DE102006027983A1

DE102006027983A1 - Butterfly antenna with amplifier for digital video broadcast reception by mobile devices, includes conductive bridging strips making electrical connection between wings

Info

Publication number: DE102006027983A1
Application number: DE102006027983A
Authority: DE
Inventors: Andre Hans Terstappen
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2005-09-02
Filing date: 2006-06-14
Publication date: 2007-03-22

Abstract

Conductive bridging strips (4a, 4b) join the two symmetrical wings (3a, 3b) of the antenna (1). Each strip is connected within the area of the wing and extends between the wings in a plane spaced away from them. The wings are trapezoidal with equal sides, or they are triangular. Their sides converge toward the opposite wing. There are two or more bridging strips, running parallel to the longitudinal extent of the wings. The bridging strips are curved or rectangular and are connected to the wings in their outer regions : The wings have side extensions and a reflector spaced away from their plane, which focuses onto it. The reflector is gutter-shaped, its line focus lying on the connecting line of the wings. The wings are conductive tracks on a circuit board. The feed point of the wings, is connected directly to the input of a high frequency push-pull amplifier (6) located between them. The amplifier is formed by a printed circuit on the same circuit board (2) as the wings. The amplifier is earthed by a connection with minimal high frequency inductive impedance. The length (d) of the connection is 0.002 lambda F and 0.01 lambda F, where lambda F is the wavelength of the antenna center frequency. The length equals 0.004 lambda F, where lambda F is 0.6 m. The high frequency amplifier is built using discrete components. Further details of the amplifier circuitry used, which includes a GaAs FET transistor and ceramic capacitors, are provided.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Empfangseinrichtung für Rundfunksignale, mit mindestens einer Antenne, die mindestens zwei Flügel aufweist, welche als flächig ausgedehnte Leiterstrukturen ausgebildet sind, die als Butterfly-Anordnung im wesentlichen in einer Ebene angeordnet sind und sich symmetrisch gegenüberliegen.The The present invention relates to a receiving device for broadcasting signals. with at least one antenna having at least two wings, which as a flat extended conductor structures are formed as a butterfly arrangement are arranged substantially in one plane and become symmetrical are opposite.

Empfangseinrichtungen für terrestrisch abgestrahlte TV- und Hörfunkprogramme umfassen in der Regel eine auf den jeweiligen Übertragungs-Frequenzbereich abgestimmte Antenne zum Signalempfang, die an die eigentliche Empfängerschaltung angeschlossen ist, in der Regel einen sogenannten Tuner oder Receiver zur Aufbereitung und Wiedergabe der übertragenen Programme.receiving devices for terrestrial radiated TV and radio programs usually include one on the respective transmission frequency range tuned antenna for signal reception, to the actual receiver circuit is connected, usually a so-called tuner or receiver for the preparation and reproduction of the transmitted programs.

Seit einiger Zeit werden Video-Signale digital im internationalen DVB-T – Standard (Digital Video Broadcasting – Terrestrial) übertragen. Ein Vorteil dieser Übertragungstechnik ist, dass TV- und Hörfunkprogramme digital, d.h. mit hoher Bild- und Tonqualität gesendet werden. Ein weiterer Vorteil ist, dass die Signale terrestrisch, also von erdgebundenen Sendern abgestrahlt werden, und zwar im UHF-Frequenzbereich (Band IV: 470 bis 606 MHz und Band V: 606 bis 862 MHz), so dass zum Empfang insbesondere keine speziellen Satelliten-Empfangseinrichtungen wie Parabol-Antennen oder dergleichen erforderlich sind. Damit können DVB-T-Receiver relativ einfach in mobile Geräte integriert werden, beispielsweise auch als Empfangsteile für tragbare Computer, Mobiltelefone und dergleichen.since For some time video signals become digital in the international DVB-T standard (Digital Video Broadcasting - Terrestrial). An advantage of this transmission technology is that TV and radio programs digital, i. be sent with high picture and sound quality. Another The advantage is that the signals are terrestrial, ie of terrestrial ones Transmitters in the UHF frequency range (Volume IV: 470-606 MHz and band V: 606 to 862 MHz), allowing for reception in particular no special satellite receivers like parabolic antennas or the like required are. With that you can DVB-T receivers are relatively easy to integrate into mobile devices, for example also as reception parts for portable computers, mobile phones and the like.

Derzeit werden räumlich begrenzte, dicht besiedelte Regionen mit DVB-T versorgt. Im Kernbereich der DVB-T-Sendezonen, die die dicht mit Sendeeinrichtungen abgedeckt sind, ist die Feldstärke zumeist so hoch, dass ein Empfang mit einer einfachen λ/4-Stabantenne oder einem Dipol möglich ist, der aus Draht geformt und an den Antenneneingang eines DVB-T-Receivers angeschlossen wird. In Schattenbereichen und in den Randbereichen der DVB-T-Sendezonen, wo die Feldstärke geringer ist, ist zumeist noch ein Empfang mit aktiven Antennen möglich, bei denen ein HF-Verstärker unmittelbar an den Stab oder Dipol angeschlossen ist. Als Sonderform der Dipol-Antennen ist ebenfalls die Verwendung von sogenannten Butterfly-Antennen bekannt. Deren besonderes Merkmal ist, dass die sich gegenüberliegenden λ/4-Dipolelemente als flächige Flügel ausgebildet sind, die in etwa dreieck- oder trapezförmig spitz zulaufende Leiterstrukturen – elektrisch leitende Platten oder Bügel – aufweisen, welche mit ihren zulaufenden Enden gegeneinander gerichtet sind. Die Butterfly-Flügel liegen in der Regel in einer im wesentlichen ebenen Fläche, die zum Empfang senkrecht zur Ausbreitungsrichtung der Wellen gestellt wird.Currently become spatially limited, densely populated regions supplied with DVB-T. In the core area the DVB-T broadcast zones, which are tightly covered with transmitting devices, the field strength is mostly so high that a reception with a simple λ / 4-rod antenna or a dipole possible is formed of wire and connected to the antenna input of a DVB-T receiver is connected. In shadow areas and in the border areas the DVB-T broadcast zones, where the field strength is lower, is usually still a reception with active antennas possible at which an RF amplifier connected directly to the rod or dipole. As a special form The dipole antenna is also the use of so-called Butterfly antennas known. Their special feature is that the opposite λ / 4 dipole elements as a flat Wing trained are, in approximately triangular or trapezoidal tapered conductor structures - electrical conductive plates or stirrups - have, which are directed with their tapered ends against each other. The butterfly wings usually lie in a substantially flat surface, the set to receive perpendicular to the propagation direction of the waves becomes.

