DE102006040728A1 - Method and device for producing an electronic module - Google Patents

Method and device for producing an electronic module Download PDF

Info

Publication number
DE102006040728A1
DE102006040728A1 DE102006040728A DE102006040728A DE102006040728A1 DE 102006040728 A1 DE102006040728 A1 DE 102006040728A1 DE 102006040728 A DE102006040728 A DE 102006040728A DE 102006040728 A DE102006040728 A DE 102006040728A DE 102006040728 A1 DE102006040728 A1 DE 102006040728A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
component
layout
position parameter
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102006040728A
Other languages
German (de)
Inventor
Karl Weidner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE102006040728A priority Critical patent/DE102006040728A1/en
Priority to PCT/EP2007/059073 priority patent/WO2008025832A1/en
Publication of DE102006040728A1 publication Critical patent/DE102006040728A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401Structure
    • H01L2224/2402Laminated, e.g. MCM-L type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405Shape
    • H01L2224/24051Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0008Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for aligning or positioning of tools relative to the circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche (29) eines Substrats (11), auf dem zumindest ein Bauelement (16, 19) angeordnet ist, bei dem zur Übertragung des Layouts eine lichtempfindliche Schicht (40) aus Kunststoffmaterial, die auf die Oberfläche (29) aufgebracht ist, selektiv belichtet wird, wobei vor dem Schritt des Belichtens der lichtempfindlichen Schicht (40) für zumindest manche der auf dem Substrat (11) angeordneten Bauelemente (16, 19) zumindest ein Positionsparameter erfasst und bei der Übertragung des Layouts berücksichtigt wird.The invention relates to a method and an apparatus for transferring a layout of a conductive structure onto a surface (29) of a substrate (11) on which is arranged at least one component (16, 19) in which a photosensitive layer (12) is used to transfer the layout. 40) of plastic material applied to the surface (29) is selectively exposed, wherein prior to the step of exposing the photosensitive layer (40) for at least some of the substrates (16, 19) disposed on the substrate (16) Position parameter is captured and taken into account when transferring the layout.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche eines Substrats, auf dem zumindest ein Bauelement, insbesondere ein Halbleiterchip, angeordnet ist.The The invention relates to a method and a device for transmitting a layout of a conductive structure on a surface of a Substrate on which at least one component, in particular a semiconductor chip, is arranged.

Ausgangspunkt bei der Herstellung des elektronischen Moduls ist ein in 1 im Querschnitt in schematischer Form dargestelltes Halbzeug des elektronischen Moduls. Dieses ist mit dem Bezugszeichen 10 gekennzeichnet. Auf einem Substrat 11 ist eine strukturierte Metallschicht 12 mit Metall- oder Kontaktflächen 13, 14, 15 aufgebracht. Auf den Kontaktflächen 13, 14 ist jeweils ein Bauelement 16, 19, z.B. ein Halbleiterchip, aufgebracht. Das Bauelement 16 ist über ein Verbindungsmittel 22, in der Regel ein Lot, mit der Kontaktfläche 13 verbunden. In entsprechender Weise ist das Bauelement 19 über ein Verbindungsmittel 23 mit der Kontaktfläche 14 verbunden. Sofern die Bauelemente 16, 19 einen Rückseitenkontakt, d.h. einen dem Substrat 11 zugewandten Kontakt aufweisen, so wird durch das Verbindungsmittel 22, 23 nicht nur eine mechanische, sondern auch eine elektrische Verbindung zu der jeweiligen Kontaktfläche 13 und/oder 14 hergestellt. Zur elektrischen Kontaktierung weisen die Bauelemente 16, 19 jeweils eine Anzahl an Kontaktflächen auf ihrer von dem Substrat 11 abgewandten Oberseite auf. Beispielhaft umfassen die Bauelemente 16, 19 jeweils zwei Kontaktflächen 17, 18 bzw. 20, 21. Die elektrische Verbindung zwischen den Kontaktflächen 17, 18 bzw. 20, 21 und der lediglich beispielhaft einen Kontaktfläche 15 geschieht üblicherweise unter Verwendung von Bonddrähten (nicht dargestellt).Starting point in the production of the electronic module is a in 1 shown in schematic cross-section semifinished product of the electronic module. This is with the reference numeral 10 characterized. On a substrate 11 is a structured metal layer 12 with metal or contact surfaces 13 . 14 . 15 applied. On the contact surfaces 13 . 14 is each a component 16 . 19 , eg a semiconductor chip, applied. The component 16 is about a lanyard 22 , usually a solder, with the contact surface 13 connected. In a similar way, the device 19 via a connecting means 23 with the contact surface 14 connected. Unless the components 16 . 19 a backside contact, ie a the substrate 11 facing contact, so is by the connecting means 22 . 23 not only a mechanical, but also an electrical connection to the respective contact surface 13 and or 14 produced. For electrical contacting, the components 16 . 19 each have a number of contact surfaces on their from the substrate 11 turned away on top. By way of example, the components comprise 16 . 19 two contact surfaces each 17 . 18 respectively. 20 . 21 , The electrical connection between the contact surfaces 17 . 18 respectively. 20 . 21 and merely by way of example a contact surface 15 is usually done using bonding wires (not shown).

Alternativ ist die Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktflächen 17, 18 bzw. 20, 21 der Bauelemente 16, 19 und der Kontaktfläche 15 durch eine sog. planare Verbindungstechnologie möglich, bei der eine Oberfläche 29 des Halbzeugs zunächst mit einer isolierenden Schicht bedeckt wird. An den Stellen der Kontaktflächen 15, 17, 18, 20, 21 werden Öffnungen in die isolierende Folie eingebracht, um die Kontaktflächen freizulegen. Anschließend wird eine Sputterschicht ganzflächig auf die Isolierfolie und deren eingebrachten Öffnungen aufgebracht. Die Sputterschicht besteht üblicherweise aus einer ca. 50 nm dicken Titan-Schicht und einer ca. 1 μm dicken Kupferschicht. Auf diese Sputterschicht wird eine weitere, in der Regel aus einem isolierenden Material bestehende lichtempfindliche Schicht, z.B. eine Folie (sog. Fotofolie), aufgebracht. Die Dicke der Fotofolie beträgt zwischen 20 und 200 μm und wird in einem weiteren Schritt entsprechend der gewünschten leitenden Struktur belichtet und entwickelt.Alternatively, the production of electrical connections between the contact surfaces 17 . 18 respectively. 20 . 21 of the components 16 . 19 and the contact surface 15 by a so-called planar connection technology possible, in which a surface 29 of the semifinished product is first covered with an insulating layer. At the points of the contact surfaces 15 . 17 . 18 . 20 . 21 Openings are introduced into the insulating film to expose the contact surfaces. Subsequently, a sputtering layer is applied over the entire surface of the insulating film and their introduced openings. The sputtering layer usually consists of an approximately 50 nm thick titanium layer and an approximately 1 micron thick copper layer. On this sputtering layer, a further, usually of an insulating material existing photosensitive layer, such as a film (so-called. Photo film) is applied. The thickness of the photo film is between 20 and 200 microns and is exposed and developed in a further step according to the desired conductive structure.

