DE102005029219A1 - Rußsensor - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Rußsensor, umfassend einen über Anschlusspads mit elektrischen Anschlüssen verbundenen Chip, wobei wenigstens eine elektrische Eigenschaft des Chips aus der Gruppe Widerstand, Kapazität und Impedanz durch Rußeinwirkung änderbar ist sowie ein Verfahren zur Messung von Rußablagerungen, wobei die Abscheidungen von Ruß an einer Elektrodenkammstruktur oder einem Heizleiter 4 durch die Änderung des elektrischen Widerstands der Elektrodenkammstruktur 2 bestimmt wird oder über die Änderung der Kapazität oder Impedanz der Elektrodenkammstruktur und die Verwendung eines IDK-Chips oder Heizleiters zur Rußmessung.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Rußsensoren, Verfahren zur Rußmessung und die Verwendung von IDK-Chips oder Heizleiterchips zur Rußmessung.
  • DE 199 59 870 A1 beschreibt einen Rußsensor der mit einem Heizelement den Ruß auf Zündtemperatur bringt und mit einem Temperatursensor den Temperaturanstieg als direktes Maß für die verbrannte Menge an Rußpartikeln auswertet. Nachteilhaft an dieser indirekten Messung ist die mangelnde Reproduzierbarkeit. Die Strömungsverhältnisse im Abgassystem müssen bekannt sein, um eine Aussage aus dem Temperaturanstieg holen zu können. Weiterhin ist der sehr komplexe dreidimensionale Aufbau des Elementes sehr anfällig und teuer.
  • Interdigitale Kondensatoren (IDK) werden nach EP 0 781 409 B1 in Dickschichttechnik hergestellt und zur Raumluftüberwachung in Klimaanlagen, Luftreinigern und Gewächshäusern verwendet; nach DE 196 32 060 A1 in Dünnschichttechnik als Drehratensensor hergestellt; nach DE 196 37 265 A1 als Sensor zur kapazitiven Aufnahme einer Beschleunigung verwendet; nach EP 0 701 691 B1 unter anderem zur Detektion unterschiedlicher elektrochemischer Reaktionen oder zur Detektion des zeitlichen Verlaufs elektrochemischer Reaktionen oder zur Messung der Strömungsgeschwindigkeit an analytischen Proben verwendet.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, reproduzierbare qualitative und quantitative Aussagen über Rußpartikel machen zu können, insbesondere über die Menge und Größe der Rußpartikel, um den Rußpartikelfilter nach Füllgrad und Funktion beurteilen zu können.
  • Zur Lösung der Aufgabe erfolgt eine direkte Rußmessung mittels IDK-Struktur, insbesondere Elektrodenkammstruktur oder mit Heizleitern insbesondere mit einem oder zwei Heizleitern. Entsprechende Lösungen als Sensoren, Verfahren zur Rußmessung mit einem IDK-Chip oder Heizleitern, sowie die Verwendung von IDK-Chips oder Heizleitern zur Rußmessung sind Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Bevorzugte Ausführungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
  • Maßgeblich ist, dass die Rußbelegung oder deren Abbrennen die elektrischen Eigenschaften und die Temperatur des Chips beeinflusst. Beim Abbrennen von Ruß auf dem Heizleiter erhöht sich dessen Widerstand. Dieser Widerstand ist durch eine elektrische Schaltung bestimmbar. Aus dem Widerstand, insbesondere aus dessen zeitlichen Verlauf lässt sich auf den Verrußungsgrad schließen. Vorzugsweise wird eine Widerstandskennlinie mit Bezug auf den Verrußungsgrad bestimmt. Anhand dieser Kennlinie ist der Verrußungsgrad ablesbar.
  • An einem Heizleiter oder einer IDK-Struktur kann der elektrische Widerstand von der Rußbelegung abhängig gestaltet sein und die Rußbelegung anhand des elektrischen Widerstandes gemessen werden. Dies gilt entsprechend auch für die Impedanz einer IDK-Struktur.
