Gebiet der
ErfindungTerritory of
invention
Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine
für eine
Laserbearbeitung eines plattenartigen Werkstücks, das an einem Futter- bzw.
Einspanntisch gehalten ist, entlang vorbestimmter Bearbeitungslinien.The
The present invention relates to a laser beam processing machine
for one
Laser processing of a plate-like workpiece, which at a feed or
Chuck is held along predetermined processing lines.
Beschreibung
des Standes der Technikdescription
of the prior art
Bei
dem Herstellungsverfahren für
eine Halbleitervorrichtung bzw. -bauelement wird eine Mehr- bzw.
Vielzahl von Bereichen durch als "Straßen" bezeichnete Teilungslinien geteilt,
die in einem Gittermuster an der vorderen Fläche eines im wesentlichen scheibenartigen
Halbleiterwafers angeordnet sind, und es wird eine Schaltung bzw.
Schaltkreis, z.B. IC oder LSI, in jedem der geteilten Bereiche gebildet.
Individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips werden durch Schneiden
dieses Halbleiterwafers entlang der Teilungslinien hergestellt,
um ihn in die Bereiche zu teilen, von denen jeder eine hieran gebildete
Schaltung aufweist. Ein eine optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen
bzw. ein optisches Bauelement bzw. Bauelemente aufweisender Wafer,
welcher Verbindungshalbleiter auf Gallium-Nitrid-Basis aufweist,
die an der vorderen Fläche
eines Saphirsubstrats laminiert sind, wird ebenfalls entlang Teilungslinien
geschnitten, um in individuelle bzw. einzelne op tische Vorrichtungen
bzw. Bauelemente, z.B. lichtemittierende Dioden oder Laserdioden
bzw. Diodenlaser, geteilt zu werden, welche in weitem Umfange in
elektrischen Ausrüstungen
bzw. Einrichtungen verwendet werden.at
the manufacturing process for
a semiconductor device is a Mehr- or
Variety of areas divided by dividing lines called "streets",
in a grid pattern on the front surface of a substantially disc-like
Semiconductor wafer are arranged, and there is a circuit or
Circuit, e.g. IC or LSI, formed in each of the divided areas.
Individual or individual semiconductor chips are cut by cutting
this semiconductor wafer produced along the dividing lines,
to divide it into the areas, each one of which has been formed
Circuit has. An optical device or devices
or an optical component or wafer having wafers,
which has gallium nitride based compound semiconductors,
those on the front surface
of a sapphire substrate also becomes along dividing lines
cut to individual or individual op tables devices
or components, e.g. light emitting diodes or laser diodes
or diode lasers to be shared, which to a large extent in
electrical equipment
or facilities are used.
Schneiden
entlang der Teilungslinien des obigen Halbleiterwafers oder des
eine optische Vorrichtung bzw. Bauelement aufweisenden Wafers wird im
allgemeinen durch Verwendung einer als "Dicer bzw. Substratzerteiler" bezeichneten Schneidmaschine
ausgeführt.
Diese Schneidmaschine weist einen Futter- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, z.B.
eines Halbleiterwafers oder eines eine optische Vorrichtung bzw.
Bauelement aufweisenden Wafers, ein Schneidmittel bzw. -einrichtung zum
Schneiden des an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks, und
ein Schneid-Zuführ-
bzw. -Vorschubmittel bzw. -einrichtung zum Bewegen des Einspanntischs
und des Schneidmittels relativ zueinander auf. Das Schneidmittel
weist eine Spindeleinheit auf, welche eine rotier- bzw. drehbare
Spindel bzw. Drehspindel, ein an der Spindel angebrachtes Schneidmesser
bzw. -klinge und einen Antriebsmechanismus zum drehbaren Antreiben
der Drehspindel aufweist. Das Schneidmesser weist eine scheibenartige
Basis und eine ringförmige
Schneidkante auf, welche an einem Seitenwand-Außenumfangsbereich der Basis
angebracht und dick bis etwa 20 μm durch
Befestigen von Diamantschleifkörnern
mit einem Durchmesser von etwa 3 μm
an der Basis durch Elektro- bzw. Galvanoformung gebildet ist.To cut
along the dividing lines of the above semiconductor wafer or the
an optical device having wafer is in
in general, by using a cutting machine called a "dicer"
executed.
This cutting machine has a chuck table for holding a workpiece, e.g.
a semiconductor wafer or an optical device or
Component having wafer, a cutting means or device for
Cutting the workpiece held on the chuck table, and
a cutting feed
or advancing means or means for moving the chuck table
and the cutting means relative to each other. The cutting means
has a spindle unit, which rotatable or rotatable
Spindle or rotating spindle, a cutting knife attached to the spindle
and a drive mechanism for rotatably driving
having the rotary spindle. The cutting blade has a disk-like
Base and an annular
Cutting edge, which on a sidewall outer peripheral region of the base
attached and thick to about 20 microns through
Attaching diamond abrasive grains
with a diameter of about 3 microns
is formed at the base by electro- or electroforming.
Da
ein Saphirsubstrat, ein Silizium-Karbid-Substrat usw. eine hohe
Mohs'sche Härte aufweisen,
ist das Schneiden mit dem obigen Schneidmesser nicht immer leicht.
Außerdem
müssen,
da das Schneidmesser eine Dicke von etwa 20 μm aufweist, die Teilungslinien
zum Teilen der Vorrichtungen bzw. Bauelemente eine Breite von etwa
50 μm aufweisen. Daher
wird im dem Falle einer Vorrichtung bzw. Bauelement, welches etwa
300 μm × 300 μm misst,
das Flächenverhältnis der
Strassen zu der Vorrichtung 14%, wodurch die Produktivität herabgesetzt
wird.There
a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, etc., a high
Have Mohs hardness,
Cutting with the above cutting knife is not always easy.
Furthermore
have to,
since the cutting blade has a thickness of about 20 μm, the dividing lines
for dividing the devices, a width of about
50 microns have. Therefore
is in the case of a device or component, which is about
300 μm × 300 μm,
the area ratio of
Roads to the device 14%, reducing productivity
becomes.
Mittlerweile
ist außerdem
als ein Mittel bzw. Einrichtung zum Teilen eines plattenartigen
Werkstücks,
z.B. eines Halbleiterwafers, ein Laserbearbeitungsverfahren zum
Anwenden bzw. Aufbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls, der
dazu befähigt ist,
durch das Werkstück
hindurchzugehen, wobei der Brennpunkt des Impulslaserstrahls zum
dem Inneren bzw. Innenseite des zu teilenden Bereichs eingestellt
ist, heutzutage ebenfalls versucht bzw. in Angriff genommen, und
z.B. durch das Japanische Patent Nr. 3408805 offenbart worden. Bei
dem Teilungsverfahren, das von dieser Laserbearbeitungstechnik Gebrauch
macht, wird das Werkstück
durch Aufbringen eines Impulslaserstrahls mit einer Wellenlänge beispielsweise
von 1.064 nm, der dazu befähigt
ist, durch das Werkstück
von einer Flächenseite
des Werkstücks
hindurchzugehen, wobei der Brennpunkt des Impulslaserstrahls zu
dem Inneren eingestellt ist, um eine verschlechterte Schicht in
dem Inneren des Werkstücks
entlang der Teilungslinien kontinuierlich zu bilden, und durch Ausüben einer
externen bzw. äußeren Kraft
entlang der Teilungslinien geteilt, deren Stärke bzw. Festigkeit durch die
Bildung der verschlechterten Schichten verringert worden ist.meanwhile
is also
as a means for dividing a plate-like
Workpiece
e.g. a semiconductor wafer, a laser processing method for
Applying or applying a pulse laser beam, the
is capable of
through the workpiece
to go through, wherein the focal point of the pulse laser beam for
set inside or inside of the area to be divided
is also tried or tackled today, and
e.g. by Japanese Patent No. 3408805. at
the division method using this laser processing technique
makes, becomes the workpiece
by applying a pulse laser beam having a wavelength, for example
of 1,064 nm, which enables it
is, through the workpiece
from an area side
of the workpiece
to go through, with the focus of the pulse laser beam to
the interior is set to a deteriorated layer in
the interior of the workpiece
continuously along the dividing lines, and by exercising one
external or external force
divided along the dividing lines whose strength or strength through the
Forming the deteriorated layers has been reduced.
Wenn
das plattenartige Werkstück,
z.B. ein Halbleiterwafer, eine wellige bzw. gewellte Fläche bzw.
Oberfläche
aufweist und in der Dicke nicht gleichmäßig ist, können die verschlechterten Schichten
aufgrund des Brechungsindex zu dem Zeitpunkt des Aufbringens eines
Laserstrahl nicht mit einer vorbestimmten Tiefe gleichmäßig gebildet
werden. Daher muss, um die verschlechterten Schichten an der Innenseite
bzw. im Inneren des Halbleiterwafers an einer vorbestimmten Tiefe
gleichmäßig zu bilden,
die Unebenheit des Bereichs, auf welchen ein Laserstrahl aufzubringen
ist, zuvor detektiert bzw. festgestellt werden, und das Laserstrahlaufbringungsmittel muss
justiert bzw. eingestellt werden, um dieser Unebenheit zu folgen,
um die Bearbeitung durchzuführen.If
the plate-like workpiece,
e.g. a semiconductor wafer, a wavy or wavy surface or
surface
and is not uniform in thickness, the deteriorated layers
due to the refractive index at the time of application of a
Laser beam not uniformly formed with a predetermined depth
become. Therefore, to get the deteriorated layers on the inside
or inside the semiconductor wafer at a predetermined depth
to form evenly
the unevenness of the area on which a laser beam is applied
is previously detected and the laser beam application means must
adjusted to adjust to this unevenness,
to carry out the processing.
Eine
Laserbearbeitung, bei welcher ein Laserstrahl aufgebracht wird,
wobei sein Brennpunkt zu dem Inneren eines plattenartigen Werkstücks eingestellt
ist, um das Innere des Werkstücks
zu markieren, ist ebenfalls ausgeführt worden. Jedoch muss, um
das Innere des Werkstücks
an einer vorbestimmten Tiefe zu markieren, das Laserstrahlaufbringungsmittel
so eingestellt werden, um der Unebenheit der Fläche des Werkstücks zu folgen,
um die Bearbeitung durchzuführen.A
Laser processing in which a laser beam is applied,
wherein its focus is set to the inside of a plate-like workpiece
is to the inside of the workpiece
to mark has also been carried out. However, to, um
the interior of the workpiece
at a predetermined depth, the laser beam applying means
be adjusted to follow the unevenness of the surface of the workpiece,
to carry out the processing.
Um
die obigen Probleme zu lösen,
offenbart die JP-A 2003-168655 eine Maschine zum Dicen bzw. Trennen
in Chips, welche mit einem Höhenpositionsdetektions-
bzw. -feststellungsmittel- bzw. -einrichtung zum Detektieren bzw.
Feststellen der Höhenposition
eines Werkstücks
versehen ist, das an einem Arbeitstisch platziert ist, um die Höhenposition des
Schneidbereichs des Werkstücks
durch das Höhenpositionsdetektionsmittel
zu detektieren und eine Schneidbereichshöhenabbildung bzw. -darstellung zu
bilden, so dass eine Schneidposition eines Schneidmessers bzw. -klinge
beruhend auf dieser Abbildung gesteuert bzw. geregelt wird.Around
to solve the above problems
JP-A 2003-168655 discloses a dicing machine
in chips, which are equipped with a height position detection
or detection means or device for detecting or
Determining the height position
a workpiece
is placed on a work table to the height position of the
Cutting area of the workpiece
by the height position detection means
and to detect a cutting area height mapping
form, so that a cutting position of a cutting blade or blade
is controlled based on this figure.
Bei
der durch die obige Veröffentlichung
offenbarten Technologie wird die Schneidbereichshöhenabbildung
zuerst durch Detektieren der Höhenposition
des Schneidbereichs des Werkstücks
mit dem Höhenpositionsdetektionsmittel
vorbereitet bzw. hergestellt, und sodann wird die Schneidbearbeitung ausgeführt, während die
Schneidposition des Schneidmessers beruhend auf der Abbildung gesteuert
bzw. geregelt wird. Da der Höhenpositionsdetektionsschritt
und der Schneidschritt voneinander getrennt sind, ist diese Technologie
hinsichtlich der Produktivität
nicht effizient.at
the one by the above publication
Technology disclosed is the cutting area height map
first by detecting the height position
the cutting area of the workpiece
with the height position detection means
prepared, and then the cutting processing is carried out while the
Cutting position of the cutting blade controlled based on the figure
or regulated. Since the height position detection step
and the cutting step are separate from each other, is this technology
in terms of productivity
not efficient.
Unter
diesen Umständen
schlägt
der Anmelder der vorliegenden Anmeldung als JP-A 2005-150537 ein
Bearbeitungsverfahren vor, das dazu befähigt ist, eine Laserbearbeitung
an einer erwünschten
Position eines plattenartigen Werkstücks effizient auszuführen, selbst
wenn es in der Dicke nicht gleichmäßig ist. Bei diesem Bearbeitungsverfahren
wird die Höhenposition
einer Fläche
an der zu bearbeitenden Flächenseite
entlang einer Bearbeitungslinie genau vor einer Bearbeitungslinie,
entlang welcher eine Laserbearbeitung ausgeführt wird, aus einer Mehr- bzw.
Vielzahl von Bearbeitungslinien heraus, die an dem an dem Einspanntisch
gehaltenen Werkstück
gebildet sind, detektiert und es wird eine vorbestimmte Laserbearbeitung
entlang der Bearbeitungslinie ausgeführt, während das Laserbearbeitungsmittel
in einer Richtung senkrecht bzw. rechtwinklig zu der zu bearbeitenden
Fläche
des Werkstücks
beruhend auf der detektierten Höhenposition gesteuert
bzw. geregelt wird.Under
these circumstances
beats
the applicant of the present application as JP-A 2005-150537
Processing method that is capable of laser processing
at a desired
Position of a plate-like workpiece to perform efficiently, even
if it is not uniform in thickness. In this processing method
becomes the height position
a surface
on the surface to be processed
along a processing line just before a processing line,
along which a laser processing is performed, from a multi-resp.
Variety of processing lines out at the on the chuck table
held workpiece
are formed, detected and there will be a predetermined laser processing
running along the processing line while the laser processing means
in a direction perpendicular or perpendicular to the machined
area
of the workpiece
controlled based on the detected height position
or regulated.
Jedoch
ist, da bei dem oben erwähnten
Bearbeitungsverfahren für
ein plattenartiges Werkstück die
Höhenposition
der zu bearbeitenden Fläche
entlang einer Bearbeitungslinie genau vor der Bearbeitungslinie,
entlang welcher eine Laserbearbeitung ausgeführt wird, aus der Mehr- bzw.
