 19B gezeigt ist, eine Bikonkavlinse wie es in 19C gezeigt ist, eine Plankonkavlinse wie sie in 20A gezeigt ist, eine Meniskuslinse wie sie in 20B gezeigt ist, etc. zu bilden. Ferner kann eine Linse mit hoher numerischer Apertur NA gebildet werden.
  • Ferner, wenn eine Mehrzahl von Mustern hergestellt wird, kann die Linse in größeren Mengen hergestellt werden. Daher ist es zum Beispiel möglich, eine Linsenfeld wie es in 21A gezeigt ist und Linsengruppen aus mehreren Arten, die auf derselben optischen Achse angeordnet sind, wie es in 21B gezeigt ist, herzustellen. Ferner, wie es in 21B gezeigt ist, kann ein Spalt, etc. gleichzeitig mit der Linse hergestellt werden. Ferner kann ein Prisma gleichzeitig mit der Linse hergestellt werden, obwohl dieses Prisma in den Zeichnungen nicht dargestellt ist.
  • Somit wird das Muster für die mehreren Linsen (das Linsenfeld) oder die Linse, das Prisma und der Spalt zusammen erzeugt, und diese Teile können über das Grabenätzen, den thermischen Oxidationsprozess und den Vergrabungs- bzw. Auffüllungsprozess des Grabens unter Verwendung des superkritischen Fluids zusammen hergestellt werden. In diesem Fall können diese Teile dadurch gebildet werden, dass das Mustern mittels einer einzigen Maske des Substrats selbst in vielen Linsenfeldern und einem komplizierten optischen System, in dem Licht durch eine Mehrzahl von Linsen tritt, zusammen ausgeführt wird. Insbesondere im letzteren Fall ist es möglich, das Problem der Ausrichtung eines einzelnen optischen Teils entlang der optischen Achse, welches ein schwieriges Problem in einem mikrooptischen System ist, zu lösen. In einem weiten Sinne ist keine Ausrichtung der optischen Achse erforderlich, wenn es beabsichtigt ist, es zusammen in dem Siliziumsubstrat über das Grabenätzen, den thermischen Oxidationsprozess und den Vergrabungsprozess des Grabens unter Verwendung des superkritischen Fluids unter Verwendung einer Struktur zur Bildung mehrerer optischer Teile einschließlich wenigstens entweder der Linse, einem optischen Wellenleiterweg, dem Prisma oder dem Spalt als eine Maske, herzustellen. Und zwar ist keine Positionsausrichtung der optischen Achse erforderlich, wenn die mehreren optischen Teile, einschließlich wenigstens entweder der Linse, des optischen Wellenleiterwegs oder des Spalts als die Struktur des optischen Elements in dem Siliziumsubstrat hergestellt sind.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Nachfolgend ist eine vierte Ausführungsform dieser Erfindung erläutert, die sich im Wesentlichen in einem Punkt von der ersten Ausführungsform unterscheidet.
  • 22 ist eine Draufsicht eines optischen Elements gemäß dieser Ausführungsform. 23 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XXIII-XXIII von 22.
  • Gemäß dieser Ausführungsform ist eine Zylinderlinse 21 einer von dem Siliziumsubstrat 1 getrennten Struktur in das Siliziumsubstrat 1 eingepasst. Diese Zylinderlinse 21 und eine Zylinderlinse als das optische Element 20 sind optisch miteinander verbunden. Die Zylinderlinse 20 hat die Aufgabe, Licht nur in der horizontalen Richtung bezüglich des einfallenden Lichts zu kollimieren bzw. zu bündeln, jedoch ist die Zylinderlinse 21 als ein getrennter Körper mit dieser Zylinderlinse 20 verbunden. Somit ist es möglich, Licht in der vertikalen Richtung zu kollimieren bzw. zu bündeln.
  • Die Zylinderlinse 21 als ein separater Körper wird befestigt, indem ein Loch 22 zur Montage in dem Siliziumsubstrat 1 durch Ätzen, etc. erzeugt und die Zylinderlinse 21 in dieses Loch 22 eingepasst wird. Zum Beispiel kann ein Halbleiterlaser 23 von diesem optischen System kollimiert werden. In dem Halbleiterlaser 23 sind die Aufweitwinkel eines Strahls in der horizontalen Richtung und der vertikalen Richtung normalerweise sehr unterschiedlich. Daher ist es notwendig, zwei Zylinderlinsen, die den jeweiligen Richtungen entsprechen, zu kombinieren, um den Halbleiterlaser 23 zu kollimieren. In diesem Fall wird die folgende Konstruktion verwendet. Die Zylinderlinse 20 ist in dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet, und das Loch 22 ist in dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Die Zylinderlinse 21 ist in dieses Loch 22 eingepasst, und es ist möglich, einen Aufbau festzulegen, um den durch das Paar von Zylinderlinsen 20, 21 transversal und longitudinal auf geweiteten Lichtstrahl einzeln zu bündeln (der Lichtstrahl kann auch in der vertikalen Richtung gebündelt bzw. konvergiert werden).