Ein Vorteil der Butterfly-Antenne ist, dass sie gegenüber einem einfachen Dipol breitbandiger ist. Die Grenzen der Butterfly-Antenne werden jedoch erreicht, wenn die Empfangs-Feldstärke gering wird, was aufgrund der Ausbreitungscharakteristik im UHF-Bereich bereits bei relativ geringem Abstand vom Randbereich der DVB-T-Sendezonen der Fall ist. Der Empfang ist dann zwar durch Einsatz leistungsfähigerer Hochfrequenz-Verstärkerstufen mit hoher Eingangsempfindlichkeit immer noch möglich, diese sind jedoch relativ aufwendig, entsprechend kostspielig und müssen auf die jeweilige Empfangs-Feldstärke eingestellt werden, um eine Übersteuerung durch zu hohe Feldstärken zu vermeiden. Eine weitere Möglichkeit zur Erhöhung des Antennengewinns von Butterfly-Antennen im unteren Frequenzbereich, beispielsweise um 500 MHz, besteht darin, die Flügel zu verlängern. Nachteilig daran ist jedoch, dass damit zugleich eine Verschlechterung der Eigenschaften im oberen Frequenzbereich verbunden ist, also beispielsweise bei 800 MHz. Außerdem wird die Antenne mit zunehmender Größe unhandlicher, was insbesondere bei mobiler Nutzung stört.One Advantage of the butterfly antenna is that they are opposite one simple dipole broadband is. The limits of the butterfly antenna however, are reached when the reception field strength becomes low, due to the propagation characteristic in the UHF range already at relative short distance from the edge area of the DVB-T transmission zones. The reception is then through the use of more powerful high-frequency amplifier stages still possible with high input sensitivity, but these are relative consuming, correspondingly expensive and must be set to the respective reception field strength be overdriven due to excessive field strengths to avoid. One more way to increase the antenna gain of butterfly antennas in the lower frequency range, for example, around 500 MHz, is to extend the wings. The disadvantage of this, however, is that at the same time a deterioration of the properties in the upper Frequency range is connected, so for example at 800 MHz. Furthermore As the size increases, the antenna becomes more cumbersome, which in particular interferes with mobile use.

Angesichts der vorangehend erläuterten Situation ergibt sich die Motivation, insbesondere für den Empfang von DVB-T-Signalen eine verbesserte Empfangseinrichtung zu schaffen, welche die genannten Probleme vermeidet. Es soll ferner eine Verstärkerschaltung zur Verfügung gestellt werden, die eine gute Hochfrequenzverstärkung bei geringen parasitären Effekten ermöglicht.in view of the previously explained Situation results in the motivation, especially for the reception of DVB-T signals to provide an improved receiving device, which avoids the problems mentioned. It should also be an amplifier circuit to disposal which are a good high-frequency gain with low parasitic effects allows.

Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass mindestens eine im wesentlichen streifenförmige Verbindungsbrücke die beiden Flügel miteinander leitend verbindet, wobei die Verbindungsbrücke jeweils innerhalb der Fläche der Flügel angeschlossen ist und sich mit Abstand zu der Ebene der Flügel zwischen den Flügeln erstreckt.According to the invention, it is proposed that at least one substantially strip-shaped connecting bridge the two wings interconnecting with each other, wherein the connecting bridge respectively within the area the wing is connected and spaced by the level of the wings between the wings extends.

Gemäß der Erfindung wird die an sich bekannte, im wesentlichen ebene Butterfly-Antenne zu einer 3-dimensionalen Antennenstruktur erweitert. Konkret wird dies durch zumindest ein flächiges, langgestrecktes Verbindungselement erreicht. Dieses ist an seinen Enden leitend innerhalb deren Längserstreckung mit den Flügeln verbunden und überspannt den dazwischen liegenden Bereich mit Abstand zur Ebene der Flügel. Der größte Abstand zwischen den Flügeln und der Verbindungsbrücke kann bei einer typischen Gesamtlänge der Butterfly-Anordnung von 100 bis 140 mm bei etwa 5 bis 20 mm liegen. Andere Verhältnisse sind nach Maßgabe der jeweiligen Anwendung ebenfalls möglich.According to the invention, the per se known, substantially planar butterfly antenna is expanded to a 3-dimensional antenna structure. Specifically, this is achieved by at least one flat, elongated connecting element. This is conductively connected at its ends within its longitudinal extent with the wings and spans the intermediate region at a distance from the plane of the wings. The largest distance between the wings and the connecting bridge can be at a typical total length of the butterfly assembly of 100 to 140 mm at about 5 to 20 mm lie. Other conditions are also possible according to the particular application.

Ein besonderer Effekt der erfindungsgemäßen Verbindungsbrücken ist, dass die Bandbreite der Butterfly Anordnung zu niedrigeren Frequenzen hin erweitert wird, und zwar so ähnlich, als ob die Butterfly-Flügel in der Längserstreckung vergrößert würde. Man erhält also einen größeren Antennengewinn bei besonders kompakten Abmessungen.One special effect of the connecting bridges according to the invention, that the bandwidth of the butterfly arrangement to lower frequencies is extended, and in a similar way, as if the butterfly wings in the longitudinal direction would be enlarged. you receives So a bigger antenna gain in particularly compact dimensions.

Ein weiterer besonderer Vorteil besteht darin, dass der Antennengewinn im oberen Frequenzbereich nicht beeinträchtigt wird. Bislang wurde nämlich eine Vergrößerung des Antennengewinns durch eine Vergrößerung der Antennenabmessungen immer erkauft durch eine Verkleinerung des Antennengewinns bei höheren Frequenzen, z. B. bei einer λ/4-Anpassung einer Stabantenne, die eine längere Antenne für niedrigere Frequenzen erforderlich macht. Durch die erfindungsgemäßen Verbindungsbrücken wird dieser Zielkonflikt erstmals ohne Kompromisse gelöst. Die Antenne kann kompakter gestaltet werden als im Stand der Technik und hat gleichzeitig einen verbesserten Antennengewinn über einen größeren Frequenzbereich. Im Vergleich dazu wäre beispielsweise eine Stabantenne, wie sie zum DVB-T-Empfang häufig verwendet wird, mindestens doppelt so lang wie die erfindungsgemäße Antenne und würde bei höheren Frequenzen eine deutlich schlechtere Empfindlichkeit haben.One Another particular advantage is that the antenna gain is not affected in the upper frequency range. So far namely an enlargement of the Antenna gain by increasing the Antenna dimensions always bought by a reduction of the antenna gain at higher Frequencies, e.g. B. at a λ / 4 adjustment a rod antenna that has a longer antenna for lower Frequencies required. By connecting bridges according to the invention is This conflict of objectives was first resolved without compromise. The Antenna can be made more compact than in the prior art and at the same time has an improved antenna gain over one larger frequency range. In comparison would be For example, a rod antenna, as often used for DVB-T reception is at least twice as long as the antenna according to the invention and would at higher Frequencies have a significantly lower sensitivity.