Die Belichtung erfolgt üblicherweise mittels einer Maske, mit der das Layout der leitenden Struktur auf die Fotofolie übertragen wird. Dabei werden diejenigen Abschnitte der Fotofolie durch die Maske abgeschattet, welche die spätere elektrisch leitende Struktur ausbilden sollen. Die nicht belichteten Abschnitte der Fotofolie lassen sich in einem weiteren Verfahrensschritt entfernen, so dass eine Freilegung der darunter befindlichen Sputterschicht, genauer der Kupferoberfläche der Sputterschicht, erfolgt. Durch Eintauchen des vorbereiteten Halbzeugs in ein Elektrolytbad, insbesondere ein Kupfer-Elektrolytbad, wird durch galvanische Verstärkung eine ca. 100 bis 200 μm dicke Kupferschicht aufgewachsen. In einem sich daran anschließenden Schritt, der als Strippen der Fotofolie bezeichnet wird, wird die noch auf der Oberfläche befindliche Fotofolie an den Bereichen, an welchen keine elektrisch leitende Struktur ausgebildet werden soll, entfernt. Als letzter Schritt erfolgt ein sog. Differenzätzen, bei dem ganzflächig die aus Titan und Kupfer bestehende Sputterschicht entfernt wird, so dass lediglich die gewünschte leitfähige Struktur überbleibt.The Exposure is usually done by means of a mask showing the layout of the conductive structure transfer the photo film becomes. In the process, those sections of the photographic film are replaced by the Mask shaded, which is the later electrically conductive structure should train. The unexposed sections of the photo film can be removed in a further process step, so that an exposure of the underlying sputtering layer, more precisely the copper surface the sputtering layer occurs. By dipping the prepared Semi-finished product in an electrolyte bath, in particular a copper electrolyte bath, is by galvanic reinforcement one about 100 to 200 microns grown thick copper layer. In a subsequent step, which is referred to as stripping the photofinish, which is still on the surface located photo film at the areas where no electrical conductive structure is to be formed away. As last one Step is a so-called. Differenzätzen, in the whole area of the Titanium and copper existing sputtering layer is removed, so that only the desired conductive Structure remains.

Die Herstellung der elektrischen Verbindungen unter Verwendung der beschriebenen planaren Verbindungstechnologie weist den Nachteil auf, dass bei komplexen Leiterstrukturen manche Kontaktflächen nicht oder nur ungenügend in elektrischem Kontakt zu einer erzeugten Leiterstruktur stehen. Das elektronische Modul ist damit Ausschuss, da eine nachträgliche Reparatur der elektrischen Verbindung nicht möglich ist. Aufgrund der bereits verarbeiteten elektronischen Bauelemente sind damit sehr hohe Kosten verbunden.The Preparation of electrical connections using the described planar interconnect technology has the disadvantage that at complex conductor structures some contact surfaces are not or only inadequate are in electrical contact with a generated conductor structure. The electronic Module is thus reject, because a subsequent repair of the electrical Connection not possible is. Due to the already processed electronic components are associated with very high costs.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts einer leiteten Struktur auf eine Oberfläche eines Substrats anzugeben, welches die Herstellung von elektronischen Modulen mit hoher Zuverlässigkeit bei einer geringen Fehlerquote ermöglicht.It is therefore an object of the present invention, a method and a device for transmitting a layout of a conductive structure on a surface of a Substrate, which is the production of electronic Modules with high reliability with a low error rate.

Diese Aufgaben werden mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen.These Tasks are solved with the features of the independent claims. advantageous embodiments arise from the dependent ones Claims.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche eines Substrats, auf dem zumindest ein Bauelement angeordnet ist, wird zur Übertragung des Layouts eine lichtempfindliche Schicht aus Kunststoffmaterial, die auf die Oberfläche aufgebracht ist, selektiv belichtet. Dabei wird vor dem Schritt des Belichtens der lichtempfindlichen Schicht für zumindest manche der auf dem Substrat angeordneten Bauelemente zumindest ein Positionsparameter erfasst und bei der Übertragung des Layouts berücksichtigt.at the method according to the invention to transfer a layout of a conductive structure on a surface of a Substrate on which at least one component is arranged, is for transmission the layout of a photosensitive layer of plastic material, the on the surface applied, selectively exposed. This is before the step of exposing the photosensitive layer to at least some of the substrate arranged components at least one position parameter recorded and during transmission of the layout.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche eines Substrats, auf dem zumindest ein Bauelement angeordnet ist, wobei zur Übertragung des Layouts eine lichtempfindliche Schicht aus Kunststoffmaterial, die auf die Oberfläche aufgebracht ist, selektiv zu belichten ist, umfasst eine optische Erfassungseinrichtung und eine Verarbeitungseinrichtung. Die optische Erfassungseinrichtung ist zur Erfassung zumindest eines Positionsparameters für zumindest manche der auf dem Substrat angeordneten Bauelemente ausgebildet. Die Verarbeitungseinrichtung dient zur Steuerung einer steuerbaren Belichtungseinheit, welcher der zumindest eine Positionsparameter zuführbar ist, wobei die Verarbeitungsrichtung dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Positionsparameter bei der Steuerung der Belichtungseinheit zu berücksichtigten.A inventive device to transfer a layout of a conductive structure on a surface of a Substrate on which at least one component is arranged, wherein for transmission the layout of a photosensitive layer of plastic material, the on the surface is applied, is to be selectively exposed, comprises an optical detection device and a processing device. The optical detection device is for detecting at least one position parameter for at least some of the components arranged on the substrate are formed. The processing device serves to control a controllable exposure unit, to which at least one position parameter can be fed, wherein the processing direction is adapted to the at least a positional parameter in the control of the exposure unit to be considered.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass beim Aufbringen der Bauelemente auf das Substrat eine nicht beeinflussbare Positionsänderung der Bauelemente parallel zur Oberfläche des Substrats erfolgt. Dies resultiert daraus, dass die Bauelemente üblicherweise unter Verwendung eines zunächst flüssigen Haftmittels, in der Regel ein Lot, auf die Oberfläche des Substrats aufgepresst werden. Beim Aufpressen des Bauelements auf das flüssige oder viskose Haftmittel kann es hierbei zu einem "Versatz" des Bauelements relativ zu seiner Sollposition kommen. Dieser Versatz kann bei herkömmlichen Fertigungsverfahren unter ungünstigen Umständen dazu führen, dass eine auf der Oberfläche des Substrats erzeugte Leiterstruktur nicht die zu verbindenden Kontaktflächen der auf das Substrat aufgebrachten Bauelemente trifft. Bei der Erfindung wird dieses Problem dadurch umgangen, dass vor dem Schritt des Belichtens der lichtempfindlichen Schicht die Position zumindest mancher, bevorzugt aller, der auf dem Substrat angeordneten Bauelemente, erfasst wird. Hierzu wird zumindest ein Positionsparameter erfasst, welcher eine Positionsänderung relativ zu der Sollposition wiedergibt. Dieser zumindest eine Positionsparameter wird dann bei der Übertragung des Layouts berücksichtigt. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht daher eine nahezu ausschussfreie Fertigung eines elektronischen Moduls. Hierdurch verringern sich die Stückkosten bei der Produktion.Of the Invention is based on the finding that when applying the Components on the substrate an uncontrollable position change the components are parallel to the surface of the substrate. This results from the fact that the components are usually using one at first liquid Adhesive, usually a solder, on the surface of the Substrate to be pressed. When pressing the device on the liquid or viscous adhesive, this may lead to a "misalignment" of the device come relative to its nominal position. This offset can be conventional Manufacturing process under unfavorable circumstances cause that one on the surface The conductor structure produced by the substrate does not have the contact surfaces to be connected impinges on the substrate applied components. In the invention this problem is circumvented by the fact that before the step of exposing the photosensitive layer, the position of at least some, preferably all of the components arranged on the substrate are detected. For this At least one position parameter is detected, which is a position change relative to the desired position. This at least one position parameter will then be in the transmission of the layout. The inventive method allows therefore an almost jam-free production of an electronic Module. This reduces the unit costs during production.