  • Das Beispiel der Zylinderlinse ist als eine Linse gezeigt, die in das Siliziumsubstrat 1 eingepasst ist, doch eine säulenförmige Linse, etc. kann ebenfalls verwendet werden.
  • (Fünfte Ausführungsform)
  • Nachfolgend ist eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert, die sich im Wesentlichen durch ein Merkmal von der ersten Ausführungsform unter scheidet. 24 ist eine perspektivische Ansicht eines optischen Elements gemäß dieser Ausführungsform.
  • In dieser Ausführungsform ist ein Lichtleiterweg 55 zusammen mit einer Linse 3 gebildet. Der Lichtleiterweg 55 kann mit dem gleichen Verfahren wie die Linse 3 hergestellt werden. Und zwar kann, wenn in einer periodischen Grabenstruktur die Anzahl von Gräben klein ist und ein in der Längsrichtung extrem langes Muster ausgebildet wird, ein linienförmiger Siliziumoxidblock, d.h. der Lichtleiterweg 55 gebildet werden.
  • Zum Beispiel kann der Lichtleiterweg 55 durch Ausführen einer D-RIE, eines thermischen Oxidationsprozesses und eines Vergrabungsprozesses des Grabens unter Verwendung eines superkritischen Fluids bezüglich eines Musters, in dem der Graben zwischen zwei Siliziumschichten angeordnet ist, die sich in Längsrichtung erstrecken, gebildet werden. Es besteht ein Unterschied im Brechungsindex in der vertikalen Richtung innerhalb des Lichtleiterwegs 55, und Licht wird in der Mitte eines höchsten Brechungsindex eingesperrt. Da die Umgebung des Lichtleiterwegs 55 in der Querrichtung ein offener Raum ist, wird Licht in dem Lichtleiterweg 55 eingesperrt. Dieser Lichtleiterweg 55 kann in Übereinstimmung mit einem Muster beliebig ausgebildet werden. Ferner, da der Lichtleiterweg 55 zeitgleich mit der Linse 3 gebildet werden kann, ist keine positionelle Ausrichtung bei der Kopplung mit der Linse 3 erforderlich.
  • Ferner, die Anzahl der Lichtleiterwege kann in Übereinstimmung mit Mustern von einem zu mehreren und außerdem von mehreren zu einem geändert werden. Daher ist es möglich, ein komplexes optisches System zu bilden, in dem Licht verteilt und auf eine Mehrzahl von Linsenfeldern gerichtet wird. Ein konkretes Beispiel ist in der per spektivischen Ansicht von 25 gezeigt, und eine entsprechende Draufsicht ist in 26 gezeigt.
  • In den 25 und 26 sind mehrere Zylinderlinsen 60 für die horizontale Richtung gebildet, und eine Zylinderlinse 61 für die vertikale Richtung ist so angeordnet, dass sie jeder der Zylinderlinsen 60 für die horizontale Richtung gegenüberliegt. Ferner ist mit jeder der Zylinderlinsen 60 ein Lichtleiterweg 62 für die horizontale Richtung optisch gekoppelt. Ferner, die jeweiligen Lichtleiterwege 62 sind zu einem Weg zusammengeführt. Eine Endfläche eines Lichtleiters 63 ist so angeordnet, dass sie einer Endfläche dieses zusammengeführten Lichtleiterwegs 62 gegenüberliegt. Die Zylinderlinse 61 für die vertikale Richtung und der Lichtleiter 63 sind auf einem Substrat 1 angeordnet. In diesem Fall ist keine positionelle Ausrichtung bezüglich der Zylinderlinse 60 für die horizontale Richtung und den Lichtleiterweg 62 erforderlich. Ferner können die Zylinderlinse 61 für die vertikale Richtung und der Lichtleiter 63 beim Anordnen auf dem Substrat 1 leicht ausgerichtet werden. Ferner, da dies eine einfache Struktur ist, ist der optische Kopplungswirkungsgrad nur gering reduziert. Ferner ist diese Struktur hervorragend für die Massenfertigung geeignet und kostengünstig.
  • Somit kann der einteilig mit dem Siliziumsubstrat gebildete Siliziumoxidblock sowohl ein Lichtleiterweg als auch eine Mikrolinse und der Lichtleiterweg sein.
