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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement
sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
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Obwohl
prinzipiell auf beliebige mikromechanische Bauelemente bzw. deren
Herstellungsverfahren anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und
die ihr zugrundeliegende Problematik anhand von Mikrofonbauelementen
erläutert.
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Heutzutage
sind Elektretmikrofone (ECM – electret
condenser microfone) auf Graphitbasis weit verbreitet. Sie werden
milliardenfach hergestellt und beispielsweise in Schnurlostelefone
eingebaut. Derartige ECM-Mikrofone sind jedoch stark temperaturempfindlich
und mit modernen Aufbau- und Verbindungstechniken, wie z.B. SMD-Löten (SMD
= Surface Mounted Device), nicht kompatibel. Sie erfordern zusätzliche
kostenintensive Montageschritte. Es gibt daher intensive Bemühungen,
Mikrofone in Mikromechanik aus Silizium herzustellen. Die derartige Implementierung
eines Mikrofons auf Halbleiterbasis bietet zusätzlich die Option einer integrierten
Signalverarbeitung auf demselben Chip.
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Aufgrund
der Vorteile bezüglich
Leistungsaufnahme konzentrieren sich die meisten Ansätze auf
mikromechanische Siliziummikrofone mit kapazitivem Wandlerprinzip.
Von den bekannten Ansätzen bauen
praktisch alle auf zwei übereinander
liegende Membranen oberhalb einer Substratöffnung (siehe z.B. WO 03/098969,
WO 03/068668, WO 03/055271). Beide Membranen sind bei dieser Bauart
an ihrer Peripherie aufgehängt.
Die eine der Membranen ist steif und perforiert, und die andere
ist flexibel und hat keine oder möglichst wenige Perforationslöcher.
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Die
EP 1 012 547 B1 offenbart
ein miniaturisiertes Halbleiter-Kondensatormikrofon basierend auf
einem flächigem
Biegebalken, der über
einer Substratöffnung
angeordnet ist.
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Die
EP 1 443 017 A1 beschreibt
den Ansatz eines differenziell kapazitiven Mikrofons ohne Substratöffnung unter
den Membranen und eines Mikrofons aus einer speziellen Biegebalkenanordnung. Die
Membranen bzw. Biegebalken bestehen wenigstens aus je einer Metalllage.
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Aus
der älteren
deutschen Anmeldung
DE 10 2004
050 764 ist ein mikromechanisches Bauelement bekannt mit
einem Substrat, einem im Substrat vorgesehenen Hohlraum und einer
an der Oberfläche
des Substrats vorgesehenen Membran, welche sich oberhalb des Hohlraums
befindet. Die Membran weist eine Höhenmodulation über dem
Hohlraum in Bezug auf die Oberseite des umgebenden Substrats auf.
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Das
erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement
mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. das Herstellungsverfahren
nach Anspruch 15 weisen den Vorteil auf, dass kurzfristige Druckschwankungen,
insbesondere Schallwellen, mit hoher Genauigkeit zu erfassen sind
und die Montage einfach und sicher realisierbar ist.
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Ein
zentraler Aufhängepfosten
oder ein Rahmen dient der Fixierung des Biegebalkens bzw. der Biegebalkensegmente
der oberen Elektrodenanordnung vorzugsweise über ein oder mehrere Biegefederelemente.
Die Federelemente zwischen Biegebalken und Aufhängepfosten bzw. Rahmen sorgen
für hohe
Flexibilität
bei vertikalen Bewegungen des Biegebalkens. Strukturierungslöcher dienen
vorzugsweise gleichzeitig der fluidischen Entdämpfung des Systems. Zwischen
Oberseite und Unterseite des Biegebalkens baut sich der für die Messung
notwendige Staudruck auf.