Der zumindest eine Positionsparameter wird gemäß einer Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens einer Ver arbeitungseinrichtung zur Steuerung einer steuerbaren Belichtungseinheit, insbesondere einem Laser, als Korrekturdaten zugeführt, welche diesen zur Positionskorrektur von Steuerdaten, welche das zu erzielende Layout nachbilden, verwendet und eine Belichtung mit den korrigierten Steuerdaten bewirkt. Im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt hiermit keine Belichtung unter Verwendung einer starren Maske, sondern mittels einer durch die Verarbeitungseinrichtung steuerbaren Belichtungseinheit. Dies ermöglicht es auf besonders einfache und kostengünstige Weise, eine Korrektur von Steuerdaten vorzunehmen, welche das zu erzielende Layout (entsprechend der Belichtung mit einer Maske) ermöglichen.Of the at least one position parameter is according to an embodiment variant the method according to the invention a Ver processing device for controlling a controllable exposure unit, in particular a laser, supplied as correction data, which this for position correction of control data which mimic the layout to be achieved and causing exposure to the corrected control data. in the Framework of the method according to the invention no exposure is made using a rigid Mask, but by means of a processing device controllable exposure unit. This makes it especially easy and cost-effective Way to make a correction of control data, which is the achieving layout (corresponding to the exposure with a mask) enable.

Als Positionsparameter wird zweckmäßigerweise für jedes Bauelement zumindest seine x- und y-Position auf dem Substrat erfasst. x und y bilden Achsen, die sich parallel zur Ebene des Substrats erstrecken und die vorzugsweise in einem Winkel von 90° zueinander stehen. Falls erforderlich, kann zusätzlich als Positionsparameter auch seine z-Position erfasst werden, um ggf. Abweichungen von einer vorgegebenen Soll-Höhe erfassen zu können. Die z-Achse erstreckt sich somit orthogonal zu der Ebene des Substrats und ermöglicht eine Fokusanpassung der Belichtungseinheit.When Position parameter is expediently for each Component detects at least its x and y position on the substrate. x and y form axes parallel to the plane of the substrate extend and preferably at an angle of 90 ° to each other stand. If necessary, can additionally as a position parameter Also, its z position can be captured to reflect any deviations from one predetermined target height to be able to capture. The z-axis thus extends orthogonal to the plane of the substrate and allows a focus adjustment of the exposure unit.

Zweckmäßigerweise werden die einem Bauelement zugeordneten Positionsparameter in einem Datensatz gespeichert, welcher dem Substrat mit dem zumindest einen Bauelement zugeordnet ist. Weiter bevorzugt wird jedem zu belichtenden Substrat ein Global-Datensatz mit den Datensätzen der Bauelemente, deren Position erfasst wurde, (bevorzugt sämtlicher Bauelemente) zugeordnet. Hierdurch wird eine besonders einfache Verarbeitung der Positionsparameter zur Positionskorrektur durch die Verarbeitungseinheit möglich.Conveniently, become the position parameter assigned to a component in a record stored, which the substrate with the at least one component assigned. Further preferred is each substrate to be exposed a global record containing the datasets of the components whose Position was detected, (preferably all components) assigned. This results in a particularly simple processing of the position parameters for position correction by the processing unit possible.

Es ist weiter vorgesehen, dass jedes Substrat mit einer, insbesondere optisch auslesbaren, Kennzeichnung versehen wird, deren Informationsgehalt dem Global-Datensatz zugefügt wird. Anhand der Kennzeichnung ist eine Identifizierung des betref fenden Substrats mit den darauf befindlichen Bauelementen auch nach einer Anzahl von Verfahrensschritten möglich, die zwischen dem Belichten und dem Erfassen der Positionsparameter liegen. Anhand dieser erfolgt dann die Zuordnung des korrekten Global-Datensatzes.It is further provided that each substrate with a, in particular optically readable, marking is provided, the information content added to the global record becomes. On the basis of the marking is an identification of the relevant Substrate with the components thereon even after a Number of process steps possible, between exposing and capturing the positional parameters lie. On the basis of this, then the assignment of the correct global data set takes place.

Die Ermittlung des zumindest einen Positionsparameters wird vor oder nach dem Aufbringen einer Isolierfolie auf die Oberfläche vorgenommen. Die Ermittlung des zumindest einen Positionsparameters, z.B. nach dem Aufbringen einer Isolierfolie auf die Oberfläche des Substrats und dem Einbringen von Öffnungen im Bereich von Kontaktflächen, weist jedoch den Vorteil auf, dass bereits die exakte Lage der Kontaktflächen, welche durch eine Öffnung der Isolierfolie erfolgt, möglich ist.The Determination of the at least one position parameter is before or made after applying an insulating film on the surface. The Determining the at least one position parameter, e.g. after this Applying an insulating film on the surface of the substrate and the introduction of openings in the area of contact surfaces, points However, the advantage that already the exact location of the contact surfaces, which through an opening of the Insulating foil is possible is.

Weiter bevorzugt ist es, wenn die Ermittlung des zumindest einen Positionsparameters ohne Zwischenschaltung weiterer Verarbeitungsschritte nach dem Aufbringen des zumindest einen Bauelements auf das Substrat vorgenommen wird. Die Ermittlung des zumindest einen Positionsparameters ohne Zwischenschaltung weiterer Verarbeitungsschritte nach dem Aufbringen auf das Substrat weist den Vorteil auf, dass eine genauestmögliche Abweichung der tatsächlichen Position von einer Sollposition der betreffenden Bauelemente ermittelbar ist.It is further preferred if the determination of the at least one position parameter is carried out without the interposition of further processing steps after the application of the at least one component to the substrate. The investigation the at least one position parameter without interposition of further processing steps after application to the substrate has the advantage that a most accurate deviation of the actual position from a desired position of the relevant components can be determined.