Durch ihre kompakten Abmessungen ist die erfindungsgemäße Antennenanordnung besonders gut geeignet zum Betrieb mobiler DVB-T-Empfänger, und zwar besonders auch in Randbereichen der DVB-T-Sendezonen, wo die Sende-Feldstärke bereits relativ gering ist.By their compact dimensions, the antenna arrangement according to the invention is particularly good suitable for the operation of mobile DVB-T receivers, and especially in peripheral areas of the DVB-T broadcast zones, where the transmission field strength is already is relatively low.

Vorzugsweise sind die Flügel gleichschenklig-trapezförmig bzw. dreieckig geformt, wobei die Seiten zum gegenüberliegenden Flügel hin zusammenlaufen. Dadurch wird bezüglich des in der Mitte zwischen den beiden Flügeln liegenden Einspeisepunkts eine symmetrische, schmetterlingsartige Struktur gebildet.Preferably are the wings isosceles trapezoid or triangular shaped, with the sides to the opposite wing converge. This will mean in the middle between the two wings lying feeding point a symmetrical, butterfly-like structure educated.

Eine besonders vorteilhafte Ausführung der Erfindung sieht vor, dass mindestens zwei Verbindungsbrücken angebracht sind, und zwar vorzugsweise parallel zueinander. Die Verbindungsbrücken können damit symmetrisch zur Anordnung der Flügel angeordnet sein, das heißt auf beiden Seiten parallel zur Längserstreckung der Flügel. Durch die offene Anordnung aus zwei Streifen erhält die Verbindungsbrücke offensichtlich hochfrequenzmäßig eine größere Fläche, ohne den Empfang der dahinter liegenden der Butterfly-Anordnung zu beeinträchtigen. Die jeweils zur Mitte der Antenne zusammenlaufenden Flügel werden sind bei dieser symmetrischen Anordnung durch die erfindungsgemäßen Verbindungsbrücken jeweils in den Bereichen der äußeren Flügelspitzen miteinander verbunden.A particularly advantageous embodiment The invention provides that at least two connecting bridges attached are, preferably parallel to each other. The connection bridges can use it arranged symmetrically to the arrangement of the wings be, that is on both sides parallel to the longitudinal extent the wing. Due to the open arrangement of two strips, the connecting bridge becomes apparent high frequency one larger area, without to affect the reception of the underlying of the butterfly arrangement. The converging to the middle of the antenna wings are are in this symmetrical arrangement by the connecting bridges according to the invention respectively in the areas of the outer wing tips connected with each other.

Bevorzugt sind die Verbindungsbrücken bogenförmig ausgebildet. Das bedeutet, dass eine Verbindungsbrücke bezüglich ihrer Fläche so durchgebogen ist, dass sie die beiden Flügel in einem Bogenabschnitt überspannt, wobei der Abstand zur Fläche der Flügel im Scheitelpunkt, d.h in der Mitte über der Symmetrieachse der beiden Flügel am größten ist.Prefers are the connection bridges arc educated. This means that a connecting bridge with respect to their area so bent that it spans the two wings in an arc section, the distance to the surface of the wing in the apex, that is, in the middle above the axis of symmetry of the two wings is greatest.

Alternativ können die Verbindungsbrücken rechteckförmig ausgebildet sein. In dieser Ausführung verlaufen sie vom Anschlusspunkt senkrecht vom Flügel hoch, dann abgeknickt parallel zu den Flügeln und über dem gegenüberliegenden Flügel entsprechend senkrecht nach unten.alternative can the connecting bridges formed rectangular be. In this version they run up from the connection point vertically from the wing, then bent parallel to the wings and over the opposite Wings accordingly vertically down.

Zur Anpassung und Optimierung der spezifischen Vorteile der Erfindung können Abmessungen, Anzahl und Form der Verbindungsbrücken auch abweichend von den vorangehend beschriebenen vorteilhaften Ausführungsformen gestaltet werden.to Adaptation and optimization of the specific advantages of the invention can Dimensions, number and shape of the connecting bridges also differ from the previously described advantageous embodiments are designed.

Üblicherweise sind die Verbindungsbrücken im äußeren Bereich an die Flügel angeschlossen ist, beispielweise in den äußeren 25% bis 2% bezogen auf die Längsabmessung der Flügel.Usually are the connection bridges in the outer area to the wings connected, for example, in the outer 25% to 2% based on the longitudinal dimension the wing.

Eine vorteilhafte Ausführung der Erfindung sieht vor, dass sich von den Flügeln im Bereich unter der Verbindungsbrücke seitliche Ausleger erstrecken. Dabei handelt es sich um Erweiterungen der Flügel, die von der Butterfly-Grundstruktur in der Ebene der Flügel liegend seitlich abstehen. Diese Ausleger können streifenförmig, winkel- oder auch T-förmig. Sie können unter den Verbindungsbrücken seitlich vorstehen. Durch die Größe und Form der Ausleger ist eine weitere Optimierung der Antenneneigenschaften möglich.A advantageous embodiment The invention provides that of the wings in the area below the connecting bridge lateral Extend boom. These are extensions of the wings, the from the butterfly basic structure lying in the plane of the wings protrude laterally. These cantilevers can be strip-shaped, angular or T-shaped. You can under the connection bridges on the side protrude. Due to the size and shape the boom is a further optimization of antenna characteristics possible.

Bei einer bevorzugten Weiterentwicklung der Erfindung ist mit Abstand zur Ebene der Flügel ein Reflektor angebracht, dessen Fokus in der Ebene der Flügel liegt. Dadurch kann die Feldstärke auf die Butterfly-Anordnung konzentriert werden, wodurch der Antennengewinn erhöht wird. Durch einen Parabolreflektor ergibt sich eine besonders kompakte Anordnung bei nochmals gesteigerter Empfangsleistung. Bevorzugt wird der Reflektor rinnenförmig ausgebildet ist, dessen linienförmiger Fokus auf der Verbindungslinie der beiden Flügel liegt. Dadurch ist die Geometrie des Reflektors optimal an die Geometrie der Butterfly-Flügel-Anordnung angepasst. Außerdem lässt sich der Reflektor als gebogenes Blech-, Gitter- oder Folienteil besonders einfach, kostengünstig und dennoch präzise fertigen.at A preferred development of the invention is by far to the level of the wings mounted a reflector whose focus is in the plane of the wings. This can change the field strength be focused on the butterfly arrangement, reducing the antenna gain is increased. A parabolic reflector results in a particularly compact Arrangement with further increased reception power. Prefers the reflector becomes channel-shaped is formed, whose line-shaped Focus is on the connecting line of the two wings. This is the result Geometry of the reflector optimally to the geometry of the butterfly-wing assembly customized. In addition, can be the reflector as a bent sheet metal, mesh or foil part especially simple, inexpensive and yet precise finished.