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Die
Außenform,
die Segmentierung, die Perforation und die Schichtdicke des Biegebalkens
bzw. der Biegebalkensegmente bestimmen die wesentlichen Eigenschaften
des mikromechanischen Bauelements, wie insbesondere Empfindlichkeit,
Frequenzgang, Richtungsempfindlichkeit, usw. Der Biegebalken bzw.
die Biegebalkensegmente können planar
gestaltet sein. Nicht-planare Strukturen, z.B. eine Mäanderstruktur,
böten prinzipiell
die Möglichkeit,
die Federsteifigkeit zu reduzieren. Zur Verhinderung von Verbiegungen
durch Schichtspannungen bzw. Schichtspannungsgradienten können spezielle Maßnahmen,
wie z.B. eine Korrugation, vorgesehen werden. Die Dicke der isolierenden
Opferschicht und damit der Abstand zwischen oberer und unterer Elektrodenanordnung
bestimmt die Messkapazität.
Der Abstand sollte möglichst
gering und die Kapazität möglichst
groß gewählt werden.
Durch die Dicke einer optionellen weiteren Isolationsschicht, insbesondere
Oxidschicht, unter der starren unteren Elektrodenanordnung lässt sich
die parasitäre
Kapazität
des Systems einstellen, wel che möglichst große gewählt werden sollte. Alternativ
können
die Gegenelektroden der unteren starren Elektrodenanordnung wenigstens
teilweise unterätzt
werden.
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Zwischen
den Gegenelektroden der unteren Elektrodenanordnung und dem Biegebalken
der oberen Elektrodenanordnung kann eine elektrische Spannung angelegt
werden, wodurch ihr Abstand zueinander vermindert und dementsprechend
die Empfindlichkeit erhöht
wird.
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In
dem äußeren Rand
der Biegebalkensegmente und dem inneren Rand einer optionellen starr angebrachten
peripheren dritten Elektrodenanordnung kann eine Kammstruktur angebracht
werden. Dies ermöglicht
eine differenziell kapazitive Messung der Biegebalkenauslenkung
in nur zwei Ebenen. Zusätzlich
kann über
eine derartige dritte Elektrodenanordnung eine elektrische Spannung
angelegt werden, womit wesentliche Mikrofoneigenschaften beeinflusst
werden können
(Glattziehen Biegebalken, Einstellung Empfindlichkeit, usw.).
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Besondere
Vorteile liegen weiterhin in der Richtungserkennung durch eine mögliche azimuthale Segmentierung
der Elektrodenanordnungen, einer hohen Empfindlichkeit des Biegebalkens
durch Aufhängung über Federelemente
an wenigen Punkten, einem Verzicht auf durch das Substrat gehende Öffnungen,
was für
eine kostengünstige
Herstellung und eine vereinfachte Montage wesentlich ist.
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In
den Unteransprüchen
finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des
jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.
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Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung weist die erste Elektrodenanordnung eine
Mehrzahl elektrisch entkoppelter kreisringsegmentförmiger Elektroden
auf, die symmetrisch um den Aufhängepfosten
angeordnet sind.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die zweite Elektrodenanordnung
eine Mehrzahl elektrisch gekoppelter kreisringsegmentförmiger Elektroden
auf, die symmetrisch und im wesentlichen deckungsgleich zu den entsprechenden kreisringsegmentförmigen Elektroden
der ersten Elektrodenanordnung um den Aushängepfosten aufgehängt sind.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die erste Elektrodenanordnung
und die zweite Elektrodenanordnung aus einer jeweiligen ersten und
zweiten leitfähigen
Schicht strukturiert.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist eine Abdeckplatte oberhalb
der zweiten Elektrodenanordnung vorgesehen, die einen Fluidmedienzugang
in den Zwischenraum festlegt. Damit lassen sich Dichtewellen effektiv
in den Zwischenraum leiten.
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ZEICHNUNGEN
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in
der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert.
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Es
zeigen:
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1a, b schematische waagrechte Querschnittsansichten
eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar 1a einen
ebenen Querschnitt durch den unteren Elektrodenbereich und 1b durch den oberen Elektrodenbereich;
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2a, b, c schematische senkrechte Querschnittsansichten
des mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar 2a entlang
der Linien A-A' bzw.
B-B' in 1a, b, 2b.
entlang der Linien C-C' bzw.
C1-C1' in 1a, b und 2c entlang
der Linien A1-A1' bzw.
