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Die
Erfindung betrifft ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen
Projektionsbelichtungsanlage.
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Mikrolithographie
wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise
integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess
wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche
ein Beleuchtungssystem und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das
Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (=
Retikel) wird mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer
lichtempfindlichen Schicht (z.B. Photoresist) beschichtetes und
in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat
(z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf
die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
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Es
ist bekannt, die erzielbare Auflösung
im Projektionsobjektiv dadurch zu erhöhen, dass im Bereich zwischen
dem bildebenenseitig letzten optischen Element des Projektionsobjektivs
und der lichtempfindlichen Schicht ein Immersionsmedium mit einem
Brechungsindex größer als
Eins eingeführt
wird. Diese Technik wird als Immersionslithographie bezeichnet.
Als Immersionsmedium wird z.B. deionisiertes Wasser genutzt, dessen
Brechungsindex bei einer Wellenlänge
von λ=193
nm etwa n=1.43 beträgt.
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Es
besteht in gegenwärtigen
Projektionsobjektiven zur Erreichung größerer numerischer Aperturen
ein zunehmender Bedarf nach der Verwendung höherbrechender Immersionsmedien
(d.h. von Immersionsmedien, deren Brechungsindex größer ist
als der von Wasser). Bei Verwendung solcher höherbrechender Immersionsmedien
wird allerdings die Lichteinkopplung in das Immersionsmedium unter
hohen Aperturwinkeln zunehmend problematisch, wobei insbesondere
dann, wenn der Brechungsindex des Immersionsmediums denjenigen des
daran angrenzenden letzten optischen Elementes des Projektionsobjektivs übersteigt,
aufgrund des Brechungsgesetzes n1·sin(α1)
= n2·sin(α2)
die in besagtem optischen Element erforderlichen Strahlwinkel im
Vergleich zu denjenigen im Immersionsmedium größere und kaum mehr handhabbare
Werte annehmen können.
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Zur Überwindung
dieses Problems ist es aus WO 2005/081067 A1 u.a. bekannt, das Projektionsobjektiv
so auszubilden, dass im Immersionsbetrieb die Immersionsflüssigkeit
zur Objektebene hin konvex gekrümmt
ist. Der Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung wird hiermit vollumfänglich durch
Inbezugnahme („incorporation
by reference") mit
aufgenommen.
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Aus
Robert Brunner et al. „Diffraction-based
solid immersion lens",
J. Opt. Soc. Am. A/Vol. 21, No.7/Juli 2004, S. 1186-1191 ist u.a. der
Einsatz einer lichteintrittsseitig mit einer diffraktiven Struktur
versehenen und zugleich als Immersionsmedium dienenden Linse („diffraction-based
solid immersion lens")
bekannt.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein Projektionsobjektiv einer
mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen,
welches auch bei Verwendung hochbrechender Immersionsmedien eine Strahleinkopplung
unter hohen numerischen Aperturen zur Erzielung höherer Auflösungen ermöglicht.
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Ein
erfindungsgemäßes Projektionsobjektiv
einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, zur Abbildung
einer in einer Objektebene positionierbaren Maske auf eine in einer
Bildebene positionierbare lichtempfindliche Schicht, weist ein bildebenenseitig
letztes optisches Element mit einer Lichteintrittsfläche und
einer Lichtaustrittsfläche
auf und ist für
einen Immersionsbetrieb ausgelegt, in welchem in einem Bereich zwischen
der Lichtaustrittsfläche
und der Bildebene eine Immersionsflüssigkeit angeordnet ist. Wenigstens
eine zwischen der Lichteintrittsfläche des bildebenenseitig letzten
optischen Elements und der Immersionsflüssigkeit befindliche Grenzfläche weist
wenigstens bereichsweise eine Mikrostrukturierung auf.
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Unter
einer „Mikrostrukturierung" wird im Rahmen der
vorliegenden Anmeldung eine diffraktive Struktur verstanden, durch
welche eine zusätzliche, „diffraktive" Brechkraft in dem
Projektionsobjektiv bereitgestellt wird. Eine solche diffraktive
Struktur kann mittels gängiger,
beispielsweise elektronenlithographischer Verfahren hergestellt
werden.