Eine vorteilhafte Ausführung der Erfindung sieht vor, dass die beiden Flügel als Leiterbahnen einer Leiterplatte ausgebildet sind. Derartige Leiterplatten sind als Platinen zum Aufbau von gedruckten Schaltungen seit langem bekannt. Dabei handelt es sich um Platten aus nichtleitendem Material, zumeist Epoxy-Material, die mit einer Kupferschicht versehen sind, aus der in der Regel durch Ätzverfahren einzelne Leiterbahnen gebildet werden. Auf diese Weise ist es möglich, die erfindungsgemäßen Butterfly-Flügel als leitende Flächen auf einer solchen Leiterplatte einfach und kostengünstig herzustellen. Die erfindungsgemäßen Verbindungsbügel können einfach auf die leitenden Flächen aufgelötet werden.An advantageous embodiment of the invention provides that the two wings are formed as tracks of a printed circuit board. Such printed circuit boards have long been known as circuit boards for building printed circuits. These are plates made of non-conductive material, usually epoxy material, which are provided with a copper layer, from which individual tracks are usually formed by etching. In this way it is possible to manufacture the butterfly blades according to the invention as conductive surfaces on such a printed circuit board simply and inexpensively. The connecting straps according to the invention can simply be soldered onto the conductive surfaces.

Auch wird vorgeschlagen, dass ein Anschluss des Hochfrequenzverstärkers derart mit einem Massepotential verbunden ist, dass der induktive Hochfrequenzwiderstand der Verbindung minimal ist. Hierbei ist die Verschaltung insbesondere derart, dass im Wechselstrombetrieb der Anschluss im Wesentlichen auf Massepotential liegt. Bevorzugt ist ein Widerstand von weniger als 1 Ohm, bevorzugt wenige mOhm. Um einen Kurzschluss mit der Masse für Gleichanteile zu verhindern, sind bevorzugt Kapazitäten zwischen Anschluss und Masse angeordnet.Also It is proposed that a connection of the high frequency amplifier in such a way connected to a ground potential that the inductive high frequency resistance the connection is minimal. Here, the interconnection is particular such that in AC operation the terminal is substantially is at ground potential. Preferred is a resistance of less as 1 ohm, preferably a few mOhm. To make a short circuit to the ground for equal shares Prevent capacities between connection and Mass arranged.

Diese Ausgestaltung ist bereits eigenständig auf einer erfinderischen Idee beruhend und unabhängig vom Gegenstand des Anspruchs 1 erfinderisch.These Design is already self-contained on an inventive Idea based and independent from the subject of claim 1 inventive.

Eine Ausführung der Butterfly-Struktur auf einer Leiterplatte wie sie nachfolgend erläutert wird, hat den Vorteil, dass eine aktive Antenne mit integriertem Verstärker einfach dadurch realisiert werden kann, dass ein Verstärker als gedruckte Schaltung zusammen mit den Flügeln auf derselben Leiterplatte aufgebaut sein kann. Dadurch kann ein günstig herstellbarer und zugleich besonders kompakter Aufbau realisiert werden.A execution the butterfly structure on a circuit board as below explained It has the advantage that an active antenna with integrated amplifier is easy can be realized by using an amplifier as a printed circuit along with the wings can be constructed on the same circuit board. This can be a Cheap realized and at the same time very compact design realized become.

Dadurch, dass der Anschluss der Hochfrequenzverstärkers derart mit einem Massepotential verbunden ist, dass der induktive Hochfrequenzwiderstand der Verbindung minimal ist, wird erreicht, dass der Verstärkergewinn maximiert wird. Im Wechselspannungsbetrieb ist die Verbindung bevorzugt ein elektrischer Kurzschluss, wohingegen im Gleichspannungsbetrieb ein ohmscher Widerstand notwendig ist, um den Verstärker vor einem Kurzschlussstrom zu schützen. Es hat sich gezeigt, dass beim Leiterplattendesign die freie Wegstrecke der Leiterbahn zwischen dem Anschluss des Hochfrequenzverstärkers und dem Massepotential minimal sein muss.Thereby, the connection of the high-frequency amplifier is thus connected to a ground potential is that the inductive high frequency resistance of the connection is minimal is achieved is that the amplifier gain is maximized. In AC operation, the connection is preferably an electrical Short circuit, whereas in DC operation, an ohmic resistance necessary to the amplifier to protect against a short-circuit current. It has shown, that in printed circuit board design, the free path of the conductor between the connection of the high-frequency amplifier and the ground potential must be minimal.

Besonders bevorzugt hat sich eine freie Weglänge der Leiterbahn zwischen Massepotential und Anschluss von 0,002 λ_F bis 0,01 λ_F herausgestellt. Hierbei ist λ_F die Wellenlänge der mittleren Empfangsfrequenz. Bevorzugt ist beispielsweise eine freie Weglänge von 1,5 mm. Bei einer Betriebswellenlänge von 0,6 m ergibt sich somit ein Verhältnis von 0,0025, welches bevorzugt ist. Für eine Betriebswellenlänge von 0,375 m ergibt sich für die Länge der Verbindung ein Verhältnis von 0,004.Particularly preferably, a free path length of the track between ground potential and terminal of 0.002 λ _F to 0.01 λ _{F has been} found. Here, λ _{F is} the wavelength of the average reception frequency. For example, a free path length of 1.5 mm is preferred. With an operating wavelength of 0.6 m, this results in a ratio of 0.0025, which is preferred. For an operating wavelength of 0.375 m, the ratio of the length of the connection is 0.004.

Bevorzugt ist ebenfalls, wenn die freie Weglänge zwischen 1,5 mm und 2,5 mm liegt. Bei einer Weglänge von 2,5 mm ergibt sich ein Verhältnis von Länge der Verbindung zur Betriebswellenlänge zwischen bevorzugt 0,0042 und 0,0067.Prefers is also when the free path is between 1.5mm and 2.5 mm is located. At a path length of 2.5 mm results in a ratio of length the connection to the operating wavelength between preferably 0.0042 and 0.0067.

Es hat sich überraschenderweise herausgestellt, dass gerade diese freien Weglängen einen guten Kompromiss zwischen Leiterplattendesign und Verstärkergewinn darstellen. Beim Leiterplattendesign muss darauf geachtet werden, dass der Hochfrequenzverstärker, der bevorzugt diskret aus einem Transistor gebildet ist, zwischen Antenne und Massepotential angeordnet ist. Bei einer Verwendung eines FET Transistors ergibt sich ein bevorzugtes Layout bei dem bevorzugt der Source-Anschluss des Transistors derart auf der Leiterplatte angeordnet ist, dass diese maximal 2,5 mm lang ist, bis sie an die Anschlussfläche der Masse-Kondensatoren kontaktiert ist.It has surprisingly proved that just these free path lengths make a good compromise represent between PCB design and amplifier gain. At the PCB design must be taken to ensure that the high frequency amplifier, the preferably discretely formed from a transistor, between antenna and ground potential is arranged. When using a FET Transistor results in a preferred layout in the preferred the source terminal of the transistor in such a way on the circuit board is arranged that this is a maximum of 2.5 mm long, until they reach the terminal area the ground capacitors is contacted.