In einer weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung ist vorgesehen, dass die Belichtung mit einer Belichtungseinheit vorgenommen wird, die gegenüber einer senkrechten Achse zu dem Substrat neigbar ist, um eine Belichtung von senkrecht verlaufenden Abschnitten der Bauelemente durchführen zu können. Bei einer Belichtung, die ausschließlich in einer senkrechten Achse zu dem Substrat vorgenommen wird (wie z.B. bei einer Maskenbelichtung) kann es vorkommen, dass senkrecht verlaufende Abschnitte der Bauelemente (z.B. deren Seitenflächen) nicht ausreichend belichtet werden, wodurch in den nachfolgenden Verarbeitungsschritten eine unpräzise elektrische Leiterstruktur die Folge sein kann. Eine Belichtungseinheit, welche gegenüber der senkrechten Achse zu dem Substrat neigbar ist, kann hingegen senkrecht verlaufende Abschnitte und eventuell sogar in einem spitzen Winkel relativ zu dem Substrat verlaufende Abschnitte belichten, so dass eine präzise Erzeugung der leitfähigen Struktur möglich ist.In a further advantageous embodiment is provided that the exposure with an exposure unit is made, the opposite a vertical axis to the substrate is tilted to an exposure to be able to perform from perpendicular sections of the components. at an exposure that exclusively is made in a vertical axis to the substrate (as e.g. in a mask exposure), it can happen that vertically extending portions of the components (e.g., their side surfaces) not be sufficiently exposed, which in the subsequent processing steps an imprecise electrical conductor structure may be the result. An exposure unit, which opposite the vertical axis can be tilted to the substrate, however, can vertical sections and possibly even in a point Expose angles relative to the substrate, so that's a precise one Generation of the conductive Structure possible is.

Alternativ oder zusätzlich können vor dem Schritt des Aufbringens der lichtempfindlichen Schicht an im Wesentlichen senkrecht zu dem Substrat verlaufenden Abschnitten des zumindest einen Bauelements Flanken erzeugt werden, welche die Seitenkanten des Bauelements mit dem Substart in einem stetigen Übergang verbinden. Hierdurch können relativ zu dem Substrat senkrecht verlaufende Abschnitte im Wesentlichen vermieden werden.alternative or additionally can before the step of applying the photosensitive layer substantially perpendicular to the substrate extending portions of the at least one component flanks are generated which the side edges of the device with the Substart in a steady transition connect. This allows substantially perpendicular to the substrate substantially extending portions be avoided.

Die lichtempfindliche Schicht, die in Form einer Folie (Fotofolie) oder eines Lacks ausgebildet sein kann, wird bevorzugt aus einem isolierenden Material gewählt. Die Oberfläche, auf welche die Schicht aufgebracht (im Falle einer Folie laminiert) wird, weist eine dreidimensionale Struktur auf.The photosensitive layer in the form of a film (photofinish) or a lacquer is formed, is preferably made of an insulating material selected. The surface, on which the layer is applied (in the case of a film laminated), has a three-dimensional structure.

Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche eines Substrats sind die gleichen Vorteile verbunden, wie sie in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erläutert wurden.With the device according to the invention to transfer a layout of a conductive structure on a surface of a Substrate are connected to the same benefits as they are related with the method according to the invention explained were.

In einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Verarbeitungseinheit dazu ausgebildet, den zumindest einen Positionsparameter zur Korrektur von Steuerdaten, welche das zu erzielende Layout nachbilden, heranzuziehen.In an embodiment the device according to the invention the processing unit is adapted to the at least one Position parameter for correction of control data, which is the emulate the resulting layout, use.

In einer weiteren zweckmäßigen Ausführungsform ist die Belichtungseinheit als Laser ausgebildet.In a further advantageous embodiment the exposure unit is designed as a laser.

In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Belichtungseinheit gegenüber einer senkrechten Achse zu dem Substrat oder das Substrat gegenüber der Belichtungseinheit steuerbar neigbar ist, um eine Belichtung von senkrecht verlaufenden Abschnitten der Bauelemente durchführen zu können.In an embodiment can be provided that the exposure unit with respect to a vertical Axis to the substrate or the substrate relative to the exposure unit controllable is tiltable to an exposure of vertical sections perform the components to be able to.

Die Erfindung weist den Vorteil auf, dass Bauelemente mit einer Höhe von 50 μm bis 10 mm nicht nur auf der Oberfläche, sondern auch an nahezu senkrechten Flanken strukturierbar sind.The Invention has the advantage that components with a height of 50 microns to 10 mm not just on the surface, but also structurable on almost vertical flanks.

Die Erfindung wird nachfolgend weiterhin anhand eines Ausführungsbeispiels in der Figur näher erläutert. Es zeigen:The Invention will continue below using an embodiment explained in more detail in the figure. It demonstrate:

1 eine schematische Darstellung eines elektronischen Moduls als Halbzeug in einer Querschnittsdarstellung, 1 a schematic representation of an electronic module as a semi-finished product in a cross-sectional view,

2 eine schematische Darstellung eines elektronischen Moduls als Halbzeug, auf welche eine Folie auflaminiert ist, 2 a schematic representation of an electronic module as a semi-finished product, on which a film is laminated,

3 ein zweites Ausführungsbeispiel eines elektronischen Moduls als Halbzeug, auf das eine Folie auflaminiert ist, 3 A second embodiment of an electronic module as a semi-finished product, on which a film is laminated,

4 eine Draufsicht auf das in 1 als Halbzeug gezeigte elektronische Modul, und 4 a top view of the in 1 shown as a semi-finished electronic module, and

5 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts auf die Oberfläche eines Substrats. 5 a schematic representation of an inventive device for transferring a layout on the surface of a substrate.