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Infolge
der erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung
wird in dem Projektionsobjektiv eine Brechkraft im Bereich nach
der Lichteintrittsfläche
des bildebenenseitig letzten optischen Elements und vor der Immersionsflüssigkeit
eingeführt,
welche die Strahleinkopplung in die Immersionsflüssigkeit erleichtert bzw. auch
noch unter höheren
Aperturwinkeln ermöglicht,
ohne dass hierzu eine lichteintrittsseitige Krümmung der Immersionsflüssigkeit
erforderlich ist, was im Hinblick auf den im Immersionsbetrieb erfolgenden Immersionsflüssigkeitsstrom
zwischen Projektionsobjektiv und Wafer vorteilhaft ist. Erfindungsgemäß kann insbesondere
die Lichtaustrittsfläche
des bildebenenseitig letzten optischen Elementes im Wesentlichen
(d.h. bis auf eine gegebenenfalls dort vorgesehene erfindungsgemäße Mikrostrukturierung)
bzw. die lichteintrittsseitige Grenzfläche der Immersionsflüssigkeit
plan sein. Des Weiteren kann die erfindungsgemäße Einkopplung in die Immersionsflüssigkeit
auch unter hohen Aperturwinkeln ohne den Einsatz hochbrechender
Materialien (mit einem Brechungsindex größer als dem Brechungsindex
von Quarz, der bei 193 nm etwa n=1.56 beträgt) erreicht werden, so dass
diesbezügliche
Probleme (etwa hinsichtlich der Verfügbarkeit solcher Materialien
mit hinreichenden Transmissionseigenschaften und in ausreichender
optischer Qualität)
vermieden werden.
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Bevorzugt
ist von dem Kriterium, dass die besagte, die Mikrostrukturierung
aufweisende Grenzfläche „zwischen
der Lichteintrittsfläche
des bildebenenseitig letzten optischen Elements und der Immersionsflüssigkeit" befindlich ist,
die Lichteintrittsfläche
des bildebenenseitig letzten optischen Elements selbst nicht umfasst, d.h.
die besagte Grenzfläche
ist in Lichtausbreitungsrichtung nach dieser Lichteintrittsfläche angeordnet.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
weist die Immersionsflüssigkeit
bei einer Arbeitswellenlänge
des Projektionsobjektivs eine Brechzahl größer als diejenige von Wasser
auf. Die Immersionsflüssigkeit kann
insbesondere bei einer Arbeitswellenlänge des Projektionsobjektivs
eine Brechzahl von wenigstens 1.5, noch bevorzugter wenigstens 1.6
aufweisen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
ist die Mikrostrukturierung auf der Lichtaustrittsfläche des
bildebenenseitig letzten optischen Elementes ausgebildet.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
kann das bildebenenseitig letzte optische Element lichtaustrittsseitig
wenigstens eine Schicht aufweisen. Diese Schicht kann bei einer
Arbeitswellenlänge
des Projektionsobjektivs insbesondere eine Brechzahl größer als
die Brechzahl eines Materials aufweisen, aus welchem das bildebenenseitig
letzte optische Element hergestellt ist.
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Gemäß einer
Ausführungsform
bedeckt diese Schicht die wenigstens eine Mikrostrukturierung. Mittels einer
solchen Schicht kann zum einen die Mikrostrukturierung geschützt und
zum anderen auch vermieden werden, dass eine durch die Mikrostrukturierung
eingeführte
Oberflächenrauhigkeit
an der Grenzfläche
zur Immersionsflüssigkeit
auftritt, womit auch eine verbesserte Benetzung dieser Grenzfläche mit
Immersionsflüssigkeit
erreicht wird.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
kann die wenigstens eine Mikrostrukturierung auch in einer Lichtaustrittsfläche der
Schicht ausgebildet sein. Die hat den Vorteil, dass auf eine Mikrostrukturierung
des Materials des bildebenenseitig letzten optischen Elementes selbst
(z.B. Quarz oder Kalziumfluorid) verzichtet werden kann.