Besonders bevorzugt ist eine hochohmige Ankopplung des Transistors an die passive Antennenstruktur, dies wird durch Verwendung eines Feldeffekttransistors erreicht. Hierbei wird bevorzugt, wenn der Gate-Anschluss des Transistors mit der Antenne verbunden ist und der Source-Anschluss des Transistors mit dem Massepotential. Bei FET Transistoren wird häufig für den Gate-Anschluss und den Drain-Anschluss ein Kontaktsockel verwendet. Für den Source-Anschluss werden oft zwei schräg gegenüberliegende Anschlusssockel verwendet. In diesem Fall wird vorgeschlagen, dass jeder dieser Anschlusssockel derart auf der Leiterbahn angeordnet ist, dass die Verbindung zu den Anschlussflächen der Kapazitäten, die wechselstrommäßig die Masseverbindung herstellen, zwischen 1,5 mm und 2,5 mm liegt.Especially preferred is a high-impedance coupling of the transistor to the passive antenna structure, this is done by using a field effect transistor reached. In this case, it is preferred if the gate terminal of the transistor is connected to the antenna and the source terminal of the transistor to the ground potential. When FET transistors become common for the Gate terminal and the drain terminal uses a contact socket. For the Source connection are often two diagonally opposite connection sockets used. In this case it is suggested that each of these Terminal base is arranged on the conductor track such that the Connection to the connection surfaces the capacities, the AC Make ground connection, between 1.5 mm and 2.5 mm.

Ebenfalls bevorzugt ist eine niederohmige Ankopplung, bei der die Antenne über den Source-Anschluss mit dem Transistor verbunden ist und bei der der Gate-Anschluss des Transistors wechselstrommäßig mit dem Massepotential verbunden ist.Also preferred is a low-impedance coupling, wherein the antenna over the Source terminal is connected to the transistor and at the Gate terminal of the transistor AC-current with the ground potential connected is.

Um zu verhindern, dass Gleichanteile der Versorgungsspannung über den Source-Anschluss mit Masse kurzgeschlossen sind, wird vorgeschlagen, dass zwischen dem Massepotential und dem Transistor zumindest zwei parallel geschaltete Kondensatoren angeordnet sind. Bevorzugt ist, wenn über jeweils einen Anschlusskontakt jeweils zwei parallel geschaltete Kondensatoren mit Massepotential verbunden sind. Bevorzugt sind Keramik-Kondensatoren, wobei die beiden parallel geschalteten Kondensatoren bevorzugt ein 1 nF und 100 nF haben.In order to prevent DC components of the supply voltage from being short-circuited to ground via the source connection, it is proposed that at least two capacitors connected in parallel be arranged between the ground potential and the transistor. It is preferred if in each case two parallel-connected capacitors are connected to ground potential via in each case one connection contact. Preference is given to ceramic condensates gates, wherein the two capacitors connected in parallel preferably have a 1 nF and 100 nF.

Die vorgenannte Ausführung der Butterfly-Struktur auf einer Leiterplatte hat den weiteren wesentlichen Vorteil, dass eine aktive Antenne mit integriertem Verstärker einfach dadurch realisiert werden kann, dass ein Verstärker als gedruckte Schaltung zusammen mit den Flügeln auf derselben Leiterplatte aufgebaut sein kann. Dadurch kann ein günstig herstellbarer und zugleich besonders kompakter Aufbau realisiert werden.The aforementioned design the butterfly structure on a circuit board has the other essential Advantage that an active antenna with integrated amplifier easy can be realized by using an amplifier as a printed circuit along with the wings can be constructed on the same circuit board. This can be a inexpensive to produce and at the same time a particularly compact construction can be realized.

Es ist vorteilhaft, dass der Verstärker zwischen den Flügeln angeordnet ist. Im Zentrum der Butterfly-Antenne, wo die zulaufenden Spitzen der Flügel gegeneinander gerichtet sind, befindet sich der Einspeisepunkt der Antenne. Dort können dann die Flügel bevorzugt direkt mit den Eingängen der Verstärkerschaltung verbunden sein. Dadurch können die Verbindungsleitungen zwischen den Flügeln und dem Verstärker als kurze Leiterbahnen ausgebildet werden, was im Hinblick auf geringe Verluste, einfache Herstellung und kompakten Aufbau Vorteile bringt.It is advantageous that the amplifier between the wings is arranged. In the center of the butterfly antenna, where the tapered Tips of the wings directed against each other, is the entry point of the Antenna. There you can then the wings preferably directly with the entrances the amplifier circuit be connected. Thereby can the connecting lines between the wings and the amplifier as short interconnects are formed, resulting in regard to low Losses, ease of manufacture and compact construction brings benefits.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:The Invention will be described below with reference to an embodiment with reference explained in more detail in the accompanying drawings. In detail show:

1 eine Draufsicht auf die Ebene der Butterfly-Flügel einer erfindungsgemäßen DVB-T-Empfangseinrichtung; 1 a plan view of the plane of the butterfly wing of a DVB-T receiving device according to the invention;

2 ein schematisches Blockschaltbild einer Beschaltung eines Transistors gemäß eines Ausführungsbeispiels; 2 a schematic block diagram of a circuit of a transistor according to an embodiment;

3 eine schematische Ansicht einer Leiterplatte für eine Beschaltung eines Transistors gemäß eines Ausführungsbeispiels; 3 a schematic view of a circuit board for a circuit of a transistor according to an embodiment;

4 ein schematisches Blockschaltbild einer Verstärkerschaltung; 4 a schematic block diagram of an amplifier circuit;

5 eine Längs-Seitenansicht der DVB-T-Empfangseinrichtung gemäß 1; 5 a longitudinal side view of the DVB-T receiving device according to 1 ;

6 eine Quer-Seitenansicht der DVB-T-Empfangseinrichtung gemäß 1; 6 a transverse side view of the DVB-T receiving device according to 1 ;

7 eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen DVB-T-Empfangseinrichtung; 7 a second embodiment of a DVB-T receiving device according to the invention;

8 eine dritte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen DVB-T-Empfangseinrichtung in einer Ansicht wie in 6. 8th a third embodiment of a DVB-T receiving device according to the invention in a view as in 6 ,

In 1–8 ist eine erfindungsgemäße DVB-T-Empfangseinrichtung, nämlich eine aktive Antenne dargestellt und als Ganzes mit dem Bezugszeichen 1 versehen. Diese umfaßt eine ebene Leiterplatte 2 aus Isoliermaterial. Darauf befinden sich zwei leitende Flächen, welche die Flügel 3a und 3b einer Butterfly-Antenne bilden. Diese Flügel 3a und 3b sind als gleichschenklige Dreiecke ausgebildet, welche sich symmetrisch gegenüberliegen, so dass ihre spitz zulaufenden Enden gegeneinander gerichtet sind. Im Zentrum zwischen den Flügeln 3a und 3b befindet sich der Einspeisepunkt der Butterfly-Anordnung.In 1 - 8th is a DVB-T receiving device according to the invention, namely an active antenna shown and as a whole by the reference numeral 1 Mistake. This includes a flat circuit board 2 made of insulating material. On it are two conductive surfaces, which are the wings 3a and 3b form a butterfly antenna. These wings 3a and 3b are formed as isosceles triangles, which are symmetrically opposed, so that their tapered ends are directed against each other. In the center between the wings 3a and 3b is the feeding point of the butterfly arrangement.