  • (Weitere Ausführungsformen)
  • Eine chemische Verbindung, die dazu geeignet ist, eine Substanz mit einem Brechungsindex zu bilden, der gleich dem des Siliziumoxids ist, wird in dem superkritischen Fluid gelöst, so dass jedweder Freiraum ebenfalls durch das Produkt vergraben werden kann, das aus der che mischen Verbindung gebildet ist, und zwar ohne Spalt. Zum Beispiel sind die Brechungsindices von Kalziumfluorid, Magnesiumfluorid und Aluminiumoxid 0,13 bis 8, 0,21 bis 10 bzw. 0,23 bis 2, und sind in etwa gleich dem 1,2- bis 8-fachen des Brechungsindex von Siliziumoxid.
  • Die vorliegende Erfindung besitzt die folgenden Eigenschaften.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung mit einem optischen Block, durch den Licht hindurchtritt, bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Ausbilden von einer Mehrzahl von Siliziumoxidelementen, die auf einem Siliziumsubstrat angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente in einem vorbestimmten Intervall zwischen jeweils zwei Elementen parallel zueinander angeordnet sind, und Einfüllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum, so dass der Freiraum mit einem Produkt gefüllt ist, das aus einer vorbestimmten Verbindung zur Ausbildung des optischen Blocks gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung in dem superkritischen Fluid gelöst ist.
  • Das superkritische Fluid besitzt die Eigenschaften eines Gases (Diffusionsfähigkeit) und die Eigenschaften einer Flüssigkeit (Lösungsmittelfähigkeit) zur Auflösung einer Komponente, und ist ferner dazu geeignet, seine Dichte kontinuierlich und stark zu ändern.
  • Demzufolge wird das superkritische Fluid, in dem eine vorbestimmte chemische Verbindung gelöst ist, in jeden Freiraum zwischen jeweiligen Strukturkörpern gefüllt, die aus einem Siliziumoxid gebildet und parallel auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats angeordnet sind. Anschließend wird aus dem obigen Produkt in jedem Freiraum ein Film aus der vorbestimmten chemischen Verbindung gebildet. Somit ist es möglich, einen Block in einem Zustand zu bilden, in dem jeder Freiraum durch das obige Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung ohne Spalt vergraben ist.
  • Und zwar ist es möglich, ein optisches Element herzustellen, ohne dass die Gefahr besteht, dass durch den Spalt Beugung auftritt und der Wirkungsgrad dadurch verringert wird.
  • Ferner, da das superkritische Fluid eine im Vergleich zu dem Gas bei dem Gasphasenverfahren wie etwa dem CVD hohe Dichte aufweist, wird ein Filmbildungsmaterial (die vorbestimmte chemische Verbindung) mit hoher Konzentration gelöst. Demzufolge kann in kurzer Zeit eine große Menge an Filmbildungsmaterial in den Freiraum gegeben werden.
  • Demzufolge kann jeder Freiraum in einer im Vergleich zu dem Gasphasenverfahren kurzen Zeit durch das Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung vergraben werden.
  • Alternativ kann die vorbestimmte Verbindung dissoziiert werden, so dass das Produkt gebildet wird. Alternativ kann die vorbestimmte Verbindung chemisch reagiert werden, so dass das Produkt gebildet wird.
  • Alternativ kann der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente einen Schritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats unter Verwendung einer Maske mit einem vorbestimmten Muster umfassen.
  • Wenn eine Technik zur Bildung von einer Mehrzahl von Strukturkörpern durch Ätzen des Siliziumsubstrats unter Verwendung einer gemusterten Maske angewendet wird, können die Form und die Anordnung jedes Strukturkörpers durch Ändern des Maskenmusters geändert werden. Daher ist es möglich, ein optisches Element mit einem bezüglichen der Form hohen Grad an Freiheiten herzustellen. Zum Beispiel kann eine Linse mit einer großen numerischen Apertur NA und einer Linsenform mit einer asphärischen Oberfläche erzeugt werden.
  • Ferner kann der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente einen Schritt zum Oxidieren eines geätzten Siliziumsubstrats enthalten, so dass die Siliziumoxidelemente bereitgestellt werden.