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Eine
solche Mikrostrukturierung in der Lichtaustrittsfläche der
Schicht kann auch ihrerseits durch eine weitere Schicht bedeckt
sein, womit wiederum eine Schutzwirkung der Mikrostrukturierung
sowie eine besser benetzbare Grenzfläche zur Immersionsflüssigkeit
hin geschaffen werden kann. Diese weitere Schicht kann insbesondere
eine Brechzahl aufweisen, die im Wesentlichen mit der Brechzahl
der Immersionsflüssigkeit übereinstimmt,
so dass an dem Übergang
zur Immersionsflüssigkeit
keine weitere Strahlablenkung mehr auftritt.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist das bildebenenseitig letzte optische Element aus
einem ersten Teilelement und einem zweiten Teilelement gebildet,
wobei die wenigstens eine Mikrostrukturierung an einer Grenzfläche zwischen
dem ersten Teilelement und dem zweiten Teilelement angeordnet ist.
Das erste und das zweite Teilelement können insbesondere z.B. mittels
Ansprengen nahtlos aneinandergefügt sein.
Ferner kann in einer bevorzugten Ausführungsform das erste Teilelement
eine Plankonvexlinse und das zweite Teilelement eine planparallele
Platte sein. Mittels einer solchen planparallelen Platte kann ein
hinreichend großer
Abstand der durch die Mikrostrukturierung gebildeten diffraktiven
optischen Struktur von der Bildebene hergestellt werden.
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Das
zweite Teilelement ist vorzugsweise aus einem Material gebildet,
welches bei einer Arbeitswellenlänge
des Projektionsobjektivs eine Brechzahl größer als diejenige von Quarz
(SiO2) aufweist. Vorzugsweise beträgt die Brechzahl
dieses Materials bei einer Arbeitswellenlänge des Projektionsobjektivs
wenigstens 1.7, bevorzugt wenigstens 1.85, noch bevorzugter wenigstens
2.0. Das zweite Teilelement kann insbesondere aus einem Material
gebildet sein, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die Lutetiumaluminiumgranat (Lu3Al5O12),
Spinell (MgAl2O4),
Yttriumaluminiumgranat (Y3Al5O12), NaCl, ZrO2 :
0. 12 Y2O3, Al2O3 und Y2O3 enthält.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung weist die wenigstens eine Mikrostrukturierung eine
diffraktive Gitterstruktur mit einer Gitterkonstante im Bereich
von 200 L/mm bis 3000 L/mm auf.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung wird durch die Mikrostrukturierung eine geblazete
diffraktive optische Struktur gebildet. Dabei ist unter einer geblazeten
diffraktiven optischen Struktur eine Struktur mit Einstellung eines
hohen Beugungswirkungsgrades in einer bestimmten Beugungsordnung
zu verstehen, wobei der Beugungswirkungsgrad für die anderen Beugungsordnungen
entsprechend klein ist, d.h. die Energie wird in einer gewünschten
Beugungsordnung maximiert. Eine solche geblazete diffraktive optische
Struktur kann in grundsätzlich
bekannter Weise als Indexgitter oder in Form eines Oberflächenprofils
ausgebildet sein.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung wird durch die Mikrostrukturierung eine quantisierte
diffraktive optische Struktur gebildet. Eine solche quantisierte
diffraktive optische Struktur kann in grundsätzlich bekannter Weise als
binäres
Gitter, d.h. Amplituden- oder Phasengitter, oder als Multiphasenlevel-Struktur
ausgebildet sein.
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Weitere
Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu
entnehmen.
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Die
Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen
dargestellten Ausführungsbeispielen
näher erläutert.
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Es
zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung des prinzipiellen Aufbaus einer mikrolithographischen
Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und
einem Projektionsobjektiv;
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2 eine
schematische Schnittansicht eines Details des Projektionsobjektivs
aus 1 mit einer erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung gemäß einer
ersten Ausführungsform;
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3 eine
schematische Schnittansicht zur Erläuterung der Realisierung einer
erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung
gemäß einer
zweiten Ausführungsform;
und
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4 schematische
Darstellungen zur Erläuterung
der Realisierung einer erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung gemäß weiterer
Ausführungsformen.