Zwei schraffiert hervorgehobene, streifenförmige Verbindungsbrücken 4a und 4b verbinden die beiden Flügel 3a und 3b miteinander leitend. Die Verbindungsbrücken 4a und 4b werden durch parallel angeordnete Metallblechstreifen bzw. Folienstreifen gebildet, die jeweils innerhalb der Fläche der Flügel 3a und 3b im äußeren Bereich an den Anschlussstellen 5 angeschlossen sind, beispielsweise aufgelötet. Wie besonders gut aus der Seitenansicht von 5 erkennbar ist, erstrecken sich die Verbindungsbrücken 4a und 4b zwischen den Anschlussstellen 5 bogenförmig mit Abstand zu der Leiterplatte 2 zwischen den Flügeln 3a und 3b. Dadurch wird eine 3-dimensionale Antennenstruktur gebildet.Two hatched highlighted, strip-shaped connecting bridges 4a and 4b connect the two wings 3a and 3b guiding each other. The connecting bridges 4a and 4b are formed by parallel sheet metal strips or film strips, each within the surface of the wings 3a and 3b in the outer area at the connection points 5 are connected, for example, soldered. How very good from the side view of 5 can be seen, the connecting bridges extend 4a and 4b between the connection points 5 arcuate with distance to the circuit board 2 between the wings 3a and 3b , This forms a 3-dimensional antenna structure.

Im zentralen Bereich zwischen den Flügeln 3a und 3b ist ein Verstärker 6 angeordnet. Dessen Eingänge sind mit den Spitzen der Flügel 3a und 3b verbunden. Es ist vorteilhaft, dass der Verstärker zwischen den Flügeln 3a und 3b angeordnet ist. Im Zentrum der Butterfly-Antenne, wo die zulaufenden Spitzen der Flügel gegeneinander gerichtet sind, befindet sich der Einspeisepunkt der Antenne. Dort können dann die Flügel bevorzugt direkt mit den Eingängen der Verstärkerschaltung verbunden sein. Dadurch können die Verbindungsleitungen zwischen den Flügeln und dem Verstärker als kurze Leiterbahnen ausgebildet werden, was im Hinblick auf geringe Verluste, einfache Herstellung und kompakten Aufbau Vorteile bringt.In the central area between the wings 3a and 3b is an amplifier 6 arranged. Its entrances are with the tips of the wings 3a and 3b connected. It is advantageous that the amplifier between the wings 3a and 3b is arranged. In the center of the butterfly antenna, where the tapered tips of the wings are directed against each other, is the feeding point of the antenna. There, the wings can then preferably be connected directly to the inputs of the amplifier circuit. As a result, the connecting lines between the wings and the amplifier can be formed as short interconnects, which brings advantages in terms of low losses, ease of manufacture and compact design.

Vorzugsweise ist der Verstärker als push-pull-Verstärker aufgebaut. Dabei handelt es sich um eine Verstärkeranordnung mit zwei symmetrisch angeordneten Eingangstransistoren, die auf einen Übertrager arbeiten. Aufgrund der 180°-Signalumkehr werden Intermodulationsverzerrungen 2. Ordnung eliminiert und durch die Splittung des Signals (–3 dB) auf die beiden Transistoren Intermodulationsverzerrungen 3. Ordnung verringert. Der besondere Vorteil daran ist, dass diese aktive Antennenschaltung großsignalfest ist, d.h. selbst stark einfallende Sender rufen keine Verzerrungen hervor. Damit ist die erfindungsgemäße Empfangseinrichtung gleichermaßen für den Empfang in Randbereichen als auch in Kernbereichen der DVB-T Sendezonen geeignet, also besonders für eine mobile Anwendung.Preferably, the amplifier is constructed as a push-pull amplifier. It is an amplifier arrangement with two symmetrically arranged input transistors, which operate on a transformer. Due to the 180 ° signal reversal, intermodulation distortions 2 , Eliminates order and by splitting the signal (-3 dB) on the two transistors intermodulation distortions 3 , Reduced order. The particular advantage of this is that this active antenna circuit is high signal strength, ie even strong incident transmitters do not cause distortions. Thus, the receiving device according to the invention is equally suitable for reception in peripheral areas as well as in core areas of the DVB-T transmission zones suitable, so especially for a mobile application.

Bevorzugt werden für den Verstärker Feldeffekt-Transistoren (FET) eingesetzt, die eine hochohmige Ankopplung der Antenne gewährleisten. Besonders gute Ergebnisse werden mit extrem rauscharmen PHEMT-FETs und HJ-FETs auf Gallium-Arsenid-Basis erreicht.Prefers be for the amplifier Field effect transistors (FET) used to ensure a high-impedance coupling of the antenna. Particularly good results are achieved with extremely low-noise PHEMT FETs and gallium-arsenide-based HJ-FETs.

2 zeigt eine Hälfte der symmetrisch angeordneten Verstärkerschaltung 6. Die Anordnung ist mit einem Flügel 3a elektrisch verbunden. Die Anordnung weist einen Stromteiler R1, R2, einen Transistor T1, einen Widerstand R3, Kapazitäten C1, C2 und C3, sowie eine Induktivität L1 auf. 2 shows one half of the symmetrically arranged amplifier circuit 6 , The arrangement is with a wing 3a electrically connected. The arrangement comprises a current divider R1, R2, a transistor T1, a resistor R3, capacitances C1, C2 and C3, and an inductance L1.