Vielzahl von Bearbeitungslinien heraus detektiert wird, die an dem plattenartigen
Werkstück
gebildet sind, und die Laserbearbeitung nicht gleichzeitig entlang
der obigen Bearbeitungslinie ausgeführt wird, deren Höhenposition
zuerst detektiert worden ist, das obige Verfahren hinsichtlich der
Produktivität
nicht immer zufriedenstellend.however
is because of the above
Processing method for
a plate-like workpiece the
height position
the surface to be processed
along a processing line just before the processing line,
along which a laser processing is performed, from the multi or
Variety of processing lines is detected out on the plate-like
workpiece
are formed, and the laser machining not at the same time along
the above processing line is executed whose height position
was first detected, the above method in terms of
productivity
not always satisfactory.
Zusammenfassung
der ErfindungSummary
the invention
Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine
zu schaffen, die dazu befähigt
ist, eine Bearbeitung an einer erwünschten Position eines plattenartigen Werkstücks effizient
auszuführen,
selbst wenn dieses in der Dicke nicht gleichmäßig ist.It
It is an object of the present invention to provide a laser beam processing machine
to create that empowers
, machining at a desired position of a plate-like workpiece is efficient
perform,
even if this is not uniform in thickness.
Um
die obige Aufgabe zu lösen,
ist gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine vorgesehen, welche
einen Futter- bzw. Einspanntisch mit einer Werkstückhaltefläche zum
Halten eines plattenartigen Werkstücks, ein Laserstrahlanwendungs-
bzw. -aufbringungsmittel bzw. -einrichtung mit einem Kondensor zum
Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls von der oberen Seite
bzw. Fläche
des an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks, um einen Brennpunkt zu
bilden, ein Bearbeitungs-Zuführ-
bzw. -Vorschubmittel bzw. -einrichtung zum Bewegen des Einspanntischs
und des Laserstrahlaufbringungsmittels relativ zueinander in einer
Bearbeitungs-Zuführ-
bzw. -Vorschubrichtung, ein Index- bzw. Weiterschalt-Zuführ- bzw. -Vorschubmittel
bzw. -einrichtung zum Bewegen des Einspanntischs und des Laserstrahlaufbringungsmittels
relativ zueinander in einer Index- bzw. Weiterschalt-Zuführ- bzw.
-Vorschubrichtung rechtwinklig zu der Bearbei tungs-Vorschubrichtung,
und ein Brennpunktpositions-Einstellmittel
bzw. -einrichtung zum Bewegen des durch den Kondensor gebildeten Brennpunkts
in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Werkstückhaltefläche aufweist,
wobei
die Maschine weiterhin ein Höhenpositionsdetektions- bzw.
-feststellungsmittel bzw. -einrichtung zum Detektieren bzw. Feststellen
des Höhenposition
des Aufbringungsbereichs eines von dem Kondensor an der oberen Fläche des
an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks aufgebrachten Laserstrahls
und ein Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung zum Steuern bzw.
Regeln des Brennpunktpositions-Einstellmittels bzw. -einrichtung
beruhend auf einem Höhenpositionssignal
aufweist, das durch das Höhenpositionsdetektionsmittel
detektiert ist; und
das Höhenpositionsdetektionsmittel
bzw. -einrichtung ein Lichtaussendemittel bzw. -einrichtung zum Anwenden
bzw. Aufbringen eines ersten Laserstrahls und eines zweiten Laserstrahls
auf die obere Fläche des
an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks unter einem vorbestimmten
Einfallswinkel bei einem vorbestimmten Intervall bzw. Abstand an
beiden Seiten des durch den Kondensor gebildeten Brennpunkts in
der Bearbeitungs-Vorschubrichtung, ein Lichtempfangsmittel bzw.
-einrichtung mit einem Lichtpositionsfühlmittel zum Empfangen des
ersten Laserstrahls und des zweiten Laserstrahls, welche von dem
Lichtaussendemittel aufgebracht werden und an der oberen Fläche des
Werkstücks
regulär bzw.
regelmäßig reflektiert
werden, und ein Wahl- bzw. Auswahlmittel bzw. -einrichtung zum Wählen bzw.
Auswählen
des ersten Laserstrahls oder des zweiten Laserstrahls, welche durch
das Lichtempfangsmittel zu empfangen sind, aufweist.In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a laser beam processing machine comprising a chuck table having a workpiece holding surface for holding a plate-like workpiece, a laser beam applying means having a condenser for applying, and Applying a laser beam from the upper side of the workpiece held on the chuck table to form a focal point; processing feeding means for moving the chuck table and the laser beam applying means relative to each other in a processing feed Advancing direction, indexing feeding means for moving the chuck table and the laser beam applying means relative to each other in an indexing feeding direction orthogonal to the machining tion feed direction, and a focal point tposing adjusting means for moving the focal point formed by the condenser in a direction perpendicular or perpendicular to the workpiece holding surface, wherein
the machine further comprises a height position detecting means for detecting the height position of the application area of a laser beam applied from the condenser to the upper surface of the workpiece held on the chuck table, and a control means for controlling the focus position setting means based on a height position signal detected by the height position detecting means; and
the height position detecting means comprises light emitting means for applying a first laser beam and a second laser beam to the upper surface of the workpiece held on the chuck at a predetermined angle of incidence at a predetermined interval on both sides of the workpiece the condensing focal point formed in the processing feed direction, a light receiving means with a light position sensing means for receiving the first laser beam and the second laser beam, which are applied by the light emitting means and regularly reflected on the upper surface of the workpiece, and selecting means for selecting the first laser beam or the second laser beam to be received by the light receiving means.
Das
obige Lichtaussendemittel bzw. -einrichtung weist ein Lichtaussendeelement,
um einen Laserstrahl zum Oszillieren zu bringen, und ein Lichttrennmittel
bzw. -einrichtung zum Trennen eines Laserstrahls, der von dem Lichtaussendeelement
zum Oszillieren gebracht wird, in einen ersten Laserstrahl und einen
zweiten Laserstrahl auf. Das Lichttrennmittel weist einen Strahlteiler
zum Trennen eines Laserstrahls, der von dem Lichtaussendeelement
zum Oszillieren gebracht wird, in einen ersten Laserstrahl und einen
zweiten Laserstrahl und einen Ablenkspiegel auf. Das Lichttrennmittel
weist ein Ablenksteuer- bzw. -regelelement, welches als ein Auswahlmittel dient,
um einen Laserstrahl, der von dem Lichtaussendeelement zum Oszillieren
gebracht wird, in einen ersten Laserstrahl und einen zweiten Laserstrahl zu
trennen, und zum Auswählen
und Ausgeben eines von diesen, und ein Doppelbrechungselement auf.The
above light emitting means has a light emitting element,
to make a laser beam oscillate, and a light separating means
means for separating a laser beam emitted from the light emitting element
is brought into oscillation, in a first laser beam and a
second laser beam on. The light separating means has a beam splitter
for separating a laser beam emitted from the light emitting element
is brought into oscillation, in a first laser beam and a
second laser beam and a deflecting mirror. The light-separating agent
has a deflection control element which serves as a selection means,
around a laser beam to oscillate from the light emitting element
is brought into a first laser beam and a second laser beam
separate, and to select
and outputting one of them, and a birefringence element.
Das
obige Lichtaussendemittel weist ein erstes Lichtaussendeelement,
um einen ersten Laserstrahl zum Oszillieren zu bringen, und ein
zweites Lichtaussendeelement auf, um einen zweiten Laserstrahl zum
Oszillieren zu bringen.The
above light emitting means has a first light emitting element,
to make a first laser beam to oscillate, and a
second light emitting element to a second laser beam for
To bring oscillation.
Die
Aufbringungspositionen des ersten Laserstrahls und des zweiten Laserstrahls,
welche von dem Lichtaussendemittel zum Oszillieren gebracht werden,
sind auf Positionen 3 mm oder weniger weg von dem Brennpunkt eingestellt,
der durch den Kondensor gebildet ist.The
Application positions of the first laser beam and the second laser beam,
which are caused to oscillate by the light emitting means,
are set to positions 3 mm or less away from the focal point,
which is formed by the condenser.
Bei
der Laserstrahlbearbeitungsmaschine nach der vorliegenden Erfindung
wird die Höhenposition
etwas vor der Aufbringungsposition eines von dem Kondensor aufgebrachten
Puls- bzw. Impulslaserstrahls in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung
des an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks durch das Höhenpositionsdetektionsmittel
jederzeit detektiert, und das Steuer- bzw. Regelmittel steuert bzw. regelt
das Brennpunktpositions-Einstellmittel
beruhend auf diesem Detektionssignal. Daher kann ein Hub ("stroke") zum Detektieren
der Höhenposition des
Werkstücks
im wesentlichen beseitigt werden und die Laserbearbeitung kann an
einer erwünschten Position
effizient ausgeführt
werden, selbst wenn das Werkstück
in der Dicke nicht gleichmäßig ist.
Außerdem
wählt bei
der Laserstrahlbearbeitungsmaschine nach der vorliegenden Erfindung
das Höhenpositionsdetektionsmittel
den ersten Laserstrahl und den zweiten Laserstrahl, die an beiden
Seiten des durch den Kondensor gebildeten Brennpunkts in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung
aufzubringen sind, mit Hilfe des Auswahlmittels aus, um die Höhenposition des
Werkstücks
zu detektieren. Daher kann die Laserbearbeitung während der
Hin- und Herbewegung des Einspanntischs ausgeführt werden.at
the laser beam processing machine according to the present invention
becomes the height position
slightly before the application position of one of the condenser applied
Pulse laser beam in the machining feed direction
of the workpiece held on the chuck table by the height position detecting means
detected at any time, and the control means controls or regulates
the focus position setting means
based on this detection signal. Therefore, a stroke can be detected
the height position of the
workpiece
can be substantially eliminated and the laser processing can
a desired position
executed efficiently
even if the workpiece
is not uniform in thickness.
Furthermore
chooses
the laser beam processing machine according to the present invention
the height position detection means
the first laser beam and the second laser beam at both
Pages of the focal point formed by the condenser in the processing feed direction
be raised, with the help of the selection means to the height position of
workpiece
to detect. Therefore, the laser processing during the
Reciprocating movement of the chuck table are performed.
Kurze Beschreibung
der ZeichnungenShort description
the drawings
1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine,
die gemäß der vorliegenden
Erfindung ausgebildet ist; 1 Fig. 12 is a perspective view of a laser beam processing machine formed in accordance with the present invention;
2 ist
ein Blockschaltbild, welches die Ausbildung eines Laserstrahlanwendungs-
bzw. -aufbringungsmittels bzw. -einrichtung schematisch veranschaulicht,
welche in der in 1 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine
vorgesehen ist; 2 FIG. 12 is a block diagram schematically illustrating the formation of a laser beam application means, which is shown in FIG 1 provided laser beam processing machine is provided;
3 ist
eine schematische Darstellung, welche den Brennfleck eines Laserstrahls
veranschaulicht, der von dem in 2 gezeigten
Laserstrahlaufbringungsmittel aufgebracht wird; 3 FIG. 12 is a schematic diagram illustrating the focal spot of a laser beam different from that in FIG 2 applied laser beam application means is applied;
4 ist
eine perspektivische Ansicht eines Bearbeitungskopfes und eines
Höhenpositionsdetektions-
bzw. -feststellungsmittels bzw. -einrichtung, welche in der in 1 gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsmaschine vorgesehen sind; 4 FIG. 15 is a perspective view of a machining head and a height position detecting means employed in FIG 1 shown laser beam processing machine are provided;
5 ist
eine zur Erläuterung
dienende, schematische Darstellung, welche die Positionsbeziehung
zwischen einem Lichtaussendemittel bzw. -einrichtung und einem Lichtempfangsmittel
bzw. -einrichtung, welche das in 4 gezeigte
Höhenpositionsdetektionsmittel
bilden, und dem Kondensor des Laserstrahlaufbringungsmittels veranschaulicht; 5 FIG. 11 is an explanatory diagram showing the positional relationship between a light emitting means and a light receiving means, which is the same as that shown in FIG 4 form shown height position detection means, and illustrates the condenser of the laser beam application means;
6 ist
eine zur Erläuterung
dienende, schematische Darstellung, welche den Detektionszustand
des in 4 gezeigten Höhenpositionsdetektionsmittels
zeigt; 6 FIG. 13 is an explanatory diagram showing the detection state of the in. FIG 4 shown height position detecting means;
7 ist
eine Darstellung in Blockdiagrammform des in 4 gezeigten
Höhenpositionsdetektionsmittels; 7 is a block diagram representation of the in 4 shown height position detection means;
8 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein plattenartiges
Werkstück; 8th Fig. 12 is a perspective view of a semiconductor wafer as a plate-like workpiece;
9(a) und 9(b) sind
schematische Darstellungen, welche eine Ausführungsform des Schrittes der
Bearbeitung des Werkstücks
durch die in 1 gezeigte Laserstrahlbearbeitungsmaschine zeigen; 9 (a) and 9 (b) 12 are schematic diagrams showing an embodiment of the step of machining the workpiece by the in 1 shown laser beam processing machine show;
10(a) und 10(b) sind
schematische Darstellungen, welche eine andere Ausführungsform des
Schritts der Bearbeitung des Werkstücks durch die in 1 gezeigte
Laserstrahlbearbeitungsmaschine veranschaulichen; 10 (a) and 10 (b) FIG. 12 is a schematic diagram showing another embodiment of the step of machining the workpiece by the method shown in FIG 1 illustrated laser beam processing machine illustrate;
11 ist
ein Blockdiagramm, welches eine andere Ausführungsform des Höhenpositionsdetektionsmittels
zeigt, das in der in 1 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine
vorgesehen ist; und 11 FIG. 10 is a block diagram showing another embodiment of the height position detecting means shown in FIG 1 provided laser beam processing machine is provided; and
12 ist
ein Blockdiagramm, welches eine noch andere Ausführungsform des Höhenpositionsdetektionsmittels
zeigt, das in der in 1 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine
vorgesehen ist. 12 FIG. 10 is a block diagram showing still another embodiment of the height position detecting means disclosed in the in. FIG 1 shown laser beam processing machine is provided.
Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformendetailed
Description of the Preferred Embodiments
Bevorzugte
Ausführungsformen
einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die gemäß der vorliegenden Erfindung
ausgebildet ist, werden im nachfolgenden unter Bezugnahme auf die
beigefügten Zeichnungen
in Einzelheiten beschrieben.preferred
embodiments
a laser beam processing machine according to the present invention
is formed in the following with reference to the
attached drawings
described in detail.
1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine,
die gemäß der vorliegenden
Erfindung ausgebildet ist. Die in 1 gezeigte
Laserstrahlbearbeitungsmaschine weist eine stationäre Basis 2,
einen Futter- bzw. Einspanntischmechanismus 3 zum Halten
eines plattenartigen Werkstücks,
welcher an der stationären
Basis 2 in einer solchen Art und Weise angebracht ist,
dass er sich in einer durch einen Pfeil X angegebenen Bearbeitungs-Zuführ- bzw.
-Vorschubrichtung bewegen kann, einen Laserstrahlanwendungs- bzw. -aufbringungseinheit-Trag-
bzw. -Stützmechanismus 4,
der an der stationären
Basis 2 in einer solchen Art und Weise angebracht ist,
dass er sich in einer durch einen Pfeil Y angegebenen Index- bzw.
Weiterschaltrichtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der durch den
Pfeil X angegebenen Richtung bewegen kann, und eine Laserstrahlanwendungs-
bzw. -aufbringungseinheit 5 auf, die an dem Laserstrahlaufbringungseinheit-Trag-
bzw. -Stützmechanismus 4 in
einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass sie sich in einer
durch einen Pfeil Z angegebenen Fokussierungsrichtung bewegen kann. 1 FIG. 13 is a perspective view of a laser beam processing machine formed in accordance with the present invention. FIG. In the 1 The laser beam processing machine shown has a stationary base 2 , a chuck mechanism 3 for holding a plate-like workpiece, which on the stationary base 2 is mounted in such a manner that it can move in a machining feed direction indicated by an arrow X, a laser beam application unit supporting mechanism 4 who is at the stationary base 2 is mounted in such a manner that it can move in an index direction indicated by an arrow Y perpendicular to the direction indicated by the arrow X, and a laser beam application unit 5 on the laser beam application unit support mechanism 4 is mounted in such a manner that it can move in a direction indicated by an arrow Z focusing direction.
Der
obige Einspanntischmechanismus 3 weist ein Paar von Führungsschienen 31 und 31,
die an der stationären
Basis 2 angebracht und in der durch den Pfeil X angegebenen
Richtung parallel zueinander angeordnet sind, einen ersten Gleit-
bzw. Verschiebeblock 32, der an den Führungsschienen 31 und 31 in
einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in der
durch den Pfeil X angegebenen Richtung bewegen kann, einen zweiten
Gleit- bzw. Verschiebeblock 33, der an dem ersten Gleitblock 32 in
einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in der
durch den Pfeil Y angegebenen Richtung bewegen kann, einen Trag-
bzw. Stütztisch 35,
der an dem zweiten Gleitblock 33 durch ein zylindrisches
Element 34 getragen bzw. abgestützt ist, und einen Futter-
bzw. Einspanntisch 36 als ein Werkstückhaltemittel bzw. -einrichtung
auf. Dieser Einspanntisch 36 weist eine Werkstückhaltefläche 361 auf,
die aus einem porösen
Material hergestellt ist, so dass ein scheibenartiger Halbleiterwafer
als das plattenartige Werkstück
an der Werkstückhaltefläche 361 durch
ein Saug- bzw. Ansaugmittel
bzw. -einrichtung gehalten ist, welche nicht gezeigt ist. Der Einspanntisch 36 wird
durch einen (nicht gezeigten) Schrittmotor gedreht bzw. in Rotation
versetzt, der in dem zylindrischen Element 34 eingebaut
ist.The above clamping table mechanism 3 has a pair of guide rails 31 and 31 at the stationary base 2 mounted and arranged in the direction indicated by the arrow X parallel to each other, a first sliding or displacement block 32 , on the guide rails 31 and 31 is mounted in such a manner that it can move in the direction indicated by the arrow X, a second sliding block 33 , which is the first sliding block 32 is mounted in such a manner that it can move in the direction indicated by the arrow Y, a supporting or supporting table 35 that on the second sliding block 33 through a cylindrical element 34 is supported, and a feed or clamping table 36 as a workpiece holding means. This chuck table 36 has a workpiece holding surface 361 which is made of a porous material, so that a disk-like semiconductor wafer as the plate-like workpiece on the workpiece holding surface 361 is held by a suction means, which is not shown. The chuck table 36 is rotated by a stepper motor (not shown) in the cylindrical member 34 is installed.
Der
obige erste Gleitblock 32 weist an seiner Unterseite ein
Paar von zu führenden
Nuten 321 und 321, die an dem obigen Paar der
Führungsschienen 31 und 31 anzubringen
sind, und weist an seiner Oberseite ein Paar von Führungsschienen 322 und 322 auf,
die in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung parallel zueinander
gebildet sind. Der auf diese Art und Weise ausgebildete erste Gleitblock 32 kann
sich in der durch den Pfeil X angegebenen Richtung entlang des Paares
der Führungsschienen 31 und 31 durch
Anbringen der jeweiligen, zu führenden
Nuten 321 und 321 an dem Paar der jeweiligen Führungsschienen 31 und 31 bewegen.
Der Einspanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichten Ausführungsform
weist ein Bearbeitungs-Zuführ- bzw.
-Vorschubmittel bzw. -einrichtung 37 zum Bewegen des ersten
Gleitblocks 32 in der durch den Pfeil X angegebenen Richtung
entlang des Paares der Führungsschienen 31 und 31 auf.
Das Bearbeitungs-Vorschubmittel 37 weist eine männliche Schraubenspindel
bzw. Schraubenspindel 371, die zwischen dem obigen Paar
von Führungsschienen 31 und 31 parallel
zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 372,
zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 371 auf. Die
Schraubenspindel 371 ist an ihrem einen Ende an einem Lagerblock 373 drehbar
abgestützt
bzw. gelagert, der an der obigen stationären Basis 2 befestigt
ist, und ist an dem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen
Schrittmotors 372 durch ein Reduktionsgetriebe, das nicht
gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt. Die Schraubenspindel 371 ist
in ein mit Gewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in
einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblock gebildet ist,
der von der Unterseite des mittleren Bereichs des ersten Gleitblocks 32 vorsteht.
Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 371 in
einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 372 der
erste Gleitblock 32 entlang der Führungsschienen 31 und 31 in
der durch den Pfeil X angegebenen Bearbeitungs-Vorschubrichtung
bewegt.The above first sliding block 32 has at its bottom a pair of leading grooves 321 and 321 attached to the above pair of guide rails 31 and 31 to be attached, and has at its top a pair of guide rails 322 and 322 on, which are formed in the direction indicated by the arrow Y parallel to each other. The trained in this way first sliding block 32 may be in the direction indicated by the arrow X along the pair of guide rails 31 and 31 by attaching the respective, to leading grooves 321 and 321 on the pair of respective guide rails 31 and 31 move. The clamping table mechanism 3 In the illustrated embodiment, a machining feeder means 37 for moving the first sliding block 32 in the direction indicated by the arrow X along the pair of guide rails 31 and 31 on. The machining feed 37 has a male screw or screw 371 that between the above pair of guide rails 31 and 31 is arranged parallel to these, and a drive source, such as a stepper motor 372 , for rotatably driving the screw spindle 371 on. The screw spindle 371 is at one end to a storage block 373 rotatably supported or stored on the above stationary base 2 is attached, and is at the other end to the output shaft of the above stepping motor 372 by a reduction gear, which is not shown, drive or gear coupled. The screw spindle 371 is screwed into a threaded through-hole formed in a female screw block (not shown) extending from the bottom of the middle portion of the first sliding block 32 protrudes. Therefore, by driving the screw spindle 371 in a normal direction or a reverse direction through the stepper motor 372 the first sliding block 32 along the guide rails 31 and 31 moved in the machining feed direction indicated by the arrow X.
Der
obige zweite Gleitblock 33 weist an seiner Unterseite ein
Paar von zu führenden
Nuten 331 und 331 auf, welche an dem Paar von
Führungsschienen 322 und 322,
die an der Oberseite des obigen ersten Gleitblocks 32 vorgesehen
sind, anzubringen sind, und kann sich in der durch den Pfeil Y angegebenen
Richtung durch Anbringen der jeweiligen, zu führenden Nuten 331 und 331 an
dem Paar der jeweiligen Führungsschienen 322 und 322 bewegen. Der
Einspanntischmechanismus 3 bei der veranschaulichten Ausführungsform
weist ein erstes Index- bzw. Weiterschalt-Zuführ- bzw. -Vorschubmittel bzw.
-einrichtung 38 zum Bewegen des zweiten Gleitblocks 33 in
der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung entlang des Paares der
Führungsschienen 322 und 322 auf,
die an dem ersten Gleitblock 32 vorgesehen sind. Das erste
Weiterschalt-Vorschubmittel 38 weist eine männliche
Schraubenspindel bzw. Schraubenspindel 381, die zwischen
dem obigen Paar der Führungsschienen 322 und 322 parallel
zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. ein Schrittmotor 382,
zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 381 auf. Die
Schraubenspindel 381 ist an ihrem einen Ende an einem Lagerblock 383 drehbar
abgestützt
bzw. gelagert, der an der Oberseite des obigen ersten Gleitblocks 32 befestigt ist,
und ist an dem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen Schrittmotors 382 durch
ein Reduktionsgetriebe, das nicht gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt.
Die Schraubenspindel 381 ist ein mit Gewinde versehenes
Durchgangsloch geschraubt, das in einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblock
gebildet ist, der von der Unterseite des mittleren Bereichs des
zweiten Gleitblocks 33 vorsteht. Daher wird durch Antreiben
der Schraubenspindel 381 in einer normalen Richtung oder
einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 382 der
zweite Gleitblock 33 entlang des Paares der Führungsschienen 322 und 322 in
der durch den Pfeil Y angegebenen Weiterschalt-Vorschubrichtung
bewegt.The above second sliding block 33 has at its bottom a pair of leading grooves 331 and 331 on which on the pair of guide rails 322 and 322 at the top of the above first sliding block 32 are provided, and can be in the direction indicated by the arrow Y direction by attaching the respective grooves to be guided 331 and 331 on the pair of respective guide rails 322 and 322 move. The clamping table mechanism 3 in the illustrated embodiment, a first indexing feed means 38 for moving the second sliding block 33 in the direction indicated by the arrow Y along the pair of guide rails 322 and 322 on that at the first sliding block 32 are provided. The first indexing feed means 38 has a male screw or screw 381 that between the above pair of guide rails 322 and 322 is arranged parallel to these, and a drive source, such as a stepper motor 382 , for rotatably driving the screw spindle 381 on. The screw spindle 381 is at one end to a storage block 383 rotatably supported or stored, which at the top of the above first sliding block 32 is attached, and is at the other end to the output shaft of the above stepping motor 382 by a reduction gear, which is not shown, drive or gear coupled. The screw spindle 381 a threaded through-hole is formed in a female screw block (not shown) extending from the underside of the middle portion of the second slide block 33 protrudes. Therefore, by driving the screw spindle 381 in a normal direction or a reverse direction through the stepper motor 382 the second sliding block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 moved in the direction indicated by the arrow Y indexing feed direction.
Der
obige Laserstrahlaufbringungseinheit-Trag- bzw. -Stützmechanismus 4 weist
ein Paar von Führungsschienen 41 und 41,
die an der stationären
Basis 2 angebracht und in der durch den Pfeil Y angegebenen
Richtung parallel zueinander angeordnet sind, und eine bewegbare
Trag- bzw. Stützbasis 42 auf,
die an den Führungsschienen 41 und 41 in
einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass sie sich in der
durch den Pfeil Y angegebenen Richtung bewegen kann. Diese bewegbare
Stützbasis 42 besteht
aus einem bewegbaren Stützbereich 421, der
an den Führungsschienen 41 und 41 bewegbar angebracht
ist, und aus einem Anbringungsbereich 422, der an dem bewegbaren
Stützbereich 421 angebracht
ist. Der Anbringungsbereich 422 ist mit einem Paar von
Führungsschienen 423 und 423 versehen, die
sich an einer seiner Flanken in der durch den Pfeil Z angegebenen
Richtung erstrecken. Der Laserstrahlaufbringungseinheit-Stützmechanismus 4 bei der
veranschaulichten Ausführungsform
weist ein zweites Index- bzw. Weiterschalt-Zuführ-
bzw. Vorschubmittel bzw. -einrichtung 43 zum Bewegen der bewegbaren
Stützbasis 42 entlang
des Paares der Führungsschienen 41 und 41 in
der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung auf. Dieses zweite Weiterschalt-Vorschubmittel 43 weist
eine männliche Schraubenspindel
bzw. Schraubenspindel 431, die zwischen dem obigen Paar
der Führungsschienen 41 und 41 parallel
zu diesen angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 432,
zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel 431 auf. Die
Schraubenspindel 431 ist an ihrem einen Ende an einem (nicht
gezeigten) Lagerblock drehbar abgestützt bzw. gelagert, der an der
obigen stationären Basis 2 befestigt
ist, und ist an dem anderen Ende mit der Ausgangswelle des obigen
Schrittmotors 432 durch ein Reduktionsgetriebe, das nicht
gezeigt ist, antriebs- bzw. getriebemäßig gekoppelt. Die Schraubenspindel 431 ist
in ein mit Gewinde versehenes Durchgangsloch geschraubt, das in
einem (nicht gezeigten) weiblichen Schraubenblock gebildet ist,
der von der Unterseite des mittleren Bereichs des bewegbaren Stützbereichs 421 vorsteht,
welcher die bewegbare Stützbasis 42 bildet.
Daher wird durch Antreiben der Schraubenspindel 431 in
einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung durch den
Schrittmotor 432 die bewegbare Stützbasis 42 entlang
der Führungsschienen 41 und 41 in
der durch den Pfeil Y angegebenen Weiterschalt-Vorschubrichtung
bewegt.The above laser beam application unit support mechanism 4 has a pair of guide rails 41 and 41 at the stationary base 2 mounted and arranged in the direction indicated by the arrow Y parallel to each other, and a movable support base 42 on, on the guide rails 41 and 41 is mounted in such a way that it can move in the direction indicated by the arrow Y direction. This movable support base 42 consists of a movable support area 421 , on the guide rails 41 and 41 movably mounted, and from a mounting area 422 attached to the movable support area 421 is appropriate. The mounting area 422 is with a pair of guide rails 423 and 423 provided, which extend on one of its flanks in the direction indicated by the arrow Z direction. The laser beam application unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment, a second indexing feed means 43 for moving the movable support base 42 along the pair of guide rails 41 and 41 in the direction indicated by the arrow Y on. This second indexing feed means 43 has a male screw or screw 431 that between the above pair of guide rails 41 and 41 is arranged parallel to these, and a drive source, such as a stepper motor 432 , for rotatably driving the screw spindle 431 on. The screw spindle 431 is rotatably supported at its one end to a bearing block (not shown) mounted on the above stationary base 2 is attached, and is at the other end to the output shaft of the above stepping motor 432 by a reduction gear, which is not shown, drive or gear coupled. The screw spindle 431 is threaded into a threaded through-hole formed in a female screw block (not shown) extending from the underside of the central portion of the movable support portion 421 protrudes, which the movable support base 42 forms. Therefore, by driving the screw spindle 431 in a normal direction or a reverse direction through the stepper motor 432 the movable support base 42 along the guide rails 41 and 41 moved in the direction indicated by the arrow Y indexing feed direction.
Die
Laserstrahlaufbringungseinheit 5 bei der veranschaulichten
Ausführungsform
weist einen Einheithalter 51 und ein Laserstrahlanwendungs-
bzw. -aufbringungsmittel bzw. -einrichtung 52 als ein Bearbeitungsmittel
bzw. -einrichtung auf, die an dem Einheithalter 51 befestigt
ist. Der Einheithalter 51 weist ein Paar von zu führenden
Nuten 511 und 511 auf, um an dem Paar der Führungsschienen 423 und 423 an
dem obigen Anbrigungsbereich 422 gleit- bzw. verschiebbar
angebracht zu werden, und ist in einer solchen Art und Weise getragen
bzw. abgestützt, dass
er sich in der durch den Pfeil Z angegebenen Richtung durch Anbringen
der jeweiligen, zu führenden
Nuten 511 und 511 an den jeweiligen, obigen Führungsschienen 423 und 423 bewegen
kann.The laser beam application unit 5 in the illustrated embodiment has a unit holder 51 and a laser beam application means 52 as a processing means attached to the unit holder 51 is attached. The unit holder 51 has a pair of grooves to be led 511 and 511 on to the pair of guide rails 423 and 423 at the above attachment area 422 slidably mounted, and is supported in such a manner that it is in the direction indicated by the arrow Z by attaching the respective grooves to be guided 511 and 511 at the respective, above guide rails 423 and 423 can move.