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1 zeigt
eine schematische Darstellung des prinzipiellen Aufbaus einer mikrolithographischen
Projektionsbelichtungsanlage 100. Die Projektionsbelichtungsanlage 100 weist
eine Beleuchtungseinrichtung 101 und ein Projektionsobjektiv 108 auf.
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Die
Beleuchtungseinrichtung 101 umfasst eine Lichtquelle 102 und
eine in stark vereinfachter Weise durch Linsen 103, 104 und
eine Blende 105 symbolisierte Beleuchtungsoptik. Die Arbeitswellenlänge der
Projektionsbelichtungsanlage 100 beträgt in dem gezeigten Beispiel 193 nm
bei Verwendung eines ArF-Excimerlasers als Lichtquelle 102.
Die Arbeitswellenlänge
kann jedoch beispielsweise auch 248 nm bei Verwendung eines
KrF-Excimerlasers oder 157 nm bei Verwendung eines F2-Lasers als Lichtquelle 102 betragen.
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Zwischen
der Beleuchtungseinrichtung 101 und dem Projektionsobjektiv 108 ist
eine Maske 107 in der Objektebene OP des Projektionsobjektivs 108 angeordnet,
die mittels eines Maskenhalters 106 im Strahlengang gehalten
wird. Die Maske 107 weist eine Struktur im Mikrometer-
bis Nanometer-Bereich auf, die mittels des Projektionsobjektives 108 beispielsweise
um den Faktor 4 oder 5 verkleinert auf eine Bildebene IP des Projektionsobjektivs 108 abgebildet
wird.
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Das
Projektionsobjektiv 108 umfasst eine ebenfalls lediglich
in stark vereinfachter Weise durch Linsen 109 bis 113 symbolisierte
Linsenanordnung, durch die eine optische Achse OA definiert wird.
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In
der Bildebene IP des Projektionsobjektivs 108 wird ein
durch einen Substrathalter 118 positioniertes und mit einer
lichtempfindlichen Schicht 115 versehenes Substrat 116,
bzw. ein Wafer, gehalten. Die noch auflösbaren minimalen Strukturen
hängen
von der Arbeitswellenlänge λ der Projektionsbelichtungsanlage 100 sowie
von der bildseitigen numerischen Apertur des Projektionsobjektives 108 ab,
wobei die maximal erreichbare Auflösung mit abnehmender Arbeitswellenlänge λ der Beleuchtungseinrichtung 101 und
mit zunehmender bildseitiger numerischer Apertur des Projektionsobjektivs 108 steigt.
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Zwischen
dem bildebenenseitig letzten optischen Element 113 des
Projektionsobjektivs 108 und der lichtempfindlichen Schicht 115 befindet
sich eine Immersionsflüssigkeit,
deren Brechungsindex im gezeigten Beispiel größer ist als der Brechungsindex
von deionisiertem Wasser bei der Arbeitswellenlänge (z.B. λ= 193 nm) ist und im Beispiel
n=1.65 bei einer Wellenlänge
von λ=193
nm beträgt.
Eine zu diesem Zweck beispielsweise geeignete Flüssigkeit trägt die Bezeichnung „Dekalin".
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Die
Erfindung ist nicht auf den Einsatz in einem speziellen Objektivdesign
beschränkt
und sowohl in katadioptrischen als auch in rein refraktiven Projektionsobjektiven
einsetzbar. Beispiele für
geeignete Objektivdesigns finden sich u.a. in der eingangs zitierten
und in ihrem Offenbarungsgehalt durch Inbezugnahme aufgenommenen
WO 2005/081067 A1.
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Erfindungsgemäß weist
nun eine zwischen der Lichteintrittsfläche des bildebenenseitig letzten
optischen Elements 113 und der Immersionsflüssigkeit 114 befindliche
Grenzfläche
wenigstens bereichsweise eine Mikrostrukturierung auf. Diese Mikrostrukturierung
ist bei dem in 1 gezeigten Beispiel auf der Lichtaustrittsfläche des
bildebenenseitig letzten optischen Elements 113 und unmittelbar
am Übergang
zur Immersionsflüssigkeit 114 angeordnet,
wie nachfolgend unter Bezugnahme auf 2 näher erläutert wird.