  • Alternativ kann in dem Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente jeder Freiraum zwischen den Siliziumoxidelementen eine Breite aufweisen, die von von oben nach unten abnimmt. In diesem Fall kann der Freiraum zwischen den jeweiligen Strukturkörpern so ausgebildet werden, dass dessen Breite abnimmt, wenn er vertieft wird. Alternativ kann in dem Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente jeder Freiraum zwischen den Siliziumoxidelementen zwei Teile umfassen, einen, der eine konstante Breite aufweist, und einen, der eine Breite aufweist, die nach oben hin zunimmt, wobei die Breite des Freiraums ganz oben am größten ist. In diesem Fall kann der Freiraum so ausgebildet sein, dass er von einem mittleren Abschnitt aus und von unten nach oben allmählich zunimmt und ganz oben am größten ist. Da in den oben genannten Fällen der obere Abschnitt des Freiraums breiter ausgebildet ist, besteht keine Gefahr, dass der obere Abschnitt des Freiraums durch das Produkt aus der chemischen Verbindung verschmälert wird, die bei der Ausführung der Vergrabungsverarbeitung jedes Freiraums durch das Produkt aus der chemischen Verbindung, die in dem superkritischen Fluid gelöst ist, als Film in dem Freiraum gebildet wird. Daher besteht keine Gefahr, dass in dem Freiraum ein Vergrabungsrückstand gebildet wird.
  • Alternativ kann jedes Siliziumoxidelement eine dünnplattige Form aufweisen, die sich in Längsrichtung, parallel zu einer optischen Achse des optischen Blocks erstreckt, und jedes Siliziumoxidelement dünnplattiger Form hat eine Seitenwand, die sich in Längsrichtung erstreckt, wobei die Seitenwand eine innere Wand des Freiraums darstellt. In einem ersten Prozess ist jeder Strukturkörper so in Form einer dünnen Platte ausgebildet, dass sich eine Längsseite, die sich in Richtung einer optischen Achse erstreckt, eine Wandoberfläche des Freiraums wird. Daher kann ein Winkel, der bezüglich einer Austrittsrichtung des Lichts gebildet wird, auf einen Winkel eingestellt werden, der höchstens gleich dem Winkel der Totalreflexion zwischen dem Strukturkörper und einer Luftschicht ist. Somit ist es möglich, dass die Verringerung des Transmissionsgrades durch Streuung etc. begrenzt wird.
  • Alternativ kann der Schritt zur Bildung der Siliziumoxidelemente die Schritte umfassen: Bilden von mehreren Siliziumelementen, die auf dem Siliziumsubstrat angeordnet sind, wobei die Siliziumelemente mit einem vorbestimmten Abstand zwischen jeweils zwei Elementen parallel zueinander angeordnet sind, und thermisches Oxidieren der Siliziumelemente, so dass die Siliciumoxidelemente erzeugt werden. In dem Schritt zur thermischen Oxidation der Siliziumelemente bleibt der Freiraum zwischen zwei benachbarten Siliziumelementen, ohne mit einem Siliziumoxid gefüllt zu werden. In dem ersten Prozess werden mehrere Strukturkörper, die aus dem Siliziumoxid gebildet sind, durch thermische Oxidation so umgewandelt, dass kein Freiraum durch das Siliziumoxid vergraben ist. Daher kann ein Block in einem Zustand, in dem jeder Freiraum ohne Lücke durch eine Substanz vergraben ist, die wenig stens ein Produkt von einer vorbestimmten chemischen Verbindung umfasst, gebildet werden, indem das superkritische Fluid in die zwischen den jeweiligen Strukturkörpern verbleibenden Freiraum gefüllt wird.
  • Alternativ kann jedes Siliziumelement eine Breite haben und jeder Freiraum kann eine Breite haben. Die Breite des Siliziumelements und die Breite des Freiraums werden derart bestimmt, dass der Freiraum in dem Schritt der thermischen Oxidation der Siliziumelemente zwischen zwei benachbarten Siliziumelementen verbleibt. In dem ersten Prozess werden die Breite jedes Strukturkörpers, der aus Silizium gebildet ist, und die Breite jedes Freiraums so eingestellt, dass durch die thermische Oxidation kein Freiraum durch das Siliziumoxid vergraben wird. Daher besteht keine Gefahr, dass ein enger Abschnitt eines Öffnungsabschnitts, ein Blockierabschnitt etc. innerhalb des Freiraums gebildet wird und das superkritische Fluid nicht in ausreichendem Maße in den Freiraum gefüllt werden kann und dadurch nicht in den Freiraum gefüllt werden kann, dass der Freiraum unvollständig durch das Siliziumoxid vergraben ist.
  • Alternativ kann das Produkt aus der Verbindung aus Siliziumoxid gebildet sein. Es ist möglich, einen Block zu bilden, in dem jeder Freiraum lückenlos durch das Silizium vergraben ist, indem das superkritische Fluid, in dem das TMOS gelöst ist, in den Freiraum zwischen den jeweiligen Strukturkörpern gefüllt wird. Demzufolge kann, da ein Bock gewonnen werden kann, der vollständig aus dem Siliziumoxid gebildet ist, ein optisches Element mit einem Brechungsindex hergestellt werden, der gleich dem des Siliziumoxids ist.