Das
veranschaulichte Laserstrahlaufbringungsmittel 52 weist
ein zylindrisches Gehäuse 521 auf,
das an dem obigen Einheithalter 51 befestigt ist und sich
im wesentlichen horizontal erstreckt. In dem Gehäuse 521 sind ein Puls-
bzw. Impulslaserstrahloszillationsmittel bzw. -einrichtung 522 und
ein optisches Übertragungssystem 523 eingebaut,
wie in 2 gezeigt. Das Impulslaserstrahloszillationsmittel 522 ist
durch einen Impulslaserstrahloszillator 522a, der aus einem
YAG- Laseroszillator
oder einem YV04-Laseroszillator besteht, und durch ein Wiederhol-
bzw. Folgefrequenzeinstellmittel bzw. -einrichtung 522b gebildet,
die mit dem Impulslaserstrahloszillator 522a verbunden
ist. Das optische Übertragungssystem 523 weist
geeignete optische Elemente, z.B. einen Strahlteiler, usw. auf.The illustrated laser beam application means 52 has a cylindrical housing 521 on top of the above unit holder 51 is attached and extends substantially horizontally. In the case 521 are a pulse laser beam oscillation means 522 and an optical transmission system 523 installed, as in 2 shown. The pulsed laser beam oscillation means 522 is by a pulse laser beam oscillator 522a consisting of a YAG laser oscillator or a YV04 laser oscillator, and a repetition frequency adjusting means 522b formed with the pulsed laser beam oscillator 522a connected is. The optical transmission system 523 has suitable optical elements, eg a beam splitter, etc.
Das
Laserstrahlaufbringungsmittel 52 bei der veranschaulichten
Ausführungsform
weist einen Bearbeitungskopf 524 auf, der an dem Ende des
obigen Gehäuses 521 angebracht
ist. Dieser Bearbeitungskopf 524 wird unter Bezugnahme
auf 2 und 4 beschrieben.The laser beam applicator 52 in the illustrated embodiment has a machining head 524 on that at the end of the above housing 521 is appropriate. This machining head 524 is referring to 2 and 4 described.
Der
Bearbeitungskopf 524 weist ein Ablenkspiegelmittel bzw.
-einrichtung 525 und einen Kondensor 526 auf,
der an der Unterseite des Ablenkspiegelmittels 525 angebracht
ist. Das Ablenkspiegelmittel 525 weist ein Spiegelgehäuse 525a und
einen Ablenkspiegel 525b auf, der in dem Spiegelgehäuse 525a eingebaut
ist (vgl. 2). Der Ablenkspiegel 525b ändert die
Richtung eines Laserstrahls, der von dem obigen Impulslaserstrahloszillationsmittel 522 zum
Oszillieren gebracht und durch das optische Übertragungssystem 523 aufgebracht
wird, zu einer Abwärtsrichtung,
d.h., in Richtung zu dem Kondensor 526, wie in 2 gezeigt.The machining head 524 has a deflection mirror means 525 and a condenser 526 at the bottom of the deflection mirror means 525 is appropriate. The deflecting mirror means 525 has a mirror housing 525a and a deflecting mirror 525b on that in the mirror housing 525a is installed (see. 2 ). The deflecting mirror 525b changes the direction of a laser beam coming from the above pulse laser beam oscillation means 522 brought to oscillate and through the optical transmission system 523 is applied, to a downward direction, ie, towards the condenser 526 , as in 2 shown.
Auf 4 zurückkommend
wird erläutert, dass
der Kondensor 526 ein Kondensorgehäuse 526a und eine
bekannte Kombination von (nicht gezeigten) Kondensorlinsen aufweist,
die in dem Kondensorgehäuse 526a eingebaut
sind. Eine männliche Schraubenspindel
bzw. Schraubenspindel 526b ist an der oberen Außenumfangswandfläche des
oberen Bereichs des Kondensorgehäuses 526a gebildet, und
das Kondensorgehäuse 526a ist
an dem Spiegelgehäuse 525a in
einer solchen Art und Weise angebracht, dass es sich in der Richtung
(Z-Richtung) rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Werkstückhaltefläche 361a des
obigen Einspanntischs 36 durch Schrauben der Schraubenspindel 526b in
ein (nicht gezeigtes) Mutter- bzw. Innengewinde bewegen kann, das
an der unteren Innenumfangswandfläche des unteren Bereichs des
obigen Spiegelgehäuses 525a gebildet
ist. Daher kann, durch Bewegen des Kondensorgehäuses 526a relativ
zu dem Spiegelgehäuse 525a,
der durch den Kondensor 526 gebildete Brennpunkt in der
durch den Pfeil Z angegebenen Richtung bewegt werden.On 4 Coming back it is explained that the condenser 526 a condenser housing 526a and a known combination of condenser lenses (not shown) mounted in the condenser housing 526a are installed. A male screw or screw spindle 526b is on the upper outer peripheral wall surface of the upper portion of the condenser housing 526a formed, and the condenser housing 526a is on the mirror housing 525a attached in such a manner that it is in the direction (Z-direction) perpendicular or perpendicular to the workpiece holding surface 361a of the above chuck table 36 by screwing the screw spindle 526b may move into a female thread (not shown) on the lower inner peripheral wall surface of the lower portion of the above mirror housing 525a is formed. Therefore, by moving the condenser housing 526a relative to the mirror housing 525a passing through the condenser 526 formed focal point are moved in the direction indicated by the arrow Z direction.
In
dem Laserstrahlaufbringungsmittel 52, das wie oben beschrieben
ausgebildet ist, wie in 2 gezeigt, geht ein Laserstrahl,
der von dem obigen Impulslaserstrahloszillationsmittel 522 zum
Oszillieren gebracht wird, durch das optische Übertragungssystem 523 hindurch,
wird um 90° durch
den Ablenkspiegel 525b abgelenkt, erreicht den Kondensor 526 und
wird von dem Kondensor 526 auf das an dem obigen Einspanntisch 36 gehaltene
Werkstück mit
einem vorbestimmten Brennfleckdurchmesser D (Brennpunkt) aufgebracht.
Dieser Brennfleckdurchmesser D ist durch den Ausdruck D (μm) = 4 × λ × f/(π × W) definiert)
(worin λ die
Wellenlänge
(μm) des
Impulslaserstrahls ist, W der Durchmesser (mm) des Impulslaserstrahls
ist, der zu der Objektiv-Kondensorlinse 526b aufgebracht
ist, und f die Brennweite bzw. Brennpunktsabstand (mm) der Objektiv-Kondensorlinse 526b ist),
wenn der eine Gauss'sche
Verteilung aufweisende Impulslaserstrahl durch die Objektiv-Kondensorlinse 526b des
Kondensors 526 aufgebracht wird, wie in 3 gezeigt.In the laser beam application means 52 formed as described above, as in 2 A laser beam emitted from the above pulse laser beam oscillation means passes 522 is caused to oscillate by the optical transmission system 523 through, is rotated 90 ° by the deflecting mirror 525b distracted, reaches the condenser 526 and is from the condenser 526 on the at the above chuck table 36 held workpiece with a predetermined focal spot diameter D (focus) applied. This focal spot diameter D is defined by the expression D (μm) = 4 × λ × f / (π × W) (where λ is the wavelength (μm) of the pulse laser beam, W is the diameter (mm) of the pulsed laser beam corresponding to that objective condenser lens 526b is applied, and f is the focal distance (mm) of the objective condenser lens 526b when the Gaussian distribution pulse laser beam passes through the objective condenser lens 526b of the condenser 526 is applied as in 3 shown.
Die
Laserstrahlaufbringungseinheit 5 bei der veranschaulichten
Ausführungsform
weist ein erstes Brennpunktpositions-Einstellmittel bzw. -einrichtung 53 zum
Bewegen des obigen Kondensors 526 in der durch den Pfeil
Z angegebenen Richtung auf, d.h., in der Richtung senkrecht bzw.
rechtwinklig zu der Werkstückhaltefläche 361 des
obigen Einspanntischs 36, wie in 4 gezeigt.
Das erste Brennpunktpositions-Einstellmittel 53 weist einen
Schrittmotor 531, der an dem obigen Spiegelgehäuse 525a angebracht
ist, ein Antriebs- bzw. Getriebezahnrad bzw. -ritzel 532,
das an der drehbaren bzw. Rotationswelle 531a des Schrittmotors 531 angebracht
ist, und ein Antriebs- bzw.
Getriebezahnrad bzw. -ritzel 533 auf, das an der Außenumfangsfläche des
obigen Kondensorgehäuses 526a angebracht
ist und mit dem Getriebezahnrad 532 in Eingriff ist. Das
erste Brennpunktpositions-Einstellmittel 53, das wie oben beschrieben
ausgebildet ist, bewegt den Kondensor 526 in der Brennpunktpositionseinstellrichtung,
die durch den Pfeil Z angegeben ist, entlang des Spiegelgehäuses 525a durch
Antreiben des Schrittmotors 531 in einer normalen Richtung
oder umgekehrten Richtung. Daher weist das erste Brennpunktpositionseinstellmittel 53 eine
Funktion auf, um die Position des Brennpunkts des von dem Kondensor 526 aufgebrachten
Laserstrahls einzustellen.The laser beam application unit 5 in the illustrated embodiment, a first focus position setting means 53 for moving the above condenser 526 in the direction indicated by the arrow Z, ie, in the direction perpendicular or perpendicular to the workpiece holding surface 361 of the above chuck table 36 , as in 4 shown. The first focus position setting means 53 has a stepper motor 531 which is attached to the above mirror housing 525a is attached, a drive or transmission gear or pinion 532 at the rotating or rotating shaft 531a of the stepper motor 531 is mounted, and a drive or gear gear or pinion 533 on the outer peripheral surface of the above condenser housing 526a is attached and with the transmission gear 532 is engaged. The first focus position setting means 53 , which is formed as described above, moves the condenser 526 in the focus position adjusting direction indicated by the arrow Z, along the mirror housing 525a by driving the stepper motor 531 in a normal direction or reverse direction. Therefore, the first focus position setting means 53 a function on to the position of the focus of the condenser 526 to adjust the applied laser beam.
Wie
in 1 gezeigt, weist die Laserstrahlaufbringungseinheit 5 bei
der veranschaulichten Ausführungsform
ein zweites Brennpunktpositionseinstellmittel bzw. -einrichtung 54 zum
Bewegen des obigen Einheithalters 51 entlang des Paares
der Führungsschienen 423 und 423 in
der durch den Pfeil Z angegebenen Richtung auf, d.h., in der Richtung senkrecht
bzw. rechtwinklig zu der Werkstückhaltefläche 361 des
obigen Einspanntischs 36. Das zweite Brennpunktpositions-Einstellmittel 54 weist eine
(nicht gezeigte) männliche
Schraubenspindel bzw. Schraubenspindel, die zwischen dem Paar der Führungsschienen 423 und 423 angeordnet
ist, und eine Antriebsquelle, z.B. einen Schrittmotor 542,
zum drehbaren Antreiben der Schraubenspindel wie das obige Vorschubmittel
auf. Durch Antreiben der (nicht gezeigten) Schraubenspindel in einer
normalen Richtung oder in einer umgekehrten Richtung durch den Schrittmotor 542,
werden der Einheithalter 51 und das Laserstrahlaufbringungsmittel 52 entlang
der Führungsschienen 423 und 423 in
der durch den Pfeil Z angegebenen Fokussierungsrichtung bewegt.As in 1 shown has the laser beam application unit 5 in the illustrated embodiment, a second focus position setting means 54 for moving the above unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z, ie, in the direction perpendicular or perpendicular to the workpiece holding surface 361 of the above chuck table 36 , The second focus position setting means 54 has a male screw shaft (not shown) which is interposed between the pair of guide rails 423 and 423 is arranged, and a drive source, such as a stepper motor 542 , for rotatably driving the screw shaft as the above feed means. By driving the screw shaft (not shown) in a normal direction or in a reverse direction by the stepping motor 542 , become the unit holder 51 and the laser beam applying means 52 along the guide rails 423 and 423 moved in the direction indicated by the arrow Z focusing direction.
Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine bei der veranschaulichten Ausführungsform
weist ein Höhenpositionsdetektions-
bzw. -feststellungsmittel bzw. -einrichtung 6 zum Detektieren
bzw. Feststellen der Höhenposition
des Laserstrahlaufbringungsbereichs der oberen Fläche, d.h.,
der Fläche,
auf welche ein Laserstrahl aufgebracht wird, des an dem obigen Einspanntisch 36 gehaltenen,
plattenartigen Werkstücks
auf. Das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 wird
unter Bezugnahme auf 4 bis 6 beschrieben.The laser beam processing machine in the illustrated embodiment has a height position detection means 6 for detecting the height position of the laser beam application area of the upper surface, ie, the area to which a laser beam is applied, of the above chuck table 36 held, plate-like workpiece. The height position detection means 6 is referring to 4 to 6 described.
Das
Höhenpositionsdetektionsmittel 6 bei der
veranschaulichten Ausführungsform
weist einen U-förmigen
Rahmen 61 auf, wie in 4 gezeigt,
und dieser Rahmen 61 ist an dem Gehäuse 521 des obigen
Laserstrahlaufbringungsmittels 52 durch einen Trag- bzw.
Stützarm
bzw. -halterung 7 befestigt. Ein Lichtaussendemittel bzw.
-einrichtung 62 und ein Lichtempfangsmittel bzw. -einrichtung 63 sind
in dem Rahmen 61 in der Weise eingebaut, dass sie in der durch
den Pfeil Y angegebenen Weiterschalt-Vorschubrichtung mit dem obigen
Kondensor 526 dazwischen einander gegenüberliegend bzw. entgegengesetzt
zu einander sind. Das Lichtaussendemittel 62 weist ein Lichtaussendeelement 621,
eine Projektionslinse 622 und ein Lichttrennmittel bzw.
-einrichtung 623 auf, wie in 6 gezeigt.
Das Lichtaussendeelement 621 bringt einen Puls- bzw. Impulslaserstrahl
mit einer Wellenlänge
von beispielsweise 670 nm auf das an dem obigen Einspanntisch 36 gehaltene
Werkstück
W durch die Projektionslinse 622 und das Lichttrennmittel 623 bei
einem vorbestimmten Einfallswinkel α auf, wie in 5 und 6 gezeigt. Der
Einfallswinkel α ist
so eingestellt, um größer als der
Konvergenzwinkel β bezogen
auf den NA-Wert der Objektiv-Kondensorlinse 526b des Kondensors 526 und
kleiner als 90° zu
sein. Der von dem obigen Lichtaussendeelement 621 aufgebrachte
Laserstrahl wird in einen ersten Laserstrahl und einen zweiten Laserstrahl
durch das Lichttrennmittel 623 getrennt, und die getrennten
Laserstrahlen werden jeweils mit einem vorbestimmten Intervall bzw.