Der prinzipielle Aufbau eines elektronischen Moduls 10 als Halbzeug in 1 wurde bereits in der Beschreibungseinleitung erläutert. 4 zeigt eine Draufsicht auf das Halbzeug von oben. Bei dem Substrat kann es sich beispielsweise um eine Keramik, ein Printed Circuit Board (PCB), ein Leadframe oder ein Flextape handeln. Die Bauelemente 16, 19 stellen beispielsweise Leistungshalbleiterbauelemente dar, welche zum Schalten hoher Spannungen im Bereich von 400 V bis 10 kV ausgebildet sind. Leistungshalbleiterbauelemente sind üblicher weise mit Kontaktflächen auf ihrer Vorder- und Rückseite versehen. So stellt beispielsweise die Kontaktfläche 20 des Bauelements 19 einen Steueranschluss (Gate), die Kontaktfläche 21 einen Source-Anschluss und ein Rückseitenkontakt (nicht dargestellt), der in elektrischer Verbindung mit der Kontaktfläche 14 steht, einen Drain-Kontakt dar. In entsprechender Weise kann die Aufteilung der Kontaktflächen 17, 18 des Bauelements 16 sein.The basic structure of an electronic module 10 as semi-finished in 1 was already explained in the introduction to the description. 4 shows a plan view of the semi-finished product from above. The substrate may be, for example, a ceramic, a printed circuit board (PCB), a leadframe or a flextape. The components 16 . 19 represent, for example, power semiconductor devices, which are designed for switching high voltages in the range of 400 V to 10 kV. Power semiconductor devices are usually provided with contact surfaces on their front and back. For example, the contact surface represents 20 of the component 19 a control terminal (gate), the contact area 21 a source terminal and a backside contact (not shown) in electrical communication with the pad 14 stands, a drain contact. In a similar way, the division of the contact surfaces 17 . 18 of the component 16 be.

Entgegen der zeichnerischen Darstellung müssen die Höhen der Bauteile 16, 19 auf dem Substrat nicht identisch ausgebildet sein. Es ist auch möglich, passive Bauelemente, z.B. Kondensatoren, auf der Oberfläche 29 des Substrats aufzubringen und bei der Erzeugung der elektrischen Leiterstruktur zu berücksichtigen.Contrary to the graphic representation, the heights of the components 16 . 19 be formed on the substrate is not identical. It is also possible, passive components, eg capacitors, on the surface 29 of the substrate and to take into account in the generation of the electrical conductor structure.

Eine auf die Oberfläche 29 aufzubringende Isolationsfolie weist an die Bauelemente 16, 19 angepasste, im Ausführungsbeispiel hohe Isolationseigenschaften auf, welche bei Leistungshalbleiterbauelementen zur Aufnahme von 60 bis 100 kV/mm fähig ist. Die Dicke der Isolationsfolie, welche auf die Oberfläche 29 aufzubringen ist, kann je nach Anwendung zwischen 100 und 400 μm variieren, abhängig von der zu isolierenden Spannung. Die Materialeigenschaften der Isolationsfolie sind derart gewählt, dass eine Dauertemperaturbelastung von 150 bis 200 °C zu keinen Beschädigungen der Isolationsfolie führt. In der Praxis treten in der Regel Dauertemperaturbelastungen im Bereich von 125 °C auf.One on the surface 29 applied insulation film has to the components 16 . 19 matched, in the embodiment high insulation properties, which is capable of receiving 60 to 100 kV / mm in power semiconductor devices. The thickness of the insulation film, which is on the surface 29 can be applied, depending on the application between 100 and 400 microns, depending on the voltage to be isolated. The material properties of the insulating film are chosen such that a constant temperature load of 150 to 200 ° C leads to no damage to the insulation film. In practice, continuous temperature loads in the range of 125 ° C usually occur.

Das Aufbringen der Isolationsfolie erfolgt beispielsweise in einer Vakuumkammer. Der genaue Prozess des Aufbringens der Isolationsfolie auf die Oberfläche 29 ist im Rahmen der vorliegenden Erfindung nicht von entscheidender Bedeutung, so dass auf eine eingehende Beschreibung der durchzuführenden Schritte an dieser Stelle verzichtet wird.The application of the insulating film takes place, for example, in a vacuum chamber. The exact process of applying the insulation film to the surface 29 is not critical in the context of the present invention, so that a detailed description of the steps to be performed is omitted here.

2 zeigt in einer schematischen Querschnittsdarstellung das in 1 gezeigte Halbzeug 10 des elektronischen Moduls, auf dessen Oberfläche 29 eine Fotofolie, d.h. eine lichtempfindliche Folie mit isolierenden Eigenschaften, aufgebracht ist. Der Übersichtlichkeit halber sind die zwischen der Fotofolie 40 und der Oberfläche 29 ebenfalls vorhandene Isolationsfolie und Sputterschicht nicht dargestellt. Die Ausbildung einer elektrisch leitenden Struktur erfolgt in bekannter Wiese durch eine Belichtung und Entwicklung der Fotofolie 40 sowie die Vornahme einer galvanischen Verstärkung. 2 shows in a schematic cross-sectional view the in 1 shown semi-finished product 10 of the electronic module, on its surface 29 a photographic film, ie a photosensitive film with insulating properties, is applied. For the sake of clarity, those between the photo film 40 and the surface 29 also existing insulation film and sputtering layer not shown. The formation of an electrically conductive structure takes place in a known manner by exposure and development of the photographic film 40 as well as making a galvanic reinforcement.

4 zeigt eine Draufsicht auf das in 1 dargestellte Halbzeug 10 des elektronischen Moduls. Dabei sind gut ersichtlich die Ausgestaltung der Kontaktflächen 17, 18 des Bauelements 16 sowie der Kontaktflächen 20, 21 des Bauelements 19. Ferner zu erkennen sind die Kontaktflächen 13 und 14, auf denen die Bauelemente 16 bzw. 19 aufgebracht sind sowie die Kontaktfläche 15 auf dem Substrat 11. Die Kontaktflächen 13, 14, 15 sind beispielsweise aus Kupfer ausgebildet. Die mechanische Befestigung der Bauelemente 16, 19 auf den Kontaktflächen 13 und 14 erfolgt durch das Aufbringen eines flüssigen Haftmittels, in der Regel ein Lot, auf die Kontaktflächen 13 bzw. 14. Anschließend werden die Bauelemente 16, 19 auf die mit Lot bedeckten Kontaktflächen 13, 14 aufgesetzt. Hernach folgt ein Aushärten des Haftmittels, z.B. in einem Ofen. Bei dem beschriebenen Vorgang können sich relativ zu der beabsichtigten Soll-Position Verschiebungen der Bauelemente 16, 19 in x- und/oder y-Richtung ergeben. Üblicherweise beträgt die Abweichung +/– 0,5 mm, sowohl entlang der x- als auch der y-Achse. 4 shows a plan view of the in 1 illustrated semi-finished product 10 of the electronic module. In this case, the design of the contact surfaces are clearly visible 17 . 18 of the component 16 as well as the contact surfaces 20 . 21 of the component 19 , Further to recognize the contact surfaces 13 and 14 on which the components 16 respectively. 19 are applied as well as the contact surface 15 on the substrate 11 , The contact surfaces 13 . 14 . 15 are formed, for example, of copper. The mechanical fastening of the components 16 . 19 on the contact surfaces 13 and 14 takes place by the application of a liquid adhesive, usually a solder, on the contact surfaces 13 respectively. 14 , Subsequently, the components 16 . 19 on the soldered contact surfaces 13 . 14 placed. This is followed by curing of the adhesive, for example in an oven. In the described process, displacements of the components may be relative to the intended target position 16 . 19 in the x and / or y direction. Usually, the deviation is +/- 0.5 mm, along both the x and y axes.