B1-B1' in 1a, b;
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3a-e aufeinanderfolgende Prozessschritte
eines Herstellungsverfahrens zur Herstellung des mikromechanischen
Bauelements gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in schematischen senkrechten Querschnittsansichten
entlang der Linien A-A' bzw.
B-B' und entlang
der Linien C-C' bzw.
C1-C1' in 1a, b;
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4 eine
schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches Bauelements
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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5 eine
schematische senkrechte Querschnittsansicht des mikromechanischen
Bauelements gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar entlang der Linie D-D' in 4;
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6a-d aufeinanderfolgende Prozessschritte
eines Herstellungsverfahrens zur Herstellung des mikromechanischen
Bauelements gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegen den Erfindung in schematischen senkrechten Querschnittsansichten
entlang der Linien D-D' in 4;
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7 eine
ausschnittsweise schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches
Bauelement gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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8 eine
ausschnittsweise schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches
Bauelements gemäß einer
vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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9 eine
schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches Bauelements
gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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10 eine
schematische senkrechte Querschnittsansicht des mikromechanischen
Bauelements gemäß der fünften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar entlang der Linie B2-B2' in 12;
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11 eine
schematische senkrechte Querschnittsansicht des mikromechanischen
Bauelements gemäß der fünften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar entlang der Linie B3-B3' in 12;
und
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12 eine
schematische waagrechte Querschnittsansicht eines mikromechanischen
Bauelements gemäß der fünften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung durch den beweglichen Elektrodenbereich.
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BESCHREIBUNG
DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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In
den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche
Komponenten.
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1a, b sind schematische waagrechte Querschnittsansichten
eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung, und zwar 1a einen ebene
Querschnitt durch den unteren Elektrodenbereich und 1b durch
den oberen Elektodenbereich, und 2a,
b, c sind entsprechende schematische senkrechte Querschnittsansichten
des mikromechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar 2a entlang
der Linien A-A' bzw.
B-B' in 1a, b, 2b.
entlang der Linien C-C' bzw.
C1-C1' in 1a, b und 2c entlang
der Linien A1-A1' bzw. B1-B1' in 1a,
b.
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Die
ebene Querschnittsansicht von 1a zeigt
eine erste untere Elektrodenanordnung mit vier kreissegmentförmigen starren
unteren Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 mit
jeweiligen Zuleitungsabschnitten 3d1, 3d2, 3d3, 3d4.
Weiterhin dargestellt in 1a ist der
unterste Abschnitt eines zentralen Aufhängepfostens 10 mit
einem entsprechenden Zuleitungsabschnitt 3c1, der einen
rechteckigen Mittelbereich aufweist, welcher einerseits in einem
unteren runden Abschnitt eines Kontaktstöpsels 20 und andererseits
in einem unteren runden Abschnitt des zentralen Aufhängepfostens 10 endet.
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Ferner
bezeichnen Bezugszeichen 3a1, 3a2, 3a3, 3a4, 3a5 Rahmensegmente,
welche die Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 der
unteren Elektrodenanordnung umgeben und nur im Bereich der Zuleitungsabschnitte 3d1, 3d2, 3d3, 3d4 unterbrochen
sind. Alle in 1a dargestellten Elemente
sind in einer Ebene aus einer einzigen leitfähigen Schicht 3 (vgl. 3a), z.B. Polysilizium, hergestellt.
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1b zeigt eine ebene Querschnittsansicht einer
zweiten oberen Elektrodenanordnung. Die obere Elektrodenanordnung
weist vier kreissegmentförmige
auslenkbare Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 in Form
von Biegebalken auf, die über
einem Kreisringabschnitt 5b0 verbunden sind. Der Kreisringabschnitt 5b0 ist über Biegefedern 5a1, 5a2, 5a3, 5a4 mit
dem Aufhängepfosten 10 in
dessen oberem Abschnitt verbunden. Der Aufhängepfosten 10 ist
gebildet durch einen leitfähigen
Stöpsel 5c,
der auf dem unteren runden Abschnitt des Zuleitungsabschnitts 3c1 des
zentralen Aufhängepfostens 10 aufsitzt.