  • Alternativ kann das Produkt aus der Verbindung einen Brechungsindex haben, der im Wesentlichen gleich dem Bre chungsindex von Siliziumoxid ist. Eine chemische Verbindung (z.B. Kalziumfluorid, Magnesiumfluorid, Aluminiumoxid, etc.), die dazu geeignet ist, eine Substanz mit einem Brechungsindex zu bilden, der gleich dem einer Substanz ist, die durch das Siliziumoxid gebildet wird, wird in dem superkritischen Fluid gelöst, so dass jeder Freiraum auch durch dieses Produkt aus der chemischen Verbindung lückenlos vergraben werden kann.
  • Alternativ kann das Siliziumsubstrat eine (100)-orientierte Oberfläche aufweisen. Da die Substratoberfläche (110)-orientiert ist, ist es möglich, eine Wandfläche (eine Seitenfläche jedes Strukturkörpers) jedes Freiraums aufgrund der vorliegenden Anisotropie vertikal zu ätzen.
  • Alternativ kann der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente einen Schritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats durch ein reaktives Ionenätzen umfassen, so dass ein Graben als der Freiraum gebildet wird. In diesem Fall kann jeder Freiraum durch reaktives Ionenätzen des Siliziumsubstrats grabenförmig gebildet werden. Zum Beispiel kann, indem zwischen einem Ätzschritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats durch Plasma eines Gases mit Ätzeigenschaften und einem Schutzfilmbildungsschritt zum Bilden eines Seitenwandschutzfilms innerhalb des Grabens durch Plasma eines Gases mit Abscheidungseigenschaften gewechselt wird, der Graben mit einem hohen Tiefen-Breiten-Verhältnis gebildet werden. In einem Verfahren zur Abscheidung einer Siliziumoxidschicht mittels CVD ist die Dicke einer Linsenschicht, das es sich um eine Abscheidung handelt, auf etwa 10 μm begrenzt. Es ist jedoch möglich, die Linsenschicht mit einer Dicke von 100 μm oder mehr durch das Grabenätzverfahren mit dem hohen Tiefen-Breiten-Verhältnis zu bilden. Somit kann eine Zylinderlinse als dreidimensionale Struktur gebildet werden, die eine praktische Verwendung besitzt.
  • Alternativ kann das superkritische Fluid eine Hauptkomponente aus Kohlenstoffdioxid enthalten. Zum Beispiel besitzt Kohlenstoffdioxid eine niedriger kritische Temperatur und einen niedrigen kritischen Druck im Vergleich zu Wasser, erreicht leicht einen kritischen Zustand und ist leicht kontrollierbar. Demzufolge wird das superkritische Fluid von Kohlenstoffdioxid als eine Hauptkomponente verwendet.
  • Alternativ kann der optische Block eine Mikrolinse sein. Oder der optische Block kann ein Lichtwellenleiter sein. Oder der optische Block kann ein Prisma sein. Alternativ kann der optische Block wenigstens entweder eine Mehrzahl von Mikrolinsen, eine Mehrzahl von Lichtleitern oder eine Mehrzahl von Prismen umfassen. Oder der optische Block kann wenigstens zwei aus einer Mikrolinse, einem Lichtleiter und einem Prisma umfassen. Oder der optische Block kann wenigstens zwei aus einer Mehrzahl von Mikrolinsen, einer Mehrzahl von Lichtleitern und einer Mehrzahl von Prismen umfassen. In den oben genannten Fällen ist es möglich, eine Mikrolinse, einen Lichtleiterweg oder ein Prisma herzustellen, in der/dem zwischen den jeweiligen Strukturkörpern kein Freiraum verbleibt und der Wirkungsgrad nicht durch Beugung herabgesetzt ist. Ferner kann entweder die Mikrolinse, der Lichtleiterweg oder das Prisma in Mehrzahl gleichzeitig hergestellt werden. Ferner können wenigstens zwei aus der Mikrolinse, dem Lichtleiter und dem Prisma in Mehrzahl gleichzeitig hergestellt werden. Wenn, wie in diesen Fällen, eine Mehrzahl von optischen Elementen gleichzeitig hergestellt wird, ist keine optische Ausrichtung nach der Bildung der Elemente erforderlich, da die optischen Elemente so in dem Siliziumsubstrat ausgebildet werden, dass sich die optischen Achsen jedes Blocks jedes optischen Elements decken.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung mit einem optischen Block, durch den Licht hindurchtritt, bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bilden von mehreren Siliziumoxidelementen, die in einem Siliziumsubstrat angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente mit einem vorbestimmten Freiraum zwischen jeweils zwei benachbarten Siliziumelementen parallel zueinander angeordnet sind, Einfüllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum, so dass der Freiraum mit einem Produkt gefüllt ist, das aus einer vorbestimmten Verbindung gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung in dem superkritischen Fluid gelöst ist, und Entfernen eines Umfangsabschnitts des Siliziumsubstrats, der um die Siliziumoxidelemente angeordnet ist, wobei die Verbindung in den Freiraum gefüllt ist, so dass der optische Block gebildet wird.