  • Eingehend mit der Verrußung eines Sensors nimmt bei Heizleitersensoren der elektrische Widerstand und die Temperatur verhältnismäßig um so mehr ab, je weniger Wärme der Sensors ursprünglich abgeben kann. Dieser Effekt bei tritt bei oberflächlich metallisierten Heizleitersensoren sehr deutlich auf. So zeigen Chips mit ungeschützten Heizleitern eine relativ deutlichere Abnahme hinsichtlich Temperatur und elektrische Widerstand bei zunehmender Verrußung als die Chips deren Heizleiter mit einer weißen Keramik geschützt ist. Je umfassender die Oberfläche des Chips metallisiert ist, um so deutlicher senkt eine Verrußung die Temperatur und den elektrischen Widerstand des Chips. Besonders deutliche Effekte sind mit Goldbeschichtungen erhältlich. Bei Anwendung hoher Temperaturen kann die Temperaturstabilität von Platin oder Iridium maßgeblich werden.
  • Die Rußbelegung verändert auch das Temperaturverhalten und die IR-Abstrahlcharakteristik eines Heizleiters. Bei konstantem Stromverbrauch steigt mit zunehmender Rußbelegung die abgestrahlte Leistung an, wobei die Temperatur des Heizleiterchips entsprechend fällt. Die Verrußung ist daher auch anhand einer Temperaturbestimmung des Heizleiters oder seiner Abstrahlcharakteristik bestimmbar.
  • Bezüglich eines IDK-Chips wird durch Rußbelegung dessen elektrischer Widerstand oder Impedanz herabsetzt oder die Kapazität vergrößert und die Messung eines dieser Parameter gibt direkten Aufschluss über die Rußbelegung. Ein auf diesem Prinzip basierender Rußsensor weist einen IDK-Sensor auf, dessen IDK-Struktur mit Ruß belegbar ist oder lediglich von einer Dünnschicht abgedeckt ist.
  • Auch der Abbrand des Rußes beeinflusst den Stromverbrauch und die Temperatur. Beim Freibrennen von Ruß steigt der elektrische Widerstand des verrußten Heizleitersensors gegenüber dem unverrußten Zustand an. Auch dieser Effekt tritt um so stärker auf, je weniger Wärme der unverrußte Sensor abführen kann.
  • Rußsensoren mit mehreren Leiterbahnen können mit IDK-Struktur, Heizleiter oder Temperatursensor ausgebildet sein.
  • Als Rußsensor sind grundsätzlich alle Sensoren verwendbar, auf deren Leiterbahnen insbesondere IDK-Struktur oder Heizleiter sich Ruß ablagern kann.
  • Ein Verfahren und ein Rußsensor als Lösung der vorliegenden Erfindung basieren auf einem Chip mit Anschlusspads und elektrischen Anschlüssen, der unter Rußeinwirkung hinsichtlich einer elektrischen Eigenschaft änderbar ist, insbesondere hinsichtlich Widerstand, Kapazität oder Impedanz. Dies ermöglicht Rußmessungen mit IDK-Chips. Zur Realisierung von IDK-Chips sind Leiterkammstrukturen besonders geeignet.
  • Vorzugsweise sind die Rußsensoren hitzebeständig, damit sie auch im Abgasbereich von Automobilen verwendbar sind. Diesbezüglich bewährt sich die Platin-Dünnschichttechnik zur Erstellung entsprechender Chips. Die Heizleiter oder IDK-Strukturen und gegebenenfalls weitere funktionelle Strukturen können zur weiteren Erhöhung von Temperaturstabilität mit einer keramischen Dünnschicht abgedeckt werden.
  • In der bevorzugten Ausführung mit einem Heizelement kann sich der rußsensitive Chip durch Abbrennen der Rußbelegung selbst regenerieren. Dabei kann das Heizelement zur Rußmessung verwendet werden, indem das Heizleiterverhalten hinsichtlich seiner elektrischen oder thermischen Wirkung in Abhängigkeit einer Rußbelegung ausgewertet wird.
  • In einer Ausführung mit zwei Heizwiderständen oder IDK-Chips kann die Reproduzierbarkeit der Messungen durch Relativmessung gesteigert werden. Insbesondere in einer Ausführung mit zwei Heizwiderständen kann die Rußbelegung unterschiedlich abgebrannt werden und aus den unterschiedlichen Heizleistungen, im Stromverbrauch oder dem Temperaturunterschied der Ruß analysiert werden.