Die vier kreissegmentförmigen
auslenkbaren Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 liegen
im nichtausgelenkten Zustand im wesentlichen deckungsgleich oberhalb
der Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 der
unteren Elektrodenanordnung, getrennt durch einen Zwischenraum 15 (vgl. 2a, b).
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Wie 1b ebenfalls entnehmbar, ist der Kontaktstöpsel 20 gebildet
durch den leitfähigen Stöpsel 5d,
der auf dem unteren runden Abschnitt des Zuleitungsabschnitts 3c1 des
zentralen Aufhängepfostens 10 aufsitzt.
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Eine
dritte periphere starre Elektrodenanordnung in Form eines Kreisrings 5a ist
oberhalb der Rahmensegmente 3a1, 3a2, 3a3, 3a4, 3a5 getrennt davon
durch einen ringförmigen
Isolationsschichtbereich 4a (vgl. 2a,
b) vorgesehen.
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Die
Elemente 5a, 5b1, 5b2, 5b3, 5b4, 5c und 5d sind
ebenfalls aus einer einzigen leitfähigen Schicht, z.B. Polysilizium,
strukturiert (vgl. 3D).
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Wie
aus der senkrechten Schnittansicht gemäß 2a kennbar,
befindet sich zwischen den vier kreissegmentförmigen auslenkbaren Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 und
den vier starren kreissegmentförmigen
Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 der
Zwischenraum 15, der mit einem Fluid beispielsweise Umgebungsluft,
gefüllt
ist. Zwischen der dritten kreisringförmigen Elektrodenanordnung 5a und
den Rahmensegmenten 3a1, 3a2, 3a3, 3a4, 3a5 ist
der ringförmige
Isolationsbereich 4a, beispielsweise aus Siliziumoxid,
erkennbar. Weiterhin entnehmbar aus 2a ist
eine durchgehende Isolationsschicht 2 oberhalb des Substrats 1 und
unterhalb der unteren Elektrodenanordnung, welche vorliegend ebenfalls
aus Siliziumoxid besteht.
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Der
senkrechte Querschnitt gemäß 2b zeigt die Aufhängung des kreisringförmigen Elektrodenabschnitt 5b0 an
dem zentralen Aufhängepfosten 10 über die
dünnen
Biegefedern 5a2, 5a4. Die derartige Aufhängung ermöglicht,
dass die Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 der
oberen Elektrodenanordnung beim Auftreffen von Schallwellen SW leicht
auslenkbar sind.
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Eine
elektrische Kontaktierung der vier kreissegmentförmigen auslenkbaren Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 ist
realisiert durch den Kontaktstöpsel 20 über den
Zuleitungsabschnitt 3c1, den zentralen Aufhängepfostens 10,
die Biegefedern 5a1, 5a2, 5a3, 5a4 und
den kreisringförmigen
Elektrodenabschnitt 5b0.
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Durch
die azimuthale elektrische Untergliederung der Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 der
unteren Elektrodenanordnung ist eine richtungssensitive Erfassung
von auftreffenden Schallwellen SW möglich. Die Doppelpfeile in 2a, 2b zeigen
die Auslenkrichtungen der oberen Elektrodenanordnung an.
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3a-e sind aufeinanderfolgende Prozessschritte
eines Herstellungsverfahrens zur Herstellung des mikromechanischen
Bauelements gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in schematischen senkrechten Querschnittsansichten
entlang der Linien A-A' bzw.
B-B' und entlang
der Linien C-C' bzw.
C1-C1' in 1a, b.
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Der
jeweils linke und rechte Bereich der 3a-e
entsprechen den Darstellungen von 2a (linker
Bereich) und 2b (rechter Bereich).
Da aufgrund der Darstellung von 2c klar
ersichtlich ist, wurde in 3a-e nicht
zusätzlich
die Herstellung im Schnitt gemäß 2c erläutert.