Zwischenraum bzw. Abstand an beiden Seiten des durch den Kondensor 526 gebildeten
Brennpunkts in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung (der Richtung senkrecht
zu dem Blatt der 6) aufgebracht. Das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 bei
der veranschaulichten Ausführungsform
weist ein Auswahl- bzw. Wahlmittel bzw. -einrichtung 64 zum
Auswählen
bzw. Wählen des
ersten Laserstrahls und des zweiten Laserstrahls auf, die durch
das Lichttrennmittel 623 gebildet und durch das Lichtempfangsmittel 63 empfangen
sind. Die Funktionen des Lichttrennmittels 623 und des Auswahlmittels 67 und
die Aufbringungspositionen des ersten Laserstrahls und des zweiten
Laserstrahls werden in Einzelheiten später beschrieben.The height position detection means 6 in the illustrated embodiment has a U-shaped frame 61 on, like in 4 shown, and this frame 61 is on the case 521 the above laser beam applying means 52 by a support or support arm or holder 7 attached. A light emitting means 62 and a light receiving means 63 are in the frame 61 installed in such a way that they in the direction indicated by the arrow Y indexing feed direction with the above condenser 526 between each other are opposite to each other or opposite to each other. The light emitter 62 has a light emitting element 621 , a projection lens 622 and a light separating means 623 on, like in 6 shown. The light emitting element 621 applies a pulse laser beam having a wavelength of, for example, 670 nm to that at the above chuck table 36 held workpiece W through the projection lens 622 and the light-separating agent 623 at a predetermined angle of incidence α, as in FIG 5 and 6 shown. The incident angle α is set to be larger than the convergence angle β with respect to the NA value of the objective condenser lens 526b of the condenser 526 and less than 90 °. The one of the above light emitting element 621 Applied laser beam is in a first laser beam and a second laser beam through the light separating means 623 separated, and the separated laser beams are respectively at a predetermined interval on both sides of the by the condenser 526 formed focal point in the processing feed direction (the direction perpendicular to the sheet of 6 ) applied. The height position detection means 6 In the illustrated embodiment, a selection means 64 for selecting the first laser beam and the second laser beam transmitted through the light separating means 623 formed and by the light receiving means 63 are received. The functions of the light separating agent 623 and the selection means 67 and the application positions of the first laser beam and the second laser beam will be described in detail later.
Das
obige Lichtempfangsmittel 63 weist ein Lichtpositionsfühlelement 631,
eine Lichtempfangslinse 632 und ein Ablenkspiegelmittel
bzw. -einrichtung 633 auf, und ist an einer Po sition angeordnet,
an der ein von dem obigen Lichtaussendemittel 62 aufgebrachter
Laserstrahl von dem Werkstück
W regulär bzw.
regelmäßig reflektiert
wird, wie in 6 gezeigt. Die Funktion des
Ablenkspiegelmittels 633 wird in Einzelheiten später beschrieben.
Wie in 4 gezeigt, weist das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 bei der
veranschaulichten Ausführungsform
einen Winkeleinstellknopf 62a bzw. 63a zum Einstellen
des jeweiligen Neigungswinkels des Lichtaussendemittels 62 bzw.
des Lichtempfangsmittels 63 auf. Durch Drehen des Winkeleinstellknopfs 62a bzw. 63a kann
der Einfallswinkel α des
von dem Lichtaussendemittel 62 aufgebrachten Laserstrahl
bzw. der Lichtempfangswinkel des Lichtempfangsmittels 63 eingestellt
werden.The above light receiving means 63 has a light position sensing element 631 , a light-receiving lens 632 and a deflecting mirror means 633 on, and is disposed at a position at which one of the above Lichtaussendemittel 62 applied laser beam from the workpiece W is reflected regularly or regularly, as in 6 shown. The function of the deflecting mirror means 633 will be described in detail later. As in 4 shown has the height position detection means 6 in the illustrated embodiment, a Winkeleinstellknopf 62a respectively. 63a for adjusting the respective inclination angle of the light emitting means 62 or the light receiving means 63 on. Turn the angle adjustment knob 62a respectively. 63a For example, the angle of incidence α of the light emitting means 62 applied laser beam or the light receiving angle of the light receiving means 63 be set.
Im
nachfolgenden wird eine Beschreibung der Detektion der Höhenposition
des Werkstücks
W mit Hilfe des Höhenpositionsdetektionsmittels 6 gebracht,
das ausgebildet ist, wie oben unter Bezugnahme auf 6 beschrieben.Hereinafter, a description will be given of the detection of the height position of the workpiece W by the height position detecting means 6 brought, which is formed as above with reference to 6 described.
Wenn
die Höhenposition
des Werkstücks
W eine Position ist, die durch eine strichpunktierte Linie in 6 gezeigt
ist, wird ein Laserstrahl, der auf die Fläche bzw. Oberfläche des
Werkstücks
W von dem Lichtaussendeelement 621 durch die Projektionslinse 622 und
das Lichttrennmittel 623 aufgebracht wird, reflektiert,
wie durch die strichpunktierte Linie gezeigt, und an dem A-Punkt
des Lichtpositionsfühlelements 631 durch
das Ablenkspiegelmittel 633 und die Lichtempfangslinse 632 empfangen.
Mittlerweile wird, wenn die Höhenposition
des Werkstückes
W eine Position ist, die durch eine strichdoppeltpunktierte Linie
in 6 gezeigt ist, ein Laserstrahl, der auf die Fläche bzw.
Oberfläche
des Werkstücks
W von dem Lichtaussendeelement 621 durch die Projektionslinse 622 und
das Lichttrennmittel 623 aufgebracht ist, reflektiert,
wie durch die strich-doppeltpunktierte Linie gezeigt ist, und an
dem B-Punkt des Lichtpositionsfühlelements 631 durch
das Ablenkspiegelmittel 633 und die Lichtempfangslinse 632 empfangen.
Daten, die durch das Lichtpositionsfühlelement 631 empfangen
werden, werden zu einem Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung,
zugeführt,
welche später
beschrieben wird. Das Steuermittel berechnet die Verschiebung "h" (h = H/sinα) der Höhenposition des Werkstücks W beruhend
auf dem Intervall bzw. Abstand "H" zwischen dem A-Punkt
und dem B-Punkt, die durch das Lichtpositionsfühlelement 631 detektiert
sind. Daher, wenn der Referenz- bzw. Bezugswert der Höhenposition
des an dem obigen Einspanntisch 36 gehaltenen Werkstücks W die
Position darstellt, die durch die strichpunktierte Linie in 6 gezeigt
ist, und wenn sich die Höhenposition
des Werkstücks
W zu der Position verschiebt, die durch die strich-doppeltpunktierte
Linie in 6 gezeigt ist, versteht es sich,
dass das Werkstück
um die Höhe "h" abwärts
verschoben ist.When the height position of the workpiece W is a position indicated by a dot-dash line in FIG 6 is shown, a laser beam is applied to the surface of the workpiece W from the light emitting element 621 through the projection lens 622 and the light-separating agent 623 is applied, reflected as shown by the dot-dash line, and at the A-spot of the light position sensing element 631 by the deflecting mirror means 633 and the light receiving lens 632 receive. Meanwhile, when the height position of the workpiece W is a position indicated by a double-dot-dash line in FIG 6 a laser beam is shown on the surface of the workpiece W from the light emitting element 621 through the projection lens 622 and the light-separating agent 623 is applied, as shown by the dot-and-dash line, and at the B-spot of the light-position sensing element 631 by the deflecting mirror means 633 and the light receiving lens 632 receive. Data generated by the light position sensing element 631 are received are supplied to a control means, which will be described later. The control means calculates the displacement "h" (h = H / sinα) the height position of the workpiece W based on the interval "H" between the A point and the B point passing through the light position sensing element 631 are detected. Therefore, when the reference value of the height position of the at the above chuck table 36 held workpiece W represents the position indicated by the dotted line in 6 is shown, and when the height position of the workpiece W shifts to the position indicated by the dash-dotted line in 6 As is shown, it is understood that the workpiece is shifted downwards by the height "h".
Die
Funktion des Lichttrennmittels 623, welches das Lichtaussendemittel 62 bildet,
und des Ablenkspiegelmittels 633, welches das Lichtempfangsmittel 63 des
obigen Höhenpositionsdetektionsmittels 6 bildet,
werden in näheren
Einzelheiten unter Bezugnahme auf 7 beschrieben.The function of the light-separating agent 623 which is the light emitter 62 forms, and the Ablenkspiegelmittels 633 which is the light receiving agent 63 the above height position detecting means 6 will be discussed in more detail with reference to 7 described.
Das
Lichttrennmittel 623, welches das obige Lichtaussendemittel 62 bildet,
weist einen Strahlteiler 623a und einen Ablenkspiegel 623b bei
der veranschaulichten Ausführungsform
auf. Das Lichttrennmittel 623, das wie oben beschrieben
ausgebildet ist, trennt einen Laserstrahl LB, der von dem Lichtaussendeelement 621 durch
die Projektionslinse 622 aufge bracht ist, in einen ersten
Laserstrahl LB1 und einen zweiten Laserstrahl LB2 mit Hilfe des
Strahlteilers 623a. Der durch den Strahlteiler 623a gebildete, erste
Laserstrahl LB1 wird mit einem vorbestimmten Zwischenraum bzw. Abstand
S oberhalb des Brennpunkts P, der durch den obigen Kondensor 526 gebildet
ist, in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung X in 7 aufgebracht.
Mittlerweile wird der durch den Strahlteiler 623a gebildete,
zweite Laserstrahl LB2 mit einem vorbestimmten Zwischenraum bzw.
Abstand unterhalb des Brennpunkts P, der durch den obigen Kondensor 526 gebildet
ist, in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung X in 7 aufgebracht.
Der obige vorbestimmte Abstand S ist auf 3 mm oder weniger eingestellt.The light-separating agent 623 which is the above light emitting means 62 forms, has a beam splitter 623a and a deflecting mirror 623b in the illustrated embodiment. The light-separating agent 623 , which is formed as described above, separates a laser beam LB from the light emitting element 621 through the projection lens 622 is introduced, in a first laser beam LB1 and a second laser beam LB2 by means of the beam splitter 623a , The through the beam splitter 623a formed, first laser beam LB1 with a predetermined gap or distance S above the focal point P, by the above condenser 526 is formed, in the machining feed direction X in 7 applied. Meanwhile, the by the beam splitter 623a formed second laser beam LB2 with a predetermined gap below the focal point P, by the above condenser 526 is formed, in the machining feed direction X in 7 applied. The above predetermined distance S is set to 3 mm or less.
Das
Ablenkspiegelmittel 633, welches das obige Lichtempfangsmittel 63 bildet,
weist ebenfalls einen Strahlteiler 633a und einen Ablenkspiegel 633b auf,
führt das
Reflektionslicht des obigen ersten Laserstrahls LB1 zu dem Lichtpositionsfühlelement 631 durch
den Strahlteiler 633a und die Lichtempfangslinse 632,
lenkt den obigen zweiten Laserstrahl LB2 mit Hilfe des Ablenkspiegels 633b und
des Strahlteilers 633a ab, und führt ihn zu dem Lichtpositionsfühlelement 631,
durch die Lichtempfangslinse 632.The deflecting mirror means 633 which is the above light receiving means 63 forms, also has a beam splitter 633a and a deflecting mirror 633b On, the reflection light of the above first laser beam LB1 leads to the light position sensing element 631 through the beam splitter 633a and the light receiving lens 632 , deflects the above second laser beam LB2 by means of the deflecting mirror 633b and the beam splitter 633a and leads it to the light position sensing element 631 , through the light-receiving lens 632 ,
Das
Höhenpositionsdetektionsmittel 6 bei der
veranschaulichten Ausführungsform,
die in 7 gezeigt ist, weist ein Auswahl- bzw. Wahlmittel
bzw. -einrichtung 64 zum Auswählen bzw. Wählen des ersten Laserstrahls
LB1 und des zweiten Laserstrahls LB2 auf, welcher durch das Lichtempfangsmittel 63 zu
empfangen ist. Das Auswahlmittel 64 bei der veranschaulichten
Ausführungsform
weist eine Blende 641, die in den optischen Wegen des ersten Laserstrahls
LB1 und des zweiten Laserstrahls LB2 eingebaut ist, welche von dem
Lichtaussende mittel 62 aufgebracht werden, und einen Aktuator
bzw. Betätiger 642 zum
Aktivieren der Blende 641 auf. Die Blende 641 weist
ein erstes Durchgangsloch 641a bzw. ein zweites Durchgangsloch 641b zum
selektiven Hindurchgehen des ersten Laserstrahls LB1 bzw. des zweiten
Laserstrahls LB2 hierdurch auf. Wenn die Blende 641, die
wie oben beschrieben ausgebildet ist, an einer ersten Position angeordnet
ist, die in 7 durch eine fest ausgezogene
Linie gezeigt ist, lässt
sie den ersten Laserstrahl LB1 durch das erste Durchgangsloch 641a hindurch
und schneidet den optischen Weg des zweiten Laserstrahls LB2 ab.
Andererseits, wenn die Blende 641 zu einer zweiten Position,
die durch eine strich-doppeltpunktierte Linie in 7 gezeigt
ist, durch Aktivieren des Aktuators 642 bewegt wird, schneidet
sie den optischen Weg des ersten Laserstrahls LB1 ab und lässt den
zweiten Laserstrahl LB2 durch das zweite Durchgangsloch 641b hindurch.The height position detection means 6 in the illustrated embodiment, shown in FIG 7 has a selection means 64 for selecting the first laser beam LB1 and the second laser beam LB2 transmitted through the light receiving means 63 to receive. The selection tool 64 In the illustrated embodiment, an aperture 641 , which is installed in the optical paths of the first laser beam LB1 and the second laser beam LB2, which medium of the light emitter 62 be applied, and an actuator or actuator 642 to activate the iris 641 on. The aperture 641 has a first through hole 641a or a second through hole 641b for selectively passing the first laser beam LB1 and the second laser beam LB2 therethrough. If the aperture 641 formed as described above is disposed at a first position, which in 7 is shown by a solid line, it leaves the first laser beam LB1 through the first through hole 641a and intersects the optical path of the second laser beam LB2. On the other hand, if the aperture 641 to a second position, indicated by a dash-dotted line in 7 is shown by activating the actuator 642 is moved, it cuts off the optical path of the first laser beam LB1 and leaves the second laser beam LB2 through the second through hole 641b therethrough.