Der Transitstor T1 wird über die Induktivität L1 mit der Versorgungsspannung VCC gespeist. Die Induktivität L1 entkoppelt den Transistor T1 von der Versorgungsspannung VCC im Hochfrequenzbereich. Über die Kapazität C3 wird das verstärkte Hochfrequenzsignal ausgekoppelt. Die Verstärkerschalt operiert wie folgt:
Das über den Flügel 3a empfangene Hochfrequenzsignal wird über den Stromteiler R1, R2 an den Gate-Anschluss des Transistors T1 angelegt. Das an Gate des Transistors T1 anliegende Signal liegt über den Source-Anschluss des Transistors T1 und den Widerstand R3 an Masse. Das zwischen Gate und Source-Anschluss des Transistors T1 anliegende Signal wird durch den Transistor T1 verstärkt und ein verstärktes Signal liegt zwischen Drain und Source-Anschluss des Transistors T1 an. Im Hochfrequenzbereich muss der Widerstand zwischen dem Source-Anschluss des Transistors T1 und dem Massepotential möglichst gering sein. Im Hochfrequenzbereich ergeben sich zwischen dem Source-Anschluss des Transistors T1 und dem Massepotential parasitäre Effekte. Die Leiterbahn ist ein Hochfrequenzwiderstand aus kapazitiven und induktiven Elementen. Schließlich ergeben sich kapazitive Widerstände durch die Kapazitäten C1 und C2. Im Hochfrequenzbereich sollte der Source-Anschluss des Transistors T1 wechselstrommäßig möglicht niederohmig an den Massepotential anliegen. Ein Kurzschluss kann nicht realisiert werden, da ansonsten im niederfrequenten oder Gleichstrombereich die Versorgungsspannung VCC über die Induktivität L1 unmittelbar an Masse anliegen würde und der Transistor T1 zerstört würde. Daher sind Kapazitäten C1 und C2 vorgesehen. Diese sind bevorzugt mit 1 nF und 100 NF ausgelegt.The transit gate T1 is fed via the inductance L1 with the supply voltage VCC. The inductance L1 decouples the transistor T1 from the supply voltage VCC in the high-frequency range. The amplified high-frequency signal is decoupled via the capacitance C3. The amplifier switch operates as follows:
That over the wing 3a received high-frequency signal is applied via the current divider R1, R2 to the gate terminal of the transistor T1. The signal applied to the gate of the transistor T1 is grounded via the source terminal of the transistor T1 and the resistor R3. The signal present between the gate and source terminal of the transistor T1 is amplified by the transistor T1 and an amplified signal is applied between the drain and source terminal of the transistor T1. In the high frequency range, the resistance between the source terminal of the transistor T1 and the ground potential must be as low as possible. In the high frequency range, parasitic effects arise between the source terminal of the transistor T1 and the ground potential. The trace is a high frequency resistor made up of capacitive and inductive elements. Finally, capacitive resistances result from the capacitances C1 and C2. In the high-frequency range, the source terminal of the transistor T1 should be able to bear against the ground potential in a low-impedance manner as low as possible. A short circuit can not be realized, since otherwise in the low frequency or direct current range, the supply voltage VCC via the inductance L1 would be applied directly to ground and the transistor T1 would be destroyed. Therefore, capacities C1 and C2 are provided. These are preferably designed with 1 nF and 100 NF.

Um nun zu erreichen, dass die Verstärkung durch den Transistor T1 groß ist und geringe Rauscheinflüsse vorhanden sind, wird vorgeschlagen, dass die Verbindung zwischen dem Source-Anschluss des Transistors T1 und der Masse-Kapazität C1, C2 bzw. des Massepotentials möglichst kurz ist. Hierzu ist eine besondere Anordnung des Transistors T1 auf einer Leiterplatte notwendig, wie sie schematisch in 3 dargestellt ist.In order to achieve that the amplification by the transistor T1 is large and low noise influences are present, it is proposed that the connection between the source terminal of the transistor T1 and the ground capacitance C1, C2 or the ground potential is as short as possible. For this purpose, a special arrangement of the transistor T1 on a printed circuit board is necessary, as shown schematically in FIG 3 is shown.

3 zeigt ein Transistor T1 mit seinem Gate-Anschluss G, seinem Drain-Anschluss D und seinem Source-Anschlüssen S1 und S2. Die Source-Anschlüsse S1 und S2 sind über Leiterbahnen mit den Kapazitäten C1, C2 und somit hochfrequent mit Massepotential verbunden. Das über den Flügel 3a empfangene Antennensignal liegt über eine Leiterbahn an dem Gate-Anschluss an. An dem Drain-Anschluss liegt die Versorgungsspannung (nicht dargestellt) an. 3 shows a transistor T1 with its gate terminal G, its drain terminal D and its source terminals S1 and S2. The source terminals S1 and S2 are connected via conductor tracks with the capacitors C1, C2 and thus high-frequency to ground potential. That over the wing 3a received antenna signal is applied via a conductor to the gate terminal. At the drain terminal is the supply voltage (not shown).

Erfindungsgemäß ist erkannt worden, dass die Länge d der Verbindung zwischen Source-Anschluss S1, S2 und dem Massepotential, hier den Anschlüssen der Kapazitäten C1, C2 möglichst klein sein soll. Bevorzugt ist hier eine Länge zwischen 1,5 mm und 2,5 mm. Im Verhältnis zu der Betriebswellenlänge ist der Abstand d bevorzugt zwischen 0,002 und 0,01. Besonders bevorzugt ist ein Verhältnis von 0,004 der Betriebswellenlänge.According to the invention is recognized been that length d the connection between source terminal S1, S2 and the ground potential, here the connections the capacities C1, C2 as possible should be small. Preferred here is a length between 1.5 mm and 2.5 mm. In relation to to the operating wavelength the distance d is preferably between 0.002 and 0.01. Especially preferred is a relationship of 0.004 the operating wavelength.

Durch die dargestellte Anordnung des Transistors T1 ergibt sich eine kurze freie Weglänge d der Leiterbahn zwischen den Source-Anschlüssen S1, S2 und den Kapazitäten C1 und C2, welche im Hochfrequenzbereich einen sehr geringen Widerstand, bevorzugt zwischen 1 mOhm und 1 Ohm, besonders bevorzugt zwischen 1 mOhm und 100 mOhm aufweisen. Bevorzugt sind die Kapazitäten C1 und C2 als Keramik-Kondensatoren (X7R bzw. NP0 Material) gebildet. Diese weisen geringe parasitäre Effekte auf.By the illustrated arrangement of the transistor T1 results in a short free path d the track between the source terminals S1, S2 and the capacitors C1 and C2, which in the high frequency range a very low resistance, preferred between 1 mOhm and 1 ohm, more preferably between 1 mOhm and 100 mOhms. The capacitors C1 and C2 are preferably ceramic capacitors (X7R or NP0 material) formed. These have low parasitic effects on.

4 zeigt eine Verstärkerschaltung 6 mit den beiden symmetrisch angeordneten Verstärkern. Jede der beiden Verstärker entspricht im Wesentlichen der in 2 gezeigten Verstärkern. Über die Kapazität C4 werden Störungen in der Versorgungsspannung VCC ausgekoppelt, so dass der Transistor T1 lediglich mit dem Antennensignal der Flügel 3a, 3b beaufschlagt wird. Die über die Kapazitäten C3 ausgekoppelten Antennensignal liegen an dem Übertrager L2A, L2B an. Dieser Übertrager L2A, L2B eliminiert Intermodulationsverzerrungen zweiter Ordnung. Die Antennenschaltung ist somit großsignalfest. 4 shows an amplifier circuit 6 with the two symmetrically arranged amplifiers. Each of the two amplifiers is essentially the same as in 2 shown amplifiers. About the capacitance C4 disturbances in the supply voltage VCC are coupled out, so that the transistor T1 only with the antenna signal of the wings 3a . 3b is charged. The decoupled via the capacitance C3 antenna signal are applied to the transformer L2A, L2B. This transformer L2A, L2B eliminates second-order intermodulation distortion. The antenna circuit is thus high signal strength.