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Mit
Bezug auf 3a wird auf das Substrat 1 aus
Silizium zunächst
eine Isolationsschicht 2 aus Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid
oder Kombinationen von beiden aufgebracht. Darüber abgeschieden wird eine
erste leitfähige
Schicht 3 aus Polysilizium.
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Wie
in 3b dargestellt, erfolgt dann eine Strukturierung
der ersten leitfähigen
Schicht 3 aus Polysilizium in die Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 mit den
Zuleitungsabschnitten 3d1, 3d2, 3d3, 3d4,
die Rahmenelemente 3a1, 3a2, 3a3, 3a4, 3a5 und
dem Zuleitungsabschnitt 3e1 für den zentralen Aufhängepfosten 10.
Diese Strukturierung erfolgt mittels bekannter photolithographischer
Methoden und wird daher hier nicht weiter erläutert. Die Strukturierung ergibt
den Zustand gemäss 1.
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Weiter
mit Bezug auf 3c wird dann eine zweite
Isolationsschicht 4 auf Siliziumoxid über der strukturierten leitfähigen Schicht 3 aus
Polysilizium und der ersten Isolationsschicht 2 abgeschieden.
Anschließend
werden photolithographisch der über
den runden Bereichen (vgl. 1) des Zuleitungsabschnitts 3c1 liegende
Bereiche der Isolationsschicht 4 entfernt, wo hernach der
zentrale Aufhängepfosten 10 bzw.
der Kontaktstöpsel 20 vorzusehen
sind.
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Wie
in 3d dargestellt, wird dann eine zweite
leitfähige
Schicht 5 aus Polysilizium über der Struktur abgeschieden.
Anschließend
erfolgt zunächst
ein Rückpolieren
der zweiten leitfähigen Schicht 5,
wobei die Oberseite der zweiten Isolationsschicht 4 aus
Siliziumoxid als Polierstopp dient.
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Durch
dieses Rückpolieren
werden die stöpselartigen
Anschlussabschnitte 5c, 5d des zentralen Aufhängepfostens 10 bzw.
des Kontaktstöpsels 20 innerhalb
der Isolationsschicht 4 vervollständigt. Anschließend wird
auf der Oberseite der Struktur erneut die zweite leitfähige Schicht 5 abgeschieden,
was zu Zustand gemäß 3d führt.
Ggfs. kann sogar auf das Rückpolieren
verzichtet werden, dann entfällt
die erneute Schichtabscheidung.
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Weiter
mit Bezug auf 3d erfolgt dann eine
photolithographische Strukturierung der zweiten leitfähigen Schicht 5 zur
Ausbildung der Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4,
des kreisringförmigen
Elektrodenabschnitts 5b0 sowie der Biegefedern 5a1, 5a2, 5a3, 5a4 und
des obersten Abschnitts des zentralen Aufhängepfostens 10 bzw.
des Kontaktstöpsels 20 sowie
der kreisförmigen
dritten Elektrodenanordnung 5a, wie in 1b dargestellt.
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Hierzu
sei zusätzlich
erwähnt,
dass die Dicke der Biegefedern 5a1, 5a2, 5a3, 5a4 geringer
ist als die Dicke der Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 und
des kreisringförmigen
Elektrodenabschnitts 5b0, was sich insbesondere durch die
geometrischen Perforationen und die elektrische Potentiale zum Opfer schichtätzen beeinflussen
lässt.
Wenn man die Biegefedern in Mäanderform
ausführt,
kann die Dicke der Biegefedern auch die der Elektroden sein.
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Anschließend wird
die Isolationsschicht 4 zur Bildung des Zwischenraums 15 durch
einen Ätzprozess
teilweise entfernt. Zur genauen Festlegung, wo die Isolationsschicht 4 entfernt
werden soll, dient eine (hier nicht dargestellte) Perforierung der
oberen Elektrodenanordnung. Somit lassen sich insbesondere vertikale
Kanten des Isolationsbereichs 4a oberhalb der Rahmensegmente 3a1, 3a2, 3a3, 3a4, 3a5 erzielen.
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Der
Prozesszustand gemäß 3e entspricht schließlich dem in 2a,
b dargestellten Zustand.
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4 ist
eine schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches Bauelements
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und 5 eine schematische
senkrechte Querschnittsansicht des mikromechanischen Bauelements
gemäß der zweiten
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung, und zwar entlang der Linie D-D' in 4.
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Bei
der zweiten Ausführungsform
gemäß 4 und 5 ist
oberhalb der oberen Elektrodenanordnung oberhalb der Rahmensegmente
bzw. der dritten Elektrodenanordnung 5a noch eine Abdeckplatte 30 mit
Durchgangslöchern 35 für Dichtewellen, insbesondere
Schallwellen, vorgesehen. Die Abdeckplatte 30 besteht aus
einer nicht leitfähigen Schicht
(vgl. 6d), aus der die Durchgangslöcher 35 sowie
ein zentrales Durchgangsloch 40 herausstrukturiert sind.
Von den Rahmensegmenten bzw. der dritten Elektrodenanordnung 5A ist
die Abdeckplatte 30 durch eine weitere Isolationsschicht 14a getrennt.
Die Abdeckplatte 30 kann auch aus einer leitfähigen isolierten
oder nicht-isolierten Schicht bestehen und als weitere Elektrode
dienen (vgl. 9 bis 13).
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6a-d zeigen aufeinanderfolgende Prozessschritte
eines Herstellungsverfahrens zur Herstellung des mikromechanischen
Bauelements gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in schematischen senkrechten Querschnittsansichten
entlang der Linien D-D' in 4.
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Der
Prozesszustand gemäß 6a entspricht dem Prozesszustand gemäß 3d und der Schnitt entspricht 2a. Im Anschluss an den Zustand gemäss 6a werden gemäß 6b die Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4, 5b0 sowie
die Biegefedern 5a1, 5a2, 5a3, 5a4 und
der Stöpselabschnitt 5c des
Aufhängepfostens 10 sowie
der Stöpselabschnitt 5d des
Kontaktstöpsels 20 aus
der zweiten leitfähigen
Schicht 5 strukturiert.
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Im
Anschluss daran wird die dritte Isolationsschicht 14 aus
Siliziumoxid oberhalb der resultierenden Struktur abgeschieden.
Oberhalb der dritten Isolationsschicht 14 wird dann die
nicht leitfähige Schicht,
z.B. Siliziumnitrid, für
die Abdeckplatte 30 abgeschieden und strukturiert. Im Anschluss
daran erfolgt das Opferschichtätzen,
bei dem die zweite Isolationsschicht 4 und die dritte Isolationsschicht 14 in
den Bereichen entfernt wird, wo der Zwischenraum für 15 für die Schallerfassung
zwischen der unteren Elektrodenanordnung und der oberen Elektrodenanordnung
vorzusehen ist. Dies führt
letztendlich zum Prozesszustand gemäß 6d.
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7 ist
eine ausschnittsweise schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches Bauelements
gemäß einer
dritten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung.
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Bei
der dritten Ausführungsform
gemäß 7 ist
eine Korrugation der oberen auslenkbaren Elektroden 5b1, 5b2, 5b3, 5b4 vorgesehen,
im vorliegenden Fall als Ausgestaltung in Form einer wellenförmigen Erhebung
W. Ebenso möglich
ist eine Korrugation der Biegefedern 5a1, 5a2, 5a3, 5a4 zur
Relaxation von Stressgradienten und In-Plane-Stress, wobei sich
eine Korrugation bestehend aus einer Überlagerung von konzentrischen
Radialwellen und Azimuthalwellen als besonders geeignet herausgestellt
hat. Durch Unterschiede in der Perforation bzw. Korrugation der
Biegebalkensegmente können
verschiedene mechanische und fluiddynamische Eigenschaften eingestellt
werden.
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8 ist
eine ausschnittsweise schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches Bauelements
gemäß einer
vierten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung.