Wenn
die Blende 641 des Höhenpositionsdetektionsmittels 6,
das wie oben beschrieben ausgebildet ist, zu der ersten Position
positioniert ist, die durch die fest ausgezogene Linie in 7 gezeigt
ist, wird der von dem Lichtaussendemittel 62 aufgebrachte,
erste Laserstrahl LB1 zu einem Q1-Punkt an der oberen Fläche des
Werkstücks
durch das erste Durchgangsloch 641a der Blende 641 aufgebracht, und
sein reflektiertes Licht wird in das Lichtpositionsfühlelement 631 durch
den Strahlteiler 633a des Ablenkspiegelmittels 633 und
der Lichtempfangslinse 632 eingeleitet, welche das Lichtempfangsmittel 63 bilden.
Andererseits, wenn die Blende 641 des Höhenpositionsdetektionsmittels 6 in
die zweite Position gebracht ist, die durch die strich-doppeltpunktierte
Linie in 7 gezeigt ist, wird der von
dem Lichtaussendemittel 62 aufgebrachte, zweite Laserstrahl
LB2 zu einem Q2-Punkt an der obe ren Fläche des Werkstücks durch
das zweite Durchgangsloch 621b der Blende 641 aufgebracht,
und sein reflektiertes Licht wird durch den Ablenkspiegel 633b und
den Strahlteiler 633a des Ablenkspiegelmittels 633 abgelenkt,
welches das Lichtempfangsmittel 63 bildet, und in das Lichtpositionsfühlelement 631 durch
die Lichtempfangslinse 632 eingeleitet.If the aperture 641 the height position detection means 6 , which is formed as described above, is positioned to the first position, which is defined by the solid line in FIG 7 is shown, that of the light emitting means 62 applied, first laser beam LB1 to a Q1 point on the upper surface of the workpiece through the first through hole 641a the aperture 641 applied, and its reflected light is in the light position sensing element 631 through the beam splitter 633a of the deflecting mirror means 633 and the light receiving lens 632 introduced, which the light receiving means 63 form. On the other hand, if the aperture 641 the height position detection means 6 placed in the second position by the dash-dotted line in 7 is shown, that of the light emitting means 62 applied second laser beam LB2 to a Q2 point on the upper surface of the workpiece through the second through hole 621b the aperture 641 Applied, and its reflected light is through the deflecting mirror 633b and the beam splitter 633a of the deflecting mirror means 633 deflected, which is the light receiving means 63 forms, and in the light position sensing element 631 through the light receiving lens 632 initiated.
Zu 1 zurückkehrend
wird erläutert,
dass ein Ausrichtungsmittel bzw. -einrichtung 8 zum Detektieren
bzw. Feststellen des Bereichs, der durch das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 52 zu
bearbeiten ist, an dem vorderen Endbereich des Gehäuses 521 angebracht
ist, welches das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 52 bildet.
Dieses Ausrichtungsmittel 8 bei der veranschaulichten Ausführungsform
weist ein Infrarot-Beleuchtungs- bzw. Abstrahlungsmittel bzw. -einrichtung
zum Aufbringen von Infrarotstrahlung auf das Werkstück, ein
optisches System zum Einfangen der durch das Infrarotabstrahlungsmittel
aufgebrachten Infrarotstrahlung, und eine Bildaufnahmevorrichtung
(Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals auf, welches
der durch das optische System eingefangenen Infrarotstrahlung entspricht,
zusätzlich
zu einer üblichen bzw.
normalen Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zum Aufnehmen eines Bildes
mit sichtbarer Strahlung. Ein Bildsignal wird zu dem Steuer- bzw.
Regelmittel zugeführt,
welches später
beschrieben wird.To 1 returning, it is explained that an alignment means 8th for detecting the area caused by the above laser beam applying means 52 to work on, at the front end portion of the housing 521 attached, which is the above laser beam application means 52 forms. This alignment tool 8th in the illustrated embodiment An infrared illuminating means for applying infrared radiation to the workpiece, an optical system for trapping infrared radiation applied by the infrared radiation means, and an image pickup device (infrared CCD) for outputting an electric signal corresponds to the infrared radiation trapped by the optical system, in addition to a conventional image pickup device (CCD) for taking an image with visible radiation. An image signal is supplied to the control means, which will be described later.
Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine bei der veranschaulichten Ausführungsform
weist das Steuer- bzw. Regelmittel 10 auf. Das Steuermittel 10 weist
eine zentrale Verarbeitungseinheit bzw. Zentraleinheit (CPU) 101 zum
Ausführen
einer arithmetischen Verarbeitung beruhend auf einem Steuerprogramm,
einen Nur-Lese-Speicher bzw. Festwertspeicher (ROM) 102 zum
Spei chern des Steuerprogramms, usw., einen Schreib/Lese-Speicher
bzw. Direktzugriffsspeicher (RAM) 103 zum Speichern der Ergebnisse
der Operationen, ein Input- bzw. Eingabe-Interface bzw. -Schnittstelle 104 und
ein Output- bzw. Rusgabe-Interface
bzw. -Schnittstelle 105 auf. Detektionssignale von dem
Lichtempfangsmittel 63 des obigen Höhenpositionsdetektionsmittels 6 und von
dem Ausrichtungsmittel 8 werden zu dem Eingabe-Interface 104 des
Steuermittels 10 eingegeben, welches wie oben beschrieben
ausgebildet ist. Steuersignale werden zu dem obigen Schrittmotor 372, dem
obigen Schrittmotor 382, dem obigen Schrittmotor 432,
dem obigen Schrittmotor 531, dem obigen Schrittmotor 542,
dem Laserstrahlaufbringungsmittel 52 und dem Aktuator 642 (vgl. 7),
welcher das Auswahlmittel 64 des Höhenpositionsdetektionsmittels 6 bildet,
von dem Ausgabe-Interface 105 ausgegeben.The laser beam processing machine in the illustrated embodiment has the control means 10 on. The control means 10 has a central processing unit or central processing unit (CPU) 101 for performing arithmetic processing based on a control program, a read-only memory (ROM) 102 for storing the control program, etc., a random access memory (RAM) 103 for storing the results of the operations, an input interface 104 and an output interface 105 on. Detection signals from the light receiving means 63 the above height position detecting means 6 and of the alignment means 8th become the input interface 104 of the tax money 10 entered, which is formed as described above. Control signals become the above stepping motor 372 , the above stepper motor 382 , the above stepper motor 432 , the above stepper motor 531 , the above stepper motor 542 , the laser beam application means 52 and the actuator 642 (see. 7 ), which the selection means 64 the height position detection means 6 forms from the output interface 105 output.
Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine bei der veranschaulichten Ausführungsform
ist wie oben beschrieben ausgebildet und ihre Operation bzw. Betrieb
wird im nachfolgenden beschrieben.The
Laser beam processing machine in the illustrated embodiment
is designed as described above and their operation
will be described below.
8 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als das plattenartige
Werkstück.
Bei dem in 8 gezeigten Halbleiterwafer 20 ist
eine Mehr- bzw. Vielzahl von Bereichen durch eine Mehr- bzw. Vielzahl
von Teilungslinien (Bearbeitungslinien) 211 geteilt (diese
Teilungslinien sind parallel zueinander), die in einem Gittermuster
an der vorderen Fläche 21a eines
Halbleitersubstrats 21, z.B. eines Siliziumwafers, gebildet
sind, und es ist eine Schaltung bzw. Schaltkreis 212, z.B.
IC oder LSI, in jedem der geteilten Bereiche gebildet. 8th FIG. 12 is a perspective view of a semiconductor wafer as the plate-like workpiece. FIG. At the in 8th shown semiconductor wafer 20 is a multitude of areas by a multiplicity of division lines (processing lines) 211 divided (these dividing lines are parallel to each other), which are in a grid pattern on the front surface 21a a semiconductor substrate 21 , For example, a silicon wafer, are formed, and it is a circuit or circuit 212 , eg IC or LSI, formed in each of the divided areas.
Der
wie oben beschrieben ausgebildete Halbleiterwafer 20 wird
zu der bzw. auf die Werkstückhaltefläche 361 des
Einspanntisches 36 der in 1 gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsmaschine getragen und an der Werkstückhaltefläche 361 in
einer solchen Art und Weise durch Saugen bzw. Ansaugen gehalten,
dass die hintere Fläche 21b nach oben
weist. Der den Halbleiterwafer 20 durch Saugen haltende
Einspanntisch 36 wird entlang der Führungsschienen 31 und 31 durch
Operation des Bearbeitungs-Vorschubmittels bewegt und zu einer Position
direkt unterhalb des Ausrichtungsmittels 8 gebracht, das
an der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 angebracht ist.The semiconductor wafer formed as described above 20 becomes to or on the workpiece holding surface 361 of the chuck table 36 the in 1 shown laser beam processing machine worn and on the workpiece holding surface 361 held in such a manner by suction or suction that the rear surface 21b points upwards. The semiconductor wafer 20 Suction table holding by suction 36 will be along the guide rails 31 and 31 moved by operation of the machining feed means and to a position directly below the alignment means 8th brought to the laser beam application unit 5 is appropriate.
Nachdem
der Einspanntisch 36 direkt unterhalb des Ausrichtungsmittels 8 positioniert
ist, wird eine Ausrichtungsarbeit bzw. -vorgang zum Detektieren
bzw. Feststellen des durch Laser zu bearbeitenden Bereichs des Halbleiterwafers 20 durch
das Ausrichtungsmittel 8 und das Steuermittel 10 ausgeführt. D.h.,
das Ausrichtungsmittel 8 und das Steuermittel 10 führen eine
Bildverarbeitung, z.B. "Pattern
Matching" bzw. Mustervergleich
usw. aus, um eine in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 20 gebildete
Teilungslinie 211 mit dem Kondensor 526 der Laserstrahlaufbringungseinheit 5 zum
Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Teilungslinie 211 auszurichten,
wodurch die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt wird.
Außerdem
wird die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition ebenfalls
an Teilungslinien 211 ausgeführt, die an dem Halbleiterwafer 20 in
einer Richtung rechtwinklig zu der obigen vorbestimmten Richtung gebildet
sind. In diesem Augeblick kann, obwohl die vordere Fläche 21a des
Halbleiterwafers 20, an welcher die Teilungslinie 211 gebildet
ist, nach unten weist, ein Bild der Teilungslinie 211 von
der hinteren Fläche 21b aufgenommen
wer den, da das Ausrichtungsmittel 8 das Infrarot-Abstrahlungsmittel,
das optische System zum Einfangen von Infrarotstrahlung und die
Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen
Signals aufweist, das der Infrarotstrahlung entspricht, usw., wie
oben beschrieben.After the chuck table 36 just below the alignment means 8th is positioned, an alignment operation for detecting the laser-to-be-processed portion of the semiconductor wafer 20 through the alignment means 8th and the control means 10 executed. That is, the alignment means 8th and the control means 10 perform image processing, eg, pattern matching, etc., to one in a predetermined direction of the semiconductor wafer 20 formed dividing line 211 with the condenser 526 the laser beam application unit 5 for applying a laser beam along the division line 211 aligning thereby aligning a laser beam deposition position. In addition, the alignment of the laser beam application position also becomes division lines 211 performed on the semiconductor wafer 20 are formed in a direction perpendicular to the above predetermined direction. In this view, although the front surface 21a of the semiconductor wafer 20 at which the division line 211 is formed, facing down, an image of the division line 211 from the back surface 21b who included the, because the alignment means 8th the infrared radiating means, the infrared radiation trapping optical system, and the image pickup device (infrared CCD) for outputting an electric signal corresponding to the infrared radiation, etc., as described above.
Nachdem
die Teilungslinie 211, die an dem an dem Einspanntisch 36 gehaltenen
Halbleiterwafer 20 gebildet ist, detektiert und die Ausrichtung
der Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt ist, wird der Einspanntisch 36 bewegt,
um ein Ende (linkes Ende in 9(a))
der vorbestimmten Teilungslinie 211 zu einer Position direkt
unterhalb des Kondensors 526 des Laserstrahlaufbringungsmittels 52 zu
bringen, wie in 9(a) gezeigt. Und der Brennpunkt
P des von dem Kondensor 526 aufgebrachten Impulslaserstrahls
wird zu einer Position nahe zu der vorderen Fläche 21a (Unterseite)
des Halbleiterwafers 20 eingestellt. Mittlerweile bringt
das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 die
Blende 641 des obigen Auswahlmittels 64 zu der
zweiten Position, die durch die strich-doppelpunktierte Linie in 7 gezeigt
ist, und aktiviert das Lichtaussendemittel 62. Infolgedessen wird
der in 7 gezeigte, zweite Laserstrahl LB2 auf die hintere
Fläche 21b (Oberseite)
des Halbleiterwafers 20 aufgebracht, so dass das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 die
Höhenposition
des Halbleiterwafers 20 durch den zweiten Laserstrahl LB2
detektiert. Der zweite Laserstrahl LB2 wird auf den Q2-Punkt geringfügig an der
rechten Seite von dem obigen Brennpunkt P in 9(a) aufgebracht.
Der Aufbringungspositions-Q2-Punkt ist geringfügig vor der Aufbringungsposition
(Brennpunkt P) des Impulslaserstrahls, der von dem Kondensor 526 in
der Bearbeitungs-Vorschubrichtung
aufgebracht wird.After the division line 211 attached to the chuck table 36 held semiconductor wafer 20 is formed, detected and the alignment of the laser beam application position is executed, the chuck table 36 moved to an end (left end in 9 (a) ) of the predetermined division line 211 to a position directly below the condenser 526 of the laser beam applying means 52 to bring, as in 9 (a) shown. And the focal point P of the condenser 526 applied pulse laser beam is moved to a position close to the front surface 21a (Bottom) of the semiconductor wafer 20 set. Meanwhile, the height position detection means brings 6 the aperture 641 the above selection means 64 to the second position, indicated by the dash-dotted line in 7 is shown, and activates the light emitting means 62 , As a result, the in 7 shown, second laser beam LB2 on the rear surface 21b (Top) of the semiconductor wafer 20 applied, so that the height position detection means 6 the height position of the semiconductor wafer 20 detected by the second laser beam LB2. The second laser beam LB2 becomes slightly at the Q2 point on the right side from the above focus point P in 9 (a) applied. The deposition position Q2 point is slightly before the application position (focus P) of the pulse laser beam emitted from the condenser 526 is applied in the machining feed direction.
Nachdem
der Kondensor 526 des Laserstrahlaufbringungsmittels 52 und
das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 eingestellt
sind, wie oben beschrieben, wird der Einspanntisch 36 in
der durch den Pfeil X1 in 9(a) angegebenen
Richtung mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit bewegt, während die
Höhenposition
des Halbleiterwafers 20 durch das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 detektiert
wird und der Impulslaserstrahl von dem Kondensor 526 aufgebracht
wird (Bearbeitungsschritt). Wenn die Aufbringungsposition des Kondensors 526 das
andere Ende (rechtes Ende in 9(b))
der Teilungslinie 211 erreicht, wie in 9(b) gezeigt, wird die Aufbringung des Impulslaserstrahls
ausgesetzt bzw. zeitweilig eingestellt und die Bewegung des Einspanntischs 36 wird
angehalten. In diesem Bearbeitungsschritt wird die Höhenposition
des Halbleiterwafers 20 geringfügig vor der Aufbringungsposition
des von dem Kondensor 526 aufgebrachten Impulslaserstrahls
in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung durch das obige Höhenpositionsdetektionsmittel 6 detektiert,
und dieses Detektionssignal wird jederzeit zu dem Steuermittel 10 zugeführt. Das
Steuermittel 10 berechnet die Verschiebung "h" (h = H/sin α) der Höhenposition des Halbleiterwafers 20 entlang
der Teilungslinie 221 beruhend auf dem Detektionssignal von
dem Höhenpositionsdetektionsmittel 6.