Durch die gezeigte Verstärkerschaltung ist es möglich, den Transistor T1 im Hochfrequenzbereich mit geringen Störungen zu betreiben. Dies wird besonders dadurch erreicht, dass der Transistor T1 hochohmig an die Flügel 3a, 3b angekoppelt ist und dass die Source-Anschlüsse des Transistors T1 wechselstrommäßig nahe an dem elektrischen Massepotential liegen. Die Länge der Leiterbahn ist so gewählt, dass der Hochfrequenzwiderstand der Leiterbahn minimal ist. Bevorzugt sind Längen zwischen 1 mm und 3 mm. Größere Längen verursachten erhöhte Hochfrequenzwiderstände durch parasitäre Effekte, welche die Verstärkungsleistung des Transistors T1 erheblich beeinträchtigten.The amplifier circuit shown, it is possible to operate the transistor T1 in the high frequency range with little interference. This is achieved in particular by the fact that the transistor T1 has high resistance to the wings 3a . 3b is coupled and that the source terminals of the transistor T1 are AC-adjacent to the electrical ground potential. The length of the track is chosen so that the high frequency resistance of the track is minimal. Preferred are lengths between 1 mm and 3 mm. Greater lengths caused increased high frequency resistances due to parasitic effects which significantly affected the gain performance of transistor T1.

Bei der in 7 dargestellten Ausführung werden dieselben Bezugszeichen wie in 1 verwendet. Zusätzlich sind dabei die Flügel 3a und 3b mit Ausläufern 7 versehen, die seitlich unter den Verbindungsbrücken 4a und 4b vorstehen.At the in 7 The same reference numerals as in FIG 1 used. In addition, there are the wings 3a and 3b with foothills 7 provided laterally under the connecting bridges 4a and 4b protrude.

In 8 ist eine weitere Ausführung der Erfindung in einer Ansicht wie in 6 dargestellt. Diese weist einen zusätzlichen, rinnenförmigen Reflektor, bevorzugt Parabolreflektor 8 auf, dessen Fokus etwa in der Ebene der Leiterplatte 2 liegt. Der Reflektor 8 kann beispielsweise durch ein Blechteil gebildet werden.In 8th is another embodiment of the invention in a view as in 6 shown. This has an additional channel-shaped reflector, preferably parabolic reflector 8th whose focus is approximately in the plane of the circuit board 2 lies. The reflector 8th can be formed for example by a sheet metal part.

Claims

Receiving device for broadcast signals ( 1 ), with at least one antenna having at least two wings ( 3a . 3b ), which are formed as a flat extended conductor structures, which are arranged as a butterfly arrangement substantially in a plane and are symmetrical opposite, characterized in that at least one substantially strip-shaped connecting bridge ( 4a . 4b ) the two wings ( 3a . 3b ) conductively connects to each other, wherein the connecting bridge ( 4a . 4b ) each within the area of the wings ( 3a . 3b ) and spaced apart from the plane of the wings between the wings ( 3a . 3b ).

Receiving device according to claim 1, characterized in that the wings ( 3a . 3b ) are formed isosceles-trapezoidal or triangular, with the sides to the opposite wing ( 3a . 3b ) converge.

Receiving device according to claim 1, characterized in that at least two connecting bridges ( 4a . 4b ) are mounted.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the connecting bridge ( 4a . 4b ) parallel to the longitudinal extent of the wings ( 3a . 3b ) is arranged.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the connecting bridge ( 4a . 4b ) is arcuate.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the connecting bridge ( 4a . 4b ) is rectangular.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the connecting bridge ( 4a . 4b ) in the outer area to the wings ( 3a . 3b ) connected.

Receiving device according to claim 1, characterized in that from the wings ( 3a . 3b ) in the area below the connecting bridge ( 4a . 4b ) lateral arms ( 7 ).

Receiving device according to claim 1, characterized in that at a distance from the plane of the wing ( 3a . 3b ) a reflector ( 8th ) whose focus is in the plane of the wings ( 3a . 3b ) lies.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the reflector ( 8th ) is formed channel-shaped, whose line-shaped focus on the connecting line of the two wings ( 3a . 3b ) lies.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the two wings ( 3a . 3b ) as printed conductors of a printed circuit board ( 2 ) are formed.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the wings ( 3a . 3b ) directly at the entry point to the input of an amplifier ( 6 ) are connected.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the amplifier ( 6 ) is designed as a push-pull amplifier.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the amplifier ( 6 ) between the wings ( 3a . 3b ) is arranged.

Receiving device according to claim 1, characterized in that the amplifier ( 6 ) as a printed circuit together with the wings ( 3a . 3b ) on the same circuit board ( 2 ) is constructed.

Receiving device according to Claim 1, characterized in that a connection of a high-frequency amplifier ( 6 ) is connected to a ground potential such that the inductive high frequency resistance of the connection is minimal.

Receiving device according to one of the preceding claims, characterized in that the length (d) of the connection between ground potential and the terminal of the high-frequency amplifier ( 6 ) is between 0.002 λ _F and 0.01 λ _F , with λ _F as the wavelength of the average reception frequency of the antenna.

Receiving device according to one of the preceding claims, characterized the length (d) of the connection between ground potential and the connection of the high-frequency amplifier ( 6 ) is equal to 0.004 λ _F , with λ _F = 0.6 m.

Receiving device according to one of the preceding claims, characterized in that the high-frequency amplifier ( 6 ) is formed of discrete components.

Receiving device according to one of the preceding Claims, characterized in that the high frequency amplifier has a Transistor (T1) has a first terminal of the transistor (T1) is connected to the antenna, that a second connection of the Transistor (T1) is connected to a supply voltage and that a third terminal of the transistor (T1) to the ground potential connected is.

Receiving device according to Claim 2, characterized that the transistor (T1) is coupled to the antenna with high resistance, such that a gate terminal (G) of the transistor (T1) is connected to the Antenna is connected and a source terminal (S1, S2) of the transistor connected to the ground potential.

Receiving device according to one of the preceding Claims, characterized in that the transistor (T1) low impedance the antenna is coupled such that a source terminal (S1, S2) of the transistor (T1) is connected to the antenna and a gate terminal (G) of the transistor (T1) is connected to the ground potential.

Receiving device according to one of the preceding Claims, characterized in that between the terminal of the transistor (T1) and the ground potential at least two parallel connected Capacitors (C1, C2) are arranged.

Receiving device according to one of the preceding Claims, characterized in that the capacitors (C1, C2) are ceramic capacitors are.

Receiving device according to one of the preceding Claims, characterized in that the transistor (T1) is a GaAs FET transistor is.