  • Das superkritische Fluid besitzt die Eigenschaften eines Gases (Diffusionsfähigkeit) und die Eigenschaften einer Flüssigkeit (Lösungsmittelfähigkeit) zum Lösen einer Komponente, und kann ferner in hohem Maße kontinuierlich seine Dichte ändern.
  • Demzufolge wird das superkritische Fluid, in dem eine vorbestimmte chemische Verbindung gelöst ist, in jeden Freiraum zwischen jeweiligen Strukturkörpern, die aus Siliziumoxid gebildet und parallel zueinander innerhalb des Siliziumsubstrats angeordnet sind, gefüllt. Dann wird innerhalb jedes Freiraums aus dem obigen Produkt, das aus der vorbestimmten chemischen Verbindung gebildet ist, ein Film gebildet. Somit kann jeder Freiraum durch das obige Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung lükkenlos vergraben werden. Es ist dann möglich, einen Bock in einem Zustand zu bilden, in dem jeder Freiraum durch das obige Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung lückenlos vergraben ist, indem ein Umfangsabschnitt eines aus jedem Strukturkörper gebildeten Abschnitts entfernt wird.
  • Und zwar ist es möglich, ein optisches Element herzustellen, bei dem nicht die Gefahr besteht, dass durch den Spalt Beugung auftritt und der Wirkungsgrad verringert ist.
  • Ferner, da das superkritische Fluid eine im Vergleich zu dem Gas im CVD-Verfahren geringe Dichte aufweist, wird ein filmbildendes Material (die vorbestimmte chemische Verbindung) in hoher Konzentration gelöst. Demzufolge kann in kurzer Zeit eine große Menge des filmbildenden Materials in jeden Freiraum gefüllt werden.
  • Demzufolge kann jeder Freiraum mit dem Produkt aus der vorbestimmten chemischen Verbindung in einer im Vergleich zu dem Gasphasenverfahren kurzen Zeit gefüllt werden.
  • Alternativ kann in dem Schritt zum Entfernen des Umfangsabschnitts der Umfangsabschnitt von einer Oberfläche des Siliziumsubstrats entfernt werden, bis eine Tiefe eines von der Oberfläche des Siliziumsubstrats entfernten Umfangsabschnitts im Wesentlichen gleich einer Tiefe des Siliziumelements ist. In diesem Fall wird in einem dritten Prozess ein Umfangsabschnitt eines aus jedem Strukturkörper gebildeten Abschnitts von der Oberfläche des Siliziumsubstrats entfernt. Wenn der untere Abschnitt einer entfernten Bereichs eine Tiefe besitzt, die gleich der eines jeden Strukturkörpers ist, wird die obige Verarbeitung gestoppt. Somit kann ein Block mit einer Höhe, die gleich der Tiefe eines jeden Strukturkörpers ist, auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats gebildet werden.
  • Alternativ kann der Schritt zum Entfernen des Umfangsabschnitts ein Ätzprozess des Umfangsabschnitts sein. In diesem Fall kann der Umgangsabschnitt des Abschnitts, der aus jedem Strukturkörper gebildet ist, durch Ätzen entfernt werden.
  • Alternativ kann der Ätzprozess ein anisotroper Ätzprozess sein. In diesem Fall kann der Umfangsabschnitt der Abschnitts, der aus jedem Strukturkörper gebildet ist, durch anisotropes Ätzen entfernt werden. Insbesondere erfolgt eine isotrope Ätzung auch in Querrichtung, so dass keine Form des Umfangsabschnitts außer einer Blockform wie vorgesehen erzeugt werden kann. Jedoch erfolgt die Ätzung nur in einer zur Substratoberfläche senkrechten Richtung, indem eine anisotrope Ätzung ausgeführt wird. Daher kann eine äußere Umfangsoberfläche exakt auf die gewünschte Form gebracht werden.