Das Steuermittel 10 treibt den Schrittmotor 531 des
ersten Brennpunktpositionseinstellmittels 53 in einer normalen
Richtung oder einer umgekehrten Richtung beruhend auf der berechneten
Verschiebung "h" der Höhenposition
an, um den Kondensor 526 aufwärts oder abwärts zu bewegen.
Daher wird in dem obigen Bearbeitungsschritt, wie in 9(b) gezeigt, der Kondensor 526 gemäß der Höhenposition
entlang der Teilungslinie 211 aufwärts oder abwärts bewegt. Infolgedessen
wird eine verschlechterte Schicht 210, die an der Innenseite
bzw. im Inneren des Halbleiterwafers 20 gebildet ist, gleich mäßig zu der
Fläche bzw.
Oberfläche
(die Unterseite des an dem Einspanntisch 36 gehaltenen
Halbleiterwafers 20) entgegengesetzt bzw. gegenüberliegend
zu der Fläche ausgesetzt
bzw. freigelegt, auf welche der Laserstrahl aufgebracht wird.After the condenser 526 of the laser beam applying means 52 and the height position detection means 6 are set as described above, the chuck table 36 in the direction indicated by the arrow X1 in 9 (a) indicated direction at a predetermined speed, while the height position of the semiconductor wafer 20 by the height position detection means 6 is detected and the pulse laser beam from the condenser 526 is applied (processing step). When the application position of the condenser 526 the other end (right end in 9 (b) ) of the division line 211 achieved as in 9 (b) is shown, the application of the pulsed laser beam is suspended or suspended and the movement of the chuck table 36 is stopped. In this processing step, the height position of the semiconductor wafer becomes 20 slightly before the application position of the condenser 526 applied pulse laser beam in the processing feed direction by the above height position detecting means 6 detected, and this detection signal is at any time to the control means 10 fed. The control means 10 calculates the shift "h" (h = H / sin α) of the height position of the semiconductor wafer 20 along the dividing line 221 based on the detection signal from the height position detection means 6 , The control means 10 drives the stepper motor 531 the first focus position setting means 53 in a normal direction or a reverse direction based on the calculated displacement "h" of the height position to the condenser 526 move up or down. Therefore, in the above processing step, as in FIG 9 (b) shown the condenser 526 according to the height position along the division line 211 moved up or down. As a result, a deteriorated layer becomes 210 located on the inside or inside the semiconductor wafer 20 is formed, evenly to the surface or surface (the bottom of the on the chuck table 36 held semiconductor wafer 20 ) is exposed opposite to the surface to which the laser beam is applied.
Im
Anschluss daran wird der Brennpunkt P des von dem Kondensor 526 aufgebrachten
Impulslaserstrahls zu einer Position nahe zu der Oberseite der verschlechterten
Schicht 210 eingestellt, die in dem Halbleiterwafer 20 an
dem anderen Ende (rechtes Ende in 10(a))
der vorbestimmten Teilungslinie 211 gebildet ist, wie in 10(a) gezeigt. Mittlerweile bringt das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 die Blende 641 des
obigen Auswahlmittels 64 zu der ersten Position, die durch
die fest ausgezogene Linie in 7 gezeigt
ist und aktiviert das Lichtaussendemittel 62. Infolgedessen
wird der in 7 gezeigte, erste Laserstrahl
LB1 auf die hintere Fläche 21b (Oberseite)
des Halbleiterwafers 20 aufgebracht, so dass das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 die
Höhenposition
des Halbleiterwafers 20 durch den ersten Laserstrahl LB1
detektiert. Der erste Laserstrahl LB1 wird auf den Q1-Punkt geringfügig an der
linken Seite des obigen Brennpunkts P in 10(a) aufgebracht. Dieser
Aufbringungspositions-Q1-Punkt ist geringfügig vor der Aufbringungsposition
(Brennpunkt P) des Impulslaserstrahls, der von dem Kondensor 526 in der
Bearbeitungs-Vorschubrichtung aufgebracht wird.Subsequently, the focal point P of the condenser 526 applied pulse laser beam to a position close to the top of the deteriorated layer 210 set in the semiconductor wafer 20 at the other end (right end in 10 (a) ) of the predetermined division line 211 is formed, as in 10 (a) shown. Meanwhile, the height position detection means brings 6 the aperture 641 the above selection means 64 to the first position, indicated by the solid line in 7 is shown and activates the light emitting means 62 , As a result, the in 7 shown, first laser beam LB1 on the rear surface 21b (Top) of the semiconductor wafer 20 applied, so that the height position detection means 6 the height position of the semiconductor wafer 20 detected by the first laser beam LB1. The first laser beam LB1 becomes slightly at the left side of the above focal point P in at the Q1 point 10 (a) applied. This application position Q1 point is slightly before the application position (focal point P) of the pulse laser beam emitted from the condenser 526 is applied in the machining feed direction.
Nachdem
der Kondensor 526 des Laserstrahlaufbringungsmittels 52 und
das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 eingestellt
sind, wie oben beschrieben, wird der Einspanntisch 36 in
der durch den Pfeil X2 in 10(a) angegebenen
Richtung mit einer vorbestimmten Bearbeitungs-Vorschubgeschwindigkeit
bewegt, während
die Höhenposition des
Halbleiterwafers 20 durch das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 detektiert
wird und der Impulslaserstrahl von dem Kondensor 526 aufgebracht
wird (Bearbeitungsschritt). Wenn die Aufbringungsposition des Kondensors 526 das
andere Ende (rechtes Ende in 10(b))
der Teilungslinie 211 erreicht, wie in 10(b) gezeigt, wird die Aufbringung des Impulslaserstrahls
zeitweilig ausgesetzt und die Bewegung des Einspanntischs 36 wird
angehalten. Außerdem
wird in diesem Bearbeitungsschritt die Höhenposition des Halbleiterwafers 20 geringfügig vor
der Aufbringungsposition des von dem Kondensor 526 in der
Bearbeitungs-Vorschubrichtung
aufgebrachten Impulslaserstrahls durch das obige Höhenpositionsdetektionsmittel 6 detektiert,
und der Kondensor 526 wird gemäß der Höhenposition des Halbleiterwafers 20 entlang
der Teilungslinie 211 beruhend auf diesem Detektionssignal
aufwärts
oder abwärts
bewegt, wie in 10(b) gezeigt. Infolgedessen
wird eine weitere verschlechterte Schicht 210 oberhalb
der verschlechterten Schicht 210 gebildet, die in dem Inneren
des Halbleiterwafers 20 in dem obigen Bearbeitungsschritt
gebildet ist. Wenn der Halbleiterwafer 20 dick ist, wird
der obige Bearbeitungsschritt durch Ändern des Brennpunkts P schritt-
bzw. stufenweise mehrmals ausgeführt.After the condenser 526 of the laser beam applying means 52 and the height position detection means 6 are set as described above, the chuck table 36 in the direction indicated by the arrow X2 in 10 (a) indicated direction at a predetermined processing feed speed, while the height position of the semiconductor wafer 20 by the height position detection means 6 is detected and the pulse laser beam from the condenser 526 is applied (processing step). When the application position of the condenser 526 the other end (right end in 10 (b) ) of the division line 211 achieved as in 10 (b) is shown, the application of the pulsed laser beam is temporarily suspended and the movement of the chuck table 36 is stopped. In addition, in this processing step, the height position of the semiconductor wafer 20 slightly before the application position of the condenser 526 pulsed laser beam applied in the machining feed direction by the above height position detecting means 6 detected, and the condenser 526 becomes in accordance with the height position of the semiconductor wafer 20 along the dividing line 211 moving up or down based on this detection signal, as in 10 (b) shown. As a result, another deteriorated layer 210 above the deteriorated layer 210 formed in the interior of the semiconductor wafer 20 is formed in the above processing step. When the semiconductor wafer 20 is thick, the above processing step is performed by changing the focus P step by step several times.
In
der Laserstrahlbearbeitungsmaschine bei der veranschaulichten Ausführungsform,
wie oben beschrieben, wird die Höhenposition
geringfügig
vor der Aufbringungsposition des Impulslaserstrahls, der von dem
Kondensor 526 in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung des
an dem Einspanntisch gehaltenen Wafers 20 aufgebracht wird,
durch das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 jederzeit
detektiert, und das Steuermittel 10 steuert das erste Brennpunktpositionseinstellmittel 53 beruhend
auf dem Detektionssignal, wodurch es ermöglicht wird, einen Hub ("stroke") zum Detektieren
der Höhenposition
des Halbleiterwafers 20 im wesentlichen zu beseitigen und
eine Laserbearbeitung an einer erwünschten Position in effizienter
Weise auszuführen,
selbst wenn der Halbleiterwafer 20 in der Dicke nicht gleichmäßig ist.
Weiterhin wählt
bei der veranschaulichten Ausführungsform das
Höhenpositionsdetektionsmittel 6 den
ersten Laserstrahl LB1 und den zweiten Laserstrahl LB2, welche an
beiden Seiten des durch den Kondensor 526 gebildeten Brennpunkts
P in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung X aufzubringen sind, mit
Hilfe des Auswahlmittels 64 aus, um die Höhenposition
des Halbleiterwafers 20 zu detektieren. Daher kann die
Laserbearbeitung während
der Hin- und Herbewegung des Einspanntischs 36 ausgeführt werden.In the laser beam processing machine in the illustrated embodiment, as above described, the height position is slightly before the application position of the pulse laser beam from the condenser 526 in the processing feed direction of the wafer held on the chuck table 20 is applied by the height position detecting means 6 detected at any time, and the control means 10 controls the first focus position setting means 53 based on the detection signal, thereby enabling a stroke to detect the height position of the semiconductor wafer 20 to substantially eliminate laser machining at a desired position, even if the semiconductor wafer 20 is not uniform in thickness. Further, in the illustrated embodiment, the height position detection means selects 6 the first laser beam LB1 and the second laser beam LB2, which on both sides of the through the condenser 526 formed focal point P are applied in the processing feed direction X, using the selection means 64 off to the height position of the semiconductor wafer 20 to detect. Therefore, the laser processing during the reciprocation of the chuck table 36 be executed.
Die
Bearbeitungsbedingungen in dem obigen Bearbeitungsschritt werden
z.B. wie folgt eingestellt.
Laser: YV04-Impulslaser
Wellenlänge: 1.064
nm
Wiederhol- bzw. Folgefrequenz: 100 kHz
Brennfleckdurchmesser:
1 μm
Bearbeitungs-Vorschubgeschwindigkeit:
100 mm/sek.The processing conditions in the above processing step are set as follows, for example.
Laser: YV04 pulse laser
Wavelength: 1,064 nm
Repeat or repetition frequency: 100 kHz
Focal spot diameter: 1 μm
Machining feed speed: 100 mm / sec.
Nachdem
der obige Bearbeitungsschritt entlang der vorbestimmten Teilungslinie 211 des
Halbleiterwafers 20 ausgeführt ist, wird der Einspanntisch 36 um
eine Distanz bzw. Strecke, die dem Intervall bzw. Abstand zwischen
Teilungslinien 211 entspricht, in der durch den Pfeil Y
angegebenen Weiterschalt- Vorschubrichtung
bewegt, um den obigen Bearbeitungsschritt auszuführen. Nachdem der obige Bearbeitungsschritt
entlang sämtlicher
der Teilungslinien 211, die sich in der vorbestimmten Richtung
des Halbleiterwafers 20 erstrecken, ausgeführt ist,
wird der Einspanntisch 36 um 90° gedreht, um den obigen Bearbeitungsschritt
entlang Teilungslinien 211 auszuführen, die sich in einer Richtung
rechtwinklig zu der obigen, vorbestimmten Richtung erstrecken. Nachdem
der obige Bearbeitungsschritt an sämtlichen der Teilungslinien 211,
die an dem Halbleiterwafer 20 gebildet sind, ausgeführt ist,
wird der den Halbleiterwafer 20 haltende Einspanntisch 36 zu
einer Position zurückgebracht,
wo er den Halbleiterwafer 20 zuerst durch Saugen gehalten
hat, um das Halten des Halbleiterwafers 20 durch Saugen
aufzuheben bzw. zu löschen.
Der Halbleiterwafer 20 wird sodann zu dem Teilungsschritt
durch ein Fördermittel
bzw. -einrichtung gebracht, die nicht gezeigt ist.After the above processing step along the predetermined division line 211 of the semiconductor wafer 20 is executed, the chuck table 36 by a distance or distance corresponding to the interval or distance between dividing lines 211 is moved in the indexing feed direction indicated by the arrow Y to execute the above processing step. After the above processing step along all of the division lines 211 located in the predetermined direction of the semiconductor wafer 20 extend, is executed, the chuck table 36 rotated by 90 ° to the above processing step along dividing lines 211 which extend in a direction perpendicular to the above predetermined direction. After the above processing step on all of the division lines 211 attached to the semiconductor wafer 20 are formed, which is the semiconductor wafer 20 holding chuck table 36 returned to a position where he is the semiconductor wafer 20 first held by suction to hold the semiconductor wafer 20 by sucking or canceling. The semiconductor wafer 20 is then brought to the dividing step by a conveyor, which is not shown.
Während ein
Bearbeitungsbeispiel, in welchem die verschlechterten Schichten 210 in
dem Inneren des Halbleiterwafers 20 entlang der an dem Halbleiterwafer 20 gebildeten
Teilungslinien 211 durch Verwenden der Laserstrahlbearbeitungsmaschine
gebildet werden, die gemäß der vorliegenden Erfindung
ausgebildet ist, oben beschrieben worden ist, kann eine Nut mit
einer vorbestimmten Tiefe entlang der vorderen Fläche des
Werkstücks
dadurch gebildet werden, dass eine Laserbearbeitung zum Bilden einer
Nut in bzw. an der vorderen Fläche
des Werkstücks
mit der Laserstrahlbearbeitungsmaschine nach der vorliegenden Erfindung
ausgeführt
wird. Die Bearbeitungsbedingungen zum Bilden einer Nut werden beispielsweise
wie folgt eingestellt.
Laser: YV04-Impulslaser
Wellenlänge: 355
nm
Wiederhol- bzw. Folgefrequenz: 100 kHz
Brennfleckdurchmesser:
3 μm
Bearbeitungs-Vorschubgeschwindigkeit:
60 mm/sek.While an editing example in which the deteriorated layers 210 in the interior of the semiconductor wafer 20 along the on the semiconductor wafer 20 formed dividing lines 211 can be formed by using the laser beam processing machine formed according to the present invention described above, a groove having a predetermined depth along the front surface of the workpiece can be formed by laser machining to form a groove in the front Surface of the workpiece is carried out with the laser beam processing machine according to the present invention. The machining conditions for forming a groove are set as follows, for example.
Laser: YV04 pulse laser
Wavelength: 355 nm
Repeat or repetition frequency: 100 kHz
Focal spot diameter: 3 μm
Machining feed speed: 60 mm / sec.