Eine Abweichung der tatsächlichen Position von der Soll-Position wird bei der Belichtung der Fotofolie 40 im Rahmen der vorliegenden Erfindung berücksichtigt. Eine dazu verwendete Vorrichtung ist in 5 dargestellt.A deviation of the actual position from the target position becomes when the photographic film is exposed 40 considered in the context of the present invention. A device used for this purpose is in 5 shown.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Übertragen des Layouts auf die Oberfläche des Substrats 11 umfasst eine optische Erfassungseinrichtung 50, die auch als automatisches optisches Inspektionssystem (AOI) bekannt ist. Mittels der optischen Erfassungseinrichtung 50 kann das Maß der Abweichung in x- und y-Richtung (und optional in z-Richtung) eines jeden der Bauelemente 16, 19 erfasst werden. Die Abweichung wird als ein Positionsparameter in einem Speicher 52 abgelegt. Dabei werden sämtliche einem der Bauelemente 16, 19 zugeordnete Positionsparameter in einem Datensatz zusammengefasst. Die Vorrichtung umfasst ferner eine Kennzeichnungseinrichtung 51, welche in der Lage ist, das Substrat 11 mit einer optisch auslesbaren Markierung zu versehen. Diese optisch auslesbare Markierung wird zusammen mit sämtlichen Datensätzen der Bauelemente auf einem Substrat in einem Global-Datensatz in dem Speicher 52 abgespeichert.The device according to the invention for transferring the layout onto the surface of the substrate 11 comprises an optical detection device 50 Also known as the Automatic Optical Inspection System (AOI). By means of the optical detection device 50 may be the measure of the deviation in the x and y direction (and optionally in the z direction) of each of the components 16 . 19 be recorded. The deviation is considered a positional parameter in a memory 52 stored. All of them become one of the components 16 . 19 assigned position parameters are summarized in a data record. The device further comprises a marking device 51 which is capable of the substrate 11 to be provided with an optically readable mark. This optically readable tag, along with all of the component data sets, is stored on a substrate in a global data set in the memory 52 stored.

Die Erfassung der optischen Position kann, wie dies vorstehend bereits erläutert wurde, unmittelbar nach dem Aufbringen der Bauelemente 16, 19 auf das Substrat 11 erfolgen. Die Erfassung der Position der Bauelemente 16, 19 kann jedoch beispielsweise auch erst nach dem Aufbringen der Isolationsfolie auf die Oberfläche und insbesondere nach dem Freilegen der Kontaktflächen vorgenommen werden.The detection of the optical position can, as already explained above, immediately after the application of the components 16 . 19 on the substrate 11 respectively. The detection of the position of the components 16 . 19 However, it is also possible, for example, to carry out only after the application of the insulating film to the surface and, in particular, after the exposure of the contact surfaces.

Das Aufbringen der optisch auslesbaren Markierung auf das Substrat 11 dient dazu, ein optisch vermessenes Substrat auch nach einer Anzahl von Zwischenschritten zwischen der optischen Erfassung und der Vornahme der Belichtung wiedererkennen zu können und die einmal hierfür gespeicherten Daten verwenden zu können.The application of the optically readable marking on the substrate 11 serves to be able to recognize an optically measured substrate even after a number of intermediate steps between the optical detection and the exposure and to be able to use the data once stored for this purpose.

Zur Belichtung der mit einer Fotofolie 40 versehenen Oberfläche 29 des Halbzeugs 10 werden die in dem Speicher 52 hinterlegten Daten aus dem Global-Datensatz ausgelesen. Dies erfolgt durch eine Verarbeitungseinheit 53, welche die Positionsparameter zur Positionskorrektur von, z.B. ebenfalls in dem Speicher 52 hinterlegten Daten, verwendet. Die Steuerdaten repräsentieren das auf die Fotofolie zu übertragende Layout der elektrisch leitenden Struktur. Diesen Steuerdaten werden die Positionsparameter quasi "überlagert", um die tat sächliche Position der entsprechenden Kontaktflächen berücksichtigen zu können.For the exposure of a photo film 40 provided surface 29 of the semi-finished product 10 will be in the store 52 deposited data from the global data record. This is done by a processing unit 53 which the position parameters for position correction of, for example, also in the memory 52 stored data, used. The control data represents the layout of the electrically conductive structure to be transferred to the photofilm. These control data, the position parameters are quasi "superimposed" to take into account the fact neuter position of the corresponding contact surfaces can.

Die Belichtung der Fotofolie 40 erfolgt mittels einer steuerbaren Belichtungseinheit 54, die beispielsweise durch einen Laser ausgebildet ist. Das Vorsehen von Masken kann zur Belichtung der Fotofolie 40 damit entfallen. Um auch die zwischen einer oberen Seitenkante 24 und einer unteren Seitenkante 25 senkrecht verlaufenden Abschnitte 26 eines Bauelements korrekt belichten zu können, kann die Belichtungseinheit neigbar gegenüber der Senkrechten ausgebildet sein.The exposure of the photo film 40 takes place by means of a controllable exposure unit 54 , which is formed for example by a laser. The provision of masks can be used to expose the photofinish 40 thus eliminated. To also between an upper side edge 24 and a lower side edge 25 vertical sections 26 To be able to expose a component correctly, the exposure unit can be designed tiltable relative to the vertical.

3 zeigt den Verbund aus Substrat 11 und dem zumindest einen Bauelement 16, 19 und der aufgebrachten Folie 40 in einer abgewandelten schematischen Darstellung, ebenfalls in einem Querschnitt. Vor dem Aufbringen der Folie 40 wurde an dem Abschnitt 26 eine Flanke 28 erzeugt, indem ein isolierendes Material an den Abschnitt 26 aufgebracht, z.B. dispenst, wurde. Das in flüssiger oder viskoser Form aufgebrachte isolierende Material saugt sich aufgrund von Kapillarkräften an die Seitenwand (den Abschnitt 26) des Bauelements 19 an, so dass keine Gaseinschlüsse entstehen. Hierbei ergibt sich die in der Figur gezeigte Flanke 28. Beim Aufbringen der Fotofolie 40 passt sich die Fotofolie 40 an den Verlauf der Flanke 28 an. 3 shows the composite of substrate 11 and the at least one component 16 . 19 and the applied foil 40 in a modified schematic representation, also in a cross section. Before applying the foil 40 was at the section 26 a flank 28 generated by placing an insulating material on the section 26 applied, for example, dispenst, was. The insulating material applied in liquid or viscous form sucks against the sidewall (the portion 26 ) of the device 19 on, so that no gas inclusions arise. This results in the flank shown in the figure 28 , When applying the photo film 40 Adjusts the photo film 40 on the course of the flank 28 at.