  • Alternativ kann der Prozess der anisotropen Ätzung unter Verwendung einer KOH- oder einer TMAH-Lösung ausgeführt werden. In diesem Fall kann die anisotrope Ätzung kostengünstig und leicht ausgeführt werden, wenn eine wässrige Kaliumhydroxid (KOH)-Lösung oder eine wässrige Tetramethylammonium (TMAH)-Lösung verwendet wird.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung bezüglich der bevorzugten Ausführungsformen offenbart worden ist, um ein besseres Verständnis von diesen zu ermöglichen, sollte wahrgenommen werden, dass die Erfindung auf verschiedene Weisen verwirklicht werden kann, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen. Deshalb sollte die Erfindung derart verstanden werden, dass sie alle möglichen Ausführungsformen und Ausgestaltungen zu den gezeigten Ausführungsformen beinhaltet, die realisiert werden können, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen, wie er in den beigefügten Ansprüchen dargelegt ist.

Claims (36)

  1. Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung mit einem optischen Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62), durch den ein Licht hindurchtritt, wobei das Verfahren die Schritte umfasst – Bilden von mehreren Siliziumoxidelementen (14), die auf einem Siliziumsubstrat (1) angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente (14) mit einem vorbestimmten Freiraum (11) zwischen jeweils zwei benachbarten Siliziumoxidelementen (14) parallel zueinander angeordnet sind; und – Füllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum (11), so dass der Freiraum (11) mit einem Produkt gefüllt wird, das aus einer vorbestimmten Verbindung (15) zur Bildung des optischen Blocks (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung (15) in dem superkritischen Fluid gelöst ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die vorbestimmte Verbindung (15) dissoziiert wird, so dass das Produkt gebildet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die vorbestimmte Verbindung (15) chemisch reagiert wird, so dass das Produkt gebildet wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) einen Schritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats (1) durch Verwenden einer Maske (10) mit einem vorbestimmten Muster enthält.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) ferner einen Schritt zum Oxidieren eines geätzten Siliziumsubstrats (1) umfasst, so dass die Siliziumoxidelemente (14) erzeugt werden.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) jeder Freiraum (11) zwischen den Siliziumoxidelementen (14) eine Breite aufweist, die von oben nach unten in dem Freiraum (11) geringer wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) jeder Freiraum (11) zwischen den Siliziumoxidelementen (14) zwei Teile umfasst, wobei ein Teil eine konstante Breite besitzt und ein weiterer Teil eine Breite besitzt, die nach oben in dem Freiraum (11) größer wird, und dass die Breite des Freiraums (11) oben am größten ist.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Siliziumoxidelement (14) eine dünnplattige Form aufweist, die sich in Längsrichtung parallel zu einer optischen Achse des optischen Blocks (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) erstreckt, und die dünnplattige Form eine Seitenwand aufweist, die sich in der Längsrichtung erstreckt, wobei die Seitenwand eine Innenwand des Freiraums bildet.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) die Schritte umfasst: – Bilden von mehreren Siliziumelementen (12, 13), die auf dem Siliziumsubstrat (1) angeordnet sind, wobei die Siliziumelemente (12, 13) mit einem vorbestimmten Freiraum zwischen jeweils zwei benachbarten Siliziumelementen (12, 13) parallel zueinander angeordnet sind; und – thermisches Oxidieren der Siliziumelemente (12, 13), so dass die Siliziumoxidelemente (14) gebildet werden; wobei – in dem Schritt der thermischen Oxidation der Siliziumelemente (12, 13) der Freiraum (11) zwischen zwei benachbarten Siliziumelementen (12, 13) verbleibt, ohne mit einer Siliziumoxidschicht (15) gefüllt zu sein.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass: – jedes Siliziumelement (12, 13) eine Breite aufweist; – jeder Freiraum (11) eine Breite aufweist; und – die Breite des Siliziumelements (12, 13) und die Breite des Freiraums (11) derart bestimmt werden, dass der Freiraum (11) zwischen zwei benachbarten Siliziumelementen (12, 13) in dem Schritt der thermischen Oxidation der Siliziumelemente (12, 13) verbleibt.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das aus der Verbindung (15) gebildete Produkt aus Siliziumoxid gebildet ist.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das aus der Verbindung (15) gebildete Produkt einen Brechungsindex besitzt, der im Wesentlichen gleich dem von Siliziumoxid ist.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Siliziumsubstrat (1) eine Oberfläche aufweist, die (110)-orientiert ist.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) einen Schritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats (1) durch reaktives Ionenätzen umfasst, so dass ein Graben (11) als der Freiraum (11) gebildet wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das superkritische Fluid eine Hauptkomponente aus Kohlenstoffdioxid enthält.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) eine Mikrolinse (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) ist.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Block (55, 62) ein Lichtleiter (55, 62) ist.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) ein Prisma ist.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) wenigstens entweder eine Mehrzahl von Mikrolinsen (3, 20, 21, 60, 61, 62), eine Mehrzahl von Lichtleitern (55, 62) oder eine Mehrzahl von Prismen umfasst.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) wenigstens zwei aus einer Mikrolinse (3, 20, 21, 60, 61, 62), einem Lichtleiter (55, 62) und einem Prisma umfasst.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der optische Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) wenigste zwei aus einer Mehrzahl von Mikrolinsen (3, 20, 21, 60, 61, 62), einer Mehrzahl von Lichtleitern (55, 62) und einer Mehrzahl von Prismen umfasst.