  • Dabei kann die Reproduzierbarkeit bereits dadurch erhöht werden, dass ein Chip mit zwei Heizwiderständen oder einem Heizwiderstand und einer IDK-Struktur ausgestattet ist. Dabei können die beiden Messeinheiten zum gegenseitigen Abgleich verwendet werden. Die gegenseitige Beeinflussung der Messeinheit kann durch eine Beabstandung zweier je eine Messeinrichtung aufweisender Chips minimiert werden, was wiederum die Reproduzierbarkeit erhöht.
  • Ein zusätzlicher Temperatursensor kann zur Steuerung einer Verbrennungskraftmaschine und damit zur Regelung der Rußbildung oder des Rußabbaus beitragen. In Kombination mit einem Heizelement können mit dem Temperatursensor Informationen über die Menge und Beschaffenheit des Rußes beim Abbrennen des Rußes erzielt werden. So wurde festgestellt, dass die integrale Verbrennungswärme kleiner Rußpartikel geringer ist, als die großer Rußpartikel und dass die integrale Wärme kleiner Rußpartikel bei niederen Temperaturen erzielt wird, als die größerer Rußpartikel.
  • Ein Temperatursensor kann auch zur Temperaturmessung bzw. zur Erstellung eines zeitabhängigen Temperaturprofils eines Heizleiters herangezogen werden.
  • In bevorzugter Ausführung werden für hitzebeständige Sensoren für den Kfz-Abgasbereich Rußsensoren verwendet, deren Chips ausschließlich hochtemperaturbeständige Materialien aufweisen, wie beispielsweise ein keramisches Substrat auf dem eine Platinkammstruktur aufgedruckt ist und deren elektrische Zuleitungen Platin ummantelte Nickel-Chrom-Legierungen sind, mit einem Chromgehalt zwischen 10 und 30 %.
  • In weiteren bevorzugten Ausführungen
    • • werden Substrate gemäß der noch unveröffentlichten DE 10 2004 018 050 oder in Dünnschichttechnik bedruckt, insbesondere mit Platin;
    • • liegt die Schichtdicke der IDK-Struktur unter 2 μm;
    • • ist die Bahnbreite der ineinandergreifenden Bahnen der IDK-Struktur schmaler als 20 μm;
    • • ist die Leiterbahndicke des Heizleiters oder Temperatursensors < 2 μm;
    • • ist die Leiterbahnbreite des Temperatursensors schmaler als 20 μm;
    • • ist der Heizleiter mit einer Schutzschicht beschichtet;
    • • ist der Heizleiter mit einer elektrischen Isolationsschicht vom IDK-Muster getrennt;
    • • ist der Temperatursensor von der IDK-Struktur durch eine elektrisch isolierende Schicht getrennt;
    • • weist der IDK-Chip eine Leiterbahn auf, die als Heizleiter oder Temperatursensor betrieben werden kann;
    • • ist die IDK-Struktur lediglich mit einer elektrisch isolierenden Dünnschicht (dünner als 2 μm) beschichtet, während vom anlagernden Ruß die Kapazität und Impedanz der IPC-Struktur beeinflusst wird. Chips mit einer solchen Struktur sind Hochtemperaturanwendungen zugänglich und überleben beispielsweise den Lebenszyklus einer Verbrennungskraftmaschine.
  • Ungeschützte Heizleiter oder IDK-Strukturen sind zum dauerhaften Gebrauch in Abgasen bis zu Temperaturen von 600° geeignet, geschützte Strukturen bis 850°C. Die geschützten Heizleiter sind vorzugsweise auf ihren Außenflächen metallisiert.
  • Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen mit Bezug auf die Zeichnungen erläutert.
  • 1 zeigt in Explosionsdarstellung einen Rußsensor mit einem IDK-Chip, mit zwei als IDK-Muster ausgebildeten Leiterbahnen in einer Ebene, der Anschlusspads für hochtemperaturstabile Zuleitungen aufweist;
  • 2 zeigt einen Rußsensorchip, wobei Leiterstrukturen eines Heizelements und eines Temperatursensors mit der IDK-Struktur in einer Ebene angebracht sind;
  • 3 zeigt einen Rußsensorchip, bei dem Leiterstrukturen in mehreren Ebenen übereinander angeordnet sind;
  • 4 zeigt den Temperaturverlauf bei der Verbrennung von Feinstruß gegenüber der Verbrennung von grobkörnigem Ruß.