Im Ausführungsbeispiel der 3 wurde lediglich beispielhaft eine einzige Flanke 28 eingezeichnet, wobei dies lediglich zu Zwecken der Illustration gemacht wurde. Beim Belichten der Fotofolie 40 müssen nunmehr nicht mehr besondere Vorkehrungen getroffen werden, um auch die senkrecht verlaufenden Abschnitte der Fotofolie zu belichten. Das Vorsehen der Flanken eliminiert weitestgehend senkrecht verlaufende Abschnitte zunächst der Isolierfolie und im Weiteren der Fotofolie, so dass eine Neigung der Belichtungseinrichtung entfallen kann.In the embodiment of 3 just became a single flank by way of example 28 drawn, this being done for purposes of illustration only. When exposing the photo film 40 Now no special arrangements must be made to expose the vertical sections of the photofinish. The provision of the flanks eliminates as far as possible vertically extending sections of the insulating film first and subsequently the photofilm, so that an inclination of the exposure device can be dispensed with.

Claims (16)

Verfahren zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche (29) eines Substrats (11), auf dem zumindest ein Bauelement (16, 19) angeordnet ist, bei dem zur Übertragung des Layouts eine lichtempfindliche Schicht (40) aus Kunststoffmaterial, die auf die Oberfläche (29) aufgebracht ist, selektiv belichtet wird, wobei vor dem Schritt des Belichtens der lichtempfindlichen Schicht (40) für zumindest manche der auf dem Substrat (11) angeordneten Bauelemente (16, 19) zumindest ein Positionsparameter erfasst und bei der Übertragung des Layouts berücksichtigt wird.Method for transferring a layout of a conductive structure onto a surface ( 29 ) of a substrate ( 11 ), on which at least one component ( 16 . 19 ), in which a photosensitive layer ( 40 ) made of plastic material, which on the surface ( 29 ) is selectively exposed, wherein prior to the step of exposing the photosensitive layer ( 40 ) for at least some of the on the substrate ( 11 ) arranged components ( 16 . 19 ) at least one position parameter is detected and taken into account in the transfer of the layout. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Positionsparameter einer Verarbeitungseinrichtung (53) zur Steuerung einer steuerbaren Belichtungseinheit (54), insbesondere einem Laser, als Korrekturdaten zugeführt wird, welche diesen zur Positionskorrektur von Steuerdaten, welche das zu erzielende Layout nachbilden, verwendet und eine Belichtung mit den korrigierten Steuerdaten bewirkt.Method according to claim 1, characterized in that the at least one position parameter of a processing device ( 53 ) for controlling a controllable exposure unit ( 54 ), in particular a laser, is supplied as correction data which this uses for position correction of control data which mimic the layout to be achieved, and effects an exposure with the corrected control data. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Positionsparameter für jedes Bauelement (16, 19) zumindest seine x- und y-Position auf dem Substrat (11) erfasst wird.Method according to Claim 1 or 2, characterized in that the position parameters for each component ( 16 . 19 ) at least its x and y position on the substrate ( 11 ) is detected. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die einem Bauelement (16, 19) zugeordneten Positionsparameter in einem Datensatz gespeichert werden, welcher dem Substrat (11) mit dem zumindest einen Bauelement (16, 19) zugeordnet ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the one component ( 16 . 19 ) are stored in a data set associated with the substrate ( 11 ) with the at least one component ( 16 . 19 ) assigned. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jedem zu belichtenden Substrat (11) ein Global-Datensatz mit den Datensätzen der Bauelemente (16, 19) zugeordnet wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that each substrate to be exposed ( 11 ) a global data record with the data records of the components ( 16 . 19 ). Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Substrat (11) mit einer, insbesondere optisch auslesbaren, Kennzeichnung versehen wird, deren Informationsgehalt dem Global-Datensatz hinzugefügt wird.Method according to claim 5, characterized in that each substrate ( 11 ) is provided with a, in particular optically readable, labeling whose information content is added to the global data set. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ermittlung des zumindest einen Positionsparameters vor oder nach dem Aufbringen einer Isolierfolie auf die Oberfläche (29) vorgenommen wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the determination of the at least one position parameter before or after the application of an insulating film on the surface ( 29 ) is made. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ermittlung des zumindest einen Positionsparameters ohne Zwischenschaltung weiterer Verarbeitungsschritte nach dem Aufbringen des zumindest einen Bauelements (16, 19) auf das Substrat (11) vorgenommen wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the determination of the at least one position parameter without the interposition of further processing steps after the application of the at least one component ( 16 . 19 ) on the substrate ( 11 ) is made. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtung mit einer Belichtungseinheit (54) vorgenommen wird, die gegenüber einer senkrechten Achse zu dem Substrat (11) neigbar ist, um eine Belichtung von senkrecht verlaufenden Abschnitten (26) der Bauelemente (16, 19) durchführen zu können.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the exposure with an exposure unit ( 54 ) which is opposite to a vertical axis to the substrate ( 11 ) is tiltable to an exposure of vertically extending sections ( 26 ) of the components ( 16 . 19 ). Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des Aufbringens der lichtempfindlichen Schicht (40) an im Wesentlichen senkrecht zu dem Substrat (11) verlaufende Abschnitte des zumindest einen Bauelements (16, 19) Flanken erzeugt werden, welche Seitenkanten (26) des Bauelements (16, 19) mit dem Substrat (11) in einem stetigen Übergang verbinden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that before the step of applying the photosensitive layer ( 40 ) at substantially perpendicular to the substrate ( 11 ) extending portions of the at least one component ( 16 . 19 ) Flanks are generated, which side edges ( 26 ) of the component ( 16 . 19 ) with the substrate ( 11 ) in a continuous transition. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtempfindliche Schicht (40) aus einem isolierenden Material gewählt wird und als Folie oder als Lack ausgebildet ist.Method according to one of the preceding claims che, characterized in that the photosensitive layer ( 40 ) is selected from an insulating material and is formed as a film or as a paint. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (29), auf welche die Schicht (40) aufgebracht, insbesondere laminiert, wird, eine dreidimensionale Struktur aufweist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the surface ( 29 ) to which the layer ( 40 ) is applied, in particular laminated, has a three-dimensional structure. Vorrichtung zum Übertragen eines Layouts einer leitenden Struktur auf eine Oberfläche (29) eines Substrats (11), auf dem zumindest ein Bauelement (16, 19) angeordnet ist, wobei zur Übertragung des Layouts eine lichtempfindliche Schicht (40) aus Kunststoffmaterial, die auf die Oberfläche (29) aufgebracht ist, selektiv zu belichten ist, mit – einer optischen Erfassungseinrichtung (50) zur Erfassung zumindest eines Positionsparameters für zumindest manche der auf dem Substrat (11) angeordneten Bauelemente (16, 19), – einer Verarbeitungseinrichtung (53) zur Steuerung einer steuerbaren Belichtungseinheit (54), welcher der zumindest eine Positionsparameter zuführbar ist, wobei die Verarbeitungseinrichtung (53) dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Positionsparameter bei der Steuerung der Belichtungseinheit (54) zu berücksichtigen.Device for transferring a layout of a conductive structure onto a surface ( 29 ) of a substrate ( 11 ), on which at least one component ( 16 . 19 ) is arranged, wherein for the transmission of the layout, a photosensitive layer ( 40 ) made of plastic material, which on the surface ( 29 ), is to be exposed selectively, with - an optical detection device ( 50 ) for detecting at least one position parameter for at least some of the on the substrate ( 11 ) arranged components ( 16 . 19 ), - a processor ( 53 ) for controlling a controllable exposure unit ( 54 ), which can be supplied to the at least one position parameter, wherein the processing device ( 53 ) is adapted to the at least one position parameter in the control of the exposure unit ( 54 ). Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Verarbeitungseinrichtung (53) dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Positionsparameter zur Korrektur von Steuerdaten, welche das zu erzielende Layout nachbilden, heranzuziehen.Apparatus according to claim 13, characterized in that the processing device ( 53 ) is adapted to the at least one position parameter for the correction of control data, which emulate the layout to be achieved, to use. Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtungseinheit (54) ein Laser ist.Apparatus according to claim 13 or 14, characterized in that the exposure unit ( 54 ) is a laser. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtungseinheit (54) gegenüber einer senkrechten Achse zu dem Substrat (11) oder das Substrat (11) gegenüber der Belichtungseinheit (54) steuerbar neigbar ist, um eine Belichtung von senkrecht verlaufenden Abschnitten der Bauelemente (16, 19) durchführen zu können.Device according to one of claims 13 to 15, characterized in that the exposure unit ( 54 ) with respect to a vertical axis to the substrate ( 11 ) or the substrate ( 11 ) opposite the exposure unit ( 54 ) is controllably tiltable to allow exposure of vertically extending portions of the components ( 16 . 19 ).
DE102006040728A 2006-08-31 2006-08-31 Method and device for producing an electronic module Withdrawn DE102006040728A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006040728A DE102006040728A1 (en) 2006-08-31 2006-08-31 Method and device for producing an electronic module
PCT/EP2007/059073 WO2008025832A1 (en) 2006-08-31 2007-08-30 Method and apparatus for manufacturing an electronic module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006040728A DE102006040728A1 (en) 2006-08-31 2006-08-31 Method and device for producing an electronic module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006040728A1 true DE102006040728A1 (en) 2008-03-13