Im
nachfolgenden wird eine Beschreibung einer weiteren Ausführungsform
des Höhenpositionsdetektionsmittels 6 unter
Bezugnahme auf 11 gebracht. Den gleichen Elementen
des in 11 gezeigten Höhenpositionsdetektionsmittels 6 wie
die Bauelemente des in 7 gezeigten Höhenpositionsdetektionsmittels 6 sind
die gleichen Bezugszeichen verliehen worden, und ihre Beschreibungen
werden weggelassen.The following is a description of another embodiment of the height position detecting means 6 with reference to 11 brought. The same elements of in 11 shown height position detection means 6 like the components of in 7 shown height position detection means 6 The same reference numerals have been given and their descriptions are omitted.
Bei
dem in 11 gezeigten Höhenpositionsdetektionsmittel 6 weist
das Lichtaussendemittel 62 ein Lichtaussendeelement 621,
eine Projektionslinse 622 und ein Lichttrennmittel 65 auf.
Das Lichttrennmittel 65 weist ein Ablenksteuerelement 651 und
ein Doppelbrechungselement 652 auf. Das Ablenksteuerelement 651 weist
die Funktion eines selektiven Durchlassens einer P-Welle und einer S-Welle
eines Laserstrahls, der von dem Lichtaussendeelement 621 zum
Oszillieren gebracht ist, durch das Ablenksteuerelement dadurch
auf, dass sein Winkel mit Hilfe eines Aktuators 651a geändert wird.
D.h., das Ablenksteuerelement 651 weist die Funktion eines
Selektions- bzw.
Wählmittels
zum Trennen des Laserstrahls, der von dem Lichtaussendeelement 621 zum
Oszillieren gebracht ist, in ei nen ersten Laserstrahl LB1, welcher
eine P-Welle ist, und einen zweiten Laserstrahl LB2, welcher eine
S-Welle ist, und zum Auswählen
und Ausgeben einer von diesen auf. Das Doppelbrechungselement 652 lässt den ersten
Laserstrahl LB1 als die P-Welle hindurch, welche durch das Ablenksteuerelement 651 hindurchgegangen
ist, bricht den zweiten Laserstrahl LB2 als die S-Welle, welche
durch das Ablenksteuerelement 651 hindurchgegangen ist,
unter einem vorbestimmten Winkel und führt ihn parallel zu dem ersten
Laserstrahl LB1. Daher wird der erste Laserstrahl LB1, welcher die
P-Welle ist, die durch das Doppelbrechungselement 652 hindurchgegangen
ist, mit einem vorbestimmten Zwischenraum bzw. Abstand S oberhalb des
Brennpunkts P, der durch den obigen Kondensor 526 gebildet
ist, in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung in 11 aufgebracht.
Mittlerweile wird der zweite Laserstrahl LB2, welcher die S-Welle ist, die durch
das Doppelbrechungselement 652 hindurchgegangen ist, mit
einem vorbestimmten Zwischenraum bzw. Abstand S unterhalb des Brennpunkts
P, der durch den obigen Kondensor 526 gebildet ist, in der
Bearbeitungs-Vorschubrichtung
in 11 aufgebracht.At the in 11 shown height position detection means 6 has the light emitting means 62 a light emitting element 621 , a projection lens 622 and a light-separating agent 65 on. The light-separating agent 65 has a deflection control 651 and a birefringent element 652 on. The deflection control 651 has the function of selectively passing a P-wave and an S-wave of a laser beam emitted from the light-emitting element 621 is caused to oscillate by the deflection control element in that its angle by means of an actuator 651a will be changed. That is, the deflection control 651 has the function of a selecting means for separating the laser beam emitted from the light emitting element 621 is brought to oscillate in a first laser beam LB1, which is a P-wave, and a second laser beam LB2, which is an S-wave, and for selecting and outputting one of them. The birefringent element 652 leaves the first laser beam LB1 as the P-wave passing through the deflection control element 651 , breaks the second laser beam LB2 as the S-wave passing through the deflection control element 651 has passed, at a predetermined angle and leads it parallel to the first laser beam LB1. Therefore, the first laser beam LB1, which is the P wave, passes through the birefringence element 652 went through, with a vorbe The spacing S was above the focal point P passing through the above condenser 526 is formed in the machining feed direction in 11 applied. Meanwhile, the second laser beam LB2, which is the S wave, passes through the birefringence element 652 has passed, with a predetermined gap S below the focal point P, by the above condenser 526 is formed in the machining feed direction in 11 applied.
Das
Lichtempfangsmittel 63 des obigen Höhenpositionsdetektionsmittels 6 besteht
aus einem Lichtpositionsfühlelement 631,
einer Lichtempfangslinse 632 und einem Doppelbrechungselement 634. Das
Doppelbrechungselement 634 lässt den ersten Laserstrahl
als die obige P-Welle hindurch, bricht den zweiten Laserstrahl LB2
als die S-Welle unter einem vorbestimmten Winkel und führt ihn
dann zu der gleichen optischen Achse wie den ersten Laserstrahl LB1
zurück.The light receiving means 63 the above height position detecting means 6 consists of a light position sensing element 631 , a light-receiving lens 632 and a birefringence element 634 , The birefringent element 634 passes the first laser beam as the above P-wave, breaks the second laser beam LB2 as the S-wave at a predetermined angle, and then returns it to the same optical axis as the first laser beam LB1.
Das
in 11 gezeigte Höhenpositionsdetektionsmittel 6 ist
ausgebildet, wie oben beschrieben. Wenn der erste Laserstrahl LB1,
welcher die P-Welle des Laserstrahls ist, der von dem Lichtaussendeelement 621 zum
Oszillieren gebracht wird, durch das Lichttrennmittel 65 mit
einer Lichtteilungsfunktion und einer Auswahlfunktion ausgewählt wird, wird
dieser erste Laserstrahl LB1 auf den Q1-Punkt an der Oberseite des
Werkstücks
aufgebracht, und sein reflektiertes Licht wird in das Lichtpositionsfühlelement 631 durch
das Doppelbrechungselement 634 und die Lichtempfangslinse 632 eingeführt, welche
das Lichtempfangsmittel 63 bildet. Mittlerweile wird, wenn
der zweite Laserstrahl LB2, welcher die S-Welle des Laserstrahls
ist, der von dem Lichtaussendeelement 621 zum Oszillieren
gebracht wird, durch das Lichttrennmittel 65 mit einer
Lichtteilungsfunktion und einer Auswahlfunktion ausgewählt wird, dieser
zweite Laserstrahl LB2 auf den Q2-Punkt an der Oberseite des Werkstücks aufgebracht,
und sein reflektiertes Licht wird in das Lichtpositionsfühlelement 631 durch
das Doppelbrechungselement 634 und die Lichtempfangslinse 632 eingeführt bzw.
eingeleitet, welche das Lichtempfangsmittel 63 bildet. Das
Höhenpositionsdetektionsmittel 6,
das ausgebildet ist, wie oben beschrieben, kann außerdem die gleiche
Funktion und die gleiche Wirkung wie das in 7 gezeigte
Höhenpositionsdetektionsmittel
erhalten.This in 11 shown height position detection means 6 is formed as described above. When the first laser beam LB1, which is the P wave of the laser beam, that of the light emitting element 621 is caused to oscillate by the light separating agent 65 is selected with a light splitting function and a selecting function, this first laser beam LB1 is applied to the Q1 point on the upper surface of the workpiece, and its reflected light becomes the light position sensing element 631 through the birefringent element 634 and the light receiving lens 632 introduced which the light receiving agent 63 forms. Meanwhile, when the second laser beam LB2, which is the S-wave of the laser beam, becomes that of the light-emitting element 621 is caused to oscillate by the light separating agent 65 is selected with a light splitting function and a selecting function, this second laser beam LB2 is applied to the Q2 point at the top of the workpiece, and its reflected light becomes the light position sensing element 631 through the birefringent element 634 and the light receiving lens 632 introduced or introduced, which the light receiving means 63 forms. The height position detection means 6 Also, as described above, the same function and effect as that in FIG 7 obtained height position detection means.
Im
nachfolgenden wird eine Beschreibung einer noch weiteren Ausführungsform
des Höhenpositionsdetektionsmittels 6 unter
Bezugnahme auf 12 gebracht. Das Höhenpositionsdetektionsmittel 6,
das in 12 gezeigt ist, ist in der Ausbildung im
wesentlichen das gleiche wie das in 7 gezeigte
Höhenpositionsdetektionsmittel 6,
mit Ausnahme des Lichtaussendemittels 62. Daher sind den
gleichen Elementen die gleichen Bezugszeichen verliehen worden,
und ihre Beschreibungen sind weggelassen.The following is a description of still another embodiment of the height position detecting means 6 with reference to 12 brought. The height position detection means 6 , this in 12 is shown in the training is substantially the same as that in 7 shown height position detection means 6 , with the exception of the light emitter 62 , Therefore, the same reference numerals have been given to the same elements, and their descriptions are omitted.
Bei
dem in 12 gezeigten Höhenpositionsdetektionsmittel 6 weist
das Lichtaussendemittel 62 ein erstes Lichtaussendeelement 621a und
ein zweites Lichtaussendeelement 621b auf. Der erste Laserstrahl
LB1, der von dem ersten Lichtaussendeelement 621a zum Oszillieren
gebracht wird, wird mit einem vorbestimmten Zwischenraum bzw. Abstand oberhalb
des Brennpunkts P, der durch den obigen Kondensor 526 gebildet
ist, in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung X in 12 durch
eine erste Projektionslinse 622a und ein erstes Ablenkspiegelmittel 624a aufgebracht.
Der zweite Laserstrahl LB2, der
von dem zweiten Lichtaussendeelement 621b zum Oszillieren
gebracht wird, wird mit einem vorbestimmten Abstand S unterhalb
des Brennpunkts P, der durch die obige Kondensorlinse 526 gebildet
ist, in der Bearbeitungs-Vorschubrichtung X in 12 durch
eine zweite Projektionslinse 622b und ein zweites Ablenkspiegelmittel 624b aufgebracht.
Der obige vorbestimmte Abstand S ist auf 3 mm oder weniger eingestellt.At the in 12 shown height position detection means 6 has the light emitting means 62 a first light emitting element 621a and a second light emitting element 621b on. The first laser beam LB1 coming from the first light emitting element 621a is brought to oscillate, with a predetermined gap or distance above the focal point P, by the above condenser 526 is formed, in the machining feed direction X in 12 through a first projection lens 622a and a first deflecting mirror means 624a applied. The second laser beam LB2, the
from the second light-emitting element 621b is made to oscillate at a predetermined distance S below the focal point P passing through the above condenser lens 526 is formed, in the machining feed direction X in 12 through a second projection lens 622b and a second deflecting mirror means 624b applied. The above predetermined distance S is set to 3 mm or less.
Das
in 12 gezeigte Höhenpositionsdetektionsmittel 6 ist
ausgebildet, wie oben beschrieben. Wenn die Blende 641 des
Auswahlmittels 64 zu der ersten Position gebracht ist,
die durch die fest ausgezogene Linie gezeigt ist, geht der erste
Laserstrahl LB1, der von dem ersten Lichtaussendeelement 621a zum
Oszillieren gebracht ist, durch das erste Durchgangsloch 641a der
Blende 641 durch die erste Projektionslinse 622a und
die Ablenkspiegel 625a und 625b hindurch, welche
das erste Ablenkspiegelmittel 624a bilden, und wird auf
den Q1-Punkt an der Oberseite des Werkstücks aufgebracht, und sein reflektiertes
Licht wird in das Lichtpositionsfühlelement 631 durch
den Strahlteiler 633a des Ablenkspiegelmittels 633 und
die Lichtempfangslinse 632 eingeführt bzw. eingeleitet, welche das
Lichtempfangsmittel 63 bilden. Mittlerweile geht, wenn
die Blende 641 des Auswahlmittels 64 des Höhenpositionsdetektionsmittels 6 zu
der zweiten Position gebracht ist, die durch die strich-doppeltpunktierte
Linie in 12 gezeigt ist, der zweite Laserstrahl
LB2, der von dem zweiten Lichtaussendeelement 621b zum Oszillieren
gebracht ist, durch das zweite Durchgangsloch 641b der
Blende 641 durch die zweite Projektionslinse 622b und
die Ablenkspiegel 626a und 626b hindurch, welche
das zweite Ablenkspiegelmittel 624b bilden, und wird auf
den Q2-Punkt auf der Oberseite des Werkstücks aufgebracht, und sein reflektiertes
Licht wird durch den Ablenkspiegel 633b und den Strahlteiler 633a des
Ablenkspiegelmittels 633 abgelenkt, welche das Lichtempfangsmittel 63 bilden,
und wird in das Lichtpositionsfühlelement 631 durch
die Lichtempfangslinse 632 eingeführt bzw. eingeleitet. Das Höhenpositionsdetektionsmittel 6, das
ausgebildet ist, wie oben beschrieben, kann außerdem die gleiche Funktion
und die gleiche Wirkung wie das Höhenpositionsdetektionsmittel 6 erhalten, das
in 7 bzw. in 11 gezeigt
ist.This in 12 shown height position detection means 6 is formed as described above. If the aperture 641 of the selection means 64 is brought to the first position, which is shown by the solid line, goes the first laser beam LB1, which from the first light emitting element 621a is brought to oscillate through the first through hole 641a the aperture 641 through the first projection lens 622a and the deflecting mirrors 625a and 625b passing through the first deflecting mirror means 624a and is applied to the Q1 point at the top of the workpiece, and its reflected light becomes the light position sensing element 631 through the beam splitter 633a of the deflecting mirror means 633 and the light receiving lens 632 introduced or introduced, which the light receiving means 63 form. Meanwhile, if the aperture 641 of the selection means 64 the height position detection means 6 brought to the second position by the dash-dotted line in 12 is shown, the second laser beam LB2, that of the second light emitting element 621b is brought to oscillate through the second through hole 641b the aperture 641 through the second projection lens 622b and the deflecting mirrors 626a and 626b passing through the second deflecting mirror means 624b and is applied to the Q2 point on top of the workpiece, and its reflected light is transmitted through the deflection mirror 633b and the beam splitter 633a of the deflecting mirror means 633 deflected which the light receiving means 63 form, and is in the light position sensing element 631 through the light receiving lens 632 introduced or initiated. The height position detection means 6 Also, as described above, which is formed, can have the same function and the same effect as the height position detecting means 6 get that in 7 or in 11 is shown.
Beiden
in 7 und 12 gezeigten
Ausführungsformen
ist das Auswahlmittel 64 an der Einfallsseite des ersten
Laserstrahls LB1 und des zweiten Laserstrahls LB2 angeordnet. Das
Auswahlmittel 64 kann an der Reflektionsseite des ersten
Laserstrahls LB1 und des zweiten Laserstrahls LB2 angeordnet sein.Both in 7 and 12 the embodiments shown is the selection means 64 arranged on the incident side of the first laser beam LB1 and the second laser beam LB2. The selection tool 64 may be disposed on the reflection side of the first laser beam LB1 and the second laser beam LB2.