  • 5 zeigt einen Querschnitt eines Rußpartikelfilters, daran angeschlossenem Abgaskanal und einem in den Abgaskanal hineinragenden Rußsensor.
  • 6a zeigt eine Draufsicht des in den Kanal ragenden Sensors und 6b eine Vergrößerung dessen Messspitze.
  • 7a zeigt einen weiteren Sensor und 7b dessen Messspitze.
  • 8 zeigt einen Heizleiterchip in Explosionsdarstellung.
  • 9 zeigt einen Heizwiderstandssensor bei der Verbrennung von Ruß in Abhängigkeit von der Zeit gegenüber einem unverrußten Heizwiderstandssensor.
  • Die Chipausführung nach 2 zeichnet sich durch ihre äußerst einfache Bauweise aus mit der bereits komfortable Anwendungen möglich sind. Analog zu 3 kann die Platinschicht mit einer Dünnschicht 6 geschützt werden. Die Dünnschicht kann auch teilweise aufgetragen werden, so dass sie beispielsweise nur den Heizleiter und den Temperatursensor bedeckt. In einer weiteren Ausführung gemäß 1 oder 2 wird eine Isolationsschicht 6 so aufgetragen, dass lediglich der Mittelteil der IDK-Struktur nicht bedruckt wird. Zu diesem breiten Feld von geeigneten Schutzmöglichkeiten für potentielle Anwendungen ist auch die Ausführung nach 3 beachtlich, gemäß der der Temperatursensor und der Heizleiter bereits durch die Isolationsschicht 5 geschützt werden. Ein Chip nach 3 kann dann optional mit offener IDK-Struktur 2 oder mit durch einer Isolationsschicht 6 geschützten IDK-Struktur hergestellt werden.
  • In einer einfachen Ausführung nach 1 wird lediglich eine IDK-Struktur, vorzugsweise aus Platin auf einem Substrat 1, vorzugsweise einem keramischen Substrat 1 in Dünnschichttechnik aufgetragen. Dies kann nach den bekannten lithografischen Verfahren oder der noch unveröffentlichten DE 102004 018 050 geschehen. Bei diesem IDK-Chip verändern sich durch Rußbelegung die Kapazität, die Impedanz oder der Widerstand, weshalb ein derartiger IDK-Chip direkt zur Rußmessung in Abgasen geeignet ist. Ein besonders wichtiger Anwendungsfall ist die Rußmessung in Abgasen von Verbrennungskraftmaschinen, insbesondere Dieselmotoren. Insbesondere lässt sich die Funktion des Rußpartikelfilters von Abgasen aus Dieselmotoren überwachen und steuern.
  • Mit einem zusätzlichen Heizleiter 4 gemäß 2 oder 3 kann der am IDK-Chip angelagerte Ruß durch Aufheizen pyrolytisch verbrannt werden. Bewährt haben sich hierzu Aufheiztemperaturen bei ungefähr 500°C.
  • Mit einem zusätzlichen Temperatursensor 3 gemäß 3 und 4 kann der Abbrand auf dem IDK-Chip weiter ausgewertet werden. Der Temperaturverlauf gibt zusätzliche Aussagen über die Verbrennungswärme des Rußabbrands wieder. Hieraus lässt sich durch Vergleichswerte oder Vergleichskurven auf die Art und Beschaffenheit sowie die Menge des Rußes schließen. Insbesondere Menge und Partikelgröße des Rußes können so erfasst werden, wie in 4 verdeutlicht wird.
  • Bei der neuen Generation von Dieselmotoren wird der Ruß aus dem Abgas gefiltert. Dabei kann der Rußfilter verbacken und verstopfen. Um die Wirksamkeit des Rußfilters aufrecht zu erhalten, empfiehlt es sich daher, dass die Rußbelegung des Filters wieder abgebaut wird. Zur Steuerung und Überprüfung der Selbstreinigung kann ein erfindungsgemäßer Sensor am Rußfilter angeordnet sein und unter den gleichen Bedingungen wie dieser belegt werden, so dass über den Sensor die Selbstreinigung des Partikelfilters eingeleitet wird, sobald der Sensor einen definierten Wert einer elektrischen Größe misst. Über den erfindungsgemäßen Sensor ist das Explosionsgemisch über den Kraftstoffeintrag, die Luftzufuhr oder Abgasrückführung steuerbar. Auf diese Weise lassen sich Abgasmischungen erzeugen, die die Rußbildung steuern und ggf. abbauen lassen.