Family

ID=38820324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006040728A Withdrawn DE102006040728A1 (en) 2006-08-31 2006-08-31 Method and device for producing an electronic module

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102006040728A1 (en)
WO (1) WO2008025832A1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0189781B1 (en) * 1985-01-28 1989-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for making a flat coil, and a flat coil for a shock wave tube
US5648854A (en) * 1995-04-19 1997-07-15 Nikon Corporation Alignment system with large area search for wafer edge and global marks
DE10128476A1 (en) * 2001-06-12 2003-01-02 Siemens Dematic Ag Optical sensor device for the visual detection of substrates
US20030208740A1 (en) * 2000-11-10 2003-11-06 Tourne Joseph A.A.M. System and method for monitoring and improving dimensional stability and registration accuracy of multi-layer PCB manufacture
US20060050940A1 (en) * 2002-12-20 2006-03-09 Ichitaroh Satoh System and method for detecting and correcting position deviations of an object having a curved surface

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5653019A (en) * 1995-08-31 1997-08-05 Regents Of The University Of California Repairable chip bonding/interconnect process
JP2003186173A (en) * 2001-12-18 2003-07-03 Fujitsu Ltd Pattern forming method
JP4190269B2 (en) * 2002-07-09 2008-12-03 新光電気工業株式会社 Device-embedded substrate manufacturing method and apparatus
DE102004018475A1 (en) * 2004-04-16 2005-11-10 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH A power semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0189781B1 (en) * 1985-01-28 1989-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for making a flat coil, and a flat coil for a shock wave tube
US5648854A (en) * 1995-04-19 1997-07-15 Nikon Corporation Alignment system with large area search for wafer edge and global marks
US20030208740A1 (en) * 2000-11-10 2003-11-06 Tourne Joseph A.A.M. System and method for monitoring and improving dimensional stability and registration accuracy of multi-layer PCB manufacture
DE10128476A1 (en) * 2001-06-12 2003-01-02 Siemens Dematic Ag Optical sensor device for the visual detection of substrates
US20060050940A1 (en) * 2002-12-20 2006-03-09 Ichitaroh Satoh System and method for detecting and correcting position deviations of an object having a curved surface

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008025832A1 (en) 2008-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2286644B1 (en) Method for integrating at least one electronic component into a printed circuit board, and printed circuit board
AT513047B1 (en) Method for embedding at least one component in a printed circuit board
EP1162569B1 (en) Method of producing a data carrier
DE112005001414T5 (en) Method for producing an electronic module
DE102008024928A1 (en) Electronic component mounting system and electronic component mounting method
DE60106978T2 (en) Method for producing a printed circuit board module
EP3111474B1 (en) Method for producing a printed circuit board with an embedded sensor chip, and printed circuit board
WO2012048357A1 (en) Method and system for providing a plate-shaped object that in particular contains a plurality of circuit board elements
DE102019210750B4 (en) METHOD FOR PRODUCING AN ARRANGEMENT WITH A SUBSTRATE AND TWO COMPONENTS WITH OPTICAL WAVE GUIDES
EP2663070A1 (en) Image sensor module for a camera, and method and bending tool for producing same
DE10311821B4 (en) Method and device for aligning substrate and printing stencil during solder paste printing
DE102010030070A1 (en) Method for producing an electrical connection and electrical connection
DE102015219830B3 (en) Method for producing a contact arrangement and contact arrangement
DE102006040728A1 (en) Method and device for producing an electronic module
EP2057677B1 (en) Method for manufacturing an electronic module
DE19625386A1 (en) Multilayer, double-sided, flexible or rigid electrical and optical circuit board production avoiding chemicals recovery
DE10059808A1 (en) Method of connecting an integrated circuit and a flexible circuit
DE102019129971A1 (en) Method for soldering a component onto a printed circuit board, electronic unit and field device in automation technology
DE102022119688B3 (en) Method for producing a metal-ceramic substrate and system for such a method
WO2023117362A1 (en) Smd component with bevelled edges
DE69733801T2 (en) METHOD AND PRODUCTION OF INCREASED METALLIC CONTACTS ON ELECTRICAL CIRCUITS FOR PERMANENT COMPOUNDS
DE202006020419U1 (en) conductor structure
WO2004070887A1 (en) Smt-enabled component and circuit board
DD226722A1 (en) TEMPLATE FOR POSITIONING AND FIXING OF SEPARABLE COMPONENTS
EP0379624A1 (en) Arrangement of a semiconductor component suited for surface mounting and process for mounting it on a circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee