DE102005030869A1 - Sensor-Modul - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Sensor-Modul, das aufweist: DOLLAR A ein Hybrid-Substrat (2) mit einem Sockel (2.1) aus einem Metall und mindestens einer weiteren Substratschicht (2.4, 2.6), auf der eine Substratoberseite (2.8) ausgebildet ist, DOLLAR A eine auf der Substratoberseite (2.8) befestigte IR-Strahlungsquelle (6), ein auf der Substratoberseite (2.8) befestigtes IR-Sensorelement (7) zur Detektion von IR-Strahlung und DOLLAR A einen auf dem Sockel (2.1) befestigten Deckel (4) aus einem Metall, der auf seiner Innenseite einen IR-Strahlung reflektierenden Bereich (4.2) aufweist, wobei zwischen dem Deckel (4) und dem Hybrid-Substrat (2) ein Messraum (12) zur Aufnahme eines zu messenden Gases oder Gasgemischs ausgebildet ist und DOLLAR A wobei das IR-Sensorelement (7) derartig angeordnet ist, dass es von der IR-Strahlungsquelle (6) in den Messraum (12) ausgesandte und dem reflektierenden Bereich (4.2) reflektierte IR-Strahlung detektiert. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird ein kompakter Aufbau, eine hohe Stabilität und eine gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischer Strahlung bei niedrigen Fertigungskosten und einem großen Messsignal erreicht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Sensor-Modul bzw. spektroskopisches Sensor-Modul zur Messung mindestens einer Gaskonzentration in einem Messgas bzw. einem Gasgemisch.
  • Bei derartigen Sensor-Modulen wird Infrarot-Strahlung von einer Infrarot-Strahlungsquelle ausgesandt und hinter einer Messstrecke von einem IR-Sensor wieder absorbiert, der z. B. als Thermopile-Sensor ausgebildet sein kann. In dem Messraum vorhandene Gase absorbieren jeweils Infrarot-Strahlung in spezifischen Wellenlängenbereichen, so dass aus der von dem IR-Sensor detektierten IR-Strahlung die Gaskonzentration mindestens eines Gases ermittelt werden kann. Hierzu detektiert der IR-Sensor vorteilhafterweise die Strahlungsintensität in einem Messbereich und einem Referenzbereich, um aus einem Vergleich der gemessenen Intensitäten auf die Konzentration des betreffenden Gases schließen zu können. Der IR-Sensor kann hierbei auch mehrere sensitive Messbereiche bzw. Messkanäle zur Ermittlung mehrerer Einzelgase aufweisen.
  • Um ein hinreichend großes Signal zu erhalten, wird die von der IR-Strahlungsquelle ausgesandte IR-Strahlung herkömmlicherweise über eine geeignet große Messstrecke geführt, wozu spezielle Konstruktionen eingesetzt werden. Derartige Konstruktionen sind jedoch im Allgemeinen sehr aufwendig und erzeugen zusätzliche Kosten. Weiterhin sind sie zum Teil mechanisch nicht sehr stark belastbar, so dass ihr Einsatz insbesondere für Automotive-Anwendungen begrenzt ist.
  • Herkömmliche Sensor-Module sind zum Teil mit einem mehrteiligen Gehäuse aus z. B. Kunststoff hergestellt, in dem als Substrat im allgemeinen eine Leiterplatte aufgenommen ist, auf der die IR-Strahlungsquelle und der Sensor montiert sind. Die bestückte Leiterplatte wird somit in das Gehäuse gesetzt und mit einem Deckel verschlossen.
    •
  • Vorteile der Erfindung
  • Erfindungsgemäß weist das Sensor-Modul ein Hybrid-Substrat und einen auf das Substrat gesetzten Deckel aus einem Metall, vorteilhafterweise Stahl, auf, der zugleich als Reflektor dient. Durch die Verwendung eines Hybrid-Substrates anstelle einer oder mehrerer Leiterplatten tritt im allgemeinen ein geringerer Flächenbedarf, insbesondere eine geringere laterale Dimensionierung, auf. Die Fertigungskosten sind hierbei gering. Das Hybrid-Substrat weist auf seiner Unterseite einen Sockel aus Metall, z. B. Stahl auf, auf den der metallische Reflektor-Deckel direkt gesetzt wird. Somit wird in alle Richtungen – nämlich durch den metallischen Deckel nach oben und zu den Seiten und durch den Sockel nach unten – eine durchgängige, hohe Abschirmung gegenüber elektromagnetischer Strahlung erreicht.
  • Weiterhin wird durch den metallischen Deckel und den metallischen Sockel ein kompakter, stabiler Aufbau erreicht. Der Deckel wird auf den metallischen Sockel des Hybrid-Substrates vorteilhafterweise geschweißt. Hierdurch wird eine hochfeste, dichte und insbesondere auch über einen hohen Temperaturbereich beständige Verbindung erzielt.
  • Der Deckel des Sensor-Moduls kann je nach gewünschter Lichtintensität in seinem inneren reflektierenden Bereich beschichtet sein und/oder so geformt sein, dass er eine fokussierende bzw. bündelnde Wirkung zur Erhöhung der Lichtintensität auf dem Sensor bzw. Sensorelement aufweist.
  • Der erfindungsgemäße Sensor, insbesondere IR-Sensor, kann insbe sondere als Thermopile-Sensorelement ausgebildet sein, das einen Silizium-Chip mit einer durch eine Kavität unterätzten Membran aufweist, auf der z. B. eine Thermopile-Struktur aus miteinander kontaktierten leitfähigen Bahnen mit unterschiedlichem Seebeck-Koeffizienten ausgebildet ist, z. B. aus Polysilizium und einem Metall. Auf der Thermopile-Struktur ist hierbei eine Strahlung, insbesondere IR-Strahlung, absorbierende Absorptionsschicht, z. B. ein Metallsalz, aufgetragen, die sich bei Absorption von Strahlung, insbesondere IR-Strahlung, erwärmt und somit eine Thermo-Spannung an der Thermopile-Struktur bewirkt. Der für die Messung gewählte Wellenlängenbereich wird hierbei durch einen Strahlungsfilter, insbesondere einen IR-Strahlungsfilter, oberhalb der Thermopile-Struktur und der Absorberschicht ausgebildet, der z. B. als entsprechend strukturierter Filterchip auf das Sensor-Element geklebt wird. Das Sensor-Element kann z. B. zweikanalig mit einem Messkanal für das relevante Gas, insbesondere CO2, und einem Referenzkanal ausgebildet sein. Der Sensor bzw. IR-Sensor ist somit vorteilhafterweise als Chip-Stapel aus einem Sensor-Chip, einem Kappen-Chip zur Abdeckung der Messstruktur sowie einem Filterchip ausgebildet.
    •
  • Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der beiliegenden Zeichnungen an einer Ausführungsform näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein erfindungsgemäßes Sensor-Modul im Querschnitt gemäß den Schnittlinien A-A aus 2;
  • 2 den Horizontalschnitt B-B aus 1.
  • Ein Sensor-Modul 1 weist ein Hybrid-Substrat 2 und einen auf das Hybrid-Substrat 2 gesetzten Deckel 4 aus einem Metall, vorzugsweise Stahl, auf. Das Hybrid-Substrat 2 weist einen Metall-Sockel 2.1, vorzugsweise aus Stahl, und mindestens eine auf den Metall-Sockel 2.1 mittels einer Klebeschicht 2.3 befestigte Keramik-Schicht 2.4 auf; sie kann insbesondere auch zwei Keramik-Schichten 2.4 und 2.6 aufweisen, die mittels einer weiteren Klebeschicht 2.5 miteinander verklebt sind. Eine bestückte Substratoberseite 2.8 ist somit auf der Keramikschicht 2.4 oder 2.6 ausgebildet.
  • Auf der Substratoberseite 2.8 sind unter anderem eine IR-Strahlungsquelle 6, vorzugsweise eine im Niederstrombereich betriebene Glühwendel, und ein IR-Sensorelement 7 lateral zueinander beabstandet montiert. Ergänzend sind weitere Bauelemente 8, 9, z. B. ein Mikro-Prozessor 8 und ggf. ein ASIC 9 zur Auswertung der Messsignale, montiert. Der Deckel 4 liegt mit seinem äußeren Deckelrand 4.1 auf einer Randfläche 2.2 des Metall-Sockels 2.1 auf und ist mit dieser in einer Schweißverbindung 10 verbunden.
  • Zwischen dem Deckel 4 und der bestückten Substratoberseite 2.8 ist ein Messraum 12 ausgebildet, in dem das zu messende Gas bzw. die zu messende Gasmischung aufgenommen ist. Infrarot-Strahlung wird von der IR-Strahlungsquelle 6 in den Messraum 12 ausgesandt, teilweise direkt von dem IR-Sensorelement 7 empfangen und teilweise von einem reflektierenden Bereich 4.2 an der Innenseite des Deckels 4 zurück reflektiert, so dass es wiederum durch den Messraum 12 zu dem IR-Sensorelement 7 gelangt. Vorteilhafterweise wird durch den reflektierenden Bereich 4.2 des Deckels 4 hierbei eine fokussierende bzw. bündelnde Wirkung erreicht, so dass die Strahlungsintensität auf dem IR-Sensorelement 7 erhöht ist. Der reflektierende Bereich 4.2 auf der Innenseite des Deckels 4 kann ohne Beschichtung oder auch mit einer ergänzenden Beschichtung ausgebildet sein. Erfindungsgemäß wird somit ein großer, von der IR-Strahlung ausgefüllter Messraum 12 erreicht, so dass ein starkes Signal bzw. ein Signal mit hohem Signal-Rausch-Verhältnis empfangen werden kann.
  • In dem Deckel 4 sind vorteilhafterweise Ventilationsöffnungen 14 für einen Gasaustausch zwischen dem Messraum 12 und einem Außenraum ausgebildet. Die Kontaktierung des Sensor-Moduls 1 nach außen kann z. B. mit tels Leitungen 16 erfolgen, die von der Substratoberseite 2.8 durch die Keramik-Schichten 2.4 und 2.6 und in Glasdurchführungen 17 durch den Sockel 2.1 geführt werden, so dass eine Kontaktierung von der Unterseite des Sensor-Moduls 1 her erfolgt.

Claims (11)

  1. Sensor-Modul, das aufweist: ein Hybrid-Substrat (2) mit einem Sockel (2.1) aus einem Metall und mit mindestens einer weiteren Substratschicht (2.4, 2.6), auf der eine Substratoberseite (2.8) ausgebildet ist, eine auf der Substratoberseite (2.8) befestigte Strahlungsquelle (6), ein auf der Substratoberseite (2.8) befestigtes Sensorelement (7) zur Detektion von Strahlung, und einen auf dem Sockel (2.1) befestigten Deckel (4) aus einem Metall, der auf seiner Innenseite einen Strahlung reflektierenden Bereich (4.2) aufweist, wobei zwischen dem Deckel (4) und dem Hybrid-Substrat (2) ein Messraum (12) zur Aufnahme eines zu messenden Gases oder Gasgemischs ausgebildet ist, und wobei das Sensorelement (7) derartig angeordnet ist, dass es von der Strahlungsquelle (6) in den Messraum (12) ausgesandte und nachfolgend von dem reflektierenden Bereich (4.2) reflektierte Strahlung detektiert.
  2. Sensor-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, – dass es sich bei der Strahlungsquelle um eine IR-Strahlungsquelle und – bei dem Sensorelement zur Detektion der Strahlung um ein IR-Sensorelement zur Detektion von IR-Strahlung handelt, und – der Deckel (4) auf seiner Innenseite einen IR-Strahlung reflektierenden Bereich (4.2) aufweist
  3. Sensor-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das IR-Sensorelement (7) auch direkt von der Strahlungsquelle (6) ausgesandte Strahlung detektiert.
  4. Sensor-Modul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckel (4) und der Sockel (2.1) aus dem gleichen Metall, z. B. Stahl, gefertigt sind.
  5. Sensor-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Sockel (2.1) eine lateral äußere Randfläche (2.2) ausgebildet ist, auf der der Deckel (4) mit seinem lateral äußeren Deckelrand (4.1) befestigt ist.
  6. Sensor-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckel (4) auf dem Substrat in einer Schweißverbindung (10) angeschweißt ist.
  7. Sensor-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Deckel (4) Ventilationsöffnungen (14) für einen Gasaustausch zwischen dem Messraum (12) und einem Außenraum vorgesehen sind.
  8. Sensor-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die auf dem Sockel (2.1) vorgesehene mindestens eine Substratschicht (2.4, 2.6) aus einem Keramik-Material ausgebildet ist.
  9. Sensor-Modul nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die aus Keramik bestehende Substratschicht (2.4) auf dem Sockel (2.1) in einer Klebeschicht (2.3) befestigt ist.
  10. Sensor-Modul nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Sockel (2.1) mehrere, miteinander verbundene Substratschichten (2.4, 2.6) aus ein oder mehreren Keramikmaterialien ausgebildet sind.
  11. Sensor-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es Leitungen (16) zur Kontaktierung aufweist, die von der Substratoberseite (2.8) durch die mindestens eine weitere Substratschicht (2.4, 2.6) und in isolierenden Durchführungen (17) durch den Sockel (2.1) geführt sind.
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JP5985909B2 (ja) * 2012-07-10 2016-09-06 旭化成エレクトロニクス株式会社 ガスセンサ
EP4078147A1 (de) * 2019-12-20 2022-10-26 SenTec AG Sensor zur gasdetektion und verfahren zur herstellung

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