  • Wenn Rußpartikel sich auf einer vorgeheizten Platinelektrodenkammstruktur (IDK) ablagern, ist der gemessene elektrische Widerstand der IDK-Struktur 2 ein Maß für die Konzentration der Rußbelegung. Ist die IDK-Struktur 2 durch eine Dünnfilmpassivierung 6 oder eine gedruckte Dickfilmschicht mit einem Dielektrikum passiviert, dann beeinflusst die Rußbelegung dieses Dielektrikums die Kapazität des Kondensators in Korrelation mit der Rußkonzentration.
  • Somit wird erfindungsgemäß eine mengenmäßige Detektion der Rußpartikelkonzentration mittels bewährtem, robusten Keramikchipaufbau in Platindünnfilmtechnik ermöglicht.
  • Zusätzliche Heiz- und Temperatursensorelemente ermöglichen die Auswertung der exothermen Reaktion bei der Rußverbrennung über die Temperaturerhöhung beim Abbrand der Rußschicht. Diese exotherme Reaktion korreliert mit der Temperaturerhöhung und kann mittels integriertem Temperatursensor protokolliert werden. Durch Vergleich des Kurvenverlaufs mit hinterlegten Verläufen kann auf die Menge, die Verteilung und die Partikelgröße des Rußes geschlossen werden.
  • Über die Gleich- oder Wechselstromleitfähigkeit kann auf den Beladungsgrad geschlossen werden und ein Freibrennprozess eingeleitet werden.
  • In der Anordnung nach 5 ragt der Sensor in einen Abgaskanal 12 hinein und ist dabei vor oder nach dem Rußpartikelfilter 11 angeordnet. Die Spitze 14 des Sensors 13 ist in 6a, 7 und 7a mit zwei Chips ausgestattet. Mit zwei Chips werden Referenzmessungen jeweils zum anderen Chip ermöglicht. Weist ein Chip eine Heizeinrichtung 4 gemäß 8 auf, kann mit der Heizeinrichtung 4 der Ruß abgebrannt werden. So lassen sich die Auswertung der Rußabbrennung durch den Sensor und weitere Referenzdaten über den zweiten Sensor erzielen. Durch den Freibrennprozess auf einem Chip wird die beide Chips umfassende Messbrücke verstimmt, wobei die Verstimmung ein Maß für die Verrußung darstellt und damit auch ein Maß für den Zustand des Partikelfilters 11. Zum Abgleichen der Brücke werden beide Chips geheizt, bis der Ruß auf ihnen abgebrannt ist. Der Heizleiter 4 wird vorzugsweise mit einer Schutzschicht 6 geschützt (8). Bewährt haben sich hierfür eine keramische Beschichtung und ein Auftrag in Dünnschichttechnik, insbesondere der Auftrag einer keramischen Beschichtung in Dünnschichttechnik. Eine äußere Metallisierung mit Gold, Platin oder Iridium erhöht die Sensitivität bezüglich Ruß. Die Metallisierung kann in Dünnschichttechnik auf der Schutzschicht 6 und der Rückseite des keramischen Substrats 1 erfolgen. Die so hergestellten Rußsensoren sind für einen Dauerbetrieb bei Temperaturen bis zu 850°C verwendbar. Die Schutzschicht 6 kann darüber zur Verlängerung der Lebenszeit versiegelt werden, beispielsweise mit Glas oder einer Opferelektrode.
  • Eine einfache Schutzschicht aus Glas genügt für Anwendungen bis 650°C.
  • Das Diagramm in 9 verdeutlicht am Freibrennprozess den erhöhten Heizwiderstand eines verrußten Sensors gegenüber einem unverrußten Sensor. Hierbei ist zu beachten, dass beim Aufheizen eines verrußten Rußsensors und eines unverrußten Rußsensors unterhalb der Freibrenntemperatur der verrußte Rußsensor kühler bleibt, bzw. sich langsamer aufheizt.
  • Beispiele zur Rußmessung mit IDK-Chip:
  • Die Rußbelegung ändert die Kapazität des IDK-Chip und ist über die Impedanz bestimmbar.
  • IDK-Chip mit Heizleiter
  • Mittels Heizleiter lässt sich der IDK-Chip wieder vom Ruß freibrennen. Ein derartiger Sensor kann so betrieben werden, dass der IDK-Chip bei einer vorbestimmten Impedanz einen Freibrennprozess des Rußfilters initiiert und über den der Chip selbst freigebrannt wird. Zusätzlich können die Funktionen des Heizleiters wie beim einzelnen Heizleiter beschrieben ist, benutzt werden. Ein zusätzlicher Temperatursensor ist zur weiter verbesserten Reproduzierbarkeit hilfreich, beispielsweise um den Temperaturverlauf des Heizleiters zu bestimmen oder die Messung unter standardisierten Temperaturbedingungen vorzunehmen.
  • Rußmessung per Heizleiter
  • Ein Heizleiterchip gemäß 8 wird unter standardisierten Motorbedingungen hinsichtlich seiner Widerstandskennlinie bezüglich dem Verrußungsgrad geeicht. Bewährt hat sich hierfür eine Messung im abgestellten Zustand oder bei Leerlaufbetrieb. Ein solcher Sensor kann im Abgasstrom vor oder hinter dem Rußpartikelfilter 11 angeordnet sein. Ist der Sensor hinter dem Partikelfilter 11 angeordnet und zeigt eine Verrußung an, so wird ein Defekt des Rußfilters 11 angezeigt. Ein vor dem Rußfilter 11 angeordneter Rußsensor leitet bei Feststellung von Verrußung den Abbrand des Rußes durch den eigenen Heizer 4 und in Rußpartikelfilter 11 ein.
  • In einer weiteren Ausführung wird mit dem Heizleiterchip gemäß 8 die Verrußung aufgrund eines unterschiedlichen Abstrahlverhaltens des Heizleiters 4 bestimmt. Dabei wurde festgestellt, dass unterhalb der Abbrandtemperatur der Widerstand bei gleicher Heizleistung mit zunehmender Verrußung abnimmt. Dieser Effekt kommt umso mehr zum Tragen, je größer der Unterschied im Abstrahlverhalten ist. Deshalb wird die Außenseite des Heizleiterchips metallisiert. Hierfür eignen sich besonders Gold, Iridium und Platin.
  • In einer Ausführung mit zwei Heizleitern 4 kann durch vergleichende Messung der Drift hinsichtlich der Eichkurve abgestellt werden. So können in dieser bevorzugten Ausführung die Heizleiter 4 wechselseitig den Ruß abbrennen und gegeneinander verglichen werden. Wenn sie unter gleichen Einsatzbedingungen betrieben werden, unterliegen sie gleichem Drift durch nicht abbrennbare Rußbestandteile, die sich auf der Oberfläche ablagern.
  • Der Widerstand des Heizleiters 4 stellt sich mit der Temperatur ein. Beim Verrußen eines Heizleiters 4 ändert der Heizleiter 4 seine Abstrahlcharakteristik, da ein verrußter Sensor wie ein schwarzer Strahler mehr Energie abstrahlt als andere Körper. Damit fällt beim Verrußen des Heizleiters 4 dessen Widerstand ab, weshalb der Widerstand des Heizleiters 4 als Maß für die Verrußung verwendbar ist. Somit ist der Heizleiter 4 geeignet, einen Freibrennprozess für einen analog verrußten Rußfilter 11 auszulösen. Dabei verschlackt der Rußsensor allmählich und driftet bezüglich seiner Widerstandskennlinie. Deshalb wird der Widerstand nach dem Freibrennprozess in einer bevorzugten Ausführung in funktionellem Zusammenhang zu der den Freibrennprozess oder die Gasgemischformulierung betreffenden Kenngrößen gesetzt.
  • In einer weiter verbesserten Ausführung zur Vermeidung des Drifts werden zwei Heizleiter 4 enthaltende Sensoren zu einer Messbrücke verknüpft. Von den vielfältigen Abgleichmöglichkeiten seien das wechselseitige Abbrennen und die Referenzmessung hervorgehoben.

Claims (17)

  1. Verfahren zur Messung von Rußablagerungen, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidungen von Ruß an einer Interdigitalen Kondensator (IDK)-Struktur (2) oder einem Heizleiter (4) durch die Änderung eines elektrischen oder thermischen Messwertes der IDK-Struktur (2) oder des Heizleiters (4) bestimmt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidungen von Ruß an einer IDK-Struktur (2) oder einem Heizleiter (4) durch die Änderung des elektrischen Widerstands einer IDK-Struktur (2) oder des Heizleiters (4) bestimmt wird oder über die Änderung der Kapazität oder Impedanz der IDK-Struktur (2) oder durch die Änderung der Temperatur oder IR-Abstrahlung des Heizleiters (4).
  3. Verfahren zur Bestimmung von Rußablagerungen, insbesondere nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Sensor zwei Heizleiter (4) aufweist, die wenigstens hinsichtlich eines der Parameter Stromverbrauch, Temperaturführung oder Rußabbrandverlauf unterschiedlich gesteuert werden.
  4. Verfahren zur Rußbestimmung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass beide Heizleiter (4) mit Ruß belegt werden und ein mit Ruß belegter Heizleiter (4) zum Abbrennen des Rußes erhitzt wird und der Verlauf des Stromverbrauchs oder des Temperaturverlaufs oder des Stromverbrauchs und Temperaturverlaufs jeweils gegeneinander zur Ermittlung der Rußeigenschaften ausgewertet wird.
  5. Verwendung zweier unterschiedlich betriebener Heizleiterchips zur Rußmessung.
  6. Verwendung eines IDK-Chips zur Rußmessung.
  7. Verwendung eines Heizleiterchips zur Rußmessung, dadurch gekennzeichnet, dass die Rußmessung anhand des Heizleiterverhaltens bezüglich seiner elektrischen oder thermischen Wirkung erfolgt.
  8. Rußsensor, enthaltend wenigstens eine Heizleiter- oder Interdigitale Kondensator (IDK) -Struktur (4, 2), deren Stromverbrauch oder elektrischer Widerstand oder Kapazität oder Impedanz die Rußbelegung charakterisiert.
  9. Rußsensor, insbesondere nach Anspruch 8, enthaltend wenigstens einen Heizleiterchip, dadurch gekennzeichnet, dass der Heizleiterchip auf einer oder beiden flächigen Seiten metallisiert ist.
  10. Rußsensor, insbesondere nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Rußsensor zwei Heizleiter (4) aufweist.
  11. Rußsensor insbesondere nach Anspruch 8, 9 oder 10, umfassend einen über Anschlusspads mit elektrischen Anschlüssen verbundenen Chip, mit wenigstens einer durch Rußeinwirkung änderbaren elektrischen Eigenschaft aus der Gruppe Widerstand, Kapazität und Impedanz dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor bezüglich dieser Eigenschaft abgeglichen ist.
  12. Rußsensor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Rußsensor ein Heizelement (4) aufweist.
  13. Rußsensor nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Rußsensor einen Temperaturfühler (3) aufweist.
  14. Rußsensor nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip eine Elektrodenkammstruktur (2) aufweist.
  15. Rußsensor nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizelement (4) oder der Temperaturfühler (3) oder die Elektrodenkammstruktur (2) des Chips oder mehrere dieser Elemente mit einer elektrischen Isolierung (6) bedeckt sind.
  16. Rußsensor nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizelement (4) oder der Temperaturfühler (3) oder die Elektrodenkammstruktur (2) mit einer keramischen Dünnschicht (6) bedeckt ist.