  22. Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung, mit einem optischen Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62), durch den Licht hindurchtritt, wobei das Verfahren die Schritte umfasst: – Bilden von mehreren Siliziumoxidelementen (14), die in einem Siliziumsubstrat (1) angeordnet sind, wobei die Siliziumoxidelemente (14) mit einem vorbestimmten Freiraum zwischen jeweils zwei benachbarten von ihnen parallel zueinander angeordnet sind; – Füllen eines superkritischen Fluids in den Freiraum (11), so dass der Freiraum (11) mit einem Produkt gefüllt wird, das aus einer vorbestimmten Verbindung (15) gebildet ist, wobei die vorbestimmte Verbindung (15) in dem superkritischen Fluid gelöst ist; und – Entfernen eines Umfangsabschnitts des Siliziumsubstrats (1), der um die Siliziumoxidelemente (14) angeordnet ist, wobei die Verbindung (15) in den Freiraum (11) gefüllt ist, so dass der optische Block (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) gebildet wird.
  23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die vorbestimmte Verbindung (15) dissoziiert wird, so dass das Produkt gebildet wird.
  24. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die vorbestimmte Verbindung (15) chemisch reagiert wird, so dass das Produkt gebildet wird.
  25. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt zum Entfernen des Umfangsabschnitts der Umfangsabschnitt von der Oberfläche des Siliziumsubstrats (1) entfernt wird, bis eine Tiefe eines von der Oberfläche des Siliziumsubstrats (1) entfernten Umfangsabschnitts im Wesentlichen gleich einer Tiefe des Siliziumoxidelements (14) ist.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Entfernen des Umfangsabschnitts ein Ätzprozess des Umfangsabschnitts ist.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzprozess ein anisotroper Ätzprozess ist.
  28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass der anisotrope Ätzprozess unter Verwendung einer KOH- oder TMAH-Lösung ausgeführt wird.
  29. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) einen Schritt zum Ätzen des Siliziumsubstrats (1) unter Verwendung einer Maske (10) mit einem vorbestimmten Muster umfasst.
  30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente (14) ferner einen Schritt zum Oxidieren eines geätzten Siliziumsubstrats (1) umfasst, so dass die Siliziumoxidelemente (14) gebildet werden.
  31. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Siliziumoxidelement (14) eine dünnplattige Form aufweist, die sich in einer Längsrichtung parallel zu einer optischen Achse des optischen Blocks (3, 20, 21, 55, 60, 61, 62) erstreckt, und dass die dünnplattige Form eine Seitenwand aufweist, die sich in der Längsrichtung erstreckt, wobei die Seitenwand eine Innenwand des Freiraums (11) bildet.
  32. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Bilden der Siliziumoxidelemente die Schritte umfasst: – Bilden von mehreren Siliziumelementen (12, 13), die auf dem Siliziumsubstrat (1) angeordnet sind, wobei die Siliziumelemente (12, 13) mit einem vorbestimmten Freiraum zwischen zwei benachbarten von ihnen parallel zueinander angeordnet sind; und – thermisches Oxidieren der Siliziumelemente (12, 13), so dass die Siliziumoxidelemente (14) gebildet werden; wobei – in dem Schritt der thermischen Oxidation der Siliziumelemente (12, 13) der Freiraum (11) zwischen zwei benachbarten Siliziumelementen (12, 13) verbleibt, ohne mit einer Siliziumoxidschicht gefüllt zu sein.
  33. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass das aus der Verbindung (15) gebildete Produkt aus Siliziumoxid hergestellt ist.
  34. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das aus der Verbindung (15) gebildete Produkt einen Brechungsindex besitzt, der gleich dem Brechungsindex von Siliziumoxid ist.
  35. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass das Siliziumsubstrat (1) eine (110)-orientierte Oberfläche aufweist.
  36. Verfahren nach einem der Ansprüche 22 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass das superkritische Fluid eine Hauptkomponente aus Kohlenstoffdioxid enthält.
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