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Bei
der vierten Ausführungsform
gemäß 8 ist
an der umlaufenden dritten elektrischen Elektrodenanordnung 5a' zusätzlich eine
Kammstruktur mit Zähnen 52 und
Aussparungen 53 vorgesehen, welche mit einer entsprechenden
Kammstruktur mit Zähnen 50 und
Aussparungen 51 an den Elektroden 5b1' usw. der oberen
Elektrodenanordnung verzahnt ist bzw. in Eingriff steht.
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9 stellt
eine schematische obere Draufsicht auf ein mikromechanisches Bauelement
gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dar, 10 und 11 sind
schematische senkrechte Querschnittsansicht des mikromechanischen
Bauelements gemäß der fünften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, und zwar entlang der Linie B2-B2' bzw. B3-B3' in 12, 12 ist eine
schematische waagrechte Querschnittsansicht eines mikromechanischen
Bauelements gemäß der fünften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung durch den beweglichen Elektrodenbereich.
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Bei
der fünften
Ausführungsform
gemäß 9 bis 12 ist
oberhalb der oberen Elektrodenanordnung oberhalb der Rahmensegmente
eine leitfähige
Abdeckplatte 30' mit
Durchgangslöchern 35 für Dichtewellen,
insbesondere Schallwellen, vorgesehen. Die Abdeckplatte 30' besteht aus
einer leitfähigen
Schicht aus Silizium, aus der die Durchgangslöcher 35 sowie ein
zentrales Durchgangsloch 40 herausstrukturiert sind. Von
den Rahmensegmenten ist die Abdeckplatte 30' durch die weitere Isolationsschicht 14a getrennt.
Sie bildet bei dieser Ausführungsform
eine weitere Elektrode, die mit den beweglichen Elektroden 5b1', 5b2', 5b3' und 5b4' und den unteren
starren Elektroden 3b1, 3b2, 3b3, 3b4 eine Differenzialkondensatoranordnung
ergibt.
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Wie
aus 10 bis 12 ersichtlich,
ist bei dieser fünften
Ausführungsform
kein zentraler Aufhängepfosten
vorgesehen, sondern die beweglichen Elektroden 5b1', 5b2', 5b3' und 5b4' hängen an
einem kreisförmigen
mittleren Elektrodenbereich 5b0' und dieser wiederum hängt über Biegefedern 5a1', 5a2', 5a3', 5a4' an einem Rahmenelement 5a', das aus derselben
Schicht gebildet ist. Das Rahmenelement 5a' ist über die Isolationsschicht 4a und
die Elemente 4a, 3a1-3a5 sowie die Isolationsschicht 2 auf dem
Substrat 1 verankert.
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Obwohl
die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise
modifizierbar.
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Insbesondere
sind die Elektrodengeometrie und die Materialien beliebig und nicht
auf die gezeigten Beispiele beschränkt. Das Material der beiden leitfähigen Schichten
ist nicht auf Polysilizium beschränkt, sondern kann insbesondere
auch ein Metall sein.
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- 3a1-3a5
- Rahmensegment
- 3d1-3d5
- Zuleitungsabschnitte
- 3b1-3b4
- untere
Elektrodenbereiche
- 10
- Aufhängerpfosten
- 20
- Kontaktstöpsel
- 5b1-5b4
- obere
Elektrodenabschnitte
- 5b-5b4'
- obere
Elektrodenabschnitte
- 5b0
- kreisringförmiger Elektrodenabschnitt
- 5b0'
- kreisförmiger Elektrodenabschnitt
- 5a1-5a4
- Biegefedern
- 5a1'-5a4'
- Biegefedern
- 5c
- Kontaktstöpsel von 10
- 5d
- Kontaktstöpsel von 20
- 3c1
- Zuleitungsabschnitt
- 5a
- ringförmige dritte
Elektrodenanordnung
- 5a'
- Rahmenelement
- 15
- Zwischenraum
- 1
- Substrat
- 2
- erste
Isolationsschicht
- 4,
4a
- zweite
Isolationsschicht
- 14,
14a
- dritte
Isolationsschicht
- 30,
30'
- Abdeckplatte
- 35
- Durchgangsloch
- 40
- zentrales
Durchgangsloch
- W
- wellenförmige Korrugation
- 51-53
- Kammstruktur