  17. Rußsensor nach Anspruch 12 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizleiter- oder Elektrodenkammstruktur für Rußpartikel zugänglich ist.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009000077A1 (de) * 2009-01-08 2010-07-15 Robert Bosch Gmbh Partikelsensor mit Referenzmesszelle
DE102009000318A1 (de) * 2009-01-20 2010-07-22 Robert Bosch Gmbh Teilchensensor
DE102009020743A1 (de) * 2009-05-11 2010-12-09 Heraeus Sensor Technology Gmbh Fotolithographisch strukturierter Dickschichtsensor
DE102009058260A1 (de) * 2009-12-14 2011-06-16 Continental Automotive Gmbh Rußsensor
DE102010006708A1 (de) 2010-02-02 2011-08-04 Continental Automotive GmbH, 30165 Diagnoseverfahren eines Rußsensors
DE102010055478A1 (de) * 2010-12-22 2012-06-28 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Rußsensors
DE102015122673A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Heraeus Sensor Technology Gmbh Sensor zur Detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer Partikel, Sensorsystem, Verfahren zum Betreiben eines Sensors, Verfahren zur Herstellung eines derartigen Sensors und Verwendung eines derartigen Sensors
WO2017186840A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Heraeus Sensor Technology Gmbh Sensor zur detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer partikel, sensorsystem, verfahren zum betreiben eines sensors und verwendung eines derartigen sensors
DE102017112611A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und Verfahren für dessen Herstellung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10133384A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-30 Bosch Gmbh Robert Sensor zur Detektion von Teilchen und Verfahren zu dessen Funktionskontrolle
WO2005015192A1 (de) * 2003-08-11 2005-02-17 Technische Universität Graz Russ-sensor mit beheizbaren temperaturabhängigen widerstands-sensorelementen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10133384A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-30 Bosch Gmbh Robert Sensor zur Detektion von Teilchen und Verfahren zu dessen Funktionskontrolle
WO2005015192A1 (de) * 2003-08-11 2005-02-17 Technische Universität Graz Russ-sensor mit beheizbaren temperaturabhängigen widerstands-sensorelementen

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009000077A1 (de) * 2009-01-08 2010-07-15 Robert Bosch Gmbh Partikelsensor mit Referenzmesszelle
DE102009000077B4 (de) * 2009-01-08 2011-04-07 Robert Bosch Gmbh Partikelsensor mit Referenzmesszelle und Verfahren zur Detektion von leitfähigen Partikeln
DE102009000318A1 (de) * 2009-01-20 2010-07-22 Robert Bosch Gmbh Teilchensensor
DE102009020743A1 (de) * 2009-05-11 2010-12-09 Heraeus Sensor Technology Gmbh Fotolithographisch strukturierter Dickschichtsensor
US9068913B2 (en) 2009-05-11 2015-06-30 Heraeus Sensor Technology Gmbh Photolithographic structured thick layer sensor
DE102009058260A1 (de) * 2009-12-14 2011-06-16 Continental Automotive Gmbh Rußsensor
US8653838B2 (en) 2009-12-14 2014-02-18 Continental Automotive Gmbh Soot sensor
EP2531706A1 (de) * 2010-02-02 2012-12-12 Continental Automotive GmbH Diagnoseverfahren eines russsensors
DE102010006708B4 (de) * 2010-02-02 2013-01-17 Continental Automotive Gmbh Diagnoseverfahren eines Rußsensors
WO2011095466A1 (de) 2010-02-02 2011-08-11 Continental Automotive Gmbh Diagnoseverfahren eines russsensors
DE102010006708A1 (de) 2010-02-02 2011-08-04 Continental Automotive GmbH, 30165 Diagnoseverfahren eines Rußsensors
DE102010055478A1 (de) * 2010-12-22 2012-06-28 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Rußsensors
DE102015122673A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Heraeus Sensor Technology Gmbh Sensor zur Detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer Partikel, Sensorsystem, Verfahren zum Betreiben eines Sensors, Verfahren zur Herstellung eines derartigen Sensors und Verwendung eines derartigen Sensors
DE102015122668A1 (de) 2014-12-23 2016-06-23 Heraeus Sensor Technology Gmbh Sensor zur Detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer Partikel, Sensorsystem, Verfahren zum Betreiben eines Sensors, Verfahren zur Herstellung eines derartigen Sensors und Verwendung eines derartigen Sensors
US10705002B2 (en) 2014-12-23 2020-07-07 Heraeus Nexensos Gmbh Sensor for detecting electrically conductive and/or polarizable particles and method for adjusting such a sensor
WO2017186840A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Heraeus Sensor Technology Gmbh Sensor zur detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer partikel, sensorsystem, verfahren zum betreiben eines sensors und verwendung eines derartigen sensors
DE102016107888A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Heraeus Sensor Technology Gmbh Sensor zur Detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer Partikel, Sensorsystem, Verfahren zum Betreiben eines Sensors und Verwendung eines derartigen Sensors
DE102017112611A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und Verfahren für dessen Herstellung

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