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2 zeigt
eine schematische Schnittansicht eines Details des Projektionsobjektivs 108,
wobei die Position einer erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung 117 an
der Grenzfläche
zwischen dem bildebenenseitig letzten optischen Element 113 und
der Immersionsflüssigkeit 114 erkennbar
ist. Die Mikrostrukturierung 117 ist als CGH (= "computer generated
hologram") auf der
Lichtaustrittsfläche
des bildebenenseitig letzten optischen Elements 113 ausgebildet.
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Die
Designdaten der in
2 gezeigten Anordnung sind in
Tabelle 1 aufgeführt.
Dabei ist in Spalte
1 die Nummer der jeweiligen brechenden
oder in anderer Weise ausgezeichneten optischen Fläche, in
Spalte
2 der Radius r dieser Fläche (in mm), in Spalte
3 der
als Dicke bezeichnete Abstand dieser Fläche zur nachfolgenden Fläche (in
mm), in Spalte
4 der optisch nutzbare freie Durchmesser
der optischen Komponente, in Spalte
5 das auf die jeweilige
Fläche
folgende Material und in Spalte
6 der Brechungsindex dieses
Materials bei λ=193
nm angegeben. Tabelle
1:
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Die
durch die Mikrostrukturierung 117 gebildete diffraktive
optische Struktur führt
eine Phasenfunktion ein, die durch Gleichung (1) beschrieben wird: ϕ(x,y) = a·(x2 + y2) (1) wobei x und
y die kartesischen Koordinaten in der zur (in z-Richtung verlaufenden) optischen Achse
OA senkrechten Ebene angeben und wobei für die Mikrostrukturierung 117 gemäß dem Ausführungsbeispiel
a= 2.177946·10–3 mm
gilt. Die durch die Mikrostrukturierung 117 gebildete diffraktive
optische Struktur weist eine zum Abstand von der optischen Achse
quadratisch ansteigende Gitterkonstante auf, die am Rand der Struktur etwa
1550 L/mm erreicht.
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Gemäß dem Beispiel
von 2 ist die durch die Immersionsflüssigkeit 114 gebildete
Flüssigkeitsschicht
verhältnismäßig dick
ausgebildet, um einen hinreichend großen Abstand der durch die Mikrostrukturierung 117 gebildeten
diffraktiven optischen Struktur von der Bildebene IP herzustellen.
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3 zeigt
eine schematische Schnittansicht zur Erläuterung der Realisierung einer
erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung
gemäß einer
zweiten Ausführungsform.
Gemäß 3 ist
das bildebenenseitig letzte optische Element insofern aus einem
ersten Teilelement und einem zweiten Teilelement gebildet, als hier
eine Planplatte 218 lichtaustrittsseitig einer Plankonvexlinse 213 angeordnet
(vorzugsweise angesprengt oder angekittet) ist, wobei hier eine
Mikrostrukturierung 217 als CGH (= "computer generated hologram") auf der Lichtaustrittsfläche der
Plankonvexlinse 213 ausgebildet und somit an der Grenzfläche zwischen
Plankonvexlinse 213 und Planplatte 218 angeordnet
ist. Die Planplatte 218 ist aus einem (im Vergleich zu
Quarz) höherbrechenden
Material hergestellt und besteht im Ausführungsbeispiel aus Lutetiumaluminiumgranat
(Lu3Al5O12, LUAG) mit einem Brechungsindex von n=2.14
bei λ=193
nm. Weitere geeignete höherbrechende
Materialien sind MgAl2O4 (Spinell),
Y3AlsO12 (YAG),
NaCl, ZrO2:0.12 Y2O3, Al2O3 und
Y2O3. Die Immersionsflüssigkeit
ist in 3 mit 214 bezeichnet und befindet sich
zwischen Planplatte 218 und Bildebene IP.
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Die
Designdaten der in
3 gezeigten Anordnung sind in
zu Tabelle 1 analoger Weise in Tabelle 2 aufgeführt, wobei Radien und Dicken
wiederum in Millimetern (mm) angegeben sind. Tabelle
2:
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Die
durch die Mikrostrukturierung 217 gebildete diffraktive
optische Struktur führt
eine Phasenfunktion ein, die durch die obige Gleichung (1) beschrieben
wird, wobei in diesem Falle a= 2.906262·10–3 mm
gilt. Die durch die Mikrostrukturierung 217 gebildete diffraktive
optische Struktur weist eine Gitterkonstante von etwa 1450 L/mm
auf. Gemäß dem Beispiel
von 3 ist die Planplatte 218 verhältnismäßig dick
ausgebildet, um einen hinreichend großen Abstand der durch die Mikrostrukturierung 217 gebildeten
diffraktiven optischen Struktur von der Bildebene IP herzustellen.
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In 4 sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung der Realisierung einer
erfindungsgemäßen Mikrostrukturierung
gemäß weiterer
Ausführungsformen
gezeigt.
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Dabei
ist jeweils lediglich schematisch ein bildebenenseitig letztes optisches
Element oberhalb der (die lichtempfindliche Schicht aufnehmenden)
Bildebene dargestellt, wobei auf eine Darstellung der dazwischen
befindlichen Immersionsflüssigkeit
der einfacheren Darstellung halber verzichtet wurde.
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Gemäß 4a ist eine Mikrostrukturierung 313a in
der Lichtaustrittsfläche
des bildebenenseitig letzten optischen Elementes 313 ausgebildet
(so dass dieser Fall dem Ausführungsbeispiel
von 1 und 2 entspricht).
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Gemäß 4b ist eine Mikrostrukturierung 413a wie
in 4a in dem bildebenenseitig letzten
optischen Element 413 ausgebildet, wobei diese Mikrostrukturierung 413a jedoch
hier von einer Schicht 415 überzogen ist. Das Material
der Schicht 415 weist hier bei der Arbeitswellenlänge einen
höheren
Brechungsindex als das Material des bildebenenseitig letzten optischen
Elementes 413 (das beispielsweise aus Quarz oder Kalziumfluorid
hergestellt ist) auf. Durch diese Schicht 415 wird zum
einen Schutz für
die Mikrostrukturierung 413a bewirkt und zum anderen auch
vermieden, dass die durch die Mikrostrukturierung 413a eingeführte Oberflächenrauhigkeit
an der Grenzfläche
zur Immersionsflüssigkeit
auftritt, so dass auch eine verbesserte Benetzung dieser Grenzfläche mit
Immersionsflüssigkeit
erreicht wird.
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Gemäß 4c ist das Material, aus dem das bildebenenseitig
letzte optische Element 513 hergestellt ist, zunächst nicht mikrostrukturiert,
sondern weist eine plane Oberfläche
auf, auf, welche dann mit einer Schicht 515 überzogen
wird, wobei eine lichtaustrittsseitige Mikrostrukturierung 515a in
dieser Schicht 515 ausgebildet wird. Die Schicht 515 weist
wiederum vorzugsweise bei der Arbeitswellenlänge einen höheren Brechungsindex als das
Material des bildebenenseitig letzten optischen Elementes 513 (beispielsweise
aus Quarz oder Kalziumfluorid) auf.
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Gemäß 4d kann eine analog zu 4c auf
dem bildebenenseitig letzten optischen Element 613 ausgebildete
und mit einer Mikrostrukturierung 615a versehene Schicht 615 auch
ihrerseits mit einer Schicht 616 (welche beispielsweise
im Wesentlichen den gleichen Brechungsindex wie die Immersionsflüssigkeit
aufweist) überzogen
sein. Durch die Schicht 616 wird wiederum zum einen ein
Schutzwirkung für
die Mikrostrukturierung 615a geschaffen und zum anderen
vermieden, dass die durch diese Mikrostrukturierung eingeführte Oberflächenrauhigkeit
an der Grenzfläche
zur Immersionsflüssigkeit
auftritt, womit eine verbesserte Benetzung dieser Grenzfläche mit
Immersionsflüssigkeit
erreicht wird.
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Wenn
die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde,
erschließen
sich für
den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen,
z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner
Ausführungsformen.
Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige
Variationen und alternative Ausführungsformen
von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite
der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und
deren Äquivalente
beschränkt
ist.
